JP2005500194A - インクジェットプリントヘッドのノズルグループの残留物ガード - Google Patents
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Abstract
【選択図】図7
Description
【0001】
本発明は、ディジタルプリンタに関し、特に、インクジェットプリンタに関する。
【発明の背景】
【0002】
インクジェットプリンタは、よく知られ、広く使用されている印刷媒体製造の形態である。着色剤、通常、インクが、プリントヘッド上のマイクロプロセッサ制御されたノズルアレイに供給される。プリントヘッドが媒体上を通過すると、ノズルアレイから着色剤が噴出されて、媒体基材上の印刷を生成する。
【0003】
プリンタの性能は、動作コスト、印刷品質、動作速度、使いやすさなどの要因に依存する。ノズルから噴出される個々のインク液滴の質量、頻度、および速度は、これらの性能パラメータに影響を及ぼすことになる。
【0004】
最近では、サブミクロン厚みの機械構造を有する超小型電気機械システム(MEMS)技術を用いて、ノズルアレイが形成されている。これによって、ピコリットル(×10−12リットル)範囲の大きさのインク小滴を迅速に噴出できるプリントヘッドを製造できる。
【0005】
これらのプリントヘッドの微視的構造により、比較的低コストで、高速および良好な印刷品質を得ることができるが、これらのサイズでは、ノズルが、極めて脆弱性のものになり、指、塵、または媒体基材とのごくわずかな接触で、ダメージを受けやすくなる。これによって、ある一定レベルの強靭性が必要である多くの応用に対して、これらのプリントヘッドは実用的でない。さらに、ダメージを受けたノズルが、それに供給される着色剤を噴出できなことがある。着色剤が、ノズルの外部に蓄積し、玉のようになると、周囲ノズルからの着色剤の噴出が影響を受けることがあり、および/または、ダメージを受けたノズルは、単純に印刷基材に着色剤を漏出することになる。両状況とも、印刷品質にとって好ましくない。
【0006】
これを解消するために、孔付きガードが、ノズルにわたって備え付けられて、ダメーイを与える接触に対してそれらを遮蔽してよい。ノズルから噴出されたインクは、紙または印刷される他の基材へ向けて孔を通過する。しかしながら、ノズルを効果的に保護するために、孔を可能な限り小さくする必要があり、遺留物が流入しないように制限を最大限にしながら、インク液滴を通過させる状態のままにする。理想的には、各ノズルは、ガードにあるそれ自体の個々の孔を通ってインクを噴出する。
【0007】
ガードにある孔が、概して非常に小さいため、容易に詰まる可能性がある。したがって、特に、比較的高レベルの塵および他の空気中を伝達する粒子がある環境において、ノズルガードの外部を清潔に保つことが望まれる場合が多い。これは、塵やインク残留物を除去するために、ガードの外面を定期的に掃引するワイパブレードを用いて達成されると利便性が良い。しかしながら、ワイバ上の残留物は、外部リム上、特に、ワイパの進行方向に向いたリムの部分上にとどまるようになることが多い。このような残留物の蓄積は、ワイパによって除去されない傾向にあり、孔をすぐに詰まらせてしまう。
【0008】
この問題を解消するために、外面は、穴の各々の周りにリセスを有することによって、ワイパブレードは、孔のリムと係合することなく通過することができる。しかしながら、孔の各々の周りにあるリセスには、隣接する孔の間の間隔を増大させる必要がある。これによって、プリントヘッド上でのノズルの集積密度が低下し、それによって、プリントヘッド製造コストが増大する。
【発明の概要】
【0009】
したがって、本発明により、印刷される基材に着色剤を噴出するノズルアレイを有するインクジェットプリントヘッドの孔付きノズルガードであって、
ノズルガードが、ノズルとのダメージを与える接触を阻止するように、ノズルの外部にわたって延在するとともに、ノズルから噴出された着色剤が、孔を介して、印刷される基材へと通過できるように、プリントヘッド上に配置されるように適合され、ノズルガードが、
