JP2005340964A - Microwave supply system - Google Patents

Microwave supply system Download PDF

Info

Publication number
JP2005340964A
JP2005340964A JP2004153798A JP2004153798A JP2005340964A JP 2005340964 A JP2005340964 A JP 2005340964A JP 2004153798 A JP2004153798 A JP 2004153798A JP 2004153798 A JP2004153798 A JP 2004153798A JP 2005340964 A JP2005340964 A JP 2005340964A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microwave
flange
choke
supply system
processing unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004153798A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideo Kurashima
秀夫 倉島
Akira Kobayashi
亮 小林
Yasutetsu Onozawa
康哲 小野澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyo Seikan Group Holdings Ltd
Original Assignee
Toyo Seikan Kaisha Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyo Seikan Kaisha Ltd filed Critical Toyo Seikan Kaisha Ltd
Priority to JP2004153798A priority Critical patent/JP2005340964A/en
Publication of JP2005340964A publication Critical patent/JP2005340964A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a microwave supply system wherein a transmission means with an excellent transmission characteristic and almost without causing deterioration or the like to a microwave supplies the stable microwave to a movable microwave processing section which efficiently therein generating plasma. <P>SOLUTION: A microwave transmission section A for transmitting a microwave from a microwave generator 20 to the microwave processing section 10 is provided with a pad flange 30 and a choke flange 40. The radius of the choke flange 40 or the like is defined by a formula of (radius of flange [mm]) ≥ä(length of short side of rectangular waveguide [mm])/2}+ä(guide wavelength [mm])/4}+12 [mm] and a width of a microwave seal face of the choke flnage 40 (outward opposite face 47) is selected to be 12 [mm] or over. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、内部でプラズマを発生させるマイクロ波処理部に対してマイクロ波を供給するマイクロ波供給システムに関し、特に、伝送損失を低下させて安定したマイクロ波を供給し、マイクロ波処理部内で効率よくプラズマを発生させるのに好適なマイクロ波供給システムに関する。   The present invention relates to a microwave supply system that supplies microwaves to a microwave processing unit that generates plasma therein. In particular, the present invention relates to a microwave supply system that reduces transmission loss and supplies stable microwaves, and is efficient in the microwave processing unit. The present invention relates to a microwave supply system suitable for generating plasma well.

化学蒸着法(CVD)は、常温では反応の起こらない処理用ガスを用いて、高温雰囲気での気相成長により、処理対象物の表面に反応生成物を膜状に析出させる技術であり、半導体の製造、金属やセラミックの表面改質等に広く採用されている。
最近では、CVDでも低圧プラズマCVDとしてプラスチック容器の表面改質、特に、ガスバリア性の向上にも応用されている。
Chemical vapor deposition (CVD) is a technology for depositing reaction products in the form of a film on the surface of an object to be processed by vapor phase growth in a high-temperature atmosphere using a processing gas that does not react at room temperature. It is widely used in the manufacture of metal and surface modification of metals and ceramics.
Recently, CVD has also been applied as a low-pressure plasma CVD for surface modification of plastic containers, particularly for improving gas barrier properties.

プラズマCVDは、プラズマを利用して薄膜成長を行うものであり、基本的には、減圧下において処理用ガスを含むガスを高電界の電気的エネルギーで放電させることにより、解離、結合して生成した物質を、気相中又は処理対象物上で化学反応させることによって、処理対象物上に堆積させる方法である。
プラズマ状態は、グロー放電、コロナ放電、アーク放電などによって実現されるものであり、たとえば、グロー放電の方式としては、直流グロー放電を利用する方法、高周波グロー放電を利用する方法(高周波プラズマCVD)、マイクロ波放電を利用する方法(マイクロ波プラズマCVD)などが知られている。
Plasma CVD is a method for growing thin films using plasma. Basically, it is generated by dissociating and combining gases containing a processing gas under a reduced pressure with electric energy of a high electric field. This is a method of depositing the processed material on the processing object by chemical reaction in the gas phase or on the processing object.
The plasma state is realized by glow discharge, corona discharge, arc discharge, etc. For example, as a method of glow discharge, a method using direct current glow discharge, a method using high frequency glow discharge (high frequency plasma CVD). Further, a method using microwave discharge (microwave plasma CVD) is known.

これらの中で、マイクロ波プラズマCVDは、装置の構成を極めて簡略化でき、また、装置内での減圧の程度も、プラスチック容器の内面を処理する場合には、マイクロ波放電がプラスチック容器内のみに発生するようにすればよいので、装置内全体を高真空に維持する必要がなく、操作の簡便さ、及び生産性の点で優れている。   Among these, the microwave plasma CVD can greatly simplify the structure of the apparatus, and the degree of decompression in the apparatus can be reduced only when the inner surface of the plastic container is processed. Therefore, it is not necessary to maintain the entire apparatus in a high vacuum, which is excellent in terms of ease of operation and productivity.

プラスチック容器を対象としたマイクロ波プラズマ処理としては、例えば、ボトルを筒状のマイクロ波処理部に、このマイクロ波処理部の中心軸と同軸に配置して、ボトルの内部とボトルの外部の空間を同時に排気し、かつ、所定の処理時間ボトルの内部に処理ガスを流入させるとともに、マイクロ波をマイクロ波処理部に導入し、そのマイクロ波をTM共振モードとし、ボトル内部にプラズマを点火維持させて、ボトルを処理するという技術がある(例えば、特許文献1参照。)。   As a microwave plasma process for a plastic container, for example, a bottle is disposed in a cylindrical microwave processing unit coaxially with the central axis of the microwave processing unit, and the space inside the bottle and outside the bottle Are simultaneously evacuated, and a processing gas is allowed to flow into the bottle for a predetermined processing time, and a microwave is introduced into the microwave processing unit, the microwave is set to the TM resonance mode, and the plasma is ignited and maintained inside the bottle. Thus, there is a technique for processing a bottle (see, for example, Patent Document 1).

