JP2006078522A - Liquid crystal device, electronic equipment, and method for manufacturing liquid crystal device - Google Patents

Liquid crystal device, electronic equipment, and method for manufacturing liquid crystal device Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal device in which contrast and retainability of liquid crystal alignment are simultaneously improved by adjusting layer thickness of an alignment layer. <P>SOLUTION: The liquid crystal device includes the liquid crystal interposed between a TFT substrate 9 having a plurality of pixel electrodes 9a arranged thereon and a counter substrate placed opposite to the TFT substrate 9 and having a plurality of counter electrodes formed thereon, wherein the liquid crystal device is characterized in that it has the alignment layer which aligns the liquid crystal and is formed on the upper layers of the pixel electrodes 9a and the counter electrodes on the TFT substrate 9 and the counter substrate, and that the layer thickness of the alignment layer 9h formed on regions among the plurality of respective pixel electrodes 9a on the TFT substrate 9 measured by taking the level of the surface of the pixel electrode 9a as the reference, is formed thicker than the layer thickness of the alignment layer 9h formed on the pixel electrode 9a measured by taking the level of the surface of the pixel electrode 9a as the reference. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、液晶の配向を規定する配向膜が形成された素子基板と該素子基板に対向する基板とを有する液晶装置、及び電子機器、液晶装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a liquid crystal device having an element substrate on which an alignment film defining liquid crystal alignment is formed and a substrate facing the element substrate, an electronic device, and a method for manufacturing the liquid crystal device.

周知のように、液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる2枚の基板間に液晶を封入して構成されており、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、TFTと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に共通電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。   2. Description of the Related Art As is well known, a liquid crystal device is configured by enclosing liquid crystal between two substrates made of a glass substrate, a quartz substrate, etc., and a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) is provided on one substrate, for example. ) And other switching elements and pixel electrodes are arranged in a matrix, a common electrode is arranged on the other substrate, and the optical characteristics of the liquid crystal layer sealed between the two substrates are changed according to the image signal. Display is possible.

また、TFTを配置したTFT基板と、このTFT基板に相対して配置される対向基板とは、別々に製造される。TFT基板及び対向基板は、例えばガラス又は石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって構成される。層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程を繰り返すことによって形成されるのである。   In addition, the TFT substrate on which the TFT is disposed and the counter substrate disposed to face the TFT substrate are manufactured separately. The TFT substrate and the counter substrate are configured by, for example, laminating a semiconductor thin film, an insulating thin film, or a conductive thin film having a predetermined pattern on a glass or quartz substrate. Each layer is formed by repeating a film forming process and a photolithography process for various films.

このようにして形成されたTFT基板及び対向基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わされる。このパネル組立工程は、先ず、各基板の製造工程において夫々製造されたTFT基板と対向基板との液晶層と接する面上に、液晶の分子を基板面に沿って配向させるための配向膜を形成し、該配向膜に、電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理を施す。   The TFT substrate and the counter substrate thus formed are bonded with high accuracy in the panel assembly process. In this panel assembling process, first, an alignment film for aligning liquid crystal molecules along the substrate surface is formed on the surfaces of the TFT substrate and the counter substrate, which are manufactured in the manufacturing process of each substrate, in contact with the liquid crystal layer. Then, the alignment film is subjected to a rubbing process for determining the alignment of liquid crystal molecules when no voltage is applied.

次いで、一方の基板上の周縁に接着剤となるシール部を設け、このシール部を用いてTFT基板と対向基板を貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させ、その後シール部の一部に設けられた切り欠きを介して液晶を封入され、液晶装置は製造される。このように配向膜により液晶が配向される液晶装置は、例えば特許文献1に開示されている。
特開2001−133749号公報
Next, a seal part as an adhesive is provided on the peripheral edge of one substrate, and the TFT substrate and the counter substrate are bonded together using this seal part, and are cured by pressure bonding while performing alignment, and then provided on a part of the seal part A liquid crystal device is manufactured by sealing the liquid crystal through the notch. A liquid crystal device in which liquid crystal is aligned by an alignment film is disclosed in, for example, Patent Document 1.
Japanese Patent Laid-Open No. 2001-133749

ところで、TFT基板及び対向基板の液晶層と接する面上に配向膜を形成する際、配向膜の膜厚を厚く形成すると、液晶に対する配向保持力が強くなり、液晶の配向を安定させることができることから、ラビング処理後の液晶の配向ムラの発生を防止することができる。しかしながら、膜厚が厚すぎると、画素電極の電圧が降下してしまい、液晶装置の表示におけるコントラストが出なくなってしまうといった問題がある。   By the way, when the alignment film is formed on the surface of the TFT substrate and the counter substrate that are in contact with the liquid crystal layer, if the alignment film is formed thick, the alignment holding power with respect to the liquid crystal becomes strong and the alignment of the liquid crystal can be stabilized. Therefore, the occurrence of uneven alignment of the liquid crystal after the rubbing treatment can be prevented. However, if the film thickness is too thick, the voltage of the pixel electrode drops, and there is a problem that the contrast in the display of the liquid crystal device does not appear.

また、配向膜の膜厚を薄く形成すると、液晶装置の表示におけるコントラストは向上するが、膜厚が薄すぎると、液晶に対する配向保持力が弱くなり、ラビング処理後の液晶の配向ムラが発生しやすくなってしまうといった問題がある。   In addition, when the alignment film is formed thin, the contrast in the display of the liquid crystal device is improved. However, if the film thickness is too thin, the alignment holding power with respect to the liquid crystal becomes weak, and the alignment unevenness of the liquid crystal after rubbing treatment occurs. There is a problem that it becomes easy.

よって、配向膜の膜厚を制御することにより、コントラストと液晶の配向保持力との両方を向上させることは困難であるため、配向膜の膜厚は、一般に、コントラスト及び液晶の配向保持力に問題がない、無難な厚さの膜厚に形成せざるを得ないといった事情があった。しかし、最近の高画質化の傾向より、コントラストの向上がより望まれている事情がある。   Therefore, it is difficult to improve both the contrast and the alignment holding power of the liquid crystal by controlling the film thickness of the alignment film. Therefore, the thickness of the alignment film generally depends on the contrast and the alignment holding power of the liquid crystal. There was a problem that there was no problem and the film had to be formed to a safe thickness. However, due to the recent trend toward higher image quality, there is a situation where improvement in contrast is more desired.

本発明は上記事情に着目してなされたものであり、その目的は、コントラスト及び液晶の配向保持力を、配向膜の膜厚により同時に向上させることができる液晶装置、及び電子機器、液晶装置の製造方法を提供するにある。   The present invention has been made by paying attention to the above circumstances, and the purpose of the present invention is to provide a liquid crystal device, an electronic device, and a liquid crystal device capable of simultaneously improving contrast and alignment holding power of liquid crystal by the film thickness of the alignment film. To provide a manufacturing method.

上記目的を達成するために本発明に係る液晶装置は、複数の第1電極が配設された第1基板と、該第1基板に対向し、複数の第2電極が形成された第2基板との間に液晶を介在させた液晶装置において、前記第1及び第2基板上において、前記第1及び第2電極の上層に、前記液晶を配向させる配向膜が形成されており、前記第1基板において前記複数の第1電極同士の間の領域上に形成された前記配向膜の前記第1電極表面を基準とした膜厚は、前記第1電極上に形成された前記配向膜の前記第1電極表面を基準とした膜厚よりも厚く形成されていることを特徴とする。また、前記第1基板は、互いに交差する複数の走査線及びデータ線と、該走査線及びデータ線の交差に対応してそれぞれ設けられた複数のスイッチング素子とを有する素子基板で、前記第1電極は前記複数のスイッチング素子の各々に対応して設けられた画素電極であり、前記第2基板は前記素子基板に対向する対向基板であり、前記第2電極は対向電極であることを特徴とする。   In order to achieve the above object, a liquid crystal device according to the present invention includes a first substrate on which a plurality of first electrodes are disposed, and a second substrate on which the plurality of second electrodes are formed facing the first substrate. In the liquid crystal device in which the liquid crystal is interposed between the first and second substrates, an alignment film for aligning the liquid crystal is formed on the first and second electrodes. The film thickness of the alignment film formed on the region between the plurality of first electrodes on the substrate with reference to the surface of the first electrode is the first film thickness of the alignment film formed on the first electrode. It is characterized by being formed thicker than the film thickness on the basis of the surface of one electrode. The first substrate is an element substrate having a plurality of scanning lines and data lines intersecting each other, and a plurality of switching elements respectively provided corresponding to the intersections of the scanning lines and data lines. The electrode is a pixel electrode provided corresponding to each of the plurality of switching elements, the second substrate is a counter substrate facing the element substrate, and the second electrode is a counter electrode. To do.

