JP2005302889A - Semiconductor production device and manufacturing method for semiconductor device using it - Google Patents

Semiconductor production device and manufacturing method for semiconductor device using it Download PDF

Info

Publication number
JP2005302889A
JP2005302889A JP2004114398A JP2004114398A JP2005302889A JP 2005302889 A JP2005302889 A JP 2005302889A JP 2004114398 A JP2004114398 A JP 2004114398A JP 2004114398 A JP2004114398 A JP 2004114398A JP 2005302889 A JP2005302889 A JP 2005302889A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor
adhesive sheet
semiconductor element
manufacturing apparatus
sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004114398A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsutoshi Kojo
勝利 古城
Yusuke Fujita
祐介 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2004114398A priority Critical patent/JP2005302889A/en
Publication of JP2005302889A publication Critical patent/JP2005302889A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor production device capable of preventing the damage of a semiconductor element in a process in which the semiconductor element is picked up. <P>SOLUTION: The semiconductor production device has a heating section lowering an adhesion in a given region of a pressure-sensitive adhesive sheet holding the semiconductor element to be picked up by selectively heating the given region. The heating section is composed of a semiconductor laser element and an optical lens adjusting the irradiation range of laser beams so that the given region of the pressure-sensitive adhesive sheet is irradiated with laser beams emitted from the semiconductor laser element. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は、半導体製造装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法に関し、詳しくは、ダイシング後の半導体素子を粘着シートからピックアップするために用いられる半導体製造装置とそれを用いたピックアップ方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing method using the same, and more particularly to a semiconductor manufacturing apparatus used for picking up a semiconductor element after dicing from an adhesive sheet and a pickup method using the same.

この発明に関連する従来技術としては、基材フィルムの片面に粘着剤層が設けられた半導体ウエハダイシング用粘着テープにおいて、該粘着剤層が、約１５℃より狭い温度範囲にわたって起こる第１次溶融転移を持つポリマーを含有するポリマー組成物からなることを特徴とする半導体ウエハダイシング用テープが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開平９−２４９８５８号公報 As a prior art related to the present invention, in a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor wafer dicing provided with a pressure-sensitive adhesive layer on one side of a base film, the pressure-sensitive adhesive layer undergoes primary melting over a temperature range narrower than about 15 ° C. A semiconductor wafer dicing tape characterized by comprising a polymer composition containing a polymer having a transition is known (for example, see Patent Document 1).
Japanese Patent Laid-Open No. 9-249858

半導体素子は半導体ウエハ上に一括して形成された後に、隣接する素子間の切り代を縦横にダイシングし、各素子に分離することにより製造されている。
ダイシングによって分離された各半導体素子は粘着テープ上に貼り付けられた状態でダイボンド工程に搬送され、半導体素子毎にピックアップされ基板やリードフレーム上にダイボンドされる。 Semiconductor elements are manufactured by forming them on a semiconductor wafer in a lump and then dicing the margins between adjacent elements vertically and horizontally to separate them into each element.
Each semiconductor element separated by dicing is conveyed to a die bonding process in a state of being stuck on an adhesive tape, picked up for each semiconductor element, and die bonded onto a substrate or a lead frame.

ピックアップ工程において、各半導体素子は粘着シートの裏面側から鋭利なピンによって突き上げられ、突き上げられた半導体素子は真空吸着コレットなどのピックアップ手段によって粘着シートから引き剥がされ、実装すべき半導体装置の基板やリードフレーム上に移送される。   In the pickup process, each semiconductor element is pushed up by a sharp pin from the back side of the pressure-sensitive adhesive sheet, and the pushed-up semiconductor element is peeled off from the pressure-sensitive adhesive sheet by a pickup means such as a vacuum suction collet, and a semiconductor device substrate to be mounted or It is transferred onto the lead frame.

ところで、最近の半導体素子の実装形態としては、フリップチップ実装が多用されていることから、ピックアップ工程における各半導体素子は、ＰＮ接合や、集積回路が造り込まれた表面側が粘着シート上に貼り付けられている。
このため、ピックアップされる際にピンによって突き上げられると、突き上げの強さや突き上げ量（突き上げの高さ）によってはＰＮ接合や集積回路が損傷してしまう恐れがある。 By the way, as a recent semiconductor element mounting form, flip chip mounting is frequently used, so each semiconductor element in the pick-up process has a PN junction and the surface side on which the integrated circuit is built is attached on an adhesive sheet. It has been.
For this reason, if it is pushed up by a pin when picked up, the PN junction and the integrated circuit may be damaged depending on the push-up strength and push-up amount (push-up height).

そこで、ピンによる突き上げを不要とするか、或いは、突き上げ量を小さくするために、紫外光の照射によって粘着力が低下するＵＶテープを用いることが考えられる。
しかしながら、実際には、紫外光を照射することによってＵＶテープの粘着力を低下させても、ピンによる突き上げが不要となる程までに粘着力を低下させることは難しい。
そして、紫外光の照射によって粘着力が低下した状態にある粘着シート上からピンによる突き上げを行って半導体素子を順次ピックアップしていくと、ピックアップ工程の完了までに半導体素子の配列が乱れてしまい、結果的に歩留まりを低下させてしまう恐れがある。 In view of this, it is conceivable to use a UV tape whose adhesion is reduced by irradiation with ultraviolet light in order to eliminate the need for push-up by a pin or to reduce the push-up amount.
However, actually, even if the adhesive strength of the UV tape is reduced by irradiating with ultraviolet light, it is difficult to reduce the adhesive strength to such an extent that it is not necessary to push up with a pin.
And, when the semiconductor element is picked up sequentially by pushing up from the adhesive sheet in a state where the adhesive force is reduced by the irradiation of ultraviolet light, the arrangement of the semiconductor elements is disturbed by the completion of the pickup process, As a result, the yield may be reduced.

ピックアップすべき半導体素子を保持する所定の領域毎に紫外光を選択的に照射できれば、上述したような半導体素子の配列の乱れを防止できるかもしれないが、実際には紫外光を照射するＵＶランプの口径が半導体素子の寸法に比べて非常に大きいため、半導体素子を保持する領域に適切な出力で選択的に照射することは難しい。また、仮に照射できたとしても、粘着力の低下が現れるまでにある程度の時間を要することから、ピックアップ工程に要する時間が非常に長くなり現実的ではない。   If it is possible to selectively irradiate ultraviolet light for each predetermined region holding the semiconductor element to be picked up, the above-described disorder of the arrangement of the semiconductor elements may be prevented. Is very large compared to the size of the semiconductor element, it is difficult to selectively irradiate the region holding the semiconductor element with an appropriate output. Even if irradiation can be performed, a certain amount of time is required until a decrease in adhesive force appears, so that the time required for the pickup process becomes very long and is not realistic.

この発明は以上のような事情を考慮してなされたものであり、半導体素子をピックアップする工程において半導体素子の損傷を防止できる半導体製造装置とそれを用いた半導体製造方法を提供するものである。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing method using the same, which can prevent damage to the semiconductor element in the process of picking up the semiconductor element.

