JP2006093039A - Device of manufacturing image display device - Google Patents

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Takashi Enomoto
貴志 榎本
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the device of manufacturing an image display device enhancing reliability by preventing breakage of a spacer by suppressing thermal extension deformation and enhancing productivity by making quick heating treatment possible. <P>SOLUTION: The device of manufacturing the image display device is equipped with an upper heating source 30A faced to the spacer 8 being fit to a pattern surface formed on one side (a) of a back substrate at the prescribed intervals, and radiating heat rays to the pattern surface of the back substrate and the spacer, a lower heating source 30B faced to the other side (b) of the back substrate at the prescribed intervals and radiating the heat rays to the other side of the back substrate, and filter glass 40 interposed between the upper heating source and the spacer, selectively absorbing the wave length of the heat rays by utilizing the difference in spectral transmittance between the pattern surface of the back substrate and the spacer, transmitting the heat rays having the residual wave length and guiding to the back substrate and the spacer. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、対向配置される背面基板と前面基板および、これらの間に介在されるスペーサを有する外囲器を備えた画像表示装置を製造する製造装置に関する。   The present invention relates to a manufacturing apparatus that manufactures an image display device including an envelope having a rear substrate and a front substrate that are arranged to face each other and a spacer interposed therebetween.

近年、画像表示装置として、効率的な空間利用あるいはデザイン的な要素から、平面型の画像表示装置が注目されている。中でも、フィールド・エミッション・デバイス(以下、FEDと称する)のような電子放出型の画像表示装置は、高輝度、高分解能、低消費電力等のメリットから優れたディスプレイであると期待されている。
また、前記FEDの一種として、たとえば[特許文献1]に開示されているように、表面伝導型の表示素子である電子放出素子を備えた表示装置(以下、SEDと称する)の開発が進められている。
In recent years, flat image display devices have attracted attention as image display devices because of efficient space utilization or design factors. Among them, an electron emission type image display device such as a field emission device (hereinafter referred to as FED) is expected to be an excellent display because of merits such as high luminance, high resolution, and low power consumption.
As one type of FED, for example, as disclosed in [Patent Document 1], development of a display device (hereinafter, referred to as SED) including an electron-emitting device which is a surface conduction type display device is advanced. ing.

上記SEDは、所定の隙間を存して対向配置された前面基板および背面基板を有する。これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周縁部を互いに接合され、内部を真空にされて扁平な平面パネル構造の真空外囲器を構成している。
前面基板の内面には3色の蛍光体層が形成され、背面基板の内面には、蛍光体層を励起発光させる電子の放出源として、画素毎に対応する多数の電子放出素子が整列配置されている。また、背面基板の内面上には、電子放出素子を駆動するための多数本の配線がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器の外部に引き出されている。
特開平9−82245号公報
The SED has a front substrate and a rear substrate that are opposed to each other with a predetermined gap. These substrates are joined to each other at peripheral edges via a rectangular frame-shaped side wall, and the inside is evacuated to form a flat envelope having a flat panel structure.
A phosphor layer of three colors is formed on the inner surface of the front substrate, and on the inner surface of the rear substrate, a large number of electron-emitting devices corresponding to each pixel are arranged as an electron emission source for exciting and emitting the phosphor layer. ing. A large number of wires for driving the electron-emitting devices are provided in a matrix on the inner surface of the rear substrate, and the end portions are drawn out of the vacuum envelope.
JP-A-9-82245

上記SEDを製造するにあたって、電子放出素子が形成された背面基板の周縁部と矩形枠状の側壁とを大気中で、フリットガラスと呼ばれる低融点ガラス接着材を介して接合する。さらに、大気中で、背面基板上に複数のスペーサを低融点ガラス材により封着する。その後、背面基板と前面基板は、各部材の表面に吸着しているガスを充分に放出させるために加熱処理する、いわゆるベーキング処理が真空雰囲気中で行なわれ、そのあと、冷却処理がなされる。
さらに、前面基板の蛍光体スクリーンにゲッター膜が蒸着され、つぎに背面基板と前面基板は加熱されて、それぞれの封着面に充填されたインジウムが溶融する。背面基板と前面基板は側壁を介して接合され、所定の圧力で加圧した後、インジウムを除冷して固化させることにより、背面基板と前面基板は側壁を介して互いに封着される。
ところで、問題は、背面基板にスペーサを取付けたうえでベーキング処理をなす際に、背面基板に対するスペーサの熱伸張変形を確実に抑制して、スペーサの破断を防止することにあり、信頼性の向上を得る必要がある。すなわち、このベーキング処理にあたって、処理時間を短縮して生産性を上げるため、加熱源であるランプヒータを用いて背面基板とスペーサを急加熱処理している。
In manufacturing the SED, the peripheral edge portion of the back substrate on which the electron-emitting devices are formed and the rectangular frame-shaped side wall are joined in the air via a low-melting glass adhesive called frit glass. Further, a plurality of spacers are sealed on the back substrate with a low-melting glass material in the atmosphere. Thereafter, the back substrate and the front substrate are subjected to a so-called baking process in which a gas adsorbed on the surface of each member is sufficiently released, in a vacuum atmosphere, and then a cooling process is performed.
Further, a getter film is deposited on the phosphor screen of the front substrate, and then the rear substrate and the front substrate are heated to melt the indium filled in the respective sealing surfaces. The back substrate and the front substrate are joined through the side wall, and after pressurizing with a predetermined pressure, the indium is removed and solidified to seal the back substrate and the front substrate through the side wall.
By the way, the problem is that when the spacer is attached to the back substrate and baking is performed, the thermal expansion deformation of the spacer with respect to the back substrate is surely suppressed and the spacer is prevented from being broken, thereby improving the reliability. Need to get. That is, in this baking process, in order to shorten the processing time and increase the productivity, the rear substrate and the spacer are rapidly heated using a lamp heater as a heating source.