本発明の液晶装置によれば、素子基板の画素電極間に形成された配向膜の画素電極表面からの膜厚は、画素電極上に形成された配向膜の画素電極表面からの膜厚よりも厚く形成されていることにより、ラビング処理後の液晶の配向ムラの発生を防止することができ、液晶の配向を安定させることができる。   According to the liquid crystal device of the present invention, the film thickness from the pixel electrode surface of the alignment film formed between the pixel electrodes of the element substrate is larger than the film thickness from the pixel electrode surface of the alignment film formed on the pixel electrode. By being formed thick, it is possible to prevent occurrence of uneven alignment of the liquid crystal after the rubbing treatment, and to stabilize the alignment of the liquid crystal.

また、画素電極上に形成された配向膜の画素電極表面からの膜厚は、素子基板の画素電極間に形成された配向膜の画素電極表面からの膜厚よりも薄く形成されていることにより、画素電極の電圧降下を防止し、液晶装置のコントラストを向上させることができる。   In addition, the thickness of the alignment film formed on the pixel electrode from the surface of the pixel electrode is smaller than the thickness of the alignment film formed between the pixel electrodes of the element substrate from the surface of the pixel electrode. The voltage drop of the pixel electrode can be prevented and the contrast of the liquid crystal device can be improved.

よって、液晶装置のコントラスト及び液晶の配向保持力を同時に向上することができる配向膜が形成された素子基板を有する液晶装置を提供することができるという効果を有する。   Therefore, there is an effect that it is possible to provide a liquid crystal device having an element substrate on which an alignment film capable of simultaneously improving the contrast of the liquid crystal device and the alignment holding power of the liquid crystal is formed.

本発明に係る液晶装置は、前記素子基板の前記画素電極間に形成された配向膜は、2層から形成されていることを特徴とする。   The liquid crystal device according to the present invention is characterized in that the alignment film formed between the pixel electrodes of the element substrate is formed of two layers.

本発明の液晶装置によれば、素子基板の画素電極間に2層に形成された配向膜の画素電極表面からの膜厚は、画素電極上に形成された配向膜の画素電極表面からの膜厚よりも厚く形成されていることにより、ラビング処理後の液晶の配向ムラの発生を防止することができ、液晶の配向を安定させることができる。   According to the liquid crystal device of the present invention, the film thickness from the surface of the pixel electrode of the alignment film formed in two layers between the pixel electrodes of the element substrate is the film from the surface of the pixel electrode of the alignment film formed on the pixel electrode. By being formed thicker than the thickness, the occurrence of uneven alignment of the liquid crystal after the rubbing treatment can be prevented, and the alignment of the liquid crystal can be stabilized.

また、画素電極上に形成された配向膜の画素電極表面からの膜厚は、素子基板の画素電極間に2層に形成された配向膜の画素電極表面からの膜厚よりも薄く形成されていることにより、画素電極の電圧降下を防止し、液晶装置のコントラストを向上させることができる。   In addition, the thickness of the alignment film formed on the pixel electrode from the surface of the pixel electrode is thinner than the thickness of the alignment film formed in two layers between the pixel electrodes of the element substrate. Thus, the voltage drop of the pixel electrode can be prevented and the contrast of the liquid crystal device can be improved.

よって、液晶装置のコントラスト及び液晶の配向保持力を同時に向上することができる配向膜が形成された素子基板を有する液晶装置を提供することができるという効果を有する。   Therefore, there is an effect that it is possible to provide a liquid crystal device having an element substrate on which an alignment film capable of simultaneously improving the contrast of the liquid crystal device and the alignment holding power of the liquid crystal is formed.

前記目的を達成するために本発明に係る液晶装置は、画素電極がマトリクス状に複数配設され、前記画素電極に対応して設けられたスイッチング素子を有する素子基板と、前記画素電極に対向する対向電極とを有し、前記素子基板に対向する対向基板との間に液晶を介在させた液晶装置において、前記素子基板及び前記対向基板において、前記画素電極及び前記対向電極の前記液晶に面する側に、前記液晶を配向させる配向膜が形成されており、前記対向基板において前記画素電極間に対向する領域上に形成された前記配向膜の前記対向電極からの膜厚は、前記対向基板において前記画素電極に対向する領域上に形成された前記配向膜の前記対向電極からの膜厚よりも厚く形成されていることを特徴とする。また、前記素子基板において前記画素電極間の領域上に形成された前記配向膜の前記画素電極表面を基準とした膜厚は、前記画素電極上に形成された前記配向膜の前記画素電極表面を基準とした膜厚よりも厚く形成されていることを特徴とする。さらに、前記対向基板の前記画素電極間に対向する領域上に形成された前記配向膜は、2層から形成されていることを特徴とする。   In order to achieve the above object, a liquid crystal device according to the present invention includes a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix, an element substrate having switching elements provided corresponding to the pixel electrodes, and facing the pixel electrodes. In the liquid crystal device having a counter electrode and having a liquid crystal interposed between the counter substrate and the counter substrate facing the element substrate, the pixel electrode and the counter electrode face the liquid crystal in the element substrate and the counter substrate. An alignment film for aligning the liquid crystal is formed on the side, and the film thickness of the alignment film formed on the region facing the pixel electrode in the counter substrate is from the counter electrode in the counter substrate. The alignment film formed on the region facing the pixel electrode is formed thicker than the thickness from the counter electrode. In addition, the film thickness of the alignment film formed on the region between the pixel electrodes on the element substrate with respect to the surface of the pixel electrode is determined based on the surface of the pixel electrode of the alignment film formed on the pixel electrode. It is characterized by being formed thicker than the reference film thickness. Furthermore, the alignment film formed on a region facing the pixel electrode of the counter substrate is formed of two layers.

本発明の液晶装置によれば、素子基板に対向する基板の素子基板の画素電極間に対向する領域上に2層に形成された配向膜の対向電極からの膜厚は、素子基板に対向する基板の画素電極に対向する領域上に形成された配向膜の対向電極からの膜厚よりも厚く形成されていることにより、ラビング処理後の液晶の配向ムラの発生を防止することができ、液晶の配向を安定させることができる。   According to the liquid crystal device of the present invention, the film thickness from the counter electrode of the alignment film formed in two layers on the region facing the pixel electrode of the element substrate of the substrate facing the element substrate is opposed to the element substrate. By forming the alignment film formed on the region facing the pixel electrode of the substrate to be thicker than the counter electrode, it is possible to prevent the occurrence of uneven alignment of the liquid crystal after the rubbing process. Can be stabilized.

また、素子基板に対向する基板の画素電極に対向する領域上に形成された配向膜の対向電極からの膜厚は、素子基板に対向する基板の素子基板の画素電極間に対向する領域上に2層に形成された配向膜の対向電極からの膜厚よりも薄く形成されていることにより、画素電極の電圧降下を防止し、液晶装置のコントラストを向上させることができる。   In addition, the film thickness from the counter electrode of the alignment film formed on the region facing the pixel electrode of the substrate facing the element substrate is set on the region facing the pixel electrode of the element substrate of the substrate facing the element substrate. Since the alignment film formed in two layers is formed thinner than the counter electrode, the voltage drop of the pixel electrode can be prevented and the contrast of the liquid crystal device can be improved.

よって、液晶装置のコントラスト及び液晶の配向保持力を同時に向上することができる配向膜が形成された素子基板に対向する基板を有する液晶装置を提供することができるという効果を有する。   Therefore, there is an effect that it is possible to provide a liquid crystal device having a substrate facing an element substrate on which an alignment film capable of simultaneously improving the contrast of the liquid crystal device and the alignment holding power of the liquid crystal is formed.

本発明に係る電子機器は、請求項1〜6のいずれかに記載の液晶装置を用いて構成したことを特徴とする。   An electronic apparatus according to the present invention is configured using the liquid crystal device according to any one of claims 1 to 6.

本発明の電子機器によれば、液晶装置のコントラストと液晶の配向保持力を両立できる配向膜が形成された素子基板または素子基板に対向する基板を有する液晶装置を備えた電子機器を提供することができるという効果を有する。   According to the electronic device of the present invention, there is provided an electronic device including a liquid crystal device having an element substrate on which an alignment film capable of satisfying both the contrast of the liquid crystal device and the alignment holding power of the liquid crystal is formed or a substrate facing the element substrate. Has the effect of being able to.