このプラズマ処理技術において、マイクロ波処理部の外部には、そのマイクロ波処理部へマイクロ波を供給するためのマイクロ波発生装置が設けられており、これらは導波管で接続されている(例えば、特許文献2参照。)。
導波管は、マイクロ波の伝達路を構成し、通常、径方向断面が矩形又は円形に形成された立体的な形状をなしている。また、導波管を形成する材料としては、例えば、アルミニウム,銅,ステンレスなどが挙げられる。
In this plasma processing technique, a microwave generator for supplying a microwave to the microwave processing unit is provided outside the microwave processing unit, and these are connected by a waveguide (for example, , See Patent Document 2).
The waveguide constitutes a microwave transmission path, and generally has a three-dimensional shape in which a radial cross section is formed in a rectangular shape or a circular shape. Examples of the material forming the waveguide include aluminum, copper, and stainless steel.

ただし、マイクロ波処理部とマイクロ波発生装置との間を導波管で接続した場合、それらは固定されてしまうためマイクロ波処理部の移動が困難となる。
ここで、マイクロ波処理部を蒸着膜の性能試験用(テスト機)として用いる場合はそれでもよいが、蒸着膜を施した製品を量産する生産機として用いる場合には、マイクロ波処理部を移動させる必要がある。
However, when the microwave processing unit and the microwave generation device are connected by a waveguide, they are fixed, so that it is difficult to move the microwave processing unit.
Here, when the microwave processing unit is used as a performance test (test machine) for the deposited film, it may be used. However, when the microwave processing unit is used as a production machine for mass production of the product with the deposited film, the microwave processing unit is moved. There is a need.

そこで、導波管に代えて、例えば、高周波用(マイクロ波用)の同軸ケーブルを用いることが考えられる(例えば、特許文献3、4参照。)。
同軸ケーブルは、例えば、心線の回りを絶縁体でつつみ、その外を銅線などの網でつつんで、さらに外被をかぶせた構造を有したケーブルである。この同軸ケーブルを接続することで、マイクロ波発生装置からの高周波電力をマイクロ波処理部へ伝送することができる。しかも、同軸ケーブルは、導波管と異なり可撓性を有しているため、プラズマ処理部の移動が可能となる。
特表2001−518685号公報 特願2003−116301号公報 特開平10−303132号公報 特開平11−354460号公報
Therefore, for example, it is conceivable to use a high-frequency (microwave) coaxial cable instead of the waveguide (see, for example, Patent Documents 3 and 4).
A coaxial cable is, for example, a cable having a structure in which a core wire is wrapped around with an insulator, the outside is wrapped around with a net such as a copper wire, and a jacket is covered. By connecting this coaxial cable, the high frequency power from the microwave generator can be transmitted to the microwave processing unit. In addition, since the coaxial cable is flexible unlike the waveguide, the plasma processing unit can be moved.
Special table 2001-518685 gazette Japanese Patent Application No. 2003-116301 JP-A-10-303132 JP-A-11-354460

しかしながら、同軸ケーブルは、導波管に比べてマイクロ波の伝送特性が悪いため、安定してマイクロ波をマイクロ波処理部へ送ることができないという問題があった。これにより、マイクロ波処理部では、効率よく安定したプラズマを発生させることができなかった。
さらに、同軸ケーブルは、寿命があり、しかも、マイクロ波処理部の移動を繰り返すことで疲労し劣化するという問題があった。このため、疲労や劣化がすすみ、寿命がきた同軸ケーブルについては交換を要するなどの手間がかかっていた。
However, since the coaxial cable has poor microwave transmission characteristics as compared with the waveguide, there is a problem in that the microwave cannot be stably sent to the microwave processing unit. As a result, the microwave processing unit could not generate stable plasma efficiently.
Further, the coaxial cable has a problem in that it has a lifetime and is fatigued and deteriorated by repeated movement of the microwave processing section. For this reason, it has been troublesome to replace the coaxial cable which has been fatigued and deteriorated and has reached the end of its life.

本発明は、上記の問題を解決すべくなされたものであり、移動が行われるマイクロ波処理部に対して、伝送特性が良くかつ劣化等のほとんどない伝達手段により、安定したマイクロ波を供給し、そのマイクロ波処理部内で効率よくプラズマを発生させることを可能とするマイクロ波供給システムの提供を目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems. A stable microwave is supplied to a moving microwave processing unit by a transmission means having good transmission characteristics and almost no deterioration. An object of the present invention is to provide a microwave supply system that can efficiently generate plasma in the microwave processing section.

この目的を達成するため、本発明のマイクロ波供給システムは、マイクロ波処理部に接続されたフランジと、マイクロ波発生装置に接続されたチョークフランジとを備え、チョークフランジは、前記フランジと接触して、又は、前記フランジとは所定距離離隔した位置に配置された構成としてある。   In order to achieve this object, the microwave supply system of the present invention includes a flange connected to the microwave processing unit and a choke flange connected to the microwave generator, and the choke flange is in contact with the flange. Or it is set as the structure arrange | positioned in the position spaced apart from the said flange by predetermined distance.

マイクロ波供給システムをこのような構成とすると、マイクロ波発生装置にはフランジが、また、マイクロ波処理部にはチョークフランジがそれぞれ接続されて、それらフランジとチョークフランジとが対向する位置に配置されるため、これらフランジにおいて接合又は分離させることができる。このため、マイクロ波処理部の移動が可能となる。
なお、ここで、「フランジ」には、バットフランジやチョークフランジが含まれる。また、バットフランジには、フラットフランジやプレーンフランジと呼ばれるフランジが含まれる。
When the microwave supply system has such a configuration, a flange is connected to the microwave generator, and a choke flange is connected to the microwave processing unit, and the flange and the choke flange are arranged at positions facing each other. Therefore, these flanges can be joined or separated. For this reason, the microwave processing unit can be moved.
Here, the “flange” includes a butt flange and a choke flange. The butt flange includes a flange called a flat flange or a plain flange.