この発明は、ピックアップすべき半導体素子を保持している粘着シートの所定領域を選択的に加熱して前記所定領域の粘着力を低下させる加熱部を備え、加熱部は半導体レーザー素子と、半導体レーザー素子から出射されたレーザー光が粘着シートの所定領域を照射するようにレーザー光の照射範囲を調整する光学レンズとからなることを特徴とする半導体製造装置を提供するものである。   The present invention includes a heating unit that selectively heats a predetermined region of an adhesive sheet holding a semiconductor element to be picked up to reduce the adhesive force of the predetermined region, and the heating unit includes a semiconductor laser element and a semiconductor laser. The present invention provides a semiconductor manufacturing apparatus comprising an optical lens that adjusts an irradiation range of a laser beam so that a laser beam emitted from an element irradiates a predetermined region of an adhesive sheet.

この発明によれば、ピックアップすべき半導体素子を保持している粘着シートの所定領域を半導体レーザー素子と光学レンズとからなる加熱部によって選択的に加熱して前記所定領域の粘着力を低下させるので、ピックアップすべき半導体素子毎にその半導体素子を保持している所定領域の粘着力を低下させることができ、小さな力で半導体素子をピックアップできるようになる。
このため、半導体素子をピックアップする工程において、ピンによる突き上げが不要となるか、或いは、突き上げ量（突き上げの高さ）が小さくなり、ピックアップ工程における半導体素子の損傷を防止できるようになる。
特に、半導体レーザー素子から出射されるレーザー光によって粘着シートの所定領域を非接触で加熱できるので、ピックアップすべき半導体素子に加熱に伴う衝撃や圧力が不必要に加わらず、半導体素子の損傷を防止するうえで非常に効果的である。
また、半導体素子は、ピックアップされる寸前まで粘着シートにしっかりと保持されるので、ピックアップ工程中に粘着シート上の半導体素子の配列が乱れることもなく、歩留まりに悪影響を与えることも防止できる。
また、加熱部が、半導体レーザー素子と光学レンズとからなるので、微小な領域を的確に精度よく照射でき、さらには、半導体レーザー素子に対する光学レンズの位置を調整することによりレーザー光の照射範囲を容易に調整できるので、様々な寸法の半導体素子に柔軟に対応できる。 According to the present invention, the predetermined area of the adhesive sheet holding the semiconductor element to be picked up is selectively heated by the heating unit composed of the semiconductor laser element and the optical lens to reduce the adhesive force of the predetermined area. For each semiconductor element to be picked up, the adhesive strength of a predetermined area holding the semiconductor element can be reduced, and the semiconductor element can be picked up with a small force.
For this reason, in the process of picking up the semiconductor element, it is not necessary to push up with a pin, or the push-up amount (push-up height) becomes small, and damage to the semiconductor element in the pick-up process can be prevented.
In particular, a predetermined area of the adhesive sheet can be heated in a non-contact manner by the laser beam emitted from the semiconductor laser element, so that the semiconductor element to be picked up is not subjected to unnecessary impact and pressure during heating, preventing damage to the semiconductor element. This is very effective.
Further, since the semiconductor elements are firmly held on the adhesive sheet until just before being picked up, the arrangement of the semiconductor elements on the adhesive sheet is not disturbed during the pickup process, and it is possible to prevent the yield from being adversely affected.
In addition, since the heating unit consists of a semiconductor laser element and an optical lens, a minute area can be irradiated accurately and accurately, and further, the irradiation range of the laser beam can be increased by adjusting the position of the optical lens with respect to the semiconductor laser element. Since it can be easily adjusted, it can flexibly cope with semiconductor elements of various dimensions.

この発明による半導体製造装置は、ピックアップすべき半導体素子を保持している粘着シートの所定領域を選択的に加熱して前記所定領域の粘着力を低下させる加熱部を備え、加熱部は半導体レーザー素子と、半導体レーザー素子から出射されたレーザー光が粘着シートの所定領域を照射するようにレーザー光の照射範囲を調整する光学レンズとからなることを特徴とする。   A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes a heating unit that selectively heats a predetermined region of an adhesive sheet holding a semiconductor element to be picked up to reduce the adhesive force of the predetermined region, and the heating unit is a semiconductor laser element. And an optical lens that adjusts the irradiation range of the laser beam so that the laser beam emitted from the semiconductor laser element irradiates a predetermined region of the adhesive sheet.

この発明による半導体製造装置において、半導体素子とは、例えば、ＬＥＤ素子、半導体レーザー素子、集積回路が造り込まれた半導体チップなどを意味する。   In the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, the semiconductor element means, for example, an LED element, a semiconductor laser element, a semiconductor chip in which an integrated circuit is built, or the like.

また、粘着シートとしては、例えば、１００℃〜２００℃程度に加熱することにより粘着力が低下する粘着シートを用いることができる。
また、加熱部を構成する半導体レーザー素子としては、例えば、
波長４０５ｎｍ〜８５０ｎｍ程度、出力３０ｍＷ〜３００ｍＷ程度のものを用いることができる。
一方、加熱部を構成する光学レンズとしては、例えば、凹レンズを用いることができる。 Moreover, as an adhesive sheet, the adhesive sheet from which adhesive force falls can be used, for example by heating to about 100 to 200 degreeC.
Moreover, as a semiconductor laser element which comprises a heating part, for example,
Those having a wavelength of about 405 nm to 850 nm and an output of about 30 mW to 300 mW can be used.
On the other hand, as an optical lens constituting the heating unit, for example, a concave lens can be used.

この発明による半導体製造装置は、粘着力が低下した所定領域上の半導体素子をピックアップするピックアップ部をさらに備え、加熱部とピックアップ部は粘着シートを介して互いに対向でき、かつ、粘着シートに対して移動できるように配置されていてもよい。
このような構成によれば、加熱部とピックアップ部が粘着シートを介して互いに対向でき、かつ、粘着シートに対して移動できるように配置されるので、粘着シート上に複数の半導体素子が保持されている場合において、各半導体素子のピックアップを効率よく行うことができる。 The semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention further includes a pickup unit that picks up a semiconductor element on a predetermined area where the adhesive force is reduced, and the heating unit and the pickup unit can be opposed to each other via the adhesive sheet, and with respect to the adhesive sheet You may arrange | position so that it can move.
According to such a configuration, the heating unit and the pickup unit are arranged so as to be able to face each other via the adhesive sheet and to move with respect to the adhesive sheet, so that a plurality of semiconductor elements are held on the adhesive sheet. In this case, each semiconductor element can be picked up efficiently.

上述のピックアップ部をさらに備える場合において、ピックアップ部は半導体素子を真空吸着する真空吸着コレットからなり、真空吸着コレットはその吸着力のみで粘着力が低下した所定領域上の半導体素子をピックアップしてもよい。
このような構成によれば、ピックアップ工程においてピンによる突き上げが不要となるので、より確実に半導体素子の損傷を防止できる。 In the case where the pickup unit is further provided, the pickup unit is composed of a vacuum suction collet that vacuum-sucks the semiconductor element, and the vacuum suction collet can pick up the semiconductor element on a predetermined region where the adhesive force is reduced only by the suction force. Good.
According to such a configuration, it is not necessary to push up with a pin in the pick-up process, so that damage to the semiconductor element can be prevented more reliably.

