JP2006080419A - Light emitting element containing iridium complex - Google Patents

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Takao Yamashita
敬郎 山下
Takeshi Iwata
武史 岩田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an iridium complex having an excellent color purity, external quantitative efficiency and light emitting efficiency, and an organic EL element using the same. <P>SOLUTION: In a light emitting element formed with a light emitting layer or a plurality of organic compound thin layers containing the light emitting layer between a pair of electrodes, at least one layer is a layer containing at least a kind of iridium complex by a general formula (1). In the above formula, R<SP>1</SP>to R<SP>8</SP>independently represent a hydrogen atom or a substituent, respectively. R<SP>1</SP>and R<SP>2</SP>, R<SP>2</SP>and R<SP>3</SP>, and R<SP>3</SP>and R<SP>4</SP>may be coupled to each other, respectively, to form a fused ring. R<SP>9</SP>and R<SP>10</SP>independently represent alkyl group, aryl group or hetero-aryl group, respectively. n<SP>1</SP>represents an integer of 1 or 2, n<SP>2</SP>is equal to 2 when n<SP>1</SP>is equal to 1, and n<SP>2</SP>is equal to 1 when n<SP>1</SP>is equal to 2. L represents a monovalent anionic ligand. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明はイリジウム錯体およびこれを用いた発光素子に関する。詳しくは、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア等に好適に使用可能な、イリジウム錯体を用いた発光素子に関する。   The present invention relates to an iridium complex and a light emitting device using the same. Specifically, the present invention relates to a light-emitting element using an iridium complex that can be suitably used for a display element, a display, a backlight, electrophotography, an illumination light source, a recording light source, an exposure light source, a reading light source, a sign, a signboard, an interior, and the like.

今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光素子(以下、「有機EL素子」と略す。)は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な次世代の表示素子として注目を集めている。有機EL素子は、従来用いられてきた液晶に比べて応答速度が速く、かつ自発光型素子であることから、従来の液晶表示素子のようにバックライトを必要とせず、極めて薄型のフラットパネルディスプレイを形成することが可能である。このような有機EL素子は、電界発光現象(EL)を利用した発光デバイスであり、原理的にはLEDと同じであるが、発光材料として有機化合物を使用している点が特徴である。このような有機化合物を発光材料として用いた有機EL素子の例として、蒸着法による多層薄膜を利用した有機EL素子が報告されている。この発光素子は、トリス(8−ヒドロキシキノリナト−O,N)アルミニウム(Alq3)を電子輸送材料として用い、正孔輸送材料(例えば芳香族アミン化合物など)と積層させることにより、従来の単層型素子に比べ発光特性を大幅に向上させている。 Research and development related to various display elements are active today, and organic electroluminescent elements (hereinafter abbreviated as “organic EL elements”) are particularly promising because they can emit light with high luminance at a low voltage. It is attracting attention as a display element for the next generation. Organic EL elements have a faster response speed than conventional liquid crystals and are self-luminous elements, so they do not require a backlight like conventional liquid crystal display elements, and are extremely thin flat panel displays. Can be formed. Such an organic EL element is a light emitting device utilizing an electroluminescence phenomenon (EL), and is theoretically the same as an LED, but is characterized in that an organic compound is used as a light emitting material. As an example of an organic EL device using such an organic compound as a light emitting material, an organic EL device using a multilayer thin film by a vapor deposition method has been reported. This light-emitting element uses tris (8-hydroxyquinolinato-O, N) aluminum (Alq 3 ) as an electron transport material, and is stacked with a hole transport material (for example, an aromatic amine compound) to form a conventional single element. The light emission characteristics are greatly improved as compared to the layer type element.

ところで、近年、このような有機EL素子を、マルチカラーディスプレイに適用する動きが盛んに検討されているが、高機能なマルチカラーディスプレイを開発するためには、光の三原色である赤色、緑色及び青色のそれぞれ各色の発光素子の特性や発光効率を向上させる必要がある。発光素子特性向上の手段として、有機EL素子の発光層に燐光発光材料を利用することも提案されている。燐光発光は、一重項励起状態から項間交差と呼ばれる無放射遷移によって生じる三重項励起状態からの発光現象であり、一重項励起状態からの発光現象である蛍光発光に比べ高い量子効率を示すことが知られている。このような性質を示す有機化合物を発光材料として用いることで、高い発光効率が達成できるものと期待される。   By the way, in recent years, the movement to apply such an organic EL element to a multi-color display has been actively studied. However, in order to develop a high-performance multi-color display, red, green, and three primary colors of light are used. It is necessary to improve the characteristics and light emission efficiency of each blue light emitting element. As a means for improving the characteristics of the light emitting device, it has been proposed to use a phosphorescent material for the light emitting layer of the organic EL device. Phosphorescence is a light emission phenomenon from a triplet excited state caused by a non-radiative transition called intersystem crossing from a singlet excited state, and exhibits a higher quantum efficiency than fluorescent light emission that is a light emission phenomenon from a singlet excited state. It has been known. It is expected that high luminous efficiency can be achieved by using an organic compound exhibiting such properties as a light emitting material.

このような燐光発光物質を用いた有機EL素子としては、既にオルソメタル化イリジウム錯体であるトリス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(Ir(ppy))を発光層に用いた素子が報告されている。この報告によれば、このイリジウム錯体は色純度が高く、外部量子効率において9%と極めて良好な値を示す緑色燐光発光物質であることが判明している。また近年、ビス[2−(2’−ベンゾチエニル)ピリジナト−N,C3’]イリジウムアセチルアセトナート(Ir(btp)2(acac))を発光層に用いた素子が報告されている(例えば、非特許文献1参照)。このイリジウム錯体は外部量子効率において7%程度と比較的良好な値を示すものの、色純度においては満足できるものではない。さらに、アリールアミノ基の導入により赤〜橙色発光させた化合物も提案されている(例えば、特許文献1参照)。しかし、このイリジウム錯体は配位子が結合する場合、配位子はフェニルピリジン、チオフェニルピリジン、フラニルピリジン、セレノピリジン類に限定されているうえ、有機EL素子としての特性は不明である。 As an organic EL element using such a phosphorescent material, tris (2-phenylpyridinato-N, C 2 ′ ) iridium (Ir (ppy) 3 ), which is an orthometalated iridium complex, is used as a light emitting layer. The elements used have been reported. According to this report, it has been found that this iridium complex is a green phosphorescent material having high color purity and an extremely good value of 9% in external quantum efficiency. In recent years, devices using bis [2- (2′-benzothienyl) pyridinato-N, C 3 ′ ] iridium acetylacetonate (Ir (btp) 2 (acac)) as a light emitting layer have been reported (for example, Non-Patent Document 1). Although this iridium complex shows a relatively good value of about 7% in external quantum efficiency, it is not satisfactory in color purity. Furthermore, a compound that emits red to orange light by introducing an arylamino group has also been proposed (see, for example, Patent Document 1). However, when the ligand is bonded to this iridium complex, the ligand is limited to phenylpyridine, thiophenylpyridine, furanylpyridine, and selenopyridines, and characteristics as an organic EL element are unknown.

以上のように、次世代表示素子の実用化に向けて種々の検討が盛んに行われており、その中でも燐光発光材料を用いた有機EL素子は素子の特性向上といった観点から特に脚光を浴びている。しかしながらその研究はまだ端緒に就いたばかりであり、素子の発光特性、発光効率、色純度及び構造の最適化など課題は数多い。これらの課題を解決するために、新規な燐光発光材料の開発、そして更に、その材料の効率的な供給法の開発が望まれている。   As described above, various studies have been actively conducted for the practical application of next-generation display elements. Among them, organic EL elements using phosphorescent materials are particularly in the spotlight from the viewpoint of improving the characteristics of the elements. Yes. However, the research has only just begun, and there are many problems such as optimization of light emission characteristics, light emission efficiency, color purity and structure of the device. In order to solve these problems, development of a novel phosphorescent material and further development of an efficient supply method of the material are desired.

C.Adachiら、「アプライド・フィジクス・レターズ(Appl.Phys.Lett.)」、第78巻11号、2001年、第1622頁−第1624頁C. Adachi et al., “Appl. Phys. Lett.”, Vol. 78, No. 11, 2001, pages 1622-1624. WO 02/081488号公報WO 02/081488

本発明は上記問題に鑑みなされたものであり、イリジウム錯体とこれを一種以上含有することを特徴とする各種分野で利用可能な、発光特性及び発光効率が良好な発光素子を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a light-emitting element having good light-emitting characteristics and light-emitting efficiency, which can be used in various fields, characterized by containing one or more iridium complexes. And

本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、特定の構造を有するイリジウム錯体とそれを用いた発光素子が、優れた発光特性及び発光効率を有することを見出し、本発明を完成した。
即ち、本発明は以下[1]〜[6]の内容を含むものである。
[1] 一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄層を形成した発光素子において、少なくとも一層が、下記一般式(1)で表されるイリジウム錯体を少なくとも一種含有する層であることを特徴とする発光素子。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that an iridium complex having a specific structure and a light emitting device using the same have excellent light emission characteristics and light emission efficiency. Was completed.
That is, the present invention includes the following contents [1] to [6].
[1] In a light emitting device in which a light emitting layer or a plurality of organic compound thin layers including a light emitting layer is formed between a pair of electrodes, at least one layer contains at least one iridium complex represented by the following general formula (1) A light emitting element characterized by the above.