本発明に係わる液晶装置の製造方法は、画素電極がマトリクス状に複数配設された素子基板と、該素子基板に対向する対向基板との間に液晶を介在させた液晶装置の製造方法において、前記素子基板上に前記画素電極を形成する工程と、前記画素電極上に前記液晶を配向させる配向膜を形成する工程と、を有し前記配向膜を形成する工程において、前記画素電極間の領域上での前記配向膜の前記画素電極表面を基準とした膜厚が、前記画素電極上での前記配向膜の前記画素電極表面を基準とした膜厚よりも厚くなるように前記配向膜を形成することを特徴とする。また、前記配向膜を形成する工程において、前記配向膜は第1層と第2層とを積層することで形成し、前記第1層を前記複数の画素電極及び画素電極間上に形成し、前記第2層を前記複数の画素電極間上の領域に形成することを特徴とする。   A method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention is a method for manufacturing a liquid crystal device in which liquid crystal is interposed between an element substrate in which a plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix and a counter substrate facing the element substrate. A step of forming the pixel electrode on the element substrate; and a step of forming an alignment film for aligning the liquid crystal on the pixel electrode; The alignment film is formed such that the film thickness of the alignment film on the basis of the pixel electrode surface is larger than the film thickness of the alignment film on the pixel electrode based on the pixel electrode surface. It is characterized by doing. In the step of forming the alignment film, the alignment film is formed by laminating a first layer and a second layer, and the first layer is formed between the plurality of pixel electrodes and the pixel electrodes. The second layer is formed in a region between the plurality of pixel electrodes.

本発明の液晶装置の製造方法によれば、素子基板の画素電極間に2層に形成する配向膜の画素電極表面からの膜厚を、画素電極上に形成する配向膜の画素電極表面からの膜厚よりも厚く形成することにより、ラビング処理後の液晶の配向ムラの発生を防止することができ、液晶の配向を安定させることができる。   According to the manufacturing method of the liquid crystal device of the present invention, the film thickness from the surface of the pixel electrode of the alignment film formed in two layers between the pixel electrodes of the element substrate is changed from the surface of the pixel electrode of the alignment film formed on the pixel electrode. By forming the film thicker than the film thickness, the occurrence of uneven alignment of the liquid crystal after the rubbing treatment can be prevented, and the alignment of the liquid crystal can be stabilized.

また、画素電極上に形成する配向膜の画素電極表面からの膜厚を、素子基板の画素電極間に2層に形成する配向膜の画素電極表面からの膜厚よりも薄く形成することにより、画素電極の電圧降下を防止し、液晶装置のコントラストを向上させることができる。   Further, by forming the film thickness from the surface of the pixel electrode of the alignment film formed on the pixel electrode to be smaller than the film thickness from the surface of the pixel electrode of the alignment film formed in two layers between the pixel electrodes of the element substrate, The voltage drop of the pixel electrode can be prevented and the contrast of the liquid crystal device can be improved.

よって、液晶装置のコントラスト及び液晶の配向保持力を同時に向上することができる配向膜を、素子基板に形成する工程を有する液晶装置の製造方法を提供することができるという効果を有する。本発明に係わる液晶装置の製造方法は、画素電極がマトリクス状に複数配設された素子基板と、前記画素電極に対向する対向電極を有し前記素子基板に対向する対向基板との間に液晶を介在させた液晶装置の製造方法において、前記対向基板の前記素子基板の対向面上に、前記対向電極を形成する工程と、前記対向電極上に前記液晶を配向させる配向膜を形成する工程と、を有し前記配向膜を形成する工程において、前記対向基板の前記画素電極間に対向する領域上における前記配向膜の前記対向電極からの膜厚が、前記対向基板の前記画素電極に対向する領域上における前記配向膜の前記対向電極からの膜厚よりも厚くなるように前記配向膜を形成することを特徴とする。また、前記配向膜は第1層と第2層とを積層することで形成し、前記第1層を前記複数の画素電極及び画素電極間に対向する領域上に形成し、前記第2層を前記複数の画素電極間に対向する領域上に形成することを特徴とする。   Therefore, there is an effect that it is possible to provide a method for manufacturing a liquid crystal device including a step of forming an alignment film on the element substrate that can simultaneously improve the contrast of the liquid crystal device and the alignment holding power of the liquid crystal. The method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention includes a liquid crystal between an element substrate having a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix and a counter substrate having a counter electrode facing the pixel electrode and facing the element substrate. In the method of manufacturing a liquid crystal device with a substrate interposed therebetween, a step of forming the counter electrode on the counter surface of the element substrate of the counter substrate, and a step of forming an alignment film for aligning the liquid crystal on the counter electrode; In the step of forming the alignment film, the film thickness from the counter electrode of the alignment film on the region facing the pixel electrode of the counter substrate is opposed to the pixel electrode of the counter substrate. The alignment film is formed so as to be thicker than the film thickness of the alignment film on the region from the counter electrode. The alignment film is formed by stacking a first layer and a second layer, the first layer is formed on a region facing the plurality of pixel electrodes and the pixel electrodes, and the second layer is formed. It is characterized by being formed on a region facing between the plurality of pixel electrodes.

本発明の液晶装置の製造方法によれば、素子基板に対向する基板の素子基板の画素電極間に対向する領域上に2層に形成する配向膜の対向電極からの膜厚を、素子基板に対向する基板の画素電極に対向する領域上に形成された配向膜の対向電極からの膜厚よりも厚く形成することにより、ラビング処理後の液晶の配向ムラの発生を防止することができ、液晶の配向を安定させることができる。   According to the method for manufacturing a liquid crystal device of the present invention, the film thickness from the counter electrode of the alignment film formed in two layers on the area facing the pixel electrode of the element substrate of the substrate facing the element substrate is set on the element substrate. By forming the alignment film formed on a region facing the pixel electrode on the opposite substrate to be thicker than the counter electrode, it is possible to prevent occurrence of uneven alignment of the liquid crystal after the rubbing process. Can be stabilized.

また、素子基板に対向する基板の画素電極に対向する領域上に形成する配向膜の対向電極からの膜厚を、素子基板に対向する基板の素子基板の画素電極間に対向する領域上に形成する配向膜の対向電極からの膜厚よりも薄く形成することにより、画素電極の電圧降下を防止し、液晶装置のコントラストを向上させることができる。   Further, the film thickness from the counter electrode of the alignment film formed on the region facing the pixel electrode of the substrate facing the element substrate is formed on the region facing the pixel electrode of the element substrate of the substrate facing the element substrate. By forming the alignment film to be thinner than the counter electrode, the voltage drop of the pixel electrode can be prevented and the contrast of the liquid crystal device can be improved.

よって、液晶装置のコントラスト及び液晶の配向保持力を同時に向上することができる配向膜を、素子基板に対向する基板に形成する工程を有する液晶装置の製造方法を提供することができる。   Therefore, it is possible to provide a method for manufacturing a liquid crystal device, which includes a step of forming an alignment film on the substrate facing the element substrate, which can simultaneously improve the contrast of the liquid crystal device and the alignment holding power of the liquid crystal.

さらに、前記配向膜は、液滴吐出手段により形成することを特徴とする。   Further, the alignment film is formed by a droplet discharge means.

本発明の液晶装置の製造方法によれば、配向膜を、インクジェットと同等の構成を有する液滴吐出手段により形成することにより、精度良く、画素電極間、または画素電極間に対向する領域に形成することができる。   According to the method for manufacturing a liquid crystal device of the present invention, the alignment film is formed in a region between the pixel electrodes or in a region facing between the pixel electrodes with high accuracy by forming the alignment film by the droplet discharge means having the same configuration as the ink jet. can do.

以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、本実施の形態では、液晶装置は、例えばTFT(薄膜トランジスタ)等のアクティブ素子(スイッチング素子)が形成された素子基板(以下、TFT基板と称す)及び該TFT基板に対向配置される基板(以下、対向基板と称す)を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を例に挙げて説明する。また、TFT基板は、液晶層と接する表面が、画素電極を除いて平坦化された、所謂平坦化構造を有するTFT基板を例に挙げて説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In this embodiment, the liquid crystal device includes an element substrate (hereinafter referred to as a TFT substrate) on which an active element (switching element) such as a TFT (thin film transistor) is formed, and a substrate ( Hereinafter, an active matrix liquid crystal device using a counter substrate) will be described as an example. The TFT substrate will be described by taking as an example a TFT substrate having a so-called flattened structure in which the surface in contact with the liquid crystal layer is flattened except for the pixel electrode.

図1は、本発明の一実施の形態を示す液晶装置の構成の概略を示す断面図、図2は、図1のTFT基板の平面図、図3は図1のTFT基板上の画素を構成する素子の等価回路を示す図である。   1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a liquid crystal device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of the TFT substrate of FIG. 1, and FIG. 3 is a pixel configuration on the TFT substrate of FIG. It is a figure which shows the equivalent circuit of the element to perform.