また、ピックアップ部をさらに備える場合において、この発明による半導体製造装置は、粘着シートの全領域の画像情報を認識する画像認識装置と、画像認識装置によって認識された画像情報に基づいて加熱部およびピックアップ部をそれらが同期して移動するように制御する制御部とをさらに備えてもよい。
このような構成によれば、複数の半導体素子を順次ピックアップしていく際に、タクトタイムを短縮するうえで最も合理的となるように加熱部とピックアップ部を移動させることができ、製造効率の向上を図ることができる。 In the case of further including a pickup unit, the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes an image recognition device that recognizes image information of the entire area of the adhesive sheet, and a heating unit and a pickup based on the image information recognized by the image recognition device. And a control unit that controls the units to move in synchronization with each other.
According to such a configuration, when sequentially picking up a plurality of semiconductor elements, the heating part and the pick-up part can be moved so as to be most rational for shortening the tact time, and the manufacturing efficiency can be improved. Improvements can be made.

また、この発明による半導体製造装置において、粘着シートは、基材シートと、基材シート上に積層された粘着剤層とからなり、粘着剤層は半導体素子を保持する表面側が粗面化されているのが好ましい。
このような構成によれば、粘着シートと半導体素子との境界（コントラスト）が明確に表れるようになり、特に上述の画像認識装置と制御部を備える場合において、粘着シート上の半導体素子の位置が制御部によって確実に認識されるようになる。
なお、上記構成において、粗面化は、基材フィルムへの粘着材溶こう工程において、離型フィルム（紙）の表面形状を所望の凹凸形状にする事によって処理され、その凹凸の深さは５〜１０μｍ程度が好ましい。
また、上記構成において、基材シートとしては、例えば、ポリエステル、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニール）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などからなるものを用いることができる。
また、粘着剤層としては、例えば、天然ゴムや各種の合成ゴム等を含むゴム系（共）重合体、ポリ（メタ）アクリル酸エステルを主成分とするアクリル系（共）重合体などからなる活性線硬化型ものや、或いは、加熱により膨張する発泡層を含み、加熱時に生ずる発泡層の物理的作用によって粘着力が低下するものなどを用いることができる。 In the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, the pressure-sensitive adhesive sheet comprises a base material sheet and a pressure-sensitive adhesive layer laminated on the base material sheet, and the pressure-sensitive adhesive layer is roughened on the surface side holding the semiconductor element. It is preferable.
According to such a configuration, the boundary (contrast) between the pressure-sensitive adhesive sheet and the semiconductor element can be clearly shown, and particularly when the above-described image recognition device and the control unit are provided, the position of the semiconductor element on the pressure-sensitive adhesive sheet is It is surely recognized by the control unit.
In the above configuration, the roughening is processed by making the surface shape of the release film (paper) into a desired uneven shape in the step of melting the adhesive material to the base film, and the depth of the unevenness is About 5-10 micrometers is preferable.
Moreover, in the said structure, as a base material sheet, what consists of polyester, PVC (polyvinyl chloride), PET (polyethylene terephthalate) etc. can be used, for example.
The pressure-sensitive adhesive layer is made of, for example, a rubber (co) polymer containing natural rubber or various synthetic rubbers, an acrylic (co) polymer having poly (meth) acrylate as a main component, or the like. An actinic radiation curable type or a foamed layer that expands by heating and whose adhesive strength is reduced by the physical action of the foamed layer generated during heating can be used.

また、粘着シートが基材シートと粘着剤層とからなる上記構成において、基材シートは所定の色に着色されていてもよい。
このような構成によれば、粘着シートと半導体素子との境界がより明確に表れるようになる。なお、粘着シートの色としては、例えば、茶系の色などを挙げることができる。 Moreover, in the said structure which an adhesive sheet consists of a base material sheet and an adhesive layer, the base material sheet may be colored in the predetermined color.
According to such a configuration, the boundary between the adhesive sheet and the semiconductor element appears more clearly. In addition, as a color of an adhesive sheet, a brown color etc. can be mentioned, for example.

また、粘着シートが基材シートと粘着剤層とからなる上記構成において、基材シートは伸縮可能であってもよい。
このような構成によれば、基材シートの伸縮性を活かすことにより、従来より粘着シートを固定するために用いられてきた粘着シート固定用の治具等をそのまま用いることができ、新たな設備投資を避けるうえで都合がよい。 Moreover, in the said structure which an adhesive sheet consists of a base material sheet and an adhesive layer, a base material sheet may be expandable-contractable.
According to such a configuration, by utilizing the stretchability of the base sheet, it is possible to use the adhesive sheet fixing jig or the like that has been conventionally used for fixing the adhesive sheet as it is, and a new facility. Convenient to avoid investment.

この発明は別の観点からみると、ピックアップ部をさらに備える上述の半導体製造装置を用い、複数の半導体素子を粘着シート上に保持させ、粘着シートのうちピックアップすべき半導体素子を保持している所定領域の粘着力を加熱部によって選択的に低下させ、粘着力が低下した所定領域上の半導体素子をピックアップ部によってピックアップする工程を備える半導体装置の製造方法を提供するものでもある。   From another viewpoint, the present invention uses the above-described semiconductor manufacturing apparatus further including a pickup unit, holds a plurality of semiconductor elements on an adhesive sheet, and holds a semiconductor element to be picked up among the adhesive sheets. The present invention also provides a method of manufacturing a semiconductor device including a step of selectively lowering the adhesive strength of a region by a heating unit and picking up a semiconductor element on a predetermined region where the adhesive strength has been reduced by a pickup unit.

この発明は、更に別の観点からみると、ピックアップすべき半導体素子を保持している粘着シートの所定領域を選択的に加熱して前記所定領域の粘着力を低下させる加熱部を備え、加熱部はハロゲンランプと、ハロゲンランプから出射された出射光が粘着シートの所定領域を照射するように出射光の照射範囲を調整する光学レンズとからなることを特徴とする半導体製造装置を提供するものでもある。
このような構成によっても、上述のこの発明による半導体製造装置と同様の効果が得られる。
なお、上記構成において、加熱部を構成するハロゲンランプとしては、例えば、出力５０Ｗ〜１５０Ｗ程度のものを用いることができ、光学レンズとしては、例えば、凸レンズを用いることができる。 From another viewpoint, the present invention includes a heating unit that selectively heats a predetermined region of the adhesive sheet holding the semiconductor element to be picked up to reduce the adhesive force of the predetermined region, and the heating unit The invention also provides a semiconductor manufacturing apparatus comprising a halogen lamp and an optical lens that adjusts the irradiation range of the emitted light so that the emitted light emitted from the halogen lamp irradiates a predetermined area of the adhesive sheet. is there.
Even with such a configuration, the same effect as the above-described semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention can be obtained.
In the above configuration, as the halogen lamp constituting the heating unit, for example, a lamp with an output of about 50 W to 150 W can be used, and as the optical lens, for example, a convex lens can be used.

また、この発明は更に別の観点からみると、ピックアップすべき半導体素子を保持している粘着シートの所定領域を選択的に加熱して前記所定領域の粘着力を低下させる加熱部を備え、加熱部は熱源を備えた加熱コレットからなることを特徴とする半導体製造装置を提供するものでもある。
このような構成によっても、上述のこの発明による半導体製造装置と同様の効果が得られる。
なお、加熱コレットとしては、通常の半導体製造工程において加熱用のコレットとして用いられているものを利用できる。 Further, from another viewpoint, the present invention further includes a heating unit that selectively heats a predetermined area of the pressure-sensitive adhesive sheet holding the semiconductor element to be picked up to reduce the adhesive strength of the predetermined area, The part also provides a semiconductor manufacturing apparatus characterized by comprising a heating collet provided with a heat source.
Even with such a configuration, the same effect as the above-described semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention can be obtained.
In addition, as a heating collet, what is used as a collet for heating in a normal semiconductor manufacturing process can be utilized.

