JP2005324075A - Exhaust gas collector and gas reactor - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exhaust gas collector capable of controlling the deposition distribution of a reaction by-product along the exhaust passage in an exhaust gas collection part. <P>SOLUTION: The exhaust gas collector 20 is arranged on the way of a gas exhaust route to collect the precipitate from the exhaust gas passed through the gas exhaust route and has the exhaust gas collection part 20A, which has the exhaust passage 20a for permitting the exhaust gas to pass, constituted therein and a temperature adjusting part 20B for adjusting the temperature of the exhaust gas collection part 20A provided thereto. A heat conductive structure 28 changed in its heat conductivity along the extension direction of the exhaust gas exhaust passage 20a is constituted between the exhaust gas collection part 20A and the temperature adjusting part 20B. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は排気捕集装置及びガス反応装置に関する。   The present invention relates to an exhaust collection device and a gas reaction device.

一般に、半導体製造装置として、基板上に薄膜を成膜したり、基板をエッチングしたりするための種々のガス反応装置が用いられている。これらのガス反応装置は、通常、ガス供給部と、このガス供給部からガスが供給される密閉されたガス反応室と、このガス反応室に接続された排気経路と、この排気経路に接続された真空ポンプなどの排気装置とを備えている。   In general, as a semiconductor manufacturing apparatus, various gas reaction apparatuses for forming a thin film on a substrate or etching a substrate are used. These gas reaction apparatuses are usually connected to the gas supply unit, the sealed gas reaction chamber to which gas is supplied from the gas supply unit, the exhaust path connected to the gas reaction chamber, and the exhaust path. And an exhaust device such as a vacuum pump.

しかしながら、このようなガス反応装置においては、ガス反応室から排出された排ガス中から反応副生成物が析出し、排気経路や排気装置内に堆積して、排気径路の閉塞や排気装置の故障を招くという問題点がある。そこで、排気経路途中に排気捕集装置を配置して、排ガス中の反応副生成物を捕集することが行われている(例えば、以下の特許文献1及び2参照)。   However, in such a gas reaction apparatus, reaction by-products are precipitated from the exhaust gas discharged from the gas reaction chamber and accumulate in the exhaust path or exhaust system, resulting in an exhaust path blockage or exhaust system failure. There is a problem of inviting. Thus, an exhaust collection device is arranged in the middle of the exhaust path to collect reaction by-products in the exhaust gas (see, for example, Patent Documents 1 and 2 below).

上記の排気捕集装置の一例として、図5に示すように、ケーシング11に、ガス導入口12、ガス導出口13、冷媒導入口14及び冷媒導出口15を設けた排気捕集装置10が挙げられる。この排気捕集装置10においては、上記のガス導入口12からガス導出口13まで伸びる排気通路10aを備えた排気捕集部10Aと、上記の冷媒導入口14から冷媒導出口15まで伸びる冷媒通路10bを備えた冷却部10Bとが構成されている。ここで、図5(a)は排気捕集部10Aの断面を示す縦断面図、図5(b)は装置全体の横断面図、図5(c)は冷却部10Bの断面を示す縦断面図である。   As an example of the exhaust gas collecting device, as shown in FIG. 5, an exhaust gas collecting device 10 in which a gas inlet 12, a gas outlet 13, a refrigerant inlet 14, and a refrigerant outlet 15 are provided in a casing 11 is given. It is done. In the exhaust gas collecting device 10, an exhaust gas collecting portion 10 </ b> A having an exhaust passage 10 a extending from the gas inlet 12 to the gas outlet 13, and a refrigerant passage extending from the refrigerant inlet 14 to the refrigerant outlet 15. A cooling unit 10B including 10b is configured. Here, FIG. 5 (a) is a longitudinal sectional view showing a cross section of the exhaust trapping part 10A, FIG. 5 (b) is a transverse sectional view of the whole apparatus, and FIG. 5 (c) is a longitudinal sectional view showing a cross section of the cooling part 10B. FIG.

排気補修部10Aの排気通路10aは、ケーシング11の内部に配置された1又は複数の通路壁16によって蛇行状に構成される。また、冷却部10Bの冷媒通路10bもまた、ケーシング11の内部に配置された1又は複数の通路壁17によって蛇行状に構成される。さらに、排気通路10aと冷媒通路10bは、ケーシング11内に配置された仕切壁19によって仕切られている。   The exhaust passage 10 a of the exhaust repair portion 10 </ b> A is configured in a meandering manner by one or a plurality of passage walls 16 disposed inside the casing 11. The refrigerant passage 10b of the cooling unit 10B is also configured in a meandering manner by one or a plurality of passage walls 17 arranged inside the casing 11. Further, the exhaust passage 10 a and the refrigerant passage 10 b are partitioned by a partition wall 19 disposed in the casing 11.

ガス導入口12は図示しないガス反応室に接続され、ガス導出口13は図示しない排気装置(真空ポンプ)に接続される。また、冷媒導入口14及び冷媒導出口15は図示しない冷媒供給装置に接続される。そして、ガス導入口12から排気捕集部10A内に導入された排ガスは、排気通路10aを通過する間に、冷媒が流通する冷却部10Bによって仕切壁19を介して冷却されるので、排ガス中から反応副生成物が析出し、排気通路10a及び通路壁16の内面に堆積する。
特開平7−193008号公報 特開平10−266958号公報
The gas inlet 12 is connected to a gas reaction chamber (not shown), and the gas outlet 13 is connected to an exhaust device (vacuum pump) (not shown). The refrigerant inlet 14 and the refrigerant outlet 15 are connected to a refrigerant supply device (not shown). The exhaust gas introduced from the gas inlet 12 into the exhaust collection part 10A is cooled through the partition wall 19 by the cooling part 10B through which the refrigerant flows while passing through the exhaust passage 10a. Reaction by-products are deposited from and deposited on the inner surfaces of the exhaust passage 10 a and the passage wall 16.
JP-A-7-193008 Japanese Patent Laid-Open No. 10-266958

しかしながら、前述の排気捕集装置10においては、ガス導入口12から導入された排ガスが排気通路10a内にて急激に冷却されるため、ガス導入口12の近傍の入り口付近において反応副生成物が大量に付着し、排気通路10aのコンダクタンスが低下して、上流に配置されたガス反応室の減圧状態を維持できなくなったり、排気通路10aの入り口付近に閉塞が生じたりし、それによって排気捕集装置10のメンテナンス頻度が増大するといった問題点がある。   However, in the exhaust gas collecting apparatus 10 described above, the exhaust gas introduced from the gas inlet 12 is rapidly cooled in the exhaust passage 10a, so that reaction by-products are generated near the inlet near the gas inlet 12. A large amount adheres, the conductance of the exhaust passage 10a decreases, and the pressure reduction state of the gas reaction chamber disposed upstream cannot be maintained, or the clogging occurs near the entrance of the exhaust passage 10a, thereby collecting the exhaust gas. There is a problem that the maintenance frequency of the apparatus 10 increases.

