JP2006058020A - Surface potential measuring type sensor device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface potential measuring type sensor device capable of simply sensing many components in a specimen with ultrahigh sensitivity using a microelectrode for measuring surface potential. <P>SOLUTION: The surface potential measuring type sensor device is composed of a reference potential measuring region, a sensor membrane region constituted by sucking a nanosensor, which is composed of a sensing unit reference potential measuring region for producing a potential change as a signal when a target molecule is recognized by one kind or a plurality of kinds of host molecules and a bonding unit for bonding the sensing unit, on a substrate, on the surface of the substrate, an accumulation sensor part wherein a plurality of the three-element regions of wiring net regions for monitoring potential are accumulated on a silicon substrate, a covered lead part for feeding the signal to a controller, an adaptor part for connecting the same and a measuring controller part to which those parts are connected. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、表面電位を直接測定する表面電位測定型センサー装置に関する。さらに、詳しくは電気製品、医療機器、及び測定機器等に用いられるナノメーターレベルのセンサーを用いた複数配線集積した集積センサー及びこれを用いたに表面電位測定型センサー装置関するものである。   The present invention relates to a surface potential measurement type sensor device that directly measures a surface potential. More specifically, the present invention relates to an integrated sensor in which a plurality of wirings are integrated using a nanometer level sensor used in electrical products, medical equipment, measuring equipment, and the like, and a surface potential measurement type sensor device using the integrated sensor.

近年技術の進歩にともなって、さまざまな分野でセンサーの開発が行われてきている。さらなる発展において、センサーの感度の向上が重要となる。中でも分子レベルの選択的なセンシング技術の開発が重要な鍵である。
分子類を検知するため、電界効果型トランジスター、振動型コンデンサー、水晶振動子、表面プラズモン、走査型プローブ、発光消光現象を駆使したセンサーの作製が行われているが、電界効果型トランジスター、振動型コンデンサーを用いたセンサーは測定において、電流を感知しており、センシング感度を上げるための素子微細化には限界がある。
水晶振動子に関しては、水晶の微細化に難がある。また、表面プラズモン共鳴法を用いたセンサーチップが知られ、(特許文献1参照)、走査型プローブ、発光消光現象を用いたものも知られているが、光学系が必須であり複雑な形態となる。一般的に、現在応用されている分子センサーは、システム全体が複雑であり、感度向上や素子化において問題をかかえている。このことは、多大なエネルギー、コストを必要とする製品に即つながり、問題がある。
また、ビピリジンをセンシングユニットに用い、結合ユニットの末端にチオール基を有する化合物を用いたナノセンサーは、本発明者らによって、既に出願されている。(特許文献2)
特開2003−156434号公報 特願2004−141741号
In recent years, sensors have been developed in various fields with the advancement of technology. In further development, it is important to improve the sensitivity of the sensor. Among them, the development of selective sensing technology at the molecular level is an important key.
In order to detect molecules, field-effect transistors, vibration capacitors, crystal resonators, surface plasmons, scanning probes, and sensors that make use of the light quenching phenomenon have been made. A sensor using a capacitor senses current in measurement, and there is a limit to element miniaturization for increasing sensing sensitivity.
With respect to quartz resonators, there is a difficulty in miniaturizing quartz. Further, a sensor chip using a surface plasmon resonance method is known (see Patent Document 1), and a scanning probe and a device using a light emission quenching phenomenon are also known, but an optical system is essential and has a complicated form. Become. In general, the molecular sensor currently applied has a complicated system as a whole, and has a problem in improving sensitivity and device. This is immediately connected to a product that requires a lot of energy and cost, and has a problem.
A nanosensor using bipyridine as a sensing unit and a compound having a thiol group at the end of the binding unit has already been filed by the present inventors. (Patent Document 2)
JP 2003-156434 A Japanese Patent Application No. 2004-141741

ハイテクでありながら、よりローコスト、軽量、省エネルギー型の製品の提供が求められている。そこで、表面電位を直接モニターする分子センサーを構築すれば、上記の問題を解決できる。すなわち、表面電位はその面の大きさにかかわらず測定可能であり、感度を向上させながらその面を非常に微細化することができる。また、電位測定のための面と参照電極面、それらをつなぐ配線のみでセンサーを構築できるので微細化集積化にむいている。さらに、有機分子の特徴の一つである構造の膨大な多様性により、特定の検知対象物質をセンシングする選択性の高い分子センサーを随時設計、構築できる。この分子センサーシステムにより、製品の高密度化、軽量化、省エネ化、ローコスト化、高選択性、高感度化を可能にする。   There is a need to provide low-cost, lightweight, energy-saving products that are high-tech. Therefore, the above problem can be solved by constructing a molecular sensor that directly monitors the surface potential. That is, the surface potential can be measured regardless of the size of the surface, and the surface can be made very fine while improving the sensitivity. Further, since a sensor can be constructed only by a surface for measuring potential, a reference electrode surface, and a wiring connecting them, it is suitable for miniaturization integration. Furthermore, due to the huge variety of structures that are one of the characteristics of organic molecules, it is possible to design and construct a highly selective molecular sensor that senses a specific target substance. This molecular sensor system enables high density, light weight, energy saving, low cost, high selectivity and high sensitivity of products.

本発明者らは、上記の課題を解決するには、感度向上のための新しい一分子膜の開発とその電位応答性が必須であるとの観点から、鋭意検討を重ねた結果、従来のセンサー系にはない新しい分子センサーを見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち、
本発明は、参照電位測定部位と、一種類もしくは複数種のホスト分子がターゲット分子を認識したとき、電位変化をシグナルとして発生させるセンシングユニットと、基板上に結合させるための結合ユニットからなるナノセンサーを基板表面に吸着させたセンサー膜部位、および、電位をモニターするための配線網部位の3要素部位をシリコン基板上に複数配線集積した集積センサー部と、シグナルをコントローラーに送るための被覆導線部と、それを接続するためのアダプター部と、それらがつながる計測コントローラー部からなる表面電位測定型センサー装置を提供する。
また、本発明では、センサー膜部位の金属表面に形成させたホスト分子からなる膜が、一種類もしくは複数種のホスト分子であることを特徴とすることができる。
さらに、本発明では、センシングユニットが、次の化学式
で表わされるビピリジンであり、
結合ユニットが、
(式中、nは1〜50の整数)
で示される化合物とすることができる。
また、本発明では、参照電極として、種類の異なる2つ以上の参照電極を用いることができる。
さらに、センサー膜部位のホスト分子を、センシング後に再生処理をすることができ、リサイクルすることができる。
また、本発明では、ホスト分子膜を形成する分子のすべてもしくは一部が、化学的外来刺激物質であるゲスト分子を捕捉するための官能基及び又はDNA配列を有することができる。
このとき、化学的外来刺激物質であるゲスト分子を捕捉するためのホスト分子の官能基及び又はDNA配列は、カルコゲン、ニクトゲン、ホウ素族、遷移金属および水素とすることができる。
さらに、本発明では、ホスト分子膜の平均面積を、1nm2〜1cm2であり、膜厚を1〜10 μmとすることができる。
In order to solve the above problems, the present inventors have conducted extensive studies from the viewpoint that development of a new monomolecular film for improving sensitivity and its potential responsiveness are essential. A new molecular sensor not found in the system has been found and the present invention has been completed. That is,
The present invention relates to a nanosensor comprising a reference potential measurement site, a sensing unit that generates a potential change as a signal when one or more types of host molecules recognize a target molecule, and a binding unit for binding on a substrate. Sensor film part adsorbed on the substrate surface, integrated sensor part that integrates multiple wiring elements on the silicon substrate for monitoring the potential, and a coated conductor part for sending signals to the controller And a surface potential measurement type sensor device comprising an adapter unit for connecting the same and a measurement controller unit to which the adapter unit is connected.
In the present invention, the film made of host molecules formed on the metal surface of the sensor film portion may be one type or a plurality of types of host molecules.
Furthermore, in the present invention, the sensing unit has the following chemical formula:
Bipyridine represented by
Combined unit
(Where n is an integer from 1 to 50)
It can be set as the compound shown by these.
In the present invention, two or more different types of reference electrodes can be used as the reference electrode.
Furthermore, the host molecule at the sensor membrane can be regenerated after sensing and can be recycled.
In the present invention, all or a part of the molecules forming the host molecule film may have a functional group and / or a DNA sequence for capturing a guest molecule that is a chemical external stimulant.
At this time, the functional group and / or the DNA sequence of the host molecule for capturing the guest molecule which is a chemical external stimulant can be chalcogen, nictogen, boron group, transition metal and hydrogen.
Furthermore, in the present invention, the average area of the host molecular film can be 1 nm 2 to 1 cm 2 and the film thickness can be 1 to 10 μm.

