JP2006032638A - Light emitting element - Google Patents

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JP2006032638A JP2004209028A JP2004209028A JP2006032638A JP 2006032638 A JP2006032638 A JP 2006032638A JP 2004209028 A JP2004209028 A JP 2004209028A JP 2004209028 A JP2004209028 A JP 2004209028A JP 2006032638 A JP2006032638 A JP 2006032638A
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Kazuki Yamazaki
一樹 山▲崎▼
Tetsuo Nakamura
哲生 中村
Atsushi Onishi
淳 大西
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting element which assures excellent light emitting characteristic and durability for drive. <P>SOLUTION: The light emitting element includes an organic compound including at least a light emitting layer between a pair of electrodes. At least one layer of the organic compound layer includes a compound expressed with a general expression (I), and a positive hole rejecting layer is also provided between the layer including the general expression (I) and the light emitting layer. In the expression, R<SP>1</SP>to R<SP>4</SP>respectively indicate independently hydrogen, halogen atom, alkyl group, aryl group, and heteroaryl group. Moreover, X<SP>1</SP>and X<SP>2</SP>respectively indicate independently alkyl group, aryl group, and heteroaryl group. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる有機電界発光素子(発光素子、またはEL素子)に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescent element (light emitting element or EL element) that can emit light by converting electric energy into light.

今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光(EL)素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。
しかしながら、この有機電界発光素子は無機LED素子や、蛍光管に比べ非常に発光効率が低く大きな問題となっている。現在提案されている有機電界発光素子のほとんどは、有機化合物発光材の一重項励起子から得られる蛍光発光を利用したものである。単純な量子化学のメカニズムにおいては励起子状態において、蛍光発光が得られる一重項励起子と燐光発光が得られる三重項励起子の比は1対3であり、蛍光発光を利用している限りは励起子の25%しか有効活用できず発光効率の低いものとなる。それに対して三重項励起子から得られる燐光を利用できるようになれば、発光効率を向上できることになる。発光効率(外部量子効率)は、「外部量子効率φ=素子から放出されたフォトン数/素子に注入された電子数」で算出され、この値が大きいほど消費電力の点で有利な素子と言える。有機電界発光素子の外部量子効率は「外部量子効率φ=内部量子効率×光取り出し効率」で決まる。
上記の考えのもとで近年イリジウムのフェニルピリジン錯体を用いた燐光発光素子が報告されている(非特許文献1)。これらの報告では従来の蛍光利用有機発光素子に対して、2〜3倍の発光効率を報告している。しかしながら、省エネルギ−や耐久性向上の点でこれでもまだまだ低く、さらに一層の発光効率向上および輝度向上が強く求められている。
また、有機電界発光素子に用いる発光材以外の有機化合物、例えば、電子輸送材、正孔輸送材等も、輝度向上や駆動耐久性向上等のため、検討が行われている。シラシクロペンタジエン化合物は、発光材、電子輸送材、正孔阻止材等に用いることが開示されており(例えば、特許文献1〜3、非特許文献1〜4等参照)、特に電子輸送能が高いことが知られており、発光効率の面で期待されているが、反面、駆動耐久性の面ではまだ不十分であり、向上が望まれている。
特許第2918150号公報 特開2000−186094号公報 特開2001−172284号公報 「アプライド フィジックス レターズ(Appl. Phys. Lett.)」、1999、第75巻、p.4 「ケミカル フィジックス レターズ(Chemical Physics Lett.)」、2001、第339号、p.161−166 「ケミカル マテリアルズ(Chemical Materials)」、2001、第13巻、p.2680−2683 「アプライド フィジックス レターズ(Appl. Phys. Lett.)」、2002、第80巻、p.89−191
Today, research and development on various display elements are active. Among them, organic electroluminescence (EL) elements are attracting attention as promising display elements because they can emit light with high luminance at a low voltage.
However, this organic electroluminescent element has a very low luminous efficiency compared to inorganic LED elements and fluorescent tubes, which is a big problem. Most of the organic electroluminescent devices currently proposed utilize fluorescence emitted from singlet excitons of an organic compound luminescent material. In the mechanism of simple quantum chemistry, in the exciton state, the ratio of singlet excitons that give fluorescence emission and triplet excitons that give phosphorescence emission is 1: 3, as long as fluorescence emission is used. Only 25% of the excitons can be effectively used, resulting in low emission efficiency. On the other hand, if phosphorescence obtained from triplet excitons can be used, the luminous efficiency can be improved. The light emission efficiency (external quantum efficiency) is calculated by “external quantum efficiency φ = number of photons emitted from the device / number of electrons injected into the device”, and the larger this value, the more advantageous the device in terms of power consumption. . The external quantum efficiency of the organic electroluminescence device is determined by “external quantum efficiency φ = internal quantum efficiency × light extraction efficiency”.
Based on the above idea, a phosphorescent light emitting device using a phenylpyridine complex of iridium has recently been reported (Non-Patent Document 1). In these reports, the luminous efficiency of 2 to 3 times that of conventional organic light-emitting devices using fluorescence is reported. However, this is still low in terms of energy saving and durability improvement, and further improvement in luminous efficiency and luminance are strongly demanded.
In addition, organic compounds other than the light-emitting material used in the organic electroluminescent element, for example, an electron transport material, a hole transport material, and the like have been studied for improving luminance and driving durability. The silacyclopentadiene compound is disclosed to be used for a light-emitting material, an electron transport material, a hole blocking material, etc. (see, for example, Patent Documents 1 to 3, Non-Patent Documents 1 to 4, etc.), and particularly has an electron transport ability. Although it is known to be high and is expected in terms of luminous efficiency, it is still insufficient in terms of driving durability, and improvement is desired.
Japanese Patent No. 2918150 JP 2000-186094 A JP 2001-172284 A “Appl. Phys. Lett.”, 1999, Vol. 75, p. 4 “Chemical Physics Letters”, 2001, No. 339, p. 161-166 “Chemical Materials”, 2001, Vol. 13, p. 2680-2683 “Appl. Phys. Lett.”, 2002, 80, p. 89-191

本発明の目的は、発光特性および駆動耐久性が良好な発光素子の提供にある。   An object of the present invention is to provide a light emitting device having good light emission characteristics and driving durability.

この課題は下記手段によって達成された。すなわち、
<1> 一対の電極間に、少なくとも一層の発光層を含む有機化合物層を有する発光素子であって、該有機化合物層のうち少なくとも一層が、下記一般式(I)で表される化合物を含み、かつ該一般式(I)を含む層と該発光層の間に正孔阻止層を有することを特徴とする発光素子。
This object has been achieved by the following means. That is,
<1> A light-emitting element having an organic compound layer including at least one light-emitting layer between a pair of electrodes, wherein at least one of the organic compound layers contains a compound represented by the following general formula (I) And a hole blocking layer between the layer containing the general formula (I) and the light emitting layer.

Figure 2006032638
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(一般式(I)中、R1〜R4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。X1及びX2は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。) (In the general formula (I), R 1 to R 4 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group. X 1 and X 2 are each independently an alkyl group. Represents a group, an aryl group, or a heteroaryl group.)

<2> 前記一般式(I)の化合物が下記一般式(II)であることを特徴とする上記<1>に記載の発光素子。 <2> The light emitting device according to <1>, wherein the compound of the general formula (I) is the following general formula (II).

Figure 2006032638
Figure 2006032638

(一般式(II)中、R1〜R8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。) (In general formula (II), R 1 to R 8 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group.)

<3> 前記正孔阻止層中に、8−キノリノール誘導体の金属錯塩、下記一般式(III)、(IV)、(V)、(VI)、(VII)から選ばれる化合物のうち、少なくともいずれか1つを含むことを特徴とする上記<1>又は<2>に記載の発光素子。 <3> In the hole blocking layer, at least any of a metal complex salt of an 8-quinolinol derivative and a compound selected from the following general formulas (III), (IV), (V), (VI), and (VII) The light-emitting element according to <1> or <2> above, comprising:

Figure 2006032638
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(一般式(III)中、Ar11はアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。Ar12はオルトフェニレン基、メタフェニレン基、パラフェニレン基、ビフェニレン基、ベンゼン環が3環以上6環以下連結した基、2環以上6環以下の芳香環が縮環した縮合環のアリーレン基、あるいはヘテロアリーレン基を表す。Ar12はアリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。R11、R12、R13はアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。) (In the general formula (III), Ar 11 represents an aryl group or a heteroaryl group. Ar 12 represents an orthophenylene group, a metaphenylene group, a paraphenylene group, a biphenylene group, or a group in which 3 to 6 rings of benzene rings are connected. , 2 or more rings 6 ring an arylene group fused ring aromatic rings are condensed, or .Ar 12 representing the heteroarylene group may be those arylene group and heteroarylene group is linked together .R 11, R 12 and R 13 represent an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group.)

Figure 2006032638
Figure 2006032638

(一般式(IV)中、Ar21はアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。Ar22はアリーレン基あるいはへテロアリーレン基を表す。Ar22は前記アリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。R21、R22、又はR23は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、mは1もしくは2を表す。) In (formula (IV), Ar 21 is a one .Ar 22 representing an aryl group or a heteroaryl group .Ar 22 which represents an arylene group or a heteroarylene group linked the arylene group and heteroarylene group each other R 21 , R 22 , or R 23 each independently represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, and m represents 1 or 2.

Figure 2006032638
Figure 2006032638

(一般式(V)中、Ar32はアリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が2個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、あるいはチオフェン構造を含む基を表す。Ar32は、前記アリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が2個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、チオフェン構造を含む基が互いに連結したものであっても良い。R31、R32、又はR33は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。) (In the general formula (V), Ar 32 represents an arylene group, a group containing an azole structure, a group containing an azine structure having two or more hetero atoms, a group containing a furan structure, or a group containing a thiophene structure. Ar 32 , the arylene group, a group containing an azole structure, groups heteroatom containing two or more azine structure, a group containing a furan structure, a group containing a thiophene structure may be one which is connected to one another .R 31, R 32 or R 33 each independently represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group.)

Figure 2006032638
Figure 2006032638

(一般式(VI)中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16は水素原子もしくは置換基を表す。) (In the general formula (VI), R 1, R 2, R 3, R 4, R 5, R 6, R 7, R 8, R 9, R 10, R 11, R 12, R 13, R 14, R 15 and R 16 represent a hydrogen atom or a substituent.)

Figure 2006032638
Figure 2006032638

(一般式(VII)中、Lは単結合、あるいは2価以上の連結基を表し、Tは一般式(1)で表される構造のR1〜R16のいずれかから水素原子などの原子を脱離して得られる基、又はR1〜R16のいずれか1つを除いて得られる基を表す。nは2以上の整数を表し、複数のTは互いに独立である。) (In General Formula (VII), L represents a single bond or a divalent or higher valent linking group, and T represents an atom such as a hydrogen atom from any one of R 1 to R 16 in the structure represented by General Formula (1). Or a group obtained by removing any one of R 1 to R 16 , n represents an integer of 2 or more, and a plurality of T's are independent of each other.

本発明によれば、外部量子効率及び最高輝度が高く、発光特性が優れ、また、駆動耐久性も優れる発光素子を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a light emitting device having high external quantum efficiency and maximum luminance, excellent light emitting characteristics, and excellent driving durability.

本発明の発光素子は、一対の電極間に、少なくとも一層の発光層を含む有機化合物層を有する発光素子であって、該有機化合物層のうち少なくとも一層が、下記一般式(I)で表される化合物を含み、かつ該一般式(I)を含む層と該発光層の間に正孔阻止層を有することを特徴とする。
発光素子が、一対の電極間に発光層を含む有機化合物層を有し、該有機化合物層のうち少なくとも一層が下記一般式(I)で表される化合物を含み、かつ該一般式(I)を含む層と該発光層の間に正孔阻止層を有することにより、発光特性(外部量子効率及び最高輝度)に優れ、低駆動電圧が低く、更に駆動耐久性に優れた性能とすることができる。
The light-emitting element of the present invention is a light-emitting element having an organic compound layer including at least one light-emitting layer between a pair of electrodes, and at least one of the organic compound layers is represented by the following general formula (I). And a hole blocking layer between the layer containing the general formula (I) and the light emitting layer.
The light-emitting element includes an organic compound layer including a light-emitting layer between a pair of electrodes, and at least one of the organic compound layers includes a compound represented by the following general formula (I), and the general formula (I) By having a hole blocking layer between the light emitting layer and the light emitting layer, the light emitting characteristics (external quantum efficiency and maximum luminance) are excellent, the low driving voltage is low, and the driving durability is excellent. it can.

(一般式(I)で表される化合物)
一般式(I)で表される化合物について詳細に説明する。
(Compound represented by formula (I))
The compound represented by formula (I) will be described in detail.

Figure 2006032638
Figure 2006032638

一般式(I)中、R1〜R4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。R1〜R4に、置換基が導入可能な場合には、さらに置換基を有していてもよい。
1及びX2は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。X1及びX2に、置換基を導入可能な場合には、さらに置換基を有していてもよい。
In general formula (I), R < 1 > -R < 4 > represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, or heteroaryl group each independently. If a substituent can be introduced into R 1 to R 4 , it may further have a substituent.
X 1 and X 2 each independently represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group. If a substituent can be introduced into X 1 and X 2 , it may further have a substituent.

前記R1〜R4で表されるハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
前記R1〜R4で表されるアルキル基としては、好ましくは炭素数1〜12、より好ましくは炭素数1〜8、特に好ましくは炭素数1〜4のアルキル基である。R1〜R4で表されるアルキル基として好ましくは、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基が挙げられる。
Examples of the halogen atom represented by R 1 to R 4 include a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
The alkyl group represented by R 1 to R 4 is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 4 carbon atoms. Preferred examples of the alkyl group represented by R 1 to R 4 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an iso-propyl group, an n-butyl group, and a t-butyl group.

前記R1〜R4で表されるアリール基としては、単環又は2環以上の環が縮環した縮合環のアリール基であり、好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12のアリール基である。R1〜R4で表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナントリル基、ピレニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられ、これらのうち好ましくはフェニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基であり、より好ましくはフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基であり、さらに好ましくはフェニル基である。 The aryl group represented by R 1 to R 4 is a condensed ring aryl group in which a single ring or two or more rings are condensed, preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 6 carbon atoms. 20, particularly preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms. Examples of the aryl group represented by R 1 to R 4 include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a triphenylenyl group, a biphenyl group, and a terphenyl group. Among these, preferably A phenyl group, a triphenylenyl group, a biphenyl group, and a terphenyl group, more preferably a phenyl group, a biphenyl group, and a terphenyl group, and still more preferably a phenyl group.

前記R1〜R4で表されるヘテロアリール基は、単環又は2環以上の環が縮合した縮合環のヘテロアリール基であり、好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは2〜12さらに好ましくは2〜10のヘテロアリール基である。R1〜R4で表されるヘテロアリール基の具体例としては、例えば、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、プテリジニル基、ピラジニル基、キノキサリニル基、ピリミジニル基、キナゾリル基、ピリダジニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基等が挙げられ、好ましくはピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、フリル基、チエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基であり、より好ましくはピリジル基、トリアジニル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基であり、さらに好ましくはピリジル基である。 The heteroaryl group represented by R 1 to R 4 is a monocyclic ring or a condensed heteroaryl group in which two or more rings are condensed, preferably having 1 to 20 carbon atoms, more preferably 2 to 12 carbon atoms. Preferably it is 2-10 heteroaryl groups. Specific examples of the heteroaryl group represented by R 1 to R 4 include, for example, a pyridyl group, a quinolyl group, an isoquinolyl group, an acridinyl group, a phenanthridinyl group, a pteridinyl group, a pyrazinyl group, a quinoxalinyl group, a pyrimidinyl group, Quinazolyl, pyridazinyl, cinnolinyl, phthalazinyl, triazinyl, oxazolyl, benzoxazolyl, thiazolyl, benzothiazolyl, imidazolyl, benzoimidazolyl, pyrazolyl, indazolyl, isoxazolyl, benzoisoxazolyl Group, isothiazolyl group, benzoisothiazolyl group, oxadiazolyl group, thiadiazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, furyl group, benzofuryl group, thienyl group, benzothienyl group, pyrrolyl group, indolyl group, imine group Zopyridinyl group, carbazolyl group and the like, preferably pyridyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, triazinyl group, oxazolyl group, thiazolyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, oxadiazolyl group, thiadiazolyl group, triazolyl group, furyl group, thienyl group , A pyrrolyl group, an indolyl group, an imidazopyridinyl group, and a carbazolyl group, more preferably a pyridyl group, a triazinyl group, an imidazopyridinyl group, and a carbazolyl group, and still more preferably a pyridyl group.

前記R1〜R4で表されるアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基は、置換基を有していてもよく、置換基としては以下の置換基群Aから選ぶことが可能である。 The alkyl group, aryl group, or heteroaryl group represented by R 1 to R 4 may have a substituent, and the substituent can be selected from the following substituent group A.