また、この発明は更に別の観点からみると、ピックアップすべき半導体素子を保持している粘着シートの所定領域を選択的に冷却して前記所定領域の粘着力を低下させる冷却部を備え、冷却部は粘着シートの所定領域から熱伝導によって熱を奪う冷却コレットからなっていてもよい。
このような構成によっても、上述のこの発明による半導体製造装置と同様の効果が得られる。
なお、冷却コレットとしては、例えば、熱伝導に優れたアルミや銅などからなるコレットであって、一端が送風によって冷却される放熱板に接続されたものや、熱伝導に優れたアルミや銅などからなる中空のコレットであって、内部に冷媒となる不活性ガスが通されるように構成されたもの、或いは、先端に孔を有するコレットであって、先端の孔から冷却された不活性ガス又はエアーを粘着シートの所定領域に吹き付けるように構成されたものなどを用いることができる。 Further, according to another aspect of the present invention, a cooling unit that selectively cools a predetermined region of the adhesive sheet holding the semiconductor element to be picked up to reduce the adhesive force of the predetermined region is provided. The part may consist of a cooling collet that takes heat away from a predetermined region of the adhesive sheet by heat conduction.
Even with such a configuration, the same effect as the above-described semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention can be obtained.
In addition, as a cooling collet, for example, a collet made of aluminum, copper or the like excellent in heat conduction, one end connected to a heat sink cooled by air blowing, aluminum or copper excellent in heat conduction, etc. A hollow collet composed of an inert gas serving as a refrigerant inside, or a collet having a hole at the tip and cooled from the hole at the tip Or what was comprised so that air might be sprayed on the predetermined area | region of an adhesive sheet etc. can be used.

以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the drawings.

実施例１
この発明の実施例１による半導体製造装置とそれを用いた半導体装置の製造方法について、図１〜４に基づいて説明する。図１は実施例１による半導体製造装置の概略的な構成を示す説明図、図２は粘着シートが固定用治具に取り付けられた状態を示す斜視図、図３は加熱部とピックアップ部の近傍の拡大図、図４はピックアップされる半導体素子の概略的な構成を示す斜視図である。 Example 1
A semiconductor manufacturing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention and a semiconductor device manufacturing method using the same will be described with reference to FIGS. 1 is an explanatory view showing a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to Example 1, FIG. 2 is a perspective view showing a state where an adhesive sheet is attached to a fixing jig, and FIG. 3 is a vicinity of a heating unit and a pickup unit. FIG. 4 is a perspective view showing a schematic configuration of a semiconductor element to be picked up.

図１〜３に示されるように、実施例１による半導体製造装置１００は、ピックアップすべき半導体素子１を保持している粘着シート２の所定領域を選択的に加熱して前記所定領域の粘着力を低下させる加熱部３と、粘着力が低下した所定領域上の半導体素子１をピックアップするピックアップ部４を備え、加熱部３とピックアップ部４は粘着シート２を介して互いに対向でき、かつ、粘着シート２に対して移動できるように配置されている。   As shown in FIGS. 1 to 3, the semiconductor manufacturing apparatus 100 according to the first embodiment selectively heats a predetermined area of the adhesive sheet 2 holding the semiconductor element 1 to be picked up, thereby adhering the predetermined area. And a pickup unit 4 that picks up the semiconductor element 1 on a predetermined area where the adhesive strength is reduced. The heating unit 3 and the pickup unit 4 can be opposed to each other via the adhesive sheet 2 and are adhesive. It is arranged so as to be movable with respect to the sheet 2.

粘着シート２は、ニッタ株式会社製のインテリマーテープ ウォームオフタイプ（スイッチング温度５０℃）を用いている。図３に示されるように、この粘着シート２は、ＰＶＣ（塩化ビニル）からなる基材シート２ａと、基材シート２ａ上に塗布された粘着剤層２ｂとから構成され、１５０℃まで加熱されると粘着力の低下を示す。基材シート２ａは透光性を有する茶系の色を呈し、粘着剤層２ｂは半導体素子１を保持する表面側が粗面化されている。
図２に示されるように、粘着シート２は固定用治具５に取り付けて用いられる。粘着シート２は、固定用治具５に取り付けられることにより引き伸ばされ、引き伸ばされることにより粘着シート２上に保持された複数の半導体素子１の間に隙間が形成される。
図１に示されるように、粘着シート２を保持する固定用治具５はスペーサ６を介してステージ７上に取り付けられ、ステージ７と粘着シート２との間にはスペーサ６による隙間が形成される。 As the pressure-sensitive adhesive sheet 2, an intelligent tape warm-off type (switching temperature: 50 ° C.) manufactured by Nitta Corporation is used. As shown in FIG. 3, the pressure-sensitive adhesive sheet 2 is composed of a base material sheet 2a made of PVC (vinyl chloride) and a pressure-sensitive adhesive layer 2b applied on the base material sheet 2a, and is heated to 150 ° C. Then, it shows a decrease in adhesive strength. The base material sheet 2a has a translucent brown color, and the pressure-sensitive adhesive layer 2b has a roughened surface side that holds the semiconductor element 1.
As shown in FIG. 2, the adhesive sheet 2 is used by being attached to a fixing jig 5. The pressure-sensitive adhesive sheet 2 is stretched by being attached to the fixing jig 5, and a gap is formed between the plurality of semiconductor elements 1 held on the pressure-sensitive adhesive sheet 2 by being stretched.
As shown in FIG. 1, the fixing jig 5 that holds the adhesive sheet 2 is attached on the stage 7 via the spacer 6, and a gap is formed between the stage 7 and the adhesive sheet 2 by the spacer 6. The

図３に示されるように、加熱部３は、半導体レーザー装置（半導体レーザー素子）８と、半導体レーザー装置８から出射されたレーザー光の照射範囲を粘着シート２の所定領域に規定する光学レンズ９とからなっている。
半導体レーザー装置８から出射されるレーザー光の波長は６５０ｎｍで、その出力は６０ｍＷである。また、光学レンズ９は凹レンズを用いている。
加熱部３は、粘着シート２の裏面と対向するように、ステージ７と粘着シート２との間に形成された隙間に挿入された移動ステージ１０上に搭載される。
一方、ピックアップ部４は、半導体素子１を真空吸着する真空吸着コレット１１からなり、真空吸着コレット１１はその吸着力のみで粘着力が低下した所定領域上の半導体素子１をピックアップするように構成されている。真空吸着コレット１１は、通常の半導体装置製造工程で用いられる一般的なものである。 As shown in FIG. 3, the heating unit 3 includes a semiconductor laser device (semiconductor laser element) 8 and an optical lens 9 that defines an irradiation range of the laser light emitted from the semiconductor laser device 8 to a predetermined region of the adhesive sheet 2. It is made up of.
The wavelength of the laser beam emitted from the semiconductor laser device 8 is 650 nm, and its output is 60 mW. The optical lens 9 is a concave lens.
The heating unit 3 is mounted on a moving stage 10 inserted in a gap formed between the stage 7 and the adhesive sheet 2 so as to face the back surface of the adhesive sheet 2.
On the other hand, the pickup unit 4 includes a vacuum suction collet 11 that vacuum-sucks the semiconductor element 1, and the vacuum suction collet 11 is configured to pick up the semiconductor element 1 on a predetermined region where the adhesive force is reduced only by the suction force. ing. The vacuum suction collet 11 is a general one used in a normal semiconductor device manufacturing process.

