JP2006049785A - Wavelength variable light source, and distortion measurement equipment using the same - Google Patents

Wavelength variable light source, and distortion measurement equipment using the same Download PDF

Info

Publication number
JP2006049785A
JP2006049785A JP2004251670A JP2004251670A JP2006049785A JP 2006049785 A JP2006049785 A JP 2006049785A JP 2004251670 A JP2004251670 A JP 2004251670A JP 2004251670 A JP2004251670 A JP 2004251670A JP 2006049785 A JP2006049785 A JP 2006049785A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
wavelength
diffraction grating
light source
semiconductor laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004251670A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takanori Saito
崇記 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anritsu Corp
Original Assignee
Anritsu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anritsu Corp filed Critical Anritsu Corp
Priority to JP2004251670A priority Critical patent/JP2006049785A/en
Publication of JP2006049785A publication Critical patent/JP2006049785A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wavelength variable light source that falsely makes mode hop free by lengthening a resonator length so as to oscillate in multimode. <P>SOLUTION: A wavelength variable light source has: a semiconductor laser (LD) 1; a collimate lens 2 that collimates light emitted from an AR-coated end face of the LD 1; a diffraction grating 3 that receives collimated light emitted from the collimate lens 2 and diffracts it at an angle complying with a wavelength; a mirror 4 that receives light diffracted based on the collimated light emitted from the diffraction grating 3 and reflects it to the diffraction grating 3; and an angle adjusting means 5 that, when the light reflecting at the mirror 4, entering the diffraction grating 3, and being again diffracted (now as diffracted light) is made to enter the LD 1 via the collimate lens 2, changes the mirror 4's angle such that the diffracted light entering the LD 1 becomes a light with a desired wavelength. In the light source, the resonator's length is made so long by installing an optical fiber 6 with a specific length between the LD 1 and the collimate lens 2 as to multimode-oscillate. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体レーザを用いた外部共振型の波長可変光源及びそれを用いた歪測定装置に関し、特に多モード発振するように共振器長を長くすることによって、擬似的にモードホップフリーとした波長可変光源及びそれを用いた歪測定装置に関する。   The present invention relates to an external resonance-type wavelength tunable light source using a semiconductor laser and a strain measurement apparatus using the same, and in particular, by making the resonator length long so as to oscillate in multiple modes, it is made pseudo-hop-free. The present invention relates to a wavelength tunable light source and a strain measurement apparatus using the same.

光部品の波長特性の測定、また近年実用化が進んでいるＦＢＧ（ファイバブラッググレーティング）を用いた歪測定等には、測定対象から出力される光の波長毎の強度、又は波長の変化を検出するための光スペクトラムアナライザとともに、それらに広帯域な光を入力するためのＡＳＥ（Amplified Spontaneous Emission）光源が用いられている。しかしながら、このＡＳＥ光源は、その出力光の波長帯域、強度及び強度偏差が、それぞれ例えば約３０ｎｍ、約−１３ｄＢｍ／ｎｍ及び数ｄＢ程度であるために、より広帯域かつ高ダイナミックレンジでの波長特性の測定や、より遠隔かつ広範囲なエリアでのＦＢＧの使用を可能にしたいといった要求を満足することができなかった。   For measuring the wavelength characteristics of optical components and measuring strain using FBG (Fiber Bragg Grating), which has been in practical use in recent years, the intensity or wavelength change of light output from the measurement target is detected. An ASE (Amplified Spontaneous Emission) light source for inputting broadband light to the optical spectrum analyzer is used. However, since this ASE light source has a wavelength band, an intensity, and an intensity deviation of the output light of, for example, about 30 nm, about −13 dBm / nm, and several dB, respectively, the wavelength characteristics of a wider band and a high dynamic range are obtained. It was not possible to satisfy the demands for measurement and the desire to enable the use of FBG in a more remote and wide area.

一方、波長の選択性を受光側に持たせた上述のＡＳＥ光源を用いる測定方法とは異なり、光源側に持たせた、波長可変光源と光パワメータ（受光器）とを組み合わせて行う測定方法があった。この場合、波長可変光源は、その出力光の波長帯域、強度及び強度変化が、それぞれ例えば約１００ｎｍ、約＋１０ｄＢｍ及び約１ｄＢ程度であり、上記要求を満足させることが可能であった。このような波長可変光源としては、リットマン型と呼ばれる外部共振型の波長可変光源が周知である。（例えば、特許文献1参照）   On the other hand, unlike the above-described measurement method using the ASE light source having wavelength selectivity on the light receiving side, there is a measurement method in which a variable wavelength light source and an optical power meter (light receiver) provided on the light source side are combined. there were. In this case, the wavelength variable light source has the wavelength band, intensity, and intensity change of the output light of about 100 nm, about +10 dBm, and about 1 dB, respectively, and can satisfy the above requirements. As such a wavelength variable light source, an external resonance type wavelength variable light source called a Littman type is well known. (For example, see Patent Document 1)

この種の外部共振型の波長可変光源の概略構成を図２０に示す。この波長可変光源は、半導体レーザ（ＬＤ）１のＡＲコート（AR：Anti-Reflection）された端面から出射された光をコリメートレンズ２によってコリメート光（平行光）に変換して回折格子３へ入射し、その入射光に対して回折格子３が出射する回折光を、その回折面を延長した面上の所定位置Ｐを中心に回転できるように角度調整手段５によって支持されたミラー４に入射し、ミラー４によって反射された反射光を回折格子３へ入射させ、その反射光に対する回折光を回折格子３からコリメートレンズ２を介してＬＤ１に戻している。   FIG. 20 shows a schematic configuration of this type of external resonance type tunable light source. This wavelength tunable light source converts the light emitted from the end surface of the semiconductor laser (LD) 1 that has been AR-coated (AR) into collimated light (parallel light) by the collimator lens 2 and enters the diffraction grating 3. Then, the diffracted light emitted from the diffraction grating 3 with respect to the incident light is incident on the mirror 4 supported by the angle adjusting means 5 so as to be able to rotate around a predetermined position P on the surface obtained by extending the diffraction surface. The reflected light reflected by the mirror 4 is incident on the diffraction grating 3, and the diffracted light with respect to the reflected light is returned from the diffraction grating 3 to the LD 1 through the collimator lens 2.

これによって、ＬＤ１から出射された光の波長成分のうち、ミラー４の反射面に直交する波長成分のみがＬＤ１に戻ることになり、ＬＤ１はその戻ってきた特定波長の光で励起（共振）されてその特定波長（共振波長）の光を出力光としてＡＲコートされていない端面から出射する。この共振波長は、回折格子３に対するミラー４の角度で決まる回折波長特性と、ＬＤ１のＡＲコートされていない端面から回折格子３を介してミラー４の反射面までの共振器長に基づく外部共振モードとで決まり、角度調整手段５によって、ミラー４を上述の所定位置Ｐを中心に回転させることで、図１５（ａ）に示すように、その回折波長特性と外部共振モードとを同時に変え、これにより共振波長を連続的に可変することができる。なお、このリットマン型の波長可変光源は、回折格子３により往復２回の回折（特定波長の選択）を行っているために、波長選択性に優れ、すなわち回折波長特性が急峻となって、高コヒーレント光を発振できることが特徴である。   As a result, only the wavelength component orthogonal to the reflecting surface of the mirror 4 returns to the LD 1 among the wavelength components of the light emitted from the LD 1, and the LD 1 is excited (resonated) with the returned specific wavelength light. Then, the light having the specific wavelength (resonance wavelength) is emitted from the end face that is not AR-coated as output light. This resonance wavelength is an external resonance mode based on the diffraction wavelength characteristic determined by the angle of the mirror 4 with respect to the diffraction grating 3 and the resonator length from the end surface of the LD 1 not coated with AR to the reflection surface of the mirror 4 via the diffraction grating 3. By rotating the mirror 4 around the predetermined position P by the angle adjusting means 5, the diffraction wavelength characteristic and the external resonance mode are changed simultaneously as shown in FIG. Thus, the resonance wavelength can be continuously varied. This Littman-type tunable light source is excellent in wavelength selectivity because the diffraction grating 3 performs diffraction twice (selection of a specific wavelength), that is, the diffraction wavelength characteristic is steep and high. It is characterized by being able to oscillate coherent light.

特開２００１−２８４７１５号公報JP 2001-284715 A

しかしながら、このような従来の外部共振型の波長可変光源においては、上述した、ミラー４を回転させるための回折格子３の回折面を延長した面上の所定位置Ｐは、理論的に更に詳しく言えば、ミラー４の反射面を延長した面上でかつＬＤ１のＡＲコートされていない端面を延長した面上に位置することが必要であり、そのような所定位置Ｐにミラー４（又は角度調整手段５）の回転軸を調整できるようにするための機構が複雑であるとともに、その調整に多大な労力と時間を必要とした。   However, in such a conventional external resonance type tunable light source, the predetermined position P on the surface obtained by extending the diffraction surface of the diffraction grating 3 for rotating the mirror 4 can be theoretically described in more detail. For example, it is necessary to position the mirror 4 on the surface where the reflection surface is extended and on the surface where the end surface of the LD 1 which is not AR-coated is extended. The mechanism for enabling the adjustment of the rotating shaft in 5) is complicated, and much labor and time are required for the adjustment.

また、仮に調整がうまくいった場合であっても、ミラー４を回転させて波長を変化させたときに、回折波長特性と外部共振モードとの相対関係が温度変動、振動等の影響によってくずれ、モードホップ（外部共振モードが変わる）が発生した。また元々シングルモード発振するように、共振器長を例えば数ｍｍ程度と短くして、図１５（ｂ）に示すように、回折波長特性の帯域の中に入る外部共振モードの数をできるだけ少なく（換言すれば外部共振モード間隔Δλを広く）している結果、モードホップによる波長変化が周波数で数ＧＨｚと大きかった。   Even if the adjustment is successful, when the wavelength is changed by rotating the mirror 4, the relative relationship between the diffraction wavelength characteristic and the external resonance mode is broken due to the influence of temperature fluctuation, vibration, etc. A mode hop (external resonance mode changes) occurred. Further, the resonator length is shortened to, for example, about several millimeters so that the single mode oscillation is originally performed, and as shown in FIG. 15B, the number of external resonance modes that fall within the diffraction wavelength characteristic band is as small as possible ( In other words, as a result of widening the external resonance mode interval Δλ, the wavelength change due to the mode hop was as large as several GHz in frequency.

また、この外部共振型の波長可変光源から出力される高コヒーレント光を用いて光部品の波長特性を測定すると、図１６に示すように、光ファイバ、光部品等での反射によって生じる約３ｄＢ程度のリップルが波長特性に重畳し、本来の特性が把握し難いという欠点があった。   Further, when the wavelength characteristic of the optical component is measured using the highly coherent light output from the external resonance type wavelength tunable light source, as shown in FIG. 16, about 3 dB generated by reflection on the optical fiber, the optical component or the like. There is a drawback in that the ripples of the superposition are superimposed on the wavelength characteristics, making it difficult to grasp the original characteristics.

本発明は、多モード発振するように共振器長を長くすることによって、これらの課題を解決し、擬似的にモードホップフリーとした波長可変光源及びそれを用いた歪測定装置を提供することを目的としている。   The present invention solves these problems by increasing the length of the resonator so as to oscillate in multiple modes, and provides a tunable light source that is quasi-mode-hop-free and a distortion measurement device using the same. It is aimed.

上記課題を解決するために、本発明の請求項１の波長可変光源では、一方のレーザ光出射端面がＡＲコートされている半導体レーザ（１）と、該半導体レーザのＡＲコートされている端面から出射された光をコリメートするコリメートレンズ（２）と、該コリメートレンズから出射されたコリメート光を受けて波長に応じた角度で回折させる回折格子（３）と、該回折格子から出射された前記コリメート光に対する回折光を受けて該回折格子に反射させるミラー（４）と、該ミラーからの反射光が前記回折格子に入射されて再び回折され、それによって得られた回折光が前記コリメートレンズを介して前記半導体レーザに入射されるとき、該半導体レーザに入射される回折光が所望の波長の光となるように前記ミラーの角度を変化させる角度調整手段（５）とを備え、前記半導体レーザの他方のレーザ光出射端面と前記ミラーとの間で構成される共振器長に基づいた外部共振モードで発振する波長可変光源において、前記共振器長が、該共振器長に基づいた外部共振モードで発振する光が多モード発振による光となるような当該共振器長であるようにした。   In order to solve the above-described problem, in the wavelength tunable light source according to the first aspect of the present invention, the semiconductor laser (1) on which one laser light emission end face is AR-coated and the AR-coated end face of the semiconductor laser A collimating lens (2) for collimating the emitted light, a diffraction grating (3) for receiving the collimated light emitted from the collimating lens and diffracting it at an angle according to the wavelength, and the collimating emitted from the diffraction grating A mirror (4) that receives the diffracted light with respect to the light and reflects it to the diffraction grating, and the reflected light from the mirror is incident on the diffraction grating and diffracted again, and the diffracted light obtained thereby passes through the collimating lens. The angle at which the angle of the mirror is changed so that the diffracted light incident on the semiconductor laser becomes light of a desired wavelength when incident on the semiconductor laser. A tunable light source that oscillates in an external resonance mode based on a resonator length formed between the other laser beam emitting end face of the semiconductor laser and the mirror, However, the resonator length is such that light oscillating in the external resonance mode based on the resonator length becomes light by multimode oscillation.