(置換基群A)
アルキル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えば、メチル、エチル、iso−プロピル、tert−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えば、ビニル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニルなどが挙げられる。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばプロパルギル、3−ペンチニルなどが挙げられる。)、アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えば、フェニル、p−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。)、アミノ基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜10であり、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えば、メトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えば、フェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシなどが挙げられる。)、ヘテロアリールオキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、ピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。)、アシル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。)、
(Substituent group A)
An alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, such as methyl, ethyl, iso-propyl, tert-butyl, n-octyl, n -Decyl, n-hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, etc.), an alkenyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms). , For example, vinyl, allyl, 2-butenyl, 3-pentenyl, etc.), an alkynyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms). Yes, such as propargyl, 3-pentynyl, etc.), aryl group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferred) Has 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include phenyl, p-methylphenyl, naphthyl, anthranyl, and the like, and an amino group (preferably having 0 to 30 carbon atoms, more preferably Has 0 to 20 carbon atoms, particularly preferably 0 to 10 carbon atoms, and examples thereof include amino, methylamino, dimethylamino, diethylamino, dibenzylamino, diphenylamino, and ditolylamino), alkoxy groups (preferably C1-C30, More preferably, it is C1-C20, Most preferably, it is C1-C10, for example, a methoxy, an ethoxy, butoxy, 2-ethylhexyloxy etc. are mentioned), an aryloxy group ( Preferably it has 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms. For example, phenyloxy, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy, etc.), heteroaryloxy group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably carbon number). 1 to 12, for example, pyridyloxy, pyrazyloxy, pyrimidyloxy, quinolyloxy, etc.), acyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to carbon atoms). 12 and examples thereof include acetyl, benzoyl, formyl, pivaloyl, and the like.

アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニル基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えば、フェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えば、アセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。)、アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えば、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えば、メトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えば、フェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、スルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、メタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。)、スルファモイル基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜12であり、例えば、スルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。)、カルバモイル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、カルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。)、   An alkoxycarbonyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methoxycarbonyl and ethoxycarbonyl), aryloxycarbonyl group (Preferably 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, such as phenyloxycarbonyl), acyloxy group (preferably 2 to 2 carbon atoms). 30, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms such as acetoxy and benzoyloxy), acylamino group (preferably 2 to 30 carbon atoms, more preferably carbon atoms) 2 to 20, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, for example, acetylamino, benzoyl Mino and the like), an alkoxycarbonylamino group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methoxycarbonylamino and the like. ), An aryloxycarbonylamino group (preferably having 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, and examples thereof include phenyloxycarbonylamino). A sulfonylamino group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methanesulfonylamino and benzenesulfonylamino), sulfamoyl group (Preferably 0 to 30 carbon atoms, more preferably 0 to 20 carbon atoms, particularly preferably The number of carbon atoms is 0 to 12, and examples thereof include sulfamoyl, methylsulfamoyl, dimethylsulfamoyl, phenylsulfamoyl, and the like, and carbamoyl groups (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 carbon atoms). -20, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include carbamoyl, methylcarbamoyl, diethylcarbamoyl, phenylcarbamoyl and the like.

アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えば、フェニルチオなどが挙げられる。)、ヘテロアリールチオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、ピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、2−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。)、スルホニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、メシル、トシルなどが挙げられる。)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。)、ウレイド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば、ウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。)、リン酸アミド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。)、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜12であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には、例えば、イミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。)、シリル基(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。)。   An alkylthio group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methylthio and ethylthio), an arylthio group (preferably having 6 carbon atoms). To 30, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenylthio, etc.), heteroarylthio groups (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably carbon atoms). The number is 1 to 20, particularly preferably 1 to 12, and examples thereof include pyridylthio, 2-benzimidazolylthio, 2-benzoxazolylthio, 2-benzthiazolylthio, and the like, and a sulfonyl group ( Preferably it has 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as mesyl, And sulfinyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methanesulfinyl and benzenesulfinyl). ), A ureido group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include ureido, methylureido, phenylureido and the like), phosphorus. An acid amide group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as diethyl phosphoric acid amide and phenyl phosphoric acid amide), hydroxy Group, mercapto group, halogen atom (eg fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), cyano group, Pho group, carboxyl group, nitro group, hydroxamic acid group, sulfino group, hydrazino group, imino group, heterocyclic group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably having 1 to 12 carbon atoms, For example, nitrogen atom, oxygen atom, sulfur atom, specifically, for example, imidazolyl, pyridyl, quinolyl, furyl, thienyl, piperidyl, morpholino, benzoxazolyl, benzimidazolyl, benzthiazolyl, carbazolyl group, azepinyl group, etc. ), A silyl group (preferably having 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms, particularly preferably 3 to 24 carbon atoms, and examples thereof include trimethylsilyl and triphenylsilyl).

前記R1〜R4で表されるアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基が有してもよい置換基としては、アルキル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10)、アリール基、又はヘテロアリール基が好ましく、アリール基、又はヘテロアリール基がより好ましく、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、又はピリジル基がさらに好ましく、ピリジル基が最も好ましい。 The substituent that the alkyl group, aryl group, or heteroaryl group represented by R 1 to R 4 may have is an alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms). Particularly preferably an aryl group or a heteroaryl group, more preferably an aryl group or a heteroaryl group, further preferably a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, or a pyridyl group, and a pyridyl group. The group is most preferred.

前記X1及びX2で表されるアルキル基としては、炭素数1〜12のアルキル基が好ましく、具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基等が挙げられる。
前記X1及びX2で表されるアリール基は、単環又は2環以上の環が縮環した縮合環のアリール基であり、好ましくは炭素数6〜30のアリール基である。X1及びX2で表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナントリル基、ピレニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられ
前記X1及びX2で表されるヘテロアリール基は、単環又は2環以上の環が縮合した縮合環のヘテロアリール基であり、炭素数1〜20のヘテロアリール基であることが好ましい。X1及びX2で表されるヘテロアリール基の具体例としては、例えば、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、プテリジニル基、ピラジニル基、キノキサリニル基、ピリミジニル基、キナゾリル基、ピリダジニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基等が挙げられる。
The alkyl group represented by X 1 and X 2 is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and specific examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an iso-propyl group, an n-butyl group, Examples include t-butyl group.
The aryl group represented by X 1 and X 2 is a condensed ring aryl group obtained by condensing a single ring or two or more rings, preferably an aryl group having 6 to 30 carbon atoms. The aryl group represented by X 1 and X 2, for example, a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, phenanthryl group, pyrenyl group, triphenylenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group and the like wherein X 1 and X 2 Is a condensed heteroaryl group in which a single ring or two or more rings are condensed, and is preferably a C1-C20 heteroaryl group. Specific examples of the heteroaryl group represented by X 1 and X 2 include, for example, pyridyl group, quinolyl group, isoquinolyl group, acridinyl group, phenanthridinyl group, pteridinyl group, pyrazinyl group, quinoxalinyl group, pyrimidinyl group, Quinazolyl, pyridazinyl, cinnolinyl, phthalazinyl, triazinyl, oxazolyl, benzoxazolyl, thiazolyl, benzothiazolyl, imidazolyl, benzoimidazolyl, pyrazolyl, indazolyl, isoxazolyl, benzoisoxazolyl Group, isothiazolyl group, benzoisothiazolyl group, oxadiazolyl group, thiadiazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, furyl group, benzofuryl group, thienyl group, benzothienyl group, pyrrolyl group, indolyl group, imine group Examples thereof include a dazopyridinyl group and a carbazolyl group.

前記X1及びX2で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は、更に置換基を有していてもよく、置換基としては上述した置換基群Aから選ぶことが可能である。 The alkyl group, aryl group and heteroaryl group represented by X 1 and X 2 may further have a substituent, and the substituent can be selected from the substituent group A described above.

(一般式(II)で表される化合物)
本発明における一般式(I)で表される化合物としては、下記一般式(II)で表される化合物であることが好ましい。
(Compound represented by formula (II))
The compound represented by the general formula (I) in the present invention is preferably a compound represented by the following general formula (II).

Figure 2006032638
Figure 2006032638

一般式(II)中、R1〜R8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。R1〜R8に置換基を導入可能な場合には、さらに置換基を有していてもよい。 In general formula (II), R < 1 > -R < 8 > represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, or heteroaryl group each independently. When a substituent can be introduced into R 1 to R 8, it may further have a substituent.

前記R1〜R8で表されるハロゲン原子としては、前記一般式(I)においてR1〜R4で表されるハロゲン原子と同義であり、好ましい範囲も同様である。
前記R1〜R8で表されるアルキル基としては、前記一般式(I)においてR1〜R4で表されるアルキル基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
前記R1〜R8で表されるアリール基としては、前記一般式(I)においてR1〜R4で表されるアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
前記R1〜R8で表されるヘテロアリール基としては、前記一般式(I)においてR1〜R4で表されるヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
The halogen atom represented by R 1 to R 8 has the same meaning as the halogen atom represented by R 1 to R 4 in the general formula (I), and the preferred range is also the same.
The alkyl group represented by R 1 to R 8 has the same meaning as the alkyl group represented by R 1 to R 4 in the general formula (I), and the preferred range is also the same.
The aryl group represented by R 1 to R 8 has the same meaning as the aryl group represented by R 1 to R 4 in the general formula (I), and the preferred range is also the same.
The heteroaryl group represented by R 1 to R 8 has the same meaning as the heteroaryl group represented by R 1 to R 4 in the general formula (I), and the preferred range is also the same.

前記R1〜R8で表されるアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基は、置換基を有していてもよく、置換基としては上述した置換基群Aから選ぶことが可能である。 The alkyl group, aryl group, or heteroaryl group represented by R 1 to R 8 may have a substituent, and the substituent can be selected from the substituent group A described above.

一般式(I)又は一般式(II)で表される化合物は、R1又はR2を介してビス型構造を有していてもよい。 The compound represented by general formula (I) or general formula (II) may have a bis-type structure via R 1 or R 2 .

<一般式(I)及び一般式(II)で表される化合物の合成方法>
一般式(I)及び一般式(II)で表される化合物は、例えば、特許2918150号公報に記載の方法(以下に記載の方法)に準じて合成することができる。
即ち、先ず、一般式(A)で表されるアセチレン誘導体にアルカリ金属錯体を反応させる。
<Method for Synthesizing Compounds Represented by General Formula (I) and General Formula (II)>
The compounds represented by general formula (I) and general formula (II) can be synthesized, for example, according to the method described in Japanese Patent No. 2918150 (method described below).
That is, first, an alkali metal complex is reacted with the acetylene derivative represented by the general formula (A).

Figure 2006032638
Figure 2006032638

一般式(A)中、X及びYは、それぞれ独立に、炭素数1〜6までの飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環を示すか、或いはXとYが結合して飽和又は不飽和の環を形成しており、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜6のアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、又はシアノ基を示すか、置換若しくは無置換の環が縮合してもよい。
続いて、下記一般式(B)で表されるシラン誘導体を反応させる。
In general formula (A), X and Y are each independently a saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, an alkenyloxy group, an alkynyloxy group, a substituted or unsubstituted aryl group. Represents a substituted or unsubstituted heterocycle, or X and Y are combined to form a saturated or unsaturated ring, and R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted Or an unsubstituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, alkoxy group, aryloxy group, perfluoroalkyl group, perfluoroalkoxy group, amino group, alkylcarbonyl group, arylcarbonyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, Azo group, alkylcarbonyloxy group, arylcarbonyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, arylo group Xoxycarbonyloxy group, sulfinyl group, sulfonyl group, sulfanyl group, silyl group, carbamoyl group, aryl group, heterocyclic group, alkenyl group, alkynyl group, nitro group, formyl group, nitroso group, formyloxy group, isocyano group, cyanate A group, an isocyanate group, a thiocyanate group, an isothiocyanate group, or a cyano group, or a substituted or unsubstituted ring may be condensed.
Subsequently, a silane derivative represented by the following general formula (B) is reacted.

Figure 2006032638
Figure 2006032638

一般式(B)中、X、Y及びZは、それぞれ独立に、ターシャリ−ブチル基若しくはアリール基を示す。   In general formula (B), X, Y and Z each independently represent a tertiary-butyl group or an aryl group.

さらに続いて、塩化亜鉛又は塩化亜鉛錯体を反応させることによって、下記一般式(C)で表される反応性シラシクロペンタジエン誘導体が得られる。   Furthermore, by reacting zinc chloride or a zinc chloride complex, a reactive silacyclopentadiene derivative represented by the following general formula (C) is obtained.

Figure 2006032638
Figure 2006032638

一般式(C)中、Aは、ハロゲン化亜鉛又はハロゲン化亜鉛錯体を示し、X及びYは、それぞれ独立に、炭素数1〜6の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環を示すか、XとYが結合して飽和又は不飽和の環を形成しており、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜6のアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキジカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、又はシアノ基を示すか、置換若しくは無置換の環が縮合してもよい。 In general formula (C), A represents a zinc halide or a zinc halide complex, and X and Y each independently represent a saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, an alkenyloxy group. Group, an alkynyloxy group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted heterocycle, or X and Y are bonded to form a saturated or unsaturated ring, and R 1 and R 2 are Independently, a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, an aryloxy group, a perfluoroalkyl group, a perfluoroalkoxy group, an amino group, an alkylcarbonyl group, an aryl A carbonyl group, an alkoxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an azo group, an alkylcarbonyloxy group, an arylcarbonyloxy group, Alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, sulfinyl group, sulfonyl group, sulfanyl group, silyl group, carbamoyl group, aryl group, heterocyclic group, alkenyl group, alkynyl group, nitro group, formyl group, nitroso group, formyl An oxy group, an isocyano group, a cyanate group, an isocyanate group, a thiocyanate group, an isothiocyanate group, or a cyano group, or a substituted or unsubstituted ring may be condensed.

ここで用いられるアセチレン誘導体に付く置換基としては、アルカリ金属錯体とアセチレンとの反応を阻害しにくいものがよく、特に好ましくはアルカリ金属錯体に対して不活性なものが好ましい。用いられるアルカリ金属錯体としては、例えば、リチウムナフタレニド、ナトリウムナフタレニド、カリウムナフタレニド、リチウム4,4'−ジターシャリ−ブチル−2,2'−ビフェニリドあるいはリチウム(N、N−ジメチルアミノ)ナフタレニドなどがあげられる。用いられる溶媒としては、アルカリ金属あるいはアルカリ金属錯体に不活性なものなら特に制限はなく、通常、エーテルあるいはテトラヒドロフランのようなエーテル系の溶媒が用いられる。続いて使用されるシラン誘導体の置換基としては、嵩高いものが好ましく、具体的にはターシャリ−ブチルジフェニルクロロシランあるいはジターシャリ−ブチルフェニルクロロシランなどが挙げられる。さらに続いて用いられる塩化亜鉛又は塩化亜鉛の錯体としては、塩化亜鉛の固体を直接用いるか、塩化亜鉛のエーテル溶液を使用するか、あるいは塩化亜鉛のテトラメチルエチレンジアミン錯体などが挙げられる。これらの塩化亜鉛類は、充分に乾燥していることが好ましく、水分が多いと目的物が得られ難くなる。この一連の反応は、不活性気流中で行うことが好ましく、アルゴンガスが使われる。このようにして得られた反応性シラシクロペンタジエン誘導体に触媒の存在下、一般式(D)で表されるハロゲン化物を反応させることによって、シラシクロペンタジエン誘導体を得ることができる。   As the substituent attached to the acetylene derivative used here, one that does not easily inhibit the reaction between the alkali metal complex and acetylene is preferable, and one that is inactive with respect to the alkali metal complex is particularly preferable. Examples of the alkali metal complex used include lithium naphthalenide, sodium naphthalenide, potassium naphthalenide, lithium 4,4′-ditertiarybutyl-2,2′-biphenylide or lithium (N, N-dimethylamino). ) Naphthalenide. The solvent to be used is not particularly limited as long as it is inactive to an alkali metal or an alkali metal complex, and usually an ether solvent such as ether or tetrahydrofuran is used. Subsequent substituents of the silane derivative used are preferably bulky, and specifically include tertiary-butyldiphenylchlorosilane or ditertiary-butylphenylchlorosilane. Further, as the zinc chloride or zinc chloride complex used subsequently, a zinc chloride solid is used directly, an ether solution of zinc chloride is used, or a tetramethylethylenediamine complex of zinc chloride is used. These zinc chlorides are preferably sufficiently dried. If the amount of water is large, it is difficult to obtain the target product. This series of reactions is preferably performed in an inert gas stream, and argon gas is used. A silacyclopentadiene derivative can be obtained by reacting the reactive silacyclopentadiene derivative thus obtained with a halide represented by the general formula (D) in the presence of a catalyst.

Figure 2006032638
Figure 2006032638

一般式(D)中、Xは、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子表し、Rは、ハロゲン、置換若しくは無置換の炭素数1〜6のアルキル基、パーフルオロアルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、又はアルキニル基を示す。   In general formula (D), X represents a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, and R represents a halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a perfluoroalkyl group, an alkylcarbonyl group, an arylcarbonyl A group, an alkoxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a sulfanyl group, a silyl group, an aryl group, a heterocyclic group, an alkenyl group, or an alkynyl group;

ここで用いられる触媒としては、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウムあるいはジクロロビストリフェニルフォスフィンパラジウムなどのパラジウム触媒が挙げられる。一速の反応の各段階において、反応温度に特に制限はないが、アルカリ金属錯体、シラン誘導体及び塩化亜鉛等を加え攪拌する際には、室温以下が好ましく、通常0℃以下で行われる。ハロゲン化物を加えた後の反応温度は、室温以上が好ましく、通常、溶媒にテトラヒドロフランを用いた場合には還流下で行われる。反応時間においても特に制限はなく、アルカリ金属錯体、シラン誘導体及び塩化亜鉛等を加え攪拌する際には、数分から数時間の間が望ましい。ハロゲン化物を加えた後の反応は、NMRあるいはクロマトグラフィー等の一般的な分析手段により反応を追跡し、反応の終点を決定すればよい。   Examples of the catalyst used here include palladium catalysts such as tetrakistriphenylphosphine palladium and dichlorobistriphenylphosphine palladium. In each stage of the first-speed reaction, the reaction temperature is not particularly limited. However, when an alkali metal complex, a silane derivative, zinc chloride, or the like is added and stirred, the temperature is preferably room temperature or lower, and is usually performed at 0 ° C. or lower. The reaction temperature after adding the halide is preferably room temperature or higher, and is usually carried out under reflux when tetrahydrofuran is used as a solvent. There is no restriction | limiting in particular also in reaction time, When adding an alkali metal complex, a silane derivative, zinc chloride, etc. and stirring, it is desirable for several minutes to several hours. The reaction after the halide is added may be traced by a general analytical means such as NMR or chromatography to determine the end point of the reaction.

