JP2005340182A - Method for thinning substrate of el device and method for parting laminated substrate - Google Patents

Method for thinning substrate of el device and method for parting laminated substrate Download PDF

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浩章 吉田
Hisatsugu Naito
久嗣 内藤
Kenji Nishigaki
研治 西垣
Ryoichi Tomita
陵一 冨田
Sakutaro Hoshi
作太郎 星
Norihito Takeuchi
範仁 竹内
Masayuki Harada
昌幸 原田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for thinning a substrate of an EL device, whereby the substrate can be easily thinned without deteriorating operability during manufacture and exerting a bad influence on an EL element part. <P>SOLUTION: A pair of glass substrates 1 of the EL device 3 are disposed so that the EL element parts 2 formed on their respective surfaces 1a face each other, and are also separately disposed so that the respective EL element parts 2 do not interfere each other by disposing a spacer member 4 between a pair of the glass substrates 1. Under this condition, the peripheral fringe part of a pair of the glass substrates 1 are pasted together through a sealing material 5, and a hollow part 6 formed between a pair of the glass substrates 1 is sealed from the outside by the sealing material 5. Then, a thinning process is applied to a pair of the glass substrates 1 by immersing a pair of the mutually integrated glass substrates 1 in etching liquid. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は、EL(エレクトロルミネッセンス)装置の基板を薄型化する方法に関する。
また、この発明は、それぞれ表面上に形成された素子部を互いに対向させた状態で周縁部が貼り合わされた貼り合わせ基板を各基板に分断する方法にも関している。
The present invention relates to a method for reducing the thickness of a substrate of an EL (electroluminescence) device.
The present invention also relates to a method of dividing a bonded substrate having peripheral portions bonded together in a state where element portions formed on the respective surfaces are opposed to each other.

従来、無機EL装置や有機EL装置などのEL装置は、高輝度で自己発光を行うため、薄型、軽量の携帯機器等のディスプレイや照明装置として広く実用化が進められている。このEL装置は、基板上に少なくとも一方が透明性電極からなる一対の電極層とそれらの間に挟まれた発光層とを有するEL素子部が形成された構造を有している。   2. Description of the Related Art Conventionally, EL devices such as inorganic EL devices and organic EL devices have been widely put into practical use as displays and lighting devices for thin and light portable devices because they emit light with high brightness. This EL device has a structure in which an EL element portion having a pair of electrode layers, at least one of which is made of a transparent electrode, and a light emitting layer sandwiched therebetween is formed on a substrate.

このようなEL装置では、装置全体の薄型化や軽量化等のために、薄い基板を用いることが望まれる。
ところが、例えば薄いガラス基板を用いて、この基板上にEL素子部を形成しようとすると、基板の撓みなどにより製造時の各種工程における操作性が低下して製造が困難になるおそれがある。そこで、製造時には厚手のガラス基板を用いる必要がある。
In such an EL device, it is desired to use a thin substrate in order to reduce the thickness and weight of the entire device.
However, for example, if a thin glass substrate is used to form the EL element portion on the substrate, the operability in various processes during the production may be reduced due to the bending of the substrate, and the production may be difficult. Therefore, it is necessary to use a thick glass substrate during manufacture.

このEL装置と同様にガラス基板上に表示素子部が形成される液晶表示装置では、その表示素子部が一対のガラス基板の間に配置されているため、例えば特許文献1に開示されているように、液晶表示装置をエッチング液に浸漬して、一対のガラス基板を共に薄くする方法が提案されている。
また、液晶表示装置の貼り合わせ基板を割断する方法として、例えば特許文献2に開示されているように、一対の貼り合わせ基板を割断する方法が提案されている。
As in this EL device, in a liquid crystal display device in which a display element portion is formed on a glass substrate, since the display element portion is disposed between a pair of glass substrates, for example, as disclosed in Patent Document 1 In addition, a method has been proposed in which a liquid crystal display device is immersed in an etching solution to thin the pair of glass substrates together.
Further, as a method for cleaving a bonded substrate of a liquid crystal display device, for example, a method for cleaving a pair of bonded substrates has been proposed as disclosed in Patent Document 2.

特開平8−262419号公報JP-A-8-262419 特開2004−191573号公報JP 2004-191573 A

しかしながら、EL装置は1枚のガラス基板上にEL素子部が形成された構造を有しており、また、薄型化のためにEL素子部はガラスによる封止ではなく膜による封止(膜封止)が望まれており、そのため特許文献1の方法をEL装置に適用すると、膜封止されているEL素子部がエッチング液に直接浸漬されてダメージを受けてしまうおそれがあった。
また、EL装置では基板1枚で製品になるため、一対の貼り合わせ基板を更に2枚の製品に分断しなければならないが、特許文献2には、その分断方法が記載されていない。
この発明はこのような問題点を解消するためになされたもので、製造時の操作性を低下させず且つEL素子部に悪影響を及ぼすことなく基板を容易に薄くすることができるEL装置の基板の薄型化方法を提供することを目的とする。
また、この発明は、それぞれ表面上に形成された素子部を互いに対向させた状態で周縁部が貼り合わされた貼り合わせ基板を各基板に分断することができる貼り合わせ基板の分断方法を提供することも目的としている。
However, the EL device has a structure in which the EL element portion is formed on a single glass substrate, and the EL element portion is not sealed by glass but sealed by a film (film sealing) for thinning. Therefore, when the method of Patent Document 1 is applied to an EL device, the EL element portion sealed with the film may be directly immersed in the etching solution and may be damaged.
In addition, since the EL device becomes a product with one substrate, the pair of bonded substrates must be further divided into two products. However, Patent Document 2 does not describe the method of dividing.
The present invention has been made to solve such problems, and the substrate of an EL device capable of easily thinning the substrate without deteriorating the operability during manufacturing and without adversely affecting the EL element portion. An object of the present invention is to provide a thinning method.
In addition, the present invention provides a method for dividing a bonded substrate that can divide a bonded substrate having a peripheral portion bonded to each substrate in a state where the element portions formed on the surface face each other. Also aimed.

