JP2006041289A - Light emitting module and system - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting module in which output from a solar cell can be prevented from lowering without causing declination in incident light on the solar cell, and manufacture thereof can be facilitated. <P>SOLUTION: The light emitting module is manufactured by laminating at least a solar cell part 1, a first adhesive layer 16, a second translucent insulating substrate (transparent PET) 17, a second metal layer (circuit pattern) 18, a light emitting part 2 consisting of a light emitting element (chip LED) 19, a second adhesive layer 20, and a third translucent insulating substrate 21 sequentially. When the light emitting part 2 is fabricated, a transparent PET 17 having a thickness of 50-500 μm on which a circuit pattern 18 is formed previously is employed. Silver paste hardening through heating at 150°C for 30 min is employed as the circuit pattern material and the circuit pattern 18 is formed on the transparent PET 17 by screen printing and thermally set. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、発光モジュールおよび発光システムに関するものであり、さらに詳しくは、可視光透過型太陽電池と組み合わせた発光モジュールおよびこのような発光モジュールを備えてなる発光システムに関するものである。   The present invention relates to a light emitting module and a light emitting system, and more particularly, to a light emitting module combined with a visible light transmissive solar cell and a light emitting system including such a light emitting module.

従来、この種の発光モジュールとしては、特許文献1に記載されたような、透光性基板の上に透光性発光部と太陽電池とを積層した発光装置や、特許文献2に記載されたような、発光面と受光面とが同一面上に位置するように、発光面を有するパネル状発光体の近傍に太陽電池の受光面が配置された照明パネルや、特許文献3に記載されたような、太陽光発電部とこの太陽光発電部の起電力により発光する発光部とが1枚の平板状基板に実装された太陽光発電利用発光モジュールなどがあった。   Conventionally, as this type of light emitting module, as described in Patent Document 1, a light emitting device in which a light transmitting part and a solar cell are stacked on a light transmitting substrate, or Patent Document 2 is described. Such a lighting panel in which the light-receiving surface of the solar cell is disposed in the vicinity of the panel-like light emitter having the light-emitting surface so that the light-emitting surface and the light-receiving surface are located on the same surface, or Patent Document 3 Such a photovoltaic power generation light emitting module in which a photovoltaic power generation unit and a light emitting unit that emits light by electromotive force of the photovoltaic power generation unit are mounted on a single flat plate substrate has been known.

特開昭59-217991号公報JP 59-217991 A 特開昭60-78477号公報JP 60-78477 A 特開2001-351418号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2001-351418

しかしながら、特許文献1に記載された発光装置は、太陽光受光面側から透光性発光部、太陽電池の順で積層されており、太陽電池に入射する光が透光性発光部で減衰されるため太陽電池の出力低下が避けられないなどの欠点があった。また、特許文献2に記載された照明パネルは、発光面を有するパネル状発光体の近傍に受光面を有する太陽電池が配置され、発光面と受光面とが同一面上にあることから、面積上の制約から太陽電池の出力低下が避けられないなどの欠点があった。さらに、特許文献3に記載された発光モジュールは、表面に太陽光発電部を、裏面にこの太陽光発電部の起電力により発光する発光部をそれぞれ実装する1枚の平板状基板に、スルーホールを形成し、裏面にプリント配線および太陽電池モジュールの起電力を利用する回路および素子群を実装するため、発光部の搭載場所に制約があるなどの欠点があった。   However, the light-emitting device described in Patent Document 1 is laminated in the order of the light-transmitting light emitting unit and the solar cell from the sunlight receiving surface side, and light incident on the solar cell is attenuated by the light-transmitting light emitting unit. For this reason, there is a drawback that the output of the solar cell cannot be avoided. In addition, the lighting panel described in Patent Document 2 includes a solar cell having a light receiving surface in the vicinity of a panel-shaped light emitter having a light emitting surface, and the light emitting surface and the light receiving surface are on the same plane. Due to the above restrictions, there was a drawback that the output of the solar cell was unavoidable. Furthermore, the light emitting module described in Patent Document 3 has a through-hole on a single flat board on which a photovoltaic power generation unit is mounted on the front surface and a light emitting unit that emits light by the electromotive force of the solar power generation unit is mounted on the back surface. And a circuit and a device group using the printed wiring and the electromotive force of the solar cell module are mounted on the back surface, and thus there are disadvantages such as restrictions on the mounting location of the light emitting unit.

本発明の目的は、このような従来技術の課題を解決し、太陽電池に入射する光が減衰することなく、太陽電池の出力低下を防止することができるうえ、簡単に製造することのできる発光モジュールおよびこのような発光モジュールを備えてなる発光システムを提供することにある。   The object of the present invention is to solve such problems of the prior art, prevent the light incident on the solar cell from attenuating, prevent a decrease in the output of the solar cell, and easily produce light emission. It is to provide a light emitting system including the module and such a light emitting module.

