JP2005353951A - Semiconductor manufacturing device - Google Patents

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Hidenari Yoshida
秀成 吉田
Tomoshi Taniyama
智志 谷山
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Hitachi Kokusai Electric Inc
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor manufacturing device capable of reducing metal contamination of a substrate to be treated, for a lower manufacturing cost. <P>SOLUTION: An outer tube 22 is installed on a furnace throat flange 7, and an inner tube 1 is installed at a protruding part 15 formed on the furnace throat flange 7. A wafer 5 is processed while it is set in the inner tube 1. The furnace throat flange 7 consists of an upper-side furnace throat flange 19 and a lower-side furnace throat flange 20. The lower-side furnace throat flange 20 comprises a side wall 34 and the protruding part 15 formed toward inside. A gas supply port 8 is fitted to the lower-side furnace throat flange 20 by the position lower than the protruding part 15. The upper-side furnace throat flange 19 comprises a side wall 33 which is welded to the upper side of the side wall 34. An exhaust pipe 3 is fitted to the upper-side furnace throat flange 19 and the lower-side furnace throat flange 20 is made from nickel alloy. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体製造装置に関し、特に、半導体シリコンウエハにＳｉ３Ｎ４膜を形成する縦型ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a vertical CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus for forming a Si 3 N 4 film on a semiconductor silicon wafer.

図３は、Ｓｉ３Ｎ４膜を形成する従来の縦型ＣＶＤ装置を示した概略部分拡大縦断面図である。
この縦型ＣＶＤ装置は、石英製のインナーチューブ１と、石英製のアウターチューブ２と、アウターチューブ２の外側に設けられたヒーター６および断熱材９と、炉口フランジ７とを備えている。 FIG. 3 is a schematic partially enlarged longitudinal sectional view showing a conventional vertical CVD apparatus for forming a Si 3 N 4 film.
This vertical CVD apparatus includes a quartz inner tube 1, a quartz outer tube 2, a heater 6 and a heat insulating material 9 provided outside the outer tube 2, and a furnace port flange 7.

炉口フランジ７の側壁３１には、側壁３１の全周囲にわたって側壁３１の内壁面３２から内側に突出する突出部１５が設けられている。突出部１５より上側の炉口フランジ７の側壁３１には排気管３が取り付けられ、突出部１５より下側の炉口フランジ７の側壁３１には、ガス供給ポート８が取り付けられている。   The side wall 31 of the furnace port flange 7 is provided with a protruding portion 15 that protrudes inward from the inner wall surface 32 of the side wall 31 over the entire periphery of the side wall 31. The exhaust pipe 3 is attached to the side wall 31 of the furnace port flange 7 above the protrusion 15, and the gas supply port 8 is attached to the side wall 31 of the furnace port flange 7 below the protrusion 15.

アウターチューブ２は炉口フランジ７の上部に設置されている。インナーチューブ１は炉口フランジ７の突出部１５にインナーチューブ受け１３およびインナーチューブ受け固定フランジ１４を介して設置されている。   The outer tube 2 is installed on the top of the furnace port flange 7. The inner tube 1 is installed on the protruding portion 15 of the furnace port flange 7 via an inner tube receiver 13 and an inner tube receiver fixing flange 14.

複数枚の半導体シリコンウエハ５を積層して保持するボート４がボート受け１１上に載置され、ボート受け１１は回転軸１２を介して、シールキャップ１０に取りつけられている。   A boat 4 for stacking and holding a plurality of semiconductor silicon wafers 5 is placed on a boat receiver 11, and the boat receiver 11 is attached to a seal cap 10 via a rotating shaft 12.

