JP2006074051A - 面発光レーザのための放射光を出射する半導体基体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】放射光を発生する活性層(4)と、電流阻止領域(12)および電流通過領域(13)を有する電流供給層(6)とを含む、垂直な放射方向を有する放射光を出射する半導体基体(1)において、半導体基体(1)が、外部共振器を備えた面発光レーザのために設けられており、外部共振器は、電流通過領域(13)とオーバーラップする所定の共振器ボリューム(14)を有している。
【選択図】図1
Description
第1の導電形の第1のクラッド層を成長させるステップ、
第2の導電形の電流供給層を成長させるステップ、
第1の導電形の第2のクラッド層を成長させるステップおよび
電流供給層の電流通過領域にドーピング材をドープし、電流通過領域が第1の導電形を有するようにしたステップによって形成されることによって解決される。
電流供給層6は第2の導電形を有する。したがって、垂直方向に見て隣接するクラッド層5及び7と共に、2つのpn接合部が逆方向で形成されており、これにより電流阻止領域12において垂直な電流の流れが防止される。
ないしMQW−multiple quantum well)として構成されている。一般に、そのような量子井戸構造は、障壁層間に配置されている1つ(SQW)又は複数(MQW)の量子井戸層を有している。例えば、量子井戸構造は、InGaP−、InGaAs−またはGaAs−量子井戸層および/またはAlInGaP−ないしAlGaAs−障壁層を含むことができる。さらに、個々の量子井戸間にスペーサ層を設けることができる。
InxAlyGa1-x-yP(0≦x≦1,0≦y≦1かつ0≦x+y≦1)、
InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1,0≦y≦1かつ0≦x+y≦1)、
InxAlyGa1-x-yAsuN1-u(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1かつ0≦u≦1)、
InxAlyGa1-x-yAsuP1-u(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1かつ0≦u≦1)、および/または
InxAlyGa1-x-yPuN1-u(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1かつ0≦u≦1)を含んでいてもよい。
2 サブストレート
3 ミラー層
4 活性層
5 第1のクラッド層
6 電流供給層
7 第2のクラッド層
8 放射光出射側
9,10 電気コンタクト
11 外部ミラー
12 電流阻止領域
13 電流通過領域
14 共振器ボリューム
Claims (15)
- 放射光を発生する活性層(4)と、電流阻止領域(12)および電流通過領域(13)を有する電流供給層(6)とを含む、垂直な放射方向を有する放射光を出射する半導体基体(1)において、
半導体基体(1)が、外部共振器を備えた面発光レーザのために設けられており、前記外部共振器は、前記電流通過領域(13)とオーバーラップする所定の共振器ボリューム(14)を有していることを特徴とする、放射光を出射する半導体基体(1)。 - 前記半導体基体(1)は、放射光出射側(8)および該放射光出射側に前もって与えられた放射光出射領域を有しており、該放射光出射領域外に電気コンタクト(9)が配置されていることを特徴とする、請求項1に記載の放射光を出射する半導体基体(1)。
- 前記電流阻止領域(12)は、垂直方向に、電気コンタクト(9)に後置されていることを特徴とする、請求項2に記載の放射光を出射する半導体基体(1)。
- 前記電流阻止領域(12)は、作動中に遮断する少なくとも1つのpn接合部を用いて形成されていることを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項記載の放射光を出射する半導体基体(1)。
- 前記電流供給層(6)は、第1の導電形の2つのクラッド層(5,7)の間に配置されており、前記電流阻止領域(12)において、第2の導電形を有することを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項記載の放射光を出射する半導体基体(1)。
- 前記電流供給層(6)は、前記電流通過領域(13)において、第1の導電形を有することを特徴とする、請求項5に記載の放射光を出射する半導体基体(1)。
- 前記電流供給層(6)は、前記電流通過領域(13)において、前記第1および第2の導電形のドーピング材でドーピングされていることを特徴とする、請求項6に記載の放射光を出射する半導体基体(1)。
- 前記半導体基体(1)のなかに、外部共振器を形成するためのミラー構造(3)が構成されていることを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項記載の放射光を出射する半導体基体(1)。
- 前記ミラー構造(3)はブラッグミラーであることを特徴とする、請求項8に記載の放射光を出射する半導体基体(1)。
- 前記外部共振器は湾曲した外部ミラー(11)を有していることを特徴とする、請求項1から9までのいずれか1項記載の放射光を出射する半導体基体(1)。
- 半導体レーザが、請求項1から10までのいずれか1項記載の放射光を出射する半導体基体(1)を含んでいることを特徴とする、外部共振器を備えた面発光半導体レーザ。
- 請求項1から10までのいずれか1項記載の放射光を出射する半導体基体(1)のための製造方法であって、次のステップを有する、すなわち
成長基板を準備作製するステップ、
活性層(4)をエピタキシャル成長させるステップおよび
電流供給層を形成するステップを有する、
製造方法において、
前記電流供給層が、次のステップによって形成される、すなわち
第1の導電形の第1のクラッド層(5)を成長させるステップ、
第2の導電形の電流供給層(6)を成長させるステップ、
第1の導電形の第2のクラッド層(7)を成長させるステップおよび
電流供給層(6)の電流通過領域(13)にドーピング材をドープし、電流通過領域(13)が第1の導電形を有するようにしたステップによって形成される
ことを特徴とする、製造方法。 - 前記電流供給層(6)のドーピングのため、前記第2のクラッド層(7)上に、前記ドーピング材を有するドーピング材料源(15)が、電流通過領域(13)が垂直方向に後置されている領域に、構造化して被着され、後に、前記ドーピング材が電流通過領域(13)に拡散することを特徴とする、請求項12に記載の製造方法。
