JP2006014276A - Laminated balun transformer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、積層型バルントランスに関し、より詳しくは、無線通信機器用集積回路の平衡−不平衡信号変換器や位相変換器などに用いられる積層型バルントランスに関する。 The present invention relates to a stacked balun transformer, and more particularly to a stacked balun transformer used for a balanced-unbalanced signal converter, a phase converter, and the like of an integrated circuit for wireless communication equipment.
バルントランスとは、たとえば、平衡伝送線路(バランス伝送線路)の平衡信号及び不平衡伝送線路(アンバランス伝送線路)の不平衡信号を相互に変換するためのものであり、バルンとはバランス−アンバランスの略称である。平衡伝送線路は対をなす二つの信号線路を備え、信号(平衡信号)が二つの信号線路間の電位差として伝搬するものをいう。平衡伝送線路では、外来ノイズは同じ位相(コモンモード)を有していて二つの信号線路に等しく影響するので、外来ノイズは相殺され、外来ノイズの影響を受けにくいという利点がある。 The balun transformer is, for example, for mutually converting the balanced signal of the balanced transmission line (balanced transmission line) and the unbalanced signal of the unbalanced transmission line (unbalanced transmission line). Abbreviation for balance. A balanced transmission line includes two signal lines forming a pair, and a signal (balanced signal) propagates as a potential difference between the two signal lines. In the balanced transmission line, the external noise has the same phase (common mode) and affects the two signal lines equally. Therefore, the external noise is canceled out and is not easily affected by the external noise.
また、アナログICの信号用の入出力端子も、信号を二つの端子間で電位差として入力あるいは出力するバランス型であることが多い。これに対して、不平衡伝送線路は、信号(不平衡信号)がグランド電位(ゼロ電位)に対する1本の伝送線路の電位として伝搬するものをいい、たとえば同軸線路や基板上のマイクロストリップラインがこれに相当する。 Also, the input / output terminals for analog IC signals are often of a balanced type in which signals are input or output as potential differences between the two terminals. On the other hand, an unbalanced transmission line means that a signal (unbalanced signal) propagates as a potential of one transmission line with respect to a ground potential (zero potential). For example, a coaxial line or a microstrip line on a substrate is used. It corresponds to this.
従来、高周波回路における伝送線路の平衡−不平衡変換器として、フェライト等の磁性体コアに巻線をバイファイラ巻きした構造のバルントランスが用いられていた。しかしながら、この構造のバルントランスは、たとえばUHF帯以上の高周波帯域では変換損失が大きく、また、小型化にも限界があった。 Conventionally, as a balanced-unbalanced converter for a transmission line in a high-frequency circuit, a balun transformer having a structure in which a coil is wound around a magnetic core such as ferrite is used. However, the balun transformer having this structure has a large conversion loss, for example, in a high frequency band higher than the UHF band, and has a limit in miniaturization.
このような周波数帯域に対しては、図6に示すような同軸構造のバルントランス60が用いられていた。このバルントランス60は中心電極65を有し、該中心電極65の一端には、入出力端子62aが接続されている。中心電極65の他端は開放されている。中心電極65の周囲には、二つの内部電極66a,66bが中心電極65と電磁結合するように設けられている。内部電極66a,66bの対向する内側の端部は、引出線67a,67bを介して、他の入出力端子62b,62cにそれぞれ接続されている。さらに、内部電極66a,66bの周囲には、誘電体を挟んで、グランド電極68が設けられている。グランド電極68の両端は、内部電極66a,66bの外側の端部に接続されている。図6のバルントランス60は図7に示すような等価回路を有している。
For such a frequency band, a
前記バルントランス60は、同軸構造を有しているため小型化が困難であり、たとえば移動無線機等のように小型のバルントランスが要求される機器には不適当なものであった。
Since the
同軸構造を有するバルントランスが有している前記のような問題点を解消するため、たとえば特許文献1には、図8に示すようなチップ型バルントランスが提案されている。このバルントランス70は、引出電極72aを表面に設けた誘電体層72と、1/2波長ストリップライン73abを表面に設けた誘電体層73と、1/4波長ストリップライン74a,74bを表面に設けた誘電体層74と、グランド電極71a,75aをそれぞれ表面に設けた誘電体層71,75等で構成されている。