図1に示すように、液晶装置1は、第1の基板であるTFT基板9とそれに対向して設けられる第2の基板である対向基板8との間に液晶50を封入して構成される。また、図2に示すように、TFT基板9の対向基板8の対向面である表面9f上であって、表示領域となる画素領域9gに、画素を構成する、例えば高さ方向に100nmの厚さを有する第1の電極である画素電極9aが、該画素電極9aの表面9afが、TFT基板9の表面9fより高く位置するよう(図4参照)、マトリクス状に複数配置されている。   As shown in FIG. 1, the liquid crystal device 1 is configured by enclosing a liquid crystal 50 between a TFT substrate 9 which is a first substrate and a counter substrate 8 which is a second substrate provided facing the TFT substrate 9. . Further, as shown in FIG. 2, a pixel is formed in a pixel region 9g that is a display region on the surface 9f that is the opposite surface of the counter substrate 8 of the TFT substrate 9, and has a thickness of, for example, 100 nm in the height direction. A plurality of pixel electrodes 9a which are first electrodes having a thickness are arranged in a matrix so that the surface 9af of the pixel electrode 9a is positioned higher than the surface 9f of the TFT substrate 9 (see FIG. 4).

詳しくは、図3に示すように、画素領域9gにおいては、複数本の走査線3aと複数本のデータ線6aとが交差するように配線され、走査線3aとデータ線6aとで区画された領域に画素電極9aがマトリクス状に複数配置される。そして、走査線3aとデータ線6aとの各交差部分に対応してTFT30が設けられ、このTFT30に画素電極9aが接続される。   Specifically, as shown in FIG. 3, in the pixel region 9g, a plurality of scanning lines 3a and a plurality of data lines 6a are wired so as to intersect with each other, and are divided by the scanning lines 3a and the data lines 6a. A plurality of pixel electrodes 9a are arranged in a matrix in the region. A TFT 30 is provided corresponding to each intersection of the scanning line 3 a and the data line 6 a, and the pixel electrode 9 a is connected to the TFT 30.

TFT30は走査線3aのON信号によってオンとなり、これにより、データ線6aに供給された画像信号が画素電極9aに供給される。この画素電極9aと対向基板8のTFT基板9の対向面8f全面に設けられた後述する対向電極8a(図1参照)との間の電圧が液晶50に印加される。   The TFT 30 is turned on by the ON signal of the scanning line 3a, whereby the image signal supplied to the data line 6a is supplied to the pixel electrode 9a. A voltage between the pixel electrode 9a and a counter electrode 8a (see FIG. 1), which will be described later, provided on the entire counter surface 8f of the TFT substrate 9 of the counter substrate 8 is applied to the liquid crystal 50.

また、画素電極9aと並列に蓄積容量70が設けられており、蓄積容量70によって、画素電極9aの電圧はソース電圧が印加された時間よりも、例えば3桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量70によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。   In addition, a storage capacitor 70 is provided in parallel with the pixel electrode 9a, and the storage capacitor 70 makes it possible to hold the voltage of the pixel electrode 9a for a time that is, for example, three orders of magnitude longer than the time when the source voltage is applied. . The storage capacitor 70 improves the voltage holding characteristic and enables image display with a high contrast ratio.

対向基板8のTFT基板9の対向面である表面8fに、画素電極9aに対向する電極である第2の電極である対向電極8aが全面に配置されている。よって、TFT基板9及び対向基板8間に封止した液晶50の光学特性を画像信号に応じて変化させることにより、液晶装置1は画像表示を可能としている。   A counter electrode 8a, which is a second electrode, which is an electrode facing the pixel electrode 9a, is disposed on the entire surface 8f of the counter substrate 8, which is the opposing surface of the TFT substrate 9. Therefore, the liquid crystal device 1 can display an image by changing the optical characteristics of the liquid crystal 50 sealed between the TFT substrate 9 and the counter substrate 8 according to the image signal.

TFT基板9の画素電極9aが配置された液晶50と接する面上に、液晶分子をTFT基板面に沿って配向させるためのラビング処理が施された配向膜9hが形成されている。   On the surface of the TFT substrate 9 that is in contact with the liquid crystal 50 on which the pixel electrode 9a is disposed, an alignment film 9h that has been subjected to a rubbing process for aligning liquid crystal molecules along the TFT substrate surface is formed.

図4に、図2中のIV−IV線に沿う概略断面図、図5に、図4の部分拡大断面図を示すが、同図に示すように、TFT基板9の画素電極9a上及び画素電極9a間上に、配向膜9hが形成されている。詳しくは、画素電極9a上に、該画素電極9aの表面9afからの膜厚が、例えば30nmの膜厚となるよう、第1の配向膜9h1が形成されている。尚、第1の配向膜9h1の膜厚は、30nmに限定されないことは勿論である。よって、画素電極9a上の配向膜9hは、第1の配向膜9h1による1層から構成されている。   4 is a schematic cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 2, and FIG. 5 is a partially enlarged cross-sectional view of FIG. 4, as shown in FIG. An alignment film 9h is formed between the electrodes 9a. Specifically, the first alignment film 9h1 is formed on the pixel electrode 9a so that the film thickness from the surface 9af of the pixel electrode 9a is, for example, 30 nm. Of course, the thickness of the first alignment film 9h1 is not limited to 30 nm. Therefore, the alignment film 9h on the pixel electrode 9a is composed of one layer of the first alignment film 9h1.

また、画素電極9a間にも、例えば30nmの厚さとなるよう、第1の配向膜9h1が形成されており、さらに、画素電極9a間の第1の配向膜9h1上に、第2の配向膜9h2が形成されている。尚、画素電極9a間に形成される配向膜9hは、上述したように、TFT基板9の表面9fにマトリクス状に形成される。   In addition, a first alignment film 9h1 is formed between the pixel electrodes 9a so as to have a thickness of, for example, 30 nm. Further, a second alignment film is formed on the first alignment film 9h1 between the pixel electrodes 9a. 9h2 is formed. The alignment film 9h formed between the pixel electrodes 9a is formed in a matrix on the surface 9f of the TFT substrate 9 as described above.

第2の配向膜9h2は、画素電極9aの表面9afからの膜厚が、例えば40nmとなるよう形成されている。即ち、画素電極9aの厚さが100nmであることから、110nmの膜厚となるよう第1の配向膜9h1上に第2の配向膜9h2が形成されている。   The second alignment film 9h2 is formed so that the film thickness from the surface 9af of the pixel electrode 9a is, for example, 40 nm. That is, since the pixel electrode 9a has a thickness of 100 nm, the second alignment film 9h2 is formed on the first alignment film 9h1 so as to have a thickness of 110 nm.

よって、画素電極9a間の配向膜9hは、第1の配向膜9h1と第2の配向膜9h2との2層から構成されており、画素電極9a上の配向膜9hよりも画素電極9aの表面9afからの膜厚が厚く形成されている。尚、第2の配向膜9h2の膜厚は、画素電極9aの表面9afからの膜厚が、第1の配向膜9h1より厚く形成されれば、110nmに限定されないことは勿論である。   Therefore, the alignment film 9h between the pixel electrodes 9a is composed of two layers of the first alignment film 9h1 and the second alignment film 9h2, and the surface of the pixel electrode 9a is more than the alignment film 9h on the pixel electrode 9a. The film thickness from 9af is formed thick. Of course, the film thickness of the second alignment film 9h2 is not limited to 110 nm as long as the film thickness from the surface 9af of the pixel electrode 9a is thicker than the first alignment film 9h1.

図1に戻って、対向基板8の共通電極30が配置された表面8f上に、液晶分子を対向基板面に沿って配向させるための配向膜8hが形成されている。さらに、対向基板8の配向膜8hには、例えばTFT基板9の配向膜9hに施されたラビング処理の方向と略直交する方向にラビング処理が施されている。尚、対向基板8へのラビング処理は、上述した手法に限定されない。   Returning to FIG. 1, an alignment film 8h for aligning liquid crystal molecules along the surface of the counter substrate is formed on the surface 8f of the counter substrate 8 on which the common electrode 30 is disposed. Further, the alignment film 8h of the counter substrate 8 is rubbed in a direction substantially orthogonal to the direction of the rubbing process applied to the alignment film 9h of the TFT substrate 9, for example. The rubbing process on the counter substrate 8 is not limited to the above-described method.

TFT基板9と対向基板8との間に、液晶50を封入するシール材41が形成されている。シール材41は、例えばTFT基板9の輪郭形状に略一致するように配置され、TFT基板9と対向基板8とを相互に固着する。また、TFT基板10のシール材41の外側の領域に、TFT基板10の一辺に沿って外部端子電極61設けられている。   A sealing material 41 that encloses the liquid crystal 50 is formed between the TFT substrate 9 and the counter substrate 8. The sealing material 41 is disposed, for example, so as to substantially match the contour shape of the TFT substrate 9, and fixes the TFT substrate 9 and the counter substrate 8 to each other. An external terminal electrode 61 is provided along one side of the TFT substrate 10 in a region outside the sealing material 41 of the TFT substrate 10.

