JP2005311245A - Method for forming via hole - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、多層プリント配線板のビアホール形成方法に関し、特に、ビアフィリングめっきによるビアホール形成方法に関するものである。 The present invention relates to a method for forming a via hole in a multilayer printed wiring board, and more particularly to a method for forming a via hole by via filling plating.
近年の電子機器は、高周波信号、デジタル化等に加え、小型、軽量化が進み、それに伴い、電子機器に搭載されるプリント配線板においても、小型、高密度実装化を要求されている。 In recent years, electronic devices have become smaller and lighter in addition to high-frequency signals, digitization, and the like, and accordingly, printed wiring boards mounted on electronic devices are also required to be small and high-density.
絶縁層、導体層を1層ずつ積み上げて多層配電層を形成するビルドアップ多層配線板は、プリント配線板の高密度実装化に大きく貢献するものである。 A build-up multilayer wiring board in which an insulating layer and a conductor layer are stacked one by one to form a multilayer power distribution layer greatly contributes to high-density mounting of a printed wiring board.
ビルドアップ多層配線板の製造方法は、コア基材絶縁層の表層に絶縁層をビルドアップ形成し、その絶縁層にレーザ光照射等により穴あげを施した後、銅めっきを表層に施すことによって層間導通を得るビアホールと、表層配線層を形成する工程を繰り返して多層プリント配線板を製造するもの(工法)である(例えば、非特許文献1)。 The build-up multilayer wiring board is manufactured by forming an insulating layer on the surface layer of the core base insulating layer, applying holes to the insulating layer by laser light irradiation, etc., and then applying copper plating to the surface layer. A multilayer printed wiring board is manufactured (construction method) by repeating a process of forming a via hole for obtaining interlayer conduction and a surface wiring layer (for example, Non-Patent Document 1).
この工法による特徴的なビアホールによって、ビルドアップ多層配線板は、層間導通部分の自由な配置を可能とし、携帯電話等、さまざまなモバイル機器の高密度実装用基板に適用されている。 Due to the characteristic via hole by this construction method, the build-up multilayer wiring board enables free placement of interlayer conductive portions and is applied to high-density mounting substrates of various mobile devices such as mobile phones.
しかしながら、この工法において、導電層として、通常の硫酸銅めっきによって銅箔層を形成する場合には、図3に示すように、ビアホール105は表面が凹んだ形状となるために、ビアホール105の直上に、さらにビアホールを設けるビア・オン・ビアを構成することや、ビアホール105の直上にICチップ等の部品を実装することが困難であり、配線の自由度において要求を充分に満足できないことが出てきた。
However, in this construction method, when a copper foil layer is formed as a conductive layer by ordinary copper sulfate plating, the
なお、図3において、101はコア基材絶縁層を、102はコア基材絶縁層101に形成されたコア基材導体層を、103はコア基材絶縁層101の表層に形成されたビルドアップ絶縁層を、104はめっきによってビルドアップ絶縁層103の表層に形成された銅箔層を示している。
In FIG. 3, 101 is a core base insulating layer, 102 is a core base conductor layer formed on the core
そこで、近年、ビアホール内を銅めっきによって充填するビアフィルめっきと云う技術が発表されてきた(例えば、特許文献1)。 Therefore, in recent years, a technique called via fill plating for filling the via hole with copper plating has been announced (for example, Patent Document 1).
ビアフィルめっきは、硫酸銅めっき浴中に、めっき成長を抑制する抑制剤と、めっき成長を促進する促進剤とを添加して行うものである。 Via fill plating is performed by adding an inhibitor that suppresses plating growth and an accelerator that promotes plating growth to a copper sulfate plating bath.
抑制剤は、物質の拡散則に伴い、ビアホール内部には吸着し難く、基板表面には吸着し易いことを応用して、ビアホール内部と比較して基板表面のめっき成長速度を遅くすることで、ビアホール内部を銅によって充填させる効果があると云われている。 Inhibitors are difficult to adsorb inside the via hole and easily adsorb to the substrate surface due to the diffusion law of the substance, and by slowing the plating growth rate on the substrate surface compared to the inside of the via hole, It is said that the via hole is filled with copper.
