JP2006092483A - Switched capacitor circuit - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce occurrences of a power source voltage fluctuation and unnecessary radiation accompanying potential movement at the time of charging or discharging a sampling capacitor, and to perform precise sampling operation. <P>SOLUTION: When a transistor switch for controlling the charge timing of the sampling capacitor is serially connected to a transistor switch for controlling charge speed, a transition duration when a transistor for controlling charge speed changes from an off-state to a complete on-state is made longer than a transition duration when the transistor switch for controlling the charge timing changes from the off-state to the complete on-state. On the other hand, when a transistor switch for controlling the discharge timing of the sampling capacitor is serially connected to a transistor switch for controlling discharge speed, a transition duration when a transistor for controlling discharge speed changes from the off-state to the complete on-state is made longer than a transition duration when the transistor switch for controlling discharge timing changes from the off-state into the complete on-state. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体集積回路製造技術によって製造される半導体集積回路としてのスイッチトキャパシタ回路に関する。   The present invention relates to a switched capacitor circuit as a semiconductor integrated circuit manufactured by a semiconductor integrated circuit manufacturing technique.

近年、オーディオ用の半導体集積回路、例えばADコンバータやDAコンバータでは、高音質での音楽録音、音楽再生が強いニーズとしてあり、これら多くの集積回路で用いられているスイッチトキャパシタ回路における低ノイズ化(すなわち、高SN比化)のためにサンプリングキャパシタの容量値を大きくすることがなされている。   In recent years, audio semiconductor integrated circuits such as AD converters and DA converters have strong needs for recording and reproducing music with high sound quality, and switching capacitor circuits used in many integrated circuits have low noise ( In other words, the capacitance value of the sampling capacitor is increased in order to increase the SN ratio.

スイッチトキャパシタ回路は、その充電時あるいは放電時に電荷を移動させるが(すなわち電流が流れるが)、サンプリングキャパシタの容量値が大きくなるほど大量の電荷を移動させることになり、より大きな電源電圧の変動や不要輻射が発生することとなる。また電荷の移動が急激(すなわち大電流)であればあるほど、より大きな電源電圧の変動や不要輻射が発生することとなる。   Switched capacitor circuits move charge during charging or discharging (ie, current flows), but as the capacitance value of the sampling capacitor increases, a larger amount of charge is moved, resulting in greater power supply voltage fluctuations and unnecessary. Radiation will occur. In addition, the more rapidly the charge moves (that is, a large current), the greater the fluctuation of the power supply voltage and the unnecessary radiation.

電源電圧の変動は同じ電源を起源とする電圧で動作しているアナログ回路やアナログデバイスにノイズが混入して、誤動作したり、誤動作しないまでも可聴なノイズとなってしまうこともある。また、不要輻射は空中を介し電磁波として伝播し、周辺装置が誤動作したりノイズ発生したりする場合がある。   The fluctuations in the power supply voltage may cause noise to enter an analog circuit or analog device operating with a voltage originating from the same power supply, resulting in malfunction or audible noise even if malfunction does not occur. Further, unnecessary radiation propagates as electromagnetic waves through the air, and peripheral devices may malfunction or generate noise.

このようなスイッチトキャパシタ回路の動作を説明するために、図15にスイッチトキャパシタ回路を用いた積分器を示す。   In order to explain the operation of such a switched capacitor circuit, an integrator using the switched capacitor circuit is shown in FIG.

この例では、CAP21は、電荷を充放電するサンプリングキャパシタである。N型MOSトランジスタであるTS20、TS21は、充電タイミング制御用トランジスタスイッチである。N型MOSトランジスタであるTS22、TS23は、放電タイミング制御用トランジスタスイッチである。   In this example, the CAP 21 is a sampling capacitor that charges and discharges charges. The N-type MOS transistors TS20 and TS21 are charge timing control transistor switches. N-type MOS transistors TS22 and TS23 are discharge timing control transistor switches.

積分キャパシタCAP22は、オペアンプ23に帰還接続され、また、その入力はTS23に接続され、入力信号が2相のノンオーバーラップクロック信号CK1、CK2の周期で積分される積分器となっている。   The integrating capacitor CAP22 is connected to the operational amplifier 23 in a feedback manner, and the input thereof is connected to the TS23. The integrating capacitor CAP22 is an integrator that integrates the input signal with the period of the two-phase non-overlap clock signals CK1 and CK2.

すなわち CK1がH(すなわちハイレベル)の場合CAP21は入力信号の電圧とAGND電圧の間で充電され、CK2がHの場合CAP21に充電されていた電荷がCAP22に転送(すなわち積分)される。   That is, when CK1 is H (that is, high level), the CAP21 is charged between the voltage of the input signal and the AGND voltage, and when CK2 is H, the charge charged in the CAP21 is transferred (that is, integrated) to the CAP22.

図16は、CK1、CK2のタイミングおよび入力信号から供給される電流量の様子を示す。   FIG. 16 shows the timing of CK1 and CK2 and the state of the amount of current supplied from the input signal.

CK1がL(すなわちローレベル)からHに変化し、TS20、TS21がオフ状態からオン状態になる時に、CAP21の充電を開始するため、電流が急激に流れる。このタイミングで入力信号は大きな電流駆動を行い、急激な電源電圧の変動と不要輻射を発生する。   When CK1 changes from L (ie, low level) to H and TS20 and TS21 change from the off state to the on state, charging of the CAP21 starts, and thus a current flows rapidly. At this timing, the input signal is driven by a large current, and sudden power supply voltage fluctuations and unnecessary radiation are generated.

以上のような好ましくない電源電圧の変動や不要輻射の発生を低減するためのスイッチトキャパシタ回路として、特許文献1では、図17に示されるような回路が示されている。   As a switched capacitor circuit for reducing the occurrence of undesirable fluctuations in power supply voltage and unnecessary radiation as described above, Patent Document 1 discloses a circuit as shown in FIG.

この図17に示す回路は、キャパシタと、複数の並列接続されるMOSトランジスタとにより構成され、前記キャパシタの放電を行わせるためのMOSスイッチング手段と、クロックパルスを入力し、前記MOSスイッチング手段の各MOSトランジスタを順にオン状態にすべくオン信号の立ち上がりタイミングを僅かに遅延して出力するタイミング発生手段とを備えたことを特徴としている。   The circuit shown in FIG. 17 is composed of a capacitor and a plurality of MOS transistors connected in parallel. The MOS switching means for discharging the capacitor, and a clock pulse are input to each of the MOS switching means. In order to turn on the MOS transistors in order, there is provided a timing generating means for outputting with a slight delay of the rising timing of the ON signal.

この回路では、電荷の移動初期に並列に分割されたMOSトランジスタスイッチを用いて電荷を移動させ、本来の大きな(または全ての)MOSトランジスタスイッチを用いる場合より電荷不要輻射の発生を低減することがなされている。   In this circuit, it is possible to move charges using MOS transistor switches divided in parallel at the beginning of the movement of charges, and to reduce the generation of unnecessary charge radiation compared to the case where the original large (or all) MOS transistor switches are used. Has been made.

図18は、その各クロックCK1、CK2、CK1d、CK2dおよび入力信号から供給される電流量の様子を示す。   FIG. 18 shows the state of current supplied from the clocks CK1, CK2, CK1d, CK2d and the input signal.

特開平05−037300号公報Japanese Patent Laid-Open No. 05-037300

しかしながら、図17に示される回路では、例えばキャパシタCAP210を充電するCK1がHの期間を例にすると、始めにオンするトランジスタスイッチTS201とTS211がオンしCAP210を充電しはじめる瞬間、および後にオンするトランジスタスイッチTS202とTS212がオンし未充電なキャパシタの充電を開始し始める瞬間に大きな電荷の移動がおこり、電源電圧変動や不要輻射を発生する。   However, in the circuit shown in FIG. 17, for example, when the period when CK1 charging the capacitor CAP210 is H is taken as an example, the moment when the transistor switches TS201 and TS211 that turn on first turn on and the CAP210 starts to charge, and the transistor that turns on later When the switches TS202 and TS212 are turned on and charging of the uncharged capacitor starts to be performed, a large amount of charge moves to generate power supply voltage fluctuations and unnecessary radiation.

ここで、電圧変化を押さえたい部位は、キャパシタ両端子間の電圧でなく、電源自体/信号源自体の出力電圧である。   Here, the part where the voltage change is to be suppressed is not the voltage between both terminals of the capacitor but the output voltage of the power supply itself / the signal source itself.

図17での問題となる電源電圧の変動が発生する場所は、「入力信号」の端子部分および▽印で示す「AGND」。これらの電圧変化が、同じ端子につながる他の回路に悪影響(ノイズ混入や誤動作)を及ぼすことになる。   The place where the fluctuation of the power supply voltage which becomes a problem in FIG. 17 occurs is the terminal part of “input signal” and “AGND” indicated by ▽. These voltage changes adversely affect other circuits connected to the same terminal (mixing noise or malfunctioning).

また、不良輻射の発生する部位は、電流が流れるパスであるので、図17では「入力信号」の端子からこの回路に至る経路、および「AGND」からこの回路に至る経路に相当する。   Further, since the portion where the defective radiation is generated is a path through which a current flows, in FIG. 17, it corresponds to a path from the terminal of “input signal” to this circuit and a path from “AGND” to this circuit.

また、スイッチトキャパシタ回路において最もクリティカルなサンプリングの終了時刻(すなわちCK1はHからLに変化する時刻)に、トランジスタスイッチをオフする場合にCK1とCK1dで制御される2組のトランジスタスイッチを同時にオフしたいが、2つのトランジスタを同時にオフすることは極めて困難である。   In addition, when the transistor switch is turned off at the most critical sampling end time in the switched capacitor circuit (that is, when CK1 changes from H to L), it is desired to turn off two transistor switches controlled by CK1 and CK1d at the same time. However, it is extremely difficult to turn off the two transistors simultaneously.

2組のトランジスタスイッチが瞬時に、かつ同時にオフしないため、片方がオフしたことによるフィードスルーノイズによってスイッチの両端につながる端子の電位がゆらいでいる状態で後から他方がオフし、後からオフするトランジスタのタイミングでサンプリングされる電荷量は確定するため、毎回毎回のサンプリングが不安定なものとなり、正確なサンプリングが出来なくなってしまう。   Since two sets of transistor switches do not turn off instantaneously and simultaneously, the other turns off later and turns off later with the potential of the terminals connected to both ends of the switch fluctuating due to feedthrough noise caused by one of them turning off. Since the amount of charge sampled at the timing of the transistor is fixed, the sampling every time becomes unstable and accurate sampling cannot be performed.

さらに、前述した電源電圧変動や不要輻射の発生、および正確なサンプリングができなくなってしまうことは、キャパシタを放電する動作に関してもいえる。   Furthermore, the above-described power supply voltage fluctuations, unnecessary radiation, and the inability to perform accurate sampling can also be said for the operation of discharging a capacitor.

そこで、本発明の目的は、サンプリングキャパシタの充電時または放電時の電荷の移動に伴う電源電圧の変動や不要輻射の発生を良好に低減させ、正確なサンプリングを行えるスイッチトキャパシタ回路を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a switched capacitor circuit that can accurately perform sampling by satisfactorily reducing fluctuations in power supply voltage and generation of unnecessary radiation due to charge movement during charging or discharging of a sampling capacitor. is there.

本発明は、電荷を充放電するサンプリングキャパシタと、前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと、
前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の放電タイミング制御用トランジスタスイッチと、第1期間において前記サンプリングキャパシタを所望の電圧に充電するために、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する手段と、第2期間において前記サンプリングキャパシタに蓄えられた電荷を放電するために、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する手段と、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の端子、又は、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の端子に、直列接続された充放電速度制御用トランジスタスイッチと、ここで、該充放電速度制御用トランジスタスイッチは、充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、放電速度制御用トランジスタスイッチによって構成され、前記充放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子に接続され、該入力制御端子に入力される信号を制御する充放電速度制御手段とを具えることによって、スイッチトキャパシタ回路を構成する。
The present invention includes a sampling capacitor that charges and discharges charge, two charge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor,
Two discharge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor, and driving timing of the charge timing control transistor switch for charging the sampling capacitor to a desired voltage in the first period. Means for controlling the drive timing of the discharge timing control transistor switch to discharge the charge stored in the sampling capacitor in the second period, and one of the charge timing control transistor switch A charge-discharge speed control transistor switch connected in series to a terminal or one terminal of the discharge timing control transistor switch, wherein the charge-discharge speed control transistor switch is a charge speed control transistor switch; Or a charge / discharge rate control means configured to include a discharge rate control transistor switch, connected to an input control terminal of the charge / discharge rate control transistor switch, and controlling a signal input to the input control terminal. Thus, a switched capacitor circuit is configured.

本発明は、電荷を充放電するサンプリングキャパシタと、前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと、前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の放電タイミング制御用トランジスタスイッチと、ここで、前記サンプリングキャパシタと2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチとが1組として構成された回路を複数組並列接続し、第1期間において前記サンプリングキャパシタを所望の電圧に充電するために、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する手段と、第2期間において前記サンプリングキャパシタに蓄えられた電荷を放電するために、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する手段と、前記並列接続された充電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の共通接続端子、又は、前記並列接続された放電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の共通接続端子に、直列接続された充放電速度制御用トランジスタスイッチと、ここで、該充放電速度制御用トランジスタスイッチは、充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、放電速度制御用トランジスタスイッチによって構成され、前記充放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子に接続され、該入力制御端子に入力される信号を制御する充放電速度制御手段とを具えることによって、スイッチトキャパシタ回路を構成する。   The present invention includes a sampling capacitor for charging and discharging electric charge, two charge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor, and two connected between both terminals of the sampling capacitor. A plurality of discharge timing control transistor switches, and a plurality of sets of circuits each including the sampling capacitor, two charge timing control transistor switches, and two charge timing control transistor switches are connected in parallel. Means for controlling the drive timing of the charge timing control transistor switch for charging the sampling capacitor to a desired voltage in the first period, and discharging the charge stored in the sampling capacitor in the second period. And the discharge tag And a common connection terminal of the charge timing control transistor switch connected in parallel, or a common connection of the discharge timing control transistor switch connected in parallel. A transistor switch for charge / discharge rate control connected in series to the terminal, wherein the transistor switch for charge / discharge rate control is constituted by a transistor switch for charge rate control or a transistor switch for discharge rate control. A switched capacitor circuit is configured by including charge / discharge rate control means connected to the input control terminal of the discharge rate control transistor switch and controlling a signal input to the input control terminal.

本発明は、電荷を充放電するサンプリングキャパシタと、前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと、前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の放電タイミング制御用トランジスタスイッチと、ここで、前記サンプリングキャパシタと前記2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと前記2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチとが1組として構成された回路を複数組並列接続し、第1期間において前記サンプリングキャパシタを所望の電圧に充電するために、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する手段と、第2期間において前記サンプリングキャパシタに蓄えられた電荷を放電するために、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する手段と、前記並列接続された各組の充電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の続端子、又は、前記並列接続された各組の放電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の端子に、それぞれ直列接続された複数の充放電速度制御用トランジスタスイッチと、ここで、該充放電速度制御用トランジスタスイッチは、充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、放電速度制御用トランジスタスイッチによって構成され、前記各組の充放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子にそれぞれ接続され、該各入力制御端子に入力される信号を制御する複数の充放電速度制御手段とを具えることによって、スイッチトキャパシタ回路を構成する。   The present invention includes a sampling capacitor for charging and discharging electric charge, two charge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor, and two connected between both terminals of the sampling capacitor. Discharge timing control transistor switch, and a plurality of parallel circuits each including the sampling capacitor, the two charge timing control transistor switches, and the two charge timing control transistor switches as one set Means for controlling the drive timing of the charge timing control transistor switch to charge the sampling capacitor to a desired voltage in the first period, and discharging the charge stored in the sampling capacitor in the second period To do before Means for controlling the drive timing of the discharge timing control transistor switch, and one connection terminal of each of the sets of charge timing control transistors connected in parallel, or each of the sets of discharge timing control transistors connected in parallel A plurality of charge / discharge speed control transistor switches connected in series to one terminal of the switch, wherein the charge / discharge speed control transistor switch is a charge speed control transistor switch or a discharge speed control transistor; A plurality of charging / discharging rate control means for controlling signals input to the respective input control terminals, each of which is configured by a switch and connected to each of the input control terminals of each set of charge / discharge rate controlling transistor switches; Thus, a switched capacitor circuit is configured.