真空吸着コレット１１は、その先端が粘着シートの表面と対向するように、移送アーム１２の先端に取り付けられる。
粘着シート２の上方には粘着シート２の表面側を照らす照明装置１３と、照明装置１３によって照らし出された粘着シート２の表面側をその全領域にわたって撮像する画像認識装置１４が配置されている。
画像認識装置１４、移動ステージ１０、加熱部３、移送アーム１２およびピックアップ部４はそれぞれ制御部（図示せず）に接続され、制御部からの指示に基づいて作動するように構成されている。 The vacuum suction collet 11 is attached to the tip of the transfer arm 12 so that the tip thereof faces the surface of the adhesive sheet.
An illuminating device 13 that illuminates the surface side of the adhesive sheet 2 and an image recognition device 14 that images the entire surface of the adhesive sheet 2 illuminated by the illuminating device 13 are disposed above the adhesive sheet 2. .
The image recognition device 14, the moving stage 10, the heating unit 3, the transfer arm 12, and the pickup unit 4 are each connected to a control unit (not shown) and configured to operate based on instructions from the control unit.

以上のような構成からなる半導体製造装置１００を用いて半導体装置（ＬＥＤランプ）を製造する方法について説明する。
まず、図２に示されるように、ダイシングの完了した０．３０ｍｍ×０．３０ｍｍの寸法を有する複数のフリップ型の半導体素子１としての発光ダイオードチップを粘着シート２に貼り付け、さらにこの粘着シート２を固定用治具５に取り付けて引き伸ばす。この引き伸ばしの際に、隣接する半導体素子１の間に隙間が形成される。
なお、図４に示されるように、各半導体素子１は表面側にＰＮ接合１５と電極１６がそれぞれ形成された構造を有している。
上述の粘着シート２に貼り付けられる際、各半導体素子１は、ダイシング工程でウエハ（図示せず）を固定するために用いられていたダイシング用粘着シート（図示せず）上から粘着シート２へ反転するように載せかえられるので、ＰＮ接合１５や電極１６が形成された各半導体素子１の表面側が粘着シート２と対向するように貼り付けられることとなる。各半導体素子１の表面側を粘着シート２と対向させるのは、各半導体素子１がフリップチップ実装されることを想定しているからである。 A method for manufacturing a semiconductor device (LED lamp) using the semiconductor manufacturing apparatus 100 configured as described above will be described.
First, as shown in FIG. 2, a plurality of light emitting diode chips as flip-type semiconductor elements 1 having dimensions of 0.30 mm × 0.30 mm that have been diced are attached to an adhesive sheet 2, and this adhesive sheet 2 is attached to the fixing jig 5 and stretched. During this stretching, a gap is formed between the adjacent semiconductor elements 1.
As shown in FIG. 4, each semiconductor element 1 has a structure in which a PN junction 15 and an electrode 16 are formed on the surface side.
When affixed to the adhesive sheet 2 described above, each semiconductor element 1 is transferred from the dicing adhesive sheet (not shown) used to fix the wafer (not shown) in the dicing process to the adhesive sheet 2. Since it is placed so as to be reversed, the surface side of each semiconductor element 1 on which the PN junction 15 and the electrode 16 are formed is attached so as to face the adhesive sheet 2. The reason why the surface side of each semiconductor element 1 is opposed to the adhesive sheet 2 is because it is assumed that each semiconductor element 1 is flip-chip mounted.

次いで、図１に示されるように、粘着シート２を保持する固定用治具５を、スペーサ６を介してステージ７上に固定する。
固定用治具５がステージ７上に固定されると、照明装置１３が粘着シート２の表面側を照らし、画像認識装置１４が粘着シート２の表面側全体を撮像する。
画像認識装置１４によって撮像された画像情報は図示しない制御部へ送られ、制御部は送られてきた画像情報から粘着シート２上の全ての半導体素子１の位置情報を認識し、さらにその中から最初にピックアップすべき半導体素子１を特定する。
制御部はピックアップすべき半導体素子１を特定すると、その半導体素子１の位置を目指して移動ステージ１０と移送アーム１２を移動させる。
これにより、移動ステージ１０上に搭載された加熱部３と、移送アーム１２の先端に取り付けられたピックアップ部４は、図３に示されるようにピックアップすべき半導体素子１の下方と上方にそれぞれ位置することとなる。 Next, as shown in FIG. 1, a fixing jig 5 that holds the adhesive sheet 2 is fixed on the stage 7 via a spacer 6.
When the fixing jig 5 is fixed on the stage 7, the illumination device 13 illuminates the surface side of the adhesive sheet 2, and the image recognition device 14 images the entire surface side of the adhesive sheet 2.
Image information picked up by the image recognition device 14 is sent to a control unit (not shown), and the control unit recognizes position information of all the semiconductor elements 1 on the adhesive sheet 2 from the sent image information, and further from among them. The semiconductor element 1 to be picked up first is specified.
When the control unit specifies the semiconductor element 1 to be picked up, the control unit moves the moving stage 10 and the transfer arm 12 aiming at the position of the semiconductor element 1.
Accordingly, the heating unit 3 mounted on the moving stage 10 and the pickup unit 4 attached to the tip of the transfer arm 12 are respectively positioned below and above the semiconductor element 1 to be picked up as shown in FIG. Will be.

図３に示されるように、ピックアップすべき半導体素子１の下方に位置した加熱部３は、制御部からの指示によってピックアップすべき半導体素子１を保持している粘着シート２の裏面側の所定領域に所定時間にわたってレーザー光を照射する。これにより、レーザー光の照射を受けた粘着シート２の所定領域は１５０℃まで加熱され粘着力が低下する。なお、加熱部３の光学レンズ９は、粘着シート２の裏面における照射サイズがφ０．４３ｍｍとなるようにその位置が調整されている。
加熱部３からのレーザー光の照射によって、粘着シート２の所定領域の粘着力が低下すると、ピックアップ部４を構成する真空吸着コレット１１は、制御部からの指示によって粘着力が低下した所定領域上にある半導体素子１を真空吸着する。 As shown in FIG. 3, the heating unit 3 positioned below the semiconductor element 1 to be picked up is a predetermined area on the back side of the adhesive sheet 2 holding the semiconductor element 1 to be picked up by an instruction from the control unit. Is irradiated with laser light for a predetermined time. Thereby, the predetermined area | region of the adhesive sheet 2 which received irradiation of the laser beam is heated to 150 degreeC, and adhesive force falls. The position of the optical lens 9 of the heating unit 3 is adjusted so that the irradiation size on the back surface of the adhesive sheet 2 is φ0.43 mm.
When the adhesive strength of the predetermined region of the adhesive sheet 2 is reduced by the irradiation of the laser beam from the heating unit 3, the vacuum suction collet 11 constituting the pickup unit 4 is placed on the predetermined region where the adhesive force is reduced by an instruction from the control unit. The semiconductor element 1 is vacuum-adsorbed.