使用中、媒体と面する外面を備え、
外面が、残留物を除去するために表面を定期的に掃引するワイパブレードと係合するように構成され、
外面が、1つ以上のリセスを有し、リセスの各々が、孔のグループを取り囲むことによって、ワイパブレードが、グループにある孔の任意のものと直接隣接した外面と係合することを防ぐ、ノズルガードが提供される。
【0010】
本願明細書において、「ノズル」という用語は、開口そのものではなく、開口を画定する要素として理解されるべきである。
【0011】
外面は、リセスの各々にデフレクタリッジをさらに備え、デフレクタリッジは、ブレードが、グループ内の孔の任意のものにわたって通過する前に、ワイパブレードと係合するように配置されることが好ましい。1つの好ましい形態において、デフレクタリッジは、孔からリセスの縁部に向けて残留物を偏向するように、ワイパブレードの方向に傾斜される。同様に、リセスは、概して矩形状であってよく、リセスの各々の側は、各掃引中、ワイパブレードの方向に傾斜される。特定の好ましい実施形態が、ワイパブレードによって掃引された矩形状のリセスの最後の角によって部分的に規定される蓄積領域を有する。
【0012】
ノズルガードは、ノズルアレイ上での異粒子の蓄積を阻止するために、ノズルアレイにわたって、通路を介して流体を方向づけるための流体入口をさらに含んでよい。
【0013】
ノズルガードは、一体形成された間隔を置いて設けられた支持要素の対をさらに含んでよく、支持要素対の1つは、ノズルガードの各端部に配設される。
【0014】
この実施形態において、流体入口開口は、支持要素の1つに配設されてよい。
【0015】
空気が開口を通って、ノズルアレイ上を通り、通路を貫通するように向けられると、ノズルアレイ上の異粒子の蓄積が阻止されることを理解されたい。
【0016】
流体入口開口は、ノズルアレイのボンドパッドから離れた支持要素に配設されてよい。
【0017】
ワイパブレードの効果を最適にするために、外面は、リセスとデフレクタリッジとを除いて平坦である。シリコンからガードを形成することによって、熱膨張率は、ノズルアレイと実質的に一致する。これにより、ガードにある孔アレイと、ノズルアレイを有するレジスタとの位置合ずれを防ぐことができる。また、シリコンを用いることにより、MEMES技術を用いて、シールドを正確に超微小機械加工することができるようになる。さらに、シリコンは、非常に強度があり、実質的に、変形不能である。
【0018】
以下、添付の図面を参照しながら、例示的目的によってのみ、本発明の好ましい実施形態について記載する。
【図面に沿っての詳細な説明】
【0019】
最初に、図1を参照すると、本発明によるノズルアセンブリが、参照番号10によって概して示されている。インクジェットプリントヘッドが、シリコン基板16上のアレイ14(図5および図6)に配設された複数のノズルアセンブリ10を有する。以下、アレイ14についてより詳細に記載する。
【0020】
アセンブリ10は、誘電体層18が堆積されたシリコン基板16を備える。誘電体層18上に、CMOS保護層20が堆積される。
【0021】
各ノズルアセンブリ10は、ノズル開口24を画定するノズル22と、レバーアーム26の形をした接続部材と、アクチュエータ28とを備える。レバーアーム26は、アクチュエータ28をノズル22に接続する。
【0022】
図2から図4にさらに詳細に示すように、ノズル22は、クラウン部分30と、クラウン部分30から垂下したスカート部分32とを備える。スカート部分32は、ノズルチャンバ34の周壁の一部分を形成する。ノズル開口24は、ノズルチャンバ34と流通状態にある。ノズル開口24は、ノズルチャンバ34のインク体40のメニスカス38(図2)を「止めておく」隆起したリム36によって囲まれていることに留意されたい。
【0023】
ノズルチャンバ34の床部46に、インク入口孔42(図6に最も明確に図示)が規定されている。孔42は、基板16を通るように画定されたインク入口チャネル48と流通状態にある。
【0024】
壁部分50が、孔42の境界を定め、床部分46から上向きに延在する。上述したように、ノズル22のスカート部分32は、ノズルチャンバ34の周壁の第1の部分を画定し、壁部分50は、ノズルチャンバ34の周壁の第2の部分を規定する。