また、本発明の請求項２の波長可変光源では、一方のレーザ光出射端面がＡＲコートされている半導体レーザ（１）と、該半導体レーザのＡＲコートされている端面から出射された光をコリメートするコリメートレンズ（２）と、該コリメートレンズから出射されたコリメート光を受けて波長に応じた角度で回折させる回折格子（３）と、反射体（３５）と反射体駆動手段（５０）とを含んで構成され、前記回折格子から入射される前記コリメート光に対する回折光が、前記反射体の反射面で該回折格子へ反射されて、再び該回折格子で回折され、それによって得られた回折光が前記コリメートレンズを介して前記半導体レーザに入射されるとき、該半導体レーザに入射される回折光が所望の波長の光となるように前記反射体の反射面の角度を前記反射体駆動手段により変化させるＭＥＭＳスキャナ（６０）とを備え、前記半導体レーザの他方のレーザ光出射端面と前記反射体の反射面との間で構成される共振器長に基づいた外部共振モードで発振する波長可変光源であって、前記共振器長が、該共振器長に基づいた外部共振モードで発振する光が多モード発振による光となるような当該共振器長であるようにした。   Further, in the wavelength tunable light source according to the second aspect of the present invention, the semiconductor laser (1) in which one laser light emitting end face is AR-coated and light emitted from the AR-coated end face of the semiconductor laser is collimated. A collimating lens (2), a diffraction grating (3) that receives the collimated light emitted from the collimating lens and diffracts it at an angle corresponding to the wavelength, a reflector (35), and a reflector driving means (50). The diffracted light with respect to the collimated light that is configured to be incident and is incident from the diffraction grating is reflected by the reflecting surface of the reflector to the diffraction grating, and is again diffracted by the diffraction grating. Is incident on the semiconductor laser through the collimating lens, the angle of the reflecting surface of the reflector so that the diffracted light incident on the semiconductor laser becomes light of a desired wavelength. An external resonance mode based on a resonator length, which comprises a MEMS scanner (60) that is changed by the reflector driving means, and is configured between the other laser light emitting end face of the semiconductor laser and the reflecting face of the reflector. The wavelength tunable light source that oscillates at the resonator length is such that the resonator length is such that light that oscillates in an external resonance mode based on the resonator length becomes light by multimode oscillation.

また、本発明の請求項３の波長可変光源では、上述した請求項２の波長可変光源において、前記ＭＥＭＳスキャナの反射体は、固定基板（３６、３７）と、該固定基板の縁部から所定幅で所定長さ延設され、その長さ方向に沿って捩じれ変形可能な軸部（３８、３９）と、該軸部の先端に自身の縁部で連結されて形成され、一面側に前記回折格子からの回折光を反射させるための前記反射面が設けられた反射板（４０）とを有しており、かつ、前記ＭＥＭＳスキャナの反射体駆動手段は、前記反射体の軸部と反射板とからなる部分の固有振動数に対応した周波数の駆動信号によって前記反射板に力を与えて、該反射板を前記固有振動数又はそれに近い振動数で往復回転させるように構成した。   In the wavelength tunable light source according to a third aspect of the present invention, the reflector of the MEMS scanner in the above-described wavelength tunable light source according to the second aspect includes a fixed substrate (36, 37) and predetermined edges from the fixed substrate. A shaft portion (38, 39) that is extended by a predetermined length in width and can be twisted and deformed along the length direction, and is connected to the tip of the shaft portion by its own edge portion, A reflector (40) provided with the reflecting surface for reflecting the diffracted light from the diffraction grating, and the reflector driving means of the MEMS scanner includes a shaft portion of the reflector and a reflector. A force is applied to the reflecting plate by a drive signal having a frequency corresponding to the natural frequency of the portion made of the plate, and the reflecting plate is reciprocally rotated at the natural frequency or a frequency close thereto.

また、本発明の請求項４の波長可変光源では、上述した請求項１〜３のいずれかの波長可変光源において、前記半導体レーザと前記コリメートレンズとの間に所定の長さの光ファイバ（６）を備えた。   In the wavelength tunable light source according to a fourth aspect of the present invention, in the wavelength tunable light source according to any one of the first to third aspects described above, an optical fiber (6) having a predetermined length between the semiconductor laser and the collimating lens. ).

また、本発明の請求項５の波長可変光源では、上述した請求項１〜３のいずれかの波長可変光源において、前記コリメートレンズと前記回折格子との間に光路長が１５ｃｍ以上の空間伝搬路（１７）を備えた。   In the wavelength tunable light source according to claim 5 of the present invention, in the wavelength tunable light source according to any one of claims 1 to 3, a spatial propagation path having an optical path length of 15 cm or more between the collimating lens and the diffraction grating. (17).

また、本発明の請求項６の波長可変光源では、上述した請求項５の波長可変光源において、前記空間伝搬路が、コーナーキューブ（１７ａ）を含んで構成されるようにした。   In the wavelength tunable light source according to claim 6 of the present invention, in the wavelength tunable light source according to claim 5, the spatial propagation path is configured to include a corner cube (17 a).

また、本発明の請求項７の波長可変光源では、上述した請求項１〜６のいずれかの波長可変光源において、前記回折格子の０次光が出射される光路上に設けられて所定の波長の光を透過させる光共振器（７）と、該光共振器から出射される透過光を受けて第１の電気信号に変換する第１の受光器（８）とを更に備え、該第１の受光器から出力される前記第１の電気信号から前記半導体レーザの出射光の波長を求めることを可能にした。   In the wavelength tunable light source according to a seventh aspect of the present invention, the wavelength tunable light source according to any one of the first to sixth aspects described above is provided on an optical path through which the 0th-order light of the diffraction grating is emitted and has a predetermined wavelength. An optical resonator (7) that transmits the first light, and a first light receiver (8) that receives the transmitted light emitted from the optical resonator and converts it into a first electric signal, The wavelength of the emitted light of the semiconductor laser can be obtained from the first electric signal output from the light receiver.

また、本発明の請求項８の波長可変光源では、上述した請求項１〜６のいずれかの波長可変光源において、前記回折格子の０次光を出力光とした。   In the wavelength tunable light source according to the eighth aspect of the present invention, in the wavelength tunable light source according to any one of the first to sixth aspects described above, the 0th-order light of the diffraction grating is output light.

また、本発明の請求項９の波長可変光源では、上述した請求項８の波長可変光源において、前記回折格子の０次光が出射される光路上に設けられ、該０次光を２つに分岐して一方の０次光を前記出力光として出射する光分岐手段（１６）と、該光分岐手段から出射される他方の０次光を受けて所定の波長の光を透過させる光共振器（７）と、該光共振器から出射される透過光を受けて第１の電気信号に変換する第１の受光器（８）とを更に備え、該第１の受光器から出力される前記第１の電気信号から前記半導体レーザの出射光の波長を求めることを可能にした。   In the wavelength tunable light source according to claim 9 of the present invention, the wavelength tunable light source according to claim 8 is provided on an optical path from which the 0th order light of the diffraction grating is emitted, and the 0th order light is divided into two. An optical branching means (16) for branching and emitting one zero-order light as the output light, and an optical resonator for receiving the other zero-order light emitted from the optical branching means and transmitting light of a predetermined wavelength (7) and a first light receiver (8) that receives the transmitted light emitted from the optical resonator and converts the transmitted light into a first electric signal, and is output from the first light receiver. The wavelength of the emitted light of the semiconductor laser can be obtained from the first electric signal.

また、本発明の請求項１０の波長可変光源では、一方のレーザ光出射端面がＡＲコートされている半導体レーザ（１）と、該半導体レーザのＡＲコートされている端面から出射された光をコリメートするコリメートレンズ（２）と、該コリメートレンズから出射されたコリメート光を受けて波長に応じた角度で回折させる回折格子（３）と、該回折格子から出射された前記コリメート光に対する回折光を受けて該回折格子に反射させるミラー（４）と、該ミラーからの反射光が前記回折格子に入射されて再び回折され、それによって得られた回折光が前記コリメートレンズを介して前記半導体レーザに入射されるとき、該半導体レーザに入射される回折光が所望の波長の光となるように前記ミラーの角度を変化させる角度調整手段（５）とを備え、前記半導体レーザの他方のレーザ光出射端面と前記ミラーとの間で構成される共振器長に基づいた外部共振モードで発振する波長可変光源において、前記半導体レーザと前記コリメートレンズとの間に、該半導体レーザのＡＲコートされている端面から出射された光を受けて所定の長さ伝送して該コリメートレンズに入射させる光ファイバ（６）を備えるようにした。   In the wavelength tunable light source according to claim 10 of the present invention, a semiconductor laser (1) in which one laser light emitting end face is AR-coated and light emitted from the AR-coated end face of the semiconductor laser is collimated. A collimating lens (2) that receives the collimated light emitted from the collimating lens and diffracts the collimated light at an angle corresponding to the wavelength, and diffracted light for the collimated light emitted from the diffraction grating. The mirror (4) that reflects the diffraction grating and the reflected light from the mirror enter the diffraction grating and are diffracted again, and the resulting diffracted light enters the semiconductor laser via the collimator lens. Angle adjusting means (5) for changing the angle of the mirror so that the diffracted light incident on the semiconductor laser becomes light of a desired wavelength. In a wavelength tunable light source that oscillates in an external resonance mode based on a resonator length formed between the other laser beam emission end face of the semiconductor laser and the mirror, the semiconductor laser is disposed between the semiconductor laser and the collimating lens. An optical fiber (6) that receives light emitted from the AR-coated end face of the semiconductor laser, transmits the light for a predetermined length, and enters the collimator lens is provided.

また、本発明の請求項１１の波長可変光源では、一方のレーザ光出射端面がＡＲコートされている半導体レーザ（１）と、該半導体レーザのＡＲコートされている端面から出射された光を受けて所定の長さ伝送させる光ファイバ（６）と、該光ファイバから出射された光を受けてコリメートするコリメートレンズ（２）と、該コリメートレンズから出射されたコリメート光を受けて波長に応じた角度で回折させる回折格子（３）と、反射体（３５）と反射体駆動手段（５０）とを含んで構成され、前記回折格子から入射される前記コリメート光に対する回折光が、前記反射体の反射面で該回折格子へ反射されて、再び該回折格子で回折され、それによって得られた回折光が前記コリメートレンズ及び前記光ファイバを介して前記半導体レーザに入射されるとき、該半導体レーザに入射される回折光が所望の波長の光となるように前記反射体の反射面の角度を前記反射体駆動手段により変化させるＭＥＭＳスキャナ（６０）とを備え、前記半導体レーザの他方のレーザ光出射端面と前記反射体の反射面との間で構成される共振器長に基づいた外部共振モードで発振するようにした。   In the wavelength tunable light source according to an eleventh aspect of the present invention, a semiconductor laser (1) on which one laser light emitting end face is AR-coated and light emitted from the AR-coated end face of the semiconductor laser are received. An optical fiber (6) for transmitting a predetermined length, a collimating lens (2) for receiving and collimating light emitted from the optical fiber, and receiving collimated light emitted from the collimating lens according to the wavelength. A diffraction grating (3) that diffracts at an angle, a reflector (35), and reflector drive means (50) are configured, and diffracted light with respect to the collimated light incident from the diffraction grating is reflected on the reflector. Reflected by the reflecting surface to the diffraction grating and again diffracted by the diffraction grating, and the diffracted light obtained thereby is transmitted through the collimating lens and the optical fiber to the semiconductor laser. A MEMS scanner (60) for changing the angle of the reflecting surface of the reflector by the reflector driving means so that the diffracted light incident on the semiconductor laser becomes light of a desired wavelength when incident. The semiconductor laser oscillates in an external resonance mode based on a resonator length formed between the other laser light emitting end surface of the semiconductor laser and the reflecting surface of the reflector.

また、本発明の請求項１２の波長可変光源では、上述した請求項１１の波長可変光源において、前記ＭＥＭＳスキャナの反射体は、固定基板（３６、３７）と、該固定基板の縁部から所定幅で所定長さ延設され、その長さ方向に沿って捩じれ変形可能な軸部（３８、３９）と、該軸部の先端に自身の縁部で連結されて形成され、一面側に前記回折格子からの回折光を反射させるための前記反射面が設けられた反射板（４０）とを有しており、かつ、前記ＭＥＭＳスキャナの反射体駆動手段は、前記反射体の軸部と反射板とからなる部分の固有振動数に対応した周波数の駆動信号によって前記反射板に力を与えて、該反射板を前記固有振動数又はそれに近い振動数で往復回転させるように構成した。   The tunable light source according to claim 12 of the present invention is the tunable light source according to claim 11, wherein the reflector of the MEMS scanner is fixed to the fixed substrate (36, 37) and the edge of the fixed substrate. A shaft portion (38, 39) that is extended by a predetermined length in width and can be twisted and deformed along the length direction, and is connected to the tip of the shaft portion by its own edge portion, A reflector (40) provided with the reflecting surface for reflecting the diffracted light from the diffraction grating, and the reflector driving means of the MEMS scanner includes a shaft portion of the reflector and a reflector. A force is applied to the reflecting plate by a drive signal having a frequency corresponding to the natural frequency of the portion made of the plate, and the reflecting plate is reciprocally rotated at the natural frequency or a frequency close thereto.