さらに、チョークフランジは、チョーク溝を有してチョーク回路を構成し、マイクロ波の漏れを低減又は防止できるため、伝送損失が小さく、マイクロ波を安定して伝送でき、これによりマイクロ波処理部内(チャンバ内)で効率よくプラズマを発生させることができる。
しかも、チョークフランジやバットフランジなどに代表されるフランジは、マイクロ波処理部の移動に際して曲げなどが起こらないため、疲労や劣化が生じにくく、また、特に寿命はない。このため、チョークフランジ等は、長期使用が可能であって交換を要しないことから、その手間を解消できる。
In addition, the choke flange has a choke groove to form a choke circuit, which can reduce or prevent microwave leakage, so transmission loss is small and microwaves can be transmitted stably. Plasma can be generated efficiently in the chamber).
In addition, since a flange such as a choke flange or a butt flange does not bend when the microwave processing unit is moved, fatigue and deterioration hardly occur, and there is no particular life. For this reason, the choke flange or the like can be used for a long time and does not need to be replaced.

また、本発明のマイクロ波供給システムは、所定距離が、2[mm]以下である構成としてある。
マイクロ波供給システムをこのような構成とすれば、チョークフランジとこれに対向するフランジとの間隙におけるマイクロ波の漏れ量を抑えることができ、安定してマイクロ波をマイクロ波処理部へ送り、効率よくプラズマを発生させることができる。また、隙間があると移動の際のこすれや衝突の危険もない。
Moreover, the microwave supply system of this invention is set as the structure whose predetermined distance is 2 [mm] or less.
If the microwave supply system has such a configuration, the amount of microwave leakage in the gap between the choke flange and the flange opposite to the choke flange can be suppressed, and the microwave can be stably sent to the microwave processing unit. Plasma can be generated well. Also, if there is a gap, there is no risk of rubbing or collision during movement.

また、本発明のマイクロ波供給システムは、フランジ及び/又はチョークフランジの半径が、(フランジ半径[mm])≧{(矩形導波路短辺の長さ[mm])/2}+{(管内波長[mm])/4}+12[mm]との式で定義される値である構成としてある。   In the microwave supply system of the present invention, the flange and / or the choke flange has a radius of (flange radius [mm]) ≧ {(length of rectangular waveguide short side [mm]) / 2} + {(inside the tube Wavelength [mm]) / 4} +12 [mm].

マイクロ波供給システムをこのような構成とすると、チョークフランジとこれに対向するフランジとの隙間を許容できる。
例えば、チョークフランジとこれに対向するフランジとの直径がそれぞれ短い場合は、それらフランジの間隙からマイクロ波が漏れ伝送効率が低下する。
これに対し、チョークフランジ等の直径が上記の式により得られる値であるときは、その隙間を許容して、マイクロ波の伝送効率の低下を抑制できる。このため、マイクロ波処理部においては、安定したプラズマを発生させることができる。
When the microwave supply system has such a configuration, a gap between the choke flange and the flange facing the choke flange can be allowed.
For example, when the diameters of the choke flange and the flange facing the choke flange are short, microwaves leak from the gap between the flanges, and the transmission efficiency decreases.
On the other hand, when the diameter of the choke flange or the like is a value obtained by the above formula, the gap can be allowed to suppress a decrease in the transmission efficiency of the microwave. For this reason, stable plasma can be generated in the microwave processing section.

また、本発明のマイクロ波供給システムは、チョークフランジが、フランジに対向する円形面と同心円で形成された溝と、円形面のうち溝に対して径方向外側に位置した面であるマイクロ波封止面とを有し、このマイクロ波封止面の幅が、12[mm]以上である構成としてある。   In the microwave supply system of the present invention, the choke flange includes a groove formed concentrically with a circular surface facing the flange, and a microwave seal in which the circular surface is a surface located radially outward of the groove. The microwave sealing surface has a width of 12 [mm] or more.

マイクロ波供給システムをこのような構成とすれば、マイクロ波封止面の幅を大きくすることで、このチョークフランジとこれに対向するフランジとの隙間を許容できる。したがって、マイクロ波の伝送効率がよくなり、マイクロ波処理部において効率よくプラズマを発生させることができる。   If the microwave supply system has such a configuration, a gap between the choke flange and the flange facing the choke flange can be allowed by increasing the width of the microwave sealing surface. Therefore, microwave transmission efficiency is improved, and plasma can be efficiently generated in the microwave processing unit.

また、本発明のマイクロ波供給システムは、マイクロ波処理部が、プラズマを発生させるチャンバからなる構成としてある。
マイクロ波供給システムをこのような構成とすると、チョークフランジ等を介し安定して伝送されてきたマイクロ波により、チャンバ内で効率よくプラズマを発生させることができる。
In the microwave supply system of the present invention, the microwave processing unit is configured by a chamber for generating plasma.
When the microwave supply system has such a configuration, plasma can be efficiently generated in the chamber by the microwaves stably transmitted through the choke flange or the like.

本発明によれば、マイクロ波発生装置からマイクロ波処理部へマイクロ波を送る伝達路に、バットフランジとチョークフランジとを設けることで、安定してマイクロ波を伝達できる。
しかも、チョークフランジ等の半径を(フランジ半径[mm])≧{(矩形導波路短辺の長さ[mm])/2}+{(管内波長[mm])/4}+12[mm]との式で定義し、チョークフランジのマイクロ波封止面の幅を12[mm]以上とすることで、バットフランジとチョークフランジとの隙間を許容できる。
これにより、マイクロ波処理部においては、効率よく、プラズマを発生させることができる。
According to the present invention, the microwave can be stably transmitted by providing the butt flange and the choke flange in the transmission path for transmitting the microwave from the microwave generator to the microwave processing unit.
Moreover, the radius of the choke flange or the like is (flange radius [mm]) ≧ {(length of rectangular waveguide short side [mm]) / 2} + {(inner tube wavelength [mm]) / 4} +12 [mm] By defining the width of the microwave sealing surface of the choke flange to 12 mm or more, the gap between the butt flange and the choke flange can be allowed.
Thereby, in the microwave processing unit, plasma can be generated efficiently.

以下、本発明に係るマイクロ波供給システムの好ましい実施形態について、図面を参照して説明する。   Hereinafter, a preferred embodiment of a microwave supply system according to the present invention will be described with reference to the drawings.

まず、本発明のマイクロ波供給システムの実施形態について、図1を参照して説明する。
同図は、本実施形態のマイクロ波供給システムの構成を示すブロック図である。
First, an embodiment of a microwave supply system of the present invention will be described with reference to FIG.
This figure is a block diagram showing the configuration of the microwave supply system of the present embodiment.