Figure 2006080419
(式中、R1〜Rは、夫々独立して、水素原子または置換基を表す。但しRとR2、R2とR3、R3とR4はそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。R〜Rの内、少なくとも一つはNR10の構造をもつ置換基で置換されており、RがNR10で置換されている場合はRとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。RがNR10で置換されている場合はRとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。RがNR10で置換されている場合はRとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。RがNR10で置換されている場合はRとR、RとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。R及びR10は、各々独立して、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。nは1又は2の整数を表し、nはnが1のとき2であり、nが2のとき1である。Lは一価のアニオン性配位子を表す。)
[2] イリジウム錯体が下記一般式(2)又は(3)で表される錯体である[1]に記載の発光素子。
Figure 2006080419
(In the formula, R 1 to R 8 each independently represents a hydrogen atom or a substituent. However, R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 are bonded to form a ring. The ring may be further bonded to form a condensed ring, and at least one of R 5 to R 8 is substituted with a substituent having the structure of NR 9 R 10 , When 5 is substituted with NR 9 R 10 , R 6 and R 7 , R 7 and R 8 may be bonded to form a ring, and the ring is further bonded to form a condensed ring. When R 6 is substituted with NR 9 R 10 , R 4 and R 5 , R 7 and R 8 may be bonded to form a ring, and the ring is further bonded to form a condensed ring. good .R 7 be formed is if it is substituted with NR 9 R 10 forms a ring each R 4 and R 5, R 5 and R 6 Well, the ring further when bound to good .R 8 also form a condensed ring is substituted with NR 9 R 10 is R 4 and R 5, R 5 and R 6, R 6 and R 7 R 9 and R 10 each independently represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, which may be bonded to each other to form a ring, which may be further bonded to form a condensed ring. N 1 represents an integer of 1 or 2, n 2 is 2 when n 1 is 1, and 1 when n 1 is 2. L represents a monovalent anionic ligand.)
[2] The light emitting device according to [1], wherein the iridium complex is a complex represented by the following general formula (2) or (3).

Figure 2006080419
(式(2)及び(3)中、R11及びR12は、各々独立して、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基を表すか、NR1112でカルバゾリル基を表す。R13はフェニル基又はトリフルオロメチル基を表し、nは0、1又は2の整数を表す。Qはアセチルアセトナート又はピコリナートを表す。)
[3] 少なくとも一層に含有されるイリジウム錯体が、有機電界発光素子の発光層におけるドーピング材料として作用し得るものである[1]又は[2]のいずれかに記載の発光素子。
[4] 前記発光材料を含有する層が、塗布プロセスで成膜されている[1]〜[3]のいずれかに記載の発光素子。
[5] 下記一般式(1)で表されるイリジウム錯体。
Figure 2006080419
(In formulas (2) and (3), R 11 and R 12 each independently represent a phenyl group which may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or carbazolyl with NR 11 R 12 . R 13 represents a phenyl group or a trifluoromethyl group, n 3 represents an integer of 0, 1 or 2. Q represents acetylacetonate or picolinate.
[3] The light emitting device according to any one of [1] or [2], wherein the iridium complex contained in at least one layer can act as a doping material in the light emitting layer of the organic electroluminescent device.
[4] The light emitting device according to any one of [1] to [3], wherein the layer containing the light emitting material is formed by a coating process.
[5] An iridium complex represented by the following general formula (1).

Figure 2006080419
(式中、R1〜Rは、夫々独立して、水素原子または置換基を表す。但しRとR2、R2とR3、R3とR4はそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。R〜Rの内、少なくとも一つはNR10の構造をもつ置換基で置換されており、RがNR10で置換されている場合はRとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。RがNR10で置換されている場合はRとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。RがNR10で置換されている場合はRとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。RがNR10で置換されている場合はRとR、RとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。R及びR10は、各々独立して、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。nは1又は2の整数を表し、nはnが1のとき2であり、nが2のとき1である。Lは一価のアニオン性配位子を表す。)
[6] 下記一般式(2)又は一般式(3)で表されるイリジウム錯体。
Figure 2006080419
(In the formula, R 1 to R 8 each independently represents a hydrogen atom or a substituent. However, R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 are bonded to form a ring. The ring may be further bonded to form a condensed ring, and at least one of R 5 to R 8 is substituted with a substituent having the structure of NR 9 R 10 , When 5 is substituted with NR 9 R 10 , R 6 and R 7 , R 7 and R 8 may be bonded to form a ring, and the ring is further bonded to form a condensed ring. When R 6 is substituted with NR 9 R 10 , R 4 and R 5 , R 7 and R 8 may be bonded to form a ring, and the ring is further bonded to form a condensed ring. good .R 7 be formed is if it is substituted with NR 9 R 10 forms a ring each R 4 and R 5, R 5 and R 6 Well, the ring further when bound to good .R 8 also form a condensed ring is substituted with NR 9 R 10 is R 4 and R 5, R 5 and R 6, R 6 and R 7 R 9 and R 10 each independently represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, which may be bonded to each other to form a ring, which may be further bonded to form a condensed ring. N 1 represents an integer of 1 or 2, n 2 is 2 when n 1 is 1, and 1 when n 1 is 2. L represents a monovalent anionic ligand.)
[6] An iridium complex represented by the following general formula (2) or general formula (3).

Figure 2006080419
(式(2)及び(3)中、R11及びR12は、各々独立して、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基を表すか、NR1112でカルバゾリル基を表す。R13はフェニル基又はトリフルオロメチル基を表し、nは0、1又は2の整数を表す。Qはアセチルアセトナート又はピコリナートを表す。)
Figure 2006080419
(In formulas (2) and (3), R 11 and R 12 each independently represent a phenyl group which may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or carbazolyl with NR 11 R 12 . R 13 represents a phenyl group or a trifluoromethyl group, n 3 represents an integer of 0, 1 or 2. Q represents acetylacetonate or picolinate.

本発明のイリジウム錯体を含有する発光素子は、高発光特性、高発光効率、高耐久性、高キャリア移動度を有するEL素子を作成できる。   The light-emitting element containing the iridium complex of the present invention can produce an EL element having high light emission characteristics, high light emission efficiency, high durability, and high carrier mobility.

以下、本発明について説明する。
本発明の発光素子に用いられるイリジウム錯体において、R〜Rで表される置換基としては、炭化水素基、脂肪族複素環基、芳香族複素環基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキレンジオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、ヘテロアリールチオ基、スルフィノ基、スルフィニル基、スルホ基、スルホニル基、ウレイド基、置換ウレイド基、シリル基、ヒドラジノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、ハロゲン原子等が挙げられる。
The present invention will be described below.
In the iridium complex used in the light emitting device of the present invention, the substituents represented by R 1 to R 8 include a hydrocarbon group, an aliphatic heterocyclic group, an aromatic heterocyclic group, a hydroxyl group, an alkoxy group, and an alkylene group. Oxy, aryloxy, aralkyloxy, heteroaryloxy, acyloxy, acyl, carboxyl, alkoxycarbonyl, aryloxycarbonyl, aralkyloxycarbonyl, mercapto, alkylthio, arylthio, aralkylthio Group, heteroarylthio group, sulfino group, sulfinyl group, sulfo group, sulfonyl group, ureido group, substituted ureido group, silyl group, hydrazino group, cyano group, nitro group, hydroxamic acid group, halogen atom and the like.

置換基について更に具体的に説明すると、炭化水素基としては、例えばアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。この内、アルキル基としては、直鎖状でも、分岐状でも或いは環状でもよい、例えば炭素数1〜15、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜6のアルキル基が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、2−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、2−ペンチル基、tert−ペンチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、2,2−ジメチルプロピル基、n−ヘキシル基、2−ヘキシル基、3−ヘキシル基、tert−ヘキシル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基、2−メチルペンタン−3−イル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。   The substituent will be described more specifically. Examples of the hydrocarbon group include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, and an aralkyl group. Among these, the alkyl group may be linear, branched or cyclic, and examples thereof include an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms. Specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, 2-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, 2-pentyl group, tert-pentyl Group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 2,2-dimethylpropyl group, n-hexyl group, 2-hexyl group, 3-hexyl group, tert-hexyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl Group, 4-methylpentyl group, 2-methylpentan-3-yl group, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group and the like.

アルケニル基としては、直鎖状でも分岐状でもよい、例えば炭素数2〜15、好ましくは炭素数2〜10、より好ましくは炭素数2〜6のアルケニル基が挙げられ、具体的にはエテニル基、プロペニル基、1−ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等が挙げられる。アルキニル基としては、直鎖状でも分岐状でもよい、例えば炭素数2〜15、好ましくは炭素数2〜10、より好ましくは炭素数2〜6のアルキニル基が挙げられ、具体的にはエチニル基、1−プロピニル基、2−プロピニル基、1−ブチニル基、3−ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基等が挙げられる。   The alkenyl group may be linear or branched, for example, an alkenyl group having 2 to 15 carbon atoms, preferably 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms, specifically an ethenyl group. , Propenyl group, 1-butenyl group, pentenyl group, hexenyl group and the like. The alkynyl group may be linear or branched, for example, an alkynyl group having 2 to 15 carbon atoms, preferably 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms, specifically an ethynyl group. 1-propynyl group, 2-propynyl group, 1-butynyl group, 3-butynyl group, pentynyl group, hexynyl group and the like.

アリール基としては、例えば炭素数6〜14のアリール基が挙げられ、具体的にはフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナンスレニル基、ビフェニル基等が挙げられる。アラルキル基としては、前記アルキル基の少なくとも1個の水素原子が前記アリール基で置換された基が挙げられ、例えば炭素数7〜13のアラルキル基が好ましく、具体的にはベンジル基、2−フェニルエチル基、1−フェニルプロピル基、3−ナフチルプロピル基等が挙げられる。   As an aryl group, a C6-C14 aryl group is mentioned, for example, Specifically, a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthrenyl group, a biphenyl group etc. are mentioned. Examples of the aralkyl group include a group in which at least one hydrogen atom of the alkyl group is substituted with the aryl group. For example, an aralkyl group having 7 to 13 carbon atoms is preferable, specifically, a benzyl group, 2-phenyl An ethyl group, 1-phenylpropyl group, 3-naphthylpropyl group, etc. are mentioned.