また、本発明の請求項１３の波長可変光源では、上述した請求項１０〜１２のいずれかの波長可変光源において、更に、前記回折格子の０次光が出射される光路上に設けられて所定の波長の光を透過させる光共振器（７）と、該光共振器から出射される透過光を受けて第１の電気信号に変換する第１の受光器（８）とを備え、該第１の受光器から出力される前記第１の電気信号から前記半導体レーザの出射光の波長を求めることを可能にした。   According to a tunable light source of a thirteenth aspect of the present invention, in the tunable light source according to any one of the tenth to twelfth aspects described above, the tunable light source is further provided on an optical path through which the zero-order light of the diffraction grating is emitted. An optical resonator (7) that transmits light having a wavelength of 1 and a first light receiver (8) that receives the transmitted light emitted from the optical resonator and converts it into a first electric signal, The wavelength of the emitted light of the semiconductor laser can be obtained from the first electric signal output from one light receiver.

また、本発明の請求項１４の波長可変光源を用いた歪測定装置では、所定の波長範囲の光を発振し、該光を測定光としてファイバブラッググレーティング（１５ａ、１５ｂ）に入射させる、上述した請求項１〜１３のいずれかの波長可変光源（１００）と、前記ファイバブラッググレーティングに入射された前記測定光であって、該ファイバブラッググレーティングによって反射された光又は該ファイバブラッググレーティングを透過した光を受けて第２の電気信号に変換する第２の受光器（１２）と、該第２の受光器から出力される前記第２の電気信号と、前記波長可変光源から出力される前記ミラー又は前記反射体の反射面の角度を変化させるための信号とに基づいて、前記ファイバブラッググレーティングに加わった歪みの変動を求める処理手段（１３）とを備えた。   In the strain measurement apparatus using the wavelength tunable light source according to the fourteenth aspect of the present invention, the light having a predetermined wavelength range is oscillated, and the light is incident on the fiber Bragg grating (15a, 15b) as the measurement light. The wavelength tunable light source (100) according to any one of claims 1 to 13, and the measurement light incident on the fiber Bragg grating, the light reflected by the fiber Bragg grating or the light transmitted through the fiber Bragg grating The second light receiver (12) that receives and converts it into a second electric signal, the second electric signal output from the second light receiver, and the mirror output from the wavelength variable light source or Based on the signal for changing the angle of the reflecting surface of the reflector, a variation in distortion applied to the fiber Bragg grating is obtained. And a processing unit (13).

また、本発明の請求項１５の波長可変光源を用いた歪測定装置では、所定の波長範囲の光を発振し、該光を測定光としてファイバブラッググレーティング（１５ａ、１５ｂ）に入射させる、上述した請求項７、９及び１３のいずれかの波長可変光源（１００）と、前記ファイバブラッググレーティングに入射された前記測定光であって、該ファイバブラッググレーティングによって反射された光又は該ファイバブラッググレーティングを透過した光を受けて第２の電気信号に変換する第２の受光器（１２）と、該第２の受光器から出力される前記第２の電気信号と、前記波長可変光源から出力される前記ミラー又は前記反射体の反射面の角度を変化させるための信号とに基づいて、前記ファイバブラッググレーティングに加わった歪みの変動を求めるとともに、前記第１の受光器から出力される前記第１の電気信号と、前記波長可変光源から出力される前記ミラー又は前記反射体の反射面の角度を変化させるための信号とに基づいて、前記半導体レーザの出射光の波長を求める処理手段（１３）とを備えた。   In the strain measuring apparatus using the wavelength tunable light source according to the fifteenth aspect of the present invention, the light in a predetermined wavelength range is oscillated and incident on the fiber Bragg grating (15a, 15b) as the measuring light. The wavelength tunable light source (100) according to any one of claims 7, 9 and 13, and the measurement light incident on the fiber Bragg grating, which is reflected by the fiber Bragg grating or transmitted through the fiber Bragg grating. The second light receiver (12) that receives the received light and converts it into a second electric signal, the second electric signal output from the second light receiver, and the output from the variable wavelength light source Variation in distortion applied to the fiber Bragg grating based on a signal for changing the angle of the mirror or the reflecting surface of the reflector And obtaining the first electric signal output from the first light receiver and the signal for changing the angle of the reflecting surface of the mirror or the reflector output from the wavelength variable light source. And processing means (13) for determining the wavelength of the emitted light of the semiconductor laser.

本発明の請求項1の波長可変光源では、共振器長を多モード発振するような長さにしたので、外部共振モード間隔を狭くでき、それによってモードホップ間隔も狭くなり擬似的にモードホップフリーとすることができる。また、多モード発振によって低コヒーレント光が出力され、従来の高コヒーレント光の欠点であった、光部品の波長特性測定時の反射によるリップルの重畳を改善することができる。   In the wavelength tunable light source according to the first aspect of the present invention, the resonator length is set so as to oscillate multi-mode, so that the external resonance mode interval can be narrowed, thereby reducing the mode hop interval and pseudo mode hop free. It can be. Further, low-coherent light is output by multimode oscillation, and it is possible to improve the superposition of ripple due to reflection when measuring the wavelength characteristics of optical components, which is a drawback of conventional high-coherent light.

本発明の請求項２の波長可変光源では、共振器長を多モード発振するような長さにするとともに、回折格子からの回折光を反射させるミラーとこのミラーの角度調整手段をＭＥＭＳスキャナで構成するようにしたので、外部共振モード間隔を狭くでき、それによってモードホップ間隔も狭くなり擬似的にモードホップフリーとすることができる。また、多モード発振によって低コヒーレント光が出力され、従来の高コヒーレント光の欠点であった、光部品の波長特性測定時の反射によるリップルの重畳を改善することができる。更に、波長可変の高速化、装置の小型化ができる。   In the wavelength tunable light source according to the second aspect of the present invention, the resonator length is set to a length allowing multi-mode oscillation, and the mirror for reflecting the diffracted light from the diffraction grating and the angle adjusting means of the mirror are configured by a MEMS scanner. As a result, the external resonance mode interval can be narrowed, whereby the mode hop interval is also narrowed, making it possible to make the mode hop free. Further, low-coherent light is output by multimode oscillation, and it is possible to improve the superposition of ripple due to reflection when measuring the wavelength characteristics of optical components, which is a drawback of conventional high-coherent light. Further, the wavelength can be increased at high speed and the apparatus can be downsized.

本発明の請求項３及び１２の波長可変光源では、回折格子からの回折光を反射させるためのＭＥＭＳスキャナの反射体を、固定基板と、その縁部から所定幅で所定長さ延設され、その長さ方向に沿って捩じれ変形可能な軸部と、軸部の先端に自身の縁部で連結されて形成され、一面側に反射面が設けられた反射板とによって構成すると共に、反射体の軸部と反射板とからなる部分の固有振動数に対応した周波数の電気信号によって反射板に力を与えて、反射板を固有振動数又はそれに近い振動数で往復回転させるようにしている。このため、反射板を高速に往復回転させることができ、しかも、その回転中心が反射板内にあるため、その角度変化に対して反射板の反射面へ入射される回折光の反射角の変化量を大きくすることができる。それにより、波長可変の高速化ができる。   In the wavelength tunable light source according to claims 3 and 12 of the present invention, the reflector of the MEMS scanner for reflecting the diffracted light from the diffraction grating is extended from the fixed substrate and its edge with a predetermined width and a predetermined length, The reflector includes a shaft portion that can be twisted and deformed along its length direction, and a reflector plate that is connected to the tip of the shaft portion at its edge and has a reflective surface on one side. A force is applied to the reflecting plate by an electric signal having a frequency corresponding to the natural frequency of the portion composed of the shaft portion and the reflecting plate, so that the reflecting plate is reciprocally rotated at the natural frequency or a frequency close thereto. For this reason, the reflection plate can be reciprocated at high speed, and since the center of rotation is in the reflection plate, the change in the reflection angle of the diffracted light incident on the reflection surface of the reflection plate with respect to the angle change The amount can be increased. Thereby, the wavelength variable speed can be increased.

本発明の請求項４の波長可変光源では、半導体レーザとコリメートレンズとの間に所定の長さの光ファイバを備えるようにしたので、共振器長を多モード発振するような長さにすることができる。   In the wavelength tunable light source according to the fourth aspect of the present invention, since the optical fiber having a predetermined length is provided between the semiconductor laser and the collimating lens, the resonator length is set to a length allowing multimode oscillation. Can do.

本発明の請求項５の波長可変光源では、コリメートレンズと回折格子との間に光路長が１５ｃｍ以上の空間伝搬路を備えるようにしたので、共振器長を多モード発振するような長さにすることができる。   In the wavelength tunable light source according to the fifth aspect of the present invention, since the spatial propagation path having an optical path length of 15 cm or more is provided between the collimating lens and the diffraction grating, the resonator length is set to a length that allows multimode oscillation. can do.

本発明の請求項６の波長可変光源では、空間伝搬路をコーナーキューブを含んで構成するようにしたので、空間伝搬路を折り返すことにより、装置の小型化ができる。   In the wavelength tunable light source according to the sixth aspect of the present invention, since the spatial propagation path is configured to include the corner cube, the apparatus can be miniaturized by folding the spatial propagation path.

本発明の請求項７及び１３の波長可変光源では、回折格子の０次光の所定の波長の光を電気信号に変換するようにしたので、この電気信号を用いて出力光の波長を求めることができる。   In the wavelength tunable light source according to the seventh and thirteenth aspects of the present invention, the light of the predetermined wavelength of the zero-order light of the diffraction grating is converted into an electric signal, and the wavelength of the output light is obtained using this electric signal. Can do.

本発明の請求項８の波長可変光源では、回折格子の０次光を出力光としたので、半導体レーザの内部共振モードの影響によって生じる出力光の強度変動を小さくできる。具体的には、半導体レーザのＡＲコートされていない端面から出射された光を出力光とする場合の強度変動（約１ｄＢ）の約１／１０にできる。   In the wavelength tunable light source according to the eighth aspect of the present invention, since the 0th-order light of the diffraction grating is used as the output light, the intensity fluctuation of the output light caused by the influence of the internal resonance mode of the semiconductor laser can be reduced. Specifically, it can be about 1/10 of the intensity fluctuation (about 1 dB) when the light emitted from the end surface of the semiconductor laser not coated with AR is used as the output light.

本発明の請求項９の波長可変光源では、回折格子の０次光を出力光とするとともに、この０次光の所定の波長の光を電気信号に変換するようにしたので、半導体レーザの内部共振モードの影響によって生じる出力光の強度変動を小さくできるとともに、上記電気信号を用いて出力光の波長を求めることができる。   In the wavelength tunable light source according to the ninth aspect of the present invention, the 0th-order light of the diffraction grating is used as output light, and light of a predetermined wavelength of this 0th-order light is converted into an electrical signal. The intensity fluctuation of the output light caused by the influence of the resonance mode can be reduced, and the wavelength of the output light can be obtained using the electric signal.

本発明の請求項１０の波長可変光源では、光ファイバを用いて共振器長を長くするようにしたので、外部共振モード間隔を狭くでき、それによってモードホップ間隔も狭くなり擬似的にモードホップフリーとすることができる。また、多モード発振によって低コヒーレント光が出力され、従来の高コヒーレント光の欠点であった、光部品の波長特性測定時の反射によるリップルの重畳を改善することができる。   In the wavelength tunable light source according to the tenth aspect of the present invention, since the resonator length is increased by using the optical fiber, the external resonance mode interval can be narrowed, thereby the mode hop interval is also narrowed and the mode hop free. It can be. Further, low-coherent light is output by multimode oscillation, and it is possible to improve the superposition of ripple due to reflection when measuring the wavelength characteristics of optical components, which is a drawback of conventional high-coherent light.

本発明の請求項１１の波長可変光源では、光ファイバを用いて共振器長を長くするとともに、回折格子からの回折光を反射させるミラーとこのミラーの角度調整手段をＭＥＭＳスキャナで構成するようにしたので、外部共振モード間隔を狭くでき、それによってモードホップ間隔も狭くなり擬似的にモードホップフリーとすることができる。また、多モード発振によって低コヒーレント光が出力され、従来の高コヒーレント光の欠点であった、光部品の波長特性測定時の反射によるリップルの重畳を改善することができる。更に、波長可変の高速化、装置の小型化ができる。   In the wavelength tunable light source according to the eleventh aspect of the present invention, the resonator length is increased by using an optical fiber, and the mirror for reflecting the diffracted light from the diffraction grating and the angle adjusting means of the mirror are configured by a MEMS scanner. As a result, the external resonance mode interval can be narrowed, whereby the mode hop interval is also narrowed, and the mode hop can be made free. Further, low-coherent light is output by multimode oscillation, and it is possible to improve the superposition of ripple due to reflection when measuring the wavelength characteristics of optical components, which is a drawback of conventional high-coherent light. Further, the wavelength can be increased at high speed and the apparatus can be downsized.

本発明の請求項１４の波長可変光源を用いた歪測定装置では、上述した請求項１〜１３のいずれかの波長可変光源を用いて歪測定装置を構成するようにしたので、擬似的にモードホップフリーでかつ低コヒーレントの光によって、ファイバブラッググレーティングに加わった歪みの変動を安定的にかつリップルの少ない状態で測定することができる。   In the strain measuring apparatus using the wavelength tunable light source according to the fourteenth aspect of the present invention, the strain measuring apparatus is configured using the wavelength tunable light source according to any one of the first to thirteenth aspects described above. By using hop-free and low-coherent light, fluctuations in distortion applied to the fiber Bragg grating can be stably measured with little ripple.