その後、移送アーム１２は制御部からの指示によって真空吸着された半導体素子１を、ダイボンドステージ１７（図１参照）に載置されたリードフレーム１８（図１参照）へ移送する。半導体素子１がリードフレーム１８上に移送されると、真空吸着コレットは、制御部からの指示によって真空吸着を解き、半導体素子１はリードフレーム１８上の所定の位置に搭載される。
その後、半導体素子１とリードフレーム１８とのボンディングが行われ、樹脂封止などの後工程が適宜実施され半導体装置（図示せず）が完成する。
その後、制御部は、次にピックアップすべき半導体素子１の下方と上方に加熱部３とピックアップ部４をそれぞれ位置させるべく、移動ステージ１０と移送アーム１２をそれぞれ移動させる。この際、移動ステージ１０と移送アーム１２は、ホームポジションへ戻ることなく、次にピックアップすべき半導体素子１の位置へ直接移動する。このため、タクトタイムが短縮され、生産効率が向上する。
制御部は、粘着シート２上に保持された全ての半導体素子１のピックアップが完了するまで以上のような動作を繰り返し行う。 Thereafter, the transfer arm 12 transfers the semiconductor element 1 vacuum-sucked according to an instruction from the control unit to the lead frame 18 (see FIG. 1) placed on the die bond stage 17 (see FIG. 1). When the semiconductor element 1 is transferred onto the lead frame 18, the vacuum suction collet releases the vacuum suction according to an instruction from the control unit, and the semiconductor element 1 is mounted at a predetermined position on the lead frame 18.
Thereafter, bonding between the semiconductor element 1 and the lead frame 18 is performed, and subsequent processes such as resin sealing are appropriately performed to complete a semiconductor device (not shown).
Thereafter, the control unit moves the moving stage 10 and the transfer arm 12 to position the heating unit 3 and the pickup unit 4 below and above the semiconductor element 1 to be picked up next. At this time, the moving stage 10 and the transfer arm 12 directly move to the position of the semiconductor element 1 to be picked up next without returning to the home position. For this reason, tact time is shortened and production efficiency is improved.
The control unit repeatedly performs the above operation until the pickup of all the semiconductor elements 1 held on the adhesive sheet 2 is completed.

実施例２
この発明の実施例２による半導体装置の製造方法について図５に基づいて説明する。図５は、実施例５で用いられる半導体素子の模式的な斜視図である。
図５に示されるように、実施例２において用いられる半導体素子２１としての発光ダイオードチップは、半導体装置としてのＬＥＤランプに組み込まれた際の光の取り出し効率を向上させるべく、画像認識装置１４（図１参照）によって撮像される裏面２１ａが粗面化処理されている。それ以外は上述の実施例１と同様である。
実施例２のように、裏面２１ａが粗面化処理された半導体素子２１であっても、上述の実施例１と同様に、半導体素子２１の位置は的確に認識され、問題無くピックアップすることができる。 Example 2
A semiconductor device manufacturing method according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a schematic perspective view of a semiconductor element used in the fifth embodiment.
As shown in FIG. 5, the light-emitting diode chip as the semiconductor element 21 used in the second embodiment has an image recognition device 14 (in order to improve light extraction efficiency when incorporated in an LED lamp as a semiconductor device. The back surface 21a imaged by FIG. 1 is roughened. The rest is the same as in the first embodiment.
Even in the case of the semiconductor element 21 whose back surface 21a has been roughened as in the second embodiment, the position of the semiconductor element 21 can be accurately recognized and picked up without any problem as in the first embodiment. it can.

実施例３
この発明の実施例３による半導体装置の製造方法について図６に基づいて説明する。図６は実施例３で用いる半導体製造装置の加熱部とピックアップ部の近傍の拡大図である。
図６に示されるように、実施例３では、実施例１で用いた半導体素子１（図１参照）よりもサイズの大きい０．５０ｍｍ×０．５０ｍｍの寸法を有する半導体素子３１を用いる。これに伴い、粘着シート２の裏面における半導体レーザー光の照射サイズがφ０．７２ｍｍとなるように加熱部３を構成する光学レンズ９の位置が調整される。
実施例３のように、比較的大きな寸法を有する半導体素子３１であっても、照射サイズを調整することにより、問題無くピックアップすることができる。 Example 3
A method of manufacturing a semiconductor device according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is an enlarged view of the vicinity of the heating unit and the pickup unit of the semiconductor manufacturing apparatus used in the third embodiment.
As shown in FIG. 6, in Example 3, a semiconductor element 31 having a size of 0.50 mm × 0.50 mm, which is larger than the semiconductor element 1 used in Example 1 (see FIG. 1), is used. Accordingly, the position of the optical lens 9 constituting the heating unit 3 is adjusted so that the irradiation size of the semiconductor laser light on the back surface of the adhesive sheet 2 is φ0.72 mm.
Even if the semiconductor element 31 has a relatively large size as in the third embodiment, it can be picked up without any problem by adjusting the irradiation size.

実施例４
この発明の実施例４による半導体製造装置について、図７に基づいて説明する。図７は実施例４による半導体製造装置の加熱部とピックアップ部の近傍を示す拡大図である。
図７に示されるように、実施例４では、加熱部４３が熱源４４を備えた加熱コレット４５で構成されている。その他の点については実施例１による半導体製造装置１００（図１参照）と同様である。
実施例４のように、加熱部４３として加熱コレット４５を用いても、熱伝導によって粘着シート２の所定領域を選択的に加熱でき、実施例１と同様に粘着シート２の所定領域の粘着力を局部的に低下させることができる。 Example 4
A semiconductor manufacturing apparatus according to Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is an enlarged view showing the vicinity of the heating unit and the pickup unit of the semiconductor manufacturing apparatus according to the fourth embodiment.
As shown in FIG. 7, in Example 4, the heating unit 43 includes a heating collet 45 provided with a heat source 44. Other points are the same as those of the semiconductor manufacturing apparatus 100 (see FIG. 1) according to the first embodiment.
Even if the heating collet 45 is used as the heating unit 43 as in the fourth embodiment, the predetermined region of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 can be selectively heated by heat conduction, and the pressure-sensitive adhesive force of the predetermined region of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 as in the first embodiment. Can be reduced locally.

実施例５
この発明の実施例５による半導体製造装置について、図８に基づいて説明する。図８は実施例５による半導体製造装置の加熱部とピックアップ部の近傍を示す拡大図である。
図８に示されるように、実施例５では、加熱部５３がハロゲンランプ５４と、ハロゲンランプ５４の出射光の照射範囲を粘着シート２の任意の領域に規定する光学レンズ５５とから構成されている。その他の点については実施例１による半導体装置１００（図１参照）と同様である。
光学レンズ５５は凸レンズからなり、ハロゲンランプ５４から照射された光を所定領域に絞り込むように構成されている。
実施例５のように、加熱部５３としてハロゲンランプ５４と光学レンズ５５を用いても、粘着シート２の所定領域を選択的に加熱でき、実施例１と同様に粘着シート２の所定領域の粘着力を局部的に低下させることができる。 Example 5
A semiconductor manufacturing apparatus according to Embodiment 5 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8 is an enlarged view showing the vicinity of the heating unit and the pickup unit of the semiconductor manufacturing apparatus according to the fifth embodiment.
As shown in FIG. 8, in Example 5, the heating unit 53 includes a halogen lamp 54 and an optical lens 55 that defines an irradiation range of light emitted from the halogen lamp 54 in an arbitrary region of the adhesive sheet 2. Yes. The other points are the same as those of the semiconductor device 100 (see FIG. 1) according to the first embodiment.
The optical lens 55 is a convex lens, and is configured to narrow down the light emitted from the halogen lamp 54 to a predetermined area.
Even if the halogen lamp 54 and the optical lens 55 are used as the heating unit 53 as in the fifth embodiment, the predetermined area of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 can be selectively heated. Force can be reduced locally.

実施例６
この発明の実施例６による半導体製造装置について、図９に基づいて説明する。図９は実施例６による半導体製造装置の冷却部とピックアップ部の近傍を示す拡大図である。
図９に示されるように、実施例６では、実施例１の加熱部３（図１参照）の代わりに冷却部６３が用いられ、冷却部６３は、粘着テープ６２の任意の領域から熱伝導によって熱を奪う冷却コレット６５から構成されている。これに伴い、粘着シート６２は５℃に冷却されることにより、粘着力が低下するものが用いられている（ニッタ株式会社製、インテリマーテープ クールオフタイプ（１０℃剥離タイプ）。その他の点については実施例１による半導体製造装置１００（図１参照）と同様である。
冷却コレット６５は熱伝導に優れた銀合金からなる中空体で、内部には冷媒として−２５℃に冷却された不活性ガスが通される。
実施例６のように、加熱部３の代わりに冷却部６３が用いられ、粘着シート６２が冷却によって粘着力の低下を示すものであっても、実施例１と同様に粘着シート６２の所定領域の粘着力を局部的に低下させることができる。 Example 6
A semiconductor manufacturing apparatus according to Embodiment 6 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 9 is an enlarged view showing the vicinity of the cooling unit and the pickup unit of the semiconductor manufacturing apparatus according to the sixth embodiment.
As shown in FIG. 9, in Example 6, a cooling unit 63 is used instead of the heating unit 3 (see FIG. 1) of Example 1, and the cooling unit 63 conducts heat from an arbitrary region of the adhesive tape 62. It is comprised from the cooling collet 65 which takes heat away. Along with this, the pressure-sensitive adhesive sheet 62 is cooled to 5 ° C., and the pressure-sensitive adhesive strength is reduced (manufactured by Nitta Corporation, Intellimer Tape Cool-off type (10 ° C. peeling type)). This is the same as the semiconductor manufacturing apparatus 100 (see FIG. 1) according to the first embodiment.
The cooling collet 65 is a hollow body made of a silver alloy excellent in heat conduction, and an inert gas cooled to −25 ° C. as a refrigerant is passed through the cooling collet 65.
Even if the cooling unit 63 is used instead of the heating unit 3 and the pressure-sensitive adhesive sheet 62 exhibits a decrease in pressure-sensitive adhesive force due to cooling as in the sixth example, the predetermined region of the pressure-sensitive adhesive sheet 62 is the same as in the first example. Can be locally reduced.

以上、この発明による６つの実施例について説明したが、この発明による半導体製造装置によってピックアップされる半導体素子は、フリップ型の半導体素子に限定されるものではなく、例えば、フリップ型以外の半導体素子にも用いることができる。また、半導体素子の種類も発光ダイオード素子に限られるものではなく、半導体レーザー素子、集積回路が造り込まれた半導体チップなど様々な半導体素子に適用できる。   Although the six embodiments according to the present invention have been described above, the semiconductor element picked up by the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is not limited to the flip-type semiconductor element. Can also be used. Further, the type of the semiconductor element is not limited to the light emitting diode element, and can be applied to various semiconductor elements such as a semiconductor laser element and a semiconductor chip in which an integrated circuit is built.

この発明の実施例１による半導体製造装置の概略的な構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the semiconductor manufacturing apparatus by Example 1 of this invention. 粘着シートが固定用治具に取り付けられた状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state in which the adhesive sheet was attached to the jig | tool for fixing. 加熱部とピックアップ部の近傍の拡大図である。It is an enlarged view of the vicinity of a heating part and a pickup part. ピックアップされる半導体素子の概略的な構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the schematic structure of the semiconductor element picked up. 実施例２で用いられる半導体素子の模式的な斜視図である。6 is a schematic perspective view of a semiconductor element used in Example 2. FIG. 実施例３で用いる半導体製造装置の加熱部とピックアップ部の近傍の拡大図である。It is an enlarged view of the vicinity of the heating part and pickup part of the semiconductor manufacturing apparatus used in Example 3. 実施例４による半導体製造装置の加熱部とピックアップ部の近傍を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the vicinity of the heating part and pick-up part of the semiconductor manufacturing apparatus by Example 4. 実施例５による半導体製造装置の加熱部とピックアップ部の近傍を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the vicinity of the heating part and pick-up part of the semiconductor manufacturing apparatus by Example 5. 実施例６による半導体製造装置の冷却部とピックアップ部の近傍を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the vicinity of the cooling part of the semiconductor manufacturing apparatus by Example 6, and a pick-up part.

符号の説明Explanation of symbols

１，２１，３１・・・半導体素子
２，６２・・・粘着シート
３，４３，５３・・・加熱部
４・・・ピックアップ部
５・・・固定用治具
６・・・スペーサ
７・・・ステージ
８・・・半導体レーザー装置
９，５５・・・光学レンズ
１０・・・移動ステージ
１１・・・真空吸着コレット
１２・・・移送アーム
１３・・・照明装置
１４・・・画像認識装置
１５・・・ＰＮ接合
１６・・・電極
２１ａ・・・裏面
４４・・・熱源
４５・・・加熱コレット
５４・・・ハロゲンランプ
６３・・・冷却部
６５・・・冷却コレット 1, 2, 31 ... Semiconductor element 2, 62 ... Adhesive sheet 3, 43, 53 ... Heating part 4 ... Pick-up part 5 ... Fixing jig 6 ... Spacer 7 ... Stage 8 ... Semiconductor laser device 9, 55 ... Optical lens 10 ... Moving stage 11 ... Vacuum suction collet 12 ... Transfer arm 13 ... Illumination device 14 ... Image recognition device 15 PN junction 16 Electrode 21a Back surface 44 Heat source 45 Heating collet 54 Halogen lamp 63 Cooling unit 65 Cooling collet

Claims (8)

