JP2006041251A - Exposure system - Google Patents

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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently remove moisture of a filter and to reduce an inert gas circulation rising time. <P>SOLUTION: The exposure system has a chamber 3 which isolates at least a part of the system body, a blower 10 for circulating an inert gas to the chamber, and a filter 11 for purifying the inert gas. The exposure system is further provided with a filter drying means 25 for creating a dry gas, for circulating the dry gas via the filter not through the chamber. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、不活性ガスの温調循環システムを有する露光装置に関する。   The present invention relates to an exposure apparatus having an inert gas temperature control circulation system.

半導体製造等に用いられる露光装置の光源は、露光パターンの微細化に伴い短波長化が進んでいる。すなわち、露光光源は、i線からエキシマレーザへとシフトし、さらにはそのレーザ光源もKrFからArFへとシフトしてきた。現在さらなる微細化への要求を満足するためにFレーザの使用が検討されている。 The light source of an exposure apparatus used for semiconductor manufacturing or the like has become shorter in wavelength with the finer exposure pattern. That is, the exposure light source has shifted from i-line to excimer laser, and the laser light source has also shifted from KrF to ArF. Currently, the use of an F 2 laser is being studied in order to satisfy the demand for further miniaturization.

レーザを光源に用いた露光システムを構築するためには、露光光エネルギー減衰に対する対策が必要となる。Fレーザ光は大気中に含まれる水分や酸素、有機ガス等にエネルギーが吸収されるため、従来の露光装置をそのまま適用することはできない。 In order to construct an exposure system using an F 2 laser as a light source, it is necessary to take measures against exposure light energy attenuation. Since the energy of F 2 laser light is absorbed by moisture, oxygen, organic gas, etc. contained in the atmosphere, a conventional exposure apparatus cannot be applied as it is.

そこでFレーザへの対応を図る手段として、露光光が通過する空間全てを隔壁で密閉し、その空間に窒素等の不活性ガスを充填する方法が考えられる。しかし、この方法においてもウエハおよびレチクルが配置される空間はステージのリニアモータ等による発熱量が多く、位置精度を維持するためには空間内温度揺らぎ除去を目的とする不活性ガスの温調循環システムを必要とする。 Therefore, as a means for dealing with the F 2 laser, a method is conceivable in which the entire space through which the exposure light passes is sealed with a partition wall and the space is filled with an inert gas such as nitrogen. However, even in this method, the space in which the wafer and the reticle are arranged generates a large amount of heat generated by the linear motor of the stage, etc., and in order to maintain the positional accuracy, the temperature control circulation of the inert gas for the purpose of removing the temperature fluctuation in the space Requires a system.

図3に従来の不活性ガス循環システムの概略図を示す。露光装置本体内部のウエハ空間1およびレチクル空間2をチャンバ3で囲み、チャンバ3内部を密閉空間とする。各空間には温調ガス吹出し部4および回収部5が設けられている。   FIG. 3 shows a schematic diagram of a conventional inert gas circulation system. The wafer space 1 and the reticle space 2 inside the exposure apparatus main body are surrounded by a chamber 3, and the inside of the chamber 3 is a sealed space. Each space is provided with a temperature control gas blowing section 4 and a recovery section 5.

前記チャンバ3に温調およびコンタミ除去された不活性ガスを循環させるために、循環装置6が設置され、チャンバ3の吹出し部4と回収部5にそれぞれ供給ダクト7とリターンダクト8を介して接続される。循環装置6は、不活性ガスの流れ方向に冷却器9、送風機10、フィルタ11、加熱器12の順に配置された内部機器を備える。   In order to circulate the temperature-controlled and contaminated inert gas in the chamber 3, a circulation device 6 is installed and connected to the blow-out part 4 and the recovery part 5 of the chamber 3 via a supply duct 7 and a return duct 8, respectively. Is done. The circulation device 6 includes internal devices arranged in the order of the cooler 9, the blower 10, the filter 11, and the heater 12 in the flow direction of the inert gas.

ウエハ空間1およびレチクル空間2の内部からリターンダクト8を経て回収された不活性ガスは、ウエハ空間1およびレチクル空間2の内部発熱を吸収しているため、冷却器9にて冷媒と熱交換される。冷却された不活性ガスは、フィルタ11へ送られコンタミ除去される。ここでフィルタ11は、レジスト反応性に富むアンモニアを除去するケミカルフィルタや、光学部材を劣化させるシロキサンその他有機ガス等を除去する活性炭フィルタや、さらにはパーティクルを除去するULPAフィルタ等で構成される。冷却およびコンタミ除去された不活性ガスは、さらに加熱器12にて加熱温調され、温調ガス吹出し部4へ循環される。この循環の流体移送の動力源は送風機10である。   The inert gas recovered from the interior of the wafer space 1 and the reticle space 2 via the return duct 8 absorbs heat generated in the wafer space 1 and the reticle space 2, so that heat is exchanged with the refrigerant in the cooler 9. The The cooled inert gas is sent to the filter 11 to remove contamination. Here, the filter 11 includes a chemical filter that removes ammonia rich in resist reactivity, an activated carbon filter that removes siloxane and other organic gases that degrade the optical member, a ULPA filter that removes particles, and the like. The inert gas that has been cooled and removed of contaminants is further heated and regulated by the heater 12 and circulated to the temperature regulating gas blowing section 4. The power source of the circulating fluid transfer is the blower 10.