In order to solve the above-described problems of the balun transformer having the coaxial structure, for example, Patent Document 1 proposes a chip-type balun transformer as shown in FIG. The
1/2波長ストリップライン73abは、スパイラル状の第1の部分73a及び第2の部分73bを有している。1/4波長ストリップライン74a,74bは、ストリップラ
イン73abの第1の部分73a及び第2の部分73bとそれぞれ電磁結合している。
The half-wave strip line 73ab has a spiral
前記バルントランス70はチップ化されているので、同軸構造のバルントランス60と比較して小型化されている。しかしながら、1/2波長ストリップライン73abは、スパイラル状の第1の部分73a及び第2の部分73bが1/4波長の1組の結合線路を構成しており、これら1/4波長の結合線路73a,73bに、いま1組の1/4波長ストリップライン74a,74bのそれぞれが電磁結合する構成を有しているので、1/4波長の結合線路を合計2組必要とする。
Since the
また、これらの結合線路73a,73b,74a,74bは、原理的に、その線路長を1/4波長よりも短くすることはできない。さらには、1/2波長ストリップライン73abの第1の部分73a及び第2の部分73bは、誘電体層73の同じ表面に並んで形成されており、1/4波長ストリップライン74a,74bも誘電体層74の同じ表面に並んで形成されているので、誘電体層73,74の所要面積も大きくなる。このため、特許文献1に記載されたチップ型バルントランスも小型化には限界があった。
Further, in principle, these coupled
また、特許文献2には、図9に示すような積層型バルントランスが提案されている。この積層型バルントランス80は、引出電極82aを表面に設けた誘電体シート82と、1/4波長ストリップライン83a,84a,86a,87aをそれぞれ表面に設けた誘電体シート83,84,86,87と、グランド電極81a,85a,88aをそれぞれ表面に設けた誘電体シート81,85,88で構成されている。
ストリップライン83a,84aは誘電体シート83を挟んで対向して設けられ、電磁結合している。また、ストリップライン86a,87aは誘電体シート86を挟んで対向して設けられ、電磁結合している。ストリップライン83aの端部とストリップライン87aの端部とは、外部電極を介して電気的に接続されている。
The
前記積層型バルントランス80では、1/4波長ストリップライン83a,87aを異なる誘電体シート83,87にそれぞれ形成し、1/4波長ストリップライン84a,86aも異なる誘電体シート84,86にそれぞれ形成しているので、1/4波長ストリップライン83a,84a,86a,87aは誘電体シート81〜88の積層方向に配置される。このため、誘電体シート81〜88はその面積を小さくすることができるが、積層厚みが大きくなるという問題点があった。
In the laminated
また、積層型バルントランス80では、1/4波長のストリップライン83a,84a,86a,87aを使用しているので、奇数次の高調波は殆ど減衰されることなく通過し、偶数次の高調波についても、減衰特性が急峻なトラップ状で製品ごとやロットごとにトラップの中心周波数がばらつくためスペック化が困難であった。このため、別途、トラップフィルタなどを設けることにより、高調波を除去しなければならないという問題点もあった。
そこで、本発明の目的は、高調波を安定して減衰させることができる電気的特性に優れた小型の積層型バルントランスを提供することにある。 Therefore, an object of the present invention is to provide a small stacked balun transformer having excellent electrical characteristics capable of stably attenuating harmonics.
前記目的を達成するため、本発明に係る積層型バルントランスは、
第1、第2及び第3の線路がそれぞれ形成された誘電体層を含む積層体からなり、第2の線路が形成された誘電体層の厚み方向の一方側及び他方側に第1の線路が形成された誘電体層及び第3の線路が形成された誘電体層がそれぞれ積層されており、第2の線路に第1及び第3の線路が電磁的に結合している積層型バルントランスであって、
前記第1、第2及び第3の線路はいずれもその長さが入力信号波の1/4波長よりも短く、
前記第2の線路はその一端が不平衡信号端子とされており、他端が接地されており、
前記第1の線路は第2の線路の前記一端と同じ極性を有する側の一端が接地されているとともに、他端が第1の平衡信号端子とされており、
前記第3の線路は第2の線路の前記一端と同じ極性を有する側の一端が第2の平衡信号端子とされるとともに、他端が接地されていること、
を特徴とする。
In order to achieve the above object, the laminated balun transformer according to the present invention is:
A first line is formed on one side and the other side in the thickness direction of the dielectric layer in which the second line is formed, and is formed of a laminated body including a dielectric layer in which the first, second, and third lines are respectively formed. And a third balun transformer in which the first and third lines are electromagnetically coupled to the second line. Because
The lengths of the first, second and third lines are all shorter than a quarter wavelength of the input signal wave,
One end of the second line is an unbalanced signal terminal, and the other end is grounded.
