JP2005322694A - Method for designing layout of semiconductor integrated circuit and its fabrication process - Google Patents

Method for designing layout of semiconductor integrated circuit and its fabrication process Download PDF

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JP2005322694A JP2004137723A JP2004137723A JP2005322694A JP 2005322694 A JP2005322694 A JP 2005322694A JP 2004137723 A JP2004137723 A JP 2004137723A JP 2004137723 A JP2004137723 A JP 2004137723A JP 2005322694 A JP2005322694 A JP 2005322694A
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Yoshinori Kumano
義則 熊野
Toshihiro Tsukagoshi
敏弘 塚越
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for designing layout in which required number of flip-flop cells for circuit correction can be secured regardless of the number of clock systems and without deteriorating clock skew of existing flip-flop cells and dummy flip-flop cells by suppressing increase in the number of gates due to addition of dummy cells as much as possible. <P>SOLUTION: In the image drawing, the semiconductor integrated circuit comprises clock systems CTS1, CTS2 and CTS3, cells 4, 8 and 11 connected with respective output lines 5, existing FFs 6, 9 and 12, and dummy cells 7, 10 and 13 connected with respective output lines 5. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体集積回路のレイアウト設計方法及び製造方法に関し、さらに詳しくは、スタンダードセル方式による半導体集積回路の設計方法及び製造方法に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit layout design method and manufacturing method, and more particularly to a standard cell type semiconductor integrated circuit design method and manufacturing method.

LSI(大規模集積回路)等の半導体集積回路の設計手法は、主として二つに分類される。第1の設計手法は、ゲートアレイ方式と呼ばれるものであり、基本セル(2入力のNANDゲート相当分のトランジスタ)を碁盤の目のようにアレイ状に配置した下地データを予め用意しておき、基本セル間の配線(上地)を任意に行うことにより、ユーザの希望する機能を実現するものである。また製造工程は配線用のマスクを変更するだけなので、短納期、低コストである。第2の設計手法は、スタンダードセル方式と呼ばれるものであり、予め機能ブロックがいくつかの標準的なセルとして用意してあるので、トランジスタを効率的に配置し、配線することができる。これによりユーザの希望に合った高機能なLSIを作ることができるが、開発期間はゲートアレイ方式に比べて長くなってしまう。
またスタンダードセル方式のLSIで回路修正を行う場合、その都度セルの配置、配線をし直さなければならず、回路修正が容易にできないという欠点があった。即ち、スタンダードセル方式で作成されたファンクションセルは、拡散層(下地)と配線層(上地)が一体化しているので、回路修正に伴いセルが追加になるということは、配線用のマスクだけでなく、全てのマスクパターンが変更になるということであり、コスト、開発期間の点で大きな問題となってしまう。
そこで上記の欠点を克服する手段として、特開平11−126823号公報に従来より広く一般的に知られている手法が開示されている。これは本来の機能には不要なセル(以下、ダミーセルと呼ぶ)を予めチップ内に配置しておき、回路修正の必要性が生じた場合、このダミーセルを用いて希望の機能を実現する方法である。この場合、ダミーセルを用いるように配線を変更するだけで済むので、従来のスタンダードセル方式のように全ての作業をやり直す必要がなく、ゲートアレイ方式と同様に短納期、低コストで回路修正が可能となる。
以下にダミーセルを用いた設計の流れを簡単に説明する。まずユーザは回路修正が必要になる恐れのある論理機能ブロックに、その回路修正を行うのに必要な数、必要な種類のダミーセルを予め追加したネットリストを用意する。レイアウト工程ではこのネットリストの情報に基づいて、始めにマクロセル(ダミーセルを含む)及びRAM、ROM、CPUなどのメガセルの配置を行う。次にクロックツリーシンセシスの処理(詳細は後述する)を行う。ここまでで回路に必要なセルの配置は全て完了しているので、最後にセル間の配線を行う。あとは配置配線情報を基に、レイアウトデータとネットリストを出力するだけである。ここでレイアウト完了後に回路修正を行う必要が生じた場合、このレイアウトデータを直接修正する方法と、回路修正を反映したネットリストを作成してECO(Engineering Change Order)という技術を使って、レイアウト装置によりレイアウトを変更する方法の何れかの方法で回路修正を実施している。
特開平11−126823号公報
There are mainly two methods for designing a semiconductor integrated circuit such as an LSI (Large Scale Integrated Circuit). The first design method is called a gate array method, in which ground data in which basic cells (transistors corresponding to two-input NAND gates) are arranged in an array like a grid is prepared in advance. A function desired by the user is realized by arbitrarily performing wiring (upper ground) between the basic cells. In addition, since the manufacturing process only involves changing the wiring mask, the delivery time is short and the cost is low. The second design method is called a standard cell method. Since functional blocks are prepared in advance as some standard cells, transistors can be efficiently arranged and wired. As a result, a high-performance LSI meeting the user's wishes can be produced, but the development period is longer than that of the gate array system.
Further, when a circuit correction is performed with a standard cell type LSI, the cell must be re-arranged and wired each time, and the circuit correction cannot be easily performed. In other words, since the diffusion layer (base) and wiring layer (top) are integrated in the function cell created by the standard cell method, the addition of cells due to circuit modification is only for the wiring mask. Instead, all mask patterns are changed, which is a big problem in terms of cost and development period.
Therefore, as a means for overcoming the above-mentioned drawbacks, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-126823 discloses a method that has been widely known generally. This is a method in which cells that are not necessary for the original function (hereinafter referred to as dummy cells) are arranged in the chip in advance, and when there is a need for circuit correction, a desired function is realized using the dummy cells. is there. In this case, it is only necessary to change the wiring so that a dummy cell is used, so there is no need to redo all the work as in the conventional standard cell method, and the circuit can be corrected with a short delivery time and low cost like the gate array method. It becomes.
The design flow using dummy cells will be briefly described below. First, the user prepares a net list in which the necessary number and type of dummy cells are added in advance to the logic function block that may require circuit correction. In the layout process, first, macro cells (including dummy cells) and mega cells such as RAM, ROM, and CPU are arranged based on the information of the net list. Next, clock tree synthesis processing (details will be described later) is performed. Since the arrangement of the cells necessary for the circuit has been completed so far, wiring between the cells is finally performed. All that remains is to output the layout data and netlist based on the placement and routing information. When it is necessary to correct the circuit after the layout is completed, a layout device is used by directly correcting the layout data and using a technique called ECO (Engineering Change Order) by creating a netlist reflecting the circuit correction. The circuit is corrected by any one of the methods for changing the layout.
JP-A-11-126823