この発明に係るEL装置の基板の薄型化方法は、基板とこの基板上に形成されたEL素子部とを有するEL装置の基板を薄型化する方法において、それぞれその表面にEL素子部が形成された一対の基板をそれぞれのEL素子部が互いに対向するように配置し、その状態でそれぞれのEL素子部を外部から封止するように一対の基板の周縁部を互いに貼り合わせ、一対の基板にそれぞれ薄型化加工を施す方法である。
一対の基板をそれぞれの表面に形成されたEL素子部が互いに対向するように配置し、その状態でこれら一対の基板の周縁部を貼り合わせることによりこれら一対の基板の間の各EL素子部を外部から封止する。次に、互いに一体にされた一対の基板にそれぞれ薄型化加工を施す。ここで、一対の基板の裏面(EL素子部が形成された表面とは反対の面)はそれぞれ外部に露出しているため、各基板の裏面に直接薄型化加工が施され、これにより一対の基板がそれぞれ薄型化される。
An EL device substrate thinning method according to the present invention is a method for thinning an EL device substrate having a substrate and an EL element portion formed on the substrate, wherein the EL element portion is formed on the surface thereof. The pair of substrates are arranged so that the respective EL element portions face each other, and in this state, the peripheral portions of the pair of substrates are bonded to each other so as to seal the respective EL element portions from the outside. Each is a method of thinning.
A pair of substrates are arranged so that the EL element portions formed on the respective surfaces face each other, and in this state, the peripheral portions of the pair of substrates are bonded to each other so that each EL element portion between the pair of substrates is Seal from the outside. Next, a thinning process is performed on each of the pair of substrates integrated with each other. Here, since the back surfaces of the pair of substrates (surfaces opposite to the surface on which the EL element portion is formed) are exposed to the outside, the back surface of each substrate is directly subjected to thinning processing. Each substrate is thinned.

薄型化加工として、エッチングを施す、研磨を施す、或いはブラストを施すことにより一対の基板をそれぞれ薄型化することができる。
なお、それぞれのEL素子部が互いに離間して対向するように一対の基板の周縁部を所定の間隔で離間させて貼り合わせてもよい。この場合、一対の基板の周縁部を、封止材を介して互いに貼り合わせることができる。さらに、一対の基板の周縁部を所定の間隔で離間させるためのスペーサ粒子を封止材に含ませてもよく、あるいは、一対の基板の周縁部の間にスペーサ部材を介在させてもよい。スペーサ部材としては、封止材の内側に配置された両面テープを使用することができる。また、一対の基板の周縁部を、両面テープを介して互いに貼り合わせることもできる。
それぞれのEL素子部が互いに接触するように一対の基板の周縁部を貼り合わせてもよい。この場合、一対の基板の周縁部を、封止材を介して互いに貼り合わせることが好ましい。
As the thinning process, the pair of substrates can be thinned by performing etching, polishing, or blasting.
Note that the peripheral edge portions of the pair of substrates may be separated from each other with a predetermined interval so that the respective EL element portions are spaced apart from each other. In this case, the peripheral portions of the pair of substrates can be attached to each other via the sealing material. Furthermore, spacer particles for separating the peripheral portions of the pair of substrates at a predetermined interval may be included in the sealing material, or a spacer member may be interposed between the peripheral portions of the pair of substrates. As a spacer member, the double-sided tape arrange | positioned inside the sealing material can be used. Moreover, the peripheral part of a pair of board | substrate can also be bonded together through a double-sided tape.
The peripheral portions of the pair of substrates may be bonded so that the respective EL element portions are in contact with each other. In this case, it is preferable that the peripheral portions of the pair of substrates are bonded to each other via a sealing material.

薄型化加工の後に、一対の基板の周縁部の貼り合わせ部分を切り落とすことによって一対の基板を互いに分断することができる。特に、一対の基板の周縁部の貼り合わせ部分と各EL素子部との間で各基板を切断することが好ましい。また、薄型化加工の後に、各基板をスペーサ部材に対応する部分で切断することにより一対の基板を互いに分断することもできる。
基板の表面に形成されたEL素子部は膜封止されていることが好ましい。
なお、膜封止されているEL素子部の表面に保護フィルムが形成されていてもよい。
基板としてはガラス基板を用いることができる。また、その表面に複数のEL素子部が形成された基板を用いることもできる。
After the thinning process, the pair of substrates can be separated from each other by cutting off the bonded portion of the peripheral edge of the pair of substrates. In particular, it is preferable to cut each substrate between a bonded portion of peripheral portions of a pair of substrates and each EL element portion. In addition, after the thinning process, the pair of substrates can be separated from each other by cutting each substrate at a portion corresponding to the spacer member.
The EL element portion formed on the surface of the substrate is preferably sealed with a film.
In addition, the protective film may be formed in the surface of the EL element part by which the film | membrane sealing was carried out.
A glass substrate can be used as the substrate. A substrate having a plurality of EL element portions formed on the surface thereof can also be used.

この発明に係る貼り合わせ基板の分断方法は、それぞれ表面上に形成された素子部を互いに対向させた状態で周縁部が貼り合わされた貼り合わせ基板を分断する方法であって、周縁部の貼り合わせ部分と素子部との間で且つ中空部分を介して互いに離間している領域で各基板を切断する方法である。
なお、各基板がガラス基板からなる場合に、素子部が形成された面とは反対側の面をスクライブすることにより各基板を切断することができる。このとき、板厚公差の最下限の基板に基づいてスクライブのための刃の高さを設定することが好ましい。
A method for dividing a bonded substrate according to the present invention is a method for dividing a bonded substrate in which peripheral portions are bonded in a state in which element portions formed on the surfaces face each other, and bonding the peripheral portions In this method, each substrate is cut in a region between the portion and the element portion and separated from each other via a hollow portion.
In addition, when each board | substrate consists of glass substrates, each board | substrate can be cut | disconnected by scribing the surface on the opposite side to the surface in which the element part was formed. At this time, it is preferable to set the height of the blade for scribing based on the substrate with the lowest thickness tolerance.

この発明によれば、それぞれその表面にEL素子部が形成された一対の基板をそれぞれのEL素子部が互いに対向するように配置し、その状態で一対の基板の周縁部を互いに貼り合わせることによりそれぞれのEL素子部を外部から封止し、一対の基板にそれぞれ薄型化加工を施すようにしたので、製造時の操作性を低下させず且つEL素子部に悪影響を及ぼすことなく基板を容易に薄くすることができる。
また、それぞれ表面上に形成された素子部を互いに対向させた状態で周縁部が貼り合わされた貼り合わせ基板に対し、周縁部の貼り合わせ部分と素子部との間で且つ中空部分を介して互いに離間している領域で各基板を切断することにより、貼り合わせ基板を各基板に分断することが可能となる。
According to the present invention, a pair of substrates each having an EL element portion formed on the surface thereof are arranged so that the EL element portions face each other, and the peripheral portions of the pair of substrates are bonded to each other in that state. Since each EL element part is sealed from the outside and each pair of substrates is thinned, the substrate can be easily manufactured without deteriorating the operability during manufacturing and without adversely affecting the EL element part. Can be thinned.
Further, with respect to a bonded substrate in which the peripheral portions are bonded in a state where the element portions formed on the respective surfaces face each other, each other is provided between the bonded portion of the peripheral portions and the element portion and through the hollow portion. By cutting each substrate in the separated area, the bonded substrate can be divided into each substrate.

