JP2005317819A - Laser system - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser system wherein emitted laser light is prevented from being changed in its direction and position even when an angle of a grating is adjusted. <P>SOLUTION: An external resonator type semiconductor laser is constituted by a semiconductor laser 2, a lens 3, and the grating 5. The grating 5 is rotated by rotating a grating base 7 around a predetermined rotational axis, and receives laser light from the semiconductor laser 2 at a predetermined position. Further, although emitted light to the outside is changed in its direction owing to the rotation of the grating 5, an entire table 13 for holding the grating base 7 is turned on a drive 15 around the predetermined rotational axis so as to cancel the change of the direction of the emitted light. The rotational axis is on a plane involving a plane of incidence of the grating 5, and is orthogonal to a plane involving an entrance optical path and an exit optical path to the grating 5, and is further an axis that passes through an intersecting point between the center of the laser light incident on the grating 5 and the foregoing plane of incidence. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は、外部共振器型半導体レーザを含むレーザ・システムに関し、より詳しくは、レーザ光の射出方向を変えることなく波長の切り替えを行うレーザ・システムに関する。   The present invention relates to a laser system including an external cavity semiconductor laser, and more particularly to a laser system that switches wavelengths without changing the direction of emission of laser light.

近年、半導体レーザは、小型でかつ低消費電力である等の理由から、情報機器に多く使われるようになってきた。たとえば、ホログラフィックデータストレージ(HDS:Holographic Data Storage)については、シングルモード・レーザが用いられる。HDSは、1本のレーザ光をビームスピリッタで2本に分けた後に記録メディア上で再びあわせ、その干渉によってデータを記憶する。   In recent years, semiconductor lasers have been widely used in information equipment because of their small size and low power consumption. For example, a single mode laser is used for holographic data storage (HDS). In the HDS, one laser beam is divided into two by a beam spiriter, and then combined again on a recording medium, and data is stored by the interference.

マルチモードでは干渉が起きないため、シングルモード・レーザの使用が条件となる。現在では、このような用途のレーザとして、YAGの2次高調波(532nm)が使用されることが多い。   Since interference does not occur in multimode, the use of a single mode laser is a condition. At present, the second harmonic (532 nm) of YAG is often used as a laser for such applications.

ところで、レーザ・ダイオード(LD)のような半導体レーザは、マルチモード発振であり、上記用途には利用できないが、外部共振器と組み合わせることによりシングルモード化を実現できる。   By the way, a semiconductor laser such as a laser diode (LD) has multi-mode oscillation and cannot be used for the above-mentioned applications, but can be realized in a single mode by being combined with an external resonator.

ここで、従来より市販されている代表的なリットロー型の外部共振型半導体レーザを含むレーザ・システムの構成を、図7および図8を同時に参照して説明する。図7は、レーザ・システム200の平面図であり、図8は、図7に示す矢印Fの方向に沿って見たレーザ・システム200の正面図である。このレーザ・システム200の構成は、非特許文献1に記載されたレーザ・システムの構成と同様のものである。   Here, the configuration of a laser system including a typical Littrow type external resonance semiconductor laser that has been commercially available will be described with reference to FIGS. 7 and 8 simultaneously. 7 is a plan view of the laser system 200, and FIG. 8 is a front view of the laser system 200 as viewed along the direction of the arrow F shown in FIG. The configuration of the laser system 200 is the same as the configuration of the laser system described in Non-Patent Document 1.

L. Ricci, et al. :"A compact grating-stabilized diode laser system for atomic physics", Optics Communications, 117 1995, pp541-549L. Ricci, et al .: "A compact grating-stabilized diode laser system for atomic physics", Optics Communications, 117 1995, pp541-549

レーザ・システム200では、レーザ・ダイオード201のような半導体レーザ素子から射出された縦多モードのレーザ光(発振光)がレンズ202によって平行に集められ、グレーティング(回折格子)203に入射される。グレーティング203は、入射した光の1次回折光を出力する。グレーティング203の配置角度に応じて特定の波長の1次回折光が、レンズ202を介してレーザ・ダイオード201に逆注入される。この結果、レーザ・ダイオード201が、注入された1次回折光に共振してシングルモードの光(矢印Gによって表された0次光)を射出するようになり、その光の波長は、グレーティング203から戻ってきた光の波長と同じになる。   In the laser system 200, longitudinal multimode laser light (oscillation light) emitted from a semiconductor laser element such as a laser diode 201 is collected in parallel by a lens 202 and is incident on a grating (diffraction grating) 203. The grating 203 outputs first-order diffracted light of incident light. Depending on the arrangement angle of the grating 203, the first-order diffracted light having a specific wavelength is back-injected into the laser diode 201 through the lens 202. As a result, the laser diode 201 resonates with the injected first-order diffracted light and emits single-mode light (0th-order light represented by the arrow G). The wavelength of the light is from the grating 203. It becomes the same as the wavelength of the returned light.

図7および図8に示すように、レーザ・システム200は、レーザ・ダイオード201、レンズ202、グレーティング203、第1支持部204、第1ネジ205、第1溝206、第2支持部207、第2ネジ208、および第2溝209を含むレーザ部220と、ペルチェ素子210、ヒートシンク211を含む温度制御部230からなる。   As shown in FIGS. 7 and 8, the laser system 200 includes a laser diode 201, a lens 202, a grating 203, a first support portion 204, a first screw 205, a first groove 206, a second support portion 207, a first support portion 207, and a second support portion 207. The laser unit 220 includes two screws 208 and a second groove 209, and the temperature control unit 230 includes a Peltier element 210 and a heat sink 211.

