JP2005316175A - 光学フイルムの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 シュリーレン欠陥の少ないハイブリッド配向の液晶化合物層を、迅速に製造する。
【解決手段】 支持体上の配向膜の上に、液晶化合物を塗布し、空気側界面と配向膜側界面とを有する液晶化合物層を形成する工程、液晶化合物層の形成と同時または形成後に、液晶化合物層を加熱し、液晶化合物層の空気側界面における液晶化合物の平均チルト角と液晶化合物層の配向膜側界面における液晶化合物の平均チルト角との差が１０度以上となるように液晶化合物をハイブリッド配向させる工程、そして、液晶化合物層の空気側界面における液晶化合物の平均チルト角の方向に対して、チルト角の差が１０度未満となる方向で磁場を印加する工程により光学フイルムを製造する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、液晶化合物をハイブリッド配向させて、光学フイルムを製造する方法に関する。

液晶化合物を配向させて製造した光学フイルムは、近年になって、液晶表示装置の光学補償シート、輝度向上フイルム、投射型表示装置の光学補償シートのような、様々な用途に展開されている。液晶表示装置の光学補償シートとしての発展は、とりわけ顕著である。

光学補償シートは、画像着色を解消し、視野角を拡大するために、様々な液晶表示装置で用いられている。従来、光学補償シートとしては、延伸複屈折フイルムが使用されていた（例えば、特許文献１参照）。しかし、近年では、延伸複屈折フイルムに代えて、透明支持体上に円盤状（ディスコティック）液晶化合物からなる液晶化合物層を有する光学補償シートを使用することが提案されている（例えば、特許文献２および３参照）。この液晶化合物層は、円盤状液晶化合物を含む組成物を配向膜の上に塗布し、配向温度よりも高い温度で加熱して円盤状液晶化合物を配向させ、その配向状態を固定することにより形成される液晶化合物層である。

一般に、円盤状液晶化合物は、大きな複屈折率を有するとともに、多様な配向形態がある。円盤状液晶化合物を用いることで、従来の延伸複屈折フイルムでは得ることができない光学的性質を実現することが可能になった。円盤状液晶化合物は、多様な配向形態があるため、所望の光学特性を発現させるためには、液晶化合物層における円盤状液晶化合物の配向を制御する必要がある。
例えば、円盤状液晶化合物を用いて、ＴＮモードやＯＣＢモードの液晶セルを光学的に補償する場合、円盤状液晶化合物の円盤面の傾斜角（平均チルト角）が液晶化合物層の厚み方向で変化するようにハイブリッド配向させることが好ましいとされている（例えば、特許文献２、４および５参照）。このような光学補償シートを製造するためには、液晶化合物の配向を制御する方法が重要である。

液晶化合物の配向を制御する方法として、配向膜（界面処理）を用いる方法が知られている。しかし配向膜の規制力だけでは、液晶分子を配向膜界面から空気界面まで均一に配向させることが難しく、また配向させるのに所用する時間（熟成時間）も長い。特に、生産性を向上させるために熟成時間を短縮すると、シュリーレン欠陥の発生が顕著になる。液晶化合物層にシュリーレン欠陥が生じると光散乱が起こり、光学特性を損なうという問題がある。

配向膜以外に液晶化合物の配向を制御する方法としては、磁場や電場を用いる方法が提案されている（例えば、特許文献６および７参照）。また、磁場や電場を配向膜と併用する方法も提案されている。磁場や電場を用いる方法あるいは磁場や電場を配向膜と併用する方法は、液晶化合物層において液晶化合物を全て同じ方向に均一に配向させるために有効な手段であることが報告されている。

特開平２−２４７６０２号公報 特開平７−１９１２１７号公報 欧州特許出願公開第０９１１６５６号明細書 特開平９−２１１４４４号公報 特開平１１−３１６３７８号公報 特開平５−２１５９２１号公報 特開２００３−２５５１２７号公報

本発明は、シュリーレン欠陥の少ないハイブリッド配向の液晶化合物層を、迅速に製造することを課題とする。

上記課題は、以下の手段により解決された。
（１）支持体上の配向膜の上に、液晶化合物を塗布し、空気側界面と配向膜側界面とを有する液晶化合物層を形成する工程、液晶化合物層の形成と同時または形成後に、液晶化合物層を加熱し、液晶化合物層の空気側界面における液晶化合物の平均チルト角と液晶化合物層の配向膜側界面における液晶化合物の平均チルト角との差が１０度以上となるように液晶化合物をハイブリッド配向させる工程、そして、液晶化合物層の空気側界面における液晶化合物の平均チルト角の方向に対して、チルト角の差が１０度未満となる方向で磁場を印加する工程からなる光学フイルムの製造方法。

（２）磁場の印加と同時または印加後に、液晶化合物の配向状態を固定する工程を実施する（１）に記載の光学フイルムの製造方法。
（３）液晶化合物が重合性基を有し、重合反応により液晶化合物の配向状態を固定する（２）に記載の光学フイルムの製造方法。
（４）液晶化合物の液晶転移温度よりも高い温度で磁場を印加する工程を実施し、磁場を印加しながら液晶転移温度よりも低い温度まで冷却することにより液晶化合物の配向状態を固定する（２）に記載の光学フイルムの製造方法。
（５）液晶化合物が、円盤状液晶化合物である（１）に記載の光学フイルムの製造方法。
（６）配向膜が水平配向性であって、液晶化合物層の空気側界面における液晶化合物の平均チルト角が、液晶化合物層の配向膜側界面における液晶化合物の平均チルト角よりも大きい（１）に記載の光学フイルムの製造方法。

本発明において、液晶化合物のチルト角は、円盤状液晶化合物では円盤面と界面（空気側界面または配向膜側界面を構成する平面）との間の角度、棒状液晶性化合物では長軸方向と界面との間の角度を意味する。また、磁場方向のチルト角は、印加する磁場の方向と界面との間の角度を意味する。

本発明は、磁場と配向膜とを併用して、液晶化合物をハイブリッド配向させることを特徴とする。
従来のハイブリッド配向は、配向膜側界面近傍では配向膜の配向機能が強く、配向膜から遠い空気界面近傍では配向膜の配向機能が弱いことを利用して、液晶化合物のチルト角を液晶化合物層の厚み方向で変化させていた。例えば、配向膜が水平配向性であると、配向膜の水平配向機能が強い液晶化合物層の配向膜側界面近傍では、液晶化合物が水平に配向してチルト角が小さくなる。一方、配向膜の水平配向機能が弱い液晶化合物層の空気界面近傍では、液晶化合物はあまり水平に配向せずチルト角が大きくなる。

しかし、配向膜の機能の強弱で自然にハイブリッド配向させる方法では、ハイブリッド配向の状態になるまでに時間がかかり、シュリーレン欠陥も発生しやすかった。
本発明では、空気側界面における液晶化合物の配向を、磁場で促進することにより、シュリーレン欠陥のないハイブリッド配向を短時間で実現できる。すなわち、本願発明では、配向膜側界面近傍では相対的に配向膜の配向機能が強く、空気側界面近傍では相対的に磁場の配向機能が強い状態にして、配向膜側界面と空気側界面におけるチルト角が異なる配向状態を短時間で実現する。また、磁場の印加は、チルト角だけではなく、平面方向における液晶化合物の配向も制御できる利点もある。
前述したように、磁場と配向膜とを協調して機能させて、液晶化合物を全て同じ方向に均一に配向させる方法は、既に提案されている。これに対して、本発明では、磁場と配向膜とを独立に機能させて、液晶化合物層において液晶化合物のチルト角が変化しているハイブリッド配向状態を実現する。

［本発明の基本的な概念］
図１は、本発明の基本的な概念を示す模式図である。
本発明の製造方法は、下記の工程１〜６で実施することが好ましい。なお、下記１〜６から選ばれる複数の工程を同時に実施してもよい。ただし、１から６までの順序が逆転することはない。

工程１：支持体（１）上に、配向膜（２）を形成する。
工程２：配向膜（２）に、ラビング処理（Ｒ→）を実施する。
工程３：配向膜（２）上に、液晶化合物層（３）を形成する。
工程４：液晶化合物層（３）を加熱して、液晶化合物（ｄ１、ｄ２、ｄ３）をハイブリッド配向させる。
工程５：液晶化合物層（３）に磁場（Ｓ点線Ｎ）を印加する。
工程６：液晶化合物層（３）における液晶化合物（ｄ１、ｄ２、ｄ３）の配向状態を固定する。

工程４では、液晶化合物層（３）を加熱して、液晶化合物層（３）の空気側界面（３ａ）における液晶化合物（ｄ３）の平均チルト角（α）と、液晶化合物層（３）の配向膜側界面（３ｂ）における液晶化合物（ｄ１）の平均チルト角（β）との差が１０度以上となるように、液晶化合物（ｄ１、ｄ２、ｄ３）をハイブリッド配向させる。すなわち、αとβは、｜α−β｜≧１０°を満足する。｜α−β｜≧１５°であることが好ましく、｜α−β｜≧２０°であることがさらに好ましく、｜α−β｜≧３０°であることが最も好ましい。
図１に示すように、空気側界面（３ａ）における平均チルト角（α）の方が、配向膜側界面（３ｂ）における平均チルト角（β）よりも大きいことが好ましい。すなわち、α＞β（言い換えると、α−β≧１０°）であることが好ましい。

工程５では、液晶化合物層（３）の空気側界面（３ｂ）における液晶化合物（ｄ３）の平均チルト角（α）の方向に対して、チルト角の差が１０度未満となる方向（θ）で磁場（Ｓ点線Ｎ）を印加する。すなわち、αとθは、｜α−θ｜＜１０°を満足する。｜α−θ｜＜７°であることが好ましく、｜α−θ｜＜５°であることがさらに好ましく、｜α−θ｜＜３°であることが最も好ましい。

［支持体］
支持体は、透明であることが好ましい。透明とは、具体的には、光透過率が８０％以上であることが好ましい。ただし、本発明に従って、不透明支持体上（の配向膜上）に液晶化合物層を形成し、液晶の配向状態を固定してから、液晶化合物層を（不透明支持体とは別の）透明支持体に転写することもできる。
ロール状の光学補償フイルムを製造する場合は、円筒状に巻き取ることができるポリマーフイルムを支持体として用いることが好ましい。
ポリマーフイルムを構成するポリマーの例は、セルロースエステル（例、セルロースアセテート、セルロースジアセテート）、ノルボルネン系ポリマーおよびポリオレフィン系ポリマー（例、ポリメチルメタクリレート）、ポリエステル（例、ポリカーボネート）やポリスルホンを含む。市販のポリマー（ノルボルネン系ポリマーでは、ＡＲＴＯＮ（日本合成ゴム（株）製）およびゼオネックス（日本ゼオン（株）製））を用いてもよい。
ポリマーは、セルロースエステルが好ましく、セルロースの低級脂肪酸エステルがさらに好ましい。低級脂肪酸とは、炭素原子数が６以下の脂肪酸を意味する。特に、炭素原子数が２（セルロースアセテート）、３（セルロースプロピオネート）または４（セルロースブチレート）が好ましい。セルロースアセテートプロピオネートやセルロースアセテートブチレートのようなセルロースの混合脂肪酸エステルを用いることもできる。

セルロースアセテートが最も好ましい。
セルロースアセテートの酢化度は、５５．０〜６２．５％が好ましく、５７．０〜６２．０％がさらに好ましい。酢化度は、セルロース単位質量当たりの結合酢酸量を意味する。酢化度は、ＡＳＴＭ：Ｄ−８１７−９１（セルロースアセテート等の試験法）におけるアセチル化度の測定および計算によって求められる。
セルロースアセテートの粘度平均重合度（ＤＰ）は、２５０以上であることが好ましく、２９０以上であることがさらに好ましい。セルロースアセテートは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるＭｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）の分子量分布が狭いことが好ましい。Ｍｗ／Ｍｎの値は、１．０〜４．０が好ましく、１．０〜１．６５がさらに好ましく、１．０〜１．６が最も好ましい。

セルロースアセテートでは、セルロースの２位、３位および６位のヒドロキシルが均等に置換されるのではなく、６位の置換度が小さくなる傾向がある。支持体として用いるポリマーフイルムでは、セルロースの６位置換度が、２位、３位に比べて同程度または多い方が好ましい。２位、３位および６位の置換度の合計に対する６位の置換度の割合は、３０〜４０％であることが好ましく、３１〜４０％であることがさらに好ましく、３２〜４０％であることが最も好ましい。６位の置換度は０．８８以上であることが好ましい。なお、各位置の置換度は、ＮＭＲによって測定することできる。
６位置換度が高いセルロースアセテートは、特開平１１−５８５１号公報の合成例１（００４３〜００４４）、合成例２（００４８〜００４９）および合成例３（００５１〜００５２）を参照して合成することができる。

支持体のＲｅレターデーション値は、０〜７０ｎｍが好ましい。
支持体のＲｔｈレターデーション値は、４０〜４００ｎｍが好ましい。
支持体のＲｅレターデーション値およびＲｔｈレターデーション値は、それぞれ、下記式（Ｉ）および（II）で定義される。
（Ｉ） Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ
（II） Ｒｔｈ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ

式（Ｉ）および（II）において、ｎｘは支持体の面内の遅相軸方向（屈折率が最大となる方向）の屈折率、ｎｙは支持体の面内の進相軸方向（屈折率が最小となる方向）の屈折率、ｎｚは支持体の厚み方向の屈折率、ｄは単位をｎｍとする支持体の厚さである。

一つの液晶表示装置に、二枚の支持体を組み込む場合、一枚の支持体のＲｔｈレターデーション値は、４０〜２５０ｎｍであることが好ましい。一つの液晶表示装置に、二枚の支持体を組み込む場合、一枚の支持体のＲｔｈレターデーション値は、１５０〜４００ｎｍであることが好ましい。
支持体にセルロースアセテートフイルムを用いる場合、セルロースアセテートフイルムの複屈折率（Δｎ：ｎｘ−ｎｙ）は、０．０００２５〜０．０００８８であることが好ましい。また、セルロースアセテートフイルムの厚み方向の複屈折率｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝は、０．０００８８〜０．００５であることが好ましい。

支持体にセルロースアセテートフイルムを用いる場合、レターデーション上昇剤をフイルムに添加することが好ましい。レターデーション上昇剤については、特開２０００−１５４２６１号および同２０００−１１１９１４号の各公報に記載がある。

［配向膜の形成］
支持体上に配向膜を設ける。なお、支持体を構成するポリマーが配向機能を有する場合もある。その場合は、支持体の表面部分を配向膜として機能させることができる。
配向膜は、架橋されたポリマーからなる層が好ましい。ポリマーの架橋は、架橋性のあるポリマーの使用、または架橋剤を使用により実現できる。架橋反応は、光、熱またはｐＨ変化により開始させることができる。また、反応活性の高い架橋剤を用いる場合は、外部エネルギーなしでも、ポリマー間を架橋することができる。
架橋されたポリマーからなる配向膜は、架橋性ポリマーまたはポリマーと架橋剤との混合物を含む塗布液を、支持体上に塗布することにより形成できる。塗布後に、加熱処理を実施してもよい。

ラビング処理（後述）において、配向膜からの塵の発生を抑制するためには、ポリマーの架橋度を高くすることが好ましい。塗布液中に添加する架橋剤の量（Ｍｂ）に対して、架橋後に残存している架橋剤の量（Ｍａ）の比率（Ｍａ／Ｍｂ）を１から引いた値（１−（Ｍａ／Ｍｂ））を架橋度と定義する場合、架橋度は５０％〜１００％が好ましく、６５％〜１００％がさらに好ましく、７５％〜１００％が最も好ましい。

配向膜に使用するポリマーの例は、ゼラチン、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、ポリビニルトルエン、クロロスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、ポリ酢酸ビニル、ポリエチレン、カルボキシメチルセルロース、ポリプロピレンおよびポリカーボネートを含む。これらのポリマーの共重合体を用いてもよい。共重合体の例は、アクリル酸／メタクリル酸共重合体、スチレン／マレインイミド共重合体、スチレン／ビニルトルエン共重合体、酢酸ビニル／塩化ビニル共重合体およびエチレン／酢酸ビニル共重合体を含む。また、シランカップリング剤をポリマーに代えて用いることもできる。
水溶性ポリマーが好ましく、ゼラチン、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、カルボキシメチルセルロース、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールがより好ましく、ゼラチン、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールがさらに好ましく、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールが最も好ましい。

ポリビニルアルコールのケン化度は、７０〜１００％が好ましく、８０〜１００％がさらに好ましく、８５〜９５％が最も好ましい。ポリビニルアルコールの重合度は、１００〜３０００の範囲が好ましい。
変性ポリビニルアルコールは、共重合変性、連鎖移動変性およびブロック重合変性を含む。共重合変性による変性基の例は、−ＣＯＯＮａ、−Ｓｉ（ＯＸ）_３、−Ｎ（ＣＨ_３）_３・Ｃｌ、−Ｃ_９Ｈ_１９ＣＯＯＨ、−ＳＯ_３Ｎａおよび−Ｃ_１２Ｈ_２５を含む。連鎖移動変性による変性基の例は、−ＣＯＯＮａ、−ＳＲ（Ｒは、水素原子またはアルキル基）および−Ｃ_１２Ｈ_２５を含む。ブロック重合変性による変性基の例は、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＮＨ_２、−ＣＯＯＲ（Ｒは、水素原子またはアルキル基）および−Ｃ_６Ｈ_５を含む。変性基は、アルキルチオ基が特に好ましい。

配向膜に用いる変性ポリビニルアルコールは、下記式（１）で表わされる化合物とポリビニルアルコールとの反応物が好ましい。

式中、Ｒ^１は、無置換アルキル基、アクリロリル基、メタクリロイル基またはエポキシ基で置換されたアルキル基であり；Ｗは、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基であり；Ｘは、活性エステル、酸無水物または酸ハロゲン化物を形成するために必要な原子団であり；ｌは０または１であり；そして、ｎは０〜４の整数である。

配向膜に用いる変性ポリビニルアルコールは、下記式（２）で表わされる化合物とポリビニルアルコールとの反応物も好ましい。

式中、Ｘ^１は、活性エステル、酸無水物または酸ハロゲン化物を形成するために必要な原子団であり；そして、ｍは２〜２４の整数である。

式（１）または式（２）で表される化合物と反応させるポリビニルアルコールは、変性ポリビニルアルコール（共重合変性、連鎖移動変性またはブロック重合変性）であってもよい。変性ポリビニルアルコールについては、特開平８−３３８９１３号公報に記載がある。
配向膜にポリビニルアルコールのような親水性ポリマーを使用する場合、硬膜度の観点から、含水率を制御することが好ましい。含水率は、０．４〜２．５％が好ましく、０．６〜１．６％がさらに好ましい。含水率は、市販のカールフィッシャー法の水分率測定器で測定することができる。
配向膜は、ポリビニルアルコールのような構成成分を、溶媒（例、水、有機溶媒）に溶解した塗布液を、支持体の表面に塗布して、乾燥することによって作製することができる。支持体を搬送しながら、その表面に配向膜を連続的に形成することができる。
配向膜は、１０μｍ以下の膜厚が好ましい。

［ラビング処理］
配向膜にラビング処理を行わなくとも、均一な配向を得ることはできる。しかし、配向に要する時間を短縮するため、ラビング処理を実施することが普通である。
ラビング処理はラビングローラにより行うことが好ましい。ラビングローラの直径は、ハンドリング適性および布寿命の観点から、１００〜５００ｍｍが好ましく、２００〜４００ｍｍがさらに好ましい。ラビングローラの幅は、支持体の幅よりも広いことが好ましく、支持体の幅の１．４倍以上であることがさらに好ましい。ラビングローラの回転数は、塵の発生を抑制するため、低く設定することが好ましい。具体的な回転数は、１００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍであることが好ましく、２５０ｒｐｍ〜８５０ｒｐｍであることがさらに好ましい。

ラビングロールの回転数を低くしても液晶化合物の配向性を維持するため、ラビング時に支持体または配向膜を加熱することが好ましい。加熱温度は、支持体（支持体表面が配向膜として機能する場合）または配向膜表面の膜面温度で、（Ｔｇ−５０℃）〜（Ｔｇ＋５０℃）であることが好ましい。なお、Ｔｇは、支持体または配向膜を構成するポリマーのガラス転移温度である。
ポリビニルアルコールからなる配向膜を使用する場合、ラビングの環境湿度を制御することが好ましい。２５℃における相対湿度は、２５〜７０％であることが好ましく、３０〜６０％であることがさらに好ましく、３５〜５５％であることが最も好ましい。

支持体を搬送しながらラビング処理を行うことが生産性の点から好ましい。
支持体の搬送速度は、生産性と液晶の配向性の観点から、１０〜１００ｍ／分が好ましく、１５〜８０ｍ／分がさらに好ましい。
支持体の搬送は、一般的なフイルムの搬送装置を用いて実施できる。

液晶化合物層における液晶化合物の分子対称軸の平均方向（平面方向）は、一般に、配向膜のラビング方向で決定することができる。
ＴＮモードの液晶表示装置を光学補償するための光学フイルムを適用する場合、液晶化合物層における液晶化合物の分子対称軸の平均方向（平面方向）と支持体の面内遅相軸（平面方向）とは、実質的に９０°にすることが好ましい。具体的には、８８〜９２°が好ましく、８９〜９１°がさらに好ましい。
ＯＣＢモードの液晶表示装置を光学補償するための光学フイルムを製造する場合、液晶化合物層における液晶化合物の分子対称軸の平均方向（平面方向）と支持体の面内遅相軸（平面方向）とは、実質的に４５°にすることが好ましい。具体的には、４３〜４７°が好ましく、４４〜４６°がさらに好ましい。

支持体または配向膜の表面を除塵しながら、ラビング処理してもよい。また、ラビング処理後、支持体または配向膜の表面を除塵する工程を実施してもよい。
各工程の詳細は、特開平９−７３０８１号公報に記載がある。

［液晶化合物層の形成］
液晶化合物層は、液晶化合物から形成する。
液晶化合物は、棒状液晶化合物または円盤状液晶化合物が好ましく、円盤状液晶化合物であることがさらに好ましい。
液晶化合物は、通常の低分子液晶化合物に加えて、高分子液晶化合物（液晶ポリマー）を含む。また、本発明の方法において、液晶化合物を重合または架橋することにより液晶性を示さなくなってもよい。

棒状液晶化合物は、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類およびアルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類を含む。棒状液晶化合物には、金属錯体も含まれる。また、棒状液晶化合物に相当する分子構造を繰り返し単位中に含む液晶ポリマーも用いることができる。言い換えると、棒状液晶化合物は、ポリマーと結合していてもよい。
棒状液晶化合物については、季刊化学総説第２２巻液晶の化学（１９９４）日本化学会編の第４章、第７章および第１１章、および液晶デバイスハンドブック日本学術振興会第１４２委員会編の第３章に記載がある。

棒状液晶化合物の複屈折率は、０．００１〜０．７であることが好ましい。
棒状液晶化合物は、その配向状態を固定するために、重合性基を有することが好ましい。重合性基は、不飽和重合性基またはエポキシ基が好ましく、不飽和重合性基がさらに好ましく、エチレン性不飽和重合性基が最も好ましい。

円盤状液晶化合物は、ベンゼン誘導体（Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅらの研究報告、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．７１巻、１１１頁（１９８１年）に記載）、トルキセン誘導体（Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅらの研究報告、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．１２２巻、１４１頁（１９８５年）、Ｐｈｙｓｉｃｓ Lｅｔｔ，Ａ，７８巻、８２頁（１９９０）に記載）、シクロヘキサン誘導体（Ｂ．Ｋｏｈｎｅらの研究報告、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．９６巻、７０頁（１９８４年）に記載）およびアザクラウン系やフェニルアセチレン系のマクロサイクル（Ｊ．Ｍ．Ｌｅｈｎらの研究報告、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１７９４頁（１９８５年）、Ｊ．Ｚｈａｎｇらの研究報告、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１１６巻、２６５５頁（１９９４年）に記載）を含む。

円盤状液晶化合物は、一般に、分子中心の母核に対して、直鎖のアルキル基、アルコキシ基または置換ベンゾイルオキシ基が母核の側鎖として放射線状に置換した構造を有する。分子または分子の集合体が、回転対称性を有し、一定の配向を付与できる化合物であることが好ましい。
円盤状液晶化合物から形成される液晶化合物層化合物は、円盤状液晶化合物と同じ化合物である必要はなく、液晶性を示す必要もない。例えば、熱または光で反応する基を有する低分子の円盤状液晶化合物を、熱または光により重合または架橋させ、高分子量化することによって層を形成する場合、液晶化合物層中に含まれる化合物は液晶性を失うことが普通である。円盤状液晶化合物については、特開平８−５０２０６号公報に記載がある。円盤状液晶化合物の重合については、特開平８−２７２８４号公報に記載がある。

円盤状液晶化合物を重合により固定するためには、円盤状液晶化合物の円盤状コアに、置換基として重合性基を結合させる必要がある。ただし、円盤状コアに重合性基を直結させると、重合反応において配向状態を保つことが困難になる。そこで、円盤状コアと重合性基との間に、連結基を導入する。従って、重合性基を有する円盤状液晶化合物は、下記式（III）で表わされる化合物であることが好ましい。

式（III） Ｄ（−Ｌ−Ｑ）ｎ
式中、Ｄは円盤状コアであり、Ｌは二価の連結基であり、Ｑは重合性基であり、ｎは４〜１２の整数である。

円盤状コア（Ｄ）の例を以下に示す。以下の各例において、ＬＱ（またはＱＬ）は、二価の連結基（Ｌ）と重合性基（Ｑ）との組み合わせを意味する。

式（III）において、二価の連結基（Ｌ）は、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−およびそれらの組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基であることが好ましい。二価の連結基（Ｌ）は、アルキレン基、アリーレン基、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−および−Ｓ−からなる群より選ばれる二価の基を少なくとも二つ組み合わせた二価の連結基であることがさらに好ましい。二価の連結基（Ｌ）は、アルキレン基、アリーレン基、−ＣＯ−および−Ｏ−からなる群より選ばれる二価の基を少なくとも二つ組み合わせた二価の連結基であることが最も好ましい。前記アルキレン基の炭素原子数は、１〜１２であることが好ましい。アルケニレン基の炭素原子数は、２〜１２であることが好ましい。アリーレン基の炭素原子数は、６〜１０であることが好ましい。

二価の連結基（Ｌ）の例を以下に示す。左側が円盤状コア（Ｄ）に結合し、右側が重合性基（Ｑ）に結合する。ＡＬはアルキレン基またはアルケニレン基、ＡＲはアリーレン基を意味する。なお、アルキレン基、アルケニレン基およびアリーレン基は、置換基（例、アルキル基）を有していてもよい。

Ｌ１：−ＡＬ−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−
Ｌ２：−ＡＬ−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ３：−ＡＬ−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＬ−
Ｌ４：−ＡＬ−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ５：−ＣＯ−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−
Ｌ６：−ＣＯ−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ７：−ＣＯ−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ８：−ＣＯ−ＮＨ−ＡＬ−
Ｌ９：−ＮＨ−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ１０：−ＮＨ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−

Ｌ１１：−Ｏ−ＡＬ−
Ｌ１２：−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ１３：−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ１４：−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−ＮＨ−ＡＬ−
Ｌ１５：−Ｏ−ＡＬ−Ｓ−ＡＬ−
Ｌ１６：−Ｏ−ＣＯ−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−ＣＯ−
Ｌ１７：−Ｏ−ＣＯ−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ１８：−Ｏ−ＣＯ−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ１９：−Ｏ−ＣＯ−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ２０：−Ｓ−ＡＬ−
Ｌ２１：−Ｓ−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ２２：−Ｓ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ２３：−Ｓ−ＡＬ−Ｓ−ＡＬ−
Ｌ２４：−Ｓ−ＡＲ−ＡＬ−

式（III）の重合性基（Ｑ）は、重合反応の種類に応じて決定する。重合性基（Ｑ）は、不飽和重合性基またはエポキシ基であることが好ましく、不飽和重合性基であることがさらに好ましく、エチレン性不飽和重合性基であることが最も好ましい。
式（III）において、ｎは４〜１２の整数である。具体的な数字は、円盤状コア（Ｄ）の種類に応じて決定される。なお、複数のＬとＱの組み合わせは、異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。

液晶化合物と共に使用する可塑剤、界面活性剤および重合性モノマー（例、ビニル基、ビニルオキシ基、アクリロイル基およびメタクリロイル基を有する化合物）は、液晶化合物と相溶性を有し、液晶化合物の傾斜角の変化を与えられるか、あるいは配向を阻害しないことが好ましい。上記化合物の添加量は、液晶化合物に対して、１〜５０質量％が好ましい、５〜３０質量％の範囲がさらに好ましい。なお、重合性の反応性官能基数が４以上のモノマーを混合して用いると、配向膜と液晶化合物層との間の密着性を高めることができる。

円盤状液晶化合物を用いる場合は、円盤状液晶化合物とある程度の相溶性を有し、円盤状液晶化合物に傾斜角の変化を与えられるポリマーを用いるのが好ましい。
ポリマーは、セルロースエステル（例、セルロースアセテート、セルロースアセテートプロピオネート、ヒドロキシプロピルセルロース、セルロースアセテートブチレート）が好ましい。ポリマーの添加量は、円盤状液晶化合物の配向を阻害しないように調節することが好ましい。ポリマーの添加量は、円盤状液晶化合物に対して０．１〜１０質量％が好ましく、０．１〜８質量％がさらに好ましく、０．１〜５質量％の範囲にあることが最も好ましい。

液晶化合物層は、液晶化合物を配向膜の上に塗布することにより形成する。一般に、液晶化合物を溶媒に溶解した塗布液を調製し、塗布液を配向膜の上に塗布する。溶媒は、有機溶媒が好ましい。有機溶媒の例は、アミド（例、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、スルホキシド（例、ジメチルスルホキシド）、ヘテロ環化合物（例、ピリジン）、炭化水素（例、ベンゼン、ヘキサン）、アルキルハライド（例、クロロホルム、ジクロロメタン、テトラクロロエタン）、エステル（例、酢酸メチル、酢酸ブチル）、ケトン（例、アセトン、メチルエチルケトン）およびエーテル（例、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン）を含む。アルキルハライドおよびケトンが好ましい。二種類以上の有機溶媒を併用してもよい。

均一性が高い液晶化合物層を作製するため、塗布液の表面張力は、２５ｍＮ／ｍ以下が好ましく、２２ｍＮ／ｍ以下がさらに好ましい。
塗布液の表面張力を低下させるため、塗布液に、界面活性剤、フッ素化合物またはフッ素ポリマーを添加することが好ましい。フッ素化合物は、下記式（３）で表されるフルオロ脂肪族基含有モノマーが好ましい。

式（３）において、Ｒ^２は、水素原子またはメチルであり；Ｘは、酸素原子、イオウ原子または−Ｎ（Ｒ^３）−であり；ｐは、１〜６の整数であり；ｑは、２または３であり；Ｒ^３は、水素原子または炭素原子数が１〜４のアルキル基である。

また、フッ素ポリマーとして、上記（３）で表されるフルオロ脂肪族基含有モノマーを重合させた繰り返し単位と、ポリ（オキシアルキレン）アクリレートまたはポリ（オキシアルキレン）メタクリレートを重合させた繰り返し単位からなるコポリマーを用いることもできる。

フッ素系ポリマーの質量平均分子量は、３０００〜１０００００が好ましく、６０００〜８００００がさらに好ましい。フッ素系ポリマーの添加量は、液晶化合物層の塗布液組成物（溶媒を除いた塗布成分）に対して０．００５〜８質量％が好ましく、０．０１〜１質量％がさらに好ましく、０．０５〜０．５質量％が最も好ましい。
塗布液を配向膜への塗布は、公知の方法（例、ワイヤーバーコーティング法、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、ダイコーティング法）により実施できる。塗布量は、液晶化合物層の所望の厚みに基づいて決定する。

形成する液晶化合物層は、粘度が１０ｃｐ〜１００００ｃｐであることが好ましく、１００ｃｐ〜１０００ｃｐであることがさらに好ましい。粘度が低すぎると、配向時の乾燥風の影響を受けやすく、連続生産のために、非常に高精度に風速や風向を制御する必要がある。一方、粘度が高いと風の影響は受けにくいが、液晶の配向が遅くなり、生産性が非常に悪化する。
液晶化合物層の粘度は、液晶化合物の分子構造によって適宜制御できる。また、前述した添加剤（特に、セルロースエステルのようなポリマーやゲル化剤）を適量使用することで、所望の粘度に調整することもできる。

液晶化合物層の厚さは、０．１〜２０μｍが好ましく、０．５〜１５μｍがさらに好ましく、１〜１０μｍが最も好ましい。
本発明では、液晶セルの製造（二枚の配向膜の間に液晶を注入）とは、液晶化合物層を一つの配向膜の上に形成する。よって、形成される液晶化合物層は、空気側界面と配向膜側界面とを有する。

［液晶化合物の配向］
液晶化合物層の形成と同時または形成後に、液晶化合物層を加熱して、液晶化合物をハイブリッド配向させる（配向工程）。液晶化合物層を乾燥する工程（乾燥工程）を実施する場合、配向工程は、乾燥工程と同時または乾燥工程後に実施できる。
乾燥工程の温度は、塗布液に用いた溶媒の沸点および支持体および配向膜の素材により決定する。
配向工程における加熱温度（配向温度）は、一般に、液晶化合物の液晶転移温度以上の温度である。

液晶転移温度は、液晶相−固相の転移温度である。円盤状液晶化合物を用いる場合、配向温度は、７０〜３００℃が好ましく、７０〜１７０℃がさらに好ましい。
加熱は、所定の温度に調整した温風を、フイルムに送風することによって実施できる。また、所定の温度に維持された加熱室内で、フイルムを搬送してもよい。

水平方向における液晶化合物層中の液晶化合物の配向については、液晶化合物層における液晶化合物の分子対称軸の平均方向が、フイルムの長手方向に対して−２°〜＋２°または４３°〜４７°となるように配向させることが好ましい。
前述したように、水平方向の配向については、原則として配向膜のラビング方向で決定できる。

ハイブリッド配向では、液晶化合物のチルト角が、液晶化合物層の深さ方向で（支持体の面からの距離の増加と共に）増加または減少している。チルト角は、距離の増加と共に減少することが好ましい。チルト角の変化は、連続的増加、連続的減少、間欠的増加、間欠的減少、連続的増加と連続的減少を含む変化、あるいは、増加および減少を含む間欠的変化が可能である。間欠的変化は、厚さ方向の途中で傾斜角が変化しない領域を含んでいる。
角度変化は、チルト角の変化しない領域を含んでいても、全体として増加または減少していればよい。ただし、チルト角は連続的に変化する方が好ましい。

前述したように、液晶化合物層の空気側界面における液晶化合物の平均チルト角と、液晶化合物層の配向膜側界面における液晶化合物の平均チルト角との差は、１０°以上であり、１５°以上であることが好ましく、２０°以上であることがさらに好ましく、３０°以上であることが最も好ましい。

配向膜が水平配向性であると、液晶化合物層の空気側界面における液晶化合物の平均チルト角が、液晶化合物層の配向膜側界面における液晶化合物の平均チルト角よりも大きくなる。配向膜が垂直配向性であると、液晶化合物層の配向膜側界面における液晶化合物の平均チルト角が、液晶化合物層の空気側界面における液晶化合物の平均チルト角よりも大きくなる。
空気側界面における液晶化合物の平均チルト角は、後述する磁場の印加により制御する。ただし、補助的に液晶化合物または液晶化合物と共に使用する添加剤の種類を選択することで、空気側界面における平均チルト角を調整することもできる。添加剤の例は、可塑剤、界面活性剤、重合性モノマーおよびポリマーを含む。平均チルト角の変化の程度も、液晶化合物と添加剤との選択により調整できる。界面活性剤に関しては、前述した塗布液の表面張力の制御との関係も調整することが好ましい。

［磁場印加］
配向工程と同時または配向工程後に、磁場を印加する。磁場は、磁場方向のチルト角と液晶化合物層の空気側界面における液晶化合物の平均チルト角との差が、１０度未満、好ましくは７°未満、さらに好ましくは５°未満、最も好ましくは３°未満となる方向で印加する。
従って、磁場を印加する前に、液晶化合物層の空気側界面における液晶化合物の平均チルト角を測定する。ただし、製品の生産においては、予備実験を実施して、液晶化合物の平均チルト角を測定しておく（それにより、配向工程と同時または配向工程の直後に、磁場を印加できる）ことが好ましい。

磁場強度は、０．１テスラ以上であることが好ましく、１．０テスラ以上であることがさらに好ましい。
磁場印加における温度は、配向工程における加熱温度（配向温度）と同様であって、液晶化合物の液晶転移温度以上の温度であることが好ましい。

磁場の印加は、永久磁石または電磁石を用いて実施できる。
複数の磁石を束にして用いて、広いフイルム面全体に対して同時に磁場を印加してもよい。また、一定方向に磁場を生じさせた領域内でフイルムを搬送することにより、磁場を印加することもできる。

［配向状態の固定］
磁場の印加と同時、または磁場の印加後に、液晶化合物の配向状態を固定することが好ましい。
例えば、液晶化合物の液晶転移温度よりも高い温度で磁場を印加する工程を実施し、磁場を印加しながら液晶転移温度よりも低い温度まで冷却することにより液晶化合物の配向状態を固定することができる。
ただし、重合性基を有する液晶化合物を用いて、重合反応により液晶化合物の配向状態を固定することが好ましい。重合反応には、熱重合開始剤を用いる熱重合反応と光重合開始剤を用いる光重合反応とが含まれる。光重合反応が好ましい。

光重合開始剤の例は、α−カルボニル化合物（米国特許２３６７６６１号、同２３６７６７０号の各明細書記載）、アシロインエーテル（米国特許２４４８８２８号明細書記載）、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物（米国特許２７２２５１２号明細書記載）、多核キノン化合物（米国特許３０４６１２７号、同２９５１７５８号の各明細書記載）、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせ（米国特許３５４９３６７号明細書記載）、アクリジンおよびフェナジン化合物（特開昭６０−１０５６６７号公報、米国特許４２３９８５０号明細書記載）およびオキサジアゾール化合物（米国特許４２１２９７０号明細書記載）を含む。
光重合開始剤の使用量は、塗布液の固形分の０．０１〜２０質量％の範囲にあることが好ましく、０．５〜５質量％の範囲にあることがさらに好ましい。

光重合のための光照射は、紫外線を用いることが好ましい。照射エネルギーは、２０ｍＪ／ｃｍ^２〜５０Ｊ／ｃｍ^２の範囲が好ましく、２０〜５０００ｍＪ／ｃｍ^２の範囲がさらに好ましく、１００〜８００ｍＪ／ｃｍ^２の範囲が最も好ましい。
光重合反応を促進するため、加熱しながら光照射を実施してもよい。光照射は、フイルムを１以上の光源が上下および左右のいずれかの位置に配置された搬送路を通過させることによって実施することができる。

［後処理］
形成した液晶化合物層の光学特性を、連続的に測定することにより検査する検査工程を実施してもよい。
液晶化合物層の上に、保護層を設けることもできる。例えば、予め準備した保護層用フイルムを、液晶化合物層の表面に連続的にラミネートすることができる。
ロール状の光学フイルムを製造する場合、長尺状のフイルムを巻き取る工程を実施する。巻き取りは、例えば、連続的に搬送されるフイルムを、円筒状の芯に巻きつけることによって実施できる。ロール形態に巻き取ると、大量に製造する場合にもその取り扱いが容易であり、そのままの形態で保管・搬送できる。
その他の光学フイルムの製造工程および使用可能な装置については、特開平９−７３０８１号公報に記載がある。

［用途］
製造した光学フイルムは、光学補償フイルムとして特に有利に用いられる。
光学補償フイルムは、液晶表示装置、特にＴＮ方式またはＯＣＢ方式の透過型液晶表示装置、あるいはＥＣＢ方式の反射型液晶表示装置に有利に用いられる。
透過型液晶表示装置は、液晶セルおよびその両側に配置された二枚の偏光板からなる。液晶セルは、二枚の電極基板の間に液晶を担持している。
光学補償フイルムは、液晶セルと一方の偏光板との間に、一枚配置するか、あるいは液晶セルと双方の偏光板との間に二枚配置する。光学補償フイルムを偏光板の保護フイルムとして用いると、偏光板が光学補償フイルムの機能も兼ねるので、液晶表示装置の薄型・軽量化の点で好ましい。

ＴＮ方式の液晶表示装置の液晶セルでは、電圧無印加時に棒状液晶性分子が実質的に水平配向し、さらに６０〜１２０゜にねじれ配向している。ＴＮ方式の液晶セルは、黒白、およびカラー液晶表示装置として最も多く利用されており、多数の文献に記載がある。

ＯＣＢ方式の液晶表示装置は、棒状液晶性分子を液晶セルの上部と下部とで実質的に逆の方向に（対称的に）配向させるベンド配向モードの液晶セルを用いた液晶表示装置であり、米国特許４５８３８２５号、同５４１０４２２号の各明細書に開示されている。棒状液晶分子が液晶セルの上部と下部とで対称的に配向しているため、ベンド配向モードの液晶セルは、自己光学補償機能を有する。そのため、この液晶モードは、ＯＣＢ（Optically Compensatory Bend）液晶モードと呼ばれる。ベンド配向モードの液晶表示装置は、応答速度が速いとの利点がある。

ＥＣＢ方式の液晶表示装置は、棒状液晶分子を液晶セルの上部と下部で実質的に同じ方向に配向させる水平配向モードの液晶セルを用いた、最も古くから知られている構成の液晶表示装置である。

［実施例１］
（支持体の作製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。

────────────────────────────────────────
セルロースアセテート溶液
────────────────────────────────────────
酢化度６０．９％のセルロースアセテート １００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤） ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤） ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ３００質量部
メタノール（第２溶媒） ４５質量部
染料（住化ファインケム（株）製、３６０ＦＰ） ０．０００９質量部
────────────────────────────────────────

別のミキシングタンクに、下記のレターデーション上昇剤１６質量部、メチレンクロライド８０質量部およびメタノール２０質量部を投入し、加熱しながら攪拌して、レターデーション上昇剤溶液を調製した。

セルロースアセテート溶液４６４質量部に、レターデーション上昇剤溶液３６質量部、およびシリカ微粒子（アイロジル製、Ｒ９７２）１．１質量部を混合し、充分に攪拌してドープを調製した。レターデーション上昇剤の添加量は、セルロースアセテート１００質量部に対して、５．０質量部であった。また、シリカ微粒子の添加量は、セルロースアセテート１００質量部に対して、０．１５質量部であった。

得られたドープを、幅２ｍで長さ６５ｍの長さのバンドを有する流延機を用いて流延した。バンド上での膜面温度が４０℃となってから、１分乾燥し、剥ぎ取った後、１４０℃の乾燥風で、テンターを用いて幅方向に２８％延伸した。この後、１３５℃の乾燥風で２０分間乾燥し、残留溶剤量が０．３質量％の支持体を製造した。
得られた支持体の幅は１３４０ｍｍであり、厚さは９２μｍであった。
エリプソメーター（Ｍ−１５０、日本分光（株）製）を用いて、波長５９０ｎｍにおけるＲｅレターデーション値を測定したところ、３８ｎｍであった。また、波長５９０ｎｍにおけるＲｔｈレターデーション値を測定したところ、１７５ｎｍであった。
作製した支持体のバンド面側に、１．０Ｎの水酸化カリウム溶液（溶媒：水／イソプロピルアルコール／プロピレングリコール＝６９．２質量部／１５質量部／１５．８質量部）を１０ｃｃ／ｍ^２塗布し、約４０℃の状態で３０秒間保持した後、アルカリ液を掻き取り、純水で水洗し、エアーナイフで水滴を削除した。その後、１００℃で１５秒間乾燥した。アルカリ処理面の純水に対する接触角を求めたところ、４２°であった。

（配向膜の形成）
支持体のアルカリ処理面に、下記の組成の配向膜塗布液を＃１６のワイヤーバーコーターで２８ｍｌ／ｍ^２塗布した。６０℃の温風で６０秒、さらに９０℃の温風で１５０秒乾燥し、配向膜を形成した。

────────────────────────────────────────
配向膜塗布液
────────────────────────────────────────
下記の変性ポリビニルアルコール １０質量部
水 ３７１質量部
メタノール １１９質量部
グルタルアルデヒド（架橋剤） ０．５質量部
クエン酸エステル（三協化学製、ＡＳ３） ０．３５質量部
────────────────────────────────────────

（ラビング処理）
配向膜を設けた支持体を速度２０ｍ／分で搬送し、長手方向に対して４５°にラビング処理されるようにラビングロール（３００ｍｍ直径）を設定し、６５０ｒｐｍで回転させて、配向膜表面にラビング処理を施した。ラビングロールと配向膜との接触長さは、１８ｍｍとなるように設定した。

（液晶化合物層の形成）
１０２Ｋｇのメチルエチルケトンに、下記の円盤状液晶化合物４１．０１Ｋｇ、エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株）製）４．０６Ｋｇ、セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ５３１−１、イーストマンケミカル社製）０．３５Ｋｇ、光重合開始剤（イルガキュアー９０７、チバガイギー社製）１．３５Ｋｇ、増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製）０．４５Ｋｇ、クエン酸エステル（三協化学製 ＡＳ３）０．４５Ｋｇを溶解した。溶液に、フルオロ脂肪族基含有共重合体（メガファックＦ７８０、大日本インキ（株）製）を０．１Ｋｇ加えて塗布液を調製した。

＃３．２のワイヤーバーを３９１回転でフイルムの搬送方向と同じ方向に回転させて、塗布液を、２０ｍ／分で搬送している配向膜面に連続的に塗布した。

［配向および磁場の印加］
室温から１００℃に連続的に加温する工程で溶媒を乾燥させた。
この状態で、液晶化合物層の平均チルト角を測定したところ、空気側界面における平均チルト角（図１のα）は６６°、配向膜側界面における平均チルト角（図１のβ）は、１０°であった。
その後１３０℃の乾燥ゾーンで、磁場方向のチルト角（図１のθ）が６６°、磁場の強度が０．７テスラとなるように磁場を印加しながら約６０秒間加熱し、円盤状液晶化合物を配向させた。