The first line is grounded at one end on the side having the same polarity as the one end of the second line, and the other end is a first balanced signal terminal,
The third line has one end on the side having the same polarity as the one end of the second line as a second balanced signal terminal, and the other end is grounded.
It is characterized by.
本発明に係る積層型バルントランスによれば、第1、第2及び第3の線路の三つの線路しか必要としないうえに、その線路長も1/4波長よりも短いので、積層体のサイズが小さくなるばかりでなく線路間の電磁結合が相対的に小さくなり、従来の積層型バルントランスと同じ誘電体材料を使用したときには、誘電体層の厚みを薄くすることができ、サイズの小さい積層型バルントランスを得ることができる。さらに、第1、第2及び第3の線路の線路長が1/4波長よりも短くなっているので、入力信号周波数の数倍の周波数まで良好な減衰を得ることができ、安定した減衰特性を得ることができる。これにより、減衰特性のスペック化も可能となる。 According to the multilayer balun transformer according to the present invention, only three lines of the first, second, and third lines are required, and the line length is shorter than ¼ wavelength. In addition to reducing the electromagnetic coupling between the lines, when using the same dielectric material as the conventional multilayer balun transformer, the thickness of the dielectric layer can be reduced, resulting in a small-sized laminate. A type balun transformer can be obtained. Furthermore, since the line lengths of the first, second and third lines are shorter than ¼ wavelength, it is possible to obtain good attenuation up to several times the input signal frequency, and stable attenuation characteristics. Can be obtained. As a result, it is possible to specify the attenuation characteristics.
本発明に係る積層型バルントランスにおいては、前記積層体がセラミックからなることが好ましい。セラミックはQ及び誘電率が高く、この種の積層体の材質として良好な特性を有している。また、前記第1、第2及び第3の線路がスパイラル形状を有していることが好ましい。それぞれの線路のスパイラルの巻数を調整することにより、線路のインダクタンスを調整し、容易に入出力の整合を調整することができる。 In the laminated balun transformer according to the present invention, the laminated body is preferably made of ceramic. Ceramic has a high Q and dielectric constant, and has good characteristics as a material of this type of laminate. The first, second, and third lines preferably have a spiral shape. By adjusting the number of turns of the spiral of each line, the inductance of the line can be adjusted, and the input / output matching can be easily adjusted.
また、前記第1、第2及び第3の線路は互いに異なる幅及び長さを有していてもよい。それぞれの線路のスパイラルの幅及び長さを調整することにより、線路のインダクタンスを変化させ、容易に入出力の整合を調整することができる。 The first, second and third lines may have different widths and lengths. By adjusting the width and length of the spiral of each line, the inductance of the line can be changed, and input / output matching can be easily adjusted.
また、前記不平衡信号端子とグランドとの間にキャパシタが接続されていてもよい。キャパシタの接続により不平衡信号端子に接続される第2の線路の共振周波数が下がるので、それだけ第2の線路の線路長を短くすることができる。これにより、積層型バルントランスをより小型化することができる。 A capacitor may be connected between the unbalanced signal terminal and the ground. Since the resonance frequency of the second line connected to the unbalanced signal terminal is lowered by the connection of the capacitor, the line length of the second line can be shortened accordingly. Thereby, the stacked balun transformer can be further downsized.
さらに、前記平衡信号端子のそれぞれとグランドとの間にキャパシタが接続されていてもよい。このようなキャパシタの接続により平衡信号端子に接続される第1及び第3の線路の共振周波数が下がるので、それだけこれら線路の線路長を短くすることができる。これにより、積層型バルントランスをより小型化することができる。 Furthermore, a capacitor may be connected between each of the balanced signal terminals and the ground. Since the resonance frequency of the first and third lines connected to the balanced signal terminal is lowered by the connection of such a capacitor, the line lengths of these lines can be shortened accordingly. Thereby, the stacked balun transformer can be further downsized.
