JP2005314555A - Resin composition and semiconductor device produced by using resin composition - Google Patents

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直哉 金森
Fumihiro Shiraishi
史広 白石
Hikari Okubo
光 大久保
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin composition having low stress and high adhesiveness and free from the generation of resin bleeding and provide a semiconductor device having excellent reliability and produced by using the resin composition as a die attach material or a heat-sink attach material for a semiconductor. <P>SOLUTION: The resin composition contains (A) a compound containing a structure expressed by general formula (1) (R<SP>1</SP>is a 3-6C hydrocarbon group; X is -O-, -COO- or -OCOO-; and 1 is an integer of 2-100) in the main chain skeleton and having at least two radically polymerizable carbon-carbon unsaturated bond, (B) a compound containing a structure expressed by general formula (2) (R<SP>2</SP>is a 3-6C hydrocarbon group; Y is -O-, -COO- or -OCOO-; and m is an integer of 5-200) in the main chain skeleton and having at least one functional group expressed by general formula (3) (R<SP>3</SP>is a 1-6C hydrocarbon group; R<SP>4</SP>is a 1-6C hydrocarbon group; and n is an integer of 1-3), and (C) a filler as essential components. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置に関するものである。 The present invention relates to a resin composition and a semiconductor device manufactured using the resin composition.

環境対応の一環として半導体製品からの鉛撤廃が進められている中、半導体パッケージの外装めっきからの脱鉛化の目的でリードフレームのめっきをNi−Pdに変更する場合が増えてきている。ここでNi−Pdめっきは表面のPd層の安定性を向上する目的で薄く金めっき(金フラッシュ)が行われるが、一般にNi−Pdめっきそのものの平滑性および表面の金の存在のため通常の銀めっき銅フレーム等と比較すると接着力が低下する。また基板実装時に使用する半田も鉛フリー半田が使用されるため、錫−鉛半田の場合よりリフロー温度を高くする必要がある。接着力の低下およびリフロー温度の高温化に基づくストレスの増加のため、リフロー中に半導体パッケージ中に剥離ひいてはクラックが発生しやすくなるため半導体パッケージの構成材料はより高いリフロー耐性を有する必要がある。ここで接着力改善のためにリードフレームに対しても種々の対策が取られてきているが、その中の1つとして表面粗化があり接着力の向上には効果があるもののダイアタッチ材料のレジンブリード(樹脂にじみ)が顕著になる。   As part of environmental measures, lead removal from semiconductor products is being promoted, and the lead frame plating is increasingly changed to Ni-Pd for the purpose of deleading from the exterior plating of semiconductor packages. Here, Ni—Pd plating is thinly gold-plated (gold flash) for the purpose of improving the stability of the Pd layer on the surface. Generally, the Ni—Pd plating itself is smooth due to the smoothness of the Ni—Pd plating itself and the presence of gold on the surface. Compared with a silver-plated copper frame or the like, the adhesive strength is reduced. Also, since lead-free solder is used as the solder for mounting on the board, the reflow temperature needs to be higher than in the case of tin-lead solder. Due to an increase in stress due to a decrease in adhesive force and an increase in reflow temperature, the constituent material of the semiconductor package needs to have higher reflow resistance because peeling and cracks are likely to occur in the semiconductor package during reflow. Various measures have been taken with respect to the lead frame to improve the adhesion, but one of them is surface roughening, which is effective in improving the adhesion but is not effective for die attach materials. Resin bleed (resin bleeding) becomes prominent.