シールキャップ１０を昇降させることによってボート４が昇降する。シールキャップ１０が上昇し、シールキャップ１０が炉口フランジ７の下端の開口を密閉した状態で、ボート４がインナーチュ−ブ１内の所定の処理位置に位置することになる。この状態でガス供給ポート８から成膜用のガスを導入する。導入された成膜用ガスは、インナーチューブ１の下端の開口部１６からインナーチューブ１内に流入する。その後、インナーチューブ１内を上昇し、インナーチューブ１の上端の開口部（図示せず）を通ってインナーチューブ１とアウターチューブ２との間に流入し、インナーチューブ１とアウターチューブ２との間を下降して排気管３より排気される。なお、半導体ウエハ５の処理時には、ヒーター６によって、その内側が加熱される。
特開平８−５１０８１号公報 The boat 4 is raised and lowered by raising and lowering the seal cap 10. With the seal cap 10 raised and the seal cap 10 sealing the opening at the lower end of the furnace port flange 7, the boat 4 is positioned at a predetermined processing position in the inner tube 1. In this state, a film forming gas is introduced from the gas supply port 8. The introduced film forming gas flows into the inner tube 1 from the opening 16 at the lower end of the inner tube 1. Thereafter, the inside of the inner tube 1 rises, passes through an opening (not shown) at the upper end of the inner tube 1, flows between the inner tube 1 and the outer tube 2, and between the inner tube 1 and the outer tube 2. Is exhausted from the exhaust pipe 3. Note that the inside of the semiconductor wafer 5 is heated by the heater 6 during processing.
JP-A-8-51081

従来の装置では、炉口フランジ７はステンレス鋼材で構成されており、ステンレス鋼材の表面に析出しているＦｅが成膜用のガスによって運ばれ、ウエハ５を金属汚染するという問題があった。   In the conventional apparatus, the furnace port flange 7 is made of a stainless steel material, and there is a problem that Fe deposited on the surface of the stainless steel material is carried by the film-forming gas and contaminates the wafer 5 with metal.

これを解決するために、炉口フランジ７全体をＦｅの析出が少ないニッケル合金とすることも考えられるが、炉口フランジ７の上端フランジ２２および下端フランジ２３を形成するために、硬いニッケル合金を炉口フランジ７の上端から下端までの全長にわたって研削する必要があり、非常にコストがかかってしまう。   In order to solve this problem, it is conceivable that the entire furnace port flange 7 is made of a nickel alloy with a small amount of Fe precipitation. In order to form the upper end flange 22 and the lower end flange 23 of the furnace port flange 7, a hard nickel alloy is used. It is necessary to grind the entire length from the upper end to the lower end of the furnace port flange 7, which is very expensive.

従って、本発明の主な目的は、被処理基板への金属汚染を低減できると共に、安価に製造できる半導体製造装置を提供することにある。   Accordingly, a main object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus that can reduce metal contamination of a substrate to be processed and can be manufactured at low cost.

本発明によれば、
炉口フランジ上に、上端が閉塞され下端が開口された外部反応管を設置し、
上端と下端が開口された内部反応管を、前記炉口フランジの側壁の内壁面に突設された突出部に設置し、
前記炉口フランジの下側には、蓋体が当接可能となっており、
前記炉口フランジ、外部反応管、内部反応管、及び蓋体とで基板を処理する処理室を形成する半導体製造装置であって、
前記基板は前記内部反応管内に設置された状態で処理され、
前記炉口フランジは、第１の炉口フランジと第２の炉口フランジとからなり、
前記第１の炉口フランジは、第１の側壁と、前記第１の炉口フランジの上方で前記第１の側壁の内壁面に突設された前記突出部とを有し、
前記基板を処理する処理ガスを供給するガス供給ポートが、前記第１の炉口フランジに前記突出部より下の位置で取り付けられ、
前記第２の炉口フランジは、前記第１の側壁の上側に気密に接続される第２の側壁を有し、
前記第２の炉口フランジに排気管が取り付けられ、
前記第１の炉口フランジはニッケル合金からなることを特徴とする半導体製造装置が提供される。 According to the present invention,
On the furnace port flange, install an external reaction tube with the upper end closed and the lower end open,
An internal reaction tube having an upper end and a lower end opened is installed on a protrusion protruding from the inner wall surface of the side wall of the furnace port flange,
Under the furnace port flange, a lid can be contacted,
A semiconductor manufacturing apparatus for forming a processing chamber for processing a substrate with the furnace port flange, the external reaction tube, the internal reaction tube, and the lid,
The substrate is processed in a state installed in the internal reaction tube,
The furnace port flange comprises a first furnace port flange and a second furnace port flange,
The first furnace port flange includes a first side wall, and the projecting portion protruding from the inner wall surface of the first side wall above the first furnace port flange,
A gas supply port for supplying a processing gas for processing the substrate is attached to the first furnace port flange at a position below the protrusion,
The second furnace port flange has a second side wall hermetically connected to the upper side of the first side wall,
An exhaust pipe is attached to the second furnace port flange;
A semiconductor manufacturing apparatus is provided in which the first furnace port flange is made of a nickel alloy.