従来のスタンダードセル方式における第1の問題は、ダミーセルを入れすぎて希望のチップサイズに収まりきらないことがあるという点である。この問題は、ダミーセルの数を減らして再度レイアウトを行うことで回避できるが、レイアウト工期が長くなるという問題が残る。またどれだけダミーセルを減らせるかの判断は人の感に頼るため、繰り返しが発生する可能性もある。
また第2の問題は、フリップフロップセルを実際に回路修正に使用する際には、既存のフリップフロップセルとのクロックスキューが合わされていないと、既存のフリップフロップセルとの間のタイミング調整が複雑になり、容易には使えなくなってしまうという点である。この問題は、あらかじめ回路修正が必要になる恐れのある全てのクロック系統にダミー用のフリップフロップセルを接続しておき、クロックツリーシンセシスで既存のフリップフロップセルと共にクロックスキューを合わせることで回避できる。図4に従来技術のクロックツリーのイメージ図を示す。図4の例ではクロック系統はCTS1、CTS2、CTS3の3つあるので、それぞれに既存のフリップフロップセル20の他にダミー用のフリップフロップセル21を繋いでおくことが必要になる。
The first problem in the conventional standard cell system is that too many dummy cells may be inserted to fit within the desired chip size. This problem can be avoided by reducing the number of dummy cells and performing the layout again, but the problem that the layout construction period becomes longer remains. In addition, since the determination of how many dummy cells can be reduced depends on human feeling, there is a possibility of repetition.
The second problem is that when the flip-flop cell is actually used for circuit correction, if the clock skew with the existing flip-flop cell is not matched, the timing adjustment with the existing flip-flop cell becomes complicated. It is easy to use it. This problem can be avoided by connecting dummy flip-flop cells to all clock systems that may require circuit correction in advance and adjusting the clock skew together with the existing flip-flop cells by clock tree synthesis. FIG. 4 shows an image diagram of a conventional clock tree. In the example of FIG. 4, since there are three clock systems CTS1, CTS2, and CTS3, it is necessary to connect a dummy flip-flop cell 21 in addition to the existing flip-flop cell 20.

また第3の問題は、第2の問題の回避策では、クロック系統が多くなればなるほど、ダミー用のフリップフロップセル21を多数追加しなければいけなくなり、結局第1の問題が発生してしまう点である。そのため、追加するダミー用のフリップフロップセル21の総数を削減しようとして、各々のクロック系統に入れておく数を減らしたり、回路修正の可能性が低いと判断したクロック系統に全く入れなかったりすることが考えられる。その結果、実際に想定外の回路修正が発生したときに使用できるクロックスキューの合ったダミー用のフリップフロップセルが足りなくなったり、全く無いといったことになる虞がある。こうなると工期を犠牲にして再度レイアウトをやり直すか、タイミング調整の手間が掛かるのを受け入れて、クロックスキューの合っていない他のクロック系統のダミー用のフリップフロップセルを使用するしか選択肢がなくなってしまう。
本発明は、かかる課題に鑑み、ダミーセルの追加によるゲート数の増加を極力抑え、既存のフリップフロップセルとダミー用のフリップフロップセルのクロックスキューを悪化させることなく、且つクロック系統数の大小に関係なく回路修正に必要な数のフリップフロップセルを確保可能なレイアウト設計手法を提供することを目的とする。
The third problem is that in the workaround for the second problem, as the number of clock systems increases, a larger number of dummy flip-flop cells 21 must be added, resulting in the first problem. It is. For this reason, in order to reduce the total number of dummy flip-flop cells 21 to be added, the number put in each clock system may be reduced, or may not be included in the clock system determined to have a low possibility of circuit correction. Conceivable. As a result, there may be a shortage of dummy flip-flop cells with matching clock skew that can be used when an unexpected circuit correction actually occurs, or there may be no dummy flip-flop cells. In this case, the only option is to use a dummy flip-flop cell of another clock system that does not match the clock skew, accepting that the layout is redone again at the expense of the construction period or that time adjustment is required.
In view of such problems, the present invention suppresses an increase in the number of gates due to the addition of dummy cells as much as possible, does not deteriorate the clock skew of the existing flip-flop cells and the dummy flip-flop cells, and does not depend on the number of clock systems. An object of the present invention is to provide a layout design method capable of securing the number of flip-flop cells necessary for correction.