本発明の1つの観点によれば、少なくとも、第1の透光性絶縁基板、透明導電層、光電変換層、第1の金属層からなる太陽電池部と、第1の接着層と、第2の透光性絶縁基板、第2の金属層、発光素子からなる発光部と、第2の接着層と、第3の透光性絶縁基板からなる保護部とが、順次積層されてなることを特徴とする発光モジュールが提供される。   According to one aspect of the present invention, at least a first translucent insulating substrate, a transparent conductive layer, a photoelectric conversion layer, a solar cell unit composed of a first metal layer, a first adhesive layer, and a second A light-transmitting insulating substrate, a second metal layer, a light-emitting portion made of a light-emitting element, a second adhesive layer, and a protective portion made of a third light-transmitting insulating substrate. A featured light emitting module is provided.

本発明の他の観点によれば、本発明の1つの観点に係る発光モジュールと、蓄電池と、制御部とを備えてなることを特徴とする発光システムが提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting system including the light emitting module according to one aspect of the present invention, a storage battery, and a control unit.

本発明の1つの観点に係る発光モジュールにあっては、発光面と受光面とが同一面上にないので、太陽電池に入射する光の発光部の全部あるいは一部による減衰のおそれ、あるいは太陽電池の占有面積上の制約がなくなり、太陽電池の出力低下を防止することができる。   In the light emitting module according to one aspect of the present invention, since the light emitting surface and the light receiving surface are not on the same plane, there is a risk of attenuation by all or part of the light emitting portion of the light incident on the solar cell, or the sun. There is no restriction on the area occupied by the battery, and a decrease in the output of the solar battery can be prevented.

本発明の他の観点に係る発光システムにあっては、太陽電池部の発生電圧を制御部で監視し、この発生電圧と昼間か夜間かを判断する閾値電圧との大小を比較することにより、太陽電池から蓄電池への充電モードか、あるいは蓄電池から負荷である発光モジュールへの放電モードかを判断し、夜間に発光モジュールを自動的に発光させることができる。   In the light emitting system according to another aspect of the present invention, the generated voltage of the solar cell unit is monitored by the control unit, and by comparing the magnitude of this generated voltage with the threshold voltage for determining whether it is daytime or nighttime, It is possible to determine whether the charging mode is from the solar battery to the storage battery or the discharging mode from the storage battery to the light emitting module as a load, and the light emitting module can automatically emit light at night.

本発明の1つの観点に係る発光モジュールは、第1の透光性絶縁基板における透明導電層とは反対側に、第3の接着層と、第4の透光性絶縁基板とが、さらに順次積層されていてもよい。このように構成されていると、発光モジュールの強度を考慮する必要がある場合に、第3の接着層を介して第4の透光性絶縁基板を重ねることで、発光モジュールの強度をより強くすることができる。   In the light emitting module according to one aspect of the present invention, a third adhesive layer and a fourth light-transmitting insulating substrate are sequentially further provided on the opposite side of the first light-transmitting insulating substrate from the transparent conductive layer. It may be laminated. With this configuration, when it is necessary to consider the strength of the light emitting module, the strength of the light emitting module is further increased by overlapping the fourth light-transmitting insulating substrate via the third adhesive layer. can do.

本発明の1つの観点に係る発光モジュールは、発光部が、複数の発光ユニットから構成されているものであってもよい。このように構成されていると、発光部の発光面積をより広くすることができる。   In the light emitting module according to one aspect of the present invention, the light emitting unit may be composed of a plurality of light emitting units. If comprised in this way, the light emission area of a light emission part can be made wider.

本発明の他の観点に係る発光システムは、発光モジュールが、枠体に嵌め込まれ、蓄電池および制御部が、その枠体に収納され、発光モジュールおよび蓄電池が、前記制御部を介して電気的に接続されているものであってもよい。このように構成されていると、太陽電池付き発光システムを1つの単位体にパッケージングすることができる。   In a light emitting system according to another aspect of the present invention, a light emitting module is fitted into a frame, a storage battery and a control unit are housed in the frame, and the light emitting module and the storage battery are electrically connected via the control unit. It may be connected. If comprised in this way, the light-emitting system with a solar cell can be packaged in one unit body.

本発明の他の観点に係る発光システムは、太陽電池部の出力を取り出すための端子ボックスと、発光部に電圧を印加するための端子ボックスとを備え、これらの端子ボックスが、発光モジュールの側面に取り付けられているものであってもよい。このように構成されていると、太陽電池部がシースルータイプの場合に、取り込まれた太陽光が端子ボックスやそれに付随する配線などで遮られないようにすることができる。   A light emitting system according to another aspect of the present invention includes a terminal box for taking out the output of the solar cell unit, and a terminal box for applying a voltage to the light emitting unit, and these terminal boxes are provided on the side surfaces of the light emitting module. It may be attached to. If comprised in this way, when a solar cell part is a see-through type, the taken-in sunlight can be prevented from being interrupted by a terminal box or wiring accompanying it.

本発明の他の観点に係る発光システムは、発光素子に隣接する第2の金属層が、発光素子を発光させるための回路パターンになっており、この回路パターンが、導電性ペーストにより形成されているものであってもよい。このように構成されていると、150℃以下の温度で硬化することのできる導電性ペーストを用いて、第2の透光性絶縁基板として価格的に有利なPETフィルムを使用することができ、前記基板に回路パターンを形成することができる。   In the light emitting system according to another aspect of the present invention, the second metal layer adjacent to the light emitting element is a circuit pattern for causing the light emitting element to emit light, and the circuit pattern is formed of a conductive paste. It may be. When configured in this way, using a conductive paste that can be cured at a temperature of 150 ° C. or less, a cost-effective PET film can be used as the second light-transmissive insulating substrate, A circuit pattern can be formed on the substrate.