また、前記第3の線路の下側の誘電体層にシールド電極を設けてもよい。このシールド電極の存在にて第3の線路のインダクタンスが小さくなり、第3の線路と第2の線路との間隔T2を第1の線路と第2の線路との間隔T1よりも小さく設定できる。すなわち、第2の線路と第3の線路の誘電体層の厚みを薄くすることにより両者をより接近させることができ、誘電体層の厚みを薄くして、セラミック積層体の積層厚を小さくすることができる。これにより、より小型の積層型バルントランスを得ることができる。 Further, a shield electrode may be provided on the dielectric layer below the third line. The inductance of the third line is reduced by the presence of the shield electrode, and the interval T2 between the third line and the second line can be set smaller than the interval T1 between the first line and the second line. That is, by reducing the thickness of the dielectric layers of the second line and the third line, it is possible to make them closer together, and reducing the thickness of the dielectric layer to reduce the thickness of the ceramic laminate. be able to. Thereby, a smaller stacked balun transformer can be obtained.
以下、本発明に係る積層型バルントランスの実施例を添付図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the laminated balun transformer according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
(第1実施例、図1〜図3参照)
本発明の第1実施例である積層型バルントランスの外観を図1に、その具体的な構成を図2に示す。
(Refer 1st Example and FIGS. 1-3)
FIG. 1 shows the external appearance of the laminated balun transformer according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows its specific configuration.
この積層型バルントランス10は、セラミックの誘電体層11〜20が積層されてなるチップ状のセラミック積層体10aからなる。誘電体層11〜20は、いずれも、誘電体セラミック材料をドクターブレード法や引き上げ法などの手法で成形したセラミックグリーンシートが積層/圧着された後、焼成され、積層体10aが形成される際に、セラミックグリーンシートが焼結されて形成される。このため、図1において、誘電体層11〜20の積層方向で互いに隣り合う層間には、実際には、区分線が生じることはない。
The
誘電体層11〜20の積層により誘電体層11から誘電体層20にかけて形成される積層体10aの一つの積層面には、不平衡信号端子P1、グランド端子G1、平衡信号端子P2が形成されている。また、積層体10aの一つの積層面と対向するいま一つの積層面に
は、平衡信号端子P3、グランド端子G2、ダミー端子P4が形成されている。これらグラ
ンド端子G1,G2、不平衡信号端子P1、平衡信号端子P2,P3及びダミー端子P4は、セラミックグリーンシートの焼結前に予め印刷により形成されていてもよく、また、積層体10aの焼成の後に形成してもよい。
One of the stacking surface of the
誘電体層13,15,16には、それぞれの一の主面にいずれも同じ巻方向のスパイラル状線路パターンを有する第1の線路13a、第2の線路15a及び第3の線路16aが形成されている。これらの線路13a,15a,16aは、本第1実施例では互いに等しい一定の幅を有しており、かつ入力信号波の1/4波長よりも十分短い線路長、たとえば1/12波長の線路長となるように形成されている。そして、第2の線路15aは、その上側に積層されている誘電体層13,14を間にして第1の線路13aと電磁的に結合するとともに、自身の形成されている誘電体層15を間にして第3の線路16aと電磁的に結合している。