本発明はかかる課題を解決するために、請求項1は、予め機能ブロックが複数の標準的なセルとして用意してあるスタンダードセル方式による半導体集積回路のレイアウト設計方法であって、フリップフロップセルのクロック入力ピンが有する入力ゲート容量と等価な入力ゲート容量を有するマクロセルであるダミーダミーセルを備え、ダミー用のフリップフロップセルの代わりに前記ダミーダミーセルを接続してクロックツリーシンセシスを実施しておき、その後、フリップフロップセルの追加を含む回路修正が必要になった場合、前記回路修正部分に接続されている前記ダミーダミーセルをフリップフロップセルと置き換えることを特徴とする。
スタンダードセル方式による半導体集積回路のレイアウト設計方法では、回路修正による設計変更が発生することを想定して、ダミー用のフリップフロップセルを予め備えておくのが通例である。しかし、回路規模の関係で多くのダミー用のセルを設けておくことはできない。そこで本発明では、フリップフロップセルのクロック入力ピンと等価な入力ゲート容量を有するダミーダミーセルを、クロック入力ピンと同一の回路に繋いでクロックツリーシンセシスを実施しておき、フリップフロップセルの追加を含む回路修正が必要になった場合、このダミーダミーセルをフリップフロップセルと置き換えるものである。
ここでクロックツリーシンセシスとは、クロック信号にバッファツリーが形成され、本来の機能に必要なフリップフロップセルだけでなく、ダミーダミーセルも含めて、クロックスキューが合うように最適な場所にバッファが配置されることを言う。
請求項2は、前記ダミーダミーセルの横幅サイズは、1グリッドの整数倍で作成されるインバータセルと等価な構造を有することを特徴とする。
本発明では、始めにフリップフロップセルのクロック入力ピンと等価な入力ゲート容量を持つダミーダミーセルを用意しておく。ダミーダミーセルのサイズ(面積)は小さい方がゲート数増加を抑えられるので都合が良い。通常、スタンダードセル方式のマクロセルの高さは全て同じで作成されている。また横幅はグリッドという基本単位で管理されており、各マクロセルは1グリッドの整数倍の幅で作成されている。そこでダミーダミーセルは、最もサイズの小さなマクロセルであるインバータセルと等価な構造にしておけば良い。
In order to solve such a problem, the present invention provides a layout design method for a semiconductor integrated circuit based on a standard cell system in which functional blocks are prepared in advance as a plurality of standard cells, and includes a clock for a flip-flop cell. A dummy dummy cell which is a macro cell having an input gate capacitance equivalent to the input gate capacitance of the input pin is provided, and the clock dummy synthesis is performed by connecting the dummy dummy cell instead of the dummy flip-flop cell, and then the flip-flop When circuit correction including addition of a pcell is required, the dummy dummy cell connected to the circuit correction portion is replaced with a flip-flop cell.
In the standard cell system semiconductor integrated circuit layout design method, a dummy flip-flop cell is usually provided in advance, assuming that a design change occurs due to circuit correction. However, many dummy cells cannot be provided because of the circuit scale. Therefore, in the present invention, a dummy dummy cell having an input gate capacity equivalent to the clock input pin of the flip-flop cell is connected to the same circuit as the clock input pin to perform clock tree synthesis, and circuit correction including addition of the flip-flop cell is necessary. In this case, the dummy dummy cell is replaced with a flip-flop cell.
Here, the clock tree synthesis means that a buffer tree is formed in the clock signal, and not only the flip-flop cells necessary for the original function but also dummy dummy cells, the buffers are arranged at optimal locations so that the clock skew is matched. Say that.
According to a second aspect of the present invention, the dummy dummy cell has a width equivalent to an inverter cell formed by an integral multiple of one grid.
In the present invention, first, a dummy dummy cell having an input gate capacitance equivalent to the clock input pin of the flip-flop cell is prepared. A smaller dummy dummy cell size (area) is advantageous because an increase in the number of gates can be suppressed. Usually, the heights of standard cell type macro cells are all the same. The horizontal width is managed in a basic unit called a grid, and each macro cell is created with a width that is an integral multiple of one grid. Therefore, the dummy dummy cell may have a structure equivalent to the inverter cell which is the smallest macro cell.

請求項3は、前記半導体集積回路が複数のクロック系統を必要とする場合、各クロック系統に前記ダミーダミーセルをそれぞれ配置しておくことを特徴とする。
予め各クロック系統に十分な数のダミーダミーセルを接続しておけば、クロック系統数の大小に関係なく、回路修正に必要な数のフリップフロップセルを確保することができる。
請求項4は、予め機能ブロックが複数の標準的なセルとして用意してあるスタンダードセル方式による半導体集積回路のレイアウト設計方法であって、フリップフロップセルのクロック入力ピンが有する入力ゲート容量と等価な入力ゲート容量を有するダミーダミーセルと、ダミー用のフリップフロップセルとを備え、予め前記ダミーダミーセルの近傍に前記ダミー用のフリップフロップセルを配置し、その後、前記フリップフロップセルの追加を含むメタル改訂が必要になった場合、回路修正が必要な回路の近傍にある前記ダミーダミーセルへの配線を切断し、当該ダミーダミーセルの近傍に配置されたダミー用のフリップフロップセルを当該ダミーダミーセルの代わりに接続するようにしたことを特徴とする。
メタル改訂ではセルの追加、削除は不可能である。従って、メタル改訂を考慮するとダミー用のフリップフロップセルを予めレイアウトしておくことがどうしても必要になる。そこで本発明では、最初のレイアウト時に各クロック系統のダミーダミーセルを固めて配置しておき、さらにその近傍にダミー用のフリップフロップセルを固めて配置しておくものである。
請求項5は、予め機能ブロックが複数の標準的なセルとして用意してあるスタンダードセル方式による半導体集積回路の製造方法であって、フリップフロップセルのクロック入力ピンが有する入力ゲート容量と等価な入力ゲート容量を有するマクロセルを備え、ダミー用のフリップフロップセルの代わりに前記マクロセルを接続してクロックツリーシンセシスを実施しておき、その後、フリップフロップセルの追加を含む回路修正が必要になった場合、前記回路修正部分に接続されている前記マクロセルをフリップフロップセルと置き換えることを特徴とする。
かかる発明によれば、請求項1と同様の作用効果を奏する。
According to a third aspect of the present invention, when the semiconductor integrated circuit requires a plurality of clock systems, the dummy dummy cells are arranged in each clock system.
If a sufficient number of dummy dummy cells are connected to each clock system in advance, the number of flip-flop cells necessary for circuit correction can be secured regardless of the number of clock systems.
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a layout design method for a semiconductor integrated circuit using a standard cell system in which functional blocks are prepared in advance as a plurality of standard cells, and an input equivalent to an input gate capacitance of a clock input pin of a flip-flop cell. A dummy dummy cell having a gate capacitance and a dummy flip-flop cell are provided, and the dummy flip-flop cell is arranged in the vicinity of the dummy dummy cell in advance, and then metal revision including the addition of the flip-flop cell is required. In this case, the wiring to the dummy dummy cell in the vicinity of the circuit requiring circuit correction is cut, and the dummy flip-flop cell arranged in the vicinity of the dummy dummy cell is connected instead of the dummy dummy cell. Features.
In the metal revision, cells cannot be added or deleted. Therefore, considering the metal revision, it is absolutely necessary to lay out the dummy flip-flop cells in advance. Therefore, according to the present invention, dummy dummy cells of each clock system are fixedly arranged at the time of initial layout, and further, dummy flip-flop cells are arranged in the vicinity thereof.
A fifth aspect of the present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit using a standard cell system in which functional blocks are prepared in advance as a plurality of standard cells, and an input gate equivalent to an input gate capacitance of a clock input pin of a flip-flop cell When a macro cell having a capacity is provided, clock macro synthesis is performed by connecting the macro cell instead of the dummy flip-flop cell, and then the circuit correction including the addition of the flip-flop cell is necessary, the circuit correction is performed. The macro cell connected to the portion is replaced with a flip-flop cell.
According to this invention, there exists an effect similar to Claim 1.