促進剤は、ビアホールの底面、側面、基板表面に、一様に吸着し、続いて、ビアホール内部ではめっきの成長に伴い、表面積が減少していき、ビアホール内の促進剤の分布が密になることを利用して、ビアホール内部のめっき速度が基板表面のめっき速度より速くなり、ビアホール内部を銅によって充填させると云われている。 The promoter is uniformly adsorbed on the bottom surface, side surface, and substrate surface of the via hole. Subsequently, the surface area of the via hole decreases with the growth of plating, and the distribution of the promoter in the via hole becomes dense. By utilizing this, it is said that the plating speed inside the via hole becomes faster than the plating speed on the substrate surface, and the inside of the via hole is filled with copper.
一般的には、これら抑制剤と促進剤は、ひとつのめっき浴内に適度な配合で混合されているものであり、両者の効果によってビアホール内部を銅によって充填することが可能となる。 In general, the inhibitor and the accelerator are mixed in an appropriate composition in one plating bath, and the inside of the via hole can be filled with copper by the effect of both.
上記のメカニズムによってビアホール内部を銅で完全に充填し、導体パターンを形成するため、ビアホールの径や体積(内容積)など、ビアホールの形状によって、ビア内のめっき成長速度が異なる。 Since the via hole is completely filled with copper by the above mechanism to form a conductor pattern, the plating growth rate in the via varies depending on the shape of the via hole, such as the diameter and volume (internal volume) of the via hole.
そのため、一つの基板において、ビアホールの形状が大きなばらつきを持っていたり、異なる径のビアホールが混在している場合などには、一つの基板のすべてのビアホール内を、ビアフィルめっき金属(銅)によって一様に充填することが困難である。 For this reason, when the via hole shape varies greatly in one substrate or via holes of different diameters are mixed, all the via holes in one substrate are all integrated with via fill plating metal (copper). Is difficult to fill.
このため、図4(a)に示されているように、ビアホール内部に銅が完全に充填されず、導体パターンを形成する基板表面のめっき銅206に対してビアホール105のめっき銅(ビアフィルめっき部)207が凹んだ形状になったり、図4(b)に示されているように、ビアホール105のめっき銅208が凸状に膨らんだ形状になり、基板表面のめっき層の表面とビアホール内部(ビアホール直上部分)のめっき金属の表面とを、面一、平滑にすることができない。
For this reason, as shown in FIG. 4A, the copper inside the via hole is not completely filled, and the plated copper (via fill plated portion) of the
このことは、ビアホール直上にビアホールを設けるビア・オン・ビアや、ビアホール直上に部品を実装するチップ・オン・ビアの妨げとなり、ビアフィルめっきの有用性を大きく阻害する。 This hinders the via-on-via that provides a via hole immediately above the via-hole and the chip-on-via that mounts a component directly above the via-hole, and greatly impedes the usefulness of via fill plating.
なお、図101においても、101はコア基材絶縁層を、102はコア基材絶縁層101に形成されたコア基材導体層を、103はコア基材絶縁層101の表層に形成されたビルドアップ絶縁層を示している。
この発明が解決しようとする課題は、ビア形状にばらつきが大きい場合や、異なるビア径のビアホールが混在した基板にビアフィルめっきを適用することによって発生するビアホール直上部分の凹凸を緩和し、基板表面のめっき層の表面とビアホール内部(ビアホール直上部分)のめっき金属の表面との面一、平滑性を改善し、ビア形状にばらつきが大きい場合や、異なるビア径のビアホールが混在した基板でも、ビア・オン・ビアや、ビアホール直上に部品を実装することを確実に可能にすることである。 The problem to be solved by the present invention is to alleviate the unevenness of the portion directly above the via hole generated by applying via fill plating to a substrate mixed with via holes having different via diameters when the via shape varies widely, The surface of the plating layer and the surface of the plated metal inside the via hole (immediately above the via hole) improve the smoothness, and even if the via shape varies widely, or even if there is a mixture of via holes with different via diameters, This is to ensure that components can be mounted on vias or directly above via holes.
