JP2006022670A - 内燃機関の排熱回収装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】EGR装置を備えた内燃機関において、エネルギー効率を向上させるのに有効な内燃機関の排熱回収装置を提供すること。
【解決手段】内燃機関の排熱回収装置1は、排気通路11と吸気通路12との間に、排ガスの一部を吸気通路に還流させる排ガス還流通路13を設けたものである。この内燃機関の排熱回収装置1は、排ガスの熱量を回収して熱電変換可能なように排ガス還流通路13に配設された熱電モジュール4と、熱電モジュール4が発電した電力を変換するレギュレータ15と、レギュレータ15が発電した電力を充電するように構成された蓄電池150と、排ガス温度に連動して変動する指標温度を計測する温度センサ16とを有してなる。熱電モジュール4は、温度センサ16で計測される指標温度が所定のしきい値以上であるときに熱電発電を実施するように構成されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、排ガスの一部を吸気側に還流させるEGR(Exhaust Gas Recirculation:排出ガス再循環)装置を備えた内燃機関の排熱回収装置に関する。
従来、排ガス中のNOxを低減することを目的として、排ガスの一部を吸気側に還流させるEGR装置を備えた内燃機関がある。このEGR装置では、吸気される混合気に排ガスを還流させることにより混合気を不活性化させて、燃焼温度を低下させることでNOxの低減を図っている。
上記EGR装置としては、さらに、排ガスを還流させる通路に冷却装置を設けたものもある(例えば、特許文献1参照。)。このようなEGR装置では、内燃機関における燃焼温度をさらに低減して、排ガス中のNOxの低減効果を一層、向上している。
しかしながら、上記従来のEGR装置では、次のような問題がある。すなわち、排ガスの還流通路に冷却装置を設けた上記EGR装置では、上記冷却装置を介して回収された排ガスの熱量が無駄にされていた。そのため、上記EGR装置は、排ガス浄化の点で有効あるものの、エネルギー効率の点では十分に満足し得るものとは言えなかった。
特開平11−117815号公報
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであり、EGR装置を備えた内燃機関において、エネルギー効率を向上させるのに有用な内燃機関の排熱回収装置を提供しようとするものである。
本発明は、内燃機関の排気通路と吸気通路との間に、上記内燃機関の排ガスの一部を上記吸気通路に還流させる排ガス還流通路を設けた内燃機関の排熱回収装置において、
高温側端部と低温側端部との温度差を電気に変換する熱電素子を構成するp型半導体素子及びn型半導体素子を有してなり、排ガスの熱量を回収して熱電発電可能なように上記高温側端部が上記排ガス還流通路と熱的に接続された状態で配設された熱電モジュールと、
該熱電モジュールが発電した電力を変換するレギュレータと、
該レギュレータが変換した電力を充電する蓄電池と、
上記排ガス温度に連動して変化する指標温度を計測するための温度センサとを有してなり、
上記熱電モジュールは、上記指標温度が所定のしきい値以上であるときに熱電発電を実施するように構成されていることを特徴とする内燃機関の排熱回収装置にある(請求項1)。
本発明の内燃機関の排熱回収装置は、排ガスの熱量を回収して熱電発電を実施するように上記排ガス還流通路に取り付けた熱電モジュールと、該熱電素子ユニットが発電した電力を変換するレギュレータと、該レギュレータが変換した電力を充電する蓄電池と、排ガス温度に依存する上記指標温度を計測する上記温度センサとを有してなる。そして、上記内燃機関の排熱回収装置では、上記指標温度センサで計測される上記指標温度が所定のしきい値以上であるときに、上記熱電モジュールが熱電発電を実施する。なお、ここで、この熱電発電とは、熱電素子が奏するゼーベック効果により、上記高温側端部と上記低温側端部との温度差に応じた電力を発生させることをいう。