- 前記ドーピング材の拡散の後、ドーピング材料源(15)が除去されることを特徴とする、請求項13に記載の製造方法。
- 善意ドーピング材は亜鉛であることを特徴とする請求項13又は14に記載の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110993756A (zh) * | 2019-12-18 | 2020-04-10 | 东莞市中晶半导体科技有限公司 | Led芯片及其制作方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101588019B1 (ko) * | 2006-09-20 | 2016-02-12 | 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 | 전사가능한 반도체 구조들, 디바이스들 및 디바이스 컴포넌트들을 만들기 위한 릴리스 방안들 |
US8559127B2 (en) | 2010-12-22 | 2013-10-15 | Seagate Technology Llc | Integrated heat assisted magnetic recording head with extended cavity vertical cavity surface emitting laser diode |
US8451695B2 (en) | 2011-06-23 | 2013-05-28 | Seagate Technology Llc | Vertical cavity surface emitting laser with integrated mirror and waveguide |
US20140009731A1 (en) * | 2012-07-09 | 2014-01-09 | Michael O'Callaghan | Methods and apparatus for high fill factor and high optical efficiency pixel architecture |
US9735545B1 (en) | 2016-07-08 | 2017-08-15 | Northrop Grumman Systems Corporation | Vertical cavity surface emitting laser with composite reflectors |
WO2019217802A1 (en) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | The Regents Of The University Of California | Vertical cavity surface emitting device with a buried index guiding current confinement layer |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03237784A (ja) * | 1990-02-15 | 1991-10-23 | Omron Corp | 半導体素子およびその製造方法 |
JPH118406A (ja) * | 1997-06-18 | 1999-01-12 | Daido Steel Co Ltd | 面発光素子 |
US6026111A (en) * | 1997-10-28 | 2000-02-15 | Motorola, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser device having an extended cavity |
JP2002368333A (ja) * | 2001-06-02 | 2002-12-20 | Heon-Su Jeon | 面発光レーザー |
US20030031221A1 (en) * | 2000-04-05 | 2003-02-13 | Coretek, Inc. | Single mode operation of microelectromechanically tunable, half-symmetric, vertical cavity surface emitting lasers |
US20030123495A1 (en) * | 2001-12-31 | 2003-07-03 | Cox James Allen | Tunable laser assembly |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5291502A (en) | 1992-09-04 | 1994-03-01 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Jr. University | Electrostatically tunable optical device and optical interconnect for processors |
JPH08222815A (ja) * | 1994-12-13 | 1996-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置 |
US5724376A (en) * | 1995-11-30 | 1998-03-03 | Hewlett-Packard Company | Transparent substrate vertical cavity surface emitting lasers fabricated by semiconductor wafer bonding |
US5825796A (en) * | 1996-09-25 | 1998-10-20 | Picolight Incorporated | Extended wavelength strained layer lasers having strain compensated layers |
DE69834780T2 (de) * | 1997-08-08 | 2006-10-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Halbleiterlaservorrichtung , optisches Kommunikationssystem unter Verwendung desselben und Herstellungsverfahren |
JP2000244063A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