また、上記の問題を回避するには冷却部10Bによる冷却度合を弱め、排気通路10aの温度を高くする必要があるが、この排気通路10aの温度を高くすると、反応副生成物を充分に捕集することができず、下流側に配置された排気装置や除害装置内にて反応副生成物が析出し、排気装置や除害装置のメンテナンス周期を短くしたり、故障を招いたりするという問題点がある。   Further, in order to avoid the above problem, it is necessary to weaken the degree of cooling by the cooling unit 10B and raise the temperature of the exhaust passage 10a. However, if the temperature of the exhaust passage 10a is increased, the reaction by-products are sufficiently captured. It cannot be collected, and reaction by-products are deposited in the exhaust device or the abatement device arranged on the downstream side, which shortens the maintenance cycle of the exhaust device or the abatement device or causes a failure. There is a problem.

さらに、上記の排気捕集装置10では、排気捕集部10Aと冷却部10Bとが併設され、排気通路10aを長く構成してあるために重量が大きくなり、排気捕集部10Aの内部の清掃を行う際の排気捕集装置10の取り外し作業や取り付け作業が困難になるなど、メンテナンス作業に多大の労力がかかるという問題点もある。   Further, in the exhaust collection device 10 described above, the exhaust collection unit 10A and the cooling unit 10B are provided side by side, and the exhaust passage 10a is configured to be long, so that the weight increases and the inside of the exhaust collection unit 10A is cleaned. There is also a problem that a great deal of labor is required for the maintenance work, for example, it becomes difficult to remove and attach the exhaust gas collection device 10 when performing the operation.

そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その目的は、排気捕集部内の排気通路に沿った反応副生成物の堆積分布を制御することのできる排気捕集装置の構成を提供することにある。また、他の目的は、排気捕集部のメンテナンス作業を容易に行うことのできる排気捕集装置の構成を提供することにある。   Accordingly, the present invention solves the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a configuration of an exhaust collection device capable of controlling the deposition distribution of reaction by-products along the exhaust passage in the exhaust collection unit. There is to do. Another object of the present invention is to provide a configuration of an exhaust gas collecting device that can easily perform maintenance work of the exhaust gas collecting unit.

斯かる実情に鑑み、本発明の排気捕集装置は、ガスの排気経路途中に配置され、該排気経路を通過する排ガスからの析出物を捕集する排気捕集装置であって、内部に排ガスを通過させる排気通路が構成された排気捕集部と、該排気捕集部の温度を調整するための温度調整部とを設け、前記排気捕集部と前記温度調整部との間に、前記排気通路の延長方向に沿って熱伝導率が変化する熱伝導構造が構成されていることを特徴とする。   In view of such circumstances, the exhaust gas collecting apparatus of the present invention is an exhaust gas collecting apparatus that is disposed in the middle of the gas exhaust path and collects deposits from the exhaust gas passing through the exhaust path, and has an exhaust gas inside. An exhaust gas collection portion having an exhaust passage through which the gas is passed, and a temperature adjustment portion for adjusting the temperature of the exhaust gas collection portion, and between the exhaust gas collection portion and the temperature adjustment portion, It is characterized in that a heat conduction structure whose heat conductivity changes along the extension direction of the exhaust passage is configured.

この発明によれば、排気捕集部と温度調整部との間に、排気通路の延長方向に沿って熱伝導率が変化する熱伝導構造を設けたことにより、排気通路の延長方向に沿って排気捕集部と温度調整部との間の熱伝導量を変えることができるため、排気捕集部における排気通路に沿った温度分布を熱伝導構造によって調整することが可能になることから、排気通路に沿った反応副生成物などの析出物の堆積量を制御し、その付着量を排気通路に沿って均一化し、部分的な閉塞状態を低減することが可能になる。   According to this invention, by providing the heat conduction structure in which the thermal conductivity changes along the extension direction of the exhaust passage between the exhaust collection portion and the temperature adjustment portion, along the extension direction of the exhaust passage. Since the amount of heat conduction between the exhaust collection part and the temperature adjustment part can be changed, the temperature distribution along the exhaust passage in the exhaust collection part can be adjusted by the heat conduction structure. It is possible to control the deposition amount of precipitates such as reaction by-products along the passage, uniformize the amount of deposition along the exhaust passage, and reduce a partially blocked state.

本発明において、前記排気捕集部と前記温度調整部とが着脱可能に構成されていることが好ましい。これによれば、排気捕集部と温度調整部とが着脱可能に構成されていることにより、排気捕集部のみを取り外して清掃を行ったり、排気捕集部と温度調整部とを分離して上記の熱伝導構造のメンテナンスや調整などを行ったりすることが可能になる。   In this invention, it is preferable that the said exhaust gas collection part and the said temperature control part are comprised so that attachment or detachment is possible. According to this, since the exhaust gas collection unit and the temperature adjustment unit are configured to be detachable, only the exhaust gas collection unit is removed for cleaning, or the exhaust gas collection unit and the temperature adjustment unit are separated. Thus, it is possible to perform maintenance and adjustment of the heat conduction structure.

本発明において、前記熱伝導構造が分離可能に構成されていることが好ましい。これによれば、熱伝導構造が分離可能に構成されていることにより、ガス供給条件やガス反応条件などによって変化する排ガス成分に応じて、熱伝導構造を変更したり、熱伝導構造のメンテナンスを行ったりすることが可能になる。特に、排気捕集部と温度調整部とが着脱可能に構成されていれば、当該熱伝導構造を分離することがさらに容易になる。   In the present invention, the heat conduction structure is preferably configured to be separable. According to this, since the heat conduction structure is configured to be separable, the heat conduction structure can be changed or the heat conduction structure can be maintained according to the exhaust gas components that change depending on the gas supply conditions and gas reaction conditions. It becomes possible to go. In particular, if the exhaust collection unit and the temperature adjustment unit are configured to be detachable, it becomes easier to separate the heat conduction structure.