併せて、不活性ガス注入弁13より高純度の不活性ガスをウエハ空間1およびレチクル空間2に注入することにより、ウエハ空間1およびレチクル空間2内の不活性ガスの濃度を維持し、排出弁14より所定量のガスを絞り弁15を経て排出させることにより、ウエハ空間1およびレチクル空間2の内圧を上げて、外気の進入を防止する。   At the same time, an inert gas having a high purity is injected into the wafer space 1 and the reticle space 2 from the inert gas injection valve 13, thereby maintaining the concentration of the inert gas in the wafer space 1 and the reticle space 2. By discharging a predetermined amount of gas through the throttle valve 15 from 14, the internal pressures of the wafer space 1 and the reticle space 2 are increased to prevent the outside air from entering.

不活性ガスの温調は、温度センサ16が不活性ガスの温度を検出し、その信号が温調器17に入力され、PIDフィードバック制御によりその加熱器12の出力を調整することにより行われる。
特開平09−246140号公報
The temperature control of the inert gas is performed by the temperature sensor 16 detecting the temperature of the inert gas, the signal being input to the temperature controller 17, and the output of the heater 12 being adjusted by PID feedback control.
JP 09-246140 A

ところで、従来の不活性ガス循環システムは、不活性ガスのコンタミ除去を目的としたフィルタを有するが、該フィルタの実表面積は非常に大きく多量の水分を吸着する。特に初期立ち上げ時やメンテナンス等でフィルタを大気に触れさせると、多くの水分を含んだ状態となるため、水分を所定の濃度以下に下げるまで多くの時間を要してしまう。
そこでフィルタの水分を枯らすためにヒータによる加熱を行うことで水分濃度を下げる時間を短縮できるが、通常の循環経路でそのまま加熱し循環させると露光装置本体も加熱されるため好ましくない。また、循環を行わずフィルタ部のみ密閉できる構造としその空間に不活性ガスをチャージおよび排出し同時に内部を加熱することも考えられるが、自然対流が支配的となり温度むらが生じ均一な加熱が難しく、かつ流体の移動が少ないため直ぐに飽和状態となり十分なドライが行えない。また冷却に多くの時間を必要とし、冷却が不十分な状態で通常の循環を開始すると、密閉系のため内圧が上昇し、これによりレンズ等の圧力に敏感な機器を破壊する危険がある。
By the way, the conventional inert gas circulation system has a filter for the purpose of removing contamination of the inert gas, but the actual surface area of the filter is very large and adsorbs a large amount of moisture. In particular, when the filter is exposed to the atmosphere during initial start-up or maintenance or the like, a large amount of water is contained, so that it takes a long time to reduce the water to a predetermined concentration or less.
Therefore, the time for lowering the moisture concentration can be shortened by heating with a heater in order to dry the moisture in the filter, but it is not preferable to heat and circulate as it is in the normal circulation path because the exposure apparatus main body is also heated. In addition, it is conceivable that only the filter part is sealed without circulating, and the inside is charged and discharged with inert gas, and the inside is heated at the same time. However, natural convection is dominant and temperature unevenness occurs, making uniform heating difficult. In addition, since there is little movement of the fluid, it becomes saturated immediately and sufficient drying cannot be performed. Moreover, if a long time is required for cooling and normal circulation is started in a state where the cooling is insufficient, the internal pressure rises due to the closed system, and there is a risk of destroying a device sensitive to pressure such as a lens.

本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、フィルタの水分を効率よく除去し、不活性ガス循環立ち上げ時間を短縮することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to efficiently remove moisture from the filter and shorten the startup time of the inert gas circulation.

上記の目的を達成するため、本発明では、露光装置本体の少なくとも一部を隔離するチャンバと、該チャンバに不活性ガスを循環させる送風機と、該不活性ガスを清浄化するフィルタとを有する露光装置において、ドライガスを生成し、前記チャンバを経由することなく前記フィルタを介して前記ドライガスを循環させるフィルタドライ手段を設けたことを特徴とする。   In order to achieve the above object, in the present invention, exposure includes a chamber that isolates at least a part of an exposure apparatus body, a blower that circulates an inert gas in the chamber, and a filter that cleans the inert gas. In the apparatus, there is provided a filter drying unit that generates dry gas and circulates the dry gas through the filter without passing through the chamber.

本発明によれば、高い水分吸収能を有するドライガスの生成によりフィルタドライの所要時間の短縮化が図れ、また循環を行うことによりドライガスを再利用することから不活性ガスの消費を低減することができる。   According to the present invention, it is possible to shorten the time required for filter drying by generating dry gas having a high water absorption capacity, and to reduce the consumption of inert gas by reusing dry gas by circulation. be able to.