本発明によれば、被処理基板への金属汚染を低減できると共に、安価に製造できる半導体製造装置が提供される。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, while being able to reduce metal contamination to a to-be-processed substrate, the semiconductor manufacturing apparatus which can be manufactured cheaply is provided.

次に図面を参照して、本発明の好ましい実施例を説明する。   Next, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

本実施例では、縦型ＣＶＤ装置の反応室において、処理ガスの供給部をＦｅの析出が少ないＮｉ合金（例えば、ハステロイ材）で構成することにより、Ｆｅによる半導体ウエハへの重金属汚染を低減する。   In the present embodiment, in the reaction chamber of the vertical CVD apparatus, the processing gas supply unit is made of a Ni alloy (for example, a Hastelloy material) with less Fe precipitation, thereby reducing heavy metal contamination of the semiconductor wafer due to Fe. .

また、炉口フランジの処理ガスの供給部のみをＮｉ合金材とし、炉口フランジの排気部はステンレス材のままとし、Ｎｉ合金とステンレス材とを溶接することによって一体化して炉口フランジを構成している。   Also, only the processing gas supply part of the furnace port flange is made of Ni alloy material, the exhaust part of the furnace port flange is made of stainless steel, and the Ni alloy and stainless material are welded together to form the furnace port flange. doing.

図１は、本実施例のＳｉ３Ｎ４膜を形成する縦型ＣＶＤ装置を説明するための概略縦断面図であり、図２は、本実施例のＳｉ３Ｎ４膜を形成する縦型ＣＶＤ装置を説明するための概略部分拡大縦断面図である。 FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a vertical CVD apparatus for forming a Si 3 N 4 film according to this embodiment. FIG. 2 is a vertical view for forming a Si 3 N 4 film according to this embodiment. It is a general | schematic partial expanded longitudinal cross-sectional view for demonstrating a CVD apparatus.

この縦型ＣＶＤ装置１００は、内部反応管としてのインナーチューブ１と、外部反応管としてのアウターチューブ２と、ヒーター６と、断熱材９と、炉口フランジ７とを備えている。インナーチューブ１およびアウターチューブ２は横断面が円形であり、インナーチューブ１の外側にアウターチューブ２が同心円状に設けられている。アウターチューブ２の外側にはヒーター６および断熱材９が設けられている。   The vertical CVD apparatus 100 includes an inner tube 1 as an internal reaction tube, an outer tube 2 as an external reaction tube, a heater 6, a heat insulating material 9, and a furnace port flange 7. The inner tube 1 and the outer tube 2 have a circular cross section, and the outer tube 2 is provided concentrically outside the inner tube 1. A heater 6 and a heat insulating material 9 are provided outside the outer tube 2.

