JP2006093318A - Euv exposure device, euv exposure method and reflection type mask - Google Patents

Euv exposure device, euv exposure method and reflection type mask Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to reduce the power of an EUV light required for an EUV exposure device for mass production. <P>SOLUTION: An exposure device 100 is constituted such that an irradiation area 3 of a reflection type cylinder mask 1 is irradiated by an EUV light X1, and besides, the reduced projection exposure of the whole pattern on the reflection type cylinder mask 1 is carried out on a wafer 2 by irradiating the pattern of the irradiation area 3 on the wafer 2 via two or more reflectors M1-M6. A cylindrical mask is used as the reflection type cylinder mask 1. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体製造時に利用される露光装置、露光方法及び反射型マスクに関し、特に、極短波長(一般に、EUV(Extreme Ultraviolet)と示される。)を露光光源とした露光装置(以下、EUV露光機と呼ぶ。)に関する。   The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a reflective mask used at the time of manufacturing a semiconductor. Called an exposure machine).

現在、露光装置としては、ArFエキシマレーザを露光光源としたArF露光機が広く用いられている。ArF露光機では、マスク上のパターンをウエハに縮小投影する際に、マスクとウエハとを互いに反対側にスキャンさせながら露光する方式がとられており、これはスキャン型露光機と呼ばれている。このスキャン型露光機による露光手法を図6を用いて説明する。   At present, as an exposure apparatus, an ArF exposure machine using an ArF excimer laser as an exposure light source is widely used. In the ArF exposure machine, when a pattern on a mask is reduced and projected onto a wafer, exposure is performed while scanning the mask and the wafer on opposite sides, which is called a scanning exposure machine. . An exposure method using this scanning type exposure machine will be described with reference to FIG.

図6に示された一般のスキャン型露光機200(KrF露光機でも、ArF露光機でもよい)では、マスクステージ201上に載せられた透過型マスク202に、例えば、「A」という文字状のパターンが付けられていると、ここに照射される露光用のレーザ光L1の光の像が、縮小投影光学系203によって、ウエハステージ204上のウエハ205上に投影され、「A」という文字状のパターンが反対方向に縮小されて投影される。   In the general scanning exposure apparatus 200 (which may be a KrF exposure apparatus or an ArF exposure apparatus) shown in FIG. 6, for example, a letter “A” is formed on the transmission mask 202 placed on the mask stage 201. When the pattern is applied, the light image of the exposure laser beam L1 irradiated here is projected onto the wafer 205 on the wafer stage 204 by the reduction projection optical system 203, and the letter “A” is formed. The pattern is reduced in the opposite direction and projected.

透過型マスク202に照射される照射領域206a(すなわち、瞬間的に投影されるスリット状の領域)を、パターン領域207の全体に亘ってスキャンすることで、露光領域208の全体が投影露光されるようになる。したがって、露光中は、透過型マスク202とウエハ205とは、X方向に関して互いに反対方向に同期してスキャンされる。また、ウエハ205において、スキャン方向(X方向)に直交する方向(Y方向)に露光領域208を移動させる場合は、ウエハステージ204によって、ウエハ205をY方向にステップさせている。なお、スキャン型露光機に関しては、例えば、非特許文献1などに開示されている。   The entire exposure area 208 is projected and exposed by scanning the irradiation area 206 a (that is, the slit-shaped area that is instantaneously projected) irradiated to the transmissive mask 202 over the entire pattern area 207. It becomes like this. Therefore, during exposure, the transmission mask 202 and the wafer 205 are scanned in synchronization with each other in the opposite directions with respect to the X direction. When the exposure area 208 is moved in the direction (Y direction) orthogonal to the scanning direction (X direction) on the wafer 205, the wafer 205 is stepped in the Y direction by the wafer stage 204. Note that the scan type exposure apparatus is disclosed in Non-Patent Document 1, for example.