本発明は、電荷を充放電するサンプリングキャパシタと、前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと、前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の放電タイミング制御用トランジスタスイッチと、ここで、前記サンプリングキャパシタと前記2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと前記2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチとが1組として構成された回路を複数組並列接続し、第1期間において前記サンプリングキャパシタを所望の電圧に充電するために、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する手段と、第2期間において前記サンプリングキャパシタに蓄えられた電荷を放電するために、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する手段と、前記並列接続された各組の充電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の続端子、又は、前記並列接続された各組の放電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の端子に、それぞれ直列接続された複数の充放電速度制御用トランジスタスイッチと、ここで、該充放電速度制御用トランジスタスイッチは、充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、放電速度制御用トランジスタスイッチによって構成され、前記各組の充放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子に共通して接続され、該各入力制御端子に入力される信号を制御する充放電速度制御手段とを具えることによって、スイッチトキャパシタ回路を構成する。   The present invention includes a sampling capacitor for charging and discharging electric charge, two charge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor, and two connected between both terminals of the sampling capacitor. Discharge timing control transistor switch, and a plurality of parallel circuits each including the sampling capacitor, the two charge timing control transistor switches, and the two charge timing control transistor switches as one set Means for controlling the drive timing of the charge timing control transistor switch to charge the sampling capacitor to a desired voltage in the first period, and discharging the charge stored in the sampling capacitor in the second period To do before Means for controlling the drive timing of the discharge timing control transistor switch, and one connection terminal of each of the sets of charge timing control transistors connected in parallel, or each of the sets of discharge timing control transistors connected in parallel A plurality of charge / discharge speed control transistor switches connected in series to one terminal of the switch, wherein the charge / discharge speed control transistor switch is a charge speed control transistor switch or a discharge speed control transistor; And a charge / discharge rate control means for controlling a signal input to each of the input control terminals, the switch being configured to be connected in common to the input control terminals of the charge / discharge rate control transistor switches of each set. Thus, a switched capacitor circuit is configured.

前記充放電速度制御手段は、前記充放電速度制御用トランジスタスイッチが、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチに接続された充電速度制御用トランジスタスイッチとして構成されている場合は、該充電速度制御用トランジスタスイッチを、前記第1期間でオンさせかつ前記第2期間でオフさせると共に、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間を、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチのオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くさせるように、該充電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子の電圧を制御してもよい。   When the charge / discharge speed control transistor switch is configured as a charge speed control transistor switch connected to the charge timing control transistor switch, the charge / discharge speed control means includes the charge speed control transistor switch. Is turned on in the first period and turned off in the second period, and the transition time for changing from the off state to the fully on state is changed from the off state to the fully on state of the charge timing control transistor switch. You may control the voltage of the input control terminal of this transistor switch for charge speed control so that it may become longer than time.

前記充放電速度制御手段は、前記充放電速度制御用トランジスタスイッチが、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチに接続された放電速度制御用トランジスタスイッチとして構成されている場合は、該放電速度制御用トランジスタスイッチを、前記第1期間でオフさせかつ前記第2期間でオンさせると共に、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間を、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチのオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くさせるように、該放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子の電圧を制御してもよい。   When the charge / discharge speed control transistor switch is configured as a discharge speed control transistor switch connected to the discharge timing control transistor switch, the charge / discharge speed control means includes the discharge speed control transistor switch. Is turned off in the first period and turned on in the second period, and the transition time for changing from the OFF state to the fully ON state is changed from the OFF state to the fully ON state of the discharge timing control transistor switch. The voltage at the input control terminal of the discharge speed control transistor switch may be controlled to be longer than the time.

前記充放電速度制御手段は、前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチがオフ状態からオン状態に変化する場合は、抵抗体および容量体を含む回路素子により決定される時定数で変化する信号により、前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御信号端子を制御してもよい。   The charge / discharge speed control means is determined by a circuit element including a resistor and a capacitor when the charge speed control transistor switch or the discharge speed control transistor switch changes from an off state to an on state. The input control signal terminal of the charge rate control transistor switch or the discharge rate control transistor switch may be controlled by a signal that changes with a time constant.

前記充放電速度制御手段は、前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチがオフ状態からオン状態に変化する場合は、電流源素子および容量体を含む回路素子により決定される変化速度を有する信号により、前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御信号端子を制御してもよい。   The charge / discharge speed control means is determined by a circuit element including a current source element and a capacitor when the charge speed control transistor switch or the discharge speed control transistor switch changes from an off state to an on state. An input control signal terminal of the charge rate control transistor switch or the discharge rate control transistor switch may be controlled by a signal having a change rate.

前記充放電速度制御手段は、前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチがオフ状態からオン状態に変化する場合は、状態変化開始直後より状態変化途中に最も変化速度の速い部分がある信号により、前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御信号端子を制御してもよい。   When the charge rate control transistor switch or the discharge rate control transistor switch changes from an off state to an on state, the charge / discharge rate control means has the highest change rate during the state change immediately after the start of the state change. The input control signal terminal of the charging speed control transistor switch or the discharging speed control transistor switch may be controlled by a signal having a fast portion.

本発明は、スイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法であって、電荷を充放電するサンプリングキャパシタと、前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと、前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の放電タイミング制御用トランジスタスイッチと、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の端子、又は、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の端子に、直列接続された充放電速度制御用トランジスタスイッチとを具え、該充放電速度制御用トランジスタスイッチは、充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、放電速度制御用トランジスタスイッチによって構成された回路において、第1期間において前記サンプリングキャパシタを所望の電圧に充電するために、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する工程と、第2期間において前記サンプリングキャパシタに蓄えられた電荷を放電するために、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する工程と、前記充放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子に入力される信号を制御する充放電速度制御工程とを具えることによって、スイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法を提供する。   The present invention relates to a switch switching method for a switched capacitor circuit, which is a sampling capacitor for charging and discharging electric charge, two charge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor, and the sampling capacitor. Connected in series to two discharge timing control transistor switches and one terminal of the charge timing control transistor switch, or one terminal of the discharge timing control transistor switch connected between the two terminals. A charge / discharge rate control transistor switch, wherein the charge / discharge rate control transistor switch is a charge rate control transistor switch or a circuit configured by the discharge rate control transistor switch in the first period. Controlling the drive timing of the charge timing control transistor switch to charge the storage capacitor to a desired voltage; and discharging the charge stored in the sampling capacitor in the second period. Switching of the switched capacitor circuit by comprising a step of controlling the drive timing of the transistor switch for charge and a charge / discharge rate control step of controlling the signal input to the input control terminal of the transistor switch for charge / discharge rate control Provide a method.

本発明は、スイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法であって、電荷を充放電するサンプリングキャパシタと、前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと、前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の放電タイミング制御用トランジスタスイッチと、ここで、前記サンプリングキャパシタと2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチとが1組として構成された回路を複数組並列接続し、前記並列接続された充電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の共通接続端子、又は、前記並列接続された放電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の共通接続端子に、直列接続された充放電速度制御用トランジスタスイッチとを具え、該充放電速度制御用トランジスタスイッチは、充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、放電速度制御用トランジスタスイッチによって構成された回路において、第1期間において前記サンプリングキャパシタを所望の電圧に充電するために、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する工程と、第2期間において前記サンプリングキャパシタに蓄えられた電荷を放電するために、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する工程と、前記充放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子に入力される信号を制御する充放電速度制御工程とを具えることによって、スイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法を提供する。   The present invention relates to a switch switching method for a switched capacitor circuit, which is a sampling capacitor for charging and discharging electric charge, two charge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor, and the sampling capacitor. A pair of two discharge timing control transistor switches connected between the two terminals, the sampling capacitor, two charge timing control transistor switches, and two charge timing control transistor switches. A plurality of sets of circuits configured in parallel and connected to one common connection terminal of the charge timing control transistor switch connected in parallel, or one common connection terminal of the discharge timing control transistor switch connected in parallel Series connected charge An electric speed control transistor switch, and the charge / discharge speed control transistor switch is a charge speed control transistor switch or a discharge speed control transistor switch in the circuit configured by the charge speed control transistor switch in the first period. A step of controlling a drive timing of the charge timing control transistor switch for charging to a desired voltage; and a discharge timing control transistor switch for discharging the charge stored in the sampling capacitor in a second period. And a charge / discharge speed control process for controlling a signal input to an input control terminal of the charge / discharge speed control transistor switch, thereby providing a switch switching method for the switched capacitor circuit. To.

本発明は、スイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法であって、電荷を充放電するサンプリングキャパシタと、前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと、前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の放電タイミング制御用トランジスタスイッチと、ここで、前記サンプリングキャパシタと前記2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと前記2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチとが1組として構成された回路を複数組並列接続し、前記並列接続された各組の充電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の続端子、又は、前記並列接続された各組の放電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の端子に、それぞれ直列接続された複数の充放電速度制御用トランジスタスイッチとを具え、該充放電速度制御用トランジスタスイッチは、充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、放電速度制御用トランジスタスイッチによって構成された回路において、第1期間において前記サンプリングキャパシタを所望の電圧に充電するために、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する工程と、第2期間において前記サンプリングキャパシタに蓄えられた電荷を放電するために、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する工程と、前記各組の充放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子にそれぞれ入力される信号を制御する複数の充放電速度制御工程とを具えることによって、スイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法を提供する。   The present invention relates to a switch switching method for a switched capacitor circuit, which is a sampling capacitor for charging and discharging electric charge, two charge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor, and the sampling capacitor. Two discharge timing control transistor switches connected between the two terminals, wherein the sampling capacitor, the two charge timing control transistor switches, and the two charge timing control transistor switches are Plural sets of circuits configured as one set are connected in parallel, and one connection terminal of each of the charge timing control transistor switches connected in parallel, or each set of discharge timing control transistor switches connected in parallel Connect directly to one of the terminals. A plurality of charge / discharge speed control transistor switches connected, wherein the charge / discharge speed control transistor switch is a charge speed control transistor switch or a circuit configured by a discharge speed control transistor switch; Controlling the drive timing of the charge timing control transistor switch to charge the sampling capacitor to a desired voltage in a period, and discharging the charge stored in the sampling capacitor in a second period. A step of controlling the drive timing of the discharge timing control transistor switch; and a plurality of charge / discharge rate control steps of controlling signals input to the input control terminals of the charge / discharge rate control transistor switches of each set. By It provides a switching method of switching-capacitor circuit.

本発明は、スイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法であって、電荷を充放電するサンプリングキャパシタと、前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと、前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の放電タイミング制御用トランジスタスイッチと、ここで、前記サンプリングキャパシタと前記2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと前記2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチとが1組として構成された回路を複数組並列接続し、前記並列接続された各組の充電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の続端子、又は、前記並列接続された各組の放電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の端子に、それぞれ直列接続された複数の充放電速度制御用トランジスタスイッチとを具え、該充放電速度制御用トランジスタスイッチは、充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、放電速度制御用トランジスタスイッチによって構成され、第1期間において前記サンプリングキャパシタを所望の電圧に充電するために、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する工程と、第2期間において前記サンプリングキャパシタに蓄えられた電荷を放電するために、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する工程と、前記各組の充放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子に共通して入力される信号を制御する充放電速度制御工程とを具えることによって、スイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法を提供する。   The present invention relates to a switch switching method for a switched capacitor circuit, which is a sampling capacitor for charging and discharging electric charge, two charge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor, and the sampling capacitor. Two discharge timing control transistor switches connected between the two terminals, wherein the sampling capacitor, the two charge timing control transistor switches, and the two charge timing control transistor switches are Plural sets of circuits configured as one set are connected in parallel, and one connection terminal of each of the charge timing control transistor switches connected in parallel, or each set of discharge timing control transistor switches connected in parallel Connect directly to one of the terminals. A plurality of charge / discharge speed control transistor switches connected to each other, the charge / discharge speed control transistor switch being constituted by a charge speed control transistor switch or a discharge speed control transistor switch; Controlling the drive timing of the charge timing control transistor switch to charge the sampling capacitor to a desired voltage; and discharging the charge stored in the sampling capacitor in a second period. A step of controlling the drive timing of the transistor switch for charge and a charge / discharge rate control step of controlling a signal input in common to the input control terminal of each set of charge / discharge rate control transistor switches, Switched capacitor circuit To provide a switch switching method.

前記充放電速度制御工程は、前記充放電速度制御用トランジスタスイッチが、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチに接続された充電速度制御用トランジスタスイッチとして構成されている場合は、該充電速度制御用トランジスタスイッチを、前記第1期間でオンさせかつ前記第2期間でオフさせると共に、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間を、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチのオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くさせるように、該充電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子の電圧を制御してもよい。   In the charge / discharge rate control step, when the transistor switch for charge / discharge rate control is configured as a transistor switch for charge rate control connected to the transistor switch for charge timing control, the transistor switch for charge rate control Is turned on in the first period and turned off in the second period, and the transition time for changing from the off state to the fully on state is changed from the off state to the fully on state of the charge timing control transistor switch. You may control the voltage of the input control terminal of this transistor switch for charge speed control so that it may become longer than time.

前記充放電速度制御工程は、前記充放電速度制御用トランジスタスイッチが、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチに接続された放電速度制御用トランジスタスイッチとして構成されている場合は、該放電速度制御用トランジスタスイッチを、前記第1期間でオフさせかつ前記第2期間でオンさせると共に、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間を、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチのオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くさせるように、該放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子の電圧を制御してもよい。   In the charge / discharge rate control step, when the transistor switch for charge / discharge rate control is configured as a transistor switch for discharge rate control connected to the transistor switch for discharge timing control, the transistor switch for discharge rate control Is turned off in the first period and turned on in the second period, and the transition time for changing from the OFF state to the fully ON state is changed from the OFF state to the fully ON state of the discharge timing control transistor switch. The voltage at the input control terminal of the discharge speed control transistor switch may be controlled to be longer than the time.

前記充放電速度制御工程は、前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチがオフ状態からオン状態に変化する場合は、抵抗体および容量体を含む回路素子により決定される時定数で変化する信号により、前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御信号端子を制御してもよい。   The charge / discharge speed control step is determined by a circuit element including a resistor and a capacitor when the charge speed control transistor switch or the discharge speed control transistor switch changes from an off state to an on state. The input control signal terminal of the charge rate control transistor switch or the discharge rate control transistor switch may be controlled by a signal that changes with a time constant.

前記充放電速度制御工程は、前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチがオフ状態からオン状態に変化する場合は、電流源素子および容量体を含む回路素子により決定される変化速度を有する信号により、前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御信号端子を制御してもよい。   The charge / discharge speed control step is determined by a circuit element including a current source element and a capacitor when the charge speed control transistor switch or the discharge speed control transistor switch changes from an off state to an on state. An input control signal terminal of the charge rate control transistor switch or the discharge rate control transistor switch may be controlled by a signal having a change rate.

