JP2005338532A - Active drive type light emission display device and electronic equipment mounted with same display device - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、画素を構成する発光素子を、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）によってアクティブ駆動させる発光表示装置に関し、特に前記発光素子に欠陥が発生しているか否かを、回路規模を増大させることなく容易に検証することができるアクティブ駆動型発光表示装置および同表示装置を搭載した電子機器に関する。 The present invention relates to a light-emitting display device in which light-emitting elements constituting pixels are actively driven by, for example, TFTs (Thin Film Transistors), and in particular, whether or not a defect occurs in the light-emitting elements without increasing the circuit scale. The present invention relates to an active drive light-emitting display device that can be easily verified and an electronic apparatus equipped with the display device.
発光素子をマトリクス状に配列して構成される発光表示パネルを用いたディスプレイの開発が広く進められている。このような表示パネルに用いられる発光素子として、例えば有機材料を発光層に用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子が注目されており、既に一部の製品において実用化されている。これはＥＬ素子の発光層に、良好な発光特性を期待することができる有機化合物を使用することによって、実用に耐えうる高効率化および長寿命化が進んだことも背景にある。 Development of a display using a light-emitting display panel configured by arranging light-emitting elements in a matrix has been widely promoted. As a light-emitting element used in such a display panel, for example, an organic EL (electroluminescence) element using an organic material for a light-emitting layer has attracted attention, and has already been put into practical use in some products. This is also due to the fact that the use of an organic compound that can be expected to have good light-emitting characteristics for the light-emitting layer of the EL element has led to an increase in efficiency and longevity that can withstand practical use.
前記した有機ＥＬ素子は、基本的には例えばガラス等の透明基板上に陽極（アノード）を構成する透明電極、有機化合物を含む発光機能層、および陰極（カソード）を構成する例えば金属電極が積層されて形成されている。この有機ＥＬ素子は電気的にはダイオード特性を有する発光エレメントと、この発光エレメントに並列に結合する寄生容量成分とによる構成に置き換えることができ、有機ＥＬ素子は容量性の発光素子であると言うことができる。 The organic EL element described above is basically formed by laminating a transparent electrode constituting an anode (anode), a light emitting functional layer containing an organic compound, and a metal electrode constituting a cathode (cathode) on a transparent substrate such as glass. Has been formed. This organic EL element can be replaced with a configuration comprising a light emitting element having an electrically diode characteristic and a parasitic capacitance component coupled in parallel to the light emitting element, and the organic EL element is said to be a capacitive light emitting element. be able to.
この有機ＥＬ素子は発光駆動電圧が印加されると、まず、当該素子の電気容量に相当する電荷が電極に変位電流として流れ込み蓄積される。そして、当該素子固有の一定の電圧（発光閾値電圧＝Ｖth）を超えると、一方の電極（ダイオード成分のアノード電極側）から発光層を構成する有機層に電流が流れ始め、この電流に比例した強度で発光するものと考えることができる。 When a light emission driving voltage is applied to the organic EL element, first, a charge corresponding to the electric capacity of the element flows into the electrode as a displacement current and is accumulated. When a certain voltage specific to the element (light emission threshold voltage = Vth) is exceeded, current starts to flow from one electrode (on the anode electrode side of the diode component) to the organic layer constituting the light emitting layer, and is proportional to this current. It can be considered to emit light with intensity.
かかる有機ＥＬ素子を用いた表示パネルとして、ＥＬ素子を単にマトリクス状に配列したパッシブマトリクス型表示パネルと、マトリクス状に配列したＥＬ素子の各々に、例えばＴＦＴからなる能動素子を加えたアクティブマトリクス型表示パネルが提案されている。後者のアクティブマトリクス型表示パネルは、前者のパッシブマトリクス型表示パネルに比べて、低消費電力化を実現することができ、また画素間のクロストークが少ない等の特質を備えており、特に大画面を構成する高精細度のディスプレイに適している。 As a display panel using such an organic EL element, a passive matrix display panel in which EL elements are simply arranged in a matrix, and an active matrix type in which, for example, active elements such as TFTs are added to each of the EL elements arranged in a matrix. A display panel has been proposed. The latter active matrix display panel can realize lower power consumption and has less crosstalk between pixels than the former passive matrix display panel. Suitable for high-definition displays that make up
ところで、前記した有機ＥＬ表示パネルを製造する場合においては、その製造工程において発光層として機能する有機層が不均一に積層されたり、陰電極などの薄膜を積層する際に前記有機層にダメージを与えたり、逆に前記陰電極自体に不純物が混入したり酸化するなどして、ドット欠陥を発生させる場合がある。また、良品として市場に供給された後においても、経年変化により前記した有機層や電極、あるいはこれらの界面が劣化して、同様にドット欠陥に至る場合もある。 By the way, when manufacturing the organic EL display panel described above, an organic layer functioning as a light emitting layer is laminated unevenly in the production process, or the organic layer is damaged when a thin film such as a negative electrode is laminated. In some cases, dot defects may occur due to application of impurities or, conversely, impurities mixed into the negative electrode itself or oxidation. Further, even after being supplied to the market as a non-defective product, the above-described organic layer, electrode, or the interface between them may deteriorate due to secular change, leading to dot defects as well.
そこで、前記したようなドット欠陥の状態、あるいは輝度むらなどの有無を、製品出荷前の半製品の状態で、検査用の回路に接続して検査するなどの手段が、次に示す特許文献１および特許文献２に開示されている。
前記した特許文献１および特許文献２に示された検査装置においては、表示パネルが製造された状態で、この表示パネルを検査用の回路に接続して、予め設定された検査プログラムにしたがって各画素の状態をそれぞれ検査することが開示されている。この構成によると、ＣＰＵを含む大規模な回路構成を必要とし、また良品として市場に供給された後において発生するドット欠陥を検出することは不可能である。
In the inspection apparatus disclosed in
この発明は、前記した従来の検査装置の問題点を解消しようとするものであり、回路規模をそれ程増大させることなく、特に短絡状態となった画素を、精度良く容易に検出することができ、さらに市場に供給された後においてもドット欠陥を検出することが可能なアクティブ駆動型発光表示装置および同表示装置を搭載した電子機器を提供することを課題とするものである。 The present invention is intended to solve the problems of the conventional inspection apparatus described above, and can detect a particularly short-circuited pixel accurately and easily without increasing the circuit scale so much. It is another object of the present invention to provide an active drive type light emitting display device capable of detecting a dot defect even after being supplied to the market and an electronic device equipped with the display device.