一方、ArF露光機の次世代の露光機として、EUV露光機の利用が広く検討されている。EUV露光機もArF露光機と同様に、ウエハ上に、ある瞬間に投影される像(ウエハ上の照射領域)の大きさが露光領域よりも小さいことから、スキャン型が利用される。ただし、EUV露光機がArF露光機等の紫外光を用いた露光装置と大きく異なる点は、縮小投影光学系が全て反射鏡で構成され、またマスクも反射型になることである。なお、EUV露光機に関しては、特許文献1あるいは非特許文献2などに開示されている。   On the other hand, the use of an EUV exposure machine is widely studied as a next-generation exposure machine for ArF exposure machines. Similarly to the ArF exposure machine, the EUV exposure machine uses a scanning type because the size of the image (irradiation area on the wafer) projected on the wafer at a certain moment is smaller than the exposure area. However, the EUV exposure machine is greatly different from an exposure apparatus using ultraviolet light such as an ArF exposure machine in that the reduction projection optical system is entirely composed of a reflecting mirror and the mask is also of a reflective type. The EUV exposure apparatus is disclosed in Patent Document 1 or Non-Patent Document 2.

特開2004−170869号JP 2004-170869 A 精密工学会誌、Vol.61、No.12、第1676頁から第1680頁、1995年Journal of Precision Engineering, Vol. 61, no. 12, pp. 1676 to 1680, 1995 OPTRONICS、No.4、第122頁から127頁、2003年OPTRONICS, no. 4, pp. 122-127, 2003

上記EUV露光機における最大の課題は、露光光であるEUV光のパワーが不足しており、現在の実験機では、EUV光の発光点で平均20W程度までしか得られていないことである。このような状況下で、300mmウエハを1時間に80枚以上露光できる量産機を実現するには、EUV光のパワーは発光点で115W以上が必要であると言われており、EUV光の発生出力を向上させるのが困難であった。   The biggest problem with the EUV exposure machine is that the power of the EUV light that is the exposure light is insufficient, and in the current experimental machine, only an average of about 20 W is obtained at the emission point of the EUV light. Under such circumstances, it is said that the EUV light power needs to be 115W or more at the light emitting point to realize a mass production machine capable of exposing 80 wafers or more of 300mm wafers per hour. It was difficult to improve the output.

そこで、本発明の目的は、量産用のEUV露光機に必要なEUV光のパワーを減らすことができるようにすることであり、実用的な量産機を早期に実現することである。   Accordingly, an object of the present invention is to reduce the power of EUV light necessary for an EUV exposure machine for mass production, and to realize a practical mass production machine at an early stage.

本発明では、露光光を反射型マスクの照射領域に照射し、照射領域のパターンを複数枚の反射鏡を介して基板上に照射することにより、反射型マスク上の全体パターンを基板上に縮小投影露光する露光装置において、前記反射型マスクは円筒状に形成されていることを特徴とする。   In the present invention, the entire pattern on the reflective mask is reduced on the substrate by irradiating the irradiation area of the reflective mask with the exposure light and irradiating the substrate with the pattern of the irradiated area via a plurality of reflecting mirrors. In the exposure apparatus for projection exposure, the reflective mask is formed in a cylindrical shape.

ここで、前記全体パターンは、前記反射型マスクの円筒表面上に形成されており、前記円筒状の反射型マスクを等速回転させながら前記基板を所定方向に等速にスキャンさせることにより、前記全体パターンを前記基板上に露光する。前記全体パターンの露光は、前記円筒状の反射型マスクを反転させないで行われる。また、好ましくは、前記露光光はEUV光である。   Here, the entire pattern is formed on a cylindrical surface of the reflective mask, and the substrate is scanned at a constant speed in a predetermined direction while rotating the cylindrical reflective mask at a constant speed. The entire pattern is exposed on the substrate. The exposure of the entire pattern is performed without inverting the cylindrical reflective mask. Preferably, the exposure light is EUV light.

また、前記円筒状の反射型マスクの照射領域付近に対してガスを吹き付けるガス吐出口を有することが好ましい。   Moreover, it is preferable to have a gas discharge port which blows gas with respect to the irradiation area vicinity of the said cylindrical reflective mask.

また、前記円筒状の反射型マスクの周辺全体を覆うカバーを有することが好ましい。好ましくは、前記カバーには、露光中に前記照射領域の周辺部のみを露出させるシャッタが設けられている。また、前記カバーの内面には、粘着材が塗布されていることが好ましい。   Moreover, it is preferable to have a cover that covers the entire periphery of the cylindrical reflective mask. Preferably, the cover is provided with a shutter that exposes only a peripheral portion of the irradiation area during exposure. Moreover, it is preferable that the adhesive material is apply | coated to the inner surface of the said cover.

