JP2006027988A - Method for producing nitride single crystal - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、窒化物単結晶の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for producing a nitride single crystal.
III族元素の窒化物のうち、窒化アルミニウムの単結晶材料は、窒化ガリウムを用いた半導体発光デバイスの基板として期待されている。これは、窒化ガリウムの光半導体デバイスの基板には、従来、サファイアの単結晶材料が用いられているところ、窒化アルミニウムは、サファイアに比べて熱伝導率が高く、かつ、窒化ガリウムとの格子の不整合性が小さいからであり、また、バンドギャップの大きさも、サファイアと同様に可視領域での光吸収が無い程度以上の大きさを具備しているからである。 Among group III element nitrides, aluminum nitride single crystal material is expected as a substrate for semiconductor light emitting devices using gallium nitride. This is because sapphire single crystal material is conventionally used for the substrate of gallium nitride optical semiconductor devices. Aluminum nitride has higher thermal conductivity than sapphire and has a lattice with gallium nitride. This is because the mismatch is small, and the band gap has a size larger than the extent that there is no light absorption in the visible region like sapphire.
このようなIII族元素の窒化物の単結晶材料は、工業的に用いられる温度、圧力の条件下では安定な液相を持たないことから、シリコンの単結晶のように液相から種子結晶を引き上げるなどの方法では製造することができない。そのため、種々の方法が提案されている。 Such a single crystal material of a nitride of a group III element does not have a stable liquid phase under the temperature and pressure conditions that are used industrially. It cannot be manufactured by a method such as pulling up. For this reason, various methods have been proposed.
例えば、Glen A.SLACK and T.F.McNELLY, Journal of Crystal Growth 34(1976), p.263-279(非特許文献1)には、高純度AlNの結晶成長に関して、昇華法やその他の結晶粒成長技術について概説されており、このうち、昇華法に関しては、AlNを装入したカーボン製のるつぼを加熱して、AlN単結晶が製造可能であることが記されている。しかし、この非特許文献1に開示されているAlN単結晶は、粉状又は粒状程度の微小な単結晶であって、半導体発光デバイスの基板として使用できる大きさの単結晶については開示されていない。また、R.Shelesser, Z.Sitar, Journal of Crystal Growth 234(2002), p.349-353(非特許文献2)には、アルミニウムを窒素雰囲気中で蒸発させることにより、AlN単結晶の成長が確認できたことが記載されている。
For example, Glen A. SLACK and TFMcNELLY, Journal of Crystal Growth 34 (1976), p.263-279 (Non-patent Document 1) describes a sublimation method and other crystal grain growth techniques for crystal growth of high-purity AlN. Among them, regarding the sublimation method, it is described that an AlN single crystal can be produced by heating a carbon crucible charged with AlN. However, the AlN single crystal disclosed in Non-Patent
近年では、窒化物単結晶の製造方法として、昇華法が有望視されるようになってきており、この昇華法について技術開発が進められている。例えば、特開平10−053495号公報(特許文献1)には、窒化物の粉末と、この窒化物と反応して窒化物を分解気化させる酸化物の粉末とを混合し、窒素雰囲気などで昇華温度よりも低い温度で加熱することにより、バルク素材として実用に供し得る大きさの窒化物単結晶が得られたことが記載されている。 In recent years, the sublimation method has come to be regarded as promising as a method for producing a nitride single crystal, and technical development of this sublimation method is underway. For example, in Japanese Patent Laid-Open No. 10-053495 (Patent Document 1), a nitride powder and an oxide powder that reacts with the nitride to decompose and vaporize the nitride are mixed and sublimated in a nitrogen atmosphere or the like. It is described that a nitride single crystal having a size that can be practically used as a bulk material was obtained by heating at a temperature lower than the temperature.