前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかるアクティブ駆動型発光表示装置の第１の形態は、請求項１に記載のとおり、複数の走査選択線と複数の電源供給線との交差位置に配され、表示用発光素子と当該発光素子に駆動電流を与える駆動用トランジスタとを少なくとも備えた複数の発光表示画素を有するアクティブ駆動型発光表示装置であって、前記各電源供給線には、前記表示用発光素子の各アノード端子側がそれぞれ接続されると共に検査用発光素子のアノード端子が各電源供給線に対応してそれぞれ接続され、かつ前記各電源供給線には、それぞれ第１スイッチを介して第１の電位点における電位が選択的に供給できるように構成され、前記表示用発光素子の各カソード端子側は、前記第１の電位点との間で表示用発光素子の発光閾値以上の電位差になされる第２の電位点、または前記第１の電位点以下の電位で前記第２の電位点以上の電位を有する第３の電位点に選択的に接続できる第２スイッチに共通接続され、前記検査用発光素子の各カソード端子は、前記第１の電位点との間で検査用発光素子の発光閾値以下の電位差になされる第４の電位点、または前記第３の電位点との間で検査用発光素子の発光閾値以上の電位差になされる第５の電位点に選択的に接続できる第３スイッチに共通接続されている点に特徴を有する。
The first form of the active drive type light emitting display device according to the present invention, which has been made to solve the above-mentioned problems, is the intersection position of a plurality of scanning selection lines and a plurality of power supply lines as claimed in
また、前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかるアクティブ駆動型発光表示装置の第２の形態は、請求項２に記載のとおり、複数の走査選択線と複数の電源供給線との交差位置に配され、表示用発光素子と当該発光素子に駆動電流を与える駆動用トランジスタとを少なくとも備えた複数の発光表示画素を有するアクティブ駆動型発光表示装置であって、前記複数の電源供給線は共通に接続されると共に当該電源供給線には前記表示用発光素子の各アノード端子側および１つの検査用発光素子のアノード端子が接続され、かつ前記電源供給線には、第１スイッチを介して第１の電位点における電位が選択的に供給できるように構成され、前記表示用発光素子の各カソード端子側は、前記第１の電位点との間で表示用発光素子の発光閾値以上の電位差になされる第２の電位点、または前記第１の電位点以下の電位で前記第２の電位点以上の電位を有する第３の電位点に選択的に接続できる第２スイッチに共通接続され、前記検査用発光素子のカソード端子は、前記第１の電位点との間で検査用発光素子の発光閾値以下の電位差になされる第４の電位点、または前記第３の電位点との間で検査用発光素子の発光閾値以上の電位差になされる第５の電位点に選択的に接続できる第３スイッチに接続されている点に特徴を有する。
A second embodiment of an active drive type light emitting display device according to the present invention, which has been made to solve the above-mentioned problems, is characterized in that, as described in
さらに、前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかるアクティブ駆動型発光表示装置の第３の形態は、請求項３に記載のとおり、複数の走査選択線と複数の電源供給線との交差位置に配され、表示用発光素子と当該発光素子に駆動電流を与える駆動用トランジスタとを少なくとも備えた複数の発光表示画素を有するアクティブ駆動型発光表示装置であって、前記複数の電源供給線は共通に接続されて、前記表示用発光素子の各アノード端子側がそれぞれ接続されると共に、共通接続された前記電源供給線は第１の電位点、または電流検出回路に対して選択的に接続することができる第１スイッチに接続され、前記表示用発光素子の各カソード端子側は、前記第１の電位点との間で表示用発光素子の発光閾値以上の電位差になされる第２の電位点、または前記電流検出回路の動作基準電位以上の電位差を有する第３の電位点に選択的に接続できる第２スイッチに共通接続されている点に特徴を有する。
Furthermore, the third form of the active drive type light emitting display device according to the present invention, which has been made to solve the above-mentioned problems, is as described in
以下、この発明にかかるアクティブ駆動型発光表示装置について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。図１はその第１の実施の形態を示したものであり、これは請求項１にかかる発明に対応するものである。この図１においては紙面の都合により各発光表示画素は、表示用発光素子としての有機ＥＬ素子と駆動用トランジスタのみを示し、後で説明する走査選択トランジスタなどは省略した状態で示している。
Hereinafter, an active drive type light emitting display device according to the present invention will be described based on the embodiments shown in the drawings. FIG. 1 shows the first embodiment, which corresponds to the invention according to
図１に示すように、発光表示パネルにはｎ本の電源供給線Ｐ1 〜Ｐn が縦方向（列方向）に配列され、ｍ本の陰極線Ｃ1 〜Ｃm が横方向（行方向）に配列されており、それぞれの交差した位置に前記した駆動用トランジスタＱ11〜Ｑnmと、表示用発光素子としての有機ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmがそれぞれ直列接続されて各表示画素を構成し、これらがマトリクス状に配置されている。 As shown in FIG. 1, the light emitting display panel has n power supply lines P1 to Pn arranged in the vertical direction (column direction) and m cathode lines C1 to Cm arranged in the horizontal direction (row direction). In addition, the driving transistors Q11 to Qnm and the organic EL elements E11 to Enm as display light emitting elements are connected in series at the intersecting positions to form each display pixel, and these are arranged in a matrix. ing.
すなわち、図１に示す例においてはＰチャンネル型ＴＦＴによる駆動用トランジスタＱ11〜Ｑnmの各ソース電極（以下、単にソースともいう。）が電源供給線Ｐ1 〜Ｐn にそれぞれ接続され、各駆動用トランジスタＱ11〜Ｑnmのドレイン電極（以下、単にドレインともいう。）は、それぞれ表示用発光素子として機能するＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmのアノード端子（以下、単にアノードともいう。）に接続されている。また、前記各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmのカソード端子（以下、単にカソードともいう。）はそれぞれ各陰極線Ｃ1 〜Ｃm に接続されている。 That is, in the example shown in FIG. 1, the source electrodes (hereinafter also simply referred to as sources) of driving transistors Q11 to Qnm by P-channel TFTs are connected to the power supply lines P1 to Pn, respectively. The drain electrode of ~ Qnm (hereinafter also simply referred to as the drain) is connected to the anode terminal (hereinafter also simply referred to as the anode) of the EL elements E11 to Enm that function as display light emitting elements. The cathode terminals (hereinafter also simply referred to as cathodes) of the EL elements E11 to Enm are connected to the cathode lines C1 to Cm, respectively.
図２は、前記した駆動用トランジスタＱ11〜Ｑnmと表示用発光素子としてのＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmを含む１つの表示画素の回路構成例を示したものであり、ここでは時分割階調表現を実現する同時消去法（ＳＥＳ＝Simultaneous Erasing Scan ）と呼ばれる点灯駆動方式の例が示されている。すなわち図２においては図１における例えば左上に対応する電源供給線Ｐ1 と陰極線Ｃ1 の交差位置における表示画素の全体の回路構成例を示しているが、他の画素においてもそれぞれ同様に構成されている。なお、図２においては駆動用トランジスタは符号Ｑ1 で示しており、表示用発光素子としてのＥＬ素子は符号Ｅ1 で示している。 FIG. 2 shows a circuit configuration example of one display pixel including the above-described driving transistors Q11 to Qnm and EL elements E11 to Enm as display light emitting elements. Here, time-division gradation expression is realized. An example of a lighting driving method called a simultaneous erasing method (SES = Simultaneous Erasing Scan) is shown. That is, FIG. 2 shows an example of the entire circuit configuration of the display pixel at the intersection of the power supply line P1 and the cathode line C1 corresponding to, for example, the upper left in FIG. 1, but the other pixels are similarly configured. . In FIG. 2, the driving transistor is denoted by reference numeral Q1, and the EL element as a display light emitting element is denoted by reference numeral E1.