この発明によるプリント配線板のビアホール形成方法は、絶縁層の少なくとも一方の側に導体層を有する基板の前記絶縁層に前記導体層が露出する有底のビアホール内にめっきを施して当該ビアホール内をめっき金属により充填するビアフィリングめっきによるビアホール形成方法において、前記基板の前記絶縁層に前記導体層が露出する有底のビアホールを形成する穴明け工程と、前記絶縁層の表面と前記ビアホールの側面にめっき給電用導電層を形成する給電用導電層形成工程と、前記めっき給電用導電層を給電電極として、めっき抑制剤あるいはめっき促進剤の少なくとも何れか一方を添加されためっき浴によって前記絶縁層の表面と前記ビアホール内に電解めっきを施す電解めっき工程と、前記電解めっき工程によって形成されためっき金属による基板表面を、めっき金属を溶解する薬液によってエッチングし、基板表面の凹凸を低減する平滑化エッチング工程とを含む。 According to the method of forming a via hole in a printed wiring board according to the present invention, plating is performed on the bottomed via hole where the conductor layer is exposed on the insulating layer of the substrate having the conductor layer on at least one side of the insulating layer, and the inside of the via hole is formed. In a via hole forming method by via filling plating filled with plating metal, a drilling step of forming a bottomed via hole in which the conductor layer is exposed in the insulating layer of the substrate, and a surface of the insulating layer and a side surface of the via hole are formed. Forming a conductive layer for feeding power by forming a conductive layer for feeding power; and using the plating feeding conductive layer as a feeding electrode, a plating bath to which at least one of a plating inhibitor or a plating accelerator is added. An electrolytic plating process in which electrolytic plating is performed on the surface and the via hole, and the electrolytic plating process. The substrate surface by vapor metal, etched by a chemical solution that dissolves the plating metal, and a smoothing etching step of reducing the unevenness of the substrate surface.
この発明によるビアホール形成方法における前記穴明け工程は、径の異なる複数個のビアホールを形成する工程である。これにより、一つの基板に、異なるビア径のビアホールが混在することになる。 In the via hole forming method according to the present invention, the drilling step is a step of forming a plurality of via holes having different diameters. Thereby, via holes having different via diameters are mixed in one substrate.
この発明によるビアホール形成方法における前記平滑化エッチング工程は、めっき金属を溶解する薬液を前記めっき工程によって形成されためっき金属による基板表面に吹き付ける工程である。 The smoothing etching step in the via hole forming method according to the present invention is a step of spraying a chemical solution for dissolving the plating metal onto the substrate surface of the plating metal formed by the plating step.
この発明によるビアホール形成方法では、前記電解めっき工程は銅の電解めっきを行い、前記平滑化エッチング工程においてめっき金属を溶解する薬液として第二塩化鉄を含む水溶液を用いる。 In the via hole forming method according to the present invention, the electrolytic plating step performs electrolytic plating of copper, and an aqueous solution containing ferric chloride is used as a chemical solution for dissolving the plating metal in the smoothing etching step.
この発明によるビアホール形成方法は、平滑化エッチング工程で、めっき金属を溶解する薬液によってエッチングし、基板表面の凹凸を低減するから、ビア形状にばらつきが大きい場合や、異なるビア径のビアホールが混在した基板にビアフィルめっきを適用することによって発生するビアホール直上部分の凹凸が緩和される。 In the method of forming a via hole according to the present invention, in the smoothing etching process, etching is performed with a chemical solution that dissolves the plating metal, and the unevenness of the substrate surface is reduced. Therefore, when the via shape varies greatly, or via holes having different via diameters are mixed. Unevenness in the portion immediately above the via hole generated by applying via fill plating to the substrate is alleviated.
これにより、基板表面のめっき層の表面とビアホール内部(ビアホール直上部分)のめっき金属の表面との面一、平滑性が改善され、ビア形状にばらつきが大きい場合や、異なるビア径のビアホールが混在した基板でも、ビア・オン・ビアや、ビアホール直上に部品を実装することが確実に可能になる。 This improves the flatness and smoothness between the surface of the plating layer on the substrate surface and the surface of the plated metal inside the via hole (immediately above the via hole), and when there are large variations in via shapes, or via holes with different via diameters are mixed. Even with this board, it is possible to reliably mount components on vias and via holes.