脂肪族複素環基としては、例えば炭素数2〜14で、異種原子として少なくとも1個、好ましくは1〜3個の例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含んでいる、5〜8員、好ましくは5又は6員の単環の脂肪族複素環基、多環又は縮合環の脂肪族複素環基が挙げられる。脂肪族複素環基の具体例としては、例えば、ピロリジル−2−オン基、ピペリジノ基、ピペラジニル基、モルホリノ基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチエニル基等が挙げられる。   Examples of the aliphatic heterocyclic group include 2 to 14 carbon atoms and at least one hetero atom, preferably 1 to 3 hetero atoms such as a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom. Examples thereof include an 8-membered, preferably 5- or 6-membered monocyclic aliphatic heterocyclic group, and a polycyclic or condensed aliphatic heterocyclic group. Specific examples of the aliphatic heterocyclic group include pyrrolidyl-2-one group, piperidino group, piperazinyl group, morpholino group, tetrahydrofuryl group, tetrahydropyranyl group, tetrahydrothienyl group and the like.

芳香族複素環基(ヘテロアリール基)としては、例えば炭素数2〜15で、異種原子として少なくとも1個、好ましくは1〜3個の窒素原子、酸素原子、硫黄原子等の異種原子を含んでいる、5〜8員、好ましくは5又は6員の単環式芳香族複素環基、多環式又は縮合環式の芳香族複素環基が挙げられ、具体的にはフリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、ピリダジル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フタラジル基、キナゾリル基、ナフチリジル基、シンノリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基等が挙げられる。   The aromatic heterocyclic group (heteroaryl group) has, for example, 2 to 15 carbon atoms and includes at least one, preferably 1 to 3 hetero atoms such as nitrogen, oxygen and sulfur atoms as hetero atoms. A 5- to 8-membered, preferably 5- or 6-membered monocyclic aromatic heterocyclic group, a polycyclic or condensed aromatic heterocyclic group, specifically, a furyl group, a thienyl group, Pyridyl group, pyrimidyl group, pyrazyl group, pyridazyl group, pyrazolyl group, imidazolyl group, oxazolyl group, thiazolyl group, benzofuryl group, benzothienyl group, quinolyl group, isoquinolyl group, quinoxalyl group, phthalazyl group, quinazolyl group, naphthyridyl group, cinnolyl Group, benzoimidazolyl group, benzoxazolyl group, benzothiazolyl group and the like.

アルコキシ基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい、例えば炭素数1〜6のアルコキシ基が挙げられ、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、2−ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、2−メチルブトキシ基、3−メチルブトキシ基、2,2−ジメチルプロピルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、2−メチルペンチルオキシ基、3−メチルペンチルオキシ基、4−メチルペンチルオキシ基、5−メチルペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。   Examples of the alkoxy group may be linear, branched or cyclic, and examples thereof include an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, specifically, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an isopropoxy group, n -Butoxy group, 2-butoxy group, isobutoxy group, tert-butoxy group, n-pentyloxy group, 2-methylbutoxy group, 3-methylbutoxy group, 2,2-dimethylpropyloxy group, n-hexyloxy group, A 2-methylpentyloxy group, a 3-methylpentyloxy group, a 4-methylpentyloxy group, a 5-methylpentyloxy group, a cyclohexyloxy group, and the like can be given.

アルキレンジオキシ基としては、例えば炭素数1〜3のアルキレンジオキシ基が挙げられ、具体的にはメチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基、プロピレンジオキシ基等が挙げられる。
アリールオキシ基としては、例えば炭素数6〜14のアリールオキシ基が挙げられ、具体的にはフェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基等が挙げられる。
As an alkylene dioxy group, a C1-C3 alkylene dioxy group is mentioned, for example, A methylene dioxy group, an ethylene dioxy group, a propylene dioxy group etc. are mentioned specifically ,.
Examples of the aryloxy group include an aryloxy group having 6 to 14 carbon atoms, and specific examples include a phenyloxy group, a naphthyloxy group, and an anthryloxy group.

アラルキルオキシ基としては、例えば炭素数7〜12のアラルキルオキシ基が挙げられ、具体的にはベンジルオキシ基、2−フェニルエトキシ基、1−フェニルプロポキシ基、2−フェニルプロポキシ基、3−フェニルプロポキシ基、1−フェニルブトキシ基、2−フェニルブトキシ基、3−フェニルブトキシ基、4−フェニルブトキシ基、1−フェニルペンチルオキシ基、2−フェニルペンチルオキシ基、3−フェニルペンチルオキシ基、4−フェニルペンチルオキシ基、5−フェニルペンチルオキシ基、1−フェニルヘキシルオキシ基、2−フェニルヘキシルオキシ基、3−フェニルヘキシルオキシ基、4−フェニルヘキシルオキシ基、5−フェニルヘキシルオキシ基、6−フェニルヘキシルオキシ基等が挙げられる。
ヘテロアリールオキシ基としては、例えば異種原子として少なくとも1個、好ましくは1〜3個の窒素原子、酸素原子、硫黄原子等の異種原子を含んでいる、炭素数2〜14のヘテロアリールオキシ基が挙げられ、具体的には、2−ピリジルオキシ基、2−ピラジルオキシ基、2−ピリミジルオキシ基、2−キノリルオキシ基等が挙げられる。
Examples of the aralkyloxy group include aralkyloxy groups having 7 to 12 carbon atoms, and specifically include benzyloxy group, 2-phenylethoxy group, 1-phenylpropoxy group, 2-phenylpropoxy group, and 3-phenylpropoxy group. Group, 1-phenylbutoxy group, 2-phenylbutoxy group, 3-phenylbutoxy group, 4-phenylbutoxy group, 1-phenylpentyloxy group, 2-phenylpentyloxy group, 3-phenylpentyloxy group, 4-phenyl Pentyloxy group, 5-phenylpentyloxy group, 1-phenylhexyloxy group, 2-phenylhexyloxy group, 3-phenylhexyloxy group, 4-phenylhexyloxy group, 5-phenylhexyloxy group, 6-phenylhexyl An oxy group etc. are mentioned.
As the heteroaryloxy group, for example, a heteroaryloxy group having 2 to 14 carbon atoms containing at least 1, preferably 1 to 3 hetero atoms such as nitrogen atom, oxygen atom, sulfur atom and the like as hetero atoms. Specifically, 2-pyridyloxy group, 2-pyrazyloxy group, 2-pyrimidyloxy group, 2-quinolyloxy group and the like can be mentioned.

アシル基としては、直鎖状でも分岐状でもよい、例えば脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等のカルボン酸由来の炭素数1〜18のアシル基が挙げられ、具体的にはホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ピバロイル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、ラウロイル基、ステアロイル基、ベンゾイル基等が挙げられる。   The acyl group may be linear or branched, and examples thereof include C1-C18 acyl groups derived from carboxylic acids such as aliphatic carboxylic acids and aromatic carboxylic acids. Group, propionyl group, butyryl group, pivaloyl group, pentanoyl group, hexanoyl group, lauroyl group, stearoyl group, benzoyl group and the like.

アルコキシカルボニル基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい、例えば炭素数2〜19のアルコキシカルボニル基が挙げられ、具体的にはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、2−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、2−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ラウリルオキシカルボニル基、ステアリルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等が挙げられる。   The alkoxycarbonyl group may be linear, branched or cyclic, and examples thereof include an alkoxycarbonyl group having 2 to 19 carbon atoms, specifically, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-propoxycarbonyl group, 2-propoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, tert-butoxycarbonyl group, pentyloxycarbonyl group, hexyloxycarbonyl group, 2-ethylhexyloxycarbonyl group, lauryloxycarbonyl group, stearyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group, etc. Is mentioned.

アリールオキシカルボニル基としては、例えば炭素数7〜20のアリールオキシカルボニル基が挙げられ、具体的にはフェノキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等が挙げられる。アラルキルオキシカルボニル基としては、例えば炭素数8〜15のアラルキルオキシカルボニル基が挙げられ、具体的にはベンジルオキシカルボニル基、フェニルエトキシカルボニル基、9−フルオレニルメチルオキシカルボニル等が挙げられる。   Examples of the aryloxycarbonyl group include an aryloxycarbonyl group having 7 to 20 carbon atoms, and specific examples include a phenoxycarbonyl group and a naphthyloxycarbonyl group. Examples of the aralkyloxycarbonyl group include an aralkyloxycarbonyl group having 8 to 15 carbon atoms, and specific examples include a benzyloxycarbonyl group, a phenylethoxycarbonyl group, and 9-fluorenylmethyloxycarbonyl.

アルキルチオ基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい、例えば炭素数1〜6のアルキルチオ基が挙げられ、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、2−プロピルチオ基、n−ブチルチオ基、2−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、tert−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。アリールチオ基としては、例えば炭素数6〜14のアリールチオ基が挙げられ、具体的にはフェニルチオ基、ナフチルチオ基等が挙げられる。アラルキルチオ基としては、例えば炭素数7〜12のアラルキルチオ基が挙げられ、具体的にはベンジルチオ基、2−フェネチルチオ基等が挙げられる。ヘテロアリールチオ基としては、例えば異種原子として少なくとも1個、好ましくは1〜3個の窒素原子、酸素原子、硫黄原子等の異種原子を含んでいる、炭素数2〜14のヘテロアリールチオ基が挙げられ、具体的には、例えば4−ピリジルチオ基、2−ベンズイミダゾリルチオ基、2−ベンズオキサゾリルチオ基、2−ベンズチアゾリルチオ基等が挙げられる。   The alkylthio group may be linear, branched or cyclic, and examples thereof include an alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms, specifically, a methylthio group, an ethylthio group, an n-propylthio group, a 2-propylthio group, Examples include n-butylthio group, 2-butylthio group, isobutylthio group, tert-butylthio group, pentylthio group, hexylthio group, cyclohexylthio group and the like. As an arylthio group, a C6-C14 arylthio group is mentioned, for example, Specifically, a phenylthio group, a naphthylthio group, etc. are mentioned. Examples of the aralkylthio group include an aralkylthio group having 7 to 12 carbon atoms, and specific examples include a benzylthio group and a 2-phenethylthio group. As the heteroarylthio group, for example, a heteroarylthio group having 2 to 14 carbon atoms containing at least one, preferably 1 to 3 hetero atoms such as nitrogen, oxygen and sulfur atoms as hetero atoms. Specific examples include a 4-pyridylthio group, a 2-benzimidazolylthio group, a 2-benzoxazolylthio group, a 2-benzthiazolylthio group, and the like.