上述のように、本発明では、EUV露光機のマスクとして円筒状のものを用いている。EUV露光機のマスクは、従来のArF露光機等とは異なり、反射型である。よって、マスクを円筒状にしても、円筒表面にパターンを形成することで、EUV露光機に必要な反射型のマスクを構成することができる。   As described above, in the present invention, a cylindrical mask is used as a mask of an EUV exposure machine. Unlike a conventional ArF exposure machine or the like, the mask of the EUV exposure machine is a reflection type. Therefore, even if the mask is cylindrical, a reflective mask necessary for the EUV exposure apparatus can be configured by forming a pattern on the cylindrical surface.

本発明によれば、円筒状の反射型マスクを露光中に回転させることで、ウエハ上に露光させるパターン全体を投影させることができ、マスクが1回転してパターン全体の投影が終わり、次の露光を行う際には、従来のようにマスクやウエハを反転させる必要がないため、これらのステージの反転時間が掛からない。   According to the present invention, by rotating the cylindrical reflective mask during exposure, the entire pattern to be exposed can be projected on the wafer, and the projection of the entire pattern is finished by rotating the mask once. When exposure is performed, it is not necessary to invert the mask or wafer as in the prior art, so that the inversion time of these stages is not required.

この結果、1枚のウエハを従来より短時間に露光できる。また、従来と同程度の時間でウエハを露光するには、従来よりも遅くウエハをスキャンさせればよく、結果として、従来の1/2程度のEUV光のパワーで同等のスループットが得られる。   As a result, one wafer can be exposed in a shorter time than before. In addition, in order to expose the wafer in the same time as the conventional method, it is only necessary to scan the wafer later than the conventional method, and as a result, an equivalent throughput can be obtained with the power of EUV light that is about 1/2 of the conventional method.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明の実施の形態によるEUV露光機100の投影光学系を中心とした断面図である。   FIG. 1 is a sectional view centering on a projection optical system of an EUV exposure apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

EUV露光機100の露光光源であるEUV光X1は、反射型円筒マスク1の表面における細長い照射領域3(ただし、細長い方向は、紙面に垂直な方向である。)に照射される。この反射型円筒マスク1の円筒表面には、投影すべきパターンが付けられている。反射型円筒マスク1で反射したEUV光X2は、6枚の非球面ミラーM1、M2、M3、M4、M5及びM6で順次反射して、ウエハ2の照射領域4を照射する。これら6枚の非球面ミラーによって、反射型の縮小投影光学系が形成されている。その結果、反射型円筒マスク1の照射領域3のパターンが、ウエハ2上の照射領域4に縮小投影される。   The EUV light X1, which is an exposure light source of the EUV exposure apparatus 100, is irradiated to the elongated irradiation region 3 on the surface of the reflective cylindrical mask 1 (however, the elongated direction is a direction perpendicular to the paper surface). A pattern to be projected is attached to the cylindrical surface of the reflective cylindrical mask 1. The EUV light X2 reflected by the reflective cylindrical mask 1 is sequentially reflected by the six aspherical mirrors M1, M2, M3, M4, M5, and M6 to irradiate the irradiation area 4 of the wafer 2. These six aspherical mirrors form a reflective reduction projection optical system. As a result, the pattern of the irradiation area 3 of the reflective cylindrical mask 1 is reduced and projected onto the irradiation area 4 on the wafer 2.

なお、1枚目の非球面ミラーM1に関しては、同様な6枚の非球面ミラーから成る縮小投影光学系を備えた従来のEUV露光機の1枚目の非球面ミラーに比べて、一つの方向の曲率が短くなっている。その理由は、照射領域3が円筒表面であるため、そこでの反射光が、従来の平面の反射型マスクの場合よりも広がりながら進むからである。   The first aspherical mirror M1 has one direction as compared with the first aspherical mirror of a conventional EUV exposure machine having a reduction projection optical system composed of similar six aspherical mirrors. The curvature of is shorter. The reason is that since the irradiation area 3 is a cylindrical surface, the reflected light travels while spreading more than in the case of a conventional flat reflective mask.

反射型円筒マスク1の円筒表面上に付けられたパターン全体をウエハ2上に縮小投影露光させるには、反射型円筒マスク1を矢印の方向に等速に回転させながら、ウエハ2を矢印の方向に等速スキャンさせればよい。   In order to reduce and expose the entire pattern formed on the cylindrical surface of the reflective cylindrical mask 1 onto the wafer 2, the wafer 2 is moved in the direction of the arrow while the reflective cylindrical mask 1 is rotated at a constant speed in the direction of the arrow. Can be scanned at a constant speed.