本発明の好ましい実施の形態では、気密チャンバと該気密チャンバに不活性ガスを循環させる送風機と不活性ガスを冷却する冷却器と不活性ガスを加熱する加熱器と不活性ガスのコンタミ除去を行うフィルタとからなる不活性ガス循環系と、該循環系の所定の位置に設置されたセンサと温調器により前記気密チャンバ内部の温調および清浄化機能を有する露光装置であって、送風機、冷却器および加熱器で構成されるドライガス生成機能と、生成したドライガスを前記フィルタを介して循環させる循環経路とを有するフィルタドライ機能を有することを特徴とする。
上記構成によれば、高い水分吸収能を有するドライガスの生成によりフィルタドライの所要時間の短縮化が図れ、また循環を行うことによりドライガスを再利用することから不活性ガスの消費を低減することができる。
In a preferred embodiment of the present invention, an air-tight chamber, a blower that circulates an inert gas in the air-tight chamber, a cooler that cools the inert gas, a heater that heats the inert gas, and contamination removal of the inert gas are performed. An exposure apparatus having an inert gas circulation system comprising a filter, and a temperature control and cleaning function inside the hermetic chamber by means of a sensor and a temperature controller installed at predetermined positions of the circulation system, including a blower, a cooling device It has a filter dry function having a dry gas generating function composed of a heater and a heater, and a circulation path for circulating the generated dry gas through the filter.
According to the above configuration, the time required for filter drying can be shortened by generating dry gas having a high water absorption capacity, and the consumption of inert gas can be reduced because the dry gas is reused by circulation. be able to.

ここで、ドライガスは、前記不活性ガスと同一または同種のものであることが好ましい。これにより、フィルタドライ終了時のドライガスのパージが不要となる。また、該フィルタドライ機能は、さらにフィルタ部の温度を検知する温度センサおよび温調器を有し、フィルタ部を温調できることが好ましい。これにより、フィルタドライ終了時の冷却待ち時間の短縮化が図れ、前記フィルタドライの所要時間の短縮化に加えて全体の立ち上げ時間の短縮化が図れ、結果としてスループット向上に寄与する。   Here, the dry gas is preferably the same or the same kind as the inert gas. This eliminates the need for purge of dry gas at the end of filter drying. Moreover, it is preferable that this filter dry function has a temperature sensor and temperature controller which detect the temperature of a filter part, and can temperature-control a filter part. As a result, the cooling waiting time at the end of the filter drying can be shortened, and in addition to shortening the time required for the filter drying, the overall start-up time can be shortened, resulting in an improvement in throughput.

また、該フィルタドライ機能が有する冷却器部にドレン排出口を設け、前記ドライガスがフィルタ部にて吸収した水分を外部に排出できる構造であることが好ましい。また、前記フィルタドライ機能は、不活性ガス供給口および不活性ガス排出口を有し、高純度の不活性ガスを注入することにより内部の不活性ガスの濃度を維持できることが好ましい。さらに不活性ガス排出口は、前記ドレン排出口と兼用させると好適である。
また、不活性ガス循環系の経路上において、前記フィルタの上流でかつ前記ドライガス循環経路の接続口の上流側および前記フィルタの下流でかつ前記ドライガス循環経路の接続口の下流の出口部に不活性ガス循環経路を遮断する弁を新たに設けることにより、前記ドライガスが露光装置本体に到達することを防止することが好ましい。不活性ガス循環経路を遮断する弁を設けた場合、チャンバ内メンテナンス時もフィルタに大気を接触させることなく復帰および立ち上げ時間を短縮できるという効果もある。
In addition, it is preferable that a drain discharge port is provided in the cooler part of the filter drying function so that the moisture absorbed by the filter part can be discharged to the outside. The filter dry function preferably has an inert gas supply port and an inert gas discharge port, and can maintain the concentration of the inert gas inside by injecting a high purity inert gas. Further, it is preferable that the inert gas outlet is also used as the drain outlet.
In addition, on the path of the inert gas circulation system, upstream of the filter and upstream of the connection port of the dry gas circulation path, downstream of the filter and downstream of the connection port of the dry gas circulation path. It is preferable to prevent the dry gas from reaching the exposure apparatus main body by newly providing a valve for blocking the inert gas circulation path. Providing a valve that shuts off the inert gas circulation path also has the effect of reducing the return and startup time without contacting the filter with the atmosphere even during maintenance in the chamber.

該フィルタドライ機能は、前記不活性ガス循環系を構成する送風機、冷却器および加熱器を用いて実現することもできる。例えば、前記チャンバをバイパスするバイパス経路を新たに設け、前記バイパス経路および前記チャンバの各入口部および各出口部に遮断弁を設け、チャンバとバイパスの経路切替を行う。また、不活性ガスを前記循環系に供給する供給弁、および前記循環系に不活性ガスを排出する排出弁を、前記排出弁は前記冷却器部に設け、前記冷却器で生じる結露水の排出も行い、前記供給弁は前記チャンバおよび前記バイパス経路以外の循環系に少なくとも1つ以上設けることが好ましい。これにより、露光装置が元々備えている不活性ガス循環系の機器類にてドライガスを生成循環し、フィルタドライ機能を兼用させることができる。   The filter drying function can also be realized by using a blower, a cooler, and a heater constituting the inert gas circulation system. For example, a bypass path that bypasses the chamber is newly provided, and shut-off valves are provided in the bypass path and each inlet and outlet of the chamber, thereby switching between the chamber and the bypass. Further, a supply valve for supplying an inert gas to the circulation system, and a discharge valve for discharging the inert gas to the circulation system, the discharge valve is provided in the cooler section, and the condensed water generated in the cooler is discharged. It is preferable that at least one supply valve is provided in the circulation system other than the chamber and the bypass path. Accordingly, the dry gas can be generated and circulated by the inert gas circulation system equipment originally provided in the exposure apparatus, and the filter dry function can also be used.