この発明によるビアホール形成方法を適用したプリント配線板の製造方法の一つ実施形態を、図1(a)〜(g)を参照して説明する。 One embodiment of a printed wiring board manufacturing method to which a via hole forming method according to the present invention is applied will be described with reference to FIGS.
図1(a)に示されているように、出発材料として、絶縁層11の両面に銅回路12、13が形成されたガラスエポキシ基板10を用意した。
As shown in FIG. 1A, a
この基板は、銅張りポリイミド基板、銅張りポリエステル基板、銅張りポリエーテルイミド基板、銅張り液晶ポリマー基板、ガラスクロス、カラスマット、合成繊維などの基材と熱硬化性樹脂からなる銅張りフェノール基板、銅張り紙エポキシ基板、銅張り紙ポリエステル基板、銅張りガラスポリイミド基板などを使用してもよい。また、両面プリント基板ではなく、多層プリント配線板を使用してもよい。 This substrate is a copper-clad polyimide substrate, copper-clad polyester substrate, copper-clad polyetherimide substrate, copper-clad liquid crystal polymer substrate, glass cloth, crow mat, synthetic fiber, etc. and a copper-clad phenolic substrate made of thermosetting resin A copper-clad paper epoxy substrate, a copper-clad paper polyester substrate, a copper-clad glass polyimide substrate, or the like may be used. Moreover, you may use a multilayer printed wiring board instead of a double-sided printed circuit board.
つぎに、図1(b)に示されているように、ガラスエポキシ基板10の表裏両面に、エポキシ系層間絶縁シート14、15を貼り合わせ、基材16を得た。
Next, as shown in FIG. 1B, epoxy
この層間絶縁層としては、エポキシ系層間絶縁シートに限られず、ポリイミドや、ガラスエポキシ、エポキシ含浸アラミド不織布、オレフィン系絶縁シート等も使用できる。また、この絶縁層の形成は、貼り合わせ法だけではなく、エポキシやポリイミド等のワニスを塗布し、乾燥させて形成することもできる。 The interlayer insulating layer is not limited to the epoxy interlayer insulating sheet, and polyimide, glass epoxy, epoxy-impregnated aramid nonwoven fabric, olefin insulating sheet, and the like can also be used. The insulating layer can be formed not only by a bonding method but also by applying a varnish such as epoxy or polyimide and drying it.
次に、図1(c)に示されているように、穴明け工程として、基材16のエポキシ系層間絶縁シート(絶縁層)14、15の各々に、炭酸ガスレーザによって、異なるビア径のビアホール17、18を穿設し、02 プラズマ照射によってスミアを除去する。ビアホール17は底面での直径を100μm、ビアホール18は底面での直径を50μmとした。
Next, as shown in FIG. 1C, as a drilling step, via holes having different via diameters are formed on each of the epoxy-based interlayer insulating sheets (insulating layers) 14 and 15 of the substrate 16 by a carbon dioxide gas laser. 17, 18 and drilled to remove the smear by 0 2 plasma irradiation. The
ビアホール17、18の穴明け加工には炭酸ガスレーザーを使用したが、これは、もちろん、UV−YAGレーザや、各種エキシマレーザを用いることもできる。また、デスミア工程にはプラズマデスミアを適用したが、これも過マンガン酸塩などによる湿式デスミアも適用できる。
A carbon dioxide gas laser is used for drilling the
ついで、図1(d)に、示されているように、給電用導電層形成工程として、化学銅めっきによってエポキシ系層間絶縁シート(絶縁層)14、15の各々の表面とビアホール17、18の内面にめっき給電用導電層19、20を設ける。その後、電解めっき工程として、めっき給電用導電層19、20を給電電極とし、添加剤として抑制剤と硫黄系化合物による促進剤とを含むビアフィル用めっき浴に基材全体を浸潰して電解銅めっきを行った。
Next, as shown in FIG. 1 (d), as a conductive layer forming process for power feeding, the surfaces of the epoxy-based interlayer insulating sheets (insulating layers) 14 and 15 and the
この電解銅めっきは、ビア径が100μmのビアホール17の直上が、その周辺とほぼ平滑になる時間分、給電することで終了した。
This electrolytic copper plating was completed by supplying power for a time during which the portion directly above the
