JP2005310704A - Beam accelerator for ion mass separator - Google Patents
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本発明は、イオン質量分離装置のビーム加速装置に関し、特に減速電極の印加電圧を低くしても下流の電子が加速空間に侵入するのを防止することができ、且つ下流のイオンが減速電極に衝突して加速空間に新たな電子が発生する問題を防止すると共に、減速電極の印加電圧で加速されて下流側へ侵入する電子のエネルギを低減できるようにしたイオン質量分離装置のビーム加速装置に関するものである。 The present invention relates to a beam accelerator for an ion mass separator, and in particular, it is possible to prevent downstream electrons from entering the acceleration space even if the applied voltage of the deceleration electrode is lowered, and downstream ions to the deceleration electrode. The present invention relates to a beam acceleration device for an ion mass separation device that can prevent a problem that new electrons are generated in an acceleration space due to a collision, and can reduce energy of electrons that are accelerated by a voltage applied to a deceleration electrode and enter downstream. Is.
従来より、電気的に活性な元素を半導体に添加したり、或いは基材に対して接着が困難な材料を接着するために接着材料の原子を基材に添加するような場合には、イオンドーピング(注入)装置が使用されている。 Conventionally, when an electrically active element is added to a semiconductor, or when an atom of an adhesive material is added to a substrate in order to adhere a material that is difficult to adhere to the substrate, ion doping is performed. An (injection) device is used.
イオンドーピングを行うには、プラズマ発生装置で材料ガスをプラズマ化し、プラズマのイオン(荷電粒子)を加速してそのイオンビームを被処理材に注入している。イオンビームを発生するための材料ガスとしては、水素希釈のホスフィン(PH3)、ジボラン(B2H6)等が用いられるが、プラズマ発生装置では所望のPHx、B2Hx以外に、Hx、P2Hx、BHx等の異なるイオン種の不要イオンも発生し、プラズマ発生装置からはこれらイオン種の混合ビームが引出される。 In order to perform ion doping, a material gas is converted into plasma by a plasma generator, plasma ions (charged particles) are accelerated, and an ion beam is injected into a material to be processed. As a material gas for generating an ion beam, hydrogen diluted phosphine (PH 3 ), diborane (B 2 H 6 ) or the like is used. In the plasma generator, in addition to desired PH x and B 2 H x , Unnecessary ions of different ion species such as H x , P 2 H x , and BH x are also generated, and a mixed beam of these ion species is extracted from the plasma generator.
このように種々のイオン種が混合したイオンビームをそのまま加速して被処理材に注入することも行われているが、所望イオン種以外の不要イオン種が混合したイオンビームを注入した場合には、注入によるP、Bの注入深さ分布が不均一になる問題があり、更に、被処理材に余分な熱負荷を与えるといった問題がある。このため、不要イオン種は除去することが望まれる。また、幅広の被処理材にイオンビームの注入が行えるようにすることによって生産性の向上を図ることも望まれている。 In this way, the ion beam mixed with various ion species is accelerated as it is and injected into the material to be processed. However, when an ion beam mixed with unnecessary ion species other than the desired ion species is injected, There is a problem that the implantation depth distribution of P and B by the implantation becomes non-uniform, and there is a problem that an extra heat load is applied to the material to be processed. For this reason, it is desirable to remove unnecessary ionic species. It is also desired to improve productivity by enabling ion beam implantation to a wide workpiece.
このため、大口径、特に幅広のイオンビームを湾曲させてイオンの質量分離を行わせることにより幅広で安定した特性のイオンビームを得るようにしたイオン質量分離装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 For this reason, an ion mass separation apparatus has been proposed in which an ion beam having a wide and stable characteristic is obtained by bending a large aperture, particularly a wide ion beam, to perform ion mass separation (for example, patents). Reference 1).