炉口フランジ７は、上側炉口フランジ１９と下側炉口フランジ２０とからなっている。上側炉口フランジ１９は、円筒状の側壁３３と側壁３３の上端部に外側に突出して設けられた上端フランジ２２とを有している。上側炉口フランジ１９の側壁３３には排気管３が取り付けられている。下側炉口フランジ２０は、円筒状の側壁３４と、側壁３４の上端部に側壁３４の全周囲にわたって側壁３４の内壁面３５から内側に突出して設けられた突出部１５と、側壁３４の下端部に外側に突出して設けられた下端フランジ２３とを有している。下側炉口フランジ２０の側壁３４にはガス供給ポート８が取り付けられている。ガス供給ポート８は、下側炉口フランジ２０に突出部１５より下の位置で取り付けられている。   The furnace port flange 7 includes an upper furnace port flange 19 and a lower furnace port flange 20. The upper furnace port flange 19 has a cylindrical side wall 33 and an upper end flange 22 provided on the upper end portion of the side wall 33 so as to protrude outward. The exhaust pipe 3 is attached to the side wall 33 of the upper furnace port flange 19. The lower furnace port flange 20 includes a cylindrical side wall 34, a protruding portion 15 provided on the upper end portion of the side wall 34 so as to protrude inward from the inner wall surface 35 of the side wall 34, and a lower end of the side wall 34. And a lower end flange 23 provided so as to project outward. A gas supply port 8 is attached to the side wall 34 of the lower furnace port flange 20. The gas supply port 8 is attached to the lower furnace port flange 20 at a position below the protrusion 15.

下側炉口フランジ２０の側壁３４と、突出部１５と、下端フランジ２３とはＮｉ合金（例えば、ハステロイ）で構成されている。上側炉口フランジ１９の側壁３３と上端フランジ２２とはステンレス鋼で構成されている。下側炉口フランジ２０の側壁３４と上側炉口フランジ１９の側壁３３とが異種金属溶接されることにより、上側炉口フランジ１９と下側炉口フランジ２０とが一体となって炉口フランジ７を構成している。   The side wall 34, the projecting portion 15, and the lower end flange 23 of the lower furnace port flange 20 are made of Ni alloy (for example, Hastelloy). The side wall 33 and the upper end flange 22 of the upper furnace port flange 19 are made of stainless steel. By dissimilar metal welding to the side wall 34 of the lower furnace port flange 20 and the side wall 33 of the upper furnace port flange 19, the upper furnace port flange 19 and the lower furnace port flange 20 are integrated with each other. Is configured.

アウターチューブ２は、上端が閉塞され下端が開口された構造となっている。インナーチューブ１は、上端および下端の両方が開口された構造となっている。アウターチューブ２は石英製である。インナーチューブ１は石英製またはＳｉＣ製である。   The outer tube 2 has a structure in which the upper end is closed and the lower end is opened. The inner tube 1 has a structure in which both an upper end and a lower end are opened. The outer tube 2 is made of quartz. The inner tube 1 is made of quartz or SiC.

アウターチューブ２は上側炉口フランジ１９の上端フランジ２２上に設置されている。インナーチューブ１は下側炉口フランジ２０の突出部１５にインナーチューブ受け１３およびインナーチューブ受け固定フランジ１４を介して設置されている。インナーチューブ受け１３およびインナーチューブ受け固定フランジ１４はＮｉ合金（例えば、ハステロイ）で構成されている。   The outer tube 2 is installed on the upper end flange 22 of the upper furnace port flange 19. The inner tube 1 is installed on the protruding portion 15 of the lower furnace port flange 20 via an inner tube receiver 13 and an inner tube receiver fixing flange 14. The inner tube receiver 13 and the inner tube receiver fixing flange 14 are made of Ni alloy (for example, Hastelloy).

複数枚の半導体シリコンウエハ５を積層して保持するボート４がボート受け１１上に搭載され、ボート受け１１は回転軸１２を介して、蓋体としてのシールキャップ１０に取りつけられている。シールキャップ１０上にはＮｉ合金プレート１８が載置されており、Ｎｉ合金プレート１８によってシールキャップ１０が全面にわたって覆われている。Ｎｉ合金プレート１８をシールキャップ１０上に溶接して、Ｎｉ合金プレート１８によってシールキャップ１０を全面にわたって覆ってもよく、シールキャップ１０自体をＮｉ合金製としてもよい。Ｎｉ合金プレート１８のＮｉ合金は、例えば、ハステロイである。ボート受け１１および回転軸１２はＮｉ合金（例えば、ハステロイ）で構成されている。   A boat 4 for laminating and holding a plurality of semiconductor silicon wafers 5 is mounted on a boat receiver 11, and the boat receiver 11 is attached to a seal cap 10 as a lid through a rotating shaft 12. An Ni alloy plate 18 is placed on the seal cap 10, and the seal cap 10 is covered over the entire surface by the Ni alloy plate 18. The Ni alloy plate 18 may be welded onto the seal cap 10, and the seal cap 10 may be covered over the entire surface by the Ni alloy plate 18, or the seal cap 10 itself may be made of Ni alloy. The Ni alloy of the Ni alloy plate 18 is, for example, Hastelloy. The boat receiver 11 and the rotating shaft 12 are made of a Ni alloy (for example, Hastelloy).