本発明の請求項１５の波長可変光源を用いた歪測定装置では、上述した請求項７、９及び１３のいずれかの波長可変光源を用いて歪測定装置を構成するようにしたので、擬似的にモードホップフリーでかつ低コヒーレントの光によって、ファイバブラッググレーティングに加わった歪みの変動を安定的にかつリップルの少ない状態で測定することができるとともに、波長可変光源の出力光の波長と対応付けて測定することができる。   In the strain measuring apparatus using the wavelength tunable light source according to the fifteenth aspect of the present invention, the strain measuring apparatus is configured using the wavelength tunable light source according to any one of the seventh, ninth and thirteenth aspects described above. In addition, mode-hop-free and low-coherent light enables stable measurement of distortion fluctuations applied to the fiber Bragg grating in a state with few ripples, and is associated with the wavelength of the output light of the tunable light source. Can be measured.

以下に本発明の実施形態を記載する。   Embodiments of the present invention will be described below.

［第１実施形態］
本発明の第１実施形態の波長可変光源の構成を図１に示す。従来の波長可変光源と同一要素には同一符号を付し詳細説明は省略する。この波長可変光源は、ＬＤ１のＡＲコートされた端面から出射されて光ファイバ６を通った光をコリメートレンズ２によってコリメート光に変換して回折格子３へ入射し、その入射光に対して回折格子３が出射する回折光を、角度調整手段５によって角度調整できるように支持されたミラー４に入射し、ミラー４によって反射された反射光を回折格子３へ入射させ、その反射光に対する回折光を回折格子３からコリメートレンズ２及び光ファイバ６を介してＬＤ１に戻している。また、回折格子３の０次光をエタロン等の光共振器７に入射して所定の波長の光のみを透過させ、その透過光を受光器（ＰＤ）８で電気信号ｂに変換し処理手段９へ出力している。処理手段９では、この出力光の波長情報をもった電気信号ｂと、角度調整手段５から出力される、ミラー４の反射面の角度を変化させるために自身で発生している信号ａ（出力波長範囲を決めている信号と言えるので掃引信号ａとする）とに基づいて、図１８に示すように、波長（角度）を可変する時間（掃引時間と言える）に対する発振波長の関係を算出している。 [First Embodiment]
The configuration of the wavelength tunable light source according to the first embodiment of the present invention is shown in FIG. The same elements as those of the conventional wavelength variable light source are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. This wavelength tunable light source converts light emitted from the AR-coated end face of the LD 1 and passed through the optical fiber 6 into collimated light by the collimating lens 2 and enters the diffraction grating 3, and the diffraction grating with respect to the incident light. The diffracted light emitted from 3 is incident on the mirror 4 supported so that the angle can be adjusted by the angle adjusting means 5, the reflected light reflected by the mirror 4 is incident on the diffraction grating 3, and the diffracted light with respect to the reflected light is The light is returned from the diffraction grating 3 to the LD 1 through the collimating lens 2 and the optical fiber 6. Further, the 0th-order light of the diffraction grating 3 is incident on an optical resonator 7 such as an etalon, transmits only light of a predetermined wavelength, and the transmitted light is converted into an electric signal b by a light receiver (PD) 8 to be processed. 9 is output. In the processing means 9, the electric signal b having the wavelength information of the output light and the signal a (output) generated by itself to change the angle of the reflecting surface of the mirror 4 output from the angle adjusting means 5. As shown in FIG. 18, the relationship between the oscillation wavelength and the time for varying the wavelength (angle) (which can be said to be the sweep time) is calculated based on the signal that determines the wavelength range. ing.

このように構成された波長可変光源においては、共振器長を光ファイバ６によって例えば数ｍと長くして外部共振モード間隔Δλを狭くし、図１５（ｃ）に示すように、回折波長特性の帯域の中に入る外部共振モードの数を、従来の共振器長が数ｍｍ程度の場合に比べて約１０００倍と極端に多くして多モード発振（従来はシングルモード発振）するようにした。これにより、モードホップによる波長変化が周波数で数１０ＭＨｚ程度と、従来の数ＧＨｚに比べて十分小さくなるために、擬似的にモードホップフリーとすることができる。また、多モード発振であるために、共振波長（出力光の波長）の可変は、従来のように回折波長特性と外部共振モードとを同時に変える必要はなく、回折波長特性のみを変えればよいので、従来の問題であったミラー４の回転軸を決める所定位置Ｐという概念がなくなる。また、多モード発振によって低コヒーレント光が出力され、従来の高コヒーレント光の欠点であった、光部品の波長特性測定時の反射によるリップルの重畳を改善することができる。なお、高コヒーレント光及び低コヒーレント光の発振スペクトラムの半値幅は、それぞれ例えば数１００ｋＨｚ及び数ＧＨｚである。   In the wavelength tunable light source configured in this way, the resonator length is increased to, for example, several m by the optical fiber 6 to reduce the external resonance mode interval Δλ, and as shown in FIG. Multi-mode oscillation (single-mode oscillation in the prior art) was performed by increasing the number of external resonance modes in the band to about 1000 times that of the conventional resonator length of about several millimeters. Thereby, since the wavelength change due to the mode hop is about several tens of MHz in frequency, which is sufficiently smaller than the conventional several GHz, it is possible to make the mode hop free. In addition, because of the multimode oscillation, it is not necessary to change the diffraction wavelength characteristic and the external resonance mode at the same time as in the prior art because the resonance wavelength (wavelength of the output light) can be changed. The concept of the predetermined position P that determines the rotation axis of the mirror 4, which was a conventional problem, is eliminated. Further, low-coherent light is output by multimode oscillation, and it is possible to improve the superposition of ripple due to reflection when measuring the wavelength characteristics of optical components, which is a drawback of conventional high-coherent light. Note that the half-value widths of the oscillation spectra of the high coherent light and the low coherent light are, for example, several hundred kHz and several GHz, respectively.

なお、上述の図１の波長可変光源では、ＬＤ１のＡＲコートされていない端面から出射された光を出力光とする場合であったが、回折格子３の０次光を出力光とする場合には、図２に示すように、光カプラ等の光分岐手段１６で回折格子３からの０次光を分岐して、一方を出力光とし、他方を光共振器７に入射する。このように０次光を出力光とすると、ＬＤ１の内部共振モードの影響によって生じる出力光の強度変動を、ＬＤ１のＡＲコートされていない端面から出射された光を出力光とする場合に比べて小さくできる。具体的には、ＬＤ１を出力光とする場合の強度変動（約１ｄＢの）を約１／１０に小さくできる。また、ＬＤ１のＡＲコートされていない端面にＨＲコート（HR：High-Reflection）を施すことによって、０次光を出力光とする場合の出力光の強度を増加させることができる。   In the wavelength tunable light source of FIG. 1 described above, the light emitted from the end surface of the LD 1 that is not AR-coated is used as the output light. However, when the 0th-order light from the diffraction grating 3 is used as the output light. As shown in FIG. 2, the zero-order light from the diffraction grating 3 is branched by an optical branching means 16 such as an optical coupler, one of which is output light, and the other is incident on the optical resonator 7. When the 0th-order light is output light in this way, the intensity fluctuation of the output light caused by the influence of the internal resonance mode of the LD1 is compared with the case where the light emitted from the end surface of the LD1 that is not AR-coated is output light. Can be small. Specifically, the intensity fluctuation (about 1 dB) when LD1 is used as output light can be reduced to about 1/10. In addition, by applying HR coating (HR: High-Reflection) to the end surface of the LD 1 that is not AR-coated, the intensity of the output light when the 0th-order light is output light can be increased.

［第２実施形態］
本発明の第２実施形態の波長可変光源の構成を図３に示す。図１に示した第１実施形態では、ＬＤ１とコリメートレンズ２との間に光ファイバ６を備えることによって、共振器長を例えば数ｍと長くして多モード発振させるようにしたが、第２実施形態の場合は、図３に示すように、コリメートレンズ２と回折格子３との間に光路長が１５ｃｍ以上の空間伝搬路１７を備え、これによって共振器長を長くして多モード発振させるようにしている。図１に示した第１実施形態とはこの点のみが異なる。したがって、詳細説明は省略する。 [Second Embodiment]
The configuration of the wavelength tunable light source according to the second embodiment of the present invention is shown in FIG. In the first embodiment shown in FIG. 1, the optical fiber 6 is provided between the LD 1 and the collimating lens 2 so that the resonator length is increased to, for example, several meters, so that multimode oscillation is performed. In the case of the embodiment, as shown in FIG. 3, a spatial propagation path 17 having an optical path length of 15 cm or more is provided between the collimating lens 2 and the diffraction grating 3, thereby increasing the resonator length and causing multimode oscillation. I am doing so. This is the only difference from the first embodiment shown in FIG. Therefore, detailed description is omitted.

また、上述の空間伝搬路１７がコーナーキューブ１７ａを含んで構成される場合の波長可変光源の実施形態を図４に示す。コーナーキューブ１７ａは、コリメートレンズ２から入射されるコリメート光の進行方向を反転させて回折格子３に出射する。このように、コリメートレンズ２から回折格子３までの光路、すなわち空間伝搬路１７を折り返すことにより、例えば１５ｃｍであった光路長を約１／２にでき、装置の小型化ができる。なお、空間伝搬路１７を折り返す手段は、コーナーキューブの他に単純なミラーであってもよい。   FIG. 4 shows an embodiment of a wavelength tunable light source in the case where the above-described spatial propagation path 17 includes a corner cube 17a. The corner cube 17 a emits the collimated light incident from the collimating lens 2 to the diffraction grating 3 while reversing the traveling direction. In this way, by folding back the optical path from the collimating lens 2 to the diffraction grating 3, that is, the spatial propagation path 17, the optical path length, for example, 15 cm can be reduced to about ½, and the apparatus can be downsized. The means for turning back the space propagation path 17 may be a simple mirror in addition to the corner cube.

なお、上述の図３及び図４の波長可変光源では、ＬＤ１のＡＲコートされていない端面から出射された光を出力光とする場合であったが、回折格子３の０次光を出力光とする場合には、図５及び図６に示すように、光カプラ等の光分岐手段１６で回折格子３からの０次光を分岐して、一方を出力光とし、他方を光共振器７に入射する。このように０次光を出力光とすると、ＬＤ１の内部共振モードの影響によって生じる出力光の強度変動を、ＬＤ１のＡＲコートされていない端面から出射された光を出力光とする場合に比べて小さくできる。具体的には、ＬＤ１を出力光とする場合の強度変動（約１ｄＢの）を約１／１０に小さくできる。また、ＬＤ１のＡＲコートされていない端面にＨＲコート（HR：High-Reflection）を施すことによって、０次光を出力光とする場合の出力光の強度を増加させることができる。   In the wavelength variable light source of FIGS. 3 and 4 described above, the light emitted from the end surface of the LD 1 that is not AR-coated is used as the output light. However, the zero-order light of the diffraction grating 3 is used as the output light. In this case, as shown in FIGS. 5 and 6, the zero-order light from the diffraction grating 3 is branched by the optical branching means 16 such as an optical coupler, and one is used as output light and the other is supplied to the optical resonator 7. Incident. When the 0th-order light is output light in this way, the intensity fluctuation of the output light caused by the influence of the internal resonance mode of the LD1 is compared with the case where the light emitted from the end surface of the LD1 that is not AR-coated is output light. Can be small. Specifically, the intensity fluctuation (about 1 dB) when LD1 is used as output light can be reduced to about 1/10. In addition, by applying HR coating (HR: High-Reflection) to the end surface of the LD 1 that is not AR-coated, the intensity of the output light when the 0th-order light is output light can be increased.

［第３実施形態］
本発明の第３実施形態の波長可変光源の構成を図７に示す。第３実施形態は、図１に示した第１実施形態とは、図１におけるミラー４及び角度調整手段５を、図７におけるＭＥＭＳスキャナ６０（反射体３５及び反射体駆動手段５０で構成される）で構成した点のみ異なる。したがって、図１と同一部分の説明は省略して、主にＭＥＭＳスキャナ６０について説明する。 [Third Embodiment]
The configuration of the wavelength tunable light source according to the third embodiment of the present invention is shown in FIG. The third embodiment is different from the first embodiment shown in FIG. 1 in that the mirror 4 and the angle adjusting means 5 in FIG. 1 are composed of the MEMS scanner 60 (the reflector 35 and the reflector driving means 50 in FIG. 7). ) Is different only in the point. Therefore, description of the same part as FIG. 1 is omitted, and the MEMS scanner 60 will be mainly described.

ＭＥＭＳスキャナ６０は、反射体３５及び反射体駆動手段５０で構成され、回折格子３から入射されるコリメート光に対する回折光が、反射体３５の反射面で回折格子３へ反射されて、再び回折格子３で回折され、それによって得られた回折光がコリメートレンズ２及び光ファイバ６を介してＬＤ１に入射されるとき、ＬＤ１に入射される回折光が所望の波長の光となるように反射体３５の反射面の角度を反射体駆動手段５０により変化させるようにしている。なお、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）スキャナとは、マイクロ電気機械式構造体（電気信号の制御を受けて機械的に動作する構造体）によって形成されたスキャナを意味している。   The MEMS scanner 60 includes a reflector 35 and reflector drive means 50, and the diffracted light with respect to the collimated light incident from the diffraction grating 3 is reflected by the reflection surface of the reflector 35 to the diffraction grating 3, and again the diffraction grating. When the diffracted light diffracted by 3 is incident on the LD 1 via the collimator lens 2 and the optical fiber 6, the reflector 35 so that the diffracted light incident on the LD 1 becomes light of a desired wavelength. The angle of the reflecting surface is changed by the reflector driving means 50. Note that a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) scanner means a scanner formed by a micro electro mechanical structure (a structure that operates mechanically under the control of an electrical signal).