本発明において、前記温度調整部は前記排気捕集部を冷却するように構成され、前記熱伝導構造は前記排気通路の入口から出口に向けて徐々に熱伝導率が高くなるように構成されていることが好ましい。これによれば、排気捕集部に対する温度調整部の冷却作用が排気通路の入口から出口に向けて徐々に大きくなることにより、排ガスの冷却によって生ずる析出物を、排気通路の全体に亘ってより均一に堆積させることが可能になるので、排気通路の部分的な閉塞を防止し、排気捕集部のメンテナンスサイクルを伸ばすことができる。   In the present invention, the temperature adjustment unit is configured to cool the exhaust collection unit, and the heat conduction structure is configured to gradually increase the thermal conductivity from the inlet to the outlet of the exhaust passage. Preferably it is. According to this, the cooling effect of the temperature adjustment unit with respect to the exhaust gas collection unit gradually increases from the inlet to the outlet of the exhaust passage, so that the precipitates generated by the cooling of the exhaust gas are more spread over the entire exhaust passage. Since uniform deposition is possible, partial blockage of the exhaust passage can be prevented, and the maintenance cycle of the exhaust trap can be extended.

本発明において、前記熱伝導構造は、前記排気捕集部と前記温度調整部との間に配置されるシート部材によって構成されることが好ましい。シート部材によって構成することにより、熱伝導構造を簡単に構成することができるとともに、熱伝導率の調整も容易になる。   In this invention, it is preferable that the said heat conductive structure is comprised by the sheet | seat member arrange | positioned between the said exhaust gas collection part and the said temperature control part. By comprising with a sheet | seat member, while being able to comprise a heat conductive structure easily, adjustment of heat conductivity becomes easy.

本発明において、前記排気通路に沿って熱伝導率の異なる複数の前記シート部材が配置されることが好ましい。これによれば、排気通路に沿って熱伝導率の異なる複数のシート部材を配置することによって、排気通路に沿って熱伝導率が変更された熱伝導構造を簡単な構造で実現できる。   In the present invention, it is preferable that a plurality of the sheet members having different thermal conductivities are arranged along the exhaust passage. According to this, by arranging a plurality of sheet members having different thermal conductivities along the exhaust passage, it is possible to realize a heat conduction structure in which the thermal conductivity is changed along the exhaust passage with a simple structure.

本発明のガス反応装置は、ガス供給部と、前記ガス供給部若しくは前記ガス供給部から供給されるガスを反応させるガス反応室と、該ガス反応室の排気経路と、該排気経路途中に配置される請求項1乃至5のいずれか一項に記載の排気捕集装置とを具備することを特徴とする。このようなガス反応装置としては、ガス反応室内に配置された基板の表面に成膜を行うガス成膜装置、基板の表面をエッチングするガスエッチング装置などの、半導体製造プロセスにおいて用いられる各種の半導体製造装置に用いられる。   The gas reaction apparatus according to the present invention includes a gas supply unit, a gas reaction chamber for reacting the gas supplied from the gas supply unit or the gas supply unit, an exhaust path of the gas reaction chamber, and an intermediate part of the exhaust path. The exhaust gas collecting device according to any one of claims 1 to 5 is provided. As such a gas reaction apparatus, various semiconductors used in a semiconductor manufacturing process, such as a gas film formation apparatus that forms a film on the surface of a substrate disposed in a gas reaction chamber and a gas etching apparatus that etches the surface of the substrate. Used in manufacturing equipment.

本発明によれば、排気捕集装置において、排気捕集部内の排気通路に沿った析出物の堆積分布を制御することができる。また、排気捕集部のメンテナンス作業を容易に行うことが可能になる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the deposit distribution of the deposit along the exhaust passage in an exhaust gas collection part can be controlled in an exhaust gas collection apparatus. In addition, it is possible to easily perform the maintenance work of the exhaust collection part.

以下、本発明の実施の形態を図示例と共に説明する。図1(a)は本実施形態に係る排気捕集装置20の横断面図、図1(b)は熱伝導構造28の横断面図、図2(a)は排気捕集装置20の排気捕集部20Aの構造を示す縦断面図、図2(b)は排気捕集部20Aの横断面図(図2(a)のB−B線に沿った断面を示す断面図)、図3(a)は排気捕集装置20の温度調整部20Bの構造を示す縦断面図、図3(b)は温度調整部20Bの横断面図(図3(a)のB−B線に沿った断面を示す断面図)である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1A is a cross-sectional view of the exhaust trap 20 according to the present embodiment, FIG. 1B is a cross-sectional view of the heat conduction structure 28, and FIG. FIG. 2B is a transverse sectional view showing the structure of the collecting portion 20A, and FIG. 2B is a transverse sectional view of the exhaust collecting portion 20A (sectional view showing a section taken along line BB in FIG. 2A). a) is a longitudinal sectional view showing the structure of the temperature adjusting unit 20B of the exhaust gas collecting device 20, and FIG. 3B is a transverse sectional view of the temperature adjusting unit 20B (a cross section taken along line BB in FIG. 3A). FIG.

排気捕集装置20は、排気捕集部20Aと、温度調整部20Bとが相互に分離可能に構成されている。排気捕集部20Aは、ケーシング21Aと、ガス導入口22と、ガス導出口23とを有し、ケーシング21Aの内部に排気通路20aを備えている。この排気通路20aは、1又は複数の通路壁26によってケーシング21Aの内部において蛇行状に構成されている。通路壁26はケーシング21Aに対して熱的に一体に構成されるように接続されている。より具体的には、通路壁26は温度調整部20B側にあるケーシング21Aの側面部分と一体に構成され、ケーシング21Aの内部空間を横断して、その先端部が温度調整部20Bとは反対側にあるケーシング21Aの側面部分に内側から嵌合している。   The exhaust gas collecting device 20 is configured such that the exhaust gas collecting unit 20A and the temperature adjusting unit 20B can be separated from each other. The exhaust gas collection unit 20A includes a casing 21A, a gas inlet port 22, and a gas outlet port 23, and includes an exhaust passage 20a inside the casing 21A. The exhaust passage 20a is formed in a meandering shape inside the casing 21A by one or a plurality of passage walls 26. The passage wall 26 is connected so as to be thermally integrated with the casing 21A. More specifically, the passage wall 26 is formed integrally with the side surface portion of the casing 21A on the temperature adjusting unit 20B side, traverses the internal space of the casing 21A, and the tip thereof is opposite to the temperature adjusting unit 20B. Is fitted from the inside to the side portion of the casing 21A.

