JP2006062978A

JP2006062978A - Method for producing phosphinic acid ester

Info

Publication number: JP2006062978A
Application number: JP2004244196A
Authority: JP
Inventors: Toshifumi Hirukawa; 俊史蛭川
Original assignee: Kanto Chemical Co Inc
Current assignee: Kanto Chemical Co Inc
Priority date: 2004-08-24
Filing date: 2004-08-24
Publication date: 2006-03-09

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a phosphinic acid ester, capable of industrially advantageously producing the ester, by stably producing a phosphonite compound with high purity and then smoothly conducting alkylation reaction of the phosphonite compound. <P>SOLUTION: This method for producing the phosphinic acid ester (1) comprises reacting the phosphonite compound (2) with an alkylating agent (3) in a solvent. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、工業的に有利なホスフィン酸エステルの製造法に関する。 The present invention relates to a process for producing an industrially advantageous phosphinic acid ester.

ホスフィン酸エステルは、医薬、農薬等の中間原料、又は電池や電解コンデンサ等の電解液材料として様々な分野で使用されている。従来、ホスフィン酸エステルの製造法として、ホスフィン酸クロリドと金属アルコキシドからエステル化する方法、ジクロロリン酸エステルとGrignard反応剤との反応による方法、ホスホナイトとアルキル化剤とのArbuzov反応による方法等が知られている。 Phosphinic acid esters are used in various fields as intermediate raw materials for pharmaceuticals, agricultural chemicals and the like, or electrolyte materials for batteries, electrolytic capacitors and the like. Conventionally, methods for producing phosphinic acid esters include esterification from phosphinic acid chloride and metal alkoxide, methods by reaction of dichlorophosphate with Grignard reagent, and methods by Arbuzov reaction of phosphonite and alkylating agent. It has been.

このうち、下記反応式で示されるArbuzov反応を用いる方法は、原料のホスホナイトが安価であること、工程が短いこと、反応の容易さ等の点から有利であると考えられる。 Among these, the method using the Arbuzov reaction represented by the following reaction formula is considered advantageous from the standpoints that the raw material phosphonite is inexpensive, the process is short, and the reaction is easy.

〔Ｒ、Ｒ’はアルキル基、Ｘはハロゲン原子を示す。〕

[R and R ′ are alkyl groups, and X is a halogen atom. ]

しかし、この反応を利用したホスフィン酸エステルの製造は、無溶媒下で、熱等による異性化によって行われており（非特許文献１）、激しい発熱のため熱暴走し易く、工業的手段にはなり難かった。 However, the production of phosphinic acid esters using this reaction is carried out by isomerization by heat or the like in the absence of a solvent (Non-patent Document 1), and it is easy to run away due to intense heat generation. It was difficult.

一方、原料であるホスホナイト化合物は、下記のようにグリニヤール試薬を用いたホスファイトのアルキル化等により得ることができるが（非特許文献２）、収率や純度が低いこと、更にホスホナイト化合物が易酸化性であることから精製が困難であるといった問題があった。 On the other hand, the phosphonite compound as a raw material can be obtained by alkylation of phosphite using a Grignard reagent as described below (Non-patent Document 2). However, the yield and purity are low, and the phosphonite compound can be easily obtained. There was a problem that it was difficult to purify because it was oxidizing.

〔Ｒはアルキル基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。〕

[R represents an alkyl group, and X represents a halogen atom. ]

Zh.Obshch.Khim., 26, 2753-2755, 1956Zh.Obshch.Khim., 26, 2753-2755, 1956 Synthetic Commun., 33(10), 1665-1674, 2003Synthetic Commun., 33 (10), 1665-1674, 2003

本発明は、ホスホナイト化合物を純度よく安定的に製造し、当該ホスホナイト化合物のアルキル化反応を円滑に行うことによって、ホスフィン酸エステルを工業的に有利に製造する方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a method for industrially advantageously producing a phosphinic acid ester by producing a phosphonite compound stably with high purity and smoothly performing an alkylation reaction of the phosphonite compound.

本発明者らは、ホスホナイト化合物のアルキル化（Arbuzov反応）の条件を検討したところ、ホスホナイト化合物とアルキル化剤を溶媒中で反応させることにより、発熱反応を抑制でき、収率よく安定的にホスフィン酸エステルを製造できることを見出した。また、ホスファイト化合物を出発物質とし、有機金属反応剤を用いてこれをアルキル化し、ホスホナイト化合物を合成する反応に引き続いて上記アルキル化反応（Arbuzov反応）を行うことにより、純度の高いホスホナイト化合物を安定した状態で反応に供することができ、ホスフィン酸エステルを極めて収率良く製造できることを見出した。 The present inventors have studied the conditions for alkylation (Arbuzov reaction) of a phosphonite compound. By reacting the phosphonite compound with an alkylating agent in a solvent, the exothermic reaction can be suppressed, and the phosphine can be stably produced in high yield. It has been found that acid esters can be produced. In addition, the phosphite compound is used as a starting material, and this is alkylated using an organometallic reagent, followed by the above-mentioned alkylation reaction (Arbuzov reaction) following the reaction for synthesizing the phosphonite compound. It has been found that the reaction can be carried out in a stable state, and the phosphinic acid ester can be produced with extremely high yield.

すなわち本発明は、下記の一般式（２）：

〔式中、Ｒ¹、Ｒ²はそれぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数６〜１０のアリール基を示す。〕
で表されるホスホナイト化合物と、下記一般式（３）：

〔式中、Ｒ³は炭素数１〜８のアルキル基を示し、Ｘはハロゲン原子、ｐ−トルエンスルホン酸基、メタンスルホン酸基又はＳＯ₄基を示し、ｎは１又は２を示す。〕
で表されるアルキル化剤を、溶媒中で反応させることを特徴とする下記一般式（１）：

〔式中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は前記と同じものを示す。〕
で表されるホスフィン酸エステルの製造方法を提供するものである。 That is, the present invention provides the following general formula (2):

Wherein each R ^1, R ² independently represents an alkyl group or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms having 1 to 8 carbon atoms. ]
A phosphonite compound represented by the following general formula (3):

[Wherein R ³ represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, X represents a halogen atom, p-toluenesulfonic acid group, methanesulfonic acid group or SO ₄ group, and n represents 1 or 2. ]
The following general formula (1), characterized in that an alkylating agent represented by formula (1) is reacted in a solvent:

[Wherein, R ¹ , R ² and R ³ are the same as described above. ]
The manufacturing method of the phosphinic acid ester represented by these is provided.