請求項6は、前記ダミーダミーセルの横幅サイズは、1グリッドの整数倍で作成されるインバータセルと等価な構造を有することを特徴とする。
かかる発明によれば、請求項2と同様の作用効果を奏する。
請求項7は、前記半導体集積回路が複数のクロック系統を必要とする場合、各クロック系統に前記マクロセルをそれぞれ配置しておくことを特徴とする。
かかる発明によれば、請求項3と同様の作用効果を奏する。
請求項8は、予め機能ブロックが複数の標準的なセルとして用意してあるスタンダードセル方式による半導体集積回路の製造方法であって、フリップフロップセルのクロック入力ピンが有する入力ゲート容量と等価な入力ゲート容量を有するマクロセルと、ダミー用のフリップフロップセルとを備え、予め前記マクロセルの近傍に前記ダミー用のフリップフロップセルを配置し、その後、前記フリップフロップセルの追加を含むメタル改訂が必要になった場合、回路修正が必要な回路の近傍にあるマクロセルへの配線を切断し、当該マクロセルの近傍に配置されたダミー用のフリップフロップセルを当該マクロセルの代わりに接続するようにしたことを特徴とする。
かかる発明によれば、請求項4と同様の作用効果を奏する。
A sixth aspect of the present invention is characterized in that the dummy dummy cell has a structure equivalent in width to an inverter cell formed by an integral multiple of one grid.
According to this invention, there exists an effect similar to Claim 2.
According to a seventh aspect of the present invention, when the semiconductor integrated circuit requires a plurality of clock systems, the macro cells are respectively arranged in the clock systems.
According to this invention, there exists an effect similar to Claim 3.
Claim 8 is a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit by a standard cell system in which functional blocks are prepared in advance as a plurality of standard cells, and an input gate equivalent to an input gate capacitance of a clock input pin of a flip-flop cell A macro cell having a capacity and a dummy flip-flop cell, and the dummy flip-flop cell is disposed in the vicinity of the macro cell in advance, and then a metal revision including the addition of the flip-flop cell is required. It is characterized in that wiring to a macro cell in the vicinity of a circuit that requires correction is cut and a dummy flip-flop cell arranged in the vicinity of the macro cell is connected instead of the macro cell.
According to this invention, there exists an effect similar to Claim 4.

請求項1、5の発明によれば、フリップフロップセルのクロック入力ピンが有する入力ゲート容量と等価な入力ゲート容量を有するダミーダミーセルを備え、ダミー用のフリップフロップセルの代わりにダミーダミーセルをクロック入力ピンと同一の回路に接続してクロックツリーシンセシスを実施しておき、その後、フリップフロップセルの追加を含む回路修正が必要になった場合、ダミーダミーセルをフリップフロップセルと置き換え可能としたので、元々のクロックスキューを悪化させることなく回路修正に必要なフリップフロップセルを追加することが可能となる。
また請求項2、6では、ダミーダミーセルの横幅サイズは、1グリッドの整数倍で作成されるインバータセルと等価な構造を有するので、1つのセルで大幅なグリッドのサイズを削減することができる。
また請求項3、7では、半導体集積回路が複数のクロック系統を必要とする場合、各クロック系統にダミーダミーセルをそれぞれ配置しておくので、クロック系統数の大小に関係なく、回路修正に必要な数のフリップフロップセルを確保することができる。
また請求項4、8では、本発明では、予め各クロック系統のダミーダミーセルを固めて配置しておき、予めマクロセルの近傍にダミー用のフリップフロップセルを配置し、その後、フリップフロップセルの追加を含むメタル改訂が必要になった場合、回路修正が必要な回路の近傍にあるダミーダミーセルへの配線を切断し、当該ダミーダミーセルの近傍に配置されたダミー用のフリップフロップセルを当該ダミーダミーセルの代わりに接続するようにしたので、配線長をあまり変えることなくダミーダミーセルからダミー用のフリップフロップセルへ繋ぎかえることができ、クロックスキューへの影響を最小限に抑えてダミー用のフリップフロップセルを使えるようにすることが可能となる。
According to the first and fifth aspects of the present invention, the dummy dummy cell having the input gate capacitance equivalent to the input gate capacitance of the clock input pin of the flip-flop cell is provided, and the dummy dummy cell is the same as the clock input pin instead of the dummy flip-flop cell. When the circuit modification including the addition of the flip-flop cell is necessary after that, the dummy dummy cell can be replaced with the flip-flop cell, so that the original clock skew is deteriorated. It is possible to add a flip-flop cell necessary for circuit correction without making it.
In the second and sixth aspects, since the width of the dummy dummy cell has a structure equivalent to that of an inverter cell formed by an integral multiple of one grid, the size of the grid can be greatly reduced by one cell.
Further, in the third and seventh aspects, when the semiconductor integrated circuit requires a plurality of clock systems, dummy dummy cells are arranged in each clock system, so that it is necessary for circuit correction regardless of the number of clock systems. A number of flip-flop cells can be secured.
According to the fourth and eighth aspects of the present invention, the dummy dummy cells of each clock system are preliminarily arranged and arranged in advance, a dummy flip-flop cell is arranged in the vicinity of the macro cell, and then the metal including the addition of the flip-flop cell is included. When revision is necessary, the wiring to the dummy dummy cell in the vicinity of the circuit requiring the circuit correction is cut, and the dummy flip-flop cell arranged in the vicinity of the dummy dummy cell is connected instead of the dummy dummy cell. As a result, the dummy dummy cell can be switched to the dummy flip-flop cell without significantly changing the wiring length, and the dummy flip-flop cell can be used with minimal influence on the clock skew. It becomes possible.