スルフィニル基としては、例えばR−SO−(Rは、上記アルキル基、アリール基、アラルキル基等を表す。)で表される置換スルフィニル基が挙げられる。スルフィニル基の具体例としては、メタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基等が挙げられる。スルホニル基としては、例えばR−SO2−(Rは、上記アルキル基、アリール基、アラルキル基等を表す。)で表される置換スルホニル基が挙げられる。スルホニル基の具体例としては、メタンスルホニル基、p−トルエンスルホニル基等が挙げられる。 Examples of the sulfinyl group include substituted sulfinyl groups represented by R—SO— (R represents the above alkyl group, aryl group, aralkyl group, etc.). Specific examples of the sulfinyl group include a methanesulfinyl group and a benzenesulfinyl group. Examples of the sulfonyl group include a substituted sulfonyl group represented by R—SO 2 — (R represents the above alkyl group, aryl group, aralkyl group, etc.). Specific examples of the sulfonyl group include a methanesulfonyl group and a p-toluenesulfonyl group.

シリル基としては、例えばケイ素原子上の3個の水素原子が上記アルキル基、アリール基、アラルキル基等の置換基で置換されたトリ置換シリル基が挙げられ、具体的にはトリメチルシリル基、tert−ブチルジメチルシリル基、tert−ブチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。   Examples of the silyl group include a tri-substituted silyl group in which three hydrogen atoms on a silicon atom are substituted with a substituent such as the above alkyl group, aryl group, and aralkyl group. Specific examples include a trimethylsilyl group, tert- Examples thereof include a butyldimethylsilyl group, a tert-butyldiphenylsilyl group, and a triphenylsilyl group. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

また、R及びR10で表されるアルキル基、アリール基及びヘテロアリール基としては例えば前記したような基が挙げられる。 Examples of the alkyl group, aryl group and heteroaryl group represented by R 9 and R 10 include the groups described above.

一般式(1)中、RとR2、R2とR3、R3とR4、RとR10はそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。R〜Rの内、少なくとも一つはNR10の構造をもつ置換基で置換されている。RがNR10で置換されている場合はRとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。RがNR10で置換されている場合はRとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。RがNR10で置換されている場合はRとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。RがNR10で置換されている場合はRとR、RとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。環を形成した場合の例としては、置換基を有してもよい芳香環または芳香族複素環を表す。芳香環としては、例えば炭素数6〜14の単環、多環或いは縮合環である芳香環が挙げられ、具体的にはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナンスレン環等が挙げられる。置換芳香環としては、上記芳香環の少なくとも1個の水素原子が置換基で置換された芳香環が挙げられる。置換基としては、炭化水素基、脂肪族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられる。炭化水素基、脂肪族複素環基及び芳香族複素環基は、一般式(1)の説明において詳述した置換基と同様の例が挙げられる。 In the general formula (1), R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , R 9 and R 10 may be bonded to form a ring, and the ring is further bonded A condensed ring may be formed. At least one of R 5 to R 8 is substituted with a substituent having the structure of NR 9 R 10 . When R 5 is substituted with NR 9 R 10 , R 6 and R 7 , R 7 and R 8 may be bonded to form a ring, and the rings are further bonded to form a condensed ring. May be. When R 6 is substituted with NR 9 R 10 , R 4 and R 5 , R 7 and R 8 may be bonded to form a ring, and the rings are further bonded to form a condensed ring. May be. When R 7 is substituted with NR 9 R 10 , R 4 and R 5 , R 5 and R 6 may be bonded to form a ring, and the rings are further bonded to form a condensed ring. May be. When R 8 is substituted with NR 9 R 10 , R 4 and R 5 , R 5 and R 6 , R 6 and R 7 may be bonded to form a ring, and the ring is further bonded To form a condensed ring. As an example of the case where a ring is formed, an aromatic ring or an aromatic heterocyclic ring which may have a substituent is represented. As an aromatic ring, the aromatic ring which is a C6-C14 monocyclic, polycyclic or condensed ring is mentioned, for example, Specifically, a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring etc. are mentioned. Examples of the substituted aromatic ring include aromatic rings in which at least one hydrogen atom of the aromatic ring is substituted with a substituent. Examples of the substituent include a hydrocarbon group, an aliphatic heterocyclic group, and an aromatic heterocyclic group. Examples of the hydrocarbon group, the aliphatic heterocyclic group and the aromatic heterocyclic group are the same as the substituents described in detail in the description of the general formula (1).

一般式(1)中、Lは一価のアニオン性配位子を表し、これらアニオン性配位子としては例えば、「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」Springer−Verlag社、H.Yersin著 1987年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」 裳華房社 山本明夫著 1982年発行 等に記載の配位子が挙げられる。前記アニオン性配位子としては、2座配位子が好ましく、ジケトン化合物(例えばアセチルアセトン、ヘキサフルオロアセチルアセトン、ジベンゾイルメタンなど)由来の配位子、ピコリン酸由来の配位子、テトラピラゾリルボレート等が好ましく、この中でもジケトン配位子がより好ましい。   In the general formula (1), L represents a monovalent anionic ligand. Examples of these anionic ligands include “Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds” Springer-Verlag, H .; Examples include ligands described in Yersin's 1987 issue, “Organometallic Chemistry: Fundamentals and Applications”, Hankabo Publishing Company, Akio Yamamoto, 1982 issue, and the like. As the anionic ligand, a bidentate ligand is preferable, a ligand derived from a diketone compound (for example, acetylacetone, hexafluoroacetylacetone, dibenzoylmethane, etc.), a ligand derived from picolinic acid, tetrapyrazolyl borate, etc. Of these, diketone ligands are more preferred.

本発明における、一般式(1)で表されるイリジウム錯体の具体例としては、下記に示す(1−1)〜(1−48)等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。   Specific examples of the iridium complex represented by the general formula (1) in the present invention include (1-1) to (1-48) shown below, but the present invention is limited to these. is not.

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次に、本発明の発光素子について説明する。本発明の発光素子は、一般式(1)で表されるイリジウム錯体(以下、イリジウム錯体(1)ということがある)を利用する素子であればシステム、駆動方法、利用形態など特に問わないが、該イリジウム錯体からの発光を利用するもの、または該イリジウム錯体を電荷輸送材料として利用するものが好ましい。代表的な発光素子としては有機EL素子を挙げることができる。   Next, the light emitting device of the present invention will be described. The light-emitting element of the present invention is not particularly limited as long as it is an element that uses an iridium complex represented by the general formula (1) (hereinafter sometimes referred to as iridium complex (1)). Those utilizing light emission from the iridium complex, or those utilizing the iridium complex as a charge transport material are preferred. As a typical light emitting element, an organic EL element can be given.

本発明の発光素子は、イリジウム錯体(1)の少なくとも一種を含有していればよく、一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物層を形成した発光素子において、少なくとも一層に該イリジウム錯体(1)の少なくとも一種を含有する。該イリジウム錯体(1)は、少なくとも一種が含有されていればよく、二種以上適宜組み合わせて含有させてもよい。例えば、イリジウム錯体(1)を、有機EL素子の発光層のドーピング材料として用いる場合、色純度に優れるとともに、従来知られた素子に比べ、外部量子効率、発光効率共に優れた素子を得ることができる。   The light-emitting element of the present invention only needs to contain at least one iridium complex (1). In the light-emitting element in which a light-emitting layer or a plurality of organic compound layers including a light-emitting layer is formed between a pair of electrodes, at least one layer is formed. Contains at least one iridium complex (1). The iridium complex (1) only needs to contain at least one kind, and may be contained in an appropriate combination of two or more kinds. For example, when the iridium complex (1) is used as a doping material for the light emitting layer of an organic EL device, it is possible to obtain a device having excellent color purity and excellent external quantum efficiency and light emission efficiency as compared with a conventionally known device. it can.

本発明の発光素子における有機層(有機化合物層)の形成方法は、特に限定されないが、通常抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法などの方法が用いられ、特性面、製造面から抵抗加熱蒸着及びコーティング法が好ましい方法である。   The method for forming the organic layer (organic compound layer) in the light-emitting device of the present invention is not particularly limited, but usually, resistance heating vapor deposition, electron beam, sputtering, molecular lamination method, coating method, ink jet method and the like are used. From the viewpoint of production and production, resistance heating vapor deposition and coating are preferred methods.

本発明の発光素子は、陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した素子であり、発光層の他、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有しても良く、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであっても良い。これら各層の形成においては、それぞれ従来から知られた種々の材料を用いることが可能である。これらの層について更に具体的に説明する。   The light-emitting element of the present invention is an element in which a plurality of organic compound thin films including a light-emitting layer or a light-emitting layer are formed between a pair of electrodes of an anode and a cathode. In addition to the light-emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, An electron injection layer, an electron transport layer, a protective layer, and the like may be provided, and each of these layers may have other functions. In the formation of each of these layers, various conventionally known materials can be used. These layers will be described more specifically.

陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、陽極形成材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などが用いられ、仕事関数が4eV以上の材料が好ましい。具体例としては、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ(以下、「ITO」と略称する。)等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとITOとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性などの点からITOが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常10nm〜5μmの範囲が好ましく、より好ましくは50nm〜1μmであり、さらに好ましくは100nm〜500nmである。   The anode supplies holes to a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and the like. As an anode forming material, a metal, an alloy, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof is used. A material having a work function of 4 eV or more is preferable. Specific examples include conductive metal oxides such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (hereinafter abbreviated as “ITO”), metals such as gold, silver, chromium, nickel, and the like. And conductive metal oxide mixtures or laminates, inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene and polypyrrole, and laminates of these with ITO Preferably, it is a conductive metal oxide, and ITO is particularly preferable in terms of productivity, high conductivity, transparency, and the like. The thickness of the anode can be appropriately selected depending on the material, but is usually preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably 50 nm to 1 μm, and further preferably 100 nm to 500 nm.

