JP2006036923A - ブロック共重合体−クレイナノコンポジットの高配向膜およびその製造方法 - Google Patents

ブロック共重合体−クレイナノコンポジットの高配向膜およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006036923A
JP2006036923A JP2004218865A JP2004218865A JP2006036923A JP 2006036923 A JP2006036923 A JP 2006036923A JP 2004218865 A JP2004218865 A JP 2004218865A JP 2004218865 A JP2004218865 A JP 2004218865A JP 2006036923 A JP2006036923 A JP 2006036923A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
block copolymer
clay
film
peo
highly oriented
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004218865A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4389055B2 (ja
Inventor
Akira Kaido
彰 海藤
Yongjin Li
ヨングジン リー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST filed Critical National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority to JP2004218865A priority Critical patent/JP4389055B2/ja
Publication of JP2006036923A publication Critical patent/JP2006036923A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4389055B2 publication Critical patent/JP4389055B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

【課題】 ブロック共重合体にクレイを複合化して、クレイとナノドメインを高秩序に配列制御することにより新規な秩序構造を有するフィルム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
ラメラ構造を有するポリ(エチレンオキシド−スチレン)ブロック共重合体(PEO-b-PS)−クレイナノコンポジットからなり、
1.Mw/Mn= 1.1以下、 PEO/PS = 65/35〜35/65(重量比)でラメラ構造を形成し、
2.ブロック共重合体のラメラがフィルム面に高度に配向し、
3.ラメラ構造の中でPEOの結晶が高度に配向し、
4.クレイの重量分率:2〜20%
5.クレイの層間にブロック共重合体がインターカレートしていることを特徴とする高配向フィルム及びその製造方法。