しかしながら、背面基板に対して個々のスペーサが放熱フィン状に取付けられていて、背面基板の熱容量よりもスペーサの熱容量は極めて小さい。これらの熱容量差から、急加熱処理をなすと、スペーサが背面基板よりも先に高温化して、背面基板よりも大きく伸張してしまう。
このように、背面基板とスペーサとの間の温度差は大であり、スペーサの伸張度が大きいので、スペーサが背面基板のパターン面あるいは電子放出素子を傷付け、スペーサ自体の破損に至ることがある。急加熱を止めて、時間をかけたベーキング処理をなすこともできるが、今度は、生産性が低下してしまう。
However, the individual spacers are attached to the rear substrate in the form of radiating fins, and the thermal capacity of the spacer is extremely smaller than the thermal capacity of the rear substrate. Due to the difference in heat capacity, when the rapid heating process is performed, the spacers are heated to a temperature higher than that of the rear substrate, and are extended more than the rear substrate.
As described above, the temperature difference between the back substrate and the spacer is large, and the extension degree of the spacer is large. Therefore, the spacer may damage the pattern surface of the back substrate or the electron-emitting device, and may damage the spacer itself. . It is possible to stop the rapid heating and perform a baking process over time, but this time the productivity is lowered.

本発明は上記事情に着目してなされたものであり、その目的とするところは、背面基板にスペーサを接合したうえでベーキング処理をなす際の背面基板に対するスペーサの熱伸張変形を抑制して、スペーサの破断を防止し、信頼性の向上化を得られるとともに、急加熱処理を可能として、生産性の向上を図れる画像表示装置の製造装置を提供しようとするものである。   The present invention has been made paying attention to the above circumstances, the purpose of which is to suppress the thermal expansion deformation of the spacer with respect to the back substrate when baking is performed after joining the spacer to the back substrate, An object of the present invention is to provide an apparatus for manufacturing an image display device which can prevent breakage of a spacer, improve reliability, and enable rapid heating treatment to improve productivity.

上述の目的を満足するため本発明は、対向配置される背面基板および前面基板と、これら背面基板と前面基板との間に介在され背面基板と前面基板の外側から作用する大気圧荷重を支持するとともに基板相互間の間隔を所定値に保持するスペーサとを有する外囲器を備えた画像表示装置であり、一面側にパターン面が形成された上記背面基板および背面基板のパターン面側に取付けられたスペーサに対して加熱処理をなす画像表示装置の製造装置において、
背面基板のパターン面側でスペーサと所定間隔を存して対向配置され背面基板のパターン面とスペーサに対して熱線を放射する第1の加熱源と、背面基板の他面側に所定間隔を存して対向配置され背面基板他面に対して熱線を放射する第2の加熱源と、第1の加熱源とスペーサとの間に介在され背面基板のパターン面とスペーサとの分光透過率特性の相違を利用して熱線の波長を選択的に吸収し、残りの波長の熱線を透過させて背面基板およびスペーサに導くフィルタとを具備する。
In order to satisfy the above-described object, the present invention supports a back substrate and a front substrate which are arranged opposite to each other, and an atmospheric pressure load which is interposed between the back substrate and the front substrate and acts from outside the back substrate and the front substrate. In addition, the image display device includes an envelope having a spacer that holds a distance between the substrates at a predetermined value, and is attached to the pattern surface side of the rear substrate and the rear substrate on which the pattern surface is formed on one surface side. In the manufacturing apparatus of the image display device that performs the heat treatment on the spacer,
A first heating source disposed opposite to the spacer on the pattern surface side of the rear substrate with a predetermined interval and radiating heat rays to the pattern surface of the rear substrate and the spacer, and a predetermined interval on the other surface side of the rear substrate. And a second heating source that radiates heat rays to the other surface of the back substrate disposed oppositely, and a spectral transmittance characteristic between the pattern surface of the back substrate and the spacer interposed between the first heating source and the spacer. The filter includes a filter that selectively absorbs the wavelength of the heat rays by utilizing the difference and transmits the heat rays of the remaining wavelengths to the back substrate and the spacer.

さらに本発明は、対向配置される背面基板および前面基板と、これら背面基板と前面基板との間に介在され背面基板と前面基板の外側から作用する大気圧荷重を支持するとともに基板相互間の間隔を所定値に保持するスペーサとを有する外囲器を備えた画像表示装置であり、一面側にパターン面が形成された背面基板および背面基板のパターン面側に取付けられたスペーサに対して加熱処理をなす画像表示装置の製造装置において、
背面基板のパターン面側でスペーサと所定間隔を存して対向配置され背面基板のパターン面とスペーサに対して熱線を放射する第1の加熱源と、背面基板の他面側に所定間隔を存して対向配置され背面基板他面に対して熱線を放射する第2の加熱源とを具備し、第1の加熱源は背面基板のパターン面の分光透過率特性と一致する分光透過率特性の波長の熱線のみを放射する。
Furthermore, the present invention supports a back substrate and a front substrate that are arranged opposite to each other, and supports an atmospheric pressure load that is interposed between the back substrate and the front substrate and acts from the outside of the back substrate and the front substrate, and a distance between the substrates. An image display device including an envelope having a spacer for holding the substrate at a predetermined value, and a heat treatment for a back substrate having a pattern surface formed on one surface side and a spacer attached to the pattern surface side of the back substrate In the image display device manufacturing apparatus
A first heating source disposed opposite to the spacer on the pattern surface side of the rear substrate with a predetermined interval and radiating heat rays to the pattern surface of the rear substrate and the spacer, and a predetermined interval on the other surface side of the rear substrate. And a second heating source that radiates heat rays to the other surface of the rear substrate, the first heating source having a spectral transmittance characteristic that matches the spectral transmittance characteristic of the pattern surface of the rear substrate. Only emit heat rays of wavelength.

本発明によれば、背面基板に対するスペーサの熱伸張変形を抑制して、スペーサの破断を防止し、信頼性の向上化を得られるとともに、急加熱処理を可能として生産性の向上を図れるなどの効果を奏する。   According to the present invention, the thermal expansion deformation of the spacer with respect to the back substrate can be suppressed, the fracture of the spacer can be prevented, the reliability can be improved, the rapid heating process can be performed, and the productivity can be improved. There is an effect.