図２に示す画素の構成においては、図示せぬデータドライバからの映像信号に対応したデータ信号Ｖdataが、表示パネルに配列されたデータ線Ｂ1 を介して走査選択トランジスタＱ2 のソースに供給されるように構成されている。また、前記走査選択トランジスタＱ2 のゲート電極（以下、単にゲートともいう。）には、図示せぬ走査ドライバから走査選択線Ａ1 を介して走査信号Selectが供給されるように構成されている。 In the pixel configuration shown in FIG. 2, a data signal Vdata corresponding to a video signal from a data driver (not shown) is supplied to the source of the scan selection transistor Q2 via the data line B1 arranged on the display panel. It is configured. A scanning signal Select is supplied to a gate electrode (hereinafter also simply referred to as a gate) of the scanning selection transistor Q2 from a scanning driver (not shown) through a scanning selection line A1.
前記走査選択トランジスタＱ2 のドレインは、前記した駆動用トランジスタＱ1 のゲートに接続されると共に、発光維持用コンデンサＣs の一方の端子に接続されている。また、駆動用トランジスタＱ1 のソースは、前記コンデンサＣs の他方の端子に接続されると共に、前記したとおり電源供給線Ｐ1 に接続されている。そして、駆動用トランジスタＱ1 のドレインは、ＥＬ素子Ｅ1 のアノードに接続され、このＥＬ素子Ｅ1 のカソードは、陰極線Ｃ1 に接続されている。 The drain of the scanning selection transistor Q2 is connected to the gate of the driving transistor Q1 and to one terminal of the light emission maintaining capacitor Cs. The source of the driving transistor Q1 is connected to the other terminal of the capacitor Cs and is connected to the power supply line P1 as described above. The drain of the driving transistor Q1 is connected to the anode of the EL element E1, and the cathode of the EL element E1 is connected to the cathode line C1.
図２に示す実施の形態においては、さらに消去用トランジスタＱ3 が備えられ、この消去用トランジスタＱ3 のゲートには、消去信号線Ｒ1 を介して図示せぬ消去ドライバより消去信号Erase が供給されるように構成されている。そして、消去トランジスタＱ3 のソースおよびドレインには、前記キャパシタＣs の各端部がそれぞれ接続されている。なお、図２に示す画素の構成においては、駆動用トランジスタＱ1 のみがＰチャンネル型ＴＦＴにより構成され、他はＮチャンネル型ＴＦＴにより構成されている。 In the embodiment shown in FIG. 2, an erasing transistor Q3 is further provided, and an erasing signal Erase is supplied to the gate of the erasing transistor Q3 from an erasing driver (not shown) via an erasing signal line R1. It is configured. Each end of the capacitor Cs is connected to the source and drain of the erase transistor Q3. In the configuration of the pixel shown in FIG. 2, only the driving transistor Q1 is composed of a P-channel TFT, and the other is composed of an N-channel TFT.
図２に示した画素の構成において、走査選択トランジスタＱ2 のゲートには、アドレス期間において走査ドライバより走査信号としてのオン電圧Selectが供給される。これにより、走査選択トランジスタＱ2 のソース・ドレインを介して、データドライバから供給されるデータ信号Ｖdataに対応した電流がコンデンサＣs に流れ、コンデンサＣs は充電される。そして、その充電電圧が駆動用トランジスタＱ1 のゲートに供給されて、トランジスタＱ1 はそのゲート電圧と、電源供給線Ｐ1 を介してソースに供給される後述する第１の電位点Ｖanの電位に対応した電流をＥＬ素子Ｅ1 に流し、これによりＥＬ素子Ｅ1 は発光する。 In the pixel configuration shown in FIG. 2, an ON voltage Select as a scanning signal is supplied from the scanning driver to the gate of the scanning selection transistor Q2 during the address period. As a result, a current corresponding to the data signal Vdata supplied from the data driver flows to the capacitor Cs through the source / drain of the scan selection transistor Q2, and the capacitor Cs is charged. Then, the charging voltage is supplied to the gate of the driving transistor Q1, and the transistor Q1 corresponds to the gate voltage and the potential of a first potential point Van described later supplied to the source through the power supply line P1. A current is passed through the EL element E1, which causes the EL element E1 to emit light.
そして、アドレス期間が経過して走査選択トランジスタＱ2 のゲートがオフ電圧になると、トランジスタＱ2 はいわゆるカットオフ状態となる。しかしながら、コンデンサＣs に蓄積された電荷により駆動用トランジスタＱ1 のゲート電圧が保持され、これによりＥＬ素子Ｅ1 への駆動電流が維持される。したがって、ＥＬ素子Ｅ1 は次のアドレス動作に至る期間（例えば、次の１フレーム期間）まで、前記データ信号Ｖdataに対応した点灯状態を継続することができる。 When the address period elapses and the gate of the scan selection transistor Q2 becomes an off voltage, the transistor Q2 enters a so-called cut-off state. However, the gate voltage of the driving transistor Q1 is held by the electric charge accumulated in the capacitor Cs, whereby the driving current to the EL element E1 is maintained. Therefore, the EL element E1 can continue the lighting state corresponding to the data signal Vdata until the period until the next address operation (for example, the next one frame period).
一方、前記ＥＬ素子Ｅ1 の点灯期間の途中（例えば、１フレーム期間の途中）において、前記消去ドライバより消去トランジスタＱ3 をオンさせる消去信号Erase が供給されるようになされ、これによりコンデンサＣs にチャージされている電荷は消去（放電）される。この結果、駆動用トランジスタＱ1 はカットオフ状態となり、ＥＬ素子Ｅ1 は直ちに消灯される。換言すれば、図示せぬ消去ドライバからのゲートオン電圧（消去信号Erase ）の出力タイミングを制御することで、ＥＬ素子Ｅ1 の点灯期間が制御され、これにより多階調表現を実現することができる。 On the other hand, in the middle of the lighting period of the EL element E1 (for example, in the middle of one frame period), an erase signal Erase for turning on the erase transistor Q3 is supplied from the erase driver, whereby the capacitor Cs is charged. The stored charge is erased (discharged). As a result, the driving transistor Q1 is cut off and the EL element E1 is immediately turned off. In other words, the lighting period of the EL element E1 is controlled by controlling the output timing of the gate-on voltage (erase signal Erase) from an unillustrated erase driver, thereby realizing multi-tone expression.
図３は、図２に示したＳＥＳと呼ばれる点灯駆動方式を採用した他の画素構成例を示したものであり、それぞれ同一の機能を果たす部分を同一符号で示している。この図３に示した構成例においては、電源供給線Ｐ1 と陰極線Ｃ1 との間における駆動用トランジスタＱ1 とＥＬ素子Ｅ1 との直列接続の順序を入れ替えたものであり、ＥＬ素子Ｅ1 のアノードが電源供給線Ｐ1 に接続されると共に、ＥＬ素子Ｅ1 のカソードは駆動用トランジスタＱ1 のソースに接続されている。そして、駆動用トランジスタＱ1 のドレインは陰極線Ｃ1 に接続されている。 FIG. 3 shows another pixel configuration example that employs a lighting drive method called SES shown in FIG. 2, and portions that perform the same functions are denoted by the same reference numerals. In the configuration example shown in FIG. 3, the order of series connection of the driving transistor Q1 and the EL element E1 between the power supply line P1 and the cathode line C1 is changed, and the anode of the EL element E1 is the power source. Connected to the supply line P1, the cathode of the EL element E1 is connected to the source of the driving transistor Q1. The drain of the driving transistor Q1 is connected to the cathode line C1.