そのため、上記指標温度が予め定めたしきい値以上となったときには、上記熱電モジュールにより排ガスの熱量を回収して発電でき、その電力を蓄電池に蓄えておくことができる。ここで、本発明では、熱電モジュールと蓄電池との間に、レギュレータを配設してある。そして、このレギュレータが、熱電モジュールが発電する電力を蓄電池に充電するのに適した電流範囲あるいは電圧範囲の電力に変換する。それ故、上記内燃機関の排熱回収装置では、上記熱電モジュールが発電する電圧値や電流値の大小に関わらず、その電力を効率的に蓄電池に蓄えることができる。なお、例えば、内燃機関を搭載した自動車の電力負荷が大きい場合には、上記レギュレータで電圧変換した電力を、直接的に車両内の電装品等に向けて供給することもできる。
このように、上記内燃機関の排熱回収装置では、上記指標温度が所定のしきい値以上となったときに上記熱電モジュールが熱電発電を実施する。そして、熱電モジュールが熱電発電を実施すれば、上記排ガス還流通路を流動する排ガスの熱量を回収でき、その温度を低下させることができる。これにより、低温となった排ガスを吸気通路に還流させることができ、内燃機関の燃焼温度を抑制して、NOx低減効果を高めることができる。
さらに、低温の排ガスを還流させて吸気温度を抑制すれば、吸入空気の密度を増加させ、その吸入量を増量できる。そして、これにより、内燃機関における燃焼状態を完全に近づけることができるため、PMや黒鉛等を低減させるという効果が得られる。
そして、上記のごとく還流させる排ガスの熱量を電力として回収すれば、従来、無駄にされていた熱エネルギーを回収して、内燃機関全体でのエネルギー効率を格段に向上させることができる。
一方、例えば、上記指標温度が上記しきい値を下回る場合に上記熱電モジュールによる熱電発電を停止させれば、上記内燃機関の排ガスの温度を高く維持でき、上記排気通路中に配設された排ガス浄化用の触媒等の温度を速やかに昇温させることができる。そして、この触媒等を速やかに活性させれば、その排ガス浄化性能を早期に立ち上げて、有害成分の排出を抑制することができる。
以上のように、本発明の内燃機関の排熱回収装置は、吸気側に還流させる排ガスの熱量を回収して熱電発電することで、エネルギー効率と排ガス浄化性能とを高いレベルで両立し得るものである。
本発明の内燃機関の排熱回収装置における上記熱電モジュールは、上記のごとく温度差を電気に変換する熱電素子を有している。この熱電素子としては、n型半導体素子とp型半導体素子とを組み合わせて構成された公知のものを利用することができる。上記p型半導体素子としては、例えば、Na2CoO2、Zn4Sb3及びBiTe等の半導体材料より形成できる。また、上記n型半導体材料としては、例えば、BiTe、ZnO及びCoSb3等の半導体材料より形成できる。
また、上記熱電モジュールは、断熱支持部材を介設して、上記排ガス還流通路の長手方向に沿って上記n型半導体素子と上記p型半導体素子とを交互に積層してなり、上記高温側端部及び上記低温側端部では、電極部材を介して上記n型半導体素子と上記p型半導体素子とを電気的に接続してあることが好ましい(請求項2)。
上記のように構成された熱電モジュールの場合には、上記断熱支持部材により、上記高温側端部と上記低温側端部との間の空気の対流を防止できる。それ故、上記高温側端部と上記低温側端部との温度差を高く維持して、排ガスの熱量の回収効率を一層高めることができる。なお、上記断熱支持部材としては、例えば、シリカアルミナ系ファイバー、その他の様々な断熱材を用いることができる。
また、上記熱電モジュールでは、最大熱電効率が得られるピーク温度が異なる複数の分割熱電素子を組み合わせて上記熱電素子を構成してあり、上記ピーク温度が高い分割熱電素子である高温素子を、上記高温側端部に近づけて配置してあることが好ましい(請求項3)。
この場合には、上記高温素子を、上記高温側端部側に近づけて配置することで、各分割熱電素子の特性をさらに効率よく発揮させてエネルギー回収効率を一層、高めることができる。
また、上記熱電モジュールでは、上記n型半導体素子と上記p型半導体素子との組み合わせを、上記排ガス還流通路の長手方向に沿って2層以上積層してあり、上記高温素子の径方向の厚みAと、上記ピーク温度が最も低い上記分割熱電素子である低温素子の径方向の厚みBとの比(A/B)が、上記排ガス還流通路の上流側ほど大きくなるよう、各分割熱電素子の構成比を変更してあることが好ましい(請求項4)。
