JP2009146959A - Exposure apparatus, and cleaning device - Google Patents
Exposure apparatus, and cleaning device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009146959A JP2009146959A JP2007320291A JP2007320291A JP2009146959A JP 2009146959 A JP2009146959 A JP 2009146959A JP 2007320291 A JP2007320291 A JP 2007320291A JP 2007320291 A JP2007320291 A JP 2007320291A JP 2009146959 A JP2009146959 A JP 2009146959A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- scanning
- irradiation
- stage
- reticle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、露光装置及び洗浄装置に係り、特に、真空環境下でレーザー光を照射することにより原版などの被洗浄物を洗浄する機能を持った露光装置及び洗浄装置に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus and a cleaning apparatus, and more particularly to an exposure apparatus and a cleaning apparatus having a function of cleaning an object to be cleaned such as an original by irradiating a laser beam in a vacuum environment.
近年、ＤＲＡＭやＭＰＵ等の半導体デバイス製造に関し、デザインルールで３２ｎｍ以下の線幅を有するデバイスの実現に向けて、精力的に研究開発がなされている。この世代に用いられる露光装置として、極端紫外域（ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet）光を用いた露光装置が有力視されている。このような露光装置（ＥＵＶ露光装置）では、ガスによるＥＵＶ光の吸収を防ぐため、ＥＵＶ光の光路を真空環境下に置く。 In recent years, with respect to the manufacture of semiconductor devices such as DRAMs and MPUs, research and development has been vigorously conducted toward the realization of devices having a line width of 32 nm or less according to design rules. As an exposure apparatus used in this generation, an exposure apparatus using extreme ultraviolet (EUV) light is considered promising. In such an exposure apparatus (EUV exposure apparatus), the optical path of the EUV light is placed in a vacuum environment in order to prevent the absorption of the EUV light by the gas.
一般に、半導体露光装置では、レチクル（マスク）に描画された回路パターンの像を、投影光学系を用いてウエハに縮小転写している。したがって、例えば、レチクルの回路パターン面に微粒子が付着すると、各ショットの全く同じ位置に微粒子像が転写されることになる。このような微粒子の付着は、半導体デバイス製造の歩留まりの低下や、半導体デバイス自体の信頼性の低下の要因となる。 In general, in a semiconductor exposure apparatus, an image of a circuit pattern drawn on a reticle (mask) is reduced and transferred onto a wafer using a projection optical system. Therefore, for example, if fine particles adhere to the circuit pattern surface of the reticle, the fine particle image is transferred to the exact same position in each shot. Such adhesion of fine particles causes a decrease in yield of semiconductor device manufacturing and a decrease in reliability of the semiconductor device itself.
この問題に対し、水銀ランプやエキシマレーザー等を用いた露光装置では、ペリクルと呼ばれる透明保護膜をレチクルから数ｍｍ間隔を隔てて配置している。これにより、回路パターン面への微粒子の直接の付着と、微粒子像の転写を抑制していた。 In order to solve this problem, in an exposure apparatus using a mercury lamp, an excimer laser, or the like, a transparent protective film called a pellicle is arranged at a distance of several mm from the reticle. Thereby, the direct adhesion of the fine particles to the circuit pattern surface and the transfer of the fine particle image are suppressed.
しかし、ＥＵＶ露光装置で要求される透過率を満たすためのペリクルの厚さは数１０ｎｍ程度である。このように非常に薄いペリクルでは、機械的、熱的側面のいずれからも十分な強度が得られない。このため、ＥＵＶ露光装置においてペリクルを用いて微粒子の付着を防ぐことは、現実的には困難である。 However, the thickness of the pellicle for satisfying the transmittance required for the EUV exposure apparatus is about several tens of nm. In such a very thin pellicle, sufficient strength cannot be obtained from either the mechanical or thermal side. For this reason, it is practically difficult to prevent adhesion of fine particles using a pellicle in an EUV exposure apparatus.
ペリクルを用いずにレチクル等への微粒子の付着を防ぐ手段として、特開２００３−２２４０６７号公報（特許文献１）には、パルスレーザーを利用して、微粒子を除去する方法が提案されている。
特開２００３−２２４０６７号公報（特許文献１）の方法は、パルスレーザーの照射角度をブルースター角以下の角度でクリーニング表面に照射するものである。このため、パルスレーザーで表面を走査する際に、レーザーの照射角度が場所ごとに変わってしまう。 The method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2003-224667 (Patent Document 1) irradiates the cleaning surface with a pulse laser irradiation angle equal to or less than the Brewster angle. For this reason, when the surface is scanned with a pulse laser, the laser irradiation angle changes from place to place.
後述するように、表面に付着した微粒子がパルスレーザー照射によって表面から離脱する場合、その離脱方向は、レーザーの入射する方向に依存する。したがって、レーザーの照射角度が場所ごとに変わると、クリーニング動作中に、既にクリーニングされた表面に、除去された微粒子が再付着する確率が高くなり、除去効率が低下するという問題がある。 As will be described later, when the fine particles adhering to the surface are detached from the surface by pulse laser irradiation, the separation direction depends on the incident direction of the laser. Therefore, when the laser irradiation angle changes from place to place, there is a problem that the probability that the removed fine particles will reattach to the surface that has already been cleaned increases during the cleaning operation, and the removal efficiency decreases.
このように、レチクルをレーザークリーニングする際は、除去された微粒子の再付着を防ぐレーザースキャニング技術が要求される。 As described above, when the reticle is laser-cleaned, a laser scanning technique for preventing reattachment of the removed fine particles is required.
本発明は、微粒子を効果的に除去できる露光装置及び洗浄装置を提供するものである。 The present invention provides an exposure apparatus and a cleaning apparatus that can effectively remove fine particles.
本発明の一側面としての露光装置は、真空環境下で投影光学系を介して原版のパターンを基板に露光する露光装置であって、前記露光装置は、前記原版を洗浄する洗浄装置を有し、前記洗浄装置は、前記原版にレーザー光を照射する照射手段と、前記原版を移動させるステージと、前記レーザー光を前記原版に正射影したときの前記レーザー光の進行方向をレーザー入射方向と定義した場合、前記照射手段又は前記ステージの一方を用いて、前記レーザー光の前記原版上での照射領域を該レーザー入射方向と直交する方向に移動させる第１の走査手段と、前記照射手段又は前記ステージの他方を用いて、前記照射領域を前記レーザー入射方向と同一の方向に移動させる第２の走査手段とを有する。 An exposure apparatus according to one aspect of the present invention is an exposure apparatus that exposes a pattern of an original on a substrate via a projection optical system in a vacuum environment, and the exposure apparatus includes a cleaning device that cleans the original. The cleaning apparatus defines an irradiation means for irradiating the original plate with laser light, a stage for moving the original plate, and a laser light traveling direction when the laser light is orthogonally projected onto the original plate as a laser incident direction. In this case, using one of the irradiation unit or the stage, a first scanning unit that moves an irradiation region of the laser beam on the original plate in a direction orthogonal to the laser incident direction, the irradiation unit or the stage And a second scanning unit that moves the irradiation region in the same direction as the laser incident direction by using the other of the stages.
また、本発明の一側面としての洗浄装置は、真空環境下でレーザー光を照射することにより対象物を洗浄する洗浄装置であって、前記対象物にレーザー光を照射する照射手段と、前記対象物を移動させるステージと、前記レーザー光を前記対象物に正射影したときの前記レーザー光の進行方向をレーザー入射方向と定義した場合、前記照射手段又は前記ステージの一方を用いて、前記レーザー光の前記対象物上での照射領域を該レーザー入射方向と直交する方向に移動させる第１の走査手段と、前記照射手段又は前記ステージの他方を用いて、前記照射領域を前記レーザー入射方向と同一の方向に移動させる第２の走査手段とを有する。 Further, a cleaning apparatus according to one aspect of the present invention is a cleaning apparatus that cleans an object by irradiating a laser beam in a vacuum environment, the irradiation unit irradiating the object with a laser beam, and the object When the stage in which the object is moved and the traveling direction of the laser light when the laser light is orthogonally projected onto the object is defined as the laser incident direction, the laser light is used by using one of the irradiation means or the stage. The irradiation area on the object is moved in the direction orthogonal to the laser incident direction, and the irradiation area is the same as the laser incident direction by using the other of the irradiation means and the stage. And a second scanning means for moving in the direction.
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下の実施例によって明らかにされる。 Further objects or other features of the present invention will become apparent from the following examples.
本発明の露光装置及び洗浄装置によれば、原版又は対象物の上に付着した微粒子を効果的に除去することができる。 According to the exposure apparatus and the cleaning apparatus of the present invention, the fine particles adhering to the original plate or the object can be effectively removed.
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図１は、露光装置１００の概略図である。 FIG. 1 is a schematic diagram of an exposure apparatus 100.
露光装置１００は、ＥＵＶ光を用いてステップ・アンド・スキャン方式でレチクル２のパターンをウエハ１に露光する投影露光装置である。露光装置１００は、図示しない照明装置と、レチクルステージ３と、投影光学系５と、ウエハステージ２７とを真空室内（４ａ−４ｃ）に有する。露光装置１００は、真空環境下で投影光学系を介して原版のパターンを基板に露光する露光装置である。また露光装置１００は、後述するように、洗浄装置を更に有する。 The exposure apparatus 100 is a projection exposure apparatus that exposes the pattern of the reticle 2 onto the wafer 1 using EUV light in a step-and-scan manner. The exposure apparatus 100 includes an illumination device (not shown), a reticle stage 3, a projection optical system 5, and a wafer stage 27 in a vacuum chamber (4a-4c). The exposure apparatus 100 is an exposure apparatus that exposes an original pattern onto a substrate via a projection optical system in a vacuum environment. The exposure apparatus 100 further includes a cleaning device as will be described later.
ＥＵＶ光は、５ｎｍ乃至２０ｎｍの波長（例えば、波長１３．４ｎｍ）を有する。ＥＵＶ光は、大気に対する透過率が低く、残留する高分子有機ガスとの反応によりコンタミを生成してしまうため、少なくとも、ＥＵＶ光が通る光路中（即ち、光学系全体）は真空環境（１０−５〜１０−７Ｐａ程度）に維持される。 The EUV light has a wavelength of 5 nm to 20 nm (for example, a wavelength of 13.4 nm). Since EUV light has low transmittance to the atmosphere and generates contamination due to reaction with the remaining polymer organic gas, at least in the optical path through which EUV light passes (that is, the entire optical system) is a vacuum environment (10 − It is maintained in 5 -10 about -7 Pa).