本発明の他の観点に係る発光システムは、発光素子が、チップLEDであるものであってもよい。このように構成されていると、リードタイプのLEDを使用する場合に比べて発光モジュールの厚さをより薄くすることができる。   In the light emitting system according to another aspect of the present invention, the light emitting element may be a chip LED. If comprised in this way, compared with the case where lead type LED is used, the thickness of a light emitting module can be made thinner.

本発明の他の観点に係る発光システムは、前記チップLEDが、回路パターンに導電性ペーストで取り付けられているものであってもよい。このように構成されていると、150℃以下の温度で硬化することのできる導電性ペーストを用いて、第2の透光性絶縁基板として価格的に有利なPETフィルムを使用することができ、前記基板上に形成した回路パターンに発光素子を実装することができる。   In a light emitting system according to another aspect of the present invention, the chip LED may be attached to a circuit pattern with a conductive paste. When configured in this way, using a conductive paste that can be cured at a temperature of 150 ° C. or less, a cost-effective PET film can be used as the second light-transmissive insulating substrate, A light emitting element can be mounted on a circuit pattern formed on the substrate.

本発明の他の観点に係る発光システムは、すべての接着層が、低温架橋型EVAフィルムからなるものであってもよい。このように構成されていると、第1〜第4の透光性絶縁基板にポリカーボネートなどの耐熱性のないプラスチック基板を使用することができる。   In the light emitting system according to another aspect of the present invention, all the adhesive layers may be made of a low-temperature cross-linked EVA film. If comprised in this way, the plastic substrate which does not have heat resistance, such as a polycarbonate, can be used for the 1st-4th translucent insulated substrate.

本発明の他の観点に係る発光システムは、太陽電池部の少なくとも一部がシースルータイプ太陽電池からなるものであってもよい。このように構成されていると、この発光システムを部屋のガラス窓に使用したときなどに、太陽光を太陽電池部から室内に取り込むことができる。   In the light emitting system according to another aspect of the present invention, at least a part of the solar cell unit may be a see-through solar cell. If comprised in this way, when this light-emitting system is used for the glass window of a room, sunlight can be taken in indoors from a solar cell part.

以下、例示としての目的だけで、添付図面を参照して本発明の3つの実施形態を説明する。   In the following, for exemplary purposes only, three embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

実施形態1Embodiment 1

図1〜図3および図5を参照して、本発明の1つの観点に係る発光モジュールの実施形態(実施形態1)を説明する。この発光モジュールは少なくとも、太陽電池部1と発光部2と保護部3とを備えてなる。   An embodiment (Embodiment 1) of a light emitting module according to one aspect of the present invention will be described with reference to FIGS. The light emitting module includes at least a solar cell unit 1, a light emitting unit 2, and a protection unit 3.

図1および図2に示す太陽電池部1の作製に当たり、予め透明導電膜5を形成した第1の透光性絶縁基板としてのガラス基板4を用いる。このガラス基板4には、透明導電層としての透明導電膜5が、ガラス基板4の片側表面と全周囲端面とに形成されている。   In the production of the solar cell unit 1 shown in FIGS. 1 and 2, a glass substrate 4 as a first translucent insulating substrate on which a transparent conductive film 5 is formed in advance is used. A transparent conductive film 5 as a transparent conductive layer is formed on the glass substrate 4 on one side surface and the entire peripheral end surface of the glass substrate 4.

次に、レーザ光を用いて透明導電膜5のパターニングを行なう。この際、透明導電膜5によく吸収される、例えばYAG基本波レーザ光などを用いる。レーザ光をガラス基板4側から入射させることにより、透明導電膜5が短冊状に分離されて、透明導電膜5の分離ライン6が形成される。   Next, the transparent conductive film 5 is patterned using laser light. At this time, for example, YAG fundamental wave laser light that is well absorbed by the transparent conductive film 5 is used. By making laser light enter from the glass substrate 4 side, the transparent conductive film 5 is separated into strips, and the separation line 6 of the transparent conductive film 5 is formed.

次に、透明導電膜5が形成されたガラス基板4を純水で洗浄し、光電変換層としての光電変換膜7−1を形成する。光電変換膜7−1は、a−Si:Hp層、a−Si:Hi層、a−Si:Hn層からなり、合計の厚さが100nm〜300nmである。   Next, the glass substrate 4 on which the transparent conductive film 5 is formed is washed with pure water to form a photoelectric conversion film 7-1 as a photoelectric conversion layer. The photoelectric conversion film 7-1 includes an a-Si: Hp layer, an a-Si: Hi layer, and an a-Si: Hn layer, and has a total thickness of 100 nm to 300 nm.

次に、透明導電膜8を形成する。透明導電膜8には、a−Si:Hn層とのコンタクトが良好な、例えばZnOやITOなどが用いられる。透明導電膜8の合計の厚さは5nm〜100nmである。   Next, the transparent conductive film 8 is formed. For the transparent conductive film 8, for example, ZnO or ITO having good contact with the a-Si: Hn layer is used. The total thickness of the transparent conductive film 8 is 5 nm to 100 nm.