一方ヒートシンクは通常Niめっき、あるいはPdめっきが施されているが同様に良好な接着性を得るために表面が粗化されている場合がありレジンブリードは深刻な問題であるとともに、大面積を接着する必要がある場合が多いため十分な低応力性も要求されている。
このように十分な低応力性を有しつつ粗化面積に対しての良好なレジンブリード性が要求されているが、従来より使用されている樹脂組成物ではこれらの要求を同時に満足するものはなかった。(例えば特許文献1参照)
On the other hand, the heat sink is usually Ni-plated or Pd-plated, but the surface may be roughened to obtain good adhesion as well. Resin bleed is a serious problem, and large areas are bonded. Since there are many cases where it is necessary to do this, sufficient low stress properties are also required.
As described above, good resin bleedness with respect to the roughened area is required while having sufficiently low stress properties, but the resin compositions that have been used conventionally satisfy these requirements at the same time. There wasn't. (For example, see Patent Document 1)

特開2003−321508号公報JP 2003-321508 A

本発明は、大面積の接着用途に使用しても十分な低応力性を有し、かつ良好な接着性ならびにレジンブリード性を示す樹脂組成物及び該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチ材料あるいはヒートシンクアタッチ材料として使用することで信頼性に優れた半導体装置を提供することである。   The present invention relates to a resin composition having a sufficiently low stress even when used for large-area bonding applications, and exhibiting good adhesion and resin bleeding properties, and the resin composition as a die attach material for semiconductors or a heat sink. It is to provide a semiconductor device having excellent reliability by using as an attach material.

このような目的は、下記[1]〜[9]に記載の本発明により達成される。
[1](A)主鎖骨格に一般式(1)で示される構造を含み、かつ少なくとも2つのラジカル重合可能な炭素−炭素不飽和結合を有する化合物、(B)主鎖骨格に一般式(2)で示される構造を含み、かつ少なくとも1つの一般式(3)で示される官能基を有する化合物、(C)充填材を必須成分とすることを特徴とする樹脂組成物。
Such an object is achieved by the present invention described in the following [1] to [9].
[1] (A) a compound having a structure represented by the general formula (1) in the main chain skeleton and having at least two radical-polymerizable carbon-carbon unsaturated bonds, (B) a main formula having a general formula ( 2. A resin composition comprising the compound represented by 2) and having at least one functional group represented by the general formula (3) and (C) a filler as an essential component.

Figure 2005314555
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Figure 2005314555
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[2]一般式(1)で示される繰り返し単位のR1がテトラメチレン基である[1]項記載の樹脂組成物。
[3]一般式(1)で示される繰り返し単位のR1がメチルエチレン基である[1]項記載の樹脂組成物。
[4]化合物(A)がジ(メタ)アクリレートである[1][2]又は[3]項記載の樹脂組成物。
[5]一般式(2)で示される繰り返し単位のR2がメチルエチレン基である[1][2][3]又は[4]項記載の樹脂組成物。
[6]一般式(3)のR3及びR4がともにメチル基である[1][2][3][4]又は[5]項記載の樹脂組成物。
[7]一般式(3)のnが2である[1][2][3][4][5]又は[6]項記載の樹脂組成物。
[8]充填材が銀粉である[1][2][3][4][5][6]又は[7]項記載の樹脂組成物。
[9][1]〜[8]項のいずれか1項に記載の樹脂組成物をダイアタッチ材料あるいはヒートシンクアタッチ材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。
[2] The resin composition according to item [1], wherein R 1 of the repeating unit represented by the general formula (1) is a tetramethylene group.
[3] The resin composition according to item [1], wherein R 1 of the repeating unit represented by the general formula (1) is a methylethylene group.
[4] The resin composition according to [1], [2] or [3], wherein the compound (A) is di (meth) acrylate.
[5] The resin composition according to [1], [2], [3] or [4], wherein R 2 of the repeating unit represented by the general formula (2) is a methylethylene group.
[6] The resin composition according to [1] [2] [3] [4] or [5], wherein R 3 and R 4 in the general formula (3) are both methyl groups.
[7] The resin composition according to [1], [2], [3], [4], [5], or [6], wherein n in the general formula (3) is 2.
[8] The resin composition according to [1], [2], [3], [4], [5], [6], or [7], wherein the filler is silver powder.
[9] A semiconductor device manufactured using the resin composition according to any one of [1] to [8] as a die attach material or a heat sink attach material.