以下に、本発明における一般式(I)で表される化合物、及び一般式(II)で表される化合物の具体例〔例示化合物(S−1)〜(S−12〕を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。   Specific examples of the compound represented by the general formula (I) and the compound represented by the general formula (II) [Exemplary compounds (S-1) to (S-12)] are shown below. The invention is not limited to these examples.

Figure 2006032638
Figure 2006032638

Figure 2006032638
Figure 2006032638

本発明において、一般式(I)で表される化合物(又は一般式(II)で表される化合物)の含有量としては、有機化合物層1層当たり、5〜95質量%であることが好ましく、10〜90質量%であることがより好ましく、20〜80質量%であることがさらに好ましい。
また、一般式(I)で表される化合物(又は一般式(II)で表される化合物)は、一種単独で用いてもよいし、2以上を併用してもよい。
In the present invention, the content of the compound represented by the general formula (I) (or the compound represented by the general formula (II)) is preferably 5 to 95% by mass per one organic compound layer. The content is more preferably 10 to 90% by mass, and further preferably 20 to 80% by mass.
Moreover, the compound represented by general formula (I) (or the compound represented by general formula (II)) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more together.

(8−キノリノール誘導体の金属錯塩)
下記一般式(1)の8−キノリノール誘導体の金属錯塩について、詳細に説明する。
(Metal complexes of 8-quinolinol derivatives)
The metal complex salt of the 8-quinolinol derivative of the following general formula (1) will be described in detail.

Figure 2006032638
Figure 2006032638

一般式(1)中、R1〜R6はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、Lは−OR7(R7はアルキル基、シクロアルキル基、窒素原子を含んでもよい芳香族環基、金属原子や酸素原子からなる連結基を有する芳香族環基、又は前記連結基を有するオキシノイド化合物の配位子を示す。)、Mは金属原子を表し、nは1又は2の整数である。 In general formula (1), R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a cyano group, L is —OR 7 (R 7 is an alkyl group, a cycloalkyl group, or a nitrogen atom). An aromatic ring group that may be included, an aromatic ring group having a linking group consisting of a metal atom or an oxygen atom, or a ligand of an oxinoid compound having the linking group.), M represents a metal atom, and n represents It is an integer of 1 or 2.

また、一般式(1)で示される化合物は、一般式(I)においてR1〜R6がアルキル基またはアルコキシ基である場合、その好ましい炭素数は1〜6であり、特に1〜4が好ましい。また、R7がアルキル基である場合、その好ましい炭素数は1〜6であり、特に1〜4が好ましい。 In addition, in the compound represented by the general formula (1), when R 1 to R 6 are an alkyl group or an alkoxy group in the general formula (I), the preferred carbon number is 1 to 6, particularly 1 to 4 preferable. Moreover, when R < 7 > is an alkyl group, the preferable carbon number is 1-6, and 1-4 are especially preferable.

一般式(1)で示される化合物の例としては、例えば特開平5−214332号公報、特開平5−258860号公報、特開平5−258862号公報、特開平5−198378号公報、特開平5−331460号公報、特開平9−95620号公報、特開平9−13026号公報、特開平9−31455号公報、欧州特許765106号公報、欧州特許779765号公報等に開示されているオキシノイド配位子などを含んだ有機金属錯体等が挙げられる。   Examples of the compound represented by the general formula (1) include, for example, JP-A-5-214332, JP-A-5-258860, JP-A-5-258862, JP-A-5-198378, and JP-A-5 No. 331460, JP-A-9-95620, JP-A-9-13026, JP-A-9-31455, European Patent 765106, European Patent 777765, etc. And organometallic complexes containing the above.

一般式(1)の8−キノリノール誘導体の金属錯塩の合成方法については、例えば上記に示した特許文献に記載の合成方法を用いることができるが、それらに限定されるものではない。   As a method for synthesizing the metal complex salt of the 8-quinolinol derivative of the general formula (1), for example, the synthesis methods described in the above-mentioned patent documents can be used, but the method is not limited thereto.

一般式(1)の具体的な化合物の例を表1〜表23に示すが、これらに限定されるものではない。   Although the example of the specific compound of General formula (1) is shown in Table 1-Table 23, it is not limited to these.

Figure 2006032638
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(一般式(III)で表される化合物)
下記一般式(III)について詳細に説明する。
(Compound represented by formula (III))
The following general formula (III) will be described in detail.

Figure 2006032638
Figure 2006032638

(一般式(III)中、Ar11は互いに同じでも異なっていても良いアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。Ar12はオルトフェニレン基、メタフェニレン基、パラフェニレン基、ビフェニレン基、ベンゼン環が3環以上6環以下連結した基、2環以上6環以下の芳香環が縮環した縮合環のアリーレン基、あるいはヘテロアリーレン基を表す。R11、R12、及びR13は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。) (In the general formula (III), Ar 11 represents an aryl group or a heteroaryl group which may be the same or different. Ar 12 represents an orthophenylene group, a metaphenylene group, a paraphenylene group, a biphenylene group, or a benzene ring. R 11 , R 12 , and R 13 are the same as or different from each other, and represent a condensed ring arylene group or a heteroarylene group formed by condensing two or more rings and six or less rings, or an aromatic ring condensed from two to six rings. Represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group.

Ar11は互いに同じでも異なっていても良いアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。 Ar 11 represents an aryl group or a heteroaryl group which may be the same as or different from each other.

Ar11で表されるアリール基は単環または2環以上の環が縮環した縮合環のアリール基であり、好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12のアリール基である。Ar11で表されるアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナントリル基、ピレニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などが挙げられ、これらのうち好ましくはフェニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基であり、より好ましくはフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基であり、さらに好ましくはフェニル基である。 The aryl group represented by Ar 11 is a monocyclic ring or a condensed ring aryl group in which two or more rings are condensed, preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, and particularly preferably carbon atoms. It is an aryl group of formula 6-12. Examples of the aryl group represented by Ar 11 include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a triphenylenyl group, a biphenyl group, and a terphenyl group. Among these, a phenyl group and a triphenylenyl group are preferable. Group, biphenyl group and terphenyl group, more preferably phenyl group, biphenyl group and terphenyl group, still more preferably phenyl group.

Ar11で表されるヘテロアリール基は単環または2環以上の環が縮合した縮合環のヘテロアリール基であり、好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは2〜12さらに好ましくは2〜10のヘテロアリール基である。Ar11で表されるヘテロアリール基の具体例としては例えばピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、プテリジニル基、ピラジニル基、キノキサリニル基、ピリミジニル基、キナゾリル基、ピリダジニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基等が挙げられ、好ましくはピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、フリル基、チエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基であり、より好ましくはピリジル基、トリアジニル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基であり、さらに好ましくはピリジル基である。 The heteroaryl group represented by Ar 11 is a monocyclic ring or a condensed heteroaryl group in which two or more rings are condensed, preferably having 1 to 20 carbon atoms, more preferably 2 to 12 carbon atoms, and even more preferably 2 to 10 carbon atoms. Of the heteroaryl group. Specific examples of the heteroaryl group represented by Ar 11 include, for example, a pyridyl group, a quinolyl group, an isoquinolyl group, an acridinyl group, a phenanthridinyl group, a pteridinyl group, a pyrazinyl group, a quinoxalinyl group, a pyrimidinyl group, a quinazolyl group, and a pyridazinyl group. Cinnolinyl group, phthalazinyl group, triazinyl group, oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, benzothiazolyl group, imidazolyl group, benzoimidazolyl group, pyrazolyl group, indazolyl group, isoxazolyl group, benzoisoxazolyl group, isothiazolyl group, Benzoisothiazolyl, oxadiazolyl, thiadiazolyl, triazolyl, tetrazolyl, furyl, benzofuryl, thienyl, benzothienyl, pyrrolyl, indolyl, imidazopyri Nyl group, carbazolyl group, etc., preferably pyridyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, triazinyl group, oxazolyl group, thiazolyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, oxadiazolyl group, thiadiazolyl group, triazolyl group, furyl group, thienyl group , A pyrrolyl group, an indolyl group, an imidazopyridinyl group, and a carbazolyl group, more preferably a pyridyl group, a triazinyl group, an imidazopyridinyl group, and a carbazolyl group, and still more preferably a pyridyl group.

Ar11で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基は置換基を有していても良く、置換基としては一般式(I)の項で述べた置換基群Aから選ぶことが可能である。 The aryl group or heteroaryl group represented by Ar 11 may have a substituent, and the substituent can be selected from the substituent group A described in the section of the general formula (I).

Ar11で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基が有しても良い置換基としてはアルキル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10)、アリール基、あるいはヘテロアリール基が好ましく、アリール基、ヘテロアリール基がより好ましく、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピリジル基がさらに好ましく、フェニル基、ピリジル基が最も好ましい。 The substituent which the aryl group or heteroaryl group represented by Ar 11 may have is an alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 10 carbon atoms). ), An aryl group or a heteroaryl group is preferred, an aryl group or a heteroaryl group is more preferred, a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group or a pyridyl group is further preferred, and a phenyl group or a pyridyl group is most preferred.

Ar12はオルトフェニレン基、メタフェニレン基、パラフェニレン基、ビフェニレン基、ベンゼン環が3環以上6環以下連結した基、2環以上6環以下の芳香環が縮環した縮合環のアリーレン基、あるいはヘテロアリーレン基を表す。 Ar 12 is an orthophenylene group, a metaphenylene group, a paraphenylene group, a biphenylene group, a group in which 3 or more and 6 or less benzene rings are connected, an arylene group in a condensed ring in which 2 or more and 6 or less aromatic rings are condensed, Or represents a heteroarylene group.

Ar12で表される2環以上6環以下の環が縮環した縮合環のアリーレン基としては、好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12のアリーレン基であり、例えばナフチレン基、アンスリレン基、フェナントレニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基、ルブレニレン基、クリセニレン基、トリフェニレニレン基、ベンゾアンスリレン基、ベンゾフェナントレニレン基、ジフェニルアンスリレン基などが挙げられる。 The arylene group of the condensed ring in which 2 to 6 rings represented by Ar 12 are condensed is preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 6 to 6 carbon atoms. 12 arylene groups such as naphthylene group, anthrylene group, phenanthrenylene group, pyrenylene group, peryleneylene group, fluorenylene group, rubrenylene group, chrysenylene group, triphenylenylene group, benzoanthrylene group, benzophenanthrenylene group Group, diphenylanthrylene group and the like.

Ar12で表されるヘテロアリーレン基としては単環または2環以上6環以下の環が縮合した縮合環のヘテロアリール基であり、好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは2〜12さらに好ましくは2〜10のヘテロアリール基であり、例えばピリジレン基、キノリレン基、イソキノリレン基、アクリジニレン基、フェナントリジニレン基、ピラジニレン基、キノキサリニレン基、ピリミジニレン基、トリアジレン基、イミダゾリレン基、ピラゾリレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、フリレン基、チエニレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基等が挙げられる。 The heteroarylene group represented by Ar 12 is a monocyclic ring or a condensed heteroaryl group in which 2 to 6 rings are condensed, preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 2 to 12 carbon atoms. Are 2 to 10 heteroaryl groups such as pyridylene, quinolylene, isoquinolylene, acridinylene, phenanthridinylene, pyrazinylene, quinoxalinylene, pyrimidinylene, triadylene, imidazolylene, pyrazolylene, oxadiazo Examples include a rylene group, a triazorylene group, a furylene group, a thienylene group, a pyrrolylene group, an indoylene group, and a carbazolylene group.

Ar12はアリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。 Ar 12 may be an arylene group and a heteroarylene group linked to each other.

Ar12として好ましくはオルトフェニレン基、メタフェニレン基、パラフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ピリジレン基、ピリミジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、チエニレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基であり、より好ましくはオルトフェニレン基、メタフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、ピリジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、チエニレン基、カルバゾリレン基であり、さらに好ましくはメタフェニレン基、ビフェニレン基、ピリジレン基、オキサジアゾリレン基であり、最も好ましくはメタフェニレン基、ビフェニレン基である。 Preferably ortho-phenylene group as Ar 12, metaphenylene group, a paraphenylene group, biphenylene group, terphenylene group, a naphthylene group, an anthrylene group, a pyridylene group, pyrimidylene group, Toriajiren group, oxadiazolylene group, triazolylene group, thienylene group, A pyrrolylene group, an indylene group, and a carbazolylene group, more preferably an orthophenylene group, a metaphenylene group, a biphenylene group, a terphenylene group, a naphthylene group, a pyridylene group, a triadylene group, an oxadiazolylene group, a thienylene group, and a carbazolylene group. More preferred are a metaphenylene group, a biphenylene group, a pyridylene group, and an oxadiazolylene group, and most preferred are a metaphenylene group and a biphenylene group.

Ar12で表されるアリーレン基あるいはヘテロアリーレン基は置換基を有していても良く、置換基としてはアルキル基を含め前記置換基群Aから選ぶことが可能である。Ar12で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基が有しても良い置換基としてはアルキル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10)、アリール基、あるいはヘテロアリール基が好ましく、アリール基、ヘテロアリール基がより好ましく、フェニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、ピリジル基がさらに好ましく、フェニル基、ピリジル基が最も好ましい。 The arylene group or heteroarylene group represented by Ar 12 may have a substituent, and the substituent can be selected from the substituent group A including an alkyl group. The substituent which the aryl group or heteroaryl group represented by Ar 12 may have is an alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms). ), An aryl group or a heteroaryl group is preferred, an aryl group or a heteroaryl group is more preferred, a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group or a pyridyl group is further preferred, and a phenyl group or a pyridyl group is most preferred.

11、R12、R13は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。 R 11 , R 12 and R 13 each represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group which may be the same or different.

11、R12、R13で表されるアルキル基としては、好ましくは炭素数1〜12、より好ましくは炭素数1〜8、特に好ましくは炭素数1〜4のアルキル基である。R11、R12、R13として好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、t−ブチル基であり、さらに好ましくはメチル基である。 The alkyl group represented by R 11 , R 12 and R 13 is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 4 carbon atoms. R 11 , R 12 and R 13 are preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group and a t-butyl group, more preferably a methyl group, an ethyl group and a t-butyl group, and even more preferably. Is a methyl group.

11、R12、R13で表されるアリール基としては前記Ar11で挙げた例が挙げられ、好ましい範囲も同じである。 Examples of the aryl group represented by R 11 , R 12 and R 13 include the examples given for Ar 11 , and the preferred ranges are also the same.

11、R12、R13で表されるヘテロアリール基としては前記Ar11で挙げた例が挙げられ、好ましい範囲も同じである。 Examples of the heteroaryl group represented by R 11 , R 12 and R 13 include the examples given for Ar 11 , and the preferred ranges are also the same.

11、R12、R13として最も好ましくはフェニル基である。 R 11 , R 12 and R 13 are most preferably a phenyl group.

11、R12、R13で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は、置換基を有しても良く、置換基としては上記置換基群Aから選ぶことが可能である。 The alkyl group, aryl group and heteroaryl group represented by R 11 , R 12 and R 13 may have a substituent, and the substituent can be selected from the above substituent group A.

(一般式(IV)で表される化合物
次に、下記一般式(IV)ついて詳細に説明する。
(Compound Represented by General Formula (IV) Next, the following general formula (IV) will be described in detail.

Figure 2006032638
Figure 2006032638

一般式(IV)においてAr21は互いに同じでも異なっていても良いアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。 In the general formula (IV), Ar 21 represents an aryl group or a heteroaryl group which may be the same or different from each other.

Ar21で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基は前記Ar11で説明したアリール基、ヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同じである。 The aryl group or heteroaryl group represented by Ar 21 is synonymous with the aryl group or heteroaryl group described for Ar 11 , and the preferred range is also the same.

Ar21で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基は置換基を有していても良く、例えば前記置換基群Aから選ぶことが可能である。Ar21で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基が有しても良い置換基としてはアルキル基、アリール基、あるいはヘテロアリール基が好ましく、アリール基、ヘテロアリール基がより好ましく、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピリジル基がさらに好ましく、フェニル基、ピリジル基が最も好ましい。 The aryl group or heteroaryl group represented by Ar 21 may have a substituent, and can be selected from, for example, the substituent group A. The substituent that the aryl group or heteroaryl group represented by Ar 21 may have is preferably an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, more preferably an aryl group or a heteroaryl group, a phenyl group, or a biphenyl group. Terphenyl group and pyridyl group are more preferable, and phenyl group and pyridyl group are most preferable.

Ar22は互いに同じでも異なっていても良いアリーレン基あるいはへテロアリーレン基を表す。 Ar 22 represents an arylene group or a heteroarylene group which may be the same or different from each other.