また、排気捕集部20Aの内部には、上記ケーシング21Aの温度調整部20B側からその反対側まで貫通する接続孔26′が上記排気通路20aを横断するように設けられている。この実施形態では、図2(a)に示すように、複数の接続孔26′が排気捕集部20Aの排気通路20aに沿った平面上に分散して形成されている。   Further, a connection hole 26 ′ penetrating from the temperature adjusting part 20 B side of the casing 21 A to the opposite side thereof is provided inside the exhaust collecting part 20 A so as to cross the exhaust passage 20 a. In this embodiment, as shown in FIG. 2 (a), a plurality of connection holes 26 'are formed in a distributed manner on a plane along the exhaust passage 20a of the exhaust collection portion 20A.

一方、温度調整部20Bは、ケーシング21Bと、冷媒などの温度調整媒体を導入する温度調整媒体導入口24と、温度調整媒体を導出する温度調整媒体導出口25とを有し、ケーシング21Bの内部に温度調整媒体通路20bを備えている。ここで、温度調整媒体導入口24は排気捕集部20Aのガス導出口23側に配置され、温度調整媒体導出口25は排気捕集部20Aのガス導入口22側に配置されている。温度調整媒体通路20bは、1又は複数の通路壁27によってケーシング21Bの内部において蛇行状に構成されている。   On the other hand, the temperature adjustment unit 20B has a casing 21B, a temperature adjustment medium introduction port 24 for introducing a temperature adjustment medium such as a refrigerant, and a temperature adjustment medium outlet 25 for deriving the temperature adjustment medium. Is provided with a temperature adjusting medium passage 20b. Here, the temperature adjustment medium introduction port 24 is disposed on the gas outlet port 23 side of the exhaust gas collection unit 20A, and the temperature adjustment medium outlet port 25 is disposed on the gas introduction port 22 side of the exhaust gas collection unit 20A. The temperature adjusting medium passage 20b is formed in a meandering manner inside the casing 21B by one or a plurality of passage walls 27.

また、温度調整部20Bの内部には、上記ケーシング21Bの排気捕集部20A側からその反対側まで貫通する接続孔27′が上記温度調整媒体通路20bを横断するように設けられている。この実施形態では、図3(a)に示すように、複数の接続孔27′が温度調整部20Bの温度調整媒体通路20bに沿った平面上に分散して形成されている。これらの接続孔27′は、上記排気捕集部20Aの接続孔26′と連通するように、相互に対応する位置に形成されている。   Further, a connection hole 27 ′ penetrating from the exhaust collecting portion 20 </ b> A side of the casing 21 </ b> B to the opposite side thereof is provided inside the temperature adjusting portion 20 </ b> B so as to cross the temperature adjusting medium passage 20 b. In this embodiment, as shown in FIG. 3A, a plurality of connection holes 27 'are formed in a distributed manner on a plane along the temperature adjusting medium passage 20b of the temperature adjusting portion 20B. These connection holes 27 ′ are formed at positions corresponding to each other so as to communicate with the connection holes 26 ′ of the exhaust gas collecting portion 20 </ b> A.

上記排気捕集部20Aと温度調整部20Bとの間には熱伝導構造28が構成されている。この熱伝導構造28は、図1(b)に示すように、排気捕集部20Aのガス導入口22側からガス導出口23側に向けて配列された複数の熱伝導シート28A,28B,28C,28D,28Eで構成されている。これらの熱伝導シート28A〜28Eは、相互に異なる熱伝導率を有する素材で構成されている。より具体的には、ガス導入口22側に配置された熱伝導シート28Aは最も熱伝導率が低く、熱伝導シート28Bは熱伝導シート28Aよりも熱伝導率が高く、熱伝導シート28Cは熱伝導シート28Bよりも熱伝導率が高いというように、複数の熱伝導シートはガス導出口23側に向けて順に熱伝導率が高くなるように構成されている。ここで、熱伝導率の比較的低い熱伝導シートとしては、綿、石綿、空気封入袋構造を有するもの、合成樹脂、ガラス繊維、セラミックスなどが挙げられ、熱伝導率の比較的高い熱伝導シートしては、CuやAlなどの金属などが挙げられる。   A heat conduction structure 28 is formed between the exhaust collection unit 20A and the temperature adjustment unit 20B. As shown in FIG. 1B, the heat conducting structure 28 includes a plurality of heat conducting sheets 28A, 28B, 28C arranged from the gas inlet port 22 side to the gas outlet port 23 side of the exhaust trap 20A. , 28D, 28E. These heat conductive sheets 28 </ b> A to 28 </ b> E are made of materials having different thermal conductivities. More specifically, the heat conduction sheet 28A disposed on the gas inlet 22 side has the lowest heat conductivity, the heat conduction sheet 28B has a higher heat conductivity than the heat conduction sheet 28A, and the heat conduction sheet 28C has a heat conductivity. As the thermal conductivity is higher than that of the conductive sheet 28B, the plurality of thermal conductive sheets are configured such that the thermal conductivity increases in order toward the gas outlet port 23 side. Here, examples of the heat conductive sheet having a relatively low thermal conductivity include cotton, asbestos, those having an air-filled bag structure, synthetic resin, glass fiber, ceramics, etc., and a heat conductive sheet having a relatively high thermal conductivity. Examples thereof include metals such as Cu and Al.

排気捕集部20Aと温度調整部20Bは、上記接続孔26′及び27′に、ボルトとナットや固定ネジなどで構成される周知の接続具29を挿通することによって、上記熱伝導構造28を挟んだ状態で相互に密着固定される。   The exhaust gas collection unit 20A and the temperature adjustment unit 20B insert the well-known connection tool 29 including bolts, nuts, fixing screws, and the like into the connection holes 26 'and 27', so that the heat conduction structure 28 is formed. They are fixed in close contact with each other.

上記温度調整部20Bには、水やクーラントなどの液体、或いは、ガスなどが温度調整媒体として上記温度調整媒体導入口24から導入され、温度調整媒体通路20bを流通した後に温度調整媒体導出口25から導出されるようになっている。これにより、温度調整部20Bは上記熱伝導構造28を介して排気捕集部20Aを加熱若しくは冷却する。通常は、温度調整部20Bの温度調整媒体通路20bに冷媒を流通させることにより、熱伝導構造28を解して排気捕集部20Bを冷却するように構成される。   The temperature adjusting unit 20B is supplied with a liquid such as water or coolant, or a gas as a temperature adjusting medium from the temperature adjusting medium introduction port 24 and circulates through the temperature adjusting medium passage 20b. Is derived from As a result, the temperature adjustment unit 20B heats or cools the exhaust collection unit 20A via the heat conduction structure 28. Normally, the refrigerant is circulated through the temperature adjusting medium passage 20b of the temperature adjusting unit 20B, so that the heat collecting structure 28 is released to cool the exhaust collecting unit 20B.