この図３に示す画素構成例においても、図２に示した構成と同様に作用し、多階調表現を実現することができる。したがって、図３に示した回路構成を採用した場合においては、図１に示す各駆動用トランジスタＱ11〜ＱnmとＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmとの直列接続の順序が入れ替わることになるが、いずれにおいても、以後に説明する作用効果においては変わるところはない。 The pixel configuration example shown in FIG. 3 operates similarly to the configuration shown in FIG. 2 and can realize multi-tone expression. Therefore, when the circuit configuration shown in FIG. 3 is adopted, the order of series connection of the driving transistors Q11 to Qnm and the EL elements E11 to Enm shown in FIG. 1 is changed. There are no changes in the effects described below.
図１に戻り、前記した各電源供給線Ｐ1 〜Ｐn には、それぞれ第１スイッチＳＷ11〜ＳＷ1nを介して第１の電位点Ｖanにおける電位がそれぞれ選択的に供給できるように構成されている。また、前記した各陰極線Ｃ1 〜Ｃm は第２スイッチＳＷ2 に共通接続されており、この第２スイッチＳＷ2 は前記第１の電位点Ｖanとの間で表示用発光素子として機能するＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmの発光閾値（Ｖth）以上の電位差になされる第２の電位点Ｖca、または前記第１の電位点Ｖan以下の電位で前記第２の電位点Ｖca以上の電位を有する第３の電位点Ｖreに選択的に接続できるように構成されている。なお、図１に示した実施の形態においては前記第２の電位点Ｖcaは、回路の基準電位点（グランド）になされている。 Returning to FIG. 1, each of the power supply lines P1 to Pn is configured to selectively supply the potential at the first potential point Van via the first switches SW11 to SW1n, respectively. The cathode lines C1 to Cm are commonly connected to the second switch SW2, and the second switch SW2 is connected to the first potential point Van and EL elements E11 to Enm that function as display light emitting elements. To a second potential point Vca having a potential difference equal to or greater than the light emission threshold (Vth), or to a third potential point Vre having a potential equal to or lower than the first potential point Vca at a potential equal to or lower than the first potential point Van. It is configured so that it can be selectively connected. In the embodiment shown in FIG. 1, the second potential point Vca is a reference potential point (ground) of the circuit.
一方、図１に示す実施の形態においては、前記した電源供給線Ｐ1 〜Ｐn には、検査用発光素子として機能する有機ＥＬ素子Ｅ01〜Ｅ0nの各アノードがそれぞれ接続されている。また検査用発光素子としての各ＥＬ素子Ｅ01〜Ｅ0nのカソードは、第３スイッチＳＷ3 に共通接続されており、この第３スイッチＳＷ3 は前記第１の電位点Ｖanとの間で検査用発光素子としてのＥＬ素子Ｅ01〜Ｅ0nの発光閾値以下の電位差になされる第４の電位点Ｖan、または前記第３の電位点Ｖreとの間でＥＬ素子Ｅ01〜Ｅ0nの発光閾値以上の電位差になされる第５の電位点Ｖ1 に選択的に接続できるように構成されている。なお、図１に示した実施の形態においては、前記第４の電位点は第１の電位点Ｖanと同一の電位になされている。 On the other hand, in the embodiment shown in FIG. 1, the anodes of the organic EL elements E01 to E0n functioning as light-emitting elements for inspection are connected to the power supply lines P1 to Pn, respectively. The cathodes of the respective EL elements E01 to E0n as inspection light emitting elements are commonly connected to a third switch SW3, and the third switch SW3 is used as an inspection light emitting element between the first potential point Van. The fourth potential point Van, which has a potential difference equal to or lower than the light emission threshold value of the EL elements E01-E0n, or the fifth potential point, which is equal to or higher than the light emission threshold value of the EL elements E01-E0n, with the third potential point Vre. The potential point V1 can be selectively connected. In the embodiment shown in FIG. 1, the fourth potential point is set to the same potential as the first potential point Van.
ここで、前記した図１に示す構成においては、一例として第１の電位点Ｖanにおける電位は２０Ｖ、第２の電位点Ｖcaにおける電位は前記したとおりグランド電位である０Ｖ、第３の電位点Ｖreにおける電位は２０Ｖ、第４の電位点における電位は第１の電位点Ｖanと同一の電位に、また第５の電位点Ｖ1 における電位は０Ｖにそれぞれ設定されている。 Here, in the configuration shown in FIG. 1, for example, the potential at the first potential point Van is 20 V, the potential at the second potential point Vca is 0 V, which is the ground potential as described above, and the third potential point Vre. Is set to 20V, the potential at the fourth potential point is set to the same potential as the first potential point Van, and the potential at the fifth potential point V1 is set to 0V.
図１に示した構成において、前記した表示用発光素子としてのＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmを点灯駆動する発光表示期間においては、各電源供給線Ｐ1 〜Ｐn には、それぞれ第１スイッチＳＷ11〜ＳＷ1nを介して第１の電位点Ｖanにおける電位が供給され、各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmのカソード側は前記第２スイッチＳＷ2 を介して第２の電位点Ｖcaにおける電位、すなわちグランドに接続される。これにより、各画素を構成するＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmは各駆動用トランジスタＱ11〜Ｑnmの動作に基づいて選択的に点灯制御がなされる。 In the configuration shown in FIG. 1, in the light emission display period in which the EL elements E11 to Enm as display light emitting elements are driven to light, the power supply lines P1 to Pn are respectively connected to the first switches SW11 to SW1n. Then, the potential at the first potential point Van is supplied, and the cathode side of each EL element E11 to Enm is connected to the potential at the second potential point Vca, that is, the ground via the second switch SW2. As a result, the EL elements E11 to Enm constituting each pixel are selectively controlled to be lit based on the operation of the driving transistors Q11 to Qnm.
この時、前記した検査用発光素子として機能するＥＬ素子Ｅ01〜Ｅ0nのカソード端子には、第３スイッチＳＷ3 を介して第４の電位点Ｖanにおける電位、すなわち第１の電位点Ｖanと同一の電位が供給される。これにより、検査用発光素子としてのＥＬ素子Ｅ01〜Ｅ0nのアノードおよびカソード間の電位差は、確実に発光閾値電圧以下になされるため、発光表示期間においては検査用発光素子として機能するＥＬ素子Ｅ01〜Ｅ0nが発光することはない。 At this time, the potential at the fourth potential point Van, that is, the same potential as the first potential point Van is connected to the cathode terminals of the EL elements E01 to E0n functioning as the above-described inspection light emitting elements via the third switch SW3. Is supplied. As a result, the potential difference between the anode and the cathode of the EL elements E01 to E0n as the inspection light emitting elements is surely made equal to or lower than the light emission threshold voltage, and therefore the EL elements E01 to function as the inspection light emitting elements in the light emitting display period. E0n does not emit light.