本発明の表面電位測定型センサー装置は、液体中および気体中で使用することができ、かつ、微小電極表面を用いることで感度を向上させることがでる。また、ホスト分子を工夫することで、特定の化学種に選択的なナノセンサーを構築できる。そのため、検査対象の微量異種多成分を同時測定しながら、経時変化をモニターすることかできる。これにより、簡便で、ローコストの選択的センサーを提供することができ、環境、医療、分析の分野に貢献できる。
The surface potential measuring sensor device of the present invention can be used in a liquid and a gas, and the sensitivity can be improved by using the surface of the microelectrode. In addition, by devising host molecules, it is possible to construct nanosensors that are selective to specific chemical species. Therefore, it is possible to monitor a change with time while simultaneously measuring a trace amount of different kinds of multiple components to be inspected. Thereby, a simple and low-cost selective sensor can be provided, which can contribute to the fields of environment, medical care, and analysis.

(電位検知のための基本形態)
本発明の表面電位測定型センサー装置を作製するためには以下の基本構造が必須である。すなわち、センサー素子の構成は、チップ上の参照電極(Reference electrode)とナノセンサーを配列させたセンサー電極(Sensing electrode)および、それらをつなぐ配線網からなる(図1参照)。参照電極(Reference electrode)は検査対象に対して不活性な面で構成されており、電位測定における基準となる重要な部分である。センサー電極(Sensing electrode)は検査対象に活性で、検査対象を取り込むもしくはそれと反応するナノセンサーを配列させた部位であり、表面電位変化を誘因し、電位を直接検知するための表面電位測定型分子センサー装置の心臓部である。電極に直接接合する配線網は各表面の電位をモニターするためのもので、配線自体は検査対象に不活性もしくは接触しないように配線する。
(Basic form for potential detection)
In order to produce the surface potential measuring sensor device of the present invention, the following basic structure is essential. That is, the sensor element is composed of a reference electrode on the chip, a sensor electrode in which nanosensors are arranged, and a wiring network connecting them (see FIG. 1). The reference electrode is composed of an inactive surface with respect to the inspection object, and is an important part that becomes a standard in potential measurement. A sensor electrode (Sensing electrode) is a site where nanosensors that are active in the test object and that take in or react with the test object are arranged. This is a surface potential measurement type molecule that induces a change in surface potential and directly detects the potential. It is the heart of the sensor device. The wiring network directly bonded to the electrodes is for monitoring the potential of each surface, and the wiring itself is wired so as not to be inactive or in contact with the inspection object.

(電位検知のための基本原理)
本発明の表面電位測定型分子センサー装置は、参照電位測定部位と、一種類もしくは複数種のホスト分子がターゲット分子を認識したとき、電位変化をシグナルとして発生させるセンシングユニットと、基板上に結合させるための結合ユニットからなるナノセンサーを基板表面に吸着させたセンサー膜部位、および、電位をモニターするための配線網部位の3要素部位を作成してセンサー部(Sensing electrode)として用いるが、通常は、3要素部位をシリコン基板上に複数配線集積した集積センサー部(Integrated Sensing electrode)で検知し、表面状態変化を、ホスト分子のゲスト分子の取り込みもしくはそれとの反応により増幅し、誘起される表面電位により直接表示することでセンシングを行うものである。
そのため、検査対象のゲスト成分である気体、ガス、気相浮遊物、イオン、遷移金属イオン、無機物や、有機低分子および有機高分子、公害物質、汚染物質、糖、核酸塩基、核酸オリゴマー、DNA、RNA、酵素、たんぱく質、バクテリア、ウィルス、抗原抗体物質、細胞、および生態系の物質をふくむ有機系分子に対応したセンサー電極上のホスト分子が重要である。
表面電位測定型分子センサーにおけるナノセンサーにおけるセンシングユニットの動作原理は、大きく2つに分類される。1つは、ゲストのセンシングユニットへの吸着により、ナノセンサー膜部位内の双極子モーメントもしくは電気二重層もしくは電気的鏡像体に由来した表面状態が変化して、表面電位に影響を与えるものであり、2つめは、ゲストとセンシングユニットとの化学反応により、表面の状態変化が誘引され、もしくは反応による副生成物が発生し表面の状態変化を引き起こすものである。基本原理としていわゆるホスト−ゲスト化学および化学反応に基づく、分子選択、分子反応設計、配列技術が重要であり、表面において先述の物理的、化学的変化により、表面電位変化を誘発することがその機構の根幹をなしている。
(Basic principle for potential detection)
The surface potential measurement type molecular sensor device of the present invention is coupled to a reference potential measurement site, a sensing unit that generates a potential change as a signal when one or more types of host molecules recognize a target molecule, and a substrate. The sensor film part that adsorbs the nanosensor consisting of the binding unit for the substrate surface and the wiring element part for monitoring the potential are created and used as the sensor part (Sensing electrode). Detected by integrated sensor electrode (Integrated Sensing electrode) that integrates three elements on a silicon substrate and amplifies surface state changes by incorporating or reacting with guest molecules in host molecules. Sensing is performed by directly displaying by.
Therefore, gas, gas, gas phase suspended solids, ions, transition metal ions, inorganic substances, organic low molecules and organic polymers, pollutants, contaminants, sugars, nucleobases, nucleic acid oligomers, DNA, which are guest components to be tested Host molecules on sensor electrodes that correspond to organic molecules, including RNA, enzymes, proteins, bacteria, viruses, antigen-antibody materials, cells, and ecosystem materials are important.
The operation principle of the sensing unit in the nanosensor in the surface potential measurement type molecular sensor is roughly classified into two. One is that the surface state derived from the dipole moment or the electric double layer or the electric enantiomer in the nanosensor membrane changes due to the adsorption of the guest to the sensing unit and affects the surface potential. Second, the surface state change is induced by a chemical reaction between the guest and the sensing unit, or a by-product due to the reaction is generated to cause the surface state change. As the basic principle, molecular selection, molecular reaction design, and arrangement technology based on so-called host-guest chemistry and chemical reaction are important, and the mechanism of inducing surface potential change by the aforementioned physical and chemical changes on the surface is the mechanism. The basis of