Ar22で表されるアリーレン基としては単環または2環以上の環が縮環した縮合環のアリール基であり、好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12のアリーレン基である。Ar22で表されるアリーレン基の具体例としては例えばフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、フェナントレニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基、ルブレニレン基、クリセニレン基、トリフェニレニレン基、ベンゾアンスリレン基、ベンゾフェナントレニレン基、ジフェニルアンスリレン基などが挙げられる。 The arylene group represented by Ar 22 is an aryl group of a condensed ring in which a single ring or two or more rings are condensed, preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably. It is an arylene group having 6 to 12 carbon atoms. Specific examples of the arylene group represented by Ar 22 include a phenylene group, a biphenylene group, a terphenylene group, a naphthylene group, an anthrylene group, a phenanthrenylene group, a pyrenylene group, a peryleneylene group, a fluorenylene group, a rubrenylene group, and a chrysenylene group. , Triphenylenylene group, benzoanthrylene group, benzophenanthrenylene group, diphenylanthrylene group and the like.

Ar22で表されるヘテロアリーレン基は単環または2環以上の環が縮合した縮合環のヘテロアリーレン基であり、好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは2〜12さらに好ましくは2〜10のヘテロアリーレン基である。Ar22で表されるヘテロアリーレン基の具体例としては例えば前記Ar12で挙げたヘテロアリーレン基の例として挙げたものが挙げられる。 The heteroarylene group represented by Ar 22 is a heteroarylene group having a monocyclic ring or a condensed ring in which two or more rings are condensed, and preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 2 to 12 and even more preferably 2 to 10 A heteroarylene group. Specific examples of the heteroarylene group represented by Ar 22 include those listed as examples of the heteroarylene group exemplified for Ar 12 .

Ar22は前記アリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。 Ar 22 may be one in which the arylene group and the heteroarylene group are linked to each other.

Ar22として好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ピリジレン基、ピリミジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、チエニレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基であり、より好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、ピリジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、チエニレン基、カルバゾリレン基であり、さらに好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ピリジレン基であり、最も好ましくはパラフェニレン基である。 Ar 22 is preferably phenylene group, biphenylene group, terphenylene group, naphthylene group, anthrylene group, pyridylene group, pyrimidylene group, triadylene group, oxadiazolylene group, triazolylene group, thienylene group, pyrrolylene group, indoleylene group, carbazolylene group More preferably a phenylene group, a biphenylene group, a terphenylene group, a naphthylene group, a pyridylene group, a triadylene group, an oxadiazolylene group, a thienylene group, and a carbazolylene group, more preferably a phenylene group, a biphenylene group, and a pyridylene group. Most preferably, it is a paraphenylene group.

Ar22で表されるアリーレン基あるいはへテロアリーレン基は置換基を有していても良く、Ar22が有しても良い置換基の具体例及び好ましい例は前記Ar12が有しても良い置換基と同じである。 Arylene group, or represented by Ar 22 heteroarylene group may have a substituent, specific examples and preferred examples of the substituent that may be Ar 22 has may have said Ar 12 It is the same as the substituent.

21、R22、R23は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。 R 21 , R 22 and R 23 represent an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group which may be the same or different from each other.

21、R22、R23で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は具体例、好ましい範囲ともに前記R11、R12、R13で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基と同じである。 The alkyl group, aryl group, and heteroaryl group represented by R 21 , R 22 , and R 23 are specific examples and preferred ranges, and the alkyl group, aryl group, and heteroaryl group represented by the aforementioned R 11 , R 12 , and R 13 together. Is the same.

mは1もしくは2を表し、2がより好ましい。   m represents 1 or 2, and 2 is more preferable.

(一般式(V)で表される化合物)
次に、下記一般式(V)について詳細に説明する。
(Compound represented by general formula (V))
Next, the following general formula (V) will be described in detail.

Figure 2006032638
Figure 2006032638

一般式(3)中、Ar32はアリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が2個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、あるいはチオフェン構造を含む基を表す。R31、R32、R33は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。 In the general formula (3), Ar 32 represents an arylene group, a group containing an azole structure, a group containing an azine structure having two or more heteroatoms, a group containing a furan structure, or a group containing a thiophene structure. R 31 , R 32 and R 33 represent an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group which may be the same or different from each other.

Ar32はアリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が2個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、あるいはチオフェン構造を含む基を表す。 Ar 32 represents an arylene group, a group containing an azole structure, a group containing an azine structure having two or more heteroatoms, a group containing a furan structure, or a group containing a thiophene structure.

Ar32で表されるアリーレン基は前記Ar22で表されるアリーレン基と同義であり、具体例も同じである。 The arylene group represented by Ar 32 has the same meaning as the arylene group represented by Ar 22 , and specific examples thereof are also the same.

Ar32で表されるアゾール構造を含む基は例えばオキサゾリレン基、チアゾリレン基、イミダゾリレン基、ピラゾリレン基、オキサジアゾリレン基、チアジアゾリレン基、トリアゾリレン基、ピロリレン基、インドリレン基、イミダゾピリジレン基、カルバゾリレン基が挙げられる。 Examples of the group containing an azole structure represented by Ar 32 include an oxazolylene group, a thiazolylene group, an imidazolylene group, a pyrazolylene group, an oxadiazolylene group, a thiadiazolylene group, a triazolylene group, a pyrrolylene group, an indylene group, an imidazolpyridylene group, and a carbazolylene group. Can be mentioned.

Ar32で表されるヘテロ原子が2個以上のアジン構造を含む基は例えばピラジレン基、ピリミジレン基、トリアジレン基が挙げられる。 Examples of the group containing an azine structure having two or more heteroatoms represented by Ar 32 include a pyradylene group, a pyrimidylene group, and a triadylene group.

Ar32で表されるフラン構造を含む基は例えばベンゾフラン構造を含む基、ジベンゾフラン構造を含む基などが挙げられる。 Examples of the group containing a furan structure represented by Ar 32 include a group containing a benzofuran structure and a group containing a dibenzofuran structure.

Ar32で表されるチオフェン構造を含む基は例えばベンゾチオフェン構造を含む基、ジベンゾチオフェン構造を含む基、ビチオフェン構造を含む基などが挙げられる。 Examples of the group containing a thiophene structure represented by Ar 32 include a group containing a benzothiophene structure, a group containing a dibenzothiophene structure, and a group containing a bithiophene structure.

Ar32は前記アリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が2個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、又は及びチオフェン構造を含む基が互いに連結したものであっても良い。 Ar 32 may be an arylene group, a group containing an azole structure, a group containing an azine structure having two or more heteroatoms, a group containing a furan structure, or a group containing a thiophene structure.

Ar32として好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ピリミジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基であり、より好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、カルバゾリレン基であり、さらに好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基であり、最も好ましくはパラフェニレン基である。 Ar 32 is preferably a phenylene group, a biphenylene group, a terphenylene group, a naphthylene group, an anthrylene group, a pyrimidylene group, a triadylene group, an oxadiazolylene group, a triazolylene group, a pyrrolylene group, an indylene group, or a carbazolylene group, more preferably a phenylene group. Group, biphenylene group, terphenylene group, naphthylene group, triadylene group, oxadiazolylene group and carbazolylene group, more preferably phenylene group and biphenylene group, and most preferably paraphenylene group.

Ar32で表される基は置換基を有しても良く、Ar32が有しても良い置換基の具体例及び好ましい例は前記Ar12が有しても良い置換基と同じである。 Groups represented by Ar 32 may have a substituent, specific examples and preferred examples of the substituent that may be Ar 32 has are the same as the substituent that may be possessed by the Ar 12.

31、R32、及びR33は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。 R 31 , R 32 , and R 33 represent an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, which may be the same as or different from each other.

31、R32、及びR33で表されるアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基は、その具体例、及び好ましい範囲ともに前記R11、R12、及びR13で表されるアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基と同じである。 The alkyl group, aryl group, or heteroaryl group represented by R 31 , R 32 , and R 33 is an alkyl group represented by the above R 11 , R 12 , and R 13 together with specific examples and preferred ranges thereof, Same as aryl group or heteroaryl group.

一般式(III)、一般式(IV)、一般式(V)で表される化合物は低分子化合物であっても良く、また、オリゴマー化合物、ポリマー化合物(重量平均分子量(ポリスチレン換算)は好ましくは1000〜5000000、より好ましくは2000〜1000000、さらに好ましくは3000〜100000である。)であっても良い。ポリマー化合物の場合、一般式(III)、一般式(IV)、一般式(V)で表される構造がポリマー主鎖中に含まれても良く、また、ポリマー側鎖に含まれていても良い。また、ポリマー化合物の場合、ホモポリマー化合物であっても良く、共重合体であっても良い。本発明の化合物は低分子化合物が好ましい。   The compound represented by the general formula (III), the general formula (IV), or the general formula (V) may be a low molecular compound, and an oligomer compound or a polymer compound (weight average molecular weight (in terms of polystyrene) is preferably 1000 to 5000000, more preferably 2000 to 1000000, and still more preferably 3000 to 100,000. In the case of a polymer compound, the structure represented by general formula (III), general formula (IV), or general formula (V) may be included in the polymer main chain, or may be included in the polymer side chain. good. In the case of a polymer compound, it may be a homopolymer compound or a copolymer. The compound of the present invention is preferably a low molecular compound.

以下に、一般式(III)、一般式(IV)、一般式(V)の化合物例を示すが、本発明はこれらに限定されない。   Although the compound example of general formula (III), general formula (IV), and general formula (V) is shown below, this invention is not limited to these.

Figure 2006032638
Figure 2006032638

Figure 2006032638
Figure 2006032638

Figure 2006032638
Figure 2006032638

Figure 2006032638
Figure 2006032638

(一般式(VI)で表される化合物)
以下に、下記一般式(VI)で表される化合物について詳細に説明する。
(Compound represented by formula (VI))
Below, the compound represented by the following general formula (VI) is demonstrated in detail.

Figure 2006032638
Figure 2006032638

一般式(VI)に含まれるR1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16は水素原子もしくは置換基を表す。置換基としては、例えば、アルキル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメチル、エチル、iso−プロピル、tert−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばビニル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニルなどが挙げられる。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばプロパルギル、3−ペンチニルなどが挙げられる。)、アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニル、p−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。)、 R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , included in the general formula (VI) R 15 and R 16 represent a hydrogen atom or a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 10 carbon atoms such as methyl, ethyl, iso-propyl, tert-butyl. , N-octyl, n-decyl, n-hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, etc.), an alkenyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, and particularly preferably carbon atoms). 2 to 10 such as vinyl, allyl, 2-butenyl, 3-pentenyl, etc.), an alkynyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, and particularly preferably carbon). 2-10, for example, propargyl, 3-pentynyl, etc.), aryl group (preferably carbon number) 30, more preferably 6 to 12 carbon 6 to 20 carbon atoms, and particularly preferably carbon, such as phenyl, p- methylphenyl, naphthyl, anthranyl.),

アミノ基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜10であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシなどが挙げられる。)、ヘテロアリールオキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。)、アシル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。)、   An amino group (preferably having 0 to 30 carbon atoms, more preferably 0 to 20 carbon atoms, particularly preferably 0 to 10 carbon atoms, such as amino, methylamino, dimethylamino, diethylamino, dibenzylamino, diphenylamino, ditolylamino; And alkoxy groups (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, such as methoxy, ethoxy, butoxy, 2-ethylhexyloxy) An aryloxy group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenyloxy, 1-naphthyloxy, 2- Naphthyloxy, etc.), heteroaryloxy groups (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more The number of carbon atoms is preferably 1 to 20, particularly preferably 1 to 12, and examples thereof include pyridyloxy, pyrazyloxy, pyrimidyloxy, quinolyloxy, and the like, and acyl groups (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably A carbon number of 1 to 20, particularly preferably a carbon number of 1 to 12, and examples thereof include acetyl, benzoyl, formyl, and pivaloyl).

アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニル基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。)、アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、スルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。)、スルファモイル基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜12であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。)、カルバモイル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。)、   An alkoxycarbonyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, such as methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl, etc.), an aryloxycarbonyl group ( Preferably it has 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, and examples thereof include phenyloxycarbonyl, etc.), an acyloxy group (preferably 2 to 30 carbon atoms, More preferably, it has 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include acetoxy and benzoyloxy.), Acylamino group (preferably 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 2 carbon atoms). 20, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, such as acetylamino, benzoylamino An alkoxycarbonylamino group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, such as methoxycarbonylamino). Aryloxycarbonylamino group (preferably having 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, such as phenyloxycarbonylamino), sulfonylamino group ( Preferably it has 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methanesulfonylamino, benzenesulfonylamino, etc.), sulfamoyl group (preferably carbon number). 0 to 30, more preferably 0 to 20 carbon atoms, particularly preferably 0 to 1 carbon atoms For example, sulfamoyl, methylsulfamoyl, dimethylsulfamoyl, phenylsulfamoyl etc.), carbamoyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably C1-C12, for example, carbamoyl, methylcarbamoyl, diethylcarbamoyl, phenylcarbamoyl etc.).

アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。)、ヘテロアリールチオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、2−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。)、スルホニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。)、ウレイド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。)、リン酸アミド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。)、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜12であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。)、シリル基(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。)などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。   An alkylthio group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methylthio and ethylthio), an arylthio group (preferably having 6 carbon atoms). To 30, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenylthio, etc.), heteroarylthio groups (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably carbon atoms). 1 to 20, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples include pyridylthio, 2-benzimidazolylthio, 2-benzoxazolylthio, 2-benzthiazolylthio, and the like, and sulfonyl groups (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as mesyl, tosyl ), Sulfinyl groups (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methanesulfinyl, benzenesulfinyl, etc.) A ureido group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as ureido, methylureido, phenylureido, etc.), phosphoric acid amide A group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as diethyl phosphoric acid amide and phenyl phosphoric acid amide), a hydroxy group, Mercapto group, halogen atom (eg fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), cyano group, sulfo group, A boxyl group, a nitro group, a hydroxamic acid group, a sulfino group, a hydrazino group, an imino group, a heterocyclic group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms). Oxygen atoms, sulfur atoms, specifically, imidazolyl, pyridyl, quinolyl, furyl, thienyl, piperidyl, morpholino, benzoxazolyl, benzimidazolyl, benzthiazolyl, carbazolyl, azepinyl, and the like. (Preferably having 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms, particularly preferably 3 to 24 carbon atoms, and examples thereof include trimethylsilyl and triphenylsilyl). These substituents may be further substituted and may combine with each other to form a ring.

1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16に含まれる置換基の例として好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基であり、より好ましくはアリール基、ヘテロアリール基である。 Included in R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , R 16 Examples of the substituent are preferably an alkyl group, an aryl group, and a heteroaryl group, and more preferably an aryl group and a heteroaryl group.

一般式(VI)で表される化合物は、その骨格上のR1〜R16を介して、又はR1〜R16のいずれかの水素原子などの原子が離脱して、2個以上が結合することにより形成した2量体以上の多量体を形成していてもよい。このように一般式(1)で表される化合物は低分子化合物であっても良く、また、オリゴマー化合物、ポリマー化合物(重量平均分子量(ポリスチレン換算)が好ましくは1000〜5000000、より好ましくは2000〜1000000、さらに好ましくは3000〜100000である。)であっても良い。ポリマー化合物の場合、トリフェニレン構造がポリマー主鎖を構成するように含まれても良く、また、ポリマー側鎖に含まれていても良い。また、ポリマー化合物の場合、ホモポリマー化合物であっても良く、共重合体であっても良い。本発明の化合物は低分子化合物が好ましい。 In the compound represented by the general formula (VI), two or more of them are bonded through R 1 to R 16 on the skeleton or an atom such as a hydrogen atom of any of R 1 to R 16 leaving. By doing so, a dimer or more multimer formed may be formed. Thus, the compound represented by the general formula (1) may be a low molecular compound, and an oligomer compound or a polymer compound (weight average molecular weight (polystyrene conversion) is preferably 1000 to 5000000, more preferably 2000 to 2000 1000000, more preferably 3000-100000). In the case of a polymer compound, a triphenylene structure may be included so as to constitute a polymer main chain, or may be included in a polymer side chain. In the case of a polymer compound, it may be a homopolymer compound or a copolymer. The compound of the present invention is preferably a low molecular compound.

(一般式(VII)で表される化合物)
次に一般式(2)で表される化合物について説明する。
(Compound represented by formula (VII))
Next, the compound represented by the general formula (2) will be described.

Figure 2006032638
Figure 2006032638

Lは、単結合あるいは2価以上の連結基を表す。Lは好ましくは単結合、C、N、O、S、Si、Geなどで形成される連結基であり、さらに好ましくは単結合、2価以上の芳香環、2価以上の芳香族複素環、炭素原子、窒素原子、又はケイ素原子で形成される連結基である。最も好ましくは単結合、2価以上のベンゼン、2価以上のナフタレン、2価以上のビフェニル、2価以上のテルフェニル、2価以上のトリフェニレン、2価以上のフェナンスレン、2価以上のトリアゾール、2価以上のピリジン、2価以上のピリミジン、炭素原子、窒素原子、又はケイ素原子で形成される連結基ある。一般式(VII)で表される化合物は、前記の一般式(VI)で表される化合物のR1〜R16のいずれかから水素原子などの原子を離脱して得られる基で結合した、又はR1〜R16のいずれか1つを除いて結合した2量体以上の多量体を形成したものに相当する。 L represents a single bond or a divalent or higher valent linking group. L is preferably a single bond, a linking group formed of C, N, O, S, Si, Ge, etc., more preferably a single bond, a divalent or higher aromatic ring, a divalent or higher aromatic heterocycle, A linking group formed of a carbon atom, a nitrogen atom, or a silicon atom. Most preferably, a single bond, divalent or higher benzene, divalent or higher naphthalene, divalent or higher biphenyl, divalent or higher terphenyl, divalent or higher triphenylene, divalent or higher phenanthrene, divalent or higher triazole, 2 A linking group formed of valent or higher pyridine, divalent or higher pyrimidine, carbon atom, nitrogen atom, or silicon atom. The compound represented by the general formula (VII) is bonded with a group obtained by removing an atom such as a hydrogen atom from any of R 1 to R 16 of the compound represented by the general formula (VI). or corresponds to the formation of the dimer or more multimer bound except one of R 1 to R 16.