また、本発明は、下記一般式（４）：

〔式中、Ｒ¹は炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数６〜１０のアリール基を示す。〕で表されるホスファイト化合物と、下記一般式（５）：

〔式中、Ｒ²は炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数６〜１０のアリール基を示し、Ｍはリチウム原子又はマグネシウムハライドを示す。〕
で表される有機金属反応剤を反応させて一般式（２）：

〔式中、Ｒ¹、Ｒ²はそれぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数６〜１０のアリール基を示す。〕
で表されるホスホナイト化合物とし、引き続き下記一般式（３）：

〔式中、Ｒ³は炭素数１〜８のアルキル基を示し、Ｘはハロゲン原子、ｐ−トルエンスルホン酸基、メタンスルホン酸基又はＳＯ₄基を示し、ｎは１又は２を示す。〕
で表されるアルキル化剤を非極性溶媒中で反応させることを特徴とする下記一般式（１）：

〔式中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は前記と同じものを示す。〕
で表されるホスフィン酸エステルの製造方法を提供するものである。 Further, the present invention provides the following general formula (4):

[Wherein, R ¹ represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms. A phosphite compound represented by the following general formula (5):

[Wherein R ² represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and M represents a lithium atom or a magnesium halide. ]
Is reacted with an organometallic reactant represented by the general formula (2):

Wherein each R ^1, R ² independently represents an alkyl group or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms having 1 to 8 carbon atoms. ]
And then the following general formula (3):

[Wherein R ³ represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, X represents a halogen atom, p-toluenesulfonic acid group, methanesulfonic acid group or SO ₄ group, and n represents 1 or 2. ]
The following general formula (1), characterized in that the alkylating agent represented by the formula is reacted in a nonpolar solvent:

本発明の方法によれば、ホスホナイト化合物（２）のアルキル化反応時の熱暴走を抑制でき、ホスホナイト化合物（２）が安定した状態でアルキル化反応を行うことができる。また、出発物質にホスファイト化合物（４）を用い、これと有機金属反応剤を反応させてホスホナイト化合物（２）を合成し、引き続き上記アルキル化反応を行うことによりホスフィン酸エステル（１）の通算収率及び純度を更に向上させることができる。すなわち、本発明の方法を用いれば、医薬品等の中間原料、また電池や電解コンデンサ等の電解液材料であるホスフィン酸エステル（１）を工業的有利に製造することができる。 According to the method of the present invention, thermal runaway during the alkylation reaction of the phosphonite compound (2) can be suppressed, and the alkylation reaction can be performed in a stable state of the phosphonite compound (2). In addition, the phosphite compound (4) is used as a starting material, and this is reacted with an organometallic reactant to synthesize the phosphonite compound (2), followed by the above alkylation reaction to obtain the total amount of the phosphinic acid ester (1). Yield and purity can be further improved. That is, if the method of this invention is used, the phosphinic acid ester (1) which is intermediate materials, such as a pharmaceutical, and electrolyte solution materials, such as a battery and an electrolytic capacitor, can be manufactured industrially advantageously.

一般式（１）〜（３）中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³で示される炭素数１〜８のアルキル基としては、直鎖又は分岐鎖のいずれのアルキル基でも良く、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−へプチル基、ｎ−オクチル基等が挙げられ、このうち、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数２〜４のアルキル基が好ましく、特にＲ¹、Ｒ²及びＲ³が同一のアルキル基であるのが好ましい。 In the general formulas (1) to (3), the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms represented by R ¹ , R ² and R ³ may be any linear or branched alkyl group such as a methyl group. , Ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n -Octyl group etc. are mentioned, Among these, C2-C4 alkyl groups, such as an ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, are mentioned. R ¹ , R ² and R ³ are particularly preferably the same alkyl group.

Ｒ¹及びＲ²で示される炭素数６〜１０のアリール基としては、例えばフェニル基、ｐ−トルイル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が挙げられる。 Examples of the aryl group having 6 to 10 carbon atoms represented by R ¹ and R ² include a phenyl group, a p-toluyl group, a 1-naphthyl group, and a 2-naphthyl group.