図4は、昇華法を用いた従来の一般的な窒化物単結晶の製造装置を示している。図中1は加熱炉であり、この加熱炉1は、加熱手段である誘導加熱コイル2と、この誘導加熱コイル2の内側に配置された加熱炉本体3とを備えている。加熱炉本体3の内側下部には、窒化物単結晶の原料9を収容する黒鉛るつぼ4が設けられている。また、加熱炉本体3には雰囲気ガスの流入口5及び排出口6が設けられていて、流入口5から雰囲気ガスを導入する一方、排出口6から排出させて、加熱炉本体3の内側を所定のガス雰囲気でかつ、所定のガス圧力に調整できるようになっている。また、加熱炉本体3の内側上部には、窒化物単結晶の種子結晶7が貼り付けられたサセプター8が固定されている。このサセプター8は、黒鉛などからなる板状のものであり、その種子結晶7を貼り付ける面は、原料9を収容した黒鉛るつぼ4と対向するように水平に配置されている。また、種子結晶7の表面もサセプター8の表面と平行となるように、水平に配置されている。
FIG. 4 shows a conventional general nitride single crystal manufacturing apparatus using a sublimation method. In the figure,
このような窒化物単結晶の製造装置を用いて昇華法により窒化物単結晶を製造するときには、まず、黒鉛るつぼ4の内側に原料9となる窒化物の粉末や焼結体などを配置する。次いで、加熱炉1内を排出口6に接続された図示しない排気ポンプにより真空排気した後、雰囲気ガスの流入口5から窒素などの雰囲気ガスを導入する。そして、誘導加熱コイル2を動作させることにより、黒鉛るつぼ4内に収容した原料9である窒化物粉末や焼結体を所定の昇華温度になるよう加熱するとともに、サセプター8及び種子結晶7を所定の析出温度になるよう加熱する。また、加熱中は、加熱炉1上部の排出口6から加熱炉1内の雰囲気ガスを排気しつつ下部の流入口5から雰囲気ガスを加熱炉1内に供給することにより、加熱炉1内のガス圧力、流量を適切に調整している。
When a nitride single crystal is manufactured by a sublimation method using such a nitride single crystal manufacturing apparatus, first, a nitride powder or a sintered body as a
この炉内加熱により、黒鉛るつぼ4に収容された原料9である窒化物粉末などが溶融、昇華し、昇華した窒化物の原料ガスが種子結晶7の表面で析出することにより、窒化物の単結晶が結晶成長する。この結晶成長中においては、種子結晶7上での結晶成長の結晶化速度を制御するため、種子結晶7の温度と原料9から昇華する昇華ガスの昇華速度(単位時間当たりの昇華量)とをそれぞれ最適化する温度制御が行われている。
By heating in the furnace, the nitride powder as the
しかし、上述の昇華法による窒化物単結晶の製造方法では、原料に窒化アルミニウムを採用する場合、不純物として酸素の存在が不可避である。このように酸素が存在してしまうと熱伝導率が悪くなってしまい、半導体発光デバイスの基板として使用できなくなってしまう。これは、原料となる窒化アルミニウムが、その表面及び内部に酸素を不純物として含有しており、特に表面にはアルミニウムの酸化(アルミナ)層が存在するためであり、プロセス中でも酸素はアルミニウムと強固に結合して安定なアルミナを生成するため、その除去は非常に困難である。
本発明は、このような従来の技術的課題に鑑みてなされたものであり、昇華による窒化物の単結晶製造中に、原料として採用する窒化アルミニウムに不純物として存在する酸素を効果的に除去することができる窒化物単結晶の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such conventional technical problems, and effectively removes oxygen present as impurities in aluminum nitride employed as a raw material during the production of a nitride single crystal by sublimation. An object of the present invention is to provide a method for producing a nitride single crystal that can be used.
請求項1の発明は、加熱炉内で窒化物単結晶用の原料を加熱して昇華させ、昇華させた原料を、前記加熱炉内に設けられた種子結晶上に析出させて単結晶を成長させる窒化物単結晶の製造方法において、原料の窒化アルミニウムに適量のカーボンをあらかじめ混合した混合原料を加熱、昇華させることを特徴とするものである。 According to the first aspect of the present invention, a single crystal is grown by heating and sublimating a raw material for a nitride single crystal in a heating furnace, and depositing the sublimated raw material on a seed crystal provided in the heating furnace. The nitride single crystal manufacturing method is characterized by heating and sublimating a mixed raw material in which an appropriate amount of carbon is mixed in advance with a raw material aluminum nitride.
請求項2の発明は、請求項1の窒化物単結晶の製造方法において、前記カーボンとしてアセチレンブラックを使用することを特徴とするものである。
The invention of
請求項3の発明は、請求項1の窒化物単結晶の製造方法において、前記カーボンとしてカーボンブラック、カーボンナノチューブ又はフラーレンを使用することを特徴とするものである。 According to a third aspect of the present invention, in the method for producing a nitride single crystal according to the first aspect, carbon black, carbon nanotube, or fullerene is used as the carbon.
本発明によれば、窒化アルミニウムを原料とし、昇華法によって窒化物単結晶を製造するにおいて、あらかじめカーボンを原料に混合した混合原料を加熱・昇華させることにより、単結晶の酸素を除去することができ、良質な窒化物単結晶を製造することができる。 According to the present invention, in producing a nitride single crystal by a sublimation method using aluminum nitride as a raw material, oxygen in the single crystal can be removed by heating and sublimating a mixed raw material in which carbon is mixed with the raw material in advance. And a high-quality nitride single crystal can be manufactured.