以下、この発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
実施の形態1
図1のフローチャートを参照して、この発明の実施の形態1に係るEL装置の基板の薄型化方法を説明する。まず、ステップS1で、図2に示されるようにガラス基板1の表面1a上に公知の方法によりEL(エレクトロルミネッセンス)素子部2を成膜してEL装置3を形成する。EL素子部2は、一対の電極層及びそれらの間に挟まれた発光層を有しており、これら一対の電極層及び発光層は外部からの水分及びガス等の進入を防止するために膜封止されている。なお、EL素子部2はガラス基板1の寸法よりも小さく形成されており、ガラス基板1の表面1aはEL素子部2の周りに露出した部分を有している。また、EL素子部2の周縁部には図示されない外部接続用の端子等が形成されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
Embodiment 1
A method for thinning the substrate of the EL device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the flowchart of FIG. First, in step S1, as shown in FIG. 2, an EL device 3 is formed by forming an EL (electroluminescence) element portion 2 on the surface 1a of the glass substrate 1 by a known method. The EL element portion 2 has a pair of electrode layers and a light emitting layer sandwiched between them, and the pair of electrode layers and the light emitting layer are films for preventing moisture and gas from entering from the outside. It is sealed. The EL element portion 2 is formed smaller than the size of the glass substrate 1, and the surface 1 a of the glass substrate 1 has a portion exposed around the EL element portion 2. Further, a terminal for external connection (not shown) and the like are formed on the periphery of the EL element portion 2.

ステップS2で、図3に示されるように、このような一対のEL装置3のガラス基板1をそれぞれの表面1aに形成されたEL素子部2が互いに対向するように配置すると共に、一対のガラス基板1の間に例えば厚さ数百μmのスペーサ部材4を配置することによりそれぞれのEL素子部2が互いに干渉しないように離間して配置する。このとき、スペーサ部材4は、EL素子部2の外部接続用の端子等よりも外側に位置するように配置される。さらにその状態で、ステップS3において、一対のガラス基板1の周縁部を封止材5を介して貼り合わせることにより、貼り合わせ基板Wを形成する。一対のガラス基板1の間に形成された中空部分6は、封止材5により外部から封止される。なお、封止材5はエッチング液が浸透せず、またエッチング液により浸食されない材質であり、粘性を有する樹脂等からなる。また、封止材5は各ガラス基板1の表面1aに接着されている。   In step S2, as shown in FIG. 3, the glass substrate 1 of such a pair of EL devices 3 is arranged so that the EL element portions 2 formed on the respective surfaces 1a face each other, and a pair of glasses. For example, a spacer member 4 having a thickness of several hundred μm is disposed between the substrates 1 so that the EL element portions 2 are spaced apart from each other so as not to interfere with each other. At this time, the spacer member 4 is disposed so as to be located outside the external connection terminal of the EL element portion 2 and the like. In this state, the bonded substrate W is formed by bonding the peripheral portions of the pair of glass substrates 1 through the sealing material 5 in step S3. The hollow portion 6 formed between the pair of glass substrates 1 is sealed from the outside by a sealing material 5. The sealing material 5 is a material that does not penetrate the etching solution and is not eroded by the etching solution, and is made of a viscous resin or the like. Further, the sealing material 5 is bonded to the surface 1 a of each glass substrate 1.

次に、ステップS4で、貼り合わせ基板Wをエッチング液に浸漬して一対のガラス基板1に薄型化加工を施す。ここで、一対のガラス基板1の裏面1bはそれぞれ外部に露出しているため、各ガラス基板1の裏面1bが直接エッチング液に浸漬されてエッチングされ、これにより一対のガラス基板1を同時に薄型化することができる。
またこのとき、封止材5により一対のガラス基板1の間に形成された中空部分6が封止されているため、この中空部分6に位置する各EL素子部2がエッチング液に浸漬されてダメージを受けるなどの不具合が防止される。
また、ガラス基板1上にEL素子部2を形成した後に、ガラス基板1を薄型化することができるため、EL素子部2を厚手のガラス基板1の上に形成することができ、これによりEL素子部2を形成する際の各工程における操作性の低下などを招くことなく効率よく形成することができる。
Next, in step S4, the bonded substrate W is immersed in an etching solution, and the pair of glass substrates 1 are thinned. Here, since the back surfaces 1b of the pair of glass substrates 1 are exposed to the outside, the back surfaces 1b of the glass substrates 1 are directly immersed in the etching solution and etched, whereby the pair of glass substrates 1 are simultaneously thinned. can do.
At this time, since the hollow portion 6 formed between the pair of glass substrates 1 is sealed by the sealing material 5, each EL element portion 2 located in the hollow portion 6 is immersed in the etching solution. Problems such as damage are prevented.
Further, since the glass substrate 1 can be thinned after the EL element portion 2 is formed on the glass substrate 1, the EL element portion 2 can be formed on the thick glass substrate 1, whereby the EL The element part 2 can be formed efficiently without causing a decrease in operability in each process.

エッチングにより一対のガラス基板1をそれぞれ所定の厚さまで薄型化した後、ステップS5において、図4に示されるように、貼り合わせ基板Wの各ガラス基板1の裏面1bをスクライブしてスペーサ部材4に対応する部分で切断し、スペーサ部材4及び封止材5が位置していたガラス基板1の周縁部分を切り落とし、これにより一対のガラス基板1を互いに分断する。このようにして、薄型化及び軽量化が実現された2つのEL装置を同時に得ることができる。   After the pair of glass substrates 1 are thinned to a predetermined thickness by etching, the back surface 1b of each glass substrate 1 of the bonded substrate W is scribed to the spacer member 4 in step S5 as shown in FIG. It cut | disconnects by the corresponding part, the peripheral part of the glass substrate 1 in which the spacer member 4 and the sealing material 5 were located is cut off, and, thereby, a pair of glass substrate 1 is parted mutually. In this way, two EL devices that are reduced in thickness and weight can be obtained simultaneously.

なお、スペーサ部材4として、互いに対向するEL素子部2の間に隙間が形成されるような所定の厚さ、例えば数百μmの厚さの両面テープを使用することもできる。この場合には、ステップS2でスペーサ部材4を介して一対のガラス基板1を対向配置したときに、これらガラス基板1が両面テープからなるスペーサ部材4に接着されて固定されるため、ステップS3において一対のガラス基板1の周縁部を封止材5で封止する際の作業性が向上する。   As the spacer member 4, a double-sided tape having a predetermined thickness, for example, a thickness of several hundred μm, that allows a gap to be formed between the EL element portions 2 facing each other can also be used. In this case, when the pair of glass substrates 1 are arranged to face each other via the spacer member 4 in step S2, these glass substrates 1 are bonded and fixed to the spacer member 4 made of double-sided tape. The workability at the time of sealing the peripheral part of a pair of glass substrate 1 with the sealing material 5 improves.