次に、レーザ光を用いて光電変換膜7−1をパターニングする。この際、レーザ光による透明導電膜5の損傷を避けるために、波長選択性のある、例えばYAG SHGレーザなどを用いる。レーザ光をガラス基板4側から入射させることにより、光電変換膜7−1は短冊状に分離され、同時に透明導電膜8も除去されて、光電変換膜7−1の分離ライン9が形成される。この分離ライン9は、透明導電膜8の分離ライン6と約50μm重畳する約1〜50μm離れた位置に、約50μm〜200μmの幅で形成される。   Next, the photoelectric conversion film 7-1 is patterned using laser light. At this time, in order to avoid damage to the transparent conductive film 5 due to laser light, for example, a YAG SHG laser having wavelength selectivity is used. By making the laser light incident from the glass substrate 4 side, the photoelectric conversion film 7-1 is separated into strips, and at the same time, the transparent conductive film 8 is also removed to form a separation line 9 of the photoelectric conversion film 7-1. . The separation line 9 is formed with a width of about 50 μm to 200 μm at a position separated by about 1 to 50 μm so as to overlap with the separation line 6 of the transparent conductive film 8 by about 50 μm.

次に、光電変換層としての光電変換膜7−2を形成する。光電変換膜7−2は、μc−Si:Hp層、μc−Si:Hi層、μc−Si:Hn層からなり、合計の厚さが1000nm〜3000nmである。   Next, a photoelectric conversion film 7-2 as a photoelectric conversion layer is formed. The photoelectric conversion film 7-2 includes a μc-Si: Hp layer, a μc-Si: Hi layer, and a μc-Si: Hn layer, and has a total thickness of 1000 nm to 3000 nm.

次に、レーザ光を用いて光電変換膜7−2をパターニングする。この際、レーザ光による透明導電膜5の損傷を避けるために、波長選択性のある、例えばYAG SHGレーザなどを用いる。レーザ光をガラス基板4側から入射させることにより、光電変換膜7−2は短冊状に分離され、同時に光電変換膜7−1および透明導電膜8も除去されて、光電変換膜7−2の分離ライン10が形成される。この分離ライン10は、分離ライン9と約50μm重畳する約1〜50μm離れた位置に、約50μm〜200μmの幅で形成される。   Next, the photoelectric conversion film 7-2 is patterned using a laser beam. At this time, in order to avoid damage to the transparent conductive film 5 due to laser light, for example, a YAG SHG laser having wavelength selectivity is used. By making laser light enter from the glass substrate 4 side, the photoelectric conversion film 7-2 is separated into strips, and at the same time, the photoelectric conversion film 7-1 and the transparent conductive film 8 are also removed, and the photoelectric conversion film 7-2 A separation line 10 is formed. The separation line 10 is formed with a width of about 50 μm to 200 μm at a position about 1 to 50 μm apart from the separation line 9 by about 50 μm.

さらに、続いて、透明導電膜11と金属電極膜12とを積層することにより、第1の金属層としての裏面電極膜13を形成する。透明導電膜11には、比抵抗が小さく透光性が高い、例えばZnOやITOなどを用いる。一方、金属電極膜12には、反射率の高い、例えばAlやAgなどを用いる。透明電極膜11の膜厚は50nm〜200nm程度、金属電極膜12の膜厚は500nm〜1μm程度である。ただし、透明電極膜11は割愛してもかまわない。   Subsequently, the back electrode film 13 as the first metal layer is formed by laminating the transparent conductive film 11 and the metal electrode film 12. For the transparent conductive film 11, for example, ZnO, ITO, or the like having a small specific resistance and high translucency is used. On the other hand, the metal electrode film 12 is made of, for example, Al or Ag having a high reflectance. The film thickness of the transparent electrode film 11 is about 50 nm to 200 nm, and the film thickness of the metal electrode film 12 is about 500 nm to 1 μm. However, the transparent electrode film 11 may be omitted.

次に、レーザ光を用いて、裏面電極膜13のパターニングを行なう。この際、レーザ光による透明導電膜5の損傷を避けるために、また同時に、光電変換膜7−1、透明導電膜8および光電変換膜7−2を除去するために、波長選択性のある、例えばYAG SHGレーザなどを用いる。レーザ光をガラス基板4側から入射させることにより、裏面電極膜13が短冊状に分離され、同時に光電変換膜7−1、透明導電膜8および光電変換膜7−2も除去されて、裏面電極膜13の分離ライン14が形成される。この分離ライン14は、光電変換膜7−2の分離ライン10と約50μm重畳する約1〜150μm離れた位置に、約50μm〜200μmの幅で形成される。   Next, patterning of the back electrode film 13 is performed using laser light. At this time, in order to avoid damage to the transparent conductive film 5 due to laser light, and at the same time, in order to remove the photoelectric conversion film 7-1, the transparent conductive film 8, and the photoelectric conversion film 7-2, there is wavelength selectivity. For example, a YAG SHG laser is used. By making laser light enter from the glass substrate 4 side, the back electrode film 13 is separated into strips, and at the same time, the photoelectric conversion film 7-1, the transparent conductive film 8 and the photoelectric conversion film 7-2 are also removed, and the back electrode A separation line 14 for the membrane 13 is formed. The separation line 14 is formed with a width of about 50 μm to 200 μm at a position about 1 to 150 μm apart from the separation line 10 of the photoelectric conversion film 7-2 by about 50 μm.