図5は前記特許文献1におけるイオン質量分離装置1の概要を示す斜側面図、図6は図5の側面図であり、このイオン質量分離装置1は、両端に入口部2と出口部3を有して湾曲し、内部に断面長方形の質量分離空間4が形成されたイオン偏向ケーシング5を備えており、図5のイオン偏向ケーシング5は入口部2と出口部3が90゜の角度になるように大角度で湾曲している。前記イオン偏向ケーシング5の外部には、前記入口部2と出口部3を通るようにイオン偏向ケーシング5の曲りに沿ってイオン偏向ケーシング5の幅方向に導体6xを巻いて空芯励磁電流路6を形成している。この空芯励磁電流路6に電流を流して磁場を形成するようになっている。また、前記イオン偏向ケーシング5の例えば幅方向端部の内面には、電子を供給して空間電荷を中和することによりイオンビームの発散を抑制するための中和電子供給体7(例えばフィラメント)が配置されている。
FIG. 5 is an oblique side view showing an outline of the
前記入口部2の外部前方にはプラズマ発生装置8が設けてあり、該プラズマ発生装置8は材料ガスをプラズマ化してイオンを生成させる。また、前記イオン偏向ケーシング5の入口部2とプラズマ発生装置8との間における入口部2の導体6aと重なる位置には引込み電極9が配置されている。この引込み電極9には、前記空芯励磁電流路6の筺体電圧(例えば50キロボルト)より高い電圧(例えば50キロボルト+200ボルト)の電圧が印加されており、この電位差によって前記プラズマ発生装置8のプラズマによって生成したイオンが質量分離に必要な速度に加速されてイオン偏向ケーシング5内に引込まれるようになっている。このイオンビームは、幅方向(図6の紙面と直角方向)に広い幅を有してイオン偏向ケーシング5に導入される。
A
質量分離空間4に導入されたイオンビームは、空芯励磁電流路6による磁場の作用によりイオンの質量に応じて湾曲させられ、所望の質量のイオンビームは湾曲方向前後(図6の左右方向)の中心部に収束されて出口部3の導体6b間から外部に導出される。図5では水素希釈のホスフィン(PH3)を材料ガスとした場合の所望イオン(PHx +)を出口部3に導き、他の質量が小さいH+、H2 +、H3 +等の不要イオンは速く曲げられてイオン偏向ケーシングの内壁にぶつかることにより中性化し、また、所望イオンより質量が大きいP2Hx +等の不要イオンは曲り切れずにイオン偏向ケーシングの内壁に衝突して中性化される。
The ion beam introduced into the
前記出口部3の前後両側部(図6では左右両側部)には遮蔽部材10が設けられて前後幅が狭められた出口部3が形成されており、前記収束された所望イオンからなるイオンビームは狭められた出口部3の導体6b間から下流に導出されるようになっている。
On both the front and rear side portions (left and right side portions in FIG. 6) of the
空芯励磁電流路6の磁場により収束されて出口部3から取り出されるイオンビームは、図5〜図7に示す如く、長方形の大口径単口電極からなるビーム加速装置12によってイオンドーピングに必要な速度に加速されるようになっている。ビーム加速装置12は、例えば50キロボルトが印加されている出口部3の導体6bと、例えば−3キロボルトの電圧が印加された減速電極15と、0(ゼロ)ボルトの加速電極16により構成されており、上記導体6bと減速電極15と加速電極16により単口の加速空間17が形成されている。そして、イオンビームは前記導体6bと加速電極16の電位差によって加速空間17で下流に向けて加速され、イオン質量分離装置1の質量分離空間4と連通しているプロセス室13内に配置した被処理材14に注入されるようになっている。
The ion beam converged by the magnetic field of the air-core excitation
このとき、前記減速電極15は、負電位障壁を形成しており、これにより、図7に示す如く、下流側(被処理材14側)から加速空間17へ向かう負電荷の電子aを押し戻して、電子aが加速空間17に侵入するのを防止する作用を有している。図5〜図7中18は絶縁体である。
しかし、前記イオン質量分離装置1では、質量分離空間4において出口部3の湾曲方向前後中心(図6の左右中心)に向かって収束されるイオンビームは、前記加速空間17で再び広がる作用を有しており、更に前記イオンビームは前後にある幅を有して収束するために、前記ビーム加速装置12の加速空間17は比較的大きな前後幅Aを有している必要がある。
However, in the ion
従って、加速空間17の前後幅Aが大きいことにより、前記減速電極15の前後中心部分では電位が低くなってしまうために下部から加速空間17に向かう電子a(図7)の侵入抑制効果が低下し、そのために電子aが減速電極15の前後中間部を通って質量分離空間4に侵入し、この侵入した電子aが質量分離空間4内部の浮遊ガスに作用して出口部3の上部にプラズマPを生じさせてしまい、プラズマPにより新たな不要イオンが発生してイオンビームに混入する問題がある。
Accordingly, since the front-rear width A of the
この問題に対処するため、従来では前記減速電極15に、加速電極16の電圧より低い負の高電圧を印加し、これによって電子aが加速空間17内に侵入するのを防止している。しかし、このために減速電極15の高い印加電圧によって加速されて下流側へ飛行する高エネルギの電子が発生し、被処理材14より下流にあるビーム計測器(図示せず)に流入して計測を誤らせるという問題を有していた。