一方、前記した検査用発光素子として機能するＥＬ素子Ｅ01〜Ｅ0nは、各電源供給線Ｐ1 〜Ｐn ごとに接続された表示用ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmの欠陥、特に短絡状態になされた欠陥を目視により検出できる機能を持たせたものである。これらＥＬ素子Ｅ01〜Ｅ0nを利用して表示用ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmの欠陥状態を検出する検査期間においては、前記第１スイッチＳＷ11〜ＳＷ1nは開放され、表示用発光素子として機能するＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmの各カソード側には第２スイッチＳＷ2 を介して第３の電位点Ｖreにおける電位が供給される。また、前記検査用発光素子として機能するＥＬ素子Ｅ01〜Ｅ0nのカソードには第３スイッチＳＷ3 を介して第５の電位点Ｖ1 における電位が供給される。 On the other hand, the EL elements E01 to E0n functioning as the above-described inspection light-emitting elements visually check the defects of the display EL elements E11 to Enm connected to the respective power supply lines P1 to Pn, in particular, the short-circuited defects. It has a function that can be detected. In the inspection period in which the EL elements E01 to E0n are used to detect the defect state of the display EL elements E11 to Enm, the first switches SW11 to SW1n are opened and the EL elements E11 to E11 function as display light emitting elements. The potential at the third potential point Vre is supplied to each cathode side of Enm via the second switch SW2. Further, the potential of the fifth potential point V1 is supplied to the cathodes of the EL elements E01 to E0n functioning as the inspection light emitting elements through the third switch SW3.
図４は、前記した検査期間に設定した状態における電源供給線Ｐ1 に対応する回路部分を抜き書きして示したものである。そして、図４においては表示用ＥＬ素子Ｅ1mが短絡による欠陥状態に陥り、かつｍ番目の走査選択線が走査対象になされた状態を示している。前記した状態においては、電源供給線Ｐ1 に沿って矢印で示したように、第３の電位点Ｖreより第２スイッチＳＷ2 、表示用ＥＬ素子Ｅ1m、駆動用トランジスタＱ1m、電源供給線Ｐ1 、検査用発光素子としてのＥＬ素子Ｅ01、第３スイッチＳＷ3 を介して第５の電位点Ｖ1 に至る電流経路が形成される。 FIG. 4 shows the circuit portion corresponding to the power supply line P1 in a state set in the inspection period. FIG. 4 shows a state in which the display EL element E1m is in a defective state due to a short circuit and the mth scanning selection line is set as a scanning target. In the above-described state, as indicated by the arrow along the power supply line P1, the second switch SW2, the display EL element E1m, the driving transistor Q1m, the power supply line P1, and the test line from the third potential point Vre. A current path to the fifth potential point V1 is formed through the EL element E01 as the light emitting element and the third switch SW3.
そして、前記したとおり第３の電位点Ｖreと第５の電位点Ｖ1 とは、検査用発光素子としてのＥＬ素子Ｅ01における発光閾値以上の電位差になされており、したがって図４に示した矢印の経路にしたがって流れる電流により、ＥＬ素子Ｅ01は点灯される。これにより走査対象になされているｍ番目の表示用ＥＬ素子Ｅ1mは短絡状態に陥っていることが目視により確認することができる。 As described above, the third potential point Vre and the fifth potential point V1 have a potential difference equal to or greater than the light emission threshold value in the EL element E01 as the light-emitting element for inspection. Therefore, the path of the arrow shown in FIG. The EL element E01 is lit by the current flowing along Accordingly, it can be visually confirmed that the mth display EL element E1m to be scanned is in a short circuit state.
なお、前記した発光表示期間において、例えばフレーム周波数が６０Ｈｚの場合においては、各走査選択線に順次に与える走査信号の周期は、１／６０ｓｅｃ以下になされるが、検査期間に設定した状態においては各走査選択線に順次与える走査信号の周期はより長く、すなわち目視によって検査用発光素子としてのＥＬ素子Ｅ01の点灯の瞬間を認識できる程度の周期に設定されるように制御することが望ましい。これにより、いずれの表示用ＥＬ素子が欠陥状態に陥ったかを確認することができる。 In the above light emitting display period, for example, when the frame frequency is 60 Hz, the cycle of the scanning signal sequentially given to each scanning selection line is 1/60 sec or less, but in the state set in the inspection period. It is desirable to control so that the period of the scanning signal sequentially applied to each scanning selection line is longer, that is, set to a period that can recognize the moment of lighting of the EL element E01 as the inspection light emitting element. Thereby, it can be confirmed which display EL element has fallen into a defective state.
図４に基づく前記した説明は、電源供給線Ｐ1 に対応して形成された各画素を構成するＥＬ素子の欠陥を検知するものであるが、図１に示す実施の形態においては検査用発光素子としてのＥＬ素子は、各電源供給線Ｐ1 〜Ｐn に対応してそれぞれ配列されている。したがって、検査期間における前記した走査周期の長い動作設定により、各電源供給線に対応して形成された各画素を構成するＥＬ素子の欠陥状態を、各検査用ＥＬ素子Ｅ01〜Ｅ0nの点灯によって、それぞれ認識することができる。 The above description based on FIG. 4 is to detect defects in the EL elements constituting each pixel formed corresponding to the power supply line P1, but in the embodiment shown in FIG. Are arranged in correspondence with the power supply lines P1 to Pn. Therefore, the defect state of the EL element constituting each pixel formed corresponding to each power supply line can be determined by lighting each of the inspection EL elements E01 to E0n by the operation setting having a long scanning cycle in the inspection period. Each can be recognized.
なお、以上説明した構成においては、検査用ＥＬ素子Ｅ01〜Ｅ0nに不点灯の欠陥が生じている場合には、各画素を構成するＥＬ素子の欠陥状態を検出することは不可能である。そこで、検査用ＥＬ素子が不点灯の欠陥状態に陥っているか否かを検査する必要が生ずる。図５はその場合の設定モードを示したものであり、図４に示した例と同様に電源供給線Ｐ1 に対応する回路部分を抜き書きして示している。 In the configuration described above, when the non-lighting defects are generated in the inspection EL elements E01 to E0n, it is impossible to detect the defect state of the EL elements constituting each pixel. Therefore, it is necessary to inspect whether or not the inspection EL element is in a non-lighting defect state. FIG. 5 shows the setting mode in that case, and the circuit portion corresponding to the power supply line P1 is extracted and shown in the same manner as in the example shown in FIG.
前記したモードにおいては、図５に示したように全てが非走査状態になされ、第１スイッチＳＷ1 を介して第１の電位点Ｖanにおける電位を電源供給線Ｐ1 に供給すると共に、前記第３スイッチＳＷ3 を介して前記第５の電位点Ｖ1 における電位を前記検査用発光素子を構成するＥＬ素子Ｅ01のカソードに供給するようになされる。この場合、前記第１の電位点Ｖanにおける電位に対して前記第５の電位点Ｖ1 の電位が、前記検査用発光素子を構成するＥＬ素子Ｅ01の発光閾値以上の電位差に設定されている。 In the mode described above, as shown in FIG. 5, all are set to the non-scanning state, and the potential at the first potential point Van is supplied to the power supply line P1 through the first switch SW1, and the third switch The potential at the fifth potential point V1 is supplied to the cathode of the EL element E01 constituting the inspection light emitting element via SW3. In this case, the potential at the fifth potential point V1 is set to a potential difference equal to or larger than the light emission threshold value of the EL element E01 constituting the inspection light emitting element with respect to the potential at the first potential point Van.