次に、このように構成された液晶装置1の製造方法について、詳しくは、TFT基板9の表面9fへの配向膜9hの形成方法について、図6を用いて説明する。図6は、本実施の形態を示す液晶装置の製造方法を示すフローチャートである。   Next, a method for manufacturing the liquid crystal device 1 configured as described above will be described in detail with reference to FIG. 6 with respect to a method for forming the alignment film 9h on the surface 9f of the TFT substrate 9. FIG. 6 is a flowchart showing a method for manufacturing the liquid crystal device according to the present embodiment.

同図に示すように、先ずステップS1において、画素電極9a及びTFT30等が形成されたTFT基板9を配向膜形成装置にセットする。その後、ステップS2において、TFT基板9の画素電極9a上及び画素電極9a間、即ち全面に、例えば画素電極9aの表面9afからの膜厚が30nmとなるよう、第1の配向膜9h1(図4参照)が、例えばスピンコータにより形成される。その後、ステップS3に移行する。   As shown in the figure, first, in step S1, the TFT substrate 9 on which the pixel electrode 9a, the TFT 30, and the like are formed is set in an alignment film forming apparatus. Thereafter, in step S2, the first alignment film 9h1 (FIG. 4) is formed so that the film thickness from the surface 9af of the pixel electrode 9a is, for example, 30 nm on the entire surface of the TFT substrate 9 and between the pixel electrodes 9a. For example) by a spin coater. Thereafter, the process proceeds to step S3.

ステップS3では、第1の配向膜9h1が、例えば室温で仮乾燥される。次いでステップS4では、TFT基板9の画素電極9a間であって、第1の配向膜9h1上に、第2の配向膜9h2が、インクジェットと同等の構成を有する液滴吐出手段、印刷等によりマトリクス状に形成される。このことにより、精度よく第2の配向膜9h2を形成することができる。   In step S3, the first alignment film 9h1 is temporarily dried, for example, at room temperature. Next, in step S4, between the pixel electrodes 9a of the TFT substrate 9 and on the first alignment film 9h1, the second alignment film 9h2 is formed into a matrix by droplet discharge means having the same configuration as the ink jet, printing, or the like. It is formed in a shape. As a result, the second alignment film 9h2 can be formed with high accuracy.

第2の配向膜9h2は、画素電極9aの表面9afからの膜厚が、例えば40nmとなるよう、即ち、画素電極9aの厚さが100nmであることから、110nmの膜厚となるよう第1の配向膜9h1上に形成される。   The second alignment film 9h2 is formed so that the film thickness from the surface 9af of the pixel electrode 9a is, for example, 40 nm, that is, since the pixel electrode 9a has a thickness of 100 nm, the first alignment film 9h2 has a film thickness of 110 nm. Is formed on the alignment film 9h1.

よって、画素電極9a間上の配向膜9hは、第1の配向膜9h1と第2の配向膜9h2との2層から形成され、画素電極9a上の配向膜9hよりも画素電極9aの表面9afからの膜厚が厚く形成される。その後、ステップS5に移行する。   Therefore, the alignment film 9h between the pixel electrodes 9a is formed of two layers of the first alignment film 9h1 and the second alignment film 9h2, and the surface 9af of the pixel electrode 9a is more than the alignment film 9h on the pixel electrode 9a. Is formed thick. Thereafter, the process proceeds to step S5.

最後にステップS5では、TFT基板9を焼成炉に投入し、画素電極9a及び画素電極9a間上に形成された配向膜9hを本硬化させる。その後、配向膜9hに液晶50の分子をTFT基板面に沿って配向させるためのラビング処理が施され、本工程は終了する。このようにして、液晶装置1に用いるTFT基板9の表面9fに、配向膜9hは形成される。   Finally, in step S5, the TFT substrate 9 is put into a baking furnace, and the alignment film 9h formed between the pixel electrode 9a and the pixel electrode 9a is fully cured. Thereafter, a rubbing treatment for aligning the molecules of the liquid crystal 50 along the TFT substrate surface is performed on the alignment film 9h, and this process is completed. In this way, the alignment film 9h is formed on the surface 9f of the TFT substrate 9 used in the liquid crystal device 1.

このように、本実施の形態を示す液晶装置においては、該液晶装置1を構成するTFT基板9のTFT基板9の画素電極9a間に形成された、第1の配向膜9h1、第2の配向膜9h2の2層から構成された配向膜9hの画素電極表面9afからの膜厚は、画素電極9aに形成された第1の配向膜9h1の1層より構成された配向膜9hの画素電極表面9afからの膜厚よりも厚く形成されていると示した。   As described above, in the liquid crystal device showing the present embodiment, the first alignment film 9h1 and the second alignment film formed between the pixel electrodes 9a of the TFT substrate 9 of the TFT substrate 9 constituting the liquid crystal device 1. The film thickness from the pixel electrode surface 9af of the alignment film 9h composed of two layers of the film 9h2 is the pixel electrode surface of the alignment film 9h composed of one layer of the first alignment film 9h1 formed on the pixel electrode 9a. It was shown that it was formed thicker than the film thickness from 9af.

このことにより、画素電極9a間上に形成された配向膜9間において、液晶50に対する配向保持力が強くなるため、ラビング処理後の液晶50の配向ムラの発生を防止することができ、液晶50の配向を安定させることができることから表示品質を向上させることができる。   As a result, the alignment holding force with respect to the liquid crystal 50 is increased between the alignment films 9 formed between the pixel electrodes 9a, so that the occurrence of uneven alignment of the liquid crystal 50 after the rubbing treatment can be prevented. The display quality can be improved since the orientation of the film can be stabilized.

また、画素電極9a上に形成された配向膜9hの画素電極表面9afからの膜厚は、TFT基板9の画素電極間に2層に形成された配向膜9hの画素電極表面9afからの膜厚よりも薄く形成されていることにより、画素電極9aの電圧降下を防止し、液晶装置1のコントラストを向上させることができる。   The film thickness from the pixel electrode surface 9af of the alignment film 9h formed on the pixel electrode 9a is the film thickness from the pixel electrode surface 9af of the alignment film 9h formed in two layers between the pixel electrodes of the TFT substrate 9. By forming it thinner than that, the voltage drop of the pixel electrode 9a can be prevented and the contrast of the liquid crystal device 1 can be improved.

よって、液晶装置1のコントラスト及び液晶50の配向保持力を同時に向上することができる配向膜9hが形成されたTFT基板9を有する液晶装置1及び液晶装置1の製造方法を提供することができる。   Therefore, it is possible to provide the liquid crystal device 1 having the TFT substrate 9 on which the alignment film 9h on which the contrast of the liquid crystal device 1 and the alignment holding power of the liquid crystal 50 can be improved at the same time are formed, and a method for manufacturing the liquid crystal device 1.

以下、変形例を示す。本実施の形態においては、TFT基板9は、液晶層と接する表面が、画素電極9aを除いて平坦化された、所謂平坦化構造を有するTFT基板9を例に挙げて説明したが、これに限らず、画素電極9a間において、走査線3a及びデータ線6a等から構成された配線部が、基板表面9fから突出したTFT基板9に適用しても、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。   Hereinafter, a modification is shown. In the present embodiment, the TFT substrate 9 has been described by taking as an example the TFT substrate 9 having a so-called flattened structure in which the surface in contact with the liquid crystal layer is flattened except for the pixel electrode 9a. The present invention is not limited, and the same effect as in the present embodiment can be obtained even when the wiring portion constituted by the scanning lines 3a and the data lines 6a between the pixel electrodes 9a is applied to the TFT substrate 9 protruding from the substrate surface 9f. be able to.

詳しくは、図7に、表面が平坦化されていないTFT基板に配向膜を形成した図4の断面図の変形例を示すが、同図に示すように、画素電極9a間に、走査線3a及びデータ線6a等から構成された配線部160が基板表面9fから突出して配設されていたとしても、画素電極9a及び配線部160上に第1の配向膜9h1を形成し、該第1の配向膜9h1上に第2の配向膜9h2を形成すれば、本実施の形態と同様の効果を得ることが出来る。   Specifically, FIG. 7 shows a modification of the cross-sectional view of FIG. 4 in which an alignment film is formed on a TFT substrate whose surface is not flattened. As shown in FIG. 7, a scanning line 3a is interposed between pixel electrodes 9a. Even if the wiring portion 160 composed of the data line 6a and the like is provided so as to protrude from the substrate surface 9f, the first alignment film 9h1 is formed on the pixel electrode 9a and the wiring portion 160, and the first alignment film 9h1 is formed. If the second alignment film 9h2 is formed on the alignment film 9h1, the same effect as this embodiment can be obtained.