本発明により、低応力性、接着性、レジンブリード性に優れた樹脂組成物及び該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチ材料またはヒートシンクアタッチ材料として使用した信頼性に優れた半導体装置を提供することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to provide a resin composition excellent in low-stress property, adhesiveness, and resin bleed property, and a semiconductor device excellent in reliability using the resin composition as a die attach material for a semiconductor or a heat sink attach material. It becomes possible.

本発明に用いる主鎖骨格に一般式(1)で示される構造、かつ少なくとも2つのラジカル重合可能な炭素−炭素不飽和結合を有する化合物(A)のR1は炭素数が3から6の炭化水素基に限定されるが、これは炭素数がこれより少ない場合には極性が強すぎ得られた樹脂組成物の耐湿性が悪化するため好ましくなく、これより多い場合には逆に極性が低くなりすぎ目的とする接着力が得られず好ましくないためである。一般式(1)中のR1は、炭素数が3から6の炭化水素基の中でも、テトラメチレン基又はメチルエチレン基であることが好ましい。一般式(1)中のXは、−O−、−COO−、又は−OCOOであり、硬化物に柔軟性を付与するために必要である。繰り返し単位数lは2〜100の整数に限定されるがこれは繰り返し単位がこれより少ない場合に目的とする柔軟性を発揮し得ず、逆に多い場合には粘度が高くなりすぎ作業性上好ましくないためである。 R 1 of the compound (A) having a structure represented by the general formula (1) in the main chain skeleton used in the present invention and at least two carbon-carbon unsaturated bonds capable of radical polymerization is a carbon atom having 3 to 6 carbon atoms. Although it is limited to hydrogen groups, this is not preferred because the resin composition obtained when the carbon number is less than this is too strong and the moisture resistance of the resulting resin composition deteriorates. This is because the intended adhesive strength cannot be obtained because it is too large. R 1 in the general formula (1) is preferably a tetramethylene group or a methylethylene group among hydrocarbon groups having 3 to 6 carbon atoms. X in the general formula (1) is —O—, —COO—, or —OCOO, and is necessary for imparting flexibility to the cured product. The number of repeating units 1 is limited to an integer of 2 to 100, but this does not exhibit the desired flexibility when the number of repeating units is less than this, and conversely, when it is large, the viscosity becomes too high and the workability is increased. It is because it is not preferable.