上記のように構成された本実施形態においては、熱伝導構造28が排気通路20aに沿って異なる熱伝導率を有することにより、排気捕集部20Aと温度調整部20Bとの間の熱伝導量が排気通路20aに沿って異なるため、これによって排気捕集部20A内において、排気通路20aに沿った温度勾配を形成することができる。実際には、排気通路20a内の温度勾配は温度調整部20B及び熱伝導構造28のみで決定されるだけでなく、ガス導入口22からガス導入口23へと流れる排ガスの温度によっても影響を受ける場合が多いが、この排ガスの温度による影響をも勘案して上記温度調整部20Bの温度と熱伝導構造28の熱伝導率変化の態様とを予め設定しておくことによって、排気通路20bに沿った理想的な温度勾配(温度分布)を形成できる。   In the present embodiment configured as described above, the heat conduction structure 28 has different thermal conductivities along the exhaust passage 20a, so that the amount of heat conduction between the exhaust collection unit 20A and the temperature adjustment unit 20B. Therefore, a temperature gradient along the exhaust passage 20a can be formed in the exhaust collection portion 20A. Actually, the temperature gradient in the exhaust passage 20a is not only determined by the temperature adjusting unit 20B and the heat conduction structure 28, but is also influenced by the temperature of the exhaust gas flowing from the gas inlet 22 to the gas inlet 23. In many cases, the temperature of the temperature adjusting unit 20B and the mode of change in the thermal conductivity of the heat conduction structure 28 are set in advance in consideration of the influence of the temperature of the exhaust gas. An ideal temperature gradient (temperature distribution) can be formed.

上記の温度勾配を適切に形成することにより、排気通路20a内に析出する析出物(例えば反応副生成物)の堆積量を排気通路20aに沿って従来よりも平坦化することができる。理想的には、排気通路20aに沿って析出物の堆積量がほぼ均一になるように構成することが好ましい。   By appropriately forming the above temperature gradient, the amount of deposits (e.g., reaction by-products) deposited in the exhaust passage 20a can be flattened along the exhaust passage 20a. Ideally, it is preferable that the deposit amount is substantially uniform along the exhaust passage 20a.

例えば、温度調整部20Bによって排気捕集部20Aを冷却することによって析出物を排気通路20a内にて捕集する場合、上流側(ガス導入口22側)に配置される熱伝導シートの熱伝導率が低いことによって排気通路20aの上流側部分を相対的に高温とし、下流側(ガス導出口23側)に配置される熱伝導シートの熱伝導率が高いことによって排気通路20aの下流側部分を相対的に低温とすることができる。これによって、排気通路20aの上流側部分における析出物の堆積量を従来よりも低減させ、かつ、排気通路20aの下流側部分における析出物の堆積量を従来よりも増大させることができるため、全体としては排気通路20aに沿った析出物の堆積量の分布を平坦化することができる。   For example, when the precipitate is collected in the exhaust passage 20a by cooling the exhaust collection part 20A by the temperature adjustment part 20B, the heat conduction of the heat conduction sheet disposed on the upstream side (gas inlet 22 side). Due to the low rate, the upstream portion of the exhaust passage 20a has a relatively high temperature, and the thermal conductivity of the heat conductive sheet disposed on the downstream side (gas outlet 23 side) is high, so that the downstream portion of the exhaust passage 20a. Can be at a relatively low temperature. As a result, the amount of deposits deposited in the upstream portion of the exhaust passage 20a can be reduced more than before, and the amount of deposits deposited in the downstream portion of the exhaust passage 20a can be increased as compared with the prior art. As a result, the distribution of the deposit amount along the exhaust passage 20a can be flattened.

実際には、排気通路20aに沿った析出物の堆積量の分布は、ガス反応室へのガス供給条件(ガス種、ガス流量、ガス分圧など)やガス反応室の反応条件(温度、圧力など)によって変化するため、排気通路20aに沿った析出物の堆積状況を見ながら上記の熱伝導構造28の構成を変化させることによって最適化することが好ましい。   Actually, the distribution of the amount of deposits deposited along the exhaust passage 20a depends on the gas supply conditions (gas type, gas flow rate, gas partial pressure, etc.) to the gas reaction chamber and the reaction conditions (temperature, pressure) in the gas reaction chamber. Therefore, it is preferable to optimize by changing the configuration of the heat conduction structure 28 while observing the deposition state of the precipitate along the exhaust passage 20a.

なお、熱伝導構造28としては、上記のように熱伝導シート28A〜28Eを排気通路20aに沿って配列させる構造の他に、複数の孔を設けた単一の熱伝導シートで構成し、その孔の大きさや形成密度を排気通路20aに沿って変化させてもよい。また、熱伝導構造28を、排気捕集部20Aと温度調整部20Bとの間に分散配置された複数の熱伝導体(熱伝導柱)で構成し、この熱伝導体の個々の断面積や配置密度を排気通路20aに沿って変化させるようにしても構わない。   In addition to the structure in which the heat conductive sheets 28A to 28E are arranged along the exhaust passage 20a as described above, the heat conductive structure 28 is configured by a single heat conductive sheet provided with a plurality of holes. You may change the magnitude | size and formation density of a hole along the exhaust passage 20a. Further, the heat conduction structure 28 is composed of a plurality of heat conductors (heat conduction columns) arranged in a distributed manner between the exhaust gas collection unit 20A and the temperature adjustment unit 20B. The arrangement density may be changed along the exhaust passage 20a.

図4は、本実施形態の排気捕集装置20を備えたガス反応装置の構成例を示す概略構成図である。このガス反応装置には、ガス供給部1と、ガス反応室2と、排気捕集装置3及び20と、排気装置4とが設けられている。ガス供給部1は、液体原料(例えば、Pb、Zr、Tiなどの金属を含む有機化合物(有機金属)が液体である場合にはそれ自体、若しくは、それを有機溶媒などの溶媒で希釈したもの、或いは、有機化合物が固体である場合には有機溶媒などの溶媒で溶解させたものなど)を収容する原料容器1A、1B、1Cと、有機溶媒などの溶媒を収容する溶媒容器1Dとが設けられている。   FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a configuration example of a gas reaction device provided with the exhaust gas collection device 20 of the present embodiment. The gas reaction apparatus includes a gas supply unit 1, a gas reaction chamber 2, exhaust collection devices 3 and 20, and an exhaust device 4. The gas supply unit 1 is a liquid raw material (for example, when an organic compound (organic metal) containing a metal such as Pb, Zr, or Ti is liquid, or is diluted with a solvent such as an organic solvent) Or a raw material container 1A, 1B, or 1C for containing a solvent such as an organic solvent, and a solvent container 1D for containing a solvent such as an organic solvent. It has been.