以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
まず本発明の実施形態を説明する前に、各実施形態に共通な部分を以下に説明する。始めにフリップフロップセルのクロック入力ピンと等価な入力ゲート容量を持つダミーダミーセルを用意しておく。ダミーダミーセルのサイズ(面積)は小さい方がゲート数増加を抑えられるので都合が良い。通常、スタンダードセル方式のマクロセルの高さは全て同じで作成されている。また横幅のサイズはグリッドという基本単位で管理されており、各マクロセルは1グリッドの整数倍の幅で作成されている。そこでダミーダミーセルは、最もサイズの小さなマクロセルであるインバータセルと等価な構造にしておけば良い。図3には各セルのサイズを相対的に比較するために、あるテクノロジライブラリを元にして各セルのサイズを比較した図である。図3ではダミー用のフリップフロップセルとして通常よく使用される非同期セット、リセット付きのFF32が35グリッドであるのに対して、ダミーダミーセル30は、インバータセル31と同様に3グリッドであるので、1つのセルで32グリッドのサイズが削減できることになる。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments shown in the drawings. However, the components, types, combinations, shapes, relative arrangements, and the like described in this embodiment are merely illustrative examples and not intended to limit the scope of the present invention only unless otherwise specified. .
First, before describing embodiments of the present invention, portions common to each embodiment will be described below. First, a dummy dummy cell having an input gate capacitance equivalent to the clock input pin of the flip-flop cell is prepared. A smaller dummy dummy cell size (area) is advantageous because an increase in the number of gates can be suppressed. Usually, the heights of standard cell type macro cells are all the same. The size of the horizontal width is managed in a basic unit called a grid, and each macro cell is created with a width that is an integral multiple of one grid. Therefore, the dummy dummy cell may have a structure equivalent to the inverter cell which is the smallest macro cell. FIG. 3 is a diagram comparing the size of each cell based on a certain technology library in order to relatively compare the size of each cell. In FIG. 3, the FF 32 with an asynchronous set and reset, which is normally used as a flip-flop cell for dummy, is 35 grids, whereas the dummy dummy cell 30 is 3 grids like the inverter cell 31, so The cell can reduce the size of 32 grids.

ユーザは従来のダミー用のフリップフロップセルの代わりに、ダミーダミーセルをクロックツリーシンセシス(以下、CTSと呼ぶ)の基となるクロック信号に接続したネットリストを作成する。レイアウト工程ではこのネットリストの情報に基づいてCTSを実行する。CTSによりクロック信号にバッファツリーが形成され、本来の機能に必要なフリップフロップセルだけでなく、ダミーダミーセルも含めて、クロックスキューが合うように最適な場所にバッファが配置される。
また以下で説明する実施形態では、レイアウトの工程が終了したあとにフリップフロップの追加を含む回路修正が必要になった場合を想定している。そして第1の実施形態では、それがチップの開発途中であってまだセルの追加、削除が可能な場合や、チップ完成後の改訂であっても配線用のマスクだけでなく全てのマスクパターンを変更することが可能な場合を想定している。また第2の実施形態では、チップ完成後の改訂で配線用のマスクしか変更できない場合(以下、メタル改訂と呼ぶ)を想定している。
Instead of the conventional flip-flop cell for dummy, the user creates a netlist in which the dummy dummy cell is connected to a clock signal that is the basis of clock tree synthesis (hereinafter referred to as CTS). In the layout process, CTS is executed based on the information of the net list. A buffer tree is formed in the clock signal by the CTS, and not only the flip-flop cells necessary for the original function but also the dummy dummy cells, the buffers are arranged at optimal locations so that the clock skew is matched.
In the embodiment described below, it is assumed that circuit correction including addition of flip-flops is required after the layout process is completed. In the first embodiment, not only the mask for wiring but all the mask patterns are displayed even when the addition or deletion of cells is possible during the development of the chip, or the revision after the completion of the chip. It is assumed that it can be changed. In the second embodiment, it is assumed that only the wiring mask can be changed by revision after the completion of the chip (hereinafter referred to as metal revision).