以上のように、本発明のEUV露光機100では、反射型円筒マスク1が1回転し終わると、再び同じパターンが投影されるようになるため、反射型円筒マスク1自体に反転動作というものが不要であり、また各LSIチップの露光ごとにウエハ2を反転させることも不要である。その結果、従来と同じEUV光のパワーで露光した場合でも、ウエハ2の全面を露光する際に必要な処理時間の合計が短縮される。   As described above, in the EUV exposure apparatus 100 of the present invention, when the reflection type cylindrical mask 1 completes one rotation, the same pattern is projected again. Therefore, there is an inversion operation on the reflection type cylindrical mask 1 itself. It is not necessary to invert the wafer 2 for each LSI chip exposure. As a result, even when exposure is performed with the same EUV light power as in the prior art, the total processing time required for exposing the entire surface of the wafer 2 is shortened.

なお、EUV露光機100では、露光中に、ガス吐出口5から清浄なヘリウムガスが吐出し、反射型円筒マスク1における照射領域3付近を吹き付けるようになっている。これによって照射領域3付近にパーティクルが付着していても、これを吹き飛ばすようになっている。   In the EUV exposure apparatus 100, clean helium gas is discharged from the gas discharge port 5 during exposure, and the vicinity of the irradiation region 3 in the reflective cylindrical mask 1 is blown. As a result, even if particles adhere to the vicinity of the irradiation region 3, they are blown off.

また、図2に示したように、反射型円筒マスク1には、全体を覆うカバー6を装着したままEUV露光機100に装着してもよい。その場合は、EUV光X1が照射される照射領域3の周辺部のみ、反射型円筒マスク1の円筒表面が露出するようにシャッタ7を備えればよい。つまり、露光しない間は、シャッタ7はスライドして、カバー6の開口部を塞ぐようになる。また、反射型円筒マスク1をEUV露光機100から外して運ぶ際も、このカバー6の中に反射型円筒マスク1を納めたままで行える。これにより、反射型円筒マスク1の輸送中も、反射型円筒マスク1の円筒表面に周囲のパーティクルが付着しないようになる。   In addition, as shown in FIG. 2, the reflective cylindrical mask 1 may be mounted on the EUV exposure apparatus 100 with the cover 6 covering the whole mounted. In that case, it suffices to provide the shutter 7 so that the cylindrical surface of the reflective cylindrical mask 1 is exposed only in the periphery of the irradiation region 3 irradiated with the EUV light X1. That is, while not being exposed, the shutter 7 slides to close the opening of the cover 6. Further, when the reflective cylindrical mask 1 is removed from the EUV exposure apparatus 100 and carried, the reflective cylindrical mask 1 can be kept in the cover 6. This prevents surrounding particles from adhering to the cylindrical surface of the reflective cylindrical mask 1 even during transportation of the reflective cylindrical mask 1.

また、カバー6の内面には、粘着材が塗布されている。これにより、露光中に反射型円筒マスク1の表面に付着したパーティクルが、回転の遠心力によって飛ばされた際に、これらを捕手することができ、一度、飛ばされたパーティクルが再び反射型円筒マスク1の表面に付着することがない。   An adhesive material is applied to the inner surface of the cover 6. Thereby, when the particles adhering to the surface of the reflective cylindrical mask 1 during the exposure are blown off by the centrifugal force of the rotation, they can be caught. 1 does not adhere to the surface.

次に、従来のEUV露光機(ただし、図6に示された一般のスキャン型露光機200も同じであるため、図6の番号を併記する。)と図1に示された本発明のEUV露光機100とに関して、ウエハを露光していく様子の違いを図3及び図4を用いて説明する。   Next, since the conventional EUV exposure apparatus (however, the general scanning type exposure apparatus 200 shown in FIG. 6 is the same, the number of FIG. 6 is also shown) and the EUV of the present invention shown in FIG. Differences in how the wafer is exposed with respect to the exposure apparatus 100 will be described with reference to FIGS.