これらの原料容器1A〜1C及び溶媒容器1Dには、N、He、Arなどの不活性ガスその他の加圧ガスを供給する加圧管1ax,1bx,1cx,1dxが導入され、また、液体原料や溶媒を導出するための導出管1ay,1by,1cy,1dyが導出されている。導出管1ay〜1dyはそれぞれ流量コントローラ1az,1bz,1cz,1dzを介して合流管1pに接続されている。この合流管1pは気化器1Eに接続されている。 These raw material container 1A~1C and solvent container 1D, N 2, the He, pressurizing pipe 1ax supplying an inert gas other pressurized gas, such as Ar, 1Bx, 1CX, is 1dx introduced, also, the liquid source Deriving tubes 1ay, 1by, 1cy, 1dy for deriving the solvent and the solvent are derived. The lead-out pipes 1ay to 1dy are connected to the junction pipe 1p via the flow rate controllers 1az, 1bz, 1cz, and 1dz, respectively. This junction pipe 1p is connected to the vaporizer 1E.

上記の加圧管1ax〜1dxに加圧ガスを供給すると、各原料容器1A〜1Dから液体原料又は溶媒が導出管1ay〜1dyに押し出され、流量コントローラ1az〜1dzにて流量が調整されて合流管1p内に供給される。合流管1pにはN、He、Arなどの不活性ガスその他のキャリアガスが供給されており、これらのキャリアガスと上記液体原料或いは溶媒が気液混合状態となって気化器1Eに供給される。気化器1Eでは、加熱された気化室内に液体原料が噴霧されることにより、この気化室内にて液体原料が気化されて原料ガスが生成される。原料ガスは原料ガス供給管1qを介してガス反応室2へと送られる。 When pressurized gas is supplied to the above-described pressurizing pipes 1ax to 1dx, liquid raw materials or solvents are pushed out from the raw material containers 1A to 1D to the outlet pipes 1ay to 1dy, and the flow rate is adjusted by the flow rate controllers 1az to 1dz to join pipes. 1p is supplied. An inert gas such as N 2 , He, Ar, or other carrier gas is supplied to the junction pipe 1p, and these carrier gas and the liquid raw material or solvent are mixed in a gas-liquid state and supplied to the vaporizer 1E. The In the vaporizer 1E, the liquid raw material is sprayed into the heated vaporizing chamber, whereby the liquid raw material is vaporized in the vaporizing chamber and a raw material gas is generated. The source gas is sent to the gas reaction chamber 2 through the source gas supply pipe 1q.

また、ガス供給部1には、上記原料ガス供給管1qとは別にガス反応室2に接続された反応ガス供給管1rと、上記原料ガス供給管1qに対してガス反応室2の手前で合流するキャリアガス供給管1sとが設けられている。この反応ガス供給管1rにより、上記原料ガス供給管1qで供給される原料ガスと反応して所定の反応を生ずべき反応ガス(O、NH、Clなど)が供給される。 Further, the gas supply unit 1 joins the reaction gas supply pipe 1r connected to the gas reaction chamber 2 separately from the source gas supply pipe 1q and the gas supply chamber 1 before the gas reaction chamber 2 with respect to the source gas supply pipe 1q. The carrier gas supply pipe 1s is provided. The reaction gas supply pipe 1r supplies a reaction gas (O 2 , NH 4 , Cl 2, etc.) that reacts with the raw material gas supplied through the raw material gas supply pipe 1q to generate a predetermined reaction.

ガス反応室2は、加熱ヒータなどの加熱手段や、放電部などの放電手段のようなエネルギー供与手段を備えた気密チャンバ内に、ガス導入部(例えばシャワーヘッドのような多数のガス導入孔を備えた部分)2aと、このガス導入部2aに対向配置されたサセプタ2bとが配置されている。サセプタ2bには半導体基板などで構成される基板Wが載置される。この実施形態では、ガス導入部2aから導入された原料ガスと反応ガスは、気密チャンバ内において上記のエネルギー供与手段によって供与されたエネルギーを得て適宜に反応し、基板Wの表面上に所定の薄膜が成膜される。   The gas reaction chamber 2 has a gas introduction part (for example, a number of gas introduction holes such as a shower head) in an airtight chamber provided with heating means such as a heater and energy supply means such as discharge means such as a discharge part. The provided part) 2a and the susceptor 2b arranged opposite to the gas introduction part 2a are arranged. A substrate W made of a semiconductor substrate or the like is placed on the susceptor 2b. In this embodiment, the source gas and the reaction gas introduced from the gas introduction part 2a react with each other by obtaining energy provided by the energy supply means in the airtight chamber and reacting appropriately on the surface of the substrate W. A thin film is formed.

気密チャンバには排気管2pが接続され、この排気管2pは排気捕集装置3に接続されている。排気捕集装置3は排気管3pに接続され、この排気管3pは真空ポンプなどで構成される排気装置4に接続されている。また、上記原料ガス供給管1qは、ガス反応室2に導入される手前でバイパス管2qに接続されており、このバイパス管2qは、上記の排気捕集装置20のガス導入口22に接続されている。排気捕集装置20のガス導出口23は、バイパス管20qを介して上記排気管3pに接続されている。   An exhaust pipe 2 p is connected to the hermetic chamber, and the exhaust pipe 2 p is connected to the exhaust collection device 3. The exhaust collection device 3 is connected to an exhaust pipe 3p, and this exhaust pipe 3p is connected to an exhaust device 4 constituted by a vacuum pump or the like. The raw material gas supply pipe 1q is connected to a bypass pipe 2q before being introduced into the gas reaction chamber 2, and the bypass pipe 2q is connected to the gas inlet 22 of the exhaust gas collecting device 20. ing. The gas outlet 23 of the exhaust collection device 20 is connected to the exhaust pipe 3p via a bypass pipe 20q.