照明装置は、ＥＵＶ光源部と、照明光学系とを有し、円弧状のＥＵＶ光によりレチクル２を照明する。ＥＵＶ光源部は、レーザープラズマ光源や放電プラズマ光源を用いる。照明光学系は、集光ミラー、オプティカルインテグレーター、アパーチャを有する。 The illumination device includes an EUV light source unit and an illumination optical system, and illuminates the reticle 2 with arc-shaped EUV light. The EUV light source unit uses a laser plasma light source or a discharge plasma light source. The illumination optical system includes a condenser mirror, an optical integrator, and an aperture.
レチクル２は、反射型レチクルで、レチクルステージ３に支持及び走査方向（第１方向）に駆動される。レチクル２から発せられた回折光は、投影光学系５で反射されてウエハ１上に投影される。レチクル２とウエハ１とは光学的に共役の関係に配置される。露光装置１００は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるため、レチクル２とウエハ１を同期走査することによりレチクルパターンをウエハ１上に縮小投影する。 The reticle 2 is a reflective reticle, and is supported by the reticle stage 3 and driven in the scanning direction (first direction). The diffracted light emitted from the reticle 2 is reflected by the projection optical system 5 and projected onto the wafer 1. The reticle 2 and the wafer 1 are arranged in an optically conjugate relationship. Since the exposure apparatus 100 is a step-and-scan exposure apparatus, the reticle 2 and the wafer 1 are synchronously scanned to project a reticle pattern onto the wafer 1 in a reduced scale.
レチクルステージ３は、レチクルチャック（原版チャック）７を介してレチクル２を支持して、後述する駆動部８４に接続されている。レチクルステージ３は、駆動部８４によりレチクル２を移動させるステージとして機能する。レチクルステージ３は少なくとも走査方向（Ｙ方向）に移動可能に構成されている。但し、別の実施例ではその他の方向（Ｘ方向、Ｚ軸周りの回転方向など）にも更に移動可能に構成されている。 The reticle stage 3 supports the reticle 2 via a reticle chuck (original chuck) 7 and is connected to a drive unit 84 described later. The reticle stage 3 functions as a stage for moving the reticle 2 by the drive unit 84. The reticle stage 3 is configured to be movable at least in the scanning direction (Y direction). However, in another embodiment, it is configured to be further movable in other directions (X direction, rotation direction around the Z axis, etc.).
レチクルチャック７は、平面矯正するための静電チャックであり、静電吸着力によってレチクル２を吸着及び保持する。レチクルチャック７はレチクルステージ３に設置されている（一体的に設けられている、或いは支持されている）。レチクル２は、後述するクリーニング領域３０に形成されたパターン面２ａが図１において下側又は投影光学系５側となるようにレチクルチャック７に保持される。 The reticle chuck 7 is an electrostatic chuck for flattening, and attracts and holds the reticle 2 by electrostatic attraction force. The reticle chuck 7 is installed on the reticle stage 3 (provided integrally or supported). The reticle 2 is held by the reticle chuck 7 so that a pattern surface 2a formed in a cleaning region 30 to be described later is on the lower side or the projection optical system 5 side in FIG.
投影光学系５は、複数の多層膜ミラーを用いて、レチクルパターンの像を像面にあるウエハ１上に縮小投影する。複数のミラーの枚数は、４枚乃至６枚程度である。少ない枚数のミラーで広い露光領域を実現するには、光軸から一定の距離だけ離れた細い円弧状の領域（リングフィールド）だけを用いて、レチクル２とウエハ１を同時に走査して広い面積を転写する。 The projection optical system 5 uses a plurality of multilayer mirrors to reduce and project an image of the reticle pattern onto the wafer 1 on the image plane. The number of the plurality of mirrors is about 4 to 6. In order to realize a wide exposure area with a small number of mirrors, the reticle 2 and the wafer 1 are simultaneously scanned using only a thin arc-shaped area (ring field) separated from the optical axis by a certain distance. Transcript.
ウエハ１は、別の実施形態では液晶基板その他の基板（被露光体）を広く含む。ウエハ１には、フォトレジストが塗布されている。ウエハステージ２７は、ウエハチャック（基板チャック）６を介してウエハ１を支持して６軸方向に駆動する。ウエハチャック６は静電チャックであり、静電吸着力によってウエハ１を吸着及び保持する。 In another embodiment, the wafer 1 widely includes a liquid crystal substrate and other substrates (objects to be exposed). A photoresist is applied to the wafer 1. The wafer stage 27 supports the wafer 1 via a wafer chuck (substrate chuck) 6 and drives it in six axial directions. The wafer chuck 6 is an electrostatic chuck, and attracts and holds the wafer 1 by electrostatic attraction force.
レチクルステージ３とウエハステージ２７のｘｙ位置は不図示のレーザー干渉計によって監視されている。レチクルステージ３とウエハステージ２７の走査速度の間には、Ｖｒ／Ｖｗ＝βの関係が成立するように同期制御される。ここで、投影光学系５の縮小倍率を１／βとし、レチクルステージの走査速度をＶｒ、ウエハステージ２７の走査速度をＶｗとする。 The xy positions of reticle stage 3 and wafer stage 27 are monitored by a laser interferometer (not shown). The scanning speed of the reticle stage 3 and the wafer stage 27 is synchronously controlled so that the relationship Vr / Vw = β is established. Here, the reduction magnification of the projection optical system 5 is 1 / β, the scanning speed of the reticle stage is Vr, and the scanning speed of the wafer stage 27 is Vw.
真空室（真空チャンバ）は、レチクルステージ空間４ａ、投影光学系空間４ｂ及びウエハステージ空間４ｃを含む。なお、本出願では、真空室はこれらの空間の一又は複数を指す場合がある。 The vacuum chamber (vacuum chamber) includes a reticle stage space 4a, a projection optical system space 4b, and a wafer stage space 4c. In the present application, the vacuum chamber may refer to one or more of these spaces.
レチクルステージ空間４ａは、レチクル２、レチクルステージ３、レチクルチャック７を収納する。レチクルステージ空間４ａには真空排気装置１０ａと測定装置７０ａが設けられる。真空排気装置１０ａは、独立してレチクルステージ空間４ａを露光に必要な１０-５〜１０-７Ｐａの真空度まで排気することができる。測定装置７０ａは、レチクルステージ空間４ａの真空度を測定する。測定装置７０ａが測定する真空度の範囲は１０-７〜１００Ｐａの範囲であり、真空計や圧力計を組み合わせて構成することができる。１００Ｐａの測定が必要なのは、後述するように、本実施例の洗浄装置で使用するからである。但し、別の実施例では、測定装置７０ａは少なくとも露光に必要な１０-５〜１０-７Ｐａが測定できれば足りる。この範囲で洗浄しても微粒子の除去率は高いからである。 The reticle stage space 4 a houses the reticle 2, reticle stage 3, and reticle chuck 7. In the reticle stage space 4a, an evacuation device 10a and a measurement device 70a are provided. The vacuum exhaust apparatus 10a can independently exhaust the reticle stage space 4a to a vacuum degree of 10 −5 to 10 −7 Pa necessary for exposure. The measuring device 70a measures the degree of vacuum in the reticle stage space 4a. The range of the degree of vacuum measured by the measuring device 70a is in the range of 10 −7 to 100 Pa, and can be configured by combining a vacuum gauge or a pressure gauge. The reason why the measurement of 100 Pa is necessary is that it is used in the cleaning apparatus of this embodiment as will be described later. However, in another embodiment, it is sufficient that the measuring device 70a can measure at least 10 −5 to 10 −7 Pa necessary for exposure. This is because the removal rate of the fine particles is high even if washing is performed within this range.
投影光学系空間４ｂは投影光学系５を収納する。投影光学系空間４ｂには真空排気装置１０ｂと測定装置７０ｂが設けられる。真空排気装置１０ｂは、独立して投影光学系空間４ｂを排気する。測定装置７０ｂは、投影光学系空間４ｂの真空度を測定する。測定装置７０ｂが測定する真空度の範囲は測定装置７０ａと同じ範囲であってもよいが、少なくとも露光に必要な１０-５〜１０-７Ｐａが測定できれば足りる。 The projection optical system space 4b accommodates the projection optical system 5. In the projection optical system space 4b, an evacuation device 10b and a measurement device 70b are provided. The vacuum exhaust device 10b independently exhausts the projection optical system space 4b. The measuring device 70b measures the degree of vacuum in the projection optical system space 4b. The range of the degree of vacuum measured by the measuring device 70b may be the same as that of the measuring device 70a, but it is sufficient if at least 10 −5 to 10 −7 Pa necessary for exposure can be measured.
ウエハステージ空間４ｃはウエハ１、ウエハチャック６、ウエハステージ２７を収納する。ウエハステージ空間４ｃには真空排気装置１０ｃと測定装置７０ｃが設けられる。真空排気装置１０ｃは、独立してウエハステージ空間４ｃを排気する。測定装置７０ｃは、ウエハステージ空間４ｃの真空度を測定する。測定装置７０ｃが測定する真空度の範囲は１０-７〜１００Ｐａの範囲であり、真空計や圧力計を組み合わせて構成することができる。１００Ｐａの測定が必要なのは、後述するように、本実施例の洗浄装置で使用するからである。但し、別の実施例では、測定装置７０ｃは少なくとも露光に必要な１０-５〜１０-７Ｐａが測定できれば足りる。この範囲で洗浄しても微粒子の除去率は高いからである。 The wafer stage space 4 c accommodates the wafer 1, the wafer chuck 6, and the wafer stage 27. The wafer stage space 4c is provided with an evacuation device 10c and a measurement device 70c. The vacuum exhaust device 10c independently exhausts the wafer stage space 4c. The measuring device 70c measures the degree of vacuum in the wafer stage space 4c. The range of the degree of vacuum measured by the measuring device 70c is in the range of 10 −7 to 100 Pa, and can be configured by combining a vacuum gauge and a pressure gauge. The reason why the measurement of 100 Pa is necessary is that it is used in the cleaning apparatus of this embodiment as will be described later. However, in another embodiment, it is sufficient that the measuring device 70c can measure at least 10 −5 to 10 −7 Pa necessary for exposure. This is because the removal rate of the fine particles is high even if washing is performed within this range.
レチクルステージ空間４ａと投影光学系空間４ｂとの間はゲートバルブ１６ａによって仕切られ、投影光学系空間４ｂとウエハステージ空間４ｃの間はゲートバルブ１６ｂによって仕切られている。 The reticle stage space 4a and the projection optical system space 4b are partitioned by a gate valve 16a, and the projection optical system space 4b and the wafer stage space 4c are partitioned by a gate valve 16b.