一般式（１）で示されるホスフィン酸エステルの好適な例を示せば、例えば、ジメチルホスフィン酸メチル、ジメチルホスフィン酸エチル、ジメチルホスフィン酸ｎ−プロピル、ジメチルホスフィン酸イソプロピル、ジメチルホスフィン酸ｎ−ブチル、ジメチルホスフィン酸イソブチル、ジメチルホスフィン酸ｓｅｃ−ブチル、ジメチルホスフィン酸ｔｅｒｔ−ブチル、ジメチルホスフィン酸ｎ−ペンチル、ジメチルホスフィン酸イソペンチル、ジメチルホスフィン酸ｎ−ヘキシル、ジメチルホスフィン酸ｎ−ヘプチル、ジメチルホスフィン酸ｎ−オクチル、ジメチルホスフィン酸フェニル、ジメチルホスフィン酸ｐ−トルイル、ジメチルホスフィン酸１−ナフチル、ジメチルホスフィン酸２−ナフチル、ジエチルホスフィン酸メチル、ジエチルホスフィン酸エチル、ジエチルホスフィン酸ｎ−プロピル、ジエチルホスフィン酸イソプロピル、ジエチルホスフィン酸ｎ−ブチル、ジエチルホスフィン酸イソブチル、ジエチルホスフィン酸ｓｅｃ−ブチル、ジエチルホスフィン酸ｔｅｒｔ−ブチル、ジエチルホスフィン酸ｎ−ペンチル、ジエチルホスフィン酸イソペンチル、ジエチルホスフィン酸ｎ−ヘキシル、ジエチルホスフィン酸ｎ−ヘプチル、ジエチルホスフィン酸ｎ−オクチル、ジエチルホスフィン酸フェニル、ジエチルホスフィン酸ｐ−トルイル、ジエチルホスフィン酸１−ナフチル、ジエチルホスフィン酸２−ナフチル、ジｎ−プロピルホスフィン酸メチル、ジｎ−プロピルホスフィン酸エチル、ジｎ−プロピルホスフィン酸ｎ−プロピル、ジｎ−プロピルホスフィン酸イソプロピル、ジｎ−プロピルホスフィン酸ｎ−ブチル、ジｎ−プロピルホスフィン酸イソブチル、ジｎ−プロピルホスフィン酸ｓｅｃ−ブチル、ジｎ−プロピルホスフィン酸ｔｅｒｔ−ブチル、ジｎ−プロピルホスフィン酸ｎ−ペンチル、ジｎ−プロピルホスフィン酸イソペンチル、ジｎ−プロピルホスフィン酸ｎ−ヘキシル、ジｎ−プロピルホスフィン酸ｎ−ヘプチル、ジｎ−プロピルホスフィン酸ｎ−オクチル、ジｎ−プロピルホスフィン酸フェニル、ジｎ−プロピルホスフィン酸ｐ−トルイル、ジｎ−プロピルホスフィン酸１−ナフチル、ジｎ−プロピルホスフィン酸２−ナフチル、ジｎ−ブチルホスフィン酸ｎ−ブチル、ジｎ−ブチルホスフィン酸ｓｅｃ−ブチル、ジｎ−ブチルホスフィン酸ｔｅｒｔ−ブチル、エチルメチルホスフィン酸メチル、エチルメチルホスフィン酸エチル、エチルメチルホスフィン酸ｎ−プロピル、エチルｎ−プロピルホスフィン酸メチル、エチルｎ−プロピルホスフィン酸エチル、エチルｎ−プロピルホスフィン酸ｎ−プロピル、メチルフェニルホスフィン酸メチル、メチルフェニルホスフィン酸エチル、エチルフェニルホスフィン酸メチル、エチルフェニルホスフィン酸エチル等が挙げられる。
このうち、ジエチルホスフィン酸エチル、ジｎ−プロピルホスフィン酸ｎ−プロピル、ジｎ−ブチルホスフィン酸ｎ−ブチルの製造については、収率が特に優れるという点で、本発明の製造方法を適用する化合物として好ましい。 Preferable examples of the phosphinic acid ester represented by the general formula (1) include, for example, methyl dimethylphosphinate, ethyl dimethylphosphinate, n-propyl dimethylphosphinate, isopropyl dimethylphosphinate, n-butyl dimethylphosphinate, Isobutyl dimethylphosphinate, sec-butyl dimethylphosphinate, tert-butyl dimethylphosphinate, n-pentyl dimethylphosphinate, isopentyl dimethylphosphinate, n-hexyl dimethylphosphinate, n-heptyl dimethylphosphinate, dimethylphosphinic acid n- Octyl, phenyl dimethylphosphinate, p-toluyl dimethylphosphinate, 1-naphthyl dimethylphosphinate, 2-naphthyl dimethylphosphinate, methyl diethylphosphinate, die Ethyl phosphinate, n-propyl diethylphosphinate, isopropyl diethylphosphinate, n-butyl diethylphosphinate, isobutyl diethylphosphinate, sec-butyl diethylphosphinate, tert-butyl diethylphosphinate, n-pentyl diethylphosphinate, Isopentyl diethylphosphinate, n-hexyl diethylphosphinate, n-heptyl diethylphosphinate, n-octyl diethylphosphinate, phenyl diethylphosphinate, p-toluyl diethylphosphinate, 1-naphthyl diethylphosphinate, 2-diethylphosphinic acid 2- Naphthyl, methyl di-n-propylphosphinate, ethyl di-n-propylphosphinate, di-n-propylphosphinic acid n-propyl, di-n-propylphosphinic acid Sopropyl, n-butyl din-propylphosphinate, isobutyl din-propylphosphinate, sec-butyl din-propylphosphinate, tert-butyl din-propylphosphinate, n-pentyl din-propylphosphinate Di-n-propylphosphinic acid isopentyl, di-n-propylphosphinic acid n-hexyl, di-n-propylphosphinic acid n-heptyl, di-n-propylphosphinic acid n-octyl, di-n-propylphosphinic acid phenyl, di-n-propyl P-Toluyl phosphinate, 1-naphthyl di-n-propylphosphinate, 2-naphthyl di-n-propylphosphinate, n-butyl di-n-butylphosphinate, sec-butyl di-n-butylphosphinate, di-n-butyl Tert-Butyl phosphinate, ethylmethylphosphine Methyl phosphate, ethyl ethylmethylphosphinate, ethylmethylphosphinate n-propyl, ethyl n-propylphosphinate methyl, ethyl n-propylphosphinate, ethyl n-propylphosphinate n-propyl, methylphenylphosphinate methyl , Ethyl methylphenylphosphinate, methyl ethylphenylphosphinate, ethylethylphenylphosphinate and the like.
Among these, for the production of ethyl diethylphosphinate, n-propyl din-propylphosphinate, and n-butyl din-butylphosphinate, the compound to which the production method of the present invention is applied in that the yield is particularly excellent. As preferred.

一般式（２）で示されるホスホナイト化合物としては、例えば、ジエチルエチルホスホナイト、ジメチルエチルホスホナイト、ジｎ−プロピルエチルホスホナイト、ジｎ−ブチルエチルホスホナイト、ジメチルメチルホスホナイト、ジエチルメチルホスホナイト、ジｎ−プロピルメチルホスホナイト、ジｎ−ブチルメチルホスホナイト、ジメチルｎ−プロピルホスホナイト、ジエチルｎ−プロピルホスホナイト、ジｎ−プロピルｎ−プロピルホスホナイト、ジｎ−ブチルｎ−プロピルホスホナイト、ジメチルｎ−ブチルホスホナイト、ジエチルｎ−ブチルホスホナイト、ジｎ−プロピルｎ−ブチルホスホナイト、ジｎ−ブチルブチルホスホナイト等が挙げられる。このうち、ジエチルエチルホスホナイト、ジエチルメチルホスホナイト、ジｎ−プロピルエチルホスホナイト等が好ましい。 Examples of the phosphonite compound represented by the general formula (2) include diethyl ethyl phosphonite, dimethyl ethyl phosphonite, di-n-propyl ethyl phosphonite, di n-butyl ethyl phosphonite, dimethyl methyl phosphonite, and diethyl methyl phosphonite. Di n-propyl methyl phosphonite, di n-butyl methyl phosphonite, dimethyl n-propyl phosphonite, diethyl n-propyl phosphonite, di n-propyl n-propyl phosphonite, di n-butyl n-propyl phosphonite Dimethyl n-butyl phosphonite, diethyl n-butyl phosphonite, di-n-propyl n-butyl phosphonite, di-n-butyl butyl phosphonite and the like. Of these, diethyl ethyl phosphonite, diethyl methyl phosphonite, di-n-propyl ethyl phosphonite and the like are preferable.