本発明では主鎖骨格に一般式(2)で示される構造を含み、かつ少なくとも1つの一般式(3)で示される官能基を有する化合物(B)を使用するが、これは公知のように一般式(3)の官能基を有する化合物は接着力向上に効果的であるためである。ただし一般的に使用されるシラン系のカップリング剤、たとえは3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン等を使用した場合には接着力の向上には有効的であるが、分子量が小さく又表面自由エネルギーが小さいためレジンブリードが発生しやすく、特に表面粗化したリードフレーム、ヒートシンク等で使用した場合には著しいレジンブリードが発生し実用上使用できない。そこで本発明では公知のシラン系カップリング剤同様の接着力向上性を有しながらレジンブリード発生を抑制するために、分子量が大きくかつベース樹脂として使用する硬化性成分と十分な相溶性を有する化合物(B)を使用する。一般式(2)のR2は炭素数が3から6の炭化水素基に限定されるが、これは炭素数がこれより少ない場合には極性が強すぎ得られた樹脂組成物の耐湿性が悪化するため好ましくなく、これより多い場合には逆に極性が低くなりすぎ目的とする接着力が得られず好ましくないためである。一般式(2)中のYは、−O−、−COO−、又は−OCOO−であり、硬化物に柔軟性を付与するために必要である。またベース樹脂との相溶性の観点から一般式(1)の繰り返し単位と一般式(2)の繰り返し単位が類似していることが特に好ましい。繰り返し単位数mは5〜200の整数に限定されるがこれは繰り返し単位がこれより少ない場合には分子量が小さいため粘度が低くレジンブリードが発生しやすく、逆に多い場合には粘度が高くなりすぎ作業性上好ましくないためである。一般式(3)に示される官能基は通常のシラン系カップリング剤として使用されている官能基であり、特に限定されないがR3、R4がメチル基又はエチル基、nが2又は3が好ましい。 In the present invention, a compound (B) having a structure represented by the general formula (2) in the main chain skeleton and having at least one functional group represented by the general formula (3) is used. This is because the compound having the functional group of the general formula (3) is effective in improving the adhesive strength. However, when a commonly used silane coupling agent, such as 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, or 3-aminopropyltrimethoxysilane, is used. Although effective for improving adhesion, resin bleed is likely to occur due to low molecular weight and low surface free energy, especially when used on roughened lead frames, heat sinks, etc. However, it cannot be used practically. Therefore, in the present invention, a compound having a large molecular weight and sufficient compatibility with a curable component used as a base resin in order to suppress the occurrence of resin bleed while having the same adhesive strength improvement as a known silane coupling agent. Use (B). R 2 in the general formula (2) is limited to a hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms. This is because the resin composition obtained when the carbon number is less than this is too polar. This is because it deteriorates and is not preferable, and when it is more than this, the polarity becomes too low and the desired adhesive strength cannot be obtained, which is not preferable. Y in the general formula (2) is —O—, —COO—, or —OCOO—, and is necessary for imparting flexibility to the cured product. Further, from the viewpoint of compatibility with the base resin, it is particularly preferable that the repeating unit of the general formula (1) is similar to the repeating unit of the general formula (2). The number m of repeating units is limited to an integer of 5 to 200. This is because when the number of repeating units is less than this, the molecular weight is small, so the viscosity is low and resin bleeding tends to occur. This is because excessive workability is not preferable. The functional group represented by the general formula (3) is a functional group used as a normal silane coupling agent, and is not particularly limited, but R 3 and R 4 are a methyl group or an ethyl group, and n is 2 or 3. preferable.

化合物(B)の配合量は特に限定されるわけではないが、化合物(A)+(B)に対して1〜40重量%の範囲が好ましい。これより少ない場合には期待する接着性改良効果が十分でなく、これより多い場合には樹脂組成物の粘度が高くなりすぎ塗布作業性の悪化の原因となりうるからである。
本発明では必要に応じラジカル重合開始剤を使用することができる。通常熱ラジカル重合開始剤として用いられるものであれば特に限定しないが、望ましいものとしては、急速加熱試験(試料1gを電熱板の上にのせ、4℃/分で昇温した時の分解開始温度)における分解温度が40〜140℃となるものが好ましい。分解温度が40℃未満だと、樹脂組成物の常温における保存性が悪くなり、140℃を越えると硬化時間が極端に長くため好ましくない。
Although the compounding quantity of a compound (B) is not necessarily limited, The range of 1-40 weight% is preferable with respect to a compound (A) + (B). If the amount is less than this, the expected effect of improving adhesiveness is not sufficient, and if it is more than this, the viscosity of the resin composition becomes too high, which may cause deterioration in coating workability.
In the present invention, a radical polymerization initiator can be used as necessary. Although it is not particularly limited as long as it is normally used as a thermal radical polymerization initiator, it is desirable that a rapid heating test (decomposition start temperature when a sample is placed on an electric heating plate and heated at 4 ° C./min. In which the decomposition temperature is 40 to 140 ° C. If the decomposition temperature is less than 40 ° C., the preservability of the resin composition at normal temperature is deteriorated, and if it exceeds 140 ° C., the curing time is extremely long, which is not preferable.