以下、本発明の実施の形態を詳説する。上記昇華法により窒化アルミニウムの単結晶を製造する際に得られる単結晶に、不純物である酸化物を少なくし、良質で大口径の単結晶を効率よく製造できるようにするため、原料の窒化アルミニウムに適量のカーボンを混合した混合原料を使用する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. In order to make it possible to efficiently produce a high quality, large-diameter single crystal in the single crystal obtained when the single crystal of aluminum nitride is produced by the above-described sublimation method, the amount of oxides as impurities is reduced. A mixed raw material in which an appropriate amount of carbon is mixed is used.
そして、従来例と同様に図4に示した窒化物単結晶の製造装置において、黒鉛るつぼ4内に窒化アルミニウムに所定割合でカーボンを混合した混合原料9の粉末や焼結体を配置する。次いで、加熱炉1内を排出口6に接続された図示しない排気ポンプにより真空排気した後、雰囲気ガスの流入口5から窒素などの雰囲気ガスを導入する。そして、誘導加熱コイル2を動作させることにより、黒鉛るつぼ4内に収容した原料9である窒化物粉末や焼結体を所定の昇華温度になるよう加熱するとともに、サセプター8及び種子結晶7を所定の析出温度になるよう加熱する。また、加熱中は、加熱炉1上部の排出口6から加熱炉1内の雰囲気ガスを排気しつつ下部の流入口5から雰囲気ガスを加熱炉1内に供給することにより、加熱炉1内のガス圧力、流量を適切に調整している。
As in the conventional example, in the nitride single crystal manufacturing apparatus shown in FIG. 4, the powder or sintered body of the mixed
この炉内加熱により、黒鉛るつぼ4に収容された混合原料9である窒化物粉末などが溶融、昇華し、昇華した窒化物の原料ガスが種子結晶7の表面で析出することにより、窒化物の単結晶が結晶成長する。この結晶成長中においては、種子結晶7上での結晶成長の結晶化速度を制御するため、種子結晶7の温度と混合原料9から昇華する昇華ガスの昇華速度(単位時間当たりの昇華量)とをそれぞれ最適化する温度制御を行う。なお、カーボン原料として、アセチレンブラックやファーネスブラックの粉末を使用することができるが、特に他の不純物、例えばSの含有率の小さいアセチレンブラックの粉末、またカーボンナノチューブ、フラーレンが好ましい。また、カーボンの混入率は、化学量論比から、窒化アルミニウム材料中の酸素含有量の50〜150質量%が良く、特に60〜100質量%が好適である。
By heating in the furnace, the nitride powder as the mixed
こうして窒化アルミニウムにカーボンが混合された混合原料9を採用することで、窒化アルミニウムに結合して含有される酸素分が、次の化1式によって、
〔化1〕
Al2O3+3C+N2→2AlN+3CO
減量中に混合されているカーボンと反応して一酸化炭素を生成し、窒化アルミニウムAlNの単結晶の表面付近に酸素が存在し単結晶を酸化するのを抑制し、良質の単結晶を析出させる。これにより、本実施の形態の窒化物単結晶の製造方法では不純物として酸化アルミニウムが存在しない良質な窒化アルミニウムの単結晶を製造することができる。
By adopting the mixed
[Chemical formula 1]
Al 2 O 3 + 3C + N 2 → 2AlN + 3CO
Reacts with the carbon mixed during weight loss to produce carbon monoxide, suppresses the presence of oxygen near the surface of the aluminum nitride AlN single crystal and oxidizes the single crystal, precipitating a high quality single crystal . Thereby, in the method for manufacturing a nitride single crystal according to the present embodiment, a high-quality aluminum nitride single crystal that does not contain aluminum oxide as an impurity can be manufactured.
図1の表は原料である窒化アルミニウムにカーボンを混合して生成した場合の実験結果を示す表である。カーボンの混入割合は窒化アルミニウム100単位に対してアセチレンブラック、ファーネスブラック0.1%、0.3%、0.5%の質量割合とした。 The table in FIG. 1 is a table showing the experimental results when carbon nitride is mixed with the raw material aluminum nitride. The mixing ratio of carbon was a mass ratio of 0.1%, 0.3%, and 0.5% of acetylene black and furnace black with respect to 100 units of aluminum nitride.