以下図面を参照しながら、本発明に係る平面型画像表示装置を製造する工程に適用した実施形態について詳細に説明する。
はじめに、図1ないし図3を参照し、平面型画像表示装置の一例として、SED(Surface-conduction Electron-emitter Display)について説明する。
図1は、前面基板2を部分的に切り欠いた状態のSEDの真空外囲器(以下、表示パネルと称する場合もある)10を示す斜視図であり、図2は、図1の真空外囲器10を線分II-IIで切断した断面図であり、図3は、図2の断面を部分的に拡大した部分拡大断面図である。
Hereinafter, embodiments applied to a process of manufacturing a flat-type image display device according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
First, an SED (Surface-conduction Electron-emitter Display) will be described as an example of a flat-type image display device with reference to FIGS.
FIG. 1 is a perspective view showing a vacuum envelope (hereinafter also referred to as a display panel) 10 of an SED in a state where a front substrate 2 is partially cut away. FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view of the envelope 10 taken along line II-II, and FIG. 3 is a partially enlarged cross-sectional view in which the cross section of FIG. 2 is partially enlarged.

図1ないし図3に示すように、表示パネル10は、それぞれ矩形のガラス板からなる前面基板2および背面基板4を備え、これらの基板は約1.0〜2.0mmの隙間をおいて互いに平行に対向配置されている。なお、背面基板4は、前面基板2より1回り大きいサイズを有する。前面基板2および背面基板4は、ガラス材からなる矩形枠状の側壁6を介して周縁部同士が接合され、内部が真空の扁平な平面パネル構造の真空外囲器を構成している。
前面基板2の内面には画像表示面として機能する蛍光体スクリーン12が形成されている。この蛍光体スクリーン12は、赤、青、緑の蛍光体層R、G、B、および遮光層11を並べて構成され、これらの蛍光体層はストライプ状あるいはドット状に形成されている。また、蛍光体スクリーン12上には、アルミニウム等からなるメタルバック14が形成されている。
As shown in FIGS. 1 to 3, the display panel 10 includes a front substrate 2 and a rear substrate 4 each made of a rectangular glass plate, and these substrates are separated from each other with a gap of about 1.0 to 2.0 mm. Opposed in parallel. The back substrate 4 has a size one size larger than the front substrate 2. The front substrate 2 and the back substrate 4 are joined together via a rectangular frame-shaped side wall 6 made of a glass material, and constitute a vacuum envelope having a flat flat panel structure in which the inside is a vacuum.
A phosphor screen 12 that functions as an image display surface is formed on the inner surface of the front substrate 2. The phosphor screen 12 is configured by arranging red, blue, and green phosphor layers R, G, and B and a light shielding layer 11, and these phosphor layers are formed in stripes or dots. A metal back 14 made of aluminum or the like is formed on the phosphor screen 12.

背面基板4の内面には、蛍光体スクリーン12の蛍光体層R、G、Bを励起発光させるための電子を放出する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の表示素子であるところの電子放出素子16が設けられている。これらの電子放出素子16は、画素毎、すなわち蛍光体層R、G、B毎に対応して複数列および複数行に配列されている。
各電子放出素子16は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。また、背面基板4の内面上には、各電子放出素子16に駆動電圧を与えるための多数本の配線18がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器10の外部に引き出されている。
On the inner surface of the back substrate 4, a number of surface conduction type display elements each emitting an electron beam as an electron emission source that emits electrons for exciting and emitting the phosphor layers R, G, and B of the phosphor screen 12. The electron-emitting device 16 is provided. These electron-emitting devices 16 are arranged in a plurality of columns and a plurality of rows corresponding to each pixel, that is, for each of the phosphor layers R, G, and B.
Each electron-emitting device 16 includes an electron emitting portion (not shown) and a pair of device electrodes for applying a voltage to the electron emitting portion. Further, on the inner surface of the back substrate 4, a large number of wirings 18 for applying a driving voltage to the respective electron-emitting devices 16 are provided in a matrix shape, and end portions thereof are drawn out of the vacuum envelope 10. Yes.

接合部材として機能する側壁6は、たとえば、低融点ガラス材、低融点金属材等の封着材20により、前面基板2の周縁部および背面基板4の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。ここでは、背面基板4と側壁6相互をフリットガラス20aを用いて接合し、前面基板2と側壁6相互をインジウム20bを用いて接合した。なお、配線18のある背面基板4と側壁6を低融点金属材で封着する場合は、配線18と封着材20の電気ショートを避けるため、中間層として絶縁層を設ける必要がある。
また、表示パネル10は、前面基板2と背面基板4の間にガラスからなる複数の細長い板状のスペーサ8を備えている。本実施の形態において、スペーサ8は、複数の細長いガラス板としたが、矩形板状の金属板からなるグリッド(図示せず)と、グリッドの両面に一体的に立設された多数の柱状のスペーサ(図示せず)と、で構成してもよい。
The side wall 6 functioning as a bonding member is sealed to the peripheral edge of the front substrate 2 and the peripheral edge of the back substrate 4 by a sealing material 20 such as a low melting glass material or a low melting metal material, for example. Are joined. Here, the back substrate 4 and the side wall 6 are bonded to each other using frit glass 20a, and the front substrate 2 and the side wall 6 are bonded to each other using indium 20b. When sealing the back substrate 4 and the side wall 6 with the wiring 18 with a low melting point metal material, it is necessary to provide an insulating layer as an intermediate layer in order to avoid an electrical short between the wiring 18 and the sealing material 20.
The display panel 10 includes a plurality of elongated plate-like spacers 8 made of glass between the front substrate 2 and the rear substrate 4. In the present embodiment, the spacer 8 is a plurality of elongated glass plates, but a grid (not shown) made of a rectangular plate-like metal plate, and a large number of columnar pillars integrally provided on both sides of the grid. You may comprise with a spacer (not shown).