同図に示すように、マイクロ波供給システム1は、マイクロ波処理部10と、マイクロ波発生装置20と、バットフランジ30と、チョークフランジ40と、導波管50とを備えている。
マイクロ波処理部10は、マイクロ波発生装置20から供給されてきたマイクロ波を受けて対象物に所定の処理を行う装置であって、例えば、マイクロ波によりプラズマを発生させるチャンバなどが含まれる。
マイクロ波発生装置20は、マイクロ波処理部10に対してマイクロ波を供給する装置である。
As shown in FIG. 1, the microwave supply system 1 includes a microwave processing unit 10, a microwave generator 20, a butt flange 30, a choke flange 40, and a waveguide 50.
The microwave processing unit 10 is a device that receives a microwave supplied from the microwave generator 20 and performs a predetermined process on an object, and includes, for example, a chamber that generates plasma by microwaves.
The microwave generator 20 is a device that supplies microwaves to the microwave processing unit 10.

バットフランジ30は、マイクロ波発生装置20で発生したマイクロ波をマイクロ波処理部10へ伝達するマイクロ波伝達部Aにチョークフランジ40とともに設けられる。なお、バットフランジとは、チョークフランジに対応する直径の平面フランジ部分を有するフランジのことをいう。また、バットフランジには、フラットフランジやプレーンフランジと呼ばれるフランジが含まれる。
このバットフランジ30の構造を図2(a)〜(d)に示す。同図(a)はバットフランジ40の正面図、同図(b)は左側面図、同図(c)は下面図、同図(d)は背面図である。
The butt flange 30 is provided together with the choke flange 40 in the microwave transmission unit A that transmits the microwave generated by the microwave generator 20 to the microwave processing unit 10. The butt flange refers to a flange having a flat flange portion having a diameter corresponding to the choke flange. The butt flange includes a flange called a flat flange or a plain flange.
The structure of the butt flange 30 is shown in FIGS. 4A is a front view of the butt flange 40, FIG. 2B is a left side view, FIG. 3C is a bottom view, and FIG.

同図(a)〜(d)に示すように、バットフランジ30は、所定の厚さを有する円盤部材31と、この円盤部材31における一の円形面32aの中程から垂直外側に突設された矩形導波部材33とを有して形成されている。
円盤部材31の各円形面32a、32bの中程には、これらを貫通するように開口35が形成されている。この開口35は、一の円形面32aに突設された矩形導波部材33の中空34の形状に合わせた形で形成されている。これら矩形導波部材33の中空34と円盤部材31の開口35とは、マイクロ波発生装置20からのマイクロ波が伝わるマイクロ波導波路を構成している。
As shown in FIGS. 3A to 3D, the butt flange 30 is provided so as to protrude vertically outward from the center of a disk member 31 having a predetermined thickness and one circular surface 32a of the disk member 31. The rectangular waveguide member 33 is formed.
An opening 35 is formed in the middle of each of the circular surfaces 32a and 32b of the disk member 31 so as to pass therethrough. The opening 35 is formed so as to match the shape of the hollow 34 of the rectangular waveguide member 33 projecting from one circular surface 32a. The hollow 34 of the rectangular waveguide member 33 and the opening 35 of the disk member 31 constitute a microwave waveguide through which the microwave from the microwave generator 20 is transmitted.

チョークフランジ40は、チョーク回路(先端短絡の直列分岐回路)を構成してマイクロ波の漏れを低減又は防止し伝送効率を高めることを可能としたフランジである。
このチョークフランジ40の構造を図3(a)〜(d)に示す。同図(a)はチョークフランジ40の正面図、同図(b)は右側面図、同図(c)は下面図、同図(d)は背面図である。
The choke flange 40 is a flange that constitutes a choke circuit (series branch circuit with a short-circuited tip) to reduce or prevent leakage of microwaves and increase transmission efficiency.
The structure of the choke flange 40 is shown in FIGS. 4A is a front view of the choke flange 40, FIG. 4B is a right side view thereof, FIG. 3C is a bottom view thereof, and FIG.

同図(a)〜(d)に示すように、チョークフランジ40は、円筒形部材41と、この円筒形部材41における一の円形面42aの中程から垂直外側に突設された矩形導波部材43とを有して形成されている。
円筒形部材41の各円形面42a、42bの中程には、これらを貫通するように開口45が形成されている。この開口45は、一の円形面42aに突設された矩形導波部材43の中空44の形状に合わせた形で形成されている。これら矩形導波部材43の中空44と円筒形部材41の開口45とは、マイクロ波発生装置20からのマイクロ波が伝わるマイクロ波導波路を構成している。
As shown in FIGS. 4A to 4D, the choke flange 40 includes a cylindrical member 41 and a rectangular waveguide projecting vertically outward from the middle of one circular surface 42a of the cylindrical member 41. And a member 43.
An opening 45 is formed in the middle of each of the circular surfaces 42a and 42b of the cylindrical member 41 so as to pass therethrough. The opening 45 is formed so as to match the shape of the hollow 44 of the rectangular waveguide member 43 projecting from one circular surface 42a. The hollow 44 of the rectangular waveguide member 43 and the opening 45 of the cylindrical member 41 constitute a microwave waveguide through which the microwave from the microwave generator 20 is transmitted.

