JP2006050686A - Battery state detector and charger having it - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a battery state detector, which can accurately detect the voltage, current, temperature, etc. of a battery, without being influenced by the mounting state of parts, and to provide a charging circuit. <P>SOLUTION: Threshold-setting information to be used for detection of voltage, current, and temperature in each detection circuit (102-105) is stored in a storage circuit 106 consisting of a nonvolatile memory. This setting information is read from the storage memory 106 by a control circuit 107, when performing the detection, and it is supplied to each detecting circuit, and is used for threshold setting. Since accurate setting information tinged with the influence of wiring setup, such as piezoelectric effect, wiring resistance, and contact resistance of a connector can be written, after wiring and setup of each part in the storage circuit 106, so this device can improve the detection accuracy, as compared with a conventional device which performs the adjustment of threshold in the state of a wafer. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、電池の電圧や電流、温度等を検出する電池状態検出装置と、その検出結果に応じて電池の充電を行う充電装置に関するものである。   The present invention relates to a battery state detection device that detects a voltage, current, temperature, and the like of a battery, and a charging device that charges the battery according to the detection result.

近年、携帯電話機に代表される、２次電池を搭載した携帯型の電子機器（以降、携帯機器と表記する）が急速に普及している。このような携帯機器においては、筐体のサイズや重量とともに、連続的な機器の使用時間が非常に重視されている。そのため、携帯機器においては、２次電池にできるだけ多くの電力を蓄えることや、消費電力を極力削減することが求められている。   2. Description of the Related Art In recent years, portable electronic devices (hereinafter referred to as portable devices) equipped with a secondary battery, represented by mobile phones, are rapidly spreading. In such portable devices, continuous use time of the device is very important as well as the size and weight of the housing. Therefore, in portable devices, it is required to store as much power as possible in the secondary battery and to reduce power consumption as much as possible.

一方、２次電池の充電装置は、一般に、電池電圧の検出や、満充電電流の検出、電池の温度の検出などを行い、その検出値を監視しながら充電を行う。また、通常は、過電圧や過電流の検出を行って２次電池を保護する機能も備えている。
下記の特許文献１には、２次電池の保護回路に関する技術が記載されている。
特開２００２−３４３４４１号公報 On the other hand, secondary battery charging devices generally perform battery voltage detection, full charge current detection, battery temperature detection, and the like, and perform charging while monitoring the detected value. In addition, it usually has a function of protecting the secondary battery by detecting overvoltage or overcurrent.
The following Patent Document 1 describes a technique related to a secondary battery protection circuit.
JP 2002-343441 A

ところで、２次電池に大きな電力を蓄えるためには、その能力の限界を正確に把握して充電を行う必要があり、そのためには、電池の電圧、電流、温度等を精度良く検出しなくてはならない。この高い検出精度を達成するため、従来は、検出回路中に予め設けたツェナダイオードを短絡させたり、ポリシリコンのヒューズを切断させる等のトリミング工程を設けている。   By the way, in order to store a large amount of power in the secondary battery, it is necessary to accurately grasp the limit of its capacity and perform charging. For that purpose, it is necessary to accurately detect the voltage, current, temperature, etc. of the battery. Must not. In order to achieve this high detection accuracy, conventionally, a trimming process such as short-circuiting a Zener diode previously provided in the detection circuit or cutting a polysilicon fuse is provided.

しかしながら、こうしたトリミング工程は、通常ウェーハの段階で行われるため、検出回路をＩＣに搭載して回路基板に実装した段階では、トリミングで補正できない種々の誤差が検出値に加わってしまう。例えば、基板実装後にＩＣや基板配線に加わる圧力によって生じるピエゾ効果や、基板配線の抵抗、電池のコネクタ部分の接触抵抗などの影響によって、検出値に誤差が生じる。   However, since such a trimming process is normally performed at the stage of the wafer, various errors that cannot be corrected by trimming are added to the detected value at the stage where the detection circuit is mounted on the IC and mounted on the circuit board. For example, an error occurs in the detection value due to the piezo effect caused by the pressure applied to the IC and the board wiring after mounting on the board, the influence of the board wiring resistance, the contact resistance of the battery connector portion, and the like.

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、電池の電圧や、電流、温度等を、部品の実装状態に影響されることなく高い精度で検出できる電池状態検出装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、電池の電圧、電流、温度等を高い精度で検出し、その検出結果を用いて、所望の充電条件に正しく適合させながら電池の充電を行うことができる充電装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a battery state detection device that can detect battery voltage, current, temperature, and the like with high accuracy without being affected by the mounting state of components. There is to do.
Another object of the present invention is to detect the voltage, current, temperature, etc. of the battery with high accuracy, and use the detection result to charge the battery while properly adapting to the desired charging conditions. To provide an apparatus.

本発明における第１の発明は、電池の電圧、電流または温度の少なくとも１つが、予め設定したしきい値に達しているか否かを検出する電池状態検出装置であって、上記しきい値を設定する設定情報を記憶する記憶回路と、電池の電圧、電流または温度が、上記記憶回路の設定情報で設定されるしきい値に達しているか否かを検出する検出回路とを有する。そして、上記記憶回路は、記憶する情報の書き換えが可能であるとともに、電源がオフの状態で当該情報の保持が可能である。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a battery state detection device for detecting whether at least one of a voltage, current or temperature of a battery has reached a preset threshold value, wherein the threshold value is set. And a detection circuit for detecting whether the voltage, current, or temperature of the battery has reached a threshold set by the setting information of the storage circuit. The memory circuit can rewrite stored information and can hold the information when the power is off.

本発明における第２の発明は、電池の電圧、電流または温度の少なくとも１つが、予め設定したしきい値に達しているか否かを検出し、当該検出結果に応じて上記電池の充電を制御する充電装置であって、上記第１の発明の電池状態検出装置を有する。   According to a second aspect of the present invention, it is detected whether at least one of the voltage, current or temperature of the battery has reached a preset threshold value, and charging of the battery is controlled according to the detection result. A charging device includes the battery state detection device of the first invention.

上記本発明によると、上記検出回路において、電池の電圧、電流または温度が、上記記憶回路の設定情報で設定されるしきい値に達しているか否かが検出される。上記記憶回路に記憶される設定情報は書き換えが可能であり、電源がオフの状態でも記憶回路に保持される。そのため、例えば上記検出回路と電池とを配線して組み立てた後に、この配線組み立ての影響を加味した精度の高いしきい値の設定情報を上記記憶回路に書き込んで、検出精度の向上を図ることが可能になる。また、この精度の高い検出結果を用いて、所望の充電条件に正確に適合させながら電池の充電を行うことにより、電池の能力を十分に引き出すことが可能になる。   According to the present invention, the detection circuit detects whether or not the battery voltage, current, or temperature has reached a threshold value set by the setting information of the storage circuit. The setting information stored in the memory circuit can be rewritten and is held in the memory circuit even when the power is off. For this reason, for example, after the detection circuit and the battery are wired and assembled, high-accuracy threshold setting information that takes into account the influence of the wiring assembly is written in the storage circuit to improve detection accuracy. It becomes possible. In addition, by using this highly accurate detection result and charging the battery while accurately adapting it to the desired charging condition, it is possible to sufficiently draw out the battery capacity.

なお、上記検出回路は、電池の電圧、電流または温度に応じたレベルを有し、上記記憶回路の設定情報に応じて当該レベルが調節される検出信号を生成する検出信号生成回路と、上記検出信号のレベルと供給される基準信号のレベルとを比較する比較回路とを含んでも良い。
この場合、電池の電圧を検出するため、上記検出信号生成回路は、上記記憶回路の設定情報に応じて調節される分圧比をもって電池の電圧を分圧する分圧回路を有しても良く、上記比較回路は、上記分圧回路において分圧された電圧と供給される基準電圧とを比較しても良い。
また、電池の電流を検出するため、上記検出信号生成回路は、電池の電流が流れる電流経路と、上記電流経路に発生する電圧を、上記記憶回路の設定情報に応じて調節される増幅率をもって増幅する増幅回路とを含んでも良く、上記比較回路は、上記増幅回路において増幅された電圧と供給される基準電圧とを比較しても良い。
上記電流経路は、抵抗素子を用いて構成しても良いし、あるいは、抵抗を有する電気配線で構成しても良い。上記電流経路を電気配線で構成することにより、抵抗素子を省略することが可能になり、回路構成が簡略化される。
更には、電池の温度を検出するため、上位検出信号生成回路は、電池の温度に応じて抵抗値が変化する第１の抵抗、および、上記記憶回路に記憶される設定情報に応じて抵抗値が設定される第２の抵抗を含んだ抵抗回路と、上記抵抗回路に一定の電圧または電流を供給する回路とを含んでも良く、上記比較回路は、上記抵抗回路において発生する電圧と供給される基準電圧とを比較しても良い。 The detection circuit has a level corresponding to the voltage, current or temperature of the battery, and generates a detection signal whose level is adjusted according to the setting information of the memory circuit, and the detection A comparison circuit that compares the level of the signal with the level of the supplied reference signal may be included.
In this case, in order to detect the voltage of the battery, the detection signal generation circuit may include a voltage dividing circuit that divides the voltage of the battery with a voltage dividing ratio adjusted according to setting information of the storage circuit. The comparison circuit may compare the voltage divided in the voltage dividing circuit with the supplied reference voltage.
Further, in order to detect the battery current, the detection signal generation circuit has an amplification factor that adjusts a current path through which the battery current flows and a voltage generated in the current path according to setting information of the storage circuit. An amplifier circuit for amplifying may be included, and the comparison circuit may compare a voltage amplified in the amplifier circuit with a supplied reference voltage.
The current path may be configured by using a resistance element, or may be configured by electric wiring having resistance. By configuring the current path with electric wiring, it is possible to omit the resistance element, and the circuit configuration is simplified.
Furthermore, in order to detect the temperature of the battery, the upper detection signal generation circuit includes a first resistor whose resistance value changes according to the battery temperature, and a resistance value according to the setting information stored in the storage circuit. And a circuit that supplies a constant voltage or current to the resistor circuit, and the comparator circuit is supplied with a voltage generated in the resistor circuit. You may compare with a reference voltage.