１５はウエハロードロック室であり、８はウエハロードロック室１５とウエハステージ空間４ｃとの間でウエハ１を搬入及び搬出する搬送ハンドである。１０ｅはウエハロードロック室１５の真空排気装置である。１１ａはウエハロードロック室１５に設けられた露光装置１００側のゲートバルブ、１１ｂはウエハロードロック室１５に設けられたウエハ交換室１４側のゲートバルブである。１４はウエハ１を大気圧下で一時保管するウエハ交換室であり、１３はウエハ交換室１４とウエハロードロック室１５との間でウエハ１を搬入及び搬出する搬送ハンドである。 Reference numeral 15 denotes a wafer load lock chamber, and 8 denotes a transfer hand for loading and unloading the wafer 1 between the wafer load lock chamber 15 and the wafer stage space 4c. Reference numeral 10 e denotes an evacuation device for the wafer load lock chamber 15. 11a is a gate valve on the exposure apparatus 100 side provided in the wafer load lock chamber 15, and 11b is a gate valve on the wafer exchange chamber 14 side provided in the wafer load lock chamber 15. Reference numeral 14 denotes a wafer exchange chamber for temporarily storing the wafer 1 under atmospheric pressure, and reference numeral 13 denotes a transfer hand for loading and unloading the wafer 1 between the wafer exchange chamber 14 and the wafer load lock chamber 15.
２６はレチクルロードロック室であり、２２はレチクルロードロック室２６とレチクルステージ空間４ａとの間でレチクル２を搬入及び搬出する搬送ハンドである。１０ｄはレチクルロードロック室２６の真空排気装置である。１２ａはレチクルロードロック室２６に設けられた露光装置１００側ゲートバルブ、１２ｂはレチクルロードロック室２６に設けられたレチクル交換室１９側ゲートバルブである。１９はレチクルを大気圧下で一時保管するレチクル交換室であり、１８はレチクル交換室１９とレチクルロードロック室２６との間でレチクルを搬入及び搬出する搬送ハンドである。 Reference numeral 26 denotes a reticle load lock chamber, and reference numeral 22 denotes a transfer hand for loading and unloading the reticle 2 between the reticle load lock chamber 26 and the reticle stage space 4a. Reference numeral 10 d denotes an evacuation device for the reticle load lock chamber 26. Reference numeral 12 a denotes an exposure apparatus 100 side gate valve provided in the reticle load lock chamber 26, and reference numeral 12 b denotes a reticle exchange chamber 19 side gate valve provided in the reticle load lock chamber 26. Reference numeral 19 denotes a reticle exchange chamber for temporarily storing the reticle under atmospheric pressure, and reference numeral 18 denotes a transfer hand for carrying in and out the reticle between the reticle exchange chamber 19 and the reticle load lock chamber 26.
洗浄装置は、真空室（レチクルステージ空間４ａ）にガスを導入することなく真空室（レチクルステージ空間４ａ）内で洗浄の対象物であるレチクル２を洗浄する。洗浄装置は、照射手段と、走査手段と、減衰器４２と、変更手段（照射手段の一部）と、測定装置７０ａ乃至７０ｃと、制御部６０とを有する。但し、測定装置７０ａ乃至７０ｃと制御部６０は露光装置１００に備わっているものを転用することができる。 The cleaning apparatus cleans the reticle 2 as an object to be cleaned in the vacuum chamber (reticle stage space 4a) without introducing gas into the vacuum chamber (reticle stage space 4a). The cleaning apparatus includes an irradiation unit, a scanning unit, an attenuator 42, a changing unit (a part of the irradiation unit), measuring devices 70a to 70c, and a control unit 60. However, the measuring devices 70a to 70c and the control unit 60 can be diverted from those provided in the exposure apparatus 100.
次に、本実施例における照射手段の構成及び動作を説明する。図２は、図１に示す露光装置１００の照射手段の部分を拡大した断面図である。照射手段は、パルスレーザー２１と、図示しないビーム整形系と、レーザー入射窓２０と、斜入射照明手段とを有する。 Next, the configuration and operation of the irradiation means in this embodiment will be described. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a portion of the irradiation means of the exposure apparatus 100 shown in FIG. The irradiation means includes a pulse laser 21, a beam shaping system (not shown), a laser incident window 20, and an oblique incident illumination means.
照射手段は、レチクル２を洗浄するためのレーザー光Ｌをレチクル２に照射する。このとき、レーザー光Ｌとレチクル２とのなす角度は、０°より大きく９０°より小さい範囲とする。なお、本実施例では、レーザー光Ｌを被洗浄面であるレチクル２に照射する際、レーザーの入射角度または照射角度は、レーザー光Ｌと被洗浄表面（レチクルのパターン面、パターンが形成された面）とのなす角度と定義する。このパターン面に対するレーザー光の入射角度は、０度より大きく９０度より小さい範囲、好ましくは０度より大きく４５度以下とする。 The irradiation unit irradiates the reticle 2 with laser light L for cleaning the reticle 2. At this time, the angle formed by the laser beam L and the reticle 2 is in a range larger than 0 ° and smaller than 90 °. In this embodiment, when irradiating the reticle 2 that is the surface to be cleaned with the laser beam L, the incident angle or irradiation angle of the laser is the laser beam L and the surface to be cleaned (the pattern surface of the reticle, the pattern is formed). Defined as the angle to the surface. The incident angle of the laser beam with respect to the pattern surface is in a range larger than 0 degree and smaller than 90 degrees, preferably larger than 0 degree and 45 degrees or less.
パルスレーザー２１はレチクル２にレーザー光Ｌを照射する。レーザーとしては、ＡｒＦレーザー（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＹＡＧレーザー（波長２６６ｎｍ、他）、フェムト秒レーザー（波長２６６ｎｍ、他）などを使用することができる。ただし、本実施例は露光光であるＥＵＶ光の使用を妨げるものではない。 The pulse laser 21 irradiates the reticle 2 with laser light L. As the laser, an ArF laser (wavelength 193 nm), a KrF laser (wavelength 248 nm), a YAG laser (wavelength 266 nm, etc.), a femtosecond laser (wavelength 266 nm, etc.) can be used. However, this embodiment does not prevent the use of EUV light as exposure light.
ビーム整形系は、レーザー光Ｌのビーム形状を整形する。 The beam shaping system shapes the beam shape of the laser light L.
レーザー入射窓２０は、真空室（レチクルステージ空間４ａ）の隔壁に設けられ、レーザー光Ｌを透過するガラス又は石英などの、入射波長に対して吸収の少ない光透過材料から構成される。 The laser incident window 20 is provided in a partition wall of the vacuum chamber (reticle stage space 4a) and is made of a light transmissive material that absorbs less than the incident wavelength, such as glass or quartz that transmits the laser light L.
斜入射照明手段は、レーザー光Ｌを０度より大きく９０度より小さい範囲の入射角度でレチクル２に導光する手段である。すなわち、レーザー光Ｌの、レチクル２のパターン面２ａに対する入射角度θは０°＜θ＜９０°を満足する。 The oblique incident illumination means is a means for guiding the laser light L to the reticle 2 at an incident angle in a range larger than 0 degree and smaller than 90 degrees. That is, the incident angle θ of the laser beam L with respect to the pattern surface 2a of the reticle 2 satisfies 0 ° <θ <90 °.
なお、斜入射照明手段は、パルスレーザー２１の光軸をレチクル２のパターン面２ａに対して上記範囲に設定することによって構成されてもよい。ただし、本実施例では、パルスレーザー２１が射出するレーザー光Ｌの光軸は、レチクル２のパターン面２ａと平行に設定されている。また、レーザー入射窓２０を経たレーザー光Ｌを偏向する角度可変な折り曲げミラー２３が設けられている。本実施例では、折り曲げミラー２３が斜入射照明手段として機能する。 The oblique incidence illumination means may be configured by setting the optical axis of the pulse laser 21 within the above range with respect to the pattern surface 2a of the reticle 2. However, in this embodiment, the optical axis of the laser beam L emitted from the pulse laser 21 is set parallel to the pattern surface 2 a of the reticle 2. Further, a bending mirror 23 having a variable angle for deflecting the laser light L having passed through the laser incident window 20 is provided. In this embodiment, the bending mirror 23 functions as an oblique incidence illumination unit.
折り曲げミラー２３は、図２の紙面に直交するＸ方向に延び、レチクル２のＸ方向のサイズをカバーするのに十分な反射領域を有する。折り曲げミラー２３は、レーザー光Ｌを図２の下方から右斜め上方に偏向する。折り曲げミラー２３は駆動部８２によって６軸方向に駆動され、そのＸ軸周りの傾斜角度は駆動部８２を制御する制御部６０によって制御可能である。 The folding mirror 23 extends in the X direction orthogonal to the paper surface of FIG. 2 and has a reflection region sufficient to cover the size of the reticle 2 in the X direction. The bending mirror 23 deflects the laser beam L from the lower side of FIG. The bending mirror 23 is driven in the six-axis direction by the driving unit 82, and the inclination angle around the X axis can be controlled by the control unit 60 that controls the driving unit 82.
走査手段は、レーザー光Ｌをレチクル２のパターン面２ａの全面で走査する。走査手段は、パターン面２ａ上のレーザー光Ｌのスポットを、パターン面２ａ内で二次元的に走査する手段である。 The scanning unit scans the laser beam L over the entire pattern surface 2 a of the reticle 2. The scanning means is means for two-dimensionally scanning the spot of the laser beam L on the pattern surface 2a within the pattern surface 2a.
走査手段は、Ｘ方向走査手段とＹ方向走査手段を有する。Ｘ方向走査手段は、照射手段又はレチクルを移動させるステージの一方を用いて、レーザー照射領域をレーザー入射方向（Ｙ方向）と直交する方向（±Ｘ方向）に移動させる第１の走査手段である。Ｙ方向走査手段は、照射手段又はレチクルを移動させるステージの他方を用いて、レーザー照射領域をレーザー入射方向と同一の方向（Ｙ方向）に移動させる第２の走査手段である。本実施例では、第１の走査手段としては、ポリゴンミラー４０とｆθレンズ４１とで構成される走査光学系を含む照射手段が用いられ、第２の走査手段としては、レチクルステージ３が用いられている。 The scanning unit includes an X direction scanning unit and a Y direction scanning unit. The X direction scanning means is a first scanning means for moving the laser irradiation region in a direction (± X direction) orthogonal to the laser incident direction (Y direction) using one of the irradiation means or the stage for moving the reticle. . The Y-direction scanning unit is a second scanning unit that moves the laser irradiation region in the same direction as the laser incident direction (Y direction) using the other of the irradiation unit or the stage that moves the reticle. In this embodiment, an irradiation unit including a scanning optical system including a polygon mirror 40 and an fθ lens 41 is used as the first scanning unit, and a reticle stage 3 is used as the second scanning unit. ing.