二つの円形面42a、42bのうち矩形導波部材43が突設されていない方の円形面42bは、バットフランジ30に対向する面となる。
この円形面42bには、図3(a)に示すように、この円形面42bの円形状と同心円に形成された溝(チョーク溝)46が施されている。
溝46は、所定の位置に所定の深さで形成されている。
例えば、溝46が形成される位置は、次の位置とされる。開口45における長辺に開口45外側に向かって垂直二等分線を引いた場合において、その開口45の長辺と垂直二等分線との交点を交点aとし、その垂直二等分線と溝46の外周円との交点を交点bとすると、交点aと交点bとの距離は、λ/4(λは、開口45を通るマイクロ波の波長(管内波長))とされる。
そして、溝46の深さは、交点aと交点bとの距離と同じ、λ/4とされる。
Of the two circular surfaces 42 a and 42 b, the circular surface 42 b on which the rectangular waveguide member 43 is not provided is a surface facing the butt flange 30.
As shown in FIG. 3A, a groove (choke groove) 46 formed concentrically with the circular shape of the circular surface 42b is formed on the circular surface 42b.
The groove 46 is formed at a predetermined position at a predetermined depth.
For example, the position where the groove 46 is formed is the next position. When a perpendicular bisector is drawn on the long side of the opening 45 toward the outside of the opening 45, the intersection of the long side of the opening 45 and the vertical bisector is defined as an intersection point a, and the perpendicular bisector Assuming that the intersection point of the groove 46 with the outer circumference circle is the intersection point b, the distance between the intersection point a and the intersection point b is λ / 4 (λ is the wavelength of the microwave passing through the opening 45 (in-tube wavelength)).
The depth of the groove 46 is λ / 4, which is the same as the distance between the intersection point a and the intersection point b.

この円形面42bの半径は、次式により定義される。
(フランジ半径[mm])≧{(矩形導波路短辺の長さ[mm])/2}+{(管内波長[mm])/4}+12[mm] ・・・(式1)
ここで、「フランジ半径」は、円形面42bの半径に相当する。「矩形導波路短辺」は、チョークフランジ40の円筒形部材41の開口45あるいは矩形導波部材43の中空44における各短辺の長さに相当する。「12[mm]」は、外側対向面47(円形面42bのうち溝46に対して径方向外側に位置する面、マイクロ波封止面)の幅に相当する。すなわち、本実施形態において外側対向面47の幅は、12[mm]以上とされる。
The radius of the circular surface 42b is defined by the following equation.
(Flange radius [mm]) ≧ {(Length of rectangular waveguide short side [mm]) / 2} + {(In-tube wavelength [mm]) / 4} +12 [mm] (Equation 1)
Here, the “flange radius” corresponds to the radius of the circular surface 42b. The “rectangular waveguide short side” corresponds to the length of each short side in the opening 45 of the cylindrical member 41 of the choke flange 40 or the hollow 44 of the rectangular waveguide member 43. “12 [mm]” corresponds to the width of the outer facing surface 47 (the surface of the circular surface 42b located on the radially outer side with respect to the groove 46, the microwave sealing surface). That is, in the present embodiment, the width of the outer facing surface 47 is 12 [mm] or more.

具体的な数値で表すと、矩形導波路の短辺の長さが27[mm]、管内波長が157.6[mm]である場合、円形面42の半径(フランジ半径)は次のように算出できる。
(フランジ半径[mm])≧{(27[mm])/2}+{(157.6[mm])/4}+12[mm] → 64.9[mm]
この場合、フランジ半径は、64.9[mm]以上(フランジ直径は、129.8[mm]以上)となる。
In terms of specific numerical values, when the length of the short side of the rectangular waveguide is 27 [mm] and the guide wavelength is 157.6 [mm], the radius (flange radius) of the circular surface 42 is as follows. It can be calculated.
(Flange radius [mm]) ≧ {(27 [mm]) / 2} + {(157.6 [mm]) / 4} +12 [mm] → 64.9 [mm]
In this case, the flange radius is 64.9 [mm] or more (the flange diameter is 129.8 [mm] or more).

外側対向面47の幅を12[mm]以上とすることにより、チョークフランジ40とバットフランジ30との間に隙間があったとしても、マイクロ波の漏れを低減又は防止できる。
なお、外側対向面47の幅を12[mm]以上にしたときのマイクロ波の漏れ量の測定結果については、後記の[実施例1]で説明する。
By setting the width of the outer facing surface 47 to 12 [mm] or more, even if there is a gap between the choke flange 40 and the butt flange 30, leakage of microwaves can be reduced or prevented.
The measurement result of the leakage amount of the microwave when the width of the outer facing surface 47 is set to 12 [mm] or more will be described in [Example 1] described later.

円形面42bのうち、溝46に対して径方向内側の面を内側対向面48とすると、この内側対向面48は、外側対向面47に対して凹んだ位置に形成することもでき、また、同一平面上に形成することもできる。
内側対向面48を外側対向面47に対して凹んだ位置に形成したときは、外側対向面47をバットフランジ30の円形面32bに当接させることで、チョーク回路が形成され、マイクロ波を安定的に伝送できる。この技術については、例えば、特開平10−224101号公報に記載の「導波管のチョークフランジ」や、特開2002−374101号公報に記載の「チョークフランジ」に開示されている。
In the circular surface 42b, when the radially inner surface with respect to the groove 46 is an inner facing surface 48, the inner facing surface 48 can be formed at a position recessed with respect to the outer facing surface 47. It can also be formed on the same plane.
When the inner facing surface 48 is formed at a position recessed with respect to the outer facing surface 47, the choke circuit is formed by bringing the outer facing surface 47 into contact with the circular surface 32b of the butt flange 30 to stabilize the microwave. Can be transmitted. This technique is disclosed in, for example, “Wave Choke Flange” described in JP-A-10-224101 and “Choke Flange” described in JP-A-2002-374101.

これに対し、外側対向面47の幅を12[mm]以上とすれば、内側対向面48は外側対向面47と同一平面上に形成できる。
しかも、この場合、チョークフランジ40の円形面42bとバットフランジ30の円形面32bとは、接触させることもでき、又は、所定間隔(例えば、2[mm])離隔して配置させることもできる。
On the other hand, when the width of the outer facing surface 47 is 12 mm or more, the inner facing surface 48 can be formed on the same plane as the outer facing surface 47.
In addition, in this case, the circular surface 42b of the choke flange 40 and the circular surface 32b of the butt flange 30 can be brought into contact with each other, or can be arranged at a predetermined interval (for example, 2 [mm]).

なお、図1に示すように、チョークフランジ40とマイクロ波発生装置20との間は、導波管50を介して接続することもできる。また、バットフランジ30とマイクロ波処理部10との間においても、導波管を介して接続することができる。
また、同図に示すように、バットフランジ30とマイクロ波処理部10との間は、導波管を用いず直接接続することができ、また、チョークフランジ40とマイクロ波発生装置20との間においても、導波管50を用いず直接接続することもできる。
As shown in FIG. 1, the choke flange 40 and the microwave generator 20 can be connected via a waveguide 50. Further, the butt flange 30 and the microwave processing unit 10 can also be connected via a waveguide.
Further, as shown in the figure, the butt flange 30 and the microwave processing unit 10 can be directly connected without using a waveguide, and between the choke flange 40 and the microwave generator 20. In this case, direct connection can be made without using the waveguide 50.