これを満たすラジカル重合開始剤の具体例としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチルアセトアセテートパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)シクロヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、2,2−ビス(4,4−ジ−t−ブチルパーオキシシクロヘキシル)プロパン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロドデカン、n−ブチル4,4−ビス(t−ブチルパーオキシバレレート、2,2−ビス(t−ブチルパーオキシ)ブタン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−2−メチルシクロヘキサン、t−ブチルハイドロパーオキサイド、P−メンタンハイドロパーオキサイド、1,1,3,3−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、t−ヘキシルハイドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、α、α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、t−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン−3、イソブチリルパーオキサイド、3,5,5−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、桂皮酸パーオキサイド、m−トルオイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス(4−t−ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート、ジ−3−メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ−2−エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ−sec−ブチルパーオキシジカーボネート、ジ(3−メチル−3−メトキシブチル)パーオキシジカーボネート、α、α’−ビス(ネオデカノイルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシネオデカノエート、1,1,3,3,−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、1−シクロヘキシル−1−メチルエチルパーオキシネオデカノエート、t−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、t−ブチルパーオキシネオデカノエート、t−ヘキシルパーオキシピバレート、t−ブチルパーオキシピバレート、2,5−ジメチル−2,5−ビス(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルへキサノエート、1−シクロヘキシル−1−メチルエチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ヘキシルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシイソブチレート、t−ブチルパーオキシマレイックアシッド、t−ブチルパーオキシラウレート、t−ブチルパーオキシ−3,5,5−トリメチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート、2,5−ジメチル−2,5−ビス(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパーオキシアセテート、t−ヘキシルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオキシ−m−トルオイルベンゾエート、t−ブチルパーオキシベンゾエート、ビス(t−ブチルパーオキシ)イソフタレート、t−ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、3,3’,4,4’−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン等が挙げられるが、これらは単独或いは硬化性を制御するため2種類以上を混合して用いることもできる。ただし本発明は通常蛍光灯等の照明下で使用されるので光開始剤が含まれていると使用中に反応により粘度上昇が観察されるため配合することはできない。更に樹脂組成物の保存性を向上するために各種重合禁止剤、酸化防止剤を予め添加してもよい。   Specific examples of the radical polymerization initiator satisfying this include methyl ethyl ketone peroxide, methylcyclohexanone peroxide, methyl acetoacetate peroxide, acetylacetone peroxide, 1,1-bis (t-butylperoxy) 3,3,5- Trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy) cyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy) 3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) Cyclohexane, 2,2-bis (4,4-di-t-butylperoxycyclohexyl) propane, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclododecane, n-butyl 4,4-bis (t-butyl) Peroxyvalerate, 2,2-bis (t-butylperoxy) pig 1,1-bis (t-butylperoxy) -2-methylcyclohexane, t-butyl hydroperoxide, P-menthane hydroperoxide, 1,1,3,3-tetramethylbutyl hydroperoxide, t- Hexyl hydroperoxide, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-bis (t-butylperoxy) hexane, α, α'-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene, t-butylcum Ruperoxide, di-t-butyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-bis (t-butylperoxy) hexyne-3, isobutyryl peroxide, 3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide, Octanoyl peroxide, lauroyl peroxide, cinnamic acid peroxide, m Toluoyl peroxide, benzoyl peroxide, diisopropyl peroxydicarbonate, bis (4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, di-3-methoxybutyl peroxydicarbonate, di-2-ethylhexyl peroxydicarbonate, Di-sec-butylperoxydicarbonate, di (3-methyl-3-methoxybutyl) peroxydicarbonate, α, α′-bis (neodecanoylperoxy) diisopropylbenzene, cumylperoxyneodecanoate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxyneodecanoate, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxyneodecanoate, t-hexylperoxyneodecanoate, t-butylperoxyneo Decanoate, t- Xylperoxypivalate, t-butylperoxypivalate, 2,5-dimethyl-2,5-bis (2-ethylhexanoylperoxy) hexane, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy- 2-ethylhexanoate, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxy-2-ethylhexanoate, t-hexylperoxy-2-ethylhexanoate, t-butylperoxy-2-ethylhexanoate, t-butylperoxyisobutyrate, t-butylperoxymaleic acid, t-butylperoxylaurate, t-butylperoxy-3,5,5-trimethylhexanoate, t-butylperoxyisopropylmono Carbonate, t-butylperoxy-2-ethylhexyl monocarbonate, 2,5- Methyl-2,5-bis (benzoylperoxy) hexane, t-butylperoxyacetate, t-hexylperoxybenzoate, t-butylperoxy-m-toluoylbenzoate, t-butylperoxybenzoate, bis (t -Butylperoxy) isophthalate, t-butylperoxyallyl monocarbonate, 3,3 ', 4,4'-tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone, and the like. Two or more types can be mixed and used for control. However, since the present invention is usually used under illumination such as a fluorescent lamp, when a photoinitiator is contained, an increase in viscosity is observed due to a reaction during use, and therefore it cannot be blended. Further, various polymerization inhibitors and antioxidants may be added in advance in order to improve the storage stability of the resin composition.

本発明に用いる充填材(C)としては、通常銀粉が使用され、好ましくは樹脂組成物中70重量%以上含まれるが、金粉、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、シリカ、アルミナ等も使用可能である。 本発明の樹脂組成物には、必要により反応性希釈剤、消泡剤、界面活性剤等の添加剤およびエポキシ樹脂等を添加することも可能である。
本発明の樹脂組成物は、例えば各成分を予備混合した後、3本ロールを用いて混練した後真空下脱泡することにより製造することができる。
本発明の樹脂組成物を用いて半導体装置を製作する方法は、公知の方法を用いることができる。
As the filler (C) used in the present invention, silver powder is usually used, and preferably 70% by weight or more in the resin composition, but gold powder, aluminum nitride, boron nitride, silica, alumina and the like can also be used. . If necessary, additives such as a reactive diluent, an antifoaming agent, a surfactant, and an epoxy resin can be added to the resin composition of the present invention.
The resin composition of the present invention can be produced, for example, by premixing each component, kneading using three rolls, and degassing under vacuum.
A known method can be used as a method of manufacturing a semiconductor device using the resin composition of the present invention.

[実施例1、2]
成分(A)としてはブレンマーPDP−400(日本油脂(株)製、一般式(1)中の繰り返し単位(R1X)がプロピレンオキサイド、繰り返し数lが約9、以下、PDP−400)、ブレンマーPDT−800(日本油脂(株)製、一般式(1)中の繰り返し単位(R1X)がテトラメチレンオキサイド、繰り返し数lが約5、以下PDT−800)、成分(B)としてはサイリルSAT030(鐘淵化学工業(株)性、一般式(2)中の繰り返し単位(R2Y)がプロピレンオキサイドで末端がジメトキシシラン、分子量約5000、以下SAT030)、成分(C)として平均粒径3μm、最大粒径20μmのフレーク状銀粉(以下銀粉)を使用した。成分(A)、成分(B)、成分(C)、ジクミルパーオキサイド(日本油脂(株)製、パークミルD、急速加熱試験における分解温度:126℃、以下開始剤)、及びラウリルアクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステルLA、以下LA)を表1のように配合し、3本ロールを用いて混練し、脱泡することで樹脂組成物を得た。配合割合は重量部である。
[Examples 1 and 2]
As the component (A), Blemmer PDP-400 (manufactured by NOF Corporation, the repeating unit (R 1 X) in the general formula (1) is propylene oxide, the repetition number 1 is about 9, hereinafter, PDP-400), Blemmer PDT-800 (manufactured by NOF Corporation, the repeating unit (R 1 X) in the general formula (1) is tetramethylene oxide, the repeating number 1 is about 5, hereinafter referred to as PDT-800), and the component (B) Silyl SAT030 (Kanebuchi Chemical Industry Co., Ltd.), repeating unit (R 2 Y) in general formula (2) is propylene oxide, terminal is dimethoxysilane, molecular weight of about 5000, hereinafter SAT030), average particle as component (C) A flaky silver powder (hereinafter referred to as silver powder) having a diameter of 3 μm and a maximum particle diameter of 20 μm was used. Component (A), Component (B), Component (C), Dicumyl peroxide (manufactured by NOF Corporation, Park Mill D, decomposition temperature in rapid heating test: 126 ° C., hereinafter initiator), and lauryl acrylate (Kyoeisha) Chemical Co., Ltd., light ester LA, hereinafter LA) was blended as shown in Table 1, kneaded using three rolls, and defoamed to obtain a resin composition. The blending ratio is parts by weight.

[実施例3]
使用する成分(B)としてサイリルSAT200(鐘淵化学工業(株)性、一般式(2)中の繰り返し単位(R2Y)がプロピレンオキサイドで末端がジメトキシシラン、分子量約9000、以下SAT200)を使用する以外は実施例1と同様にして樹脂組成物を作製した。
[Example 3]
As the component (B) to be used, Silyl SAT200 (Kanebuchi Chemical Industry Co., Ltd., repeating unit (R 2 Y) in the general formula (2) is propylene oxide, terminal is dimethoxysilane, molecular weight is about 9000, hereinafter SAT200). A resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that it was used.

[比較例1、2]
表1に示す割合で配合し実施例1と同様にして樹脂組成物を得た。
[比較例3]
使用する成分(B)のかわりにKBM−403E(信越化学工業(株)製、3―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、以下KBM−403E)を使用する以外は実施例1と同様に樹脂組成物を作成した。
得られた樹脂組成物(ダイアタッチペースト)を以下の方法により評価した。評価結果を表1に示す。
[Comparative Examples 1 and 2]
The resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 by blending at the ratio shown in Table 1.
[Comparative Example 3]
Resin composition as in Example 1 except that KBM-403E (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, hereinafter referred to as KBM-403E) is used instead of the component (B) used. It was created.
The obtained resin composition (die attach paste) was evaluated by the following methods. The evaluation results are shown in Table 1.

評価方法
・粘度:E型粘度計(3°コーン)を用い25℃、2.5rpmでの値をダイアタッチペースト作製直後に測定した。作製直後の粘度が15〜25Pa.sの範囲内の場合を合格とした。粘度増加率の単位は%。
・レジンブリード:金フラッシュしたNi−Pdフレームに22G(内径0.47mm)ノズルを用いて10点ディスペンスし、150℃オーブン中15分硬化した。硬化後のレジンブリードの長さを顕微鏡にて測定し10点ディスペンスした最大値をレジンブリード長さとした。50μm以下を合格とした。単位はμm。
・接着強度:ペーストを用いて、6×6mmのシリコンチップを金フラッシュしたNi−Pdフレームにマウントし、150℃オーブン中15分硬化した。硬化後に自動接着力測定装置を用い260℃での熱時ダイシェア強度を測定した。260℃熱時ダイシェア強度が30N/チップ以上の場合を合格とした。接着強度の単位はN/チップ。
・チップの反り:6×6mmのシリコンチップを金フラッシュしたNi−Pdフレームにマウントし、150℃オーブン中15分硬化した。硬化後チップ表面の反り量を表面粗さ計にて測定した。40μm以下を合格とした。単位はμm。
Evaluation Method / Viscosity: Using an E-type viscometer (3 ° cone), the value at 25 ° C. and 2.5 rpm was measured immediately after the production of the die attach paste. The viscosity immediately after production is 15 to 25 Pa.s. The case in the range of s was regarded as acceptable. The unit of viscosity increase rate is%.
Resin bleed: 10 points dispensed on a gold-flashed Ni-Pd frame using a 22G (inner diameter 0.47 mm) nozzle and cured in a 150 ° C. oven for 15 minutes. The length of the resin bleed after curing was measured with a microscope, and the maximum value obtained by dispensing 10 points was defined as the resin bleed length. 50 μm or less was accepted. The unit is μm.
Adhesive strength: Using a paste, a 6 × 6 mm silicon chip was mounted on a gold-flashed Ni-Pd frame and cured in an oven at 150 ° C. for 15 minutes. After curing, the die shear strength during heating at 260 ° C. was measured using an automatic adhesive force measuring device. The case where the die shear strength when heated at 260 ° C. was 30 N / chip or more was regarded as acceptable. The unit of adhesive strength is N / chip.
Chip warpage: A 6 × 6 mm silicon chip was mounted on a gold-flashed Ni—Pd frame and cured in a 150 ° C. oven for 15 minutes. The amount of warpage of the chip surface after curing was measured with a surface roughness meter. 40 μm or less was accepted. The unit is μm.