上記排ガス還流通路の上流側ほど温度が高いという排ガスの温度分布に対応して、上記各分割熱電素子の径方向の厚さ比(A/B)を変更する場合には、上記熱電モジュールを構成する上記各分割熱電素子を、高効率が得られる適正な温度域で有効に活用でき、エネルギー回収効率をさらに高めることができる。
また、上記p型半導体素子は、半導体材料としてのNa2CoO2、Zn4Sb3及びBiTeのいずれかよりなり、上記n型半導体素子は、半導体材料としてのBiTe、ZnO及びCoSb3のいずれかよりなることが好ましい(請求項5)。
この場合には、上記の各半導体材料よりなる上記p型半導体素子あるいは上記n型半導体素子を用いて熱電特性が優れた熱電モジュールを構成することができる。
また、上記低温側端部は、冷却液との間で熱交換するように構成された低温側熱交換部を有することが好ましい(請求項6)。
この場合には、液冷で上記低温側熱交換部を冷却すれば、熱電モジュールの低温側端部を効率良く冷却して、その熱電変換効率を高めることができる。
また、上記低温側端部は、空冷フィンよりなる低温側熱交換部を有することが好ましい(請求項7)。
この場合には、上記空冷フィンを介して低温側端部における熱交換を実施でき、比較的簡単な装置構成により上記排熱回収装置を実現できる。
また、上記n型半導体素子、上記p型半導体素子及び上記断熱支持部材は、それぞれ、内周部に貫通穴を設けた環状をなし、上記排ガス還流通路は、上記各貫通穴が相互に連通する状態で積層した上記n型半導体素子、上記p型半導体素子及び上記断熱支持部材の内周側に形成されていることが好ましい(請求項8)。
この場合には、上記排ガス還流通路を流動する排ガスの排熱を、上記熱電素子に効率良く伝達し得る構造を実現できる。そのため、上記内燃機関の排熱回収装置は、エネルギー回収効率に優れたものとなる。
(実施例1)
本例は、EGR装置を備えた内燃機関の排熱回収装置に関する例である。この内容について、図1〜図6を用いて説明する。
本例の内燃機関の排熱回収装置1は、図1に示すごとく、内燃機関3の排気通路11と吸気通路12との間に、上記内燃機関3の排ガスの一部を上記吸気通路11に還流させる排ガス還流通路13を設けたものである。
この内燃機関の排熱回収装置1は、高温側端部41と低温側端部42との温度差を電気に変換する熱電素子を構成するp型半導体素子402及びn型半導体素子401を有してなり、排ガスの熱量を回収して熱電発電可能なように高温側端部41が排ガス還流通路13と熱的に接続された状態で配設された熱電モジュール4と、該熱電モジュール4が発電した電力を変換するレギュレータ15と、該レギュレータ15が変換した電力を充電する蓄電池150と、排ガス温度に連動して変化する指標温度を計測する温度センサ16(本例では、吸気温センサ。以下、適宜吸気温センサ16と記載する。)とを有してなる。
上記の熱電モジュール4は、上記吸気温センサ16で計測される上記指標温度が所定のしきい値以上であるときに熱電発電を実施するように構成されている。
以下に、この内容について詳しく説明する。
本例の排熱回収装置1は、図1に示すごとく、排ガス再循環装置(EGR装置)を備えた内燃機関3に適用するものである。なお、本例では、自動車用のディーゼルエンジンへの適用例を説明するが、上記排熱回収装置1を内燃機関3としては、本例のディーゼルエンジンに限定されるものではなく、直噴ガソリンエンジンなどEGR装置を装着可能な種々の内燃機関に適用することができる。
同図に示すごとく、内燃機関3(以下、適宜ディーゼルエンジン3と記載する。)の吸気側には、吸気管120が接続されており、吸入空気の上流側に向けて図示しないサージタンク、スロットルボディ、エアクリーナ等が順に接続されている。そして、吸気管120、サージタンク等により上記吸気通路12が形成されている。ここで、吸気管120には、吸入空気の温度を計測するための上記吸気温センサ16を配設してある。すなわち、本例では、上記温度センサとして吸気温センサ16を用いて、上記指標温度として吸気温を利用している。なお、この吸気温に代えて、排気温等の温度を上記指標温度として利用することができる。