また、上記検出回路は、電池の電圧、電流または温度に応じたレベルを有する検出信号を生成する検出信号生成回路と、上記記憶回路の設定情報に応じて調節されたレベルを有する基準信号を生成する基準信号生成回路と、上記検出信号のレベルと上記基準信号のレベルとを比較する比較回路とを含んでも良い。
この場合、電池の電圧を検出するため、上記検出信号生成回路は、電池の電圧を分圧する分圧回路を有しても良く、上記基準信号生成回路は、上記記憶回路の設定情報に応じて調節されたレベルを有する基準電圧を生成しても良く、上記比較回路は、上記分圧回路において分圧された電圧と上記基準電圧とを比較しても良い。
また、電池の電流を検出するため、上記検出信号生成回路は、電池の電流が流れる電流経路と、上記電流経路に発生する電圧を増幅する増幅回路とを含んでも良く、上記基準信号生成回路は、上記記憶回路の設定情報に応じて調節されたレベルを有する基準電圧を生成しても良く、上記比較回路は、上記増幅回路において増幅された電圧と上記基準電圧とを比較しても良い。上記電流経路には、抵抗素子を用いても良いし、配線等の抵抗成分で抵抗素子を代用しても良い。
更には、電池の温度を検出するため、上位検出信号生成回路は、電池の温度に応じて抵抗値が変化する第１の抵抗を含んだ抵抗回路と、上記抵抗回路に一定の電圧または電流を供給する回路とを含んでも良く、上記基準信号生成回路は、上記記憶回路の設定情報に応じて調節されたレベルを有する基準電圧を生成しても良く、上記比較回路は、上記抵抗回路において発生する電圧と上記基準電圧とを比較しても良い。 The detection circuit generates a detection signal having a level corresponding to the voltage, current or temperature of the battery, and generates a reference signal having a level adjusted according to the setting information of the storage circuit. A reference signal generation circuit that compares the level of the detection signal with the level of the reference signal.
In this case, in order to detect the voltage of the battery, the detection signal generation circuit may include a voltage dividing circuit that divides the voltage of the battery, and the reference signal generation circuit is configured according to setting information of the storage circuit. A reference voltage having an adjusted level may be generated, and the comparison circuit may compare the voltage divided in the voltage dividing circuit with the reference voltage.
Further, in order to detect the battery current, the detection signal generation circuit may include a current path through which the battery current flows, and an amplification circuit that amplifies a voltage generated in the current path. The reference voltage having a level adjusted according to the setting information of the memory circuit may be generated, and the comparison circuit may compare the voltage amplified in the amplifier circuit with the reference voltage. For the current path, a resistance element may be used, or a resistance element such as a wiring may be substituted for the resistance element.
Further, in order to detect the temperature of the battery, the upper detection signal generation circuit includes a resistance circuit including a first resistor whose resistance value changes according to the temperature of the battery, and a constant voltage or current to the resistance circuit. The reference signal generation circuit may generate a reference voltage having a level adjusted according to setting information of the storage circuit, and the comparison circuit is generated in the resistance circuit. And the reference voltage may be compared.

また、上記記憶回路は、電池の複数の温度に対応した複数のしきい値の設定情報を記憶しても良い。この場合、上記本発明は、上記検出回路に対し、上記複数の温度に対応する複数の温度しきい値の設定情報を供給して温度検出を実行させ、当該検出の結果に基づいて、電池の温度が上記複数の温度しきい値で規定される複数の温度範囲の何れに属しているかを判定し、上記記憶回路に記憶される複数の設定情報から、上記判定結果の温度範囲に対応する設定情報を選択して上記検出回路に供給し、当該設定情報に応じた電圧および／または電流の検出を実行させる制御回路を有しても良い。
上記の構成によると、上記制御回路から上記検出回路に対して、上記複数の温度に対応する複数の温度しきい値の設定情報が供給され、上記検出回路において、当該供給される設定情報に応じたしきい値により温度の検出が実行される。上記制御回路では、当該温度の検出の結果に基づいて、電池の温度が上記複数の温度しきい値で規定される複数の温度範囲の何れに属しているかの判定が行われる。そして、上記制御回路において、上記記憶回路に記憶される複数の設定情報から、上記判定結果の温度範囲に対応する設定情報が選択されて、上記検出回路に供給される。上記検出回路では、当該供給される設定情報に応じたしきい値により電圧および／または電流の検出が実行される。
これにより、電圧検出や電流検出のしきい値を温度に応じて適切に変更することが可能になり、検出精度を更に向上させることが可能になる。 The storage circuit may store setting information for a plurality of threshold values corresponding to a plurality of battery temperatures. In this case, the present invention causes the detection circuit to perform temperature detection by supplying setting information of a plurality of temperature threshold values corresponding to the plurality of temperatures, and based on a result of the detection, It is determined whether the temperature belongs to a plurality of temperature ranges defined by the plurality of temperature thresholds, and a setting corresponding to the temperature range of the determination result is determined from a plurality of setting information stored in the storage circuit. You may have a control circuit which selects information, supplies it to the said detection circuit, and performs the detection of the voltage and / or electric current according to the said setting information.
According to the above configuration, a plurality of temperature threshold setting information corresponding to the plurality of temperatures is supplied from the control circuit to the detection circuit, and the detection circuit responds to the supplied setting information. The temperature is detected according to the threshold value. In the control circuit, based on the detection result of the temperature, it is determined whether the temperature of the battery belongs to a plurality of temperature ranges defined by the plurality of temperature threshold values. In the control circuit, setting information corresponding to the temperature range of the determination result is selected from a plurality of setting information stored in the storage circuit and supplied to the detection circuit. In the detection circuit, the voltage and / or current is detected by a threshold value corresponding to the supplied setting information.
As a result, the threshold values for voltage detection and current detection can be appropriately changed according to the temperature, and the detection accuracy can be further improved.

本発明によれば、部品の実装後でも容易にしきい値を設定できるため、電池の電圧や、電流、温度等を、部品の実装状態に影響されることなく高い精度で検出することができる。また、これらの検出結果を用いることによって、所望の充電条件に正確に適合させながら電池の充電を行うことができるため、電池の能力を十分に引き出すことができる。   According to the present invention, since the threshold value can be easily set even after the components are mounted, the voltage, current, temperature, etc. of the battery can be detected with high accuracy without being affected by the mounting state of the components. Further, by using these detection results, the battery can be charged while being accurately adapted to desired charging conditions, so that the capacity of the battery can be fully exploited.

以下、本発明を、２つの実施形態について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, two embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の実施形態に係る充電装置の構成の一例を示す図である。この充電装置は、例えば携帯電話機等の携帯機器に搭載されており、２次電池の電圧、電流、温度の状態を監視しながら充電を行うものである。 <First Embodiment>
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a configuration of a charging device according to an embodiment of the present invention. This charging device is mounted on a portable device such as a cellular phone, for example, and performs charging while monitoring the voltage, current, and temperature states of the secondary battery.

図１に示す充電装置は、充電の制御を行う集積回路１０と、トランジスタＱ１と、抵抗Ｒ１およびＲ２と、電池パック２０と、端子Ｔ１およびＴ２とを有する。
また、集積回路１０は、基準電圧源１０１と、温度検出回路１０２と、電圧検出回路１０３および１０５と、電流検出回路１０４と、記憶回路１０６と、制御回路１０７とを有する。
電池パック２０は、２次電池ＢＡＴと、感温抵抗ＴＲとを有する。 The charging device shown in FIG. 1 includes an integrated circuit 10 that controls charging, a transistor Q1, resistors R1 and R2, a battery pack 20, and terminals T1 and T2.
Further, the integrated circuit 10 includes a reference voltage source 101, a temperature detection circuit 102, voltage detection circuits 103 and 105, a current detection circuit 104, a storage circuit 106, and a control circuit 107.
The battery pack 20 includes a secondary battery BAT and a temperature sensitive resistance TR.

端子Ｔ１およびＴ２は、２次電池ＢＡＴの充電を行う際に電圧を入力するための端子である。
端子Ｔ１は、トランジスタＱ１および抵抗Ｒ１を介して、２次電池ＢＡＴの正極に接続され、端子Ｔ２は、２次電池ＢＡＴの負極に接続される。
充電装置のグランドＧは、２次電池ＢＡＴの負極に接続される。 Terminals T1 and T2 are terminals for inputting a voltage when the secondary battery BAT is charged.
Terminal T1 is connected to the positive electrode of secondary battery BAT via transistor Q1 and resistor R1, and terminal T2 is connected to the negative electrode of secondary battery BAT.
The ground G of the charging device is connected to the negative electrode of the secondary battery BAT.

トランジスタＱ１は、コレクタが端子Ｔ１に接続され、エミッタが抵抗Ｒ１を介して２次電池ＢＡＴの正電極に接続される。また、トランジスタＱ１のベースには、制御回路１０７から駆動信号が供給される。トランジスタＱ１は、この駆動信号に従って、端子Ｔ１から２次電池ＢＡＴに流れる充電電流を調節する。   The transistor Q1 has a collector connected to the terminal T1, and an emitter connected to the positive electrode of the secondary battery BAT via the resistor R1. A drive signal is supplied from the control circuit 107 to the base of the transistor Q1. The transistor Q1 adjusts the charging current flowing from the terminal T1 to the secondary battery BAT according to this drive signal.

感温抵抗ＴＲは、２次電池ＢＡＴと接触するように配置されており、２次電池ＢＡＴの温度に応じて抵抗値が変化する。
感温抵抗ＴＲの一方の端子は、２次電池ＢＡＴの負電極に接続され、その他方の端子は、抵抗Ｒ２を介して集積回路１０の基準電圧Ｖｒｅｆの出力端子に接続される。
なお、感温抵抗ＴＲは、本発明の第１の抵抗の一実施形態である。 The temperature-sensitive resistor TR is disposed so as to be in contact with the secondary battery BAT, and the resistance value changes according to the temperature of the secondary battery BAT.
One terminal of the temperature sensitive resistor TR is connected to the negative electrode of the secondary battery BAT, and the other terminal is connected to the output terminal of the reference voltage Vref of the integrated circuit 10 via the resistor R2.
The temperature sensitive resistance TR is an embodiment of the first resistance of the present invention.

基準電圧源１０１は、基準電圧Ｖｒｅｆを発生する回路であり、例えばバンドギャップ回路などによって構成される。   The reference voltage source 101 is a circuit that generates a reference voltage Vref, and includes, for example, a band gap circuit.

電圧検出回路１０３は、２次電池ＢＡＴの正極電圧Ｖ２が所定のしきい値に達しているか否かを検出する。
電圧検出回路１０５は、端子Ｔ１に入力される充電電圧Ｖ１が所定のしきい値に達しているか否かを検出する。
電圧検出回路１０３および１０５における電圧検出のしきい値は、制御回路１０７から供給される電圧しきい値の設定情報に応じて設定される。 The voltage detection circuit 103 detects whether or not the positive voltage V2 of the secondary battery BAT has reached a predetermined threshold value.
The voltage detection circuit 105 detects whether or not the charging voltage V1 input to the terminal T1 has reached a predetermined threshold value.
The voltage detection threshold values in the voltage detection circuits 103 and 105 are set according to the voltage threshold setting information supplied from the control circuit 107.