図3には、ウエハ205において、各露光領域208において斜線で塗りつぶされた部分が露光される場合の動作を示してある。従来のEUV露光機では、照射領域206bが実線の矢印で示された露光方向に沿って照射される。また、点線の矢印で示したのは、照射領域206bを移動するためのステップ動作を示したものであり、その際にスキャン方向に関して、マスクステージ201とウエハステージ204とが反転する。図3から判るように、各露光領域208を露光するごとに、マスクステージ201とウエハステージ204との反転動作が必要になっている。   FIG. 3 shows an operation in the case where a portion of each exposure area 208 that is filled with diagonal lines is exposed on the wafer 205. In the conventional EUV exposure machine, the irradiation area 206b is irradiated along the exposure direction indicated by the solid arrow. A dotted arrow indicates a step operation for moving the irradiation region 206b. At this time, the mask stage 201 and the wafer stage 204 are reversed with respect to the scanning direction. As can be seen from FIG. 3, every time each exposure region 208 is exposed, the reversing operation of the mask stage 201 and the wafer stage 204 is required.

これに対して、図4に示した本発明のEUV露光機100によってウエハ2を露光する際は、照射領域4が、露光領域10において斜線で示された部分を連続的に移動するように、ウエハ2を等速でスキャンさせればよい。すなわち、露光領域10を1つ露光する度に、ステップ動作やステージ反転動作を行う必要がなく、これらは、ウエハ2内で並んだ露光領域10の1列の並びが露光終了した際に1回行えばよい。   On the other hand, when the wafer 2 is exposed by the EUV exposure apparatus 100 of the present invention shown in FIG. 4, the irradiation region 4 continuously moves in the portion indicated by the oblique lines in the exposure region 10. The wafer 2 may be scanned at a constant speed. That is, it is not necessary to perform a step operation or a stage reversal operation every time one exposure area 10 is exposed. These are performed once when exposure of one row of exposure areas 10 arranged in the wafer 2 is completed. Just do it.

以上に説明したように、本発明のEUV露光機100では、ウエハ1枚を処理する時間において、実際に露光光であるEUV光をウエハに照射させず、ステージを移動するだけの時間が占める割合を大幅に低下できるようになった。   As described above, in the EUV exposure apparatus 100 of the present invention, the ratio of the time required to move the stage without actually irradiating the wafer with the EUV light as the exposure light in the time for processing one wafer. Can be greatly reduced.

そこで、本発明のEUV露光機100と従来のEUV露光機とにおけるスループットを比較した。これらのスループットの算出結果を図5に示す。   Therefore, the throughputs of the EUV exposure apparatus 100 of the present invention and the conventional EUV exposure apparatus were compared. The calculation results of these throughputs are shown in FIG.

算出条件としては、直径300mmのウエハにおいて、24mm角のLSIチップを111個露光する場合であり、ウエハステージのスキャン速度は最高500mm/秒、ウエハステージの加速度は10m/s^2、オーバースキャン距離(露光するLSIチップをスキャンするための助走距離であり、露光部分と同じスキャン速度で移動する)は8mm、ウエハを交換してアライメントするための時間を10秒と仮定した。また、EUV光の発光点から、ウエハ上までの到達率は、0.127%とした。図5から明らかなように、EUV光のパワーが115Wと同じ場合は、従来装置に比べて、本発明のEUV露光機は、レジスト感度が3mJ/cm2以上の場合、スループットは50〜60%向上した。   The calculation conditions are that when a wafer with a diameter of 300 mm is exposed to 111 LSI chips of 24 mm square, the scanning speed of the wafer stage is a maximum of 500 mm / second, the acceleration of the wafer stage is 10 m / s ^ 2, and the overscan distance. (It is a running distance for scanning the LSI chip to be exposed and moves at the same scanning speed as the exposed portion) was assumed to be 8 mm, and the time to replace and align the wafer was 10 seconds. The arrival rate from the EUV light emission point to the wafer was 0.127%. As is clear from FIG. 5, when the EUV light power is the same as 115 W, the EUV exposure apparatus of the present invention improves the throughput by 50 to 60% when the resist sensitivity is 3 mJ / cm 2 or more compared to the conventional apparatus. did.

また、本発明の露光装置において、EUV光のパワーが115Wの半分の57.5Wの場合は、レジスト感度が約3mJ/cm2の場合に、従来のEUV露光機でEUV光のパワーが115Wの場合と同等になった。すなわち、本発明のEUV露光機では、EUV光の必要パワーが1/2で済むようになった。   In the exposure apparatus of the present invention, when the EUV light power is 57.5 W, which is half of 115 W, when the resist sensitivity is about 3 mJ / cm 2, the EUV light power is 115 W with a conventional EUV exposure machine. Became equivalent. That is, in the EUV exposure apparatus of the present invention, the required power of EUV light can be halved.