また、以下、別の変形例を示す。本実施の形態においては、第1の配向膜9h1を塗布した後、画素電極9a間上に第2の配向膜9h2を塗布すると示した。これに限らず、画素電極9a間上に第1の配向膜及び第2の配向膜9h2を2層に形成した後、画素電極9a上に第1の配向膜9h1を塗布しても本実施の形態と同様の効果を得ることができる。   Hereinafter, another modification will be described. In the present embodiment, the first alignment film 9h1 is applied and then the second alignment film 9h2 is applied between the pixel electrodes 9a. The present embodiment is not limited to this, and the first alignment film and the second alignment film 9h2 are formed in two layers between the pixel electrodes 9a, and then the first alignment film 9h1 is applied on the pixel electrode 9a. The same effect as the form can be obtained.

さらに、以下、別の変形例を示す。本実施の形態においては、液晶装置1を構成するTFT基板9のTFT基板9の画素電極9a間上に形成された、第1の配向膜9h1、第2の配向膜9h2の2層から構成された配向膜9hの画素電極表面9afからの膜厚は、画素電極9aに形成された第1の配向膜9h1の1層より構成された配向膜9hの画素電極表面9afからの膜厚よりも厚く形成されていることにより、液晶装置1のコントラスト及び液晶50の配向保持力を同時に向上させると示した。   Furthermore, another modification will be described below. In the present embodiment, the TFT substrate 9 constituting the liquid crystal device 1 is composed of two layers of a first alignment film 9h1 and a second alignment film 9h2 formed between the pixel electrodes 9a of the TFT substrate 9. The film thickness of the alignment film 9h from the pixel electrode surface 9af is larger than the film thickness of the alignment film 9h composed of one layer of the first alignment film 9h1 formed on the pixel electrode 9a from the pixel electrode surface 9af. It was shown that the contrast of the liquid crystal device 1 and the alignment holding power of the liquid crystal 50 are simultaneously improved by being formed.

これに限らず、TFT基板9に形成される配向膜9hの膜厚を一定として、TFT基板9に対向配置される対向基板8に形成される配向膜8hの膜厚を部分的に可変させてもよい。   Not limited to this, the film thickness of the alignment film 9h formed on the TFT substrate 9 is constant, and the film thickness of the alignment film 8h formed on the counter substrate 8 disposed to face the TFT substrate 9 is partially varied. Also good.

詳しくは、図8に、対向基板に膜厚が不均一な配向膜を形成する図4の断面図の変形例を示すが、同図に示すように、対向基板8の対向面である表面8fに形成された対向電極8a上であって、TFT基板9の画素電極9aに対向する領域8ag及びTFT基板9の画素電極9a間に対向する領域8at上に、対向電極8aの表面8afからの膜厚が、例えば30nmの膜厚となるよう、第1の配向膜8h1が形成されている。尚、第1の配向膜8h1の膜厚は、30nmに限定されないことは勿論である。   Specifically, FIG. 8 shows a modification of the cross-sectional view of FIG. 4 in which an alignment film having a non-uniform film thickness is formed on the counter substrate. As shown in FIG. 8, the surface 8f that is the counter surface of the counter substrate 8 is shown. The film from the surface 8af of the counter electrode 8a is formed on the counter electrode 8a formed on the TFT substrate 9, on the region 8ag facing the pixel electrode 9a of the TFT substrate 9 and on the region 8at facing between the pixel electrodes 9a of the TFT substrate 9. The first alignment film 8h1 is formed so that the thickness is, for example, 30 nm. Of course, the thickness of the first alignment film 8h1 is not limited to 30 nm.

また、対向領域8atの第1の配向膜8h1上に、第2の配向膜8h2が形成されている。尚、対向領域8at上に形成される配向膜8hは、上述したTFT基板9同様、対向基板8の対向電極8a上にマトリクス状に形成される。   A second alignment film 8h2 is formed on the first alignment film 8h1 in the counter region 8at. Note that the alignment film 8h formed on the counter region 8at is formed in a matrix on the counter electrode 8a of the counter substrate 8, like the TFT substrate 9 described above.

第2の配向膜8h2は、対向電極8aの表面8afからの膜厚が、例えば40nmとなるよう形成されている。即ち、10nmの膜厚となるよう第1の配向膜8h1上に形成されている。   The second alignment film 8h2 is formed so that the film thickness from the surface 8af of the counter electrode 8a is, for example, 40 nm. That is, it is formed on the first alignment film 8h1 so as to have a thickness of 10 nm.

よって、対向領域8at上の配向膜8hは、第1の配向膜8h1と第2の配向膜8h2との2層から構成されており、対向領域8ag上の配向膜8hよりも対向電極8aの表面8afからの膜厚が厚く形成されている。尚、第2の配向膜8h2の膜厚も、対向電極8aの表面8afからの膜厚が、第1の配向膜8h1より厚く形成されれば、10nmに限定されないことは勿論である。   Therefore, the alignment film 8h on the counter region 8at is composed of two layers of the first alignment film 8h1 and the second alignment film 8h2, and the surface of the counter electrode 8a is more than the alignment film 8h on the counter region 8ag. The film thickness from 8af is formed thick. Of course, the thickness of the second alignment film 8h2 is not limited to 10 nm as long as the film thickness from the surface 8af of the counter electrode 8a is thicker than that of the first alignment film 8h1.

次に、このように構成された液晶装置1の製造方法について、詳しくは、対向基板8への配向膜8hの形成方法について、図9を用いて説明する。図9は、本実施の形態を示す液晶装置の製造方法の変形例を示すフローチャートである。   Next, in detail, a method for manufacturing the liquid crystal device 1 configured as described above will be described with reference to FIG. 9 regarding a method for forming the alignment film 8 h on the counter substrate 8. FIG. 9 is a flowchart showing a modification of the method for manufacturing the liquid crystal device according to the present embodiment.

同図に示すように、先ずステップS11において、対向電極8a等が形成された対向基板8を配向膜形成装置にセットする。その後、ステップS12において、対向基板8の対向電極8a上であって、対向領域8ag及び対向領域8at上、即ち全面に、例えば対向電極8aの表面8afからの膜厚が30nmとなるよう、第1の配向膜8h1(図8参照)が、例えばスピンコータにより形成される。その後、ステップS13に移行する。   As shown in the figure, first, in step S11, the counter substrate 8 on which the counter electrode 8a and the like are formed is set in an alignment film forming apparatus. Thereafter, in step S12, the first electrode is formed on the counter electrode 8a of the counter substrate 8, on the counter region 8ag and the counter region 8at, that is, on the entire surface, for example, to have a film thickness of 30 nm from the surface 8af of the counter electrode 8a. The alignment film 8h1 (see FIG. 8) is formed by, for example, a spin coater. Thereafter, the process proceeds to step S13.

ステップS13では、第1の配向膜8h1が、例えば室温で仮乾燥される。次いでステップS14では、対向領域8atであって、第1の配向膜8h1上に、第2の配向膜8h2が、インクジェットと同等の構成を有する液滴吐出手段、印刷等によりマトリクス状に形成される。   In step S13, the first alignment film 8h1 is temporarily dried, for example, at room temperature. Next, in step S14, the second alignment film 8h2 is formed in a matrix shape on the first alignment film 8h1 in a counter region 8at by droplet discharge means, printing, or the like having the same configuration as the ink jet. .

第2の配向膜8h2は、対向電極8aの表面8afからの膜厚が、例えば40nmとなるよう、即ち、10nmの膜厚となるよう第1の配向膜8h1上に形成される。   The second alignment film 8h2 is formed on the first alignment film 8h1 so that the film thickness from the surface 8af of the counter electrode 8a is, for example, 40 nm, that is, 10 nm.

よって、対向領域8at上の配向膜8hは、第1の配向膜8h1と第2の配向膜8h2との2層から形成され、対向領域8ag上の配向膜8hよりも対向電極8aの表面8afからの膜厚が厚く形成される。その後、ステップS15に移行する。   Therefore, the alignment film 8h on the counter region 8at is formed of two layers of the first alignment film 8h1 and the second alignment film 8h2, and from the surface 8af of the counter electrode 8a rather than the alignment film 8h on the counter region 8ag. Is formed thick. Thereafter, the process proceeds to step S15.

最後にステップS15では、対向基板8を焼成炉に投入し、対向領域8ag及び対向領域8at上に形成された配向膜8hを本硬化させる。その後、配向膜8hに液晶50の分子を対向基板面に沿って配向させるためのラビング処理が施され、本工程は終了する。   Finally, in step S15, the counter substrate 8 is put into a baking furnace, and the alignment film 8h formed on the counter region 8ag and the counter region 8at is fully cured. Thereafter, a rubbing process for aligning the molecules of the liquid crystal 50 along the counter substrate surface is performed on the alignment film 8h, and this process is completed.