一般式（３）中、Ｘは、ハロゲン原子、ｐ−トルエンスルホン酸基、メタンスルホン酸基又はＳＯ₄基を示すが、収率向上の点から、ハロゲン原子であるのが好ましい。斯かるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子が挙げられ、特にヨウ素原子であるのが好ましい。 In general formula (3), X represents a halogen atom, a p-toluenesulfonic acid group, a methanesulfonic acid group or an SO ₄ group, and is preferably a halogen atom from the viewpoint of yield improvement. Examples of such a halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and an iodine atom is particularly preferable.

一般式（３）で示されるアルキル化剤としては、例えばヨードメタン、ヨードエタン、１−ヨードプロパン、１−ヨードブタン、１−ブロモブタン、１−ヨード−２−メチルプロパン、１−ヨードペンタン、１−ブロモペンタン、１−クロロペンタン、１−ヨード−２−メチルブタン、１−ヨードヘキサン、１−ブロモヘキサン、１−クロロヘキサン、１−ヨード−２−メチルペンタン、１−ヨードヘプタン、１−ブロモヘプタン、１−クロロヘプタン、１−ヨード−２−メチルヘキサン、１−ヨードオクタン、１−ブロモオクタン、１−クロロオクタン、１−ヨード−２−メチルヘプタン等のハロゲン化アルキルや、ｐ−トルエンスルホン酸メチル、ｐ−トルエンスルホン酸エチル、ｐ−トルエンスルホン酸ｎ−プロピル、ｐ−トルエンスルホン酸ｎ−ブチル、ｐ−トルエンスルホン酸イソブチル、ｐ−トルエンスルホン酸ｎ−ペンチル、ｐ−トルエンスルホン酸イソペンチル、ｐ−トルエンスルホン酸ｎ−ヘキシル、ｐ−トルエンスルホン酸ｎ−ヘプチル、ｐ−トルエンスルホン酸ｎ−オクチル、メタンスルホン酸メチル、メタンスルホン酸エチル、メタンスルホン酸ｎ−プロピル、メタンスルホン酸ｎ−ブチル、メタンスルホン酸イソブチル、メタンスルホン酸ｎ−ペンチル、メタンスルホン酸イソペンチル、メタンスルホン酸ｎ−ヘキシル、メタンスルホン酸ｎ−ヘプチル、メタンスルホン酸ｎ−オクチル等のスルホン酸エステルや、ジメチル硫酸、ジエチル硫酸等のジアルキル硫酸等が挙げられ、ヨードエタン、ヨードメタンが好ましい。 Examples of the alkylating agent represented by the general formula (3) include iodomethane, iodoethane, 1-iodopropane, 1-iodobutane, 1-bromobutane, 1-iodo-2-methylpropane, 1-iodopentane, 1-bromopentane. 1-chloropentane, 1-iodo-2-methylbutane, 1-iodohexane, 1-bromohexane, 1-chlorohexane, 1-iodo-2-methylpentane, 1-iodoheptane, 1-bromoheptane, 1- Alkyl halides such as chloroheptane, 1-iodo-2-methylhexane, 1-iodooctane, 1-bromooctane, 1-chlorooctane, 1-iodo-2-methylheptane, methyl p-toluenesulfonate, p -Ethyl toluenesulfonate, n-propyl p-toluenesulfonate, p-toluene N-butyl phonate, isobutyl p-toluenesulfonate, n-pentyl p-toluenesulfonate, isopentyl p-toluenesulfonate, n-hexyl p-toluenesulfonate, n-heptyl p-toluenesulfonate, p-toluene N-octyl sulfonate, methyl methanesulfonate, ethyl methanesulfonate, n-propyl methanesulfonate, n-butyl methanesulfonate, isobutyl methanesulfonate, n-pentyl methanesulfonate, isopentyl methanesulfonate, methanesulfonic acid Examples thereof include sulfonate esters such as n-hexyl, n-heptyl methanesulfonate, and n-octyl methanesulfonate, and dialkyl sulfate such as dimethyl sulfate and diethyl sulfate. Iodoethane and iodomethane are preferred.

本発明のホスフィン酸エステルの製造方法は、下記反応式で示すように、ホスホナイト化合物（２）と、アルキル化剤（３）を、溶媒中で反応させるものである。 The method for producing a phosphinic acid ester of the present invention comprises reacting a phosphonite compound (2) and an alkylating agent (3) in a solvent as shown in the following reaction formula.

〔式中、Ｒ¹、Ｒ²はそれぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数６〜１０のアリール基を示し、Ｒ³は炭素数１〜８のアルキル基を示し、Ｘはハロゲン原子、ｐ−トルエンスルホン酸基、メタンスルホン酸基又はＳＯ₄基を示し、ｎは１又は２を示す。〕

[Wherein, R ¹ and R ² each independently represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, R ³ represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and X represents A halogen atom, p-toluenesulfonic acid group, methanesulfonic acid group or SO ₄ group is shown, and n is 1 or 2. ]

本反応においては、ホスホナイト化合物（１）の使用モル数は特に限定されるものではなく、アルキル化剤（３）は、ホスホナイト化合物（１）１モルに対して、０．１〜２．０モル使用するのが好ましく、０．５〜１．５モルの範囲で使用することがより好ましい。 In this reaction, the number of moles of the phosphonite compound (1) used is not particularly limited, and the alkylating agent (3) is 0.1 to 2.0 moles per mole of the phosphonite compound (1). It is preferable to use it, and it is more preferable to use it in the range of 0.5 to 1.5 mol.