(表面電位測定型分子センサーの形態)
本発明の表面電位測定型分子センサー装置は、通常は、参照電位測定部位、センサー膜部位、配線網部位の3要素部位をシリコン等の基板上に、微小集積化して用いる(図2参照)。電位測定のため電極表面の面積や形に制約はなく、多彩なデバイス設計が可能である。面積は電位に対して影響が少ないから、小さなものから大きなものまで可能であるが、集積化を鑑みるにミクロンからナノメーターのディメンジョンが好ましい。
センサー膜部位の形に関しては、三角形、四角形、多角形、円、楕円、渦巻き型、球面、柱型、剣山型、不定形2次元、3次元体とあらゆる形態をとりうる。検査対象によっては、基準となる参照電極に影響を与える可能性があるため、本発明では、1つの参照電極でもよいが、種類の異なる2つ以上の参照電極を配置させ、測定環境もしくは配線の断線、リークの不測の事態に応じて、切り替えて使用しセンシングに用いる形態が好ましい。センサー電極は同一のホスト分子、もしくは異種のホスト分子からなる。前者の場合は、同一検知対象の位置存在率のモニターとして使用できる。後者の場合、複数の検知対象に対する目的に応じたオーダーメイドのセンサーを提供できる。これらの集積化センサーが配線を通して、被覆導線に接続され、最終的には各電極電位をモニターリングする一般のコンピューターシステムを含む測定用コントローラーにつながる形態をとる。
本発明の表面電位測定型分子センサー装置において、センサー電極上に用いるナノセンサーは、ゲスト分子と相互作用を有する部位(センシングユニット)と基板に接続するための結合部位(結合ユニット)を有する構造をとることができる。
ゲスト分子と相互作用を有する部位(センシングユニット)として用いる官能基としては、カルコゲン、ニクトゲン、ホウ素族がある。カルコゲンは周期律表第16族に属したものの総称で、官能基としてアルコール、エーテル、エステル、カンボン酸、チオール(メルカプタン)、スルフィド、ジスルフィド、スルフォニウム塩、セレノール、セレニド、ジセレニド、テルロール、テルリド、ジテルリドがある。ニクトゲンは周期律表第15族に属したものの総称で、官能基としてアミン、ピリジン、イミダゾール、イミド、アゾ、ヒドラジン、アンモニウム塩、フォスフィン、アルシン、スチビン、ビスムチンがある。ホウ素族としては、モノアルコキシボラン、ジアルコキシボラン、トリアルコキシボランが安定な官能基として使用できる。さらに、それらの構成要素を組み合わせた官能基として、例えば、スルフィン、スルフォン酸、チオエルテル、ジチオエステル、チオカルボン酸、アミドがある。さらに、センシングユニットとして用いる官能基として、遷移金属を存在させた官能基がある。カルボン酸、ピリジンに結合させた遷移金属がこれにあたり、あまった結合手をセンシングに用いる。また、官能基として、水素結合を用いた形態もある。DNA関連物質がこれにあたる。
例えば、センシングユニットが、次の化学式
で表わされるビピリジンであり、結合ユニットが、
本発明のナノセンサーの基本的な概念を、図3に示す。
ナノセンサーは、電位変化をシグナルとして発生させるセンシング部位と基板表面に結合できる結合部位からなり、電極金属に結合している。具体的なナノセンサーの例を図4〜6に示した。図4において、まずセンシングユニットであるビピリジンは、ターゲット分子である遷移金属錯体を捕捉したとき、シグマ結合により結合しているため、自由回転していた2つのピリジン環はシス位に固定されるとともに、ターゲット分子捕捉による電子状態の変化により、ナノセンサーに電位変化が生じる。参照電極との電位差変化を検出することにより、ターゲット分子の存在を検知できる。また、プロトンを捕捉した場合はビピリジンのシス位固定は強くなされないが、類似した電子状態の変化により、ナノセンサーに電位変化が生じる。さらに、遷移金属と錯化した分子系は、DNA中のグアニン部分と特異的な相互作用を有するため、DNAの特異塩基配列のセンシングにも使用できる。
次の例として、図5において、センシングユニットに酸素を用いたナノセンサーを示す。酸素官能基としては、アルコール、エーテル、クラウンエーテル、エステル、カルボン酸の誘導体がある。酸素官能基は特定のイオンと相互作用を有するため、酸素官能基によるイオンの捕捉により、ナノセンサーに電位変化が生じる。このときの参照電極との電位差変化を検出することにより、ターゲット分子の存在を検知できる。
次にセンシングユニットにターゲットDNAに対して相補的なDNAを用いたジスルフィドやチオールの結合部位を接続させた構造を有する分子系を示した(図6)。この分子系の特徴は、特定のDNA配列のみを検出することが可能であり、表面電位測定型分子センサーにおいてDNA塩基配列のセンシングに使用できる。相補的なホスト分子であるDNAとして、分子内に25残基を有するSH-(CH2)6-TGCGTGGCTCCGTCGCTGCCTCGGTで表されるDNAチオール分子を用いることできる(T; チミン、G; グアニン、C; シトシン、CH2:メチレン鎖)。この分子は電極基板と結合するためのチオール基(SH)を有している。この場合のターゲットDNAは対応した残基構造ACGCACCGAGGCAGCGACGGAGCCAを有するDNA誘導体である。さらに、図7においては、DNAの構成物質のひとつであるチミン誘導体をターゲット分子として、多点水素結合を利用して捕捉できるジアミドピリジン誘導体を用いたナノセンサーの例を示した。この分子系は特定の核酸塩基誘導体を捕捉するのに適している。このように、ナノセンサーセンシングユニットを系統的に変化させることで多様な検知対象に対する対応が可能となる。
以上、プロトンおよびイオンおよび金属イオンならびにDNAとその関連物質を、ターゲット分子として捕捉できるナノセンサーの例を示したが、本発明に関して用いることのできるナノセンサーは、センシング部位と結合部位を有する構造を持つ物質全般にわたり、電位変化の絶対値変化の大小は組み合わせによって様々であるが、上記の例に示したナノセンサーのみに、なんら制限されるものではない。
(Form of surface potential measurement type molecular sensor)
The surface potential measurement type molecular sensor device of the present invention is usually used by micro-integrating three element parts of a reference potential measurement part, a sensor film part, and a wiring network part on a substrate such as silicon (see FIG. 2). There are no restrictions on the area and shape of the electrode surface for potential measurement, and various device designs are possible. Since the area has little influence on the potential, it can be from small to large, but from the viewpoint of integration, a dimension from micron to nanometer is preferable.
As for the shape of the sensor film part, it can take any form such as a triangle, a rectangle, a polygon, a circle, an ellipse, a spiral, a spherical surface, a pillar, a sword mountain, an indefinite two-dimensional, and a three-dimensional body. Depending on the inspection object, there is a possibility of affecting the reference electrode serving as a reference. In the present invention, one reference electrode may be used. However, two or more different types of reference electrodes may be arranged, and the measurement environment or wiring A form that is used by switching and sensing depending on an unexpected situation of disconnection or leakage is preferable. The sensor electrode is composed of the same host molecule or different host molecules. In the former case, it can be used as a monitor of the position presence rate of the same detection target. In the latter case, it is possible to provide a tailor-made sensor according to the purpose for a plurality of detection targets. These integrated sensors are connected to coated conductors through wiring, and finally take the form of connecting to a measurement controller including a general computer system that monitors each electrode potential.
In the surface potential measurement type molecular sensor device of the present invention, the nanosensor used on the sensor electrode has a structure having a site that interacts with the guest molecule (sensing unit) and a binding site (binding unit) for connecting to the substrate. Can take.
Functional groups used as a site (sensing unit) that interacts with a guest molecule include chalcogen, nictogen, and boron group. Chalcogen is a general term for those belonging to Group 16 of the Periodic Table. As functional groups, alcohol, ether, ester, cambonic acid, thiol (mercaptan), sulfide, disulfide, sulfonium salt, selenol, selenide, diselenide, telluride, telluride, ditelluride There is. Nictogen is a generic name for those belonging to Group 15 of the Periodic Table, and functional groups include amine, pyridine, imidazole, imide, azo, hydrazine, ammonium salt, phosphine, arsine, stibine, and bismuthine. As the boron group, monoalkoxyborane, dialkoxyborane, trialkoxyborane can be used as a stable functional group. Furthermore, examples of the functional group obtained by combining these constituent elements include sulfine, sulfonic acid, thioerter, dithioester, thiocarboxylic acid, and amide. Furthermore, as a functional group used as a sensing unit, there is a functional group in which a transition metal is present. This is the transition metal bonded to carboxylic acid or pyridine, and the remaining bonds are used for sensing. There is also a form using hydrogen bonds as functional groups. This is the case for DNA-related substances.
For example, the sensing unit has the following chemical formula
A bipyridine represented by the formula:
The basic concept of the nanosensor of the present invention is shown in FIG.
The nanosensor includes a sensing site that generates a potential change as a signal and a binding site that can bind to the substrate surface, and is bonded to an electrode metal. Examples of specific nanosensors are shown in FIGS. In FIG. 4, when bipyridine as a sensing unit first captures a transition metal complex as a target molecule, it is bound by a sigma bond, so the two pyridine rings that have been freely rotated are fixed at the cis position. Changes in the electronic state due to target molecule trapping cause a potential change in the nanosensor. The presence of the target molecule can be detected by detecting a change in potential difference with the reference electrode. In addition, when protons are captured, the cis position of bipyridine is not strongly fixed, but a potential change occurs in the nanosensor due to a similar change in the electronic state. Furthermore, since a molecular system complexed with a transition metal has a specific interaction with a guanine moiety in DNA, it can be used for sensing a specific base sequence of DNA.
As a next example, FIG. 5 shows a nanosensor using oxygen as a sensing unit. Examples of the oxygen functional group include alcohol, ether, crown ether, ester, and carboxylic acid derivatives. Since the oxygen functional group interacts with a specific ion, a potential change occurs in the nanosensor due to the trapping of the ion by the oxygen functional group. The presence of the target molecule can be detected by detecting a potential difference change with the reference electrode at this time.
Next, a molecular system having a structure in which a disulfide or thiol binding site using DNA complementary to the target DNA is connected to the sensing unit is shown (FIG. 6). This molecular system can detect only a specific DNA sequence and can be used for sensing a DNA base sequence in a surface potential measurement type molecular sensor. As a complementary host molecule DNA, a DNA thiol molecule represented by SH- (CH 2 ) 6 -TGCGTGGCTCCGTCGCTGCCTCGGT having 25 residues in the molecule can be used (T; thymine, G; guanine, C; cytosine) , CH 2: methylene chain). This molecule has a thiol group (SH) for binding to the electrode substrate. The target DNA in this case is a DNA derivative having the corresponding residue structure ACGCACCGAGGCAGCGACGGAGCCA. Further, FIG. 7 shows an example of a nanosensor using a diamidepyridine derivative that can be captured using multipoint hydrogen bonding, using a thymine derivative, which is one of the constituents of DNA, as a target molecule. This molecular system is suitable for capturing specific nucleobase derivatives. Thus, it is possible to cope with various detection targets by systematically changing the nanosensor sensing unit.
In the above, examples of nanosensors that can capture protons, ions, metal ions, DNA, and related substances as target molecules have been shown. Nanosensors that can be used in the present invention have a structure having a sensing site and a binding site. Although the magnitude of the change in the absolute value of the potential change varies depending on the combination, it is not limited to the nanosensors shown in the above example.