したがって、検査用ＥＬ素子Ｅ01が正常である場合においては図５に矢印で示したように、第１の電位点Ｖanより第１スイッチＳＷ1 、検査用ＥＬ素子Ｅ01、第３スイッチＳＷ3 を介して第５の電位点Ｖ1 に至る電流経路が形成され、ＥＬ素子Ｅ01は発光状態になされる。ここで、ＥＬ素子Ｅ01が発光しない場合には当該素子が不点灯の欠陥に陥っていることが認識できる。 Therefore, when the test EL element E01 is normal, the first switch SW1, the test EL element E01, and the third switch SW3 start from the first potential point Van as shown by the arrows in FIG. A current path reaching the potential point V1 of 5 is formed, and the EL element E01 is brought into a light emitting state. Here, when the EL element E01 does not emit light, it can be recognized that the element has a non-lighting defect.
なお、図５に基づく前記した説明は電源供給線Ｐ1 に対応する回路部分について説明したものであり、図１に示す検査用ＥＬ素子Ｅ02〜Ｅ0nについても同様にして、正常であるか否かを検査することができる。 The above description based on FIG. 5 is for the circuit portion corresponding to the power supply line P1, and the test EL elements E02 to E0n shown in FIG. Can be inspected.
以上説明した実施の形態によると、表示パネル上に表示用発光素子としてのＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmを成膜させるプロセスにおいて、同時に検査用発光素子としてのＥＬ素子Ｅ01〜Ｅ0nを成膜させることができる。したがって、検査用発光素子を追加することによるコストの上昇分は僅かなものとなる。また、前記した第１〜第３のスイッチＳＷ1 〜ＳＷ3 を備えることもそれ程コストに影響を与えるものではない。 According to the embodiment described above, the EL elements E01 to E0n as the inspection light emitting elements can be simultaneously formed in the process of forming the EL elements E11 to Enm as the display light emitting elements on the display panel. . Therefore, the increase in cost due to the addition of the light emitting element for inspection is small. The provision of the first to third switches SW1 to SW3 does not affect the cost so much.
したがって、前記した実施の形態によると、回路規模をそれ程増大させることなく、換言すればコストを上昇させることなく、特に短絡状態となった画素を容易に検出することができる発光表示装置を提供することができる。また前記した形態によると、市場に供給された後においてもドット欠陥を検出することが可能な発光表示装置を提供することができる。 Therefore, according to the above-described embodiment, there is provided a light emitting display device that can easily detect a particularly short-circuited pixel without increasing the circuit scale so much, in other words, without increasing the cost. be able to. Further, according to the above-described embodiment, it is possible to provide a light emitting display device that can detect dot defects even after being supplied to the market.
次に図６は、この発明にかかるアクティブ駆動型発光表示装置の第２の実施の形態を示したものであり、これは請求項２にかかる発明に対応するものである。この図６においても紙面の都合により各発光表示画素は、表示用発光素子としての有機ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmと駆動用トランジスタＱ11〜Ｑnmのみを示しており、これらはすでに説明したように例えば図２または図３に示す画素構成になされている。なお図６においてもすでに説明した図１に示す各部と同一の機能を果たす部分を同一符号で示している。
Next, FIG. 6 shows a second embodiment of the active drive type light emitting display device according to the present invention, which corresponds to the invention according to
この図６に示す構成における図１に示す構成との相違点は、複数の電源供給線Ｐ1 〜Ｐn は共通に接続されると共に、１つの第１スイッチＳＷ1 を介して第１の電位点Ｖanにおける電位が選択的に供給できるように構成されている。また１つの検査用発光素子Ｅ01が用意され、当該素子のアノードが共通接続された電源供給線Ｐ1 〜Ｐn に接続され、検査用発光素子Ｅ01のカソードが第３スイッチＳＷ3 に接続されている。 The difference between the configuration shown in FIG. 6 and the configuration shown in FIG. 1 is that a plurality of power supply lines P1 to Pn are connected in common and at the first potential point Van via one first switch SW1. The electric potential can be selectively supplied. One inspection light-emitting element E01 is prepared, the anodes of the elements are connected to the commonly connected power supply lines P1 to Pn, and the cathode of the inspection light-emitting element E01 is connected to the third switch SW3.
図６に示した構成において、第１〜第３の各スイッチＳＷ1 〜ＳＷ3 が図に示された状態において、表示用発光素子としてのＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmを点灯駆動する発光表示期間になされる。したがって、各画素を構成するＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmは各駆動用トランジスタＱ11〜Ｑnmの動作に基づいて選択的に点灯制御がなされる。一方、検査期間においては前記各スイッチＳＷ1 〜ＳＷ3 は図とは逆の状態に、すなわちすでに説明した図４に示した状態になされる。 In the configuration shown in FIG. 6, in the state where the first to third switches SW1 to SW3 are shown in the drawing, the EL display elements E11 to Enm as display light emitting elements are turned on during the light emission display period. Therefore, the EL elements E11 to Enm constituting each pixel are selectively controlled to be lit based on the operation of the driving transistors Q11 to Qnm. On the other hand, in the inspection period, each of the switches SW1 to SW3 is in a state opposite to that shown in the figure, that is, the state shown in FIG.
これにより、走査状態の画素に対応する表示用ＥＬ素子のいずれかに、短絡による欠陥が生じている場合においては、その走査タイミングにおいて検査用発光素子Ｅ01が点灯駆動されることになる。したがって、この図６に示す構成によると、走査ライン単位で表示用ＥＬ素子に短絡による欠陥が発生しているか否かを検証することができる。なお、この図６に示す実施の形態においても、すでに説明した図５に示した各スイッチＳＷ1 〜ＳＷ3 の設定モードを選択することで、検査用発光素子Ｅ01が正常であるか否かを検査することができる。 Thus, when a defect due to a short circuit occurs in any of the display EL elements corresponding to the pixels in the scanning state, the inspection light emitting element E01 is driven to light at the scanning timing. Therefore, according to the configuration shown in FIG. 6, it is possible to verify whether or not a defect due to a short circuit has occurred in the display EL element in units of scanning lines. In the embodiment shown in FIG. 6 as well, it is inspected whether or not the inspection light emitting element E01 is normal by selecting the setting mode of each of the switches SW1 to SW3 shown in FIG. be able to.
図６に示した実施の形態においては、前記したとおり走査ライン単位で表示用ＥＬ素子に欠陥が発生しているか否かを検証することができるものの、その走査ラインにおけるいずれの表示用ＥＬ素子に欠陥が発生しているのかを検知することはできない。これに対処するために、図７に示した構成を採用することができる。 In the embodiment shown in FIG. 6, although it is possible to verify whether or not a defect has occurred in the display EL element in units of scan lines as described above, any display EL element in the scan line can be verified. It is impossible to detect whether a defect has occurred. In order to cope with this, the configuration shown in FIG. 7 can be adopted.
図７には、電源供給線Ｐ1 に対応する一部の画素構成が示されており、この各表示画素はすでに説明した図２に示す回路構成に基づくものである。そして、これら各表示画素における走査選択トランジスタＱ2 のソースが接続されたデータ線Ｂ1 ごとに、前記した駆動用トランジスタＱ1 をオン状態にする第６の電位点Ｖsoにおける電位を供給することができる第４スイッチＳＷ4 が具備されている。なお、図７においては１つの電源供給線に対応する回路構成が示されているが、前記した第４スイッチＳＷ4 は、各電源供給線に対応してそれぞれ配置される。 FIG. 7 shows a part of the pixel configuration corresponding to the power supply line P1, and each display pixel is based on the circuit configuration shown in FIG. A potential at the sixth potential point Vso for turning on the driving transistor Q1 can be supplied to each data line B1 to which the source of the scan selection transistor Q2 in each display pixel is connected. A switch SW4 is provided. In FIG. 7, a circuit configuration corresponding to one power supply line is shown, but the above-described fourth switch SW4 is arranged corresponding to each power supply line.