Lで表される連結基は、置換基を有しても良く、置換基はR1〜R16について述べた前記置換基と同義である。置換基として好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基であり、より好ましくはアリール基、ヘテロアリール基である。 The linking group represented by L may have a substituent, and the substituent has the same meaning as the substituent described for R 1 to R 16 . The substituent is preferably an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, more preferably an aryl group or a heteroaryl group.

Lで表される連結基の具体例としては単結合の他、例えば以下のものが挙げられるが、本発明のLはこれらに限定されない。下記の連結基中、フリーの結合手の全てに前記の一般式(VI)から誘導されるテトラフェニレン基が結合していてもよいが、これに限定されるわけではなく、少なくとも2本の結合手に結合していればよい。この場合テトラフェニレン基の結合しない結合手には、水素原子や通常の置換基が結合していてもよい。   Specific examples of the linking group represented by L include the following in addition to a single bond, but L in the present invention is not limited thereto. In the following linking groups, all of the free bonds may be bonded to a tetraphenylene group derived from the above general formula (VI), but the present invention is not limited to this, and at least two bonds are bonded. It only has to be joined to the hand. In this case, a hydrogen atom or a normal substituent may be bonded to a bond to which the tetraphenylene group is not bonded.

Figure 2006032638
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Figure 2006032638
Figure 2006032638

Figure 2006032638
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前記Tは一般式(VI)で表される構造のR1〜R16のいずれかから原子を脱離して得られる基、又はR1〜R16のいずれか1つを除いて得られる基を表す。nは2以上の整数を表し、複数のTは互いに独立であり、互いに同じでも異なっていてもよい。 T represents a group obtained by removing an atom from any of R 1 to R 16 having a structure represented by the general formula (VI), or a group obtained by removing any one of R 1 to R 16. To express. n represents an integer greater than or equal to 2, and several T are mutually independent and may mutually be the same or different.

一般式(VII)においてnは2以上の整数を表すが、好ましくは2から8の整数であり、さらに好ましくは2から4の整数である。
一般式(VI)又は(VII)で表される化合物と三重項発光材料の比は、前者の構造、後者のT1レベルなどによって異なるが、質量比で好ましくは50:50〜99.9:0.1、より好ましくは80:20〜99:1である。
In the general formula (VII), n represents an integer of 2 or more, preferably an integer of 2 to 8, and more preferably an integer of 2 to 4.
The ratio of the compound represented by the general formula (VI) or (VII) to the triplet light-emitting material varies depending on the former structure, the latter T 1 level, etc., but is preferably 50:50 to 99.9: by mass ratio. 0.1, more preferably 80:20 to 99: 1.

次に、本発明の一般式(VI)及び一般式(VII)の化合物例を示すが、本発明はこれに限定されない。 Next, although the compound example of general formula (VI) and general formula (VII) of this invention is shown, this invention is not limited to this.

Figure 2006032638
Figure 2006032638

Figure 2006032638
Figure 2006032638

本発明の化合物は、例えば、非特許文献 Justus Liebigs Annalen der Chemie,704, 91 (1967).Tetrahedron Letters, 39, 5393 (1998),Journal of Chemical Society: Perkin Transactions 1, 159 (2001)、Angewandte Chemie, International Edition in English, 36, 1607 (1997)等に記載の方法によって合成することが出来る。   The compounds of the present invention are described in, for example, the non-patent document Just Liebigs Analder der Chemie, 704, 91 (1967). Tetrahedron Letters, 39, 5393 (1998), Journal of Chemical Society: Perkin Transactions 1, 159 (2001), Angewande Chemie, International Elig.

<発光素子>
次に、本発明の発光素子について説明する。
本発明の発光素子は、少なくとも一層の発光層を含む有機化合物層を有する発光素子であって、該有機化合物層のうちすくなくとも一層が前記一般式(I)の化合物を含有し、該一般式(I)を含む層と該発光層の間に正孔阻止層を有する素子であれば、システム、駆動方法、及び利用形態など特に問わない。代表的な発光素子として有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子を挙げることができる。
<Light emitting element>
Next, the light emitting device of the present invention will be described.
The light-emitting element of the present invention is a light-emitting element having an organic compound layer including at least one light-emitting layer, and at least one of the organic compound layers contains the compound of the general formula (I). As long as it is an element having a hole blocking layer between the layer containing I) and the light emitting layer, the system, the driving method, and the usage form are not particularly limited. An organic EL (electroluminescence) element can be mentioned as a typical light emitting element.

本発明の発光素子の外部量子効率としては、5%以上が好ましく、中でも消費電量が下げられる点、駆動耐久性を挙げられる点で、10%以上がより好ましく、13%以上がさらに好ましい。外部量子効率の数値は20℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値、もしくは、20℃で素子を駆動した時の100〜300cd/m 2 付近での外部量子効率の値を用いることができる。
素子の外部量子効率は、発光輝度、発光スペクトル、電流密度を測定し、その結果と比視感度曲線から算出することができる。すなわち、電流密度値を用い、入力した電子数を算出することができる。そして、発光スペクトルと比視感度曲線(スペクトル)を用いた積分計算により、発光輝度を発光したフォトン数に換算することができる。これらから外部量子効率(%)は、「(発光したフォトン数/素子に入力した電子数)×100」で計算することができる。
本発明においては、東陽テクニカ製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流定電圧をEL素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社製輝度計BM−8を用いて測定し、100cd/m2における外部量子効率が算出でき、本発明においてはこの数値を用いる。
The external quantum efficiency of the light-emitting device of the present invention is preferably 5% or more. Among them, 10% or more is more preferable, and 13% or more is more preferable in terms of reducing power consumption and driving durability. The value of the external quantum efficiency should be the maximum value of the external quantum efficiency when the device is driven at 20 ° C. or the value of the external quantum efficiency near 100 to 300 cd / m 2 when the device is driven at 20 ° C. Can do.
The external quantum efficiency of the device can be calculated from the result and the luminous efficiency curve obtained by measuring the emission luminance, emission spectrum, and current density. That is, the number of input electrons can be calculated using the current density value. The emission luminance can be converted into the number of photons emitted by integral calculation using the emission spectrum and the relative visibility curve (spectrum). From these, the external quantum efficiency (%) can be calculated by “(number of emitted photons / number of electrons input to the device) × 100”.
In the present invention, using a source measure unit type 2400 manufactured by Toyo Technica, a DC constant voltage is applied to the EL element to emit light, and the luminance is measured using a luminance meter BM-8 manufactured by Topcon Corporation, and is 100 cd / m 2. The external quantum efficiency at can be calculated, and this value is used in the present invention.

本発明の発光素子は、陽極、陰極の一対の電極間に、少なくとも発光層、前記一般式(I)含有層、及び正孔阻止層を設置した素子であり、さらに、発光層、前記正孔阻止層を含む複数の有機化合物膜を形成して他の層を有する素子でもよい。
前記発光層、前記一般式(I)含有層、及び正孔阻止層のほかの層としては、正孔輸送層を有することが好ましく、更に正孔注入層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよい。またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよく、同層が積層されいてもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。
前記一般式(I)含有層が、好適には電子輸送層であることが好ましい。
The light-emitting element of the present invention is an element in which at least a light-emitting layer, the general formula (I) -containing layer, and a hole blocking layer are disposed between a pair of electrodes of an anode and a cathode. An element having other layers by forming a plurality of organic compound films including a blocking layer may be used.
As the other layers of the light emitting layer, the general formula (I) -containing layer, and the hole blocking layer, it is preferable to have a hole transport layer, and further, a hole injection layer, an electron injection layer, an electron transport layer, a protection layer. You may have a layer. Each of these layers may have other functions, or the same layer may be laminated. Various materials can be used for forming each layer.
The general formula (I) -containing layer is preferably an electron transport layer.

(陽極)
前記陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が4eV以上の材料である。
具体例としては、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ(ITO)等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとITOとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からITOが好ましい。
陽極の膜厚は、材料により適宜選択可能であるが、通常10nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは50nm〜1μmであり、更に好ましくは100nm〜500nmである。
(anode)
The anode supplies holes to a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and the like, and a metal, an alloy, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof can be used. The material preferably has a work function of 4 eV or more.
Specific examples include conductive metal oxides such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide and indium tin oxide (ITO), metals such as gold, silver, chromium and nickel, and these metals and conductive metal oxides. A mixture or laminate thereof, inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene and polypyrrole, and laminates of these with ITO, preferably conductive It is a metal oxide, and ITO is particularly preferable in terms of productivity, high conductivity, transparency, and the like.
The thickness of the anode can be appropriately selected depending on the material, but is usually preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably 50 nm to 1 μm, still more preferably 100 nm to 500 nm.

陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。透明樹脂基板としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルや、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)、テフロン(登録商標)、ポリテトラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合体等の高分子材料が挙げられる。
基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常0.2mm以上、好ましくは0.7mm以上のものを用いる。
陽極の作製には、材料によって種々の方法が用いられるが、例えばITOの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法(ゾルーゲル法など)、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。
陽極は、洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばITOの場合、UV−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
As the anode, a layer formed on a soda-lime glass, non-alkali glass, a transparent resin substrate or the like is usually used. When glass is used, it is preferable to use non-alkali glass as the material in order to reduce ions eluted from the glass. Moreover, when using soda-lime glass, it is preferable to use what gave barrier coatings, such as a silica. Transparent resin substrates include polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethylene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, allyl diglycol carbonate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, poly (chlorotrine). Fluoroethylene), Teflon (registered trademark), and polytetrafluoroethylene-polyethylene copolymer.
The thickness of the substrate is not particularly limited as long as it is sufficient to maintain the mechanical strength, but when glass is used, a thickness of 0.2 mm or more, preferably 0.7 mm or more is usually used.
Various methods are used for producing the anode depending on the material. For example, in the case of ITO, an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, a chemical reaction method (sol-gel method, etc.), and a dispersion of indium tin oxide are applied. A film is formed by such a method.
The anode can be driven to lower the drive voltage of the element or increase the light emission efficiency by washing or other processing. For example, in the case of ITO, UV-ozone treatment, plasma treatment, etc. are effective.

(陰極)
陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。
陰極の材料としては、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属(例えばLi、Na、K等)及びそのフッ化物または酸化物、アルカリ土類金属(例えばMg、Ca等)及びそのフッ化物または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が4eV以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。
陰極は、上記化合物及びそれらの混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及びそれらの混合物を含む積層構造を採ることもできる。例えば、アルミニウム/フッ化リチウム、アルミニウム/酸化リチウムの積層構造が好ましい。
陰極の膜厚は、材料により適宜選択可能であるが、通常10nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは50nm〜1μmであり、更に好ましくは100nm〜1μmである。
陰極の作製には、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法、転写法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
陽極及び陰極のシート抵抗は、低い方が好ましく、数百Ω/□以下が好ましい。
(cathode)
The cathode supplies electrons to the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, etc., and the adhesion, ionization potential, and stability between the negative electrode and the adjacent layer such as the electron injection layer, the electron transport layer, and the light emitting layer. It is selected in consideration of etc.
As a material for the cathode, a metal, an alloy, a metal halide, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof can be used. As specific examples, an alkali metal (for example, Li, Na, K, etc.) and its Fluorides or oxides, alkaline earth metals (eg Mg, Ca, etc.) and their fluorides or oxides, gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloys or their mixed metals, lithium-aluminum alloys or their Examples thereof include mixed metals, magnesium-silver alloys or mixed metals thereof, rare earth metals such as indium and ytterbium, preferably materials having a work function of 4 eV or less, more preferably aluminum, lithium-aluminum alloys or mixtures thereof. A metal, a magnesium-silver alloy, or a mixed metal thereof.
The cathode can take not only a single layer structure of the above-mentioned compounds and a mixture thereof but also a laminated structure containing the above-mentioned compounds and a mixture thereof. For example, a laminated structure of aluminum / lithium fluoride and aluminum / lithium oxide is preferable.
The thickness of the cathode can be appropriately selected depending on the material, but is usually preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably 50 nm to 1 μm, still more preferably 100 nm to 1 μm.
For production of the cathode, methods such as an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, a coating method, and a transfer method are used, and a metal can be vapor-deposited alone or two or more components can be vapor-deposited simultaneously. Furthermore, a plurality of metals can be vapor-deposited simultaneously to form an alloy electrode, or a previously prepared alloy may be vapor-deposited.
The sheet resistance of the anode and the cathode is preferably low, and is preferably several hundred Ω / □ or less.

(発光層)
発光層の材料は、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成できる材料であれば、特に限定されず、公知の発光材料を用いることができる。中でも、該公知の発光材料と共にホスト材料を用いることが好ましい。公知の発光材料は、単一物質でも複数の物質の組み合わせでもよい。電荷輸送機能と発光機能を分離してより優れた性能を得るため、あるいは高濃度の発光材料中で凝集が起こり励起状態が無輻射失活する現象(濃度消光)を防ぐために、発光材料をドーパントとして電荷輸送材料(ホスト材料)中にドープすることが好ましく行われる。
(Light emitting layer)
The material of the light emitting layer is a function that can inject holes from the anode or hole injection layer, hole transport layer and cathode or electron injection layer, electron transport layer when an electric field is applied, The material is not particularly limited as long as it is a material that can form a layer having a function of moving injected charges and a function of emitting light by providing a recombination field of holes and electrons, and a known light-emitting material can be used. . Among them, it is preferable to use a host material together with the known light emitting material. The known light emitting material may be a single substance or a combination of a plurality of substances. In order to obtain better performance by separating the charge transport function and the light emitting function, or to prevent the phenomenon that the excited state is non-radiatively deactivated (concentration quenching) in a high concentration light emitting material, the light emitting material is used as a dopant. It is preferable to dope into the charge transport material (host material).

−発光材料−
本発明の発光層は、前記発光材料とホスト材料とを共に含有することが好ましいが、発光層中に該発光材料としては0.1質量%以上20質量%以下含有するのが好ましく、1質量%以上15質量%以下含有するのがより好ましく、2質量%以上8質量%以下含有するのがさらに好ましい。
上記範囲よりも低濃度で該発光材料を使用すると、十分な発光輝度が得られない上にホスト材料が望まない波長で発光しやすくなる。また上記範囲よりも高濃度で該発光材料をを使用すると、濃度消光により発光効率が低下しやすくなるとともに、電荷が該発光材料を流れて分解が起こりやすくなるため発光素子の駆動耐久性が悪化する傾向となる。
また、本発明の発光素子における発光は、紫外発光、可視光発光、赤外発光であってもよく、また蛍光発光であっても燐光発光であってもよい。
本発明における好ましい発光材料としては、一重項励起子から発光する蛍光発光性化合物、又は、三重項励起子から発光する燐光発光性化合物のいずれであってもよい。
本発明に使用できる発光材料の例としては、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、8−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体、希土類錯体、イリジウムトリスフェニルピリジン錯体及び白金ポルフィリン錯体等の遷移金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
-Luminescent material-
The light emitting layer of the present invention preferably contains both the light emitting material and the host material, and the light emitting material preferably contains 0.1% by mass or more and 20% by mass or less as the light emitting material. % To 15% by mass is more preferable, and 2% to 8% by mass is further preferable.
When the light emitting material is used at a concentration lower than the above range, sufficient light emission luminance cannot be obtained and the host material easily emits light at an undesired wavelength. In addition, when the light emitting material is used at a concentration higher than the above range, the light emission efficiency is likely to be reduced due to concentration quenching, and the driving of the light emitting element is deteriorated because the charge easily flows through the light emitting material and is decomposed. Tend to.
The light emission in the light emitting device of the present invention may be ultraviolet light emission, visible light light emission, or infrared light emission, and may be fluorescence light emission or phosphorescence light emission.
A preferable light-emitting material in the present invention may be a fluorescent compound that emits light from singlet excitons or a phosphorescent compound that emits light from triplet excitons.
Examples of light-emitting materials that can be used in the present invention include benzoxazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzothiazole derivatives, styrylbenzene derivatives, polyphenyl derivatives, diphenylbutadiene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, naphthalimide derivatives, coumarin derivatives, condensed fragrances. Group compounds, perinone derivatives, oxadiazole derivatives, oxazine derivatives, aldazine derivatives, pyralidine derivatives, cyclopentadiene derivatives, bisstyrylanthracene derivatives, quinacridone derivatives, pyrrolopyridine derivatives, thiadiazolopyridine derivatives, cyclopentadiene derivatives, styrylamine derivatives, Diketopyrrolopyrrole derivatives, aromatic dimethylidin compounds, metal complexes of 8-quinolinol derivatives and metal complexes of pyromethene derivatives, rare S complex, various metal complexes typified by transition metal complexes such as iridium trisphenylpyridine complexes and platinum porphyrin complexes, polythiophene, polyphenylene, polyphenylene vinylene polymer compounds include compounds such as organic silane derivatives.