US6304587B1 (en) * | 1999-06-14 | 2001-10-16 | Corning Incorporated | Buried ridge semiconductor laser with aluminum-free confinement layer |
US6778582B1 (en) | 2000-03-06 | 2004-08-17 | Novalux, Inc. | Coupled cavity high power semiconductor laser |
JP2002026456A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | 半導体装置、半導体レーザ及びその製造方法並びにエッチング方法 |
DE10038235A1 (de) | 2000-08-04 | 2002-02-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenemittierender Laser mit seitlicher Strominjektion |
US6803604B2 (en) * | 2001-03-13 | 2004-10-12 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor optical modulator, an optical amplifier and an integrated semiconductor light-emitting device |
US6810062B2 (en) * | 2001-04-11 | 2004-10-26 | Axsun Technologies, Inc. | Passive optical resonator with mirror structure suppressing higher order transverse spatial modes |
US6534331B2 (en) | 2001-07-24 | 2003-03-18 | Luxnet Corporation | Method for making a vertical-cavity surface emitting laser with improved current confinement |
JP2003133640A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-05-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光半導体レーザ素子 |
US6795478B2 (en) | 2002-03-28 | 2004-09-21 | Applied Optoelectronics, Inc. | VCSEL with antiguide current confinement layer |
AU2003900172A0 (en) | 2003-01-15 | 2003-01-30 | Edith Cowan University | Laser array |
TW200505120A (en) * | 2003-07-29 | 2005-02-01 | Copax Photonics Corp | Single transverse mode vertical cavity surface emitting laser device with array structure and method for fabricating the same |
-
2005
- 2005-08-04 DE DE102005036820A patent/DE102005036820A1/de not_active Withdrawn
- 2005-08-23 US US11/210,263 patent/US7443898B2/en active Active
- 2005-08-31 JP JP2005251976A patent/JP2006074051A/ja active Pending
-
2008
- 2008-09-29 US US12/240,147 patent/US7816163B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03237784A (ja) * | 1990-02-15 | 1991-10-23 | Omron Corp | 半導体素子およびその製造方法 |
JPH118406A (ja) * | 1997-06-18 | 1999-01-12 | Daido Steel Co Ltd | 面発光素子 |
US6026111A (en) * | 1997-10-28 | 2000-02-15 | Motorola, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser device having an extended cavity |
US20030031221A1 (en) * | 2000-04-05 | 2003-02-13 | Coretek, Inc. | Single mode operation of microelectromechanically tunable, half-symmetric, vertical cavity surface emitting lasers |
JP2002368333A (ja) * | 2001-06-02 | 2002-12-20 | Heon-Su Jeon | 面発光レーザー |
US20030123495A1 (en) * | 2001-12-31 | 2003-07-03 | Cox James Allen | Tunable laser assembly |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110993756A (zh) * | 2019-12-18 | 2020-04-10 | 东莞市中晶半导体科技有限公司 | Led芯片及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060198413A1 (en) | 2006-09-07 |
US7816163B2 (en) | 2010-10-19 |
US7443898B2 (en) | 2008-10-28 |
DE102005036820A1 (de) | 2006-03-09 |
US20090029496A1 (en) | 2009-01-29 |
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