実施の形態2
図5に実施の形態2における貼り合わせ基板Wの分断方法を示す。この実施の形態2は、上述した実施の形態1において、貼り合わせ基板Wの一対のガラス基板1をそれぞれ所定の厚さまで薄型化した後、図5に示されるように、スペーサ部材4とEL素子部2の間に対応する部分で各ガラス基板1の裏面1bをスクライブすることにより、これらのガラス基板1を切断するものである。
Embodiment 2
FIG. 5 shows a method for dividing the bonded substrate W in the second embodiment. In the second embodiment, after the pair of glass substrates 1 of the bonded substrate W is thinned to a predetermined thickness in the first embodiment described above, the spacer member 4 and the EL element as shown in FIG. These glass substrates 1 are cut by scribing the back surface 1b of each glass substrate 1 at a corresponding portion between the portions 2.

すなわち、一対のガラス基板1の周縁部のスペーサ部材4及び封止材5が配置された貼り合わせ部分7と各EL素子部2との間で且つ中空部分6を介して互いに離間している領域に、図6に示されるようにスクライブラインSLを設定し、スクライバでこれらスクライブラインSLに沿って各ガラス基板1の裏面1bをスクライブする。スクライブラインSLは、一対のガラス基板1が中空部分6のみを挟んで対向している領域に設定されるため、このスクライブラインSLでガラス基板1をEL素子部2の周辺4辺で切断すれば、貼り合わせ部分7がEL素子部2から切り離され、一対のガラス基板1は互いに分断されることとなる。   That is, the area | region which mutually spaces apart between the bonding part 7 in which the spacer member 4 and the sealing material 5 of the peripheral part of a pair of glass substrate 1 are arrange | positioned, and each EL element part 2 through the hollow part 6 In addition, scribe lines SL are set as shown in FIG. 6, and the back surface 1b of each glass substrate 1 is scribed along these scribe lines SL with a scriber. Since the scribe line SL is set in a region where the pair of glass substrates 1 are opposed to each other with only the hollow portion 6 interposed therebetween, if the glass substrate 1 is cut along the four peripheral sides of the EL element portion 2 by the scribe line SL. The bonded portion 7 is separated from the EL element portion 2, and the pair of glass substrates 1 are separated from each other.

ここで、薄型化加工が施されたガラス基板1の板厚の公差Δdに対し、一対のガラス基板1を貼り合わせた貼り合わせ基板Wにおいては、板厚の公差幅が2倍となるので、貼り合わせ基板Wの各ガラス基板1に対してその都度スクライバの刃の高さを調整してスクライブすることも考えられるが、公差Δdの最下限の板厚のガラス基板1に基づいてスクライバの刃の高さを設定しておけば、公差Δdに影響されることなく確実にガラス基板1をスクライブすることが可能となる。このようにすれば、スクライブの毎にスクライバの刃の高さ調整をする必要がないので、貼り合わせ基板Wの分断処理の効率が向上する。   Here, since the tolerance width of the plate thickness is doubled in the bonded substrate W in which the pair of glass substrates 1 are bonded to the thickness difference Δd of the glass substrate 1 subjected to the thinning process, Although it is possible to scribe each glass substrate 1 of the bonded substrate W by adjusting the height of the scriber blade each time, the scriber blade is based on the glass substrate 1 having the lowest thickness of the tolerance Δd. If the height is set, the glass substrate 1 can be surely scribed without being affected by the tolerance Δd. In this way, it is not necessary to adjust the height of the scriber blade every time scribe is performed, so that the efficiency of the cutting process of the bonded substrate W is improved.

実施の形態3
図7に実施の形態3における貼り合わせ基板Wの断面構造を示す。この実施の形態3は、上述した実施の形態1及び2において、スペーサ部材4及び封止材5を介して一対のガラス基板1の周縁部を貼り合わせる代わりに、両面テープからなるスペーサ部材4のみで一対のガラス基板1の周縁部を貼り合わせるようにしたものである。
スペーサ部材4を構成する両面テープとしては、ガラス基板1の薄型化加工の際に用いられるエッチング液が浸透せず、またエッチング液により浸食されないように、耐酸性のテープを使用する必要がある。
Embodiment 3
FIG. 7 shows a cross-sectional structure of the bonded substrate W in the third embodiment. In this third embodiment, only the spacer member 4 made of double-sided tape is used instead of bonding the peripheral portions of the pair of glass substrates 1 through the spacer member 4 and the sealing material 5 in the first and second embodiments described above. The peripheral portions of the pair of glass substrates 1 are bonded together.
As the double-sided tape constituting the spacer member 4, it is necessary to use an acid-resistant tape so that the etching solution used when thinning the glass substrate 1 does not penetrate and is not eroded by the etching solution.

このような両面テープからなるスペーサ部材4を用いれば、スペーサ部材4によって一対のガラス基板1の周縁部を所定の間隔に保持すると同時に、一対のガラス基板1の間に形成された中空部分6を外部から封止して、この中空部分6に位置するEL素子部2をエッチング液による浸漬から防止することができる。
例えば、図7に示されるように、スペーサ部材4とEL素子部2の間に対応する部分で各ガラス基板1の裏面1bをスクライブして各ガラス基板1を切断することにより、一対のガラス基板1が互いに分断される。
If the spacer member 4 made of such a double-sided tape is used, the peripheral portions of the pair of glass substrates 1 are held at a predetermined interval by the spacer member 4 and at the same time, the hollow portions 6 formed between the pair of glass substrates 1 are formed. By sealing from the outside, the EL element portion 2 located in the hollow portion 6 can be prevented from being immersed in the etching solution.
For example, as shown in FIG. 7, a pair of glass substrates is obtained by scribing the back surface 1b of each glass substrate 1 at a corresponding portion between the spacer member 4 and the EL element portion 2 to cut each glass substrate 1. 1 are separated from each other.

実施の形態4
図8に実施の形態4における貼り合わせ基板Wの断面構造を示す。この実施の形態4は、上述した実施の形態1及び2において、スペーサ部材4及び封止材5を介して一対のガラス基板1の周縁部を貼り合わせる代わりに、粘性を有する封止材5のみで一対のガラス基板1の周縁部を貼り合わせると共に互いに対向配置されたEL素子部2が互いに接触するようにしたものである。
各EL素子部2は、外部からの水分及びガス等の進入を防止するために、その表面が図示しない封止膜により膜封止されているが、双方のEL素子部2の封止膜を互いに接触させた状態で一対のガラス基板1の周縁部が封止材5により貼り合わされている。
Embodiment 4
FIG. 8 shows a cross-sectional structure of the bonded substrate W in the fourth embodiment. In the fourth embodiment, only the sealing material 5 having viscosity is used instead of bonding the peripheral portions of the pair of glass substrates 1 through the spacer member 4 and the sealing material 5 in the first and second embodiments. The peripheral portions of the pair of glass substrates 1 are bonded together, and the EL element portions 2 arranged opposite to each other are in contact with each other.
Each EL element part 2 has its surface sealed with a sealing film (not shown) in order to prevent entry of moisture, gas, etc. from the outside. The peripheral portions of the pair of glass substrates 1 are bonded to each other with the sealing material 5 in a state of being in contact with each other.