このようにして、少なくとも、ガラス基板4、透明導電膜5、非晶質シリコン系半導体からなる光電変換膜7−1、透明導電膜8、結晶シリコン系半導体からなる光電変換膜7−2および裏面電極膜13を備えてなり、ガラス基板4上で複数の発電領域に分割され、直列接続された集積型薄膜太陽電池であって、裏面電極膜13の分離ライン14が裏面電極膜13、光電変換膜7−2、透明導電膜8および光電変換膜7−1を貫通して略同一形状にパターニングされた太陽電池を得ることができる。   Thus, at least the glass substrate 4, the transparent conductive film 5, the photoelectric conversion film 7-1 made of an amorphous silicon semiconductor, the transparent conductive film 8, the photoelectric conversion film 7-2 made of a crystalline silicon semiconductor, and the back surface. An integrated thin-film solar cell that includes an electrode film 13 and is divided into a plurality of power generation regions on the glass substrate 4 and connected in series. The separation line 14 of the back electrode film 13 includes the back electrode film 13 and photoelectric conversion. A solar cell patterned through substantially the same shape through the film 7-2, the transparent conductive film 8, and the photoelectric conversion film 7-1 can be obtained.

次に、発電領域内に透光性開口部15のパターニングを行なう。この際、レーザ光による透明導電膜5の損傷を避けるために、また同時に、光電変換膜7−1、透明導電膜8および光電変換膜7−2を除去するために、波長選択性のある、例えばYAG SHGレーザなどを用いる。レーザ光をガラス基板4側から入射させることにより加工されて、透光性開口部15が形成される。この透光性開口部15は、裏面電極膜13の分離ライン14に対して垂直方向に形成される。   Next, the translucent opening 15 is patterned in the power generation region. At this time, in order to avoid damage to the transparent conductive film 5 due to laser light, and at the same time, in order to remove the photoelectric conversion film 7-1, the transparent conductive film 8, and the photoelectric conversion film 7-2, there is wavelength selectivity. For example, a YAG SHG laser is used. The laser beam is processed by being incident from the glass substrate 4 side, and the light-transmitting opening 15 is formed. The translucent opening 15 is formed in a direction perpendicular to the separation line 14 of the back electrode film 13.

ここでは、幅11.09mmの短冊に分割された発電領域内に、幅0.08mmで、裏面電極膜13の分離ライン14に対して垂直に約1.27mmピッチで、合計704個の透光性開口部15が形成されている。   Here, in the power generation region divided into strips having a width of 11.09 mm, a total of 704 light transmissions with a width of 0.08 mm and a pitch of about 1.27 mm perpendicular to the separation lines 14 of the back electrode film 13 are obtained. The opening 15 is formed.

したがって、48段の太陽電池内に、704個の透光性開口部15をパターニングすることで、おおよそ10%の開口率を得ることが可能となり、基板サイズが560mm×930mmであって発電出力が約50ワット[W]である太陽電池を作成することができる。   Therefore, by patterning 704 translucent openings 15 in a 48-stage solar cell, it becomes possible to obtain an aperture ratio of approximately 10%, the substrate size is 560 mm × 930 mm, and the power generation output is Solar cells that are about 50 watts [W] can be made.

この例では、光電変換層がa−Si:Hとμc−Si:Hとのタンデム構造であるが、a−Si:Hのシングル構造、タンデム構造、トリプル構造、あるいはμc−Si:Hのシングル構造、タンデム構造、トリプル構造、あるいはこれらを組み合わせたタンデム構造、トリプル構造のものでもよい。 また、この例では、太陽電池としてシースルータイプ太陽電池を一例にして述べてきたが、太陽電池は、採光型太陽電池など、採光が可能なものであればどのようなものでもよい。   In this example, the photoelectric conversion layer has a tandem structure of a-Si: H and μc-Si: H, but a single structure of a-Si: H, a tandem structure, a triple structure, or a single structure of μc-Si: H. A structure, a tandem structure, a triple structure, or a combination of these, a tandem structure or a triple structure may be used. In this example, a see-through solar cell has been described as an example of the solar cell. However, the solar cell may be any solar cell that can perform daylighting, such as a daylighting solar cell.

次に、図1、図3および図5に示す発光部2の作製について説明する。図5は、発光部2の配置の一例を示すものであるが、太陽電池部1の電極などについては便宜上、図示が省略されており、例えば発光部2からなる発光ユニットが4個配列されたものを示している。   Next, the production of the light emitting unit 2 shown in FIGS. 1, 3, and 5 will be described. FIG. 5 shows an example of the arrangement of the light emitting unit 2, but the illustration of the electrodes of the solar cell unit 1 is omitted for the sake of convenience. For example, four light emitting units including the light emitting unit 2 are arranged. Shows things.