以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明する。
[第1の実施例]
図1は、本発明の第1の実施例に係る露光装置の概念図である。同図の露光装置は、図3に示す従来例に対し、ドライガス生成装置25を設け、このドライガス生成装置25をフィルタ11の上流側および下流側にそれぞれ排気ダクト23および供給ダクト24を介して接続したものである。
すなわち、図1の露光装置では、露光装置本体内部のウエハ空間1およびレチクル空間2をチャンバ3で囲み、チャンバ3内部を密閉空間とする。各空間には温調ガス吹出し部4および回収部5が設けられている。前記チャンバ3に温調およびコンタミ除去された不活性ガスを循環させるために、循環装置6が設置され、チャンバ3の吹出し部4と回収部5にそれぞれ供給ダクト7とリターンダクト8を介して接続される。循環装置6は、不活性ガスの流れ方向に冷却器9、送風機10、フィルタ11、加熱器12の順に配置された内部機器を備える。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples.
[First embodiment]
FIG. 1 is a conceptual view of an exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention. The exposure apparatus shown in FIG. 6 is provided with a dry gas generation device 25 in contrast to the conventional example shown in FIG. Connected.
That is, in the exposure apparatus of FIG. 1, the wafer space 1 and the reticle space 2 inside the exposure apparatus main body are surrounded by the chamber 3, and the inside of the chamber 3 is a sealed space. Each space is provided with a temperature control gas blowing section 4 and a recovery section 5. In order to circulate the temperature-controlled and contaminated inert gas in the chamber 3, a circulation device 6 is installed and connected to the blow-out part 4 and the recovery part 5 of the chamber 3 via a supply duct 7 and a return duct 8, respectively. Is done. The circulation device 6 includes internal devices arranged in the order of the cooler 9, the blower 10, the filter 11, and the heater 12 in the flow direction of the inert gas.

不活性ガスの循環装置6の内部に備えられたフィルタ11の上流側および下流側に、新たにドライガス排気口21およびドライガス給気口22を設ける。また、ドライガス排気口21およびドライガス給気口22に其々排気ダクト23および給気ダクト24を設け、ドライガス生成装置25と接続する。これにより、フィルタ11とドライガス生成装置25間を循環するドライガス循環経路ができる。通常の不活性ガス循環時にフィルタ11をバイパスする経路ができることを防ぐため、該ドライガス循環経路上には少なくとも1つ遮断弁26を設ける。   A dry gas exhaust port 21 and a dry gas supply port 22 are newly provided upstream and downstream of the filter 11 provided inside the inert gas circulation device 6. Further, an exhaust duct 23 and an air supply duct 24 are provided at the dry gas exhaust port 21 and the dry gas supply port 22, respectively, and are connected to the dry gas generation device 25. As a result, a dry gas circulation path that circulates between the filter 11 and the dry gas generator 25 is formed. In order to prevent a path bypassing the filter 11 during normal inert gas circulation, at least one shutoff valve 26 is provided on the dry gas circulation path.

また、不活性ガス循環系の経路上においても、前記フィルタ11の上流でかつ前記ドライガス排気口21の上流側に遮断弁27を、さらに前記フィルタ11の下流でかつ前記ドライガス給気口2の下流側に遮断弁28を設け、通常の不活性ガス循環時は遮断弁27および遮断弁28を開状態とするが、フィルタドライ時は遮断弁27および遮断弁28を閉状態とし不活性ガスの循環経路を閉鎖し、高温のドライガスの本体への進入を防ぐ。   Also on the path of the inert gas circulation system, a shutoff valve 27 is provided upstream of the filter 11 and upstream of the dry gas exhaust port 21, and further downstream of the filter 11 and the dry gas supply port 2. A shut-off valve 28 is provided on the downstream side of the valve, and the shut-off valve 27 and the shut-off valve 28 are opened during normal inert gas circulation. The circulation path is closed to prevent the hot dry gas from entering the main body.

前記ドライガス生成装置25は、流れ方向にドライガス冷却器29、ドライガス送風機30、ドライガス加熱器31の順に配置された内部機器を備える。また、該ドライガス冷却器29部にはドレン排出弁32が設けられている。
また、前記ドライガス生成装置25は、さらに不活性ガス供給口33および不活性ガス排出口34を有し、不活性ガスを注入および排出できる構造とする。
さらにフィルタ11部の温度を検知する温度センサ35およびその検知温度に応じてドライガス加熱器31への出力を調節する温調器36を有し、フィルタ部を温調できる構造とする。
The dry gas generator 25 includes internal devices arranged in the order of a dry gas cooler 29, a dry gas blower 30, and a dry gas heater 31 in the flow direction. Further, a drain discharge valve 32 is provided in the dry gas cooler 29 portion.
The dry gas generating device 25 further has an inert gas supply port 33 and an inert gas discharge port 34, and has a structure in which an inert gas can be injected and discharged.
Furthermore, it has a temperature sensor 35 for detecting the temperature of the filter 11 part and a temperature controller 36 for adjusting the output to the dry gas heater 31 according to the detected temperature, so that the temperature of the filter part can be adjusted.