【0025】
以下にさらに詳細に記載するように、ノズル22が変位するとき、壁50は、インクの逃げを阻止する流体シールとして作用する自由端に内向きリップ52を有する。インク40の粘度と、リップ52とスカート部分32との間の小さな間隔寸法により、内向きリップ52と表面張力は、ノズルチャンバ34からのインクの逃げを阻止するための有効なシールとして機能する。
【0026】
アクチュエータ28は、熱曲げアクチュエータであり、基板16から、または、特に、CMOS保護層20から上向きに延在するアンカー54に接続される。アンカー54は、アクチュエータ28と電気的接続を形成する伝導パッド56上に設けられる。
【0027】
アクチュエータ28は、第2の受動ビーム60の上方に配設された第1の能動ビーム58を備える。好ましい実施形態において、ビーム58および60はともに、窒化チタン(TiN)などの伝導性セラミック材料から構成されるか、またはそれを含む。
【0028】
ビーム58および60の両方は、アンカー54に固定された第1の端部と、アーム26に接続された対向する端部とを有する。能動ビーム58に電流が流れると、ビーム58の熱膨張が生じる。受動ビーム60には電流の流れがなく、同じ速度で膨張しないため、曲げモーメントが生じ、図3に示すように、アーム26、ひいては、ノズル22が、基板16の方へ下向きに変位する。これにより、参照番号62に示すように、ノズル開口部24を通ってインクが噴出される。能動ビーム58から熱源が除去されると、すなわち、電流の流れを停止すると、ノズル22は、図4に示す休止位置に戻る。ノズル22が休止位置に戻ると、図4の参照番号66で示すようなインク液滴のネック部分が破裂することにより、インク液滴64が形成される。その後、インク滴64は、紙などの印刷媒体を進む。インク液滴64を形成した結果、図4の参照番号68で示すような「凹状」のメニスカスが形成される。このような「凹状」のメニスカス68により、インク40がノズルチャンバ34内に流れて、新しいメニスカス38(図2)が形成され、ノズルアセンブリ10から次のインク滴を排出する準備が整う。
【0029】
以下、図5および図6を参照して、ノズルアレイ14についてさらに詳細に記載する。アレイ14は、4色プリントヘッドのものである。したがって、アレイ14は、それぞれが各色に対応したノズルアセンブリの4つのグループ70を備える。各グループ70は、2列72および74に配設されたノズルアセンブリ10を有する。図6に、グループ70の1つをさらに詳細に示す。
【0030】
列72および74のノズルアセンブリ10を近接して集積しやすいように、列74のノズルアセンブリ10は、列72のノズルアセンブリ10に対してずれされるか、互い違いにされる。また、列72のノズルアセンブリ10は、列74のノズルアセンブリ10のレバーアーム26が、列72のアセンブリ10の隣接するノズル22間を通ることができる程度に互いに離れた間隔を置いて設けられる。各ノズルアセンブリ10は、列72のノズル22が、列74の隣接するノズルアセンブリ10のノズル22とアクチュエータ28との間に入るような実質的にダンベル状の形状であることに留意されたい。
【0031】
さらに、列72および74のノズル22を近接して集積しやすいように、各ノズル22は、実質的に六角形の形状である。
【0032】
使用中、ノズル22が基板16の方へ変位するとき、ノズルチャンバ34に対してノズル開口24がわずかな角度をなしているため、インクが垂直方向からわずかにずれて噴出されることは、当業者により理解されるであろう。列72および74のノズルアセンブリ10のアクチュエータ28が、列72および74の片側と同じ方向に延在することは、図5および図6に示す構成の利点である。したがって、列72のノズル22から噴出されたインクと、列74のノズル22から排出されたインクは、同じ角度だけ互いにずらされることにより、高い印刷品質が得られる。
【0033】