本反応においては、溶媒を用いることが必要であるが、これによりアルキル化反応の速度を制御し熱暴走を回避することが可能となる。
斯かる溶媒としては、反応に悪影響を及ぼさない溶媒であれば極性溶媒であっても非極性溶媒であってもよく、好ましくは沸点が５０〜１４０℃の溶媒、更に好ましくは７０〜１２０℃の溶媒、最も好ましくは８０〜１１０℃の溶媒が挙げられる。また、極性溶媒又は非極性溶媒をそれぞれ単独で用いても、二以上を混合して用いてもよく、極性溶媒と非極性溶媒を組合せて用いてもよい。
具体的には、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、イソオクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ヘキセン、ヘプテン等の脂肪族炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジｎ−ブチルエーテル、シクロヘキシルメチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、四塩化炭素、１，１，１−トリクロロエタン等のハロゲン化炭素系溶媒が挙げられる。このうち、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、イソオクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素系、ヘキセン、ヘプテン等の不飽和炭化水素系の非極性溶媒が好ましい。 In this reaction, it is necessary to use a solvent, but this makes it possible to control the rate of the alkylation reaction and avoid thermal runaway.
Such a solvent may be a polar solvent or a nonpolar solvent as long as it does not adversely affect the reaction, preferably a solvent having a boiling point of 50 to 140 ° C., more preferably 70 to 120 ° C. A solvent, most preferably a solvent at 80 to 110 ° C. Moreover, a polar solvent or a nonpolar solvent may be used individually, respectively, or 2 or more may be mixed and used, and a polar solvent and a nonpolar solvent may be used in combination.
Specifically, aliphatic hydrocarbon solvents such as hexane, heptane, octane, isooctane, cyclohexane, methylcyclohexane, hexene, heptene, aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, xylene, diisopropyl ether, tert-butyl Ether solvents such as methyl ether, di-n-butyl ether, cyclohexyl methyl ether, dioxane, tetrahydrofuran, tetrahydropyran, dimethoxyethane, etc., halogenation such as chloroform, 1,2-dichloroethane, carbon tetrachloride, 1,1,1-trichloroethane, etc. A carbon-type solvent is mentioned. Among these, saturated hydrocarbon type non-polar solvents such as hexane, heptane, octane, nonane, isooctane and cyclohexane, and unsaturated hydrocarbon type non-polar solvents such as hexene and heptene are preferable.

反応は、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行なうことが好ましく、５０℃〜１４０℃、好ましくは８０℃〜１１０℃まで加温することにより、適度な速度で進行させることができる。用いた溶媒の沸点近傍に反応温度を設定し還流すると、発生する反応熱を蒸発熱として反応系外に放熱できるため温度制御が更に容易になり好ましい。
反応時間は、通常１時間〜５０時間が好ましく、１２時間〜３６時間程度で十分である。 The reaction is preferably performed in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen or argon, and can be allowed to proceed at an appropriate rate by heating to 50 ° C to 140 ° C, preferably 80 ° C to 110 ° C. When the reaction temperature is set near the boiling point of the solvent used and refluxed, the generated heat of reaction can be dissipated out of the reaction system as the heat of evaporation, which is preferable because temperature control becomes easier.
The reaction time is usually preferably 1 hour to 50 hours, and about 12 hours to 36 hours is sufficient.

反応混合物から目的物の単離は、常法、例えば洗浄、減圧蒸留、カラムクロマトグラフィー等により行なうことができる。 The target product can be isolated from the reaction mixture by conventional methods such as washing, distillation under reduced pressure, column chromatography and the like.

原料であるホスホナイト化合物（２）は、公知の反応、例えばグリニヤール試薬を用いたホスファイトのアルキル化等により得ることができる（非特許文献２）。すなわち、下記反応式で示すように、ホスファイト化合物（４）とＲ²Ｍ（５）で表される有機金属反応剤を反応させることによって製造することができる。 The raw material phosphonite compound (2) can be obtained by a known reaction, for example, alkylation of phosphite using a Grignard reagent (Non-patent Document 2). That is, as shown by the following reaction formula, it can be produced by reacting a phosphite compound (4) with an organometallic reagent represented by R ² M (5).

〔式中、Ｒ¹、Ｒ²はそれぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数６〜１０のアリール基を示し、Ｍはリチウム原子又はマグネシウムハライドを示す。〕

[Wherein, R ¹ and R ² each independently represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and M represents a lithium atom or a magnesium halide. ]

ホスファイト化合物（４）としては、トリエチルホスファイト、トリメチルホスファイト、トリｎ−プロピルホスファイト、トリｎ−ブチルホスファイト、トリフェニルホスファイト等、目的のホスホナイト化合物（２）に対応するものを用いればよい。ホスファイト化合物の使用モル数は、特に限定されない。 As the phosphite compound (4), those corresponding to the target phosphonite compound (2) such as triethyl phosphite, trimethyl phosphite, tri n-propyl phosphite, tri n-butyl phosphite, triphenyl phosphite are used. That's fine. The number of moles used of the phosphite compound is not particularly limited.