【採用図面】 図1

Description

本発明は、ブロック共重合体−クレイナノコンポジットによる、新規な性状を有する配向フィルム、及びその製造方法に関する。
従来、せん断流動、電場、ゾーン熱処理などにより、高配向膜を作製することが知られている。また、低分子量のPEO-b-PS(PEOブロックおよびPSブロックのMn、それぞれ8,700および9,200)の結晶化による結晶配向に関する報告がある(非特許文献1)。
Zhu etal., J. Am. Chem. Soc., 2000, 122, 5957.
ブロック共重合体は、数十ナノメートルのナノ構造を形成するが、機能材料として利用する場合には、ナノ構造の配列制御と脆さの克服が課題である。本発明は、ブロック共重合体にクレイを複合化して、クレイとナノドメインを高秩序に配列制御することにより新規な秩序構造を有するフィルムを作成する。
上記目的を達成するために本発明は、
ラメラ構造を有するポリ(エチレンオキシド−スチレン)ブロック共重合体(PEO-b-PS)−クレイナノコンポジットからなり、
1.Mw/Mn= 1.1以下、 PEO/PS = 65/35〜35/65(重量比)でラメラ構造を形成し、
2.ブロック共重合体のラメラがフィルム面に高度に配向し、
3.ラメラ構造の中でPEOの結晶が高度に配向し、
4.クレイの重量分率:2〜20%
5.クレイの層間にブロック共重合体がインターカレートしていることを特徴とする高配向フィルムとする。
また、本発明の高配向フィルムは、ブロック共重合体のラメラとクレイの層がフィルム面に平行に配向し、かつ、ブロック共重合体の両成分にクレイを存在させることができる。
さらに、本発明は、Mw/Mn = 1.1以下、 PEO/PS =
65/35〜35/65(重量比)でラメラ構造を有する分子量(Mn)30,000以上のポリ(エチレンオキシド−スチレン)ブロック共重合体を作成し、ブロック共重合体とクレイを溶液中で均一分散し、溶媒を徐々に蒸発することによりキャスト膜を作製し、さらに、フィルムを真空下、高温で長時間熱処理することを特徴とするPEO-b-PS−クレイナノコンポジットフィルムの製造方法でもある。
クレイとブロック共重合体を配列制御する温度は、160〜200℃であり、時間は10時間以上必要である。
本発明は、ブロック共重合体のナノドメインの利用に向けた基盤技術でもあり、
ガスバリア膜などの機能性プラスチックフィルムとして広範な用途に応用可能である。
本発明の高配向フィルムに用いるラメラ構造を有するポリ(エチレンオキシド−スチレン)ブロック共重合体(PEO-b-PS)は、少なくとも数平均分子量(Mn)が約30,000以上のもの、好ましくは50,000以上であり、かつ、ラメラ構造を有するポリ(エチレンオキシド−スチレン)ブロック共重合体(PEO-b-PS)であって、
1.Mw/Mn= 1.1以下、 PEO/PS = 65/35〜35/65(重量比)でラメラ構造を形成し、
2.ブロック共重合体のラメラがフィルム面に高度に配向し、かつ、
3.ラメラ構造の中でPEOの結晶が高度に配向したことを特徴とする。
また、本発明で用いるクレイは、代表的には有機化クレーであるが、これは、クレーをアルキルアンモニウム塩と反応させて得たものであり、好ましく用いることが出来る。
本発明の高配向フィルムは、Mw/Mn = 1.1以下、 PEO/PS = 65/35〜35/65(重量比)でラメラ構造を有する数平均分子量(Mn)が少なくとも30,000以上、好ましくは50,000以上のポリ(エチレンオキシド−スチレン)ブロック共重合体を真空下、160〜200℃の温度で10時間以上熱処理することにより得られる。
本発明は、ブロック共重合体とクレイを溶液中で均一分散し、溶媒を徐々に蒸発することによりキャスト膜を作製するが、ここで用いる溶媒としては、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、テトラヒドロフラン、クロロホルムなどが挙げられる。
本発明について実施例を用いてさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
(PEO-b-PS)−クレイナノコンポジットの製造)
PEO-b-PS (PEOの数平均分子量:71,000 PSの数平均分子量:58,600、Mw/Mn = 1.04)と有機化クレーを60℃、5%トルエン溶液中で、48時間攪拌することにより、透明な溶液を作製した。溶液をテフロン(登録商標)シート上にキャストし、室温で徐々に溶媒を蒸発させた後、さらにフィルムを加圧下、180℃で、18時間熱処理した。
(PEO-b-PS)−クレイナノコンポジットの構造解析)
広角X線回折(WAXD)、小角X線散乱(SAXS)、透過型電子顕微鏡(TEM)などにより試料の構造を解析した。
広角X線回折(WAXD)、小角X線散乱(SAXS)、透過型電子顕微鏡(TEM)などにより試料の構造を解析した。SAXSとTEMによるとクレーを含まないブロック共重合体は、60nm周期のラメラ構造(PEO層とPS層の厚さ、それぞれ31nmと29nm)を形成している。PEO-b-PS/クレーナノコンポジットのSAXSパターンは、PEO-b-PSのSAXSパターンとほぼ同様で、ナノコンポジットにおいてもラメラ構造が保たれ、かつラメラがフィルム面に平行に配向していることが示された。シリケート層の配向を調べるために、反射法と透過法によりWAXDプロフィールを測定し図1に示した。
反射法で測定したプロフィールには、00l反射が観測されているが、透過法では観測されていない。この結果は、シリケート層が、ブロック共重合体のラメラ構造と同じく、フィルム面に平行に配向していることを示している。また、有機化クレー自身は、2q=4.0°に鋭い反射を示すが、PEO-b-PS/クレーナノコンポジットでは、対応する反射が
2q=1.85°へシフトし、ブロック共重合体がクレーの層間にインターカレートされていることを示している。
以上のように、ブロック共重合体がクレーの層間に挿入し、ブロック共重合体のラメラ構造とシリケート層がいずれもフィルム面に平行に配向していることが明らかになった。
本発明のラメラ構造を有するポリ(エチレンオキシド−スチレン)ブロック共重合体(PEO-b-PS)−クレイナノコンポジットは、ガスバリア膜などの機能性プラスチックフィルムとして広範な用途に応用可能であるばかりか、特有のナノ構造に基づく物理特性を発揮する特殊機能膜としての用途が期待できる。
反射法と透過法によりWAXDプロフィール

Claims (3)