ピックアップすべき半導体素子を保持している粘着シートの所定領域を選択的に加熱して前記所定領域の粘着力を低下させる加熱部を備え、加熱部は半導体レーザー素子と、半導体レーザー素子から出射されたレーザー光が粘着シートの所定領域を照射するようにレーザー光の照射範囲を調整する光学レンズとからなることを特徴とする半導体製造装置。   A heating unit is provided that selectively heats a predetermined region of the adhesive sheet holding the semiconductor element to be picked up to reduce the adhesive force of the predetermined region. The heating unit is emitted from the semiconductor laser element and the semiconductor laser element. And an optical lens for adjusting the irradiation range of the laser beam so that the laser beam irradiates a predetermined area of the adhesive sheet. 粘着力が低下した所定領域上の半導体素子をピックアップするピックアップ部をさらに備え、加熱部とピックアップ部は粘着シートを介して互いに対向し、かつ、粘着シートに対して移動できるように配置される請求項１に記載の半導体製造装置。   Further comprising a pickup unit for picking up a semiconductor element on a predetermined area where the adhesive force is reduced, and the heating unit and the pickup unit are arranged to face each other through the adhesive sheet and to be movable with respect to the adhesive sheet Item 2. The semiconductor manufacturing apparatus according to Item 1. ピックアップ部は半導体素子を真空吸着する真空吸着コレットからなり、真空吸着コレットはその吸着力のみで粘着力が低下した所定領域上の半導体素子をピックアップする請求項２に記載の半導体製造装置。   The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2, wherein the pickup unit includes a vacuum suction collet that vacuum-sucks the semiconductor element, and the vacuum suction collet picks up the semiconductor element on a predetermined region where the adhesive force is reduced only by the suction force. 粘着シートの全領域の画像情報を認識する画像認識装置と、画像認識装置によって認識された画像情報に基づいて加熱部およびピックアップ部をそれらが同期して移動するように制御する制御部とをさらに備える請求項２又は３に記載の半導体製造装置。   An image recognition device that recognizes image information of the entire area of the adhesive sheet, and a control unit that controls the heating unit and the pickup unit to move synchronously based on the image information recognized by the image recognition device The semiconductor manufacturing apparatus of Claim 2 or 3 provided. 粘着シートは、基材シートと、基材シート上に積層された粘着剤層とからなり、粘着剤層は半導体素子を保持する表面側が粗面化されている請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体製造装置。   The pressure-sensitive adhesive sheet comprises a base material sheet and a pressure-sensitive adhesive layer laminated on the base material sheet, and the pressure-sensitive adhesive layer is roughened on the surface side holding the semiconductor element. Semiconductor manufacturing apparatus as described in one. 基材シートが所定の色に着色されてなる請求項５に記載の半導体製造装置。   The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 5, wherein the base sheet is colored in a predetermined color. 基材シートが伸縮可能である請求項５又は６に記載の半導体製造装置。   The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 5, wherein the base sheet is extendable. 請求項２〜７のいずれか１つに記載の半導体製造装置を用い、複数の半導体素子を粘着シート上に保持させ、粘着シートのうちピックアップすべき半導体素子を保持している所定領域の粘着力を加熱部によって選択的に低下させ、粘着力が低下した所定領域上の半導体素子をピックアップ部によってピックアップする工程を備える半導体装置の製造方法。   The semiconductor manufacturing apparatus according to any one of claims 2 to 7, wherein a plurality of semiconductor elements are held on an adhesive sheet, and an adhesive force of a predetermined region holding a semiconductor element to be picked up in the adhesive sheet. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a step of selectively lowering the semiconductor element by a heating unit and picking up a semiconductor element on a predetermined region where the adhesive force is reduced by a pickup unit.
JP2004114398A 2004-04-08 2004-04-08 Semiconductor production device and manufacturing method for semiconductor device using it Pending JP2005302889A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004114398A JP2005302889A (en) 2004-04-08 2004-04-08 Semiconductor production device and manufacturing method for semiconductor device using it

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004114398A JP2005302889A (en) 2004-04-08 2004-04-08 Semiconductor production device and manufacturing method for semiconductor device using it

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005302889A true JP2005302889A (en) 2005-10-27

Family

ID=35334047

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004114398A Pending JP2005302889A (en) 2004-04-08 2004-04-08 Semiconductor production device and manufacturing method for semiconductor device using it

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005302889A (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013062414A (en) * 2011-09-14 2013-04-04 Tokyo Seimitsu Co Ltd Die bonder
JP2015126082A (en) * 2013-12-26 2015-07-06 株式会社デンソー Semiconductor chip pickup method
JP5888455B1 (en) * 2015-04-01 2016-03-22 富士ゼロックス株式会社 Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor chip manufacturing method
JP5888464B1 (en) * 2015-11-30 2016-03-22 富士ゼロックス株式会社 Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor chip manufacturing method
JP5888463B1 (en) * 2015-11-30 2016-03-22 富士ゼロックス株式会社 Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor chip manufacturing method
JP2018152586A (en) * 2012-11-12 2018-09-27 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Method for manufacturing semiconductor light-emitting device
US10593655B2 (en) 2012-08-15 2020-03-17 Epistar Corporation Light bulb
JP2020061529A (en) * 2018-10-12 2020-04-16 三井化学株式会社 Manufacturing method of electronic device and adhesive film
US11791370B2 (en) 2012-08-15 2023-10-17 Epistar Corporation Light-emitting device

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013062414A (en) * 2011-09-14 2013-04-04 Tokyo Seimitsu Co Ltd Die bonder
US11791370B2 (en) 2012-08-15 2023-10-17 Epistar Corporation Light-emitting device
US10886262B2 (en) 2012-08-15 2021-01-05 Epistar Corporation Light bulb
US10720414B2 (en) 2012-08-15 2020-07-21 Epistar Corporation Light bulb
US10593655B2 (en) 2012-08-15 2020-03-17 Epistar Corporation Light bulb
JP2018152586A (en) * 2012-11-12 2018-09-27 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Method for manufacturing semiconductor light-emitting device
US11791436B2 (en) 2012-11-12 2023-10-17 Epistar Corporation Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
US11251328B2 (en) 2012-11-12 2022-02-15 Epistar Corporation Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
US10651335B2 (en) 2012-11-12 2020-05-12 Epistar Corporation Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
JP2015126082A (en) * 2013-12-26 2015-07-06 株式会社デンソー Semiconductor chip pickup method
JP2016195194A (en) * 2015-04-01 2016-11-17 富士ゼロックス株式会社 Semiconductor manufacturing device and semiconductor piece manufacturing method
JP5888455B1 (en) * 2015-04-01 2016-03-22 富士ゼロックス株式会社 Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor chip manufacturing method
JP5888464B1 (en) * 2015-11-30 2016-03-22 富士ゼロックス株式会社 Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor chip manufacturing method
JP5888463B1 (en) * 2015-11-30 2016-03-22 富士ゼロックス株式会社 Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor chip manufacturing method
JP2016195231A (en) * 2015-11-30 2016-11-17 富士ゼロックス株式会社 Semiconductor production device and semiconductor chip production method
JP2016195232A (en) * 2015-11-30 2016-11-17 富士ゼロックス株式会社 Semiconductor manufacturing device and semiconductor piece manufacturing method
JP2020061529A (en) * 2018-10-12 2020-04-16 三井化学株式会社 Manufacturing method of electronic device and adhesive film
JP7250468B2 (en) 2018-10-12 2023-04-03 三井化学株式会社 Electronic device manufacturing method and adhesive film
JP7250468B6 (en) 2018-10-12 2023-04-25 三井化学株式会社 Electronic device manufacturing method and adhesive film

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009064905A (en) Extension method and extension apparatus
JP2005302889A (en) Semiconductor production device and manufacturing method for semiconductor device using it
JP2020188063A (en) Wafer processing method
TWI812847B (en) Wafer processing method
JP2020202260A (en) Wafer processing method
JP2020202261A (en) Wafer processing method
JP2020202257A (en) Wafer processing method
TWI830954B (en) Wafer processing methods
KR20200089603A (en) Wafer processing method
JP2020115510A (en) Wafer processing method
JP2020115507A (en) Wafer processing method
JP2020202262A (en) Wafer processing method
JP2020092206A (en) Wafer processing method
JP2020202263A (en) Wafer processing method
JP2020202265A (en) Wafer processing method
TW202117822A (en) Wafer processing method
JP2020115509A (en) Wafer processing method
JP2020092204A (en) Wafer processing method
JP2020077708A (en) Wafer processing method
JP2020188069A (en) Wafer processing method
JP2020024994A (en) Wafer processing method
JP2020188068A (en) Wafer processing method
JP2020188071A (en) Wafer processing method
TW202111789A (en) Wafer processing method
JP2020188066A (en) Wafer processing method