また、図5に示すように、基板16は、上側に配設されたボンドパッド76を有し、これにより、パッド56を介して、ノズルアセンブリ10のアクチュエータ28に電気的接続が与えられる。これらの電気的接続は、CMOS層(不図示)を介して形成される。
【0034】
図7を参照すると、ノズルアレイおよびノズルガードが示されている。前述した図面を参照しながら、特別な記載がないかぎり、同様の参照番号は同様の部品をさす。
【0035】
アレイ14のシリコン基板16上に、ノズルガード80が設けられる。ノズルガード80は、複数の孔84が貫通して画定されたシールド82を備える。孔84が、アレイ14のノズルアセンブリ10のノズル開口24と整合されることにより、ノズル開口24の任意の1つからインクが噴出されると、インクは、関連する通路を通過した後、印刷媒体に当たる。
【0036】
比較的高レベルの塵および他の空気中を伝達する粒子がある環境において、孔84は、詰まった状態になりかねない。図7aに示すように、ノズルガード80の外面142は、ダメージを受けたノズルから漏れたインクを蓄積してしまう。これらの状況において、外面142から残留物144を定期的に掃引するワイパブレード143を提供することが好ましい。残念なことに、ワイパ143上の残留物144は、孔84の外側リム上、特に、ワイパの進行方向145に面するリムの部分にとどまった状態になる場合が多い。このように蓄積した残留物144は、ワイパ143によって除去されない傾向があり、孔84をすぐに詰まらせてしまう。
【0037】
図7bに示すように、本発明により、複数の孔84またはポッドの各々の周りの外面142に、リセスが設けられる。ワイパブレード143は、孔84にわたって通過するため、収集された残留物144は、リムにとどまらない。さらなる防御措置として、リセス146の各々に、デフレクタリッジ147が設けられる。図7cに最良に示すように、デフレクタリッジ147は、ポッド内の孔84にわたって通過する直前に、ワイパブレード143と係合する。デフレクタリッジ147は、ブレード143上の残留物144の一部を除去して、孔84に落ちる残留物144の可能性をさらに低減させる。デフレクタリッジ147は、ワイパブレード143の方向145に傾斜されて、孔84からリセス146の縁部の方へ蓄積された残留物144を方向付ける。孔146の縁部は、ワイパブレードの方向145に同様に傾斜されることによって、残留物は、ブレード143によって掃引された最後の角に蓄積する傾向がある。この角は、残留物144の蓄積領域148を形成するように拡大されている。
【0038】
孔のポッドを取り囲むリセスを設けることによって、各孔の間の間隔ではなく、孔のポッド間の間隔のみが増大する。したがって、ノズルガードによって、塵の詰まりを効果的に回避しながら、プリントヘッドのノズルの集積密度をわずかに増大させるだけでよい。
【0039】
ガード80は、紙、塵、またはユーザーの指とのダメージを受ける接触からノズルアレイ14を保護するのに必要な強度と剛性を備えるようなシリコンである。シリコンからガードを形成することにより、熱膨張率は、ノズルアレイのものと実質的に一致する。この目的は、プリントヘッドが通常の動作温度まで加熱されるとき、シールド82の孔84とノズルアレイ14との位置ずれを防止することである。また、ノズルアセンブリ10の製造に関して、以下にさらに詳細に記載するMEMS技術を用いた高精度の超微小機械加工には、シリコンが適している。
【0040】
シールド82は、枝状突出部または支柱86により、ノズルアセンブリ10に対して間隔を置いて設けられる。支柱86の1つには、そこに規定された空気入口開口部88がある。
【0041】
使用中、アレイ14が動作しているとき、入口開口部88を介して空気が充填され、孔84を通って進むインクとともに、孔84に推し進められる。
【0042】
インク液滴64と異なる速度で孔84を介して空気が充填されるため、インクは空気に引き込まれない。例えば、インク液滴64は、約3m/sの速度でノズル22から噴出される。空気は、約1m/sの速度で孔84を介して充填される。
【0043】