A
線路13a,15a,16aの線路長を入力信号波の1/4波長より短くしているのは、3本の線路を結合させる場合に、線路長が1/4波長だといずれか二つが強く結合し、残りの一つが結合しなくなるためである。線路長を短くすることによって強く結合していた方の結合が弱まり、逆に弱かった方の結合が強くなり、適当な長さ間隔などによってバランスが取れるようになる。
The line lengths of the
第2の線路15aは、そのスパイラルの外側に位置する一端が誘電体層14に形成されたビアホールVh1及び引出電極14aを通して不平衡信号端子P1に電気的に接続され、そのスパイラルの内側に位置する他端が前記誘電体層14に形成されたビアホールVh2
及び引出電極14bを通してグランド端子G1に電気的に接続されている。また、第1の
線路13aは、第2の線路15aの一端と同じ極性を有する側(スパイラルの外側)の一端が誘電体層12に形成されたビアホールVh3及び引出電極12aを通してグランド端
子G2に電気的に接続され、第2の線路15aの一端とは異なる極性を有する側(スパイ
ラルの内側)の他端が誘電体層12に形成されたビアホールVh4及び引出電極12bを
通して平衡信号端子P3に電気的に接続されている。ここで、二つの線路の一端が同じ極
性を有しているとは、一般にトランスなどでコイルを表す記号の一端側に黒丸印を付して示しているものと同じ意味で用いるものとする。従って、例えば、第1の線路13aの巻方向が第2の線路15aとは逆方向になっていれば、第1の線路13aにおいてはスパイラルの内側を一端、外側を他端と称することになる。
The
And it is electrically connected to the ground terminal G 1 through the
第3の線路16aは、第2の線路15aの一端と同じ極性を有する側(スパイラルの外側)の一端が誘電体層16に形成されたビアホールVh5及び誘電体層17に形成された
引出電極17aを通していま一つの平衡信号端子P2に電気的に接続され、第2の線路1
5aの一端と異なる極性を有する側(スパイラルの内側)の他端が誘電体層16に形成されたビアホールVh6及び誘電体層17に形成された引出電極17bを通してグランド端
子G2に電気的に接続されている。
Side having one end different from the polarity of 5a (spiral inside) the other end a ground terminal G 2 to electrically through
誘電体層18の一の主面にはグランド電極18aが形成されており、該グランド電極18aは引出電極18bによりグランド端子G1に電気的に接続されている。また、誘電体
層19の一の主面にはキャパシタ電極19aが形成されており、該キャパシタ電極19aは引出電極19bにより不平衡信号端子P1に電気的に接続されている。
On one main surface of the
さらに、誘電体層20の一の主面にもグランド電極20aが形成されており、該グランド電極20aは引出電極20bによりグランド端子G1に電気的に接続されている。キャ
パシタ電極19aは、誘電体層18を間にしてグランド電極18aに対向するとともに、誘電体層19を間にしてグランド電極20aに対向している。これにより、不平衡信号端子P1とグランド端子G1との間には、図3で説明する静電容量C1が形成される。
Further, on one main surface of the
以上に説明した積層型バルントランス10は、図3に示した等価回路を有している。即ち、積層型バルントランス10では、第2の線路15aは、その一端及び他端が不平衡信号端子P1及びグランド端子G1にそれぞれ接続される。第1の線路13aは、第2の線路15aの一端と同じ極性を有する一端がグランド端子G2に接続され、第2の線路15a
の一端と異なる極性を有する他端が不平衡信号端子P3に接続される。第3の線路16a
は、第2の線路15aの一端と同じ極性を有する一端が平衡信号端子P2に接続され、第
2の線路15aの一端と異なる極性を有する他端がグランド端子G2に接続される。そし
て、不平衡信号端子P1とグランド端子G1との間に前記静電容量(キャパシタ)C1が接
続される。
The
The other end having an end with different polarities are connected to the unbalanced signal terminal P 3.