この場合にも、封止材5が配置された貼り合わせ部分と各EL素子部2との間に中空部分6が形成され、この中空部分6が封止材5により外部から封止されている。
なお、封止材5の内側にスペーサ部材4が存在しないので、一対のガラス基板1の周縁部に配置された封止材5がEL素子部2まで侵入することを防止するために、封止材5の粘性を調整することが望ましい。
例えば、図8に示されるように、封止材5とEL素子部2の間に対応する部分で各ガラス基板1の裏面1bをスクライブして各ガラス基板1を切断することにより、一対のガラス基板1が互いに分断される。
Also in this case, a hollow portion 6 is formed between the bonded portion where the sealing material 5 is disposed and each EL element portion 2, and the hollow portion 6 is sealed from the outside by the sealing material 5. .
In addition, since the spacer member 4 does not exist inside the sealing material 5, sealing is performed in order to prevent the sealing material 5 disposed on the peripheral edge portions of the pair of glass substrates 1 from entering the EL element portion 2. It is desirable to adjust the viscosity of the material 5.
For example, as shown in FIG. 8, by scribing the back surface 1b of each glass substrate 1 at a portion corresponding to between the sealing material 5 and the EL element portion 2, the glass substrate 1 is cut, so that a pair of glasses The substrates 1 are separated from each other.

実施の形態5
図9に実施の形態5における貼り合わせ基板Wの断面構造を示す。この実施の形態5は、上述した実施の形態4において、スペーサ粒子8が混ぜ込まれた封止材5を介して一対のガラス基板1の周縁部を貼り合わせたものである。スペーサ粒子8は、一対のガラス基板1の周縁部を所定の間隔で互いに離間させるための粒子であり、このスペーサ粒子8の存在により双方のEL素子部2が互いに干渉しないように離間して配置される。スペーサ粒子8としては、例えば、数百μmの径を有する粒子が用いられる。
Embodiment 5
FIG. 9 shows a cross-sectional structure of the bonded substrate W in the fifth embodiment. In this fifth embodiment, the peripheral portions of the pair of glass substrates 1 are bonded to each other through the sealing material 5 in which the spacer particles 8 are mixed in the fourth embodiment. The spacer particles 8 are particles for separating the peripheral portions of the pair of glass substrates 1 from each other at a predetermined interval. The spacer particles 8 are arranged so as not to interfere with each other due to the presence of the spacer particles 8. Is done. As the spacer particles 8, for example, particles having a diameter of several hundred μm are used.

実施の形態4と同様に、封止材5がEL素子部2まで侵入することを防止するために、封止材5の粘性を調整することが望ましい。
例えば、図9に示されるように、封止材5とEL素子部2の間に対応する部分で各ガラス基板1の裏面1bをスクライブして各ガラス基板1を切断することにより、一対のガラス基板1が互いに分断される。
As in the fourth embodiment, it is desirable to adjust the viscosity of the sealing material 5 in order to prevent the sealing material 5 from entering the EL element portion 2.
For example, as shown in FIG. 9, the glass substrate 1 is cut by scribing the back surface 1 b of each glass substrate 1 at a portion corresponding to the space between the sealing material 5 and the EL element portion 2. The substrates 1 are separated from each other.

実施の形態6
図10に実施の形態6における貼り合わせ基板Wの断面構造を示す。この実施の形態6は、EL素子部2が一対のガラス基板1の表面1a全体に形成されている一対のEL装置3を用いたものである。この場合、各EL素子部2の中央側に形成された有効素子部分2aの外側に位置するように互いのEL素子部2の間にスペーサ部材4を配置し、その状態で封止材5により一対のガラス基板1の側部まで覆うようにしてこれら一対のガラス基板1を貼り合わせ、その後、一対のガラス基板1に薄型化加工を施すことができる。
Embodiment 6
FIG. 10 shows a cross-sectional structure of the bonded substrate W in the sixth embodiment. In the sixth embodiment, a pair of EL devices 3 in which the EL element portion 2 is formed on the entire surface 1a of the pair of glass substrates 1 are used. In this case, the spacer member 4 is arranged between the EL element portions 2 so as to be located outside the effective element portion 2a formed on the center side of each EL element portion 2, and in that state, the sealing material 5 The pair of glass substrates 1 can be bonded together so as to cover the side portions of the pair of glass substrates 1, and then the pair of glass substrates 1 can be thinned.

実施の形態7
図11に実施の形態7における貼り合わせ基板Wの断面構造を示す。この実施の形態7は、それぞれその表面に多数のEL素子部2が形成された一対の大型のガラス基板1の周縁部をスペーサ部材4及び封止材5を介して貼り合わせたものである。また、ガラス基板1の中央部においても互いに隣接するEL素子部2の間にスペーサ部材4が配置されており、これにより一方のガラス基板1上のEL素子部2が他方のガラス基板1上のEL素子部2から離間するように一対のガラス基板1が所定の間隔で離間して配置される。
Embodiment 7
FIG. 11 shows a cross-sectional structure of the bonded substrate W in the seventh embodiment. In the seventh embodiment, the peripheral portions of a pair of large glass substrates 1 each having a large number of EL element portions 2 formed on the surfaces thereof are bonded together via a spacer member 4 and a sealing material 5. In addition, a spacer member 4 is disposed between the EL element portions 2 adjacent to each other at the central portion of the glass substrate 1, whereby the EL element portion 2 on one glass substrate 1 is placed on the other glass substrate 1. A pair of glass substrates 1 are arranged at a predetermined interval so as to be separated from the EL element portion 2.

このような貼り合わせ基板Wをエッチング液に浸漬して一対のガラス基板1を薄型化することもできる。なお、薄型化した後に、各ガラス基板1を周縁部の貼り合わせ部分とそれに近接するEL素子部2との間でスクライブすることにより一対のガラス基板1を互いに分断し、さらに分断された各ガラス基板1を個々のEL素子部2に応じて分割する。これにより、薄型化及び軽量化が実現された多数のEL装置を容易に得ることができる。   Such a bonded substrate W can be immersed in an etching solution to make the pair of glass substrates 1 thinner. In addition, after thinning, a pair of glass substrate 1 is parted mutually by scribing each glass substrate 1 between the bonding part of a peripheral part, and the EL element part 2 adjacent to it, and each part glass further divided | segmented The substrate 1 is divided according to the individual EL element portions 2. Accordingly, a large number of EL devices that are thin and light can be easily obtained.

実施の形態8
図12に実施の形態8における貼り合わせ基板Wの断面構造を示す。この実施の形態8は、上述した実施の形態7において、ガラス基板1の中央部において互いに隣接するEL素子部2の間に配置されたスペーサ部材4を廃止し、自重により撓んだガラス基板1の中央部に配置されているEL素子部2を対向するEL素子部2に接触するようにしたものである。
Embodiment 8
FIG. 12 shows a cross-sectional structure of the bonded substrate W in the eighth embodiment. In the eighth embodiment, the glass substrate 1 is bent by its own weight by eliminating the spacer member 4 disposed between the EL element portions 2 adjacent to each other in the central portion of the glass substrate 1 in the seventh embodiment. The EL element part 2 disposed at the center of the EL element part 2 is brought into contact with the opposing EL element part 2.