ボート４の下部には複数枚の断熱板２６が搭載され、断熱板２６の上部には複数枚のウエハ５が搭載されている。ボート２５および断熱板２６は石英製またはＳｉＣ製である。   A plurality of heat insulating plates 26 are mounted on the lower portion of the boat 4, and a plurality of wafers 5 are mounted on the upper portions of the heat insulating plates 26. The boat 25 and the heat insulating plate 26 are made of quartz or SiC.

シールキャップ１０を昇降させることによってボート４が昇降する。シールキャップ１０が上昇し、シールキャップ１０が下側炉口フランジ２０の下端フランジ２３とＯリング（図示せず）を介して密接することにより、炉口フランジ７の下端の開口を密閉する。このとき、ボート４およびウエハ５がインナーチュ−ブ１内の所定の処理位置に位置することになる。炉口フランジ７、アウターチューブ２、インナーチューブ１およびシールキャップ１０により処理室を構成している。   The boat 4 is raised and lowered by raising and lowering the seal cap 10. The seal cap 10 is raised, and the seal cap 10 is brought into close contact with the lower end flange 23 of the lower furnace port flange 20 through an O-ring (not shown), thereby sealing the lower end opening of the furnace port flange 7. At this time, the boat 4 and the wafer 5 are positioned at predetermined processing positions in the inner tube 1. The furnace port flange 7, the outer tube 2, the inner tube 1 and the seal cap 10 constitute a processing chamber.

シールキャップ１０が炉口フランジ７の下端の開口を密閉した状態でガス供給ポート８からＳｉ３Ｎ４成膜用のガスを導入する。成膜用のガスは突出部１５よりも下側に導入され、インナーチューブ１の下端の開口部１６からインナーチューブ１内に流入する。その後、インナーチューブ１内を上昇しつつウエハ５にＳｉ３Ｎ４膜を形成後、インナーチューブ１の上端の開口部を通ってインナーチューブ１とアウターチューブ２との間に流入し、インナーチューブ１とアウターチューブ２との間を下降して排気管３より排気される。なお、半導体ウエハ５の処理時には、ヒーター６によって、ヒーター６の内側が加熱される。ウエハ５はインナーチュ−ブ１内の所定の処理位置に設置された状態で処理される。 A gas for forming Si 3 N 4 is introduced from the gas supply port 8 in a state where the seal cap 10 seals the opening at the lower end of the furnace port flange 7. A film forming gas is introduced below the protrusion 15 and flows into the inner tube 1 from the opening 16 at the lower end of the inner tube 1. Thereafter, an Si 3 N 4 film is formed on the wafer 5 while moving up in the inner tube 1, and then flows between the inner tube 1 and the outer tube 2 through the opening at the upper end of the inner tube 1. And the outer tube 2 are lowered and exhausted from the exhaust pipe 3. During the processing of the semiconductor wafer 5, the inside of the heater 6 is heated by the heater 6. The wafer 5 is processed in a state where it is installed at a predetermined processing position in the inner tube 1.