ガス反応室2は、排気装置4によって上記排気管2p、排気捕集装置3及び排気管3pを介して減圧され、所定の圧力に保持される。ガス反応室2の内部で上記の反応が生ずると、その排ガスは、途中で排気捕集装置3にて反応副生成物が捕集された後に、排気装置4へ排出される。ここで、上記ガス供給部1から原料ガス供給管1qにより供給される原料ガスは、当初そのガス組成が安定するまで、及び、ガス反応室2の準備が完了するまで、或いは、ガス反応室2における反応が終了した後において、バイパス管2q、排気捕集装置20及びバイパス管20qを経て排気装置4に排出される。このときにバイパスに流れるガスは、ガス反応室2を経由しない原料ガスそのものであるので、そのまま下流側に流すと排気装置4にて大量の析出物が堆積し、排気ポンプ等の破損などを引き起こすことになりかねない。そこで、上記排気捕集装置20を用いることによって排気装置4に流す前に析出物を確実に捕集しておく。   The gas reaction chamber 2 is depressurized by the exhaust device 4 via the exhaust pipe 2p, the exhaust collector 3 and the exhaust pipe 3p, and is held at a predetermined pressure. When the above reaction occurs in the gas reaction chamber 2, the exhaust gas is exhausted to the exhaust device 4 after the reaction by-product is collected by the exhaust collector 3. Here, the source gas supplied from the gas supply unit 1 through the source gas supply pipe 1q is initially until the gas composition is stabilized and the preparation of the gas reaction chamber 2 is completed, or the gas reaction chamber 2 After the reaction in is completed, the exhaust gas is discharged to the exhaust device 4 through the bypass pipe 2q, the exhaust collection device 20 and the bypass pipe 20q. Since the gas flowing into the bypass at this time is the raw material gas itself that does not pass through the gas reaction chamber 2, if it flows downstream as it is, a large amount of deposits are accumulated in the exhaust device 4, causing damage to the exhaust pump and the like. That could be a problem. Therefore, by using the exhaust gas collecting device 20, the deposit is surely collected before flowing into the exhaust device 4.

本実施形態において、排気捕集装置20では、上述のように排気捕集部20Aが温度調整部20Bに対して分離可能に構成されているので、排気捕集装置20から排気捕集部20Aを取り外した状態で、排気捕集部20Aの内部を清掃することができる。排気捕集部20Aは、ガス導入口22及びガス導出口23を前後のバイパス管2q及び20qから取り外すとともに、接続具29を解放することによって温度調整部20Bから分離することができる。その際、分離された排気捕集部20Aは排気捕集装置20全体よりも重量的にもかなり軽くなり、しかも、温度調整部20Bについては冷媒等の温度調整媒体を抜き取る必要もないので、従来構造に較べて作業がきわめて容易になる。   In the present embodiment, in the exhaust collection device 20, the exhaust collection unit 20A is configured to be separable from the temperature adjustment unit 20B as described above. The inside of the exhaust collection part 20A can be cleaned in the removed state. The exhaust gas collection unit 20A can be separated from the temperature adjustment unit 20B by removing the gas inlet port 22 and the gas outlet port 23 from the front and rear bypass pipes 2q and 20q and releasing the connector 29. At that time, the separated exhaust collecting part 20A is considerably lighter in weight than the whole exhaust collecting apparatus 20, and it is not necessary to extract a temperature adjusting medium such as a refrigerant for the temperature adjusting part 20B. Work becomes very easy compared to the structure.

このとき、本実施形態では、未反応の原料ガスのみが排気捕集部20Aの内部を流通するので、排気通路20aの内面に付着した析出物を回収して、再利用することも可能になる。例えば、排気捕集部20Aの内部に適宜の薬剤を流して析出物を薬剤中に溶解させた後、この薬剤から原料ガスの原料となる物質を回収することができる。特に、本実施形態で用いる有機金属化合物は通常きわめて高価であるため、このような原料物質の回収は非常に有効である。   At this time, in the present embodiment, only the unreacted source gas flows through the inside of the exhaust collection unit 20A, so that it is possible to collect and reuse the deposit attached to the inner surface of the exhaust passage 20a. . For example, after a suitable chemical | medical agent is poured inside the exhaust gas collection part 20A and a deposit is dissolved in a chemical | medical agent, the substance used as the raw material of source gas can be collect | recovered from this chemical | medical agent. In particular, since the organometallic compound used in this embodiment is usually very expensive, such a recovery of the raw material is very effective.

上記実施形態では、本発明に係る排気捕集装置20を原料ガスの排気経路(バイパスライン)に接続した例を示したが、本発明に係る排気捕集装置20は、上記の排気捕集装置3のように、上記ガス反応室2に接続された排気経路の途中において反応副生成物を捕集するための上記排気捕集装置として用いてもよい。   In the said embodiment, although the example which connected the exhaust gas collection apparatus 20 which concerns on this invention to the exhaust path (bypass line) of source gas was shown, the exhaust gas collection apparatus 20 which concerns on this invention is the said exhaust gas collection apparatus. As shown in FIG. 3, it may be used as the exhaust gas collecting device for collecting reaction by-products in the middle of the exhaust path connected to the gas reaction chamber 2.

尚、本発明の排気捕集装置及びガス反応装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態の排気捕集装置20では、排気捕集部20Aと、温度調整部20Bとが側面同士を重ね合わせるようにして併設されているが、排気捕集部20Aの周りを温度調整部20Bが取り囲むように構成されていてもよく、逆に、温度調整部20Bの周りを排気捕集部20Aが取り囲むように構成されていてもよいなど、熱伝導構造を介して排気捕集部20Aと温度調整部20Bとが熱的に接触した構造を有するものであれば、如何なる構造であっても構わない。   In addition, the exhaust gas collection apparatus and gas reaction apparatus of this invention are not limited only to the above-mentioned illustration example, Of course, various changes can be added within the range which does not deviate from the summary of this invention. For example, in the exhaust gas collecting device 20 of the above embodiment, the exhaust gas collecting unit 20A and the temperature adjusting unit 20B are provided side by side so as to overlap each other, but the temperature around the exhaust gas collecting unit 20A is adjusted. The portion 20B may be configured to surround, and conversely, the exhaust collection portion may be configured to be surrounded by the exhaust collection portion 20A around the temperature adjustment portion 20B. Any structure may be used as long as it has a structure in which 20A and the temperature adjusting unit 20B are in thermal contact with each other.

また、上記のガス反応装置は、基板上に薄膜を形成するための成膜装置である場合の例として説明したが、このような成膜装置以外のドライエッチング装置などの他の半導体製造用及びLCD製造用等のガス反応装置に対しても同様に本発明を適用することができる。   Further, the gas reaction apparatus has been described as an example of a film forming apparatus for forming a thin film on a substrate. However, the gas reaction apparatus is used for other semiconductor manufacturing such as a dry etching apparatus other than the film forming apparatus. The present invention can be similarly applied to a gas reaction apparatus for LCD production or the like.