(参照電極の形態)
参照電極は、基本的に検査対象に対して、不活性であることが大切で、そのため表面としては、貴金属(金、銀、銅、プラチナ、パラジウム)、グラファイト、不定形炭素材料、有機薄膜、有機絶縁性ポリマー、シロキサンポリマー、絶縁性硝子からなる膜状物質が適している。本発明では、参照電極として、種類の異なる2つ以上の参照電極を用いることができる。集積センサー部に2つの参照電極がある場合、例えば、そのうちの1つを絶縁性硝子で被覆した金電極、他方を金属上に固定化したグラファイトを用いる。これに類して、2つ以上の参照電極を用いる場合、上記の材料を参照電極に被覆し、適宜選択し組み合わせることで本発明の電極システムを構築する。
(Reference electrode configuration)
Basically, it is important that the reference electrode is inert to the object to be inspected. For this reason, noble metals (gold, silver, copper, platinum, palladium), graphite, amorphous carbon materials, organic thin films, A film-like substance made of an organic insulating polymer, a siloxane polymer, or an insulating glass is suitable. In the present invention, two or more different types of reference electrodes can be used as the reference electrode. When there are two reference electrodes in the integrated sensor unit, for example, one of them is a gold electrode covered with insulating glass, and the other is graphite fixed on a metal. In a similar manner, when two or more reference electrodes are used, the electrode system of the present invention is constructed by covering the reference electrodes with the above-mentioned materials and selecting and combining them appropriately.

(センサー膜部位の作製)
ナノセンサーを用いてセンサー膜部位を作製するには、インクジェット技術を用いるのが好ましい。これにより、異種のホスト分子群を、シリコンや貴金属等の金属基板等の基板上にその場で適宜ぬりつけることができる。
それぞれのナノセンサー用のインクジェットノズルを高速変換することで目的に応じたオーダーメイドセンサーを提供できる。ぬりつけ作業をおえたあとは、余分の分子材料を大量の可溶性純粋溶媒でいっきに洗浄することでセンサー電極膜を作製する。各センサー電極上に吸着させるナノセンサ−は、用途に応じて1種類もしくは2種類以上の混合系を用いる。2種類以上の混合系の場合、各構成成分の比率、表面への相互作用の違いを設定することで最適のセンサー電極部位にする。また、2種類以上の混合系の場合、1種類ずつの成分を順次上塗りする形で構成させる方法もある。膜の厚みは1〜10000nmの範囲であるが、感度の向上から数ナノメートルの分子薄膜が好ましい。
(Production of sensor membrane part)
In order to produce a sensor film part using a nanosensor, it is preferable to use an inkjet technique. Accordingly, different types of host molecule groups can be appropriately applied in situ on a substrate such as a metal substrate such as silicon or a noble metal.
Custom-made sensors according to the purpose can be provided by converting the inkjet nozzles for each nanosensor at high speed. After finishing the application, the sensor electrode film is prepared by washing excess molecular material with a large amount of soluble pure solvent at the same time. The nanosensor to be adsorbed on each sensor electrode uses one type or a mixture of two or more types depending on the application. In the case of two or more kinds of mixed systems, the optimum sensor electrode part is obtained by setting the ratio of each component and the difference in interaction with the surface. In the case of two or more types of mixed systems, there is a method in which each type of component is sequentially overcoated. The thickness of the film is in the range of 1 to 10000 nm, but a molecular thin film of several nanometers is preferable from the viewpoint of improvement in sensitivity.