ここで、レーザー入射方向とは、レーザー光をレチクル２の平面上に正射影したときのレーザーの進行方向であると定義する。すなわち、レーザー入射方向とは、レチクル２の表面を真上からみたときにレチクル２の表面上に示されるレーザー光の方向である。これは、レーザー光の照射方向のうち、レチクル２の表面と平行な成分の方向であるともいえる。 Here, the laser incident direction is defined as the laser traveling direction when the laser light is orthogonally projected onto the plane of the reticle 2. That is, the laser incident direction is the direction of laser light shown on the surface of the reticle 2 when the surface of the reticle 2 is viewed from directly above. This can be said to be the direction of the component parallel to the surface of the reticle 2 in the laser light irradiation direction.
また、レーザー照射領域とは、レーザー光のレチクル上（原版上）での照射領域（レーザースポット）である。 The laser irradiation area is an irradiation area (laser spot) on the reticle (on the original plate) of laser light.
本実施例のＸ方向走査手段は、ポリゴンミラー４０とｆθレンズ４１とを有する。ポリゴンミラー４０は、駆動部８０によってＸＹ平面において回転駆動される。ポリゴンミラー４０は回転駆動することにより、パルスレーザー２１から射出したレーザー光ＬをＸ方向に走査する。ポリゴンミラー４０の回転軸はＸＹ平面に垂直であるから、レーザー光のレチクル２の表面に対する入射角は一定に保持される。なお、ポリゴンミラー４０とｆθレンズ４１の組み合わせの代わりに、ガルバノミラーとアークサインレンズなど、他の走査光学系を使用してもよい。 The X-direction scanning unit of this embodiment includes a polygon mirror 40 and an fθ lens 41. The polygon mirror 40 is rotationally driven on the XY plane by the drive unit 80. The polygon mirror 40 is rotated to scan the laser light L emitted from the pulse laser 21 in the X direction. Since the rotation axis of the polygon mirror 40 is perpendicular to the XY plane, the incident angle of the laser beam with respect to the surface of the reticle 2 is kept constant. In place of the combination of the polygon mirror 40 and the fθ lens 41, other scanning optical systems such as a galvano mirror and an arc sine lens may be used.
ｆθレンズ４１は、入射角θに比例した像高Ｙをもち、焦点距離をｆとするとＹ＝ｆθとなる。ポリゴンミラー４０とｆθレンズ４１との組み合わせにより、レーザー照射領域５０は等速度でＸ方向に移動することになる。特に、本実施例では、レーザー光のレチクル２に対する入射角を一定に保持する必要があるため、ｆθレンズ４１から射出したレーザー光は入射角θが変化しても、平行光を維持するようなテレセントリックｆθレンズが望ましい。 The fθ lens 41 has an image height Y proportional to the incident angle θ, and when the focal length is f, Y = fθ. Due to the combination of the polygon mirror 40 and the fθ lens 41, the laser irradiation region 50 moves in the X direction at a constant speed. In particular, in this embodiment, since it is necessary to keep the incident angle of the laser light with respect to the reticle 2 constant, the laser light emitted from the fθ lens 41 maintains parallel light even if the incident angle θ changes. A telecentric fθ lens is desirable.
Ｙ方向走査手段は、−Ｙ方向（露光時の走査方向）に移動するレチクルステージ３を有する。レチクルステージ３は、上述したように駆動部８４によって６軸方向に駆動される。本実施例では、レチクルステージ３の移動方向は、−Ｙ方向となる。これは、レチクル表面上のレーザー照射位置を、レーザー入射方向に対し、常に手前方向から奥方向に照射することになる。レチクルステージ３をレーザー入射方向（Ｙ方向）とは反対の方向（−Ｙ方向）に移動させることにより、常に、レーザー照射領域５０をレーザー入射方向と同一の方向に移動させる。 The Y-direction scanning unit has a reticle stage 3 that moves in the −Y direction (scanning direction during exposure). The reticle stage 3 is driven in the 6-axis direction by the drive unit 84 as described above. In this embodiment, the movement direction of the reticle stage 3 is the −Y direction. This means that the laser irradiation position on the reticle surface is always irradiated from the near side to the far side with respect to the laser incident direction. By moving the reticle stage 3 in a direction (−Y direction) opposite to the laser incident direction (Y direction), the laser irradiation region 50 is always moved in the same direction as the laser incident direction.
なお、本実施例とは異なり、パルスレーザー２１が二次元的にレーザー光Ｌをレチクルのパターン面２ａに対して走査する走査機構を設けてもよい。 Unlike the present embodiment, a scanning mechanism may be provided in which the pulse laser 21 scans the laser beam L two-dimensionally on the reticle pattern surface 2a.
減衰器４２は、レチクル２によって反射されたレーザー光Ｌを減衰させるレーザー光出力減衰器である。これにより、レチクル２で反射したレーザー光Ｌが、露光装置１００の他の部材に照射されることを防止することができる。本実施例では、減衰器４２のレーザー光Ｌの入射部は減衰器４２内で発生した微粒子が飛散しないようにガラス窓で覆われている。また、本実施例の減衰器４２は、真空室（レチクルステージ空間４ａ）内に設けられているが、減衰器４２は真空室（レチクルステージ空間４ａ）の外部に設けられてもよい。この場合、レーザー光Ｌは、図示しない透過窓を介して真空室の外に導出してそこで減衰される。 The attenuator 42 is a laser light output attenuator that attenuates the laser light L reflected by the reticle 2. Thereby, it is possible to prevent the laser light L reflected by the reticle 2 from being irradiated to other members of the exposure apparatus 100. In this embodiment, the incident part of the laser light L of the attenuator 42 is covered with a glass window so that the fine particles generated in the attenuator 42 are not scattered. Further, although the attenuator 42 of the present embodiment is provided in the vacuum chamber (reticle stage space 4a), the attenuator 42 may be provided outside the vacuum chamber (reticle stage space 4a). In this case, the laser light L is led out of the vacuum chamber through a transmission window (not shown) and attenuated there.
減衰器４２の代わりに図示しない折り返しミラーを挿入してもよい。この場合、折り返しミラーは図示しない駆動部に接続されて駆動可能に構成され、駆動部は制御部６０によって制御される。 Instead of the attenuator 42, a folding mirror (not shown) may be inserted. In this case, the folding mirror is connected to a drive unit (not shown) so as to be driven, and the drive unit is controlled by the control unit 60.
次に、本実施例のレチクル表面の洗浄方法について、図３を参照して説明する。図３は、図１に示す洗浄装置の部分拡大平面図である。また図３には、レーザー入射方向、レーザー走査方向、及び、レチクルステージ３の走査方向の関係が示されている。 Next, a method for cleaning the reticle surface of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a partially enlarged plan view of the cleaning apparatus shown in FIG. FIG. 3 shows the relationship among the laser incident direction, the laser scanning direction, and the scanning direction of the reticle stage 3.
図３において、３０はレチクル２のクリーニング領域である。また、５０はレーザー照射領域であり、レーザー光がレチクル２の表面上に照射される領域を示している。それ以外の符合は図１のものと同様である。 In FIG. 3, reference numeral 30 denotes a cleaning area of the reticle 2. Reference numeral 50 denotes a laser irradiation region, which indicates a region where laser light is irradiated onto the surface of the reticle 2. The other symbols are the same as those in FIG.
本実施例のＸ方向走査手段は、ポリゴンミラー４０とテレセントリックｆθレンズ４１により、レーザー照射領域５０をＸ方向に走査する。それと同時に、Ｙ方向走査手段によりレチクルステージ３を−Ｙ方向に移動させることにより、レーザー照射領域５０をＹ方向に走査する。Ｘ方向走査手段とＹ方向走査手段を同期させることにより、クリーニング領域３０の全面を走査することが可能となる。特に本実施例では、レチクル表面に入射させるレーザーＬを、０度より大きく９０°より小さい範囲の入射角度で入射させる。特に、レチクルステージ３を−Ｙ方向に移動させ、クリーニング対象物であるレチクル２に対する照射手段の相対位置をレーザー入射方向に移動させることが好ましい。 The X direction scanning means of this embodiment scans the laser irradiation region 50 in the X direction by the polygon mirror 40 and the telecentric fθ lens 41. At the same time, the laser irradiation region 50 is scanned in the Y direction by moving the reticle stage 3 in the −Y direction by the Y direction scanning means. By synchronizing the X direction scanning unit and the Y direction scanning unit, the entire surface of the cleaning region 30 can be scanned. In particular, in this embodiment, the laser L incident on the reticle surface is incident at an incident angle in a range greater than 0 degrees and smaller than 90 °. In particular, it is preferable that the reticle stage 3 is moved in the −Y direction, and the relative position of the irradiation means with respect to the reticle 2 that is the object to be cleaned is moved in the laser incident direction.
本発明者は、被洗浄面に付着した微粒子Ｐをレーザー光Ｌで除去する場合、レーザー光Ｌを被洗浄面に垂直入射させるよりも斜入射させるほうが効率的に微粒子Ｐを除去できることを実験的に発見した。図４（ａ）は被洗浄面であるレチクル２のパターン面２ａにある微粒子Ｐにレーザー光Ｌが垂直入射する状態を示す概略断面図である。図４（ｂ）はレチクル２のパターン面２ａにある微粒子Ｐにレーザー光Ｌが斜め入射する状態を示す概略断面図である。 The present inventor experimentally shows that when removing the fine particles P adhering to the surface to be cleaned with the laser light L, it is possible to efficiently remove the fine particles P when the laser light L is obliquely incident rather than perpendicularly incident on the surface to be cleaned. I found it. FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing a state in which the laser light L is perpendicularly incident on the fine particles P on the pattern surface 2a of the reticle 2 that is the surface to be cleaned. FIG. 4B is a schematic cross-sectional view showing a state in which the laser light L is obliquely incident on the fine particles P on the pattern surface 2 a of the reticle 2.