−ホスト材料−
本発明における前記発光材料のほか、発光層にはホスト材料をすることが好ましいが、例えば、カルバゾール誘導体(例えば「アプライド フィジックス レターズ(Applied Physics Letters)」、1999、第74巻、第3号、p.442に記載のもの)、トリベンゾアゼピン誘導体(特開平10−59943号、同10−219241号、同10−316875号、同10−324680号、同10−330365号、特開2001−97953号)、トリアゾール誘導体(米国特許第3112197号)、オキサゾール誘導体(米国特許第3257203号)、イミダゾール誘導体(特公昭37−16096号)、ポリアリールアルカン誘導体(米国特許第3615402号、同3820989号、同3542544号、特公昭45−555号、同51−10983号、特開昭51−93224号、同55−17105号、同56−4148号、同55−108667号、同55−156953号、同56−36656号)、ポリアリールベンゼノイド誘導体(特開平10−255985号、特開2002−260861号)、アリールアミン誘導体(米国特許第3567450号、同3180703号、同3240597号、同3658520号、同4232103号、同4175961号、同4012376号、特公昭49−35702号、同39−27577号、特開昭55−144250号、同56−119132号、同56−22437号、西独特許第1110518号)、スチリルアントラセン誘導体(特開昭56−46234号)、スチルベン誘導体(特開昭61−210363号、同61−228451号、同61−14642号、同61−72255号、同62−47646号、同62−36674号、同62−10652号、同62−30255号、同60−93445号、同60−94462号、同60−174749号、同60−175052号)、芳香族第三アミン化合物及びスチリルアミン化合物(特開昭63−295695号、同53−27033号、同54−58445号、同54−149634号、同54−64299号、同55−79450号、同55−144250号、同56−119132号、同61−295558号、同61−98353号、特開平8−239655号、米国特許第4127412号)、芳香族ジメチリデン系化合物(特開平6−330034号)、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体(米国特許第3180729号、同4278746号、特開昭55−88064号、同55−88065号、同49−105537号、同55−51086号、同56−80051号、同56−88141号、同57−45545号、同54−112637号、同55−74546号)、フェニレンジアミン誘導体(米国特許第3615404号、特公昭51−10105号、同46−3712号、同47−25336号、特開昭54−53435号、同54−110536号、同54−119925号)、アミノ置換カルコン誘導体(米国特許第3526501号)、フルオレノン誘導体(特開昭54−110837号)、ヒドラゾン誘導体(米国特許第3717462号、特開昭54−59143号、同55−52063号、同55−52064号、同55−46760号、同55−85495号、同57−11350号、同57−148749号)、シラザン誘導体(米国特許第4950950号)、ポルフィリン系化合物(特開昭63−295695号)、アントラキノジメタン誘導体及びアントロン誘導体(特開昭57−149259号、同58−55450号、同63−104061号、特開昭61−225151号、同61−233750号)、ジフェノキノン誘導体やチオピランジオキシド誘導体及びカルボジイミド誘導体(「ポリマー プレプリンツ、ジャパン(Polymer Preprints,Japan)」、1988、第37巻、第3号、p.681)、フルオレニリデンメタン誘導体(特開昭60−69657号、同61−143764号、同61−148159号))、ジスチリルピラジン誘導体(「ケミストリー レターズ(Chemistry Letters)」、1990、p.189、特開平2−252793号、特開平5−178842号)、複素環テトラカルボン酸無水物誘導体(「ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジックス(Japanese Journal of Applied Physics)」、1988、27巻、L269)、ポルフィリンやフタロシアニン誘導体(特開昭63−2956965号)、8−キノリノール誘導体の金属錯体(「電子情報通信学会論文誌」、1990、C−2、p.661)、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体、及びベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体の群から選ばれるホスト材料を少なくとも1種含有することが正孔や電子の輸送性の点で好ましく、中でも、カルバゾール誘導体であることがより好ましい。
-Host material-
In addition to the light emitting material of the present invention, a host material is preferably used for the light emitting layer. For example, a carbazole derivative (for example, “Applied Physics Letters”, 1999, Vol. 74, No. 3, p. 442), tribenzoazepine derivatives (JP-A-10-59943, JP-A-10-219241, JP-A-10-316875, JP-A-10-324680, JP-A-10-330365, JP-A-2001-97953). ), A triazole derivative (US Pat. No. 3,121,197), an oxazole derivative (US Pat. No. 3,257,203), an imidazole derivative (Japanese Patent Publication No. 37-16096), a polyarylalkane derivative (US Pat. Nos. 3,615,402, 3,820,989, 354,254). 4, JP-B-45-555, JP-A-51-10983, JP-A-51-93224, JP-A-55-17105, JP-A-56-4148, JP-A-55-108667, JP-A-55-156953, JP-A-56. -36656), polyarylbenzenoid derivatives (JP-A-10-255985, JP-A-2002260861), arylamine derivatives (US Pat. Nos. 3,567,450, 3,180,703, 3,240,597, 3,658,520, 4,232,103) No. 4,175,961, No. 4012376, JP-B-49-35702, JP-A-39-27577, JP-A-55-144250, JP-A-56-119132, JP-A-56-22437, West German Patent No. 1105518), Styrylanthracene derivatives (Japanese Patent Laid-Open No. 56-46234), stil Derivatives (Japanese Patent Laid-Open Nos. 61-210363, 61-228451, 61-14642, 61-72255, 62-47646, 62-36674, 62-10652, 62- 30255, 60-93445, 60-94462, 60-174749, 60-175052), aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds (JP-A 63-295695, 53- 27033, 54-58445, 54-149634, 54-64299, 55-79450, 55-144250, 56-119132, 61-295558, 61-98353 JP-A-8-239655, U.S. Pat. No. 4,127,412), aromatic dimethylidene compounds (Japanese Patent Laid-Open No. 30034), pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives (US Pat. Nos. 3,180,729, 4,278,746, JP-A-55-88064, 55-88065, 49-105537, 55-51086, 56-80051). No. 56-88141, No. 57-45545, No. 54-112537, No. 55-74546), Phenylenediamine derivatives (US Pat. No. 3,615,404, JP-B-51-10105, No. 46-3712, 47-25336, JP 54-53435, 54-11536, 54-1119925), amino-substituted chalcone derivative (US Pat. No. 3,526,501), fluorenone derivative (JP 54-110837) Hydrazone derivatives (US Pat. No. 3,717,462, JP 54-59143, 55-52063, 55-52064, 55-46760, 55-85495, 57-11350, 57-148799), silazane derivatives (US Pat. No. 4,950,950) ), Porphyrin compounds (JP-A 63-295695), anthraquinodimethane derivatives and anthrone derivatives (JP-A 57-149259, 58-55450, 63-104601, JP 61-225151). No. 61-233750), diphenoquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives and carbodiimide derivatives ("Polymer Preprints, Japan", 1988, Vol. 37, No. 3, p. 681), fluorenylidenemethane derivatives (JP-A-60-69657, JP-A-61-143764, JP-A-61-148159)), distyrylpyrazine derivatives ("Chemistry Letters", 1990, p.189). , JP-A-2-252793, JP-A-5-178842), heterocyclic tetracarboxylic acid anhydride derivatives ("Japanese Journal of Applied Physics", 1988, 27, L269), porphyrins and the like Phthalocyanine derivatives (Japanese Patent Laid-Open No. 63-295965), metal complexes of 8-quinolinol derivatives (Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, 1990, C-2, p.661), and benzoxazole as a ligand From the viewpoint of hole and electron transport properties, it is preferable to contain at least one host material selected from the group of metal complexes having a benzothiazole ligand and a metal complex having benzothiazole as a ligand. More preferred.

またホスト材料の三重項励起状態から発光材料へのエネルギー授受が効率的に行われるためには、ホスト材料の最低三重項励起状態のエネルギーレベル(T1レベル)は発光材料のT1レベルよりも高いことが好ましい。発光材料のT1レベルはその発光波長が短いほど高くなるので、短波な発光素子用の発光層では高T1のホスト材料が必要であるが、一方でT1はホスト材料の最高占有軌道(HOMO)と最低非占有軌道(LUMO)に関連し、これらは電荷の注入や輸送の能力に関わる(一般にHOMOとLUMOのエネルギー差が大きいほど電荷が注入されにくく、電気的に絶縁性が高くなる)ため、最適なT1レベルのホスト材料を選択することが重要である。
特に、発光極大波長が500nm以下の青色発光素子用の発光層ホスト材料のT1レベルは62kcal/mol以上(259kJ/mol以上)、85kcal/mol以下(355kJ/mol以下)であることが好ましく、65kcal/mol以上(272kJ/mol以上)、80kcal/mol以下(334kJ/mol以下)であることがより好ましい。
In order to efficiently transfer energy from the triplet excited state of the host material to the light emitting material, the energy level (T 1 level) of the minimum triplet excited state of the host material is higher than the T 1 level of the light emitting material. High is preferred. Since the T 1 level of the luminescent material becomes higher as the emission wavelength is shorter, a high T 1 host material is required in the light emitting layer for a short wave light emitting element, while T 1 is the highest occupied orbit of the host material ( HOMO) and the lowest unoccupied orbit (LUMO), which are related to the ability to inject and transport charges (generally, the larger the energy difference between HOMO and LUMO, the less the charge is injected and the higher the electrical insulation) Therefore, it is important to select an optimal T 1 level host material.
In particular, the T 1 level of the light emitting layer host material for a blue light emitting element having an emission maximum wavelength of 500 nm or less is preferably 62 kcal / mol or more (259 kJ / mol or more), 85 kcal / mol or less (355 kJ / mol or less), More preferably, they are 65 kcal / mol or more (272 kJ / mol or more) and 80 kcal / mol or less (334 kJ / mol or less).

上記物性値を満たす本発明の発光素子におけるホスト材料としては、特開2002−100476、特開2002−338579号に記載のホスト材料が好ましく、特開2002−100476に記載のホスト材料がより好ましい。特開2002−100476に記載のホスト材料の好ましい範囲は、同明細書に記載のとおりである。   As the host material in the light-emitting element of the present invention that satisfies the above physical property values, the host materials described in JP-A Nos. 2002-1000047 and 2002-338579 are preferable, and the host material described in JP-A No. 2002-1000047 is more preferable. A preferable range of the host material described in JP-A No. 2002-1000047 is as described in the specification.

本発明における発光層は、真空蒸着法やLB法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられるが、中でも、真空蒸着法が均一で一定の膜厚の薄膜が形成でき、耐久性も向上の観点から好ましい。
蒸着法とは通常高真空下(10-2Pa以下)において物質を加熱蒸発させ、気体状となった物質をターゲット上に付着成膜する真空蒸着法のことであり、蒸発源から物質を蒸発させる加熱方法には抵抗加熱法、高周波加熱法、電子ビーム加熱法、レーザー加熱法などがあるが、抵抗加熱法が最も一般的である。 また加熱以外の方法で材料を蒸発させる方法としてスパッタリング法、イオンプレーティング法、分子線エピタキシ法などがあり、目的により使い分けることができる。さらに広い意味での蒸着法としてターゲット表面上での化学反応により膜を形成するCVD法もあり、本発明でいう蒸着法はこれらの蒸着技術すべてを含むものとする。蒸着法の詳細についてはオーム社刊、「新判・真空ハンドブック」(株式会社アルバック編)の第8章に記載されている。
2種以上の物質の混合物で膜形成する場合には、1つの蒸発源に複数の物質の混合物を入れて蒸発させてもよいが、この方法では蒸発気体中の物質組成を一定に保つのが難しく、別々の蒸発源から同時に分子を飛ばす方法が一般的である。また加熱した基盤上に複数の物質を順次積層成膜し、熱による拡散を利用して均一な膜とする方法(特許第3362504号)も知られている。
For the light emitting layer in the present invention, a vacuum deposition method, an LB method, a method in which the hole injecting and transporting material is dissolved or dispersed in a solvent, a coating method, an ink jet method, a printing method, and a transfer method are used. Can form a thin film with a uniform film thickness and is preferable from the viewpoint of improving durability.
The vapor deposition method is a vacuum vapor deposition method in which a substance is heated and evaporated under high vacuum (10 −2 Pa or less), and a gaseous substance is deposited on a target to form a film. The substance is evaporated from an evaporation source. There are a resistance heating method, a high frequency heating method, an electron beam heating method, a laser heating method and the like as the heating method to be used, but the resistance heating method is the most common. Further, there are a sputtering method, an ion plating method, a molecular beam epitaxy method, and the like as a method for evaporating the material by a method other than heating, which can be properly used depending on the purpose. There is a CVD method in which a film is formed by a chemical reaction on the target surface as a vapor deposition method in a broader sense, and the vapor deposition method referred to in the present invention includes all these vapor deposition techniques. Details of the vapor deposition method are described in Chapter 8 of "New Format / Vacuum Handbook" (edited by ULVAC, Inc.) published by Ohm.
In the case of forming a film with a mixture of two or more substances, a mixture of a plurality of substances may be put into one evaporation source to evaporate, but in this method, the composition of the substance in the evaporated gas is kept constant. A difficult method is to fly molecules simultaneously from different evaporation sources. There is also known a method (Japanese Patent No. 3362504) in which a plurality of substances are sequentially stacked on a heated substrate to form a uniform film using diffusion by heat.

蒸着法で作成した発光層は、スピンコート法やインクジェット法に代表される湿式成膜法で作成した場合に比べて、溶媒やバインダ等に由来する不純物や酸素、水分を含まないため発光輝度や駆動耐久性の点で優れ、また既設の下層を溶媒により溶解する心配もなく、所望の膜厚の均一な発光層薄膜を容易に得ることができる。
さらに蒸着時にマスキングを施すことにより、画素ごとに異なる発光材料、ホスト材料を用いて異なる発光特性を持たせることができ、精細高画質のフルカラーディスプレイを作成するのに適している。
The light-emitting layer created by the vapor deposition method does not contain impurities, oxygen, and moisture derived from solvents, binders, etc., compared to the case where it is created by a wet film formation method typified by a spin coating method or an inkjet method. A light emitting layer thin film having a desired film thickness can be easily obtained without being concerned about driving durability and without worrying about dissolving an existing lower layer with a solvent.
Further, by performing masking during vapor deposition, different light emitting materials and host materials can be used for each pixel so that different light emission characteristics can be obtained, which is suitable for producing a full color display with high definition and high image quality.

本発明の発光層を蒸着法により形成する場合には、発光層の材料としてポリマーやオリゴマーといった高分子材料は、揮発性が低く蒸着が難しい上に、材料自体が分子量分布を有しており、再現性の良い発光が得にくいため好ましくない。
また蒸着の容易性から発光層の材料はイオン性化合物ではなく、中性分子化合物であることが好ましい。
蒸着により形成された発光層薄膜は、薄利やピンホール等の欠陥が無い均一な非結晶性薄膜(アモルファス膜)であることが好ましく、経時や熱による再結晶化が起こると発光素子の性能変化や劣化に繋がるため、融点ならびにガラス転位温度(Tg)は高いことが好ましい。発光層の材料の融点は好ましくは150℃以上、より好ましくは200℃以上、さらに好ましくは250℃以上、Tgは好ましくは70℃以上、より好ましくは100℃以上、さらに好ましくは120℃以上である。
上記のような要求性能を満たすホスト材料としては、T1レベルが高く、結晶化が起こりにくく、励起状態の寿命が長く発光効率の高さが期待できるカルバゾール誘導体が最も好ましい。
When the light emitting layer of the present invention is formed by a vapor deposition method, a polymer material such as a polymer or an oligomer as the material of the light emitting layer has low volatility and is difficult to deposit, and the material itself has a molecular weight distribution. This is not preferable because it is difficult to obtain light emission with good reproducibility.
Moreover, it is preferable that the material of a light emitting layer is not an ionic compound but a neutral molecular compound from the ease of vapor deposition.
The light-emitting layer thin film formed by vapor deposition is preferably a uniform non-crystalline thin film (amorphous film) free from defects such as thinness and pinholes, and changes in the performance of the light-emitting element when recrystallization occurs due to aging or heat Therefore, it is preferable that the melting point and the glass transition temperature (Tg) are high. The melting point of the material of the light emitting layer is preferably 150 ° C. or higher, more preferably 200 ° C. or higher, more preferably 250 ° C. or higher, and Tg is preferably 70 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher. .
As a host material satisfying the above required performance, a carbazole derivative that has a high T 1 level, is unlikely to cause crystallization, has a long excited state lifetime, and can be expected to have high emission efficiency is most preferable.

以下に、本発明における前記ホスト材料の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。   Although the specific example of the said host material in this invention is given to the following, this invention is not limited to these.

Figure 2006032638
Figure 2006032638

前記以外に発光層には、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド(特開平2−305886号)、クマリン、ペリレン(特開平2−189890号)、ペリノン、オキサジアゾール(特開平2−216791号、または第38回応用物理学関係連合講演会で浜田らによって開示されたオキサジアゾール誘導体)、アルダジン(誘導体特開平2−220393号)、ピラジリン(特開平2−220394号公報)、シクロペンタジエンの金属錯体(特開平2−289675号)や希土類錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン、イリジウムトリスフェニルピリジン錯体及び白金ポルフィリン錯体に代表される遷移金属錯体、及びそれらの誘導体等を添加することができる。   In addition to the above, for the light emitting layer, polyphenyl, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, naphthalimide (JP-A-2-305886), coumarin, perylene (JP-A-2-189890), perinone, oxadiazole (JP-A-2). No. -216791, or the oxadiazole derivative disclosed by Hamada et al. At the 38th Applied Physics Relations Conference), aldazine (derivative JP-A-2-220393), pyrazirine (JP-A-2-220394), Metal complexes of cyclopentadiene (JP-A-2-289675), various metal complexes represented by rare earth complexes, transition metal complexes represented by organosilanes, iridium trisphenylpyridine complexes and platinum porphyrin complexes, and derivatives thereof Can be added.