One end having the same polarity as the one end of the
なお、図3において、第1の線路13a、第2の線路15a及び第3の線路16aの各一端にそれぞれ付された黒丸印は、これら一端が同じ極性を有するものであることを示している。
In FIG. 3, black circles attached to the respective ends of the
以上の構成からなる積層型バルントランス10では、グランド端子G1,G2は通常は同じ電位で接地されるが、仮に第1の線路13a、第2の線路15a及び第3の線路16aにバイアス電圧を印加して使用するようなときには、グランド端子G2は信号周波数にお
いてインピーダンスの充分小さいキャパシタを介して接地される。そして、不平衡信号端子P1とグランド端子G1との間に不平衡信号が入力すると、該不平衡信号は第2の線路15aと電磁的に結合している第1の線路13a及び第3の線路16aにより平衡信号に変換されて平衡信号端子P2,P3間から出力する。逆に、平衡信号端子P2,P3間に平衡信号が入力すると、該平衡信号は第1の線路13a及び第3の線路16aと電磁的に結合している第2の線路15aにより不平衡信号に変換されて不平衡信号端子P1とグランド端子G1との間から出力する。
In the
積層型バルントランス10では、第1、第2及び第3の線路13a,15a,16aの三つの線路しか必要としないうえに、その線路長も1/4波長よりも充分短い1/12波長としているので、積層体10aのサイズを大幅に小さくすることができ、積層型バルントランス10のサイズが大幅に小型化される。また、各線路13a,15a,16aの線路長が入力信号波の1/4波長よりも短くなると、線路間の電磁結合が相対的に小さくなり、そこで発生する磁界が外部に漏洩することも少なくなる。このため、第1の線路13aの上側にはシールド用の電極を設ける必要がない。しかも、従来の積層型バルントランスと同じ誘電体材料を使用したときには、誘電体層13,14,15の厚みを薄くすることができる。このような点からも、積層型バルントランス10のより一層の小型化を図る
ことができる。
The
さらに、各線路13a,15a,16aの線路長が入力信号波の1/12波長となっているので、その長さで1/4波長となる信号の周波数は入力信号の周波数の3倍になる。すなわち、入力信号の3倍の周波数の信号にとって1/4波長線路を備えることになる。そして、そのような装置においてはさらにその2倍の周波数のところに最初の減衰極が現われるので、結果的に入力信号周波数の6倍の周波数までスプリアスのない良好な減衰特性を得ることができる。従って、入力信号周波数の2倍波、3倍波については、周波数特性がトラップ状にはなることがなく、安定した減衰特性を得ることができる。これにより、減衰特性のスペック化も可能となる。
Furthermore, since the line length of each of the
さらに、不平衡信号端子P1とグランド端子G1との間に接続されるキャパシタC1によ
り、積層型バルントランス10の不平衡信号側の入出力の整合を容易にとることができるばかりでなく、第2の線路15aとキャパシタC1とで共振回路が形成され、その共振周
波数がキャパシタC1の静電容量の増加とともに低下するので、第2の線路15aの線路
長をさらに短くすることができる。これにより、積層型バルントランス10のさらなる小型化を図ることができる。
Furthermore, the capacitor C 1 connected between the unbalanced signal terminal P 1 and the ground terminal G 1 not only can easily match the input / output on the unbalanced signal side of the
また、本第1実施例において、図2に示すように、第1の線路13aと第2の線路15aとの間隔T1と第3の線路16aと第2の線路15aとの間隔T2とが、T1>T2の関係にある。すなわち、第3の線路16aの下側の誘電体層18にはグランド電極18aが形成されているため、このグランド電極18aの存在にて第3の線路16aのインダクタンスが小さくなり、第3の線路16aと第2の線路15aとの間隔T2を第1の線路13aと第2の線路15aとの間隔T1よりも小さく設定できる。これにて、第3の線路16aと第2の線路15aとがより接近し、セラミック積層体10の積層厚を小さくすることができる。
In the first embodiment, as shown in FIG. 2, the interval T1 between the
(第2実施例、図4参照)
本発明の第2実施例である積層型バルントランスを図4に示す。この積層型バルントランス30は、図1及び図2を参照して説明した第1実施例である積層型バルントランス10において、積層体10aの誘電体層17と誘電体層18との間に、主面に二つのキャパシタ電極21a,21bを形成した誘電体層21を介して誘電体層11〜21により積層体10bを形成し、二つのキャパシタ電極21a,21bを平衡信号端子P2,P3にそれぞれ接続したものである。キャパシタ電極21a,21bは、誘電体層21を間にして誘電体層18に形成されたグランド電極18aに対向し、その間に図3に点線で示した静電容量C2,C3がそれぞれ形成される。なお、図4において、図2に対応する部分には対応する符号を付して示し、重複した説明は省略する。
(Refer to the second embodiment, FIG. 4)
A laminated balun transformer according to the second embodiment of the present invention is shown in FIG. This
この積層型バルントランス30にあっては、前記第1実施例である積層型バルントランス10と同様の効果を奏する。さらに、平衡信号端子P2とグランド端子G1との間に接続されるキャパシタC2、平衡信号端子P3とグランド端子G1との間に接続されるキャパシ
タC3により、積層型バルントランス30の平衡信号側の入出力の整合を容易にとること
ができる。また、第1の線路13a、第3の線路16a、キャパシタC2,C3とで共振回路が形成され、その共振周波数がキャパシタC2,C3の静電容量の増加とともに低下するので、第1の線路13a、第3の線路16aからなる二つの線路の線路長をさらに短くすることができる。これにより、積層型バルントランス30のより一層の小型化を図ることができる。
This
(第3実施例、図5参照)