レーザー光Ｌよる微粒子除去の機構は明確にはなっていないが、（１）パルス照射時の微粒子Ｐと被洗浄基板の瞬時の熱膨張、（２）光圧力作用、及び、（３）光化学的作用、の組み合わせであると予想される。特に無機微粒子Ｐでは、（１）と（２）の要因の影響が大きい。 Although the mechanism of particle removal by the laser beam L is not clear, (1) instantaneous thermal expansion of the particle P and the substrate to be cleaned during pulse irradiation, (2) light pressure action, and (3) photochemical It is expected to be a combination of action. In particular, in the case of the inorganic fine particles P, the influence of the factors (1) and (2) is large.
従って、垂直入射光の場合、熱膨張により、微粒子Ｐは被洗浄面から離脱する方向に力が作用するが、同時に光圧力作用により微粒子Ｐは被洗浄面に押し付けられる方向に力が作用する。そのため、微粒子Ｐの離脱力としては１００％有効には作用していない。 Accordingly, in the case of vertically incident light, due to thermal expansion, a force acts in the direction in which the fine particles P separate from the surface to be cleaned, but at the same time, a force acts in a direction in which the fine particles P are pressed against the surface to be cleaned. Therefore, the separation force of the fine particles P does not act 100% effectively.
一方、斜入射光の場合は、微粒子Ｐに入射する直接光と、被洗浄面を反射する反射光が組み合わさって微粒子Ｐにレーザー光Ｌが照射される。従って、熱膨張による微粒子Ｐが被洗浄面から離脱する力も垂直入射の時よりも大きくなる。また、その場合の光圧力は、被洗浄面に微粒子Ｐを押し付けるような方向ではなく、その接線方向の力が大きく作用する。以上の機構により、斜入射光の方が微粒子Ｐの除去率が高くなる。 On the other hand, in the case of obliquely incident light, the direct light incident on the fine particle P and the reflected light that reflects the surface to be cleaned are combined and the fine particle P is irradiated with the laser light L. Accordingly, the force with which the fine particles P are separated from the surface to be cleaned due to thermal expansion is larger than that at the time of normal incidence. Moreover, the light pressure in that case is not a direction in which the fine particles P are pressed against the surface to be cleaned, but a force in the tangential direction acts largely. With the above mechanism, the removal rate of the fine particles P is higher in the oblique incident light.
本発明者らは、実験により、レーザー入射角度を４５°未満にすると、微粒子Ｐの除去率が特に向上することを発見した。このため、本実施例では、レーザー光の入射角度θを０度より大きく４５度より小さい範囲に設定した場合、特に効果的に微粒子が除去できる。 The present inventors have found through experiments that the removal rate of the fine particles P is particularly improved when the laser incident angle is less than 45 °. For this reason, in this embodiment, the fine particles can be removed particularly effectively when the incident angle θ of the laser beam is set in a range larger than 0 degree and smaller than 45 degrees.
また、斜入射光の被洗浄面に照射されるエネルギーＥは、垂直入射光のエネルギーＥ０に対してＥ＝Ｅ０×ｓｉｎθの関係となる。θの値に依存して、被洗浄面に照射される単位面積あたりのエネルギーが異なる。このため、被洗浄面に照射されるエネルギーを被洗浄面において一定にすることにより、洗浄の信頼性を高めることができる。 Further, the energy E applied to the surface to be cleaned of the oblique incident light has a relationship of E = E0 × sin θ with respect to the energy E0 of the normal incident light. Depending on the value of θ, the energy per unit area irradiated on the surface to be cleaned varies. For this reason, the reliability of cleaning can be improved by making the energy irradiated to the surface to be cleaned constant on the surface to be cleaned.
レーザー照射後の微粒子は、その離脱方向に方向性がある。微粒子Ｐがレーザー光の照射により一旦表面から離脱した場合には、レーザー入射方向と同じ方向に飛散すると予測される。離脱した微粒子Ｐの離脱力が充分ではなく、かつ、離脱後に静電気力などが発生する場合には、微粒子Ｐは被洗浄面であるレチクル２に再付着する可能性がある。微粒子Ｐを効果的に除去するため、レーザー入射方向と被洗浄面の走査方向との関係を考慮する必要がある。 The fine particles after laser irradiation have directionality in the separation direction. When the fine particles P are once detached from the surface by laser light irradiation, it is predicted that they will scatter in the same direction as the laser incident direction. When the separation force of the detached fine particles P is not sufficient and electrostatic force or the like is generated after the separation, the fine particles P may reattach to the reticle 2 that is the surface to be cleaned. In order to effectively remove the fine particles P, it is necessary to consider the relationship between the laser incident direction and the scanning direction of the surface to be cleaned.
したがって、図３に示されるように、レーザー入射方向をＹ方向としてレーザー光を被洗浄面に照射する際には、レチクルステージを−Ｙ方向に移動させる。被洗浄面に対するパルスレーザー２１の相対位置をレーザー入射方向（Ｙ方向）に移動させる（レチクル２は−Ｙ方向に移動する）ことにより、レーザー照射位置を、常にレーザー入射方向の手前方向から奥方向に照射することになる。すなわち、レーザー入射方向と同一の方向に、パルスレーザー２１をレチクル２に対して相対的に移動させることになる。 Therefore, as shown in FIG. 3, when irradiating the surface to be cleaned with the laser incident direction as the Y direction, the reticle stage is moved in the -Y direction. By moving the relative position of the pulse laser 21 with respect to the surface to be cleaned in the laser incident direction (Y direction) (the reticle 2 moves in the -Y direction), the laser irradiation position is always changed from the near side to the far side of the laser incident direction. Will be irradiated. That is, the pulse laser 21 is moved relative to the reticle 2 in the same direction as the laser incident direction.
図５は、Ｙ方向走査手段が被洗浄面であるレチクル２を−Ｙ方向に移動させている状態を示す概略図である。図５において、今、レチクル２の表面のＡの位置に微粒子Ｐが存在すると仮定する。ここで、入射角θを有するレーザ光がＡの位置にある微粒子Ｐを照射すると、微粒子Ｐは本図の右方向に飛散して、Ｂの位置に再付着する可能性がある。ところが、レチクル２はＹ方向走査手段により−Ｙ方向に移動するため、Ａの位置の微粒子Ｐを除去したレーザー光は、その後、Ｂの位置にある微粒子Ｐに照射される。このような動作を繰り返すことにより、レチクル２の表面に存在する微粒子Ｐは最終的にクリーニング領域３０から除去される。 FIG. 5 is a schematic view showing a state in which the Y-direction scanning unit moves the reticle 2 that is the surface to be cleaned in the −Y direction. In FIG. 5, it is assumed that the fine particle P is present at the position A on the surface of the reticle 2. Here, when the laser beam having the incident angle θ irradiates the fine particle P at the position A, the fine particle P may be scattered in the right direction in the figure and reattached to the position B. However, since the reticle 2 is moved in the −Y direction by the Y-direction scanning means, the laser light from which the fine particles P at the position A are removed is then irradiated onto the fine particles P at the position B. By repeating such an operation, the fine particles P existing on the surface of the reticle 2 are finally removed from the cleaning region 30.
このように、レチクル２は、レーザー入射方向と逆方向に移動する。換言すれば、パルスレーザー２１は、レチクル２上を、レーザー入射方向と同一方向に走査する。このため、被洗浄面から離脱した微粒子Ｐが再付着した場合でも、再度レーザーにより照射される。このため、被洗浄面に存在する微粒子Ｐの除去率を向上させることができる。このとき、レーザー入射角は０度より大きく９０度より小さいため、既に微粒子Ｐの除去が完了した表面エリアに再付着することもない。 Thus, the reticle 2 moves in the direction opposite to the laser incident direction. In other words, the pulse laser 21 scans the reticle 2 in the same direction as the laser incident direction. For this reason, even when the fine particles P detached from the surface to be cleaned are reattached, the laser beam is irradiated again. For this reason, the removal rate of the fine particles P existing on the surface to be cleaned can be improved. At this time, since the laser incident angle is larger than 0 degree and smaller than 90 degrees, it does not reattach to the surface area where the removal of the fine particles P has been completed.
図６は、レーザーの照射により除去された微粒子Ｐが再付着する状況を示したレチクル２の平面図である。また、図７は、パルスレーザー２１の主走査方向及び副走査方向の関係を示したレチクル２の平面図である。図７（ａ）はレーザー入射方向と主走査方向とが同一の場合、図７（ｂ）はレーザー入射方向と主走査方向とが直交する場合を示している。 FIG. 6 is a plan view of the reticle 2 showing a state in which the fine particles P removed by laser irradiation are reattached. FIG. 7 is a plan view of the reticle 2 showing the relationship between the main scanning direction and the sub-scanning direction of the pulse laser 21. FIG. 7A shows a case where the laser incident direction and the main scanning direction are the same, and FIG. 7B shows a case where the laser incident direction and the main scanning direction are orthogonal to each other.
図６に示されるように、レーザー入射方向はＹ方向であるため、レーザーの照射により離脱した微粒子Ｐの多くは、レチクル２のＡの位置に再付着すると考えられる。しかし、中には、Ｂの位置やＣの位置に再付着する微粒子Ｐも存在しうる。 As shown in FIG. 6, since the laser incident direction is the Y direction, it is considered that most of the fine particles P detached by the laser irradiation reattach to the position A of the reticle 2. However, there may be fine particles P that reattach to the B position or the C position.
ここで、図７（ａ）に示されるように、レーザー入射方向と主走査方向とが同一の場合には、図６のＢ又はＣのいずれか一方の位置は、既に洗浄が終了している。このため、微粒子ＰがＢ又はＣの位置に再付着すると、図７（ａ）の走査方式では、微粒子Ｐを効果的に除去できない可能性がある。 Here, as shown in FIG. 7A, when the laser incident direction and the main scanning direction are the same, the cleaning has already been completed at either position B or C in FIG. . For this reason, if the fine particles P reattach to the position B or C, there is a possibility that the fine particles P cannot be effectively removed by the scanning method of FIG.
そこで、本実施例では、図７（ｂ）に示されるように、レーザー入射方向と主走査方向とを直交させている。換言すれば、レーザー入射方向と副走査方向とを同一にしている。 Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 7B, the laser incident direction and the main scanning direction are orthogonal to each other. In other words, the laser incident direction and the sub-scanning direction are the same.