この貼り合わせ基板Wにおいても実施の形態7と同様に、貼り合わせ基板Wをエッチング液に浸漬して一対のガラス基板1を薄型化した後、各ガラス基板1を周縁部の貼り合わせ部分とそれに近接するEL素子部2との間でスクライブすることにより一対のガラス基板1を互いに分断し、さらに分断された各ガラス基板1を個々のEL素子部2に応じて分割すればよい。
互いに隣接するEL素子部2の間に配置されたスペーサ部材4を廃止したので、これらのスペーサ部材4を装着する工程及びスペーサ部材4を取り外したり切除する工程が削減され、多数のEL装置製造の効率が向上すると共にコストダウンを図ることができる。
Also in this bonded substrate W, as in the seventh embodiment, after the bonded substrate W is immersed in an etching solution to make the pair of glass substrates 1 thin, each glass substrate 1 is bonded to the bonded portion at the peripheral portion and the glass substrate 1. The pair of glass substrates 1 may be separated from each other by scribing between the adjacent EL element portions 2, and the divided glass substrates 1 may be divided according to the individual EL element portions 2.
Since the spacer members 4 arranged between the EL element portions 2 adjacent to each other are abolished, the steps of attaching the spacer members 4 and the steps of removing and removing the spacer members 4 are reduced, and a number of EL device manufactures can be performed. Efficiency can be improved and cost can be reduced.

実施の形態9
図13に実施の形態9における貼り合わせ基板Wの断面構造を示す。この実施の形態9は、上述した実施の形態8において、スペーサ部材4及び封止材5を介して一対のガラス基板1の周縁部を貼り合わせる代わりに、粘性を有する封止材5のみで一対のガラス基板1の周縁部を貼り合わせ、一方のガラス基板1上の複数のEL素子部2と他方のガラス基板1上の複数のEL素子部2とをそれぞれ接触するようにしたものである。
Embodiment 9
FIG. 13 shows a cross-sectional structure of the bonded substrate W in the ninth embodiment. In the ninth embodiment, instead of pasting the peripheral portions of the pair of glass substrates 1 through the spacer member 4 and the sealing material 5 in the eighth embodiment, only a pair of viscous sealing materials 5 is used. A plurality of EL element portions 2 on one glass substrate 1 and a plurality of EL element portions 2 on the other glass substrate 1 are brought into contact with each other.

この実施の形態9においては、スペーサ部材4をすべて廃止したので、スペーサ部材4を装着する工程及びスペーサ部材4を取り外したり切除する工程が削減され、多数のEL装置製造の効率向上とコストダウンを図ることができる。
なお、一対のガラス基板1の周縁部に配置された封止材5がEL素子部2まで侵入することを防止するために、封止材5の粘性を調整することが望ましい。
In the ninth embodiment, since all the spacer members 4 are eliminated, the steps for attaching the spacer members 4 and the steps for removing and removing the spacer members 4 are reduced, thereby improving the efficiency and cost reduction of manufacturing a large number of EL devices. Can be planned.
In addition, in order to prevent the sealing material 5 arrange | positioned at the peripheral part of a pair of glass substrate 1 from penetrating to the EL element part 2, it is desirable to adjust the viscosity of the sealing material 5. FIG.

実施の形態10
図14に実施の形態10における貼り合わせ基板Wの断面構造を示す。この実施の形態10は、上述した実施の形態9において、膜封止されているEL素子部2の表面に、素子の保護を目的とした保護フィルム9が形成され、互いに対向するEL素子部2の保護フィルム9が互いに密着するようにしたものである。
Embodiment 10
FIG. 14 shows a cross-sectional structure of the bonded substrate W in the tenth embodiment. In the tenth embodiment, the protective film 9 for protecting the element is formed on the surface of the EL element section 2 which is film-sealed in the ninth embodiment, and the EL element sections 2 facing each other. The protective films 9 are in close contact with each other.

この実施の形態10においては、保護フィルム9がスペーサ部材4を代用する構造となる。したがって、ガラス基板1をスクライブする際に発生する撓みが保護フィルム9によって制限されるため、スペーサ部材4を設けなくても、EL素子部2が確実に保護されると共に、ガラス基板1を容易に所定の位置でスクライブすることができる。
なお、この実施の形態10においては、全てのEL素子部2の封止膜表面に保護フィルム9が形成されているが、ガラス基板1の撓みにより互いに接触する可能性のあるEL素子部2のみに保護フィルム9を適用してもよい。
In the tenth embodiment, the protective film 9 has a structure in which the spacer member 4 is substituted. Therefore, since the bending generated when the glass substrate 1 is scribed is limited by the protective film 9, the EL element portion 2 can be reliably protected and the glass substrate 1 can be easily formed without providing the spacer member 4. It is possible to scribe at a predetermined position.
In the tenth embodiment, the protective film 9 is formed on the surface of the sealing film of all the EL element portions 2, but only the EL element portions 2 that may come into contact with each other due to the bending of the glass substrate 1. A protective film 9 may be applied.

なお、上述の各実施の形態では、ガラス基板1を用いたが、EL装置の基板として、Siや、樹脂、金属からなる基板を用いることもできる。
また、上述の各実施の形態では、一対のガラス基板1にエッチングを施して薄型化したが、これに限定されるものではなく、EL装置の基板の材質に適した薄型化加工法、例えば研磨やブラスト、その他各種の方法により基板を薄型化することができる。研磨の場合には、両面研磨を施すことにより一対の基板を同時に薄型化することができる。
In each of the above-described embodiments, the glass substrate 1 is used. However, a substrate made of Si, resin, or metal can be used as the substrate of the EL device.
Further, in each of the above-described embodiments, the pair of glass substrates 1 is etched and thinned. However, the present invention is not limited to this, and a thinning method suitable for the material of the substrate of the EL device, for example, polishing. The substrate can be thinned by various methods such as blasting and blasting. In the case of polishing, the pair of substrates can be simultaneously thinned by performing double-side polishing.

なお、この発明は、基板上に透明性電極、発光層及び反射性電極が順次積層され、発光層で発した光が透明性電極及び基板を透過して出射されるボトムエミッション型のEL装置、及び基板上に反射性電極、発光層及び透明性電極を順次積層して発光層で発した光が基板とは反対側の透明性電極を透過して出射されるトップエミッション型のEL装置の双方に適用される。
また、この発明は、有機EL装置及び無機EL装置の双方に適用することができる。
The present invention relates to a bottom emission type EL device in which a transparent electrode, a light emitting layer, and a reflective electrode are sequentially laminated on a substrate, and light emitted from the light emitting layer is emitted through the transparent electrode and the substrate, And a top emission type EL device in which a reflective electrode, a light emitting layer and a transparent electrode are sequentially laminated on the substrate, and light emitted from the light emitting layer is transmitted through the transparent electrode on the opposite side of the substrate and emitted. Applies to
The present invention can be applied to both organic EL devices and inorganic EL devices.