反射体３５は、図９に示すように、横長矩形で互いに平行に配置された一対の固定基板３６、３７と、この一対の固定基板３６、３７の長辺側縁部の中央からこの固定基板３６、３７と直交する方向に所定幅、所定長さで延設され、その長さ方向に沿って捩じれ変形可能な一対の軸部３８、３９と、横長矩形で一方の長辺側縁部の中央部で軸部３８の先端に連結され、他方の長辺側縁部の中央部で軸部３９の先端に連結された反射板４０とを有している。この反射板４０は、捩じれ変形可能な軸部３８、３９に中心部が支持されているので、この軸部３８、３９を結ぶ線を中心軸として固定基板３６、３７に対して回転することができる。また、軸部３８、３９と反射板４０とからなる部分の固有振動数ｆ0は、反射板４０自体の形状や質量及び軸部３８、３９のバネ定数によって決まる。 As shown in FIG. 9, the reflector 35 includes a pair of fixed substrates 36 and 37 arranged in parallel with each other in a horizontally long rectangle, and the fixed substrate from the center of the long side edge of the pair of fixed substrates 36 and 37. A pair of shaft portions 38 and 39 that extend in a direction perpendicular to 36 and 37 with a predetermined width and length and can be twisted and deformed along the length direction, and one of the long side edges of the horizontally long rectangle. The reflector 40 is connected to the tip of the shaft portion 38 at the center and connected to the tip of the shaft 39 at the center of the other long side edge. Since the central portion of the reflector 40 is supported by the shaft portions 38 and 39 that can be torsionally deformed, the reflector 40 can rotate with respect to the fixed substrates 36 and 37 with the line connecting the shaft portions 38 and 39 as the central axis. it can. Further, the natural frequency f 0 of the portion composed of the shaft portions 38 and 39 and the reflecting plate 40 is determined by the shape and mass of the reflecting plate 40 itself and the spring constant of the shaft portions 38 and 39.

また、反射板４０の一面側には、光を反射するための反射面４１が形成されている。この反射面４１は、反射板４０自体を鏡面仕上げして形成したり、反射率の高い膜（図示しない）を蒸着あるいは接着して形成したものであってもよい。なお、この反射体３５は、薄い半導体基板からエッチング処理等により一体的に切り出されたもので、金属膜の蒸着加工により高導電性を有している。   A reflective surface 41 for reflecting light is formed on one surface side of the reflective plate 40. The reflection surface 41 may be formed by mirror-finishing the reflection plate 40 itself, or may be formed by vapor deposition or adhesion of a highly reflective film (not shown). The reflector 35 is integrally cut out from a thin semiconductor substrate by etching or the like, and has high conductivity by metal film vapor deposition.

支持基板４５は絶縁性を有する材料からなり、その一面側の上部と下部には、前方へ突出する支持台４５ａ、４５ｂが形成されており、反射体３５の固定基板３６、３７は、この上下の支持台４５ａ、４５ｂに接した状態で固定されている。また、支持基板４５の一面側中央部の両端には、反射体３５の反射板４０の両端にそれぞれ対向する電極板４６、４７がパターン形成されている。この電極板４６、４７は、後述する駆動信号発生器５５とともに反射体駆動手段５０（図７参照）を構成するものであり、反射板４０の両端部に静電力を交互にかつ周期的に印加して、反射板４０を、軸部３８、３９を結ぶ線を中心に往復回転運動させる。なお、反射板４０の回転軸は回折格子３の回折溝と平行となるように設定されている。このように構成された反射体３５は、回折格子３からの回折光を反射板４０の反射面４１で受けて、その反射光を回折格子３へ入射させて、再度回折させる。   The support substrate 45 is made of an insulating material, and support bases 45a and 45b projecting forward are formed on the upper and lower portions on one side, and the fixed substrates 36 and 37 of the reflector 35 are formed on the upper and lower sides. Are fixed in contact with the support bases 45a and 45b. In addition, electrode plates 46 and 47 that are opposed to both ends of the reflection plate 40 of the reflector 35 are formed in patterns at both ends of the central portion on the one surface side of the support substrate 45. The electrode plates 46 and 47 constitute a reflector driving means 50 (see FIG. 7) together with a drive signal generator 55 described later, and electrostatic force is alternately and periodically applied to both ends of the reflector plate 40. Then, the reflecting plate 40 is reciprocally rotated around the line connecting the shaft portions 38 and 39. The rotation axis of the reflecting plate 40 is set to be parallel to the diffraction grooves of the diffraction grating 3. The reflector 35 configured as described above receives the diffracted light from the diffraction grating 3 by the reflection surface 41 of the reflection plate 40, makes the reflected light incident on the diffraction grating 3, and diffracts it again.

一方、反射体駆動手段５０（図７参照）の一部を構成する駆動信号発生器５５は、例えば図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、反射体３５の電位を基準として電極板４６、４７に対して、固有振動数ｆ0に対応した周波数（あるいは固有振動数ｆ0の近傍の振動数に対応した周波数）を有し、位相が１８０°ずれた駆動信号Ｄａ、Ｄｂを印加して、電極板４６と反射板４０の一端側との間及び電極板４７と反射板４０の他端側との間に、交互にかつ周期的に静電力(引力）を与え、反射板４０を固有振動数ｆ0あるいはその近傍の振動数で所定角度範囲を往復回転させる。そして、この駆動信号発生器５５は、往復回転させる角度範囲に対応する信号、すなわち反射面４１の角度を所定範囲変化させるための信号ａ（出力波長範囲を決めている信号と言えるので掃引信号ａとする）を、処理手段９（図７参照）に出力する。なお、図１０では、２つの駆動信号Ｄａ、Ｄｂがデューティ比５０％の矩形波の場合を示しているが、両信号のデューティ比は５０％以下であってもよく、また、波形も矩形波に限らず、正弦波、三角波等であってもよい。 On the other hand, the drive signal generator 55 constituting a part of the reflector driving means 50 (see FIG. 7) is an electrode plate with reference to the potential of the reflector 35 as shown in FIGS. 10 (a) and 10 (b). applied to 46 and 47, has a frequency corresponding to the natural frequency f 0 (or a frequency corresponding to the frequency in the vicinity of the natural frequency f 0), the drive signal Da whose phases are shifted from each other by 180 °, the Db Then, an electrostatic force (attraction) is alternately and periodically applied between the electrode plate 46 and one end side of the reflection plate 40 and between the electrode plate 47 and the other end side of the reflection plate 40. Is rotated back and forth within a predetermined angular range at the natural frequency f 0 or a frequency in the vicinity thereof. The drive signal generator 55 is a signal corresponding to an angle range for reciprocating rotation, that is, a signal a for changing the angle of the reflecting surface 41 by a predetermined range (a signal for determining an output wavelength range, so a sweep signal a Is output to the processing means 9 (see FIG. 7). FIG. 10 shows a case where the two drive signals Da and Db are rectangular waves with a duty ratio of 50%, but the duty ratio of both signals may be 50% or less, and the waveform is also a rectangular wave. It is not limited to sine waves, triangular waves, and the like.

このように構成された第３実施形態の波長可変光源におけるＭＥＭＳスキャナ６０では、反射体３５を、一対の固定基板３６、３７と、その縁部から所定幅で所定長さ延設され、その長さ方向に沿って捩じれ変形可能な軸部３８、３９と、軸部３８、３９の先端に自身の縁部で連結され、軸部３８、３９に対して対称な形状に形成され、一面側に反射面４１が形成された反射板４０とによって構成するとともに、反射体３５の軸部３８、３９と反射板４０とからなる部分の固有振動数ｆ0に対応した周波数の駆動信号によって反射板４０に力を与えて、反射板４０を固有振動数ｆ0又はその近傍の振動数で往復回転させている。 In the MEMS scanner 60 in the wavelength tunable light source according to the third embodiment configured as described above, the reflector 35 is extended from the pair of fixed substrates 36 and 37 and a predetermined length from the edge thereof with a predetermined width, and the length of the reflector 35 is increased. The shaft portions 38 and 39 that can be twisted and deformed along the vertical direction are connected to the ends of the shaft portions 38 and 39 at their edges, and are formed in a symmetrical shape with respect to the shaft portions 38 and 39, The reflection plate 40 is formed by a reflection signal 40 having a frequency corresponding to the natural frequency f 0 of the portion formed by the shaft portions 38 and 39 of the reflector 35 and the reflection plate 40. Thus, the reflector 40 is reciprocally rotated at the natural frequency f 0 or in the vicinity thereof.

このため、僅かな電気エネルギーで反射板４０を高速に往復回転させることができ、しかも、その回転中心が反射板４０の内部（この場合、中央部）にあるので、反射板４０の反射面４１への入射光の反射角の変化量を大きくすることができる。なお、軸部３８、３９のバネ定数は、軸部３８、３９の長さ、幅、厚み、材質によって決まり、このバネ定数と、反射板４０の形状、厚み、材質等で固有振動数ｆ0が決定され、これらのパラメータを選ぶことにより、固有振動数ｆ0を数１００Ｈｚ〜数１０ｋＨｚの範囲内で設定することができる。 For this reason, the reflector 40 can be reciprocally rotated at a high speed with a small amount of electrical energy, and the center of rotation is inside the reflector 40 (in this case, the central portion). The amount of change in the reflection angle of the incident light on can be increased. The spring constants of the shaft portions 38 and 39 are determined by the length, width, thickness, and material of the shaft portions 38 and 39, and the natural frequency f 0 depends on the spring constant and the shape, thickness, material, and the like of the reflector 40. By selecting these parameters, the natural frequency f 0 can be set within a range of several hundreds of Hz to several tens of kHz.

したがって、本発明の第３実施形態の波長可変光源は、このようなＭＥＭＳスキャナ６０（反射体３５及び反射体駆動手段５０で構成される）を用いて構成するようにしたので、波長可変の高速化（最大数１０ｋＨｚ）、装置の小型化ができる。   Therefore, the wavelength tunable light source according to the third embodiment of the present invention is configured using such a MEMS scanner 60 (consisting of the reflector 35 and the reflector driving means 50), so that the wavelength tunable high-speed light source is high. (Maximum number of 10 kHz) and downsizing of the apparatus can be achieved.

なお、上述の図９の説明では、反射体３５を導電性の高い材料で構成していたが、反射体３５を導電性の低い材料で構成する場合には、反射板４０の反射面４１と反対面の両側（全面でもよい）に電極板４６、４７と対向する電極板をそれぞれ設け、更に固定基板３６、３７の背面側にも電極板を設け、それらの電極板の間をパターン等によって接続する。そして、支持基板４５の支持台４５ａ、４５ｂの表面に、固定基板３６、３７の背面側の電極板と接触する電極板をパターン形成して、その少なくとも一方を基準電位ラインとして上述した駆動信号発生器５５に接続すればよい。   In the description of FIG. 9 described above, the reflector 35 is made of a material having high conductivity. However, when the reflector 35 is made of a material having low conductivity, the reflecting surface 41 of the reflector 40 Electrode plates facing the electrode plates 46 and 47 are provided on both sides (or the entire surface) of the opposite surface, and electrode plates are also provided on the back side of the fixed substrates 36 and 37, and the electrode plates are connected by a pattern or the like. . Then, the electrode plate that contacts the electrode plates on the back side of the fixed substrates 36 and 37 is formed on the surface of the support bases 45a and 45b of the support substrate 45, and at least one of them is used as a reference potential line to generate the drive signal described above. What is necessary is just to connect to the device 55.

また、固定基板３６、３７の一端側同士の間あるいは両端の間を連結して、固定基板をコの字枠あるいは矩形枠状に形成してもよい。また、反射板４０の形状も任意であり、上述の横長矩形の他に、円形、楕円形、長円形、菱形、正方形、多角形等であってもよい。また、高速往復回転時の空気抵抗を減らすために、反射板４０の内側に大きな穴あるいは多数の小さな穴を設けてもよい。   Further, the fixed substrates may be formed in a U-shaped frame or a rectangular frame shape by connecting one end side or both ends of the fixed substrates 36 and 37. Moreover, the shape of the reflecting plate 40 is also arbitrary, and may be a circle, an ellipse, an oval, a rhombus, a square, a polygon, or the like in addition to the above-described horizontally long rectangle. Further, in order to reduce air resistance during high-speed reciprocating rotation, a large hole or a large number of small holes may be provided inside the reflecting plate 40.

また、上述の図９の説明では、反射体３５の反射板４０の両端にそれぞれ対向する２つの電極板４６、４７を設けていたが、一方側の電極板（例えば電極板４６）だけによって静電力を印加してもよい。また、駆動方式についても、上述の静電力の他に、電磁力によって反射板４０を往復回転させてもよい。この場合、例えば、上述の電極板４６、４７の代わりにコイルを用い、反射板４０の両端部に磁性体あるいはコイルを設け、コイル間あるいはコイルと磁性体との間に発生する磁界による吸引力及び反発力によって、反射板４０を往復回転させる。   Further, in the description of FIG. 9 described above, the two electrode plates 46 and 47 facing each other at both ends of the reflection plate 40 of the reflector 35 are provided. However, only one electrode plate (for example, the electrode plate 46) is used for static electricity. Electric power may be applied. Moreover, also about a drive system, you may rotate the reflecting plate 40 reciprocatingly with an electromagnetic force other than the above-mentioned electrostatic force. In this case, for example, a coil is used in place of the electrode plates 46 and 47 described above, a magnetic material or a coil is provided at both ends of the reflection plate 40, and an attractive force due to a magnetic field generated between the coils or between the coil and the magnetic material. The reflector 40 is reciprocally rotated by the repulsive force.