本実施例におけるフィルタドライの方法について述べる。
フィルタドライを行う場合は、遮断弁27および遮断弁28を閉じて不活性ガス循環経路を遮断し、かつ遮断弁26も閉じた状態とし、不活性ガス供給口33から高純度の不活性ガスを注入し、かつ不活性ガス排出口34からガスを排出させて閉空間を不活性ガスで置換する。不活性ガス置換後、遮断弁26を開けドライガス循環経路を開通させる。不活性ガス供給口33からの不活性ガスパージを行いながらドライガス送風機30を駆動させ循環を行う。
A filter drying method in this embodiment will be described.
When performing filter drying, the shut-off valve 27 and the shut-off valve 28 are closed to shut off the inert gas circulation path and the shut-off valve 26 is also closed, and high-purity inert gas is supplied from the inert gas supply port 33. The gas is discharged from the inert gas outlet 34 and the closed space is replaced with the inert gas. After the inert gas replacement, the shutoff valve 26 is opened to open the dry gas circulation path. The dry gas blower 30 is driven and circulated while purging the inert gas from the inert gas supply port 33.

循環ガスは、ドライガス冷却器29で冷却され、循環ガスの冷却温度での過飽和分の水分を結露させることによりドライガスとなりドライガス加熱器31へ供給される。ドライガス加熱器31で加熱温調されたドライガスは、さらなる高い水分吸収能を有したドライガスとなりフィルタ部へ供給される。
このとき温度センサ35にてフィルタ部の温度が所定の温度になるように温調器36によりドライガス加熱器31の出力を制御する。設定温度はドライ性能上110℃ぐらいが好ましいが、フィルタ11の耐熱上限が110℃以下の場合耐熱温度が設定される。
The circulating gas is cooled by the dry gas cooler 29 and is dehydrated by dehydrating the supersaturated water at the cooling temperature of the circulating gas, and is supplied to the dry gas heater 31. The dry gas whose temperature is adjusted by the dry gas heater 31 becomes a dry gas having a higher moisture absorption capacity and is supplied to the filter unit.
At this time, the temperature sensor 36 controls the output of the dry gas heater 31 so that the temperature of the filter unit becomes a predetermined temperature. The set temperature is preferably about 110 ° C. in terms of dry performance, but when the upper limit of heat resistance of the filter 11 is 110 ° C. or less, the heat resistant temperature is set.

ドライガスは、フィルタ11を通過するときにフィルタ11が含んでいる水分を最大でドライガス加熱器31の加熱温度の飽和状態に達するまでの量を吸収し、ドライガス冷却器29へ循環される。
フィルタ内の水分は、ドライガス冷却器29で結露しドレン排出弁32より排出される。
ここでドレン排出弁32と不活性ガス排出口34を兼用させるとさらに好適である。
When the dry gas passes through the filter 11, the dry gas absorbs a maximum amount of moisture contained in the filter 11 until reaching the saturation state of the heating temperature of the dry gas heater 31, and is circulated to the dry gas cooler 29. .
Water in the filter is condensed by the dry gas cooler 29 and discharged from the drain discharge valve 32.
Here, it is more preferable that the drain discharge valve 32 and the inert gas discharge port 34 are combined.

また、本実施例では不活性ガス循環時の気流の流れ方向とフィルタドライ時のドライガスの流れ方向は逆方向であるが、本発明は流れ方向を限定するものではない。従って、不活性ガス循環時の気流の流れ方向とフィルタドライ時のドライガスの流れ方向が同一の場合も本発明に含まれる。   In this embodiment, the flow direction of the air flow during the circulation of the inert gas is opposite to the flow direction of the dry gas during the filter drying, but the present invention does not limit the flow direction. Therefore, the present invention includes the case where the flow direction of the air flow during the circulation of the inert gas is the same as the flow direction of the dry gas during the filter drying.

本実施例によれば、高い水分吸収能を有したドライガスの生成によりフィルタドライの所要時間の短縮化が図れ、また循環を行うことによりドライガスを再利用することから不活性ガスの消費を低減することができる。   According to this embodiment, it is possible to reduce the time required for filter drying by generating dry gas having a high water absorption capacity, and to recycle dry gas by circulation, thereby reducing the consumption of inert gas. Can be reduced.

また、フィルタドライを終了する場合、ドライガス加熱器31をオフすることで素早くドライガス循環系をドライガス冷却器29にて冷却することができ、冷却待ち時間の短縮化を図ることができる。
また、フィルタドライから通常の不活性ガス循環への切り替えを行う場合、ドライガス循環系を不活性ガス循環状態と同じ温度設定で温調循環させてから遮断弁26を閉じてドライガスの循環を止めることにより、遮断弁27および遮断弁28を開けたときの温度差による圧力変動を小さくすることができる。
さらに、チャンバ内メンテナンス時は、遮断弁27および遮断弁28を閉状態とすることにより、フィルタに大気を接触させることなくメンテナンスを実施することができ、フィルタの湿気吸収を少なくすることができるので、不活性ガス循環の復帰または立ち上げ時間を短縮することができる。
Further, when the filter drying is finished, the dry gas circulation system can be quickly cooled by the dry gas cooler 29 by turning off the dry gas heater 31, and the cooling waiting time can be shortened.
Also, when switching from filter drying to normal inert gas circulation, the dry gas circulation system is temperature-controlled circulation at the same temperature setting as the inert gas circulation state, and then the shutoff valve 26 is closed to circulate the dry gas. By stopping, the pressure fluctuation due to the temperature difference when the shut-off valve 27 and the shut-off valve 28 are opened can be reduced.
Further, during maintenance in the chamber, by closing the shut-off valve 27 and the shut-off valve 28, maintenance can be performed without bringing the filter into contact with the atmosphere, and moisture absorption of the filter can be reduced. In addition, the return or startup time of the inert gas circulation can be shortened.

