JP2005341734A - Converter device and its control method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a control method of a converter device in which a warm-up time may be short and the damage of a second semiconductor switching element can be prevented certainly. <P>SOLUTION: The initial conduction angle of the second semiconductor switching element Q2 is set smaller than the initial conduction angle of a first semiconductor switching element Q1 so that the current value per unit time duration, flowing to an input side capacitor C1 from an output side capacitor C2 to the second semiconductor switching element Q2 may not become below an allowed value that does not damage the second semiconductor element Q2. Moreover, the conduction of the first and second semiconductor switching elements Q1 and Q2 are controlled so that the conduction angle of the second semiconductor switching element Q2 is gradually increased until the voltage across of the output side capacitor C2 raises to a predetermined value. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、直流電圧を昇圧する用途に用いられるコンバータ装置及びその制御方法に関するものである。   The present invention relates to a converter device used for boosting a DC voltage and a control method thereof.

実開平5−11789号公報には、太陽光発電用パワーコンディショナ、燃料電池用パワーコンディショナ、DC/DC変換器に入力する直流電圧を昇圧した直流電圧に変換するチョッパ装置またはスイッチングレギュレータと呼ばれるコンバータ装置の一例が示されている。この公報の図1に示された従来のコンバータ装置は、直流電源に接続される入力側コンデンサと、出力側コンデンサと、第1及び第2の半導体スイッチング素子と、インダクタとを備えている。そして正極出力端子側に第2の半導体スイッチング素子が位置するように直列に接続された第1及び第2の半導体スイッチング素子が出力側コンデンサに対して並列接続されている。また第1の半導体スイッチング素子と第2の半導体スイッチング素子との接続点と入力側コンデンサの一端との間にインダクタが配置されている。このコンバータ装置では、第1の半導体スイッチング素子のオン・オフを制御することにより出力側コンデンサの両端電圧を昇圧させる。この従来のコンバータ装置において、第1の半導体スイッチング素子と第2の半導体スイッチング素子が交互にON/OFF動作をすると、コンバータ装置が運転状態から停止状態になった後に、再度起動する際に、出力側コンデンサにチャージされた電荷が第2の半導体スイッチング素子を通して入力側コンデンサへと過電流となって流れる。入力側コンデンサと出力側コンデンサの電圧差が大きく、出力側コンデンサにチャージされている電荷が多いときには、この過電流によって第2の半導体スイッチング素子が破壊されたり、入力側コンデンサが過電圧で破壊されるおそれがあった。   In Japanese Utility Model Laid-Open No. 5-11789, it is called a power conditioner for photovoltaic power generation, a power conditioner for a fuel cell, a chopper device that converts a DC voltage input to a DC / DC converter into a boosted DC voltage, or a switching regulator. An example of a converter device is shown. The conventional converter device shown in FIG. 1 of this publication includes an input side capacitor connected to a DC power source, an output side capacitor, first and second semiconductor switching elements, and an inductor. And the 1st and 2nd semiconductor switching element connected in series so that the 2nd semiconductor switching element may be located in the positive electrode output terminal side is connected in parallel with respect to the output side capacitor. An inductor is disposed between a connection point between the first semiconductor switching element and the second semiconductor switching element and one end of the input side capacitor. In this converter device, the voltage across the output-side capacitor is boosted by controlling on / off of the first semiconductor switching element. In this conventional converter device, when the first semiconductor switching element and the second semiconductor switching element are alternately turned ON / OFF, the output is output when the converter device is restarted after being switched from the operation state to the stop state. The charge charged in the side capacitor flows as an overcurrent to the input side capacitor through the second semiconductor switching element. When the voltage difference between the input side capacitor and the output side capacitor is large and the output side capacitor has a large amount of charge, the second semiconductor switching element is destroyed by this overcurrent, or the input side capacitor is destroyed by the overvoltage. There was a fear.

このような問題を解消するために、特開2003−70238号公報に示された回路では、昇圧時に第2の半導体スイッチング素子をしばらくの間停止状態にしておき、第1の半導体スイッチング素子だけをオン・オフ動作させることにより出力側コンデンサの両端電圧を上昇させ、出力側コンデンサの両端電圧が所定の基準電圧とほぼ等しくなった時点で第2の半導体スイッチング素子のオン・オフ制御を開始している。
実開平5−11789号公報 図1 特開2003−70238号公報
In order to solve such a problem, in the circuit disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2003-70238, the second semiconductor switching element is stopped for a while at the time of boosting, and only the first semiconductor switching element is used. The voltage at both ends of the output-side capacitor is raised by turning on / off, and when the voltage across the output-side capacitor becomes substantially equal to a predetermined reference voltage, on / off control of the second semiconductor switching element is started. Yes.
Japanese Utility Model Publication No. 5-11789 JP 2003-70238 A

しかしながら後者の技術では、第1の半導体スイッチング素子がオン・オフ動作をしている途中で第2の半導体スイッチング素子のオン・オフ動作を開始すると、出力電圧が所定の電圧まで立ち上がるまでの時間が長くなる上、二つの半導体スイッチング素子が同時にオン状態になって短絡状態が発生する危険性がある。そのためこのような技術は実用的ではない。   However, in the latter technique, when the on / off operation of the second semiconductor switching element is started while the first semiconductor switching element is on / off, the time until the output voltage rises to a predetermined voltage is reached. In addition to the increase in length, there is a risk that the two semiconductor switching elements are simultaneously turned on and a short circuit occurs. Therefore, such a technique is not practical.

本発明の目的は、起動時間が短くてすみ、第2の半導体スイッチング素子が破壊されるのを確実に防止できるコンバータ装置及びその制御方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a converter device and a control method therefor that can prevent the second semiconductor switching element from being destroyed with a short start-up time.