(配線網部位の形態)
参照電極、センサー電極(センサー膜部位)の電位をモニターするために各電極に対する配線は必須である。配線の方法は大きく分けて、3つある。1つは、デバイス同一表面上に配線する手法と(図8)、2つめは、配線をデバイス最表面からみて下方にもぐらせる手法である(図9)。
3つめは、電極もしくは近傍から、直接ハンダ付けにより接合する方法である。第1の手法の場合、表面に露出した配線部分および配線表面とシールド剤の界面をシールドすることが重要である。シールド剤は、有機ポリマー、レジスト材料、硝子、およびスパッタリングによる酸化無機膜が好ましい。第2の手法の場合も、シールドは必要で、配線もぐりこみの始めの部分および配線からアダプター取出し口への接続部分のシールドが必要である。形態としてデバイスチップ裏面に配線を接続するものと側面へ接続するものがある。第3の方法は、機械的もしくは手作業で配線を接合するものである。
デバイス同一表面上に配線する形態と配線をデバイス最表面からみて下方にもぐらせる形態どちらにおいても、配線数が増えた場合は、デバイスチップ中にFETトランジスターとオシレーターを導入することで配線数の削減を行う。センサー電極からのシグナルを順次、内部オシレータークロックゲート電界により自動高速スイッチング収集することで配線数の削減が行える。配線網を外部にとりだすためのワイヤー部分もここでの配線技術に入る。ワイヤーの形態は被覆導線であり、しなやかなもの剛直な素材どちらでもよい。ワイヤーを含めて、全体が鋭利な針状の構造に一体化した形状もある。この被覆導線部分で先の配線数の削減も行える。その被覆導線を計測用コントローラーおよび集積化センサーに接続するアダプターも重要である。各配線をセンサーチップから被覆導線へ、被覆導線途中、被覆導線から測定用コントローラーへ接続する役割を担う。特に、センサーチップと被覆導線の接合において、検査環境のなかで電気的なリークがおこらないようにシールドする技術は重要である。

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。本発明の技術思想の範囲内での変更及び他の態様又は実施例は、全て本発明に含まれる。
(Form of wiring network part)
In order to monitor the potential of the reference electrode and the sensor electrode (sensor membrane part), wiring for each electrode is essential. There are roughly three wiring methods. One is a method of wiring on the same surface of the device (FIG. 8), and the second is a method of wiring downward from the top surface of the device (FIG. 9).
The third is a method of joining by soldering directly from the electrode or the vicinity. In the case of the first method, it is important to shield the wiring portion exposed on the surface and the interface between the wiring surface and the shielding agent. The shielding agent is preferably an organic polymer, a resist material, glass, and an inorganic oxide film formed by sputtering. In the case of the second method as well, shielding is necessary, and shielding is necessary at the beginning of the wiring retraction and at the connection portion from the wiring to the adapter outlet. As a form, there are one in which wiring is connected to the back surface of the device chip and another in which wiring is connected to the side surface. The third method is to join wirings mechanically or manually.
Reduce the number of wires by introducing FET transistors and oscillators in the device chip when the number of wires increases, both in the form of wiring on the same surface of the device and in the form of wiring extending downward from the top surface of the device I do. The number of wires can be reduced by collecting signals from the sensor electrodes in sequence by automatic high-speed switching using the internal oscillator clock gate electric field. The wire part for taking out the wiring network to the outside also enters the wiring technology here. The form of the wire is a coated conductor, and either a flexible or rigid material may be used. Some shapes, including wires, are integrated into a sharp needle-like structure. The number of the previous wirings can be reduced at the covered conductor portion. Also important is the adapter that connects the coated wire to the measurement controller and the integrated sensor. It plays a role of connecting each wiring from the sensor chip to the coated conductor, and in the middle of the coated conductor, from the coated conductor to the measurement controller. In particular, a technique for shielding the sensor chip and the coated conductor so as to prevent electrical leakage in the inspection environment is important.

EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited at all by these Examples. All modifications and other embodiments or examples within the scope of the technical idea of the present invention are included in the present invention.

本発明の表面電位測定型分子センサー装置は、いわゆるホスト−ゲスト化学に基づく分子選択が重要である。センサー電極表面上における、ホスト-ゲスト相互作用を確認するため、X線光電子分光、赤外線吸収、表面電位顕微鏡、および吸収端近傍X線吸収微細構造を用いて詳細に検討した。ホスト分子としてビピリジン誘導体を、ゲスト分子として遷移金属錯体を一例としてあげる。
本発明で用いるナノセンサーとして、ゲスト分子と相互作用を有する部位(センシング部位)として、ビピリジン誘導体を用いることが出来る。
ビピリジン誘導体の例としては、チオールを結合ユニットとした以下のものがある。
ナノセンサー分子膜、ゲストである遷移金属錯体、およびゲストを作用させたナノセンサー分子膜のX線光電子分光スペクトルから、ビピリジン誘導体は一分子膜を形成しており、膜中で外来ゲスト遷移金属錯体を取り込むことがわかった。
一例として上記に示したビピリジン誘導体のうち、片側のみに硫黄を有するビピリジン誘導体を用いたホスト分子膜のX線光電子分光スペクトルにおける窒素1sのbinding energy変化を図9Aに示す。窒素1sのシグナルはホスト分子ビピリジン誘導体中の窒素の状態を示すものである。
図9A-iはフリーのビピリジン誘導体のN1sシグナルであり、約398.5eVに位置することがわかった。
図9A-iiは、そのホストナノセンサー(ホスト)分子膜にゲスト遷移金属Pd錯体を相互作用させた後のスペクトルである。398.5eVのシグナル以外に約400eV付近に新たなシグナルが現れることがわかった。これはゲスト遷移金属がビピリジン誘導体中の窒素により捕捉され、その電子密度が低下したことと一致して、高binding energyにシフトしたものである。
図9A-iiiはPd3d領域のXPSスペクトルであるが、約335eV付近に基板に用いた金のシグナルが現れている。ゲスト遷移金属Pd錯体をホスト分子膜に作用させると、図9A-ivに示したように約343と338eVにPd3dに対応したシグナルが観測された。これらのピークはPdがビピリジン誘導体中の窒素により捕捉されたものである。
以下の各スペクトルにおいても、測定手法に応じた対応する物理量の変化が観測されているが、ここでは割愛する。赤外線吸収スペクトルを用いて、ホスト分子膜にゲスト遷移金属錯体を作用させる前後において、ビピリジン骨格に対応する伸縮振動の変化がみられ、外来ゲスト遷移金属錯体の取り込みが実証された。表面電位顕微鏡測定とそのX線光電子分光から、ビピリジン誘導体一分子膜は外来ゲスト遷移金属錯体とりこみにより大きな電位変化をもたらせることが判明した。さらに、吸収端近傍X線吸収微細構造の測定からビピリジン誘導体一分子膜は、外来ゲスト遷移金属錯体の取り込みにより、その配列状態が変化することが分かった。これらの結果は、センサー電極表面上のホスト分子−検査対象のゲスト分子の系において、センサー電極として作動が可能であることを示す。
In the surface potential measurement type molecular sensor device of the present invention, molecular selection based on so-called host-guest chemistry is important. In order to confirm the host-guest interaction on the sensor electrode surface, detailed examination was performed using X-ray photoelectron spectroscopy, infrared absorption, surface potential microscope, and X-ray absorption fine structure near the absorption edge. An example is a bipyridine derivative as a host molecule and a transition metal complex as a guest molecule.
As a nanosensor used in the present invention, a bipyridine derivative can be used as a site (sensing site) that interacts with a guest molecule.
Examples of bipyridine derivatives include the following with thiol as a binding unit.
From the X-ray photoelectron spectroscopy spectrum of the nanosensor molecular film, the guest transition metal complex, and the nanosensor molecular film on which the guest has acted, the bipyridine derivative forms a monomolecular film, and the foreign guest transition metal complex in the film I found out that
As an example, FIG. 9A shows a change in binding energy of nitrogen 1s in an X-ray photoelectron spectrum of a host molecular film using a bipyridine derivative having sulfur only on one side among the bipyridine derivatives shown above. The signal of nitrogen 1s indicates the state of nitrogen in the host molecule bipyridine derivative.
FIG. 9A-i is the N1s signal of a free bipyridine derivative and was found to be located at about 398.5 eV.
FIG. 9A-ii shows the spectrum after the guest transition metal Pd complex interacts with the host nanosensor (host) molecular film. In addition to the 398.5 eV signal, a new signal appears around 400 eV. This is because the guest transition metal is trapped by nitrogen in the bipyridine derivative and its electron density is lowered, and is shifted to high binding energy.
FIGS. 9A-iii are XPS spectra in the Pd3d region. The gold signal used for the substrate appears around 335 eV. When the guest transition metal Pd complex was allowed to act on the host molecular film, signals corresponding to Pd3d were observed at about 343 and 338 eV as shown in FIGS. 9A-iv. These peaks are those in which Pd is captured by nitrogen in the bipyridine derivative.
In the following spectra, corresponding changes in physical quantities according to the measurement method are observed, but they are omitted here. Using the infrared absorption spectrum, the stretching vibration corresponding to the bipyridine skeleton was observed before and after the guest transition metal complex was allowed to act on the host molecular film, and the incorporation of the foreign guest transition metal complex was demonstrated. From surface potential microscopy and its X-ray photoelectron spectroscopy, it was found that bipyridine derivative monolayers can cause large potential changes by incorporating foreign guest transition metal complexes. Furthermore, from the measurement of the X-ray absorption fine structure near the absorption edge, it was found that the arrangement state of the bipyridine derivative monomolecular film was changed by the incorporation of the foreign guest transition metal complex. These results show that the sensor molecule can be operated in the host molecule-guest molecule to be examined system on the sensor electrode surface.

