JP2006071644A - 容量型温度センサー - Google Patents
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Abstract
【課題】 容量型温度センサーを提供すること。
【解決手段】 第1の電極層と、第2の電極層と、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に挟まれ、温度変化によって体積が変化する第1の誘電体が設けられた誘電体層と、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間の電位差に対応する温度を算出する温度算出部と、を備えることを特徴とする温度センサー。
【選択図】 図3
【解決手段】 第1の電極層と、第2の電極層と、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に挟まれ、温度変化によって体積が変化する第1の誘電体が設けられた誘電体層と、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間の電位差に対応する温度を算出する温度算出部と、を備えることを特徴とする温度センサー。
【選択図】 図3
Description
本発明は温度センサーに係り、詳しくは、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)に適用して好適な温度センサーに関する。
MEMS技術とは、機械的な部品を半導体工程により電気的な素子として実現する技術である。また、これを用いることにより、数μm以下の超微細構造を有する機械・装備を設計することが可能になることから、電子・機械・医療・防産などあらゆる産業分野に甚だしい変革をもたらすと見込まれる。特に、近年脚光を浴びているMEMS技術により製造されたセンサーは、通常超小型のものとして製造可能であることから、携帯電話などの各種の小型機器などに組み込まれて各種の情報を感知・提供する。
これまでMEMSには、ほとんど抵抗型の温度センサーが適用されていた。これは、抵抗型の温度センサーが、温度の測定感度と正確度に優れているためである。しかしながら、抵抗型温度センサーは非常に多くの電力を消耗するため、無線機器、モバイル機器などには向いていない。
抵抗型温度センサーとは異なり、容量型温度センサーは、電力消耗量があまり多くない。従来の容量型温度センサーは、温度変化によってバイメタルの変位が起こり、その変位によってキャパシタンスが変化するという特性に基づき、温度を測定していた。
抵抗型温度センサーとは異なり、容量型温度センサーは、電力消耗量があまり多くない。従来の容量型温度センサーは、温度変化によってバイメタルの変位が起こり、その変位によってキャパシタンスが変化するという特性に基づき、温度を測定していた。
しかしながら、従来の容量型温度センサーは、温度の測定感度と正確度が良好ではないという欠点がある。さらに、従来の容量型温度センサーは、残留応力による初期変位により校正を行い難いため、その製造工程に難点がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、温度の測定感度と正確度に優れており、電力の消耗量が多くないほか、単純な製造工程を有する容量型温度センサーを提供するところにある。
前記目的を達成するために、本発明に係る温度センサーは、第1の電極層と、第2の電極層と、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に挟まれ、温度変化によって体積が変化する第1の誘電体が設けられた誘電体層と、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間の電位差に対応する温度を算出する温度算出部とを備える。
また、前記第1の誘電体の体積変化によって前記第1及び前記第2の電極層と前記第1の誘電体の接合面積が変化し、前記接合面積の変化によって前記第1の電極層と前記第2の電極層との間の電位差が変化する構成であることが好ましい。
また、前記第1の誘電体の体積変化によって前記第1及び前記第2の電極層と前記第1の誘電体の接合面積が変化し、前記接合面積の変化によって前記第1の電極層と前記第2の電極層との間の電位差が変化する構成であることが好ましい。
さらに、前記第1の誘電体の温度変化による体積変化は線形的であることが好ましい。
さらに、前記第1の誘電体は、トルエン、オクタノール、プロパノール、エタノール及びメタノールのうちいずれか1種であればよい。
さらに、前記誘電体層には、温度変化によって体積が変化する第2の誘電体がさらに設けられることが好ましい。
さらに、前記第1の誘電体は、トルエン、オクタノール、プロパノール、エタノール及びメタノールのうちいずれか1種であればよい。
さらに、前記誘電体層には、温度変化によって体積が変化する第2の誘電体がさらに設けられることが好ましい。
さらに、前記第1の誘電体の体積変化によって前記第1及び前記第2の電極層と前記第1の誘電体の接合面積である第1の接合面積が変化し、前記第2の誘電体の体積変化によって前記第1及び前記第2の電極層と前記第2の誘電体の接合面積である第2の接合面積が変化し、前記第1及び前記第2の接合面積の変化によって前記第1の電極層と前記第2の電極層との間の電位差が変化する構成であることが好ましい。