Figure 2005314555
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本発明の樹脂組成物は、低応力性、接着性に優れ、かつ良好なレジンブリード性を示すので本発明をダイアタッチ材料またはヒートシンクアタッチ材料として使用することでこれまでにない高信頼性の半導体パッケージの提供が可能となる。   Since the resin composition of the present invention is excellent in low stress property and adhesiveness and exhibits good resin bleed properties, the present invention can be used as a die attach material or a heat sink attach material, thereby providing an unprecedented highly reliable semiconductor. Packages can be provided.

Claims (9)

(A)主鎖骨格に一般式(1)で示される構造を含み、かつ少なくとも2つのラジカル重合可能な炭素−炭素不飽和結合を有する化合物、(B)主鎖骨格に一般式(2)で示される構造を含み、かつ少なくとも1つの一般式(3)で示される官能基を有する化合物、(C)充填材を必須成分とすることを特徴とする樹脂組成物。
Figure 2005314555
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(A) A compound having a structure represented by the general formula (1) in the main chain skeleton and having at least two radical-polymerizable carbon-carbon unsaturated bonds, (B) a main chain skeleton represented by the general formula (2) A resin composition comprising the structure shown and having at least one functional group represented by general formula (3) and (C) a filler as an essential component.
Figure 2005314555
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一般式(1)で示される繰り返し単位のR1がテトラメチレン基である請求項1記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1 , wherein R 1 of the repeating unit represented by the general formula (1) is a tetramethylene group. 一般式(1)で示される繰り返し単位のR1がメチルエチレン基である請求項1記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1 , wherein R 1 of the repeating unit represented by the general formula (1) is a methylethylene group. 化合物(A)がジ(メタ)アクリレートである請求項1、2又は3記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1, 2 or 3, wherein the compound (A) is di (meth) acrylate. 一般式(2)で示される繰り返し単位のR2がメチルエチレン基である請求項1、2、3又は4記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1, 2, 3 or 4, wherein R 2 of the repeating unit represented by the general formula (2) is a methylethylene group. 一般式(3)のR3及びR4がともにメチル基である請求項1、2、3、4又は5記載の樹脂組成物。 6. The resin composition according to claim 1, wherein R 3 and R 4 in the general formula (3) are both methyl groups. 一般式(3)のnが2である請求項1、2、3、4、5又は6記載の樹脂組成物。 7. The resin composition according to claim 1, wherein n in the general formula (3) is 2. 充填材が銀粉である請求項1、2、3、4、5、6又は7記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1, 2, 3, 4, 5, 6 or 7, wherein the filler is silver powder. 請求項1〜8のいずれか1項に記載の樹脂組成物をダイアタッチ材料あるいはヒートシンクアタッチ材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device manufactured using the resin composition according to claim 1 as a die attach material or a heat sink attach material.
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