JP2005517281A - 内部ミラーをもつレーザ・ダイオード - Google Patents
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Abstract
半導体レーザ(10)は分布帰還型レーザ部(12)と増幅器部(14)とを含む。増幅器部(14)は、特にレーザの出力面(18)での光パワー密度を低くするためにテーパにすることができる。半導体レーザ(10)はまた、光(17)を分布帰還型レーザ部(12)から増幅器部(14)に反射する反射要素(24)を含む。反射要素(24)は光ビーム(17)の光学経路(Op)を曲げる。光学経路(Op)を曲げることで半導体レーザ・ダイ・サイズを拡大せずに増幅器部(14)領域を大きくすることができる。増幅器部(14)が大きくなるとレーザの出力パワーが増大する。同様に、反射要素(24)によりレーザの光パワーを減少させずに半導体レーザ・ダイ・サイズを縮小することができる。
Description
(関連出願の相互参照)
本出願は2001年6月6日に出願された仮出願第60296630号に対する米国特許法第119(e)条による優先権を主張するものである。
本出願は2001年6月6日に出願された仮出願第60296630号に対する米国特許法第119(e)条による優先権を主張するものである。
開示される主題は一般に半導体レーザの分野に関する。
半導体レーザは様々なシステム・アプリケーションで使用される。例えば、光ファイバ通信システムでは半導体レーザは光源として使用される。一般に、パワー出力の高い半導体レーザを備えることが望ましい。パワー出力が高ければ光学システムに必要な中継器と増幅器の数が少なくて済む。
半導体レーザのパワーを増大させるとレーザの光パワー密度が高くなる。パワー密度が高いとレーザが、特にその出力ミラーに損傷を受け、デバイスの有効寿命が短くなることがある。さらに、光パワー密度が高いとレーザ・ビームに非線形効果がもたらされることがある。非線形効果はビームの特性および光学システムの全体的性能を劣化させる。アクティブな光を発生する部分の幅を大きくすれば光パワー密度を低くすることができる。残念ながら、この部分を広くするとレーザが多数の横モードで発光し、それによりレーザ出力の光学的特性が劣化する。
Ungarに発行された米国特許第4856017号には分布帰還型レーザ部と増幅器部とを有する半導体レーザが開示されている。分布帰還型レーザ部はコヒーレントな光ビームを発生するための回折格子を含む。次いでコヒーレントな光ビームが増幅器部で増幅される。増幅器部は出力面が比較的広くなるようにテーパが付けられている。出力面が広いとその面での光学パワー密度が低くなる。光パワー密度が低くなると半導体レーザの寿命および得られる光ビームの特性が向上する。
米国特許第4856017号
Ungarの半導体レーザのパワーをさらに増大させるには増幅器部およびダイの全体的サイズを拡大しなければならない。ダイを拡大すると半導体レーザを大量生産するコストが増大し、その効率が低下する。ダイを拡大せずに半導体レーザの出力パワーを増大させることが望ましいであろう。逆に、光出力を小さくせずにダイ・サイズを縮小することも望ましいであろう。
本発明は分布帰還型レーザ部と増幅器部とを含む半導体レーザである。本半導体レーザは、分布帰還型レーザ部と増幅器部との間の光学経路に沿って配置された湾曲した反射要素を含む。
分布帰還型レーザ部と増幅器部とを含む半導体レーザが開示される。増幅器部は、特にレーザの出力面での光パワー密度を低くするためにテーパにすることができる。半導体レーザはまた、光を分布帰還型レーザ部から増幅器部に反射する湾曲した反射要素を含む。反射要素は光ビームの光学経路を曲げ、ビームを広くする。光学経路を曲げることで半導体レーザ・ダイ・サイズを拡大せずに増幅器部領域を大きくすることができ、光パワーがより広い領域に広がる。増幅器部が大きくなるとレーザの出力パワーが増大する。同様に、反射要素によりレーザの光パワーを減少させずに半導体レーザ・ダイの長さを短縮することができる。
図面を参照番号によってより詳細に参照すると、図1には半導体レーザ10が示されている。半導体レーザ10は分布帰還型レーザ部12と半導体ダイ16内に配置された増幅器部14とを含む。分布帰還型レーザ部12はコヒーレントな光ビーム17を発生する。コヒーレントな光ビーム17は光学経路Opに沿って増幅器部14まで進行する。増幅器部14はコヒーレントな光ビーム17の光パワーを増幅し、増大させる。増幅された光ビームはレーザ10の出力面18を出る。
分布帰還型レーザ部12は回折格子20を含んでもい。格子20が図示され説明されているが、分布帰還セクション12はコヒーレントな光を発生するための他の手段を有することができることを理解されたい。例えば、レーザ部12は分布ブラッグ反射器形状とすることができる。
増幅器部14は好ましくは、出力面18の近くで最も広くなる一対のテーパ・エッジ22を含む。エッジは光ビームの拡大プロファイルに最も効率的に一致するようなテーパにされている。半導体レーザ10を使用すると5ワットの範囲内の高い光出力パワーを発生することができる。
半導体レーザ10は光ビーム17を分布帰還型レーザ部12から増幅器部14まで反射する反射要素24を含む。反射要素24は凸面発散ミラーとすることができる。反射要素24は、ダイ16の長さを変えずに増幅器部14の幅を大きくできるように光学経路Opを曲げ、光ビームを拡大させる。増幅器部14が大きくなると半導体レーザ10の出力パワーが増大する。
図2に半導体レーザ10の一実施形態の異なる層30、32、34、36、38、40、42、44および46を示す。レーザ10は、基板30上に形成された下側クラッディング32を含む。基板30はnドープ・インジウムリン(InP)またはガリウムヒ素(GaAs)材料とすることができる。クラッディング32はnドープInPまたはGaAs材料とすることができる。
レーザ10はさらに、閉じ込め層34と38の間に配置された多重量子井戸(multi-quantum well)活性層36を有する。閉じ込め層34はnドープInGaAsまたはAlyGa1−yAs材料でよい。閉じ込め層38はpドープInGaAsまたはAlyGa1−yAs材料でよい。層40、42、44はpドープ材料を含む上側クラッディングである。例えば、層40はpドープInGaAsまたはAlxGa1−xAs材料でよい。層42はpドープInGaAsまたはAlxGa1−xAs材料でよい。層44はpドープInGaAsまたはAlxGa1−xAs材料でよい。層46は、p+ドープInGaAsまたはGaAs材料を含有する電気コンタクト層である。
層34、36、38は、電流の流れに応答して誘導光放出を発生するPN接合を作っている。クラッディング層32、40、42、44は光を案内する導波路を形成する。分布帰還型レーザ部12内の格子は一般に層34、36、38内に形成される。電流は分布帰還型レーザ部12と増幅器部14の上に配置されたコンタクトを介してこれらのセクション12、14の両方を通過する。電流はコヒーレントな光が形成される分布帰還型レーザ部12中に誘導放出を引き起こす。電流は、レーザ10の光パワーを増大させる増幅器部14内でさらなる誘導放出を引き起こす。
半導体レーザ10は、最初に基板30上に層32、34、36、38を形成させる。次いで層34、36、38の分布帰還型レーザ部12中に格子を形成させる。次いで層38上に残りの層40、42、44、46を連続的に形成する。すべての層は知られているエピタキシャル半導体製作プロセスで形成することができる。
層32、34、36、38、40、42、44をエッチングして反射要素24を形成させる。空気とダイの境界面に反射平面を作る。さらに、空気とダイの境界面上に反射材料の層48を被覆することによって要素24の反射率を向上させることができる。あるいは、分布帰還型レーザ部中で発生した光を反射させ、再集束させるためにレンズ(図示せず)をダイ中に形成してもよい。
図3に半導体レーザ100の代替実施形態を示す。レーザ100は分布帰還型レーザ部102、第1の反射要素104、第2の反射要素106、一対の増幅器部108、110を含む。第1の反射要素104は凸面発散ミラーであり、第2の反射要素106は凹面収束ミラーである。発散ミラーと収束ミラーとの組合せにより2つの面に集束する出力ビームが得られる。図1の実施形態に示すように収束ミラーが1つしかないと非点出力ビームが生じることがある。
2つの増幅器部108と110が図示されているが、半導体レーザ100はただ1つの増幅器部108または110、または3つ以上の増幅器部を有することができることを理解されたい。増幅器部108は、反射要素104によって反射された発散ビームに対応する発散テーパ・エッジ112を有し、同様に、増幅器部110は、反射要素106によって反射された収束ビームに対応する収束エッジ114を有している。
以上、いくつかの例示的な実施形態を添付の図面で説明し図示したが、そのような実施形態は広い本発明を例示するものにすぎず、限定するものではないこと、および当業者なら他の変更形態を思い付くので、本発明は図示し説明した特定の構成および配置に限定されないことを理解されたい。
Claims (26)
- 第1の増幅器部と、
分布帰還型レーザ部と、
前記第1の増幅器部と前記分布帰還型レーザ部の間の光学経路に沿って配置された第1の反射要素とを備える半導体レーザ。 - 前記分布帰還型レーザ部が格子を含む請求項1に記載の半導体レーザ。
- 前記分布帰還型レーザ部がファブリ−ペロー空洞を含む請求項1に記載の半導体レーザ。
- 前記第1の増幅器部が一対のテーパ・エッジを有する請求項1に記載の半導体レーザ。
- 前記第1の反射要素が面発散ミラーである請求項1に記載の半導体レーザ。
- 光学経路に沿って配置された第2の反射要素をさらに備える請求項1に記載の半導体レーザ。
- 前記第2の反射要素が面収束ミラーである請求項6に記載の半導体レーザ。
- 光学経路に沿って配置された第2の増幅器部をさらに備える請求項6に記載の半導体レーザ。
- 前記第2の増幅器部が一対のテーパ・エッジを有する請求項8に記載の半導体レーザ。
- 前記面発散ミラーが反射材料の層を含む請求項5に記載の半導体レーザ。
- コヒーレントな光ビームを発生する分布帰還型レーザ手段と、
コヒーレントな光ビームを光学的に増幅する増幅器手段と、
コヒーレントな光ビームを前記分布帰還型レーザ手段から前記増幅器手段に再指向させる反射手段とを備える半導体レーザ。 - 前記分布帰還型レーザ手段が格子を含む請求項11に記載の半導体レーザ。
- 前記分布帰還型レーザ手段がファブリ−ペロー空洞を含む請求項11に記載の半導体レーザ。
- 前記増幅器手段が一対のテーパ・エッジを有する請求項11に記載の半導体レーザ。
- 前記反射手段が面発散ミラーを含む請求項11に記載の半導体レーザ。
- 前記反射手段が面収束ミラーを含む請求項15に記載の半導体レーザ。
- 前記増幅器手段が第1の増幅器部および第2の増幅器部を含む請求項16に記載の半導体レーザ。
- 前記第1および第2の増幅器部がそれぞれ一対のテーパ・エッジを有する請求項17に記載の半導体レーザ。
- 前記面発散ミラーが反射材料の層を含む請求項15に記載の半導体レーザ。
- コヒーレントな光ビームを発生させるステップと、
コヒーレントな光ビームを反射させるステップと、
コヒーレントな光ビームを増幅させるステップとを含む、半導体レーザを作動させる方法。 - コヒーレントな光ビームが面発散ミラーによって反射させられる請求項20に記載の方法。
- コヒーレントな光ビームがさらに面収束ミラーによって反射させられる請求項21に記載の方法。
- 基板上に下側クラッディング層を形成するステップと、
下側クラッディング層の上に活性層を形成するステップと、
活性層の上に上側クラッディング層を形成するステップと、
クラッディング層の上にコンタクト層を形成するステップと、
下側クラッディング層、活性層および上側クラッディング層に反射要素を形成するステップとを含む、半導体レーザを製作する方法。 - 反射要素が下側クラッディング層、活性層および上側クラッディング層の各部分をエッチングすることによって形成される請求項23に記載の方法。
- 下側クラッディング層、活性層および上側クラッディング層のエッチングされた各部分に反射材料の層が被覆される請求項24に記載の方法。
- 活性層中に回折格子を形成するステップをさらに含む請求項23に記載の方法。
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