参照電極としてAg/AgCl電極を用い、センサー電極として、マイカ上に厚み200nmで蒸着した1cm X 2cmの金(111)面にビピリジン誘導体を吸着させた一分子膜を用いた。検査環境として、硫酸カリウム0.1M水溶液を用いた。このセンサー電極を遷移金属溶液と作用させたところ、作用させる前に比べて作用後の表面電位(以下OCP(Open Circuit Potential)と略す)が大きく変化した(図10)。
その変化は約50mV前後であった。ビピリジン誘導体を吸着させていない金(111)面やゲスト分子に対して不活性な分子を吸着させたセンサー電極では大きな変化はなく、このOCP変化の現象はホスト分子の選択の重要性を示すものである。
An Ag / AgCl electrode was used as a reference electrode, and a monomolecular film in which a bipyridine derivative was adsorbed on a 1 cm × 2 cm gold (111) surface deposited on mica at a thickness of 200 nm was used as a sensor electrode. As an inspection environment, a potassium sulfate 0.1 M aqueous solution was used. When this sensor electrode was allowed to act on the transition metal solution, the surface potential after the action (hereinafter abbreviated as OCP (Open Circuit Potential)) changed significantly compared to before the action (FIG. 10).
The change was about 50 mV. There is no significant change in the sensor electrode that adsorbs molecules inactive to the gold (111) surface and guest molecules that do not adsorb bipyridine derivatives, and this phenomenon of OCP change shows the importance of selection of host molecules. It is.

次に、参照電極として比較的不活性な遷移金属である金電極を用いた。センサー電極として、金上にビピリジン誘導体を吸着させたものを採用した。ここで用いた電極の形状は、球体でありその直径は1〜3mmであり、先の金基板に比べてその表面積は非常に小さくしてある(約0.04〜0.38 cm2)。検査環境として同様の、硫酸カリウム0.1M水溶液を用いた。このセンサー電極を遷移金属溶液と作用させたところ、作用させた後のOCPが大きく変化した(図11)。その変化は約100mV前後であった。その値は、先の金基板と同等もしくはそれ以上であり、電位検知においる面積の不問が証明された。また、参照電極として電気化学分野で使用されているもの以外も、本発明で活用できることが実証された。ビピリジン誘導体を吸着させていない球状の金や別の不活性な分子を吸着させた電極では、大きな変化はなくこれもOCP変化の現象はホスト分子選択の重要性を示すものである。 Next, a gold electrode, which is a relatively inert transition metal, was used as a reference electrode. A sensor electrode in which a bipyridine derivative was adsorbed on gold was used. The shape of the electrode used here is a sphere, its diameter is 1 to 3 mm, and its surface area is much smaller than that of the previous gold substrate (about 0.04 to 0.38 cm 2 ). A similar potassium sulfate 0.1M aqueous solution was used as an inspection environment. When this sensor electrode was allowed to act with a transition metal solution, the OCP after the effect was greatly changed (FIG. 11). The change was about 100 mV. The value is equal to or more than that of the previous gold substrate, and it has been proved that the area for potential detection is unquestioned. Moreover, it was demonstrated that the present invention can be utilized in the present invention other than the reference electrode used in the electrochemical field. There is no significant change in the electrode that adsorbs spherical gold or other inactive molecules that do not adsorb bipyridine derivatives, and the phenomenon of OCP change shows the importance of host molecule selection.

次の例として、センサー電極として、金上にカルボン酸誘導体を吸着させたものを採用した。参照電極として比較的不活性な遷移金属である金電極を用いた。ここで用いた電極の形状は、球体でありその直径は1〜3mmであり、先の金基板に比べてその表面積は非常に小さくしてある。検査環境として同様の、硫酸カリウム0.1M水溶液を用いた。このセンサー電極をカルボン酸と親和性のよい銅イオンと作用させたところ、作用させた後のOCPが変化した(図12)。その変化は約200mV前後と比較的大きなものであった。この実施例は、ホスト分子の型は特定のものに限定されるものではなく、基本的にナノセンサー(ホスト)は、特定のゲスト分子と相互作用を有するものであれば、表面電位型分子センサーとして使用できることを示すものである。 As the next example, a sensor electrode having a carboxylic acid derivative adsorbed on gold was employed. A gold electrode, which is a relatively inert transition metal, was used as a reference electrode. The shape of the electrode used here is a sphere with a diameter of 1 to 3 mm, and its surface area is much smaller than that of the previous gold substrate. A similar potassium sulfate 0.1M aqueous solution was used as an inspection environment. When this sensor electrode was allowed to act on copper ions having a good affinity for carboxylic acid, the OCP after the action changed (FIG. 12). The change was relatively large, around 200mV. In this embodiment, the type of the host molecule is not limited to a specific type. Basically, the nanosensor (host) is a surface potential type molecular sensor as long as it interacts with a specific guest molecule. It can be used as

センサー電極として、金上にジアミドピリジン誘導体を吸着させたものを採用した。ここで用いた電極の形状は、球体でありその直径は1〜3mmであり、先の金基板に比べてその表面積は非常に小さくしてある。参照電極として不活性な長鎖アルカンチオール(ヘキサデカンチオール)修飾金電極を用いた。検査環境として同様の、硫酸カリウム0.1M水溶液を用いた。このセンサー電極を、この系におけるターゲット分子であるブチルチミンと作用させたところ、作用させた後のOCPが変化した(図13)。その変化は約80mV前後であった。ジアミドビピリジン誘導体を吸着させていない金(111)面や別の不活性な分子を吸着させたセンサー電極では、大きな変化はなくこれもOCP変化増幅の現象はホスト分子のよるものであると思われる。この一例は、ホスト分子の型は特定のものに限定されるものではなく、基本的にナノセンサー(ホスト)は特定のゲスト分子と相互作用を有するものであれば、表面電位型分子センサーを使用できることを示すものである。また、不活性な有機薄膜(ヘキサデカンチオール)を用いた電極が参照電極として使用できることを証明している。 A sensor electrode in which a diamidepyridine derivative was adsorbed on gold was used. The shape of the electrode used here is a sphere with a diameter of 1 to 3 mm, and its surface area is much smaller than that of the previous gold substrate. An inert long-chain alkanethiol (hexadecanethiol) modified gold electrode was used as a reference electrode. A similar potassium sulfate 0.1M aqueous solution was used as an inspection environment. When this sensor electrode was allowed to act on the target molecule butylthymine in this system, the OCP after the action changed (FIG. 13). The change was about 80 mV. There is no significant change in the gold (111) surface not adsorbed with the diamidobipyridine derivative and other inactive molecules, and the OCP change amplification phenomenon seems to be due to the host molecule. . In this example, the type of host molecule is not limited to a specific type, and basically a surface potential type molecular sensor is used if the nanosensor (host) interacts with a specific guest molecule. It shows what can be done. It has also been proved that an electrode using an inert organic thin film (hexadecanethiol) can be used as a reference electrode.

次に、センサー電極として、金上にDNA誘導体を吸着させたものを採用した。ここで用いた電極の形状は、球体でありその直径は1〜3mmであり、先の金基板に比べてその表面積は非常に小さくしてある。球状金電極をチオール化したDNA誘導体の溶解した緩衝溶液中に4時間漬け込むことでセンサー電極を準備した。このDNA誘導体はチオールを結合部位として有する一本鎖のオリゴヌクレオチドであり、金との化学結合をチオールS-Hの解裂反応により膜形成する。参照電極として不活性な長鎖アルカンチオール(ヘキサデカンチオール)修飾金電極を用いた。検査環境として同様の、硫酸カリウム0.1M水溶液を用いた。このセンサー電極を、このDNA系におけるターゲット分子である相補的なDNAと作用させたところ、作用させた後のOCPが変化した(図14)。その変化は約40mV前後であった。これ実施例もOCP変化増幅の現象はホスト分子によるものであることの証明例の一つである。   Next, a sensor electrode in which a DNA derivative was adsorbed on gold was employed. The shape of the electrode used here is a sphere with a diameter of 1 to 3 mm, and its surface area is much smaller than that of the previous gold substrate. The sensor electrode was prepared by immersing the spherical gold electrode in a buffer solution in which the thiolated DNA derivative was dissolved for 4 hours. This DNA derivative is a single-stranded oligonucleotide having a thiol as a binding site, and forms a film of chemical bond with gold by cleavage reaction of thiol S—H. An inert long-chain alkanethiol (hexadecanethiol) modified gold electrode was used as a reference electrode. A similar potassium sulfate 0.1M aqueous solution was used as an inspection environment. When this sensor electrode was allowed to act on complementary DNA as a target molecule in this DNA system, the OCP after the action changed (FIG. 14). The change was around 40mV. This example is also an example of proof that the phenomenon of OCP change amplification is due to host molecules.

本発明の表面電位測定型分子センサーのリサイクルの観点から、外来ゲスト遷移金属錯体を取り込むことがわかったビピリジン誘導体一分子膜(実施例1−3)に対して、外来ゲスト遷移金属錯体の脱離をこころみた。アミン系の化合物を脱離剤として作用させ、その挙動を、X線光電子分光、赤外線吸収、ケルビンプローブ顕微鏡を用いて詳細に検討した。分子内官能基および遷移金属のX線光電子分光スペクトルから、ビピリジン誘導体は脱離剤によって、取り込んだ外来ゲスト遷移金属錯体を手放すことがわかった。赤外線吸収スペクトルにおいても、ビピリジン骨格に対応する伸縮振動から、脱離が実証された。ケルビンプローブ顕微鏡測定とそのX線光電子分光からも、ビピリジン誘導体一分子膜は外来ゲスト遷移金属錯体とりこみにより電位がもとにもどることが判明した。これらの結果は、センサーのリサイクル使用が可能であることを示す。
そこで、参照電極としてAg/AgCl電極を用い、センサー電極として、マイカ上に厚み200nmで蒸着した1cm X 2cmの金(111)面に遷移金属が吸着したビピリジン誘導体一分子膜を用いて、硫酸カリウム0.1M水溶液中、脱離剤であるエチレンジアミンの効果を検討したところ、脱離剤の作用によりOCPがもとにもどることが明らかとなった。10mMのエチレンジアミンのジクロロメタン溶液にセンサー電極を5分浸漬後、再度遷移金属のセンシングを行うと期待した電位変化が起こり、そのリサイクル使用を行えることがわかった(図15)。このリサイクルは、直径が1〜3mmの金球体電極でも同様であり(図16)、本発明の表面電位測定型分子センサーが微小電極を用いて、かつ適当な脱離過程をへることでリサイクル可能であることを実証した。
From the viewpoint of recycling of the surface potential measurement type molecular sensor of the present invention, desorption of the foreign guest transition metal complex from the bipyridine derivative monomolecular film (Example 1-3) that was found to incorporate the foreign guest transition metal complex. I tried. An amine compound was allowed to act as a desorbing agent, and its behavior was examined in detail using X-ray photoelectron spectroscopy, infrared absorption, and a Kelvin probe microscope. From the X-ray photoelectron spectroscopy spectra of the intramolecular functional groups and transition metals, it was found that the bipyridine derivative released the incorporated foreign guest transition metal complex by the leaving agent. Also in the infrared absorption spectrum, desorption was demonstrated from the stretching vibration corresponding to the bipyridine skeleton. From the Kelvin probe microscope measurement and its X-ray photoelectron spectroscopy, it was found that the bipyridine derivative monomolecular film was restored to the original potential by incorporating the foreign guest transition metal complex. These results indicate that the sensor can be recycled.
Therefore, an Ag / AgCl electrode was used as a reference electrode, and a potassium sulfate sulfate monomolecular film with a transition metal adsorbed on a 1 cm x 2 cm gold (111) surface deposited on mica at a thickness of 200 nm was used as a sensor electrode. Examination of the effect of ethylenediamine, a desorbing agent, in 0.1M aqueous solution revealed that OCP was restored by the action of the desorbing agent. It was found that when the sensor electrode was immersed in a 10 mM ethylenediamine dichloromethane solution for 5 minutes and then the transition metal was sensed again, the expected potential change occurred and it could be recycled (FIG. 15). This recycling is the same for gold spherical electrodes with a diameter of 1 to 3 mm (Fig. 16), and the surface potential measurement type molecular sensor of the present invention uses a microelectrode and goes through an appropriate desorption process. It was proved possible.

なお、物質系において無害で完全に安全なものは皆無といってよく、本発明において用いられる表面電位測定型分子センサーの材料の一部にも有毒とされるものがある可能性があり、注意が必要である。従って、製造工程、製品として用いる時の取り扱い、廃棄する際の回収方法も現在既存の技術を駆使して十分対処すべきであり、産業界における再利用の構築も大切である。
It should be noted that there is no harmless and completely safe substance system, and some of the materials of the surface potential measurement type molecular sensor used in the present invention may be toxic. is required. Therefore, the manufacturing process, the handling when used as a product, and the recovery method at the time of disposal should be sufficiently dealt with by utilizing the existing technology, and the establishment of reuse in the industry is also important.

本発明の表面電位測定型分子センサーは、上述した表面電位計測用の微小電極を用いて簡便にかつ超高感度に被検体中の多成分をセンシングできるので、混合気体の分析、燃料自動車に用いる水素ガスの微量分析、地球大気の環境分析、都会の空気汚染物質の検知、室内および車内における汚染不快物質の検知、混合溶液中の物質検査、池、湖、地下水、海水の多成分微量元素の分析、ごみ処理場の汚染液体の監視、医療関連の分析、簡便なDNA鑑定、血液中物質の経時変化追跡、マイクロ流路と組み合わせた微量分析、分析研究機関のためのツールなどに適用でき、産業上幅広く利用できる。   The surface potential measurement type molecular sensor of the present invention can be used for the analysis of gas mixtures and fuel vehicles because it can easily and extremely sensitively detect multiple components in the specimen using the above-described microelectrode for surface potential measurement. Trace analysis of hydrogen gas, environmental analysis of the earth's atmosphere, detection of air pollutants in the city, detection of unpleasant pollutants indoors and cars, inspection of substances in mixed solutions, multicomponent trace elements of ponds, lakes, groundwater, seawater It can be applied to analysis, monitoring of contaminated liquids at waste disposal sites, medical-related analysis, simple DNA identification, tracking of changes in blood substances over time, microanalysis combined with microchannels, tools for analytical research institutions, etc. Can be used widely in industry.

本発明の実施態様の説明図Explanatory drawing of the embodiment of the present invention 本発明の表面電位測定型センサー装置の見取図A sketch of the surface potential measuring sensor device of the present invention 本発明で用いるナノセンサーの一例Example of nanosensor used in the present invention 本発明で用いるナノセンサーの一例Example of nanosensor used in the present invention 本発明で用いるナノセンサーの一例Example of nanosensor used in the present invention DNAを用いた本発明で用いるナノセンサーの一例Example of nanosensor used in the present invention using DNA 本発明で用いるナノセンサーの一例Example of nanosensor used in the present invention 本発明で用いる配線網部位の説明図Explanatory drawing of wiring network parts used in the present invention 本発明で用いる配線網部位の説明図Explanatory drawing of wiring network parts used in the present invention ホスト分子膜のX線光電子分光スペクトルにおける窒素1sのbinding energy変化図Changes in binding energy of nitrogen 1s in the X-ray photoelectron spectroscopy of the host molecular film 実施例2におけるOpen Circuit Potential測定結果Measurement result of Open Circuit Potential in Example 2 実施例3におけるOpen Circuit Potential測定結果Measurement result of Open Circuit Potential in Example 3 実施例4におけるOpen Circuit Potential測定結果Measurement result of Open Circuit Potential in Example 4 実施例5におけるOpen Circuit Potential測定結果Measurement result of Open Circuit Potential in Example 5 実施例6におけるOpen Circuit Potential測定結果Measurement result of Open Circuit Potential in Example 6 実施例7におけるOpen Circuit Potential測定結果Measurement result of Open Circuit Potential in Example 7 実施例7におけるOpen Circuit Potential測定結果Measurement result of Open Circuit Potential in Example 7

Claims (7)

参照電位測定部位と、一種類もしくは複数種のホスト分子がターゲット分子を認識したとき、電位変化をシグナルとして発生させるセンシングユニットと、基板上に結合させるための結合ユニットからなるナノセンサーを基板表面に吸着させたセンサー膜部位、および、電位をモニターするための配線網部位の3要素部位をシリコン基板上に複数配線集積した集積センサー部と、シグナルをコントローラーに送るための被覆導線部と、それを接続するためのアダプター部と、それらがつながる計測コントローラー部からなる表面電位測定型センサー装置。 A nanosensor consisting of a reference potential measurement site, a sensing unit that generates a potential change as a signal when one or more types of host molecules recognize the target molecule, and a binding unit that binds to the substrate are formed on the substrate surface. An integrated sensor unit in which a plurality of three element parts of the adsorbed sensor film part and a wiring network part for monitoring electric potential are integrated on a silicon substrate, a coated conductor part for sending a signal to the controller, and A surface potential measurement type sensor device consisting of an adapter part for connection and a measurement controller part to which they are connected. センサー膜部位の金属表面に形成させたホスト分子からなる膜が、一種類もしくは複数種のホスト分子であることを特徴とする請求項1に記載した表面電位測定型センサー装置。 2. The surface potential measurement type sensor device according to claim 1, wherein the film made of host molecules formed on the metal surface of the sensor film part is one kind or plural kinds of host molecules. センシングユニットが、次の化学式
で表わされるビピリジンであり、
結合ユニットが、
(式中、nは1〜50の整数)
で示される化合物である請求項1に記載した表面電位測定型センサー装置。
The sensing unit has the following chemical formula
Bipyridine represented by
Combined unit
(Where n is an integer from 1 to 50)
The surface potential measurement type sensor device according to claim 1, which is a compound represented by the formula:
参照電極として、種類の異なる2つ以上の参照電極を用いる請求項1に記載した表面電位測定型センサー装置。 The surface potential measuring sensor device according to claim 1, wherein two or more different types of reference electrodes are used as reference electrodes. センサー膜部位のホスト分子を、センシング後に再生処理をすることを特徴とする請求項1に記載した表面電位測定型センサー装置。 2. The surface potential measurement type sensor device according to claim 1, wherein the host molecule at the sensor membrane part is regenerated after sensing. ホスト分子膜を形成する分子のすべてもしくは一部が、化学的外来刺激物質であるゲスト分子を捕捉するための官能基及び又はDNA配列を有することを特徴とする請求項1に記載した表面電位測定型センサー装置。 2. The surface potential measurement according to claim 1, wherein all or a part of the molecules forming the host molecular film have a functional group and / or a DNA sequence for capturing a guest molecule which is a chemical external stimulant. Type sensor device. ホスト分子膜の平均面積が、1nm2〜1 cm2であり、膜厚が1nm〜10μmであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかひとつに記載した表面電位測定型センサー装置。
6. The surface potential measuring sensor device according to claim 1, wherein the host molecular film has an average area of 1 nm 2 to 1 cm 2 and a film thickness of 1 nm to 10 μm.
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