発光部2の作製に際しては、図1に示すように、予め第2の金属層としての回路パターン18を形成した第2の透光性絶縁基板としての透明PET17を用いる。回路パターン材には150℃、30分間の加熱で硬化するような銀ペーストを使用し、例えば厚さ50〜500μm程度の透明PET17にマスクを用いたスクリーン印刷法により回路パターン18を形成し、熱硬化させることにより、発光部2を作製する。   When the light emitting unit 2 is manufactured, as shown in FIG. 1, transparent PET 17 as a second translucent insulating substrate on which a circuit pattern 18 as a second metal layer is formed in advance is used. For the circuit pattern material, a silver paste that is cured by heating at 150 ° C. for 30 minutes is used. For example, the circuit pattern 18 is formed by screen printing using a mask on transparent PET 17 having a thickness of about 50 to 500 μm, The light emitting part 2 is produced by curing.

図3は、このようにして得られる本発明による発光部2の回路パターン18の一例を示す平面図である。図3の回路パターン18で発光素子としてのチップLED19を80個実装した発光ユニットを、例えば図5のように4ユニット使用し、例えば駆動電圧36ボルト[V]、最大消費電流400ミリアンペア[mA]、消費電力14.4ワット[W]のものを、1個の発光ユニットのサイズ約260mm×約300mmで構成した。   FIG. 3 is a plan view showing an example of the circuit pattern 18 of the light emitting unit 2 according to the present invention thus obtained. A light emitting unit in which 80 chip LEDs 19 as light emitting elements are mounted with the circuit pattern 18 of FIG. 3 is used, for example, 4 units as shown in FIG. A light emitting unit having a power consumption of 14.4 watts [W] was configured with a size of about 260 mm × about 300 mm.

これらの発光ユニットは、図3に示すように、チップLED19をマウントするためのランドパターン23・23が形成されており、ランドパターン23・23に150℃、30分間の加熱で硬化するような銀ペーストを印刷塗布する。   In these light emitting units, as shown in FIG. 3, land patterns 23 and 23 for mounting the chip LED 19 are formed, and silver which can be cured by heating the land patterns 23 and 23 at 150 ° C. for 30 minutes. Print and apply paste.

次に、チップLED19の両極をランドパターン23・23に塗布した銀ペーストで導通するようにマウントする。   Next, the two electrodes of the chip LED 19 are mounted so as to be conductive with the silver paste applied to the land patterns 23 and 23.

次に、チップLED19をマウントした透明PET上の回路パターンを、雰囲気温度が150℃に保持された加熱炉の中に静置させ、熱硬化させる。   Next, the circuit pattern on the transparent PET on which the chip LED 19 is mounted is allowed to stand in a heating furnace maintained at an atmospheric temperature of 150 ° C. and thermally cured.

この例では、印刷工程を使用したが、銀ペーストの塗布量を制御することのできる工程であれば、この限りではない。また、この例では、チップLED19の回路パターン上への接着には銀ペーストを硬化させる方法を使用したが、ソルダー半田を用い、リフロー工程を経て半田付けする方法でもよい。   In this example, the printing process is used. However, the printing process is not limited as long as it is a process capable of controlling the coating amount of the silver paste. In this example, a method of curing the silver paste is used for bonding the chip LED 19 onto the circuit pattern. However, a solder solder may be used and soldered through a reflow process.

このようにして作製された太陽電池部1と発光部2とをモジュールにする際には、太陽電池部1と発光部2との間に第1の接着層であるEVA(エチレンビニルアセテート)層16を挟む。また、発光部2とこの発光部2を保護するための第3の透光性絶縁基板としてのガラス基板21との間に、発光部2に配置するチップLED19の高さよりも厚い第2の接着層としてのEVA層20を挟む。そして、130℃で20分間、保持し、EVAを溶かした後、150℃で45分間、保持し、EVAを架橋させる。   When the solar cell unit 1 and the light emitting unit 2 thus manufactured are used as a module, an EVA (ethylene vinyl acetate) layer that is a first adhesive layer is formed between the solar cell unit 1 and the light emitting unit 2. 16 is sandwiched. In addition, a second adhesion which is thicker than the height of the chip LED 19 disposed in the light emitting unit 2 between the light emitting unit 2 and the glass substrate 21 as a third translucent insulating substrate for protecting the light emitting unit 2. The EVA layer 20 as a layer is sandwiched. And after hold | maintaining at 130 degreeC for 20 minutes and melt | dissolving EVA, it hold | maintains at 150 degreeC for 45 minutes, and EVA is bridge | crosslinked.

この例では、チップLED19を保護するためにガラス基板21を用いたが、これに代えて、耐候性の高いフッ素系樹脂を用いてもよい。また、第1〜第3の透光性絶縁基板に例えばポリカーボネートなどの耐熱性のないプラスチック基板を使用する場合には、低温EVAを用いる必要がある。この場合、120℃で10分間、保持し、EVAを溶かした後、130℃で45分間、保持し、EVAを架橋させればよい。   In this example, the glass substrate 21 is used to protect the chip LED 19, but instead of this, a fluorine-based resin having high weather resistance may be used. Further, when a plastic substrate having no heat resistance such as polycarbonate is used for the first to third translucent insulating substrates, it is necessary to use low temperature EVA. In this case, after holding the EVA at 120 ° C. for 10 minutes to dissolve the EVA, the EVA may be cross-linked by holding at 130 ° C. for 45 minutes.