本発明の第3実施例である積層型バルントランスを図5に示す。この積層型バルントランス40は、前記第1実施例である積層型バルントランス10において、第1の線路13a及び第3の線路16aの幅をいずれも第2の線路15aの幅よりも太くするとともに、第1の線路13a及び第3の線路16aの長さをいずれも第2の線路15aの長さよりも短くし、引出電極12a,12b,17a,17bやビアホールVh3〜Vh6の長さが第1の線路13a及び第3の線路16aに及ぼす影響を考慮して、線路13a,16aのインダクタンスを必要な値に調整するようにしたものである。
(Refer to the third embodiment, FIG. 5)
A laminated balun transformer according to a third embodiment of the present invention is shown in FIG. In the
このように、第1〜第3の線路13a,15a,16aは全てが同じ長さ、同じ幅である必要はなく、仕様などに応じて適宜変更しても構わないものである。従って、第1の線
路13a及び第3の線路16aは、引出電極12a,12b,17a,17bやビアホールVh3〜Vh6の長さ等に応じて、前記とは逆に第2の線路15aに比較して幅が狭く形成されたり線路長が長く形成されることもある。
Thus, the first to
なお、図5において、図1及び図2に対応する部分には対応する符号を付して示し、重複した説明は省略する。 In FIG. 5, portions corresponding to those in FIGS. 1 and 2 are denoted by corresponding reference numerals, and redundant description is omitted.
(他の実施例)
本発明に係る積層型バルントランスは前記実施例に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々の構成とすることができる。
(Other examples)
The laminated balun transformer according to the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various configurations can be made within the scope of the gist thereof.
特に、前記各実施例では、第1、第2及び第3の線路13a,15a,16aはスパイラル形状を有するものについて説明したが、これらの線路13a,15a,16aはたとえばミアンダ形状を有するものであってもよい。
In particular, in each of the above embodiments, the first, second and
また、前記積層体はセラミックにて構成したが、樹脂にて構成してもよい。但し,セラミックはQ及び誘電率が高く、この種の積層体の材質として好ましいものである。 Moreover, although the said laminated body was comprised with the ceramic, you may comprise with resin. However, ceramic has a high Q and dielectric constant and is preferable as a material for this type of laminate.
10,30,40…積層型バルントランス
10a,10b…積層体
11〜21…誘電体層
13a…第1の線路
15a…第2の線路
16a…第3の線路
18a…グランド電極
19a…キャパシタ電極
20a…グランド電極
30,40…積層型バルントランス
P1…不平衡信号端子
P2,P3…平衡信号端子
G1,G2…グランド端子
C1,C2,C3…キャパシタ
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記第1、第2及び第3の線路はいずれもその長さが入力信号波の1/4波長よりも短く、
前記第2の線路はその一端が不平衡信号端子とされており、他端が接地されており、
前記第1の線路は第2の線路の前記一端と同じ極性を有する側の一端が接地されているとともに、他端が第1の平衡信号端子とされており、
前記第3の線路は第2の線路の前記一端と同じ極性を有する側の一端が第2の平衡信号端子とされるとともに、他端が接地されていること、
を特徴とする積層型バルントランス。 A first line is formed on one side and the other side in the thickness direction of the dielectric layer in which the second line is formed, and is formed of a laminated body including a dielectric layer in which the first, second, and third lines are respectively formed. And a third balun transformer in which the first and third lines are electromagnetically coupled to the second line. Because
The lengths of the first, second and third lines are all shorter than a quarter wavelength of the input signal wave,
One end of the second line is an unbalanced signal terminal, and the other end is grounded.
The first line is grounded at one end on the side having the same polarity as the one end of the second line, and the other end is a first balanced signal terminal,
The third line has one end on the side having the same polarity as the one end of the second line as a second balanced signal terminal, and the other end is grounded.
Multi-layer balun transformer characterized by
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