前記充放電速度制御工程は、前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチがオフ状態からオン状態に変化する場合は、
状態変化開始直後より状態変化途中に最も変化速度の速い部分がある信号により、前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御信号端子を制御してもよい。
In the charge / discharge rate control step, when the charge rate control transistor switch or the discharge rate control transistor switch changes from an off state to an on state,
The input control signal terminal of the charge speed control transistor switch or the discharge speed control transistor switch may be controlled by a signal having a portion with the fastest change speed in the middle of the state change immediately after the start of the state change.

本発明では、充放電速度制御用トランジスタスイッチが、充電タイミング制御用トランジスタスイッチに接続された充電速度制御用トランジスタスイッチとして構成されている場合は、該充電速度制御用トランジスタスイッチを、第1期間でオンさせかつ第2期間でオフさせると共に、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間を、充電タイミング制御用トランジスタスイッチのオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くさせるように、該充電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子の電圧を制御し、一方、充放電速度制御用トランジスタスイッチが、放電タイミング制御用トランジスタスイッチに接続された放電速度制御用トランジスタスイッチとして構成されている場合は、該放電速度制御用トランジスタスイッチを、第1期間でオフさせかつ第2期間でオンさせると共に、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間を、放電タイミング制御用トランジスタスイッチのオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くさせるように、該放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子の電圧を制御するようにしたので、サンプリングキャパシタの充電時又は放電時の電荷の移動に伴う電源電圧の変動や不要輻射の発生を良好に低減しつつ、正確なサンプリングを行うことができる。   In the present invention, when the charge / discharge speed control transistor switch is configured as a charge speed control transistor switch connected to the charge timing control transistor switch, the charge speed control transistor switch is turned on in the first period. The charging time is turned on and turned off in the second period, and the transition time for changing from the off state to the fully on state is made longer than the transition time for changing the charge timing control transistor switch from the off state to the fully on state. When the voltage of the input control terminal of the speed control transistor switch is controlled, while the charge / discharge speed control transistor switch is configured as a discharge speed control transistor switch connected to the discharge timing control transistor switch, The discharge speed control transistor switch H is turned off in the first period and turned on in the second period, and the transition time for changing from the off state to the fully on state is changed from the transition time for changing the discharge timing control transistor switch from the off state to the fully on state. Since the voltage at the input control terminal of the transistor switch for controlling the discharge rate is controlled so as to lengthen the voltage, fluctuations in the power supply voltage and generation of unnecessary radiation accompanying the movement of the charge during sampling capacitor charging or discharging. Accurate sampling can be performed while reducing well.

以下、本発明の実施の形態を、実施例を示しながら詳細に説明する。
[第1の例]
本発明の第1の実施の形態を、図1〜図4に基づいて説明する。
<構成>
本発明に係るスイッチトキャパシタ回路は、電荷を充放電するサンプリングキャパシタと、第1期間に該サンプリングキャパシタの両端間を所望の電圧に充電するタイミングを制御する充電タイミング制御用トランジスタスイッチと、第2期間に該サンプリングキャパシタに蓄えられた電荷を放電するタイミングを制御する放電タイミング制御用トランジスタスイッチと、少なくとも、該充電タイミング制御用トランジスタスイッチに直列に接続された充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、該放電タイミング制御用トランジスタスイッチに直列に接続された放電速度制御用トランジスタスイッチの何れかと、入力制御端子電圧制御手段とから構成される。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to examples.
[First example]
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
<Configuration>
The switched capacitor circuit according to the present invention includes a sampling capacitor that charges and discharges charge, a charge timing control transistor switch that controls a timing at which both ends of the sampling capacitor are charged to a desired voltage in the first period, and a second period. A discharge timing control transistor switch for controlling the timing at which the charge stored in the sampling capacitor is discharged, and at least a charge speed control transistor switch connected in series to the charge timing control transistor switch, or the discharge One of the discharge speed control transistor switches connected in series to the timing control transistor switch and input control terminal voltage control means.

ここで、入力制御端子電圧制御手段について説明する。
この入力制御端子電圧制御手段は、充電速度制御用トランジスタスイッチを有してなる場合は、充電速度制御用トランジスタスイッチを第1期間でオンさせると共に第2期間でオフさせ、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間を、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチのオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くさせるように、充電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子電圧を制御してもよい。
Here, the input control terminal voltage control means will be described.
If this input control terminal voltage control means has a transistor switch for charge rate control, it turns on the transistor switch for charge rate control in the first period and turns it off in the second period, and from the off state to the fully on state. The input control terminal voltage of the charging speed control transistor switch may be controlled such that the transition time during which the charging timing control transistor switch changes from the OFF state to the fully ON state is longer than the transition time during which the charging timing control transistor switch changes from the OFF state to the fully ON state.

また、入力制御端子電圧制御手段は、放電速度制御用トランジスタスイッチを有してなる場合は、放電速度制御用トランジスタスイッチを第1期間でオフさせと共に第2期間でオンさせ、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間を、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチのオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くさせるように、放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子電圧を制御してもよい。   If the input control terminal voltage control means has a discharge speed control transistor switch, the input control terminal voltage control means turns off the discharge speed control transistor switch in the first period and turns it on in the second period. The input control terminal voltage of the discharge speed control transistor switch may be controlled such that the transition time for changing to the state is longer than the transition time for changing from the OFF state of the discharge timing control transistor switch to the fully ON state. .

(具体例)
図1は、スイッチトキャパシタ回路の構成例を示す。
本例では、スイッチトキャパシタ回路が、半導体基板上にMOSトランジスタを用いて集積された構成例として示す。
CAP11は、電荷を充放電するサンプリングキャパシタである。
N型MOSトランジスタであるTS10、TS11は、充電タイミング制御用トランジスタスイッチである。
N型MOSトランジスタであるTS12、TS13は、放電タイミング制御用トランジスタスイッチである。
N型MOSトランジスタであるRS14は、充電速度制御用トランジスタスイッチである。
(Concrete example)
FIG. 1 shows a configuration example of a switched capacitor circuit.
In this example, a switched capacitor circuit is shown as a configuration example integrated on a semiconductor substrate using MOS transistors.
The CAP 11 is a sampling capacitor that charges and discharges charges.
N-type MOS transistors TS10 and TS11 are charge timing control transistor switches.
The N-type MOS transistors TS12 and TS13 are discharge timing control transistor switches.
RS14 which is an N-type MOS transistor is a transistor switch for charge speed control.

積分キャパシタCAP12は、オペアンプ13に帰還接続され、またその入力はTS13に接続され、入力信号が2相のノンオーバーラップクロック信号CK1、CK2の周期で積分される積分器となっている。   The integration capacitor CAP12 is connected to the operational amplifier 13 in a feedback manner, and its input is connected to the TS13. The integration capacitor CAP12 is an integrator that integrates the input signal with the period of the two-phase non-overlap clock signals CK1 and CK2.

図2は、入力制御端子電圧制御手段の第1例の回路構成例を示す。
入力制御端子電圧制御手段は、充電速度制御用トランジスタスイッチ又は放電速度制御用トランジスタスイッチがオフ状態からオン状態に変化する場合に、抵抗体および容量体を含む回路素子により決定される時定数で変化する信号により、充電速度制御用トランジスタスイッチ又は放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御信号端子を制御する。
FIG. 2 shows a circuit configuration example of a first example of the input control terminal voltage control means.
The input control terminal voltage control means changes with a time constant determined by a circuit element including a resistor and a capacitor when the charge rate control transistor switch or the discharge rate control transistor switch changes from an off state to an on state. The input control signal terminal of the charge rate control transistor switch or the discharge rate control transistor switch is controlled by the signal to be transmitted.

本回路は、CK1に対して変化速度をゆるやかに遅延させた信号CK1dを発生する回路である。   This circuit is a circuit that generates a signal CK1d with a slow change rate with respect to CK1.

入力CK1は抵抗体R72、容量体CAP71によって作られる時定数に従った電位変化をするCK1dを出力する。   The input CK1 outputs CK1d that changes potential according to a time constant created by the resistor R72 and the capacitor CAP71.

<回路動作>
本回路の動作について説明する。
図3は、図1に示した本回路の動作のタイミングチャートを示す。
RS14は、基本的には、CK1がHの期間でオンし、CK1がLの期間でオフするが、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間はTS10、TS11のオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くされるべく、入力制御端子電圧制御手段14がCK1を受けて信号CK1dを発生し、RS14のゲート端子電圧を制御する。
<Circuit operation>
The operation of this circuit will be described.
FIG. 3 shows a timing chart of the operation of this circuit shown in FIG.
RS14 is basically turned on when CK1 is H and turned off when CK1 is L. The transition time from the off state to the fully on state is changed from the off state of TS10 and TS11 to the fully on state. In order to make the transition time longer than the changing transition time, the input control terminal voltage control means 14 receives CK1 and generates a signal CK1d to control the gate terminal voltage of RS14.

すなわち 基本的には、図17の積分器の動作と同じくCK1がH(すなわちハイレベル)の場合CAP11は入力信号電圧とAGND電圧の間で充電され、CK2がHの場合CAP11に充電されていた電荷がCAP12に転送(すなわち積分)される。   That is, basically, as with the operation of the integrator of FIG. 17, CAP11 is charged between the input signal voltage and the AGND voltage when CK1 is H (ie, high level), and CAP11 is charged when CK2 is H. The charge is transferred (ie integrated) to the CAP 12.

また、図3において、CK1、CK2、CK1dのタイミングおよび入力信号から供給される電流量の様子を示す。   FIG. 3 shows the timing of CK1, CK2, and CK1d and the state of the amount of current supplied from the input signal.

CK1がL(すなわちローレベル)からHに変化しTS10、TS11がオフ状態からオン状態になるときに、CAP11の充電を開始するため、電流が急激に流れようとするが、オフ状態からオン状態への変化開始初期は、RS14のゲート電圧変化がゆるやかなため、強くオンせず入力信号には大きな電流が流れない。
すなわち、急激な電源電圧の変動および不要輻射が発生しないようになる。
When CK1 changes from L (that is, low level) to H and TS10 and TS11 change from the off state to the on state, the CAP11 starts to be charged. Since the gate voltage change of RS14 is gradual at the beginning of the change to, the signal does not turn on strongly and a large current does not flow through the input signal.
That is, sudden fluctuations in the power supply voltage and unnecessary radiation do not occur.

また、スイッチトキャパシタ回路において最もクリティカルなサンプリングの終了時刻(すなわちCK1はHからLに変化する時刻)に、トランジスタスイッチをオフする場合に一つのクロック信号CK1がLからHに変化することのみでオフするタイミングが決定するので、正確なサンプリング動作が可能である。   Further, when the transistor switch is turned off at the most critical sampling end time in the switched capacitor circuit (that is, when CK1 changes from H to L), it is turned off only by changing one clock signal CK1 from L to H. Since the timing to perform is determined, an accurate sampling operation is possible.

図4は、図2に示した入力制御端子電圧制御手段のタイミングチャートを示す。
図4において、時刻t0にCK1がLからHに変化し、それを受けて、ゆるやかに変化するCK1dが発生される。CK1dがゲートに印加されたトランジスタの抵抗値は徐々に高い値から低い値に変化し、電流を徐々に流し始め、やがて電流量は減ってゆきキャパシタへの電荷充電を終了する。
FIG. 4 shows a timing chart of the input control terminal voltage control means shown in FIG.
In FIG. 4, CK1 changes from L to H at time t0, and in response thereto, CK1d that changes gradually is generated. The resistance value of the transistor to which CK1d is applied to the gate gradually changes from a high value to a low value, the current starts to flow gradually, and the amount of current gradually decreases, and the charge charging to the capacitor is finished.

入力信号の端子の電圧変動(およびAGND電圧の変化)は電源/信号源自身の出力インピーダンス、及び配線インピーダンスと流れる電流量によるものであり、電流量と同じ形状となる。   The voltage fluctuation at the terminal of the input signal (and the change in the AGND voltage) depends on the output impedance of the power source / signal source itself, the wiring impedance, and the amount of current flowing, and has the same shape as the amount of current.

すなわち、(従来と比べて)ゆるやかに低いピーク値を有する形状となる。また、不要輻射は電流の変化量〈すなわち微分成分〉に比例して発生するので、こちらも従来と比べて小さなものとなる。   That is, the shape has a gently low peak value (compared to the conventional case). Further, since unnecessary radiation is generated in proportion to the amount of change in current (that is, the differential component), this is also smaller than in the conventional case.

このように充電電速度制御用トランジスタスイッチのゲート電位をゆるやかに変化さすことにより、サンプリングキャパシタを充電し始めるときに入力信号から供給される電流量を少なくし、また、電流量の変化を滑らかにし、電源電圧の変化や不要輻射の発生を押さえることができる。   By gradually changing the gate potential of the charging speed control transistor switch in this way, the amount of current supplied from the input signal when the sampling capacitor starts to be charged is reduced, and the change in the amount of current is smoothed. It is possible to suppress changes in power supply voltage and generation of unnecessary radiation.

(電圧変動/不要輻射)
次に、本回路により、電圧変動および不要輻射を低減できる作用効果について説明する。
(1)本回路の電流量は、何に基づいて変わるか、について説明する。
電流量は、ゲート電圧を制御して電流量を調節しているトランジスタのゲート電圧と最も関連する。N型MOSの場合、ゲート電圧が低いと抵抗値が高く、ゲート電圧が高いと抵抗値が低いという定性的特性がる。ただし、抵抗値の値自体はトランジスタのソース/ドレイン電圧にも関連するので ゲート電圧だけでは一意に決まらない。また、この抵抗値と電流量は反比例の関係にある。
(Voltage fluctuation / unnecessary radiation)
Next, the effect of reducing voltage fluctuation and unnecessary radiation by this circuit will be described.
(1) A description will be given of what changes the current amount of the circuit.
The amount of current is most related to the gate voltage of the transistor that controls the gate voltage to adjust the amount of current. In the case of an N-type MOS, the resistance value is high when the gate voltage is low, and the resistance value is low when the gate voltage is high. However, since the resistance value itself is related to the source / drain voltage of the transistor, it is not uniquely determined only by the gate voltage. Further, the resistance value and the amount of current are in an inversely proportional relationship.

つまり、ゲート電圧が低い時には抵抗値が高く電流量が少ない。ゲート電圧が高い時には抵抗値が低く電流量が多い、となる。   That is, when the gate voltage is low, the resistance value is high and the amount of current is small. When the gate voltage is high, the resistance value is low and the amount of current is large.

従来技術で説明した図17の回路に対応した図18のタイミングチャートでは、CK1(=ゲート電圧)が急激に立ち上がり、トランジスタの抵抗値が一瞬にして低くなり、大きな電流が瞬時に流れる。   In the timing chart of FIG. 18 corresponding to the circuit of FIG. 17 described in the prior art, CK1 (= gate voltage) rises rapidly, the resistance value of the transistor decreases instantaneously, and a large current flows instantaneously.

これにより、大電流(高いピーク値)のため大きな電圧変動と、急峻な電流変化のため大きな不要輻射を発生する。   As a result, a large voltage fluctuation due to a large current (high peak value) and a large unnecessary radiation due to a steep current change are generated.

これに対して、図1の本発明の回路に対応した図3のタイミングチャート3では、CK1(=ゲート電圧)がゆるやかに立ち上がり、トランジスタの抵抗値がゆるやかに高い値から低い値に変化し、抵抗値が高いあいだに相当量の電荷を流し終えてしまうので、小さ目の電流を長い時間かけて流すことになる。   On the other hand, in the timing chart 3 of FIG. 3 corresponding to the circuit of the present invention of FIG. 1, CK1 (= gate voltage) rises slowly, and the resistance value of the transistor gradually changes from a high value to a low value. Since a considerable amount of charge has been passed while the resistance value is high, a small current is passed over a long period of time.