このときの基板表面のめっき銅21、22のめっき厚は17μm程度で、ビアホール17に充填されためっき銅23の表面23Aとめっき銅21、22の表面21A、22Aとは面一(平滑)になった。
At this time, the plating thickness of the
これに対し、ビア径が50μmのビアホール18は、ビア径が100μmのビアホール17に比べて容積が小さいため、過剰なビアフィルめっき形状となり、ビアホール18に充填されためっき銅24は、めっき銅21、22の表面21A、22Aより5μm程度突出した突起形状部25を含む形状となった。
On the other hand, the via
つぎに、平滑化エッチング工程として、図1(e)に、矢印Eで示されているように、基板表面に、第二塩化鉄(FeCl3 )を含有する水溶液を、面直に吹き付け、基板表面の平坦な部分(基板表面のめっき銅21、22の部分)を8μm程度エッチングした。
Next, as a smoothing etching step, as shown by an arrow E in FIG. 1 (e), an aqueous solution containing ferric chloride (FeCl 3 ) is sprayed on the surface of the substrate in a straight line. The flat part of the surface (the parts of the plated
このエッチングにおいて、ビアホール18に充填されためっき銅24の突起形状部25は、エッチング液と接触する面積が、平坦部(めっき銅21、22の表面21A、22A)に比べて大きいため、エッチングが優先的に進行し、突起形状部25の突起を2μm以内まで低減することができた。図1(f)は、この平滑化エッチング後の状態を示している。
In this etching, the protrusion-shaped
ついで、図1(g)に示されているように、基板表面のめっき銅(銅箔)21、22およびめっき給電用導電層19、20をエッチングし、サブトラクティブ法によって回路形成を施し、プリント配線板30を得た。
Next, as shown in FIG. 1 (g), the plated copper (copper foils) 21 and 22 and the plating power supply
上述したように、平滑化エッチング工程によって基板表面の凸部(突起形状部25)を低減するから、基板表面のめっき層の表面とビアホール内部(ビアホール直上部分)のめっき金属の表面との面一、平滑性が改善され、ビア形状にばらつきが大きい場合や、異なるビア径のビアホール17、18が混在した基板でも、ビア・オン・ビアや、ビアホール直上に部品を実装することが可能になる。
As described above, since the convex portion (projection shape portion 25) on the substrate surface is reduced by the smoothing etching step, the surface of the plating layer on the substrate surface is flush with the surface of the plated metal inside the via hole (a portion immediately above the via hole). Smoothness is improved, and it is possible to mount a component on a via-on-via or just above a via hole even when the via shape has a large variation, or even on a board in which via
この発明によるビアホール形成方法を適用したプリント配線板の製造方法の他の実施形態を、図2(a)〜(g)を参照して説明する。 Another embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board to which the via hole forming method according to the present invention is applied will be described with reference to FIGS.
図2(a)に示されているように、出発材料として、絶縁層51の両面に銅回路52、53が形成されたガラスエポキシ基板50を用意した。
As shown in FIG. 2A, a glass epoxy substrate 50 having
この基板も、銅張りポリイミド基板、銅張りポリエステル基板、銅張りポリエーテルイミド基板、銅張り液晶ポリマー基板、ガラスクロス、カラスマット、合成繊維などの基材と熱硬化性樹脂からなる銅張りフェノール基板、銅張り紙エポキシ基板、銅張り紙ポリエステル基板、銅張りガラスポリイミド基板などを使用できる。また、両面プリント基板ではなく、多層プリント配線板を使用してもよい。 This substrate is also copper-clad polyimide substrate, copper-clad polyester substrate, copper-clad polyetherimide substrate, copper-clad liquid crystal polymer substrate, glass cloth, crow mat, synthetic fiber, etc. and copper-clad phenolic substrate made of thermosetting resin A copper-clad paper epoxy substrate, a copper-clad paper polyester substrate, a copper-clad glass polyimide substrate, or the like can be used. Moreover, you may use a multilayer printed wiring board instead of a double-sided printed circuit board.