In order to cope with this problem, conventionally, a negative high voltage lower than the voltage of the
また、従来装置では、下流側(被処理材14側)に浮遊するイオンbが減速電極15に引き寄せられて衝突する際に新たな電子a’を生じる問題があり、この生成した電子a’は加速空間17内をイオンビームと逆流する方向に飛行し、質量分離空間4内の浮遊ガスに作用して出口部3の上部にプラズマPを生じさせ、このためにイオンビームに不要イオンが混入してしまう問題がある。即ち、従来装置ではイオン質量分離性能を高めることができなかった。また消費電力も増加する問題があった。
Further, in the conventional apparatus, there is a problem in that new electrons a ′ are generated when ions b floating on the downstream side (processed
図7の従来装置の構成をモデル化し、効果確認のための電場解析とビーム軌道解析を行った結果を図8、図9に示した。 FIG. 8 and FIG. 9 show the results of modeling the configuration of the conventional apparatus of FIG. 7 and performing an electric field analysis and a beam trajectory analysis for effect confirmation.
図8は、前記加速電極16の下流側(図8では右側の被処理材14側)のX位置にイオンbを置いた場合のイオンbの動きをシュミレーションした測定線図であり、正電荷を帯びたイオンbは負電位の減速電極15に引き寄せられて減速電極15に衝突して消失している。しかし、このようにイオンbが減速電極に引き寄せられて衝突する際に新たな電子a’を生成する問題がある。
FIG. 8 is a measurement diagram simulating the movement of the ion b when the ion b is placed at the X position downstream of the acceleration electrode 16 (on the right material to be processed 14 side in FIG. 8). The charged ions b are attracted to the
また、図9は、前記図8において減速電極15の表面Yに発生した電子a’の動きをシュミレーションした測定線図であり、負電荷の電子a’は、一部は下流側(図8では右側の被処理材14側)に飛行し、また、多量の電子a’が減速電極15によって収束されながら加速空間17内を上流側(図8では左側の質量分離空間4側)に逆流している。このように逆流した電子aは、質量分離空間4内の浮遊ガスに作用して図7のようなプラズマPを生じさせることになるため、イオンビームに不要イオンが混入する問題がある。また、下流側へ飛行する電子a’も、減速電極15の高い印加電圧によって加速され、このために高エネルギを持った電子a’が被処理材14より下流に設置される前記ビーム計測器に侵入して計測を誤らせるという問題がある。
FIG. 9 is a measurement diagram simulating the movement of the electron a ′ generated on the surface Y of the
本発明は、上記実情に鑑みてなしたもので、減速電極の印加電圧を低くしても下流の電子が加速空間に侵入するのを防止することができ、且つ下流のイオンが減速電極に衝突して加速空間に新たな電子が発生する問題を防止できると共に、減速電極の印加電圧を低くすることで下流側へ侵入する電子のエネルギを低減できるようにしたイオン質量分離装置のビーム加速装置を提供することを目的としてなしたものである。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and even if the applied voltage of the deceleration electrode is lowered, it is possible to prevent downstream electrons from entering the acceleration space, and downstream ions collide with the deceleration electrode. A beam accelerator for an ion mass separator that can prevent the generation of new electrons in the acceleration space and reduce the energy of electrons entering the downstream side by lowering the voltage applied to the deceleration electrode. It was made for the purpose of providing.