空気の目的は、孔84に異粒子がない状態を維持することである。上述したように、塵粒子などのこれらの異粒子がノズルアセンブリ10に落ちると、それらの動作に悪影響を及ぼす危険性がある。ノズルガード80に空気入口開口88を与えると、この問題が改善される。以下、図8から図10を参照しながら、ノズルアセンブリ10の製造プロセスについて記載する。
【0044】
シリコン基板またはウェハ16から始まり、基板またはウェハ16の表面上に、誘電体層18が堆積される。誘電体層18は、約1.5ミクロンのCVD酸化物の形をしたものである。層18上に、レジストがスピニングされ、層18は、マスク100に対して露光された後、現像される。
【0045】
現像後、層18は、シリコン層16まで下方にプラズマエッチングされる。その後、レジストが剥離され、層18がクリーニングされる。このステップにより、インク入口孔42が規定される。
【0046】
図8bにおいて、層18上に、約0.8ミクロンのアルミニウム102が堆積される。レジストがスピニングされ、アルミニウム102は、マスク104に対して露光され、現像される。アルミニウム102は、酸化物層18まで下方にプラズマエッチングされ、レジストが剥離されて、デバイスがクリーニングされる。このステップにより、ボンドパッドおよびインクジェットアクチュエータ28への配線が与えられる。この配線は、NMOS駆動トランジスタと、CMOS層(図示せず)に形成された接続との電源プレーンに対するものである。
【0047】
CMOS保護層20として、約0.5ミクロンのPECVD窒化物が堆積される。レジストがスピニングされ、層20は、マスク106に対して露光された後、現像される。現像後、窒化物は、アルミニウム層102および入口孔42の領域にあるシリコン層16まで下方にプラズマエッチングされる。レジストが剥離されて、デバイスがクリーニングされる。
【0048】
層20に、犠牲材料の層108がスピニングされる。層108は、6ミクロンの感光性ポリイミドまたは約4μmの高温レジストである。層108は、ソフトベークされて、マスク110に対して露光された後、現像される。層108がポリイミドから構成される場合、層108は、1時間400℃でハードベークされるか、層108が高温レジストの場合、300℃よりも高温でハードベークされる。図面において、マスク110の設計に際し、収縮により生じたポリイミド層108のパターンに依存したゆがみを考慮に入れることに留意されたい。
【0049】
次のステップにおいて、図8eに示すように、第2の犠牲層112が適用される。層112は、スピニングされる2μmの感光性ポリイミドか、または約1.3μmの高温レジストのいずれかである。層112は、ソフトベークされ、マスク114に対して露光される。マスク114に対して露光された後、層112は現像される。層112がポリイミドである場合、層112は、約1時間400℃でハードベークされる。層112がレジストである場合、約1時間300℃より高温でハードベークされる。
【0050】
その後、0.2ミクロンの多層金属層116が堆積される。この層116の一部は、アクチュエータ28の受動ビーム60をなす。
【0051】
層116は、約300℃で1,000Åの窒化チタン(TiN)をスパッタリングした後、50Åの窒化タンタル(TaN)をスパッタリングすることにより形成される。さらに、1,000ÅのTiNがスパッタリングされた後、50ÅのTaNと、さらに1,000ÅのTiNがスパッタリングされる。TiNの代わりに使用可能な他の材料は、TiB2、MoSi2または(Ti,Al)Nである。
【0052】
その後、層116は、マスク118に対して露光され、現像されて、層112まで下方にプラズマエッチングされた後、硬化した層108または112を除去しないように注意しながら、層116に適用されたレジストがウェット剥離される。
【0053】
4μmの感光性ポリイミドまたは約2.6μmの高温レジストをスピニングすることにより、第3の犠牲層120が適用される。層120は、ソフトベークされた後、マスク122に対して露光される。次に、露光された層は、現像された後、ハードベークされる。層120は、ポリイミドの場合、約1時間400℃でハードベークされるか、層120がレジストから構成される場合、300℃を超える温度でハードベークされる。