また、上述の静電力や電磁力を反射板４０に直接与える方法の他に、超音波振動子等によって上述の固有振動数ｆ0又はその近傍の振動を反射体３５全体に加えて、その振動を反射板４０に伝達させて往復回転させることも可能である。この場合、振動子を支持基板４５の背面側や支持台４５ａ、４５ｂの部分に設けることで、その振動を反射板４０に効率的に伝達することができる。 In addition to the above-described method of directly applying the electrostatic force or electromagnetic force to the reflector 40, the above-described natural frequency f 0 or a vibration in the vicinity thereof is applied to the entire reflector 35 by an ultrasonic vibrator or the like, and the vibration It is also possible to transmit the light to the reflecting plate 40 for reciprocal rotation. In this case, the vibration can be efficiently transmitted to the reflection plate 40 by providing the vibrator on the back side of the support substrate 45 and the support bases 45a and 45b.

なお、上述の図７の波長可変光源では、ＬＤ１のＡＲコートされていない端面から出射された光を出力光とする場合であったが、回折格子３の０次光を出力光とする場合には、図８に示すように、光カプラ等の光分岐手段１６で回折格子３からの０次光を分岐して、一方を出力光とし、他方を光共振器７に入射する。このように０次光を出力光とすると、ＬＤ１の内部共振モードの影響によって生じる出力光の強度変動を、ＬＤ１のＡＲコートされていない端面から出射された光を出力光とする場合に比べて小さくできる。具体的には、ＬＤ１を出力光とする場合の強度変動（約１ｄＢの）を約１／１０に小さくできる。また、ＬＤ１のＡＲコートされていない端面にＨＲコート（HR：High-Reflection）を施すことによって、０次光を出力光とする場合の出力光の強度を増加させることができる。   In the wavelength variable light source of FIG. 7 described above, the light emitted from the end surface of the LD 1 that is not AR-coated is used as the output light. However, when the 0th-order light from the diffraction grating 3 is used as the output light. As shown in FIG. 8, the zero-order light from the diffraction grating 3 is branched by an optical branching means 16 such as an optical coupler, and one is made output light and the other is made incident on the optical resonator 7. When the 0th-order light is output light in this way, the intensity fluctuation of the output light caused by the influence of the internal resonance mode of the LD1 is compared with the case where the light emitted from the end surface of the LD1 that is not AR-coated is output light. Can be small. Specifically, the intensity fluctuation (about 1 dB) when LD1 is used as output light can be reduced to about 1/10. In addition, by applying HR coating (HR: High-Reflection) to the end surface of the LD 1 that is not AR-coated, the intensity of the output light when the 0th-order light is output light can be increased.

［第４実施形態］
本発明の第４実施形態の波長可変光源の構成を図１１に示す。図７に示した第３実施形態では、ＬＤ１とコリメートレンズ２との間に光ファイバ６を備えることによって、共振器長を例えば数ｍと長くして多モード発振させるようにしたが、第４実施形態の場合は、図１１に示すように、コリメートレンズ２と回折格子３との間に光路長が１５ｃｍ以上の空間伝搬路１７を備え、これによって共振器長を長くして多モード発振させるようにしている。図７に示した第３実施形態とはこの点のみが異なる。したがって、詳細説明は省略する。 [Fourth Embodiment]
FIG. 11 shows the configuration of a wavelength tunable light source according to the fourth embodiment of the present invention. In the third embodiment shown in FIG. 7, the optical fiber 6 is provided between the LD 1 and the collimating lens 2 so that the resonator length is increased to, for example, several meters, so that multimode oscillation is performed. In the case of the embodiment, as shown in FIG. 11, a spatial propagation path 17 having an optical path length of 15 cm or more is provided between the collimating lens 2 and the diffraction grating 3, thereby increasing the resonator length and causing multimode oscillation. I am doing so. This is the only difference from the third embodiment shown in FIG. Therefore, detailed description is omitted.

また、上述の空間伝搬路１７がコーナーキューブ１７ａを含んで構成される場合の波長可変光源の実施形態を図１２に示す。コーナーキューブ１７ａは、コリメートレンズ２から入射されるコリメート光の進行方向を反転させて回折格子３に出射する。このように、コリメートレンズ２から回折格子３までの光路、すなわち空間伝搬路１７を折り返すことにより、例えば１５ｃｍであった光路長を約１／２にでき、装置の小型化ができる。なお、空間伝搬路１７を折り返す手段は、コーナーキューブの他に単純なミラーであってもよい。   Moreover, FIG. 12 shows an embodiment of a wavelength tunable light source in the case where the above-described spatial propagation path 17 includes a corner cube 17a. The corner cube 17 a emits the collimated light incident from the collimating lens 2 to the diffraction grating 3 while reversing the traveling direction. In this way, by folding back the optical path from the collimating lens 2 to the diffraction grating 3, that is, the spatial propagation path 17, the optical path length, for example, 15 cm can be reduced to about ½, and the apparatus can be downsized. The means for turning back the space propagation path 17 may be a simple mirror in addition to the corner cube.

なお、上述の図１１及び図１２の波長可変光源では、ＬＤ１のＡＲコートされていない端面から出射された光を出力光とする場合であったが、回折格子３の０次光を出力光とする場合には、図１３及び図１４に示すように、光カプラ等の光分岐手段１６で回折格子３からの０次光を分岐して、一方を出力光とし、他方を光共振器７に入射する。このように０次光を出力光とすると、ＬＤ１の内部共振モードの影響によって生じる出力光の強度変動を、ＬＤ１のＡＲコートされていない端面から出射された光を出力光とする場合に比べて小さくできる。具体的には、ＬＤ１を出力光とする場合の強度変動（約１ｄＢの）を約１／１０に小さくできる。また、ＬＤ１のＡＲコートされていない端面にＨＲコート（HR：High-Reflection）を施すことによって、０次光を出力光とする場合の出力光の強度を増加させることができる。   In the wavelength variable light source of FIGS. 11 and 12 described above, the light emitted from the end surface of the LD 1 that is not AR-coated is used as the output light. However, the 0th-order light of the diffraction grating 3 is used as the output light. In this case, as shown in FIGS. 13 and 14, the zero-order light from the diffraction grating 3 is branched by the optical branching means 16 such as an optical coupler, and one is used as output light and the other is supplied to the optical resonator 7. Incident. When the 0th-order light is output light in this way, the intensity fluctuation of the output light caused by the influence of the internal resonance mode of the LD1 is compared with the case where the light emitted from the end surface of the LD1 that is not AR-coated is output light. Can be small. Specifically, the intensity fluctuation (about 1 dB) when LD1 is used as output light can be reduced to about 1/10. In addition, by applying HR coating (HR: High-Reflection) to the end surface of the LD 1 that is not AR-coated, the intensity of the output light when the 0th-order light is output light can be increased.

［第５実施形態］
本発明の第５実施形態の歪測定装置の構成を図１７に示す。波長可変光源１００は、上述の第１実施形態〜第４実施形態の波長可変光源であり、所定の波長範囲にわたって可変された（波長が掃引された）測定光を光サーキュレータ１１に出力する。また、波長可変光源１００は、上述の掃引信号ａ及び出力光の波長情報をもった電気信号ｂを後述する処理手段１３に出力する。光サーキュレータ１１は波長可変光源１００からの測定光を、光ファイバ１４を介して複数のＦＢＧ１５ａ、１５ｂに入射するとともに、各ＦＢＧ１５ａ、１５ｂから反射されて戻ってきたその測定光の反射光を受けて受光器（ＰＤ）１２に出射する。受光器１２は、その反射光を電気信号ｃに変換して処理手段１３に出力する。 [Fifth Embodiment]
FIG. 17 shows the configuration of the strain measuring apparatus according to the fifth embodiment of the present invention. The wavelength tunable light source 100 is the wavelength tunable light source of the first to fourth embodiments described above, and outputs the measurement light that is variably (swept in wavelength) over a predetermined wavelength range to the optical circulator 11. Further, the wavelength tunable light source 100 outputs the above-described sweep signal a and the electrical signal b having the wavelength information of the output light to the processing means 13 described later. The optical circulator 11 receives the measurement light from the wavelength tunable light source 100 through the optical fiber 14 and enters the plurality of FBGs 15a and 15b, and receives the reflected light of the measurement light reflected and returned from the FBGs 15a and 15b. The light is emitted to a light receiver (PD) 12. The light receiver 12 converts the reflected light into an electric signal c and outputs it to the processing means 13.

処理手段１３は、受光器１２からの電気信号ｃの時間的変動を、波長可変光源１００からの掃引信号ａに基づいて波長の変動として捉えて、図１９（ａ）に示すように、各ＦＢＧ１５ａ、１５ｂに加わった歪みの変動を測定する。また、処理手段１３は、波長可変光源１００からの出力光の波長情報をもった電気信号ｂと、上述の受光器１２からの電気信号ｃ及び掃引信号ａを組み合わせて処理することにより、上記各ＦＢＧ１５ａ、１５ｂによる波長の変動を、図１９（ｂ）に示すように、測定光の波長と対応付けて捉えることができる。なお、図１７では、各ＦＢＧ１５ａ、１５ｂからの反射光を受光器１２に入射するようにしたが、各ＦＢＧ１５ａ、１５ｂの透過光を入射するようにしてもよい。   The processing means 13 regards the temporal variation of the electric signal c from the light receiver 12 as a variation in wavelength based on the sweep signal a from the wavelength variable light source 100, and as shown in FIG. 19A, each FBG 15a , 15b, the variation in distortion is measured. Further, the processing means 13 processes the electrical signal b having the wavelength information of the output light from the wavelength tunable light source 100, the electrical signal c and the sweep signal a from the above-described light receiver 12, and thereby processes each of the above. Wavelength fluctuations caused by the FBGs 15a and 15b can be captured in association with the wavelength of the measurement light as shown in FIG. In FIG. 17, the reflected light from the FBGs 15a and 15b is incident on the light receiver 12, but the transmitted light of the FBGs 15a and 15b may be incident.

このように構成された歪測定装置において、波長可変光源１００として第１実施形態及び第２実施形態の波長可変光源で構成する場合には、擬似的にモードホップフリーでかつ低コヒーレントの光によって、ＦＢＧに加わった歪みの変動を安定的にかつリップルの少ない状態で測定することができるとともに、波長可変光源１００の出力光の波長と対応付けて測定することができる。また、波長可変光源１００として第３実施形態及び第４実施形態の波長可変光源で構成する場合には、擬似的にモードホップフリーでかつ低コヒーレントの光によって、ＦＢＧに加わった歪みの変動を安定的にかつリップルの少ない状態で測定することができるとともに、波長可変光源１００の出力光の波長と対応付けて測定することができ、さらにＭＥＭＳスキャナによる測定の高速化、装置の小型化ができる。   In the strain measuring apparatus configured as described above, when the wavelength tunable light source 100 is configured by the wavelength tunable light source of the first embodiment and the second embodiment, the mode-hop-free and low coherent light is used. Variations in distortion applied to the FBG can be measured stably and with little ripple, and can be measured in association with the wavelength of the output light of the wavelength tunable light source 100. Further, when the wavelength tunable light source 100 is configured by the wavelength tunable light source of the third embodiment and the fourth embodiment, the fluctuation of distortion applied to the FBG is stabilized by pseudo mode hop-free and low coherent light. In addition, the measurement can be performed in a state where there is little ripple, the measurement can be performed in association with the wavelength of the output light of the wavelength tunable light source 100, and the measurement by the MEMS scanner can be speeded up and the apparatus can be downsized.