図２は、電圧検出回路（１０３，１０５）の構成の一例を示す図である。
図２に示す電圧検出回路（１０３，１０５）は、可変抵抗ＶＲ１と、抵抗Ｒ３と、フリップフロップＦＦ１と、コンパレータＣＰ１とを有する。
なお、可変抵抗ＶＲ１および抵抗Ｒ３を有する回路は、本発明の検出信号生成回路の一実施形態、ならびに、本発明の分圧回路の一実施形態である。
コンパレータＣＰ１は、本発明の比較回路の一実施形態である。 FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the configuration of the voltage detection circuit (103, 105).
The voltage detection circuit (103, 105) illustrated in FIG. 2 includes a variable resistor VR1, a resistor R3, a flip-flop FF1, and a comparator CP1.
The circuit having the variable resistors VR1 and R3 is an embodiment of the detection signal generation circuit of the present invention and an embodiment of the voltage dividing circuit of the present invention.
The comparator CP1 is an embodiment of the comparison circuit of the present invention.

フリップフロップＦＦ１は、制御回路１０７から供給される電圧しきい値の設定情報を保持する。この設定情報は、後述する不揮発性の記憶回路１０６に予め記憶されている情報であり、検出動作の前に制御回路１０７によって記憶回路１０６から読み出されて、フリップフロップＦＦ１に保持される。   The flip-flop FF1 holds voltage threshold setting information supplied from the control circuit 107. This setting information is information stored in advance in a non-volatile storage circuit 106, which will be described later, and is read from the storage circuit 106 by the control circuit 107 and held in the flip-flop FF1 before the detection operation.

可変抵抗ＶＲ１は、フリップフロップＦＦ１に保持される設定情報に応じた抵抗値を有する。可変抵抗ＶＲ１は、例えば複数の抵抗とこれに並列接続されたスイッチとによって構成されており、設定情報に応じて各スイッチのオンとオフを切り替えることにより、設定情報に応じた抵抗値を持つ。
可変抵抗ＶＲ１の一方の端子には検出対象の電圧Ｖｓｅｎｓ（電圧検出回路１０３においては２次電池ＢＡＴの正極電圧Ｖ２、電圧検出回路１０５においては端子Ｔ１の充電電圧Ｖ１）が入力され、他方の端子は抵抗Ｒ３を介してグランドＧに接続される。 The variable resistor VR1 has a resistance value corresponding to the setting information held in the flip-flop FF1. The variable resistor VR1 is composed of, for example, a plurality of resistors and switches connected in parallel thereto, and has a resistance value corresponding to the setting information by switching each switch on and off according to the setting information.
The voltage Vsens to be detected (the positive voltage V2 of the secondary battery BAT in the voltage detection circuit 103 and the charging voltage V1 of the terminal T1 in the voltage detection circuit 105) is input to one terminal of the variable resistor VR1, and the other terminal Is connected to the ground G via a resistor R3.

可変抵抗ＶＲ１および抵抗Ｒ３は、検出対象の電圧Ｖｓｅｎｓを分圧して出力する分圧回路を構成しており、その分圧比は、可変抵抗ＶＲ１の抵抗値に応じて変化する。すなわち、可変抵抗ＶＲ１および抵抗Ｒ３の分圧回路は、フリップフロップＦＦ１の設定情報に応じて調節される分圧比をもって、検出対象の電圧Ｖｓｅｎｓを分圧する。   The variable resistors VR1 and R3 constitute a voltage dividing circuit that divides and outputs the voltage Vsens to be detected, and the voltage dividing ratio changes according to the resistance value of the variable resistor VR1. That is, the voltage dividing circuit of the variable resistors VR1 and R3 divides the detection target voltage Vsens with a voltage dividing ratio adjusted according to the setting information of the flip-flop FF1.

コンパレータＣＰ１は、可変抵抗ＶＲ１および抵抗Ｒ３の分圧回路によって分圧された電圧と、基準電圧源１０１から供給される基準電圧Ｖｒｅｆとを比較し、比較結果の信号Ｓ１を出力する。例えば、分圧された電圧が基準電圧Ｖｒｅｆを越える場合にハイレベル、越えない場合にローレベルとなる信号Ｓ１を出力する。   The comparator CP1 compares the voltage divided by the voltage dividing circuit of the variable resistors VR1 and R3 with the reference voltage Vref supplied from the reference voltage source 101, and outputs a comparison result signal S1. For example, a signal S1 is output which is at a high level when the divided voltage exceeds the reference voltage Vref, and at a low level when it does not exceed the reference voltage Vref.

上述した構成によると、可変抵抗ＶＲ１および抵抗Ｒ３の分圧回路から出力される分圧電圧は、検出対象の電圧Ｖｓｅｎｓに応じたレベルを有するとともに、フリップフロップＦＦ１に保持される設定情報に応じて当該レベルが調節される。この分圧電圧と基準電圧ＶｒｅｆとをコンパレータＣＰ１において比較することにより、検出対象の電圧Ｖｓｅｎｓが設定情報で設定されるしきい値を越えているか否かが検出される。   According to the configuration described above, the divided voltage output from the voltage dividing circuit of the variable resistor VR1 and the resistor R3 has a level corresponding to the voltage Vsens to be detected, and corresponds to the setting information held in the flip-flop FF1. The level is adjusted. By comparing the divided voltage with the reference voltage Vref in the comparator CP1, it is detected whether or not the voltage Vsens to be detected exceeds a threshold set by setting information.

図２に示す電圧検出回路（１０３，１０５）では、コンパレータＣＰ１によって基準電圧Ｖｒｅｆと比較される電圧検出信号（すなわち分圧電圧）のレベルを設定情報に応じて調節しているが、これとは逆に、コンパレータに入力する基準電圧のレベルを設定情報に応じて調節しても良い。図３は、そのような電圧検出回路（１０３，１０５）の構成例を示す図である。   In the voltage detection circuit (103, 105) shown in FIG. 2, the level of the voltage detection signal (that is, the divided voltage) compared with the reference voltage Vref by the comparator CP1 is adjusted according to the setting information. Conversely, the level of the reference voltage input to the comparator may be adjusted according to the setting information. FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of such a voltage detection circuit (103, 105).

図３に示す電圧検出回路（１０３，１０５）は、可変抵抗ＶＲ２と、抵抗Ｒ４〜Ｒ６と、フリップフロップＦＦ２と、演算増幅器ＯＰ１と、コンパレータＣＰ２とを有する。
なお、抵抗Ｒ４およびＲ５を有する回路は、本発明の検出信号生成回路の一実施形態、ならびに、本発明の分圧回路の一実施形態である。
演算増幅器ＯＰ１、可変抵抗ＶＲ２および抵抗Ｒ６を有する回路は、本発明の基準信号生成回路の一実施形態である。
コンパレータＣＰ２は、本発明の比較回路の一実施形態である。 The voltage detection circuit (103, 105) illustrated in FIG. 3 includes a variable resistor VR2, resistors R4 to R6, a flip-flop FF2, an operational amplifier OP1, and a comparator CP2.
The circuit having the resistors R4 and R5 is an embodiment of the detection signal generating circuit of the present invention and an embodiment of the voltage dividing circuit of the present invention.
The circuit having the operational amplifier OP1, the variable resistor VR2, and the resistor R6 is an embodiment of the reference signal generation circuit of the present invention.
The comparator CP2 is an embodiment of the comparison circuit of the present invention.

抵抗Ｒ４およびＲ５は、直列に接続されており、その一方の端子に検出対象の電圧Ｖｓｅｎｓが入力され、他方の端子がグランドＧに接続される。
抵抗Ｒ４およびＲ５は、検出対象の電圧Ｖｓｅｎｓを分圧して出力する分圧回路を構成しており、その分圧比は、抵抗Ｒ４およびＲ５の抵抗比に応じた一定の値を有する。 The resistors R4 and R5 are connected in series, the voltage Vsens to be detected is input to one terminal, and the other terminal is connected to the ground G.
The resistors R4 and R5 constitute a voltage dividing circuit that divides and outputs the voltage Vsens to be detected, and the voltage dividing ratio has a constant value corresponding to the resistance ratio of the resistors R4 and R5.

フリップフロップＦＦ２は、制御回路１０７から供給される電圧しきい値の設定情報を保持する。   The flip-flop FF2 holds voltage threshold setting information supplied from the control circuit 107.

可変抵抗ＶＲ２は、フリップフロップＦＦ２に保持される設定情報に応じた抵抗値を有する。
可変抵抗ＶＲ２の一方の端子は演算増幅器ＯＰ１の負入力端子に接続され、他方の端子はグランドＧに接続される。 The variable resistor VR2 has a resistance value corresponding to the setting information held in the flip-flop FF2.
One terminal of the variable resistor VR2 is connected to the negative input terminal of the operational amplifier OP1, and the other terminal is connected to the ground G.

演算増幅器ＯＰ１は、正入力端子に基準電圧Ｖｒｅｆを入力し、負入力端子は抵抗Ｒ６を介して出力端子に接続される。   In the operational amplifier OP1, the reference voltage Vref is input to the positive input terminal, and the negative input terminal is connected to the output terminal via the resistor R6.

演算増幅器ＯＰ１の出力電圧Ｖｓは、概ね次式で表される。   The output voltage Vs of the operational amplifier OP1 is generally expressed by the following equation.

［数１］
Ｖｓ ＝ （１＋ｒ６／ｒ２）×Ｖｒｅｆ ・・・（１） [Equation 1]
Vs = (1 + r6 / r2) × Vref (1)

ただし、上式において‘ｒ６’は抵抗Ｒ６の抵抗値を示し、‘ｒ２’は可変抵抗ＶＲ２の抵抗値を示す。
可変抵抗ＶＲ２の抵抗値ｒ２は、フリップフロップＦＦ２の設定情報に応じて調節されるため、演算増幅器ＯＰ１の出力電圧Ｖｓは、設定情報に応じて調節されたレベルを有する。すなわち、演算増幅器ＯＰ１、可変抵抗ＶＲ２および抵抗Ｒ６で構成される回路は、設定情報に応じて調節されたレベルを有する電圧Ｖｓを生成する。 In the above equation, “r6” represents the resistance value of the resistor R6, and “r2” represents the resistance value of the variable resistor VR2.
Since the resistance value r2 of the variable resistor VR2 is adjusted according to the setting information of the flip-flop FF2, the output voltage Vs of the operational amplifier OP1 has a level adjusted according to the setting information. That is, a circuit including the operational amplifier OP1, the variable resistor VR2, and the resistor R6 generates the voltage Vs having a level adjusted according to the setting information.