本発明の方法が制御対象とするコンバータ装置は、逆流阻止用ダイオードを介して直流電源に接続される入力側コンデンサと、出力側コンデンサと、第1及び第2の半導体スイッチング素子と、インダクタとを備えている。そして正極出力端子側に第2の半導体スイッチング素子が位置するように直列に接続された第1及び第2の半導体スイッチング素子が出力側コンデンサに対して並列接続されている。また第1の半導体スイッチング素子と第2の半導体スイッチング素子との接続点と入力側コンデンサの一端との間にインダクタが配置されている。第1及び第2の半導体スイッチング素子のオン・オフを制御することにより出力側コンデンサの両端電圧が昇圧する。このようなコンバータ装置を制御する場合において、特に起動時において、本発明の制御方法では、出力側コンデンサから第2の半導体スイッチング素子を通して入力側コンデンサに流れる単位時間当たりの電流値が、第2の半導体スイッチング素子を破壊することがない許容値以下になるように、第2の半導体スイッチング素子の初期導通角を第1の半導体スイッチング素子の初期導通角よりも小さく設定する。その上で、出力側コンデンサの両端電圧が所定の値に上昇するまでは第2の半導体スイッチング素子の導通角を徐々に増加させるように第1及び第2の半導体スイッチング素子の導通を制御する。   A converter device to be controlled by the method of the present invention includes an input side capacitor connected to a DC power source via a backflow prevention diode, an output side capacitor, first and second semiconductor switching elements, and an inductor. I have. And the 1st and 2nd semiconductor switching element connected in series so that the 2nd semiconductor switching element may be located in the positive electrode output terminal side is connected in parallel with respect to the output side capacitor. An inductor is disposed between a connection point between the first semiconductor switching element and the second semiconductor switching element and one end of the input side capacitor. By controlling on / off of the first and second semiconductor switching elements, the voltage across the output capacitor is boosted. In the case of controlling such a converter device, particularly at the time of start-up, according to the control method of the present invention, the current value per unit time flowing from the output-side capacitor to the input-side capacitor through the second semiconductor switching element is the second value. The initial conduction angle of the second semiconductor switching element is set to be smaller than the initial conduction angle of the first semiconductor switching element so that the semiconductor switching element does not break down to an allowable value or less. Then, the conduction of the first and second semiconductor switching elements is controlled so that the conduction angle of the second semiconductor switching element is gradually increased until the voltage across the output capacitor rises to a predetermined value.

前述のように第2の半導体スイッチング素子の初期導通角を第1の半導体スイッチング素子の初期導通角よりも小さく設定すれば、起動時の最初から第2の半導体スイッチング素子をオン・オフ制御しても、出力側コンデンサにチャージされた電荷に基づいて第2の半導体スイッチング素子を流れる電流が、過電流となることがない。そのため第2の半導体スイッチング素子が破壊されることと、入力側コンデンサが破損することを防止することができる。また本発明の制御方法によれば、起動時から第2の半導体スイッチング素子のオン・オフ制御を行うため、出力側コンデンサの端子電圧を速やかに上昇させることができて、起動時間を短くすることができる。   As described above, if the initial conduction angle of the second semiconductor switching element is set smaller than the initial conduction angle of the first semiconductor switching element, the second semiconductor switching element is controlled to be turned on / off from the beginning at the time of start-up. However, the current flowing through the second semiconductor switching element based on the electric charge charged in the output side capacitor does not become an overcurrent. Therefore, it is possible to prevent the second semiconductor switching element from being destroyed and the input side capacitor from being damaged. Further, according to the control method of the present invention, since the on / off control of the second semiconductor switching element is performed from the start-up, the terminal voltage of the output-side capacitor can be quickly raised and the start-up time can be shortened. Can do.

本発明の方法を実施するコンバータ装置は、一対の直流入力端子の一方の直流入力端子にアノードが接続された逆流阻止用ダイオードを備えている。またこの逆流阻止用ダイオードのカソードと一対の直流入力端子の他方の直流入力端子との間に配置された入力側コンデンサを備えている。さらに逆流阻止用ダイオードのカソードと入力コンデンサの一端との接続点に一端が接続されたインダクタと、一対の直流出力端子間に配置された出力側コンデンサとを備えている。そしてインダクタの他端と入力側コンデンサの他端との間に配置された第1の半導体スイッチング素子と、第1の半導体スイッチング素子に対して逆並列接続された第1のダイオードとを備えている。またインダクタの他端と一対の直流出力端子の一方の直流出力端子との間に配置された第2の半導体スイッチング素子と、第2の半導体スイッチング素子に対して逆並列接続された第2のダイオードとを備えている。そして本発明のコンバータ装置は、第1及び第2の半導体スイッチング素子の導通角を制御する導通角制御信号を発生する導通角制御信号発生回路を備えており、交互に導通する第1及び第2の半導体スイッチング素子のそれぞれの導通角を変えて一対の直流出力端子から出力される直流電圧を昇圧する。   A converter device for carrying out the method of the present invention includes a backflow prevention diode having an anode connected to one DC input terminal of a pair of DC input terminals. An input-side capacitor is provided between the cathode of the reverse current blocking diode and the other DC input terminal of the pair of DC input terminals. Furthermore, an inductor having one end connected to a connection point between the cathode of the backflow prevention diode and one end of the input capacitor, and an output side capacitor disposed between the pair of DC output terminals are provided. A first semiconductor switching element disposed between the other end of the inductor and the other end of the input-side capacitor, and a first diode connected in antiparallel to the first semiconductor switching element. . Also, a second semiconductor switching element disposed between the other end of the inductor and one DC output terminal of the pair of DC output terminals, and a second diode connected in antiparallel to the second semiconductor switching element And has. The converter device according to the present invention includes a conduction angle control signal generation circuit for generating a conduction angle control signal for controlling the conduction angle of the first and second semiconductor switching elements, and the first and second conducting alternately. The DC voltage output from the pair of DC output terminals is boosted by changing the conduction angle of each of the semiconductor switching elements.