本発明の第１実施形態の構成を示す図The figure which shows the structure of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態の別の構成を示す図The figure which shows another structure of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態の構成を示す図The figure which shows the structure of 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態の別の構成を示す図The figure which shows another structure of 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態の別の構成を示す図The figure which shows another structure of 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態の別の構成を示す図The figure which shows another structure of 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態の構成を示す図The figure which shows the structure of 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態の別の構成を示す図The figure which shows another structure of 3rd Embodiment of this invention. ＭＥＭＳスキャナの反射体を説明するための分解斜視図The exploded perspective view for demonstrating the reflector of a MEMS scanner 駆動信号を説明するための図Diagram for explaining drive signals 本発明の第４実施形態の構成を示す図The figure which shows the structure of 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態の別の構成を示す図The figure which shows another structure of 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態の別の構成を示す図The figure which shows another structure of 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態の別の構成を示す図The figure which shows another structure of 4th Embodiment of this invention. 回折波長特性と外部共振モードを説明するための図Diagram for explaining diffraction wavelength characteristics and external resonance mode 波長特性を説明するための図Diagram for explaining wavelength characteristics 本発明の第５実施形態の構成を示す図The figure which shows the structure of 5th Embodiment of this invention. 掃引信号と発振波長の関係を示す図Diagram showing the relationship between sweep signal and oscillation wavelength 歪測定を説明するための図Diagram for explaining strain measurement 従来例の概略構成を示す図The figure which shows schematic structure of a prior art example

符号の説明Explanation of symbols

１・・・半導体レーザ（ＬＤ）、２・・・コリメートレンズ、３・・・回折格子、４・・・ミラー、５・・・角度調整手段、６，１４・・・光ファイバ、７・・・光共振器、８，１２・・・受光器（ＰＤ）、９，１３・・・処理手段、１１・・・光サーキュレータ、１５ａ，１５ｂ・・・ファイバブラッググレーティング（ＦＢＧ）、１６・・・光分岐手段、１７・・・空間伝搬路、１７ａ・・・コーナーキューブ、３５・・・反射体、３６，３７・・・固定基板、３８，３９・・・軸部、４０・・・反射板、４１・・・反射面、４５・・・支持基板、４５ａ，４５ｂ・・・支持台、４６，４７・・・電極板、５０・・・反射体駆動手段、５５・・・駆動信号発生器、６０・・・ＭＥＭＳスキャナ、１００・・・波長可変光源
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor laser (LD), 2 ... Collimating lens, 3 ... Diffraction grating, 4 ... Mirror, 5 ... Angle adjustment means, 6, 14 ... Optical fiber, 7 ... Optical resonators 8, 12... Light receiver (PD) 9, 13... Processing means, 11 Optical circulators, 15 a, 15 b Fiber Bragg grating (FBG), 16. Optical branching means, 17 ... space propagation path, 17a ... corner cube, 35 ... reflector, 36, 37 ... fixed substrate, 38, 39 ... shaft, 40 ... reflector , 41 ... reflective surface, 45 ... support substrate, 45a, 45b ... support base, 46, 47 ... electrode plate, 50 ... reflector drive means, 55 ... drive signal generator , 60 ... MEMS scanner, 100 ... wavelength tunable light source

Claims (15)

一方のレーザ光出射端面がＡＲコートされている半導体レーザ（１）と、
該半導体レーザのＡＲコートされている端面から出射された光をコリメートするコリメートレンズ（２）と、
該コリメートレンズから出射されたコリメート光を受けて波長に応じた角度で回折させる回折格子（３）と、
該回折格子から出射された前記コリメート光に対する回折光を受けて該回折格子に反射させるミラー（４）と、
該ミラーからの反射光が前記回折格子に入射されて再び回折され、それによって得られた回折光が前記コリメートレンズを介して前記半導体レーザに入射されるとき、該半導体レーザに入射される回折光が所望の波長の光となるように前記ミラーの角度を変化させる角度調整手段（５）とを備え、前記半導体レーザの他方のレーザ光出射端面と前記ミラーとの間で構成される共振器長に基づいた外部共振モードで発振する波長可変光源において、
前記共振器長が、該共振器長に基づいた外部共振モードで発振する光が多モード発振による光となるような当該共振器長であることを特徴とする波長可変光源。 A semiconductor laser (1) in which one laser light emitting end face is AR coated;
A collimating lens (2) for collimating light emitted from the AR-coated end face of the semiconductor laser;
A diffraction grating (3) that receives collimated light emitted from the collimating lens and diffracts the collimated light at an angle corresponding to the wavelength;
A mirror (4) for receiving the diffracted light with respect to the collimated light emitted from the diffraction grating and reflecting it to the diffraction grating;
Reflected light from the mirror is incident on the diffraction grating and diffracted again, and when the diffracted light obtained thereby is incident on the semiconductor laser via the collimator lens, the diffracted light incident on the semiconductor laser. And an angle adjusting means (5) for changing the angle of the mirror so that the light has a desired wavelength, and a resonator length configured between the other laser light emitting end face of the semiconductor laser and the mirror In a tunable light source that oscillates in an external resonance mode based on
The wavelength tunable light source, wherein the resonator length is such a resonator length that light oscillated in an external resonance mode based on the resonator length becomes light by multimode oscillation. 一方のレーザ光出射端面がＡＲコートされている半導体レーザ（１）と、
該半導体レーザのＡＲコートされている端面から出射された光をコリメートするコリメートレンズ（２）と、
該コリメートレンズから出射されたコリメート光を受けて波長に応じた角度で回折させる回折格子（３）と、
反射体（３５）と反射体駆動手段（５０）とを含んで構成され、前記回折格子から入射される前記コリメート光に対する回折光が、前記反射体の反射面で該回折格子へ反射されて、再び該回折格子で回折され、それによって得られた回折光が前記コリメートレンズを介して前記半導体レーザに入射されるとき、該半導体レーザに入射される回折光が所望の波長の光となるように前記反射体の反射面の角度を前記反射体駆動手段により変化させるＭＥＭＳスキャナ（６０）とを備え、前記半導体レーザの他方のレーザ光出射端面と前記反射体の反射面との間で構成される共振器長に基づいた外部共振モードで発振する波長可変光源であって、
前記共振器長が、該共振器長に基づいた外部共振モードで発振する光が多モード発振による光となるような当該共振器長であることを特徴とする波長可変光源。 A semiconductor laser (1) in which one laser light emitting end face is AR coated;
A collimating lens (2) for collimating light emitted from the AR-coated end face of the semiconductor laser;
A diffraction grating (3) that receives collimated light emitted from the collimating lens and diffracts the collimated light at an angle corresponding to the wavelength;
A diffracted light for the collimated light incident from the diffraction grating is reflected to the diffraction grating by the reflection surface of the reflector, and includes a reflector (35) and a reflector driving means (50). When diffracted light is again diffracted by the diffraction grating and incident on the semiconductor laser through the collimating lens, the diffracted light incident on the semiconductor laser becomes light of a desired wavelength. A MEMS scanner (60) that changes the angle of the reflecting surface of the reflector by the reflector driving means, and is configured between the other laser light emitting end surface of the semiconductor laser and the reflecting surface of the reflector. A tunable light source that oscillates in an external resonance mode based on the resonator length,
The wavelength tunable light source, wherein the resonator length is such a resonator length that light oscillated in an external resonance mode based on the resonator length becomes light by multimode oscillation. 前記ＭＥＭＳスキャナの反射体は、
固定基板（３６、３７）と、
該固定基板の縁部から所定幅で所定長さ延設され、その長さ方向に沿って捩じれ変形可能な軸部（３８、３９）と、
該軸部の先端に自身の縁部で連結されて形成され、一面側に前記回折格子からの回折光を反射させるための前記反射面が設けられた反射板（４０）とを有しており、かつ、
前記ＭＥＭＳスキャナの反射体駆動手段は、
前記反射体の軸部と反射板とからなる部分の固有振動数に対応した周波数の駆動信号によって前記反射板に力を与えて、該反射板を前記固有振動数又はそれに近い振動数で往復回転させるように構成されていることを特徴とする請求項２に記載の波長可変光源。 The reflector of the MEMS scanner is:
A fixed substrate (36, 37);
Shaft portions (38, 39) that extend from the edge of the fixed substrate with a predetermined width and have a predetermined length and can be twisted and deformed along the length direction;
A reflection plate (40) formed by being connected to the tip of the shaft portion at its edge and provided with the reflection surface for reflecting the diffracted light from the diffraction grating on one surface side; ,And,
The reflector driving means of the MEMS scanner includes:
A force is applied to the reflecting plate by a driving signal having a frequency corresponding to the natural frequency of the portion composed of the shaft portion of the reflector and the reflecting plate, and the reflecting plate is rotated back and forth at the natural frequency or a frequency close thereto. The wavelength tunable light source according to claim 2, wherein the wavelength tunable light source is configured so as to cause the light to oscillate. 前記半導体レーザと前記コリメートレンズとの間に所定の長さの光ファイバ（６）を備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の波長可変光源。   The wavelength tunable light source according to any one of claims 1 to 3, further comprising an optical fiber (6) having a predetermined length between the semiconductor laser and the collimating lens. 前記コリメートレンズと前記回折格子との間に光路長が１５ｃｍ以上の空間伝搬路（１７）を備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の波長可変光源。   The wavelength tunable light source according to any one of claims 1 to 3, further comprising a spatial propagation path (17) having an optical path length of 15 cm or more between the collimating lens and the diffraction grating. 前記空間伝搬路が、コーナーキューブ（１７ａ）を含んで構成されることを特徴とする請求項５に記載の波長可変光源。   6. The wavelength tunable light source according to claim 5, wherein the spatial propagation path includes a corner cube (17a). 前記回折格子の０次光が出射される光路上に設けられて所定の波長の光を透過させる光共振器（７）と、
該光共振器から出射される透過光を受けて第１の電気信号に変換する第１の受光器（８）とを更に備え、該第１の受光器から出力される前記第１の電気信号から前記半導体レーザの出射光の波長を求めることを可能にしたことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の波長可変光源。 An optical resonator (7) provided on an optical path through which the zero-order light of the diffraction grating is emitted and transmitting light of a predetermined wavelength;
A first light receiver (8) that receives the transmitted light emitted from the optical resonator and converts the transmitted light into a first electric signal, and the first electric signal output from the first light receiver. The wavelength tunable light source according to any one of claims 1 to 6, wherein the wavelength of the emitted light of the semiconductor laser can be obtained. 前記回折格子の０次光を出力光とすることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の波長可変光源。   The wavelength tunable light source according to claim 1, wherein the 0th-order light of the diffraction grating is output light. 前記回折格子の０次光が出射される光路上に設けられ、該０次光を２つに分岐して一方の０次光を前記出力光として出射する光分岐手段（１６）と、
該光分岐手段から出射される他方の０次光を受けて所定の波長の光を透過させる光共振器（７）と、
該光共振器から出射される透過光を受けて第１の電気信号に変換する第１の受光器（８）とを更に備え、該第１の受光器から出力される前記第１の電気信号から前記半導体レーザの出射光の波長を求めることを可能にしたことを特徴とする請求項８に記載の波長可変光源。 A light branching means (16) provided on an optical path from which the 0th-order light of the diffraction grating is emitted, branching the 0th-order light into two and emitting one of the 0th-order lights as the output light;
An optical resonator (7) that receives the other zero-order light emitted from the light branching means and transmits light of a predetermined wavelength;
A first light receiver (8) that receives the transmitted light emitted from the optical resonator and converts the transmitted light into a first electric signal, and the first electric signal output from the first light receiver. The wavelength tunable light source according to claim 8, wherein the wavelength of the emitted light of the semiconductor laser can be obtained from the above. 一方のレーザ光出射端面がＡＲコートされている半導体レーザ（１）と、
該半導体レーザのＡＲコートされている端面から出射された光をコリメートするコリメートレンズ（２）と、
該コリメートレンズから出射されたコリメート光を受けて波長に応じた角度で回折させる回折格子（３）と、
該回折格子から出射された前記コリメート光に対する回折光を受けて該回折格子に反射させるミラー（４）と、
該ミラーからの反射光が前記回折格子に入射されて再び回折され、それによって得られた回折光が前記コリメートレンズを介して前記半導体レーザに入射されるとき、該半導体レーザに入射される回折光が所望の波長の光となるように前記ミラーの角度を変化させる角度調整手段（５）とを備え、前記半導体レーザの他方のレーザ光出射端面と前記ミラーとの間で構成される共振器長に基づいた外部共振モードで発振する波長可変光源において、
前記半導体レーザと前記コリメートレンズとの間に、該半導体レーザのＡＲコートされている端面から出射された光を受けて所定の長さ伝送して該コリメートレンズに入射させる光ファイバ（６）を備えたことを特徴とする波長可変光源。 A semiconductor laser (1) in which one laser light emitting end face is AR coated;
A collimating lens (2) for collimating light emitted from the AR-coated end face of the semiconductor laser;
A diffraction grating (3) that receives collimated light emitted from the collimating lens and diffracts the collimated light at an angle corresponding to the wavelength;
A mirror (4) for receiving the diffracted light with respect to the collimated light emitted from the diffraction grating and reflecting it to the diffraction grating;
Reflected light from the mirror is incident on the diffraction grating and diffracted again, and when the diffracted light obtained thereby is incident on the semiconductor laser via the collimator lens, the diffracted light incident on the semiconductor laser. And an angle adjusting means (5) for changing the angle of the mirror so that the light has a desired wavelength, and a resonator length configured between the other laser light emitting end face of the semiconductor laser and the mirror In a tunable light source that oscillates in an external resonance mode based on
Between the semiconductor laser and the collimating lens, there is provided an optical fiber (6) for receiving light emitted from the AR-coated end face of the semiconductor laser and transmitting the light for a predetermined length to enter the collimating lens. A tunable light source characterized by that. 一方のレーザ光出射端面がＡＲコートされている半導体レーザ（１）と、
該半導体レーザのＡＲコートされている端面から出射された光を受けて所定の長さ伝送させる光ファイバ（６）と、
該光ファイバから出射された光を受けてコリメートするコリメートレンズ（２）と、
該コリメートレンズから出射されたコリメート光を受けて波長に応じた角度で回折させる回折格子（３）と、
反射体（３５）と反射体駆動手段（５０）とを含んで構成され、前記回折格子から入射される前記コリメート光に対する回折光が、前記反射体の反射面で該回折格子へ反射されて、再び該回折格子で回折され、それによって得られた回折光が前記コリメートレンズ及び前記光ファイバを介して前記半導体レーザに入射されるとき、該半導体レーザに入射される回折光が所望の波長の光となるように前記反射体の反射面の角度を前記反射体駆動手段により変化させるＭＥＭＳスキャナ（６０）とを備え、前記半導体レーザの他方のレーザ光出射端面と前記反射体の反射面との間で構成される共振器長に基づいた外部共振モードで発振することを特徴とする波長可変光源。 A semiconductor laser (1) in which one laser light emitting end face is AR coated;
An optical fiber (6) that receives light emitted from an AR-coated end face of the semiconductor laser and transmits the light for a predetermined length;
A collimating lens (2) for receiving and collimating light emitted from the optical fiber;
A diffraction grating (3) that receives collimated light emitted from the collimating lens and diffracts the collimated light at an angle corresponding to the wavelength;
A diffracted light for the collimated light incident from the diffraction grating is reflected to the diffraction grating by the reflection surface of the reflector, and includes a reflector (35) and a reflector driving means (50). When the diffracted light diffracted by the diffraction grating again enters the semiconductor laser through the collimating lens and the optical fiber, the diffracted light incident on the semiconductor laser is light having a desired wavelength. And a MEMS scanner (60) for changing the angle of the reflecting surface of the reflector by the reflector driving means, and between the other laser light emitting end surface of the semiconductor laser and the reflecting surface of the reflector. A wavelength tunable light source that oscillates in an external resonance mode based on a resonator length constituted by: 前記ＭＥＭＳスキャナの反射体は、
固定基板（３６、３７）と、
該固定基板の縁部から所定幅で所定長さ延設され、その長さ方向に沿って捩じれ変形可能な軸部（３８、３９）と、
該軸部の先端に自身の縁部で連結されて形成され、一面側に前記回折格子からの回折光を反射させるための前記反射面が設けられた反射板（４０）とを有しており、かつ、
前記ＭＥＭＳスキャナの反射体駆動手段は、
前記反射体の軸部と反射板とからなる部分の固有振動数に対応した周波数の駆動信号によって前記反射板に力を与えて、該反射板を前記固有振動数又はそれに近い振動数で往復回転させるように構成されていることを特徴とする請求項１１に記載の波長可変光源。 The reflector of the MEMS scanner is:
A fixed substrate (36, 37);
Shaft portions (38, 39) that extend from the edge of the fixed substrate with a predetermined width and have a predetermined length and can be twisted and deformed along the length direction;
A reflection plate (40) formed by being connected to the tip of the shaft portion at its edge and provided with the reflection surface for reflecting the diffracted light from the diffraction grating on one surface side; ,And,
The reflector driving means of the MEMS scanner includes:
A force is applied to the reflecting plate by a driving signal having a frequency corresponding to the natural frequency of the portion composed of the shaft portion of the reflector and the reflecting plate, and the reflecting plate is rotated back and forth at the natural frequency or a frequency close thereto. The wavelength tunable light source according to claim 11, wherein the wavelength tunable light source is configured so as to cause the light to oscillate. 前記回折格子の０次光が出射される光路上に設けられて所定の波長の光を透過させる光共振器（７）と、
該光共振器から出射される透過光を受けて第１の電気信号に変換する第１の受光器（８）とを更に備え、該第１の受光器から出力される前記第１の電気信号から前記半導体レーザの出射光の波長を求めることを可能にしたことを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の波長可変光源。 An optical resonator (7) provided on an optical path through which the zero-order light of the diffraction grating is emitted and transmitting light of a predetermined wavelength;
A first light receiver (8) that receives the transmitted light emitted from the optical resonator and converts the transmitted light into a first electric signal, and the first electric signal output from the first light receiver. The wavelength tunable light source according to any one of claims 10 to 12, wherein the wavelength of the emitted light of the semiconductor laser can be obtained from the above. 所定の波長範囲の光を発振し、該光を測定光としてファイバブラッググレーティング（１５ａ、１５ｂ）に入射させる請求項１〜１３のいずれかに記載の波長可変光源（１００）と、
前記ファイバブラッググレーティングに入射された前記測定光であって、該ファイバブラッググレーティングによって反射された光又は該ファイバブラッググレーティングを透過した光を受けて第２の電気信号に変換する第２の受光器（１２）と、
該第２の受光器から出力される前記第２の電気信号と、前記波長可変光源から出力される前記ミラー又は前記反射体の反射面の角度を変化させるための信号とに基づいて、前記ファイバブラッググレーティングに加わった歪みの変動を求める処理手段（１３）とを備えたことを特徴とする波長可変光源を用いた歪測定装置。 The wavelength tunable light source (100) according to any one of claims 1 to 13, which oscillates light in a predetermined wavelength range and makes the light incident on a fiber Bragg grating (15a, 15b) as measurement light,
A second light receiving device that receives the measurement light incident on the fiber Bragg grating and receives the light reflected by the fiber Bragg grating or the light transmitted through the fiber Bragg grating and converts the light into a second electrical signal ( 12)
Based on the second electric signal output from the second light receiver and the signal for changing the angle of the reflecting surface of the mirror or the reflector output from the wavelength variable light source, the fiber A distortion measuring apparatus using a wavelength tunable light source, comprising processing means (13) for determining a variation in distortion applied to the Bragg grating. 所定の波長範囲の光を発振し、該光を測定光としてファイバブラッググレーティング（１５ａ、１５ｂ）に入射させる請求項７、９及び１３のいずれかに記載の波長可変光源（１００）と、
前記ファイバブラッググレーティングに入射された前記測定光であって、該ファイバブラッググレーティングによって反射された光又は該ファイバブラッググレーティングを透過した光を受けて第２の電気信号に変換する第２の受光器（１２）と、
該第２の受光器から出力される前記第２の電気信号と、前記波長可変光源から出力される前記ミラー又は前記反射体の反射面の角度を変化させるための信号とに基づいて、前記ファイバブラッググレーティングに加わった歪みの変動を求めるとともに、前記第１の受光器から出力される前記第１の電気信号と、前記波長可変光源から出力される前記ミラー又は前記反射体の反射面の角度を変化させるための信号とに基づいて、前記半導体レーザの出射光の波長を求める処理手段（１３）とを備えたことを特徴とする波長可変光源を用いた歪測定装置。
The tunable light source (100) according to any one of claims 7, 9 and 13, which oscillates light in a predetermined wavelength range and makes the light incident on a fiber Bragg grating (15a, 15b) as measurement light,
A second light receiving device that receives the measurement light incident on the fiber Bragg grating and receives the light reflected by the fiber Bragg grating or the light transmitted through the fiber Bragg grating and converts the light into a second electrical signal ( 12)
Based on the second electric signal output from the second light receiver and the signal for changing the angle of the reflecting surface of the mirror or the reflector output from the wavelength variable light source, the fiber While calculating | requiring the fluctuation | variation of the distortion added to the Bragg grating, the angle of the reflective surface of the said 1st electric signal output from the said 1st light receiver and the said mirror output from the said wavelength variable light source or the said reflector is obtained. A distortion measuring apparatus using a wavelength tunable light source, comprising processing means (13) for determining a wavelength of the emitted light of the semiconductor laser based on a signal for changing.
JP2004251670A 2004-06-29 2004-08-31 Wavelength variable light source, and distortion measurement equipment using the same Pending JP2006049785A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004251670A JP2006049785A (en) 2004-06-29 2004-08-31 Wavelength variable light source, and distortion measurement equipment using the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004191645 2004-06-29
JP2004251670A JP2006049785A (en) 2004-06-29 2004-08-31 Wavelength variable light source, and distortion measurement equipment using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006049785A true JP2006049785A (en) 2006-02-16