下側炉口フランジ２０、インナーチューブ受け１３、インナーチューブ受け固定フランジ１４、ボート受け１１、回転軸１２およびＮｉ合金プレート１８は全てＮｉ合金製であるので、インナーチューブ１内に流入する前に成膜用のガスが接することになる金属部分は全てＮｉ合金製となる。Ｎｉ合金は、その表面にＦｅの析出が少ないため、Ｆｅが成膜用のガスによって運ばれることによって生じるウエハ５の金属汚染を低減することができ、その結果、ウエハ生産ロスを低減することができる。また、Ｎｉ合は耐腐食材料でもあるので、クリーニングガス（例えばＣｌＦ３，ＮＦ３、Ｆ２ガス）に対する腐食防止にもなる。 Since the lower furnace port flange 20, inner tube receiver 13, inner tube receiver fixing flange 14, boat receiver 11, rotating shaft 12 and Ni alloy plate 18 are all made of Ni alloy, they are formed before flowing into the inner tube 1. All of the metal parts to be in contact with the film gas are made of Ni alloy. Since the Ni alloy has less Fe precipitation on its surface, the metal contamination of the wafer 5 caused by Fe being carried by the film-forming gas can be reduced, and as a result, the wafer production loss can be reduced. it can. Moreover, since Ni is also a corrosion resistant material, it also prevents corrosion against cleaning gases (eg, ClF 3 , NF 3 , F 2 gas).

一方、このように、下側炉口フランジ２０を硬いＮｉ合金で構成しても、炉口フランジ７は、Ｎｉ合金製の下側炉口フランジ２０とステンレス鋼製の上側炉口フランジ１９とを金属溶接することにより構成されているので、硬いＮｉ合金の研削は下側炉口フランジ２０についてのみ行えばよく、硬いニッケル合金を炉口フランジ７の上端から下端までの全長にわたって研削する必要はない。従って、炉口フランジ７の製造コストの上昇を抑制することができる。   On the other hand, even if the lower furnace port flange 20 is made of a hard Ni alloy, the furnace port flange 7 has a lower furnace port flange 20 made of Ni alloy and an upper furnace port flange 19 made of stainless steel. Since it is configured by metal welding, it is only necessary to grind the hard Ni alloy only for the lower furnace port flange 20, and it is not necessary to grind the hard nickel alloy over the entire length from the upper end to the lower end of the furnace port flange 7. . Therefore, an increase in manufacturing cost of the furnace port flange 7 can be suppressed.

なお、炉口フランジ７の上側の上側炉口フランジ１９をステンレス鋼製としても、この上側炉口フランジ１９に接するガスは、インナーチューブ１を上昇してウエハ５の処理に関与し、その後、インナーチューブ１の上端の開口部を通ってインナーチューブ１とアウターチューブ２との間に流入し、インナーチューブ１とアウターチューブ２との間を下降してきた後のガスであるので、たとえ、ステンレス鋼の表面に析出するＦｅがガスによって運ばれたとしても、ウエハ５を金属汚染することはない。   Even if the upper furnace port flange 19 on the upper side of the furnace port flange 7 is made of stainless steel, the gas in contact with the upper furnace port flange 19 moves up the inner tube 1 and participates in the processing of the wafer 5. Since the gas flows between the inner tube 1 and the outer tube 2 through the opening at the upper end of the tube 1 and descends between the inner tube 1 and the outer tube 2, Even if Fe deposited on the surface is carried by the gas, the wafer 5 is not contaminated with metal.

また、炉口フランジ７、インナーチューブ受け１３、インナーチューブ受け固定フランジ１４、ボート受け１１、回転軸１２およびシールキャップ１０をステンレス鋼で構成した場合には、Ｆｅによる金属汚染を低減をするためには、立ち上げ時に熱処理や、検査プロセスを１０回以上実施する必要があるが、本実施例では、上述のように、初期から金属汚染が低減されるので、大幅な立ち上げ工数の低減となる。   Further, when the furnace port flange 7, the inner tube receiver 13, the inner tube receiver fixing flange 14, the boat receiver 11, the rotary shaft 12 and the seal cap 10 are made of stainless steel, in order to reduce metal contamination due to Fe. However, in this embodiment, since the metal contamination is reduced from the beginning as described above, the number of start-up steps can be greatly reduced. .