請求項1に記載の発明は、湾曲したイオン偏向ケーシングの外部に導体を巻いて空芯励磁電流路を形成し、イオン偏向ケーシングの一端の入口部からプラズマのイオンビームを導入し、空芯励磁電流路の磁場の作用によりイオンビームをイオンの質量に応じて湾曲させ、イオン偏向ケーシングの他端の出口部の導体とその下流に順次配置した減速電極及び加速電極により構成されるビーム加速装置を備えて、前記湾曲したイオンビームの所望の質量のイオンビームを加速して下流に取り出すようにしているイオン質量分離装置のビーム加速装置であって、前記減速電極と前記加速電極との間に、正電圧を印加した正イオン抑制電極を設置したことを特徴とするイオン質量分離装置のビーム加速装置、に係るものである。 According to the first aspect of the present invention, a conductor is wound around a curved ion deflection casing to form an air core excitation current path, and an ion beam of plasma is introduced from an inlet portion at one end of the ion deflection casing, thereby air core excitation. A beam accelerating device comprising an ion conductor that is bent according to the mass of ions by the action of a magnetic field in a current path and comprising a conductor at the outlet of the other end of the ion deflection casing, and a deceleration electrode and an accelerating electrode sequentially arranged downstream thereof. A beam accelerator for an ion mass separator that accelerates and extracts an ion beam of a desired mass of the curved ion beam downstream, between the deceleration electrode and the acceleration electrode, The present invention relates to a beam acceleration device for an ion mass separator, which is provided with a positive ion suppression electrode to which a positive voltage is applied.
請求項2に記載の発明は、前記減速電極が、前記正イオン抑制電極近傍における前記イオンビームが湾曲する方向の前後幅が大きく、正イオン抑制電極から上流側に離反するに従い前後幅が減少したテーパ形減速電極であることを特徴とする請求項1に記載のイオン質量分離装置のビーム加速装置、に係るものである。
According to a second aspect of the present invention, the deceleration electrode has a large front-rear width in the direction in which the ion beam is curved in the vicinity of the positive ion suppression electrode, and the front-rear width decreases as it moves away from the positive ion suppression electrode upstream. It is a taper type deceleration electrode, It concerns on the beam acceleration apparatus of the ion mass separator of
減速電極と加速電極との間に正イオン抑制電極を配置したので、下流側から加速空間へ向かう負電荷の電子を正イオン抑制電極によって効果的に吸収することができ、よって、減速電圧には従来より低い負電圧を印加するのみでよくなるため、減速電極の印加電圧によって加速されて、下流側へ飛行する電子のエネルギを低減できる効果がある。 Since the positive ion suppression electrode is arranged between the deceleration electrode and the acceleration electrode, negatively charged electrons traveling from the downstream side to the acceleration space can be effectively absorbed by the positive ion suppression electrode. Since it is only necessary to apply a lower negative voltage than in the prior art, there is an effect that the energy of electrons that are accelerated by the applied voltage of the deceleration electrode and fly downstream can be reduced.