なお、以上に説明した本発明のEVU露光機は、EUVだけでなく、ArF露光機などの紫外光による露光装置に適用してもよい。その場合は、これらに用いられている従来の透過型マスクの代わりに、反射型マスクを用いればよい。   Note that the EVU exposure apparatus of the present invention described above may be applied not only to EUV but also to an exposure apparatus using ultraviolet light such as an ArF exposure machine. In that case, a reflective mask may be used instead of the conventional transmissive mask used for these.

ところで、本発明のような反射型円筒マスク1の円筒表面にパターンを付ける際のパターン描画装置としては、パターン露光中に該反射型円筒マスク1を回転させながら円筒表面全面が露光できるように、ラスタースキャン方式のパターン描画装置が好ましく、例えば、マイクロミラーデバイスを用いた露光装置などが利用できる。   By the way, as a pattern drawing device for applying a pattern to the cylindrical surface of the reflective cylindrical mask 1 as in the present invention, the entire cylindrical surface can be exposed while rotating the reflective cylindrical mask 1 during pattern exposure. A raster scanning pattern drawing apparatus is preferable, and for example, an exposure apparatus using a micromirror device can be used.

すなわち、ラスタースキャンとは、基板内を露光する際に、一方向のみに露光用ビームを線状に照射する方式であることから、反射型円筒マスク1の円筒の直線方向に、露光用ビームを往復させるだけで、円筒表面上の全面をパターン描画できるからである。   That is, the raster scan is a method of irradiating the exposure beam linearly only in one direction when exposing the inside of the substrate. Therefore, the exposure beam is applied in the linear direction of the cylinder of the reflective cylindrical mask 1. This is because a pattern can be drawn on the entire surface of the cylindrical surface simply by reciprocating.

本発明の実施の形態によるEUV露光機100の断面図である。It is sectional drawing of the EUV exposure machine 100 by embodiment of this invention. 本発明のEUV露光機100における反射型円筒マスクの説明図である。It is explanatory drawing of the reflection type cylindrical mask in the EUV exposure machine 100 of this invention. 従来のEUV露光機によるウエハ露光の説明図である。It is explanatory drawing of the wafer exposure by the conventional EUV exposure machine. 本発明のEUV露光機100によるウエハ露光の説明図である。It is explanatory drawing of the wafer exposure by the EUV exposure machine 100 of this invention. 本発明のEUV露光機100と従来のEUV露光機とのスループットの比較図である。It is a comparison figure of the throughput of EUV exposure machine 100 of the present invention and the conventional EUV exposure machine. 一般のスキャン型露光機200の説明図である。It is explanatory drawing of the general scanning type exposure machine 200. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 反射型円筒マスク
2、205 ウエハ
3、4、206a、206b 照射領域
5 ガス吐出口
6 カバー
7 シャッタ
10、208 露光領域
11、210 露光方向
12、212 ステージ反転
100 本発明のEUV露光機
200 一般のスキャン型露光機
201 マスクステージ
202 透過型マスク
203 縮小投影光学系
204 ウエハステージ
L1 レーザ光
X1、X2 EUV光
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Reflective cylindrical mask 2,205 Wafer 3,4,206a, 206b Irradiation area 5 Gas discharge port 6 Cover 7 Shutter 10, 208 Exposure area 11,210 Exposure direction 12,212 Stage reversal 100 EUV exposure machine 200 of this invention General Scan type exposure machine 201 Mask stage 202 Transmission type mask 203 Reduction projection optical system 204 Wafer stage L1 Laser light X1, X2 EUV light

Claims (17)