これにより、前記した検査期間において図７に示す第４スイッチＳＷ4 を利用して択一的に第６の電位点Ｖso側に接続することにより、いずれかのデータ線に対応する画素をオン状態にすることができる。そして、前記したとおり各ラインごとに走査することで、一つの画素に対応する表示用ＥＬ素子の欠陥状態を、前記検査用ＥＬ素子Ｅ01の点灯動作により検出することができる。 As a result, the pixels corresponding to one of the data lines are turned on by alternatively connecting to the sixth potential point Vso side using the fourth switch SW4 shown in FIG. can do. By scanning each line as described above, the defect state of the display EL element corresponding to one pixel can be detected by the lighting operation of the inspection EL element E01.
以上説明した第２の実施の形態においても、すでに説明した第１の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。 Also in the second embodiment described above, the same operational effects as those of the first embodiment already described can be obtained.
図８は、この発明にかかるアクティブ駆動型発光表示装置の第３の実施の形態を示したものであり、これは請求項３にかかる発明に対応するものである。この図８においても紙面の都合により各発光表示画素は、表示用発光素子としての有機ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmと駆動用トランジスタＱ11〜Ｑnmのみを示しており、これらはすでに説明したように例えば図２または図３に示す画素構成になされている。なお図８においてもすでに説明した図１に示す各部と同一の機能を果たす部分を同一符号で示している。
FIG. 8 shows a third embodiment of the active drive type light emitting display device according to the present invention, which corresponds to the invention according to
この図８に示す構成における図６に示す構成との相違点は、第１スイッチＳＷ1 が第１の電位点Ｖan、または電流検出回路１１に対して選択的に接続することができるように構成されている点である。これに加えて、第３スイッチＳＷ3 およびこれによって選択される第４の電位点Ｖanおよび第５の電位点Ｖ1 は省略されている。
The configuration shown in FIG. 8 is different from the configuration shown in FIG. 6 in that the
図８に示す構成によると発光表示期間においては、前記電源供給線Ｐ1 〜Ｐn には第１スイッチＳＷ1 を介して第１の電位点Ｖanにおける電位が供給され、表示用ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmの各カソード側は第２スイッチＳＷ2 を介して第２の電位点Ｖca、すなわちグランドに接続される。したがって、各画素を構成するＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmは各駆動用トランジスタＱ11〜Ｑnmの動作に基づいて選択的に点灯制御がなされる。 According to the configuration shown in FIG. 8, during the light emitting display period, the power supply lines P1 to Pn are supplied with the potential at the first potential point Van via the first switch SW1, and each of the display EL elements E11 to Enm is supplied. The cathode side is connected to the second potential point Vca, that is, the ground via the second switch SW2. Therefore, the EL elements E11 to Enm constituting each pixel are selectively controlled to be lit based on the operation of the driving transistors Q11 to Qnm.
一方、検査期間においては前記各スイッチＳＷ1 ，ＳＷ2 は図とは逆の状態に接続される。すなわち、前記第１スイッチＳＷ1 が前記電流検出回路１１側に接続され、第２スイッチＳＷ2 は第３の電位点Ｖre側に接続される。これにより、走査状態の画素に対応する表示用ＥＬ素子のいずれかに、短絡による欠陥が生じている場合においては、その走査タイミングにおいて電流検出回路１１において異常電流が検出されることになる。したがって、この図８に示す構成によると、走査ライン単位で表示用ＥＬ素子に短絡による欠陥が発生しているか否かを検証することができる。
On the other hand, in the inspection period, the switches SW1 and SW2 are connected in a state opposite to that shown in the figure. That is, the first switch SW1 is connected to the
なお、図８に示した実施の形態においても、図６に示す構成と同様に走査ライン単位で表示用ＥＬ素子に欠陥が発生しているか否かを検証することができるものの、その走査ラインにおけるいずれの表示用ＥＬ素子に欠陥が発生しているのかを検知することはできない。これに対処するために、同様に図７に示した構成を採用することが望ましい。 In the embodiment shown in FIG. 8 as well, it is possible to verify whether or not a defect has occurred in the display EL element in units of scan lines as in the configuration shown in FIG. It is impossible to detect which display EL element has a defect. In order to cope with this, it is desirable to similarly adopt the configuration shown in FIG.
図７に示した構成を採用することで、いずれの表示用ＥＬ素子に欠陥が発生しているかを特定することができ、また図８に示した実施の形態においては電流検出回路１１において異常電流を検出することで欠陥画素を特定することができるので、欠陥画素の位置を記録メディアに格納し、これを利用することができる。 By adopting the configuration shown in FIG. 7, it is possible to identify which display EL element has a defect, and in the embodiment shown in FIG. By detecting this, it is possible to specify a defective pixel, so that the position of the defective pixel can be stored in a recording medium and used.
以上説明した第３の実施の形態においても、すでに説明した第１の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。 Also in the third embodiment described above, the same operational effects as those of the first embodiment already described can be obtained.
なお、以上説明した各実施の形態においては、表示画素として図２および図３に示すＳＥＳ駆動方式を例示したが、この発明においては、図２および図３に示す構成から消去用トランジスタＱ3 を除いたコンダクタンスコントロール（Conductance Controlled）方式の画素構成、あるいは他の例えばカレントミラー駆動方式、電流プログラミング駆動方式、電圧プログラミング駆動方式、さらにはスレッショルド電圧補正駆動方式などの各表示画素を備えた発光表示装置にも同様に採用することができる。 In each of the embodiments described above, the SES driving system shown in FIGS. 2 and 3 is exemplified as the display pixel. However, in the present invention, the erasing transistor Q3 is excluded from the configuration shown in FIGS. For example, a light emitting display device having a pixel configuration of a conductance control type or other display pixels such as a current mirror driving method, a current programming driving method, a voltage programming driving method, and a threshold voltage correction driving method. Can also be adopted in the same way.
また、以上説明した実施の形態においては、表示用発光素子および検査用発光素子のいずれにおいても、有機ＥＬ素子を用いた例を示しているが、これらの発光素子は有機ＥＬ素子に限らずダイオード特性を有する他の発光素子を利用することもでき、その場合においても前記と同様の作用効果を得ることができる。また、前記した検査用発光素子もしくは電流検出回路を含む発光表示装置は、この種の表示装置を必要とする種々の電子機器に採用することによっても、すでに説明した作用効果をそのまま享受することができる。 In the embodiment described above, an example in which an organic EL element is used in both the display light-emitting element and the inspection light-emitting element is shown. However, the light-emitting element is not limited to the organic EL element but is a diode. Other light-emitting elements having characteristics can be used, and even in that case, the same effect as described above can be obtained. In addition, the light emitting display device including the above-described light emitting element for inspection or current detection circuit can enjoy the above-described operational effects as it is by adopting this kind of display device in various electronic devices. it can.