具体的には、洗浄装置は以下の動作を順に実行する。第１の動作として、図７（ｂ）のＡで示されるように、第１の走査手段がレーザー照射領域５０を第１の主走査方向（Ｘ方向）に移動させる。第２の動作として、図７（ｂ）のＢで示されるように、第２の走査手段がレーザー照射領域５０を副走査方向（Ｙ方向）に移動させる。第３の動作として、図７（ｂ）のＣで示されるように、第１の走査手段がレーザー照射領域５０を第１の主走査方向とは反対の第２の主走査方向（−Ｘ方向）に移動させる。最後に第４の動作として、図７（ｂ）のＤに示されるように、第２の走査手段がレーザー照射領域５０を副走査方向（Ｙ方向）に移動させる。以降の走査では、この４つの動作を繰り返す。 Specifically, the cleaning device sequentially executes the following operations. As a first operation, as shown by A in FIG. 7B, the first scanning unit moves the laser irradiation region 50 in the first main scanning direction (X direction). As a second operation, as indicated by B in FIG. 7B, the second scanning unit moves the laser irradiation region 50 in the sub-scanning direction (Y direction). As a third operation, as indicated by C in FIG. 7B, the first scanning unit moves the laser irradiation region 50 in the second main scanning direction (−X direction opposite to the first main scanning direction). ). Finally, as a fourth operation, as shown in D of FIG. 7B, the second scanning unit moves the laser irradiation region 50 in the sub-scanning direction (Y direction). In the subsequent scanning, these four operations are repeated.
レーザーの照射により離脱した微粒子Ｐは、レーザー入射方向にわずかでも移動して再付着する。このため、レーザー入射方向と主走査方向とを直交させることにより、再付着した微粒子Ｐを確実に除去することができる。 The fine particles P detached by the laser irradiation move even in the laser incident direction and reattach. For this reason, the reattached fine particles P can be reliably removed by making the laser incident direction orthogonal to the main scanning direction.
したがって、本実施形態によれば、微粒子Ｐの除去率をさらに向上させることが可能になる。 Therefore, according to the present embodiment, the removal rate of the fine particles P can be further improved.
次に、本発明の実施例２について、図８及び図９を参照しながら説明する。まず、本実施例の構成について、図８を用いて具体的に説明する。 Next, Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIGS. First, the configuration of the present embodiment will be specifically described with reference to FIG.
実施例１では、第１の走査手段であるＸ方向走査手段は、ポリゴンミラーとｆθレンズを用いた光学素子スキャン方法であった。また、第２の走査手段であるＹ方向走査手段は、レチクルステージ３の露光時の走査移動を用いたものであった。 In the first embodiment, the X-direction scanning unit as the first scanning unit is an optical element scanning method using a polygon mirror and an fθ lens. Further, the Y-direction scanning means as the second scanning means uses the scanning movement during exposure of the reticle stage 3.
本実施例は、レーザー光の走査手段にポリゴンミラー、ｆθレンズ等の光学部品を用いない点で、実施例１とは異なる。また、本実施例では、座標系が実施例１とは異なっており、紙面垂直方向が、露光時のレチクルステージ３の走査方向となっている。 The present embodiment is different from the first embodiment in that no optical components such as a polygon mirror and an fθ lens are used for the laser beam scanning means. In this embodiment, the coordinate system is different from that in the first embodiment, and the direction perpendicular to the paper surface is the scanning direction of the reticle stage 3 during exposure.
本実施例の走査手段は、Ｘ方向走査手段とＹ方向走査手段を有する。Ｘ方向走査手段は、照射手段又はレチクルを移動させるステージの一方を用いて、レーザー照射領域をレーザー入射方向（Ｙ方向）と直交する方向（±Ｘ方向）に移動させる第１の走査手段である。Ｙ方向走査手段は、照射手段又はレチクルを移動させるステージの他方を用いて、レーザー照射領域をレーザー入射方向と同一の方向（Ｙ方向）に移動させる第２の走査手段である。本実施例では、第１の走査手段としては、レチクルステージ３が用いられ、第２の走査手段としては、折り曲げミラー２３を含む照射手段が用いられている。 The scanning unit of this embodiment includes an X direction scanning unit and a Y direction scanning unit. The X direction scanning means is a first scanning means for moving the laser irradiation region in a direction (± X direction) orthogonal to the laser incident direction (Y direction) using one of the irradiation means or the stage for moving the reticle. . The Y-direction scanning unit is a second scanning unit that moves the laser irradiation region in the same direction as the laser incident direction (Y direction) using the other of the irradiation unit or the stage that moves the reticle. In the present embodiment, the reticle stage 3 is used as the first scanning unit, and the irradiation unit including the bending mirror 23 is used as the second scanning unit.
Ｙ方向走査手段としては、レーザー光Ｌをレチクル２に下方から斜めに入射させる折り曲げミラー２３が用いられる。実施例１では、折り曲げミラー２３を露光装置１００に固定して用いた。しかし本実施例では、折り曲げミラー２３は固定されず、Ｙ方向に移動可能なミラーステージ５１上に設置される。折り曲げミラー２３は、駆動部８２によりＸ軸周りを回転駆動される。これにより、レーザー光のレチクル２への入射角θを変更することができる。 As the Y-direction scanning unit, a bending mirror 23 that causes the laser beam L to enter the reticle 2 obliquely from below is used. In the first embodiment, the bending mirror 23 is fixed to the exposure apparatus 100 and used. However, in this embodiment, the bending mirror 23 is not fixed and is installed on the mirror stage 51 that can move in the Y direction. The bending mirror 23 is rotationally driven around the X axis by the drive unit 82. Thereby, the incident angle θ of the laser beam to the reticle 2 can be changed.
ミラーステージ５１は、折り曲げミラー２３のステージとして機能する。また、レチクル２の表面から反射したレーザー光を減衰するための減衰器４２がミラーステージ５１の上に設けられる。 The mirror stage 51 functions as a stage for the bending mirror 23. An attenuator 42 for attenuating the laser light reflected from the surface of the reticle 2 is provided on the mirror stage 51.
ミラーステージ５１は駆動部８６により駆動され、＋Ｙ方向に移動する。この結果、ミラーステージ５１の上に設定されている折り曲げミラー２３及び減衰器４２も同時に＋Ｙ方向に移動する。このような構成により、レチクル２の表面上のレーザー照射位置を、レーザー入射方向に対し、常に手前方向から奥方向に照射することになる。よって、レーザー照射領域５０をレーザー入射方向と同一の方向に移動させることにより、レチクル２の上に付着した微粒子を効果的に除去することができる。 The mirror stage 51 is driven by the drive unit 86 and moves in the + Y direction. As a result, the bending mirror 23 and the attenuator 42 set on the mirror stage 51 also move in the + Y direction at the same time. With such a configuration, the laser irradiation position on the surface of the reticle 2 is always irradiated from the near side to the far side with respect to the laser incident direction. Therefore, the fine particles adhering to the reticle 2 can be effectively removed by moving the laser irradiation region 50 in the same direction as the laser incident direction.
一方、Ｘ方向走査手段は、レチクルステージ３の露光時走査方向の往復運動を用いている。レチクルステージ３は駆動部８４により駆動される。 On the other hand, the X-direction scanning unit uses reciprocating motion of the reticle stage 3 in the scanning direction during exposure. The reticle stage 3 is driven by a drive unit 84.
なお、パルスレーザー２１、及び、駆動部８２、８４、８６は、制御部６０から出力される各々の制御信号に基づいて制御される。 Note that the pulse laser 21 and the drive units 82, 84, 86 are controlled based on respective control signals output from the control unit 60.
次に、本実施例のレチクル２の表面のレーザー走査方法について、図９を用いて説明する。 Next, a laser scanning method for the surface of the reticle 2 of this embodiment will be described with reference to FIG.
３０はレチクル２のクリーニング領域であり、５０はレーザー照射領域を示す。それ以外の参照番号は図８と同様である。Ｘ方向走査手段であるレチクルステージ３を往復運動させることにより、レーザー照射領域５０をＸ方向に移動させる。これと同時に、Ｙ方向走査手段である折り曲げミラー２３及び減衰器４２を＋Ｙ方向に移動させることにより、レーザー照射領域５０を＋Ｙ方向に走査する。このＹ方向走査手段とＸ方向走査手段を同期させることにより、レチクル２のクリーニング領域３０を全面走査可能にする。 Reference numeral 30 denotes a cleaning area of the reticle 2, and reference numeral 50 denotes a laser irradiation area. The other reference numbers are the same as those in FIG. The laser irradiation region 50 is moved in the X direction by reciprocating the reticle stage 3 as the X direction scanning means. At the same time, the laser irradiation region 50 is scanned in the + Y direction by moving the bending mirror 23 and the attenuator 42 as the Y direction scanning means in the + Y direction. By synchronizing the Y-direction scanning means and the X-direction scanning means, the entire cleaning area 30 of the reticle 2 can be scanned.
本実施例では、折り曲げミラー２３を搭載したミラーステージ５１を＋Ｙ方向に移動させる。このような制御により、レーザー照射位置を、常に、レーザー入射方向の手前方向から奥方向に照射することになる。 In this embodiment, the mirror stage 51 on which the bending mirror 23 is mounted is moved in the + Y direction. By such control, the laser irradiation position is always irradiated from the near side to the far side of the laser incident direction.
この結果、微粒子Ｐがレチクル２の表面を離脱した後に再付着しても、再度レーザー照射されることになるため、微粒子Ｐの除去率が向上する。また、レーザー入射方向と主走査方向とが直交するため、既にクリーニングが完了した領域に微粒子Ｐが再付着することもない。したがって、さらに除去率を向上させることができる。 As a result, even if the fine particles P are reattached after detaching from the surface of the reticle 2, the laser irradiation is performed again, so that the removal rate of the fine particles P is improved. Further, since the laser incident direction and the main scanning direction are orthogonal to each other, the fine particles P are not reattached to a region where the cleaning has already been completed. Therefore, the removal rate can be further improved.
本実施例では、Ｘ方向走査手段及びＹ方向走査手段として、ポリゴンミラーやｆθレンズなどを用いる必要がない。このため、複雑な機構や制御手法を用いなくてもよい。Ｘ方向走査手段としては、既存のレチクルステージ３の往復移動を用いることができる。また、Ｙ方向走査手段としては、＋Ｙ方向の折り曲げミラー２３のミラーステージ５１を新規に設けるだけである。このように、本実施例によれば、簡便な構成で効果的に微粒子Ｐを除去することができる。 In this embodiment, it is not necessary to use a polygon mirror, an fθ lens, or the like as the X direction scanning unit and the Y direction scanning unit. For this reason, it is not necessary to use a complicated mechanism or control method. As the X-direction scanning means, the reciprocating movement of the existing reticle stage 3 can be used. Further, as the Y-direction scanning means, only a mirror stage 51 of the + Y-direction bending mirror 23 is newly provided. Thus, according to the present embodiment, the fine particles P can be effectively removed with a simple configuration.