レーザ・システム200では、レーザ光の光路が第2支持部207の上面に対してほぼ水平になるように、第2支持部207上に光学部品(レンズ202、グレーティング203等)を配置している。さらに、温度制御部230がレーザ部220の下側に配置されており、これによって、主に、レーザ・ダイオード201、レンズ202等の温度が制御される。温度制御部230によりレーザ・ダイオード201の温度が一定に保たれることによって光源の安定化が図られる。さらに、熱膨張を抑えることによって、グレーティング203や第1支持部204等を含む外部共振器のサイズを一定に保ち、射出されるレーザ光の位置や角度を一定に保つことができる。   In the laser system 200, optical components (lens 202, grating 203, etc.) are arranged on the second support portion 207 so that the optical path of the laser light is substantially horizontal with respect to the upper surface of the second support portion 207. . Further, a temperature control unit 230 is disposed on the lower side of the laser unit 220, thereby mainly controlling the temperatures of the laser diode 201, the lens 202 and the like. The temperature controller 230 keeps the temperature of the laser diode 201 constant, thereby stabilizing the light source. Furthermore, by suppressing thermal expansion, the size of the external resonator including the grating 203 and the first support portion 204 can be kept constant, and the position and angle of the emitted laser light can be kept constant.

レーザ・システム200は、グレーティング203の配置角度を変えることによりレーザ・ダイオード201の発振光の波長を調整する。グレーティング203は、第1支持部204に保持されている。第1支持部204には第1溝206が設けられており、同じく第1支持部204に設けられた第1ネジ205を回転させることにより、第1溝206の間隔が広がり(あるいは狭まり)、それによってグレーティング203の水平方向の配置角度が僅かに変化する。   The laser system 200 adjusts the wavelength of the oscillation light of the laser diode 201 by changing the arrangement angle of the grating 203. The grating 203 is held by the first support portion 204. The first support portion 204 is provided with a first groove 206. By rotating the first screw 205 provided in the first support portion 204, the interval between the first grooves 206 is widened (or narrowed). As a result, the horizontal arrangement angle of the grating 203 slightly changes.

同様の機構は、グレーティング203の垂直方向の角度を調整するためにも設けられている。グレーティング203を保持する第1支持部204は、第2支持部207に保持されており、第2支持部207には第2ネジ208と第2溝209が設けられている。第2ネジ208を回転させることにより、前述の第1支持部204と同様、第2支持部207に設けられた第2溝209の間隔が部分的に広がり(あるいは狭まり)、それによってグレーティング203および第1支持部204の垂直方向の配置角度が僅かに変化する。   A similar mechanism is also provided for adjusting the vertical angle of the grating 203. The first support portion 204 that holds the grating 203 is held by the second support portion 207, and the second support portion 207 is provided with a second screw 208 and a second groove 209. By rotating the second screw 208, the interval between the second grooves 209 provided in the second support portion 207 is partially expanded (or narrowed) similarly to the first support portion 204 described above, whereby the grating 203 and The vertical arrangement angle of the first support portion 204 slightly changes.

しかしながら、上述したレーザ・システム200のような構成では、グレーティング203の水平方向および垂直方向の角度が変わるだけでなく、グレーティング203の位置(より詳細には、グレーティング203がレーザ光を受光する位置、および反射する位置)も変化してしまう。このことにより、グレーティング203から外部に射出される0次光の方向および位置も変化し、このレーザ・システム200からの射出光を利用するために周辺に配置された光学部品の位置を再度調整する必要がある。   However, in the configuration such as the laser system 200 described above, not only the horizontal and vertical angles of the grating 203 change, but also the position of the grating 203 (more specifically, the position at which the grating 203 receives laser light, And the position of reflection) also change. This also changes the direction and position of the zero-order light emitted from the grating 203 to the outside, and again adjusts the positions of the optical components arranged in the periphery in order to use the emitted light from the laser system 200. There is a need.

すなわち、レーザ・システム200と周辺の光学部品の位置関係を正確に調整しておいても、その後、使用するレーザ光の波長を切り替える等の理由でグレーティング203の角度を再調整すると、周辺の光学部品の位置や角度をすべて再調整しなければならず、利用者の負担は非常に大きくなる。   That is, even if the positional relationship between the laser system 200 and peripheral optical components is accurately adjusted, if the angle of the grating 203 is readjusted for reasons such as switching the wavelength of the laser light to be used, the peripheral optical All the positions and angles of parts must be readjusted, and the burden on the user becomes very large.

したがって、この発明の目的は、周辺の光学機器の位置を再調整することなく、複数の異なる波長のレーザ光を射出可能なレーザ・システムを提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a laser system capable of emitting a plurality of laser beams having different wavelengths without readjusting the position of peripheral optical equipment.

また、この発明のさらなる目的は、グレーティングの角度を調整しても、射出されるレーザ光の方向および位置が変化しないレーザ・システムを提供することにある。   A further object of the present invention is to provide a laser system in which the direction and position of emitted laser light does not change even when the angle of the grating is adjusted.

第1の実施態様に係る発明は、半導体レーザから射出されるレーザ光を入射し、所定の波長のレーザ光を外部に射出するグレーティングと、グレーティングを保持するグレーティング台と、グレーティング台および半導体レーザを保持する全体台とを有し、グレーティング台と全体台が同一の回転軸で回転するよう構成され、回転軸は、レーザ光を入射するグレーティングの入射面を含む平面上にあり、グレーティングに入射されるレーザ光の入射光路、およびグレーティングから外部に射出されるレーザ光の射出光路を含む平面に直交し、かつ、グレーティングに入射されるレーザ光の中心が入射面と交わる点を通る軸であるように構成されたレーザ・システムである。   The invention according to the first embodiment includes a grating that enters laser light emitted from a semiconductor laser and emits laser light of a predetermined wavelength to the outside, a grating table that holds the grating, a grating table, and a semiconductor laser. The grating table and the entire table are configured to rotate on the same rotation axis, and the rotation axis is on a plane including the incident surface of the grating on which the laser beam is incident and is incident on the grating. The axis is perpendicular to the plane including the incident optical path of the laser beam and the exit optical path of the laser beam emitted from the grating, and the axis passes through the point where the center of the laser beam incident on the grating intersects the incident plane This is a laser system configured as follows.

第2の実施態様に係る発明は、第1の実施態様に係るレーザ・システムにおいて、回転軸を中心として全体台上で所定の第1の角度だけ回転されたグレーティング台は、全体台に固定され、回転軸を中心として、全体台を保持するドライブ上で所定の第2の角度だけ回転された全体台は、ドライブに固定されるよう構成されるレーザ・システムである。   The invention according to the second embodiment is the laser system according to the first embodiment, wherein the grating table rotated by a predetermined first angle about the rotation axis is fixed to the entire table. The entire platform rotated about a rotation axis by a predetermined second angle on the drive holding the entire platform is a laser system configured to be fixed to the drive.

第3の実施態様に係る発明は、第2の実施態様に係るレーザ・システムにおいて、第2の角度が、グレーティング台の第1の角度の回転によって変化した、グレーティングから射出されるレーザ光の方向を、回転前のレーザ光の方向に戻すように調整されるよう構成されるレーザ・システムである。   The invention according to the third embodiment is the laser system according to the second embodiment, wherein the second angle is changed by the rotation of the first angle of the grating stage, and the direction of the laser light emitted from the grating Is a laser system configured to be adjusted to return to the direction of the laser light before rotation.

第4の実施態様に係る発明は、第2の実施態様に係るレーザ・システムにおいて、グレーティング台の回転は、偏芯ドライバを用いて行われるよう構成されるレーザ・システムである。   The invention according to the fourth embodiment is the laser system according to the second embodiment, wherein the rotation of the grating stage is performed using an eccentric driver.

第5の実施態様に係る発明は、第4の実施態様に係るレーザ・システムにおいて、グレーティング台は、厚さ方向に貫通する偏芯ドライバ用穴を有し、全体台は、偏芯ドライバの突起部が挿入される穴を有し、グレーティング台の回転は、グレーティング台の偏芯ドライバ用穴を偏芯ドライバが通り、偏芯ドライバの突起部が全体台の穴に挿入された状態で、偏芯ドライバが回転されることによって行われるよう構成されるレーザ・システムである。   The invention according to the fifth embodiment is the laser system according to the fourth embodiment, wherein the grating base has an eccentric driver hole penetrating in the thickness direction, and the entire base is a protrusion of the eccentric driver. The rotation of the grating table is performed in a state where the eccentric driver passes through the eccentric driver hole of the grating table and the protruding part of the eccentric driver is inserted into the hole of the entire table. A laser system configured to be performed by rotating a lead driver.

第6の実施態様に係る発明は、第2の実施態様に係るレーザ・システムにおいて、全体台の回転は、偏芯ドライバを用いて行われるよう構成されるレーザ・システムである。   The invention according to a sixth embodiment is the laser system according to the second embodiment, wherein the rotation of the entire platform is performed using an eccentric driver.

第7の実施態様に係る発明は、第6の実施態様に係るレーザ・システムにおいて、全体台は、厚さ方向に貫通する偏芯ドライバ用穴を有し、ドライブは、偏芯ドライバの突起部が挿入される穴を有し、全体台の回転は、全体台の偏芯ドライバ用穴を偏芯ドライバが通り、偏芯ドライバの突起部がドライブの穴に挿入された状態で、偏芯ドライバが回転されることによって行われるよう構成されるレーザ・システムである。   The invention according to a seventh embodiment is the laser system according to the sixth embodiment, wherein the whole base has a hole for an eccentric driver penetrating in the thickness direction, and the drive is a protrusion of the eccentric driver. The eccentric driver is inserted in the state where the eccentric driver passes through the eccentric driver hole of the entire unit and the protrusion of the eccentric driver is inserted into the hole of the drive. Is a laser system configured to be performed by being rotated.

第8の実施態様に係る発明は、第1の実施態様に係るレーザ・システムにおいて、半導体レーザとグレーティングとの間にレンズを配置し、半導体レーザ、レンズ、およびグレーティングによって外部共振器型半導体レーザが構成されるレーザ・システムである。   The invention according to the eighth embodiment is the laser system according to the first embodiment, wherein a lens is disposed between the semiconductor laser and the grating, and an external resonator type semiconductor laser is formed by the semiconductor laser, the lens, and the grating. It is a configured laser system.

第9の実施態様に係る発明は、第8の実施態様に係るレーザ・システムにおいて、外部共振器型半導体レーザが、リットロー型であるよう構成されるレーザ・システムである。   The invention according to a ninth embodiment is the laser system according to the eighth embodiment, wherein the external cavity semiconductor laser is configured to be a Littrow type.

第10の実施態様に係る発明は、第1の実施態様に係るレーザ・システムにおいて、グレーティング台と全体台は、第1ピンによって接続され、第1ピンが回転軸として機能し、全体台とドライブは、第2ピンによって接続され、第2ピンが回転軸として機能し、第1ピンと第2ピンは互いに離れて配置され、全体台の厚さ方向に突出するよう構成され、さらに、グレーティング台は、第1ピンを収容する穴を有し、ドライブは、第2ピンを収容する穴を有するよう構成されるレーザ・システムである。   The invention according to the tenth embodiment is the laser system according to the first embodiment, wherein the grating base and the overall base are connected by a first pin, the first pin functions as a rotating shaft, and the overall base and the drive Are connected by a second pin, the second pin functions as a rotation axis, the first pin and the second pin are arranged apart from each other, and are configured to protrude in the thickness direction of the entire table, and the grating table is The drive is a laser system configured to have a hole for receiving the first pin and the drive having a hole for receiving the second pin.