更に、下流側に浮遊する正電荷を帯びたイオンは前記正イオン抑制電極によって押し戻され、これによりイオンが加速空間に侵入するのを防止できる効果がある。従って、従来のようにイオンが減速電極に引き寄せられて衝突する際に新たな電子を生じ、この電子が質量分離空間内の浮遊ガスに作用して出口部の上部にプラズマを生じさせて、イオンビームに不要イオンを混入させるといった問題の発生を防止できる効果がある。 Furthermore, positively charged ions floating on the downstream side are pushed back by the positive ion suppression electrode, thereby preventing the ions from entering the acceleration space. Therefore, when the ions are attracted to and collide with the deceleration electrode as in the conventional case, new electrons are generated, and these electrons act on the floating gas in the mass separation space to generate plasma at the upper part of the exit portion, thereby generating ions. There is an effect that it is possible to prevent the occurrence of problems such as mixing unnecessary ions into the beam.
また、正イオン抑制電極の上流側に備えられる減速電極を、下流端が大きな前後幅を有し、上流端が狭い前後幅となったテーパ形減速電極としたことにより、前記効果に加えて、加速空間に電子が逆流するのを抑制する作用を更に増強でき、且つ減速電極の印加電圧を更に低減できるという効果がある。 In addition to the above-described effect, the deceleration electrode provided on the upstream side of the positive ion suppression electrode is a tapered deceleration electrode having a large longitudinal width at the downstream end and a narrow longitudinal width at the upstream end. The effect of suppressing the backflow of electrons into the acceleration space can be further enhanced, and the applied voltage to the deceleration electrode can be further reduced.
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
図1は本発明のイオン質量分離装置のビーム加速装置の一例を示す概略切断側面図であり、前記図5〜図7と同一の構成部分には同じ符号を付して説明を省略する。図1に示すビーム加速装置19は、前記イオン偏向ケーシング5の出口部3の下流に配置している減速電極15と加速電極16との間に、正電圧を印加した正イオン抑制電極20を設置している。
FIG. 1 is a schematic cut side view showing an example of a beam accelerator of an ion mass separation apparatus of the present invention. The same components as those in FIGS. A
また、前記したように、例えば空芯励磁電流路6に50キロボルトの電圧を印加した場合において、前記減速電極15には例えば−1キロボルトのような低い負電圧を印加し、更に、前記正イオン抑制電極20には、例えば1キロボルトのような低い正電圧を印加するようにしている。
Further, as described above, when a voltage of 50 kilovolts is applied to the air-core excitation
以下に、図1の形態例の作用を説明する。 The operation of the embodiment shown in FIG. 1 will be described below.
前記負電位障壁を形成する減速電極15の下流側に正イオン抑制電極20を配置しているので、下流側(被処理材14側)から加速空間17へ向かう負電荷の電子aは、前記正イオン抑制電極20によって効果的に吸収されて消滅するようになる。
Since the positive
従って、下流側からの電子aを正イオン抑制電極20で吸収して加速空間17に侵入するのを防止できるので、前記減速電極15には例えば−1キロボルト程度の低い負電圧を印加するのみでよく、従来装置のように電子aを押し戻して加速空間17に侵入するのを防止するための高電圧が必要なくなるので、減速電極15の印加電圧によって加速されて下流側へ飛行する電子のエネルギを大幅に低減することができる。また、このとき、前記したように−1キロボルトの電圧を印加した減速電極15は、その電圧に応じた負電位障壁を形成しているので、例えば前記正イオン抑制電極20によって吸収されなかった電子aがあってもその電子aを押し戻して前記正イオン抑制電極20に吸収させられるという効果がある。
Accordingly, it is possible to prevent the electrons a from the downstream side from being absorbed by the positive