以上のようにして作製された発光モジュールは、昼間は発電しながら入射光の一部を透過せしめる太陽電池部1と、電源を供給すれば発光する発光部2とが物理的に一体化され発電領域と発光領域が重なった発光モジュールになっているため、設置場所において発光部面積の確保と発電部面積の確保が両立し、設置面積の制約を受けずに設置可能となる。
また、太陽電池やその他の電池と組み合わせて例えば屋外照明や案内標識などに使用することができる。
The light-emitting module manufactured as described above has a solar cell unit 1 that transmits a part of incident light while generating power during the daytime, and a light-emitting unit 2 that emits light when power is supplied. Since the light emitting module in which the region and the light emitting region overlap with each other, the securing of the light emitting part area and the securing of the power generating part area at the installation location are compatible, and the installation can be performed without being restricted by the installation area.
Moreover, it can be used for, for example, outdoor lighting or a guide sign in combination with a solar battery or other batteries.

実施形態2Embodiment 2

図1および図4を参照して、本発明の他の観点に係る発光システムの実施形態(実施形態2)を説明する。図4は、この発光システムの構成図を示し、この発光システムは、少なくとも、発光モジュール24と、蓄電池25と、制御部26とを備えてなる。   An embodiment (Embodiment 2) of a light emitting system according to another aspect of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 4. FIG. 4 shows a configuration diagram of the light emitting system. The light emitting system includes at least a light emitting module 24, a storage battery 25, and a control unit 26.

この発光システムにより、昼間は入射光の一部を透過せしめ、また太陽電池部1で発電した電力で蓄電池25に充電し、夜間は蓄電池25からの電源供給により発光部2を発光させることができる。   With this light emitting system, a part of incident light can be transmitted in the daytime, the storage battery 25 can be charged with the electric power generated by the solar cell unit 1, and the light emitting unit 2 can emit light by supplying power from the storage battery 25 at night. .

蓄電池25は、鉛蓄電池、ニッケル・水素電池、リチウム・イオン電池などの二次電池、あるいはキャパシタでもよい。例えば、蓄電池には10直列のリチウム・イオン電池を使用し、1個当たり4.2V充電可能である電池を用いた場合に、10直列では42Vまで充電することができる。   The storage battery 25 may be a lead storage battery, a secondary battery such as a nickel-hydrogen battery, a lithium-ion battery, or a capacitor. For example, when a 10-series lithium ion battery is used as the storage battery and a battery capable of charging 4.2 V per battery is used, the battery can be charged up to 42 V in 10 series.

制御部26は、少なくとも充電モードと放電モードとの切り替えが可能な回路があるものであればよい。また、制御部26は、太陽電池部1の電池電圧を監視して充電モードか放電モードかを切り替える機能、蓄電池25の電池レベルを監視して過放電モードか過充電モードかを切り替える機能、人間などを赤外線で検知する機能、放電モード時の負荷への供給電力をパルス電圧変調出力方式により出力調整する機能などを有している。   The control unit 26 only needs to have a circuit capable of switching between at least a charging mode and a discharging mode. In addition, the control unit 26 monitors the battery voltage of the solar cell unit 1 and switches between the charge mode and the discharge mode, monitors the battery level of the storage battery 25 and switches between the overdischarge mode and the overcharge mode, And the like, and the function of adjusting the output of the power supplied to the load in the discharge mode by the pulse voltage modulation output method.

実施形態3Embodiment 3

図1、図5および図6を参照して本発明の1つの観点に係る発光モジュールの実施形態(実施形態3)を説明する。図6は、図5におけるA−A‘線に沿った断面図である。図6は、実施形態1の発光モジュールに加えて発電部側に第4の透光性絶縁基板としての保護部28を形成した以外の構成が実施形態1と同様である発光モジュールを示すものである。   An embodiment (Embodiment 3) of a light emitting module according to one aspect of the present invention will be described with reference to FIG. 1, FIG. 5, and FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ in FIG. 5. FIG. 6 shows a light emitting module having the same configuration as that of the first embodiment except that a protective portion 28 as a fourth light-transmissive insulating substrate is formed on the power generation unit side in addition to the light emitting module of the first embodiment. is there.

この発光モジュールは、図1の構成に加えて、太陽電池部1の受光面側に第3の接着層27を介して保護部28を、例えばガラス、好ましくは強化ガラスを配置していることを特徴としている。保護部28が太陽電池部1および発光部2よりも外側に張り出している場合には、第1〜第3の接着層16、20、27により充填されて側面が面一形状に形成されていることが好ましい。発電部1および発光部2の詳細は省略されている。   In this light emitting module, in addition to the configuration of FIG. 1, a protective portion 28, for example, glass, preferably tempered glass is disposed on the light receiving surface side of the solar cell portion 1 via a third adhesive layer 27. It is a feature. When the protection part 28 protrudes outside the solar cell part 1 and the light emitting part 2, it is filled with the first to third adhesive layers 16, 20, and 27 and the side surfaces are formed in a flush shape. It is preferable. Details of the power generation unit 1 and the light emitting unit 2 are omitted.

本発明の発光モジュールおよび発光システムは、太陽電池やその他の電池と組み合わせて小型または大型の照明や案内標識などに広く適用することができる。   The light-emitting module and the light-emitting system of the present invention can be widely applied to small or large-sized lighting, guide signs, and the like in combination with solar cells and other batteries.