図1は本発明の第1の実施形態に係るクロックツリーのイメージ図である。このイメージ図では、クロック系統CTS1、CTS2、CTS3と、それぞれの出力線に接続されたセル4、8、11と、各出力線5に接続された既存のFF6、9、12と、同じく各出力線5に接続されたダミーダミーセル7、10、13とを備えて構成される。
フリップフロップセルの追加を含む回路修正が必要になると、ユーザはまず回路修正が必要な回路の近傍に配置されている所望のクロック系統に接続されているダミーダミーセルをレイアウトを見て選び出す。次にレイアウト後のネットリストに対して、選び出したダミーダミーセルをフリップフロップセルに置き換える修正を行う。当然、その他の回路修正もここで行っておく。次にレイアウト装置に修正後のネットリストを読み込ませECO(Engineering Change Order)を実行する。その際、元々あったダミーダミーセルの位置に置き換えるフリップフロップセルを配置する。これはインスタンス名を同じにしておくことで、レイアウト装置が自動的に行ってくれる。ここでグリッドの小さなセルをグリッドの大きなセルに置き換えるので、当然フリップフロップセルを配置するスペースは無いと思われるが、レイアウト装置は自動的に周りのセルや配線を少しずらしてフリップフロップセルを配置してくれる。
例えば、図1のCTS1のセル4の出力線5に接続された既存のFF6の回路に、フリップフロップセルの追加を含む回路修正が必要になったとすると、複数のダミーダミーセル7をレイアウトを見て選び出す。次にレイアウト後のネットリストに対して、選び出したダミーダミーセル7をフリップフロップセル14に置き換える修正を行う。このようにしてダミーダミーセル7と同じ位置にフリップフロップセル14を配置することで、前段のセル4からの配線長を変えずにセルを置き換えることができる。またダミーダミーセル7とフリップフロップセル14のセルの入力ゲート容量は、既に述べた通り同じ容量になるように作成している。したがって前段のセル4に付加するトータルの負荷容量は全く変らないので、元々のクロックスキューを悪化させることなく回路修正に必要なフリップフロップセルを用意することが可能となる。
またサイズに関しては、本実施形態では回路修正が決まってから必要な数だけダミーダミーセルをフリップフロップセルに置き換えているので、予め不必要なフリップフロップセルを配置しておく必要がなく、その分の優位性が生まれる。ただし予め追加していたダミーダミーセルを全てフリップフロップセルに置き換えなければならないような大規模な回路修正が入った場合は、従来の手法と全く同じになってしまうので優位性はなくなってしまうことになる。
さらにクロック系統数の大小に関係なく、回路修正に必要な数のフリップフロップセルを確保するという課題も、各クロック系統CTS1〜CTS3に十分な数のダミーダミーセル7、10、13を接続しておくことで達成できる。
FIG. 1 is an image diagram of a clock tree according to the first embodiment of the present invention. In this image diagram, the clock systems CTS1, CTS2, and CTS3, the cells 4, 8, and 11 connected to the respective output lines, the existing FFs 6, 9, and 12 connected to the respective output lines 5, and the output lines as well. And dummy dummy cells 7, 10, 13 connected to 5.
When circuit correction including addition of flip-flop cells is required, the user first selects a dummy dummy cell connected to a desired clock system arranged in the vicinity of the circuit requiring circuit correction by looking at the layout. Next, correction is performed to replace the selected dummy dummy cell with a flip-flop cell for the netlist after layout. Of course, other circuit modifications are made here. Next, the modified netlist is read into the layout device and ECO (Engineering Change Order) is executed. At this time, a flip-flop cell to be replaced with the original dummy dummy cell position is arranged. This is done automatically by the layout device by keeping the instance name the same. Since the small cells in the grid are replaced with the large cells in the grid here, it is natural that there is no space to place the flip-flop cells, but the layout device automatically places the flip-flop cells by slightly shifting the surrounding cells and wiring. Give me.
For example, if the existing FF 6 circuit connected to the output line 5 of the cell 4 of the CTS 1 in FIG. 1 needs to be modified including the addition of flip-flop cells, a plurality of dummy dummy cells 7 are selected by looking at the layout. . Next, a modification is made to replace the selected dummy dummy cell 7 with the flip-flop cell 14 for the netlist after the layout. By arranging the flip-flop cell 14 at the same position as the dummy dummy cell 7 in this way, the cell can be replaced without changing the wiring length from the cell 4 in the previous stage. Further, the input gate capacities of the dummy dummy cell 7 and the flip-flop cell 14 are made to be the same as described above. Accordingly, since the total load capacity added to the cell 4 in the previous stage does not change at all, it is possible to prepare a flip-flop cell necessary for circuit correction without deteriorating the original clock skew.
In addition, regarding the size, in the present embodiment, since the dummy dummy cells are replaced by flip-flop cells as many times as necessary after the circuit correction is decided, unnecessary flip-flop cells do not need to be arranged in advance, and the advantage for that. Is born. However, if a large-scale circuit modification that requires all dummy dummy cells added in advance to be replaced with flip-flop cells is performed, the advantage will be lost because it becomes exactly the same as the conventional method. .
Further, the problem of securing the number of flip-flop cells necessary for circuit correction regardless of the number of clock systems is to connect a sufficient number of dummy dummy cells 7, 10, 13 to each clock system CTS1 to CTS3. Can be achieved.