  1. ラメラ構造を有するポリ(エチレンオキシド−スチレン)ブロック共重合体(PEO-b-PS)−クレイナノコンポジットからなり、
    1.Mw/Mn= 1.1以下、 PEO/PS = 65/35〜35/65(重量比)でラメラ構造を形成し、
    2.ブロック共重合体のラメラがフィルム面に高度に配向し、
    3.ラメラ構造の中でPEOの結晶が高度に配向し、
    4.クレイの重量分率:2〜20%
    5.クレイの層間にブロック共重合体がインターカレートしていることを特徴とする高配向フィルム。
  2. ブロック共重合体のラメラとクレイの層がフィルム面に平行に配向し、かつ、ブロック共重合体の両成分にクレイが存在することを特徴とする請求項1に記載した高配向フィルム。
  3. Mw/Mn = 1.1以下、 PEO/PS = 65/35〜35/65(重量比)でラメラ構造を有する分子量(Mn)30,000以上のポリ(エチレンオキシド−スチレン)ブロック共重合体を作成し、ブロック共重合体とクレイを溶液中で均一分散し、溶媒を徐々に蒸発することによりキャスト膜を作製し、さらに、フィルムを真空下、高温で長時間熱処理することを特徴とするPEO-b-PS−クレイナノコンポジットフィルムの製造方法。







JP2004218865A 2004-07-27 2004-07-27 ブロック共重合体−クレイナノコンポジットの高配向膜およびその製造方法 Expired - Fee Related JP4389055B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004218865A JP4389055B2 (ja) 2004-07-27 2004-07-27 ブロック共重合体−クレイナノコンポジットの高配向膜およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004218865A JP4389055B2 (ja) 2004-07-27 2004-07-27 ブロック共重合体−クレイナノコンポジットの高配向膜およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006036923A true JP2006036923A (ja) 2006-02-09
JP4389055B2 JP4389055B2 (ja) 2009-12-24

Family

ID=35902268

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004218865A Expired - Fee Related JP4389055B2 (ja) 2004-07-27 2004-07-27 ブロック共重合体−クレイナノコンポジットの高配向膜およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4389055B2 (ja)

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7935738B2 (en) 2007-12-05 2011-05-03 Industrial Technology Research Institute Transparent flexible film and fabrication method thereof
US8080615B2 (en) 2007-06-19 2011-12-20 Micron Technology, Inc. Crosslinkable graft polymer non-preferentially wetted by polystyrene and polyethylene oxide
US8083953B2 (en) 2007-03-06 2011-12-27 Micron Technology, Inc. Registered structure formation via the application of directed thermal energy to diblock copolymer films
US8101261B2 (en) 2008-02-13 2012-01-24 Micron Technology, Inc. One-dimensional arrays of block copolymer cylinders and applications thereof
US8114300B2 (en) 2008-04-21 2012-02-14 Micron Technology, Inc. Multi-layer method for formation of registered arrays of cylindrical pores in polymer films
US8114301B2 (en) 2008-05-02 2012-02-14 Micron Technology, Inc. Graphoepitaxial self-assembly of arrays of downward facing half-cylinders
US8283258B2 (en) 2007-08-16 2012-10-09 Micron Technology, Inc. Selective wet etching of hafnium aluminum oxide films
US8372295B2 (en) 2007-04-20 2013-02-12 Micron Technology, Inc. Extensions of self-assembled structures to increased dimensions via a “bootstrap” self-templating method
US8394483B2 (en) 2007-01-24 2013-03-12 Micron Technology, Inc. Two-dimensional arrays of holes with sub-lithographic diameters formed by block copolymer self-assembly
US8404124B2 (en) 2007-06-12 2013-03-26 Micron Technology, Inc. Alternating self-assembling morphologies of diblock copolymers controlled by variations in surfaces
US8425982B2 (en) 2008-03-21 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Methods of improving long range order in self-assembly of block copolymer films with ionic liquids
US8426313B2 (en) 2008-03-21 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Thermal anneal of block copolymer films with top interface constrained to wet both blocks with equal preference
US8450418B2 (en) 2010-08-20 2013-05-28 Micron Technology, Inc. Methods of forming block copolymers, and block copolymer compositions
US8551808B2 (en) 2007-06-21 2013-10-08 Micron Technology, Inc. Methods of patterning a substrate including multilayer antireflection coatings
US8557128B2 (en) 2007-03-22 2013-10-15 Micron Technology, Inc. Sub-10 nm line features via rapid graphoepitaxial self-assembly of amphiphilic monolayers
US8669645B2 (en) 2008-10-28 2014-03-11 Micron Technology, Inc. Semiconductor structures including polymer material permeated with metal oxide
US8900963B2 (en) 2011-11-02 2014-12-02 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor device structures, and related structures
US8956713B2 (en) 2007-04-18 2015-02-17 Micron Technology, Inc. Methods of forming a stamp and a stamp
US8999492B2 (en) 2008-02-05 2015-04-07 Micron Technology, Inc. Method to produce nanometer-sized features with directed assembly of block copolymers
US9087699B2 (en) 2012-10-05 2015-07-21 Micron Technology, Inc. Methods of forming an array of openings in a substrate, and related methods of forming a semiconductor device structure
US9177795B2 (en) 2013-09-27 2015-11-03 Micron Technology, Inc. Methods of forming nanostructures including metal oxides
US9229328B2 (en) 2013-05-02 2016-01-05 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor device structures, and related semiconductor device structures