これにより、小電流(低いピーク値)のため小さな電源電圧変動にすることと、ゆるやかな電流変化で小さな不要輻射の発生にすることができる。   As a result, a small power supply voltage fluctuation due to a small current (low peak value) and a small unnecessary radiation can be generated due to a gradual current change.

(2)電源(およびグランド)電圧変動/信号源の電圧変動について説明する。
サンプリングキャンパシタのチャージ/ディスチャージ時に流れる電流により、電源(およびグランド)の出力インピーダンス(入力端子が電源に接続されている場合)または信号源の出力インピーダンス(入力端子が信号源に接続されている場合)、および配線インピーダンスに起因して電源電圧変動が発生する。本発明では、電圧変動は電流量に比例するので、各時刻の電流量〈あるいは電流量のピーク値〉を小さくすることによって、電圧変動を低減させることができる。
(2) Power supply (and ground) voltage fluctuation / signal source voltage fluctuation will be described.
Depending on the current that flows when the sampling capacitor is charged / discharged, the output impedance of the power supply (and ground) (when the input terminal is connected to the power supply) or the output impedance of the signal source (when the input terminal is connected to the signal source) ) And power supply voltage fluctuations due to wiring impedance. In the present invention, the voltage fluctuation is proportional to the amount of current. Therefore, the voltage fluctuation can be reduced by reducing the current amount at each time (or the peak value of the current amount).

(3)電源(およびグランド)電圧変動/信号源の不要輻射について説明する。
不要輻射(電磁誘導ノイズ)は、電流量変化に比例して、大きな不要輻射量が発生する。電流量変化を小さくする、すなわち電流変化勾配を小さくすることによって、不要輻射の発生を低減させることができる。
(3) The power source (and ground) voltage fluctuation / unwanted radiation of the signal source will be described.
Unwanted radiation (electromagnetic induction noise) generates a large amount of unnecessary radiation in proportion to the change in the amount of current. By reducing the current amount change, that is, by reducing the current change gradient, it is possible to reduce the occurrence of unnecessary radiation.

(他の構成例)
なお、上述したような本例では、説明の簡単化のために、充電タイミング制御用トランジスタスイッチのうちサンプリングキャパシタの片側のスイッチ(TS11)にのみ直列に充電速度制御用トランジスタスイッチを接続させたが、反対側のスイッチ(TS10)にも同様の充電速度制御用トランジスタスイッチを接続させることができる。さらに、放電タイミング制御用トランジスタスイッチ(TS12またはTS13)にも同様の放電速度制御用トランジスタスイッチを接続させることができる。
(Other configuration examples)
In this example as described above, the charging speed control transistor switch is connected in series only to the switch (TS11) on one side of the sampling capacitor among the charging timing control transistor switches for simplification of description. A similar charging speed control transistor switch can be connected to the opposite switch (TS10). Further, a similar discharge speed control transistor switch can be connected to the discharge timing control transistor switch (TS12 or TS13).

また、本例のように第1期間と第2期間を指示し、充電タイミング制御用トランジスタスイッチ又は放電タイミング制御用トランジスタスイッチを制御するクロック信号(本例ではCK1、CK2)を受けて、充電速度制御用トランジスタスイッチまたは放電速度制御用トランジスタスイッチを制御する信号(本例では、CK1d)を発生することが信号の発生順序(特にオ、フするタイミングでの順序)や発生の容易さの観点から望ましい。   Further, as in this example, the first period and the second period are instructed, and the charging speed is received by receiving clock signals (CK1, CK2 in this example) for controlling the charge timing control transistor switch or the discharge timing control transistor switch. From the viewpoint of signal generation order (especially the order at the timing of turning on and off) and the ease of generation, it is necessary to generate a signal (CK1d in this example) for controlling the control transistor switch or the discharge speed control transistor switch. desirable.

また、スイッチはMOSトランジスタやバイポーラトランジスタ等の信号経路をオン、オフさせる機能をもつ素子であればよい。   The switch may be an element having a function of turning on and off a signal path such as a MOS transistor or a bipolar transistor.

また、サンプリングキャパシタはポリシリコン層、金属層、拡散層等の半導体基盤上に形成できる任意の素材を用いて、2つの絶縁された面間に形成されるものであってよい。   The sampling capacitor may be formed between two insulated surfaces using any material that can be formed on a semiconductor substrate such as a polysilicon layer, a metal layer, or a diffusion layer.

また、本例で用いている言葉「オフ状態」とは、スイッチの制御端子(MOSトランジスタの場合はゲート端子)の電圧が閾値電圧以下であるため信号を遮断している状態(N型MOSトランジスタの場合はゲート電圧が閾値電圧以下になっているためソースとドレイン間が非導通状態である状態)のことを意図し、「完全オン状態」とはスイッチの制御端子(MOSトランジスタの場合はゲート端子)の電圧が通常動作中の最も高い定常電圧になっているため信号を強く導通している状態(N型MOSトランジスタの場合はゲート電圧が回路の正電源電圧になっているためソースとドレイン間が強い導通状態である状態)であることを意図する。   Further, the term “off state” used in this example is a state in which the signal is cut off because the voltage of the control terminal of the switch (the gate terminal in the case of a MOS transistor) is lower than the threshold voltage (N-type MOS transistor). In this case, the gate voltage is lower than the threshold voltage, which means that the source and drain are in a non-conducting state). “Completely on” means the control terminal of the switch (in the case of a MOS transistor, the gate The voltage of the terminal is the highest steady voltage during normal operation, so that the signal is strongly conducting (in the case of an N-type MOS transistor, the gate voltage is the positive power supply voltage of the circuit, so the source and drain) It is intended to be a state of strong conduction between the two).

ただし、P型MOSのように閾値電圧が負の数値で、ゲートにより負の電圧を与えると強くオンするような素子の場合は、「オフ状態」とは、スイッチの制御端子の電圧が閾値電圧以上であるため信号を遮断している状態のことを意図し、「完全オン状態」とはスイッチの制御端子の電圧が通常動作中の最も低い定常電圧になっているため信号を強く導通している状態であることを意図する。   However, in the case of an element such as a P-type MOS that has a negative threshold voltage and is strongly turned on when a negative voltage is applied by the gate, the “off state” means that the voltage at the control terminal of the switch is the threshold voltage. Therefore, it is intended that the signal is cut off, and “fully on” means that the voltage at the control terminal of the switch is the lowest steady-state voltage during normal operation, so the signal is strongly conducted. Intended to be in a state.

また、本例では、入力端子電圧制御手段14として、入力端子電圧制御手段14をハード的な回路として構成する例を示したが、プログラム等の制御に基づいて入力端子電圧を変化させるソフト的に構成することも可能である。   In this example, the input terminal voltage control unit 14 is configured as a hardware circuit as the input terminal voltage control unit 14. However, the input terminal voltage control unit 14 is configured to change the input terminal voltage based on control of a program or the like. It is also possible to configure.

例えば、本回路は、CK1信号をトリガー入力として、ゆるやかに変化する信号CK1dを発生するわけであるから、CK1dの形状をソフト的に時間と共に変化する形状を演算しながら発生させたり、メモリに記憶された情報を取り出し、DA変換器を用いて「電圧信号」を順次発生させて出力することによって制御することが可能である。   For example, this circuit uses the CK1 signal as a trigger input to generate a slowly changing signal CK1d, so that the shape of CK1d can be generated while calculating the shape that changes with time in terms of software, or stored in memory. It is possible to control by taking out the obtained information and sequentially generating and outputting a “voltage signal” using a DA converter.

[第2の例]
本発明の第2の実施の形態を、図5〜図6に基づいて説明する。
図5は、入力制御端子電圧制御手段の第2例の回路構成例を示す。
入力制御端子電圧制御手段は、充電速度制御用トランジスタスイッチまたは放電速度制御用トランジスタスイッチがオフ状態からオン状態に変化する場合に、電流源素子および容量体を含む回路素子により決定される変化速度を有する信号により、充電速度制御用トランジスタスイッチまたは放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御信号端子を制御する。
[Second example]
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 5 shows a circuit configuration example of a second example of the input control terminal voltage control means.
The input control terminal voltage control means has a change speed determined by a circuit element including a current source element and a capacitor when a charge speed control transistor switch or a discharge speed control transistor switch changes from an off state to an on state. The input control signal terminal of the transistor switch for charge rate control or the transistor switch for discharge rate control is controlled by the signal it has.

本回路は、CK1に対して変化速度が一定であるゆるやかに変化する信号CK1dを発生する回路である。   This circuit is a circuit that generates a slowly changing signal CK1d whose rate of change is constant with respect to CK1.

入力CK1はインバータINV82とTR85、TR82で作られるインバータで2回反転され同相のCK1dを出力するが、CKd1はHからLに変化する時は電流81をTR81とTR80で電流ミラーされた電流で電流制限されながら、またCKd1がLからHに変化する時は電流82をTR84とTR83で電流ミラーされた電流で電流制限されながらCK1dに付加された容量あるいは寄生する容量CAP81をチャージし電圧変化してゆく。   Input CK1 is inverted twice by an inverter formed by inverters INV82, TR85, and TR82 and outputs CK1d having the same phase. When CKd1 changes from H to L, current 81 is current mirrored by TR81 and TR80. When CKd1 changes from L to H while being limited, the current 82 is limited by the current mirrored by TR84 and TR83, and the capacitance added to CK1d or the parasitic capacitance CAP81 is charged to change the voltage. go.

図6は、図5に示した入力制御端子電圧制御手段のタイミングチャートを示す。
図6において、時刻t0にCK1がLからHに変化し、それを受けて、ゆるやかに変化するCK1dが発生される。CK1dがゲートに印加されたトランジスタの抵抗値は徐々に高い値から低い値に変化し、電流を徐々に流し始め、やがて電流量は減ってゆきキャパシタへの電荷充電を終了する。
6 shows a timing chart of the input control terminal voltage control means shown in FIG.
In FIG. 6, CK1 changes from L to H at time t0, and in response thereto, CK1d that changes gradually is generated. The resistance value of the transistor to which CK1d is applied to the gate gradually changes from a high value to a low value, the current starts to flow gradually, and the amount of current gradually decreases, and the charge charging to the capacitor is finished.

入力信号の端子の電圧変動(およびAGND電圧の変化)は電源/信号源自身の出力インピーダンス、及び配線インピーダンスと流れる電流量によるものであり、電流量と同じ形状となる。   The voltage fluctuation at the terminal of the input signal (and the change in the AGND voltage) depends on the output impedance of the power source / signal source itself, the wiring impedance, and the amount of current flowing, and has the same shape as the amount of current.

すなわち、(従来と比べて)ゆるやかに低いピーク値を有する形状となる。また、不要輻射は電流の変化量〈すなわち微分成分〉に比例して発生するので、こちらも従来と比べて小さなものとなる。   That is, the shape has a gently low peak value (compared to the conventional case). Further, since unnecessary radiation is generated in proportion to the amount of change in current (that is, the differential component), this is also smaller than in the conventional case.

電流源素子TR80およびTR83と容量体CAP81により決定される変化速度を有する信号CKd1により、充電速度制御用トランジスタスイッチのゲート電位をゆるやかに変化さすことにより、入力信号から供給される電流量を少なくし、また電流量の変化を滑らかにし、電源電圧の変化や不要輻射の発生を押さえている。   The amount of current supplied from the input signal is reduced by gently changing the gate potential of the charging speed control transistor switch by the signal CKd1 having the changing speed determined by the current source elements TR80 and TR83 and the capacitor CAP81. In addition, the change in the amount of current is smoothed, and the change in the power supply voltage and the generation of unnecessary radiation are suppressed.

この場合、図2の第1の回路例に比べ、入力信号から電流が流入し始める時刻での充電速度制御用トランジスタスイッチのゲート電圧変化を同程度のゆるやかさを保ちつつ、Hレベル近傍でのHレベルへの漸近速度が早いため、低インピーダンスでサンプリングキャパシタをより長い時間充電でき、セトリングエラーをより少なくすることができる。   In this case, as compared with the first circuit example of FIG. 2, the change in the gate voltage of the transistor switch for charging speed control at the time when the current starts to flow from the input signal is maintained in the vicinity of the H level while maintaining the same degree of gentleness. Since the asymptotic speed to the H level is fast, the sampling capacitor can be charged for a longer time with low impedance, and settling errors can be reduced.

[第3の例]
本発明の第3の実施の形態を、図7〜図8に基づいて説明する。
図7は、入力制御端子電圧制御手段の第3例の回路構成例を示す。
入力制御端子電圧制御手段は、充電速度制御用トランジスタスイッチ又は放電速度制御用トランジスタスイッチがオフ状態からオン状態に変化する場合に、状態変化開始直後より状態変化途中に最も変化速度の速い部分がある信号により、充電速度制御用トランジスタスイッチ又は放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御信号端子を制御する。
[Third example]
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 7 shows a circuit configuration example of a third example of the input control terminal voltage control means.
The input control terminal voltage control means has a portion with the fastest change speed in the middle of the state change immediately after the start of the state change when the charge speed control transistor switch or the discharge speed control transistor switch changes from the OFF state to the ON state. The input control signal terminal of the charge rate control transistor switch or the discharge rate control transistor switch is controlled by the signal.

本回路は、CK1に対して変化速度がゆるやかに変化する信号CK1dを発生する回路である。   This circuit is a circuit that generates a signal CK1d whose change rate changes gradually with respect to CK1.

入力CK1はインバータINV92とTR95、TR92で作られるインバータで2回反転され同相のCK1dを出力するが、CKd1がHからLに変化する時は電流91をTR91とTR90で電流ミラーされた電流で電流制限されながら、またCKd1がLからHに変化する時は電流92をTR94とTR93で電流ミラーされた電流で電流制限されながら、またCKd1がLからHに変化する時にはCK1dが電圧変化中にTR96をオンし、そこで発生される電流がTR97、TR98により電流ミラーされCK1dをH方向に引き上げる電流として加算され、CK1dに付加された容量あるいは寄生する容量CAP91をチャージし電圧変化してゆく。   Input CK1 is inverted twice by an inverter formed by inverters INV92, TR95, and TR92 and outputs CK1d having the same phase. However, when CKd1 changes from H to L, current 91 is current mirrored by TR91 and TR90. While being limited, and when CKd1 changes from L to H, the current 92 is limited by the current mirrored by TR94 and TR93, and when CKd1 changes from L to H, TR96 The current generated there is mirrored by TR97 and TR98 and added as a current for pulling up CK1d in the H direction, and the capacitance added to CK1d or the parasitic capacitance CAP91 is charged to change the voltage.

図8は、図7に示した入力制御端子電圧制御手段のタイミングチャートを示す。
図8において、時刻t0直後のCK1dの変化が特にゆるやかになるように調整されており、そのためさらに少なめな電流を電流発生初期に長時間流し、大半の電荷を流しきるため 電流ピークをより低く押さえる。
また、電流量の変化もより小さくされており、より小さな不要輻射発生となる。
FIG. 8 shows a timing chart of the input control terminal voltage control means shown in FIG.
In FIG. 8, the change of CK1d immediately after time t0 is adjusted so as to be particularly gradual, so that a smaller amount of current flows for a long time in the initial stage of current generation, and most of the charge flows, so that the current peak is kept lower. .
Also, the change in the amount of current is made smaller, resulting in smaller unnecessary radiation.