Family

ID=36027954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004251670A Pending JP2006049785A (en) 2004-06-29 2004-08-31 Wavelength variable light source, and distortion measurement equipment using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006049785A (en)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006208243A (en) * 2005-01-28 2006-08-10 Anritsu Corp Optical spectrum analyzer
JP2007220864A (en) * 2006-02-16 2007-08-30 Anritsu Corp Wavelength calibration device, and method of mems wavelength sweep light source
JP2008014934A (en) * 2006-06-09 2008-01-24 Anritsu Corp Fbg sensor system
JP2008096150A (en) * 2006-10-06 2008-04-24 Anritsu Corp Fbg sensor system
JP2008227407A (en) * 2007-03-15 2008-09-25 Yokogawa Electric Corp External-resonator wavelength variable light source and light source device
JP2009150850A (en) * 2007-12-21 2009-07-09 Anritsu Corp Physical quantity measuring system
JP2009182158A (en) * 2008-01-31 2009-08-13 Shimadzu Corp Wavelength conversion laser device
KR101025396B1 (en) 2008-12-05 2011-03-28 한국건설기술연구원 Portable sensor interrogation system using a ratating disk
JP2011091209A (en) * 2009-10-22 2011-05-06 Sun Tec Kk Wavelength scanning type laser light source
JP2013004769A (en) * 2011-06-17 2013-01-07 Anritsu Corp Multi-mode wavelength sweeping light source
JP2014009962A (en) * 2012-06-27 2014-01-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical path monitoring device
JP2015056469A (en) * 2013-09-11 2015-03-23 昭和オプトロニクス株式会社 Diode laser module wavelength controlled by external resonator
JP2015509286A (en) * 2012-01-20 2015-03-26 エグザロス・アクチェンゲゼルシャフトＥｘａｌｏｓ Ａｇ Wavelength tunable external cavity laser diode with GRSM for OCT
JP2017005127A (en) * 2015-06-11 2017-01-05 株式会社島津製作所 Laser device
JP2017011163A (en) * 2015-06-24 2017-01-12 国立大学法人埼玉大学 Laser light source device and interferometer
JP2017216371A (en) * 2016-05-31 2017-12-07 日亜化学工業株式会社 Light source device
CN116295088A (en) * 2023-05-19 2023-06-23 广东芯聚能半导体有限公司 Insertion depth detection device for contact pin

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006208243A (en) * 2005-01-28 2006-08-10 Anritsu Corp Optical spectrum analyzer
JP4557730B2 (en) * 2005-01-28 2010-10-06 アンリツ株式会社 Optical spectrum analyzer
JP2007220864A (en) * 2006-02-16 2007-08-30 Anritsu Corp Wavelength calibration device, and method of mems wavelength sweep light source
JP4557907B2 (en) * 2006-02-16 2010-10-06 アンリツ株式会社 Wavelength calibration apparatus and method for MEMS wavelength swept light source
JP2008014934A (en) * 2006-06-09 2008-01-24 Anritsu Corp Fbg sensor system
JP2008096150A (en) * 2006-10-06 2008-04-24 Anritsu Corp Fbg sensor system
JP4486951B2 (en) * 2006-10-06 2010-06-23 アンリツ株式会社 FBG sensor system
JP2008227407A (en) * 2007-03-15 2008-09-25 Yokogawa Electric Corp External-resonator wavelength variable light source and light source device
JP2009150850A (en) * 2007-12-21 2009-07-09 Anritsu Corp Physical quantity measuring system
JP2009182158A (en) * 2008-01-31 2009-08-13 Shimadzu Corp Wavelength conversion laser device
KR101025396B1 (en) 2008-12-05 2011-03-28 한국건설기술연구원 Portable sensor interrogation system using a ratating disk
JP2011091209A (en) * 2009-10-22 2011-05-06 Sun Tec Kk Wavelength scanning type laser light source
JP2013004769A (en) * 2011-06-17 2013-01-07 Anritsu Corp Multi-mode wavelength sweeping light source
JP2015509286A (en) * 2012-01-20 2015-03-26 エグザロス・アクチェンゲゼルシャフトＥｘａｌｏｓ Ａｇ Wavelength tunable external cavity laser diode with GRSM for OCT
JP2014009962A (en) * 2012-06-27 2014-01-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical path monitoring device
JP2015056469A (en) * 2013-09-11 2015-03-23 昭和オプトロニクス株式会社 Diode laser module wavelength controlled by external resonator
JP2017005127A (en) * 2015-06-11 2017-01-05 株式会社島津製作所 Laser device
JP2017011163A (en) * 2015-06-24 2017-01-12 国立大学法人埼玉大学 Laser light source device and interferometer
JP2017216371A (en) * 2016-05-31 2017-12-07 日亜化学工業株式会社 Light source device
CN116295088A (en) * 2023-05-19 2023-06-23 广东芯聚能半导体有限公司 Insertion depth detection device for contact pin
CN116295088B (en) * 2023-05-19 2023-09-12 广东芯聚能半导体有限公司 Insertion depth detection device for contact pin

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006049785A (en) Wavelength variable light source, and distortion measurement equipment using the same
JPH0964439A (en) Laser light source apparatus
JP2005303309A (en) Wavelength variable optical source and method for operating the wavelength variable optical source
JP2005150720A (en) Rotary tuning element and external resonator-type laser having the same
JPH0766482A (en) Variable wavelength light source
JP5308502B2 (en) FBG sensor system
JP4557907B2 (en) Wavelength calibration apparatus and method for MEMS wavelength swept light source
CN101604818A (en) Continuous mode-hop-free tunable grating external-cavity diode laser
JP2005284125A (en) Variable wavelength light source
JP5121150B2 (en) Tunable laser light source
JP5308198B2 (en) Optical pulse generator and optical measuring instrument using the same
JP2007027306A (en) Variable-wavelength laser light source
JP3460724B2 (en) Optical oscillator
JP4435137B2 (en) Fast wavelength swept light source
JP4787789B2 (en) FBG sensor system
JP2012531754A (en) Continuous-mode hop-free tunable grating external cavity laser
JP5103412B2 (en) Wavelength swept light source
JP2007234916A (en) Tunable laser source and method for adjusting its parameter
JP2006145270A (en) Mems optical spectrum analyzer and its wavelength calibration method
JP4399444B2 (en) FBG sensor system
US20220390756A1 (en) Laser interferometer and method for controlling laser interferometer
KR102139845B1 (en) Variable-wavelength light source
JP4068102B2 (en) FBG strain sensor system
JP4486951B2 (en) FBG sensor system
US7406218B2 (en) FBG sensor system

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080610

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080724

A02 Decision of refusal

Effective date: 20090707

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02