発光層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであり、更に好ましくは10nm〜500nmである。
発光層は一つであっても複数であってもよく、それぞれの発光層が異なる発光色で発光して、全体として例えば白色を発光してもよいし、単一の発光層から白色を発光してもよい。発光層が複数の場合、それぞれの発光層は単一材料で形成されていてもよいし、複数の化合物で形成されていてもよい。
Although the film thickness of a light emitting layer is not specifically limited, Usually, the thing of the range of 1 nm-5 micrometers is preferable, More preferably, it is 5 nm-1 micrometer, More preferably, it is 10 nm-500 nm.
There may be one or a plurality of light emitting layers, and each light emitting layer emits light in a different light emission color, for example, may emit white light as a whole, or may emit white light from a single light emitting layer. May be. When there are a plurality of light emitting layers, each light emitting layer may be formed of a single material or may be formed of a plurality of compounds.

(正孔注入層、正孔輸送層)
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。
前記正孔注入層、正孔輸送層の材料は、トリベンゾアゼピン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ポリアリールベンゼン誘導体、アリールアミン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、スチルベン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、8−キノリノール誘導体の金属錯体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体及びポルフィリン系化合物の群から選択される1種以上であることが好ましい。これらの化合物の好ましい例は前記ホスト材料の項で述べた対応する化合物の例と同様のものを挙げることができる。
さらに正孔輸送層が前記発光層に隣接する層である場合には、発光層で生じた三重項励起子が正孔輸送層へ移動しないように正孔輸送材料の最低三重項励起状態のエネルギーレベル(T1レベル)は発光材料や発光層ホスト材料のT1レベルよりも高いことが好ましい。特に発光極大波長が500nm以下の青色発光素子用の正孔輸送材料のT1レベルは62kcal/mol以上(259kJ/mol以上)、85kcal/mol以下(355kJ/mol以下)であることが好ましく、65kcal/mol以上(272kJ/mol以上)、80kcal/mol以下(334kJ/mol以下)であることがより好ましい。
上記物性値を満たす正孔輸送材料としては、特開2002−100476号に記載の正孔輸送材料が好ましく、特開2002−100476号に記載の正孔輸送材料の好ましい範囲は、同明細書に記載のとおりである。
前記の化合物群のうちトリベンゾアゼピン誘導体は高T1で高い発光効率が期待でき、アリールアミン誘導体は高い安定性により耐久性向上が期待できるため、この両者から正孔輸送材料を選択することがより好ましい。
その他として、必要に応じてカルバゾール、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、およびそれらの誘導体等を添加することができる。
(Hole injection layer, hole transport layer)
The material of the hole injection layer and the hole transport layer may be any one having a function of injecting holes from the anode, a function of transporting holes, or a function of blocking electrons injected from the cathode. Good.
Materials for the hole injection layer and hole transport layer are tribenzazepine derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, polyarylbenzene derivatives, arylamine derivatives, styrylanthracene derivatives. , Stilbene derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidene compounds, metal complexes of 8-quinolinol derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, It is preferable that it is 1 or more types selected from the group of a silazane derivative and a porphyrin-type compound. Preferable examples of these compounds are the same as those of the corresponding compounds described in the section of the host material.
Further, when the hole transport layer is a layer adjacent to the light emitting layer, the energy of the lowest triplet excited state of the hole transport material is prevented so that triplet excitons generated in the light emitting layer do not move to the hole transport layer. The level (T 1 level) is preferably higher than the T 1 level of the light emitting material or the light emitting layer host material. In particular, the T 1 level of a hole transport material for a blue light emitting device having an emission maximum wavelength of 500 nm or less is preferably 62 kcal / mol or more (259 kJ / mol or more), 85 kcal / mol or less (355 kJ / mol or less), and 65 kcal. / Mol or more (272 kJ / mol or more) and 80 kcal / mol or less (334 kJ / mol or less).
As a hole transport material satisfying the above physical property values, a hole transport material described in JP-A No. 2002-1000047 is preferable, and a preferable range of the hole transport material described in JP-A No. 2002-1000047 is described in the same specification. As described.
Among the above compound groups, tribenzazepine derivatives can be expected to have high luminous efficiency at high T 1 , and arylamine derivatives can be expected to improve durability due to high stability. More preferred.
In addition, carbazole, polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole), aniline copolymers, thiophene oligomers, conductive polymer oligomers such as polythiophene, organic silanes, carbon films, and derivatives thereof as necessary Can be added.

正孔注入層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常0.2nm〜1μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは1nm〜0.2μmであり、さらに好ましくは2nm〜100nmである。
正孔輸送層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであり、さらに好ましくは10nm〜500nmである。
正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
The thickness of the hole injection layer is not particularly limited, but is usually preferably in the range of 0.2 nm to 1 μm, more preferably 1 nm to 0.2 μm, and further preferably 2 nm to 100 nm. .
The thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but is usually preferably in the range of 1 nm to 5 μm, more preferably 5 nm to 1 μm, and even more preferably 10 nm to 500 nm.
The hole injection layer and the hole transport layer may have a single-layer structure composed of one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やLB法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられる。
コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
As a method for forming the hole injection layer and the hole transport layer, a vacuum deposition method, an LB method, a method in which the hole injection transport material is dissolved or dispersed in a solvent, a coating method, an ink jet method, a printing method, or a transfer method is used. It is done.
In the case of the coating method, it can be dissolved or dispersed together with the resin component. Examples of the resin component include polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, and poly (N -Vinyl carbazole), hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin, polyamide, ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resin, polyurethane, melamine resin, unsaturated polyester resin, alkyd resin, epoxy resin, silicone resin, and the like.

前記の層形成方法の中でも、正孔輸送層は蒸着法で設置されていることが好ましい。蒸着法で設置することにより、均一で一定の膜厚の薄膜が形成でき、耐久性も向上する傾向となる。
また正孔輸送層を蒸着法で設置する場合、正孔輸送層の材料も発光層材料と同様に分子量3000以下の低分子有機化合物及び/または分子量3000以下の低分子有機金属化合物からなることが好ましい。
Among the above-described layer forming methods, the hole transport layer is preferably installed by vapor deposition. By installing by the vapor deposition method, a thin film having a uniform and constant film thickness can be formed, and the durability tends to be improved.
When the hole transport layer is installed by vapor deposition, the material of the hole transport layer may be composed of a low molecular organic compound having a molecular weight of 3000 or less and / or a low molecular organic metal compound having a molecular weight of 3000 or less, like the light emitting layer material. preferable.

(電子注入層、電子輸送層)
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。
本発明の発光素子は、一対の電極間の有機化合物層のうちの少なくとも一層が、前記一般式(I)を含有する層であるが、中でも、一般式(I)が高い電子輸送能を有するとの観点から、好ましく該一般式(I)含有層が発光層と陰極との間に位置する層であることが好ましく、さらに電子注入層又は電子輸送層であることが好ましく、特に電子輸送層であること特に好ましい。
本発明の発光素子は、陰極と発光層の間にイオン化ポテンシャル5.9eV以上(より好ましくは6.0eV以上)の化合物を含有する層を用いるのが好ましく、イオン化ポテンシャル5.9eV以上の電子輸送材料を用いるのがより好ましい。
(Electron injection layer, electron transport layer)
The material for the electron injection layer and the electron transport layer may be any material having any one of a function of injecting electrons from the cathode, a function of transporting electrons, and a function of blocking holes injected from the anode.
In the light-emitting device of the present invention, at least one of the organic compound layers between the pair of electrodes is a layer containing the general formula (I). Among them, the general formula (I) has a high electron transporting ability. From this point of view, the general formula (I) -containing layer is preferably a layer located between the light emitting layer and the cathode, and more preferably an electron injection layer or an electron transport layer, and particularly an electron transport layer. Is particularly preferred.
In the light-emitting element of the present invention, a layer containing a compound having an ionization potential of 5.9 eV or more (more preferably 6.0 eV or more) is preferably used between the cathode and the light-emitting layer, and an electron transport having an ionization potential of 5.9 eV or more is used. It is more preferable to use a material.

本発明の電子注入層、電子輸送層の材料として、前記一般式(I)以外の具体例としては、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、8−キノリノールの金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン、及び、それらの誘導体等が挙げられる。
これらの化合物の好ましい例は前記ホスト材料の項で述べた対応する化合物の例と同様のものを挙げることができる。
該正孔阻止層は、前記目的から発光層に隣接して設けられることが特に好ましい。
上記以外の電子輸送材料としては、特開2002−100476号に記載の電子輸送材料が好ましく、特開2002−100476号に記載の電子輸送材料の好ましい範囲は、同明細書に記載のとおりである。
その他として、必要に応じてカルバゾール、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、およびそれらの誘導体等を添加することができる。
電子注入層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常0.2nm〜1μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは1nm〜0.2μmであり、さらに好ましくは2nm〜100nmである。
電子輸送層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであり、さらに好ましくは10nm〜500nmである。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やLB法、前記電子注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法などが用いられる。
コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
前記の層形成方法の中でも、電子輸送層は蒸着法で設置されていることが好ましい。蒸着法で設置することにより、均一で一定の膜厚の薄膜が形成でき、耐久性も向上する傾向となる。
また電子輸送層を蒸着法で設置する場合、電子輸送層の材料も発光層材料と同様に分子量3000以下の低分子有機化合物及び/または分子量3000以下の低分子有機金属化合物からなることが好ましい。
As materials for the electron injection layer and the electron transport layer of the present invention, specific examples other than the general formula (I) include triazole, oxazole, oxadiazole, imidazole, fluorenone, anthraquinodimethane, anthrone, diphenylquinone, thiol. Pyrandoxide, carbodiimide, fluorenylidenemethane, distyrylpyrazine, naphthalene, perylene and other aromatic ring tetracarboxylic anhydrides, phthalocyanines, 8-quinolinol metal complexes, metal phthalocyanines, benzoxazoles and benzothiazoles as ligands Examples thereof include various metal complexes typified by metal complexes, organosilanes, and derivatives thereof.
Preferable examples of these compounds are the same as those of the corresponding compounds described in the section of the host material.
The hole blocking layer is particularly preferably provided adjacent to the light emitting layer for the above purpose.
As an electron transport material other than the above, an electron transport material described in JP-A No. 2002-1000047 is preferable, and a preferable range of the electron transport material described in JP-A No. 2002-1000047 is as described in the specification. .
In addition, carbazole, polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole), aniline copolymers, thiophene oligomers, conductive polymer oligomers such as polythiophene, organic silanes, carbon films, and derivatives thereof as necessary Can be added.
The thickness of the electron injection layer is not particularly limited, but is usually preferably in the range of 0.2 nm to 1 μm, more preferably 1 nm to 0.2 μm, and further preferably 2 nm to 100 nm.
Although the film thickness of an electron carrying layer is not specifically limited, Usually, the thing of the range of 1 nm-5 micrometers is preferable, More preferably, it is 5 nm-1 micrometer, More preferably, it is 10 nm-500 nm.
The electron injection layer and the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
As a method for forming the electron injection layer and the electron transport layer, a vacuum vapor deposition method, an LB method, a method in which the electron injection transport material is dissolved or dispersed in a solvent, a coating method, an ink jet method, a printing method, a transfer method, and the like are used.
In the case of the coating method, it can be dissolved or dispersed together with the resin component. As the resin component, for example, those exemplified in the case of the hole injection transport layer can be applied.
Among the layer forming methods described above, the electron transport layer is preferably installed by vapor deposition. By installing by the vapor deposition method, a thin film having a uniform and constant film thickness can be formed, and the durability tends to be improved.
Moreover, when installing an electron carrying layer by a vapor deposition method, it is preferable that the material of an electron carrying layer also consists of a low molecular organic compound with a molecular weight of 3000 or less and / or a low molecular organometallic compound with a molecular weight of 3000 or less like the light emitting layer material.

(正孔阻止層)
本発明の発光素子は、前記一般式(I)含有層と発光層との間に正孔阻止層を有する。 該一般式(I)含有層と発光層との間に正孔阻止層を設けることにより、発光効率低下や耐久性悪化を防止することができる。
該正孔阻止層は、正孔が発光層を貫通して電子輸送層等の層に流れ込むのを防ぐ目的を達成するものであれば、いずれの化合物も用いることができるが、中でも、前記8−キノリノール誘導体の金属錯塩、前記一般式(III)、前記一般式(IV)、前記一般式(V)、前記一般式(VI)、及び前記一般式(VII)から選ばれる化合物のうち、いずれか1つを含有することが好ましい。該各化合物の好ましい範囲及び具体例は前記の通りである。
これらの化合物は、単独で用いても複数種を併用しても良い。
本発明において、前記8−キノリノール誘導体の金属錯塩、前記一般式(III)、前記一般式(IV)、前記一般式(V)、前記一般式(VI)、及び前記一般式(VII)から選択される化合物のうち、少なくともいずれか1つの化合物は、単独で層を構成しても良く、バインダー中に分散されて層を形成しても良い。
正孔阻止層を形成する方法としては、真空蒸着法やLB法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられるが、中でも、真空蒸着法が均一で一定の膜厚の薄膜が形成でき、耐久性も向上の観点から好ましい。
正孔阻止層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常5nm〜50μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜30μmであり、さらに好ましくは5nm〜20μmである。
正孔阻止層は、上述した材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
(Hole blocking layer)
The light emitting device of the present invention has a hole blocking layer between the layer containing the general formula (I) and the light emitting layer. By providing a hole blocking layer between the general formula (I) -containing layer and the light emitting layer, it is possible to prevent a decrease in light emission efficiency and deterioration in durability.
As the hole blocking layer, any compound can be used as long as it achieves the purpose of preventing holes from passing through the light emitting layer and flowing into a layer such as an electron transporting layer. A metal complex salt of a quinolinol derivative, any of compounds selected from the general formula (III), the general formula (IV), the general formula (V), the general formula (VI), and the general formula (VII) It is preferable to contain one of them. Preferred ranges and specific examples of each compound are as described above.
These compounds may be used alone or in combination of two or more.
In the present invention, the metal complex salt of the 8-quinolinol derivative, the general formula (III), the general formula (IV), the general formula (V), the general formula (VI), and the general formula (VII) are selected. Among the compounds to be formed, at least one of the compounds may constitute a layer alone or may be dispersed in a binder to form a layer.
As a method for forming the hole blocking layer, a vacuum deposition method, an LB method, a method in which the hole injecting and transporting material is dissolved or dispersed in a solvent, a coating method, an ink jet method, a printing method, and a transfer method are used. From the viewpoint of improving the durability, it is possible to form a thin film having a uniform film thickness with a uniform vacuum deposition method.
The thickness of the hole blocking layer is not particularly limited, but is usually preferably in the range of 5 nm to 50 μm, more preferably 5 nm to 30 μm, and further preferably 5 nm to 20 μm.
The hole blocking layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

(保護層)
本発明の発光素子は、水分や酸素の進入を防止するために保護層を有してもよい。
保護層の材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni等の金属、MgO、SiO、SiO2、Al23、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe23、Y23、TiO2等の金属酸化物、MgF2、LiF、AlF3、CaF2等の金属フッ化物、SiNx、SiOxy などの窒化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
(Protective layer)
The light emitting element of the present invention may have a protective layer in order to prevent moisture and oxygen from entering.
As a material for the protective layer, any material may be used as long as it has a function of suppressing the entry of elements that promote element deterioration such as moisture and oxygen into the element.
Specific examples thereof include metals such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, and Ni, MgO, SiO, SiO 2 , Al 2 O 3 , GeO, NiO, CaO, BaO, and Fe 2 O. 3 , metal oxides such as Y 2 O 3 and TiO 2 , metal fluorides such as MgF 2 , LiF, AlF 3 , and CaF 2 , SiN x , SiO x N y Such as nitride, polyethylene, polypropylene, polymethyl methacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, copolymer of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, tetrafluoroethylene And a copolymer obtained by copolymerizing a monomer mixture containing at least one comonomer, a fluorine-containing copolymer having a cyclic structure in the copolymer main chain, a water-absorbing substance having a water absorption of 1% or more, a water absorption of 0 .1% or less of moisture-proof substances and the like.
There is no particular limitation on the method for forming the protective layer. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, MBE (molecular beam epitaxy), cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization (high frequency excitation ions) Plating method), plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, coating method, printing method, and transfer method can be applied.