実験1はカーボンを混合せずに窒化アルミニウム粉末のみを原料として生成した場合の比較例である。単結晶中の酸素濃度は0.5質量%であった。
実験2〜4は混合するカーボンにアセチレンブラックを用いた場合の実験結果である。このアセチレンブラックを0.1質量%、0.3質量%、0.5質量%それぞれ混入することで、単結晶中の酸素濃度はそれぞれ0.3質量%、0.1質量%、0.05質量%と改善されていた。
実験5〜7は混合するカーボンにファーネスブラックを用いた場合の実験結果である。このファーネスブラックを0.1質量%、0.3質量%、0.5質量%それぞれ混入することで、単結晶中の酸素濃度はそれぞれ0.4質量%、0.2質量%、0.1質量%と改善されていた。
図1の結果より、窒化物単結晶中の酸素濃度を、カーボンを混合することにより低減することが可能であることが確認できた。そしてアセチレンブラックを採用した方が良質の単結晶を析出できることも確認できた。これは、ファーネスブラックは石油の燃焼によって得る物質であるため、硫黄等の不純物が混ざっているためである。 From the result of FIG. 1, it was confirmed that the oxygen concentration in the nitride single crystal can be reduced by mixing carbon. It was also confirmed that the use of acetylene black can precipitate a good quality single crystal. This is because furnace black is a substance obtained by burning oil, and therefore impurities such as sulfur are mixed.
図2の表は原料として酸素濃度が異なる窒化アルミニウムを採用し、また酸素除去機能を付与するためにカーボンブラックを混合した混合原料を用いたときの、単結晶生成時の製品による酸素濃度の違いを示す表である。酸素含有濃度の異なる窒化アルミニウムとして、酸素濃度0.9質量%(AlN(1))、1.4質量%(AlN(2))、0.4質量%(AlN(3))のものを原料として採用した。 The table in FIG. 2 adopts aluminum nitride with different oxygen concentration as a raw material, and when using a mixed raw material mixed with carbon black to provide an oxygen removal function, the difference in oxygen concentration depending on the product during single crystal formation It is a table | surface which shows. As the aluminum nitride having different oxygen-containing concentrations, raw materials having oxygen concentrations of 0.9 mass% (AlN (1)), 1.4 mass% (AlN (2)), and 0.4 mass% (AlN (3)) Adopted as.
実験1〜3はカーボンブラックを混合しない上記3種類の酸素濃度の窒化アルミニウムのみを原料として用い、窒化物単結晶を生成した従来の比較例である。実験4〜8は本発明のカーボンブラックを混合した場合の実験結果である。
どの原料を用いてもカーボンを混合することで窒化物単結晶中の酸素濃度を低減することができることが確認できた。とりわけ原料の酸素濃度が低いほど純度の高い単結晶を得ることができることが確認できた。 It has been confirmed that the oxygen concentration in the nitride single crystal can be reduced by mixing carbon regardless of which raw material is used. In particular, it was confirmed that a single crystal with higher purity can be obtained as the oxygen concentration of the raw material is lower.
図3の表は原料として酸素含有濃度が0.9質量%である高純度窒化アルミニウムを採用し、酸素除去機能に優れたカーボンの種類を特定するためにカーボンナノチューブ(C1)、フラーレン(C2)、実施例2と同様のカーボンブラック(C3)を混合した混合原料を用いたときの、単結晶生成時の製品による酸素濃度の違いを示す表である。この実験により、カーボンナノチューブ(C1)>フラーレン(C2)>カーボンブラック(C3)の順に酸素除去機能が高いことが確認できた。 The table of FIG. 3 employs high-purity aluminum nitride having an oxygen-containing concentration of 0.9% by mass as a raw material, and carbon nanotubes (C1) and fullerenes (C2) are used to identify the types of carbon having an excellent oxygen removal function. 4 is a table showing a difference in oxygen concentration depending on a product when a single crystal is formed when a mixed raw material mixed with carbon black (C3) similar to that in Example 2 is used. From this experiment, it was confirmed that the oxygen removal function was high in the order of carbon nanotube (C1)> fullerene (C2)> carbon black (C3).
1 加熱炉
2 誘導加熱コイル
3 加熱炉本体
4 黒鉛るつぼ
5 雰囲気ガス流入口
6 雰囲気ガス排出口
7 種子結晶
8 サセプター
9 原料
1
Claims (3)
原料の窒化アルミニウムに適量のカーボンをあらかじめ混合した混合原料を加熱、昇華させることを特徴とする窒化物単結晶の製造方法。 Production of nitride single crystal in which a raw material for nitride single crystal is heated and sublimated in a heating furnace, and the sublimated raw material is deposited on a seed crystal provided in the heating furnace to grow a single crystal. In the method
A method for producing a nitride single crystal, comprising heating and sublimating a mixed raw material in which an appropriate amount of carbon is mixed in advance with aluminum nitride as a raw material.
The method for producing a nitride single crystal according to claim 1, wherein carbon, carbon nanotube, or fullerene is used as the carbon.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004213287A JP4736365B2 (en) | 2004-07-21 | 2004-07-21 | Method for producing aluminum nitride single crystal |
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JP (1) | JP4736365B2 (en) |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070611 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090225 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110210 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110418 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513 Year of fee payment: 3 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |