JP2005295783A - 高調波引き込み現象防止装置、リアクトル装置および進相コンデンサ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電力系統に挿入される進相コンデンサとその直列リアクトルとにおける鉄共振の一種である高調波引き込み現象を防止する。
【解決手段】進相コンデンサ装置１０は、進相コンデンサ１１と、進相コンデンサ１１に電気的に接続された直列リアクトル１２とを備えている。高調波引き込み現象防止装置２０は、進相コンデンサ１１に直列に、かつ、直列リアクトル１２に並列に接続されている。高調波引き込み現象防止装置２０は、ギャップ素子２１と、バリスタ素子２２と、抵抗値が５０Ω〜２ｋΩの範囲内にある抵抗素子２３とを直列に接続して構成されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、高調波引き込み現象防止装置、および、それを用いたリアクトル装置、さらには進相コンデンサ装置に関する。

近年、インバータ方式の電源装置を備えた機器の普及に伴い、これら機器から電力系統に流れ出た高調波が受電設備等に種々の障害を生じさせている。とりわけ被害の多い設備は、進相コンデンサ装置における直列リアクトルである。

そして、直列リアクトルに焼損等の損傷が発生する事故の多くが、進相コンデンサ装置を電力系統に接続したときの突入電流によって、直列リアクトルにおいて鉄心磁気飽和が生じてそのリアクタンスが低下し、第５調波などの高調波で共振状態となって、大きな電流が継続して流れることによって発生している。以下、この現象を高調波引き込み現象と称する。

このような現象の発生を防止するための方法として、直列リアクトルに、電源投入時にこの直列リアクトル端子間に生じる電圧で導通するバリスタを並列に接続しておくことで、進相コンデンサへの突入電流の大部分を、バリスタを通して分流させる方法が提案されている（たとえば、特許文献１）。さらには、抵抗値が直列リアクトルのリアクタンスよりも十分に低く設定された限流抵抗器を、このバリスタに直列に接続してもよいことが提案されている。
特開平５−３００６５７号公報（要約書、段落［０００５］〜［０００９］、図１）

この方法によれば、バリスタ、もしくはバリスタおよび限流抵抗器に、電源投入時の突入電流の大半をバイパスさせることによって、直列リアクトルに流れる電流をその鉄心が磁気飽和を生じない大きさとすることから、直列リアクトルの突入電流抑制機能がいちじるしく損なわれることになる。このため、電源投入時には電源系統に電圧変動を生じさせるという好ましくない現象が発生する。

本発明は、進相コンデンサ装置の直列リアクトルがもつ突入電流抑制作用を損なうことがなく、電源系統の電圧動揺を軽減し、また、直列リアクトルと進相コンデンサとで鉄共振現象が発生したときには、それをきわめて短期間に終息させることができる高調波引き込み現象防止装置およびこれを配備した進相コンデンサ装置を提供しようとするものである。

本発明の高調波引き込み現象防止装置は、進相コンデンサとリアクトルとを直列接続した進相コンデンサ装置に、前記進相コンデンサとは直列に、かつ、前記リアクトルとは並列に接続される高調波引き込み現象防止装置であって、定電圧スイッチング部と、この定電圧スイッチング部に直列に接続された抵抗部とを備え、定電圧スイッチング部の導通開始電圧がリアクトルに正常時に印加される電圧より高く、また、抵抗部が５０Ω〜２ｋΩの範囲内の抵抗値としたものである。

この装置は、抵抗部がこれまで提案された装置に比べて高い抵抗値をもつことから、進相コンデンサ装置の電源系統投入時の突入電流に対するリアクトルの抑制効果が損なわれることがなく、電源系統の電圧動揺をいちじるしく低減することができる。また、この突入電流によりリアクトルの鉄心が磁気飽和し、進相コンデンサとの間で共振が発生しても、共振電圧で定電圧スイッチング部が導通し進相コンデンサからの過電流の一部分が高調波引き込み現象防止装置を流れる。この過電流のバイパスによって、進相コンデンサ・リアクトル間の共振がきわめて短期間に減衰して、進相コンデンサやリアクトルに大電流が長時間にわたって繰り返し流れるのが阻止される。

電圧スイッチング部としては、バリスタ素子，ギャップ素子，双方向性サイリスタ素子およびこれらの組み合わせのいずれかが適している。

定電圧スイッチング部を、電圧非直線性に優れ、コストの低いＺｎＯバリスタ素子とすることが好ましい。

定電圧スイッチング部や抵抗部を１対の端子とともに、容器内に一体的に収納することにより、既存の配電設備への高調波引き込み現象防止装置の取り付けが容易になる。

1対の端子にそれぞれ電気的に接続された1対の導電部材をさらに設けることにより、配電設備への取り付け作業が簡単になる。

本発明のリアクトル装置は、電力系統の進相コンデンサに直列に接続されるリアクトル装置であって、進相コンデンサに直列に接続されたリアクトルと、進相コンデンサに対して、リアクトルと並列に、かつ互いに直列に接続された定電圧スイッチング部および抵抗部とを備え、定電圧スイッチング部の導通開始電圧がリアクトルに正常時に印加される電圧より高く、抵抗部の抵抗値が５０Ω〜２ｋΩの範囲内である。