Ａ1 走査選択線
Ｂ1 データ線
Ｃ1 〜Ｃm 陰極線
Ｃs 発光維持用コンデンサ
Ｅ1 ，Ｅ11〜Ｅnm 表示用発光素子（有機ＥＬ素子）
Ｅ01〜Ｅ0n 検査用発光素子（有機ＥＬ素子）
Ｐ1 〜Ｐn 電源供給線
Ｑ1 ，Ｑ11〜Ｑnm 駆動用トランジスタ
Ｑ2 走査選択トランジスタ
Ｑ3 消去用トランジスタ
Ｒ1 消去信号線
ＳＷ1 ，ＳＷ11〜ＳＷ1n 第１スイッチ
ＳＷ2 第２スイッチ
ＳＷ3 第３スイッチ
ＳＷ4 第４スイッチ
Ｖan 第１の電位点、第４の電位点
Ｖca 第２の電位点
Ｖre 第３の電位点
Ｖ1 第５の電位点
Ｖso 第６の電位点
１１ 電流検出回路
A1 scanning selection line B1 data line C1 to Cm cathode line Cs light emission maintaining capacitor E1, E11 to Enm light emitting element for display (organic EL element)
E01 ~ E0n Light-emitting element for inspection (organic EL element)
P1 to Pn Power supply lines Q1, Q11 to Qnm Drive transistor Q2 Scan selection transistor Q3 Erase transistor R1 Erase signal line SW1, SW11 to SW1n First switch SW2 Second switch SW3 Third switch SW4 Fourth switch Van First Potential point, fourth potential point Vca second potential point Vre third potential point V1 fifth potential point Vso sixth
Claims (10)
前記各電源供給線には、前記表示用発光素子の各アノード端子側がそれぞれ接続されると共に検査用発光素子のアノード端子が各電源供給線に対応してそれぞれ接続され、かつ前記各電源供給線には、それぞれ第１スイッチを介して第１の電位点における電位が選択的に供給できるように構成され、
前記表示用発光素子の各カソード端子側は、前記第１の電位点との間で表示用発光素子の発光閾値以上の電位差になされる第２の電位点、または前記第１の電位点以下の電位で前記第２の電位点以上の電位を有する第３の電位点に選択的に接続できる第２スイッチに共通接続され、
前記検査用発光素子の各カソード端子は、前記第１の電位点との間で検査用発光素子の発光閾値以下の電位差になされる第４の電位点、または前記第３の電位点との間で検査用発光素子の発光閾値以上の電位差になされる第５の電位点に選択的に接続できる第３スイッチに共通接続されていることを特徴とするアクティブ駆動型発光表示装置。 An active drive type having a plurality of light emitting display pixels which are arranged at intersections of a plurality of scanning selection lines and a plurality of power supply lines, and which have at least a display light emitting element and a driving transistor for supplying a driving current to the light emitting element. A light emitting display device,
The anode terminals of the display light emitting elements are connected to the power supply lines, respectively, and the anode terminals of the inspection light emitting elements are connected to the power supply lines, respectively, and are connected to the power supply lines. Are configured so that the potential at the first potential point can be selectively supplied via the first switch, respectively.
Each cathode terminal side of the display light emitting element has a second potential point that is equal to or higher than a light emission threshold of the display light emitting element with respect to the first potential point, or less than the first potential point. A common connection to a second switch that can be selectively connected to a third potential point having a potential equal to or higher than the second potential point,
Each cathode terminal of the light-emitting element for inspection is between a fourth potential point or a third potential point where a potential difference between the first potential point and the light-emitting threshold value of the light-emitting element for inspection is less than or equal to the first potential point. An active drive type light emitting display device which is commonly connected to a third switch which can be selectively connected to a fifth potential point having a potential difference equal to or greater than a light emission threshold value of the light emitting element for inspection.
前記複数の電源供給線は共通に接続されると共に当該電源供給線には前記表示用発光素子の各アノード端子側および１つの検査用発光素子のアノード端子が接続され、かつ前記電源供給線には、第１スイッチを介して第１の電位点における電位が選択的に供給できるように構成され、
前記表示用発光素子の各カソード端子側は、前記第１の電位点との間で表示用発光素子の発光閾値以上の電位差になされる第２の電位点、または前記第１の電位点以下の電位で前記第２の電位点以上の電位を有する第３の電位点に選択的に接続できる第２スイッチに共通接続され、
前記検査用発光素子のカソード端子は、前記第１の電位点との間で検査用発光素子の発光閾値以下の電位差になされる第４の電位点、または前記第３の電位点との間で検査用発光素子の発光閾値以上の電位差になされる第５の電位点に選択的に接続できる第３スイッチに接続されていることを特徴とするアクティブ駆動型発光表示装置。 An active drive type having a plurality of light emitting display pixels which are arranged at intersections of a plurality of scanning selection lines and a plurality of power supply lines, and which have at least a display light emitting element and a driving transistor for supplying a driving current to the light emitting element. A light emitting display device,
The plurality of power supply lines are connected in common, and the power supply lines are connected to the anode terminal sides of the display light emitting elements and the anode terminal of one inspection light emitting element, and the power supply lines are connected to the power supply lines. The potential at the first potential point can be selectively supplied via the first switch,
Each cathode terminal side of the display light emitting element has a second potential point that is equal to or higher than a light emission threshold of the display light emitting element with respect to the first potential point, or less than the first potential point. A common connection to a second switch that can be selectively connected to a third potential point having a potential equal to or higher than the second potential point,
The cathode terminal of the inspection light emitting element is between the fourth potential point or the third potential point at which a potential difference between the first potential point and the light emission threshold value of the inspection light emitting element is less than or equal to the first potential point. An active drive type light emitting display device, characterized in that the active drive type light emitting display device is connected to a third switch that can be selectively connected to a fifth potential point having a potential difference equal to or greater than a light emission threshold value of the light emitting element for inspection.
前記複数の電源供給線は共通に接続されて、前記表示用発光素子の各アノード端子側がそれぞれ接続されると共に、共通接続された前記電源供給線は第１の電位点、または電流検出回路に対して選択的に接続することができる第１スイッチに接続され、
前記表示用発光素子の各カソード端子側は、前記第１の電位点との間で表示用発光素子の発光閾値以上の電位差になされる第２の電位点、または前記電流検出回路の動作基準電位以上の電位差を有する第３の電位点に選択的に接続できる第２スイッチに共通接続されていることを特徴とするアクティブ駆動型発光表示装置。 An active drive type having a plurality of light emitting display pixels which are arranged at intersections of a plurality of scanning selection lines and a plurality of power supply lines, and which have at least a display light emitting element and a driving transistor for supplying a driving current to the light emitting element. A light emitting display device,
The plurality of power supply lines are connected in common, and each anode terminal side of the display light emitting element is connected to each other. The commonly connected power supply line is connected to a first potential point or a current detection circuit. Connected to a first switch that can be selectively connected,
Each cathode terminal side of the display light emitting element is connected to the first potential point at a second potential point having a potential difference equal to or greater than a light emission threshold of the display light emitting element, or an operation reference potential of the current detection circuit. An active drive type light emitting display device characterized by being commonly connected to a second switch that can be selectively connected to a third potential point having the above potential difference.
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