この発明によって、グレーティングの角度を調整しても、射出されるレーザ光の方向および位置が変化しないレーザ・システムが提供される。また、このように、射出されるレーザ光の方向および位置が変化しないため、グレーティングの角度を調整した場合であっても、周辺の光学機器の位置を再調整する必要がなく、利用者の負担を低減させることができる。   The present invention provides a laser system in which the direction and position of emitted laser light does not change even when the angle of the grating is adjusted. In addition, since the direction and position of the emitted laser light do not change in this way, even if the angle of the grating is adjusted, it is not necessary to readjust the position of the peripheral optical equipment, and the burden on the user Can be reduced.

最初に、この発明の一実施形態に係るレーザ・システムの構成について、図1を参照して説明する。図1は、リットロー型の外部共振器型半導体レーザを含むレーザ・システム1の上面図を表している。レーザ・システム1は、全体台13(レーザ全体の台)上に、レーザ支持台4およびグレーティング台7を備えてなる。レーザ支持台4は、たとえば接着等によって全体台13に固定されるが、グレーティング台7は、後述するように、第1ピンを中心として回転可能であり、最終的には、ネジによって全体台13に固定される。図1のネジ穴10aおよび10bは、これらのネジが通る穴であり、これらは、通常のネジ穴より大きい、たとえば楕円形や小判型のような形状で構成されうる。また、グレーティング台7の回転角を調整するために、偏芯ドライバ用穴8が設けられている。   First, the configuration of a laser system according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 shows a top view of a laser system 1 including a Littlow-type external cavity semiconductor laser. The laser system 1 includes a laser support table 4 and a grating table 7 on an entire table 13 (the entire laser table). The laser support base 4 is fixed to the overall base 13 by, for example, bonding or the like, but the grating base 7 can be rotated around the first pin as will be described later, and finally the overall base 13 by screws. Fixed to. The screw holes 10a and 10b in FIG. 1 are holes through which these screws pass, and these can be configured to have a larger shape than an ordinary screw hole, for example, an oval shape or an oval shape. An eccentric driver hole 8 is provided to adjust the rotation angle of the grating base 7.

全体台13はさらに、ホログラフドライブ等のドライブにネジ等によって固定される。図1のネジ穴12aないし12dは、これらのネジが通る穴である。全体台13は、後述するように、ドライブ上で回転可能であり、そのために、ネジ穴12aないし12dは、通常のネジ穴より大きい、たとえば楕円形や小判型のような形状で構成されうる。また、全体台13の回転角を調整するために、偏芯ドライバ用穴11が設けられている。   The whole base 13 is further fixed to a drive such as a holographic drive with screws or the like. The screw holes 12a to 12d in FIG. 1 are holes through which these screws pass. As will be described later, the entire base 13 can be rotated on the drive. For this reason, the screw holes 12a to 12d can be configured to have a larger shape than an ordinary screw hole, for example, an oval shape or an oval shape. In addition, an eccentric driver hole 11 is provided to adjust the rotation angle of the entire base 13.

レーザ支持台4には、半導体レーザ2とレンズ3が固定的に取り付けられる。半導体レーザ2から射出されたレーザ光は、レンズ3によって集光され、グレーティング台7の方向に提供される。グレーティング台7上には、グレーティング支持部6が、たとえば接着等により固定される。グレーティング5は、グレーティング支持部6に保持され、半導体レーザ2から射出された光を半導体レーザ2に戻す(1次回折光)とともに、その1次回折光に共振して、0次回折光を射出する。   A semiconductor laser 2 and a lens 3 are fixedly attached to the laser support 4. Laser light emitted from the semiconductor laser 2 is collected by the lens 3 and provided in the direction of the grating stage 7. The grating support 6 is fixed on the grating table 7 by, for example, adhesion. The grating 5 is held by the grating support 6 and returns the light emitted from the semiconductor laser 2 to the semiconductor laser 2 (first-order diffracted light), and resonates with the first-order diffracted light and emits zero-order diffracted light.

図2は、図1に示す矢印Aの方向に沿って見たレーザ・システム1の正面図である。図2に示すように、グレーティング台7は、第1ピン9によって、回転可能な状態で全体台13に保持され、さらに全体台13は、第2ピン14によって、回転可能な状態でドライブ15に保持されている。ここで、第1ピン9と第2ピン14をまとめて1つのピンとして構成することもできるが、半導体レーザ2等の熱を伝導する媒体ともなりうるので、その点を考慮して慎重に構成する必要がある。また、第1ピン9と第2ピン14は、それぞれ全体台13から延び、全体台13と一体的に形成される。この場合、グレーティング台7には、第1ピン9を受容するピン穴が設けられ、一方、ドライブ15には、第2ピン14を受容するピン穴が設けられる。   FIG. 2 is a front view of the laser system 1 viewed along the direction of the arrow A shown in FIG. As shown in FIG. 2, the grating base 7 is held on the whole base 13 in a rotatable state by the first pin 9, and the whole base 13 is further rotated by the second pin 14 to the drive 15. Is retained. Here, the first pin 9 and the second pin 14 can be configured as a single pin, but can be a medium for conducting heat, such as the semiconductor laser 2, and therefore, carefully configured in consideration of this point. There is a need to. The first pins 9 and the second pins 14 extend from the overall base 13 and are formed integrally with the overall base 13. In this case, the grating base 7 is provided with a pin hole for receiving the first pin 9, while the drive 15 is provided with a pin hole for receiving the second pin 14.

図1から分かるように、第1ピン9(および第2ピン14)が形成する回転軸の位置は、グレーティング5の入射面上にあり、かつ、半導体レーザ2から射出されるレーザ光の中心と交わる。これを、より厳密に表現すると、この回転軸は、半導体レーザ2からのレーザ光を入射するグレーティング5の入射面を含む(仮想)平面上にあり、グレーティング5に入射されるレーザ光の入射光路、およびグレーティング5から外部に射出されるレーザ光の射出光路を含む(仮想)平面に直交し、かつ、グレーティング5に入射されるレーザ光の中心が上記入射面と交わる点を通る軸であるということができる。   As can be seen from FIG. 1, the position of the rotation axis formed by the first pin 9 (and the second pin 14) is on the incident surface of the grating 5 and the center of the laser light emitted from the semiconductor laser 2. Intersect. To express this more precisely, the rotation axis is on a (virtual) plane including the incident surface of the grating 5 on which the laser beam from the semiconductor laser 2 is incident, and the incident optical path of the laser beam incident on the grating 5 And an axis that is orthogonal to the (virtual) plane including the optical path of the laser beam emitted from the grating 5 and passes through the point where the center of the laser beam incident on the grating 5 intersects the incident surface. be able to.

このことによって、グレーティング5を、第1ピン9を回転軸としてどのように回転させても、グレーティング5上の仮想的なレーザ射出位置は変わらない。   Thus, no matter how the grating 5 is rotated about the first pin 9 as the rotation axis, the virtual laser emission position on the grating 5 does not change.

次に、グレーティング台7の回転に関わる構成と、その回転によって半導体レーザ2から射出されるレーザ光がどのようになるかを、図3および図4を用いて説明する。   Next, the configuration related to the rotation of the grating stage 7 and how the laser light emitted from the semiconductor laser 2 will be explained by the rotation will be described with reference to FIGS.

図3には、半導体レーザ2から射出されたレーザ光によって、グレーティング5から外部に0次回折光(レーザ光B)が射出される様子が示されている。ここで、レーザ光Bの波長を調整、あるいは他の波長に切り替えるために、グレーティング台7を矢印Dの方向にわずかに回転させることを考える。そのために、偏芯ドライバ16を偏芯ドライバ用穴8に挿入し、矢印Eの方向に回転させる。偏芯ドライバ16は、その回転軸に直交する断面の中心に、当該回転軸がない構造のものである。よって、偏芯ドライバ16の回転によって、偏芯ドライバ16の側部が、偏芯ドライバ用穴8の内側側面に接触し、この側面が押されることにより、グレーティング台7が矢印Dの方向にわずかに回転する。前述したように、グレーティング台7の回転は、第1ピン9を中心としたものである。   FIG. 3 shows a state in which zero-order diffracted light (laser light B) is emitted from the grating 5 to the outside by the laser light emitted from the semiconductor laser 2. Here, it is considered that the grating stage 7 is slightly rotated in the direction of the arrow D in order to adjust the wavelength of the laser beam B or switch to another wavelength. For this purpose, the eccentric driver 16 is inserted into the eccentric driver hole 8 and rotated in the direction of arrow E. The eccentric driver 16 has a structure in which the rotation axis is not provided at the center of a cross section orthogonal to the rotation axis. Therefore, the side of the eccentric driver 16 comes into contact with the inner side surface of the eccentric driver hole 8 due to the rotation of the eccentric driver 16, and the grating table 7 is slightly moved in the direction of the arrow D by pressing this side surface. Rotate to. As described above, the rotation of the grating table 7 is centered on the first pin 9.

図4には、偏芯ドライバ16の回転によってグレーティング台7が回転した後の状態が示されている。グレーティング台7がわずかに回転し、図3では、ほぼ平行に配置されていたレーザ支持台4とグレーティング台7が、そのような位置関係でなくなっていることが分かる。しかしながら、このようにグレーティング台7が回転しても、半導体レーザ2からのレーザ光は、図3に示すグレーティング5の受光部分と同じ位置に入射する。ただし、この段階では、グレーティング5から外部に射出される0次回折光(レーザ光C)は、図3のレーザ光Bとは異なる方向に射出される。   FIG. 4 shows a state after the grating table 7 is rotated by the rotation of the eccentric driver 16. The grating table 7 is slightly rotated. In FIG. 3, it can be seen that the laser support table 4 and the grating table 7 that are arranged substantially in parallel are no longer in such a positional relationship. However, even if the grating stage 7 rotates in this way, the laser light from the semiconductor laser 2 enters the same position as the light receiving portion of the grating 5 shown in FIG. However, at this stage, the 0th-order diffracted light (laser light C) emitted from the grating 5 to the outside is emitted in a direction different from the laser light B in FIG.

次に、図5を参照して、偏芯ドライバ16と、偏芯ドライバ用穴8の関係について説明する。偏芯ドライバ16は、図5に示すように、突起部16aと側部16bを有し、突起部16aは、偏芯ドライバ16の一方の端部に形成されるが、当該端部の端面の中心からずれた位置に配置されている。   Next, the relationship between the eccentric driver 16 and the eccentric driver hole 8 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 5, the eccentric driver 16 has a protruding portion 16 a and a side portion 16 b, and the protruding portion 16 a is formed at one end of the eccentric driver 16. It is arranged at a position shifted from the center.

また、偏芯ドライバ用穴8には側部8bがあり、穴8aが、全体台13上に設けられる。穴8aには、偏芯ドライバ16の突起部16aが挿入される。この状態で、偏芯ドライバ16を突起部16aに沿って回転させると、偏芯ドライバ16の側部16bが偏芯ドライバ用穴8の側部8bと接し、側部8bを一定の方向に押し進める。すなわち、グレーティング台7が、全体台13に対して相対的に一定方向に変位することになる。   Further, the eccentric driver hole 8 has a side portion 8 b, and the hole 8 a is provided on the entire base 13. The protrusion 16a of the eccentric driver 16 is inserted into the hole 8a. In this state, when the eccentric driver 16 is rotated along the protruding portion 16a, the side portion 16b of the eccentric driver 16 comes into contact with the side portion 8b of the eccentric driver hole 8 and pushes the side portion 8b in a certain direction. . That is, the grating table 7 is displaced in a fixed direction relative to the entire table 13.