Cited By (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8512846B2 (en) 2007-01-24 2013-08-20 Micron Technology, Inc. Two-dimensional arrays of holes with sub-lithographic diameters formed by block copolymer self-assembly
US8394483B2 (en) 2007-01-24 2013-03-12 Micron Technology, Inc. Two-dimensional arrays of holes with sub-lithographic diameters formed by block copolymer self-assembly
US8753738B2 (en) 2007-03-06 2014-06-17 Micron Technology, Inc. Registered structure formation via the application of directed thermal energy to diblock copolymer films
US8083953B2 (en) 2007-03-06 2011-12-27 Micron Technology, Inc. Registered structure formation via the application of directed thermal energy to diblock copolymer films
US8409449B2 (en) 2007-03-06 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Registered structure formation via the application of directed thermal energy to diblock copolymer films
US8801894B2 (en) 2007-03-22 2014-08-12 Micron Technology, Inc. Sub-10 NM line features via rapid graphoepitaxial self-assembly of amphiphilic monolayers
US8557128B2 (en) 2007-03-22 2013-10-15 Micron Technology, Inc. Sub-10 nm line features via rapid graphoepitaxial self-assembly of amphiphilic monolayers
US8784974B2 (en) 2007-03-22 2014-07-22 Micron Technology, Inc. Sub-10 NM line features via rapid graphoepitaxial self-assembly of amphiphilic monolayers
US8956713B2 (en) 2007-04-18 2015-02-17 Micron Technology, Inc. Methods of forming a stamp and a stamp
US9768021B2 (en) 2007-04-18 2017-09-19 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor device structures including metal oxide structures
US9276059B2 (en) 2007-04-18 2016-03-01 Micron Technology, Inc. Semiconductor device structures including metal oxide structures
US8372295B2 (en) 2007-04-20 2013-02-12 Micron Technology, Inc. Extensions of self-assembled structures to increased dimensions via a “bootstrap” self-templating method
US9142420B2 (en) 2007-04-20 2015-09-22 Micron Technology, Inc. Extensions of self-assembled structures to increased dimensions via a “bootstrap” self-templating method
US9257256B2 (en) 2007-06-12 2016-02-09 Micron Technology, Inc. Templates including self-assembled block copolymer films
US8404124B2 (en) 2007-06-12 2013-03-26 Micron Technology, Inc. Alternating self-assembling morphologies of diblock copolymers controlled by variations in surfaces
US8609221B2 (en) 2007-06-12 2013-12-17 Micron Technology, Inc. Alternating self-assembling morphologies of diblock copolymers controlled by variations in surfaces
US8513359B2 (en) 2007-06-19 2013-08-20 Micron Technology, Inc. Crosslinkable graft polymer non preferentially wetted by polystyrene and polyethylene oxide
US8080615B2 (en) 2007-06-19 2011-12-20 Micron Technology, Inc. Crosslinkable graft polymer non-preferentially wetted by polystyrene and polyethylene oxide
US8445592B2 (en) 2007-06-19 2013-05-21 Micron Technology, Inc. Crosslinkable graft polymer non-preferentially wetted by polystyrene and polyethylene oxide
US8785559B2 (en) 2007-06-19 2014-07-22 Micron Technology, Inc. Crosslinkable graft polymer non-preferentially wetted by polystyrene and polyethylene oxide
US8551808B2 (en) 2007-06-21 2013-10-08 Micron Technology, Inc. Methods of patterning a substrate including multilayer antireflection coatings
US8283258B2 (en) 2007-08-16 2012-10-09 Micron Technology, Inc. Selective wet etching of hafnium aluminum oxide films
US8618000B2 (en) 2007-08-16 2013-12-31 Micron Technology, Inc. Selective wet etching of hafnium aluminum oxide films
US7935738B2 (en) 2007-12-05 2011-05-03 Industrial Technology Research Institute Transparent flexible film and fabrication method thereof
US10005308B2 (en) 2008-02-05 2018-06-26 Micron Technology, Inc. Stamps and methods of forming a pattern on a substrate