本発明のコンバータ装置では、起動時において、出力側コンデンサから第2の半導体スイッチング素子を通して入力側コンデンサに流れる単位時間当たりの電流値が、第2の半導体スイッチング素子を破壊することがない許容値以下になるように、第2の半導体スイッチング素子の初期導通角を第1の半導体スイッチング素子の初期導通角よりも小さく設定する。そして出力側コンデンサの両端電圧が所定の値に上昇するまでは第2の半導体スイッチング素子の導通角を徐々に増加させる導通角制御信号を発生するように導通角制御信号発生回路を構成する。ここで「所定の値」とは、昇圧指令によって指定されている目標電圧を意味する。本発明のコンバータ装置によれば、本発明の制御方法と同様に、起動時から第2の半導体スイッチング素子のオン・オフ制御を行うため、出力側コンデンサの端子電圧を速やかに上昇させることができて、起動時間を短くすることができる。また起動時の過電流によって、第2の半導体スイッチング素子が破壊されること、及び入力コンデンサが破損することを確実に防止することができる。   In the converter device of the present invention, the current value per unit time flowing from the output-side capacitor to the input-side capacitor through the second semiconductor switching element at the time of start-up is less than an allowable value that does not destroy the second semiconductor switching element. The initial conduction angle of the second semiconductor switching element is set to be smaller than the initial conduction angle of the first semiconductor switching element. The conduction angle control signal generating circuit is configured to generate a conduction angle control signal that gradually increases the conduction angle of the second semiconductor switching element until the voltage across the output capacitor rises to a predetermined value. Here, the “predetermined value” means the target voltage specified by the boost command. According to the converter device of the present invention, as in the control method of the present invention, the on / off control of the second semiconductor switching element is performed from the start time, so that the terminal voltage of the output-side capacitor can be quickly increased. Thus, the startup time can be shortened. In addition, it is possible to reliably prevent the second semiconductor switching element from being destroyed and the input capacitor from being damaged by the overcurrent at the time of startup.

より具体的な導通角制御信号発生回路は、検出回路と、A/D変換回路と、演算回路とドライブ回路とを備えている。検出回路は、入力側コンデンサの両端電圧V10と、出力側コンデンサの両端電圧V20と、インダクタを流れる電流I10を検出する。検出回路から出力される電圧V11、電圧V21及び電流I11は、A/D変換回路により、デジタル量の電圧V12、電圧V22及び電流I12にA/D変換される。演算回路は、A/D変換回路の出力を入力として、第1及び第2の半導体スイッチング素子の導通角を制御する第1及び第2の導通角制御信号G1及びG2を発生するために用いる第1及び第2のゲート信号g1及びg2を演算により求める。そしてドライブ回路は、第1及び第2のゲート信号g1及びg2を入力として第1及び第2の導通角制御信号G1及びG2を発生する。ここで演算回路は、起動時及び運転時において下記の式を実行する。   More specifically, the conduction angle control signal generating circuit includes a detection circuit, an A / D conversion circuit, an arithmetic circuit, and a drive circuit. The detection circuit detects a voltage V10 across the input capacitor, a voltage V20 across the output capacitor, and a current I10 flowing through the inductor. The voltage V11, voltage V21, and current I11 output from the detection circuit are A / D converted into digital voltage V12, voltage V22, and current I12 by the A / D conversion circuit. The arithmetic circuit uses the output of the A / D conversion circuit as an input and generates first and second conduction angle control signals G1 and G2 for controlling the conduction angles of the first and second semiconductor switching elements. The first and second gate signals g1 and g2 are obtained by calculation. The drive circuit receives the first and second gate signals g1 and g2 and generates the first and second conduction angle control signals G1 and G2. Here, the arithmetic circuit executes the following expression at the time of start-up and operation.

Zn={(Yn−V22)×K1/(1+ST)}+Yn−I12
そして演算結果ZnをPWM信号処理することにより第1及び第2のゲート信号を出力するように演算回路は構成されている。ここでYn=Vb×Xnであり、Vbは基準電圧、Xnは変数、K1は定数である。基準電圧Vbとは、コンバータ装置で昇圧する目標電圧である。また変数Xnは、Xn=Xn-1+ΔX(n=1、2,3・・・)を単位時間間隔でXn=1になるまで演算を行って得る値である。ただしΔX<1の任意の値である。1度演算動作をするたびにXn-1の値が前のXnの値に変わる。ΔXの値は、出力側コンデンサから第2の半導体スイッチング素子を通して入力側コンデンサに流れる単位時間当たりの電流値が第2の半導体スイッチング素子を破壊することがない許容値以下になるように定められた任意の値である。
Zn = {(Yn−V22) × K1 / (1 + ST)} + Yn−I12
The arithmetic circuit is configured to output the first and second gate signals by subjecting the arithmetic result Zn to PWM signal processing. Here, Yn = Vb × Xn, Vb is a reference voltage, Xn is a variable, and K1 is a constant. The reference voltage Vb is a target voltage boosted by the converter device. The variable Xn is a value obtained by calculating Xn = Xn-1 + ΔX (n = 1, 2, 3...) Until Xn = 1 at unit time intervals. However, it is an arbitrary value of ΔX <1. Each time an operation is performed, the value of Xn-1 changes to the previous value of Xn. The value of ΔX is determined so that the current value per unit time flowing from the output-side capacitor to the input-side capacitor through the second semiconductor switching element is equal to or less than an allowable value that does not destroy the second semiconductor switching element. It is an arbitrary value.

またXn-1の初期値X0は、X0={V22+K0×(V22−V12)}/Vbの演算式により求める。ここでK0は基準電圧Vbと、入力側コンデンサ及び出力側コンデンサの容量と、負荷状態とにより決まる定数である。この初期値X0とΔXの値とにより、第1の半導体スイッチング素子の初期導通角が決まる。上記Znの信号により、第1の半導体スイッチング素子の導通角を決定し、結果として第2の半導体スイッチング素子の導通角が決まる。なお演算回路のPWM信号は、第1のゲート信号g1と第2のゲート信号g2とが同時に発生しない(ゲート信号が対応する半導体スイッチング素子を同時にオン状態にしない)ように、第1のゲート信号g1と第2のゲート信号g2との間にデッドタイムを付加している。   Further, the initial value X0 of Xn-1 is obtained from the arithmetic expression of X0 = {V22 + K0 * (V22-V12)} / Vb. Here, K0 is a constant determined by the reference voltage Vb, the capacities of the input side capacitor and the output side capacitor, and the load state. The initial conduction angle of the first semiconductor switching element is determined by the initial value X0 and the value of ΔX. The conduction angle of the first semiconductor switching element is determined by the Zn signal, and as a result, the conduction angle of the second semiconductor switching element is determined. Note that the PWM signal of the arithmetic circuit is the first gate signal so that the first gate signal g1 and the second gate signal g2 are not generated at the same time (the semiconductor switching element to which the gate signal corresponds is not simultaneously turned on). A dead time is added between g1 and the second gate signal g2.