一方、下流側に浮遊する正電荷を帯びたイオンbは、図1の如く前記正イオン抑制電極20によって押し戻されるために、イオンbは加速空間17に侵入することができない。従って、従来のようにイオンbが減速電極15に引き寄せられて衝突する際に図7に示すような新たな電子a’を生じ、この電子a’が質量分離空間4内の浮遊ガスに作用して出口部3の上部にプラズマPを生じ、このためにイオンビームに不要イオンが混入するといった問題の発生を防止することができる。従って、結果的にイオン質量分離性能を大幅に向上できるようになる。
On the other hand, since the positively charged ions b floating on the downstream side are pushed back by the positive
図1に示す如く、減速電極15と加速電極16との間に正イオン抑制電極20を設置した構成をモデル化して、効果確認のための電場解析とビーム軌道解析を実施した結果を図2、図3に示した。
As shown in FIG. 1, the structure in which the positive
図2は、前記加速電極16の下流側(図2では右側の被処理材14側)のX位置にイオンbを置いた場合のイオンの動きをシュミレーションした測定線図であり、イオンbは正イオン抑制電極20の作用によって完全に被処理材14側へ押し戻されており、よって、イオンbが減速電極15に引き寄せられて加速空間17に侵入し、減速電極15に衝突して新たな電子a’(図8)を生じさせることによる問題の発生を確実に防止することができる。
FIG. 2 is a measurement diagram simulating the movement of ions when the ions b are placed at the X position downstream of the acceleration electrode 16 (on the
図3は、前記加速電極16の下流側(図3では右側の被処理材14側)のX位置に電子aを置いた場合の電子aの動きをシュミレーションした測定線図であり、電子aは全て正イオン抑制電極20に吸収されており、電子aが加速空間17内に侵入して逆流することを完全に防止している。
FIG. 3 is a measurement diagram simulating the movement of the electron a when the electron a is placed at the X position downstream of the acceleration electrode 16 (on the
図4は、本発明のイオン質量分離装置のビーム加速装置の他の例を示す概略切断側面図であり、このビーム加速装置19では、前記正イオン抑制電極20の上流側に配置される減速電極をテーパ形減速電極21とした場合を示している。テーパ形減速電極21は、正イオン抑制電極20近傍の下流端の前後幅が前記加速空間17の前後幅Aと同じ大きな間隔を有しており、正イオン抑制電極20から上流側に離反するに従い前後幅が減少して上流端では狭い前後幅Bとなっている。テーパ形減速電極21のテーパの一例を示すと、テーパ形減速電極21の下流端の前後幅Aが150ミリメートルである場合において、テーパ形減速電極21の上流端の前後幅Bが130ミリメートルになるように前後の壁を内側に傾斜させている。
FIG. 4 is a schematic cut side view showing another example of a beam accelerator of the ion mass separator of the present invention. In this
図4に示す如く正イオン抑制電極20の上流側に、下流端が大きな前後幅Aを有し、上流端が狭い前後幅Bとなったテーパ形減速電極21を設けた構成において、図2、図3と同様の電場解析とビーム軌道解析を実施したところ、下流側の電子aを押し戻す作用が増加した。従って、図4の形態によれば、図1の構成による効果に加えて、加速空間17に電子aが逆流するのを抑制する作用を更に増強でき、また同じ抑制作用を得るための減速電極15の印可電圧を低減できる効果がある。
As shown in FIG. 4, in a configuration in which a tapered deceleration electrode 21 having a large front-back width A at the downstream end and a narrow front-back width B at the upstream end is provided on the upstream side of the positive
なお、本発明のイオン質量分離装置のビーム加速装置は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。 It should be noted that the beam accelerator of the ion mass separation apparatus of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is needless to say that various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
1 イオン質量分離装置
2 入口部
3 出口部
5 イオン偏向ケーシング
6 空芯励磁電流路
6b 導体
12 ビーム加速装置
15 減速電極
16 加速電極
17 加速空間
19 ビーム加速装置
20 正イオン抑制電極
21 テーパ形減速電極
A 前後幅
B 前後幅
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