[実施例1]
次に、本発明のマイクロ波供給システムの実施例1について説明する。
本実施例においては、チョークフランジ40の直径(外側対向面47の幅)とマイクロ波の漏れ量との関係を調べた。
本実施例において、システム構成は、図1に示すような構成とした。すなわち、マイクロ波処理部(チャンバ)10と、マイクロ波発生装置20と、バットフランジ30と、チョークフランジ40とを用意した。
[Example 1]
Next, Embodiment 1 of the microwave supply system of the present invention will be described.
In this example, the relationship between the diameter of the choke flange 40 (the width of the outer facing surface 47) and the amount of microwave leakage was examined.
In this embodiment, the system configuration is as shown in FIG. That is, the microwave processing part (chamber) 10, the microwave generator 20, the butt flange 30, and the choke flange 40 were prepared.

チョークフランジ40は、次に示す直径を有したものをそれぞれ用意した。なお、本実施形態においては、各フランジ径いずれについても矩形導波路の短辺の長さは27[mm]、管内波長は157.6[mm]であり、また、外側対向面47の幅は12[mm]以上とした。
(1)フランジ径:130[mm](外側対向面47の幅:12.1[mm])
(2)同径:136[mm](同幅:15.1[mm])
(3)同径:140[mm](同幅:17.1[mm])
(4)同径:150[mm](同幅:22.1[mm])
Choke flanges 40 having the following diameters were prepared. In the present embodiment, for each flange diameter, the length of the short side of the rectangular waveguide is 27 [mm], the guide wavelength is 157.6 [mm], and the width of the outer facing surface 47 is It was set to 12 [mm] or more.
(1) Flange diameter: 130 [mm] (width of outer facing surface 47: 12.1 [mm])
(2) Same diameter: 136 [mm] (Same width: 15.1 [mm])
(3) Same diameter: 140 [mm] (Same width: 17.1 [mm])
(4) Same diameter: 150 [mm] (Same width: 22.1 [mm])

チョークフランジ40とバットフランジ30との隙間は、次の各値にセットした。
0.2[mm]、0.5[mm]、1.0[mm]、1.5[mm]、2.0[mm]、2.5[mm]、3.0[mm]
これら条件において、チョークフランジ40とバットフランジ30との隙間から漏れるマイクロ波の漏れ量を測定した。
The clearance between the choke flange 40 and the butt flange 30 was set to the following values.
0.2 [mm], 0.5 [mm], 1.0 [mm], 1.5 [mm], 2.0 [mm], 2.5 [mm], 3.0 [mm]
Under these conditions, the amount of microwave leaking from the gap between the choke flange 40 and the butt flange 30 was measured.

この測定結果を図4に示す。
同図において、横軸は、チョークフランジ40とバットフランジ30との隙間[mm]、縦軸は、その隙間を広げていったときのマイクロ波の漏れ量[mW/cmat5cm]を示す。
同図に示すように、チョークフランジ40のフランジ径を大きくすることにより、マイクロ波の漏れ量が「漏れの安全基準」である5[mW/cmat5cm]以下となった。
これにより、外側対向面47の幅を12[mm]以上とすることで、マイクロ波の漏れ量を抑制でき、バットフランジとチョークフランジとの隙間を許容して、安定的にマイクロ波をマイクロ波処理部10へ供給できることが確認された。
The measurement results are shown in FIG.
In the figure, the horizontal axis indicates the gap [mm] between the choke flange 40 and the butt flange 30, and the vertical axis indicates the amount of microwave leakage [mW / cm 2 at5cm] when the gap is widened.
As shown in the figure, by increasing the flange diameter of the choke flange 40, the leakage amount of the microwave became 5 [mW / cm 2 at5 cm] or less, which is the “safety standard for leakage”.
Thus, by setting the width of the outer facing surface 47 to 12 [mm] or more, the amount of microwave leakage can be suppressed, the gap between the butt flange and the choke flange is allowed, and the microwave can be stably transmitted. It was confirmed that it could be supplied to the processing unit 10.

[実施例2]
次に、本発明のマイクロ波供給システムの実施例2について説明する。
本実施例においては、チョークフランジ40とバットフランジ30との隙間の違いによるマイクロ波の漏れ量の変化と、その隙間の違いによるマイクロ波処理部10(チャンバ)内でのプラズマの発光強度の変化との関係を調べた。
本実施例において、システム構成は、図1に示すような構成とした。すなわち、マイクロ波処理部(チャンバ)10と、マイクロ波発生装置20と、バットフランジ30と、チョークフランジ40とを用意した。
[Example 2]
Next, a second embodiment of the microwave supply system of the present invention will be described.
In the present embodiment, a change in the amount of microwave leakage due to a difference in the gap between the choke flange 40 and the butt flange 30 and a change in the emission intensity of the plasma in the microwave processing unit 10 (chamber) due to the difference in the gap. I investigated the relationship with.
In this embodiment, the system configuration is as shown in FIG. That is, the microwave processing part (chamber) 10, the microwave generator 20, the butt flange 30, and the choke flange 40 were prepared.

バットフランジ30とチョークフランジ40との直径を130[mm]、矩形導波路の短辺の長さを27[mm]、管内波長を157.6[mm]とし、チョークフランジ40とバットフランジ30との隙間は、次の各値にセットした。
0.0[mm]、0.2[mm]、0.3[mm]、0.5[mm]
これら条件において、チョークフランジ40とバットフランジ30との隙間から漏れるマイクロ波の漏れ量と、その隙間の違いによるマイクロ波処理部10(チャンバ)内でのプラズマの発光強度とを測定した。
The diameter of the butt flange 30 and the choke flange 40 is 130 [mm], the length of the short side of the rectangular waveguide is 27 [mm], the guide wavelength is 157.6 [mm], and the choke flange 40 and the butt flange 30 are The gap was set to the following values.
0.0 [mm], 0.2 [mm], 0.3 [mm], 0.5 [mm]
Under these conditions, the leakage amount of microwave leaking from the gap between the choke flange 40 and the butt flange 30 and the emission intensity of plasma in the microwave processing unit 10 (chamber) due to the difference in the gap were measured.