図1は、本発明による1つの発光モジュールを示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing one light emitting module according to the present invention. 図2は、図1の発光モジュールにおける太陽電池部を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a solar cell portion in the light emitting module of FIG. 図3は、図1の発光モジュールにおける発光部の回路パターンの1例を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view illustrating an example of a circuit pattern of a light emitting unit in the light emitting module of FIG. 図4は、本発明による発光システムを模式的に示す平面図である。FIG. 4 is a plan view schematically showing a light emitting system according to the present invention. 図5は、本発明による別の発光モジュールを示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing another light emitting module according to the present invention. 図6は、図5のA−A'線に沿った断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1:太陽電池部
2:発光部
3:保護部
4:ガラス基板(第1の透光性絶縁基板)
5:透明導電膜(透明導電層)
6:分離ライン
7−1:光電変換膜(光電変換層)
7−2:光電変換膜(光電変換層)
8:透明導電膜
9:分離ライン
10:分離ライン
11:透明導電膜
12:金属電極膜
13:裏面電極膜(第1の金属層)
14:分離ライン
15:透光性開口部
16:EVA層(第1の接着層)
17:透明PET(第2の透光性絶縁基板)
18:回路パターン(第2の金属層)
19:チップLED(発光素子)
20:EVA層(第2の接着層)
21:保護基板(第3の透光性絶縁基板)
22:隙間
23:ランドパターン
24:太陽電池付き発光モジュール
25:蓄電池
26:制御部
27:接着層(第3の接着層)
28:保護部(第4の透光性絶縁基板)
1: Solar cell
2: Light emitting part
3: Protection part
4: Glass substrate (first translucent insulating substrate)
5: Transparent conductive film (transparent conductive layer)
6: Separation line 7-1: Photoelectric conversion film (photoelectric conversion layer)
7-2: Photoelectric conversion film (photoelectric conversion layer)
8: Transparent conductive film
9: Separation line 10: Separation line 11: Transparent conductive film 12: Metal electrode film 13: Back electrode film (first metal layer)
14: Separation line 15: Translucent opening 16: EVA layer (first adhesive layer)
17: Transparent PET (second translucent insulating substrate)
18: Circuit pattern (second metal layer)
19: Chip LED (light emitting device)
20: EVA layer (second adhesive layer)
21: Protective substrate (third translucent insulating substrate)
22: Gap 23: Land pattern 24: Light emitting module with solar cell 25: Storage battery 26: Control unit 27: Adhesive layer (third adhesive layer)
28: Protection part (fourth translucent insulating substrate)

Claims (9)

少なくとも、第1の透光性絶縁基板、透明導電層、光電変換層、第1の金属層からなる太陽電池部と、第1の接着層と、第2の透光性絶縁基板、第2の金属層、発光素子からなる発光部と、第2の接着層と、第3の透光性絶縁基板からなる保護部とが、順次積層されてなることを特徴とする発光モジュール。   At least a first translucent insulating substrate, a transparent conductive layer, a photoelectric conversion layer, a solar cell portion comprising a first metal layer, a first adhesive layer, a second translucent insulating substrate, a second A light emitting module comprising a metal layer, a light emitting portion made of a light emitting element, a second adhesive layer, and a protective portion made of a third light-transmitting insulating substrate, which are sequentially laminated. 第1の透光性絶縁基板における透明導電層とは反対側に、第3の接着層と、第4の透光性絶縁基板とが、さらに順次積層されている請求項1に記載の発光モジュール。   2. The light emitting module according to claim 1, wherein a third adhesive layer and a fourth light transmissive insulating substrate are further sequentially laminated on the side opposite to the transparent conductive layer in the first light transmissive insulating substrate. . 発光部が、複数の発光ユニットから構成されている請求項1または2に記載の発光モジュール。   The light-emitting module according to claim 1, wherein the light-emitting unit is composed of a plurality of light-emitting units. 請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光モジュールと、蓄電池と、制御部とを備えてなることを特徴とする発光システム。   A light emitting system comprising the light emitting module according to claim 1, a storage battery, and a control unit. 発光素子に隣接する第2の金属層は、発光素子を発光させるための回路パターンになっており、この回路パターンが、導電性ペーストにより形成されている請求項4に記載の発光システム。   The light emitting system according to claim 4, wherein the second metal layer adjacent to the light emitting element has a circuit pattern for causing the light emitting element to emit light, and the circuit pattern is formed of a conductive paste. 発光素子が、チップLEDである請求項4に記載の発光システム。   The light emitting system according to claim 4, wherein the light emitting element is a chip LED. チップLEDが、回路パターンに導電性ペーストで取り付けられている請求項6に記載の発光システム。   The light emitting system according to claim 6, wherein the chip LED is attached to the circuit pattern with a conductive paste. すべての接着層が、低温架橋型EVAフィルムからなる請求項4に記載の発光システム。   The light emitting system according to claim 4, wherein all of the adhesive layers are made of a low-temperature cross-linked EVA film. 太陽電池部は、その少なくとも一部がシースルータイプ太陽電池からなる請求項4に記載の発光システム。   The light emitting system according to claim 4, wherein at least a part of the solar cell unit is a see-through solar cell.
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