しかしながら、グレーティング台7と全体台13は、前述のように第1ピン9を中心に、回転可能に保持されているため、グレーティング台7の全体台13に対する変位は、第1ピン9を中心とした回転となる。このような回転により、グレーティング5の配置角度が変わり、最終的には、レーザ・システム1から射出されるレーザ光の波長が変わる。   However, since the grating table 7 and the entire table 13 are rotatably held around the first pin 9 as described above, the displacement of the grating table 7 with respect to the entire table 13 is centered on the first pin 9. Rotation. By such rotation, the arrangement angle of the grating 5 is changed, and finally the wavelength of the laser light emitted from the laser system 1 is changed.

実際に、微細なレベルでグレーティング台7の回転角を調整するには、グレーティング台7に設けられたネジ穴10aおよび10bにそれぞれネジを通して、グレーティング台7を軽くネジ止めし、その状態で、偏芯ドライバ16を偏芯ドライバ用穴8に挿入してわずかに回転させる。そうすると、グレーティング台7は、ネジ止めによる抵抗によって、非常に小さな角度だけ回転する。これを続けて、所望の波長が得られる角度となったら、ネジ穴10aおよび10bに通したネジを締め、グレーティング台7を全体台13に固定する。   Actually, in order to adjust the rotation angle of the grating table 7 at a fine level, the grating table 7 is lightly screwed through the screw holes 10a and 10b provided in the grating table 7, respectively. The core driver 16 is inserted into the eccentric driver hole 8 and slightly rotated. Then, the grating table 7 is rotated by a very small angle due to resistance by screwing. This is continued, and when the desired wavelength is obtained, the screws passed through the screw holes 10 a and 10 b are tightened, and the grating table 7 is fixed to the entire table 13.

前述のように、第1ピン9の配置されている位置は、ちょうど、グレーティング5が、半導体レーザ2から射出されたレーザ光を受光する位置と一致する(すなわち、第1ピン9の回転軸が、グレーティング5の入射面上にあり、かつ、半導体レーザ2から射出されるレーザ光の中心と交わる)ため、上記のような態様でグレーティング5の角度が変化したとしても、グレーティング5が半導体レーザ2から受光するレーザ光の位置に変化はない。   As described above, the position where the first pin 9 is disposed is exactly the same as the position where the grating 5 receives the laser beam emitted from the semiconductor laser 2 (that is, the rotation axis of the first pin 9 is Therefore, even if the angle of the grating 5 is changed in the above-described manner, the grating 5 is not connected to the semiconductor laser 2 because the grating 5 is on the incident surface of the grating 5 and intersects the center of the laser beam emitted from the semiconductor laser 2. There is no change in the position of the laser beam received from.

しかしながら、図4に示すように、レーザ・システム1から外部に射出されるレーザ光の射出角度(方向)は、グレーティング5の移動により、図3の状態から変化してしまう。   However, as shown in FIG. 4, the emission angle (direction) of laser light emitted from the laser system 1 to the outside changes from the state of FIG. 3 due to the movement of the grating 5.

このような問題を解消するために、この発明に係るレーザ・システム1は、グレーティング台7を回転させることによってずれたレーザ光の方向を、図6に示すような機構を用いて元の方向に戻す。たとえば、図3に示すレーザ光の方向(レーザ光Bの方向)が、グレーティング台7の回転によって、図4のレーザ光の方向(レーザ光Cの方向)にずれたとする。その場合、レーザ光Bとレーザ光Cの方向のずれを相殺するように、全体台13をドライブ15に対して一定の方向(たとえば、グレーティング台7の回転方向とは逆の方向)に回転させる。全体台13がドライブ15上で回転する機構は、グレーティング台7が全体台13上で回転する機構と同じである。全体台13は、第1ピン9と同一の回転軸上にある第2ピン14(図2参照)を中心に回転する。図6には、全体台13の元の位置が、点線13’によって示されている。   In order to solve such a problem, the laser system 1 according to the present invention changes the direction of the laser beam shifted by rotating the grating table 7 to the original direction using a mechanism as shown in FIG. return. For example, it is assumed that the laser beam direction (laser beam B direction) shown in FIG. 3 is shifted to the laser beam direction (laser beam C direction) in FIG. In that case, the entire base 13 is rotated relative to the drive 15 in a certain direction (for example, the direction opposite to the rotational direction of the grating base 7) so as to cancel out the deviation between the directions of the laser light B and the laser light C. . The mechanism for rotating the entire table 13 on the drive 15 is the same as the mechanism for rotating the grating table 7 on the entire table 13. The whole base 13 rotates around a second pin 14 (see FIG. 2) on the same rotation axis as the first pin 9. In FIG. 6, the original position of the overall platform 13 is indicated by a dotted line 13 ′.

このような全体台13の回転によって、外部に射出されるレーザ光Fが得られ、これは、図3に示すレーザ光Bの方向と同じになっている。   By such rotation of the entire base 13, the laser beam F emitted to the outside is obtained, and this is the same as the direction of the laser beam B shown in FIG.

また、グレーティング台7の偏芯ドライバ用穴8と同様に、全体台13にも偏芯ドライバ用穴11が設けられており、偏芯ドライバ(不図示)によって、全体台13がドライブ15上で回転する。調整後の全体台13の固定は、ネジ穴12aないし12dをそれぞれ通るネジによってネジ止めされる。   Similarly to the eccentric driver hole 8 of the grating base 7, an eccentric driver hole 11 is provided in the overall base 13, and the overall base 13 is mounted on the drive 15 by an eccentric driver (not shown). Rotate. After the adjustment, the entire base 13 is fixed by screws that pass through the screw holes 12a to 12d.