陽極は、通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの基板上に層形成される。基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常0.2mm以上、好ましくは0.7mm以上のものを用いる。陽極の作製には材料によって種々の方法が採られるが、例えばITOの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法(ゾル−ゲル法など)、ITO分散物の塗布などの方法により膜形成がなされる。陽極は、洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げ、発光効率を高めることも可能である。例えばITOの場合、UV−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。   The anode is usually layered on a substrate such as soda lime glass, non-alkali glass, or a transparent resin substrate. When glass is used as the substrate, alkali-free glass is preferably used as the material in order to reduce ions eluted from the glass. Moreover, when using soda-lime glass, it is preferable to use what gave barrier coatings, such as a silica. The thickness of the substrate is not particularly limited as long as it is sufficient to maintain the mechanical strength, but when glass is used, a thickness of 0.2 mm or more, preferably 0.7 mm or more is usually used. Various methods are used for producing the anode, depending on the material. For example, in the case of ITO, an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, a chemical reaction method (sol-gel method, etc.), an ITO dispersion coating, etc. A film is formed by the method. The anode can be driven to lower the drive voltage of the element and increase the light emission efficiency by washing or other processing. For example, in the case of ITO, UV-ozone treatment, plasma treatment, etc. are effective.

陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などが挙げられ、具体例としてはリチウム、ナトリウム、カリウムといったアルカリ金属およびその弗化物、マグネシウム、カルシウムといったアルカリ土類金属及びその弗化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属等が挙げられ、仕事関数が4eV以下の材料が好ましく、より好ましい材料は、アルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。   The cathode supplies electrons to the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, etc., and the adhesion, ionization potential, and stability between the negative electrode and the adjacent layer such as the electron injection layer, the electron transport layer, and the light emitting layer. It is selected in consideration of etc. Examples of the cathode material include metals, alloys, metal halides, metal oxides, electrically conductive compounds, and mixtures thereof. Specific examples include alkali metals such as lithium, sodium, and potassium, and fluorides thereof, magnesium. Alkaline earth metals such as calcium and fluorides thereof, gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloys or mixed metals thereof, magnesium-silver alloys or mixed metals thereof, rare earth metals such as indium and ytterbium, etc. A material having a work function of 4 eV or less is preferable, and a more preferable material is aluminum, a lithium-aluminum alloy or a mixed metal thereof, a magnesium-silver alloy or a mixed metal thereof.

陰極は、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることもできる。陰極の膜厚は材料により適時選択可能であるが、通常10nm〜5μmの範囲が好ましく、より好ましくは50nm〜1μmであり、さらに好ましくは100nm〜1μmである。陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法等の方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金で極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させても良い。陰極及び陽極のシート抵抗は低い方が好ましい。   The cathode can also have a laminated structure containing the above compound and mixture. The thickness of the cathode can be appropriately selected depending on the material, but is usually preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably 50 nm to 1 μm, and further preferably 100 nm to 1 μm. A method such as an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, or a coating method is used for producing the cathode, and a metal can be vapor-deposited alone or two or more components can be vapor-deposited simultaneously. Furthermore, it is possible to form a pole with an alloy by simultaneously depositing a plurality of metals, or an alloy prepared in advance may be deposited. The sheet resistance of the cathode and the anode is preferably low.

発光層の材料は、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から電子を注入することができる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものであれば何れのものでも良い。発光層の中には発光効率の高い蛍光材料及びリン光材料をドープすることができる。例えばベンゾオキサゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾピリジン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリディン系化合物、8−キノリノール誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体、本発明のイリジウム錯体(1)等が挙げられる。上述した材料の一種または二種以上から成る単層構造であっても良いし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であっても良い。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μmの範囲が好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであり、さらに好ましくは10nm〜500nmである。発光層の作製方法は、特に限定されるものではないが、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、分子積層法、コーティング法(スピンコート法、キャスト法、ディップコート法等)、インクジェット法、LB(レーザービーム)法等の方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。   The material of the light emitting layer is a layer having a function of injecting electrons from an anode or a hole injection layer and a hole transport layer when an electric field is applied, and a function of emitting light by providing a recombination field of holes and electrons. Any material can be used as long as it can be formed. The light emitting layer can be doped with a fluorescent material and a phosphorescent material with high luminous efficiency. For example, benzoxazole derivatives, triphenylamine derivatives, benzimidazole derivatives, benzothiazole derivatives, styrylbenzene derivatives, polyphenyl derivatives, diphenylbutadiene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, naphthalimide derivatives, coumarin derivatives, perylene derivatives, perinone derivatives, oxadi Metal complexes and rare earth complexes of azole derivatives, aldazine derivatives, pyrazine derivatives, cyclopentadiene derivatives, bisstyrylanthracene derivatives, quinacridone derivatives, pyrrolopyridine derivatives, thiadiazopyridine derivatives, styrylamine derivatives, aromatic dimethylidin compounds, 8-quinolinol derivatives Various metal complexes, polythiophene, polyphenylene, polyphenylene vinylene and other polymer compounds, Silane derivatives, iridium complexes (1) of the present invention, and the like. A single-layer structure composed of one or more of the above materials may be used, or a multi-layer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions may be used. Although the film thickness of a light emitting layer is not specifically limited, Usually, the range of 1 nm-5 micrometers is preferable, More preferably, it is 5 nm-1 micrometer, More preferably, it is 10 nm-500 nm. The method for producing the light emitting layer is not particularly limited, but an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, a molecular lamination method, a coating method (spin coating method, casting method, dip coating method, etc.), an ink jet method. , LB (laser beam) method or the like is used, and resistance heating vapor deposition or coating method is preferable.

正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良い。具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体、イリジウム錯体(1)等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μmの範囲が好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであり、さらに好ましくは10nm〜500nmである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の一種または二種以上から成る単層構造であっても良いし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であっても良い。正孔注入層、正孔輸送層の作製方法は、真空蒸着法やLB法、前記の正孔注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法(スピンコート法、キャスト法、ディップコート法等)、インクジェット法等の各種方法が用いられる。コーティング法の場合、上記材料を樹脂成分と共に溶剤中に溶解または分散することができる。このとき樹脂成分としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。   The material of the hole injection layer and the hole transport layer has any one of the function of injecting holes from the anode, the function of transporting holes, and the function of blocking electrons injected from the cathode. It ’s fine. Specific examples include carbazole derivatives, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, oxazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, Fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, porphyrin compounds, polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole) derivatives, aniline derivatives Examples thereof include polymers, thiophene oligomers, conductive polymer oligomers such as polythiophene, organosilane derivatives, iridium complexes (1), and the like. The thicknesses of the hole injection layer and the hole transport layer are not particularly limited, but are usually preferably in the range of 1 nm to 5 μm, more preferably 5 nm to 1 μm, and still more preferably 10 nm to 500 nm. The hole injection layer and the hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. The hole injection layer and the hole transport layer can be prepared by a vacuum deposition method, an LB method, a method in which the above hole injection / transport agent is dissolved or dispersed in a solvent (a spin coating method, a casting method, a dip coating method). Etc.) and various methods such as an inkjet method are used. In the case of the coating method, the above material can be dissolved or dispersed in a solvent together with the resin component. Examples of the resin component include polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, poly (N-vinylcarbazole), hydrocarbon resin, ketone resin, and phenoxy. Examples thereof include resins, polyamides, ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resins, alkyd resins, epoxy resins, and silicon resins.

電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良い。陽極から注入された正孔を障壁する機能を有する正孔ブロッキング層のイオン化ポテンシャルは、発光層のイオン化ポテンシャルよりも大きいものが選択される。   The material of the electron injection layer and the electron transport layer may be any material having any one of the function of injecting electrons from the cathode, the function of transporting electrons, and the function of blocking holes injected from the anode. The ionization potential of the hole blocking layer having a function of blocking holes injected from the anode is selected to be larger than the ionization potential of the light emitting layer.

電子注入層、電子輸送層の材料の具体例としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、多環系化合物、バソクプロイン等のヘテロ多環系化合物、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、アントラキノンジメタン誘導体、アントロン誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸又はペリレンテトラカルボン酸等の酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、本発明のイリジウム錯体(1)等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μmの範囲が好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであり、さらに好ましくは10nm〜500nmである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の一種または二種以上から成る単層構造であっても良いし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であっても良い。電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やLB法、前記の正孔注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法(スピンコート法、キャスト法、ディップコート法等)、インクジェット法等の方法が用いられる。コーティング法の場合には、材料は樹脂成分と共に溶解または分散される。このとき、樹脂成分として、正孔注入層及び正孔輸送層の場合に例示したものを用いることができる。   Specific examples of materials for the electron injection layer and the electron transport layer include triazole derivatives, oxazole derivatives, polycyclic compounds, heteropolycyclic compounds such as bathocuproine, oxadiazole derivatives, fluorenone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyrandi. Metal complexes of oxide derivatives, anthraquinone dimethane derivatives, anthrone derivatives, carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylpyrazine derivatives, acid anhydrides such as naphthalenetetracarboxylic acid or perylenetetracarboxylic acid, phthalocyanine derivatives, 8-quinolinol derivatives And various metal complexes represented by metal complexes having metal phthalocyanine, benzoxazole or benzothiazole as a ligand, organosilane derivatives, iridium complex (1) of the present invention, and the like. Although the film thickness of an electron injection layer and an electron carrying layer is not specifically limited, Usually, the range of 1 nm-5 micrometers is preferable, More preferably, it is 5 nm-1 micrometer, More preferably, it is 10 nm-500 nm. The electron injection layer and the electron transport layer may have a single-layer structure made of one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure made up of a plurality of layers having the same composition or different compositions. As a method for forming the electron injection layer and the electron transport layer, a vacuum deposition method, an LB method, a method in which the hole injection / transport agent is dissolved or dispersed in a solvent (a spin coating method, a casting method, a dip coating method, etc.) ), An ink jet method or the like is used. In the case of the coating method, the material is dissolved or dispersed together with the resin component. At this time, what was illustrated in the case of a positive hole injection layer and a positive hole transport layer can be used as a resin component.