図2は本発明の第2の実施形態に係るレイアウトのイメージ図である。このイメージ図では、クロック系統CTS1、CTS2、CTS3と、それぞれの出力線に接続されたセル45、46、48と、各出力線44、47、49に接続された既存のダミーダミーセル40、41、42と、それに近接されたダミー用FF43とを備えて構成される。メタル改訂ではセルの追加、削除は不可能なので、メタル改訂を考慮するとダミー用のフリップフロップセルを予めレイアウトしておくことがどうしても必要になる。そこで最初のレイアウト時に図2に示すように、各クロック系統のダミーダミーセル40、41、42を固めて配置しておき、さらにその近傍にダミー用のフリップフロップセル43を固めて配置しておく。ここでダミー用のフリップフロップ43の入力ピンは論理レベルを「0」に固定するか「1」に固定にしておけば良い。そしてフリップフロップセルの追加を含むメタル改訂が必要になると、ユーザはまず回路修正が必要な回路の近傍に配置されている所望のクロック系統に接続されているダミーダミーセルと、ダミー用のフリップフロップセルをレイアウトを見て選び出す。次にレイアウト後のネットリストに対して、ダミーダミーセルへの配線を切断し、その代わりにフリップフロップセルを接続する修正を行う。当然、その他の回路修正もここで行っておく。
例えば、図2のCTS1のセル45の出力線44に接続されたダミーダミーセル40と、ダミー用のフリップフロップセル43をレイアウトを見て選び出す。次にレイアウト後のネットリストに対して、ダミーダミーセル40への配線44を切断し、その代わりにダミー用フリップフロップセル43を接続する修正を行う。
FIG. 2 is an image diagram of a layout according to the second embodiment of the present invention. In this image diagram, clock systems CTS1, CTS2, CTS3, cells 45, 46, 48 connected to the respective output lines, and existing dummy dummy cells 40, 41, 42 connected to the respective output lines 44, 47, 49 are shown. And a dummy FF 43 adjacent thereto. Since addition and deletion of cells are impossible in the metal revision, it is absolutely necessary to lay out a dummy flip-flop cell in advance in consideration of the metal revision. Therefore, as shown in FIG. 2 in the first layout, dummy dummy cells 40, 41, and 42 of each clock system are fixed and arranged, and further, dummy flip-flop cells 43 are arranged and arranged in the vicinity thereof. Here, the logic level of the input pin of the dummy flip-flop 43 may be fixed to “0” or “1”. When a metal revision including the addition of a flip-flop cell is required, the user first lays out a dummy dummy cell connected to a desired clock system arranged in the vicinity of the circuit requiring circuit correction and a dummy flip-flop cell. To choose from. Next, the netlist after the layout is corrected by cutting the wiring to the dummy dummy cell and connecting the flip-flop cell instead. Of course, other circuit modifications are made here.
For example, the dummy dummy cell 40 connected to the output line 44 of the cell 45 of the CTS 1 in FIG. 2 and the dummy flip-flop cell 43 are selected by looking at the layout. Next, for the netlist after layout, the wiring 44 to the dummy dummy cell 40 is cut, and the dummy flip-flop cell 43 is connected instead.

次にレイアウト装置に修正後のネットリストを読み込ませECOを実行する。ここでは第1の実施形態の場合と違って、始めのダミーダミーセルへの配線長と繋ぎ替えたあとのダミー用のフリップフロップセルへの配線長を全く同じにすることはできないので、クロックスキューに悪影響を与えることになるが、元々ダミーダミーセルとダミー用のフリップフロップセルを近傍配置してあるので、クロックスキューへの影響を最小限に抑えることができる。
またサイズに関しては、予めダミー用のフリップフロップセルを配置しておかなければならない分、第1の実施形態に較べて優位性は薄れるが、従来技術のように各々のクロック系統に入れておく訳ではないので、その分の優位性がある。さらにクロック系統数の大小に関係なく、回路修正に必要な数のフリップフロップセルを確保するという課題も、予め各クロック系統に十分な数のダミーダミーセルを接続しておき、かつ十分な数のダミー用のフリップフロップセルを配置しておくことで達成できる。
尚、本実施形態のレイアウト設計方法によりスタンダードセル方式の半導体集積回路を製造することが可能であることは言うまでもない。
Next, the modified netlist is read by the layout device and ECO is executed. Here, unlike the case of the first embodiment, since the wiring length to the dummy flip-flop cell after switching to the wiring length to the first dummy dummy cell cannot be made exactly the same, the clock skew is adversely affected. However, since the dummy dummy cell and the dummy flip-flop cell are originally arranged in the vicinity, the influence on the clock skew can be minimized.
In terms of size, the advantage is less than that of the first embodiment because a dummy flip-flop cell must be arranged in advance, but it is not included in each clock system as in the prior art. Because there is no, there is an advantage for that. In addition, regardless of the number of clock systems, the problem of securing the required number of flip-flop cells for circuit correction is to connect a sufficient number of dummy dummy cells to each clock system in advance and a sufficient number of dummy cells. This can be achieved by arranging flip-flop cells.
It goes without saying that a standard cell type semiconductor integrated circuit can be manufactured by the layout design method of this embodiment.

本発明の第1の実施形態に係るクロックツリーのイメージ図である。It is an image figure of the clock tree which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係るレイアウトのイメージ図である。It is an image figure of the layout which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 各セルのサイズを相対的に比較するために、あるテクノロジライブラリを元にして各セルのサイズを比較した図である。It is the figure which compared the size of each cell based on a certain technology library, in order to compare the size of each cell relatively. 従来技術のクロックツリーのイメージ図である。It is an image figure of the clock tree of a prior art.

符号の説明Explanation of symbols

1、2、3 クロック系統CTS、4、8、11 セル、5 出力線、6、9、12 既存のFF、7、10、13 ダミーダミーセル   1, 2, 3 Clock system CTS 4, 8, 11 cells, 5 output lines, 6, 9, 12 Existing FF, 7, 10, 13 Dummy dummy cells

Claims (8)