このように、対向基板8側に、膜厚が部分的に異なる配向膜8hを形成しても、対向領域8at上に形成された配向膜8h間において、液晶50に対する配向保持力が強くなるため、ラビング処理後の液晶50の配向ムラの発生を防止することができ、液晶50の配向を安定させることができ、表示品質を向上させることができる。   Thus, even if the alignment film 8h having a partially different film thickness is formed on the counter substrate 8 side, the alignment retention force for the liquid crystal 50 is increased between the alignment films 8h formed on the counter region 8at. The occurrence of uneven alignment of the liquid crystal 50 after the rubbing treatment can be prevented, the alignment of the liquid crystal 50 can be stabilized, and the display quality can be improved.

また、対向領域8ag上に形成された配向膜8hの共通電極表面8afからの膜厚は、対向領域8at上に2層に形成された配向膜8hの共通電極表面8afからの膜厚よりも薄く形成されていることにより、TFT基板9の画素電極9aの電圧降下を防止し、液晶装置1のコントラストを向上させることができる。   The film thickness from the common electrode surface 8af of the alignment film 8h formed on the counter region 8ag is thinner than the film thickness from the common electrode surface 8af of the alignment film 8h formed in two layers on the counter region 8at. By being formed, the voltage drop of the pixel electrode 9a of the TFT substrate 9 can be prevented, and the contrast of the liquid crystal device 1 can be improved.

よって、液晶装置1のコントラスト及び液晶50の配向保持力を同時に向上することができる配向膜8hが形成された対向基板8を有する液晶装置1及び液晶装置1の製造方法を提供することができる。   Therefore, it is possible to provide the liquid crystal device 1 having the counter substrate 8 formed with the alignment film 8h on which the contrast of the liquid crystal device 1 and the alignment holding power of the liquid crystal 50 can be improved at the same time, and a method for manufacturing the liquid crystal device 1.

また、以下、変形例を示す。本実施の形態においては、第1の配向膜8h1を塗布した後、対向領域8at上に第2の配向膜8h2を塗布すると示した。これに限らず、対向領域8at上に第1の配向膜8h1及び第2の配向膜8h2を2層に形成した後、対向領域8ag上に第1の配向膜8h1を塗布しても本実施の形態と同様の効果を得ることができる。   Further, modifications will be shown below. In the present embodiment, it is shown that after the first alignment film 8h1 is applied, the second alignment film 8h2 is applied over the opposing region 8at. The present embodiment is not limited to this, and the first alignment film 8h1 and the second alignment film 8h2 are formed in two layers on the counter region 8at, and then the first alignment film 8h1 is applied on the counter region 8ag. The same effect as the form can be obtained.

さらに、以下、変形例を示す。対向基板8に形成される配向膜8hの膜厚を部分的に可変させた場合、TFT基板9に形成される配向膜9hの膜厚は一定でなくとも良い。具体的には、上述したように、画素電極間上の配向膜9hを画素電極上の配向膜9hよりも厚く形成しても良い。   Furthermore, modifications will be shown below. When the film thickness of the alignment film 8h formed on the counter substrate 8 is partially changed, the film thickness of the alignment film 9h formed on the TFT substrate 9 may not be constant. Specifically, as described above, the alignment film 9h between the pixel electrodes may be formed thicker than the alignment film 9h on the pixel electrode.

このように、製造された液晶装置1は、例えば電子機器である光投写型表示装置、具体的には、プロジェクタ1100等に用いられる。
図10に示すように、プロジェクタ1100に、液晶装置1は、各々RGB用のライトバルブとして、例えば3つ(1R,1G,1B)配設されている。
Thus, the manufactured liquid crystal device 1 is used for, for example, a light projection display device that is an electronic device, specifically, a projector 1100 or the like.
As shown in FIG. 10, the projector 1100 includes, for example, three (1R, 1G, 1B) liquid crystal devices 1 as RGB light valves.

プロジェクタ1100では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット1102から投写光が発せされると、3枚のミラー1106及び2枚のダイクロイックミラー1108によって、RGBの3原色に対応する光成分R、G、Bに分けられ、各色に対応するライトバルブ1R,1G,1Bに各々導かれる。   In the projector 1100, when projection light is emitted from a lamp unit 1102 of a white light source such as a metal halide lamp, light components R, G, and R corresponding to the three primary colors of RGB are obtained by three mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108. It is divided into B and led to the light valves 1R, 1G, 1B corresponding to the respective colors.

この際、特にB光は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ1122、リレーレンズ1123及び出射レンズ1124からなるリレーレンズ系1121を介して導かれる。   At this time, in particular, the B light is guided through a relay lens system 1121 including an incident lens 1122, a relay lens 1123, and an exit lens 1124 in order to prevent light loss due to a long optical path.

そして、ライトバルブ1R,1G,1Bにより各々変調された3原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム1112により再度合成された後、投写レンズ1114を介してスクリーン1120にカラー画像として投写される。 The light components corresponding to the three primary colors modulated by the light valves 1R, 1G, and 1B are synthesized again by the dichroic prism 1112 and then projected as a color image on the screen 1120 via the projection lens 1114.

さらに、本発明の液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、TFT(薄膜トランジスタ)等のアクティブ素子(能動素子)を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、TFD(薄膜ダイオード)等のアクティブ素子(能動素子)を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールにも適用することができる。   Further, the liquid crystal device of the present invention is not limited to the illustrated examples described above, and it is needless to say that various changes can be made without departing from the scope of the present invention. For example, the above-described liquid crystal device has been described by taking an active matrix type liquid crystal display module using an active element (active element) such as a TFT (thin film transistor) as an example. The present invention can also be applied to an active matrix liquid crystal display module using active elements (active elements).

また、アクティブマトリクス方式の液晶装置に限らず、パッシブ方式の液晶装置にも本発明を適用することができる。   Further, the present invention can be applied not only to an active matrix liquid crystal device but also to a passive liquid crystal device.

さらに、本発明に係る液晶装置が用いられる電子機器としては、プロジェクタ等の光投写型表示装置や、携帯電話機、PDA(Personal Digital Assistants)と呼ばれる携帯型情報機器や携帯型パーソナルコンピュータ、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、POS端末機等、電気光学装置である液晶表示モジュールを用いる機器が挙げられる。したがって、これらの電子機器においても、本発明が適用可能であることはいうまでもない。   Furthermore, as an electronic device in which the liquid crystal device according to the present invention is used, an optical projection display device such as a projector, a mobile phone, a portable information device called PDA (Personal Digital Assistants), a portable personal computer, a personal computer, Digital still camera, in-vehicle monitor, digital video camera, LCD TV, viewfinder type, monitor direct-view type video tape recorder, car navigation device, pager, electronic notebook, calculator, word processor, workstation, video phone, POS terminal, etc. And an apparatus using a liquid crystal display module which is an electro-optical device. Therefore, it goes without saying that the present invention can also be applied to these electronic devices.

本発明の一実施の形態を示す液晶装置の構成の概略を示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating a configuration of a liquid crystal device according to an embodiment of the present invention. 図1のTFT基板の平面図。The top view of the TFT substrate of FIG. 図1のTFT基板上の画素を構成する素子の等価回路を示す図。FIG. 2 is a diagram showing an equivalent circuit of elements constituting pixels on the TFT substrate of FIG. 1. 図2中のIV−IV線に沿う概略断面図。The schematic sectional drawing which follows the IV-IV line | wire in FIG. 図4の部分拡大断面図。The partial expanded sectional view of FIG. 本実施の形態を示す液晶装置の製造方法を示すフローチャート。6 is a flowchart showing a method for manufacturing a liquid crystal device according to the present embodiment. 表面が平坦化されていないTFT基板に配向膜を形成した図4の変形例を示す断面図。Sectional drawing which shows the modification of FIG. 4 which formed the alignment film in the TFT substrate where the surface is not planarized. 対向基板に膜厚が部分的に異なる配向膜を形成する図4の変形例を示す断面図。Sectional drawing which shows the modification of FIG. 4 which forms the alignment film from which a film thickness partially differs in a counter substrate. 本実施の形態を示す液晶装置の製造方法の変形例を示すフローチャート。10 is a flowchart showing a modification of the method for manufacturing the liquid crystal device according to the present embodiment. 図1の液晶装置を用いた光投写型表示装置の構成の概略を示す図。FIG. 2 is a diagram showing an outline of a configuration of a light projection display device using the liquid crystal device of FIG. 1.