【0054】
層120に、第2の多層金属層124が適用される。層124の組成物は、層116と同じものであり、同じ方法で適用される。層116および124の両方は、導電層であることを理解されたい。
【0055】
層124は、マスク126に対して露光された後、現像される。層124はポリイミドまたはレジスト層120まで下方にプラズマエッチングされた後、硬化した層108、112、または120を除去しないように注意しながら、層124に適用されたレジストがウェット剥離される。層124の残りの部分が、アクチュエータ28の能動ビーム58を画定することに留意されたい。
【0056】
4μmの感光性ポリイミドまたは約2.6μmの高温レジストをスピニングすることにより、第4の犠牲層128が適用される。層128は、ソフトベークされ、マスク130に対して露光された後、現像されて、図9kに示すようなアイランド部分を残す。層128の残りの部分は、ポリイミドの場合、約1時間400℃でハードベークされるか、レジストの場合、300℃よりも高温でハードベークされる。
【0057】
図8lに示すように、高ヤング率の誘電体層132が堆積される。層132は、約1μmの窒化シリコンまたは酸化アルミニウムにより構成される。層132は、犠牲層108、112、120、128のハードベーク温度より低い温度で堆積される。この誘電体層132に必要な主要な特徴は、高弾性率、化学的不活性さ、およびTiNへの良好な接着性である。
【0058】
2μmの感光性ポリイミドまたは約1.3μmの高温レジストをスピニングすることにより、第5の犠牲層134が適用される。層134は、ソフトベークされ、マスク136に対して露光されて、現像される。次に、層134の残りの部分は、ポリイミドの場合、1時間400℃でハードベークされ、レジストの場合、300℃を超える温度でハードベークされる。
【0059】
誘電体層132は、犠牲層134を除去しないように注意しながら、犠牲層128まで下方にプラズマエッチングされる。
【0060】
このステップにより、ノズル開口部24、レバーアーム26およびノズルアセンブリ10のアンカー54が画定される。
【0061】
高ヤング率の誘電体層138が堆積される。この層138は、犠牲層108、112、120、および128のハードベーク温度より低い温度で、0.2μmの窒化シリコンまたは窒化アルミニウムを堆積することにより形成される。
【0062】
次に、図8pに示すように、層138は、0.35ミクロンの深さまで異方性プラズマエッチングされる。このエッチングは、誘電体層132および犠牲層134の側壁以外の表面全体から誘電体層を取り除くためのものである。このステップにより、上述したように、インクのメニスカスを「止めておく」ノズル開口部24付近のノズルリム36が形成される。
【0063】
紫外線(UV)剥離テープ140が適用される。シリコンウェハ基板16の背面に、4μmのレジストがスピニングされる。ウェハ16は、ウェハ16をエッチバックするようにマスク142に対して露光されて、インク入口チャネル48を規定する。次に、レジストは、ウェハ16から剥離される。
【0064】
ウェハ16の背面に、さらなるUV剥離テープ(図示せず)が適用され、テープ140が取り除かれる。酸素プラズマで犠牲層108、112、120、128、および134が剥離されて、図8rおよび図9rに示すように、最終的なノズルアセンブリ10を与える。参照しやすいように、これらの2つの図面に示されている参照番号は、ノズルアセンブリ10の関連部品を示すために、図1のものと同じものである。図11および図12は、図8および図9を参照して上述したプロセスに従って製造されたノズルアセンブリ10の動作を示し、同図は、図2から図4に対応する。
【0065】
特定の実施形態に示されているように、広義に記載した本発明の趣旨または範囲から逸脱することなく、本発明に様々な変更および/または修正が加えられてよいことは、当業者により理解されるであろう。したがって、本発明は、例示的かつ非制限的にすべての点において考慮されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【0066】