有機金属反応剤Ｒ²Ｍ（５）としては、例えば、メチルマグネシウムブロミド、メチルマグネシウムヨージド、エチルマグネシウムクロリド、エチルマグネシウムブロミド、エチルマグネシウムヨージド、ｎ−プロピルマグネシウムクロリド、ｎ−プロピルマグネシウムブロミド、ｎ−プロピルマグネシウムヨージド、イソプロピルマグネシウムクロリド、イソプロピルマグネシウムブロミド、イソプロピルマグネシウムヨージド、ｎ−ブチルマグネシウムクロリド、ｎ−ブチルマグネシウムブロミド、ｎ−ブチルマグネシウムヨージド、イソブチルマグネシウムクロリド、イソブチルマグネシウムブロミド、イソブチルマグネシウムヨージド、ｓｅｃ−ブチルマグネシウムクロリド、ｓｅｃ−ブチルマグネシウムブロミド、ｓｅｃ−ブチルマグネシウムヨージド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムクロリド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムブロミド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムヨージド、ｎ−ペンチルマグネシウムクロリド、ｎ−ペンチルマグネシウムブロミド、ｎ−ペンチルマグネシウムヨージド、イソペンチルマグネシウムクロリド、イソペンチルマグネシウムブロミド、イソペンチルマグネシウムヨージド、ｎ−ヘキシルマグネシウムクロリド、ｎ−ヘキシルマグネシウムブロミド、ｎ−ヘキシルマグネシウムヨージド、ｎ−へプチルマグネシウムクロリド、ｎ−へプチルマグネシウムブロミド、ｎ−へプチルマグネシウムヨージド、ｎ−オクチルマグネシウムクロリド、ｎ−オクチルマグネシウムブロミド、ｎ−オクチルマグネシウムヨージド、フェニルマグネシウムクロリド、フェニルマグネシウムブロミド、フェニルマグネシウムヨージド、ｐ−トルイルマグネシウムクロリド、ｐ−トルイルマグネシウムブロミド、ｐ−トルイルマグネシウムヨージド、１−ナフチルマグネシウムクロリド、１−ナフチルマグネシウムブロミド、１−ナフチルマグネシウムヨージド、２−ナフチルマグネシウムクロリド、２−ナフチルマグネシウムブロミド、２−ナフチルマグネシウムヨージド等のＧｒｉｇｎａｒｄ反応剤や、メチルリチウム、エチルリチウム、ｎ−プロピルリチウム、イソプロピルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、イソブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、ｎ−ペンチルリチウム、イソペンチルリチウム、ｎ−ヘキシルリチウム、ｎ−へプチルリチウム、ｎ−オクチルリチウム、フェニルリチウム、ｐ−トルイルリチウム、１−ナフチルリチウム、２−ナフチルリチウム等の有機リチウム試薬等が挙げられる。中でも、高純度でホスホナイト化合物が得られることから、エチルマグネシウムブロミド等のＧｒｉｇｎａｒｄ反応剤が好ましい。 Examples of the organometallic reactant R ² M (5) include methylmagnesium bromide, methylmagnesium iodide, ethylmagnesium chloride, ethylmagnesium bromide, ethylmagnesium iodide, n-propylmagnesium chloride, n-propylmagnesium bromide, n -Propylmagnesium iodide, isopropylmagnesium chloride, isopropylmagnesium bromide, isopropylmagnesium iodide, n-butylmagnesium chloride, n-butylmagnesium bromide, n-butylmagnesium iodide, isobutylmagnesium chloride, isobutylmagnesium bromide, isobutylmagnesium iodide , Sec-butylmagnesium chloride, sec-butylmagnesium bromide, sec-butyl Gnesium iodide, tert-butylmagnesium chloride, tert-butylmagnesium bromide, tert-butylmagnesium iodide, n-pentylmagnesium chloride, n-pentylmagnesium bromide, n-pentylmagnesium iodide, isopentylmagnesium chloride, isopentylmagnesium chloride Bromide, isopentylmagnesium iodide, n-hexylmagnesium chloride, n-hexylmagnesium bromide, n-hexylmagnesium iodide, n-heptylmagnesium chloride, n-heptylmagnesium bromide, n-heptylmagnesium iodide, n -Octylmagnesium chloride, n-octylmagnesium bromide, n-octylmagnesium iodide, phenylmagnesium Loride, phenylmagnesium bromide, phenylmagnesium iodide, p-toluylmagnesium chloride, p-toluylmagnesium bromide, p-toluylmagnesium iodide, 1-naphthylmagnesium chloride, 1-naphthylmagnesium bromide, 1-naphthylmagnesium iodide, 2 -Grignard reagents such as naphthylmagnesium chloride, 2-naphthylmagnesium bromide, 2-naphthylmagnesium iodide, methyllithium, ethyllithium, n-propyllithium, isopropyllithium, n-butyllithium, isobutyllithium, sec-butyllithium Tert-butyl lithium, n-pentyl lithium, isopentyl lithium, n-hexyl lithium, n-heptyl lithium, n-octyl And organic lithium reagents such as rulithium, phenyllithium, p-toluyllithium, 1-naphthyllithium and 2-naphthyllithium. Among them, Grignard reagents such as ethylmagnesium bromide are preferable because a phosphonite compound can be obtained with high purity.

有機金属反応剤の使用量は、未反応のホスファイトの残存や過反応によるホスフィナイトの副生を抑制する点から、ホスファイト化合物（４）１モルに対して、０．９〜１．３モル、更に１．０〜１．２モルとするのが好ましく、１．１モル使用するのが特に好ましい。 The amount of the organometallic reactant used is 0.9 to 1.3 mol with respect to 1 mol of the phosphite compound (4) from the viewpoint of suppressing the remaining unreacted phosphite and by-product formation of phosphinite due to overreaction. Furthermore, it is preferable to set it as 1.0-1.2 mol, and it is especially preferable to use 1.1 mol.

反応溶媒には、非プロトン性溶媒を用いるのが好ましく、例えば、テトラヒドロフラン、ジアルキルエーテル、ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル系、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン等の炭化水素系が適している。 The reaction solvent is preferably an aprotic solvent. For example, ethers such as tetrahydrofuran, dialkyl ether, dimethoxyethane, and dioxane, and hydrocarbons such as hexane, heptane, octane, toluene, xylene, and cyclohexane are suitable. Yes.

反応は、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行なうことが好ましく、１０〜７０℃、好ましくは３０℃〜５０℃の温度下で、１時間〜２４時間、好ましくは２時間〜６時間行えばよい。 The reaction is preferably performed in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen or argon, and is performed at a temperature of 10 to 70 ° C, preferably 30 ° C to 50 ° C for 1 hour to 24 hours, preferably 2 hours to 6 hours. Just do it.