露光光を反射型マスクの照射領域に照射し、照射領域のパターンを複数枚の反射鏡を介して基板上に照射することにより、反射型マスク上の全体パターンを基板上に縮小投影露光する露光装置において、
前記反射型マスクは円筒状に形成されていることを特徴とする露光装置。
Exposure that irradiates the irradiation area of the reflective mask with the exposure light and irradiates the pattern of the irradiation area onto the substrate through a plurality of reflecting mirrors, thereby reducing and exposing the entire pattern on the reflective mask onto the substrate. In the device
An exposure apparatus characterized in that the reflective mask is formed in a cylindrical shape.
前記全体パターンは、前記反射型マスクの円筒表面上に形成されており、前記円筒状の反射型マスクを等速回転させながら前記基板を所定方向に等速にスキャンさせることにより、前記全体パターンを前記基板上に露光することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。   The overall pattern is formed on a cylindrical surface of the reflective mask, and the substrate is scanned at a constant speed in a predetermined direction while rotating the cylindrical reflective mask at a constant speed. The exposure apparatus according to claim 1, wherein exposure is performed on the substrate. 前記全体パターンの露光は、前記円筒状の反射型マスクを反転させないで行われることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。   2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure of the entire pattern is performed without inverting the cylindrical reflective mask. 前記露光光はEUV光であることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure light is EUV light. 前記円筒状の反射型マスクの照射領域付近に対してガスを吹き付けるガス吐出口を有することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, further comprising a gas discharge port that blows gas toward an irradiation region in the vicinity of the cylindrical reflective mask. 前記円筒状の反射型マスクの周辺全体を覆うカバーを有することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。   2. The exposure apparatus according to claim 1, further comprising a cover that covers the entire periphery of the cylindrical reflective mask. 前記カバーには、露光中に前記照射領域の周辺部のみを露出させるシャッタが設けられていることを特徴とする請求項6に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 6, wherein the cover is provided with a shutter that exposes only a peripheral portion of the irradiation area during exposure. 前記カバーの内面には、粘着材が塗布されていることを特徴とする請求項6に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 6, wherein an adhesive material is applied to an inner surface of the cover. 露光光を反射型マスクの照射領域に照射し、照射領域のパターンを複数枚の反射鏡を介して基板上に照射することにより、反射型マスク上の全体パターンを基板上に縮小投影露光する露光方法において、
前記反射型マスクとして、円筒状のマスクを使用することを特徴とする露光方法。
Exposure that irradiates the irradiation area of the reflective mask with the exposure light and irradiates the pattern of the irradiation area onto the substrate through a plurality of reflecting mirrors, thereby reducing and exposing the entire pattern on the reflective mask onto the substrate. In the method
An exposure method using a cylindrical mask as the reflective mask.
前記全体パターンは、前記反射型マスクの円筒表面上に形成されており、前記円筒状の反射型マスクを等速回転させながら前記基板を所定方向に等速にスキャンさせることにより、前記全体パターンを前記基板上に露光することを特徴とする請求項9に記載の露光方法。   The overall pattern is formed on a cylindrical surface of the reflective mask, and the substrate is scanned at a constant speed in a predetermined direction while rotating the cylindrical reflective mask at a constant speed. The exposure method according to claim 9, wherein exposure is performed on the substrate. 前記全体パターンの露光は、前記円筒状の反射型マスクを反転させないで行われることを特徴とする請求項9に記載の露光方法。   The exposure method according to claim 9, wherein the exposure of the entire pattern is performed without inverting the cylindrical reflective mask. 前記露光光として、EUV光を用いることを特徴とする請求項9に記載の露光方法。   The exposure method according to claim 9, wherein EUV light is used as the exposure light. 露光光を照射領域に照射することによりパターンを複数枚の反射鏡を介して基板上に縮小投影露光する露光装置に使用される円筒状の反射型マスク。   A cylindrical reflective mask used in an exposure apparatus that irradiates an irradiation area with exposure light to reduce and project a pattern onto a substrate through a plurality of reflecting mirrors. 前記露光光はEUV光であることを特徴とする請求項13に記載の反射型マスク。   The reflective mask according to claim 13, wherein the exposure light is EUV light. 周辺全体を覆うカバーを有することを特徴とする請求項13に記載の反射型マスク。   The reflective mask according to claim 13, further comprising a cover that covers the entire periphery. 前記カバーには、露光中に前記照射領域の周辺部のみを露出させるシャッタが設けられていることを特徴とする請求項15に記載の反射型マスク。   The reflective mask according to claim 15, wherein the cover is provided with a shutter that exposes only a peripheral portion of the irradiation area during exposure. 前記カバーの内面には、粘着材が塗布されていることを特徴とする請求項15に記載の反射型マスク。

The reflective mask according to claim 15, wherein an adhesive material is applied to an inner surface of the cover.

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