この測定結果を図5に示す。
同図において、横軸は、チョークフランジ40とバットフランジ30との隙間[mm]、右側の縦軸は、その隙間を広げていったときのマイクロ波の漏れ量[mW/cmat5cm]、左側の縦軸は、その隙間を広げていったときのマイクロ波処理部10(チャンバ)内でのプラズマの発光強度を示す。
同図に示すように、マイクロ波の漏れ量とプラズマの発光強度は良好な値の範囲内であるが、チョークフランジ40とバットフランジ30との隙間を広げていくと、マイクロ波の漏れ量が増加する一方、プラズマの発光強度が弱くなる傾向が見られた。
これにより、チョークフランジとバットフランジの隙間を2mm以下とすることと外側対向面47の幅を12[mm]以上とすることで、マイクロ波の漏れ量を抑制できたために、安定的にマイクロ波をマイクロ波処理部10へ供給でき、効率よくプラズマを発生させることできることが確認できた。
The measurement results are shown in FIG.
In the figure, the horizontal axis is the gap [mm] between the choke flange 40 and the butt flange 30, the right vertical axis is the amount of microwave leakage [mW / cm 2 at5cm] when the gap is widened, The vertical axis on the left indicates the emission intensity of plasma in the microwave processing unit 10 (chamber) when the gap is widened.
As shown in the figure, the amount of microwave leakage and the light emission intensity of plasma are within the range of good values, but when the gap between the choke flange 40 and the butt flange 30 is widened, the amount of microwave leakage is reduced. On the other hand, there was a tendency that the emission intensity of the plasma was weakened.
As a result, the amount of microwave leakage could be suppressed by setting the gap between the choke flange and the butt flange to 2 mm or less and the width of the outer facing surface 47 to 12 mm or more. Was able to be supplied to the microwave processing unit 10, and it was confirmed that plasma could be generated efficiently.

以上、本発明のマイクロ波供給システムの好ましい実施形態について説明したが、本発明に係るマイクロ波供給システムは上述した実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の範囲で種々の変更実施が可能であることは言うまでもない。
例えば、図1では、マイクロ波伝達部Aにおけるマイクロ波処理部10に近い位置にバットフランジ30やチョークフランジ40を設けてあるが、それらはマイクロ波処理部10に近い位置に必ずしも設ける必要はなく、マイクロ波発生装置20に近い位置に設けることもできる。
また、バットフランジ30やチョークブランジ40は、図2(a)、図3(a)においては、それぞれ外周が円形状に形成されているが、円形状に限るものではなく、例えば、矩形状に形成することもできる。また、バットフランジをチョークフランジに置き換えることもできる。
The preferred embodiment of the microwave supply system of the present invention has been described above. However, the microwave supply system according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the present invention. It goes without saying that it is possible.
For example, in FIG. 1, the butt flange 30 and the choke flange 40 are provided in a position near the microwave processing unit 10 in the microwave transmission unit A, but they are not necessarily provided in a position close to the microwave processing unit 10. It can also be provided at a position close to the microwave generator 20.
Further, the butt flange 30 and the choke blanke 40 are each formed in a circular outer periphery in FIGS. 2 (a) and 3 (a), but are not limited to a circular shape. It can also be formed. Also, the butt flange can be replaced with a choke flange.

本発明は、マイクロ波の伝達効率を高めるための技術であるため、マイクロ波の伝達経路を有する装置やシステム等に利用可能である。   Since the present invention is a technique for increasing the transmission efficiency of microwaves, the present invention can be used for an apparatus or system having a microwave transmission path.

本発明のマイクロ波供給システムの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the microwave supply system of this invention. バットフランジの構造を示す正面図(a)、側面図(b)、下面図(c)、背面図(d)である。It is the front view (a), side view (b), bottom view (c), and back view (d) which show the structure of a butt flange. チョークフランジの構造を示す正面図(a)、側面図(b)、下面図(c)、背面図(d)である。It is the front view (a) which shows the structure of a choke flange, a side view (b), a bottom view (c), and a rear view (d). チョークフランジとバットフランジとの隙間の広狭と、マイクロ波の漏れ量との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the width of the clearance gap between a choke flange and a butt flange, and the amount of leakage of a microwave. チョークフランジとバットフランジとの隙間の広狭に対する、マイクロ波の漏れ量、及び、チャンバにおけるプラズマの発光強度の各変化を示すグラフである。It is a graph which shows each change of the amount of leakage of a microwave, and the emitted light intensity of the plasma in a chamber with respect to the wide and narrow of the clearance gap between a choke flange and a butt flange.

符号の説明Explanation of symbols

1 マイクロ波供給システム
10 マイクロ波処理部
20 マイクロ波発生装置
30 バットフランジ
40 チョークフランジ
41 円筒形部材
42a、42b 円形面
43 矩形導波部材
46 溝
47 外側対向面
48 内側対向面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Microwave supply system 10 Microwave processing part 20 Microwave generator 30 Butt flange 40 Choke flange 41 Cylindrical member 42a, 42b Circular surface 43 Rectangular waveguide member 46 Groove 47 Outer facing surface 48 Inner facing surface

Claims (5)