上記のように構成された吸気通路12を介してディーゼルエンジン3に供給される吸入空気は、燃料噴射弁31から噴射される霧化燃料と混合されて、燃焼室30内に吸入される。そして、燃焼室30内で燃焼した後の排ガスは、排気マニホールド(図示略)、該排気マニホールドが集合してなる排気管110を介して大気中に排出される。ここで、排気マニホールド及び排気管110等によって、上記排気通路11が形成されている。
排気管110と、サージタンクの上流側をなす吸気管120との間には、図1に示すごとく、排ガスを還流させるための排ガス還流通路13としての還流管130を接続してある。ここで、還流管130の中間部分には、材質SUSよりなり、内部に排ガスを流動させるように構成したブロック状の熱交換ブロック131を設けてある。そして、この熱交換ブロック131と、上記熱電モジュール4と、後述する冷却ブロック135とを組み合わせてEGRクーラ11を構成してある。また、還流管130と吸気管120との接合箇所には、EGRバルブ17を配設してある。このEGRバルブ17は、ECU(電子制御ユニット)6と電気的に接続してあり、該ECU6からの制御信号によって開閉動作するように構成してある。
上記レギュレータ15は、図1及び図2に示すごとく、熱電モジュール4と蓄電池150との間の電気的な経路中に配置されている。このレギュレータ15は、内部回路として、電圧制御回路部151と電流制御回路部152とを有している。そして、このレギュレータ15は、熱電モジュール4の発生電流や発生電圧を、所定の範囲に調節して安定化させるためのものである。これにより、還流管130を流動する排ガスの温度や流量に関わらず熱電モジュール4が発生した電力を、安定的に蓄電池150に充電できる。さらに、本例のレギュレータ15は、熱電モジュール4が発生した電力を蓄電池150に供給するか、ライト等の車両の電装品155に供給するかの切り替えを行うスイッチ回路部153を有している。このスイッチ回路部153は、ECU6と電気的に接続され、このECU6により制御可能なように構成されている。
上記蓄電池150は、周知の車両用バッテリである。本例の排熱回収装置1では、図示しないオルタネータから蓄電池150に至る充電経路に加えて、熱電モジュール4からレギュレータ15を介して蓄電池150に至る第2の充電経路を形成してある。これにより、熱電モジュール4を用いて回収した排ガスの熱量を、電力として回収して有効に活用できるようにしてある。なお、本例では、図1に示すごとく、熱電モジュール4と蓄電池150及びレギュレータ15との間に、熱電モジュール4による発電を実施するかしないかを切り替えるスイッチボックス18を配設してある。スイッチボックス18は、ECU6によって制御可能に構成されており、このスイッチボックス18を介して熱電モジュール4とレギュレータ15とを電気的に接続することで、熱電モジュール4に熱電発電を実施させるように構成してある。
本例のECU6は、図1に示すごとく、上記吸気温センサ16等と電気的に接続されており、これらの出力信号に基づいてEGRバルブ17や、レギュレータ15のスイッチ回路部153(図2)や、スイッチボックス18等を制御するように構成されている。また、ECU6は、車両内で消費される電力の大きさを監視する機能を有しており、この電力負荷の大きさに応じて上記スイッチ回路部153を切り替えるように構成されている。
ECU6は、CPU、ROM、RAM及び入出力I/F回路等によって構成された制御ユニットである。そして、このECU6は、ROMに格納されたコンピュータプログラムに沿って所定の制御を実行するように構成されている。
本例の排熱回収装置1では、図1に示すごとく、上記のごとく中間部分に熱交換ブロック131を設けた還流管130の両端を、上記排気通路11をなす排気管110あるいは上記吸気通路12をなす吸気管120と連通するように接続させることで、上記排ガス還流通路13を形成してある。還流管130の熱交換ブロック131は、図3に示すごとく、内部に排ガス還流通路13をなす貫通孔131aを設けた略平板状のものである。そして、この熱交換ブロック131は、熱電モジュール4を配設するための略平面状の放熱面131bを設けてなる。なお、本例では、排ガス還流通路13を流動する排ガスの熱量を効率良く回収できるように、熱伝導率の高い材質SUSにより熱交換ブロック131を形成してある。