保護層の材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであれば何れのものでも用いることができる。保護層材料の具体例としては、インジウム、錫、鉛、金、銀、銅、アルミニウム、チタン、ニッケル等の金属、酸化マグネシウム、二酸化珪素、三酸化二アルミニウム、酸化ゲルマニウム、酸化ニッケル、酸化カルシウム、酸化バリウム、三酸化二鉄、三酸化二イッテルビウム、酸化チタンなどの金属酸化物、弗化マグネシウム、弗化リチウム、弗化アルミニウム、弗化カルシウムの金属弗化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも一種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーティング法などが適用できる。   As the material for the protective layer, any material can be used as long as it has a function of preventing substances that promote element deterioration such as moisture and oxygen from entering the element. Specific examples of the protective layer material include metals such as indium, tin, lead, gold, silver, copper, aluminum, titanium, nickel, magnesium oxide, silicon dioxide, dialuminum trioxide, germanium oxide, nickel oxide, calcium oxide, Metal oxides such as barium oxide, ferric trioxide, ytterbium trioxide, titanium oxide, magnesium fluoride, lithium fluoride, aluminum fluoride, calcium fluoride metal fluoride, polyethylene, polypropylene, polymethyl methacrylate, polyimide , Polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, a copolymer of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, and a monomer mixture containing tetrafluoroethylene and at least one comonomer A copolymer obtained by copolymerizing the above, a fluorine-containing copolymer having a cyclic structure in the copolymer main chain, a water-absorbing substance having a water absorption of 1% or more, a moisture-proof substance having a water absorption of 0.1% or less, and the like. It is done. There is no particular limitation on the method for forming the protective layer. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, MBE (molecular beam epitaxy), cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization (high frequency excitation ions) Plating method), plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, coating method and the like can be applied.

次に本発明の発光素子に用いられる、一般式(1)で表されるイリジウム錯体は既知の手段を用いて合成できる。例えば、銀塩及び水の存在下に溶媒量の配位子と塩化イリジウム(III)水和物を高温で反応させる方法(例えば、WO 02/02714号公報参照)が知られている。この方法での目的物の収率は、10%から82%との報告がある。また、理論量の配位子とイリジウム(III)アセチルアセトナートをグリセロール中高温で反応させる方法(例えば、WO 02/15645号公報参照)も知られており、目的物の収率は75%と報告されている。収率は中程度であるが、これらの方法は反応条件が厳しい上に、この方法ではイリジウムの配位子は3種が全て同じものしか合成できない。この改良法として、理論量の配位子と塩化イリジウム(III)水和物を原料とし、ノノヤマ(Nonoyama)法(M.Nonoyamaら、「ブルテン・オブ・ザ・ケミカル・ソサエティー・オブ・ジャパン(Bull.Chem.Soc.Jpn.)」、第47巻3号、1974年、第767頁−第768頁参照)と呼ばれる方法を用いて、三価六配位オルソメタル化イリジウム複核錯体を合成し,次いで塩基の存在下にアセチルアセトンを反応させてアセチルアセトナート錯体に誘導し、これをグリセロール中で理論量の配位子と高温で反応させて三価六配位オルソメタル化イリジウム錯体を合成する方法が報告されている(S. Lamanskyら「ジャーナル・オブ・ザ・アメリカン・ケミカル・ソサエティー(J.Am.Chem.Soc.)」、123巻、2001年、第4304頁−第4312頁;S. Lamanskyら「インオーガニック・ケミストリー(Inorg.Chem.)」、40巻、2001年、第1704頁−第1711頁;特開2002−105055号公報参照)。この方法では、一段階目の収率は75%以上、二段階目の収率は75〜90%、三段階目の収率は85%と報告されている。この方法によれば共通の原料を用いて2種の配位子が異なる錯体と、同じ錯体を作り分けることができる。   Next, the iridium complex represented by the general formula (1) used in the light-emitting device of the present invention can be synthesized using known means. For example, a method in which a solvent amount of a ligand and iridium (III) chloride hydrate are reacted at a high temperature in the presence of a silver salt and water (for example, see WO 02/02714) is known. The yield of the target product in this method is reported to be 10% to 82%. Also known is a method in which a theoretical amount of a ligand and iridium (III) acetylacetonate are reacted in glycerol at a high temperature (for example, see WO 02/15645). The yield of the target product is 75%. It has been reported. Although the yield is moderate, these methods have severe reaction conditions, and in this method, only three of the same iridium ligands can be synthesized. As an improved method, a theoretical amount of a ligand and iridium (III) chloride hydrate are used as raw materials, and the Nonoyama method (M. Nonoyama et al., “Bulten of the Chemical Society of Japan ( Bull. Chem. Soc. Jpn.), 47, 3, 1974, pp. 767-768) was used to synthesize a trivalent hexacoordinate orthometalated iridium binuclear complex. , Then reacting with acetylacetone in the presence of a base to give an acetylacetonate complex, which is reacted with a theoretical amount of ligand in glycerol at high temperature to synthesize a trivalent hexacoordinate orthometalated iridium complex Methods have been reported (S. Lamansky et al., “Journal of the American Chemical Society (J. Am. C. hem. Soc.), 123, 2001, pages 4304-4312; S. Lamansky et al., “Inorganic. Chem.”, 40, 2001, pages 1704-1711. Page; see JP-A No. 2002-105055). In this method, the yield of the first stage is reported to be 75% or more, the yield of the second stage is 75 to 90%, and the yield of the third stage is 85%. According to this method, the same complex can be made separately from a complex having two different ligands using a common raw material.

前記の方法で合成されるイリジウム錯体(1)において特に好ましいものとしては、以下の錯体が挙げられる。   Particularly preferable examples of the iridium complex (1) synthesized by the above method include the following complexes.

Figure 2006080419
Figure 2006080419

以下に、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

(実施例1) 例示化合物(1−1)の合成 Example 1 Synthesis of Exemplary Compound (1-1)

Figure 2006080419

アルゴン雰囲気下の反応容器に三塩化イリジウム(III)水和物(150mg、0.48mmol)、2−(3−(N,N’−ジフェニルアミノ)フェニル)ピリジン(383mg、1.2mmol)、2−エトキシエタノール(4.5ml)と脱イオン水(1.5ml)の混合溶媒を入れ、120℃で24時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷やし、エタノールとヘキサンを加えて結晶を析出させた。その結晶をろ過することで赤色固体のビス(2−(5−(N,N’−ジフェニルアミノ)フェニル)ピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)クロライド ダイマー(A)(385mg)が収率92%で得られた。
Figure 2006080419

In a reaction vessel under an argon atmosphere, iridium (III) trichloride hydrate (150 mg, 0.48 mmol), 2- (3- (N, N′-diphenylamino) phenyl) pyridine (383 mg, 1.2 mmol), 2 -A mixed solvent of ethoxyethanol (4.5 ml) and deionized water (1.5 ml) was added and stirred at 120 ° C for 24 hours. After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, and ethanol and hexane were added to precipitate crystals. The crystals were filtered to obtain red solid bis (2- (5- (N, N′-diphenylamino) phenyl) pyridinato-N, C 2 ′ ) iridium (III) chloride dimer (A) (385 mg). The rate was 92%.

続いてアルゴン雰囲気下の反応容器に、上記で得られたビス(2−(5−(N,N’−ジフェニルアミノ)フェニル)ピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)クロライド ダイマー(A)(300mg、0.17mmol)、アセチルアセトン(52mg、0.52mmol)、炭酸ナトリウム(127mg、1.2mmol)及び2−エトキシエタノール(9ml)を入れ、120℃で12時間攪拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去し、残渣にジクロロメタンと水を加え三回抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥、溶媒留去後、カラムクロマトグラフィー(アルミナ;クロロホルム)により精製し、赤色の固体ビス(2−(5−(N,N’−ジフェニルアミノ)フェニル)ピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(例示化合物(1−1))(232mg)を収率72%で得た。
H NMR(200MHz、CDCl):δ 8.24(brd,J=5.8Hz,2H),7.39(brt,J=8.2Hz,2H),7.30(d,J=8.8Hz,2H),7.13(brt,J=7.6Hz,9H),6.93(brt,J=8.2Hz,12H),6.79(brt,J=6.8Hz,3H),6.49(dd,J=2.2,8.6Hz,2H),5.77(d,J=2.2Hz,2H),5.23(s,1H),1.81(s,6H)
Subsequently, the bis (2- (5- (N, N′-diphenylamino) phenyl) pyridinato-N, C 2 ′ ) iridium (III) chloride dimer (A) obtained above was placed in a reaction vessel under an argon atmosphere. (300 mg, 0.17 mmol), acetylacetone (52 mg, 0.52 mmol), sodium carbonate (127 mg, 1.2 mmol) and 2-ethoxyethanol (9 ml) were added and stirred at 120 ° C. for 12 hours. After completion of the reaction, the solvent was distilled off under reduced pressure, and dichloromethane and water were added to the residue and extracted three times. The organic layer was dried over sodium sulfate, the solvent was distilled off, and the residue was purified by column chromatography (alumina; chloroform) to obtain red solid bis (2- (5- (N, N′-diphenylamino) phenyl) pyridinato-N, C 2 ′ ) iridium (III) acetylacetonate (Exemplary Compound (1-1)) (232 mg) was obtained in a yield of 72%.
1 H NMR (200 MHz, CD 2 Cl 2 ): δ 8.24 (brd, J = 5.8 Hz, 2H), 7.39 (brt, J = 8.2 Hz, 2H), 7.30 (d, J = 8.8 Hz, 2H), 7.13 (brt, J = 7.6 Hz, 9H), 6.93 (brt, J = 8.2 Hz, 12H), 6.79 (brt, J = 6.8 Hz, 3H), 6.49 (dd, J = 2.2, 8.6 Hz, 2H), 5.77 (d, J = 2.2 Hz, 2H), 5.23 (s, 1H), 1.81 ( s, 6H)