各スペーサ8は、上述したメタルバック14、および蛍光体スクリーン12の遮光層11を介して前面基板2の内面に当接する上端8a、および背面基板4の内面上に設けられた配線18上に当接する下端8bを有する。これら複数のスペーサ8は、前面基板2および背面基板4の外側から作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。
さらに、SEDは、前面基板2のメタルバック14と背面基板4との間にアノード電圧を印加する図示しない電圧供給部を備えている。電圧供給部は、例えば、背面基板4の電位を0Vに設定し、メタルバック14の電位を10kV程度にするよう、両者の間にアノード電圧を印加する。
Each spacer 8 is placed on the metal back 14 and the upper end 8 a that contacts the inner surface of the front substrate 2 through the light shielding layer 11 of the phosphor screen 12 and the wiring 18 provided on the inner surface of the rear substrate 4. It has a lower end 8b in contact therewith. The plurality of spacers 8 support an atmospheric pressure load acting from the outside of the front substrate 2 and the back substrate 4 and maintain the distance between the substrates at a predetermined value.
Further, the SED includes a voltage supply unit (not shown) that applies an anode voltage between the metal back 14 of the front substrate 2 and the rear substrate 4. For example, the voltage supply unit applies an anode voltage between the two so that the potential of the back substrate 4 is set to 0 V and the potential of the metal back 14 is set to about 10 kV.

そして、上記SEDにおいて、画像を表示する場合、配線18に接続した図示しない駆動回路を介して電子放出素子16の素子電極間に電圧を与え、任意の電子放出素子の電子放出部から電子ビームを放出するとともに、メタルバック14にアノード電圧を印加する。電子放出部から放出された電子ビームは、アノード電圧により加速され、蛍光体スクリーン12に衝突する。これにより、蛍光体スクリーン12の蛍光体層R、G、Bが励起されて発光し、カラー画像を表示する。
このようなSEDを製造するのにあたって、背面基板4にフリットガラス20aと呼ばれる低融点ガラス接着剤を介して側壁6を接合する。この状態で、背面基板4には電子放出素子16および配線18の処理がなされ、前面基板2には蛍光体スクリーン12およびメタルバック14が形成されている。
In the SED, when an image is displayed, a voltage is applied between the device electrodes of the electron-emitting device 16 via a drive circuit (not shown) connected to the wiring 18, and an electron beam is emitted from the electron-emitting portion of any electron-emitting device. While discharging, an anode voltage is applied to the metal back 14. The electron beam emitted from the electron emitting portion is accelerated by the anode voltage and collides with the phosphor screen 12. Thereby, the phosphor layers R, G, and B of the phosphor screen 12 are excited to emit light, and a color image is displayed.
In manufacturing such SED, the side wall 6 is joined to the back substrate 4 through a low-melting glass adhesive called frit glass 20a. In this state, the back substrate 4 is processed with the electron-emitting devices 16 and the wirings 18, and the phosphor screen 12 and the metal back 14 are formed on the front substrate 2.

スペーサ8が取付けられた背面基板4と、前面基板2は真空雰囲気としたチャンバに送られ、後述するようにベーキング処理がなされる。すなわち、チャンバを10−5Pa程度の高真空度に達した時点で、背面基板と前面基板を300℃程度の温度にベーキングし、各基板4,2の表面吸着ガスを充分に放出させる。
ついで、背面基板4と前面基板2を、たとえば約100℃の温度まで冷却してから、背面基板4と前面基板2に対するゲッター膜の蒸着処理がなされ、蛍光体スクリーン12およびメタルバック14上にゲッター膜としてのBa膜が蒸着形成される。このBa膜は、表面が酸素や炭素などで汚染されることが防止され、活性状態を維持することができる。そして、背面基板4と前面基板2は真空雰囲気のチャンバへ送られ、真空雰囲気中で背面基板4と前面基板2とが側壁6を介して封着処理される。
The back substrate 4 to which the spacers 8 are attached and the front substrate 2 are sent to a vacuum atmosphere chamber and are baked as described later. That is, when the chamber reaches a high degree of vacuum of about 10 −5 Pa, the back substrate and the front substrate are baked to a temperature of about 300 ° C., and the surface adsorption gas of each of the substrates 4 and 2 is sufficiently released.
Next, after the back substrate 4 and the front substrate 2 are cooled to a temperature of about 100 ° C., for example, a getter film is deposited on the back substrate 4 and the front substrate 2, and the getter film is formed on the phosphor screen 12 and the metal back 14. A Ba film as a film is formed by vapor deposition. The Ba film is prevented from being contaminated with oxygen, carbon, or the like, and can maintain an active state. Then, the back substrate 4 and the front substrate 2 are sent to a chamber in a vacuum atmosphere, and the back substrate 4 and the front substrate 2 are sealed through the side wall 6 in the vacuum atmosphere.

以下、背面基板4と、この内面である一面側aに取付けられるスペーサ8に対するベーキング処理について説明する。
図4は、ベーキング処理の状態を模式的に示している。
真空雰囲気となっている図示しないベーキング室には、上下に所定の間隔を存して対向し、互いに平行な第1の加熱源である上部加熱源30Aと、第2の加熱源である下部加熱源30Bとが配置される。上部加熱源30Aと下部加熱源30Bともに、互いの加熱面Kを、互いに対向させている。
これら上部加熱源30Aと下部加熱源30Bとの加熱面K相互間に、一面側(内面)aにスペーサ8が取付けられる背面基板4が介挿配置される。実際には、上記スペーサ8は背面基板4の上面側にあり、このスペーサ8と上部加熱源30Aと間には、後述するフィルターガラス40が介在される。また、背面基板4の他面側bには取付けられる部材がなく、この背面基板4の他面側bに所定間隔を存して下部加熱源30Bが配置される。
Hereinafter, the baking process with respect to the back substrate 4 and the spacer 8 attached to the one surface side a which is this inner surface is demonstrated.
FIG. 4 schematically shows the state of the baking process.
A baking chamber (not shown) that is in a vacuum atmosphere is opposed to the upper and lower sides with a predetermined interval, and is parallel to each other, an upper heating source 30A that is a first heating source and a lower heating that is a second heating source. A source 30B is arranged. Both the upper heating source 30A and the lower heating source 30B have their heating surfaces K facing each other.
Between the heating surfaces K of the upper heating source 30A and the lower heating source 30B, the back substrate 4 to which the spacer 8 is attached is disposed on one surface side (inner surface) a. Actually, the spacer 8 is on the upper surface side of the back substrate 4, and a filter glass 40 described later is interposed between the spacer 8 and the upper heating source 30 </ b> A. Further, there is no member to be attached to the other surface side b of the back substrate 4, and the lower heating source 30 </ b> B is disposed on the other surface side b of the back substrate 4 with a predetermined interval.

上記フィルターガラス40は、背面基板4の一面側aに設けられる上記電子放出素子16や、各電子放出素子に駆動電圧を与えるための多数本の配線18からなるパターン面と、背面基板に取付けられるスペーサ8との分光透過率特性の相違を利用して熱線の波長を選択的に吸収し、残りの波長の熱線を透過させて、第1の加熱源30Aから照射される熱線を背面基板4とスペーサ8に導く作用をなす。
なお説明すると、上記第1の加熱源30Aおよび第2の加熱源30Bは、可視光側にピーク波長を有するハロゲンランプヒータが用いられ、上記フィルターガラス40の分光透過率特性は、スペーサ8と同等の分光透過率特性を有する。そのため、フィルターガラス40を透過する波長領域のハロゲンランプヒータ30Aからの熱線はスペーサ8には吸収されず、背面基板4を加熱することになる。
The filter glass 40 is attached to the back substrate and the electron emission element 16 provided on one surface side a of the back substrate 4, a pattern surface including a plurality of wirings 18 for applying a driving voltage to each electron emission device. The wavelength of the heat rays is selectively absorbed using the difference in spectral transmittance characteristics with the spacer 8, the heat rays of the remaining wavelengths are transmitted, and the heat rays irradiated from the first heating source 30 </ b> A are transmitted to the rear substrate 4. It serves to guide the spacer 8.
In other words, the first heating source 30A and the second heating source 30B are halogen lamp heaters having a peak wavelength on the visible light side, and the spectral transmittance characteristics of the filter glass 40 are the same as those of the spacer 8. Spectral transmittance characteristics. Therefore, the heat rays from the halogen lamp heater 30 </ b> A in the wavelength region that passes through the filter glass 40 are not absorbed by the spacer 8, but heat the back substrate 4.

具体的には、ハロゲンランプヒータ30Aを点灯することにより、遠赤外線光から可視光および近赤外線光に亘る全範囲の光がフィルターガラス40を照射する。一方、上記スペーサ8は遠赤外線光を吸収し、可視光および近赤外線光を透過させる分光透過率特性を備えている。
上記フィルターガラス40においても、スペーサ8と同等の分光透過率特性を備えているところから、遠赤外線光を吸収し、可視光および近赤外線光を透過させる。これに対して、上記背面基板4のスペーサ8取付け面である一面側aにはパターン面が設けられていて、特に可視光と近赤外線光を効率よく吸収する特性を備えるよう形成される。
Specifically, by turning on the halogen lamp heater 30 </ b> A, light in the entire range from far infrared light to visible light and near infrared light irradiates the filter glass 40. On the other hand, the spacer 8 has a spectral transmittance characteristic that absorbs far-infrared light and transmits visible light and near-infrared light.
Since the filter glass 40 also has the same spectral transmittance characteristics as the spacer 8, it absorbs far infrared light and transmits visible light and near infrared light. On the other hand, a pattern surface is provided on one surface side a which is a mounting surface of the spacer 8 of the back substrate 4 and is formed to have a characteristic of absorbing visible light and near infrared light efficiently.

このような条件のもとで、ベーキング処理が行われる。
上述したように所定間隔を存して対向配置される、ハロゲンランプヒータである上部加熱源30Aおよび下部加熱源30Bとの間に、一面側aにスペーサ8を取付けた背面基板4を配置するとともに、スペーサ8と上部加熱源30Bとの間にフィルターガラス40を介在させたうえで、上部加熱源30Aおよび下部加熱源30Bから熱線を照射する。
下部加熱源30Bから放射される熱線は、図に二重大矢印で示すように、全て背面基板4の下面に直接導かれて照射し、背面基板4下面を加熱する。上部加熱源30Aから放射される熱線は、図に大矢印で示す可視光および近赤外線光と、図にハッチング入り矢印で示す遠赤外線光であり、これら全てはフィルターガラス40を照射する。
A baking process is performed under such conditions.
As described above, the rear substrate 4 having the spacer 8 attached to the one surface side a is disposed between the upper heating source 30A and the lower heating source 30B, which are halogen lamp heaters, facing each other at a predetermined interval. After the filter glass 40 is interposed between the spacer 8 and the upper heating source 30B, heat rays are irradiated from the upper heating source 30A and the lower heating source 30B.
All the heat rays radiated from the lower heating source 30B are directly guided to the lower surface of the back substrate 4 and irradiated to heat the lower surface of the back substrate 4 as indicated by double large arrows in the figure. The heat rays radiated from the upper heating source 30A are visible light and near-infrared light indicated by large arrows in the figure, and far-infrared light indicated by hatched arrows in the figure, all of which irradiate the filter glass 40.

上述したように、フィルターガラス40はスペーサ8と同等の分光透過率特性を有しているので、遠赤外線光を吸収して加熱され、温度上昇する。その一方で、可視光と近赤外線光は透過して、これら透過光は背面基板4とスペーサ8を照射する。
特性上、スペーサ8は遠赤外線光を吸収するが、可視光と近赤外線光は吸収しないので、加熱されない。これに対して、背面基板4に形成されるパターン面は、可視光と近赤外線光を吸収する特性を有しているので、効率よく加熱される。
背面基板4は下部加熱源30Bによって他面側bからも加熱され、これに加えて上部加熱源30Aからもフィルターガラス40を透過した熱線である可視光および近赤外線光によって加熱され、背面基板4自体は急加熱されることとなり、早急に温度上昇化する。
As described above, since the filter glass 40 has the same spectral transmittance characteristic as that of the spacer 8, the filter glass 40 is heated by absorbing far-infrared light and rises in temperature. On the other hand, visible light and near infrared light are transmitted, and the transmitted light irradiates the back substrate 4 and the spacer 8.
Although the spacer 8 absorbs far-infrared light in terms of characteristics, it does not absorb visible light and near-infrared light and is not heated. On the other hand, the pattern surface formed on the back substrate 4 has a characteristic of absorbing visible light and near infrared light, and thus is efficiently heated.
The back substrate 4 is also heated from the other side b by the lower heating source 30B, and in addition to this, the back substrate 4 is also heated from the upper heating source 30A by visible light and near-infrared light that are heat rays that have passed through the filter glass 40. The device itself is heated rapidly, and the temperature rises quickly.

また、フィルターガラス40は遠赤外線光のみを吸収して、ある程度の温度上昇があり、ここから実線矢印に示すように輻射熱が放出される。スペーサ8は、フィルターガラス40からの輻射熱である、2次的に放射される熱線で加熱されて温度上昇する。さらに、背面基板4にスペーサ8が取付けられているので、背面基板4が加熱されることで、ある程度の熱がスペーサ8に伝熱される。
上記スペーサ8の熱容量は背面基板4の熱容量に対して小さく形成されているが、スペーサ8が受ける熱量は背面基板4が受ける熱量に比較して少ないから、結局、スペーサ8に対する加熱温度は背面基板4に対する加熱温度と、ほとんど同温度に上昇する。
したがって、同一の熱源を用いて、熱容量の大きな背面基板4には多くの熱エネルギーを投入し、熱容量の小さいスペーサ8には吸収されるエネルギーを少なくすることで、背面基板4とスペーサ8との温度差が軽減され、これにより背面基板4に対するスペーサ8の伸長量が小さくてすみ、スペーサを破損させること無く、背面基板4を短時間で急加熱処理をなすことができる。
Further, the filter glass 40 absorbs only far-infrared light and has a certain temperature rise, from which radiant heat is released as indicated by solid arrows. The spacer 8 is heated by a secondary radiant heat ray, which is radiant heat from the filter glass 40, and the temperature rises. Furthermore, since the spacer 8 is attached to the back substrate 4, a certain amount of heat is transferred to the spacer 8 by heating the back substrate 4.
Although the heat capacity of the spacer 8 is smaller than the heat capacity of the back substrate 4, the amount of heat received by the spacer 8 is smaller than the amount of heat received by the back substrate 4. The heating temperature for 4 rises to almost the same temperature.
Therefore, by using the same heat source, a large amount of heat energy is input to the back substrate 4 having a large heat capacity, and the energy absorbed by the spacer 8 having a small heat capacity is reduced. The temperature difference is reduced, so that the extension amount of the spacer 8 relative to the back substrate 4 can be small, and the back substrate 4 can be rapidly heated in a short time without damaging the spacer.

なお、背面基板4に取付けられるスペーサ8の表面には、背面基板のパターン面に取付けられる電子放出素子16から放出される電子の軌道を変えないように等の条件から、導電膜がコーティングされている。無色透明のガラス材からなるスペーサ8は、導電膜コーティングがなされることにより赤茶色に形成されている。
したがって、フィルターガラス40としては、ガラスの分光透過率特性の可視光領域において赤茶色の光が透過する処理をなせば、先に説明したような作用効果が得られる。すなわち、上記フィルターガラス40は、その表面に、上記スペーサ8の表面に形成される導電膜と同一の導電膜を形成するようにしてもよい。
さらに、フィルターガラス40の表面に、可視光領域で0.7μmの波長領域が多く透過するバンドパスのダイクロイックフィルターを形成させることでも、先に説明したような作用効果が得られる。
The surface of the spacer 8 attached to the back substrate 4 is coated with a conductive film from such a condition as not to change the trajectory of electrons emitted from the electron emitters 16 attached to the pattern surface of the back substrate. Yes. The spacer 8 made of a colorless and transparent glass material is formed in reddish brown by conducting a conductive film coating.
Therefore, if the filter glass 40 is processed so that reddish brown light is transmitted in the visible light region of the spectral transmittance characteristics of the glass, the effects described above can be obtained. That is, the filter glass 40 may be formed on the surface thereof with the same conductive film as that formed on the surface of the spacer 8.
Further, by forming a band-pass dichroic filter on the surface of the filter glass 40 that transmits a large wavelength region of 0.7 μm in the visible light region, the above-described effects can be obtained.

図5に模式的に示すような、ベーキング処理を行ってもよい。
真空雰囲気となっている図示しないベーキング室には、上下に所定の間隔を存して対向し、互いに平行な第1の加熱源である上部加熱源30Cと、第2の加熱源である下部加熱源30Bとが配置される。上部加熱源30Cと下部加熱源30Bともに、互いの加熱面Kを、互いに対向させている。
これら上部加熱源30Cと下部加熱源30Bとの加熱面K相互間に、一面側aにスペーサ8が取付けられる背面基板4が介挿配置される。ここでは、背面基板4の上面側にスペーサ8が取付けられている。また、背面基板4の他面側bには取付けられる部材がなく、この背面基板4の他面側に所定間隔を存して下部加熱源30Bが配置される。
A baking process as schematically shown in FIG. 5 may be performed.
The baking chamber (not shown) in a vacuum atmosphere is opposed to the upper and lower sides with a predetermined interval, and is parallel to each other, the upper heating source 30C as the first heating source and the lower heating as the second heating source. A source 30B is arranged. Both the upper heating source 30C and the lower heating source 30B have their heating surfaces K facing each other.
Between the heating surfaces K of the upper heating source 30C and the lower heating source 30B, the back substrate 4 to which the spacer 8 is attached on one surface side a is disposed. Here, a spacer 8 is attached to the upper surface side of the back substrate 4. Further, there is no member to be attached to the other surface side b of the back substrate 4, and the lower heating source 30 </ b> B is disposed on the other surface side of the back substrate 4 with a predetermined interval.

なお説明すると、上記上部加熱源30Cおよび下部加熱源30Bは、可視光側にピーク波長を有するハロゲンランプヒータが用いられる。特に、下部加熱源30Bであるハロゲンランプヒータは、発熱することにより遠赤外線光から可視光および近赤外線光に亘る全範囲の光が背面基板4を照射する。
一方、上部加熱源30Cであるハロゲンランプヒータは、その波長特性がスペーサ8と同等の分光透過率特性を有していて、このヒータから照射される熱線はスペーサには吸収されず、背面基板4を加熱する。
具体的には、上部加熱源30Cを点灯することにより、遠赤外線光を除く、可視光および近赤外線光が背面基板4とスペーサ8を照射する。一方、上記スペーサ8は遠赤外線光を吸収し、可視光および近赤外線光を透過させる分光透過率特性を備えている。これに対して、上記背面基板4のスペーサ8取付け面である一面側aに形成されるパターン面は、特に可視光と近赤外線光を効率よく吸収する特性を備えるよう形成される。
In other words, the upper heating source 30C and the lower heating source 30B are halogen lamp heaters having a peak wavelength on the visible light side. In particular, the halogen lamp heater, which is the lower heating source 30B, generates heat to irradiate the back substrate 4 with light in the entire range from far infrared light to visible light and near infrared light.
On the other hand, the halogen lamp heater which is the upper heating source 30C has a spectral transmittance characteristic equivalent to that of the spacer 8 in the wavelength characteristic, and the heat rays irradiated from this heater are not absorbed by the spacer, and the rear substrate 4 Heat.
Specifically, by turning on the upper heating source 30 </ b> C, visible light and near infrared light, excluding far infrared light, irradiate the back substrate 4 and the spacer 8. On the other hand, the spacer 8 has a spectral transmittance characteristic that absorbs far-infrared light and transmits visible light and near-infrared light. On the other hand, the pattern surface formed on one surface side a which is the mounting surface of the spacer 8 of the back substrate 4 is formed to have a characteristic of efficiently absorbing visible light and near infrared light.

このような条件のもとで、ベーキング処理が行われる。
上述したように所定間隔を存して対向配置される、ハロゲンランプヒータである上部加熱源30Cおよび下部加熱源30Bとの間に、一面側aにスペーサ8を取付けた背面基板4を配置させたうえで、上部加熱源30Cおよび下部加熱源30Bから熱線を照射する。
下部加熱源30Bから放射される熱線は、図に二重大矢印で示すように、全て背面基板4の下面に直接導かれて照射し、背面基板4下面を加熱する。上部加熱源30Cから放射される熱線は、図にハッチング入り矢印で示す可視光と近赤外線光であり、これら全ては背面基板4およびスペーサ8を照射する。
A baking process is performed under such conditions.
As described above, the rear substrate 4 having the spacer 8 attached to the one surface side a is disposed between the upper heating source 30C and the lower heating source 30B, which are halogen lamp heaters, facing each other at a predetermined interval. Then, heat rays are irradiated from the upper heating source 30C and the lower heating source 30B.
All the heat rays radiated from the lower heating source 30B are directly guided to the lower surface of the back substrate 4 and irradiated to heat the lower surface of the back substrate 4 as indicated by double large arrows in the figure. The heat rays radiated from the upper heating source 30C are visible light and near-infrared light indicated by hatched arrows in the figure, all of which irradiate the back substrate 4 and the spacer 8.

上述したように、上部加熱源30Cはスペーサ8と同等の分光透過率特性を有していて、遠赤外線光は発光せず、可視光と近赤外線光を発光する。そして、スペーサ8は遠赤外線光を吸収するが可視光と近赤外線光は吸収しないので、上部加熱源30Cによる加熱がなされない。これに対して、背面基板4の一面側aに形成されるパターン面は可視光と近赤外線光を吸収する特性を有しているので、効率よく加熱される。
また、背面基板4は下部加熱源30Bによって他面側bから加熱され、これに加えて上部加熱源30Cからも可視光および近赤外線光によって加熱されているので、背面基板4自体は急加熱され、早急に温度上昇化する。上記スペーサ8は、背面基板4が加熱されることで、ある程度の熱が伝熱される。
As described above, the upper heating source 30C has a spectral transmittance characteristic equivalent to that of the spacer 8, and does not emit far-infrared light but emits visible light and near-infrared light. The spacer 8 absorbs far-infrared light but does not absorb visible light and near-infrared light, so that heating by the upper heating source 30C is not performed. On the other hand, since the pattern surface formed on the one surface side a of the back substrate 4 has a characteristic of absorbing visible light and near infrared light, it is efficiently heated.
Further, the back substrate 4 is heated from the other side b by the lower heating source 30B, and in addition to this, the upper substrate 30C is also heated by visible light and near infrared light, so that the back substrate 4 itself is rapidly heated. The temperature rises quickly. A certain amount of heat is transferred to the spacer 8 by heating the back substrate 4.

上記スペーサ8の熱容量は背面基板4の熱容量に対して小さく形成されているが、スペーサ8が受ける熱量は背面基板4が受ける熱量に比較して少ないから、結局、スペーサ8における加熱温度は背面基板4に対する加熱温度と、ほとんど同温度に上昇する。
したがって、熱容量の大きな背面基板4には多くの熱エネルギーを投入し、熱容量の小さいスペーサには吸収されるエネルギーを少なくすることで、背面基板4とスペーサ8との温度差が軽減され、これにより背面基板4に対するスペーサ8の伸長量が小さくてすみ、スペーサを破損させること無く、背面基板4を短時間で急加熱処理をなすことができる。
Although the heat capacity of the spacer 8 is formed smaller than the heat capacity of the back substrate 4, the amount of heat received by the spacer 8 is smaller than the amount of heat received by the back substrate 4. The heating temperature for 4 rises to almost the same temperature.
Accordingly, a large amount of heat energy is input to the back substrate 4 having a large heat capacity, and the energy absorbed by the spacer having a small heat capacity is reduced, thereby reducing the temperature difference between the back substrate 4 and the spacer 8. The extension amount of the spacer 8 relative to the back substrate 4 can be small, and the back substrate 4 can be rapidly heated in a short time without damaging the spacer.

本発明における実施の形態に係る、SEDの真空外囲器を示す外観斜視図。The external appearance perspective view which shows the vacuum envelope of SED based on embodiment in this invention. 同実施の形態に係る、図1の真空外囲器を線分II―IIに沿って切断した断面斜視図。The cross-sectional perspective view which cut | disconnected the vacuum envelope of FIG. 1 along line II-II based on the embodiment. 同実施の形態に係る、図2の断面を部分的に拡大して示す部分拡大断面図。The partial expanded sectional view which expands and shows the cross section of FIG. 2 based on the embodiment partially. 同実施の形態のベーキング処理を説明する模式図。The schematic diagram explaining the baking process of the embodiment. 異なる実施の形態のベーキング処理を説明する模式図。The schematic diagram explaining the baking process of different embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

4…背面基板、2…前面基板、8…スペーサ、30A…上部加熱源(第1の加熱源)、30B…下部加熱源(第2の加熱源)、40…フィルターガラス。   4 ... back substrate, 2 ... front substrate, 8 ... spacer, 30A ... upper heating source (first heating source), 30B ... lower heating source (second heating source), 40 ... filter glass.

Claims (4)

対向配置される背面基板および前面基板と、これら背面基板と前面基板との間に介在され、背面基板と前面基板の外側から作用する大気圧荷重を支持するとともに、基板相互間の間隔を所定値に保持するスペーサとを有する外囲器を備えた画像表示装置であり、
一面側にパターン面が形成された上記背面基板および、この背面基板のパターン面側に取付けられた上記スペーサに対して加熱処理をなす画像表示装置の製造装置において、
上記背面基板のパターン面側で、上記スペーサと所定間隔を存して対向配置され、背面基板のパターン面とスペーサに対して熱線を放射する第1の加熱源と、
上記背面基板の他面側に所定間隔を存して対向配置され、背面基板他面に対して熱線を放射する第2の加熱源と、
上記第1の加熱源とスペーサとの間に介在され、上記背面基板のパターン面とスペーサとの分光透過率特性の相違を利用して熱線の波長を選択的に吸収し、残りの波長の熱線を透過させて背面基板およびスペーサに導くフィルタと
を具備することを特徴とする画像表示装置の製造装置。
The rear substrate and the front substrate, which are arranged opposite to each other, are interposed between the rear substrate and the front substrate, support the atmospheric pressure load acting from the outside of the rear substrate and the front substrate, and the predetermined distance between the substrates. An image display device comprising an envelope having a spacer to be held in
In the manufacturing apparatus of the image display device in which the back substrate having the pattern surface formed on one surface side and the spacer attached to the pattern surface side of the back substrate are heated.
On the pattern surface side of the back substrate, a first heating source that is disposed to face the spacer with a predetermined interval and emits heat rays to the pattern surface of the back substrate and the spacer;
A second heating source disposed opposite to the other surface side of the rear substrate with a predetermined interval and radiating heat rays to the other surface of the rear substrate;
It is interposed between the first heating source and the spacer, selectively absorbs the wavelength of the heat ray using the difference in spectral transmittance characteristics between the pattern surface of the back substrate and the spacer, and the heat ray of the remaining wavelength And an image display device manufacturing apparatus, comprising: a back substrate and a filter that transmits the light to the spacer.
上記第1の加熱源は、可視光側にピーク波長を有するハロゲンランプヒータが用いられ、
上記フィルタは、上記スペーサの分光透過率特性と同等の分光透過率特性を有することを特徴とする請求項1記載の画像表示装置の製造装置。
As the first heating source, a halogen lamp heater having a peak wavelength on the visible light side is used,
2. The apparatus for manufacturing an image display device according to claim 1, wherein the filter has a spectral transmittance characteristic equivalent to a spectral transmittance characteristic of the spacer.
上記フィルタは、その表面に、上記スペーサの表面に形成される導電膜と同一の導電膜が形成されることを特徴とする請求項1記載の画像表示装置の製造装置。   2. The apparatus for manufacturing an image display device according to claim 1, wherein the filter is formed on the surface thereof with the same conductive film as the conductive film formed on the surface of the spacer. 対向配置される背面基板および前面基板と、これら背面基板と前面基板との間に介在され、背面基板と前面基板の外側から作用する大気圧荷重を支持するとともに、基板相互間の間隔を所定値に保持するスペーサとを有する外囲器を備えた画像表示装置であり、
一面側にパターン面が形成された上記背面基板および、この背面基板のパターン面側に取付けられた上記スペーサに対して加熱処理をなす画像表示装置の製造装置において、
上記背面基板のパターン面側で、上記スペーサと所定間隔を存して対向配置され、背面基板のパターン面とスペーサに対して熱線を放射する第1の加熱源と、
上記背面基板の他面側に所定間隔を存して対向配置され、背面基板他面に対して熱線を放射する第2の加熱源とを具備し、
上記第1の加熱源は、上記背面基板のパターン面の分光透過率特性と一致する分光透過率特性の波長の熱線のみを放射することを特徴とする画像表示装置の製造装置。
The rear substrate and the front substrate, which are arranged opposite to each other, are interposed between the rear substrate and the front substrate, support the atmospheric pressure load acting from the outside of the rear substrate and the front substrate, and the predetermined distance between the substrates. An image display device comprising an envelope having a spacer to be held in
In the manufacturing apparatus of the image display device in which the back substrate having the pattern surface formed on one surface side and the spacer attached to the pattern surface side of the back substrate are heated.
On the pattern surface side of the back substrate, a first heating source that is disposed to face the spacer with a predetermined interval and emits heat rays to the pattern surface of the back substrate and the spacer;
A second heating source disposed opposite to the other surface side of the rear substrate with a predetermined interval and radiating heat rays to the other surface of the rear substrate;
The apparatus for manufacturing an image display device, wherein the first heating source emits only heat rays having a wavelength having a spectral transmittance characteristic that matches the spectral transmittance characteristic of the pattern surface of the rear substrate.
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