予め機能ブロックが複数の標準的なセルとして用意してあるスタンダードセル方式による半導体集積回路のレイアウト設計方法であって、
フリップフロップセルのクロック入力ピンが有する入力ゲート容量と等価な入力ゲート容量を有するマクロセルであるダミーダミーセルを備え、
ダミー用のフリップフロップセルの代わりに前記ダミーダミーセルを接続してクロックツリーシンセシスを実施しておき、その後、フリップフロップセルの追加を含む回路修正が必要になった場合、前記回路修正部分に接続されている前記ダミーダミーセルをフリップフロップセルと置き換えることを特徴とする半導体集積回路のレイアウト設計方法。
A layout design method for a semiconductor integrated circuit by a standard cell system in which functional blocks are prepared as a plurality of standard cells in advance,
A dummy dummy cell that is a macro cell having an input gate capacitance equivalent to an input gate capacitance of a clock input pin of the flip-flop cell;
The dummy dummy cell is connected in place of the dummy flip-flop cell and clock tree synthesis is performed. After that, when a circuit correction including the addition of the flip-flop cell is necessary, it is connected to the circuit correction portion. A layout design method of a semiconductor integrated circuit, wherein the dummy dummy cell is replaced with a flip-flop cell.
前記ダミーダミーセルの横幅サイズは、1グリッドの整数倍で作成されるインバータセルと等価な構造を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路のレイアウト設計方法。   2. The layout design method of a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the dummy dummy cell has a width equivalent to an inverter cell formed by an integral multiple of one grid. 前記半導体集積回路が複数のクロック系統を必要とする場合、各クロック系統に前記ダミーダミーセルをそれぞれ配置しておくことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回路のレイアウト設計方法。   3. The layout design method for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein when the semiconductor integrated circuit requires a plurality of clock systems, the dummy dummy cells are arranged in each clock system. 予め機能ブロックが複数の標準的なセルとして用意してあるスタンダードセル方式による半導体集積回路のレイアウト設計方法であって、
フリップフロップセルのクロック入力ピンが有する入力ゲート容量と等価な入力ゲート容量を有するダミーダミーセルと、ダミー用のフリップフロップセルとを備え、
予め前記ダミーダミーセルの近傍に前記ダミー用のフリップフロップセルを配置し、その後、前記フリップフロップセルの追加を含むメタル改訂が必要になった場合、回路修正が必要な回路の近傍にある前記ダミーダミーセルへの配線を切断し、当該ダミーダミーセルの近傍に配置されたダミー用のフリップフロップセルを当該ダミーダミーセルの代わりに接続するようにしたことを特徴とする半導体集積回路のレイアウト設計方法。
A layout design method for a semiconductor integrated circuit by a standard cell system in which functional blocks are prepared as a plurality of standard cells in advance,
A dummy dummy cell having an input gate capacitance equivalent to the input gate capacitance of the clock input pin of the flip-flop cell, and a dummy flip-flop cell;
When the dummy flip-flop cell is disposed in the vicinity of the dummy dummy cell in advance and then a metal revision including the addition of the flip-flop cell is required, the dummy dummy cell in the vicinity of the circuit requiring circuit correction is placed on the dummy dummy cell. A layout design method for a semiconductor integrated circuit, wherein wiring is cut and a dummy flip-flop cell arranged in the vicinity of the dummy dummy cell is connected instead of the dummy dummy cell.
予め機能ブロックが複数の標準的なセルとして用意してあるスタンダードセル方式による半導体集積回路の製造方法であって、
フリップフロップセルのクロック入力ピンが有する入力ゲート容量と等価な入力ゲート容量を有するダミーダミーセルを備え、
ダミー用のフリップフロップセルの代わりに前記マクロセルを接続してクロックツリーシンセシスを実施しておき、その後、フリップフロップセルの追加を含む回路修正が必要になった場合、前記回路修正部分に接続されている前記ダミーダミーセルをフリップフロップセルと置き換えることを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit by a standard cell method in which functional blocks are prepared in advance as a plurality of standard cells,
A dummy dummy cell having an input gate capacitance equivalent to the input gate capacitance of the clock input pin of the flip-flop cell;
When the macro cell is connected instead of the dummy flip-flop cell and clock tree synthesis is performed, and then a circuit correction including the addition of the flip-flop cell is necessary, the circuit connected to the circuit correction portion is connected. A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit, wherein a dummy dummy cell is replaced with a flip-flop cell.
前記ダミーダミーセルの横幅サイズは、1グリッドの整数倍で作成されるインバータセルと等価な構造を有することを特徴とする請求項5に記載の半導体集積回路の製造方法。   6. The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit according to claim 5, wherein the width of the dummy dummy cell has a structure equivalent to an inverter cell formed by an integral multiple of one grid. 前記半導体集積回路が複数のクロック系統を必要とする場合、各クロック系統に前記ダミーダミーセルをそれぞれ配置しておくことを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体集積回路の製造方法。   7. The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit according to claim 5, wherein when the semiconductor integrated circuit requires a plurality of clock systems, the dummy dummy cells are arranged in each clock system. 予め機能ブロックが複数の標準的なセルとして用意してあるスタンダードセル方式による半導体集積回路の製造方法であって、
フリップフロップセルのクロック入力ピンが有する入力ゲート容量と等価な入力ゲート容量を有するダミーダミーセルと、ダミー用のフリップフロップセルとを備え、
予め前記ダミーダミーセルの近傍に前記ダミー用のフリップフロップセルを配置し、その後、前記フリップフロップセルの追加を含むメタル改訂が必要になった場合、回路修正が必要な回路の近傍にあるダミーダミーセルへの配線を切断し、当該ダミーダミーセルの近傍に配置されたダミー用のフリップフロップセルを当該ダミーダミーセルの代わりに接続するようにしたことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit by a standard cell method in which functional blocks are prepared in advance as a plurality of standard cells,
A dummy dummy cell having an input gate capacitance equivalent to the input gate capacitance of the clock input pin of the flip-flop cell, and a dummy flip-flop cell;
When the dummy flip-flop cell is disposed in the vicinity of the dummy dummy cell in advance, and then metal revision including the addition of the flip-flop cell is required, wiring to the dummy dummy cell in the vicinity of the circuit requiring circuit correction And a dummy flip-flop cell arranged in the vicinity of the dummy dummy cell is connected instead of the dummy dummy cell.
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