本発明によれば、半導体スイッチング素子を流れる電流が、過電流となることがないので、第2の半導体スイッチング素子が、破壊されるのを防止することができる利点がある。また本発明によれば、起動時から第2の半導体スイッチング素子のオン・オフ制御を行うため、出力側コンデンサの端子電圧を速やかに上昇させることができて、起動時間を短くすることができる利点がある。   According to the present invention, since the current flowing through the semiconductor switching element does not become an overcurrent, there is an advantage that the second semiconductor switching element can be prevented from being destroyed. Further, according to the present invention, since the second semiconductor switching element is controlled to be turned on / off from the time of startup, the terminal voltage of the output-side capacitor can be quickly increased and the startup time can be shortened. There is.

以下図面を参照して本発明の実施の形態の一例を詳細に説明する。図1は、本発明の方法を実施する本発明のコンバータ装置の実施の形態の一例の主たる回路図である。図1においては、直流電源Eの出力部にコンバータCONVの直流入力端子P1,N1が接続されている。コンバータCONVは、一対の直流入力端子P1,N1の一方の直流入力端子P1(正極端子)にアノードが接続された逆流阻止用ダイオードD3を有している。逆流阻止用ダイオードD3のカソードと一対の直流入力端子P1,N1の他方の直流入力端子N1(負極端子)との間には、入力側コンデンサC1が接続されている。また逆流阻止用ダイオードD3のカソードと入力コンデンサC1の一端(非負極端子)との接続点には、インダクタL1の一端が接続されている。また一対の直流出力端子P2,N2間には出力側コンデンサC2が接続されている。   Hereinafter, an example of an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a main circuit diagram of an example of an embodiment of a converter device according to the present invention for carrying out the method according to the present invention. In FIG. 1, DC input terminals P1 and N1 of a converter CONV are connected to an output portion of a DC power supply E. The converter CONV includes a backflow prevention diode D3 having an anode connected to one DC input terminal P1 (positive terminal) of the pair of DC input terminals P1 and N1. An input-side capacitor C1 is connected between the cathode of the reverse current blocking diode D3 and the other DC input terminal N1 (negative electrode terminal) of the pair of DC input terminals P1 and N1. Further, one end of the inductor L1 is connected to a connection point between the cathode of the backflow prevention diode D3 and one end (non-negative terminal) of the input capacitor C1. An output-side capacitor C2 is connected between the pair of DC output terminals P2 and N2.

インダクタL1の他端と入力側コンデンサC1の他端(負極端子)との間にはIGBT等のトランジスタスイッチからなる第1の半導体スイッチング素子Q1のコレクタ・エミッタ回路(IGBTであればドレイン・ソース回路)が並列に接続されている。そして第1の半導体スイッチング素子Q1を構成するトランジスタスイッチのコレクタ・エミッタ回路に対しては第1のダイオードD1が逆並列接続されている。   Between the other end of the inductor L1 and the other end (negative terminal) of the input-side capacitor C1, a collector / emitter circuit (a drain / source circuit in the case of an IGBT) of a first semiconductor switching element Q1 including a transistor switch such as an IGBT. ) Are connected in parallel. A first diode D1 is connected in antiparallel to the collector / emitter circuit of the transistor switch constituting the first semiconductor switching element Q1.

またインダクタL1の他端と一対の直流出力端子P2,N2の一方の直流出力端子P2(正極端子)との間には、IGBT等のトランジスタスイッチからなる第2の半導体スイッチング素子Q2のコレクタ・エミッタ回路(IGBTであればドレイン・ソース回路)が接続されている。そして第2の半導体スイッチング素子Q2を構成するトランジスタスイッチのコレクタ・エミッタ回路に対しては第2のダイオードD2が逆並列接続されている。コンバータ装置CONVは、第1及び第2の半導体スイッチング素子Q1及びQ2の導通角を制御する導通角制御信号G1及びG2を発生する導通角制御信号発生回路SGを備えている。   Further, between the other end of the inductor L1 and one DC output terminal P2 (positive terminal) of the pair of DC output terminals P2 and N2, a collector / emitter of a second semiconductor switching element Q2 including a transistor switch such as an IGBT. A circuit (a drain / source circuit in the case of IGBT) is connected. A second diode D2 is connected in antiparallel to the collector / emitter circuit of the transistor switch constituting the second semiconductor switching element Q2. The converter device CONV includes a conduction angle control signal generation circuit SG that generates conduction angle control signals G1 and G2 for controlling the conduction angles of the first and second semiconductor switching elements Q1 and Q2.

コンバータ装置CONVに入力された直流電圧は、逆流阻止用ダイオードD3を通り、入力側コンデンサC1とインダクタL1に供給される。本実施の形態では、運転開始(起動時)から第1及び第2の半導体スイッチング素子Q1,Q2を交互にON/OFF動作することにより出力直流電圧を所定の直流電圧まで昇圧する。入力側コンデンサC1及び出力側コンデンサC2の両端電圧V10及びV22は、導通角制御信号発生回路SGに入力される。またインダクタL1に流れる電流I10を検出する電流検出器CT1の出力も導通角制御信号発生回路SGに入力される。導通角制御信号発生回路SGからは、第1及び第2の半導体スイッチング素子Q1,Q2を交互にON/OFFするための第1及び第2の導通角制御信号G1,G2が出力される。本実施の形態では、起動時おいては、図2に示すような導通角制御信号G1,G2を用いる。   The DC voltage input to the converter device CONV passes through the backflow prevention diode D3 and is supplied to the input side capacitor C1 and the inductor L1. In the present embodiment, the output DC voltage is boosted to a predetermined DC voltage by alternately turning ON / OFF the first and second semiconductor switching elements Q1, Q2 from the start of operation (at the time of startup). Both-ends voltages V10 and V22 of the input side capacitor C1 and the output side capacitor C2 are input to the conduction angle control signal generation circuit SG. The output of the current detector CT1 that detects the current I10 flowing through the inductor L1 is also input to the conduction angle control signal generation circuit SG. The conduction angle control signal generation circuit SG outputs first and second conduction angle control signals G1, G2 for alternately turning on / off the first and second semiconductor switching elements Q1, Q2. In the present embodiment, conduction angle control signals G1 and G2 as shown in FIG.