さらに、前記第1の誘電体の温度変化による体積変化及び前記第2の誘電体の温度変化による体積変化が線形的であることが好ましい。
さらに、前記第1の誘電体は、トルエン、オクタノール、プロパノール、エタノール及びメタノールのうちいずれか1種であり、前記第2の誘電体は、トルエン、オクタノール、プロパノール、エタノール及びメタノールのうちいずれか1種でありうる。
さらに、前記第1の誘電体は、トルエン、オクタノール、プロパノール、エタノール及びメタノールのうちいずれか1種であり、前記第2の誘電体は、トルエン、オクタノール、プロパノール、エタノール及びメタノールのうちいずれか1種でありうる。
さらに、前記温度算出部は、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間の電位差を検出し、検出された前記電位差に基づいて前記第1の電極層と前記第2の電極層との間のキャパシタンスを算出した後、算出された前記キャパシタンスに対応する温度を算出する。
さらに、前記誘電体層は、真空室をさらに備え、前記誘電体層は、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に挟まれる真空室をさらに備える構成とすることが好ましい。
さらに、前記誘電体層は、真空室をさらに備え、前記誘電体層は、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に挟まれる真空室をさらに備える構成とすることが好ましい。
さらに、本発明に係る温度センサーは、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に設けられる多数の電極層をさらに備えても良い。
本発明に係る容量型温度センサーは、温度の測定感度と正確度に優れているだけではなく、抵抗体を用いないことから、電力の消耗量が多くない。さらに、本発明に係る容量型温度センサーは、駆動体を用いないことから、校正と製造工程が容易に行える。
[実施形態1]
以下、添付図面に基づき、本発明を詳述する。
図1は、本発明の一実施の形態による容量型温度センサーを示す図である。図1に示すように、本発明に係る容量型温度センサーは、キャパシタ100及び温度算出部200を備える。
キャパシタ100は、上部電極層110、誘電体層120及び下部電極層130を備える。
誘電体層120は、上部電極層110と下部電極層130との間に挟まれる。また、誘電体層120の左側端には誘電体121が設けられ、誘電体層120の右側端には真空室122が設けられる。さらに、図において、‘ε’は誘電体121の誘電率であり、‘ε0’は真空室122の誘電率である。
図1は、本発明の一実施の形態による容量型温度センサーを示す図である。図1に示すように、本発明に係る容量型温度センサーは、キャパシタ100及び温度算出部200を備える。
キャパシタ100は、上部電極層110、誘電体層120及び下部電極層130を備える。
誘電体層120は、上部電極層110と下部電極層130との間に挟まれる。また、誘電体層120の左側端には誘電体121が設けられ、誘電体層120の右側端には真空室122が設けられる。さらに、図において、‘ε’は誘電体121の誘電率であり、‘ε0’は真空室122の誘電率である。
誘電体121は、温度変化によって体積変化が激しい物質(液体や気体)、すなわち、温度変化によって体積変化率(熱膨張率)が高い物質により実現することが好ましい。また、誘電体121は、温度変化による体積変化が線形的に起こる物質、すなわち、温度変化による体積変化率が一定している物質により実現することが好ましい。温度変化による体積変化が激しくて線形的に起こる物質としては、トルエン(C7H8)、オクタノール(CH3(CH2)3OH)、プロパノール(C3H8)、エタノール(C2H5OH)、メタノール(CH3OH)などが挙げられる。このため、誘電体121は、好ましくは、これらの物質のうちいずれか1種により実現される。
温度算出部200は、上部電極層110と下部電極層130との間の電位差を検出し、検出された電位差に対応する温度を算出する。このとき、温度算出部200は、検出された電位差を用いてキャパシタ100のキャパシタンスを算出した後、算出されたキャパシタンスに対応する温度を算出することも可能である。
以下、図1に示す容量型温度センサーの温度算出原理について、図2A及び図2Bを参照しながら詳述する。
以下、図1に示す容量型温度センサーの温度算出原理について、図2A及び図2Bを参照しながら詳述する。
図2Aには、基準温度T1における本発明に係る容量型温度センサーの状態が示してある。図2Aに示すように、基準温度T1において、上部電極層110と下部電極層130との間の長さは‘d’であり、‘誘電体121と上下部電極層110,130との間の接合面積’(以下、単に‘誘電体121の接合面積’と称する。)は‘S1(T1)’であり、‘真空室122と上下部電極層110,130との間の接合面積’(以下、単に‘真空室122の接合面積’と称する)は、‘S2(T1)’であることが分かる。
このとき、基準温度T1における‘キャパシタ100のキャパシタンス’(以下、単に‘キャパシタンス’と称する)‘CT1’及び基準温度T1における‘上部電極層110と下部電極層130との間の電位差’(以下、単に‘電位差’と称する)‘VT1’は、下記式1を満足する。下記式1において、‘Q’は、上部電極層110の電荷量または下部電極層130の電荷量を意味する。