コンパレータＣＰ２は、抵抗Ｒ４およびＲ５の分圧回路によって分圧された電圧と演算増幅器ＯＰ１の出力電圧Ｖｓとを比較し、比較結果の信号Ｓ２を出力する。例えば、分圧電圧が演算増幅器ＯＰ１の出力電圧Ｖｒｅｆを越える場合にハイレベル、越えない場合にローレベルとなる信号Ｓ２を出力する。   The comparator CP2 compares the voltage divided by the voltage dividing circuit of the resistors R4 and R5 with the output voltage Vs of the operational amplifier OP1, and outputs a comparison result signal S2. For example, a signal S2 that is high when the divided voltage exceeds the output voltage Vref of the operational amplifier OP1 and that is low when it does not exceed the output voltage Vref is output.

上述した構成によると、抵抗Ｒ４およびＲ５の分圧回路から出力される分圧電圧は、検出対象の電圧Ｖｓｅｎｓに応じたレベルを有しており、演算増幅器ＯＰ１から出力される電圧Ｖｓは、フリップフロップＦＦ２に保持される設定情報に応じて調節されたレベルを有する。この分圧電圧と演算増幅回路ＯＰ１の出力電圧ＶｓとをコンパレータＣＰ２において比較することにより、検出対象の電圧Ｖｓｅｎｓが設定情報で設定されるしきい値を越えているか否かが検出される。
以上が、電圧検出回路１０３および１０５の説明である。 According to the configuration described above, the divided voltage output from the voltage dividing circuit of the resistors R4 and R5 has a level corresponding to the voltage Vsens to be detected, and the voltage Vs output from the operational amplifier OP1 is a flip-flop. The level is adjusted according to the setting information held in the group FF2. By comparing this divided voltage with the output voltage Vs of the operational amplifier circuit OP1 in the comparator CP2, it is detected whether or not the voltage Vsens to be detected exceeds the threshold set by the setting information.
The above is the description of the voltage detection circuits 103 and 105.

図１の説明に戻る。
電流検出回路１０４は、抵抗Ｒ１に流れる電流Ｉ１が所定のしきい値に達しているか否かを検出する。
電流検出回路１０４における電流検出のしきい値は、制御回路１０７から供給される電流しきい値の設定情報に応じて設定される。 Returning to the description of FIG.
The current detection circuit 104 detects whether or not the current I1 flowing through the resistor R1 has reached a predetermined threshold value.
The current detection threshold value in the current detection circuit 104 is set according to the current threshold setting information supplied from the control circuit 107.

図４は、電流検出回路１０４の構成の一例を示す図である。
図４に示す電流検出回路１０４は、増幅回路ＡＭＰ１と、フリップフロップＦＦ３と、コンパレータＣＰ３とを有する。
なお、抵抗Ｒ１は、本発明の電流経路の一実施形態である。
増幅回路ＡＭＰ１は、本発明の増幅回路の一実施形態である。
コンパレータＣＰ３は、本発明の比較回路の一実施形態である。 FIG. 4 is a diagram illustrating an example of the configuration of the current detection circuit 104.
The current detection circuit 104 illustrated in FIG. 4 includes an amplifier circuit AMP1, a flip-flop FF3, and a comparator CP3.
The resistor R1 is an embodiment of the current path of the present invention.
The amplifier circuit AMP1 is an embodiment of the amplifier circuit of the present invention.
The comparator CP3 is an embodiment of the comparison circuit of the present invention.

フリップフロップＦＦ３は、制御回路１０７から供給される電流しきい値の設定情報を保持する。この設定情報は、先に述べた電圧しきい値の設定情報と同様に、記憶回路１０６に予め記憶されている情報であり、検出動作の前に制御回路１０７によって記憶回路１０６から読み出されて、フリップフロップＦＦ３に保持される。   The flip-flop FF3 holds current threshold setting information supplied from the control circuit 107. This setting information is information stored in advance in the storage circuit 106, like the voltage threshold setting information described above, and is read from the storage circuit 106 by the control circuit 107 before the detection operation. Is held in the flip-flop FF3.

増幅回路ＡＭＰ１は、２次電池ＢＡＴに流れる電流に応じて抵抗Ｒ１に発生する電圧を増幅する回路であり、その増幅率は、フリップフロップＦＦ３の設定情報に応じて調節される。すなわち、増幅回路ＡＭＰ１は、フリップフロップＦＦ３の設定情報に応じて調節される増幅率をもって、抵抗Ｒ１に発生する電圧を増幅する。   The amplifier circuit AMP1 is a circuit that amplifies the voltage generated in the resistor R1 according to the current flowing through the secondary battery BAT, and the amplification factor is adjusted according to the setting information of the flip-flop FF3. That is, the amplifier circuit AMP1 amplifies the voltage generated in the resistor R1 with an amplification factor adjusted according to the setting information of the flip-flop FF3.

コンパレータＣＰ３は、増幅回路ＡＭＰ１の出力電圧と、基準電圧源１０１から供給される基準電圧Ｖｒｅｆとを比較し、比較結果の信号Ｓ３を出力する。例えば、増幅回路ＡＭＰ１の出力電圧が基準電圧Ｖｒｅｆを越える場合にハイレベル、越えない場合にローレベルとなる信号Ｓ３を出力する。   The comparator CP3 compares the output voltage of the amplifier circuit AMP1 with the reference voltage Vref supplied from the reference voltage source 101, and outputs a comparison result signal S3. For example, a signal S3 that is high when the output voltage of the amplifier circuit AMP1 exceeds the reference voltage Vref and low when it does not exceed the reference voltage Vref is output.

上述した構成によると、増幅回路ＡＭＰ１から出力される電圧は、抵抗Ｒ１に流れる２次電池ＢＡＴの電流に応じたレベルを有するとともに、フリップフロップＦＦ３に保持される設定情報に応じて当該レベルが調節される。この増幅回路ＡＭＰ１の出力電圧と基準電圧ＶｒｅｆとをコンパレータＣＰ３において比較することにより、抵抗Ｒ１に流れる２次電池ＢＡＴの電流が設定情報で設定されるしきい値を越えているか否かが検出される。   According to the configuration described above, the voltage output from the amplifier circuit AMP1 has a level corresponding to the current of the secondary battery BAT flowing through the resistor R1, and the level is adjusted according to the setting information held in the flip-flop FF3. Is done. By comparing the output voltage of the amplifier circuit AMP1 with the reference voltage Vref in the comparator CP3, it is detected whether or not the current of the secondary battery BAT flowing through the resistor R1 exceeds the threshold set by the setting information. The

図４に示す電流検出回路１０４では、コンパレータＣＰ３によって基準電圧Ｖｒｅｆと比較される電流検出信号（すなわち増幅回路ＡＭＰ１の出力電圧）のレベルを設定情報に応じて調節しているが、これとは逆に、コンパレータに入力する基準電圧のレベルを設定情報に応じて調節しても良い。図５は、そのような電流検出回路１０４の構成例を示す図である。   In the current detection circuit 104 shown in FIG. 4, the level of the current detection signal (that is, the output voltage of the amplifier circuit AMP1) compared with the reference voltage Vref by the comparator CP3 is adjusted according to the setting information. In addition, the level of the reference voltage input to the comparator may be adjusted according to the setting information. FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration example of such a current detection circuit 104.

図５に示す電流検出回路１０４は、可変抵抗ＶＲ３と、抵抗Ｒ７と、フリップフロップＦＦ４と、増幅回路ＡＭＰ２と、演算増幅器ＯＰ２と、コンパレータＣＰ４とを有する。
なお、増幅回路ＡＭＰ２は、本発明の増幅回路の一実施形態である。
演算増幅器ＯＰ２、可変抵抗ＶＲ３および抵抗Ｒ７を有する回路は、本発明の基準信号生成回路の一実施形態である。
コンパレータＣＰ４は、本発明の比較回路の一実施形態である。 The current detection circuit 104 illustrated in FIG. 5 includes a variable resistor VR3, a resistor R7, a flip-flop FF4, an amplifier circuit AMP2, an operational amplifier OP2, and a comparator CP4.
The amplifier circuit AMP2 is an embodiment of the amplifier circuit of the present invention.
The circuit having the operational amplifier OP2, the variable resistor VR3, and the resistor R7 is an embodiment of the reference signal generation circuit of the present invention.
The comparator CP4 is an embodiment of the comparison circuit of the present invention.

増幅回路ＡＭＰ２は、２次電池ＢＡＴに流れる電流に応じて抵抗Ｒ１に発生する電圧を増幅する回路であり、所定の増幅率を有する。   The amplifier circuit AMP2 is a circuit that amplifies the voltage generated in the resistor R1 according to the current flowing through the secondary battery BAT, and has a predetermined amplification factor.

フリップフロップＦＦ４は、制御回路１０７から供給される電流しきい値の設定情報を保持する。   The flip-flop FF4 holds current threshold setting information supplied from the control circuit 107.

可変抵抗ＶＲ３は、フリップフロップＦＦ４に保持される設定情報に応じた抵抗値を有する。
可変抵抗ＶＲ３の一方の端子は演算増幅器ＯＰ２の負入力端子に接続され、他方の端子はグランドＧに接続される。 The variable resistor VR3 has a resistance value corresponding to the setting information held in the flip-flop FF4.
One terminal of the variable resistor VR3 is connected to the negative input terminal of the operational amplifier OP2, and the other terminal is connected to the ground G.

演算増幅器ＯＰ２は、正入力端子に基準電圧Ｖｒｅｆを入力し、負入力端子は抵抗Ｒ７を介して出力端子に接続される。   In the operational amplifier OP2, the reference voltage Vref is input to the positive input terminal, and the negative input terminal is connected to the output terminal via the resistor R7.

演算増幅器ＯＰ２の出力電圧Ｖｓは、可変抵抗ＶＲ３および抵抗Ｒ７の抵抗値に対して、先に説明した式（１）と同様の関係を有している。そのため、演算増幅器ＯＰ２の出力電圧Ｖｓは、フリップフロップＦＦ４の設定情報に応じて調節されたレベルを有している。   The output voltage Vs of the operational amplifier OP2 has the same relationship as the expression (1) described above with respect to the resistance values of the variable resistor VR3 and the resistor R7. For this reason, the output voltage Vs of the operational amplifier OP2 has a level adjusted according to the setting information of the flip-flop FF4.

コンパレータＣＰ２は、増幅回路ＡＭＰ２の出力電圧と演算増幅器ＯＰ２の出力電圧Ｖｓとを比較し、比較結果の信号Ｓ４を出力する。例えば、演算増幅器ＯＰ２の出力電圧Ｖｓが基準電圧Ｖｒｅｆを越える場合にハイレベル、越えない場合にローレベルとなる信号Ｓ４を出力する。   The comparator CP2 compares the output voltage of the amplifier circuit AMP2 with the output voltage Vs of the operational amplifier OP2, and outputs a comparison result signal S4. For example, a signal S4 that is high when the output voltage Vs of the operational amplifier OP2 exceeds the reference voltage Vref and low when it does not exceed the reference voltage Vref is output.