この発明の実施の形態1に係るEL装置の基板の薄型化方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the thinning method of the board | substrate of the EL apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention. 実施の形態1における各基板上へのEL素子部の形成の様子を示す図である。3 is a diagram showing a state of formation of an EL element portion on each substrate in Embodiment 1. FIG. 実施の形態1における貼り合わせ基板の双方のガラス基板に薄型化加工を施す様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that a thinning process is performed to both the glass substrates of the bonding board | substrate in Embodiment 1. FIG. 薄型化加工が施された実施の形態1における貼り合わせ基板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the bonded substrate in Embodiment 1 to which the thinning process was given. 実施の形態2における貼り合わせ基板を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a bonded substrate in Embodiment 2. 実施の形態2における貼り合わせ基板を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a bonded substrate in Embodiment 2. 実施の形態3における貼り合わせ基板を示す断面図である。7 is a cross-sectional view illustrating a bonded substrate in Embodiment 3. FIG. 実施の形態4における貼り合わせ基板を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a bonded substrate in Embodiment 4. 実施の形態5における貼り合わせ基板を示す断面図である。10 is a cross-sectional view showing a bonded substrate in Embodiment 5. FIG. 実施の形態6における貼り合わせ基板を示す部分断面図である。10 is a partial cross-sectional view illustrating a bonded substrate in Embodiment 6. FIG. 実施の形態7における貼り合わせ基板を示す断面図である。9 is a cross-sectional view illustrating a bonded substrate in Embodiment 7. FIG. 実施の形態8における貼り合わせ基板を示す断面図である。10 is a cross-sectional view illustrating a bonded substrate in Embodiment 8. FIG. 実施の形態9における貼り合わせ基板を示す断面図である。10 is a cross-sectional view illustrating a bonded substrate in Embodiment 9. FIG. 実施の形態10における貼り合わせ基板を示す断面図である。10 is a cross-sectional view illustrating a bonded substrate in Embodiment 10. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 ガラス基板、1a 表面、1b 裏面、2 EL素子部、2a 有効素子部分、3 EL装置、4 スペーサ部材、5 封止材、6 中空部分、7 貼り合わせ部分、8 スペーサ粒子、9 保護フィルム、W 貼り合わせ基板、SL スクライブライン。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate, 1a surface, 1b back surface, 2 EL element part, 2a Effective element part, 3 EL apparatus, 4 Spacer member, 5 Sealing material, 6 Hollow part, 7 Bonding part, 8 Spacer particle, 9 Protective film, W Bonded substrate, SL scribe line.

Claims (22)