US11560009B2 (en) 2008-02-05 2023-01-24 Micron Technology, Inc. Stamps including a self-assembled block copolymer material, and related methods
US10828924B2 (en) 2008-02-05 2020-11-10 Micron Technology, Inc. Methods of forming a self-assembled block copolymer material
US8999492B2 (en) 2008-02-05 2015-04-07 Micron Technology, Inc. Method to produce nanometer-sized features with directed assembly of block copolymers
US8642157B2 (en) 2008-02-13 2014-02-04 Micron Technology, Inc. One-dimensional arrays of block copolymer cylinders and applications thereof
US8101261B2 (en) 2008-02-13 2012-01-24 Micron Technology, Inc. One-dimensional arrays of block copolymer cylinders and applications thereof
US8426313B2 (en) 2008-03-21 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Thermal anneal of block copolymer films with top interface constrained to wet both blocks with equal preference
US8641914B2 (en) 2008-03-21 2014-02-04 Micron Technology, Inc. Methods of improving long range order in self-assembly of block copolymer films with ionic liquids
US8633112B2 (en) 2008-03-21 2014-01-21 Micron Technology, Inc. Thermal anneal of block copolymer films with top interface constrained to wet both blocks with equal preference
US11282741B2 (en) 2008-03-21 2022-03-22 Micron Technology, Inc. Methods of forming a semiconductor device using block copolymer materials
US10153200B2 (en) 2008-03-21 2018-12-11 Micron Technology, Inc. Methods of forming a nanostructured polymer material including block copolymer materials
US8425982B2 (en) 2008-03-21 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Methods of improving long range order in self-assembly of block copolymer films with ionic liquids
US9682857B2 (en) 2008-03-21 2017-06-20 Micron Technology, Inc. Methods of improving long range order in self-assembly of block copolymer films with ionic liquids and materials produced therefrom
US9315609B2 (en) 2008-03-21 2016-04-19 Micron Technology, Inc. Thermal anneal of block copolymer films with top interface constrained to wet both blocks with equal preference
US8114300B2 (en) 2008-04-21 2012-02-14 Micron Technology, Inc. Multi-layer method for formation of registered arrays of cylindrical pores in polymer films
US8455082B2 (en) 2008-04-21 2013-06-04 Micron Technology, Inc. Polymer materials for formation of registered arrays of cylindrical pores
US8518275B2 (en) 2008-05-02 2013-08-27 Micron Technology, Inc. Graphoepitaxial self-assembly of arrays of downward facing half-cylinders
US8114301B2 (en) 2008-05-02 2012-02-14 Micron Technology, Inc. Graphoepitaxial self-assembly of arrays of downward facing half-cylinders
US8993088B2 (en) 2008-05-02 2015-03-31 Micron Technology, Inc. Polymeric materials in self-assembled arrays and semiconductor structures comprising polymeric materials
US8669645B2 (en) 2008-10-28 2014-03-11 Micron Technology, Inc. Semiconductor structures including polymer material permeated with metal oxide
US8450418B2 (en) 2010-08-20 2013-05-28 Micron Technology, Inc. Methods of forming block copolymers, and block copolymer compositions
US9431605B2 (en) 2011-11-02 2016-08-30 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor device structures
US8900963B2 (en) 2011-11-02 2014-12-02 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor device structures, and related structures
US9087699B2 (en) 2012-10-05 2015-07-21 Micron Technology, Inc. Methods of forming an array of openings in a substrate, and related methods of forming a semiconductor device structure
US9229328B2 (en) 2013-05-02 2016-01-05 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor device structures, and related semiconductor device structures
US9177795B2 (en) 2013-09-27 2015-11-03 Micron Technology, Inc. Methods of forming nanostructures including metal oxides