上述した構成によると、増幅回路ＡＭＰ２の出力電圧は、抵抗Ｒ１に流れる２次電池ＢＡＴの電流に応じたレベルを有しており、演算増幅器ＯＰ２の出力電圧は、フリップフロップＦＦ４に保持される設定情報に応じて調節されたレベルを有する。この増幅回路ＡＭＰ２の出力電圧と演算増幅器ＯＰ２の出力電圧ＶｓとをコンパレータＣＰ４において比較することにより、抵抗Ｒ１に流れる２次電池ＢＡＴの電流が設定情報で設定されるしきい値を越えているか否かが検出される。
以上が、電流検出回路１０４の説明である。 According to the configuration described above, the output voltage of the amplifier circuit AMP2 has a level corresponding to the current of the secondary battery BAT flowing through the resistor R1, and the output voltage of the operational amplifier OP2 is set to be held in the flip-flop FF4. It has a level adjusted according to the information. By comparing the output voltage of the amplifier circuit AMP2 and the output voltage Vs of the operational amplifier OP2 in the comparator CP4, whether or not the current of the secondary battery BAT flowing through the resistor R1 exceeds the threshold set by the setting information. Is detected.
The above is the description of the current detection circuit 104.

図１の説明に戻る。
温度検出回路１０２は、感温抵抗ＴＲの温度が所定のしきい値に達しているか否かを検出する。
温度検出回路１０２における温度検出のしきい値は、制御回路１０７から供給される温度しきい値の設定情報に応じて設定される。 Returning to the description of FIG.
The temperature detection circuit 102 detects whether or not the temperature of the temperature sensitive resistor TR has reached a predetermined threshold value.
The temperature detection threshold in the temperature detection circuit 102 is set according to the temperature threshold setting information supplied from the control circuit 107.

図６は、温度検出回路１０２の構成の一例を示す図である。
図６に示す温度検出回路は、可変抵抗ＶＲ４と、フリップフロップＦＦ５と、コンパレータＣＰ５とを有する。
なお、可変抵抗ＶＲ４は、本発明の第２の抵抗の一実施形態である。
感温抵抗ＴＲ、可変抵抗ＶＲ４および抵抗Ｒ２を有する回路は、本発明の抵抗回路の一実施形態である。
基準電圧源１０１は、本発明において上記抵抗回路に一定の電圧または電流を供給する回路の一実施形態である。
コンパレータＣＰ５は、本発明の比較回路の一実施形態である。 FIG. 6 is a diagram illustrating an example of the configuration of the temperature detection circuit 102.
The temperature detection circuit shown in FIG. 6 includes a variable resistor VR4, a flip-flop FF5, and a comparator CP5.
The variable resistor VR4 is an embodiment of the second resistor of the present invention.
A circuit having the temperature-sensitive resistor TR, the variable resistor VR4, and the resistor R2 is an embodiment of the resistor circuit of the present invention.
The reference voltage source 101 is an embodiment of a circuit for supplying a constant voltage or current to the resistor circuit in the present invention.
The comparator CP5 is an embodiment of the comparison circuit of the present invention.

フリップフロップＦＦ５は、制御回路１０７から供給される温度しきい値の設定情報を保持する。この設定情報は、先に述べた電圧、電流のしきい値の設定情報と同様に記憶回路１０６に予め記憶されている情報であり、検出動作の前に制御回路１０７によって記憶回路１０６から読み出されて、フリップフロップＦＦ５に保持される。   The flip-flop FF5 holds temperature threshold setting information supplied from the control circuit 107. This setting information is information stored in advance in the storage circuit 106 in the same way as the voltage and current threshold setting information described above, and is read out from the storage circuit 106 by the control circuit 107 before the detection operation. And held in the flip-flop FF5.

可変抵抗ＶＲ４は、フリップフロップＦＦ５に保持される設定情報に応じた抵抗値を有する。
可変抵抗ＶＲ４の一方の端子は、抵抗Ｒ２と感温抵抗ＴＲとの接続点に接続されており、他方の端子はグランドＧに接続される。 The variable resistor VR4 has a resistance value corresponding to the setting information held in the flip-flop FF5.
One terminal of the variable resistor VR4 is connected to a connection point between the resistor R2 and the temperature sensitive resistor TR, and the other terminal is connected to the ground G.

コンパレータＣＰ５は、各抵抗（Ｒ２、ＴＲ、ＶＲ４）の接続点に発生する電圧Ｖ３と、基準電圧源１０１から供給される基準電圧Ｖｒｅｆとを比較し、比較結果の信号Ｓ５を出力する。例えば、電圧Ｖ３が基準電圧Ｖｒｅｆを越える場合にハイレベル、越えない場合にローレベルとなる信号Ｓ５を出力する。   The comparator CP5 compares the voltage V3 generated at the connection point of each resistor (R2, TR, VR4) with the reference voltage Vref supplied from the reference voltage source 101, and outputs a comparison result signal S5. For example, a signal S5 that outputs a high level when the voltage V3 exceeds the reference voltage Vref and a low level when the voltage V3 does not exceed the reference voltage Vref is output.

抵抗Ｒ２、ＴＲ、ＶＲ４の抵抗をそれぞれ‘ｒ２’、‘ｔｒ’、’ｒ４’とすると、各抵抗の接続点に発生する電圧Ｖ３は次式のように表される。   Assuming that the resistances of the resistors R2, TR, and VR4 are ‘r2’, ‘tr’, and ‘r4’, respectively, the voltage V3 generated at the connection point of each resistor is expressed by the following equation.

［数２］
Ｖ３ ＝ ｛ｒＡ／（ｒＡ＋ｒ２）｝×Ｖｒｅｆ ・・・（３）
ｒＡ ＝ ｔｒ×ｒ４／（ｔｒ＋ｒ４） ・・・（４） [Equation 2]
V3 = {rA / (rA + r2)} × Vref (3)
rA = tr × r4 / (tr + r4) (4)

ただし、上式において、‘ｒＡ’は感温抵抗ＴＲと可変抵抗ＶＲとの並列回路の抵抗値を示す。
この式（３）、（４）から分かるように、各抵抗の接続点に発生する電圧Ｖ３は、感温抵抗ＴＲおよび可変抵抗ＶＲ４の抵抗値に応じたレベルを有する。すなわち、電圧Ｖ３は、２次電池ＢＡＴの温度に応じたレベルを有するとともに、フリップフロップＦＦ５の設定情報に応じて当該レベルが調節される。この電圧Ｖ３と基準電圧ＶｒｅｆとをコンパレータＣＰ５において比較することにより、２次電池ＢＡＴの温度が設定情報で設定されるしきい値を越えているか否かが検出される。 However, in the above equation, 'rA' indicates the resistance value of the parallel circuit of the temperature sensitive resistor TR and the variable resistor VR.
As can be seen from the equations (3) and (4), the voltage V3 generated at the connection point of each resistor has a level corresponding to the resistance values of the temperature-sensitive resistor TR and the variable resistor VR4. That is, the voltage V3 has a level according to the temperature of the secondary battery BAT, and the level is adjusted according to the setting information of the flip-flop FF5. By comparing the voltage V3 and the reference voltage Vref in the comparator CP5, it is detected whether or not the temperature of the secondary battery BAT exceeds a threshold set by the setting information.

図６に示す温度検出回路１０２では、コンパレータＣＰ５によって基準電圧Ｖｒｅｆと比較される温度検出信号（すなわち電圧Ｖ３）のレベルを設定情報に応じて調節しているが、これとは逆に、コンパレータに入力する基準電圧のレベルを設定情報に応じて調節しても良い。図７は、そのような温度検出回路１０２の構成例を示す図である。   In the temperature detection circuit 102 shown in FIG. 6, the level of the temperature detection signal (that is, the voltage V3) that is compared with the reference voltage Vref by the comparator CP5 is adjusted according to the setting information. The level of the input reference voltage may be adjusted according to the setting information. FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration example of such a temperature detection circuit 102.

図７に示す温度検出回路１０２は、可変抵抗ＶＲ５と、抵抗Ｒ８と、フリップフロップＦＦ６と、演算増幅器ＯＰ３と、コンパレータＣＰ６とを有する。
なお、感温抵抗ＴＲおよび抵抗Ｒ２を有する回路は、本発明の抵抗回路の一実施形態である。
演算増幅器ＯＰ３、可変抵抗ＶＲ５および抵抗Ｒ８を有する回路は、本発明の基準信号生成回路の一実施形態である。
コンパレータＣＰ６は、本発明の比較回路の一実施形態である。 The temperature detection circuit 102 shown in FIG. 7 includes a variable resistor VR5, a resistor R8, a flip-flop FF6, an operational amplifier OP3, and a comparator CP6.
The circuit having the temperature sensitive resistance TR and the resistance R2 is an embodiment of the resistance circuit of the present invention.
The circuit having the operational amplifier OP3, the variable resistor VR5, and the resistor R8 is an embodiment of the reference signal generation circuit of the present invention.
The comparator CP6 is an embodiment of the comparison circuit of the present invention.

フリップフロップＦＦ６は、制御回路１０７から供給される温度しきい値の設定情報を保持する。   The flip-flop FF 6 holds temperature threshold setting information supplied from the control circuit 107.

可変抵抗ＶＲ５は、フリップフロップＦＦ６に保持される設定情報に応じた抵抗値を有する。
可変抵抗ＶＲ５の一方の端子は演算増幅器ＯＰ３の負入力端子に接続され、他方の端子はグランドＧに接続される。 The variable resistor VR5 has a resistance value corresponding to the setting information held in the flip-flop FF6.
One terminal of the variable resistor VR5 is connected to the negative input terminal of the operational amplifier OP3, and the other terminal is connected to the ground G.

演算増幅器ＯＰ３は、正入力端子に基準電圧Ｖｒｅｆを入力し、負入力端子は抵抗Ｒ８を介して出力端子に接続される。   In the operational amplifier OP3, the reference voltage Vref is input to the positive input terminal, and the negative input terminal is connected to the output terminal via the resistor R8.

演算増幅器ＯＰ３の出力電圧Ｖｓは、可変抵抗ＶＲ５および抵抗Ｒ８の抵抗値に対して、先に説明した式（１）と同様の関係を有している。そのため、演算増幅器ＯＰ３の出力電圧Ｖｓは、フリップフロップＦＦ６の設定情報に応じて調節されたレベルを有している。   The output voltage Vs of the operational amplifier OP3 has the same relationship as the equation (1) described above with respect to the resistance values of the variable resistor VR5 and the resistor R8. For this reason, the output voltage Vs of the operational amplifier OP3 has a level adjusted according to the setting information of the flip-flop FF6.