さらに、本例の排熱回収装置1は、図1及び図3に示すごとく、熱電モジュール4を構成する熱電素子40の低温側端部42を冷却するための略平板状の冷却ブロック135を有している。本例では、この冷却ブロック135を、熱伝導性に優れる材質SUSより形成してある。冷却ブロック135は、冷却媒体である水を流動させるための流通孔135aを長手方向に貫通してある。この冷却ブロック135には、図示しないポンプから延設された供給パイプと排出パイプとが接続され、内部に、上記の水よりなる冷却媒体が流動する。そして、冷却ブロック135は、図4に示すごとく、熱交換ブロック131の上記放熱面131bと所定の間隙を設けて対面する略平面状の吸熱面135bを設けてなる。なお、ここで、冷却媒体を流動させる上記のポンプは、後述するECU6により制御可能なように構成してある。
そして、上記熱交換ブロック131及び上記冷却ブロック135は、図4に示すごとく、相互に対面させた放熱面131bと吸熱面135bとの間に、熱電モジュール4を挟持している。この熱電モジュール4は、p型半導体素子402とn型半導体素子401とを組み合わせてなる熱電素子40を複数、配設したものである。具体的には、本例では、n型半導体401としてBiTeを用い、p型半導体402としてもBiTeを用いた。
ここで、本例の熱電モジュール4の構造について簡単に説明する。熱電モジュール4は、図4に示すごとく、熱交換ブロック131の放熱面131bと、冷却ブロック135の吸熱面135bとが相互に対面する隙間に、p型半導体素子402とn型半導体素子401とを並設した熱電素子40を複数、配置したものである。各熱電素子40をなすp型半導体素子402とn型半導体素子401とは、上記放熱面131b側の高温側端部41において高温側電極45aを介して電気的に接続されている。そして、上記吸熱面135b側の低温側端部42においては、p型半導体素子402は、隣り合う他の熱電素子40のn型半導体素子401と低温側電極45bを介して電気的に接続されており、n型半導体素子401は、隣り合う他の熱電素子40のp型半導体素子402と低温側電極45bを介して電気的に接続されている。そして、各熱電素子40は、高温側端部45aと低温側端部45bとの間に生じた温度差に応じて起電力を発生する。
図4及び図5に示すごとく、略平面状を呈する熱交換ブロック131の放熱面131bには、電気的絶縁を図ると共に熱伝導性を維持するためのアルミナの溶射膜46aを形成してある。さらにその外表面には、導電性材料である白金をスパッタリングにより成膜してなるスパッタ膜452aを形成してある。このスパッタ膜452aの外層には、いわゆるAgペーストを塗布して焼き付けた焼き付け銀膜453aを介して熱伝導マット454aを接合してある。なお、本例の熱伝導マット454aとしては、Agマットを用いた。
さらに、熱伝導マット454aの外層には、再び上記と同様の焼き付け銀膜453aを配し、これによりn型(p型)半導体素子402(401)の高温側端部41を接合している。なお、n型(p型)半導体素子402(401)の高温側端部41の表面には、上記と同様のスパッタ膜452aを形成してある。以上のように、本例では、2層のスパッタ膜452aと、2層の焼き付け銀膜453aと、熱伝導マット454aとにより、上記高温側電極45aを形成してある。
また、図4及び図5に示すごとく、略平面状を呈する冷却ブロック135の冷却面135bには、電気的絶縁を図ると共に熱伝導性を維持するためのアルミナの溶射膜46bを形成してある。さらにその外表面には、導電性材料である白金をスパッタリングにより成膜してなるスパッタ膜452bを形成してある。このスパッタ膜452bの外層には、いわゆるAgペーストを塗布して焼き付けた焼き付け銀膜453bを介して熱伝導マット454bを接合してある。なお、本例の熱伝導マット454bとしては、Agマットを用いた。
さらに、熱伝導マット454bの外層には、再び上記と同様の焼き付け銀膜453bを配し、これによりn型(p型)半導体素子402(401)の低温側端部42を接合している。なお、n型(p型)半導体素子402(401)の低温側端部42の表面には、上記と同様のスパッタ膜452bを形成してある。以上のように、本例では、高温側電極45aと同様、2層のスパッタ膜452bと、2層の焼き付け銀膜453bと、熱伝導マット454bとにより、上記低温側電極45bを形成してある。