電流源素子TR90又はTR93と容量体CAP91により決定される変化速度を有する信号CKd1により、充電速度制御用トランジスタスイッチのゲート電位をゆるやかに変化さすことにより、入力信号から供給される電流量を少なくし、また電流量の変化を滑らかにし、電源電圧の変化や不要輻射の発生を押さえている。   The amount of current supplied from the input signal is reduced by gently changing the gate potential of the charging speed control transistor switch by the signal CKd1 having the changing speed determined by the current source element TR90 or TR93 and the capacitor CAP91. In addition, the change in the amount of current is smoothed, and the change in the power supply voltage and the generation of unnecessary radiation are suppressed.

本回路の場合、図2の第1の回路又は図5の第2の回路に比べ、入力信号から電流が流入し始める時刻での充電速度制御用トランジスタスイッチのゲート電圧変化を同程度のゆるやかさに保ちつつ、Hレベル近傍でのHレベルへの漸近速度がより早いため、低インピーダンスでサンプリングキャパシタをさらに長い時間充電でき、セトリングエラーをさらに少なくできる。   In the case of this circuit, as compared with the first circuit in FIG. 2 or the second circuit in FIG. 5, the change in gate voltage of the charging speed control transistor switch at the time when the current starts to flow from the input signal has the same degree of gentleness. Since the asymptotic speed to the H level in the vicinity of the H level is faster, the sampling capacitor can be charged with a low impedance for a longer time, and the settling error can be further reduced.

[第4の例]
本発明の第4の実施の形態を、図9に基づいて説明する。
<構成>
本発明に係るスイッチトキャパシタ回路は、電荷を充放電する複数のサンプリングキャパシタと、第1期間に該複数のサンプリングキャパシタの両端間を所望の電圧に充電するタイミングを制御する複数の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと、
第2期間に該複数のサンプリングキャパシタに蓄えられた電荷を放電するタイミングを制御する複数の放電タイミング制御用トランジスタスイッチと、少なくとも該複数の充電タイミング制御用トランジスタスイッチの方端の一部または全部は共通の端子となっており、該共通の端子と前記所望の電圧を与える端子との間に接続される充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、該複数の放電タイミング制御用トランジスタスイッチの方端の一部または全部は共通の端子となっており 該共通の端子と電荷を放電さすために接続される電圧を与える端子の間に接続される放電速度制御用トランジスタスイッチの何れかと、入力制御端子電圧制御手段とから構成される。
[Fourth example]
A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
<Configuration>
The switched capacitor circuit according to the present invention includes a plurality of sampling capacitors for charging and discharging electric charge, and a plurality of charge timing control transistors for controlling the timing at which both ends of the plurality of sampling capacitors are charged to a desired voltage in the first period. A switch,
A plurality of discharge timing control transistor switches for controlling the timing of discharging charges stored in the plurality of sampling capacitors in the second period, and at least a part or all of the ends of the plurality of charge timing control transistor switches A charge speed control transistor switch connected between the common terminal and the terminal for applying the desired voltage, or one end of the plurality of discharge timing control transistor switches. A part or all of them are common terminals, and either a discharge speed control transistor switch connected between the common terminal and a terminal for supplying a voltage connected to discharge electric charge, and an input control terminal voltage control Means.

ここで、入力制御端子電圧制御手段について説明する。
この入力制御端子電圧制御手段は、充電速度制御用トランジスタスイッチを有する場合は、充電速度制御用トランジスタスイッチを第1期間でオンさせると共に第2期間でオフさせ、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間を、充電タイミング制御用トランジスタスイッチのオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くさせるように、充電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子電圧を制御してもよい。
Here, the input control terminal voltage control means will be described.
If this input control terminal voltage control means has a charging speed control transistor switch, the charging speed control transistor switch is turned on in the first period and turned off in the second period, and changes from the off state to the fully on state. The input control terminal voltage of the charging speed control transistor switch may be controlled such that the transition time is longer than the transition time during which the charging timing control transistor switch changes from the OFF state to the fully ON state.

また、入力制御端子電圧制御手段は、複数の放電速度制御用トランジスタスイッチを有する場合は、放電速度制御用トランジスタスイッチを第1期間でオフさせると共に、第2期間でオンさせ、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間を前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチのオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くさせるように、放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子電圧を制御してもよい。   Further, when the input control terminal voltage control means has a plurality of discharge speed control transistor switches, the input control terminal voltage control means turns off the discharge speed control transistor switch in the first period and turns it on in the second period. The input control terminal voltage of the discharge speed control transistor switch may be controlled so that the transition time for changing to the state is longer than the transition time for changing from the OFF state of the discharge timing control transistor switch to the fully ON state.

(具体例)
図9は、スイッチトキャパシタ回路の構成例を示す。
本例では、スイッチトキャパシタ回路が、半導体基板上にMOSトランジスタを用いて集積された構成例として示す。
(Concrete example)
FIG. 9 shows a configuration example of the switched capacitor circuit.
In this example, a switched capacitor circuit is shown as a configuration example integrated on a semiconductor substrate using MOS transistors.

CAP31、CAP34は、電荷を充放電するサンプリングキャパシタである。
N型MOSトランジスタであるTS30、TS31、TS35、TS36は、充電タイミング制御用トランジスタスイッチである。
N型MOSトランジスタであるTS32、TS33、TS37、TS38は、放電タイミング制御用トランジスタスイッチである。
N型MOSトランジスタであるRS34は、充電速度制御用トランジスタスイッチである。
CAP31 and CAP34 are sampling capacitors that charge and discharge charges.
The N-type MOS transistors TS30, TS31, TS35, and TS36 are charge timing control transistor switches.
N-type MOS transistors TS32, TS33, TS37, and TS38 are discharge timing control transistor switches.
RS34 which is an N-type MOS transistor is a transistor switch for charge speed control.

積分キャパシタCAP32は、オペアンプ33に帰還接続され、また、その入力はTS33、TS38に接続され、入力信号が2相のノンオーバーラップクロック信号CK1、CK2の周期で積分される積分器となっている。   The integration capacitor CAP32 is connected to the operational amplifier 33 in a feedback manner, and its input is connected to TS33 and TS38. The integration capacitor CAP32 is an integrator that integrates the input signal with the period of the two-phase non-overlap clock signals CK1 and CK2. .

<回路動作>
本回路の動作について説明する。
本回路の動作は、前述した図1の回路の図3の動作のタイミングチャートと同じである。
<Circuit operation>
The operation of this circuit will be described.
The operation of this circuit is the same as the timing chart of the operation of FIG. 3 of the circuit of FIG.

RS34は、基本的には、CK1がHの期間でオンし、CK1がLの期間でオフするが、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間はTS30、TS31、TS35、TS36のオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くされるべく、入力制御端子電圧制御手段34がCK1を受けて信号CK1dを発生しRS34のゲート端子電圧を制御している。   RS34 is basically turned on when CK1 is H and turned off when CK1 is L, but the transition time from the off state to the fully on state is from the off state of TS30, TS31, TS35, and TS36. The input control terminal voltage control means 34 receives CK1 and generates a signal CK1d to control the gate terminal voltage of RS34 so as to be longer than the transition time for changing to the fully on state.

すなわち 基本的には図17の積分器の動作と同じく、CK1がH(すなわちハイレベル)の場合CAP31、CAP34は入力信号電圧とAGND電圧の間で充電され、CK2がHの場合CAP31、CAP34に充電されていた電荷がCAP32に転送(すなわち積分)される。   That is, basically as in the operation of the integrator of FIG. 17, when CK1 is H (ie, high level), CAP31 and CAP34 are charged between the input signal voltage and the AGND voltage, and when CK2 is H, CAP31 and CAP34 are charged. The charged electric charge is transferred (that is, integrated) to the CAP 32.

CK1、CK2、CK1dのタイミングおよび入力信号から供給される電流量の様子は、図1の回路に対応した図3のタイミングチャートと同様である。   The timing of CK1, CK2, and CK1d and the state of the amount of current supplied from the input signal are the same as in the timing chart of FIG. 3 corresponding to the circuit of FIG.

これによると、CK1がL(すなわちローレベル)からHに変化し、TS30、TS31、TS35、TS36がオフ状態からオン状態になる時に、CAP31、CAP34の充電を開始するため、電流が急激に流れようとするが、オフ状態からオン状態への変化開始初期はRS34のゲート電圧変化がゆるやかなため、強くオンせず入力信号には大きな電流が流れない。
すなわち、急激な電源電圧の変動および不要輻射が発生しないようになる。
According to this, when CK1 changes from L (ie, low level) to H and TS30, TS31, TS35, and TS36 change from the off state to the on state, charging of CAP31 and CAP34 starts, so that current flows rapidly. However, since the gate voltage change of RS34 is gentle at the beginning of the change start from the OFF state to the ON state, it does not turn on strongly and a large current does not flow in the input signal.
That is, sudden fluctuations in the power supply voltage and unnecessary radiation do not occur.

その他、正確なサンプリング動作が可能である理由、充電タイミング制御用トランジスタスイッチの配置、放電タイミング制御用トランジスタスイッチの配置、サンプリングキャパシタの素材、入力制御端子電圧制御手段等の構成は、前述した第1の例〜第3の例の説明に準じて容易に理解可能である。   In addition, the reason why an accurate sampling operation is possible, the arrangement of the charge timing control transistor switch, the arrangement of the discharge timing control transistor switch, the material of the sampling capacitor, the input control terminal voltage control means, etc. are described in the first embodiment. It can be easily understood according to the explanations of the examples to the third example.

[第5の例]
本発明の第5の実施の形態を、図10に基づいて説明する。
<構成>
本発明に係るスイッチトキャパシタ回路は、電荷を充放電する複数のサンプリングキャパシタと、第1期間に該複数のサンプリングキャパシタの両端間を所望の電圧に充電するタイミングを制御する複数の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと、
第2期間に該複数のサンプリングキャパシタに蓄えられた電荷を放電するタイミングを制御する複数の放電タイミング制御用トランジスタスイッチと、少なくとも、該複数の充電タイミング制御用トランジスタスイッチの一部または全部各々に直列に接続される充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、該複数の放電タイミング制御用トランジスタスイッチの一部または全部各々に直列に接続される放電速度制御用トランジスタスイッチの何れかと、入力制御端子電圧制御手段とから構成される。
[Fifth Example]
A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
<Configuration>
The switched capacitor circuit according to the present invention includes a plurality of sampling capacitors for charging and discharging electric charge, and a plurality of charge timing control transistors for controlling the timing at which both ends of the plurality of sampling capacitors are charged to a desired voltage in the first period. A switch,
A plurality of discharge timing control transistor switches for controlling the timing of discharging charges stored in the plurality of sampling capacitors in the second period, and at least a part or all of the plurality of charge timing control transistor switches in series A charge rate control transistor switch connected to a plurality of discharge timing control transistor switches connected in series to a part or all of the plurality of discharge timing control transistor switches, and input control terminal voltage control means It consists of.

ここで、入力制御端子電圧制御手段について説明する。
この入力制御端子電圧制御手段は、充電速度制御用トランジスタスイッチを有する場合は、充電速度制御用トランジスタスイッチを第1期間でオンさせると共に、第2期間でオフさせ、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間を、充電タイミング制御用トランジスタスイッチのオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くさせるように、充電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子電圧を制御してもよい。
Here, the input control terminal voltage control means will be described.
If this input control terminal voltage control means has a transistor switch for charge rate control, it turns on the transistor switch for charge rate control in the first period and turns it off in the second period, and changes from the off state to the fully on state. The input control terminal voltage of the charging speed control transistor switch may be controlled such that the transition time for the charging timing control transistor switch is longer than the transition time for changing from the OFF state to the fully ON state.

また、入力制御端子電圧制御手段は、複数の放電速度制御用トランジスタスイッチを有する場合は、放電速度制御用トランジスタスイッチを第1期間でオフさせると共に、第2期間でオンさせ、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間を前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチのオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くさせるように、放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子電圧を制御してもよい。   Further, when the input control terminal voltage control means has a plurality of discharge speed control transistor switches, the input control terminal voltage control means turns off the discharge speed control transistor switch in the first period and turns it on in the second period. The input control terminal voltage of the discharge speed control transistor switch may be controlled so that the transition time for changing to the state is longer than the transition time for changing from the OFF state of the discharge timing control transistor switch to the fully ON state.

(具体例)
図10は、スイッチトキャパシタ回路の構成例を示す。
本例では、スイッチトキャパシタ回路が、半導体基板上にMOSトランジスタを用いて集積された構成例として示す。
CAP41、CAP44は、電荷を充放電するサンプリングキャパシタである。
N型MOSトランジスタであるTS40、TS41、TS45、TS46は、充電タイミング制御用トランジスタスイッチである。
N型MOSトランジスタであるTS42、TS43、TS47、TS48は、放電タイミング制御用トランジスタスイッチである。
N型MOSトランジスタであるRS44、RS49は、充電速度制御用トランジスタスイッチである。
(Concrete example)
FIG. 10 shows a configuration example of the switched capacitor circuit.
In this example, a switched capacitor circuit is shown as a configuration example integrated on a semiconductor substrate using MOS transistors.
CAP41 and CAP44 are sampling capacitors that charge and discharge charges.
N-type MOS transistors TS40, TS41, TS45, and TS46 are charge timing control transistor switches.
N-type MOS transistors TS42, TS43, TS47, and TS48 are discharge timing control transistor switches.
The N-type MOS transistors RS44 and RS49 are charging speed control transistor switches.

積分キャパシタCAP42は。オペアンプ43に帰還接続され、また、その入力はTS43、TS48に接続され、入力信号が2相のノンオーバーラップクロック信号CK1、CK2の周期で積分される積分器となっている。   Integration capacitor CAP42. It is connected to the operational amplifier 43 in a feedback manner, and its input is connected to TS43 and TS48. The input signal is an integrator that integrates with the period of the two-phase non-overlap clock signals CK1 and CK2.

<回路動作>
本回路の動作について説明する。
本回路の動作は、前述した図1の回路の図3の動作のタイミングチャートと同じである。
<Circuit operation>
The operation of this circuit will be described.
The operation of this circuit is the same as the timing chart of the operation of FIG. 3 of the circuit of FIG.

RS44、RS49は、基本的にはCK1がHの期間でオンし、CK1がLの期間でオフするが、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間はTS40、TS41、TS45、TS46のオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くされるべく、入力制御端子電圧制御手段44および入力制御端子電圧制御手段45がCK1を受けて信号CK1dを発生しそれぞれがRS44、RS49のゲート端子電圧を制御している。   RS44 and RS49 are basically turned on when CK1 is H and turned off when CK1 is L, but the transition time from the off state to the fully on state is the off state of TS40, TS41, TS45 and TS46. Input control terminal voltage control means 44 and input control terminal voltage control means 45 receive CK1 to generate a signal CK1d so that the gate terminal voltages of RS44 and RS49 are respectively set to be longer than the transition time for changing from the fully on state to the I have control.

すなわち 基本的には、図17の積分器の動作と同じくCK1がH(すなわちハイレベル)の場合CAP41、CAP44は入力信号電圧とAGND電圧の間で充電され、CK2がHの場合CAP41、CAP44に充電されていた電荷がCAP42に転送(すなわち積分)される。   That is, basically, as in the operation of the integrator of FIG. 17, when CK1 is H (ie, high level), CAP41 and CAP44 are charged between the input signal voltage and the AGND voltage, and when CK2 is H, CAP41 and CAP44 are charged. The charged charge is transferred (that is, integrated) to the CAP 42.

CK1、CK2、CK1dのタイミングおよび入力信号から供給される電流量の様子は、図1の回路に対応した図3のタイミングチャートと同様である。   The timing of CK1, CK2, and CK1d and the state of the amount of current supplied from the input signal are the same as in the timing chart of FIG. 3 corresponding to the circuit of FIG.

これによると、CK1がL(すなわちローレベル)からHに変化し、TS40、TS41、TS45、TS46がオフ状態からオン状態になるときに、CAP41、CAP44の充電を開始するため、電流が急激に流れようとするが、オフ状態からオン状態への変化開始初期は、RS44、TS49のゲート電圧変化がゆるやかなため、強くオンせず、入力信号には大きな電流が流れない。
すなわち、急激な電源電圧の変動および不要輻射が発生しないようになる。
According to this, when CK1 changes from L (ie, low level) to H and TS40, TS41, TS45, and TS46 change from the off state to the on state, the charging of CAP41 and CAP44 starts, so the current suddenly increases. At the beginning of the change from the OFF state to the ON state, the gate voltage change of RS44 and TS49 is gentle, so that it does not turn on strongly and a large current does not flow in the input signal.
That is, sudden fluctuations in the power supply voltage and unnecessary radiation do not occur.

その他、正確なサンプリング動作が可能である理由、充電タイミング制御用トランジスタスイッチの配置、放電タイミング制御用トランジスタスイッチの配置、サンプリングキャパシタの素材、入力制御端子電圧制御手段等の構成は、前述した第1の例〜第3の例の説明に準じて容易に理解可能である。   In addition, the reason why an accurate sampling operation is possible, the arrangement of the charge timing control transistor switch, the arrangement of the discharge timing control transistor switch, the material of the sampling capacitor, the input control terminal voltage control means, etc. are described in the first embodiment. It can be easily understood according to the explanations of the examples to the third example.

[第6の例]
本発明の第6の実施の形態を、図11に基づいて説明する。
<構成>
本回路は、前述した第5の例の図10に示したスイッチトキャパシタ回路において、複数の充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、複数の放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子の一部又は全部が共通の端子となって構成した場合の例である。
[Sixth example]
A sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
<Configuration>
In the switched capacitor circuit shown in FIG. 10 of the fifth example described above, this circuit has a part or all of the input control terminals of a plurality of charge rate control transistor switches or a plurality of discharge rate control transistor switches. It is an example in the case of being configured as a common terminal.

(具体例)
図11は、スイッチトキャパシタ回路の構成例を示す。
本例では、スイッチトキャパシタ回路が、半導体基板上にMOSトランジスタを用いて集積された構成例として示す。
CAP51、CAP54は、電荷を充放電するサンプリングキャパシタである。
N型MOSトランジスタであるTS50、TS51、TS55、TS56は、充電タイミング制御用トランジスタスイッチである。
N型MOSトランジスタであるTS52、TS53、TS57、TS58は、放電タイミング制御用トランジスタスイッチである。
N型MOSトランジスタであるRS54、RS59は、充電速度制御用トランジスタスイッチである。
(Concrete example)
FIG. 11 shows a configuration example of a switched capacitor circuit.
In this example, a switched capacitor circuit is shown as a configuration example integrated on a semiconductor substrate using MOS transistors.
CAP51 and CAP54 are sampling capacitors that charge and discharge charges.
N-type MOS transistors TS50, TS51, TS55, and TS56 are charge timing control transistor switches.
N-type MOS transistors TS52, TS53, TS57, and TS58 are discharge timing control transistor switches.
The N-type MOS transistors RS54 and RS59 are charging speed control transistor switches.

積分キャパシタCAP52はオペアンプ53に帰還接続され、また、その入力はTS53、TS58に接続され、入力信号が2相のノンオーバーラップクロック信号CK1、CK2の周期で積分される積分器となっている。   The integration capacitor CAP52 is connected to the operational amplifier 53 in a feedback manner, and its input is connected to TS53 and TS58. The integration capacitor CAP52 is an integrator that integrates the input signal with the period of the two-phase non-overlap clock signals CK1 and CK2.

<回路動作>
本回路の動作について説明する。
本回路の動作は、前述した図1の回路の図3の動作のタイミングチャートと同じである。
<Circuit operation>
The operation of this circuit will be described.
The operation of this circuit is the same as the timing chart of the operation of FIG. 3 of the circuit of FIG.

RS54、RS59は基本的にはCK1がHの期間でオンし、CK1がLの期間でオフするが、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間はTS50、TS51、TS55、TS56のオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くされるべく、入力制御端子電圧制御手段54がCK1を受けて信号CK1dを発生しRS54、RS59の両方のゲート端子電圧を制御している。   RS54 and RS59 are basically turned on when CK1 is H and turned off when CK1 is L. The transition time from the off state to the fully on state is from the off state of TS50, TS51, TS55, and TS56. The input control terminal voltage control means 54 receives CK1 and generates a signal CK1d to control the gate terminal voltages of both RS54 and RS59 so as to be longer than the transition time for changing to the fully on state.

すなわち 基本的には、図17の積分器の動作と同じく、CK1がH(すなわちハイレベル)の場合CAP51、CAP54は入力信号電圧とAGND電圧の間で充電され、CK2がHの場合CAP51、CAP54に充電されていた電荷がCAP52に転送(すなわち積分)される。   That is, basically, similarly to the operation of the integrator of FIG. 17, when CK1 is H (that is, high level), CAP51 and CAP54 are charged between the input signal voltage and the AGND voltage, and when CK2 is H, CAP51 and CAP54 are charged. The charge that has been charged is transferred (that is, integrated) to the CAP 52.

CK1、CK2、CK1dのタイミングおよび入力信号から供給される電流量の様子は、図1の回路に対応した図3のタイミングチャートと同様である。   The timing of CK1, CK2, and CK1d and the state of the amount of current supplied from the input signal are the same as in the timing chart of FIG. 3 corresponding to the circuit of FIG.

これによると、CK1がL(すなわちローレベル)からHに変化し、TS50、TS51、TS55、TS56がオフ状態からオン状態になるときに、CAP51、CAP54の充電を開始するため、電流が急激に流れようとするが、オフ状態からオン状態への変化開始初期は、RS54、TS59のゲート電圧変化がゆるやかなため、強くオンせず入力信号には大きな電流が流れない。
すなわち、急激な電源電圧の変動および不要輻射が発生しないようになる。
According to this, when CK1 changes from L (that is, low level) to H and TS50, TS51, TS55, and TS56 change from the OFF state to the ON state, the charging of CAP51 and CAP54 starts, so the current suddenly increases. At the beginning of the change from the OFF state to the ON state, the gate voltage change of RS54 and TS59 is gentle, so that it does not turn on strongly and no large current flows through the input signal.
That is, sudden fluctuations in the power supply voltage and unnecessary radiation do not occur.

本例では、前述した第5の例に比べて、少ない数の入力制御端子電圧制御手段によって回路構成を実現できる。   In this example, the circuit configuration can be realized by a smaller number of input control terminal voltage control means than in the fifth example described above.

その他、正確なサンプリング動作が可能である理由、充電タイミング制御用トランジスタスイッチの配置、放電タイミング制御用トランジスタスイッチの配置、サンプリングキャパシタの素材、入力制御端子電圧制御手段等の構成は、前述した第1の例〜第3の例の説明に準じて容易に理解可能である。   In addition, the reason why an accurate sampling operation is possible, the arrangement of the charge timing control transistor switch, the arrangement of the discharge timing control transistor switch, the material of the sampling capacitor, the input control terminal voltage control means, etc. are described in the first embodiment. It can be easily understood according to the explanations of the examples to the third example.

[第7の例]
本発明の第7の実施の形態を、図12〜図13に基づいて説明する。
<構成>
本回路は、前述した第1の例の図1に示したスイッチトキャパシタ回路における入力制御端子電圧制御手段を含む接続構成の変形例を示す。
[Seventh example]
A seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
<Configuration>
This circuit shows a modification of the connection configuration including the input control terminal voltage control means in the switched capacitor circuit shown in FIG. 1 of the first example described above.

図12は、スイッチトキャパシタ回路の構成例を示す。
本例では、スイッチトキャパシタ回路が、半導体基板上にMOSトランジスタを用いて集積された構成例として示す。
FIG. 12 shows a configuration example of a switched capacitor circuit.
In this example, a switched capacitor circuit is shown as a configuration example integrated on a semiconductor substrate using MOS transistors.

CAP61は、電荷を充放電するサンプリングキャパシタである。
N型MOSトランジスタであるTS60、TS64およびP型MOSトランジスタであるTS61は、充電タイミング制御用トランジスタスイッチである。
N型MOSトランジスタであるTS62、TS63は、放電タイミング制御用トランジスタスイッチである。
N型MOSトランジスタであるRS65、およびP型MOSトランジスタであるRS66は、充電速度制御用トランジスタスイッチである。
The CAP 61 is a sampling capacitor that charges and discharges charges.
TS60 and TS64 which are N-type MOS transistors and TS61 which is a P-type MOS transistor are charge timing control transistor switches.
The N-type MOS transistors TS62 and TS63 are discharge timing control transistor switches.
RS65 which is an N-type MOS transistor and RS66 which is a P-type MOS transistor are charge speed control transistor switches.

積分キャパシタCAP62は、オペアンプ63に帰還接続され、また、その入力はTS63に接続され、RS66の入力は正電源電圧であるVDDに接続され、RS65の入力は負電源電圧であるVSSに接続される。   The integration capacitor CAP62 is connected in feedback to the operational amplifier 63, and its input is connected to TS63, the input of RS66 is connected to VDD which is a positive power supply voltage, and the input of RS65 is connected to VSS which is a negative power supply voltage. .

<回路動作>
本回路の動作について説明する。
図13は、図12に示した本回路の動作のタイミングチャートを示す。
入力信号BIT0がHの場合は、CAP61はVDDとAGND間の電圧で充電される。入力信号BIT0がLの場合は、CAP61はVSSとAGND間の電圧で充電される。
<Circuit operation>
The operation of this circuit will be described.
FIG. 13 shows a timing chart of the operation of this circuit shown in FIG.
When the input signal BIT0 is H, the CAP 61 is charged with a voltage between VDD and AGND. When the input signal BIT0 is L, the CAP 61 is charged with a voltage between VSS and AGND.

入力信号は、2相のノンオーバーラップクロック信号CK1、CK2およびCK1の反転であるCK1Bの周期で入力信号BIT0の値に従って積分される積分器となっている。   The input signal is an integrator that is integrated according to the value of the input signal BIT0 in a cycle of CK1B that is an inversion of the two-phase non-overlap clock signals CK1, CK2, and CK1.

RS66は、基本的には、CK1BがLの期間でオンし、CK1BがHの期間でオフするが、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間はTS60、TS61のオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くされるべく、入力制御端子電圧制御手段64が、CK1Bを受けて信号CK1Bdを発生し、RS66のゲート端子電圧を制御している。   RS66 is basically turned on when CK1B is L and turned off when CK1B is H, but the transition time from the off state to the fully on state is changed from the off state of TS60 and TS61 to the fully on state. The input control terminal voltage control means 64 receives CK1B, generates a signal CK1Bd, and controls the gate terminal voltage of RS66 so as to be longer than the changing transition time.

RS65は、基本的には、CK1がHの期間でオンし、CK1がLの期間でオフするが、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間はTS60、TS64のオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くされるべく、入力制御端子電圧制御手段65が、CK1を受けて信号CK1dを発生し、RS65のゲート端子電圧を制御している。   RS65 is basically turned on when CK1 is H and turned off when CK1 is L, but the transition time from the off state to the fully on state is changed from the off state of TS60 and TS64 to the fully on state. In order to make the transition time longer than the changing transition time, the input control terminal voltage control means 65 receives CK1 and generates a signal CK1d to control the gate terminal voltage of RS65.

すなわち 基本的には、図17の積分器の動作と類似してCK1がH(すなわちハイレベル)の場合CAP61はVDDあるいはVSSとAGND電圧の間で充電され、CK2がHの場合CAP61に充電されていた電荷がCAP62に転送(すなわち積分)される。   That is, basically, similar to the operation of the integrator of FIG. 17, when CK1 is H (ie, high level), CAP61 is charged between VDD or VSS and AGND voltage, and when CK2 is H, CAP61 is charged. The stored charge is transferred (that is, integrated) to the CAP 62.

CK1、CK2、CK1B、CK1d、CK1BdのタイミングおよびVDD、VSSから供給される電流量の様子が、図13に示されている。   FIG. 13 shows the timing of CK1, CK2, CK1B, CK1d, and CK1Bd and the state of the amount of current supplied from VDD and VSS.

これによると、CK1がL(すなわちローレベル)からHに変化、またはCK1BがHからLに変化しTS60、TS61(またはTS64)がオフ状態からオン状態になるときに、CAP61の充電を開始するため、電流が急激に流れようとするが、オフ状態からオン状態への変化開始初期は、RS65(またRS66)のゲート電圧変化がゆるやかなため、強くオンせず入力信号には大きな電流が流れない。
すなわち、急激な電源電圧の変動および不要輻射が発生しないようになる。
According to this, when CK1 changes from L (ie, low level) to H, or CK1B changes from H to L and TS60, TS61 (or TS64) changes from the off state to the on state, CAP61 starts charging. Therefore, the current tends to flow rapidly, but at the beginning of the change from the OFF state to the ON state, the gate voltage change of RS65 (or RS66) is gentle, so that the input signal does not turn on strongly and a large current flows. Absent.
That is, sudden fluctuations in the power supply voltage and unnecessary radiation do not occur.

また、本例ではサンプリングされる電圧をVDD、VSSとしたが、これは1例であって、いかなる電圧であってもかまわない。   In this example, the sampled voltages are VDD and VSS, but this is only an example, and any voltage may be used.

また、本例は、例えばデジタルデルタシグマDAコンバータ等のデジタル信号をアナログ信号に変換するDA変換器として利用することが可能である。   In addition, this example can be used as a DA converter that converts a digital signal such as a digital delta-sigma DA converter into an analog signal.

その他、正確なサンプリング動作が可能である理由、充電タイミング制御用トランジスタスイッチの配置、放電タイミング制御用トランジスタスイッチの配置、サンプリングキャパシタの素材、入力制御端子電圧制御手段等の構成は、前述した第1の例〜第3の例の説明に準じて容易に理解可能である。   In addition, the reason why an accurate sampling operation is possible, the arrangement of the charge timing control transistor switch, the arrangement of the discharge timing control transistor switch, the material of the sampling capacitor, the input control terminal voltage control means, and the like are as described above. It can be easily understood according to the explanations of the examples to the third example.

[第8の例]
本発明の第8の実施の形態を、図14に基づいて説明する。
<構成>
本回路は、前述した第6の例の図11に示したスイッチトキャパシタ回路における入力制御端子電圧制御手段を含む接続構成の変形例を示す。
図14は、スイッチトキャパシタ回路の構成例を示す。
[Eighth Example]
An eighth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
<Configuration>
This circuit shows a modification of the connection configuration including the input control terminal voltage control means in the switched capacitor circuit shown in FIG. 11 of the sixth example.
FIG. 14 shows a configuration example of a switched capacitor circuit.

本例では、スイッチトキャパシタ回路が、半導体基板上にMOSトランジスタを用いて集積された構成例として示す。   In this example, a switched capacitor circuit is shown as a configuration example integrated on a semiconductor substrate using MOS transistors.

CAP101、CAP104は、電荷を充放電するサンプリングキャパシタである。
N型MOSトランジスタであるTS100、TS104、TS107、TS111およびP型MOSトランジスタであるTS101、TS108は、充電タイミング制御用トランジスタスイッチである。
N型MOSトランジスタであるTS102、TS103、TS109、TS110は、放電タイミング制御用トランジスタスイッチである。
N型MOSトランジスタであるRS105、RS112およびP型MOSトランジスタであるRS106、RS113は、充電速度制御用トランジスタスイッチである。
CAP101 and CAP104 are sampling capacitors that charge and discharge charges.
N-type MOS transistors TS100, TS104, TS107, TS111 and P-type MOS transistors TS101, TS108 are charge timing control transistor switches.
N-type MOS transistors TS102, TS103, TS109, and TS110 are discharge timing control transistor switches.
RS105 and RS112 which are N-type MOS transistors and RS106 and RS113 which are P-type MOS transistors are charge speed control transistor switches.