[第2の実施例]
図2は、本発明の第2の実施例に係る露光装置の概念図である。前述した図3に示す従来例および図1に示す第1の実施例と共通する部分は同じ番号で示している。図2の装置は、機能としては前記第1の実施例と同じであるが、ドライガスの生成および循環を専用の生成装置を用いずに不活性ガスの循環装置6を兼用して行うところが前記第1の実施例と異なる。なお、加熱したガスが直接フィルタ11に供給されるように、第1の実施例とはフィルタ11と加熱器12との順序を入れ替えてある。
[Second Embodiment]
FIG. 2 is a conceptual view of an exposure apparatus according to the second embodiment of the present invention. Parts common to the above-described conventional example shown in FIG. 3 and the first embodiment shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. The apparatus of FIG. 2 has the same function as that of the first embodiment, but the dry gas is generated and circulated using the inert gas circulator 6 without using a dedicated generator. Different from the first embodiment. Note that the order of the filter 11 and the heater 12 is changed from that of the first embodiment so that the heated gas is directly supplied to the filter 11.

図2に示すように、露光装置本体内部のウエハ空間1およびレチクル空間2をチャンバ3で囲み、チャンバ3内部を密閉空間とする。各空間には温調ガス吹出し部4および回収部5が設けられている。前記チャンバ3に温調およびコンタミ除去された不活性ガスを循環させるために、循環装置6が設置され、供給ダクト7を介して吹出し部4に、そしてリターンダクト8を介して回収部5にそれぞれ接続される。
循環装置6は、不活性ガスの流れ方向に冷却器9、送風機10、加熱器12およびフィルタ11の順に配置された内部機器を備える。
As shown in FIG. 2, the wafer space 1 and the reticle space 2 inside the exposure apparatus main body are surrounded by a chamber 3, and the inside of the chamber 3 is a sealed space. Each space is provided with a temperature control gas blowing section 4 and a recovery section 5. In order to circulate the temperature-controlled and contaminated inert gas in the chamber 3, a circulation device 6 is installed, to the blow-out unit 4 through the supply duct 7, and to the recovery unit 5 through the return duct 8. Connected.
The circulation device 6 includes internal devices arranged in the order of the cooler 9, the blower 10, the heater 12, and the filter 11 in the flow direction of the inert gas.

前記供給ダクト7および前記リターンダクト8間を連通させチャンバ3をバイパスするバイパス経路37を新たに設け、該バイパス経路37上にバイパス経路37を遮断するバイパス経路遮断弁38を設ける。また、さらに前記バイパス経路37と供給ダクト7およびリターンダクト8との接合部とチャンバ3の間にチャンバ3への循環経路を遮断するチャンバ経路遮断弁39を各々に設ける。   A bypass path 37 for newly connecting the supply duct 7 and the return duct 8 to bypass the chamber 3 is newly provided, and a bypass path cutoff valve 38 for blocking the bypass path 37 is provided on the bypass path 37. Further, a chamber path shut-off valve 39 that shuts off the circulation path to the chamber 3 is provided between the chamber 3 and the junction between the bypass path 37 and the supply duct 7 and the return duct 8.

前記循環装置6は、内部機器である冷却器9部にはドレン排出口32が設けられ、またさらに不活性ガス供給口33および不活性ガス排出口34を有し、不活性ガスを注入および排出できる構造とする。さらにフィルタ部の温度を検知する温度センサ35を有し、フィルタ部を温調できる構造とする。   The circulation device 6 is provided with a drain discharge port 32 in the cooler 9 part which is an internal device, and further has an inert gas supply port 33 and an inert gas discharge port 34 to inject and discharge the inert gas. A structure that can be used. Furthermore, it has the temperature sensor 35 which detects the temperature of a filter part, and sets it as the structure which can temperature-control a filter part.

本実施例におけるフィルタドライの方法について述べる。
フィルタドライを行う場合は、チャンバ経路遮断弁39を閉じバイパス経路遮断弁38を開け、チャンバ3への循環経路を遮断しバイパス経路37を開通させた状態とする。この状態で、不活性ガス供給口33から高純度の不活性ガスを注入するとともに不活性ガス排出口34から排出させ、バイパス経路37および循環装置からなる閉空間を不活性ガスで置換(パージ)する。不活性ガス置換後、不活性ガス供給口33からの不活性ガスパージを行いながら送風機10を駆動させ循環を行う。
A filter drying method in this embodiment will be described.
When performing filter drying, the chamber path shut-off valve 39 is closed and the bypass path shut-off valve 38 is opened so that the circulation path to the chamber 3 is shut off and the bypass path 37 is opened. In this state, high-purity inert gas is injected from the inert gas supply port 33 and discharged from the inert gas discharge port 34, and the closed space formed by the bypass path 37 and the circulation device is replaced (purged) with the inert gas. To do. After the inert gas replacement, the blower 10 is driven and circulated while purging the inert gas from the inert gas supply port 33.