図2から明らかなように、第2の半導体スイッチング素子Q2をオン・オフさせる第2の導通角制御信号G2では、最初の導通角制御信号G21の信号幅(第2の半導体スイッチング素子Q2の初期導通角に相当する)が、第1の半導体スイッチング素子Q1をオン・オフさせる最初の導通角制御信号G11の信号幅(第1の半導体スイッチング素子Q1の初期導通角に相当する)よりも狭くなっている。本実施の形態では、導通角制御信号発生回路SGは、起動時においては、出力側コンデンサC2から第2の半導体スイッチング素子Q2を通して入力側コンデンサC1に流れる単位時間当たりの電流値が、第2の半導体スイッチング素子Q2を破壊することがない許容値以下になるように、第2の半導体スイッチング素子Q2の初期導通角を第1の半導体スイッチング素子Q1の初期導通角よりも小さく設定している。そして導通角制御信号発生回路SGは、出力側コンデンサC2の両端電圧V20が所定の値(例えば約660V)に上昇するまでは第2の半導体スイッチング素子Q2の導通角を徐々に増加させるように信号幅が徐々に広くなる導通角制御信号G2(G21,G22,G23・・・)を発生する。また導通角制御信号発生回路SGが発生する第1の半導体スイッチング素子Q1を制御するための第1の導通角制御信号G1は、第2の導通角制御信号G2とは逆の関係にある。すなわち導通角制御信号発生回路SGは、出力側コンデンサC2の両端電圧V20が所定の値に上昇するまでは、第1の半導体スイッチング素子Q1の導通角を徐々に減少させるように信号幅が徐々に狭くなる第1の導通角制御信号G1(G11,G12,G13・・・)を発生する。   As apparent from FIG. 2, in the second conduction angle control signal G2 for turning on / off the second semiconductor switching element Q2, the signal width of the first conduction angle control signal G21 (the initial value of the second semiconductor switching element Q2). (Corresponding to the conduction angle) becomes narrower than the signal width of the first conduction angle control signal G11 for turning on / off the first semiconductor switching element Q1 (corresponding to the initial conduction angle of the first semiconductor switching element Q1). ing. In the present embodiment, the conduction angle control signal generation circuit SG has a current value per unit time flowing from the output-side capacitor C2 to the input-side capacitor C1 through the second semiconductor switching element Q2 at the time of startup. The initial conduction angle of the second semiconductor switching element Q2 is set to be smaller than the initial conduction angle of the first semiconductor switching element Q1 so that the semiconductor switching element Q2 is less than an allowable value that does not destroy the semiconductor switching element Q2. The conduction angle control signal generating circuit SG is a signal that gradually increases the conduction angle of the second semiconductor switching element Q2 until the voltage V20 across the output-side capacitor C2 rises to a predetermined value (for example, about 660 V). A conduction angle control signal G2 (G21, G22, G23...) Whose width is gradually increased is generated. Further, the first conduction angle control signal G1 for controlling the first semiconductor switching element Q1 generated by the conduction angle control signal generation circuit SG is opposite to the second conduction angle control signal G2. That is, the conduction angle control signal generation circuit SG gradually increases the signal width so as to gradually decrease the conduction angle of the first semiconductor switching element Q1 until the voltage V20 across the output side capacitor C2 rises to a predetermined value. A first conduction angle control signal G1 (G11, G12, G13...) That is narrowed is generated.

このような第1及び第2の導通角制御信号G1及びG2を発生する導通角制御信号発生回路SGは、図3に示す構成を有している。図3に示した導通角制御信号発生回路SGは、検出回路1と、A/D変換回路2と、演算回路3とドライブ回路4とを備えている。検出回路1は、入力側コンデンサC1の両端電圧V10と、出力側コンデンサC2の両端電圧V20と、インダクタL1を流れる電流I10を検出する。検出回路1から出力される電圧V11、電圧V21及び電流I11は、A/D変換回路2により、デジタル量の電圧V12、電圧V22及び電流I12にA/D変換される。演算回路3は、A/D変換回路2の出力を入力として、第1及び第2の半導体スイッチング素子Q1及びQ2の導通角を制御する第1及び第2の導通角制御信号G1及びG2を発生するために用いる第1及び第2のゲート信号g1及びg2を演算により求める。そしてドライブ回路4は、第1及び第2のゲート信号g1及びg2を信号を絶縁した状態で、第1及び第2のゲート信号g1及びg2を入力としてその信号レベルを変換した第1及び第2の導通角制御信号G1及びG2を発生する。演算回路3は、中央演算処理装置CPUから構成されている。なお演算回路3を中央演算処理装置CPUによって構成する場合には、A/D変換回路2をこの中央演算処理装置CPUに含まれる回路構成で実現してもよいのは勿論である。図4には、この演算回路3で行う演算処理をブロック線図で示してある。   The conduction angle control signal generation circuit SG that generates the first and second conduction angle control signals G1 and G2 has the configuration shown in FIG. The conduction angle control signal generation circuit SG shown in FIG. 3 includes a detection circuit 1, an A / D conversion circuit 2, an arithmetic circuit 3, and a drive circuit 4. The detection circuit 1 detects the voltage V10 across the input capacitor C1, the voltage V20 across the output capacitor C2, and the current I10 flowing through the inductor L1. The voltage V11, voltage V21, and current I11 output from the detection circuit 1 are A / D converted by the A / D conversion circuit 2 into digital voltage V12, voltage V22, and current I12. The arithmetic circuit 3 receives the output of the A / D conversion circuit 2 and generates first and second conduction angle control signals G1 and G2 for controlling the conduction angles of the first and second semiconductor switching elements Q1 and Q2. First and second gate signals g1 and g2 used for the calculation are obtained by calculation. Then, the drive circuit 4 receives the first and second gate signals g1 and g2 in the state where the first and second gate signals g1 and g2 are insulated from each other, and converts the signal level of the first and second gate signals g1 and g2. Conduction angle control signals G1 and G2 are generated. The arithmetic circuit 3 is composed of a central processing unit CPU. When the arithmetic circuit 3 is constituted by the central processing unit CPU, it is needless to say that the A / D conversion circuit 2 may be realized by a circuit configuration included in the central processing unit CPU. FIG. 4 is a block diagram showing the arithmetic processing performed by the arithmetic circuit 3.