マイクロ波処理部に接続されたフランジと、
マイクロ波発生装置に接続されたチョークフランジとを備え、
前記チョークフランジは、前記フランジと接触して、又は、前記フランジとは所定距離離隔した位置に配置された
ことを特徴とするマイクロ波供給システム。
A flange connected to the microwave processing section;
A choke flange connected to the microwave generator,
The microwave supply system, wherein the choke flange is disposed in contact with the flange or at a position separated from the flange by a predetermined distance.
前記所定距離が、2[mm]以下である
ことを特徴とする請求項1記載のマイクロ波供給システム。
The microwave supply system according to claim 1, wherein the predetermined distance is 2 [mm] or less.
前記フランジ及び/又はチョークフランジの半径が、
(フランジ半径[mm])≧{(矩形導波路短辺の長さ[mm])/2}+{(管内波長[mm])/4}+12[mm]
との式で定義される値である
ことを特徴とする請求項1又は2記載のマイクロ波供給システム。
The flange and / or choke flange radius is
(Flange radius [mm]) ≧ {(Length of short side of rectangular waveguide [mm]) / 2} + {(In-tube wavelength [mm]) / 4} +12 [mm]
The microwave supply system according to claim 1, wherein the value is defined by the following formula.
前記チョークフランジが、
前記フランジに対向する円形面と同心円で形成された溝と、
前記円形面のうち前記溝に対して径方向外側に位置した面であるマイクロ波封止面とを有し、
このマイクロ波封止面の幅が、12[mm]以上である
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のマイクロ波供給システム。
The choke flange is
A groove formed concentrically with a circular surface facing the flange;
A microwave sealing surface which is a surface located on the radially outer side with respect to the groove among the circular surfaces;
The width of this microwave sealing surface is 12 [mm] or more. The microwave supply system according to any one of claims 1 to 3.
前記マイクロ波処理部が、プラズマを発生させるチャンバからなる
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のマイクロ波供給システム。
The microwave supply system according to any one of claims 1 to 4, wherein the microwave processing unit includes a chamber that generates plasma.
JP2004153798A 2004-05-24 2004-05-24 Microwave supply system Pending JP2005340964A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004153798A JP2005340964A (en) 2004-05-24 2004-05-24 Microwave supply system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004153798A JP2005340964A (en) 2004-05-24 2004-05-24 Microwave supply system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005340964A true JP2005340964A (en) 2005-12-08

Family

ID=35494058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004153798A Pending JP2005340964A (en) 2004-05-24 2004-05-24 Microwave supply system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005340964A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007228359A (en) * 2006-02-24 2007-09-06 Kyocera Corp Aperture antenna
KR101307270B1 (en) 2012-05-25 2013-09-11 엘아이지넥스원 주식회사 Inside apparatus applied to broadband radio frequency window apparatus in w-band
CN104202859A (en) * 2014-08-29 2014-12-10 南京三乐微波技术发展有限公司 Dustproof high temperature prevention dielectric waveguide device
JPWO2014203952A1 (en) * 2013-06-19 2017-02-23 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構 High-frequency power supply system for unfolded structures

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5746501A (en) * 1980-09-04 1982-03-17 Nec Corp Heat insulating device of waveguide
JPS58149801U (en) * 1982-03-31 1983-10-07 株式会社村田製作所 airtight choke flange
JPH08106994A (en) * 1991-05-24 1996-04-23 Sumitomo Metal Ind Ltd Microwave plasma processor
JP2001156501A (en) * 1999-11-29 2001-06-08 Nec Corp Waveguide connection method and connection structure
JP2002374101A (en) * 2001-06-13 2002-12-26 New Japan Radio Co Ltd Choke flange

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5746501A (en) * 1980-09-04 1982-03-17 Nec Corp Heat insulating device of waveguide
JPS58149801U (en) * 1982-03-31 1983-10-07 株式会社村田製作所 airtight choke flange
JPH08106994A (en) * 1991-05-24 1996-04-23 Sumitomo Metal Ind Ltd Microwave plasma processor
JP2001156501A (en) * 1999-11-29 2001-06-08 Nec Corp Waveguide connection method and connection structure
JP2002374101A (en) * 2001-06-13 2002-12-26 New Japan Radio Co Ltd Choke flange

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007228359A (en) * 2006-02-24 2007-09-06 Kyocera Corp Aperture antenna
JP4713367B2 (en) * 2006-02-24 2011-06-29 京セラ株式会社 Aperture antenna
KR101307270B1 (en) 2012-05-25 2013-09-11 엘아이지넥스원 주식회사 Inside apparatus applied to broadband radio frequency window apparatus in w-band
JPWO2014203952A1 (en) * 2013-06-19 2017-02-23 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構 High-frequency power supply system for unfolded structures
US10290913B2 (en) 2013-06-19 2019-05-14 Japan Aerospace Exploration Agency Deployment structure comprised of flat panels with waveguides disposed therein, where the flat panels are rotated into engagement with each other to couple the waveguides
CN104202859A (en) * 2014-08-29 2014-12-10 南京三乐微波技术发展有限公司 Dustproof high temperature prevention dielectric waveguide device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9909215B2 (en) Method of CVD plasma processing with a toroidal plasma processing apparatus
CN107801286B (en) Microwave plasma excitation system based on dielectric barrier discharge pre-ionization
JP5944487B2 (en) Method for treating gas and apparatus for carrying out the method
US6396214B1 (en) Device for producing a free cold plasma jet
JP2019077951A (en) Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
US9431217B2 (en) Microwave plasma generating device and method for operating same
JP2014531701A (en) High efficiency plasma source
JP2005247680A (en) Pcvd apparatus and method for manufacturing preform
JPH03260065A (en) Method for coating inner periphery of cylindrical body
JP2008144271A (en) Apparatus and method for carrying out pcvd deposition process
JP6501493B2 (en) Plasma processing system
US10704161B2 (en) Toroidal plasma processing apparatus with a shaped workpiece holder
TWI402001B (en) Plasma processing device, plasma processing method, and processed object treated by the method
JP2005340964A (en) Microwave supply system
JP6991934B2 (en) Plasma processing equipment
JP2005340963A (en) Microwave power supply method
WO2023163880A1 (en) High-power plasma torch with dielectric resonator
JP2005228604A (en) Plasma generator
JPH06140186A (en) Manufacture of plasma
JP2005259633A (en) Microwave plasma discharge processing device
JP4586495B2 (en) Microwave processing apparatus, microwave supply / processing system, and microwave processing method
JP2007204065A (en) Container processing apparatus using plasma
JP2011515030A (en) Integrated microwave waveguide with impedance transition
JP2008106333A (en) Container treatment device by plasma cvd
JP6622071B2 (en) Microwave surface wave excitation plasma deposition system

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070411

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080402

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080408

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080605

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080916

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081114

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20081127

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20090313