循環ガスは、冷却器9で冷却され、循環ガスの冷却温度での過飽和分の水分を結露させることによりドライガスとなり加熱器12へ供給される。加熱器12で過熱温調されたドライガスは、さらなる高い水分吸収能を有したドライガスとなりフィルタ部へ供給される。このとき温度センサ35にてフィルタ部の温度が所定の温度になるように温調器17により加熱器12の出力を制御する。ここで温調器17は、2系統の温度センサ用の入力を有し、通常の不活性ガス循環時は温度センサ16からの信号を、フィルタドライ時は温度センサ35からの信号を入力できる入力切替機能を有し、かつ不活性ガス循環時とフィルタドライ時と別々の温度設定が行える機能を有する構造とする。
フィルタドライ時の設定温度はドライ性能上110℃ぐらいが好ましいが、フィルタの耐熱上限が110℃以下の場合耐熱温度が設定される。
The circulating gas is cooled by the cooler 9 and dehydrated by the supersaturated water at the cooling temperature of the circulating gas, thereby becoming dry gas and supplied to the heater 12. The dry gas whose temperature is superheated by the heater 12 becomes a dry gas having a higher moisture absorption capacity and is supplied to the filter unit. At this time, the temperature controller 17 controls the output of the heater 12 so that the temperature of the filter unit becomes a predetermined temperature. Here, the temperature controller 17 has inputs for two temperature sensors, and can input a signal from the temperature sensor 16 during normal inert gas circulation and a signal from the temperature sensor 35 during filter drying. A structure having a switching function and a function capable of setting different temperatures when the inert gas is circulated and when the filter is dried is used.
The set temperature at the time of filter drying is preferably about 110 ° C. in view of the dry performance.

ドライガスは、フィルタ11を通過するときにフィルタ11が含んでいる水分を最大で加熱器12の加熱温度の飽和状態に達するまでの量を吸収し、冷却器9へ循環される。フィルタ内の水分は、ドライガス冷却器29で結露しドレン排出口12より排出される。ここでドレン排出口12と不活性ガス排出口34を兼用させるとさらに好適である。   When the dry gas passes through the filter 11, the dry gas absorbs the amount of moisture contained in the filter 11 up to the saturation state of the heating temperature of the heater 12 and is circulated to the cooler 9. Water in the filter is condensed by the dry gas cooler 29 and discharged from the drain outlet 12. Here, it is more preferable that the drain discharge port 12 and the inert gas discharge port 34 are combined.

フィルタドライ時は前述したようにチャンバ経路遮断弁39を閉じているため、露光装置本体ならびにチャンバ3に高温のドライガスが流入することはない。さらなる熱影響を考慮するならば、バイパス経路37およびチャンバ経路遮断弁39の設置位置は極力露光装置本体およびチャンバ3から遠ざけることが好ましい。
また、循環装置6内の送風機10は、通常の不活性ガス循環時とフィルタドライ時各々の最適な風量が設定できるように、インバーター等の不図示の風量調整機能を備えることが好ましい。
When the filter is dry, the chamber path shut-off valve 39 is closed as described above, so that high-temperature dry gas does not flow into the exposure apparatus main body and the chamber 3. In consideration of further thermal effects, it is preferable that the installation positions of the bypass path 37 and the chamber path shut-off valve 39 be as far as possible from the exposure apparatus main body and the chamber 3.
Moreover, it is preferable that the air blower 10 in the circulation device 6 is provided with an air volume adjustment function (not shown) such as an inverter so that an optimum air volume can be set for each of normal inert gas circulation and filter drying.

本実施例によれば、第1の実施例と同様の機能を通常の不活性ガス循環時に使用する機器類を兼用することで実現できるため、装置の省スペース化およびコストダウン等のメリットがさらに付加される。   According to the present embodiment, the same function as that of the first embodiment can be realized by combining the devices used during the normal inert gas circulation, so that there are further advantages such as space saving and cost reduction of the apparatus. Added.

[第3の実施例]
次に、この露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。
図4は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスクを製作する。
一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクを設置した露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ7でこれを出荷する。
[Third embodiment]
Next, a semiconductor device manufacturing process using this exposure apparatus will be described.
FIG. 4 shows a flow of manufacturing a microdevice (a semiconductor chip such as an IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micromachine, etc.).
In step 1 (circuit design), a semiconductor device circuit is designed. In step 2 (mask production), a mask on which the designed pattern is formed is produced.
On the other hand, in step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the wafer and the exposure apparatus provided with the prepared mask. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process for forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and is an assembly process (dicing, bonding), packaging process (chip encapsulation), etc. Process. In step 6 (inspection), the semiconductor device manufactured in step 5 undergoes inspections such as an operation confirmation test and a durability test. A semiconductor device is completed through these processes, and is shipped in Step 7.

上記ステップ4のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するCVDステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに焼付露光する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。   The wafer process in step 4 includes the following steps. An oxidation step for oxidizing the surface of the wafer, a CVD step for forming an insulating film on the wafer surface, an electrode formation step for forming electrodes on the wafer by vapor deposition, an ion implantation step for implanting ions on the wafer, and applying a photosensitive agent to the wafer The resist processing step, the exposure step for printing and exposing the circuit pattern onto the wafer after the resist processing step by the above-described exposure apparatus, the development step for developing the wafer exposed in the exposure step, and the etching for removing portions other than the resist image developed in the development step Step, resist stripping step to remove resist that is no longer needed after etching. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

本発明の第1の実施例に係る露光装置の概略図である。1 is a schematic view of an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施例に係る露光装置の概略図である。It is the schematic of the exposure apparatus which concerns on the 2nd Example of this invention. 従来の技術の説明図である。It is explanatory drawing of a prior art. デバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。It is a figure explaining the flow of the manufacturing process of a device.