［光学フイルムの製造］
フイルムを２５℃の乾燥ゾーンに搬送し、フイルムの表面温度が６８℃の状態で、紫外線照射装置（紫外線ランプ：出力１６０Ｗ／ｃｍ、発光長１．６ｍ）により、照度６００ｍＷの紫外線を４秒間照射し、重合反応を進行させて、円盤状液晶化合物をその配向に固定した。
その後、室温まで放冷し、円筒状に巻き取ってロール状の形態にした。このようにして、ロール状光学フイルムを作製した。

作製したロール状光学フイルムの一部を切り取り、サンプルとして用いて、光学特性を測定した。波長５４６ｎｍで測定した液晶化合物層のＲｅレターデーション値は３７ｎｍであった。また、液晶化合物層中の円盤状液晶化合物の円盤面と支持体面とのチルト角は、層の深さ方向で連続的に変化し、平均で３８°であった。さらに、サンプルから液晶化合物層のみを剥離し、液晶化合物層の分子対称軸の平均方向を測定したところ、光学フイルムの長手方向に対して、４５°であった。
さらに、偏光板をクロスニコル配置とし、得られた光学補償フイルムのムラを観察したところ、正面、および法線から６０°まで傾けた方向から見ても、ムラは検出されなかった。
また、偏光顕微鏡下にて光学フイルムを観察したところ、シュリーレン欠陥は見られなかった。

（偏光板の作製）
平均重合度１７００、ケン化度９９．５ｍｏｌ％のＰＶＡフイルム（厚み８０μｍ、幅２５００ｍｍ）を４０℃の温水中で８倍に縦一軸延伸し、そのままヨウ素０．２ｇ／ｌ、ヨウ化カリウム６０ｇ／ｌの水溶液中に３０℃にて５分間浸漬し、次いでホウ酸１００ｇ／ｌ、ヨウ化カリウム３０ｇ／ｌの水溶液中に浸漬した。このときフイルム幅１３００ｍｍ、厚みは１７μｍであった。
さらにこのフイルムを水洗層にて２０℃、１０秒間浸漬した後、ヨウ素０．１ｇ／ｌ、ヨウ化カリウム２０ｇ／ｌの水溶液中に３０℃にて１５秒間浸漬し、このフイルムを室温にて２４時間乾燥してヨウ素系偏光膜を得た。

ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、作製した光学フイルムの支持体面を偏光膜の片側に貼り付けた。また、厚さ８０μｍのトリアセチルセルロースフイルム（ＴＤ−８０Ｕ：富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の反対側に貼り付けた。
偏光膜の長手方向、支持体の長手方向、市販のトリアセチルセルロースフイルムの長手方向は、全て平行になるように配置した。このようにして片面に光学フイルム、他方の面に市販のトリアセチルセルロースフイルムを有する偏光板を作製した。

別に、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、作製した光学フイルムの支持体面で偏光膜の片側に貼り付けた。また、市販の反射防止機能付きフイルム（富士フイルムＣＶクリアビューＵＡ、富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の反対側に貼り付けた。
偏光子の長手方向、支持体の長手方向、反射防止機能付きフイルムの長手方向とが全て平行になるように配置した。このようにして、片面に光学フイルム、他方の面に市販の反射防止機能付きフイルムを有する偏光板を作製した。

（ベンド配向液晶セルの作製）
ＩＴＯ電極付きのガラス基板に、ポリイミド膜を配向膜として設け、配向膜にラビング処理を行った。得られた二枚のガラス基板をラビング方向が平行となる配置で向かい合わせ、セルギャップを４．５μｍに設定した。セルギャップにΔｎが０．１３９６の液晶化合物（ＺＬＩ１１３２、メルク社製）を注入し、ベンド配向液晶セルを作製した。液晶セルの大きさは２０インチであった。
作製したベンド配向セルを挟むように、片面に光学フイルム、他方の面に市販の反射防止機能付きフイルムを有する偏光板を視認側に、片面に光学フイルム、他方の面に市販のトリアセチルセルロースフイルムを有する偏光板をバックライト側に各々貼り付けた。偏光板の液晶化合物層がセル基板に対面し、液晶セルのラビング方向とそれに対面する液晶化合物層のラビング方向とが反平行となるように配置した。

液晶セルに５５Ｈｚの矩形波電圧を印加した。白表示２Ｖ、黒表示５Ｖのノーマリーホワイトモードとした。透過率の比（白表示／黒表示）をコントラスト比として、測定機（ＥＺ−Ｃｏｎｔｒａｓｔ１６０Ｄ、ＥＬＤＩＭ社製）を用いて、黒表示（Ｌ１）から白表示（Ｌ８）までの８段階で視野角を測定した。その結果、コントラスト比が１０以上で黒川の諧調反転（Ｌ１とＬ２との間の反転）のない範囲は、上、下、左右のいずれも、８０°以上であった。
また、正面コントラスト（ＣＲ：白表示の輝度／黒表示の輝度）を求めたところ、４６０との高いコントラストが得られた。

本発明の基本的な概念を示す模式図である。

符号の説明

１ 支持体
２ 配向膜
３ 液晶化合物層
３ａ 空気側界面
３ｂ 配向膜側界面
α 空気側界面における平均チルト角
β 配向膜側界面における平均チルト角
θ 磁場方向のチルト角
ｄ１、ｄ２、ｄ３ 液晶化合物
Ｒ→ ラビング処理方向
Ｓ点線Ｎ 磁場方向

Claims (6)

1. 支持体上の配向膜の上に、液晶化合物を塗布し、空気側界面と配向膜側界面とを有する液晶化合物層を形成する工程、液晶化合物層の形成と同時または形成後に、液晶化合物層を加熱し、液晶化合物層の空気側界面における液晶化合物の平均チルト角と液晶化合物層の配向膜側界面における液晶化合物の平均チルト角との差が１０度以上となるように液晶化合物をハイブリッド配向させる工程、そして、液晶化合物層の空気側界面における液晶化合物の平均チルト角の方向に対して、チルト角の差が１０度未満となる方向で磁場を印加する工程からなる光学フイルムの製造方法。
2. 磁場の印加と同時または印加後に、液晶化合物の配向状態を固定する工程を実施する請求項１に記載の光学フイルムの製造方法。
3. 液晶化合物が重合性基を有し、重合反応により液晶化合物の配向状態を固定する請求項２に記載の光学フイルムの製造方法。
4. 液晶化合物の液晶転移温度よりも高い温度で磁場を印加する工程を実施し、磁場を印加しながら液晶転移温度よりも低い温度まで冷却することにより液晶化合物の配向状態を固定する請求項２に記載の光学フイルムの製造方法。
5. 液晶化合物が、円盤状液晶化合物である請求項１に記載の光学フイルムの製造方法。
6. 配向膜が水平配向性であって、液晶化合物層の空気側界面における液晶化合物の平均チルト角が、液晶化合物層の配向膜側界面における液晶化合物の平均チルト角よりも大きい請求項１に記載の光学フイルムの製造方法。

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