ホスホナイト化合物（２）とアルキル化剤（３）を溶媒中で反応させる、本発明のホスフィン酸エステルの製造方法においては、上記したホスファイト化合物（４）とＲ²Ｍ（５）からホスホナイト化合物（２）を製造させる反応に引き続いて当該アルキル化反応を行うことが、ホスホナイト化合物の純度と安定性を向上させ、ひいては目的物質であるホスフィン酸エステル（１）の通算収率を向上できる点から極めて好ましい。
すなわち、ホスファイト化合物（４）とＲ²Ｍ（５）とを非プロトン性溶媒中で反応させ、反応終了後そのまま、或いは溶媒を留去した後直ちに、新たな溶媒を添加し、アルキル化剤（３）と反応させることが好ましい。特に、同一系内で、溶媒を留去した後直ちに、新たな溶媒及びアルキル化剤（３）を添加し反応させることが好ましい。
この場合、既に述べたように、Ｒ²Ｍ（５）の使用量は、ホスファイト化合物（４）１モルに対して、０．９〜１．３モル、更に１．０〜１．２モルとするのが有効である。これにより、未反応のホスファイトの残存や過反応によるホスフィナイトの副生を抑制できる。ホスファイトやホスフィナイトが残存しないことにより、次のアルキル化（Arbuzov反応）において、それぞれに由来するアルキルホスホネートやホスフィンオキシドが生成することを抑制できる。これによって、目的物の純度向上や分離精製工程の簡素化による収率向上、Ｒ²Ｍ（５）の過剰使用の回避による経済的な効果が得られる。
尚、アルキル化剤はホスファイト化合物（４）１モルに対して、通常は０．１〜２．０モル、好ましくは０．５〜１．５モル用いるのがよい。また、この場合に用いられる新たな溶媒としては、ホスファイト化合物（４）とＲ²Ｍ（５）との反応で残存する金属塩の不溶化及び分離の容易性を考慮すると、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、イソオクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素系、ヘキセン、ヘプテン等の不飽和炭化水素系の非極性溶媒が好ましく、特にヘプタンが好ましい。 In the method for producing a phosphinic acid ester of the present invention in which the phosphonite compound (2) and the alkylating agent (3) are reacted in a solvent, the phosphonite compound (4) and R ² M (5) are combined with the phosphonite compound ( The alkylation reaction subsequent to the reaction for producing 2) improves the purity and stability of the phosphonite compound and, in turn, improves the overall yield of the target phosphinic acid ester (1). preferable.
That is, the phosphite compound (4) and R ² M (5) are reacted in an aprotic solvent, and a new solvent is added as it is after completion of the reaction, or immediately after the solvent is distilled off. It is preferable to react with (3). In particular, it is preferable that a new solvent and an alkylating agent (3) are added and reacted immediately after the solvent is distilled off in the same system.
In this case, as described above, the amount of R ² M (5) used is 0.9 to 1.3 mol, more preferably 1.0 to 1.2 mol, relative to 1 mol of the phosphite compound (4). Is effective. Thereby, the by-product of the phosphinite by the residual of unreacted phosphite and overreaction can be suppressed. Since phosphite and phosphinite do not remain, generation of alkylphosphonate and phosphine oxide derived from each can be suppressed in the subsequent alkylation (Arbuzov reaction). Thereby, an economic effect can be obtained by improving the purity of the target product, improving the yield by simplifying the separation and purification process, and avoiding excessive use of R ² M (5).
The alkylating agent is usually used in an amount of 0.1 to 2.0 mol, preferably 0.5 to 1.5 mol, per 1 mol of the phosphite compound (4). In addition, as a new solvent used in this case, hexane, heptane, octane is considered in consideration of insolubilization and separation of the metal salt remaining in the reaction between the phosphite compound (4) and R ² M (5). Saturated hydrocarbons such as nonane, isooctane and cyclohexane, and unsaturated hydrocarbons such as hexene and heptene are preferred, and heptane is particularly preferred.

以下に実施例により本発明を更に詳細に説明する。なお、実施例は本発明の一例であり実施例により本発明は限定されない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. In addition, an Example is an example of this invention and this invention is not limited by an Example.

実施例１
全ての操作はアルゴンガス雰囲気下で行った。
（１）第一工程
攪拌器付き4ツ口フラスコに温度計とアルゴンガス供給バルブを取り付け、容器内をアルゴンガスに置換した。トリエチルホスファイト101.5 g（0.611 mol）を仕込み、テトラヒドロフラン（脱水乾燥品）100 mLで希釈した。攪拌しながら40℃に加温し、エチルマグネシウムブロミドのテトラヒドロフラン溶液700 mL（0.96M、0.672mol）を液温が45℃を超えない速度で滴下した。滴下終了後、更に40℃で2時間攪拌した。³¹P-NMRで分析した結果、リン化合物比でジエチルエチルホスホナイト98％、エチルジエチルホスフィナイト2％であって、酸化物であるジエチルエチルホスホネートは検出されなかった。 Example 1
All operations were performed under an argon gas atmosphere.
(1) First step A thermometer and an argon gas supply valve were attached to a four-necked flask equipped with a stirrer, and the inside of the container was replaced with argon gas. Triethyl phosphite (101.5 g, 0.611 mol) was charged and diluted with 100 mL of tetrahydrofuran (dehydrated and dried product). The mixture was heated to 40 ° C. with stirring, and 700 mL (0.96 M, 0.672 mol) of a solution of ethylmagnesium bromide in tetrahydrofuran was added dropwise at a rate such that the liquid temperature did not exceed 45 ° C. After completion of dropping, the mixture was further stirred at 40 ° C. for 2 hours. As a result of ³¹ P-NMR analysis, the phosphorus compound ratio was 98% diethyl ethyl phosphonite and 2% ethyl diethyl phosphinite, and no diethyl ethyl phosphonate as an oxide was detected.

（２）中間処理工程
弱減圧下にテトラヒドロフランを約300 mL留去した後に、攪拌しながらヘプタン320 mLを加えて懸濁液とした。更に、弱減圧下にテトラヒドロフランを約400 mL留去した。フラスコ内の懸濁液を攪拌分散し、アルゴンガス雰囲気下でシュレンク型ガラス濾過器にて不溶分を濾別した。濾液は第二工程の反応容器となる四つ口フラスコに受けた。フラスコ残分と濾別した固形とに新たなヘプタン200 mLづつ計400 mLを加え、攪拌して可溶分を固液抽出し、再度濾過して最初の濾液と合一した。¹H-NMRで分析すると、溶媒はヘプタン88.5重量％とテトラヒドロフラン11.5重量％の混合物であった。 (2) Intermediate treatment step About 300 mL of tetrahydrofuran was distilled off under a slightly reduced pressure, and then 320 mL of heptane was added with stirring to obtain a suspension. Furthermore, about 400 mL of tetrahydrofuran was distilled off under a weak vacuum. The suspension in the flask was stirred and dispersed, and the insoluble matter was filtered off with a Schlenk type glass filter under an argon gas atmosphere. The filtrate was received in a four-necked flask serving as a reaction vessel in the second step. A total of 400 mL each of 200 mL of new heptane was added to the flask residue and the filtered solid, and the mixture was stirred to extract the soluble component as a solid and liquid, filtered again, and combined with the first filtrate. ^When analyzed by ¹ H-NMR, the solvent was a mixture of 88.5% by weight of heptane and 11.5% by weight of tetrahydrofuran.