本発明に係る排気捕集装置の実施形態の横断面図(a)及び熱伝導構造の詳細横断面図(b)。The cross-sectional view (a) of embodiment of the exhaust gas collection device which concerns on this invention, and the detailed cross-sectional view (b) of a heat conductive structure. 同実施形態の排気捕集部の縦断面図(a)及び横断面図(b)。The longitudinal cross-sectional view (a) and cross-sectional view (b) of the exhaust gas collection part of the embodiment. 同実施形態の温度調整部の縦断面図(a)及び横断面図(b)。The longitudinal cross-sectional view (a) and horizontal cross-sectional view (b) of the temperature control part of the embodiment. 同実施形態のガス反応装置の全体構成を示す概略構成図。The schematic block diagram which shows the whole structure of the gas reaction apparatus of the embodiment. 従来の排気捕集装置の一例を示す排気捕集部の縦断面図(a)、横断面図(b)及び冷却部の縦断面図(c)。The longitudinal cross-sectional view (a) of the exhaust gas collection part which shows an example of the conventional exhaust gas collection apparatus, a cross-sectional view (b), and the longitudinal cross-sectional view (c) of a cooling unit.

符号の説明Explanation of symbols

1…ガス供給部、2…ガス反応室、3…排気捕集装置、4…排気装置、20…排気捕集装置、20A…排気捕集部、21A…ケーシング、22…ガス導入口、23…ガス導出口、24…温度調整媒体導入口、25…温度調整媒体導出口、26、27…通路壁、26′、27′…接続孔、28…熱伝導構造、28A〜28E…熱伝導シート、29…接続具 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Gas supply part, 2 ... Gas reaction chamber, 3 ... Exhaust collection device, 4 ... Exhaust device, 20 ... Exhaust collection device, 20A ... Exhaust collection unit, 21A ... Casing, 22 ... Gas introduction port, 23 ... Gas outlet port, 24 ... Temperature adjusting medium inlet port, 25 ... Temperature adjusting medium outlet port, 26, 27 ... Passage wall, 26 ', 27' ... Connection hole, 28 ... Heat conduction structure, 28A-28E ... Heat conduction sheet, 29 ... Connector

Claims (7)

ガスの排気経路途中に配置され、該排気経路を通過する排ガスからの析出物を捕集する排気捕集装置であって、
内部に排ガスを通過させる排気通路が構成された排気捕集部と、該排気捕集部の温度を調整するための温度調整部とを設け、
前記排気捕集部と前記温度調整部との間に、前記排気通路の延長方向に沿って熱伝導率が変化する熱伝導構造が構成されていることを特徴とする排気捕集装置。
An exhaust gas collecting device that is disposed in the middle of an exhaust path of gas and collects deposits from exhaust gas that passes through the exhaust path,
An exhaust gas collection part having an exhaust passage for allowing exhaust gas to pass through, and a temperature adjustment part for adjusting the temperature of the exhaust gas collection part;
A heat conduction structure in which a heat conductivity is changed along an extension direction of the exhaust passage is formed between the exhaust collection unit and the temperature adjustment unit.
前記排気捕集部と前記温度調整部とが着脱可能に構成されていることを特徴とする請求項1に記載の排気捕集装置。   The exhaust gas collecting device according to claim 1, wherein the exhaust gas collecting unit and the temperature adjusting unit are configured to be detachable. 前記熱伝導構造が分離可能に構成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の排気捕集装置。   The exhaust trapping device according to claim 1 or 2, wherein the heat conduction structure is configured to be separable. 前記温度調整部は前記排気捕集部を冷却するように構成され、前記熱伝導構造は前記排気通路の入口から出口に向けて徐々に熱伝導率が高くなるように構成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の排気捕集装置。   The temperature adjustment unit is configured to cool the exhaust collection unit, and the heat conduction structure is configured to gradually increase thermal conductivity from an inlet to an outlet of the exhaust passage. The exhaust gas collecting device according to any one of claims 1 to 3. 前記熱伝導構造は、前記排気捕集部と前記温度調整部との間に配置されるシート部材によって構成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の排気捕集装置。   The exhaust heat collecting structure according to any one of claims 1 to 4, wherein the heat conducting structure is configured by a sheet member disposed between the exhaust collecting unit and the temperature adjusting unit. apparatus. 前記排気通路に沿って熱伝導率の異なる複数の前記シート部材が配置されることを特徴とする請求項5に記載の排気捕集装置。   The exhaust gas collecting apparatus according to claim 5, wherein a plurality of the sheet members having different thermal conductivities are disposed along the exhaust passage. ガス供給部と、該ガス供給部から供給されるガスを反応させるガス反応室と、前記ガス供給部若しくは前記ガス反応室の排気経路と、該排気経路途中に配置される請求項1乃至6のいずれか一項に記載の排気捕集装置とを具備することを特徴とするガス反応装置。
The gas supply section, a gas reaction chamber for reacting a gas supplied from the gas supply section, an exhaust path of the gas supply section or the gas reaction chamber, and an exhaust path in the middle of the exhaust path. A gas reaction device comprising the exhaust gas collecting device according to any one of the above.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160348238A1 (en) * 2015-05-28 2016-12-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Film forming apparatus
CN110709974A (en) * 2017-05-19 2020-01-17 应用材料公司 Apparatus for collecting and subsequently reacting liquid and solid effluents into a gaseous effluent

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0972291A (en) * 1995-09-04 1997-03-18 Ulvac Japan Ltd Trap for front step of dry vacuum pump
JP2000045073A (en) * 1998-07-29 2000-02-15 Kokusai Electric Co Ltd Exhaust trap and treating device
JP2000256856A (en) * 1999-03-11 2000-09-19 Tokyo Electron Ltd Treating device, vacuum exhaust system for treating device, vacuum cvd device, vacuum exhaust system for vacuum cvd device and trapping device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0972291A (en) * 1995-09-04 1997-03-18 Ulvac Japan Ltd Trap for front step of dry vacuum pump
JP2000045073A (en) * 1998-07-29 2000-02-15 Kokusai Electric Co Ltd Exhaust trap and treating device
JP2000256856A (en) * 1999-03-11 2000-09-19 Tokyo Electron Ltd Treating device, vacuum exhaust system for treating device, vacuum cvd device, vacuum exhaust system for vacuum cvd device and trapping device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160348238A1 (en) * 2015-05-28 2016-12-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Film forming apparatus
CN110709974A (en) * 2017-05-19 2020-01-17 应用材料公司 Apparatus for collecting and subsequently reacting liquid and solid effluents into a gaseous effluent
CN110709974B (en) * 2017-05-19 2023-08-01 应用材料公司 Apparatus for collecting and subsequently reacting liquid and solid effluents into gaseous effluents

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