US10049874B2 (en) 2013-09-27 2018-08-14 Micron Technology, Inc. Self-assembled nanostructures including metal oxides and semiconductor structures comprised thereof
US11532477B2 (en) 2013-09-27 2022-12-20 Micron Technology, Inc. Self-assembled nanostructures including metal oxides and semiconductor structures comprised thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP4389055B2 (ja) 2009-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4389055B2 (ja) ブロック共重合体−クレイナノコンポジットの高配向膜およびその製造方法
Yu et al. High gas barrier coating using non-toxic nanosheet dispersions for flexible food packaging film
Kwon et al. Anisotropy-driven high thermal conductivity in stretchable poly (vinyl alcohol)/hexagonal boron nitride nanohybrid films
Yeh et al. Comparative studies of the properties of poly (methyl methacrylate)–clay nanocomposite materials prepared by in situ emulsion polymerization and solution dispersion
An et al. Preparation and electroactive properties of a PVDF/nano-TiO2 composite film
Tang et al. Core-shell structured BaTiO3@ polymer hybrid nanofiller for poly (arylene ether nitrile) nanocomposites with enhanced dielectric properties and high thermal stability
Bidsorkhi et al. Nucleation effect of unmodified graphene nanoplatelets on PVDF/GNP film composites
Xu et al. Effect of P3O105− intercalated hydrotalcite on the flame retardant properties and the degradation mechanism of a novel polypropylene/hydrotalcite system
Wu et al. Preparation and characterization of chitosan/α‐zirconium phosphate nanocomposite films
Lee et al. Linear dynamic viscoelastic properties of functionalized block copolymer/organoclay nanocomposites
Meereboer et al. Nanoconfinement-induced β-phase formation Inside poly (vinylidene fluoride)-based block copolymers
US20100137523A1 (en) Nanoparticles and fabrication thereof
Guo et al. Nanoclay incorporation into soy protein/polyvinyl alcohol blends to enhance the mechanical and barrier properties
JP2006077237A (ja) 粘土配向膜からなる保護膜
Ren et al. Fast and Efficient Electric‐Triggered Self‐Healing Shape Memory of CNTs@ rGO Enhanced PCLPLA Copolymer
Ding et al. Synthesis and characterization of polystyrene/layered double‐hydroxide nanocomposites via in situ emulsion and suspension polymerization
Khezri et al. Characterization of diatomite platelets and its application for in situ atom transfer radical random copolymerization of styrene and butyl acrylate: normal approach
Zhang et al. Preparation, microstructure, mechanical, and thermal properties of in situ polymerized polyimide/organically modified sericite mica composites
Passador et al. Effects of different compatibilizers on the rheological, thermomechanical, and morphological properties of HDPE/LLDPE blend‐based nanocomposites
Wang et al. Self-assembled clay films with a platelet–void multilayered nanostructure and flame-blocking properties
Dougnac et al. The effect of nanospheres on the permeability of PA6/SiO2 nanocomposites
Hua et al. Structure and properties of a cis-1, 4-polybutadiene/organic montmorillonite nanocomposite prepared via in situ polymerization
Ma et al. Crystallization behavior and hydrophilicity of poly (vinylidene fluoride)(PVDF)/poly (styrene-co-acrylonitrile)(SAN) blends
Amurin et al. Morphological evolution of block copolymer nanocomposites submitted to extensional flows
Wu et al. Influence of magnetic nanoparticle size on the particle dispersion and phase separation in an ABA triblock copolymer

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20070129

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A977 Report on retrieval

Effective date: 20090909

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090915

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090915

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees