JP2005509666A - N−含有芳香族化合物のp−官能化されたアミン、その製造及び触媒反応におけるその使用 - Google Patents

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Abstract

本発明は、一般式R(R)P−N(R′)R′′(I)[式中、R及びRは任意の基、有利にはフェニル基、シクロヘキシル基又はt−ブチル基を表し、かつR′は少なくとも1つのN−原子を有し、少なくとも1つの芳香族N−原子に対して2位で式(I)による窒素原子に結合されている芳香族基を表し、かつR′′はトリメチルシリル又は芳香族基を表す]の新規の配位子、その製造方法及び元素の周期律表の第VIII副族の遷移金属化合物の存在下での、特にアリールオレフィン、ジエン、ジアリール、安息香酸誘導体及びアクリル酸誘導体、アリールアルカン及びアミンの製造のためのハロゲン芳香族化合物の精製のための使用に関する。

Description

本発明は遷移金属のための新規の配位子、その製造及び触媒反応における、特にハロゲン芳香族化合物の精製のための使用に関する。
ハロゲン芳香族化合物、なかでも特に塩素芳香族化合物は、農業中間物質、医薬品、染料等の製造のための前駆物質として用いられる、多岐に亘り使用可能な化学工業の中間生成物である。またビニルハロゲン化物は、ポリマーのための出発物質として、そして前記の生成物の製造のために使用される重要な中間生成物である。
ハロゲン芳香族化合物又はビニルハロゲン化物を芳香族オレフィンもしくはジエンに(ヘック反応、Stille反応)、ビアリールに(スズキ反応)、アルキンに(ソノガシラ反応)、カルボン酸誘導体に(ヘックカルボニル化)、アミンに(ブッフヴァルト−ハルトヴィッヒ反応)官能化させるために、しばしば使用される触媒はパラジウム触媒及びニッケル触媒である。この場合にパラジウム触媒が一般に有利であり、これはカップリング基質の使用可能性の幅及び部分的に触媒活性に関連するが、一方でニッケル触媒は塩素芳香族化合物及び塩化ビニルの変換の範囲で、そして金属の価格の点で利点を有する。
ハロゲン芳香族化合物の活性化及び更なる精製の範囲で使用されるパラジウム触媒及びニッケル触媒は、パラジウム(0)化合物もしくはニッケル(0)化合物が反応の固有の触媒であることが公知であるにも拘わらず、パラジウム(II)錯体及び/又はニッケル(II)錯体でもパラジウム(0)錯体及び/又はニッケル(0)錯体でもよい。特に文献の記載によれば、配位的に不飽和の14電子及び16電子の、ドナー配位子、例えばホスファンで安定化されるパラジウム(0)錯体もしくはニッケル(0)錯体が活性種として配合される。
カップリング反応における出発物質としてヨウ化物を使用する場合に、ホスファン配位子を省くことも可能である。しかしながらアリールヨージド及びビニルヨージドは非常に高価な出発化合物であり、その際、更にその反応において化学量論的量のヨウ素塩の沈殿が生じる。コスト的に有利な出発物質、例えばアリールブロミド又はアリールクロリドをヘック反応で使用するのであれば、安定化及び活性化させる配位子の添加が必要であり、それによって出発物質は触媒的に効果的に変換されうる。
オレフィン化、アルキニル化、カルボニル化、アリール化、アミン化及び類似の反応のために記載される触媒系は、しばしば非経済的な出発材料、例えばヨウ素芳香族化合物及び活性化された臭素芳香族化合物を用いてのみ十分な触媒変換数(“ターンオーバー数”=TON)を示すに過ぎない。他にも、失活された臭素芳香族化合物及び、特に塩素芳香族化合物の場合には、一般に大量の触媒、通常1モル%より大量に添加して、工業的に利用可能な収率(>90%)を達成せねばならない。反応混合物の錯形成性に基づいて容易な触媒リサイクルは不可能なので、更に触媒のリサイクルも一般に工業的な実現の妨げとなる高い費用をもたらす更に特に作用物質もしくは作用物質前駆物質の製造において大量の触媒を用いて作業することは望ましくない。それというのもそれをもとに前記の場合には触媒が生成物中に残留するからである。
より新規の活性触媒は環状パラジウム化されたホスファン(W. A. Herrmann, C. Brossmer, K.Oefele, C. -P. Reisinger, T. Priermeier, M. Beller, H. Fischer, Angew. Chem. 1995, 107, 1989 ; Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 1995,34, 1844)又は立体障害アリールホスファン(J. P. Wolfe, S. L. Buchwald, Angew. Chem. 1999, 111, 2570 ; Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 1999, 38,2413)もしくはトリ−t−ブチルホスファン(A. F. Littke, G. C. Fu, Angew. Chem. 1998, 110, 3586 ; Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 1998,37, 3387)とパラジウム塩又はパラジウム錯体との混合物をベースとする。
しかしながらコスト的に有利な塩素芳香族化合物は、前記の触媒によっても一般に工業的に十分に活性化できない、すなわち触媒生産性(TON)は<10000であり、かつ触媒活性(TOF)は<1000h−1である。従って高い収率の達成のために比較的多量の触媒量を使用せねばならず、これは高いコストに結びつくこととなる。このように、例えば1キログラムの分子量200を有する有機中間生成物を製造するための触媒費用は、1モル%のパラジウム触媒を使用する場合に、目下の貴金属価格で100US$であり、これは触媒生産性の改善を明らかに必要とするものである。従って昨年の触媒の全ての再開発にも拘わらず今日まで、塩素芳香族化合物によるアリール化、カルボニル化、オレフィン化の工業的な低い変換率のみが知られているに過ぎない。
前記の理由から、本発明の課題は、簡単な配位子を有し、かつ大工業的実施のために適当な公知の触媒的方法の欠点を示さず、そしてコスト的に有利な塩素芳香族化合物及び臭素芳香族化合物並びに相応のビニル化合物を高い収率、触媒生産性及び純度でそれぞれのカップリング生成物に変換する新規の生産的な触媒系の高い要求を満たすことであった。
前記課題は、本発明によればN−含有芳香族化合物の新規のP−官能化されたアミンの開発によって、特に一般式
(R)P−N(R′)R′′ (I)
[式中、
及びRは互いに無関係に、C〜C24−アルキル、C〜C−シクロアルキル及び5〜14個のC原子を有する芳香族基、特にフェニル、ナフチル又はフルオレニルから選択される1つの基を表し、その際、少なくとも1つの、有利には3つまでのC原子は、互いに無関係に、N、O及びSからなる群から選択される1つのヘテロ原子によって置換されていてよく、そしてアルキル基及びシクロアルキル基は飽和又は不飽和、分枝鎖状又は非分枝鎖状であってよい]のP−官能化されたアミノピリジンによって解決される。環式の脂肪族又は芳香族の基は、有利には5員環又は6員環である。
前記の基はそれ自体、それぞれ一置換又は多置換されていてよい。
前記の置換基は、この場合に互いに無関係に水素、C〜C20−アルキル、C〜C20−アルケニル、C〜C10−ハロアルキル、C〜C−シクロアルキル、C〜C−ヘテロアルキル、6〜10個のC原子を有する芳香族基、特にフェニル、ナフチル又はフルオレニル(その際、1つ、有利には4つまでのC原子は、互いに無関係にN、O及びSからなる群から選択される1つのヘテロ原子によって置換されていてよい)、C〜C10−アルコキシ、有利にはOMe、C〜C−トリハロメチルアルキル、有利にはトリフルオロメチル及びトリクロロメチル、ハロゲノ、特にフルオロ及びクロロ、ニトロ、ヒドロキシ、トリフルオロメチルスルホナト、オキソ、アミノ、NH−アルキル−C〜C、NH−アリール−C〜C、N−アルキル−C〜C、N−アリール−C〜C、N−アルキル−C〜C 、N−アリール−C〜C 、NH−CO−アルキル−C〜C、NH−CO−アリール−C〜Cの形のC〜C−置換アミノ、シアノ、COOH及びCOOQ[式中、Qは一価のカチオン又はC〜C−アルキルのいずれかである]の形のカルボキシラト、C〜C−アシルオキシ、スルフィナト、SOH及びSOQ[式中、Qは一価のカチオン、C〜C−アルキル又はC−アリールのいずれかである]の形のスルホナト、PO、POHQ及びPO[式中、Qは一価のカチオン、C〜C−アルキル又はC−アリールのいずれかである]の形のホスホナト、トリ−C〜C−アルキルシリル、特にSiMeであってよく、その際、R及びRは互いに、有利には飽和、不飽和又は芳香族であってよい4員環乃至8員環を形成して架橋されていてもよい。
有利にはR及びRは互いに無関係に、フェニル、シクロヘキシル、アルキル、2−アルキルフェニル、3−アルキルフェニル、4−アルキルフェニル、2,6−ジアルキルフェニル、3,5−ジアルキルフェニル、3,4,5−トリアルキルフェニル、2−アルコキシフェニル、3−アルコキシフェニル、4−アルコキシフェニル、2,6−ジアルコキシフェニル、3,5−ジアルコキシフェニル、3,4,5−トリアルコキシフェニル、3,5−ジアルキル−4−アルコキシフェニル、4−ジアルキルアミノ(前記のアルキル及びアルコキシ基はそれぞれ有利には互いに無関係に1〜6個の炭素原子を有する)、3,5−トリフルオロメチル、4−トリフルオロメチル、2−スルホニル、3−スルホニル及び4−スルホニルからなる群から選択される1つの基である。
特に有利にはR及びRは互いに無関係にフェニル、シクロヘキシル及びt−ブチルからなる群から選択される1つの基である。
有利な実施態様においては、基R及びRは同一である。
R′は、少なくとも1つのN−原子を有し、4〜13個のC原子を有し、少なくとも1つの芳香族N−原子に対して2位において式Iによる窒素原子に結合されている芳香族基である。1つ又は複数の、有利には3つまでの前記の芳香族C原子はこの場合にも互いに無関係にN、O及びSからなる群から選択される他の1つのヘテロ原子によって置換されていてよい。
有利には4〜13個のC原子を有する芳香族基はピリミジル、ピラジニル、ピリジル又はキノリニルである。
R′′はトリメチルシリル又は5〜14個のC原子を有する芳香族基であり、その際、1個又は複数の、有利には4個までのC原子は、N、O及びSからなる群から互いに無関係に選択される1つのヘテロ原子によって置換されていてよい。
有利には芳香族基はピリミジル、ピラジニル、ピリジル、キノリニル、フェニル、フルオレニル又はナフチルである。
有利な実施態様においては、R′′はR′の場合と同一の基であり、その際、前記基は有利にはR′と同様に、従って芳香族N原子に対して2位において式(I)によるN原子と結合されている。
R′及びR′′に関して挙げられる基は、更に互いに無関係に水素原子の他に、それぞれ少なくとも1つ、特に有利には3つまでの置換基を有してよく、該置換基は互いに無関係に、C〜C−アルキル、O−アルキル(C〜C)、OH、OCO−アルキル(C〜C)、O−フェニル、フェニル、アリール、フルオロ、NO、Siアルキル(C〜C、CN、COOH、CHO、SOH、NH、NH−アルキル(C〜C)、N−アルキル(C〜C、NHアリール、Nアリール、P(アルキル(C〜C))、P(アリール)、SO−アルキル(C〜C)、SO−アルキル(C〜C)、CF、NHCO−アルキル(C〜C)、COO−アルキル(C〜C)、CONH、CO−アルキル(C〜C)、NHCHO、NHCOO−アルキル(C〜C)、CO−フェニル、COO−フェニル、CH=CH−CO−アルキル(C〜C)、CH=CHCOOH、PO(フェニル)、PO(アルキル(C〜C))、PO、PO(Oアルキル(C〜C))、SO(アルキル(C〜C))からなる群から選択されていてよく、その際、アリールは5〜14個の環炭素原子を有する芳香族化合物であり、その際、1つ以上の環炭素原子は窒素、酸素及び/又は硫黄原子によって置換されていてよく、かつアルキル基は分枝鎖状、非分枝鎖状及び/又は環式、飽和又は不飽和であってよい。
複素芳香族基は、例えば1〜13個の環炭素原子を有する少なくとも5員環であってよく、該環は4個までの窒素原子及び/又は2個までの酸素原子又は硫黄原子を有してよい。有利な複素芳香族アリール基は、1又は2個の窒素原子又は1個の酸素原子又は1個の硫黄原子又は1個の窒素原子及び1個の酸素原子又は硫黄原子を有する。
有利にはR′及びR′′に関する少なくとも1つの置換基は、C〜C−アルキル、O−アルキル(C〜C)、OH、OCO−アルキル(C〜C)、O−フェニル、フェニル、アリール、フルオロ、Siアルキル(C〜C、CN、COOH、SOH、SO−アルキル(C〜C)、SO−アルキル(C〜C)、CF、COO−アルキル(C〜C)、CO−アルキル(C〜C)、CO−フェニル、COO−フェニル及びSO(アルキル(C〜C))から選択される基である。
、R、R′及びR′′に関する少なくとも1個の置換基は、互いに無関係に特に有利にはH原子の他にそれぞれ、C〜C−アルキル、O−アルキル(C〜C)、OH及びNピリジルからなる群から選択される基である。
置換された基R′は、特に有利には3−メチルピリジル、4−メチルピリジル、6−メチルピリジル、4,6−ジメチルピリジル、6−メトキシピリジル、ピリジル、ピリミジル、ピラジニル、4−メチルキノリニル又はPy(o−P)(第1表参照)からなる群から選択される1つの基であり、その際、R′は式(I)によるN原子と2位で結合されている。
本発明の更なる対象は、P−官能化されたN−含有芳香族アミン配位子の製造方法であり、その際、強塩基の存在下に、式NHR′R′′の化合物と式R(R)PX[式中、R、R、R′及びR′′は式(I)で示したものと同じ意味を有し、そしてXは有利にはハロゲン原子、特に塩素又は臭素を表す]の化合物とを反応させる。強塩基は、有利には有機金属試薬、特に有利にはブチルリチウム、s−ブチルリチウム、t−ブチルリチウム又はリチウムジイソプロピルアミンである。該反応は有機溶剤、例えばヘキサン中で嫌気的条件下に実施可能である。
式NHR′R′′のアミン、特に多くのビピリジルアミン、2−アミノピリジン又は本発明による配位子の製造のための出発化合物として使用できる類似のN複素環式アミンはこの場合にパラジウム触媒によるアリールアミン化によって第一級アミンから出発して古典的経路で以下の反応式によって製造できる(S. Wagaw, S. L.Buchwald, J. Org. Chem. 1996,61, 7240 ; J.Stilberg et al., J. Organomet. Chem. 2001,622, 6-18 ; J. F. Hartwig,Synlett 1996,329):
R′NH+R′′X→R′NHR′′又は
R′′NH+R′X→R′NHR′′
[式中、Xはハロゲン原子、特に塩素、臭素又はヨウ素又は、例えば保護された酸素原子、例えばOTfを表す]。
特にN−(4−メチルピリジ−2−イル)−N−(ピリミジ−2−イル)アミン、N−(4,6−ジメチルピリジ−2−イル)−N−(6−メトキシピリジ−2−イル)アミン、N,N−ビス(ピラジニル)アミン、N,N,N′−トリス(ピリジ−2−イル)−o−フェニレンジアミンからなる群から選択されるアミンを本発明による配位子のための出発化合物として使用できる。前記の新規のアミンも同様に本発明の対象である。
新規の配位子は、本発明によれば遷移金属錯体又は元素の周期律表の第VIII副族の遷移金属、例えばパラジウム、ニッケル、白金、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、コバルトと組み合わせて触媒として使用される。
この場合に本発明による配位子は一般にその場で相応の遷移金属前駆化合物に添加され、かつこうして触媒的使用のために使用されうる。
本発明の更なる対象は従って、本発明によるN含有芳香族化合物のP−官能化されたアミン並びに第VIII族の金属を含有する錯体化合物である。この場合に、遷移金属は有利には5員環の一部であり、特に有利には更に1個のリン原子と2個の窒素原子は前記5員環の一部である。
5員環の形成に基づいて、通常、直面すべき6員環の代わりに、該錯体は立体的に特に要求の高い置換基を有する基質との反応の触媒反応のためにも特に良好に適当である。
本発明の更なる対象は、本発明による錯体化合物の製造方法において、有利には前記のように得られる本発明による配位子と周期律表の第VIII族の遷移金属の錯体及び/又は塩とを反応させることを特徴とする方法である。第VIII族の遷移金属は有利にはPd又はNiである。
パラジウム成分として、本発明による配位子と一緒に、例えば:パラジウム(II)アセテート、パラジウム(II)クロリド、パラジウム(II)ブロミド、リチウムテトラクロロパラデート(II)、パラジウム(II)アセチルアセトネート、パラジウム(0)ジベンジリデンアセトン錯体、特にジパラジウム−トリス−ジベンジリデンアセトン、パラジウム(1,5−シクロオクタジエン)クロリド、パラジウム(0)テトラキス(トリフェニルホスファン)、パラジウム(0)ビス(トリ−o−トリルホスファン)、パラジウム(II)プロピオネート、パラジウム(II)ビス(トリフェニルホスファン)ジクロリド、パラジウム(0)ジアリルエーテル錯体、パラジウム(II)ニトレート、パラジウム(II)クロリド−ビス(アセトニトリル)、パラジウム(II)クロリド−ビス(ベンゾニトリル)及び他のパラジウム(0)錯体及びパラジウム(II)錯体を使用できる。
ニッケル前駆物質として、例えばビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)、ビス(トリフェニルホスフィン)ニッケル(II)ブロミド、ニッケル(II)アセテート、ニッケル(II)クロリド、ニッケル(II)アセチルアセトネート、ニッケル(II)ブロミド、ニッケル(0)テトラキス(トリフェニルホスファン)、ニッケル(II)ヨージド、ニッケル(II)トリフルオロアセチルアセトネート又はニッケルブロミドジメトキシエタン付加物を使用できる。
選択的に錯体の製造を、配位子前駆物質から出発してその製造を間接的にバッチ法でか、又は特に有利にはその場で行って短縮でき、その際、段階的工程及び/又は本発明による配位子の精製を必要としない。
前記のように、例えばジ−t−ブチルクロロホスファンを使用する場合に、錯体の製造を配位子前駆物質から出発してその場で、開始と同時に全反応パートナーを一度で装入することで実施できる。
ジフェニルクロロホスファン及びジシクロヘキシルクロロホスファンを使用する場合に錯体の製造は配位子前駆物質から出発して有利にはバッチ法で行われる。
特に有利には生じる錯体は事前の精製をせずに活性に関して、実施されるべき反応のための基質を直接的に錯体の製造で得られる反応溶液中に添加することで調査される。
前記のように従って配位子前駆物質から出発して得られる錯体に関する活性試験までの全プロセスはバッチ法でも、ワンポット法でも実施できる。このことは、これにより大規模で効率的に多くの錯体を並行して、その触媒活性に関して試験でき、そして更に方法を削減することが可能であるので特に有利である。このことは最終的に多大な時間及びコストの削減につながる。
本発明による配位子及び錯体の特定の利点は、従って、これらが効率的にかつ多岐に亘り並行合成によって嫌気的条件下に製造されうるということである。
本発明の更なる対象は、ハロゲン芳香族化合物の活性化のための方法において、本発明による配位子を周期律表の第VIII族の金属の存在下に、かつ/又は本発明による錯体化合物を塩基、例えばKCO、NaOtBu、KPO又はNaCOの存在下に、有利には触媒として使用可能であることを特徴とする方法である。
本発明により製造される配位子は、こうしてアリール化されたオレフィンの(ヘック反応)、ビアリールの(スズキ反応)、α−アリールケトン及びアミンのアリールハロゲン化物又はビニルハロゲン化物からの触媒的製造のための及び/又はジエン、安息香酸誘導体、アクリル酸誘導体、アリールアルカン、アルキン及びアミンの製造のための配位子成分として使用できる。更にまた別の遷移金属触媒による反応、例えばパラジウム触媒された、及びニッケル触媒されたアリールハロゲン化物のカルボニル化、アルキンによるアルキニル化(ソノガシラカップリング)、有機金属試薬(亜鉛試薬、スズ試薬など)によるクロスカップリングを新規の触媒系を使用して実施できる。
こうして製造された化合物はとりわけ、UV吸収剤として、医薬品及び農業化学物質のための中間生成物として、メタロセン触媒のための配位子前駆物質として、香料、作用物質及びポリマーのための構成要素として使用できる。
一般にホスファン配位子は触媒的使用において遷移金属に対して過剰に使用される。遷移金属と配位子との比は、有利には1:1〜1:1000である。特に有利には遷移金属と配位子との比は1:1〜1:100である。正確に使用されるべき遷移金属/配位子の比は具体的な使用に、また使用される触媒量に依存する。
遷移金属濃度は、本発明によれば有利には5モル%〜0.001モル%、特に有利には1モル%〜0.01モル%である。
本発明による触媒は本発明により有利には0〜200℃の温度で使用される。
本発明の配位子の特定の利点は、配位子をコスト的に有利であるが不活性な塩素芳香族化合物の活性化で誘導される高い活性である。比較試験に示されるように、新規の配位子を有するパラジウム触媒は今日まで知られていた最良の触媒系を凌駕する。
こうしてパラジウム錯体及び/又はニッケル錯体で触媒されるスズキカップリングにおける今まで知られていた高い活性の配位子の幾つかは、TtBP(A. F. Littke, G. C. Fu, Angew. Chem.lnt. Ed. 1998,37, 3387-3388 ; A. F. Littke, C. Dai, G. C. Fu, J. Am. Chem. Soc. 2000,122, 4020-28)並びにBINAP及びBDPP(Wagaw und Buchwal, J. Org. Chem. 1996,61, 7240-41 ; J. F. Hartwig,Synlett 1996,329-340 ; Silberg et al., J. Organomet. Chem. 2001,622, 6-18 ; Schareina et al. Eur. J.Inorg. Chem. 2001)である。
その活性は本発明による触媒系によって、表から参照できるように再現的に凌駕される。
図面:
図1において、例えば本発明による配位子の製造及び引き続いての第VIII族の遷移金属を有する相応の錯体の製造を表している。
図2において、図1に示される反応工程に従って得られる錯体の分子構造を表している。該構造はX線構造分析によって測定された。選択された結合長及び角度[Å、゜]:N1 P1 1.702 (5),N2 Pd1 2.053 (5),P1 Pd1 2.1951 (15),Cl1 Pd1 2.3731 (14),Cl2 Pd1 2.303 (2),N2 Pd1 P1 83.15 (14),P1 Pd1 Cl2 89.52 (6),N2 Pd1 Cl1 95.00(14),Cl2 Pd1 Cl1 92.36 (6)。以下の結合パラメータに関する平均値[xyz]:Pd−N 2.074 (12)Å,Pd−P 2.206 (5)Å,Pd−Cl Å 2.33 (1)及びN−Pd−P 84.7 (5)゜。
実施例:
一般:材料及び作業様式:
商業的に得られる材料を更なる精製なく使用した。空気及び水に感受性の材料を空気及び水を完全に遮断して乾式シュレンク容器又はグローブボックス(Braun社のLabmaster130)中で取り扱った。溶剤(アルドリッヒ)及びNMR溶液(Cambridge Isotope Laboratories、少なくとも99原子%のD)をナトリウムテトラエチルアルミネートもしくはモレキュラーシーブ(CH12、CD12)によって蒸留した。
第1表:実施例で使用される配位子の一覧及び略語
Figure 2005509666
反応性に関する比較を得るために、最も近い先行技術である以下の配位子を使用した:TtBP=トリ(t−ブチル)ホスファン、BINAP=rac−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1′−ビナフチル、BDPP=1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン、DtBPCl=ジ−t−ブチルホスフィンクロリド。
第2表:本発明により使用される金属塩の略語及び一覧
Figure 2005509666
例1:本発明による配位子の製造のための前駆物質の調製及び製造
以下に挙げられるアミンを実施例で製造される配位子の製造のための前駆物質として使用した。
2,2′−ジピリジルアミン、略記PyPy:商業的に入手可能
第3表:既に公知のアミン
Figure 2005509666
第4表:本発明による配位子のための新規の前駆物質
Figure 2005509666
1つだけの複素環置換基を有する配位子(例えばPSiPy、CSiPmなど)のために相応の市販のアミンを出発材料として使用した。
トリメチルシリル置換された化合物をTHF中のアミンから1当量のヘキサン中のn−BuLi溶液を−77℃で添加し、室温に加熱し、1当量の純粋な(CHSiClを添加し、そして室温で24時間撹拌することによって製造した。更なるホスフィンによる変性は同様に行った。
本発明により使用されるホスファニル基、ジフェニルクロロホスファン、ジシクロヘキシルクロロホスファン及びジ−t−ブチルクロロホスファンは全てが市販されている。
金属前駆物質は市販されているか、又は文献の指示に従って製造された。
a)前駆物質−4MPmの製造
Figure 2005509666
4.33g(40ミリモル)の2−アミノ−4−ピコリン
4.58g(40ミリモル)の2−クロロピリミジン
80mg(0.2ミリモル)のビス−ジフェニルホスフィノプロパン
88mg(0.2ミリモルのPd)ジパラジウム−トリス−(ジベンジリデンアセトン)
4.22g(44ミリモル)のナトリウム−t−ブチレート
をアルゴン下で100mlシュレンク中で一緒にした。該混合物を溶剤を用いずに撹拌下に90℃で24時間加熱する。確認できる固体成分なく暗褐色の溶解物に溶解する。後処理:ジクロロメタン(完全に溶解されている)を添加し、次いで水及び飽和塩化ナトリウム溶液で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥させ、かつ回転させる。暗赤褐色のタール状物質粗生成物をジクロロメタンと一緒にシリカゲルに吸収させ、ソックスレーボビン中に充填し、かつ石油エーテル(沸点80〜100℃)/トルエン、v/v約3:1で3日間抽出する。冷却後に生じる沈殿物をP4フリット上で濾過し、かつn−ヘキサン及びn−ペンタンで洗浄する。秤量2.12g、理論値の28%、NMR純粋。
元素分析、C1010に関して計算した(M=186.21g/モル):C64.50;H5.41;N30.09。実測値:C64.47;H5.30;N30.31。
H−NMR(CDCl):9.16(bs,1H,NH),8.55(m,2H),8.24(m,2H),6.77(m,2H),2.38(s,3H,CH)。
13C−NMR(CDCl):159.7,158.4,153.2,150.1,147.5,136.1,119.3,113.7,113.5,22.1。
b)前駆物質−46MMxの製造
Figure 2005509666
3.00g(24.6ミリモル)の2−アミノ−4,6−ジメチルピリジン
2.92ml(3.53g、24.6ミリモル)の2−クロロ−6−メトキシピリジン
0.082g(0.2ミリモル)のビス−ジフェニルホスフィノプロパン
0.090g(0.2ミリモルのPd)ジパラジウム−トリス−(ジベンジリデンアセトン)
2.88g(30ミリモル)のナトリウム−t−ブチレート
約20mlのトルエン
該混合物を油浴中で撹拌下に75℃に加熱し、2時間後に80℃に高める。更に30分後に沈殿物が沈殿する。DC−コントロール(溶剤、ジクロロメタン、溶離剤PE/酢酸エチル1:1)は、反応が4時間後になおも不完全であることを示し、従って更に12時間80℃で撹拌させる。後処理を、ジクロロメタン及び水を用いて実施し、有機相を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、褐色の油状物を回転させ、これを一晩に亘って静置する。全量が20mlのn−ヘキサンから再結晶させる。晶出後に、フラスコから得られなかった多量の結晶凝集物が得られる。溶剤を傾瀉除去し、固体をn−ヘキサンですすぎ、ジクロロメタン中に溶解させ、濾過し、回転させる。生成物をオイルポンプ真空中で、溶剤ガスがもはや生じなくなるまで溶融させ、そして静置する。赤褐色の油状物、そこから迅速に結晶クラスターを洗浄する。秤量4.81g(理論値の85%) 分析物ok。
元素分析、C1315Oに関して計算した(M=229.28g/モル):C68.10;H6.59;N18.33。実測値:C68.24;H66.4;N18.08。
H(C):7.347(bs,1H,NH);7.12(t,1H);6.98(d,1H);6.92(s,1H);6.30(d,1H);6.26(s,1H);3.77(s,3H,−O−CH);2.38(s,3H);1.92(s,3H)。
13C(C):163.8;156.8;154.4;153.3;148.7;140.5;117.1;109.5;103.3;102.2;53.3;24.5;21.2。
c)前駆物質−PaPaの製造
Figure 2005509666
0.951g(10ミリモル)のアミノピラジン
0.89ml(1.145g、10ミリモル)のクロロピラジン
41mg(0.1ミリモル)のビスジフェニルホスフィノプロパン
46mg(0.1ミリモルのPd)ジパラジウム−トリス−(ジベンジリデンアセトン)
1.15gのナトリウム−t−ブチレート
をアルゴン下にシュレンク中に秤量し、次いで約20mlの無水トルエンを添加し、80℃で油浴中で撹拌する。シュレンクの内容物は迅速に黄色の沈殿物になる。4時間後に後処理する。該反応混合物をフリットに添加し、該シュレンクをエーテルですすぐ。フリット上の固体をエーテル、水及びもう一度エーテルで洗浄する。高温濾過しながら水で再結晶させる。KOH上での乾燥後に1.03gの微細の橙黄色の針状物が得られる(理論値の60%)。
元素分析、Cに関して計算した(M=173.17g/モル):C55.48;H4.07;N40.44。実測値:C55.86;H4.19;N40.37。
H(DMSO−d):9.52(bs,1H,NH);8.16(s,2H);7.43(s,2H);7.30(s,2H)。
13C(DMSO−d):150.6;142.1;136.9;135.6。
d)前駆物質Py(o−P)Pyの製造
Figure 2005509666
1.08g(10ミリモル)のo−フェニレンジアミン
40mg(0.1ミリモル)のビス−ジフェニルホスフィノプロパン
44mg(0.1ミリモルのPd)のジパラジウム−トリス−(ジベンジリデンアセトン)
3.17g(33ミリモル)のナトリウム−t−ブチレート
2.93ml(4.75g、30ミリモル)の2−ブロモピリジン
20mlのジグリム(ジエチレングリコールジメチルエーテル)を添加し、110℃にして撹拌する。2日後に125℃にして、全体で6日後に中断し、そして後処理する。溶剤をドライアイス冷却されたフラスコ中で凝縮させる。水とジクロロメタンを、両方の相が澄明になるまで添加する。混合物を分離漏斗中に移す。有機相をそれぞれ水及び飽和塩化ナトリウム溶液で1回ずつ洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥させ、乾燥させ、回転させる。精製をシリカゲル60(Merck社)上のカラムクロマトグラフィーによって実施し、溶離剤は酢酸エチルである。目的生成物を中間生成物N,N′−ビス(ピリジ−2−イル)−o−フェニレンジアミンにより溶離させる。溶剤の除去後に、秤量は1.70g(理論値の50%)である。
元素分析、C2117に関して計算した(M=339.39g/モル):C74.32;H5.05;N20.63。実測値:C74.33;H4.91;N20.76。
H(CDCl):8.22(dd,2H);8.10(d,1H);8.03(m,1H);7.46(m,2H);7.38(bs,1H)、NH);7.31(m,2H);7.23(dd,1H);7.03(m,1H);6.91(d,2H);6.82(m,2H);6.59(m,2H)。
13C:157.3;155.4;148.3;137.8;137.4;130.3;128.3;123.3;121.6;118.1;115.8;114.8;110.1。
例2:化合物1及び錯体2をもとに配位子及び錯体を段階的に合成する。
a)配位子PhP−N(ピリジル)の製造
10mlのエーテル中の0.68g(4ミリモル)のビピリジ−2−イルアミンにアルゴン下で−77℃でヘキサン中の1.6mlの2.5M(4ミリモル)のn−BuLiを添加する。1時間後に4mlのエーテル中の0.72ml(0.882g、4ミリモル)のクロロジフェニルホスフィンを添加する。シュレンクの内容物は滴加時に淡黄色になる。48時間室温で撹拌した後に、該溶液を濾過を通して別のシュレンクに移し、次いでそれぞれ10mlのエーテル及び10mlのTHFからなる混合物で2回後洗浄する。溶剤を真空中で、ドライアイスで冷却されたフラスコ中で凝縮除去し、次いで固体を1ミリバール及び室温で乾燥させる。秤量1.42g(定量的) NMR純粋物質。試料をジエチルエーテル中に溶解させ、そしてn−ヘキサンで成層させる。少し後に無色の結晶が生じ、これをX線構造分析で調査する。
元素分析:C2218P;モル質量:355.37g・モル−1:計算値:C74.35;H5.11;N11.82;実測値:C74.50;H5.31;N11.68。
H(C):8.16(m,2H);7.73(m,4H);6.97(m,6H);6.57(d,2H);6.33(ddd,2H)。
13C(C):158.35;158.29;148.81;138.74;138.54;136.97;136.07;136.06;133.76;133.55;132.04;128.77;128.53;128.11;118.37;118.26。
31P(C):69.37。
b)PhP−N(ピリジル)のPd錯体の製造
シュレンク容器中の0.071g(0.25ミリモル)の(COD)PdCl及び0.089gのPhP−N(ピリジル)にアルゴン下に4mlの無水ジクロロメタンを添加する。固体は非常に迅速に溶解する。6mlのジエチルエーテルで成層させることによって、約1時間後に淡黄色の結晶が得られる。濾過を通して単離し、4mlのエーテルで洗浄し、オイルポンプ真空において乾燥させる。黄色の結晶、0.10g(理論値の75%)
元素分析:C2218ClPPd;モル質量:532.70g・モル−1;計算値:C49.60;H3.41;N7.89;実測値:C49.29;H3.51;N7.81。
H(CDCl):9.43(m,1H);8.24(m,1H);7.88(m,5H);7.66(m,1H);7.50(m,4H);7.37(m,5H);7.08(m,1H);7.02(m,1H);6.70(m,1H);6.54(m,1H)。
13C(CDCl):150.4;150.1;149.1;140.2;138.5;133.4;133.3;132.2;127.8;127.7;125.9;125.3;122.8;121.7;121.7;120.8;118.0。
31P(CDCl):99.2。
例3:選択されたスズキ反応の実施
全ての溶剤を標準法で乾燥させ、Na−ベンゾフェノンケチル及びナトリウムテトラエチレートから蒸留し、そしてアルゴン下に貯蔵する。市販の出発材料は更なる精製なくして使用され、液体はアルゴン下に貯蔵された。全ての作業はアルゴン下にシュレンク容器中で実施した。
基質、配位子及び金属前駆物質の原液を前記の溶剤中で製造する。その際、濃度は基質(塩素芳香族化合物及びフェニルホウ酸)については1モルl−1、配位子及び金属前駆物質についてはc=0.025モルl−1であった。
配位子はジフェニル置換されたホスファニル基及びジシクロヘキシル置換されたホスファニル基の場合には以下のように製造した:該アミン(1ミリモル)をヘキサン中の0.4mlの2.5Mのn−BuLi溶液を−77℃で金属化し、−77℃で30分間保持し、次いで室温に加熱させ、次いで1当量のクロロジフェニルホスファンもしくはクロロジシクロヘキシルホスファンを添加し、少なくとも24時間に亘って室温で撹拌する。該溶液を不活性溶剤で、配位子の濃度が0.025モルl−1になるように充填する。
ジ(t−ブチル)ホスファン置換された配位子の製造は、その場で、反応シュレンク中で1当量ずつのアミン、クロロ−ジ(t−ブチル)ホスファン及び金属前駆物質をそれぞれ原液として塩基と一緒に60℃で1時間加熱し、次いで室温で基質を添加することによって行った。
スクリーニング反応を以下のように実施した:全ての反応を並行装置中でAr下に実施した。塩基を事前に130℃で真空中で24時間乾燥させ、秤量は真空ボックス中で行った。次いで基質(ハロゲン芳香族化合物1ml、フェニルホウ酸1.2ml)及び試薬(配位子及び金属前駆物質、c=0.025モルl−1)の原液を添加し、かつ撹拌下に室温にした。
反応時間が経過した後に、アリコートの試料を採取し、内部標準(ドデカン)を添加し、ジエチルエーテルで希釈し、かつガスクロマトグラフィーによって分析した。副生成物として、それぞれの場合においてビフェニルが指定される。
ライブラリ1:溶剤THF;1.2ミリモルの塩基;1ミリモルの4−クロロベンゾニトリル;1.2ミリモルのフェニルホウ酸;1%の金属(前駆物質);1当量(金属に対して)の配位子
ライブラリ2:溶剤THF;1.2ミリモルの塩基;1ミリモルの4−クロロアニソール;1.2ミリモルのフェニルホウ酸;1%の金属(前駆物質);1当量(金属に対して)の配位子;60℃;24時間
ライブラリ3:溶剤1,4−ジオキサン;1.2ミリモルの塩基;1ミリモルの3−クロロピリジン;1.2ミリモルのフェニルホウ酸;1%の金属(前駆物質);1当量(金属に対して)の配位子;60℃;24時間
第5表:以下の反応に対する結果に関する一覧:
ライブラリ1:4−クロロベンゾニトリル+フェニルホウ酸→4−シアノビフェニル
これらの結果を収率に従って配置する。
Figure 2005509666
Figure 2005509666
Figure 2005509666
第6表:以下の反応に対する結果に関する一覧:
ライブラリ2:4−クロロアニソール+フェニルホウ酸→4−メトキシビフェニル
これらの結果を収率に従って配置する。
Figure 2005509666
Figure 2005509666
Figure 2005509666
Figure 2005509666
第7表:以下の反応に対する結果に関する一覧:
ライブラリ3:3−クロロピリジン+フェニルホウ酸→3−フェニルピリジン
これらの結果を収率に従って配置する。
Figure 2005509666
Figure 2005509666
例4:グリニャールカップリング
試験の実施を、記載されるスズキ反応におけるように並行反応器中で行う。反応温度は、特に記載がない限り60℃であり、反応時間は24時間であった。溶剤は全ての場合においてTHFである。反応パートナーのモル比は:
基質:1ミリモル(1Mの溶液)
試薬(フェニルマグネシウムブロミド):1.2ミリモル(1Mの溶液)
配位子:特に記載がない限り、0.01ミリモル(一座配位子で0.02ミリモル)、0.4ml(0.025Mの溶液)
金属前駆物質:0.01ミリモル(0.025Mの溶液)
24時間の経過後に、シュレンクを冷却させ、そしてそれぞれ0.5mlのメタノールを過剰の試薬の廃棄のために添加した。次いで収率の測定をGCで行った。
a)クロスカップリング:2−クロロ−m−キシレン+フェニルマグネシウムブロミド
Figure 2005509666
第8表:a)に対する結果
Figure 2005509666
b)クロスカップリング:2−クロロトルエン+フェニルマグネシウムブロミド
Figure 2005509666
第9表:b)に対する結果
Figure 2005509666
c)クロスカップリング:2−ClPy+PhMgBr
Figure 2005509666
第10表:c)に対する結果
Figure 2005509666
d)クロスカップリング:4−ClAn+フェニルマグネシウムブロミド
Figure 2005509666
Figure 2005509666
Figure 2005509666
e)クロスカップリング:3−ClPy+PhMgBr
Figure 2005509666
第11表:e)に対する結果
Figure 2005509666
図1は本発明による配位子の製造及び引き続いての第VIII族の遷移金属を有する相応の錯体の製造を表している 図2は図1に示される反応工程に従って得られる錯体の分子構造を表している

Claims (27)

  1. 一般式
    (R)P−N(R′)R′′ (I)
    [式中、R及びRは互いに無関係に、C〜C24−アルキル、C〜C−シクロアルキル及び5〜14個のC原子を有する芳香族基からなる群から選択される基を表し、その際、少なくとも1つのC原子もN、O及びSからなる群から互いに無関係に選択される1つのヘテロ原子によって置換されていてよく、かつアルキル基及びシクロアルキル基は飽和又は不飽和、分枝鎖状又は非分枝鎖状であってよく、
    その際、前記の基自体はそれぞれ、水素、C〜C20−アルキル、C〜C20−アルケニル、C〜C10−ハロアルキル、C〜C−シクロアルキル、C〜C−ヘテロアルキル、6〜10個のC原子を有する芳香族基(その際、少なくとも1つの芳香族C原子はN、O及びSからなる群から互いに無関係に選択される1つのヘテロ原子によって置換されていてよい)、C〜C10−アルコキシ、C〜C−トリハロメチルアルキル、ハロゲノ、ニトロ、ヒドロキシ、トリフルオロメチルスルホナト、オキソ、アミノ、NH−アルキル−C〜C、NH−アリール−C〜C、N−アルキル−C〜C、N−アリール−C〜C、N−アルキル−C〜C 、N−アリール−C〜C 、NH−CO−アルキル−C〜C、NH−CO−アリール−C〜Cの形のC〜C−置換アミノ、シアノ、COOH及びCOOQ(式中、Qは一価のカチオン又はC〜C−アルキルのいずれかである)の形のカルボキシラト、C〜C−アシルオキシ、スルフィナト、SOH及びSOQ(式中、Qは一価のカチオン、C〜C−アルキル又はC−アリールのいずれかである)の形のスルホナト、PO、POHQ及びPO(式中、Qは一価のカチオン、C〜C−アルキル又はC−アリールのいずれかである)のホスファト、トリ−C〜C−アルキルシリルからなる群から互いに無関係に選択される基によって一置換又は多置換されていてよく、かつR及びRは互いに架橋されていてもよく、
    その際、R′は少なくとも1つのN−原子を有し、4〜13個のC原子を有し、少なくとも1つの芳香族N−原子に対して2位で式Iによる窒素原子に結合されている芳香族基を表し、その際、1つ以上の芳香族C原子は、N、O及びSからなる群から互いに無関係に選択される少なくとも1つの他のヘテロ原子によって置換されていてよく、
    その際、R′′はトリメチルシリル又は5〜14個のC原子を有する芳香族基を表し、その際、1つ以上のC原子はN、O及びSからなる群から互いに無関係に選択される1つのヘテロ原子によって置換されていてよく、
    その際、R′及びR′′について挙げられる基は更に互いに無関係に水素原子の他に、それぞれC〜C−アルキル、O−アルキル(C〜C)、OH、OCO−アルキル(C〜C)、O−フェニル、フェニル、アリール、フルオロ、NO、Siアルキル(C〜C、CN、COOH、CHO、SOH、NH、NH−アルキル(C〜C)、N−アルキル(C〜C、NHアリール、Nアリール、P(アルキル(C〜C))、P(アリール)、SO−アルキル(C〜C)、SO−アルキル(C〜C)、CF、NHCO−アルキル(C〜C)、COO−アルキル(C〜C)、CONH、CO−アルキル(C〜C)、NHCHO、NHCOO−アルキル(C〜C)、CO−フェニル、COO−フェニル、CH=CH−CO−アルキル(C〜C)、CH=CHCOOH,PO(フェニル)、PO(アルキル(C〜C))、PO、PO(Oアルキル(C〜C))、SO(アルキル(C〜C))からなる群から互いに無関係に選択できる少なくとも1つの置換基を有してよく、その際、アリールは5〜14個の環炭素原子を有する芳香族化合物であり、その際、1つ以上の環炭素原子は窒素原子、酸素原子及び/又は硫黄原子によって置換されていてよく、かつアルキル基は分枝鎖状、非分枝鎖状及び/又は環式、飽和又は不飽和であってよい]のN−含有芳香族化合物のP−官能化されたアミン。
  2. 及びRが互いに無関係に、フェニル、シクロヘキシル、アルキル、2−アルキルフェニル、3−アルキルフェニル、4−アルキルフェニル、2,6−ジアルキルフェニル、3,5−ジアルキルフェニル、3,4,5−トリアルキルフェニル、2−アルコキシフェニル、3−アルコキシフェニル、4−アルコキシフェニル、2,6−ジアルコキシフェニル、3,5−ジアルコキシフェニル、3,4,5−トリアルコキシフェニル、3,5−ジアルキル−4−アルコキシフェニル、4−ジアルキルアミノ、3,5−トリフルオロメチル、4−トリフルオロメチル、2−スルホニル、3−スルホニル及び4−スルホニルからなる群から選択される1つの基であり、かつ前記のアルキル及びアルコキシ基はそれぞれ有利には互いに無関係に1〜6個の炭素原子を有する、請求項1記載のアミン。
  3. 及びRが互いに無関係にフェニル、t−ブチル又はシクロヘキシルからなる群から選択される1つの基である、請求項1記載のアミン。
  4. 基R及びRが同一である、請求項1記載のアミン。
  5. 基R′が、3−メチルピリジル、4−メチルピリジル、6−メチルピリジル、4,6−ジメチルピリジル、6−メトキシピリジル、ピリジル、ピリミジル、ピラジニル、4−メチルキノリニル及びPy(o−P)からなる群から選択される1つの基であり、その際、R′は式IによるN原子と2位で結合されている、請求項1記載のアミン。
  6. 基R′′が、3−メチルピリジル、4−メチルピリジル、6−メチルピリジル、4,6−ジメチルピリジル、6−メトキシピリジル、ピリジル、ピリミジル、ピラジニル、4−メチルキノリニル、Py(o−P)、フェニル、ナフチル、フルオレニル及びトリメチルシリルからなる群から選択される1つの基であり、その際、N含有芳香族基は式IによるN原子と2位で結合されている、請求項1記載のアミン。
  7. 4〜13個のC原子を有するN−含有芳香族基がピリミジ−2−イル、2−ピリジル、ピラジン−2−イル又はキノリン−2−イルである、請求項1記載のアミン。
  8. R′及びR′′に関する置換基が、C〜C−アルキル、O−アルキル(C〜C)、OH、OCO−アルキル(C〜C)、O−フェニル、フェニル、アリール、フルオロ、Siアルキル(C〜C、CN、COOH、SOH、SO−アルキル(C〜C)、SO−アルキル(C〜C)、CF、COO−アルキル(C〜C)、CO−アルキル(C〜C)、CO−フェニル、COO−フェニル及びSO(アルキル(C〜C))からなる群から互いに無関係に選択される基である、請求項1記載のアミン。
  9. 、R、R′及びR′′に関する置換基が互いに無関係に、C〜C−アルキル、O−C〜C−アルキル及びOHからなる群から選択される基である、請求項1記載のアミン。
  10. 式NHR′R′′の化合物を強塩基の存在下に式R(R)PHal[式中、R、R、R′及びR′′は、請求項1記載のものと同じ意味を有し、かつHalは塩素又は臭素を表す]の化合物と反応させる、請求項1記載のアミンの製造方法。
  11. 強塩基が有機金属試薬である、請求項10記載の方法。
  12. 請求項1記載の少なくとも1種の配位子及び周期律表の第VIII副族からの少なくとも1種の遷移金属を含有する、遷移金属錯体化合物。
  13. 遷移金属が、パラジウム、ニッケル、白金、ロジウム、イリジウム、ルテニウム及び/又はコバルトである、請求項12記載の錯体化合物。
  14. 遷移金属が、パラジウム又はニッケルである、請求項12記載の錯体化合物。
  15. 遷移金属原子が5員環の一部である、請求項12記載の錯体化合物。
  16. 請求項1記載の配位子と、周期律表の第VIII副族の遷移金属の錯体及び/又は塩とを反応させる、請求項12記載の錯体の製造方法。
  17. 元素の周期律表の第VIII副族の遷移金属錯体又は遷移金属塩との組み合わせにおける触媒としての、請求項1記載の配位子の使用。
  18. 触媒としての、請求項12記載の錯体の使用。
  19. 触媒される反応が、アリールハロゲン化物又はビニルハロゲン化物からの、ジエン又はアリール化オレフィンの製造(ヘック反応)、ビアリールの製造(スズキ反応)、α−アリールケトンの製造及び/又はアミンの製造である、請求項17又は18記載の使用。
  20. 触媒される反応が、アリールハロゲン化物のカルボニル化、アルキンによるアルキニル化(ソノガシラカップリング)及び有機金属試薬とのクロスカップリングである、請求項17又は18記載の使用。
  21. 触媒される反応が、アリールオレフィン、ジエン、ジアリール、安息香酸誘導体、アクリル酸誘導体、アリールアルカン、アルキン及び/又はアミンの製造である、請求項17又は18記載の使用。
  22. 反応を0〜200℃の温度で実施する、請求項17又は18記載の使用。
  23. 触媒的使用において、ホスファン配位子を遷移金属に対して過剰に、遷移金属と配位子との比1:1〜1:1000で使用する、請求項17又は18記載の使用。
  24. 遷移金属と配位子との比が1:1〜1:100である、請求項23記載の使用。
  25. 遷移金属濃度が5モル%〜0.001モル%である、請求項17又は18記載の使用。
  26. 遷移金属濃度が1モル%〜0.01モル%である、請求項25記載の使用。
  27. N−(4−メチルピリジ−2−イル)−N−(ピリミジ−2−イル)アミン、N−(4,6−ジメチルピリジ−2−イル)−N−(6−メトキシピリジ−2−イル)アミン、N,N−ビス(ピラジニル)アミン、N,N,N′−トリス(ピリジ−2−イル)−o−フェニレンジアミンからなる群から選択されるアミン。
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