<有機電界発光素子の製造方法>
以下に、本発明の有機電界発光素子の製造方法について以下に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
透明電極としてITO薄膜を有するガラス基板を溶媒洗浄した後、UV−オゾン処理を行なう。さらに、この透明電極上に正孔注入層、正孔輸送層をこの順に蒸着法にて形成する。この上に、発光材料およびホスト材料を真空において共蒸着することにより発光層を形成する。該発光材料及びホスト材料は前記のものと同義であり、好ましい範囲も同様である。発光層に用いられる該ホスト材料及び該発光材料は分子量3000以下であることが好ましく、発光層を構成する材料が分子量3000以下であることが好ましい。該分子量範囲を前記範囲とすることにより蒸着し易くなる。
該蒸着としては、公知の蒸着法を用いることができる。さらにその上に、8−キノリノール誘導体の金属錯塩等の材料を用いて正孔阻止層を形成する。続いて、前記一般式(I)の化合物を含有する電子輸送層、電子注入層をこの順に設け、この上に、パタ−ニングしたマスクを設置し、背面電極(陰極)を蒸着して形成する。前記陽極と陰極のそれぞれにリ−ド線を結線し、発光積層体を形成する。ここで得られた発光積層体を封止して発光素子を作成する。
<Method for producing organic electroluminescent element>
Although the manufacturing method of the organic electroluminescent element of this invention is demonstrated below below, this invention is not limited to this.
A glass substrate having an ITO thin film as a transparent electrode is subjected to solvent cleaning and then subjected to UV-ozone treatment. Furthermore, a hole injection layer and a hole transport layer are formed in this order on the transparent electrode by a vapor deposition method. A light emitting layer is formed thereon by co-evaporating the light emitting material and the host material in a vacuum. The light emitting material and the host material have the same meanings as described above, and the preferred ranges are also the same. The host material and the light emitting material used for the light emitting layer preferably have a molecular weight of 3000 or less, and the material constituting the light emitting layer preferably has a molecular weight of 3000 or less. Vapor deposition is facilitated by setting the molecular weight range to the above range.
As the deposition, a known deposition method can be used. Further, a hole blocking layer is formed thereon using a material such as a metal complex salt of an 8-quinolinol derivative. Subsequently, an electron transport layer and an electron injection layer containing the compound of the general formula (I) are provided in this order, a patterned mask is placed thereon, and a back electrode (cathode) is deposited by evaporation. . A lead wire is connected to each of the anode and the cathode to form a light emitting laminate. The light emitting laminate obtained here is sealed to prepare a light emitting element.

前記発光素子は、直流電圧を印加し発光させて、初期輝度で駆動耐久性試験を実施し、輝度が半分になった時間を半減時間として、耐久性試験を実施評価することができる。   The light emitting element can be evaluated by performing a durability test by applying a direct current voltage to emit light, performing a driving durability test at an initial luminance, and setting the time when the luminance is halved as a half time.

本発明の発光素子の用途は特に限定されないが、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。   The use of the light emitting device of the present invention is not particularly limited, but is suitable for the fields of display device, display, backlight, electrophotography, illumination light source, recording light source, exposure light source, reading light source, sign, signboard, interior, optical communication, etc. Can be used.

以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。   EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

[比較例1]
ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を150nm堆積したもの(ジオマテック社製;電子ビーム成膜品;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行って、真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が2×10-6Torr(約2.7×10-4Pa)以下になるまでクライオポンプを用いて排気した。
[Comparative Example 1]
An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited on a glass substrate with a thickness of 150 nm (manufactured by Geomat Corp .; electron beam film-formed product; sheet resistance 15 Ω) is 2 mm wide using ordinary photolithography and hydrochloric acid etching. The anode was formed by patterning into stripes. The patterned ITO substrate is cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, then dried with nitrogen blow, and finally with ultraviolet ozone cleaning. installed. After the apparatus was roughly evacuated with an oil rotary pump, the apparatus was evacuated with a cryopump until the degree of vacuum in the apparatus was 2 × 10 −6 Torr (about 2.7 × 10 −4 Pa) or less.

次いで、上記装置内に配置されたモリブデンボートに入れた以下に示す銅フタロシアニン(結晶形はβ型)を加熱して、真空度1.4×10-6Torr(約1.9×10-4Pa)、蒸着速度0.1nm/秒で蒸着を行ない、膜厚10nmの正孔注入層(陽極バッファ層)を形成した。 Next, the following copper phthalocyanine (crystal form is β type) placed in a molybdenum boat arranged in the above apparatus is heated to a degree of vacuum of 1.4 × 10 −6 Torr (about 1.9 × 10 −4). Pa), vapor deposition was performed at a vapor deposition rate of 0.1 nm / second to form a 10 nm-thick hole injection layer (anode buffer layer).

次に、上記装置内に配置されたセラミックルツボに入れた、α−NPD((N,N’−ジ−α−ナフチル−N,N’−ジフェニル)−ベンジジン)をルツボの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度9.0×10-7Torr(約1.2×10-4Pa)、蒸着速度は0.2nm/秒で膜厚60nmの正孔輸送層を形成した。 Next, α-NPD ((N, N′-di-α-naphthyl-N, N′-diphenyl) -benzidine) placed in a ceramic crucible disposed in the apparatus is heated to a tantalum wire around the crucible. The vapor deposition was carried out by heating. A degree of vacuum at the time of vapor deposition was 9.0 × 10 −7 Torr (about 1.2 × 10 −4 Pa), a vapor deposition rate was 0.2 nm / second, and a hole transport layer having a film thickness of 60 nm was formed.

引続き、発光層の主成分(ホスト材料)としてCBPを、副成分(ドーパント)の燐光性有機金属錯体として、イリジウム錯体(Ir(ppy)3)をセラミックルツボに設置し、2元同時蒸着法により成膜を行った。CBPの蒸着速度は、0.1nm/秒に制御し、イリジウム錯体(Ir(ppy)3)はホストに対して5重量%含有されるように蒸着速度を制御し、膜厚30nmの発光層を正孔輸送層の上に積層した。蒸着時の真空度は1.3×10-6Torr(約1.7×10-4Pa)であった。 Subsequently, CBP as the main component (host material) of the light emitting layer, and the iridium complex (Ir (ppy) 3 ) as the phosphorescent organometallic complex as the secondary component (dopant) were placed in a ceramic crucible, and the two-way co-evaporation method was used. Film formation was performed. The deposition rate of CBP is controlled to 0.1 nm / second, and the deposition rate is controlled so that the iridium complex (Ir (ppy) 3 ) is contained at 5% by weight with respect to the host. Laminated on the hole transport layer. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 1.3 × 10 −6 Torr (about 1.7 × 10 −4 Pa).

さらに、正孔阻止層としてBAlq2を、蒸着速度0.1nm/秒で10nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は7.0×10-7Torr(約0.9×10-4Pa)であった。 Further, BAlq 2 was laminated as a hole blocking layer with a film thickness of 10 nm at a deposition rate of 0.1 nm / second. The degree of vacuum during the deposition was 7.0 × 10 −7 Torr (about 0.9 × 10 −4 Pa).

Figure 2006032638
Figure 2006032638

次いで、正孔阻止層の上に、電子輸送層として下記比較化合物を同様にして蒸着した。蒸着時の真空度は6.0×10-7Torr(約0.8×10-4Pa)、蒸着速度は0.2nm/秒で膜厚は35nmとした。 Next, the following comparative compound was deposited on the hole blocking layer in the same manner as an electron transport layer. The degree of vacuum during deposition was 6.0 × 10 −7 Torr (about 0.8 × 10 −4 Pa), the deposition rate was 0.2 nm / second, and the film thickness was 35 nm.

Figure 2006032638
Figure 2006032638

上記の正孔輸送層、発光層、正孔阻止層及び電子輸送層を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。   The substrate temperature when vacuum-depositing the hole transport layer, the light emitting layer, the hole blocking layer, and the electron transport layer was maintained at room temperature.

ここで、電子輸送層までの蒸着を行った素子を一旦前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層の形成時と同様にして装置内の真空度が2×10-6Torr(約2.7×10-4Pa)以下になるまで排気した。 Here, the element on which the electron transport layer has been deposited is once taken out from the vacuum deposition apparatus into the atmosphere, and a 2 mm wide striped shadow mask is orthogonal to the ITO stripe of the anode 2 as a mask for cathode deposition. In the same manner as in the formation of the organic layer, the vacuum degree in the device is 2 × 10 −6 Torr (about 2.7 × 10 −4 Pa). ) Exhaust until below.

その後、陰極として、先ず、フッ化マグネシウム(MgF2)をモリブデンボートを用いて、蒸着速度0.1nm/秒、真空度7.0×10-6Torr(約9.3×10-4Pa)で、1.5nmの膜厚で電子輸送層の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.5nm/秒、真空度1×10-5Torr(約1.3×10-3Pa)で膜厚40nmのアルミニウム層を形成した。さらに、その上に、陰極の導電性を高めるために銀を、同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.3nm/秒、真空度1×10-5Torr(約1.3×10-3Pa)で膜厚40nmの銀層を形成して陰極8を完成させた。以上の3層型陰極の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
上記で得られた発光素子を用いて、以下の方法で評価した。
Thereafter, as a cathode, first, magnesium fluoride (MgF 2 ) was vapor deposited at a rate of 0.1 nm / second using a molybdenum boat, and the degree of vacuum was 7.0 × 10 −6 Torr (about 9.3 × 10 −4 Pa). The film was formed on the electron transport layer with a film thickness of 1.5 nm. Next, aluminum is similarly heated by a molybdenum boat to form an aluminum layer having a film thickness of 40 nm at a deposition rate of 0.5 nm / second and a degree of vacuum of 1 × 10 −5 Torr (about 1.3 × 10 −3 Pa). did. Furthermore, thereon silver to enhance conductivity of the cathode, as well as by heating of molybdenum boat, deposition rate 0.3 nm / sec, the degree of vacuum 1 × 10 -5 Torr (about 1.3 × 10 - The cathode 8 was completed by forming a silver layer with a thickness of 40 nm at 3 Pa). The substrate temperature during the deposition of the above three-layer cathode was kept at room temperature.
As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained.
Evaluation was performed by the following method using the light-emitting element obtained above.

東洋テクニカ製ソ−スメジャ−ユニット2400型を用いて、直流電圧を有機EL素子に印加し発光させて、初期の発光性能を測定した。
発光効率(%)は、100Cd/m2時の発光効率を外部量子効率(η100)(%)として、また、輝度/電流(Cd/A)は輝度−電流密度特性の傾きを、駆動電圧は100cd/m2での値を各々表24に示す。
また、初期輝度1000Cd/m2で駆動耐久性試験を実施し、輝度が半分になった時間を半減時間(T1/2)(Hr)として、試験結果を表24に示した。
この素子の発光スペクトルの極大波長は515nmであり、イリジウム錯体(Ir(ppy)3)からのものと同定された。
Using a source measure unit type 2400 manufactured by Toyo Technica, direct voltage was applied to the organic EL element to emit light, and the initial light emitting performance was measured.
The luminous efficiency (%) is the luminous efficiency at 100 Cd / m 2 as the external quantum efficiency (η 100 ) (%), and the luminance / current (Cd / A) is the slope of the luminance-current density characteristic. Table 24 shows the values at 100 cd / m 2 .
In addition, a driving durability test was performed at an initial luminance of 1000 Cd / m 2 , and the test results are shown in Table 24, with the time when the luminance was reduced to half as the half time (T 1/2 ) (Hr).
The maximum wavelength of the emission spectrum of this device was 515 nm, and it was identified to be from an iridium complex (Ir (ppy) 3 ).

[比較例2〜3、実施例1〜12]
上記比較例1において、電子輸送層の化合物と正孔阻止層の化合物を下表のように変更した以外は、比較例1と同様にして発光素子を作製した。その評価については、サンプル1と同様に行ない、その結果を表24に示す。
これらの素子の発光スペクトルの極大波長は515nmであり、イリジウム錯体(Ir(ppy)3)からのものと同定された。
[Comparative Examples 2-3, Examples 1-12]
A light emitting device was fabricated in the same manner as in Comparative Example 1 except that the compound of the electron transport layer and the compound of the hole blocking layer were changed as shown in the following table in Comparative Example 1. About the evaluation, it carries out similarly to the sample 1, and the result is shown in Table 24.
The maximum wavelength of the emission spectrum of these devices was 515 nm, and it was identified to be from an iridium complex (Ir (ppy) 3 ).

Figure 2006032638
Figure 2006032638

表24から明らかな通り、電子輸送層に本発明の化合物を使用し、正孔阻止層を有する実施例は、比較例と比べて、外部量子効率、輝度/電流,駆動電圧に優れることが理解できる。さらに駆動耐久性も良好であることが理解できる。   As is apparent from Table 24, it is understood that the example using the compound of the present invention for the electron transport layer and having the hole blocking layer is superior in external quantum efficiency, luminance / current, and driving voltage as compared with the comparative example. it can. Further, it can be understood that the driving durability is also good.

本発明の発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。また、本発明の化合物は、医療用途、蛍光増白剤、写真用材料、UV吸収材料、レーザー色素、記録メディア用材料、インクジェット用顔料、カラーフィルター用染料、色変換フィルター等にも適用可能である。   The light emitting device of the present invention can be suitably used in the fields of display devices, displays, backlights, electrophotography, illumination light sources, recording light sources, exposure light sources, reading light sources, signs, signboards, interiors, optical communications, and the like. The compounds of the present invention can also be applied to medical uses, fluorescent brighteners, photographic materials, UV absorbing materials, laser dyes, recording media materials, inkjet pigments, color filter dyes, color conversion filters, and the like. is there.

Claims (3)

一対の電極間に、少なくとも一層の発光層を含む有機化合物層を有する発光素子であって、該有機化合物層のうち少なくとも一層が、下記一般式(I)で表される化合物を含み、かつ該一般式(I)を含む層と該発光層の間に正孔阻止層を有することを特徴とする発光素子。
Figure 2006032638
(一般式(I)中、R1〜R4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。X1及びX2は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。)
A light-emitting element having an organic compound layer including at least one light-emitting layer between a pair of electrodes, wherein at least one of the organic compound layers contains a compound represented by the following general formula (I), and A light-emitting element having a hole blocking layer between a layer containing the general formula (I) and the light-emitting layer.
Figure 2006032638
(In the general formula (I), R 1 to R 4 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group. X 1 and X 2 are each independently an alkyl group. Represents a group, an aryl group, or a heteroaryl group.)
前記一般式(I)の化合物が下記一般式(II)であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
Figure 2006032638
(一般式(II)中、R1〜R8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。)
The light emitting device according to claim 1, wherein the compound of the general formula (I) is the following general formula (II).
Figure 2006032638
(In general formula (II), R 1 to R 8 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group.)
前記正孔阻止層中に、8−キノリノール誘導体の金属錯塩、下記一般式(III)、(IV)、(V)、(VI)、(VII)から選ばれる化合物のうち、少なくともいずれか1つを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の発光素子。
Figure 2006032638
(一般式(III)中、Ar11はアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。Ar12はオルトフェニレン基、メタフェニレン基、パラフェニレン基、ビフェニレン基、ベンゼン環が3環以上6環以下連結した基、2環以上6環以下の芳香環が縮環した縮合環のアリーレン基、あるいはヘテロアリーレン基を表す。Ar12はアリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。R11、R12、R13はアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。)
Figure 2006032638
(一般式(IV)中、Ar21はアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。Ar22はアリーレン基あるいはへテロアリーレン基を表す。Ar22は前記アリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。R21、R22、又はR23は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、mは1もしくは2を表す。)
Figure 2006032638
(一般式(V)中、Ar32はアリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が2個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、あるいはチオフェン構造を含む基を表す。Ar32は、前記アリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が2個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、チオフェン構造を含む基が互いに連結したものであっても良い。R31、R32、又はR33は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。)
Figure 2006032638
(一般式(VI)中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16は水素原子もしくは置換基を表す。)
Figure 2006032638
(一般式(VII)中、Lは単結合、あるいは2価以上の連結基を表し、Tは一般式(1)で表される構造のR1〜R16のいずれかから水素原子などの原子を脱離して得られる基、又はR1〜R16のいずれか1つを除いて得られる基を表す。nは2以上の整数を表し、複数のTは互いに独立である。)
In the hole blocking layer, at least one of a metal complex salt of an 8-quinolinol derivative and a compound selected from the following general formulas (III), (IV), (V), (VI), and (VII): The light emitting device according to claim 1, comprising:
Figure 2006032638
(In the general formula (III), Ar 11 represents an aryl group or a heteroaryl group. Ar 12 represents an orthophenylene group, a metaphenylene group, a paraphenylene group, a biphenylene group, or a group in which 3 to 6 rings of benzene rings are connected. , 2 or more rings 6 ring an arylene group fused ring aromatic rings are condensed, or .Ar 12 representing the heteroarylene group may be those arylene group and heteroarylene group is linked together .R 11, R 12 and R 13 represent an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group.)
Figure 2006032638
In (formula (IV), Ar 21 is a one .Ar 22 representing an aryl group or a heteroaryl group .Ar 22 which represents an arylene group or a heteroarylene group linked the arylene group and heteroarylene group each other R 21 , R 22 , or R 23 each independently represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, and m represents 1 or 2.
Figure 2006032638
(In the general formula (V), Ar 32 represents an arylene group, a group containing an azole structure, a group containing an azine structure having two or more hetero atoms, a group containing a furan structure, or a group containing a thiophene structure. Ar 32 , the arylene group, a group containing an azole structure, groups heteroatom containing two or more azine structure, a group containing a furan structure, a group containing a thiophene structure may be one which is connected to one another .R 31, R 32 or R 33 each independently represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group.)
Figure 2006032638
(In the general formula (VI), R 1, R 2, R 3, R 4, R 5, R 6, R 7, R 8, R 9, R 10, R 11, R 12, R 13, R 14, R 15 and R 16 represent a hydrogen atom or a substituent.)
Figure 2006032638
(In General Formula (VII), L represents a single bond or a divalent or higher valent linking group, and T represents an atom such as a hydrogen atom from any one of R 1 to R 16 in the structure represented by General Formula (1). Or a group obtained by removing any one of R 1 to R 16 , n represents an integer of 2 or more, and a plurality of T's are independent of each other.
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