積分キャパシタCAP102は、オペアンプ103に帰還接続され、また、その入力はTS103、TS110に接続されている。   The integration capacitor CAP102 is feedback-connected to the operational amplifier 103, and its input is connected to TS103 and TS110.

RS106、TS113の入力は正電源電圧であるVDDに接続され、RS105、RS112の入力は負電源電圧であるVSSに接続されている。   The inputs of RS106 and TS113 are connected to VDD which is a positive power supply voltage, and the inputs of RS105 and RS112 are connected to VSS which is a negative power supply voltage.

<回路動作>
本回路の動作について説明する。
本回路の動作は、前述した図12の回路の図13の動作のタイミングチャートと同じである。
<Circuit operation>
The operation of this circuit will be described.
The operation of this circuit is the same as the timing chart of the operation of FIG. 13 of the circuit of FIG.

入力信号BIT1、BIT0がHの場合は、それぞれCAP101、CAP104はVDDとAGND間の電圧で充電される。   When the input signals BIT1 and BIT0 are H, CAP101 and CAP104 are charged with a voltage between VDD and AGND, respectively.

入力信号BIT1、BIT0がLの場合は、それぞれCAP101、CAP104はVSSとAGND間の電圧で充電される。   When the input signals BIT1 and BIT0 are L, CAP101 and CAP104 are charged with a voltage between VSS and AGND, respectively.

入力信号は、2相のノンオーバーラップクロック信号CK1、CK2およびCK1の反転であるCK1Bの周期で、入力信号BIT1、BIT0の値に従って積分される積分器となっている。   The input signal is an integrator that is integrated according to the values of the input signals BIT1 and BIT0 in a cycle of CK1B that is an inversion of the two-phase non-overlap clock signals CK1, CK2, and CK1.

RS106、RS113は、基本的には、CK1BがLの期間でオンし、CK1BがHの期間でオフするが、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間はTS100、TS101、TS107、TS108のオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くされるべく、入力制御端子電圧制御手段104がCK1Bを受けて信号CK1Bdを発生しRS106およびRS113のゲート端子電圧を共通に制御している。   RS106 and RS113 are basically turned on when CK1B is L and turned off when CK1B is H, but the transition time from the off state to the fully on state is off of TS100, TS101, TS107, and TS108. The input control terminal voltage control means 104 receives CK1B and generates a signal CK1Bd to control the gate terminal voltages of RS106 and RS113 in common so as to be longer than the transition time for changing from the state to the fully on state.

また、RS105、RS112は、基本的には、CK1がHの期間でオンし、CK1がLの期間でオフするが、オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間はTS100、TS104、TS107、TS111のオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くされるべく、入力制御端子電圧制御手段105がCK1を受けて信号CK1dを発生しRS105、TS112のゲート端子電圧を共通に制御している。   In addition, RS105 and RS112 are basically turned on when CK1 is H and turned off when CK1 is L, but the transition times for changing from the off state to the fully on state are TS100, TS104, TS107, and TS111. The input control terminal voltage control means 105 receives CK1 and generates a signal CK1d to control the gate terminal voltages of RS105 and TS112 in common so that the transition time from the OFF state to the fully ON state is longer.

すなわち 基本的には、図17の積分器の動作と類似してCK1がH(すなわちハイレベル)の場合CAP101、CAP104はVDDあるいはVSSとAGND電圧の間で充電され、CK2がHの場合CA101、CAP104に充電されていた電荷がCAP102に転送(すなわち積分)される。   That is, basically, similar to the operation of the integrator of FIG. 17, when CK1 is H (ie, high level), CAP101 and CAP104 are charged between VDD or VSS and AGND voltage, and when CK2 is H, CA101, The electric charge charged in the CAP 104 is transferred (that is, integrated) to the CAP 102.

CK1、CK2、CK1B、CK1d、CK1BdのタイミングおよびVDD、VSSから供給される電流量の様子が、図14のタイミングチャートに示されている。図14には、入力信号BIT1が書かれていないが、BIT0の動作と同様である。   The timing chart of FIG. 14 shows the timing of CK1, CK2, CK1B, CK1d, and CK1Bd and the state of the amount of current supplied from VDD and VSS. Although the input signal BIT1 is not written in FIG. 14, it is the same as the operation of BIT0.

これによると、CK1がL(すなわちローレベル)からHに変化、またはCK1BがHからLに変化し、TS100、TS101(またはTS104)、TS107、TS108(またはTS111)がオフ状態からオン状態になるときに、CAP101の充電を開始するため、電流が急激に流れようとするが、オフ状態からオン状態への変化開始初期は、RS105(またRS106)、RS112(またはRS113)のゲート電圧変化がゆるやかなため、強くオンせず入力信号には大きな電流が流れない。
すなわち、急激な電源電圧の変動および不要輻射が発生しないようになる。
According to this, CK1 changes from L (ie, low level) to H, or CK1B changes from H to L, and TS100, TS101 (or TS104), TS107, TS108 (or TS111) changes from the off state to the on state. Sometimes, the CAP101 starts to be charged, so that the current tends to flow rapidly, but at the beginning of the change from the OFF state to the ON state, the change in the gate voltage of the RS105 (or RS106) or RS112 (or RS113) is gradual. Therefore, it does not turn on strongly and a large current does not flow in the input signal.
That is, sudden fluctuations in the power supply voltage and unnecessary radiation do not occur.

また、本例では、サンプリングされる電圧をVDD、VSSとしたが、これは1例であっていかなる電圧であってもかまわない。   In this example, the sampled voltages are VDD and VSS. However, this is an example and any voltage may be used.

また、本例は、例えばデジタルデルタシグマDAコンバータ等でマルチビットのデジタル信号をアナログ信号に変換するDA変換器として利用することが可能である。   In addition, this example can be used as a DA converter that converts a multi-bit digital signal into an analog signal by a digital delta-sigma DA converter, for example.

その他、正確なサンプリング動作が可能である理由、充電タイミング制御用トランジスタスイッチの配置、放電タイミング制御用トランジスタスイッチの配置、サンプリングキャパシタの素材、入力制御端子電圧制御手段等の構成は、前述した第1の例〜第3の例の説明に準じて容易に理解可能である。   In addition, the reason why an accurate sampling operation is possible, the arrangement of the charge timing control transistor switch, the arrangement of the discharge timing control transistor switch, the material of the sampling capacitor, the input control terminal voltage control means, and the like are as described above. It can be easily understood according to the explanations of the examples to the third example.

本発明の第1の実施の形態である、スイッチトキャパシタ回路の構成例を示す回路図である。1 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a switched capacitor circuit according to a first embodiment of the present invention. FIG. 入力制御端子電圧制御手段の第1例の回路構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structural example of the 1st example of an input control terminal voltage control means. 図1に示すスイッチトキャパシタ回路の動作を示すタイミングチャートである。2 is a timing chart showing an operation of the switched capacitor circuit shown in FIG. 1. 入力制御端子電圧制御手段のタイミングチャートである。It is a timing chart of an input control terminal voltage control means. 本発明の第2の実施の形態である、入力制御端子電圧制御手段の第2例の回路構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structural example of the 2nd example of the input control terminal voltage control means which is the 2nd Embodiment of this invention. 図5に示す入力制御端子電圧制御手段のタイミングチャートである。It is a timing chart of the input control terminal voltage control means shown in FIG. 本発明の第3の実施の形態である、入力制御端子電圧制御手段の第3例の回路構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structural example of the 3rd example of the input control terminal voltage control means which is the 3rd Embodiment of this invention. 図7に示す入力制御端子電圧制御手段のタイミングチャートである。It is a timing chart of the input control terminal voltage control means shown in FIG. 本発明の第4の実施の形態である、スイッチトキャパシタ回路の構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structural example of the switched capacitor circuit which is the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5の実施の形態である、スイッチトキャパシタ回路の構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structural example of the switched capacitor circuit which is the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第6の実施の形態である、スイッチトキャパシタ回路の構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structural example of the switched capacitor circuit which is the 6th Embodiment of this invention. 本発明の第7の実施の形態である、スイッチトキャパシタ回路の構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structural example of the switched capacitor circuit which is the 7th Embodiment of this invention. 図12に示すスイッチトキャパシタ回路の動作を示すタイミングチャートである。13 is a timing chart showing an operation of the switched capacitor circuit shown in FIG. 本発明の第8の実施の形態である、スイッチトキャパシタ回路の構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structural example of the switched capacitor circuit which is the 8th Embodiment of this invention. 従来のスイッチトキャパシタ回路の構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structural example of the conventional switched capacitor circuit. 図15に示すスイッチトキャパシタ回路の動作を示すタイミングチャートである。16 is a timing chart showing an operation of the switched capacitor circuit shown in FIG. 従来のスイッチトキャパシタ回路の構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structural example of the conventional switched capacitor circuit. 図17に示すスイッチトキャパシタ回路の動作を示すタイミングチャートである。18 is a timing chart showing an operation of the switched capacitor circuit shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

14 入力制御端子電圧制御手段
34 入力制御端子電圧制御手段
44 入力制御端子電圧制御手段
54 入力制御端子電圧制御手段
64 入力制御端子電圧制御手段
104,105 入力制御端子電圧制御手段
14 Input control terminal voltage control means 34 Input control terminal voltage control means 44 Input control terminal voltage control means 54 Input control terminal voltage control means 64 Input control terminal voltage control means 104, 105 Input control terminal voltage control means

Claims (18)