演算回路3では、起動時及び運転時において下記の式の演算を実行する。   In the arithmetic circuit 3, the following equation is calculated at the time of start-up and operation.

Zn={(Yn−V22)×K1/(1+ST)}+Yn−I12
そして演算結果ZnをPWM信号処理することにより第1及び第2のゲート信号g1及びg2を出力するように演算回路3は構成されている。なお演算回路3は、第1のゲート信号g1と第2のゲート信号g2とが同時に発生しない(ゲート信号が対応する半導体スイッチング素子を同時にオン状態にしない)ように、第1のゲート信号g1と第2のゲート信号g2との間にデッドタイムを付加する機能を有している。
Zn = {(Yn−V22) × K1 / (1 + ST)} + Yn−I12
The arithmetic circuit 3 is configured to output the first and second gate signals g1 and g2 by subjecting the arithmetic result Zn to PWM signal processing. The arithmetic circuit 3 uses the first gate signal g1 and the second gate signal g2 so that the first gate signal g1 and the second gate signal g2 are not generated at the same time (the semiconductor switching elements corresponding to the gate signals are not simultaneously turned on). It has a function of adding a dead time to the second gate signal g2.

ここでYn=Vb×Xnであり、Vbは基準電圧、Xnは変数、K1は定数である。K1は、出力電圧の安定度に基づいて定める。なお本実施の形態では、K1を2〜10の間の値と定めている。また基準電圧Vbとは、コンバータ装置CONVの通常の昇圧動作の目標電圧である。本実施の形態では、基準電圧Vbを660Vと定めている。   Here, Yn = Vb × Xn, Vb is a reference voltage, Xn is a variable, and K1 is a constant. K1 is determined based on the stability of the output voltage. In the present embodiment, K1 is set to a value between 2 and 10. The reference voltage Vb is a target voltage for normal boosting operation of the converter device CONV. In the present embodiment, the reference voltage Vb is set to 660V.

また変数Xnは、Xn=Xn-1+ΔX(n=1、2,3・・・)を単位時間間隔でXn=1になるまで演算を行って得る値である。ただしΔX<1の任意の値である。演算回路3が一度演算動作をするたびにXn-1の値が前のXnの値に変わる。   The variable Xn is a value obtained by calculating Xn = Xn-1 + ΔX (n = 1, 2, 3...) Until Xn = 1 at unit time intervals. However, it is an arbitrary value of ΔX <1. Each time the arithmetic circuit 3 performs an arithmetic operation, the value of Xn-1 changes to the previous value of Xn.

ΔXの値は、出力側コンデンサC2から第2の半導体スイッチング素子Q2を通して入力側コンデンサC1に流れる単位時間当たりの電流値が第2の半導体スイッチング素子Q2を破壊することがない許容値以下になるように定められた任意の値である。本実施の形態では、具体的には、ΔXを0.00005〜0.0002の間の値としている。   The value of ΔX is such that the current value per unit time flowing from the output-side capacitor C2 to the input-side capacitor C1 through the second semiconductor switching element Q2 is less than an allowable value that does not destroy the second semiconductor switching element Q2. It is an arbitrary value defined in. In this embodiment, specifically, ΔX is a value between 0.00005 and 0.0002.

またXn-1の初期値X0は、X0={V22+K0×(V22−V12)}/Vbの演算式により求める。ここでK0は基準電圧Vbと、入力側コンデンサ及び出力側コンデンサの容量と、負荷状態とにより決まる定数である。本実施の形態では、定数K0として、0.01〜0.2の値を設定している。この初期値X0とΔXの値とにより、第1の半導体スイッチング素子Q1の導通角が決まることになる。上記Znの信号により、第1の半導体スイッチング素子Q1の導通角が決定され、結果として第2の半導体スイッチング素子Q2の初期導通角が決定される。なおドライブ回路4は、第1及び第2のゲート信号g1及びg2を信号を絶縁した状態で、第1及び第2のゲート信号g1及びg2の信号レベルを変換した第1及び第2の導通角制御信号G1及びG2を発生する。   Further, the initial value X0 of Xn-1 is obtained from the arithmetic expression of X0 = {V22 + K0 * (V22-V12)} / Vb. Here, K0 is a constant determined by the reference voltage Vb, the capacities of the input side capacitor and the output side capacitor, and the load state. In the present embodiment, a value of 0.01 to 0.2 is set as the constant K0. The conduction angle of the first semiconductor switching element Q1 is determined by the initial value X0 and the value of ΔX. The conduction angle of the first semiconductor switching element Q1 is determined by the Zn signal, and as a result, the initial conduction angle of the second semiconductor switching element Q2 is determined. The drive circuit 4 converts the signal levels of the first and second gate signals g1 and g2 in a state where the first and second gate signals g1 and g2 are insulated from each other. Control signals G1 and G2 are generated.

ちなみに発明が解決しようとする課題で説明した従来提案されている技術のように第2の半導体スイッチング素子Q2を最初は動作させずに、途中から第2の半導体スイッチング素子Q2を動作させる場合に必要な第1及び第2の導通角制御信号G1及びG2のタイムチャートは、図5のようになる。図2の本実施の形態で用いる第1及び第2の導通角制御信号G1及びG2のタイムチャートと比較すると分かるように、従来の方法では、第1の半導体スイッチング素子Q1の導通角が徐々に大きくなるため、出力側コンデンサC2の充電に時間がかかり、起動時において電圧が基準電圧Vbに達するまでに時間がかかる。これに対して、本発明の実施の形態によれば、起動時の最初から第1の半導体スイッチング素子Q1の導通角は広く、また第2の半導体スイッチング素子Q2もオン・オフを実行するため、出力側コンデンサC2の充電速度が速く、従来の方法よりも素早く起動することができる。   Incidentally, it is necessary when the second semiconductor switching element Q2 is operated from the middle without first operating the second semiconductor switching element Q2 as in the conventionally proposed technique described in the problem to be solved by the invention. The time chart of the first and second conduction angle control signals G1 and G2 is as shown in FIG. As can be seen from comparison with the time charts of the first and second conduction angle control signals G1 and G2 used in the present embodiment in FIG. 2, in the conventional method, the conduction angle of the first semiconductor switching element Q1 gradually increases. Therefore, it takes time to charge the output side capacitor C2, and it takes time for the voltage to reach the reference voltage Vb at the time of startup. On the other hand, according to the embodiment of the present invention, the conduction angle of the first semiconductor switching element Q1 is wide from the beginning at the time of starting, and the second semiconductor switching element Q2 is also turned on / off. The charging speed of the output-side capacitor C2 is fast and can be activated more quickly than the conventional method.