基板とこの基板上に形成されたEL素子部とを有するEL装置の基板を薄型化する方法において、
それぞれその表面にEL素子部が形成された一対の基板をそれぞれのEL素子部が互いに対向するように配置し、
その状態でそれぞれのEL素子部を外部から封止するように前記一対の基板の周縁部を互いに貼り合わせ、
前記一対の基板にそれぞれ薄型化加工を施す
ことを特徴とするEL装置の基板の薄型化方法。
In a method for thinning a substrate of an EL device having a substrate and an EL element portion formed on the substrate,
A pair of substrates each having an EL element portion formed on the surface thereof are arranged so that the EL element portions face each other,
In that state, the peripheral portions of the pair of substrates are bonded to each other so as to seal each EL element portion from the outside,
A thinning method for a substrate of an EL device, wherein the pair of substrates is thinned.
前記薄型化加工として、エッチングを施す請求項1に記載のEL装置の基板の薄型化方法。   The method of thinning a substrate of an EL device according to claim 1, wherein etching is performed as the thinning process. 前記薄型化加工として、研磨を施す請求項1に記載のEL装置の基板の薄型化方法。   The method of thinning a substrate of an EL device according to claim 1, wherein polishing is performed as the thinning process. 前記薄型化加工として、ブラストを施す請求項1に記載のEL装置の基板の薄型化方法。   The method of thinning a substrate of an EL device according to claim 1, wherein blasting is performed as the thinning process. それぞれのEL素子部が互いに離間して対向するように前記一対の基板の周縁部を所定の間隔で離間させて貼り合わせる請求項1〜4のいずれか一項に記載のEL装置の基板の薄型化方法。   5. The thin substrate of the EL device according to claim 1, wherein the peripheral portions of the pair of substrates are bonded to each other at a predetermined interval so that the respective EL element portions are spaced apart from each other. Method. 前記一対の基板の周縁部を、封止材を介して互いに貼り合わせる請求項5に記載のEL装置の基板の薄型化方法。   6. The method for thinning a substrate of an EL device according to claim 5, wherein the peripheral portions of the pair of substrates are bonded to each other via a sealing material. 前記封止材は、前記一対の基板の周縁部を所定の間隔で離間させるためのスペーサ粒子を含む請求項6に記載のEL装置の基板の薄型化方法。   The method of thinning a substrate of an EL device according to claim 6, wherein the sealing material includes spacer particles for separating peripheral edges of the pair of substrates at a predetermined interval. 前記一対の基板の周縁部の間にスペーサ部材を介在させる請求項6に記載のEL装置の基板の薄型化方法。   The method of thinning a substrate of an EL device according to claim 6, wherein a spacer member is interposed between the peripheral portions of the pair of substrates. 前記スペーサ部材が前記封止材の内側に配置された両面テープからなる請求項8に記載のEL装置の基板の薄型化方法。   The method of thinning a substrate of an EL device according to claim 8, wherein the spacer member is a double-sided tape disposed inside the sealing material. 前記一対の基板の周縁部を、両面テープを介して互いに貼り合わせる請求項5に記載のEL装置の基板の薄型化方法。   6. The method of thinning a substrate of an EL device according to claim 5, wherein the peripheral portions of the pair of substrates are bonded to each other via a double-sided tape. それぞれのEL素子部が互いに接触するように前記一対の基板の周縁部を貼り合わせる請求項1〜4のいずれか一項に記載のEL装置の基板の薄型化方法。   The method for thinning a substrate of an EL device according to claim 1, wherein the peripheral portions of the pair of substrates are bonded so that the respective EL element portions are in contact with each other. 前記一対の基板の周縁部を、封止材を介して互いに貼り合わせる請求項11に記載のEL装置の基板の薄型化方法。   The method for thinning a substrate of an EL device according to claim 11, wherein peripheral portions of the pair of substrates are bonded to each other via a sealing material. 前記薄型化加工の後に、前記一対の基板の周縁部の貼り合わせ部分を切り落とすことにより前記一対の基板を互いに分断する請求項1〜12のいずれか一項に記載のEL装置の基板の薄型化方法。   The substrate of the EL device according to any one of claims 1 to 12, wherein after the thinning process, the pair of substrates are separated from each other by cutting off a bonded portion of a peripheral portion of the pair of substrates. Method. 前記一対の基板の周縁部の貼り合わせ部分と各EL素子部との間で各基板を切断する請求項13に記載のEL装置の基板の薄型化方法。   The method of thinning a substrate of an EL device according to claim 13, wherein each substrate is cut between a bonded portion at a peripheral portion of the pair of substrates and each EL element portion. 前記薄型化加工の後に、各基板を前記スペーサ部材に対応する部分で切断することにより前記一対の基板を互いに分断する請求項8または9に記載のEL装置の基板の薄型化方法。   The method for thinning a substrate of an EL device according to claim 8 or 9, wherein after the thinning process, the pair of substrates is separated from each other by cutting each substrate at a portion corresponding to the spacer member. 前記基板の表面に形成されたEL素子部は膜封止されている請求項1〜15のいずれか一項に記載のEL装置の基板の薄型化方法。   The method for thinning a substrate of an EL device according to claim 1, wherein the EL element portion formed on the surface of the substrate is film-sealed. 膜封止された前記EL素子部の表面に保護フィルムが形成されている請求項16に記載のEL装置の基板の薄型化方法。   The method for thinning a substrate of an EL device according to claim 16, wherein a protective film is formed on the surface of the EL element portion sealed with the film. 前記基板としてガラス基板を用いる請求項1〜17のいずれか一項に記載のEL装置の基板の薄型化方法。   The method for reducing the thickness of a substrate of an EL device according to claim 1, wherein a glass substrate is used as the substrate. 前記基板の表面には複数のEL素子部が形成されている請求項1〜18のいずれか一項に記載のEL装置の基板の薄型化方法。   The method for thinning a substrate of an EL device according to claim 1, wherein a plurality of EL element portions are formed on the surface of the substrate. それぞれ表面上に形成された素子部を互いに対向させた状態で周縁部が貼り合わされた貼り合わせ基板の分断方法であって、
周縁部の貼り合わせ部分と素子部との間で且つ中空部分を介して互いに離間している領域で各基板を切断することを特徴とする貼り合わせ基板の分断方法。
A method of dividing a bonded substrate in which peripheral portions are bonded together in a state where element portions formed on the respective surfaces face each other,
A method for dividing a bonded substrate, comprising: cutting each substrate in a region between the bonded portion of the peripheral portion and the element portion and spaced apart from each other through a hollow portion.
各基板はガラス基板からなり、素子部が形成された面とは反対側の面をスクライブすることにより各基板を切断する請求項20に記載の貼り合わせ基板の分断方法。   The method for dividing a bonded substrate according to claim 20, wherein each substrate is made of a glass substrate, and each substrate is cut by scribing a surface opposite to the surface on which the element portion is formed. 板厚公差の最下限の基板に基づいてスクライブのための刃の高さを設定する請求項21に記載の貼り合わせ基板の分断方法。   The method for dividing a bonded substrate according to claim 21, wherein the height of the blade for scribing is set on the basis of the substrate with the lowest thickness tolerance.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007242552A (en) * 2006-03-10 2007-09-20 Toyota Industries Corp Laminated substrate dicing method, and el device
KR100824881B1 (en) 2006-11-10 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display device and manufacturing method thereof and moving device therefor
KR100833738B1 (en) * 2006-11-30 2008-05-29 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
EP1933401A1 (en) 2006-12-13 2008-06-18 Samsung SDI Co., Ltd. Organic light emitting display and fabricating method thereof
JP2008262796A (en) * 2007-04-12 2008-10-30 Sony Corp Display device and its manufacturing method
US7601982B2 (en) 2006-11-10 2009-10-13 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and fabricating method thereof
JP2011175061A (en) * 2010-02-24 2011-09-08 Sony Corp Method for manufacturing substrate for electric solid device and electric solid device
JP2012134173A (en) * 2012-03-09 2012-07-12 Sony Corp Display device and manufacturing method thereof
US8598780B2 (en) 2006-11-10 2013-12-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display and fabrication method thereof
CN112786623A (en) * 2021-01-12 2021-05-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Display device and manufacturing method thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001035654A (en) * 1999-07-15 2001-02-09 Sony Corp Display panel and its manufacture
JP2002216948A (en) * 2001-01-17 2002-08-02 Nippon Seiki Co Ltd Organic el panel
JP2005222789A (en) * 2004-02-05 2005-08-18 Nishiyama Stainless Chem Kk Manufacturing method of organic electroluminescent display (hereinafter called organic eld) panel, and thinning method of glass substrate for organic eld panel

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001035654A (en) * 1999-07-15 2001-02-09 Sony Corp Display panel and its manufacture
JP2002216948A (en) * 2001-01-17 2002-08-02 Nippon Seiki Co Ltd Organic el panel
JP2005222789A (en) * 2004-02-05 2005-08-18 Nishiyama Stainless Chem Kk Manufacturing method of organic electroluminescent display (hereinafter called organic eld) panel, and thinning method of glass substrate for organic eld panel

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4682883B2 (en) * 2006-03-10 2011-05-11 株式会社豊田自動織機 Method for dividing bonded substrates
JP2007242552A (en) * 2006-03-10 2007-09-20 Toyota Industries Corp Laminated substrate dicing method, and el device
KR100824881B1 (en) 2006-11-10 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display device and manufacturing method thereof and moving device therefor
US8598780B2 (en) 2006-11-10 2013-12-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display and fabrication method thereof
US8536567B2 (en) 2006-11-10 2013-09-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display and fabrication method thereof
US7601982B2 (en) 2006-11-10 2009-10-13 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and fabricating method thereof
US8148719B2 (en) 2006-11-30 2012-04-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and fabricating method thereof
US8580588B2 (en) 2006-11-30 2013-11-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and fabricating method thereof
KR100833738B1 (en) * 2006-11-30 2008-05-29 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
EP1933401A1 (en) 2006-12-13 2008-06-18 Samsung SDI Co., Ltd. Organic light emitting display and fabricating method thereof
US8916852B2 (en) 2006-12-13 2014-12-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display having a substrate support structure and fabricating method thereof
JP2008262796A (en) * 2007-04-12 2008-10-30 Sony Corp Display device and its manufacturing method
JP2011175061A (en) * 2010-02-24 2011-09-08 Sony Corp Method for manufacturing substrate for electric solid device and electric solid device
JP2012134173A (en) * 2012-03-09 2012-07-12 Sony Corp Display device and manufacturing method thereof
CN112786623A (en) * 2021-01-12 2021-05-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Display device and manufacturing method thereof
CN112786623B (en) * 2021-01-12 2022-05-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Display device and manufacturing method thereof

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