上記のように構成された本例の排熱回収装置1の制御方法について、図6に示すフローチャートに沿って説明する。
まず、ステップS101では、吸気管120に配設された吸気温センサ16の出力を参照して吸気温度Taを取り込む。そして、ステップS102において、計測された吸気温度Taと、予め設定されたしきい値温度Thとを比較し、Ta>Thが成立していればステップS103a以降の処理ステップを実施する。一方、Ta>Thが成立していなければ、ステップS103bを実施する。このステップS103bでは、EGRバルブ17を閉止すると共に、スイッチボックス18を切断して熱電モジュール4とレギュレータ15とを電気的に切断し、さらに、上記ポンプを停止させて冷却ブロック135への冷却媒体の供給を停止させる。これにより、EGR機能を停止させる。
ステップS103aでは、EGRバルブ17を開口させると共に、スイッチボックス18を接続して熱電モジュール4とレギュレータ15とを電気的に接続し、さらに、ポンプを作動して冷却ブロック135への冷却媒体の供給を実施する。これにより、EGR機能を動作させると共に、熱電モジュール4による熱電発電を実施する。また、ステップS104では、電力負荷の大きさLを取り込み、この電力負荷Lと予め設定されたしきい値Lthとの比較を実施する(ステップS105)。
そして、L>Lthが成立しない場合には、ステップS106に移行し、熱電モジュール4が熱電発電した電力を蓄電池150に蓄える充電モードを実施する。一方、L>Lthが成立する場合には、ステップS107に移行し、熱電モジュール4が発生する電力をレギュレータ15を介して直接的に、電装品155に供給する電力消費モードを実施する。
(実施例2)
本例は、実施例1における熱電モジュールの構成を変更した例である。この内容について図7及び図8を用いて説明する。
本例の熱電モジュール4では、図7に示すごとく、最大熱電効率が得られるピーク温度が異なる2つの分割熱電素子である高温素子481、482と低温素子491、492とにより各熱電素子40を構成している。この熱電モジュール4では、ピーク温度が低い低温素子491、492を、冷却ブロック135に近づけて配置してある。すなわち、熱交換ブロック131の放熱面131b側に高温素子481、482を配置し、冷却ブロック135の冷却面135b側に低温素子491、492を配置した。
なお、本例では、n型半導体よりなる高温素子481としてCoSbを、p型半導体よりなる高温素子482としてZnSbを用いた。また、n型半導体よりなる低温素子491としてBi2Te3を、p型半導体よりなる低温素子492としてBi2Te3を用いた。
ここで、高温素子481(482)と低温素子491(492)との中間構造について簡単に説明する。図8に示すごとく、高温素子481(482)における低温素子491(492)側の外表面には、スパッタ膜452cを成膜してあり、その外表面には、焼き付け銀膜453c、熱伝導マット454c及び、焼き付け銀膜453cの3つの層を形成してある。そして、これら3つの層の外表面に、スパッタ膜452cを成膜した低温素子491(492)を接合してある。すなわち、2層のスパッタ膜452c、2層の焼き付け銀膜453c及び熱伝導マット454cにより、高温素子481(482)と低温素子491(492)との間の中間電極45cを形成してある。
本例の熱電モジュール4における熱電素子40は、図7に示すごとく、放熱面131bと吸熱面135bとの間隙で、高温素子481、482と低温素子491、492とを積層して形成してある。そのため、高温側端部41と低温側端部42との間の温度勾配を2つに区切って、それぞれの温度域にピーク温度を合わせた異なる上記2種類の分割熱電素子を対応させることができるので、全体として各熱電素子40のエネルギー変換効率を高めることができる。
なお、その他の構成及び作用効果は、実施例1と同様である。
(実施例3)
本例は、実施例2における熱電素子の構成を変化させた例である。この内容について、図9を用いて説明する。
同図(b)に示すごとく、還流管130を流動する排ガスの温度は、上流側から下流側に向けて次第に低下していく。なお、同図では、横軸に還流管の軸方向の距離Dを上流側の位置を基準として規定し、縦軸に排ガスの温度Tを規定している。