コンパレータＣＰ６は、抵抗Ｒ２および感温抵抗ＴＲの接続点の電圧Ｖ３と演算増幅器ＯＰ３の出力電圧Ｖｓとを比較し、比較結果の信号Ｓ６を出力する。例えば、電圧Ｖ３が基準電圧Ｖｒｅｆを越える場合にハイレベル、越えない場合にローレベルとなる信号Ｓ６を出力する。   The comparator CP6 compares the voltage V3 at the connection point of the resistor R2 and the temperature sensitive resistor TR with the output voltage Vs of the operational amplifier OP3, and outputs a comparison result signal S6. For example, a signal S6 that is high when the voltage V3 exceeds the reference voltage Vref and low when it does not exceed the reference voltage Vref is output.

抵抗Ｒ２および感温抵抗ＴＲの接続点に発生する電圧Ｖ３は、感温抵抗ＴＲおよび可変抵抗ＶＲ５の抵抗値に応じたレベルを有しており、演算増幅器ＯＰ３の出力電圧は、フリップフロップＦＦ６に保持される設定情報に応じて調節されたレベルを有する。この電圧Ｖ３と演算増幅器ＯＰ３の出力電圧ＶｓとをコンパレータＣＰ６において比較することにより、２次電池ＢＡＴの温度が設定情報で設定されるしきい値を越えているか否かが検出される。
以上が、温度検出回路１０２の説明である。 The voltage V3 generated at the connection point of the resistor R2 and the temperature sensitive resistor TR has a level corresponding to the resistance values of the temperature sensitive resistor TR and the variable resistor VR5, and the output voltage of the operational amplifier OP3 is supplied to the flip-flop FF6. The level is adjusted according to the setting information to be held. By comparing this voltage V3 with the output voltage Vs of the operational amplifier OP3 in the comparator CP6, it is detected whether or not the temperature of the secondary battery BAT exceeds the threshold set by the setting information.
The above is the description of the temperature detection circuit 102.

図１の説明に戻る。
記憶回路１０６は、各検出回路（１０２〜１０５）に供給するしきい値の設定情報を記憶する。
記憶回路１０６は、記憶する情報の書き換えが可能であるとともに、電源がオフの状態で当該情報の保持が可能な、不揮発性メモリを有している。 Returning to the description of FIG.
The storage circuit 106 stores threshold setting information to be supplied to the detection circuits (102 to 105).
The memory circuit 106 includes a nonvolatile memory that can rewrite information to be stored and can retain the information when the power is off.

記憶回路１０６に用いられる不揮発性メモリは、例えば、ＭＯＮＯＳ（metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor）構造のメモリである。
ＭＯＮＯＳの不揮発性メモリは、構造が非常に単純であり、書き込み電圧を低く抑えることができるという優れた特徴を有する。
通常のＣＭＯＳ製造プロセスで製造されるＩＣにフラッシュメモリを搭載しようとすると、１０を越えるような追加工程が必要になるが、ＭＯＮＯＳメモリを搭載する場合は、２〜３程度の工程の追加で済む。そのため、製造コストを大幅に削減することができる。
また、フラッシュメモリに比べて書き込み電圧を大幅に低く抑えることが可能であり、例えば５Ｖ程度で書き込みが可能である。そのため、特に携帯電話機のように電池の電圧が低い（例えば４．２〜４．３Ｖ程度）機器であっても、簡易な昇圧回路で書き込み電圧を作成することができる。 The nonvolatile memory used for the memory circuit 106 is, for example, a memory having a MONOS (metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor) structure.
The MONOS nonvolatile memory has an excellent feature that the structure is very simple and the write voltage can be kept low.
If a flash memory is to be mounted on an IC manufactured by a normal CMOS manufacturing process, an additional process exceeding 10 is required. However, when a MONOS memory is mounted, an additional process of about 2 to 3 is sufficient. . Therefore, the manufacturing cost can be greatly reduced.
In addition, the writing voltage can be significantly reduced as compared with the flash memory, and writing is possible at about 5V, for example. Therefore, even in a device having a low battery voltage (for example, about 4.2 to 4.3 V) such as a mobile phone, a write voltage can be created with a simple booster circuit.

制御回路１０７は、２次電池ＢＡＴの充電に関わる種々の制御を行う。
すなわち、制御回路１０７は、後述する手順に従って各検出回路（１０２〜１０５）のしきい値の設定情報を取得し、記憶回路１０６に格納する。そして、充電を行う前に、記憶回路１０６からしきい値の設定情報を読み出して各検出回路に供給し、そのフリップフロップにそれぞれ保持させる。そして、充電を実行する際には、各検出回路から出力される検出結果の信号を監視して、２次電池ＢＡＴの電圧、電流、温度を所定の充電条件に適合させながら、トランジスタＱ１のベース電圧を制御して、２次電池ＢＡＴに充電電流を流し込む。 The control circuit 107 performs various controls related to charging of the secondary battery BAT.
That is, the control circuit 107 acquires threshold setting information of each detection circuit (102 to 105) according to a procedure described later, and stores it in the storage circuit 106. Then, before charging, threshold setting information is read from the memory circuit 106, supplied to each detection circuit, and held in the flip-flops. When charging is performed, the detection result signal output from each detection circuit is monitored, and the voltage, current, and temperature of the secondary battery BAT are adapted to predetermined charging conditions, and the base of the transistor Q1 is adjusted. The charging current is supplied to the secondary battery BAT by controlling the voltage.

次に、図１に示す充電装置において、各検出回路（１０２〜１０５）において用いられるしきい値の設定情報を取得する手順について説明する。   Next, a procedure for acquiring threshold setting information used in each detection circuit (102 to 105) in the charging apparatus shown in FIG. 1 will be described.

しきい値の設定情報を取得する場合には、まず、検出を行う電圧、電流、温度が所定の値に設定される。
すなわち、電圧、電流のしきい値の設定情報を取得する場合、例えば、２次電池ＢＡＴの代わりに電圧源や電流源を接続して電圧、電流を発生させることにより、検出を行う電圧、電流が所定の値に設定される。
また、温度のしきい値の設定情報を取得する場合は、例えば２次電池ＢＡＴの代わりに所定の温度の発熱体などを感温抵抗ＴＲに接触させたり、あるいは、恒温槽などを利用して２次電池ＢＡＴを所定の温度に設定することにより、感温抵抗ＴＲの温度が所定の値に設定される。 When acquiring threshold setting information, first, the voltage, current, and temperature for detection are set to predetermined values.
That is, when acquiring voltage and current threshold setting information, for example, a voltage or current is detected by connecting a voltage source or current source instead of the secondary battery BAT to generate the voltage or current. Is set to a predetermined value.
When acquiring temperature threshold setting information, for example, instead of the secondary battery BAT, a heating element having a predetermined temperature is brought into contact with the temperature-sensitive resistor TR, or a thermostat is used. By setting the secondary battery BAT to a predetermined temperature, the temperature of the temperature sensitive resistor TR is set to a predetermined value.

次に、検出回路（１０２〜１０５）のしきい値が単調に増加もしくは減少するように、制御回路１０７によって検出回路（１０２〜１０５）の設定情報が順次に変更される。
例えば図２，３，５，６，７に示す検出回路の場合、可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２，ＶＲ３，ＶＲ４，ＶＲ５の抵抗値が単調に増加もしくは減少するように、制御回路１０７からフリップフロップＦＦ１，ＦＦ２，ＦＦ４，ＦＦ５，ＦＦ６に対して順次に設定情報が供給される。
また、図４に示す電流検出回路の場合には、増幅回路ＡＭＰ１の増幅率が単調に増加もしくは減少するように、制御回路１０７からフリップフロップＦＦ３に対して順次に設定情報が供給される。 Next, the setting information of the detection circuits (102 to 105) is sequentially changed by the control circuit 107 so that the threshold value of the detection circuits (102 to 105) monotonously increases or decreases.
For example, in the case of the detection circuit shown in FIGS. 2, 3, 5, 6, and 7, the control circuit 107 supplies the flip-flops FF1, FF1, and the resistance values of the variable resistors VR1, VR2, VR3, VR4, and VR5 so as to monotonously increase or decrease. Setting information is sequentially supplied to FF2, FF4, FF5, and FF6.
In the case of the current detection circuit shown in FIG. 4, setting information is sequentially supplied from the control circuit 107 to the flip-flop FF3 so that the amplification factor of the amplifier circuit AMP1 increases or decreases monotonously.

また、上記のようにしきい値を単調変化させる一方で、制御回路１０７においては、検出回路（１０２〜１０５）の検出結果（すなわちコンパレータＣＰ１〜ＣＰ６の出力信号Ｓ１〜Ｓ６）が監視される。そして、検出結果に変化が生じると（すなわちコンパレータの値が反転すると）、この変化を生じる点の前もしくは後における設定情報が、そのとき設定されている電圧、電流、または温度に対応したしきい値の設定情報として、制御回路１０７から記憶回路１０６に書き込まれる。   While the threshold value is monotonously changed as described above, the control circuit 107 monitors the detection results of the detection circuits (102 to 105) (that is, the output signals S1 to S6 of the comparators CP1 to CP6). When a change occurs in the detection result (that is, when the value of the comparator is inverted), the setting information before or after the point where the change occurs corresponds to a threshold corresponding to the voltage, current, or temperature set at that time. Value setting information is written from the control circuit 107 to the storage circuit 106.

各検出回路におけるしきい値の設定情報が上記のようにしてそれぞれ取得され、記憶回路１０６に書き込まれると、以降に検出を行う場合は、記憶回路１０６に格納される設定情報が制御回路１０７から各検出回路に供給されて、これに基づいた電圧、電流、温度の検出が実行される。すなわち、検出回路（１０２〜１０５）において、電池の電圧、電流または温度が、記憶回路１０６に記憶される設定情報において設定されたしきい値に達しているか否かの検出が行われる。   When the threshold setting information in each detection circuit is acquired as described above and written in the storage circuit 106, the setting information stored in the storage circuit 106 is received from the control circuit 107 when detection is performed thereafter. The voltage, current, and temperature are detected based on the detection circuit supplied to each detection circuit. That is, the detection circuit (102 to 105) detects whether or not the battery voltage, current, or temperature has reached the threshold value set in the setting information stored in the storage circuit 106.