これは、温度が基準温度T1から現在温度T2(T2>T1)に昇温し、誘電体121の体積が大きくなることにより、誘電体121の接合面積が増えた(S1(T2)>S1(T1))ためである。また、誘電体121の体積増加により相対的に真空室122の体積が減ることとなり、真空室122の接合面積が減った(S2(T2)<S2(T1))ためである。
このとき、現在温度T2におけるキャパシタンス‘CT2’及び現在温度T2における電位差‘VT2’は、下記式2を満足する。
このとき、現在温度T2におけるキャパシタンス‘CT2’及び現在温度T2における電位差‘VT2’は、下記式2を満足する。
キャパシタンスCに変化が起こった理由は、温度上昇により、誘電体121の接合面積S1が増えたのに対し、真空室122の接合面積S2が減ったためである。誘電体121の誘電率εが真空室122の誘電率ε0よりも高い場合であれば、温度上昇によりキャパシタンスCは高くなる。
そして、電位差Vに変化が起こった理由は、温度上昇によりキャパシタンスCが変わったためである。
そして、電位差Vに変化が起こった理由は、温度上昇によりキャパシタンスCが変わったためである。
結局、温度変化はキャパシタンスCを変化させ、キャパシタンスCの変化は電位差Vを変化させるということが確認できる。
一方、キャパシタンスCの変化が温度変化に線形的であると仮定すれば、現在温度T2は下記式3または下記式4により求めることができる。
一方、キャパシタンスCの変化が温度変化に線形的であると仮定すれば、現在温度T2は下記式3または下記式4により求めることができる。
そして、温度算出部200は、前記式3または前記式4を用いて、現在温度T2を求めることができる。
前記式3による場合、温度算出部200は現在温度T2における電位差VT2を検出し、検出された電位差VT2を用いて現在温度T2におけるキャパシタンスCT2を算出した後、算出されたキャパシタンスCT2及び既知の値であるκ、基準温度T1、基準温度におけるキャパシタンスCT1を用いて現在温度T2を算出する。
一方、前記式4による場合、温度算出部200は、現在温度T2における電位差VT2を検出し、検出された電位差VT2及び既知の値であるα、基準温度T1、基準温度における電位差VT1を用いて現在温度T2を算出する。
一方、前記式4による場合、温度算出部200は、現在温度T2における電位差VT2を検出し、検出された電位差VT2及び既知の値であるα、基準温度T1、基準温度における電位差VT1を用いて現在温度T2を算出する。
以下では、図1とは異なるように実現された容量型温度センサーについて説明するが、図1に示す容量型温度センサーと共通する内容についての説明は省き、異なる内容を中心として説明を進める。
図3は、本発明の他の実施の形態による容量型温度センサーを示す図である。図3に示す誘電体層120の構造と図1に示す誘電体層120の構造は、互いに異なる。すなわち、図3に示す誘電体層120の左側端には第1の誘電体121aが設けられ、右側端には第2の誘電体121bが設けられ、そして中間端には真空室122が設けられる。
図3は、本発明の他の実施の形態による容量型温度センサーを示す図である。図3に示す誘電体層120の構造と図1に示す誘電体層120の構造は、互いに異なる。すなわち、図3に示す誘電体層120の左側端には第1の誘電体121aが設けられ、右側端には第2の誘電体121bが設けられ、そして中間端には真空室122が設けられる。
誘電体層120の左側端に設けられた第1の誘電体121aと右側端に設けられた第2の誘電体121bは、相異なる種類の物質であっても良いが、以下では、説明の便宜のために、両者を同じ種類の物質として扱う。すなわち、第1の誘電体121aの誘電率と第2の誘電体121bの誘電率は両方とも‘ε’と同じ値として扱う。
以下、図3に示す容量型温度センサーの温度算出原理について、図4A及び図4Bを参照しながら詳述する。
以下、図3に示す容量型温度センサーの温度算出原理について、図4A及び図4Bを参照しながら詳述する。
図4Aには、基準温度T1における本発明に係る容量型温度センサーの状態が示してある。図4Aに示すように、基準温度T1において、上部電極層110と下部電極層130との間の長さは‘d’であり、第1の誘電体121aの接合面積は‘S1a(T1)’であり、真空室122の接合面積は‘S2(T1)’であり、第2の誘電体121bの接合面積は‘S1b(T1)’であることが分かる。
このとき、基準温度T1におけるキャパシタンス‘CT1’及び基準温度T1における電位差‘VT1’は、下記式5を満足する。
このとき、現在温度T2におけるキャパシタンス‘CT2’及び現在温度T2における電位差‘VT2’は、下記式6を満足する。
一方、温度算出部200は、前記式3または前記式4を用いて現在温度T2を算出することができる。これは、図1に示す容量型温度センサーの場合と同様であるため、これについての詳細な説明は省く。
以下、図1及び図3とは異なるように実現された容量型温度センサーについて、図5を参照しながら説明する。図5は、本発明のさらに他の実施の形態による容量型温度センサーのキャパシタを示す図である。
以下、図1及び図3とは異なるように実現された容量型温度センサーについて、図5を参照しながら説明する。図5は、本発明のさらに他の実施の形態による容量型温度センサーのキャパシタを示す図である。