上記実施例は、ＥＵＶ露光装置内で、レチクル２をクリーニングすることを意図したものである。ただし、クリーニングが必要な対象物の表面であれば、原版以外でも、本発明を適用することができる。 The above embodiment is intended to clean the reticle 2 in the EUV exposure apparatus. However, the present invention can be applied to any surface other than the original plate as long as the surface of the target object needs to be cleaned.
次に、本発明の実施例３について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、レチクルチャック７及びウエハチャック６に上記実施例にて説明した洗浄方法を適用したものである。 Next, Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 10 shows a case where the cleaning method described in the above embodiment is applied to the reticle chuck 7 and the wafer chuck 6.
レチクルチャック７及びウエハチャック６は、微粒子Ｐの挟み込みが問題となる。このため、レチクルチャック７及びウエハチャック６の表面は、接触面積を減らすため、通常、接触部がピン形状になっている。レチクルチャック７のピンの頂点部分に微粒子Ｐが付着していると、レチクル２との間で微粒子Ｐを挟み込むことになり、レチクル２の表面が傾いてしまう。また、ウエハチャック６に微粒子Ｐが付着していると、光学系の焦点深度に影響を及ぼすことになる。 The reticle chuck 7 and the wafer chuck 6 have a problem that the fine particles P are caught. For this reason, the surfaces of the reticle chuck 7 and the wafer chuck 6 usually have a pin-shaped contact portion in order to reduce the contact area. If the fine particles P adhere to the apex portion of the pin of the reticle chuck 7, the fine particles P are sandwiched between the reticle 2 and the surface of the reticle 2 is inclined. Further, if the fine particles P are attached to the wafer chuck 6, the depth of focus of the optical system is affected.
図１０において、パルスレーザー２１からのレーザー光は、レチクルチャック７及びウエハチャック６のそれぞれに対し、斜め方向の入射角度で照射される。 In FIG. 10, the laser beam from the pulse laser 21 is applied to each of the reticle chuck 7 and the wafer chuck 6 at an oblique incident angle.
２０はレーザー入射窓、２３は折り曲げミラーであり、それぞれはレチクルチャック７のクリーニングに用いられる。同様に、２０ａはレーザー入射窓、２３ａは折り曲げミラーであり、それぞれはウエハチャック６のクリーニングに用いられる。 Reference numeral 20 denotes a laser incident window, and 23 denotes a bending mirror, which are used for cleaning the reticle chuck 7. Similarly, reference numeral 20a denotes a laser incident window and 23a denotes a bending mirror, which are used for cleaning the wafer chuck 6, respectively.
レチクルチャック７及びウエハチャック６をクリーニングする場合も、レーザー照射により離脱した微粒子Ｐは、特定の方向に飛来する。レーザーの走査方法は、レーザー入射方向と同一方向の走査軸は、レチクル２の表面上のレーザー照射位置を、常にレーザー入射方向に対し、手前方向から奥行き方向に照射する機構を設けている。 Even when the reticle chuck 7 and the wafer chuck 6 are cleaned, the fine particles P separated by the laser irradiation fly in a specific direction. In the laser scanning method, a scanning axis in the same direction as the laser incident direction is provided with a mechanism that always irradiates the laser irradiation position on the surface of the reticle 2 from the near side to the depth direction with respect to the laser incident direction.
レチクルチャック７のクリーニング時における各軸の走査手段は、上記実施例で説明したように、レチクル２をクリーニングする場合と同様である。一方、ウエハチャック６のクリーニング時は、ウエハチャック６は、Ｘ、Ｙ方向移動可能なウエハステージ２７の上に設置されている。このため、レーザーは光学素子で走査する必要はない。レーザーは固定したうえで、ウエハステージ２７を移動させることにより、ウエハチャック６の全面のクリーニング動作が可能となる。 The scanning means for each axis at the time of cleaning the reticle chuck 7 is the same as that for cleaning the reticle 2 as described in the above embodiment. On the other hand, when cleaning the wafer chuck 6, the wafer chuck 6 is placed on a wafer stage 27 that can move in the X and Y directions. For this reason, the laser need not be scanned with an optical element. The entire surface of the wafer chuck 6 can be cleaned by moving the wafer stage 27 while fixing the laser.
以上、本発明の上記実施例によれば、レチクルのパターン面に対して、レーザー光を下方から斜めの角度で照射する場合、レチクルパターン上のレーザー照射位置を、常にレーザー入射方向の手前方向から、奥行き方向に照射する。これにより、微粒子が離脱し、レーザー入射方向の位置に再付着しても、再度レーザー照射されることになるため除去率が向上する。したがって、レチクル上の微粒子付着によるデバイス製造時の欠陥を減少させることが可能になる。 As described above, according to the embodiment of the present invention, when the laser beam is irradiated on the reticle pattern surface at an oblique angle from below, the laser irradiation position on the reticle pattern is always from the front side of the laser incident direction. Irradiate in the depth direction. Thus, even if the fine particles are detached and reattached to the position in the laser incident direction, the laser irradiation is performed again, so that the removal rate is improved. Therefore, it is possible to reduce defects during device manufacturing due to fine particle adhesion on the reticle.
また、上記実施例では、レチクルチャック表面、ウエハチャック表面に対しても、上記と同様のレーザー照射方法を行うことにより、レチクル、及び、ウエハは常にフラットに保持される。このため、投影光学系の焦点深度に余裕を持たせることが可能になる。 In the above embodiment, the reticle and the wafer are always held flat by performing the same laser irradiation method on the reticle chuck surface and the wafer chuck surface. For this reason, it is possible to provide a margin for the depth of focus of the projection optical system.
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。 The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist.
上記実施例では、ＥＵＶ露光装置内での被洗浄面に対して、レーザー洗浄を行う場合を説明した。しかし、本発明は、ＥＵＶ露光装置内の被洗浄面に限定されるものではなく、他の装置内で行うものであってもよい。例えば本発明は、ＥＵＶ露光装置とは独立したユニットとして提供されるレチクルの洗浄装置に適用することができる。また、独立した洗浄装置として、レチクル以外の対象物上に付着した微粒子を洗浄する洗浄装置にも適用することも可能である。 In the above embodiment, the case where laser cleaning is performed on the surface to be cleaned in the EUV exposure apparatus has been described. However, the present invention is not limited to the surface to be cleaned in the EUV exposure apparatus, and may be performed in another apparatus. For example, the present invention can be applied to a reticle cleaning apparatus provided as a unit independent of the EUV exposure apparatus. In addition, as an independent cleaning device, the present invention can also be applied to a cleaning device that cleans fine particles adhering to an object other than a reticle.
１、ウエハ
２、レチクル
３、レチクルステージ
４ａ、レチクルステージ空間
４ｂ、投影光学系空間
４ｃ、ウエハステージ空間
５、投影光学系
６、ウエハチャック
７、レチクルチャック
８，１３，１８，２２、搬送ハンド
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ、装置排気装置
１０ｄ，１０ｅ、ロードロック真空排気系
１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ、１６ａ，１６ｂ、ゲートバルブ
１４、ウエハ交換室
１９、レチクル交換室
２０，２０ａ、レーザー入射窓
２１、パルスレーザー
２３、２３ａ、折り曲げミラー
２７、ウエハステージ
３０、レチクルパターン領域
４０、４０ａ、走査光学素子
４１、４１ｂ、光学系
４２ａ、４２ｂ、ビームダンパ
５０、レーザー照射領域
５１、ミラーステージ
1, wafer 2, reticle 3, reticle stage 4a, reticle stage space 4b, projection optical system space 4c, wafer stage space 5, projection optical system 6, wafer chuck 7, reticle chucks 8, 13, 18, 22 and transfer hand 10a , 10b, 10c, apparatus exhaust devices 10d, 10e, load lock vacuum exhaust systems 11a, 11b, 12a, 12b, 16a, 16b, gate valve 14, wafer exchange chamber 19, reticle exchange chambers 20, 20a, laser incident window 21, Pulse laser 23, 23a, bending mirror 27, wafer stage 30, reticle pattern areas 40, 40a, scanning optical elements 41, 41b, optical systems 42a, 42b, beam damper 50, laser irradiation area 51, mirror stage
Claims (8)
前記露光装置は、前記原版を洗浄する洗浄装置を有し、
前記洗浄装置は、
前記原版にレーザー光を照射する照射手段と、
前記原版を移動させるステージと、
前記レーザー光を前記原版に正射影したときの前記レーザー光の進行方向をレーザー入射方向と定義した場合、前記照射手段又は前記ステージの一方を用いて、前記レーザー光の前記原版上での照射領域を該レーザー入射方向と直交する方向に移動させる第１の走査手段と、
前記照射手段又は前記ステージの他方を用いて、前記照射領域を前記レーザー入射方向と同一の方向に移動させる第２の走査手段と、を有することを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus that exposes a substrate pattern onto a substrate via a projection optical system in a vacuum environment,
The exposure apparatus has a cleaning device for cleaning the original plate,
The cleaning device includes:
Irradiating means for irradiating the original plate with laser light;
A stage for moving the original plate;
When the traveling direction of the laser beam when the laser beam is orthogonally projected onto the original plate is defined as a laser incident direction, an irradiation area of the laser beam on the original plate using one of the irradiation means or the stage First scanning means for moving the lens in a direction perpendicular to the laser incident direction;
An exposure apparatus comprising: a second scanning unit that moves the irradiation region in the same direction as the laser incident direction by using the other of the irradiation unit or the stage.
前記レーザー入射方向と同一の方向は副走査方向であり、
前記洗浄装置は、前記第１の走査手段が前記照射領域を第１の主走査方向に移動させる第１の動作、前記第２の走査手段が該照射領域を前記副走査方向に移動させる第２の動作、該第１の走査手段が該照射領域を該第１の主走査方向とは反対の第２の主走査方向に移動させる第３の動作、及び、該第２の走査手段が該照射領域を該副走査方向に移動させる第４の動作、を順に実行することを特徴とする請求項１記載の露光装置。 The direction perpendicular to the laser incident direction is the main scanning direction,
The same direction as the laser incident direction is a sub-scanning direction,
In the cleaning apparatus, the first scanning unit moves the irradiation region in the first main scanning direction, and the second scanning unit moves the irradiation region in the sub-scanning direction. A third operation in which the first scanning unit moves the irradiation region in a second main scanning direction opposite to the first main scanning direction, and the second scanning unit performs the irradiation. The exposure apparatus according to claim 1, wherein a fourth operation for moving the region in the sub-scanning direction is sequentially executed.