以上説明したように、本実施形態によれば、記憶回路１０６に記憶される設定情報を自由に書き換えることが可能であり、電源がオフの状態でも記憶回路１０６に保持させることができる。そのため、検出回路（１０２〜１０５）が搭載された集積回路１０と他の部品（抵抗Ｒ１、Ｒ２、電池パック２０、トランジスタＱ１など）とを基板上に配線して組み立てた後で、この配線組み立ての影響（ピエゾ効果や配線抵抗、コネクタの接触抵抗など）が加味された精度の高いしきい値の設定情報を記憶回路１０６に書き込んで、検出回路（１０２〜１０５）に供給することが可能である。したがって、例えばウェーハ状態でしきい値の調整を行う従来の装置に比べて、検出精度を大幅に向上させることができる。   As described above, according to the present embodiment, the setting information stored in the storage circuit 106 can be freely rewritten and can be held in the storage circuit 106 even when the power is off. Therefore, after the integrated circuit 10 on which the detection circuit (102 to 105) is mounted and other parts (resistors R1, R2, battery pack 20, transistor Q1, etc.) are wired on the substrate and assembled, this wiring assembly is performed. Can be written to the memory circuit 106 and supplied to the detection circuits (102 to 105) with high accuracy, taking into account the effects of the effects (piezo effect, wiring resistance, connector contact resistance, etc.). is there. Therefore, for example, the detection accuracy can be greatly improved as compared with the conventional apparatus that adjusts the threshold value in the wafer state.

また、このように、配線組み立て後の実装状態が加味された精度の高いしきい値を検出回路に設定できることから、検出に用いる抵抗等の素子に高い絶対精度が要求されなくなる。その結果、例えば、図１に示す電流検出用の抵抗Ｒ２を、配線等の抵抗成分で代用することも可能になる。これにより、部品点数を減らして、回路規模を縮小させることができる。   In addition, since a highly accurate threshold value that takes into account the mounting state after wiring assembly can be set in the detection circuit in this manner, elements such as resistors used for detection do not require high absolute accuracy. As a result, for example, the current detection resistor R2 shown in FIG. 1 can be substituted with a resistance component such as wiring. Thereby, the number of parts can be reduced and the circuit scale can be reduced.

また、組み立てが完了した状態において容易に設定情報を書き換えることができるため、例えば経年変化等によるしきい値のばらつきにも容易に対処することが可能になり、信頼性を向上させることができる。   Further, since the setting information can be easily rewritten in a state where the assembly is completed, for example, it is possible to easily cope with variations in threshold values due to secular change or the like, and reliability can be improved.

また、本実施形態によれば、電池の電圧、電流、温度等を上述した方法によって精度よく検出し、その結果を用いて、所望の条件に正確に適合させながら電池の充電を行うことができる。そのため、電池の能力をその限界に近いレベルまで十分に引き出すことが可能になり、携帯機器の動作時間を更に長くすることができる。   Further, according to the present embodiment, the voltage, current, temperature, etc. of the battery can be accurately detected by the above-described method, and the battery can be charged while accurately conforming to desired conditions using the result. . Therefore, it becomes possible to fully draw out the capacity of the battery to a level close to the limit, and the operation time of the portable device can be further extended.

＜第２の実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
第２の実施形態は、電池の温度の検出結果に応じてしきい値の設定情報を変更することにより、検出精度の向上を図るものである。 <Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
In the second embodiment, detection accuracy is improved by changing threshold setting information in accordance with the battery temperature detection result.

第２の実施形態に係る充電装置は、例えば図１に示す充電装置と同様な構成を有する。
第１の実施形態と異なる点は、記憶回路１０６において複数の温度に対応する複数のしきい値の設定情報が格納されること、ならびに、制御回路１０７において温度に対応した設定情報の選択が行われることにある。 The charging device according to the second embodiment has the same configuration as the charging device shown in FIG. 1, for example.
The difference from the first embodiment is that the storage circuit 106 stores a plurality of threshold value setting information corresponding to a plurality of temperatures, and the control circuit 107 selects setting information corresponding to the temperature. There is to be.

まず、動作を開始させるにあたり、先の実施形態において述べたしきい値の設定情報の取得手順が、複数の所定の温度についてそれぞれ繰り返される。これにより、所定の複数の温度に対する電圧，電流，温度のしきい値の設定情報が取得され、記憶回路１０６に格納される。   First, when starting the operation, the threshold setting information acquisition procedure described in the previous embodiment is repeated for each of a plurality of predetermined temperatures. As a result, voltage, current, and temperature threshold setting information for a plurality of predetermined temperatures are acquired and stored in the storage circuit 106.

各温度の設定情報が記憶回路１０６に用意されると、制御回路１０７は、例えば図８に示すフローチャートに従って処理を実行する。   When the setting information of each temperature is prepared in the storage circuit 106, the control circuit 107 executes processing according to the flowchart shown in FIG. 8, for example.

まず、制御回路１０７は、各温度しきい値の設定情報を温度検出回路１０２に供給して、２次電池ＢＡＴの温度がしきい値に達しているか否かをそれぞれ検出させる（ステップＳＴ１）。   First, the control circuit 107 supplies each temperature threshold setting information to the temperature detection circuit 102 to detect whether or not the temperature of the secondary battery BAT has reached the threshold (step ST1).

次に制御回路１０７は、各温度しきい値に対する温度の検出結果に基づいて、現在の２次電池ＢＡＴの温度が属している温度範囲を判定する（ステップＳＴ２）。例えば２つの温度しきい値において検出を行う場合、この２つのしきい値によって区分される３つの温度範囲の何れに属しているかを判定する。この判定によって、２次電池ＢＡＴの温度が現在どの温度範囲に属するかが判定されると、次に制御回路１０７は、この温度範囲に対応する電圧、電流のしきい値の設定情報を選択して記憶回路１０６から読み出し、電圧、電流の各検出回路（１０３〜１０５）に供給する（ステップＳＴＳＴ３）。各検出回路（１０３〜１０５）は、供給された設定情報に応じて、電圧、電流の検出を実行する（ステップＳＴ４）。   Next, the control circuit 107 determines the temperature range to which the current temperature of the secondary battery BAT belongs based on the temperature detection result for each temperature threshold (step ST2). For example, when detection is performed at two temperature threshold values, it is determined which of the three temperature ranges divided by the two threshold values belongs. When it is determined by this determination which temperature range the temperature of the secondary battery BAT currently belongs to, the control circuit 107 next selects voltage and current threshold setting information corresponding to this temperature range. The data is read from the memory circuit 106 and supplied to the voltage and current detection circuits (103 to 105) (step STST3). Each of the detection circuits (103 to 105) performs voltage and current detection according to the supplied setting information (step ST4).

上述したステップＳＴ１〜ＳＴ４の動作は、例えば一定の周期で順次に繰り返される。
これにより、電池の温度が時間と共に変化する場合でも、電圧検出や電流検出のしきい値を温度に応じて適切に変更することが可能になるため、検出精度を更に向上させることができる。 The operations in steps ST1 to ST4 described above are sequentially repeated, for example, at a constant cycle.
As a result, even when the temperature of the battery changes with time, the threshold for voltage detection or current detection can be appropriately changed according to the temperature, so that the detection accuracy can be further improved.

以上、本発明の幾つかの実施形態について説明したが、本発明は上記の形態に限定されるものではなく、種々の変形を含んでいる。   As mentioned above, although some embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said form, Various modifications are included.

図４、図５に示す電流検出回路１０４では、２次電池ＢＡＴの充電電流または放電電流の一方を検出しても良いし、両方を検出しても良い。
例えば、増幅回路ＡＭＰ１（またはＡＭＰ２）においてゲインの極性を正と負に切り替える回路を設けて、充電時と放電時とで極性を反転させることにより、１つの電流検出回路を用いて充電電流と放電電流の両方を検出することができる。 In the current detection circuit 104 shown in FIGS. 4 and 5, either the charging current or the discharging current of the secondary battery BAT may be detected, or both may be detected.
For example, the amplifier circuit AMP1 (or AMP2) is provided with a circuit for switching the polarity of the gain between positive and negative, and by reversing the polarity between charging and discharging, the charging current and discharging are performed using one current detection circuit. Both currents can be detected.

また、図６に示す温度検出回路１０２では、感温抵抗ＴＲと並列に可変抵抗ＶＲ４を接続することによってしきい値を調節しているが、本発明はこの例に限定されない。例えば、抵抗Ｒ２に可変抵抗を用いて、その抵抗値を設定情報に応じて調節する構成でも良い。図４に示す電流検出回路１０４と同様に、電圧Ｖ３を増幅してコンパレータＣＰ５に入力する増幅回路を設けて、その増幅率を設定情報に応じて調節する構成でも良い。
設定情報に応じてしきい値を調節する検出回路は、上述の他にも、様々な構成のよって実現可能である。 In the temperature detection circuit 102 shown in FIG. 6, the threshold value is adjusted by connecting the variable resistor VR4 in parallel with the temperature sensitive resistor TR. However, the present invention is not limited to this example. For example, a variable resistor may be used as the resistor R2 and the resistance value may be adjusted according to the setting information. Similarly to the current detection circuit 104 shown in FIG. 4, an amplifier circuit that amplifies the voltage V3 and inputs it to the comparator CP5 may be provided, and the amplification factor may be adjusted according to the setting information.
In addition to the above, the detection circuit that adjusts the threshold value according to the setting information can be realized by various configurations.

また、図１に示す例では基準電圧源１０１が発生する基準電圧Ｖｒｅｆを用いて検出を行っているが、この例に限らず、回路構成によっては基準電流源を用いて検出を行うことも可能である。   In the example shown in FIG. 1, the detection is performed using the reference voltage Vref generated by the reference voltage source 101. However, the detection is not limited to this example, and the detection may be performed using the reference current source depending on the circuit configuration. It is.

第２の実施形態では電池の温度に応じて電圧、電流のしきい値を選択する例が示されているが、これに限らず、電池以外の他の部分の温度に応じて電圧、電流のしきい値を選択することも可能である。   In the second embodiment, an example is shown in which the voltage and current thresholds are selected according to the temperature of the battery. However, the present invention is not limited to this. It is also possible to select a threshold value.

本発明の実施形態に係る充電装置の構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a structure of the charging device which concerns on embodiment of this invention. 電圧検出回路の第１の構成例を示す図である。It is a figure which shows the 1st structural example of a voltage detection circuit. 電圧検出回路の第２の構成例を示す図である。It is a figure which shows the 2nd structural example of a voltage detection circuit. 電流検出回路の第１の構成例を示す図である。It is a figure which shows the 1st structural example of a current detection circuit. 電流検出回路の第２の構成例を示す図である。It is a figure which shows the 2nd structural example of a current detection circuit. 温度検出回路の第１の構成例を示す図である。It is a figure which shows the 1st structural example of a temperature detection circuit. 温度検出回路の第２の構成例を示す図である。It is a figure which shows the 2nd structural example of a temperature detection circuit. 温度に応じてしきい値の設定情報を変更する処理の流れの一例を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating an example of the flow of the process which changes the setting information of a threshold value according to temperature.