つぎに、図2(b)に示されているように、ガラスエポキシ基板50の表裏両面に、エポキシ系層間絶縁シート54、55を貼り合わせ、基材56を得た。
Next, as shown in FIG. 2B, epoxy-based
この層間絶縁層も、エポキシ系層間絶縁シートに限られず、ポリイミドや、ガラスエポキシ、エポキシ含浸アラミド不織布、オレフィン系絶縁シート等も使用できる。また、この絶縁層の形成は、貼り合わせ法だけではなく、エポキシやポリイミド等のワニスを塗布し、乾燥させて形成することもできる。 The interlayer insulating layer is not limited to the epoxy interlayer insulating sheet, and polyimide, glass epoxy, epoxy-impregnated aramid nonwoven fabric, olefin insulating sheet, and the like can be used. The insulating layer can be formed not only by a bonding method but also by applying a varnish such as epoxy or polyimide and drying it.
次に、図2(c)に示されているように、穴明け工程として、基材56のエポキシ系層間絶縁シート(絶縁層)54、55の各々に、炭酸ガスレーザによって、異なるビア径のビアホール57、58を穿設し、02 プラズマ照射によってスミアを除去する。ビアホール57は底面での直径を100μm、ビアホール58は底面での直径を50μmとした。
Next, as shown in FIG. 2C, as a drilling step, via holes having different via diameters are formed on each of the epoxy-based interlayer insulating sheets (insulating layers) 54 and 55 of the base material 56 by a carbon dioxide gas laser. 57 and 58 drilled to remove the smear by 0 2 plasma irradiation. The via
ビアホール57、58の穴明け加工には炭酸ガスレーザーを使用したが、これは、もちろん、UV−YAGレーザや、各種エキシマレーザを用いることもできる。また、デスミア工程にはプラズマデスミアを適用したが、これも過マンガン酸塩などによる湿式デスミアも適用できる。 A carbon dioxide gas laser is used for drilling the via holes 57 and 58, but it is of course possible to use a UV-YAG laser or various excimer lasers. In addition, plasma desmear is applied to the desmear process, but wet desmear using permanganate or the like can also be applied.
ついで、図2(d)に、示されているように、給電用導電層形成工程として、化学銅めっきによってエポキシ系層間絶縁シート(絶縁層)54、55の各々の表面とビアホール57、58の内面にめっき給電用導電層59、60を設ける。その後、電解めっき工程として、めっき給電用導電層59、60を給電電極とし、添加剤として抑制剤と硫黄系化合物による促進剤とを含むビアフィル用めっき浴に基材全体を浸潰して電解銅めっきを行った。
Next, as shown in FIG. 2 (d), the surface of each of the epoxy-based interlayer insulating sheets (insulating layers) 54 and 55 and the via holes 57 and 58 are formed by chemical copper plating as a conductive layer forming process for feeding.
この電解銅めっきは、ビア径が50μmのビアホール58の直上が、その周辺とほぼ平滑になる時間分、給電することで終了した。
This electrolytic copper plating was completed by supplying power for a time period in which the portion directly above the via
このときの基板表面のめっき銅61、62のめっき厚は12μm程度で、ビアホール58に充填されためっき銅64の表面64Aとめっき銅61、62の表面61A、62Aとは面一(平滑)になった。
At this time, the plating thickness of the plated
これに対し、ビア径が100μmのビアホール57は、ビア径が50μmのビアホール58に比べて容積が大きいため、不足したビアフィルめっき形状となり、ビアホール57に充填されためっき銅63は、めっき銅61、62の表面61A、62Aより3μm程度突出した凹形状部65を含む形状となった。
On the other hand, the via
つぎに、平滑化エッチング工程として、図2(d)に、矢印Eで示されているように、基板表面に、第二塩化鉄(FeCl3 )を含有する水溶液を、面直に吹き付け、基板表面の平坦な部分(基板表面のめっき銅61、62の部分)を5μm程度エッチングした。
Next, as a smoothing etching step, an aqueous solution containing ferric chloride (FeCl 3 ) is sprayed on the substrate surface as shown by an arrow E in FIG. A flat portion on the surface (plated
このエッチングのエッチング液として、実施形態1の場合に比して、比重が高く、粘性が高いものを使用したため、凹形状部65でのエッチング液の拡散(物質移動)が起こり難く、凹形状部65に比して平坦部(めっき銅61、62の表面61A、62A)のエッチングが優先的に進行し、凹形状部65の凹みを2μm以内まで低減することができた。図2(f)は、この平滑化エッチング後の状態を示している。
As the etching solution for this etching, the one having a higher specific gravity and higher viscosity than the case of the first embodiment is used, so that the diffusion (mass transfer) of the etching solution in the recessed
ついで、図2(g)に示されているように、基板表面のめっき銅(銅箔)61、62およびめっき給電用導電層59、60をエッチングし、サブトラクティブ法によって回路形成を施し、プリント配線板70を得た。
Next, as shown in FIG. 2 (g), the plated copper (copper foil) 61 and 62 and the plating power supply