図5に示すキャパシタ100は、多数の電極層141〜147を備えているため、‘温度変化によるキャパシタンスCの変化度’が一層大きくなり、容量型温度センサーのセンシング感度を一層高めることが可能になる。このとき、当然のことながら、キャパシタ100に設けられる電極層の数には制限がない。
これまで、温度変化によって体積が変化する誘電体が設けられたキャパシタの温度変化によるキャパシタンスの変化原理を用いた容量型温度センサーを提案し、その具体例を挙げながら述べてきた。本発明に係る容量型温度センサーは、MEMSに適用して好適であり、これを適用することにより優れた効果を得ることができる。
これまで、温度変化によって体積が変化する誘電体が設けられたキャパシタの温度変化によるキャパシタンスの変化原理を用いた容量型温度センサーを提案し、その具体例を挙げながら述べてきた。本発明に係る容量型温度センサーは、MEMSに適用して好適であり、これを適用することにより優れた効果を得ることができる。
さらに、以上では、本発明の好適な実施の形態について図示及び説明したが、本発明は上述した如き特定の実施の形態に何ら制限されるものではなく、特許請求の範囲に記載の本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば、当該発明が属する技術分野において通常の知識を有する者にとって各種の変形実施が可能であることは言うまでもない。よって、これらの変形実施は本発明の技術的な思想や展望から個別的に理解さるべきものではない。
本発明に係る容量型温度センサーはMEMSに適用して好適であり、これを適用することにより優れた効果を得ることができる。
100 キャパシタ
110 上部電極層
120 誘電体層
121 誘電体
121a 第1の誘電体
121b 第2の誘電体
122 真空室
130 下部電極層
200 温度算出部
110 上部電極層
120 誘電体層
121 誘電体
121a 第1の誘電体
121b 第2の誘電体
122 真空室
130 下部電極層
200 温度算出部
Claims (12)
- 第1の電極層と、
第2の電極層と、
前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に挟まれ、温度変化によって体積が変化する第1の誘電体が設けられた誘電体層と、
前記第1の電極層と前記第2の電極層との間の電位差に対応する温度を算出する温度算出部と、
を備えることを特徴とする温度センサー。 - 前記第1の誘電体の体積変化によって前記第1及び前記第2の電極層と前記第1の誘電体の接合面積が変化し、
前記接合面積の変化によって前記第1の電極層と前記第2の電極層との間の電位差が変化することを特徴とする請求項1に記載の温度センサー。 - 前記第1の誘電体の温度変化による体積変化は、線形的であることを特徴とする請求項2に記載の温度センサー。
- 前記第1の誘電体は、トルエン、オクタノール、プロパノール、エタノール及びメタノールのうちいずれか1種であることを特徴とする請求項3に記載の温度センサー。
- 前記誘電体層には、温度変化によって体積が変化する第2の誘電体がさらに設けられることを特徴とする請求項1に記載の温度センサー。
- 前記第1の誘電体の体積変化によって前記第1及び前記第2の電極層と前記第1の誘電体の接合面積である第1の接合面積が変化し、
前記第2の誘電体の体積変化によって前記第1及び前記第2の電極層と前記第2の誘電体の接合面積である第2の接合面積が変化し、
前記第1及び前記第2の接合面積の変化によって前記第1の電極層と前記第2の電極層との間の電位差が変化することを特徴とする請求項5に記載の温度センサー。 - 前記第1の誘電体の温度変化による体積変化及び前記第2の誘電体の温度変化による体積変化は、線形的であることを特徴とする請求項6に記載の温度センサー。
- 前記第1の誘電体は、トルエン、オクタノール、プロパノール、エタノール及びメタノールのうちいずれか1種であり、
前記第2の誘電体は、トルエン、オクタノール、プロパノール、エタノール及びメタノールのうちいずれか1種であることを特徴とする請求項7に記載の温度センサー。 - 前記温度算出部は、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間の電位差を検出し、検出された前記電位差に基づいて前記第1の電極層と前記第2の電極層との間のキャパシタンスを算出した後、算出された前記キャパシタンスに対応する温度を算出することを特徴とする請求項1に記載の温度センサー。
- 前記誘電体層は、真空室をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の温度センサー。
- 前記誘電体層は、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に挟まれる真空室をさらに備えることを特徴とする請求項5に記載の温度センサー。
- 前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に設けられる多数の電極層をさらに備えることを特徴とする請求項11に記載の温度センサー。
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