そこで、本例では、同図(a)に示すごとく、排ガスの温度の低下に合わせて、上流側では、熱電素子40全体に占める高温素子481、482の割合を高くし、下流側では、熱電素子40全体に占める低温素子491、492の割合を低くしてある。
以上のように、本例の熱電モジュール4では、還流管を流動する排ガスの温度に対して、各熱電素子40の温度特性を適合させることで、熱電モジュール4全体のエネルギー変換効率をさらに向上してある。
なお、その他の構成及び作用効果については実施例2と同様である。
(実施例4)
本例は、実施例1の排熱回収装置を基にして、熱電モジュールの構造及び、その冷却構造を変更した例である。この内容について、図10〜図13を用いて説明する。
本例の熱電モジュール4は、図10及び図11に示すごとく、断面略六角外形状に形成した還流管130における略平面状の各放熱面130bに高温側端部41を対面させた熱電素子40を有している。そして、還流管130の内周部には、高温側熱交換部5を形成してある。この高温側熱交換部5は、別体で構成して還流管130と接合することもできるが、本例では、還流管130と高温側熱交換部5とを一体的に成形した銅の押出材を適用した。
図10に示すごとく、本例における上記熱電素子4は、上記断面略六角外形状を呈する還流管130の外周を囲うようにリング状に配置してあるので、全体で六角柱状の外形状を呈している。そして、この熱電素子40は、その周方向においてスリット49を設けて周方向6個に分割されている。また、図11に示すごとく、上記熱電素子40は、還流管130の長手方向にn型半導体401とp型半導体402とを並列させてなると共に、両者の間には断熱材409を介在させてある。
本例の還流管130は、図10に示すごとく、六角形状を呈しており、その内面においては、その角部近傍からそれぞれ中心に向かって長さの異なる一対のフィン51、52が形成されている。すなわち、合計6本の短いフィン51と、合計6本の長いフィン52とを組み合わせて上記高温側熱交換部5を形成してある。
また、図10〜図12に示すごとく、還流管130の各放熱面130bには、電気的絶縁を図ると共に熱伝導性を維持するためのアルミナの溶射膜46aを形成してある。そして、その外表面には、実施例1と同様に、2層のスパッタ膜452aと、2層の焼き付け銀膜453aと、熱伝導マット454aを積層してなる高温側電極45aを形成してある。そして、熱電素子40の低温側端部42にも、上記高温側電極45aと同様に形成された低温側電極45bを介して、銅製の低温側熱交換部7を接合してある。
上記低温側熱交換部7は、図11に示すごとく、底部70とその両端から立設させた2枚のフィン71よりなるコ字状断面を有している。そして、低温側熱交換部7は、上記一対のn型半導体401とp型半導体402の両方に掛かるように、その底部70を接合してある。そして、本例の熱電モジュール4は、還流管130の長手方向に複数の熱電素子40を配置したものである。
なお、実施例2と同様に、熱電モジュール4の構成を変更することも可能である。すなわち、図13に示すごとく、最大熱電効率が得られるピーク温度が異なる2つの分割熱電素子である高温素子481、482と低温素子491、492とを組み合わせた各熱電素子40を用いて熱電モジュール4を構成することもできる。具体的には、還流管130の外周面上に高温素子481、482を配設し、その径方向外側に中間電極45cを介して低温素子491、492を配設して熱電素子40を構成することができる。さらに、実施例3と同様に、還流管130の長手方向に沿って熱電素子40全体に対する高温素子481、482と低温素子491、492との構成比を変更することも有効である。
実施例1における、排熱回収装置の構成を示す構成図。 実施例1における、レギュレータの回路構成を示す回路図。 実施例1における、EGRクーラの外観を示す斜視図。 実施例1における、熱電モジュールの断面構造を示す断面図。 実施例1における、熱電モジュールの断面構造を拡大して示す拡大断面図(図3におけるA部を拡大した図。)。 実施例1における、排熱回収装置の制御手順を示すフローチャート図。 実施例2における、熱電モジュールの断面構造を示す断面図。 実施例2における、熱電モジュールの断面構造を拡大して示す拡大断面図(図7におけるB部を拡大した図。)。 実施例3における、熱電モジュールにおける熱電素子の構成割合(a)と、排ガスの温度変化を示すグラフ(b)。 実施例4における、熱電モジュールの断面構造(軸方向に直交する断面。)を示す断面図。 実施例4における、熱電モジュールの断面構造(軸方向に沿う断面。)を示す断面図。 実施例4における、熱電モジュールの断面構造(軸方向に沿う断面。)を拡大して示す拡大断面図(図11におけるC部を拡大して示す図。)。 実施例4における、その他の熱電モジュールの断面構造を示す断面図。