電荷を充放電するサンプリングキャパシタと、
前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと、
前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の放電タイミング制御用トランジスタスイッチと、
第1期間において前記サンプリングキャパシタを所望の電圧に充電するために、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する手段と、
第2期間において前記サンプリングキャパシタに蓄えられた電荷を放電するために、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する手段と、
前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の端子、又は、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の端子に、直列接続された充放電速度制御用トランジスタスイッチと、
ここで、該充放電速度制御用トランジスタスイッチは、充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、放電速度制御用トランジスタスイッチによって構成され、
前記充放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子に接続され、該入力制御端子に入力される信号を制御する充放電速度制御手段と
を具えたことを特徴とするスイッチトキャパシタ回路。
A sampling capacitor for charging and discharging electric charge;
Two charge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor;
Two discharge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor;
Means for controlling the drive timing of the charge timing control transistor switch to charge the sampling capacitor to a desired voltage in the first period;
Means for controlling the drive timing of the discharge timing control transistor switch to discharge the charge stored in the sampling capacitor in the second period;
A charge / discharge rate control transistor switch connected in series to one terminal of the charge timing control transistor switch or one terminal of the discharge timing control transistor switch;
Here, the charge / discharge speed control transistor switch is constituted by a charge speed control transistor switch or a discharge speed control transistor switch,
A switched capacitor circuit comprising charge / discharge rate control means connected to an input control terminal of the charge / discharge rate control transistor switch for controlling a signal input to the input control terminal.
電荷を充放電するサンプリングキャパシタと、
前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと、
前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の放電タイミング制御用トランジスタスイッチと、
ここで、前記サンプリングキャパシタと2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチとが1組として構成された回路を複数組並列接続し、
第1期間において前記サンプリングキャパシタを所望の電圧に充電するために、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する手段と、
第2期間において前記サンプリングキャパシタに蓄えられた電荷を放電するために、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する手段と、
前記並列接続された充電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の共通接続端子、又は、前記並列接続された放電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の共通接続端子に、直列接続された充放電速度制御用トランジスタスイッチと、
ここで、該充放電速度制御用トランジスタスイッチは、充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、放電速度制御用トランジスタスイッチによって構成され、
前記充放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子に接続され、該入力制御端子に入力される信号を制御する充放電速度制御手段と
を具えたことを特徴とするスイッチトキャパシタ回路。
A sampling capacitor for charging and discharging electric charge;
Two charge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor;
Two discharge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor;
Here, a plurality of sets of circuits in which the sampling capacitor, the two charge timing control transistor switches, and the two charge timing control transistor switches are configured as one set are connected in parallel,
Means for controlling the drive timing of the charge timing control transistor switch to charge the sampling capacitor to a desired voltage in the first period;
Means for controlling the drive timing of the discharge timing control transistor switch to discharge the charge stored in the sampling capacitor in the second period;
Charge / discharge speed control transistor switch connected in series to one common connection terminal of the charge timing control transistor switch connected in parallel or one common connection terminal of the discharge timing control transistor switch connected in parallel When,
Here, the charge / discharge speed control transistor switch is constituted by a charge speed control transistor switch or a discharge speed control transistor switch,
A switched capacitor circuit comprising charge / discharge rate control means connected to an input control terminal of the charge / discharge rate control transistor switch for controlling a signal input to the input control terminal.
電荷を充放電するサンプリングキャパシタと、
前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと、
前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の放電タイミング制御用トランジスタスイッチと、
ここで、前記サンプリングキャパシタと前記2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと前記2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチとが1組として構成された回路を複数組並列接続し、
第1期間において前記サンプリングキャパシタを所望の電圧に充電するために、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する手段と、
第2期間において前記サンプリングキャパシタに蓄えられた電荷を放電するために、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する手段と、
前記並列接続された各組の充電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の続端子、又は、前記並列接続された各組の放電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の端子に、それぞれ直列接続された複数の充放電速度制御用トランジスタスイッチと、
ここで、該充放電速度制御用トランジスタスイッチは、充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、放電速度制御用トランジスタスイッチによって構成され、
前記各組の充放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子にそれぞれ接続され、該各入力制御端子に入力される信号を制御する複数の充放電速度制御手段と
を具えたことを特徴とするスイッチトキャパシタ回路。
A sampling capacitor for charging and discharging electric charge;
Two charge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor;
Two discharge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor;
Here, a plurality of sets of circuits in which the sampling capacitor, the two charge timing control transistor switches, and the two charge timing control transistor switches are configured as one set are connected in parallel,
Means for controlling the drive timing of the charge timing control transistor switch to charge the sampling capacitor to a desired voltage in the first period;
Means for controlling the drive timing of the discharge timing control transistor switch to discharge the charge stored in the sampling capacitor in the second period;
A plurality of charging terminals connected in series to one connecting terminal of each pair of charging timing control transistor switches connected in parallel, or to one terminal of each pair of discharging timing control transistor switches connected in parallel, respectively. A transistor switch for controlling the discharge rate;
Here, the charge / discharge speed control transistor switch is constituted by a charge speed control transistor switch or a discharge speed control transistor switch,
Switched capacity comprising a plurality of charge / discharge speed control means connected to the input control terminals of the charge / discharge speed control transistor switches of the respective groups and controlling signals input to the input control terminals. Circuit.
電荷を充放電するサンプリングキャパシタと、
前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと、
前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の放電タイミング制御用トランジスタスイッチと、
ここで、前記サンプリングキャパシタと前記2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと前記2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチとが1組として構成された回路を複数組並列接続し、
第1期間において前記サンプリングキャパシタを所望の電圧に充電するために、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する手段と、
第2期間において前記サンプリングキャパシタに蓄えられた電荷を放電するために、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する手段と、
前記並列接続された各組の充電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の続端子、又は、前記並列接続された各組の放電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の端子に、それぞれ直列接続された複数の充放電速度制御用トランジスタスイッチと、
ここで、該充放電速度制御用トランジスタスイッチは、充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、放電速度制御用トランジスタスイッチによって構成され、
前記各組の充放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子に共通して接続され、該各入力制御端子に入力される信号を制御する充放電速度制御手段と
を具えたことを特徴とするスイッチトキャパシタ回路。
A sampling capacitor for charging and discharging electric charge;
Two charge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor;
Two discharge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor;
Here, a plurality of sets of circuits in which the sampling capacitor, the two charge timing control transistor switches, and the two charge timing control transistor switches are configured as one set are connected in parallel,
Means for controlling the drive timing of the charge timing control transistor switch to charge the sampling capacitor to a desired voltage in the first period;
Means for controlling the drive timing of the discharge timing control transistor switch to discharge the charge stored in the sampling capacitor in the second period;
A plurality of charging terminals connected in series to one connecting terminal of each pair of charging timing control transistor switches connected in parallel, or to one terminal of each pair of discharging timing control transistor switches connected in parallel, respectively. A transistor switch for controlling the discharge rate;
Here, the charge / discharge speed control transistor switch is constituted by a charge speed control transistor switch or a discharge speed control transistor switch,
Switched capacity comprising charge / discharge speed control means connected in common to the input control terminals of the charge / discharge speed control transistor switches of each set and controlling signals input to the input control terminals. Circuit.
前記充放電速度制御手段は、
前記充放電速度制御用トランジスタスイッチが、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチに接続された充電速度制御用トランジスタスイッチとして構成されている場合は、
該充電速度制御用トランジスタスイッチを、前記第1期間でオンさせかつ前記第2期間でオフさせると共に、
オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間を、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチのオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くさせるように、該充電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子の電圧を制御することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のスイッチトキャパシタ回路。
The charge / discharge rate control means includes:
When the charge / discharge speed control transistor switch is configured as a charge speed control transistor switch connected to the charge timing control transistor switch,
The charging speed control transistor switch is turned on in the first period and turned off in the second period,
The transition time for changing from the off state to the fully on state is made longer than the transition time for changing from the off state to the fully on state of the charge timing control transistor switch. 5. The switched capacitor circuit according to claim 1, wherein the voltage is controlled.
前記充放電速度制御手段は、
前記充放電速度制御用トランジスタスイッチが、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチに接続された放電速度制御用トランジスタスイッチとして構成されている場合は、
該放電速度制御用トランジスタスイッチを、前記第1期間でオフさせかつ前記第2期間でオンさせると共に、
オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間を、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチのオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くさせるように、該放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子の電圧を制御することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のスイッチトキャパシタ回路。
The charge / discharge rate control means includes:
When the charge / discharge speed control transistor switch is configured as a discharge speed control transistor switch connected to the discharge timing control transistor switch,
The discharge speed control transistor switch is turned off in the first period and turned on in the second period,
The transition time for changing from the off state to the fully on state is longer than the transition time for changing from the off state to the fully on state of the discharge timing control transistor switch. 5. The switched capacitor circuit according to claim 1, wherein the voltage is controlled.
前記充放電速度制御手段は、
前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチがオフ状態からオン状態に変化する場合は、
抵抗体および容量体を含む回路素子により決定される時定数で変化する信号により、前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御信号端子を制御することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のスイッチトキャパシタ回路。
The charge / discharge rate control means includes:
When the charge speed control transistor switch or the discharge speed control transistor switch changes from an off state to an on state,
The charge control transistor switch or the input control signal terminal of the discharge speed control transistor switch is controlled by a signal that changes with a time constant determined by a circuit element including a resistor and a capacitor. The switched capacitor circuit according to claim 1.
前記充放電速度制御手段は、
前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチがオフ状態からオン状態に変化する場合は、
電流源素子および容量体を含む回路素子により決定される変化速度を有する信号により、前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御信号端子を制御することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のスイッチトキャパシタ回路。
The charge / discharge rate control means includes:
When the charge speed control transistor switch or the discharge speed control transistor switch changes from an off state to an on state,
A charge speed control transistor switch or an input control signal terminal of the discharge speed control transistor switch is controlled by a signal having a change speed determined by a circuit element including a current source element and a capacitor. The switched capacitor circuit according to claim 1.
前記充放電速度制御手段は、
前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチがオフ状態からオン状態に変化する場合は、
状態変化開始直後より状態変化途中に最も変化速度の速い部分がある信号により、前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御信号端子を制御することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のスイッチトキャパシタ回路。
The charge / discharge rate control means includes:
When the charge speed control transistor switch or the discharge speed control transistor switch changes from an off state to an on state,
The input control signal terminal of the charge speed control transistor switch or the discharge speed control transistor switch is controlled by a signal having a part having the fastest change speed in the middle of the state change immediately after the start of the state change. The switched capacitor circuit according to claim 1.
スイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法であって、
電荷を充放電するサンプリングキャパシタと、
前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと、
前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の放電タイミング制御用トランジスタスイッチと、
前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の端子、又は、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の端子に、直列接続された充放電速度制御用トランジスタスイッチと
を具え、該充放電速度制御用トランジスタスイッチは、充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、放電速度制御用トランジスタスイッチによって構成された回路において、
第1期間において前記サンプリングキャパシタを所望の電圧に充電するために、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する工程と、
第2期間において前記サンプリングキャパシタに蓄えられた電荷を放電するために、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する工程と、
前記充放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子に入力される信号を制御する充放電速度制御工程と
を具えたことを特徴とするスイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法。
A switch switching method of a switched capacitor circuit,
A sampling capacitor for charging and discharging electric charge;
Two charge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor;
Two discharge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor;
A charge / discharge speed control transistor switch connected in series to one terminal of the charge timing control transistor switch or one terminal of the discharge timing control transistor switch, the charge / discharge speed control transistor switch Is a circuit configured by a transistor switch for charge rate control or a transistor switch for discharge rate control,
Controlling the drive timing of the charge timing control transistor switch in order to charge the sampling capacitor to a desired voltage in the first period;
Controlling the drive timing of the discharge timing control transistor switch to discharge the charge stored in the sampling capacitor in a second period;
A switch switching method for a switched capacitor circuit, comprising: a charge / discharge rate control step of controlling a signal input to an input control terminal of the charge / discharge rate control transistor switch.
スイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法であって、
電荷を充放電するサンプリングキャパシタと、
前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと、
前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の放電タイミング制御用トランジスタスイッチと、
ここで、前記サンプリングキャパシタと2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチとが1組として構成された回路を複数組並列接続し、
前記並列接続された充電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の共通接続端子、又は、前記並列接続された放電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の共通接続端子に、直列接続された充放電速度制御用トランジスタスイッチと
を具え、該充放電速度制御用トランジスタスイッチは、充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、放電速度制御用トランジスタスイッチによって構成された回路において、
第1期間において前記サンプリングキャパシタを所望の電圧に充電するために、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する工程と、
第2期間において前記サンプリングキャパシタに蓄えられた電荷を放電するために、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する工程と、
前記充放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子に入力される信号を制御する充放電速度制御工程と
を具えたことを特徴とするスイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法。
A switch switching method of a switched capacitor circuit,
A sampling capacitor for charging and discharging electric charge;
Two charge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor;
Two discharge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor;
Here, a plurality of sets of circuits in which the sampling capacitor, the two charge timing control transistor switches, and the two charge timing control transistor switches are configured as one set are connected in parallel,
Charge / discharge speed control transistor switch connected in series to one common connection terminal of the charge timing control transistor switch connected in parallel or one common connection terminal of the discharge timing control transistor switch connected in parallel The charge / discharge speed control transistor switch is a charge speed control transistor switch or a discharge speed control transistor switch.
Controlling the drive timing of the charge timing control transistor switch in order to charge the sampling capacitor to a desired voltage in the first period;
Controlling the drive timing of the discharge timing control transistor switch to discharge the charge stored in the sampling capacitor in a second period;
A switch switching method for a switched capacitor circuit, comprising: a charge / discharge rate control step of controlling a signal input to an input control terminal of the charge / discharge rate control transistor switch.
スイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法であって、
電荷を充放電するサンプリングキャパシタと、
前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと、
前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の放電タイミング制御用トランジスタスイッチと、
ここで、前記サンプリングキャパシタと前記2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと前記2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチとが1組として構成された回路を複数組並列接続し、
前記並列接続された各組の充電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の続端子、又は、前記並列接続された各組の放電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の端子に、それぞれ直列接続された複数の充放電速度制御用トランジスタスイッチと
を具え、該充放電速度制御用トランジスタスイッチは、充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、放電速度制御用トランジスタスイッチによって構成された回路において、
第1期間において前記サンプリングキャパシタを所望の電圧に充電するために、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する工程と、
第2期間において前記サンプリングキャパシタに蓄えられた電荷を放電するために、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する工程と、
前記各組の充放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子にそれぞれ入力される信号を制御する複数の充放電速度制御工程と
を具えたことを特徴とするスイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法。
A switch switching method of a switched capacitor circuit,
A sampling capacitor for charging and discharging electric charge;
Two charge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor;
Two discharge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor;
Here, a plurality of sets of circuits in which the sampling capacitor, the two charge timing control transistor switches, and the two charge timing control transistor switches are configured as one set are connected in parallel,
A plurality of charging terminals connected in series to one connecting terminal of each pair of charging timing control transistor switches connected in parallel, or to one terminal of each pair of discharging timing control transistor switches connected in parallel, respectively. A discharge speed control transistor switch, and the charge / discharge speed control transistor switch is a charge speed control transistor switch or a circuit configured by a discharge speed control transistor switch.
Controlling the drive timing of the charge timing control transistor switch in order to charge the sampling capacitor to a desired voltage in the first period;
Controlling the drive timing of the discharge timing control transistor switch to discharge the charge stored in the sampling capacitor in a second period;
A switch switching method for a switched capacitor circuit, comprising: a plurality of charge / discharge speed control steps for controlling a signal input to an input control terminal of each set of charge / discharge speed control transistor switches.
スイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法であって、
電荷を充放電するサンプリングキャパシタと、
前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと、
前記サンプリングキャパシタの両端子間に接続された、2個の放電タイミング制御用トランジスタスイッチと、
ここで、前記サンプリングキャパシタと前記2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチと前記2個の充電タイミング制御用トランジスタスイッチとが1組として構成された回路を複数組並列接続し、
前記並列接続された各組の充電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の続端子、又は、前記並列接続された各組の放電タイミング制御用トランジスタスイッチの一方の端子に、それぞれ直列接続された複数の充放電速度制御用トランジスタスイッチと
を具え、該充放電速度制御用トランジスタスイッチは、充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、放電速度制御用トランジスタスイッチによって構成され、
第1期間において前記サンプリングキャパシタを所望の電圧に充電するために、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する工程と、
第2期間において前記サンプリングキャパシタに蓄えられた電荷を放電するために、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチの駆動タイミングを制御する工程と、
前記各組の充放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子に共通して入力される信号を制御する充放電速度制御工程と
を具えたことを特徴とするスイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法。
A switch switching method of a switched capacitor circuit,
A sampling capacitor for charging and discharging electric charge;
Two charge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor;
Two discharge timing control transistor switches connected between both terminals of the sampling capacitor;
Here, a plurality of sets of circuits in which the sampling capacitor, the two charge timing control transistor switches, and the two charge timing control transistor switches are configured as one set are connected in parallel,
A plurality of charging terminals connected in series to one connecting terminal of each pair of charging timing control transistor switches connected in parallel, or to one terminal of each pair of discharging timing control transistor switches connected in parallel, respectively. A discharge speed control transistor switch, the charge / discharge speed control transistor switch is constituted by a charge speed control transistor switch or a discharge speed control transistor switch,
Controlling the drive timing of the charge timing control transistor switch in order to charge the sampling capacitor to a desired voltage in the first period;
Controlling the drive timing of the discharge timing control transistor switch to discharge the charge stored in the sampling capacitor in a second period;
A switch switching method for a switched capacitor circuit, comprising: a charge / discharge rate control step for controlling a signal input in common to an input control terminal of each set of charge / discharge rate control transistor switches.
前記充放電速度制御工程は、
前記充放電速度制御用トランジスタスイッチが、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチに接続された充電速度制御用トランジスタスイッチとして構成されている場合は、
該充電速度制御用トランジスタスイッチを、前記第1期間でオンさせかつ前記第2期間でオフさせると共に、
オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間を、前記充電タイミング制御用トランジスタスイッチのオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くさせるように、該充電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子の電圧を制御することを特徴とする請求項10ないし13のいずれかに記載のスイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法。
The charge / discharge rate control step includes:
When the charge / discharge speed control transistor switch is configured as a charge speed control transistor switch connected to the charge timing control transistor switch,
The charging speed control transistor switch is turned on in the first period and turned off in the second period,
The transition time for changing from the off state to the fully on state is made longer than the transition time for changing from the off state to the fully on state of the charge timing control transistor switch. 14. The method for switching a switched capacitor circuit according to claim 10, wherein the voltage is controlled.
前記充放電速度制御工程は、
前記充放電速度制御用トランジスタスイッチが、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチに接続された放電速度制御用トランジスタスイッチとして構成されている場合は、
該放電速度制御用トランジスタスイッチを、前記第1期間でオフさせかつ前記第2期間でオンさせると共に、
オフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間を、前記放電タイミング制御用トランジスタスイッチのオフ状態から完全オン状態に変化する遷移時間より長くさせるように、該放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御端子の電圧を制御することを特徴とする請求項10ないし13のいずれかに記載のスイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法。
The charge / discharge rate control step includes:
When the charge / discharge speed control transistor switch is configured as a discharge speed control transistor switch connected to the discharge timing control transistor switch,
The discharge speed control transistor switch is turned off in the first period and turned on in the second period,
The transition time for changing from the off state to the fully on state is longer than the transition time for changing from the off state to the fully on state of the discharge timing control transistor switch. 14. The method for switching a switched capacitor circuit according to claim 10, wherein the voltage is controlled.
前記充放電速度制御工程は、
前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチがオフ状態からオン状態に変化する場合は、
抵抗体および容量体を含む回路素子により決定される時定数で変化する信号により、前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御信号端子を制御することを特徴とする請求項10ないし13のいずれかに記載のスイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法。
The charge / discharge rate control step includes:
When the charge speed control transistor switch or the discharge speed control transistor switch changes from an off state to an on state,
The charge control transistor switch or the input control signal terminal of the discharge speed control transistor switch is controlled by a signal that changes with a time constant determined by a circuit element including a resistor and a capacitor. The switch switching method of the switched capacitor circuit according to claim 10.
前記充放電速度制御工程は、
前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチがオフ状態からオン状態に変化する場合は、
電流源素子および容量体を含む回路素子により決定される変化速度を有する信号により、前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御信号端子を制御することを特徴とする請求項10ないし13のいずれかに記載のスイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法。
The charge / discharge rate control step includes:
When the charge speed control transistor switch or the discharge speed control transistor switch changes from an off state to an on state,
A charge speed control transistor switch or an input control signal terminal of the discharge speed control transistor switch is controlled by a signal having a change speed determined by a circuit element including a current source element and a capacitor. The switch switching method of the switched capacitor circuit according to claim 10.
前記充放電速度制御工程は、
前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチがオフ状態からオン状態に変化する場合は、
状態変化開始直後より状態変化途中に最も変化速度の速い部分がある信号により、前記充電速度制御用トランジスタスイッチ、又は、前記放電速度制御用トランジスタスイッチの入力制御信号端子を制御することを特徴とする請求項10ないし13のいずれかに記載のスイッチトキャパシタ回路のスイッチ切替方法。
The charge / discharge rate control step includes:
When the charge speed control transistor switch or the discharge speed control transistor switch changes from an off state to an on state,
The input control signal terminal of the charge speed control transistor switch or the discharge speed control transistor switch is controlled by a signal having a part having the fastest change speed in the middle of the state change immediately after the start of the state change. The switch switching method of the switched capacitor circuit according to claim 10.
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