【図1】インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの略図的な立体図を示す。
【図2】図1のノズルアレンブリの動作の略図的な立体図の一つを示す。
【図3】図1のノズルアレンブリの動作の略図的な立体図の一つを示す。
【図4】図1のノズルアレンブリの動作の略図的な立体図の一つを示す。
【図5】ノズルアレイの立体図を示す。
【図6】図5のアレイの一部分の拡大図を示す。
【図7】ノズルガードを備えるインクジェットプリントヘッドの立体図を示す。
【図7a】ワイパブレードにより洗浄される図7のインクジェットプリントヘッドおよびノズルガードの部分的断面側面図を示す。
【図7b】本発明によるノズルガードを示す部分断面斜視図であり、ワイパブレードにより除去された状態を示す。
【図7c】図7bのノズルガードの外面の平面図を示す。
【図8】図8a〜図8rはインクジェットプリントヘッドのノズルアレイの製造ステップの立体図を示す。
【図9】図9a〜図9rは製造ステップの断面側面図を示す。
【図10】図10a〜図10kは製造プロセスにおける様々なステップにおいて使用されるマスクのレイアウトを示す。
【図11】図11a〜図11cは図8および図9の方法により製造されたノズルアセンブリの動作の立体図を示す。
【図12】図12a〜図12cは図8および図9の方法により製造されたノズルアセンブリの動作の断面側面図を示す。
Claims (11)
- 印刷される基材に着色剤を噴出するノズルアレイを有するインクジェットプリントヘッドの孔付きノズルガードであって、
前記ノズルガードが、前記ノズルとのダメージを与える接触を阻止するように、前記ノズルの外部にわたって延在するとともに、前記ノズルから噴出された着色剤が、前記孔を介して、印刷される前記基材へと通過できるように、前記プリントヘッド上に配置されるように適合され、前記ノズルガードが、
使用中、前記媒体と面する外面を備え、
前記外面が、残留物を除去するために前記表面を定期的に掃引するワイパブレードと係合するように構成され、
前記外面が、1つ以上のリセスを有し、前記リセスの各々が、前記孔のグループを取り囲むことによって、前記ワイパブレードが、前記グループにある前記孔の任意のものと直接隣接した外面と係合することを防ぐ、ノズルガード。 - 前記外面が、前記リセスの各々にデフレクタリッジをさらに備え、前記デフレクタリッジは、前記ブレードが、前記グループ内の前記孔の任意のものにわたって通過する前に、前記ワイパブレードと係合するように配置された、請求項1に記載のノズルガード。
- 前記デフレクタリッジが、前記孔から前記リセスの縁部に向けて残留物を偏向するように、前記ワイパブレードの方向に傾斜された、請求項2に記載のノズルガード。
- 前記リセスが、概して矩形状であり、前記リセスの各々の側が、前記ワイパブレードの方向に傾斜された、請求項3に記載のノズルガード。
- 前記リセスの各々が、各掃引中、ワイパブレードによって掃引された矩形状のリセスの最後の角によって部分的に規定される蓄積領域を有する、請求項4に記載のノズルガード。
- 前記ノズルアレイ上での異粒子の蓄積を阻止するために、前記ノズルアレイにわたって、前記通路を介して流体を方向づけるための流体入口をさらに備える、請求項1に記載のノズルガード。
- 一体形成された間隔を置いて設けられた支持要素の対をさらに備え、前記支持要素対の1つが、前記ノズルガードの各端部に配設された、請求項6に記載のノズルガード。
- 前記流体入口開口が、前記支持要素の1つに配設された、請求項7に記載のノズルガード。
- 前記流体入口開口が、前記ノズルアレイのボンドパッドから離れた前記支持要素に配設された、請求項7に記載のノズルガード。
- 前記外面が、前記リセスと前記デフレクタリッジとを除いて平坦である、請求項2に記載のノズルガード。
- 前記ガードが、シリコンから形成される、請求項1に記載のノズルガード。
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