なお起動が完了した後は、Xnが1となり、以後基準電圧Vbを維持するように第1及び第2の導通角制御信号G1及びG2が出力される。さらに昇圧する場合には、基準電圧Vbを変更することになる。   After the start-up is completed, Xn becomes 1, and thereafter, the first and second conduction angle control signals G1 and G2 are output so as to maintain the reference voltage Vb. In the case of further boosting, the reference voltage Vb is changed.

本実施の形態によれば、起動時の過電圧、過電流を防止しながら、起動開始時間を短縮できる。   According to the present embodiment, it is possible to shorten the startup start time while preventing overvoltage and overcurrent at startup.

本発明の方法を実施する本発明のコンバータ装置の実施の形態の一例の主たる回路図である。It is a main circuit diagram of an example of an embodiment of a converter device of the present invention that implements the method of the present invention. 図1のコンバータ装置で起動時に用いる第1及び第2の導通角制御信号のタイムチャートを示す図である。It is a figure which shows the time chart of the 1st and 2nd conduction angle control signal used at the time of starting with the converter apparatus of FIG. 導通角制御信号発生回路の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of a conduction angle control signal generation circuit. 図3の導通角制御信号発生回路の信号処理を示すブロック線図である。It is a block diagram which shows the signal processing of the conduction angle control signal generation circuit of FIG. 従来の方法で起動する場合に用いる第1及び第2の導通角制御信号のタイムチャートを示す図である。It is a figure which shows the time chart of the 1st and 2nd conduction angle control signal used when starting by the conventional method.

符号の説明Explanation of symbols

1 検出回路
2 A/D変換回路
3 演算回路
4 ドライブ回路
CONV コンバータ装置
C1 入力側コンデンサ
C2 出力側コンデンサ
Q1 第1の半導体スイッチング素子
Q2 第2の半導体スイッチング素子
D3 逆流阻止用ダイオード
L1 インダクタ
CT1 電流検出器
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Detection circuit 2 A / D conversion circuit 3 Arithmetic circuit 4 Drive circuit
CONV converter device C1 input side capacitor C2 output side capacitor Q1 first semiconductor switching element Q2 second semiconductor switching element D3 reverse current blocking diode L1 inductor CT1 current detector

Claims (3)