符号の説明
1 排熱回収装置
10 EGRクーラ
11 排気通路
110 排気管
12 吸気通路
120 吸気管
13 排ガス還流通路
130 還流管
131 熱交換ブロック
135 冷却ブロック
15 レギュレータ
150 蓄電池
16 温度センサ(吸気温センサ)
17 EGRバルブ
3 内燃機関(ディーゼルエンジン)
4 熱電モジュール
40 熱電素子
401 n型半導体素子
402 p型半導体素子

Claims (8)

  1. 内燃機関の排気通路と吸気通路との間に、上記内燃機関の排ガスの一部を上記吸気通路に還流させる排ガス還流通路を設けた内燃機関の排熱回収装置において、
    高温側端部と低温側端部との温度差を電気に変換する熱電素子を構成するp型半導体素子及びn型半導体素子を有してなり、排ガスの熱量を回収して熱電発電可能なように上記高温側端部が上記排ガス還流通路と熱的に接続された状態で配設された熱電モジュールと、
    該熱電モジュールが発電した電力を変換するレギュレータと、
    該レギュレータが変換した電力を充電する蓄電池と、
    上記排ガス温度に連動して変化する指標温度を計測するための温度センサとを有してなり、
    上記熱電モジュールは、上記指標温度が所定のしきい値以上であるときに熱電発電を実施するように構成されていることを特徴とする内燃機関の排熱回収装置。
  2. 請求項1において、上記熱電モジュールは、断熱支持部材を介設して、上記排ガス還流通路の長手方向に沿って上記n型半導体素子と上記p型半導体素子とを交互に積層してなり、上記高温側端部及び上記低温側端部では、電極部材を介して上記n型半導体素子と上記p型半導体素子とを電気的に接続してあることを特徴とする内燃機関の排熱回収装置。
  3. 請求項2において、上記熱電モジュールでは、最大熱電効率が得られるピーク温度が異なる複数の分割熱電素子を組み合わせて上記熱電素子を構成してあり、上記ピーク温度が高い分割熱電素子である高温素子を、上記高温側端部に近づけて配置してあることを特徴とする内燃機関の排熱回収装置。
  4. 請求項3において、上記熱電モジュールでは、上記n型半導体素子と上記p型半導体素子との組み合わせを、上記排ガス還流通路の長手方向に沿って2層以上積層してあり、上記高温素子の径方向の厚みAと、上記ピーク温度が最も低い上記分割熱電素子である低温素子の径方向の厚みBとの比(A/B)が、上記排ガス還流通路の上流側ほど大きくなるよう、各分割熱電素子の構成比を変更してあることを特徴とする内燃機関の排熱回収装置。
  5. 請求項1〜4のいずれか1項において、上記p型半導体素子は、半導体材料としてのNa2CoO2、Zn4Sb3及びBiTeのいずれかよりなり、上記n型半導体素子は、半導体材料としてのBiTe、ZnO及びCoSb3のいずれかよりなることを特徴とする内燃機関の排熱回収装置。
  6. 請求項1〜5のいずれか1項にいて、上記低温側端部は、冷却液との間で熱交換するように構成された低温側熱交換部を有することを特徴とする内燃機関の排熱回収装置。
  7. 請求項1〜5のいずれか1項において、上記低温側端部は、空冷フィンよりなる低温側熱交換部を有することを特徴とする内燃機関の排熱回収装置。
  8. 請求項1〜7のいずれか1項において、上記n型半導体素子、上記p型半導体素子及び上記断熱支持部材は、それぞれ、内周部に貫通穴を設けた環状をなし、上記排ガス還流通路は、上記各貫通穴が相互に連通する状態で積層した上記n型半導体素子、上記p型半導体素子及び上記断熱支持部材の内周側に形成されていることを特徴とする内燃機関の排熱回収装置。
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