符号の説明Explanation of symbols

１０…集積回路、１０１…基準電圧源、１０２…温度検出回路、１０３，１０５…電圧検出回路、１０４…電流検出回路、１０６…記憶回路、１０７…制御回路、２０…電池パック、Ｔ１，Ｔ２…端子、ＢＡＴ…２次電池、ＴＲ…感温抵抗、Ｑ１…トランジスタ、Ｒ１〜Ｒ８…抵抗、ＶＲ１〜ＶＲ５…可変抵抗、ＣＰ１〜ＣＰ６…コンパレータ、ＦＦ１〜ＦＦ６…フリップフロップ、ＯＰ１〜ＯＰ３…演算増幅器、ＡＭＰ１，ＡＭＰ２…増幅回路   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Integrated circuit, 101 ... Reference voltage source, 102 ... Temperature detection circuit, 103, 105 ... Voltage detection circuit, 104 ... Current detection circuit, 106 ... Memory circuit, 107 ... Control circuit, 20 ... Battery pack, T1, T2 ... Terminal, BAT ... Secondary battery, TR ... Temperature sensitive resistor, Q1 ... Transistor, R1-R8 ... Resistor, VR1-VR5 ... Variable resistor, CP1-CP6 ... Comparator, FF1-FF6 ... Flip-flop, OP1-OP3 ... Operational amplifier , AMP1, AMP2 ... Amplifier circuit

Claims (13)

電池の電圧、電流または温度の少なくとも１つが、予め設定したしきい値に達しているか否かを検出する電池状態検出装置であって、
上記しきい値を設定する設定情報を記憶する記憶回路と、
電池の電圧、電流または温度が、上記記憶回路の設定情報で設定されるしきい値に達しているか否かを検出する検出回路と、
を有し、
上記記憶回路は、記憶する情報の書き換えが可能であるとともに、電源がオフの状態で当該情報の保持が可能である、
電池状態検出装置。 A battery state detection device for detecting whether at least one of battery voltage, current or temperature has reached a preset threshold value,
A storage circuit for storing setting information for setting the threshold;
A detection circuit for detecting whether the voltage, current or temperature of the battery has reached a threshold value set by the setting information of the memory circuit;
Have
The memory circuit can rewrite information to be stored and can hold the information with the power off.
Battery state detection device. 上記検出回路は、
電池の電圧、電流または温度に応じたレベルを有し、上記記憶回路の設定情報に応じて当該レベルが調節される検出信号を生成する検出信号生成回路と、
上記検出信号のレベルと供給される基準信号のレベルとを比較する比較回路とを含む、
請求項１に記載の電池状態検出装置。 The detection circuit is
A detection signal generation circuit having a level corresponding to the voltage, current or temperature of the battery, and generating a detection signal whose level is adjusted according to the setting information of the storage circuit;
A comparison circuit that compares the level of the detection signal with the level of the supplied reference signal;
The battery state detection device according to claim 1. 上記検出信号生成回路は、上記記憶回路の設定情報に応じて調節される分圧比をもって電池の電圧を分圧する分圧回路を有しており、
上記比較回路は、上記分圧回路において分圧された電圧と供給される基準電圧とを比較する、
請求項２に記載の電池状態検出装置。 The detection signal generation circuit has a voltage dividing circuit that divides the voltage of the battery with a voltage dividing ratio adjusted according to the setting information of the memory circuit,
The comparison circuit compares the voltage divided in the voltage dividing circuit with a supplied reference voltage.
The battery state detection device according to claim 2. 上記検出信号生成回路は、
電池の電流が流れる電流経路と、
上記電流経路に発生する電圧を、上記記憶回路の設定情報に応じて調節される増幅率をもって増幅する増幅回路と、
を含んでおり、
上記比較回路は、上記増幅回路において増幅された電圧と供給される基準電圧とを比較する、
請求項２に記載の電池状態検出装置。 The detection signal generation circuit includes:
A current path through which the battery current flows;
An amplifying circuit for amplifying the voltage generated in the current path with an amplification factor adjusted according to setting information of the memory circuit;
Contains
The comparator circuit compares the voltage amplified in the amplifier circuit with a supplied reference voltage;
The battery state detection device according to claim 2. 上記電流経路は、抵抗を有する電気配線で構成される、
請求項４に記載の電池状態検出装置。 The current path is composed of electric wiring having resistance,
The battery state detection device according to claim 4. 上位検出信号生成回路は、
電池の温度に応じて抵抗値が変化する第１の抵抗、および、上記記憶回路に記憶される設定情報に応じて抵抗値が設定される第２の抵抗を含んだ抵抗回路と、
上記抵抗回路に一定の電圧または電流を供給する回路と、
を含んでおり、
上記比較回路は、上記抵抗回路において発生する電圧と供給される基準電圧とを比較する、
請求項２に記載の電池状態検出装置。 The upper detection signal generation circuit is
A resistance circuit including a first resistor whose resistance value changes according to the temperature of the battery, and a second resistor whose resistance value is set according to setting information stored in the memory circuit;
A circuit for supplying a constant voltage or current to the resistor circuit;
Contains
The comparison circuit compares a voltage generated in the resistance circuit with a supplied reference voltage.
The battery state detection device according to claim 2. 上記検出回路は、
電池の電圧、電流または温度に応じたレベルを有する検出信号を生成する検出信号生成回路と、
上記記憶回路の設定情報に応じて調節されたレベルを有する基準信号を生成する基準信号生成回路と、
上記検出信号のレベルと上記基準信号のレベルとを比較する比較回路とを含む、
請求項１に記載の電池状態検出装置。 The detection circuit is
A detection signal generation circuit for generating a detection signal having a level corresponding to the voltage, current or temperature of the battery;
A reference signal generation circuit for generating a reference signal having a level adjusted according to setting information of the storage circuit;
A comparison circuit that compares the level of the detection signal with the level of the reference signal;
The battery state detection device according to claim 1. 上記検出信号生成回路は、電池の電圧を分圧する分圧回路を有しており、
上記基準信号生成回路は、上記記憶回路の設定情報に応じて調節されたレベルを有する基準電圧を生成し、
上記比較回路は、上記分圧回路において分圧された電圧と上記準電圧とを比較する、
請求項７に記載の電池状態検出装置。 The detection signal generation circuit has a voltage dividing circuit for dividing the voltage of the battery,
The reference signal generation circuit generates a reference voltage having a level adjusted according to setting information of the storage circuit;
The comparison circuit compares the voltage divided in the voltage dividing circuit with the quasi-voltage.
The battery state detection device according to claim 7. 上記検出信号生成回路は、
電池の電流が流れる電流経路と、
上記電流経路に発生する電圧を増幅する増幅回路と、
を含んでおり、
上記基準信号生成回路は、上記記憶回路の設定情報に応じて調節されたレベルを有する基準電圧を生成し、
上記比較回路は、上記増幅回路において増幅された電圧と上記基準電圧とを比較する、
請求項７に記載の電池状態検出装置。 The detection signal generation circuit includes:
A current path through which the battery current flows;
An amplifier circuit for amplifying the voltage generated in the current path;
Contains
The reference signal generation circuit generates a reference voltage having a level adjusted according to setting information of the storage circuit;
The comparator circuit compares the voltage amplified in the amplifier circuit with the reference voltage;
The battery state detection device according to claim 7. 上記電流経路は、抵抗を有する電気配線で構成される、
請求項９に記載の電池状態検出装置。 The current path is composed of electric wiring having resistance,
The battery state detection device according to claim 9. 上位検出信号生成回路は、
電池の温度に応じて抵抗値が変化する第１の抵抗を含んだ抵抗回路と、
上記抵抗回路に一定の電圧または電流を供給する回路と、
を含んでおり、
上記基準信号生成回路は、上記記憶回路の設定情報に応じて調節されたレベルを有する基準電圧を生成し、
上記比較回路は、上記抵抗回路において発生する電圧と上記基準電圧とを比較する、
請求項７に記載の電池状態検出装置。 The upper detection signal generation circuit is
A resistance circuit including a first resistor whose resistance value changes according to the temperature of the battery;
A circuit for supplying a constant voltage or current to the resistor circuit;
Contains
The reference signal generation circuit generates a reference voltage having a level adjusted according to setting information of the storage circuit;
The comparison circuit compares a voltage generated in the resistance circuit with the reference voltage.
The battery state detection device according to claim 7. 上記記憶回路は、電池の複数の温度に対応した複数のしきい値の設定情報を記憶しており、
上記検出回路に対し、上記複数の温度に対応する複数の温度しきい値の設定情報を供給して温度の検出を実行させ、当該検出の結果に基づいて、電池の温度が上記複数の温度しきい値で規定される複数の温度範囲の何れに属しているかを判定し、上記記憶回路に記憶される複数の設定情報から、上記判定結果の温度範囲に対応する設定情報を選択して上記検出回路に供給し、当該設定情報に応じた電圧および／または電流の検出を実行させる制御回路を有する、
請求項１に記載の電池状態検出装置。 The storage circuit stores a plurality of threshold setting information corresponding to a plurality of battery temperatures,
The detection circuit is supplied with setting information of a plurality of temperature threshold values corresponding to the plurality of temperatures to execute temperature detection, and based on the detection result, the temperature of the battery is set to the plurality of temperatures. It is determined which one of a plurality of temperature ranges defined by the threshold value belongs, and the setting information corresponding to the temperature range of the determination result is selected from the plurality of setting information stored in the storage circuit, and the detection is performed. A control circuit that supplies the circuit and executes detection of voltage and / or current according to the setting information;
The battery state detection device according to claim 1. 電池の電圧、電流または温度の少なくとも１つが、予め設定したしきい値に達しているか否かを検出し、当該検出結果に応じて上記電池の充電を制御する充電装置であって、
上記しきい値を設定する情報を記憶する記憶回路と、
電池の電圧、電流または温度が、上記記憶回路の情報に応じて設定されるしきい値に達しているか否かを検出する検出回路と、
を有し、
上記記憶回路は、記憶する情報の書き換えが可能であるとともに、電源がオフの状態で当該情報の保持が可能である、
充電装置。
A charging device that detects whether at least one of a voltage, a current, or a temperature of a battery has reached a preset threshold value, and controls charging of the battery according to the detection result,
A storage circuit for storing information for setting the threshold;
A detection circuit for detecting whether the voltage, current or temperature of the battery has reached a threshold set according to the information of the memory circuit;
Have
The memory circuit can rewrite information to be stored and can hold the information with the power off.
Charging device.
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