本発明の実施例１の縦型ＣＶＤ装置を説明するための概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view for demonstrating the vertical type CVD apparatus of Example 1 of this invention. 本発明の実施例１の縦型ＣＶＤ装置を説明するための概略部分拡大縦断面図である。It is a general | schematic partial expanded longitudinal cross-sectional view for demonstrating the vertical type CVD apparatus of Example 1 of this invention. 従来の縦型ＣＶＤ装置を説明するための概略部分拡大縦断面図である。It is a general | schematic partial expanded longitudinal cross-sectional view for demonstrating the conventional vertical type CVD apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１…インナーチューブ
２…アウターチューブ
３…排気管
４…ボート
５…ウエハ
６…ヒーター
７…炉口フランジ
８…ガス供給ポート
９…断熱材
１０…シールキャップ
１１…ボート受け
１２…回転軸
１３…インナーチューブ受け
１４…インナーチューブ受け固定フランジ
１５…突出部
１６…開口部
１８…Ｎｉ合金プレート
１９…上側炉口フランジ
２０…下側炉口フランジ
２２…上端フランジ
２３…下端フランジ
２６…断熱板
３１…側壁
３２…内壁面
３３、３４…側壁
３５…内壁面
１００…縦型ＣＶＤ装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Inner tube 2 ... Outer tube 3 ... Exhaust pipe 4 ... Boat 5 ... Wafer 6 ... Heater 7 ... Furnace port flange 8 ... Gas supply port 9 ... Heat insulating material 10 ... Seal cap 11 ... Boat receiver 12 ... Rotating shaft 13 ... Inner Tube receiver 14 ... Inner tube receiver fixing flange 15 ... Projection 16 ... Opening 18 ... Ni alloy plate 19 ... Upper furnace port flange 20 ... Lower furnace port flange 22 ... Upper flange 23 ... Lower flange 26 ... Insulation plate 31 ... Side wall 32 ... Inner wall surface 33, 34 ... Side wall 35 ... Inner wall surface 100 ... Vertical CVD apparatus

Claims (1)

炉口フランジ上に、上端が閉塞され下端が開口された外部反応管を設置し、
上端と下端が開口された内部反応管を、前記炉口フランジの側壁の内壁面に突設された突出部に設置し、
前記炉口フランジの下側には、蓋体が当接可能となっており、
前記炉口フランジ、外部反応管、内部反応管、及び蓋体とで基板を処理する処理室を形成する半導体製造装置であって、
前記基板は前記内部反応管内に設置された状態で処理され、
前記炉口フランジは、第１の炉口フランジと第２の炉口フランジとからなり、
前記第１の炉口フランジは、第１の側壁と、前記第１の炉口フランジの上方で前記第１の側壁の内壁面に突設された前記突出部とを有し、
前記基板を処理する処理ガスを供給するガス供給ポートが、前記第１の炉口フランジに前記突出部より下の位置で取り付けられ、
前記第２の炉口フランジは、前記第１の側壁の上側に気密に接続される第２の側壁を有し、
前記第２の炉口フランジに排気管が取り付けられ、
前記第１の炉口フランジはニッケル合金からなることを特徴とする半導体製造装置。

On the furnace port flange, install an external reaction tube with the upper end closed and the lower end open,
An internal reaction tube having an upper end and a lower end opened is installed in a protruding portion protruding from the inner wall surface of the side wall of the furnace port flange,
Under the furnace port flange, a lid can be contacted,
A semiconductor manufacturing apparatus for forming a processing chamber for processing a substrate with the furnace port flange, the external reaction tube, the internal reaction tube, and the lid,
The substrate is processed in a state installed in the internal reaction tube,
The furnace port flange comprises a first furnace port flange and a second furnace port flange,
The first furnace port flange includes a first side wall, and the projecting portion protruding from the inner wall surface of the first side wall above the first furnace port flange,
A gas supply port for supplying a processing gas for processing the substrate is attached to the first furnace port flange at a position below the protrusion,
The second furnace port flange has a second side wall hermetically connected to the upper side of the first side wall,
An exhaust pipe is attached to the second furnace port flange;
The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the first furnace port flange is made of a nickel alloy.

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