逆流阻止用ダイオードを介して直流電源に接続される入力側コンデンサと、出力側コンデンサと、第1及び第2の半導体スイッチング素子と、インダクタとを備え、正極出力端子側に前記第2の半導体スイッチング素子が位置するように直列に接続された前記第1及び第2の半導体スイッチング素子が前記出力側コンデンサに対して並列接続され、前記第1の半導体スイッチング素子と前記第2の半導体スイッチング素子との接続点と前記入力側コンデンサの一端との間に前記インダクタが配置されて構成されてなるコンバータ装置を、前記第1及び第2の半導体スイッチング素子のオン・オフを制御することにより前記出力側コンデンサの両端電圧を昇圧させるコンバータ装置の制御方法であって、
起動時において、前記出力側コンデンサから前記第2の半導体スイッチング素子を通して前記入力側コンデンサに流れる単位時間当たりの電流値が、前記第2の半導体スイッチング素子を破壊することがない許容値以下になるように、前記第2の半導体スイッチング素子の初期導通角を前記第1の半導体スイッチング素子の初期導通角よりも小さく設定し且つ前記出力側コンデンサの前記両端電圧が所定の値に上昇するまでは前記第2の半導体スイッチング素子の導通角を徐々に増加させるように前記第1及び第2の半導体スイッチング素子の導通を制御することを特徴とするコンバータ装置の制御方法。
An input side capacitor connected to a DC power source via a reverse current blocking diode, an output side capacitor, first and second semiconductor switching elements, and an inductor, and the second semiconductor switching on the positive output terminal side The first and second semiconductor switching elements connected in series so that the element is positioned are connected in parallel to the output-side capacitor, and the first semiconductor switching element and the second semiconductor switching element A converter device configured by arranging the inductor between a connection point and one end of the input-side capacitor, and controlling the on / off of the first and second semiconductor switching elements to control the output-side capacitor A method of controlling a converter device that boosts the voltage across both ends of
At the time of start-up, the current value per unit time flowing from the output-side capacitor to the input-side capacitor through the second semiconductor switching element is not more than an allowable value that does not destroy the second semiconductor switching element. In addition, until the initial conduction angle of the second semiconductor switching element is set smaller than the initial conduction angle of the first semiconductor switching element and the voltage across the output capacitor rises to a predetermined value, A control method for a converter device, wherein the conduction of the first and second semiconductor switching elements is controlled so as to gradually increase the conduction angle of the two semiconductor switching elements.
一対の直流入力端子の一方の直流入力端子にアノードが接続された逆流阻止用ダイオードと、
前記逆流阻止用ダイオードのカソードと前記一対の直流入力端子の他方の直流入力端子との間に配置された入力側コンデンサと、
前記逆流阻止用ダイオードのカソードと前記入力コンデンサの一端との接続点に一端が接続されたインダクタと、
一対の直流出力端子間に配置された出力側コンデンサと、
前記インダクタの他端と前記入力側コンデンサの他端との間に配置された第1の半導体スイッチング素子と、
前記第1の半導体スイッチング素子に対して逆並列接続された第1のダイオードと、
前記インダクタの他端と前記一対の直流出力端子の一方の直流出力端子との間に配置された第2の半導体スイッチング素子と、
前記第2の半導体スイッチング素子に対して逆並列接続された第2のダイオードと、
前記第1及び第2の半導体スイッチング素子の導通角を制御する導通角制御信号を発生する導通角制御信号発生回路とを備え、
交互に導通する前記第1及び第2の半導体スイッチング素子のそれぞれの前記導通角を変えて前記一対の直流出力端子から出力される直流電圧を昇圧するコンバータ装置であって、
前記導通角制御信号発生回路が、起動時において、前記出力側コンデンサから前記第2の半導体スイッチング素子を通して前記入力側コンデンサに流れる単位時間当たりの電流値が、前記第2の半導体スイッチング素子を破壊することがない許容値以下になるように、前記第2の半導体スイッチング素子の初期導通角を前記第1の半導体スイッチング素子の初期導通角よりも小さく設定し且つ前記出力側コンデンサの両端電圧が所定の値に上昇するまでは前記第2の半導体スイッチング素子の導通角を徐々に増加させる導通角制御信号を発生するように構成されていることを特徴とするコンバータ装置。
A backflow prevention diode having an anode connected to one DC input terminal of the pair of DC input terminals;
An input-side capacitor disposed between the cathode of the reverse current blocking diode and the other DC input terminal of the pair of DC input terminals;
An inductor having one end connected to a connection point between the cathode of the reverse current blocking diode and one end of the input capacitor;
An output-side capacitor disposed between a pair of DC output terminals;
A first semiconductor switching element disposed between the other end of the inductor and the other end of the input-side capacitor;
A first diode connected in antiparallel to the first semiconductor switching element;
A second semiconductor switching element disposed between the other end of the inductor and one DC output terminal of the pair of DC output terminals;
A second diode connected in anti-parallel to the second semiconductor switching element;
A conduction angle control signal generating circuit for generating a conduction angle control signal for controlling a conduction angle of the first and second semiconductor switching elements;
A converter device for boosting a DC voltage output from the pair of DC output terminals by changing the conduction angle of each of the first and second semiconductor switching elements that are alternately conducted;
When the conduction angle control signal generating circuit is activated, the current value per unit time flowing from the output capacitor through the second semiconductor switching element to the input capacitor destroys the second semiconductor switching element. The initial conduction angle of the second semiconductor switching element is set to be smaller than the initial conduction angle of the first semiconductor switching element so that the voltage across the output capacitor is a predetermined value so A converter device configured to generate a conduction angle control signal for gradually increasing the conduction angle of the second semiconductor switching element until the value rises.
前記導通角制御信号発生回路は、前記入力側コンデンサの前記両端電圧V10と、前記出力側コンデンサの前記両端電圧V20と、前記インダクタを流れる電流I10を検出する検出回路と、
前記検出回路から出力される前記電圧V11、前記電圧V21及び電流I11をA/D変換してデジタル量の電圧V12、電圧V22及び電流I12を出力するA/D変換回路と、前記A/D変換回路の出力を入力として、前記第1及び第2の半導体スイッチング素子の導通角を制御する第1及び第2の導通角制御信号G1及びG2を発生するために用いる第1及び第2のゲート信号g1及びg2を演算により求める演算回路と、前記第1及び第2のゲート信号g1及びg2を入力として前記第1及び第2の導通角制御信号G1及びG2を発生するドライブ回路とを備え、
前記演算回路は、起動時及び運転時において、
Zn={(Yn−V22)×K1/(1+ST)}+Yn−I12
の演算を行って、演算結果ZnをPWM信号処理することにより前記第1及び第2のゲート信号を出力するように構成され、
ここでYn=Vb×Xnであり、Vbは基準電圧、Xnは変数、K1は定数であり、
変数Xnは、Xn=Xn-1+ΔX(n=1、2,3・・・)を単位時間間隔でXn=1になるまで演算を行って得る値であり、ただしΔX<1であり、またΔXは前記出力側コンデンサから前記第2の半導体スイッチング素子を通して前記入力側コンデンサに流れる単位時間当たりの電流値が前記第2の半導体スイッチング素子を破壊することがない許容値以下になるように定められた任意の値であり、
Xn-1の初期値X0をX0={V22+K0×(V22−V12)}/Vbの演算式により求め、
ここでK0は前記基準電圧Vbと、前記入力側コンデンサ及び出力側コンデンサの容量と、負荷状態とにより決まる定数であることを特徴とする請求項2に記載のコンバータ装置。
The conduction angle control signal generation circuit includes: a detection circuit that detects the voltage V10 across the input capacitor; the voltage V20 across the output capacitor; and a current I10 flowing through the inductor;
An A / D conversion circuit for A / D converting the voltage V11, the voltage V21 and the current I11 output from the detection circuit to output a digital voltage V12, a voltage V22 and a current I12, and the A / D conversion First and second gate signals used to generate first and second conduction angle control signals G1 and G2 that control the conduction angles of the first and second semiconductor switching elements by using the output of the circuit as an input. an arithmetic circuit for obtaining g1 and g2 by calculation, and a drive circuit for generating the first and second conduction angle control signals G1 and G2 by using the first and second gate signals g1 and g2 as inputs,
The arithmetic circuit is at start-up and operation,
Zn = {(Yn−V22) × K1 / (1 + ST)} + Yn−I12
And the first and second gate signals are output by processing the calculation result Zn by PWM signal processing,
Here, Yn = Vb × Xn, Vb is a reference voltage, Xn is a variable, K1 is a constant,
The variable Xn is a value obtained by calculating Xn = Xn-1 + ΔX (n = 1, 2, 3...) At unit time intervals until Xn = 1, where ΔX <1, and ΔX Is determined such that the current value per unit time flowing from the output capacitor to the input capacitor through the second semiconductor switching element is less than an allowable value that does not destroy the second semiconductor switching element. Any value,
An initial value X0 of Xn-1 is obtained by an arithmetic expression of X0 = {V22 + K0 × (V22−V12)} / Vb,
3. The converter device according to claim 2, wherein K0 is a constant determined by the reference voltage Vb, the capacities of the input side capacitor and the output side capacitor, and a load state.
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