(実施例2) 例示化合物(1−2)の合成 Example 2 Synthesis of Exemplary Compound (1-2)

Figure 2006080419
アルゴン雰囲気下の反応容器に三塩化イリジウム(III)水和物(115mg、0.36mmol)、2−(4−(N,N’−ジフェニルアミノ)フェニル)ピリジン(294mg、0.91mmol)、2−エトキシエタノール(3ml)と脱イオン水 (1ml)の混合溶媒を入れ、実施例1と同様に反応、後処理を行うことによって黄色固体のビス(2−(4−(N,N’−ジフェニルアミノ)フェニル)ピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)クロライド ダイマー(B)(238mg)が収率75%で得られた。
Figure 2006080419
In a reaction vessel under an argon atmosphere, iridium trichloride (III) hydrate (115 mg, 0.36 mmol), 2- (4- (N, N′-diphenylamino) phenyl) pyridine (294 mg, 0.91 mmol), 2 -A mixed solvent of ethoxyethanol (3 ml) and deionized water (1 ml) was added and reacted and worked up in the same manner as in Example 1 to give bis (2- (4- (N, N'-diphenyl) as a yellow solid. Amino) phenyl) pyridinato-N, C 2 ′ ) iridium (III) chloride dimer (B) (238 mg) was obtained in a yield of 75%.

続いてアルゴン雰囲気下の反応容器にビス(2−(4−(N,N’−ジフェニルアミノ)フェニル)ピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)クロライド ダイマー(B)(300mg、0.17mmol)、アセチルアセトン(52mg、0.52mmol)、炭酸ナトリウム(127mg、1.2mmol)及び2−エトキシエタノール(9ml)を入れ、実施例1と同様に反応、後処理を行うことによって黄色の固体 ビス(2−(4−(N,N’−ジフェニルアミノ)フェニル)ピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(1−2)(150mg)を収率47%で得た。
H NMR(200MHz、CDCl):δ 8.53(brd,J=5.4Hz,2H),7.64(brd,J=3.8Hz,4H),7.37(d,J=2.2Hz,2H),7.21−7.00(m,18H),6.89(brt,J=7.6Hz,4H),6.56(dd,J=2.4,8.0Hz,2H),6.18(brd,J=8.2Hz,2H),5.25(s,1H),1.84(s,6H)
Subsequently, bis (2- (4- (N, N′-diphenylamino) phenyl) pyridinato-N, C 2 ′ ) iridium (III) chloride dimer (B) (300 mg, 0.17 mmol) was placed in a reaction vessel under an argon atmosphere. ), Acetylacetone (52 mg, 0.52 mmol), sodium carbonate (127 mg, 1.2 mmol) and 2-ethoxyethanol (9 ml) were added, and a yellow solid bis ( 2- (4- (N, N′-diphenylamino) phenyl) pyridinato-N, C 2 ′ ) iridium (III) acetylacetonate (1-2) (150 mg) was obtained in a yield of 47%.
1 H NMR (200 MHz, CD 2 Cl 2 ): δ 8.53 (brd, J = 5.4 Hz, 2H), 7.64 (brd, J = 3.8 Hz, 4H), 7.37 (d, J = 2.2 Hz, 2H), 7.21-7.00 (m, 18H), 6.89 (brt, J = 7.6 Hz, 4H), 6.56 (dd, J = 2.4, 8.). 0 Hz, 2H), 6.18 (brd, J = 8.2 Hz, 2H), 5.25 (s, 1H), 1.84 (s, 6H)

(実施例3) 例示化合物(1−3)の合成 Example 3 Synthesis of Exemplary Compound (1-3)

Figure 2006080419
アルゴン雰囲気下の反応容器に三塩化イリジウム(III)水和物(200mg、0.64mmol)、1−(3−(N,N’−ジフェニルアミノ)フェニル)イソキノリン(706mg、1.9mmol)、2−エトキシエタノール(6ml)と脱イオン水(2ml)の混合溶媒を入れ、合成例1と同様に反応、後処理を行うことによって赤紫色固体のビス(1−(5−(N,N’−ジフェニルアミノ)フェニル)イソキノリノ−N,C2’)イリジウム(III)クロライド ダイマー(C)(443mg)が収率72%で得られた。
Figure 2006080419
In a reaction vessel under an argon atmosphere, iridium trichloride (III) hydrate (200 mg, 0.64 mmol), 1- (3- (N, N′-diphenylamino) phenyl) isoquinoline (706 mg, 1.9 mmol), 2 -A mixed solvent of ethoxyethanol (6 ml) and deionized water (2 ml) was added, and reaction and post-treatment were carried out in the same manner as in Synthesis Example 1 to obtain red purple solid bis (1- (5- (N, N'- Diphenylamino) phenyl) isoquinolino-N, C 2 ′ ) iridium (III) chloride dimer (C) (443 mg) was obtained in a yield of 72%.

続いてアルゴン雰囲気下の反応容器にビス(1−(5−(N,N’−ジフェニルアミノ)フェニル)イソキノリノ−N,C2’)イリジウム(III)クロライド ダイマー(C)(300mg、0.15mmol)、アセチルアセトン(46mg、0.46mmol)、炭酸ナトリウム(114mg、1.1mmol)及び2−エトキシエタノール(9ml)を入れ、実施例1と同様に反応、後処理を行うことによって赤紫色の固体ビス(1−(5−(N,N’−ジフェニルアミノ)フェニル)イソキノリノ−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(1−3)(174mg)を収率55%で得た。
H NMR(200MHz、CDCl):δ 8.50(brd,J=9.0Hz,2H),8.45(d,J=6.4Hz,2H),7.94(d,J=2.0Hz,2H),7.85(brd,J=8.6Hz,2H),7.61(brt,J=7.2Hz,2H),7.45(brt,J=6.6Hz,4H),7.19(brt,J=7.0Hz,8H),7.07(brd,J=7.4Hz,8H),6.91(brt,J=7.0Hz,4H),6.55(dd,J=2.2,8.0Hz,2H),6.27(d,J=8.0Hz,2H),5.25(s,1H),1.81(s,6H)
Subsequently, bis (1- (5- (N, N′-diphenylamino) phenyl) isoquinolino-N, C 2 ′ ) iridium (III) chloride dimer (C) (300 mg, 0.15 mmol) was placed in a reaction vessel under an argon atmosphere. ), Acetylacetone (46 mg, 0.46 mmol), sodium carbonate (114 mg, 1.1 mmol) and 2-ethoxyethanol (9 ml) were added, followed by reaction and post-treatment in the same manner as in Example 1 to obtain a red-purple solid bis. (1- (5- (N, N′-diphenylamino) phenyl) isoquinolino-N, C 2 ′ ) iridium (III) acetylacetonate (1-3) (174 mg) was obtained in a yield of 55%.
1 H NMR (200 MHz, CD 2 Cl 2 ): δ 8.50 (brd, J = 9.0 Hz, 2H), 8.45 (d, J = 6.4 Hz, 2H), 7.94 (d, J = 2.0 Hz, 2H), 7.85 (brd, J = 8.6 Hz, 2H), 7.61 (brt, J = 7.2 Hz, 2H), 7.45 (brt, J = 6.6 Hz, 4H), 7.19 (brt, J = 7.0 Hz, 8H), 7.07 (brd, J = 7.4 Hz, 8H), 6.91 (brt, J = 7.0 Hz, 4H), 6. 55 (dd, J = 2.2, 8.0 Hz, 2H), 6.27 (d, J = 8.0 Hz, 2H), 5.25 (s, 1H), 1.81 (s, 6H)

(実施例4)
ガラス基板(g)上に、陽極(f)、正孔輸送層(e)、ホスト材料とドープ材料からなる発光層(d)、正孔ブロック層(c)、電子輸送層(b)及び陰極(a)を、ガラス基板(g)側から順に形成することにより、図1に示す層構成を有する有機EL素子を作製した。この有機EL素子は、陽極(f)と陰極(a)に、それぞれリード線が接続されて陽極(f)と陰極(a)との間に電圧を印加できるようになっている。各層の具体的材料、製法等を以下簡単に説明する。
陽極(f)はITO膜からなり、ガラス基板(g)に被着されている。正孔輸送層(e)は、下記式で示される化合物(α−NPD)を用い、真空蒸着法にて陽極(f)上に40nmの厚さで形成した。
Example 4
On a glass substrate (g), an anode (f), a hole transport layer (e), a light emitting layer (d) composed of a host material and a dope material, a hole blocking layer (c), an electron transport layer (b) and a cathode By forming (a) in order from the glass substrate (g) side, an organic EL device having the layer configuration shown in FIG. 1 was produced. In this organic EL element, a lead wire is connected to the anode (f) and the cathode (a), respectively, so that a voltage can be applied between the anode (f) and the cathode (a). Specific materials and manufacturing methods of each layer will be briefly described below.
The anode (f) is made of an ITO film and is attached to the glass substrate (g). The hole transport layer (e) was formed with a thickness of 40 nm on the anode (f) by vacuum deposition using a compound (α-NPD) represented by the following formula.

Figure 2006080419

一方、ホスト材料とドープしたリン光発光材料を含む発光層(d)は、下記式で示される化合物(CBP)と合成例1で製造した下記式で示される化合物(1−1)の両者を用い、同時に真空蒸着(ドープ6重量%)を行い、正孔輸送層(e)上に35nmの厚さとして形成した。
Figure 2006080419

On the other hand, the light-emitting layer (d) containing the host material and the doped phosphorescent light-emitting material comprises both the compound (CBP) represented by the following formula and the compound (1-1) represented by the following formula produced in Synthesis Example 1. At the same time, vacuum deposition (6% by weight of dope) was performed to form a thickness of 35 nm on the hole transport layer (e).