また、全体台13の、ドライブ15上での回転は、グレーティング台7の全体台13上での回転と逆方向(または同一方向)であるが、角度が同じであるとは限らない。全体台13の回転は、グレーティング台7の回転そのものを相殺するものではなく、グレーティング台7の回転による射出レーザ光の角度の変化を相殺・補償するものだからである。   Further, the rotation of the entire table 13 on the drive 15 is in the opposite direction (or the same direction) as the rotation of the grating table 7 on the entire table 13, but the angle is not necessarily the same. This is because the rotation of the entire table 13 does not cancel the rotation of the grating table 7 itself, but cancels and compensates for the change in the angle of the emitted laser beam due to the rotation of the grating table 7.

これまで、ネジ穴10aおよび10b、12aないし12dを楕円形等の形状のものとして例示してきたが、このような形状に限定する必要はない。グレーティング台7または全体台13の可能な回転のそれぞれについて、ネジ止めできるように形成されていれば十分である。   So far, the screw holes 10a and 10b, 12a to 12d have been illustrated as having an elliptical shape, but it is not necessary to limit to such a shape. It is sufficient that each of the possible rotations of the grating table 7 or the entire table 13 is formed so that it can be screwed.

また、第1ピン9および第2ピン14は、全体台13から延びるものとして説明したが、逆に、グレーティング台7やドライブ15の側から延びるように構成され、対応する穴が全体台13の側に設けられていてもよい。   In addition, the first pin 9 and the second pin 14 have been described as extending from the entire base 13, but conversely, the first pin 9 and the second pin 14 are configured to extend from the grating base 7 and the drive 15 side, and corresponding holes are formed in the entire base 13. It may be provided on the side.

またさらに、全体台13とドライブ15の間に、温度コントロールのためのペルチェ素子等が設けられていてもよい。ペルチェ素子には、たとえば、中心部に穴が設けられているものも市販されており、このようなタイプのペルチェ素子を使用する限り、この発明における上記構成の妨げにはならない。   Furthermore, a Peltier element or the like for temperature control may be provided between the overall base 13 and the drive 15. As the Peltier element, for example, one having a hole in the center is commercially available. As long as such a Peltier element is used, the above-described configuration of the present invention is not hindered.

この発明のレーザ・システム1は、2段階の回転機構を用いて、波長の異なるレーザ光を同一の方向に射出するよう構成される。上記の説明においては、このような2段階の回転を細かく調整する手段として偏芯ドライバと偏芯ドライバ用穴の組が用いられているが、この手段に限定されるものではない。グレーティング台および全体台の回転を細かなレベルで調整できる他の手段を用いて、この発明のレーザ・システムを構成することができる。   The laser system 1 of the present invention is configured to emit laser beams having different wavelengths in the same direction by using a two-stage rotation mechanism. In the above description, a pair of an eccentric driver and an eccentric driver hole is used as means for finely adjusting such two-stage rotation. However, the present invention is not limited to this means. The laser system of the present invention can be constructed using other means capable of finely adjusting the rotation of the grating table and the entire table.

この発明の一実施形態に係るレーザ・システムの構成を示した略線図である。1 is a schematic diagram showing a configuration of a laser system according to an embodiment of the present invention. 図1に示したレーザ・システムの正面図である。It is a front view of the laser system shown in FIG. この発明の一実施形態に係るレーザ・システムのグレーティング台の回転の態様を表す略線図である。It is an approximate line figure showing the mode of rotation of the grating stand of the laser system concerning one embodiment of this invention. この発明の一実施形態に係るレーザ・システムのグレーティング台の回転の態様を表す略線図である。It is an approximate line figure showing a mode of rotation of a grating stand of a laser system concerning one embodiment of this invention. この発明の一実施形態に係るレーザ・システムにおける偏芯ドライバと偏芯ドライバ用穴の関係を説明するための略線図である。It is a basic diagram for demonstrating the relationship between the eccentric driver and the hole for eccentric drivers in the laser system which concerns on one Embodiment of this invention. この発明の一実施形態に係るレーザ・システムの全体台における回転の態様を表す略線図である。It is an approximate line figure showing the mode of rotation in the whole stand of a laser system concerning one embodiment of this invention. 従来のレーザ・システムの構成を表す略線図である。It is a basic diagram showing the structure of the conventional laser system. 図7に示したレーザ・システムの正面図である。FIG. 8 is a front view of the laser system shown in FIG. 7.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・レーザ・システム、2・・・半導体レーザ、3・・・レンズ、4・・・レーザ支持台、5・・・グレーティング、6・・・グレーティング支持部、7・・・グレーティング台、8・・・偏芯ドライバ用穴、9・・・第1ピン、10a,10b・・・ネジ穴、11・・・偏芯ドライバ用穴、12a,12b,12c,12d・・・ネジ穴、13・・・全体台、14・・・第2ピン、15・・・ドライバ、16・・・偏芯ドライバ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Laser system, 2 ... Semiconductor laser, 3 ... Lens, 4 ... Laser support stand, 5 ... Grating, 6 ... Grating support part, 7 ... Grating stand, 8 ... eccentric driver hole, 9 ... first pin, 10a, 10b ... screw hole, 11 ... eccentric driver hole, 12a, 12b, 12c, 12d ... screw hole, 13 ... Whole stand, 14 ... Second pin, 15 ... Driver, 16 ... Eccentric driver

Claims (10)