前記第２の走査手段は、前記ステージを用いて、前記照射領域を前記レーザー入射方向と同一の方向に移動させ、
前記照射手段は、前記レーザー光を走査する走査光学系を有し、
該走査光学系により、前記原版に照射される前記レーザー光の入射角を一定に保ちながら、該原版を洗浄することを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。 The first scanning unit uses the irradiation unit to move the irradiation region in a direction perpendicular to the laser incident direction,
The second scanning unit uses the stage to move the irradiation region in the same direction as the laser incident direction,
The irradiation means has a scanning optical system that scans the laser beam,
3. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the original is washed by the scanning optical system while keeping an incident angle of the laser beam applied to the original to be constant.
前記第２の走査手段は、前記照射手段を用いて、前記照射領域を前記レーザー入射方向と同一の方向に移動させ、
前記照射手段は、前記レーザー光を前記原版に照射させる折り曲げミラーと、該折り曲げミラーを搭載するミラーステージと、を有し、
前記折り曲げミラーを搭載した前記ミラーステージが前記レーザー入射方向と同一の方向に移動することにより、前記原版に照射される前記レーザー光の入射角を一定に保ちながら、該原版を洗浄することを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。 The first scanning unit uses the stage to move the irradiation region in a direction orthogonal to the laser incident direction,
The second scanning unit uses the irradiation unit to move the irradiation region in the same direction as the laser incident direction,
The irradiation means includes a bending mirror that irradiates the original with the laser beam, and a mirror stage on which the bending mirror is mounted,
The master stage is cleaned while the incident angle of the laser beam irradiated to the master is kept constant by moving the mirror stage mounted with the bending mirror in the same direction as the laser incident direction. The exposure apparatus according to claim 1 or 2.
前記対象物にレーザー光を照射する照射手段と、
前記対象物を移動させるステージと、
前記レーザー光を前記対象物に正射影したときの前記レーザー光の進行方向をレーザー入射方向と定義した場合、前記照射手段又は前記ステージの一方を用いて、前記レーザー光の前記対象物上での照射領域を該レーザー入射方向と直交する方向に移動させる第１の走査手段と、
前記照射手段又は前記ステージの他方を用いて、前記照射領域を前記レーザー入射方向と同一の方向に移動させる第２の走査手段と、を有することを特徴とする洗浄装置。 A cleaning device for cleaning an object by irradiating a laser beam in a vacuum environment,
Irradiating means for irradiating the object with laser light;
A stage for moving the object;
When the traveling direction of the laser light when the laser light is orthogonally projected onto the object is defined as a laser incident direction, one of the irradiation unit or the stage is used, and the laser light on the object is First scanning means for moving the irradiation region in a direction perpendicular to the laser incident direction;
A cleaning apparatus comprising: a second scanning unit configured to move the irradiation region in the same direction as the laser incident direction by using the other of the irradiation unit or the stage.
前記レーザー入射方向と同一の方向は副走査方向であり、
前記洗浄装置は、前記第１の走査手段が前記照射領域を第１の主走査方向に移動させる第１の動作、前記第２の走査手段が該照射領域を前記副走査方向に移動させる第２の動作、該第１の走査手段が該照射領域を該第１の主走査方向とは反対の第２の主走査方向に移動させる第３の動作、及び、該第２の走査手段が該照射領域を該副走査方向に移動させる第４の動作、を順に実行することを特徴とする請求項５記載の洗浄装置。 The direction perpendicular to the laser incident direction is the main scanning direction,
The same direction as the laser incident direction is a sub-scanning direction,
In the cleaning apparatus, the first scanning unit moves the irradiation region in the first main scanning direction, and the second scanning unit moves the irradiation region in the sub-scanning direction. A third operation in which the first scanning unit moves the irradiation region in a second main scanning direction opposite to the first main scanning direction, and the second scanning unit performs the irradiation. The cleaning apparatus according to claim 5, wherein a fourth operation for moving the region in the sub-scanning direction is sequentially performed.
前記第２の走査手段は、前記ステージを用いて、前記照射領域を前記レーザー入射方向と同一の方向に移動させ、
前記照射手段は、前記レーザー光を走査する走査光学系を有し、
該走査光学系により、前記対象物に照射される前記レーザー光の入射角を一定に保ちながら、該対象物を洗浄することを特徴とする請求項５又は６記載の洗浄装置。 The first scanning unit uses the irradiation unit to move the irradiation region in a direction perpendicular to the laser incident direction,
The second scanning unit uses the stage to move the irradiation region in the same direction as the laser incident direction,
The irradiation means has a scanning optical system that scans the laser beam,
The cleaning apparatus according to claim 5 or 6, wherein the scanning optical system cleans the target object while maintaining a constant incident angle of the laser light applied to the target object.
前記第２の走査手段は、前記照射手段を用いて、前記照射領域を前記レーザー入射方向と同一の方向に移動させ、
前記照射手段は、前記レーザー光を前記対象物に照射させる折り曲げミラーと、該折り曲げミラーを搭載するミラーステージと、を有し、
前記折り曲げミラーを搭載した前記ミラーステージが前記レーザー入射方向と同一の方向に移動することにより、前記対象物に照射される前記レーザー光の入射角を一定に保ちながら、該対象物を洗浄することを特徴とする請求項５又は６記載の洗浄装置。 The first scanning unit uses the stage to move the irradiation region in a direction orthogonal to the laser incident direction,
The second scanning unit uses the irradiation unit to move the irradiation region in the same direction as the laser incident direction,
The irradiation means includes a bending mirror that irradiates the object with the laser light, and a mirror stage on which the bending mirror is mounted.
Washing the object while keeping the incident angle of the laser beam irradiated to the object constant by moving the mirror stage mounted with the bending mirror in the same direction as the laser incident direction. The cleaning device according to claim 5 or 6.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007320291A JP2009146959A (en) | 2007-12-12 | 2007-12-12 | Exposure apparatus, and cleaning device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007320291A JP2009146959A (en) | 2007-12-12 | 2007-12-12 | Exposure apparatus, and cleaning device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009146959A true JP2009146959A (en) | 2009-07-02 |
Family
ID=40917271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007320291A Pending JP2009146959A (en) | 2007-12-12 | 2007-12-12 | Exposure apparatus, and cleaning device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009146959A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011177664A (en) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Hitachi High-Technologies Corp | Washing apparatus for mask member |
| JP2012084812A (en) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Canon Inc | Processing facility, maintenance device and manufacturing method of article |
| JPWO2012014881A1 (en) * | 2010-07-27 | 2013-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| KR20140047150A (en) | 2011-09-05 | 2014-04-21 | 가부시끼가이샤 도시바 | Reticle chuck cleaner and reticle chuck cleaning method |
| US9034467B2 (en) | 2010-07-28 | 2015-05-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reticle chuck cleaner |
| US10160014B2 (en) | 2013-10-18 | 2018-12-25 | Toshiba Memory Corporation | Chuck cleaner and cleaning method |
| JP2020013953A (en) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | キヤノン株式会社 | Cleaning apparatus, imprint apparatus, lithography apparatus, and cleaning method |
-
2007
- 2007-12-12 JP JP2007320291A patent/JP2009146959A/en active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011177664A (en) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Hitachi High-Technologies Corp | Washing apparatus for mask member |
| JPWO2012014881A1 (en) * | 2010-07-27 | 2013-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US9034467B2 (en) | 2010-07-28 | 2015-05-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reticle chuck cleaner |
| US9884350B2 (en) | 2010-07-28 | 2018-02-06 | Toshiba Memory Corporation | Reticle chuck cleaner |
| JP2012084812A (en) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Canon Inc | Processing facility, maintenance device and manufacturing method of article |
| KR20140047150A (en) | 2011-09-05 | 2014-04-21 | 가부시끼가이샤 도시바 | Reticle chuck cleaner and reticle chuck cleaning method |
| US9808841B2 (en) | 2011-09-05 | 2017-11-07 | Toshiba Memory Corporation | Reticle chuck cleaner and reticle chuck cleaning method |
| US10160014B2 (en) | 2013-10-18 | 2018-12-25 | Toshiba Memory Corporation | Chuck cleaner and cleaning method |
| US11084069B2 (en) | 2013-10-18 | 2021-08-10 | Kioxia Corporation | Chuck cleaner and cleaning method |
| JP2020013953A (en) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | キヤノン株式会社 | Cleaning apparatus, imprint apparatus, lithography apparatus, and cleaning method |
| JP7262939B2 (en) | 2018-07-20 | 2023-04-24 | キヤノン株式会社 | Cleaning apparatus, imprint apparatus, lithographic apparatus, and cleaning method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4564742B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| US7319507B2 (en) | Apparatus and method for removing contaminant on original, method of manufacturing device, and original | |
| JP2009146959A (en) | Exposure apparatus, and cleaning device | |
| JP2006332654A (en) | Radiation system and lithographic device | |
| JP2004519868A (en) | Transparent boundary structure for EUV | |
| JP2004103731A (en) | Differential exhaust system, and aligner | |
| JP2007208239A (en) | Lithography device and method for manufacturing device | |
| JP5577351B2 (en) | Lithographic apparatus and radiation system | |
| US11657492B2 (en) | Reticle backside inspection method | |
| JP5531053B2 (en) | Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| JP4366206B2 (en) | Light generator | |
| KR102656123B1 (en) | Control of reticle placement for defect optimization | |
| KR100882042B1 (en) | Exposure apparatus, removal method, and device manufacturing method | |
| JP2008300683A (en) | Cleaning device and method, and exposure apparatus having cleaning device | |
| JP2011077480A (en) | Reflection type mask, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
| JP4617143B2 (en) | Exposure apparatus and self-cleaning method | |
| JP2007329288A (en) | Exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| TW202026756A (en) | Lithography patterning system | |
| JP5257822B2 (en) | Cleaning method, exposure method, device manufacturing method, cleaning member, and maintenance method | |
| TW202020551A (en) | Photomask laser etch | |
| KR102613748B1 (en) | Cleaning method for photo masks and apparatus therefor | |
| JP2011204864A (en) | Reflection type mask, aligner, exposure method, and device manufacturing method | |
| JP2012004158A (en) | Cleaning method, cleaning apparatus, exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method | |
| US20210063890A1 (en) | Lithography exposure method with debris removing mechanism | |
| JP2006173245A (en) | Aligner and process for manufacturing device |