符号の説明Explanation of symbols

1…液晶装置、8…対向基板、8a…対向電極、8ag…画素電極に対向する領域、8at…画素電極間に対向する領域、8f…対向基板表面、8h…配向膜、8h1…第1の配向膜、8h2第2の配向膜、9…TFT基板、9a…画素電極、9af…画素電極表面、9f…TFT基板表面、9h…配向膜、9h1…第1の配向膜、9h2…第2の配向膜、50…液晶。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid crystal device, 8 ... Counter substrate, 8a ... Counter electrode, 8ag ... Area facing pixel electrode, 8at ... Area facing between pixel electrodes, 8f ... Opposite substrate surface, 8h ... Alignment film, 8h1 ... First Alignment film, 8h2 second alignment film, 9 ... TFT substrate, 9a ... pixel electrode, 9af ... pixel electrode surface, 9f ... TFT substrate surface, 9h ... alignment film, 9h1 ... first alignment film, 9h2 ... second Alignment film, 50 ... liquid crystal.

Claims (12)

複数の第1電極が配設された第1基板と、該第1基板に対向し、複数の第2電極が形成された第2基板との間に液晶を介在させた液晶装置において、
前記第1及び第2基板上において、前記第1及び第2電極の上層に、前記液晶を配向させる配向膜が形成されており、
前記第1基板において前記複数の第1電極同士の間の領域上に形成された前記配向膜の前記第1電極表面を基準とした膜厚は、前記第1電極上に形成された前記配向膜の前記第1電極表面を基準とした膜厚よりも厚く形成されていることを特徴とする液晶装置。
In a liquid crystal device in which a liquid crystal is interposed between a first substrate on which a plurality of first electrodes are disposed and a second substrate facing the first substrate and on which a plurality of second electrodes are formed,
An alignment film for aligning the liquid crystal is formed on the first and second electrodes on the first and second substrates,
The alignment film formed on the first electrode has a thickness based on the surface of the first electrode of the alignment film formed on a region between the plurality of first electrodes on the first substrate. The liquid crystal device is characterized in that it is formed thicker than the thickness of the first electrode surface.
前記第1基板は、互いに交差する複数の走査線及びデータ線と、該走査線及びデータ線の交差に対応してそれぞれ設けられた複数のスイッチング素子とを有する素子基板で、
前記第1電極は前記複数のスイッチング素子の各々に対応して設けられた画素電極であり、
前記第2基板は前記素子基板に対向する対向基板であり、前記第2電極は対向電極であることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
The first substrate is an element substrate having a plurality of scanning lines and data lines intersecting each other, and a plurality of switching elements respectively provided corresponding to the intersections of the scanning lines and data lines.
The first electrode is a pixel electrode provided corresponding to each of the plurality of switching elements;
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the second substrate is a counter substrate facing the element substrate, and the second electrode is a counter electrode.
前記素子基板の前記画素電極間に形成された配向膜は、2層から形成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 2, wherein the alignment film formed between the pixel electrodes of the element substrate is formed of two layers. 画素電極がマトリクス状に複数配設され、前記画素電極に対応して設けられたスイッチング素子を有する素子基板と、前記画素電極に対向する対向電極とを有し、前記素子基板に対向する対向基板との間に液晶を介在させた液晶装置において、
前記素子基板及び前記対向基板において、前記画素電極及び前記対向電極の前記液晶に面する側に、前記液晶を配向させる配向膜が形成されており、前記対向基板において前記画素電極間に対向する領域上に形成された前記配向膜の前記対向電極からの膜厚は、前記対向基板において前記画素電極に対向する領域上に形成された前記配向膜の前記対向電極からの膜厚よりも厚く形成されていることを特徴とする液晶装置。
A counter substrate having a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix and having a switching element provided corresponding to the pixel electrode, and a counter electrode facing the pixel electrode, and facing the element substrate In a liquid crystal device with a liquid crystal interposed between
In the element substrate and the counter substrate, an alignment film for aligning the liquid crystal is formed on a side of the pixel electrode and the counter electrode facing the liquid crystal, and a region facing the pixel electrode in the counter substrate The film thickness of the alignment film formed on the counter electrode is formed to be thicker than the film thickness of the alignment film formed on the counter substrate on the region facing the pixel electrode. A liquid crystal device.
前記素子基板において前記画素電極間の領域上に形成された前記配向膜の前記画素電極表面を基準とした膜厚は、前記画素電極上に形成された前記配向膜の前記画素電極表面を基準とした膜厚よりも厚く形成されていることを特徴とする請求項4に記載の液晶装置。   The film thickness of the alignment film formed on a region between the pixel electrodes on the element substrate with reference to the pixel electrode surface is based on the pixel electrode surface of the alignment film formed on the pixel electrode. The liquid crystal device according to claim 4, wherein the liquid crystal device is formed to be thicker than the film thickness. 前記対向基板の前記画素電極間に対向する領域上に形成された前記配向膜は、2層から形成されていることを特徴とする請求項4または5に記載の液晶装置。   6. The liquid crystal device according to claim 4, wherein the alignment film formed on a region facing the pixel electrode of the counter substrate is formed of two layers. 請求項1〜6のいずれかに記載の液晶装置を用いて構成したことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 1. 画素電極がマトリクス状に複数配設された素子基板と、該素子基板に対向する対向基板との間に液晶を介在させた液晶装置の製造方法において、
前記素子基板上に前記画素電極を形成する工程と、
前記画素電極上に前記液晶を配向させる配向膜を形成する工程と、
を有し
前記配向膜を形成する工程において、前記画素電極間の領域上での前記配向膜の前記画素電極表面を基準とした膜厚が、前記画素電極上での前記配向膜の前記画素電極表面を基準とした膜厚よりも厚くなるように前記配向膜を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
In a manufacturing method of a liquid crystal device in which liquid crystal is interposed between an element substrate in which a plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix and a counter substrate facing the element substrate,
Forming the pixel electrode on the element substrate;
Forming an alignment film for aligning the liquid crystal on the pixel electrode;
In the step of forming the alignment film, the pixel electrode of the alignment film on the pixel electrode has a thickness based on the surface of the pixel electrode of the alignment film on the region between the pixel electrodes. A method for manufacturing a liquid crystal device, comprising forming the alignment film so as to be thicker than a film thickness based on a surface.
前記配向膜を形成する工程において、
前記配向膜は第1層と第2層とを積層することで形成し、
前記第1層を前記複数の画素電極及び画素電極間上に形成し、前記第2層を前記複数の画素電極間上の領域に形成することを特徴とする請求項8に記載の液晶装置の製造方法。
In the step of forming the alignment film,
The alignment film is formed by laminating a first layer and a second layer,
The liquid crystal device according to claim 8, wherein the first layer is formed between the plurality of pixel electrodes and the pixel electrodes, and the second layer is formed in a region between the plurality of pixel electrodes. Production method.
画素電極がマトリクス状に複数配設された素子基板と、前記画素電極に対向する対向電極を有し前記素子基板に対向する対向基板との間に液晶を介在させた液晶装置の製造方法において、
前記対向基板の前記素子基板の対向面上に、前記対向電極を形成する工程と、
前記対向電極上に前記液晶を配向させる配向膜を形成する工程と、
を有し
前記配向膜を形成する工程において、前記対向基板の前記画素電極間に対向する領域上における前記配向膜の前記対向電極からの膜厚が、前記対向基板の前記画素電極に対向する領域上における前記配向膜の前記対向電極からの膜厚よりも厚くなるように前記配向膜を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
In a method of manufacturing a liquid crystal device in which a liquid crystal is interposed between an element substrate in which a plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix and a counter electrode facing the pixel electrode and having a counter electrode facing the element substrate,
Forming the counter electrode on a counter surface of the element substrate of the counter substrate;
Forming an alignment film for aligning the liquid crystal on the counter electrode;
In the step of forming the alignment film, a region where the film thickness from the counter electrode of the alignment film on the region facing the pixel electrode of the counter substrate is opposed to the pixel electrode of the counter substrate A method of manufacturing a liquid crystal device, wherein the alignment film is formed to be thicker than a film thickness of the alignment film from the counter electrode.
前記配向膜は第1層と第2層とを積層することで形成し、
前記第1層を前記複数の画素電極及び画素電極間に対向する領域上に形成し、前記第2層を前記複数の画素電極間に対向する領域上に形成することを特徴とする請求項10に記載の液晶装置。
The alignment film is formed by laminating a first layer and a second layer,
11. The first layer is formed on a region facing between the plurality of pixel electrodes and the pixel electrode, and the second layer is formed on a region facing between the plurality of pixel electrodes. The liquid crystal device according to 1.
前記配向膜は、液滴吐出手段により形成することを特徴とする請求項8または10に記載の液晶装置の製造方法。   The method of manufacturing a liquid crystal device according to claim 8, wherein the alignment film is formed by a droplet discharge unit.
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