符号の説明Explanation of symbols

1:ウエハ空間
2:レチクル空間
3:チャンバ
4:温調ガス吹出し部
5:回収部
6:循環装置
7:供給ダクト
8:リターンダクト
9:冷却器
10:送風機
11:フィルタ
12:加熱器
13:不活性ガス注入弁
14:排出弁
15:絞り弁
16:温度センサ
17:温調器
21:ドライガス排気口
22:ドライガス給気口
23:排気ダクト
24:供給ダクト
25:ドライガス生成装置
26:遮断弁
27:遮断弁
28:遮断弁
29:ドライガス冷却器
30:ドライガス送風機
31:ドライガス加熱器
32:ドレン排出弁
33:不活性ガス供給口
34:不活性ガス排出口
35:温度センサ
36:温調器
37:バイパス経路
38:バイパス経路遮断弁
39:チャンバ経路遮断弁
1: Wafer Space 2: Reticle Space 3: Chamber 4: Temperature Control Gas Blowout Unit 5: Recovery Unit 6: Circulation Device 7: Supply Duct 8: Return Duct 9: Cooler 10: Blower 11: Filter 12: Heater 13: Inert gas injection valve 14: Discharge valve 15: Throttle valve 16: Temperature sensor 17: Temperature controller 21: Dry gas exhaust port 22: Dry gas supply port 23: Exhaust duct 24: Supply duct 25: Dry gas generator 26 : Shut-off valve 27: Shut-off valve 28: Shut-off valve 29: Dry gas cooler 30: Dry gas blower 31: Dry gas heater 32: Drain discharge valve 33: Inert gas supply port 34: Inert gas discharge port 35: Temperature Sensor 36: Temperature controller 37: Bypass path 38: Bypass path shut-off valve 39: Chamber path shut-off valve

Claims (9)

露光装置本体の少なくとも一部を隔離するチャンバと、該チャンバに不活性ガスを循環させる送風機と、該不活性ガスを清浄化するフィルタとを有する露光装置において、
ドライガスを生成し、前記チャンバを経由することなく前記フィルタを介して前記ドライガスを循環させるフィルタドライ手段を設けたことを特徴とする露光装置。
In an exposure apparatus having a chamber that isolates at least a part of an exposure apparatus main body, a blower that circulates an inert gas in the chamber, and a filter that cleans the inert gas.
An exposure apparatus comprising: a filter drying unit that generates dry gas and circulates the dry gas through the filter without passing through the chamber.
前記フィルタドライ手段は、前記フィルタを介して前記ドライガスを循環させる送風機と、前記フィルタを通過したガスを冷却する冷却器と、冷却したガスを加熱する加熱器とを備えることを特徴とする請求項1記載の露光装置。   The filter drying means includes a blower that circulates the dry gas through the filter, a cooler that cools the gas that has passed through the filter, and a heater that heats the cooled gas. Item 2. The exposure apparatus according to Item 1. 前記フィルタドライ手段の送風機、冷却器および加熱器の少なくとも1つとして、前記不活性ガス循環系のものを兼用したことを特徴とする請求項2記載の露光装置。   3. An exposure apparatus according to claim 2, wherein the inert gas circulation system is also used as at least one of a blower, a cooler and a heater of the filter drying means. 前記フィルタドライ手段は、前記チャンバの入口部および出口部に前記不活性ガス循環経路を遮断する弁を備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the filter drying unit includes a valve that blocks the inert gas circulation path at an inlet and an outlet of the chamber. 前記フィルタドライ手段は、前記チャンバをバイパスする経路と、ガス循環経路を前記チャンバ側とバイパス経路側とに切り替える弁を備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の露光装置。   The exposure according to claim 1, wherein the filter drying unit includes a path that bypasses the chamber and a valve that switches a gas circulation path between the chamber side and the bypass path side. apparatus. 前記フィルタドライ手段は、前記フィルタ部の温度を検知する温度センサと、該温度センサの出力に基づいて前記ドライガスを温調する手段とを備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の露光装置。   The said filter drying means is provided with the temperature sensor which detects the temperature of the said filter part, and the means which temperature-controls the said dry gas based on the output of this temperature sensor, The any one of Claims 1-5 characterized by the above-mentioned. The exposure apparatus according to one. 前記ドライガスが、前記不活性ガスであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the dry gas is the inert gas. 前記フィルタドライ手段は、ドライガスをドライガス循環系に供給する供給弁と、該循環系からガスを排出する排出弁とを有し、該排出弁を前記冷却器部分に配置され、該排出弁を介して前記冷却器で生じる結露水の排出が可能であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の露光装置。   The filter drying means has a supply valve that supplies dry gas to a dry gas circulation system, and a discharge valve that discharges gas from the circulation system, and the discharge valve is disposed in the cooler portion, and the discharge valve The exposure apparatus according to claim 1, wherein the condensed water generated in the cooler can be discharged through the exposure apparatus. 請求項1〜8のいずれか1つに記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、露光された基板を現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。   A device manufacturing method, comprising: a step of exposing a substrate using the exposure apparatus according to claim 1; and a step of developing the exposed substrate.
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JP5982046B1 (en) * 2015-08-31 2016-08-31 株式会社ソディック Additive manufacturing equipment

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008300702A (en) * 2007-05-31 2008-12-11 Canon Inc Alignment system, and device manufacturing method
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