Figure 2006080419

さらに、正孔ブロッキング層(c)は、下記式で示される化合物(BCP)を用い、真空蒸着法にて発光層(d)上に10nmの厚さで形成した。
Figure 2006080419

Furthermore, the hole blocking layer (c) was formed with a thickness of 10 nm on the light emitting layer (d) by a vacuum deposition method using a compound (BCP) represented by the following formula.

Figure 2006080419
電子輸送層(b)は下記式で示される化合物(Alq3)を用い、真空蒸着法にて正孔ブロッキング層(c)上に35nmの厚さで形成した。
Figure 2006080419
The electron transport layer (b) was formed with a thickness of 35 nm on the hole blocking layer (c) by a vacuum vapor deposition method using a compound (Alq 3 ) represented by the following formula.

Figure 2006080419
陰極(a)は、電子輸送層(b)側から順に、LiFを0.5nmの厚さで真空蒸着した後、Alをさらに100nmの厚さで真空蒸着した積層体により構成した。
得られた有機EL素子の陽極(ITO)(f)側にプラス、陰極(a)側にマイナスの電圧を印加したところ、低い電圧から安定な発光が確認された。素子の外部量子効率は、輝度100cd/mにおいて7.6%と高効率であった。さらに、発光層(d)に用いた化合物(1−1)に起因する橙色発光が得られた。

(実施例5)
実施例4と同様の素子構造を有し、発光層(d)に含まれるドーパントとして実施例2で得られたイリジウム錯体(1−2)を用いる以外は実施例4と同様に素子を作製した。
得られた有機EL素子の陽極(ITO)(f)側にプラス、陰極(a)側にマイナスの電圧を印加したところ、低い電圧から安定な発光が確認された。素子の外部量子効率は、輝度100cd/mにおいて11.8%と極めて高効率であった。さらに、発光層(d)に用いた化合物(1−2)に起因する黄緑色発光が得られた。
実施例4及び実施例5で作成した素子特性について以下の表に示す。
Figure 2006080419
The cathode (a) was composed of a laminate in which LiF was vacuum-deposited in a thickness of 0.5 nm and Al was further vacuum-deposited in a thickness of 100 nm in this order from the electron transport layer (b) side.
When a positive voltage was applied to the anode (ITO) (f) side of the obtained organic EL element and a negative voltage was applied to the cathode (a) side, stable light emission was confirmed from a low voltage. The external quantum efficiency of the device was as high as 7.6% at a luminance of 100 cd / m 2 . Furthermore, orange light emission resulting from the compound (1-1) used for the light emitting layer (d) was obtained.

(Example 5)
A device was produced in the same manner as in Example 4 except that the iridium complex (1-2) obtained in Example 2 was used as the dopant contained in the light emitting layer (d), which had the same device structure as in Example 4. .
When a positive voltage was applied to the anode (ITO) (f) side of the obtained organic EL element and a negative voltage was applied to the cathode (a) side, stable light emission was confirmed from a low voltage. The external quantum efficiency of the device was extremely high at 11.8% at a luminance of 100 cd / m 2 . Furthermore, yellowish green light emission resulting from the compound (1-2) used for the light emitting layer (d) was obtained.
The device characteristics prepared in Example 4 and Example 5 are shown in the following table.

Figure 2006080419
Figure 2006080419

本発明の有機EL素子の層構成を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows the layer structure of the organic EL element of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

(a)陰極
(b)電子輸送層
(c)正孔ブロック層
(d)発光層
(e)正孔輸送層
(f)陽極
(g)ガラス基板
(A) cathode (b) electron transport layer (c) hole blocking layer (d) light emitting layer (e) hole transport layer (f) anode (g) glass substrate

Claims (6)

一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄層を形成した発光素子において、少なくとも一層が、下記一般式(1)で表されるイリジウム錯体を少なくとも一種含有する層であることを特徴とする発光素子。
Figure 2006080419
(式中、R1〜Rは、夫々独立して、水素原子または置換基を表す。但しRとR2、R2とR3、R3とR4はそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。R〜Rの内、少なくとも一つはNR10の構造をもつ置換基で置換されており、RがNR10で置換されている場合はRとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。RがNR10で置換されている場合はRとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。RがNR10で置換されている場合はRとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。RがNR10で置換されている場合はRとR、RとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。R及びR10は、各々独立して、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。nは1又は2の整数を表し、nはnが1のとき2であり、nが2のとき1である。Lは一価のアニオン性配位子を表す。)
In a light emitting element in which a light emitting layer or a plurality of organic compound thin layers including a light emitting layer is formed between a pair of electrodes, at least one layer is a layer containing at least one iridium complex represented by the following general formula (1). A light emitting device characterized by the above.
Figure 2006080419
(In the formula, R 1 to R 8 each independently represents a hydrogen atom or a substituent. However, R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 are bonded to form a ring. The ring may be further bonded to form a condensed ring, and at least one of R 5 to R 8 is substituted with a substituent having the structure of NR 9 R 10 , When 5 is substituted with NR 9 R 10 , R 6 and R 7 , R 7 and R 8 may be bonded to form a ring, and the ring is further bonded to form a condensed ring. When R 6 is substituted with NR 9 R 10 , R 4 and R 5 , R 7 and R 8 may be bonded to form a ring, and the ring is further bonded to form a condensed ring. good .R 7 be formed is if it is substituted with NR 9 R 10 forms a ring each R 4 and R 5, R 5 and R 6 Well, the ring further when bound to good .R 8 also form a condensed ring is substituted with NR 9 R 10 is R 4 and R 5, R 5 and R 6, R 6 and R 7 R 9 and R 10 each independently represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, which may be bonded to each other to form a ring, which may be further bonded to form a condensed ring. N 1 represents an integer of 1 or 2, n 2 is 2 when n 1 is 1, and 1 when n 1 is 2. L represents a monovalent anionic ligand.)
イリジウム錯体が下記一般式(2)又は(3)で表される錯体である請求項1に記載の発光素子。
Figure 2006080419
(式(2)及び(3)中、R11及びR12は、各々独立して、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基を表すか、NR1112でカルバゾリル基を表す。R13はフェニル基又はトリフルオロメチル基を表し、nは0、1又は2の整数を表す。Qはアセチルアセトナート又はピコリナートを表す。)
The light emitting device according to claim 1, wherein the iridium complex is a complex represented by the following general formula (2) or (3).
Figure 2006080419
(In formulas (2) and (3), R 11 and R 12 each independently represent a phenyl group which may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or carbazolyl with NR 11 R 12 . R 13 represents a phenyl group or a trifluoromethyl group, n 3 represents an integer of 0, 1 or 2. Q represents acetylacetonate or picolinate.
少なくとも一層に含有されるイリジウム錯体が、有機電界発光素子の発光層におけるドーピング材料として作用し得るものである請求項1又は請求項2のいずれかに記載の発光素子。   3. The light emitting device according to claim 1, wherein the iridium complex contained in at least one layer can act as a doping material in the light emitting layer of the organic electroluminescence device. 前記発光材料を含有する層が、塗布プロセスで成膜されている請求項1〜請求項3のいずれかに記載の発光素子。   The light-emitting element according to claim 1, wherein the layer containing the light-emitting material is formed by a coating process. 下記一般式(1)で表されるイリジウム錯体。
Figure 2006080419
(式中、R1〜Rは、夫々独立して、水素原子または置換基を表す。但しRとR2、R2とR3、R3とR4はそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。R〜Rの内、少なくとも一つはNR10の構造をもつ置換基で置換されており、RがNR10で置換されている場合はRとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。RがNR10で置換されている場合はRとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。RがNR10で置換されている場合はRとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。RがNR10で置換されている場合はRとR、RとR、RとRはそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。R及びR10は、各々独立して、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。nは1又は2の整数を表し、nはnが1のとき2であり、nが2のとき1である。Lは一価のアニオン性配位子を表す。)
An iridium complex represented by the following general formula (1).
Figure 2006080419
(In the formula, R 1 to R 8 each independently represents a hydrogen atom or a substituent. However, R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 are bonded to form a ring. The ring may be further bonded to form a condensed ring, and at least one of R 5 to R 8 is substituted with a substituent having the structure of NR 9 R 10 , When 5 is substituted with NR 9 R 10 , R 6 and R 7 , R 7 and R 8 may be bonded to form a ring, and the ring is further bonded to form a condensed ring. When R 6 is substituted with NR 9 R 10 , R 4 and R 5 , R 7 and R 8 may be bonded to form a ring, and the ring is further bonded to form a condensed ring. good .R 7 be formed is if it is substituted with NR 9 R 10 forms a ring each R 4 and R 5, R 5 and R 6 Well, the ring further when bound to good .R 8 also form a condensed ring is substituted with NR 9 R 10 is R 4 and R 5, R 5 and R 6, R 6 and R 7 R 9 and R 10 each independently represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, which may be bonded to each other to form a ring, which may be further bonded to form a condensed ring. N 1 represents an integer of 1 or 2, n 2 is 2 when n 1 is 1, and 1 when n 1 is 2. L represents a monovalent anionic ligand.)
下記一般式(2)又は一般式(3)で表されるイリジウム錯体。
Figure 2006080419
(式(2)及び(3)中、R11及びR12は、各々独立して、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基を表すか、NR1112でカルバゾリル基を表す。R13はフェニル基又はトリフルオロメチル基を表し、nは0、1又は2の整数を表す。Qはアセチルアセトナート又はピコリナートを表す。)
The iridium complex represented by the following general formula (2) or general formula (3).
Figure 2006080419
(In formulas (2) and (3), R 11 and R 12 each independently represent a phenyl group which may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or carbazolyl with NR 11 R 12 . R 13 represents a phenyl group or a trifluoromethyl group, n 3 represents an integer of 0, 1 or 2. Q represents acetylacetonate or picolinate.
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