上述したように、平滑化エッチング工程によって基板表面の凹部(凹形状部65)を低減するから、基板表面のめっき層の表面とビアホール内部(ビアホール直上部分)のめっき金属の表面との面一、平滑性が改善され、ビア形状にばらつきが大きい場合や、異なるビア径のビアホール57、58が混在した基板でも、ビア・オン・ビアや、ビアホール直上に部品を実装することが可能になる。
As described above, since the concave portion (concave portion 65) on the substrate surface is reduced by the smoothing etching step, the surface of the plating layer on the substrate surface is flush with the surface of the plated metal inside the via hole (portion directly above the via hole). The smoothness is improved, and it is possible to mount a component on a via-on-via or just above the via hole even when the via shape has a large variation, or even on a substrate in which via
10 ガラスエポキシ基板
11 絶縁層
12、13 銅回路
14、15 エポキシ系層間絶縁シート
16 基材
17、18 ビアホール
19、20 めっき給電用導電層
21、22、23、24 めっき銅
25 突起形状部
30 多層プリント基板
50 ガラスエポキシ基板
51 絶縁層
52、53 銅回路
54、55 エポキシ系層間絶縁シート
56 基材
57、58 ビアホール
59、60 めっき給電用導電層
61、62、63、64 めっき銅
65 凹形状部
70 多層プリント基板
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記基板の前記絶縁層に前記導体層が露出する有底のビアホールを形成する穴明け工程と、
前記絶縁層の表面と前記ビアホールの側面にめっき給電用導電層を形成する給電用導電層形成工程と、
前記めっき給電用導電層を給電電極として、めっき抑制剤あるいはめっき促進剤の少なくとも何れか一方を添加されためっき浴によって前記絶縁層の表面と前記ビアホール内に電解めっきを施す電解めっき工程と、
前記電解めっき工程によって形成されためっき金属による基板表面を、めっき金属を溶解する薬液によってエッチングし、基板表面の凹凸を低減する平滑化エッチング工程と、
を含むビアホール形成方法。 A via hole forming method by via filling plating in which a bottomed via hole in which the conductor layer is exposed is plated on the insulating layer of a substrate having a conductor layer on at least one side of the insulating layer, and the via hole is filled with a plating metal In
Forming a bottomed via hole in which the conductor layer is exposed in the insulating layer of the substrate;
Forming a conductive layer for feeding power on the surface of the insulating layer and the side surface of the via hole;
An electroplating step of performing electroplating on the surface of the insulating layer and the via hole by a plating bath to which at least one of a plating inhibitor or a plating accelerator is added using the conductive layer for plating power supply as a power supply electrode;
Etching the substrate surface with the plating metal formed by the electrolytic plating step with a chemical solution that dissolves the plating metal, and a smoothing etching step for reducing irregularities on the substrate surface,
A via hole forming method including:
The via hole forming method according to any one of claims 1 to 3, wherein the electrolytic plating step performs electrolytic plating of copper, and an aqueous solution containing ferric chloride is used as a chemical solution for dissolving the plating metal in the smoothing etching step.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004129702A JP2005311245A (en) | 2004-04-26 | 2004-04-26 | Method for forming via hole |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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JP2005311245A true JP2005311245A (en) | 2005-11-04 |
Family
ID=35439621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004129702A Pending JP2005311245A (en) | 2004-04-26 | 2004-04-26 | Method for forming via hole |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2005311245A (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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2004
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