（３）第二工程
中間処理工程で濾液を受けた四つ口フラスコに、磁気攪拌子、還流冷却器、温度計、アルゴンガス供給バルブを取り付け、ヨードエタン95.3 g（0.611 mol）を加えた。100℃の油浴で加熱還流し、反応液温86〜87℃で24時間反応させた。数時間おきに少量抜き取り³¹P-NMRで分析すると、反応率は3時間で21％、8時間で58％、13時間で82％、18時間で94％、24時間で98％であった。 (3) Second step A four-necked flask that received the filtrate in the intermediate treatment step was equipped with a magnetic stirrer, reflux condenser, thermometer, and argon gas supply valve, and 95.3 g (0.611 mol) of iodoethane was added. The mixture was heated to reflux in an oil bath at 100 ° C. and reacted at a reaction solution temperature of 86 to 87 ° C. for 24 hours. When a small amount was extracted every few hours and analyzed by ³¹ P-NMR, the reaction rate was 21% at 3 hours, 58% at 8 hours, 82% at 13 hours, 94% at 18 hours, and 98% at 24 hours.

（４）蒸留精製
反応フラスコに蒸留装置を取り付け、弱減圧下にテトラヒドロフラン、ヘプタン、ヨードエタンを留去した。その後、3 mmHgで減圧蒸留し、沸点54.5℃〜55℃留分を集め目的のジエチルホスフィン酸エチルを71.7 g得た。トリエチルホスファイトからの通算収率で78％であった。³¹P-NMRで分析すると純度99.3％であった。¹H-NMRでは混入物は検出できなかった。ガスクロマトグラフで分析すると純度98.8％であった。
本発明は、比較例１、２と比較すると、高純度かつ高収率で目的物を得ることができる。また、比較例２と比較すると、ホスホナイト化合物を安定化することができる。 (4) Distillation purification A distillation apparatus was attached to the reaction flask, and tetrahydrofuran, heptane, and iodoethane were distilled off under a weak vacuum. Thereafter, distillation under reduced pressure was performed at 3 mmHg, and a fraction having a boiling point of 54.5 ° C to 55 ° C was collected to obtain 71.7 g of a target ethyl diethylphosphinate. The total yield from triethyl phosphite was 78%. ³¹ P-NMR Analysis showed a purity of 99.3%. ¹ H-NMR could not detect contaminants. When analyzed by gas chromatography, the purity was 98.8%.
Compared with Comparative Examples 1 and 2, the present invention can obtain the target product with high purity and high yield. Further, as compared with Comparative Example 2, the phosphonite compound can be stabilized.

比較例１
実施例１において、エチルマグネシウムブロミドを0.917mol（1.31M）に替え、ヘプタン溶媒を用いないで減圧蒸留によりホスホナイト化合物を精製した後、実施例１と同様にジエチルホスフィン酸エチルを合成した。その結果、第一工程のジエチルエチルホスホナイトが収率57％、³¹P-NMRで分析すると純度80%であり、ジエチルホスフィン酸エチルの通算収率は37%、ガスクロマトグラフで分析すると純度は91.2％であった。 Comparative Example 1
In Example 1, ethylmagnesium bromide was changed to 0.917 mol (1.31 M), and after purifying the phosphonite compound by vacuum distillation without using a heptane solvent, ethyl diethylphosphinate was synthesized in the same manner as in Example 1. As a result, the yield of diethyl ethylphosphonite in the first step was 57%, and the purity was 80% when analyzed by ³¹ P-NMR, the total yield of ethyl diethylphosphinate was 37%, and the purity was 91.2 when analyzed by gas chromatography. %Met.

比較例２
実施例１における中間処理工程において、ヘプタン溶媒を用いないで減圧蒸留によりホスホナイト化合物を精製した後、実施例１と同様に第二工程、蒸留精製を行なった。その結果、第一工程のジエチルエチルホスホナイトが収率68％、³¹P-NMRで分析すると純度84%であり、ジエチルエチルホスホナイトの酸化生成物であるジエチルエチルホスホネートを5％と酸化生成物でも原料でもあるトリエチルホスファイトを9％含有していた。ジエチルホスフィン酸エチルの通算収率は42％、ガスクロマトグラフで分析すると純度95.8％であった。 Comparative Example 2
In the intermediate treatment step in Example 1, after purifying the phosphonite compound by vacuum distillation without using a heptane solvent, the second step, distillation purification, was performed in the same manner as in Example 1. As a result, the yield of diethyl ethyl phosphonite in the first step was 68%, and the purity was 84% when analyzed by ³¹ P-NMR, and the oxidation product of diethyl ethyl phosphonate, 5%, was the oxidation product of diethyl ethyl phosphonite. However, it contained 9% triethyl phosphite, which is also a raw material. The total yield of ethyl diethylphosphinate was 42% and the purity was 95.8% as analyzed by gas chromatography.

Claims

The following general formula (2):

[Wherein, R ¹ , R ² and R ³ are the same as described above. ]
The manufacturing method of the phosphinic acid ester represented by these.

The following general formula (4):

[Wherein, R ¹ represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms. ]
A phosphite compound represented by the following general formula (5):

[Wherein R ² represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and M represents a lithium atom or a magnesium halide. ]
The method for producing a phosphinic acid ester according to claim 1, wherein the phosphonite compound represented by the general formula (2) is produced by reacting the organometallic reactant represented by formula (2).

The following general formula (4):

[Wherein, R ¹ and R ² are the same as defined above. ]
And then the following general formula (3):

[Wherein R ³ represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, X represents a halogen atom, p-toluenesulfonic acid group, methanesulfonic acid group or SO ₄ group, and n represents 1 or 2. ]
The following general formula (1), characterized in that the alkylating agent represented by formula (1) is reacted in a nonpolar solvent:

The method for producing a phosphinic acid ester according to claim 1 or 2, wherein the solvent is a nonpolar solvent.

The method for producing a phosphinic acid ester according to claim 3 or 4, wherein the nonpolar solvent is heptane.

R ^1, R ² and R ³ are the same alkyl group having 2 to 4 carbon atoms, a manufacturing method of the X phosphinic acid ester according to any one of claims 1 to 5 is iodine.

The method for producing a phosphinic acid ester according to claim 2 or 3, wherein R ¹ and R ² are the same alkyl group having 2 to 4 carbon atoms, and M is a magnesium halide.

The method according to claim 2 or 3, wherein the organometallic reagent is used in an amount of 0.9 to 1.3 mol per mol of the phosphite compound.