半導体レーザから射出されるレーザ光を入射し、所定の波長のレーザ光を外部に射出するグレーティングと、
前記グレーティングを保持するグレーティング台と、
前記グレーティング台および前記半導体レーザを保持する全体台とを有し、
前記グレーティング台と前記全体台が同一の回転軸で回転するよう構成され、
前記回転軸は、
前記レーザ光を入射する前記グレーティングの入射面を含む平面上にあり、
前記グレーティングに入射されるレーザ光の入射光路、および前記グレーティングから外部に射出されるレーザ光の射出光路を含む平面に直交し、かつ、
前記グレーティングに入射されるレーザ光の中心が前記入射面と交わる点を通る軸であることを特徴とするレーザ・システム。
A grating that enters laser light emitted from a semiconductor laser and emits laser light of a predetermined wavelength to the outside,
A grating table for holding the grating;
The grating stage and an overall stage for holding the semiconductor laser;
The grating table and the entire table are configured to rotate on the same rotation axis,
The rotation axis is
On a plane including an incident surface of the grating on which the laser beam is incident;
Orthogonal to a plane including an incident optical path of laser light incident on the grating and an optical path of laser light emitted from the grating to the outside, and
A laser system characterized in that the center of the laser beam incident on the grating is an axis passing through a point intersecting the incident surface.
請求項1に記載のレーザ・システムにおいて、
前記回転軸を中心として前記全体台上で所定の第1の角度だけ回転された前記グレーティング台は、前記全体台に固定され、
前記回転軸を中心として、前記全体台を保持するドライブ上で所定の第2の角度だけ回転された前記全体台は、前記ドライブに固定されることを特徴とするレーザ・システム。
The laser system according to claim 1, wherein
The grating table rotated by a predetermined first angle on the entire table about the rotation axis is fixed to the entire table,
2. The laser system according to claim 1, wherein the whole base rotated by a predetermined second angle on the drive holding the whole base about the rotation axis is fixed to the drive.
請求項2に記載のレーザ・システムにおいて、
前記第2の角度は、前記グレーティング台の前記第1の角度の回転によって変化した、前記グレーティングから射出されるレーザ光の方向を、回転前のレーザ光の方向に戻すように調整されることを特徴とするレーザ・システム。
The laser system according to claim 2, wherein
The second angle is adjusted so as to return the direction of the laser light emitted from the grating, which has been changed by the rotation of the first angle of the grating base, to the direction of the laser light before the rotation. Featured laser system.
請求項2に記載のレーザ・システムにおいて、
前記グレーティング台の回転は、偏芯ドライバを用いて行われることを特徴とするレーザ・システム。
The laser system according to claim 2, wherein
The laser system according to claim 1, wherein the rotation of the grating stage is performed using an eccentric driver.
請求項4に記載のレーザ・システムにおいて、
前記グレーティング台は、厚さ方向に貫通する偏芯ドライバ用穴を有し、
前記全体台は、前記偏芯ドライバの突起部が挿入される穴を有し、
前記グレーティング台の回転は、
前記グレーティング台の前記偏芯ドライバ用穴を前記偏芯ドライバが通り、
前記偏芯ドライバの突起部が前記全体台の前記穴に挿入された状態で、
前記偏芯ドライバが回転されることによって行われることを特徴とするレーザ・システム。
The laser system according to claim 4, wherein
The grating table has an eccentric driver hole penetrating in the thickness direction,
The whole platform has a hole into which the protrusion of the eccentric driver is inserted,
The rotation of the grating table is
The eccentric driver passes through the hole for the eccentric driver of the grating table,
In a state where the protrusion of the eccentric driver is inserted into the hole of the overall platform,
The laser system is performed by rotating the eccentric driver.
請求項2に記載のレーザ・システムにおいて、
前記全体台の回転は、偏芯ドライバを用いて行われることを特徴とするレーザ・システム。
The laser system according to claim 2, wherein
The laser system is characterized in that the rotation of the whole base is performed using an eccentric driver.
請求項6に記載のレーザ・システムにおいて、
前記全体台は、厚さ方向に貫通する偏芯ドライバ用穴を有し、
前記ドライブは、前記偏芯ドライバの突起部が挿入される穴を有し、
前記全体台の回転は、
前記全体台の前記偏芯ドライバ用穴を前記偏芯ドライバが通り、
前記偏芯ドライバの突起部が前記ドライブの前記穴に挿入された状態で、
前記偏芯ドライバが回転されることによって行われることを特徴とするレーザ・システム。
The laser system according to claim 6.
The whole base has an eccentric driver hole penetrating in the thickness direction,
The drive has a hole into which the protrusion of the eccentric driver is inserted;
The rotation of the whole base is
The eccentric driver passes through the eccentric driver hole of the whole base,
With the protruding part of the eccentric driver inserted into the hole of the drive,
The laser system is performed by rotating the eccentric driver.
請求項1に記載のレーザ・システムにおいて、
前記半導体レーザと前記グレーティングとの間にレンズを配置し、
前記半導体レーザ、前記レンズ、および前記グレーティングによって外部共振器型半導体レーザが構成されることを特徴とするレーザ・システム。
The laser system according to claim 1, wherein
A lens is disposed between the semiconductor laser and the grating;
An external cavity type semiconductor laser is constituted by the semiconductor laser, the lens, and the grating.
請求項8に記載のレーザ・システムにおいて、
前記外部共振器型半導体レーザが、リットロー型であることを特徴とするレーザ・システム。
The laser system of claim 8, wherein
2. The laser system according to claim 1, wherein the external cavity semiconductor laser is a Littrow type.
請求項1に記載のレーザ・システムにおいて、
前記グレーティング台と前記全体台は、第1ピンによって接続され、前記第1ピンが前記回転軸として機能し、
前記全体台と前記ドライブは、第2ピンによって接続され、前記第2ピンが前記回転軸として機能し、
前記第1ピンと前記第2ピンは互いに離れて配置され、前記全体台の厚さ方向に突出するよう構成され、
さらに、前記グレーティング台は、前記第1ピンを収容する穴を有し、
前記ドライブは、前記第2ピンを収容する穴を有することを特徴とするレーザ・システム。



The laser system according to claim 1, wherein
The grating table and the entire table are connected by a first pin, and the first pin functions as the rotating shaft,
The whole platform and the drive are connected by a second pin, and the second pin functions as the rotating shaft,
The first pin and the second pin are arranged apart from each other, and are configured to protrude in the thickness direction of the entire base,
Furthermore, the grating table has a hole for accommodating the first pin,
The laser system, wherein the drive has a hole for receiving the second pin.



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