この装置は、抵抗部が比較的高い抵抗値をもつことから、電源系統投入時の突入電流に対するリアクトルの抑制効果が損なわれることがなく、電源系統の電圧動揺をいちじるしく低減することができる。また、この突入電流によりリアクトルの鉄心が磁気飽和し、進相コンデンサとの間で共振が発生しても、共振電圧で定電圧スイッチング部が導通し進相コンデンサからの過電流の一部分が定電圧スイッチング部および抵抗部にバイパスされる。この過電流のバイパスによって、エネルギーの一部分が熱に変換されることにより、進相コンデンサ・リアクトル間の共振がきわめて短期間に減衰して、進相コンデンサやリアクトルに大電流が長時間にわたって繰り返し流れるのが阻止される。

本発明の進相コンデンサ装置は、電力系統に直列に挿入された進相コンデンサおよびリアクトルと、進相コンデンサに対してリアクトルと並列に、かつ、互いに直列に接続された定電圧スイッチング部および抵抗部を備え、定電圧スイッチング部の導通開始電圧がリアクトルに正常時に印加される電圧より高く、抵抗部の抵抗値が５０Ω〜２ｋΩの範囲内である。

この装置は、抵抗部が比較的高い抵抗値をもつことから、進相コンデンサ装置の電源系統投入時の突入電流に対するリアクトルの抑制効果が損なわれることがなく、電源系統の電圧動揺をいちじるしく低減することができる。また、この突入電流によりリアクトルの鉄心が磁気飽和し、進相コンデンサとの間で共振が発生しても、共振電圧で定電圧スイッチング部が導通し進相コンデンサからの過電流の一部分が定電圧スイッチング部および抵抗部にバイパスされる。この過電流のバイパスによって、エネルギーの一部分が熱に変換されることにより、進相コンデンサ・リアクトル間の共振がきわめて短期間に減衰して、進相コンデンサやリアクトルに大電流が長時間にわたって繰り返し流れるのが阻止される。

本発明の高調波引き込み現象防止装置、リアクトル装置または進相コンデンサ装置によると、電力系統投入時の突入電流を効果的に抑制して電源系統の電圧動揺を低減することができる。また、突入電流によるリアクトル鉄心磁気飽和による進相コンデンサ・リアクトル間の共振現象をきわめて短期間に終息させることができることから、リアクトルの過熱、さらには焼損事故を防止することができる。

図２は、本発明の実施形態に係る電力系統に対する進相コンデンサ装置の配置関係を示す電気回路図である。同図に示すように、負荷(３相負荷)６を有する負荷系統に対して、電力系統から遮断器５を介して負荷系統に電力が供給される。そして、負荷系統において、各負荷６とは並列に、３相分の進相コンデンサ装置１０が配置されている。

図１は、本発明の実施形態に係る各相ごとの進相コンデンサ装置１０の構成を示す電気回路図である。同図に示すように、本実施形態の進相コンデンサ装置１０は、電力系統に挿入された進相コンデンサ１１と、配線１５により進相コンデンサ１１に電気的に接続された直列リアクトル１２と、配線１４により直列リアクトル１２に電気的に接続されたヒューズ付きスイッチ１３とを備えている。また、配線１４の接続点Ｐと、配線１５の接続点Ｑとにそれぞれリード線１８，１９の各一端が接続されており、各リード線１８，１９の各他端は高調波引き込み現象防止装置２０の両端に接続されている。すなわち、高調波引き込み現象防止装置２０は、進相コンデンサ１１に対して、直列リアクトル１２とは並列に電気的に接続されている。

ここで、高調波引き込み現象防止装置２０は、定電圧スイッチング部であるギャップ素子２１およびバリスタ素子２２からなる直列接続体と、抵抗部としての抵抗素子２３とを直列に接続して構成されている。この定電圧スイッチング部は、本実施形態のようなギャップ素子とバリスタ素子との組み合わせのほかに、ギャップ素子単独，バリスタ素子単独，双方向サイリスタ素子単独，双方向サイリスタ素子とギャップ素子との組み合わせ，もしくは双方向サイリスタ素子とバリスタ素子との組み合わせなどによっても構成することができる。つまり、定電圧スイッチング部は、バリスタ素子，ギャップ素子、双方向性サイリスタ素子およびこれらの組み合わせのうちのいずれかによって構成することができる。電圧ひずみの比較的小さい線路で使用される高調波引き込み現象防止装置には、ギャップ素子を必ずしも設ける必要はなく、その場合にも後述する効果を奏することが可能である。

本実施形態の高調波引き込み現象防止装置２０を設けたことにより、後述するように、電源投入時の進相コンデンサ１１や直列リアクトル１２への突入電流を抑制し、かつ、その後の過渡振動もすばやく消滅させ得ることが、フィールド試験において確認された。

図３は、実施形態に係る高調波引き込み現象防止装置２０の組立状態の構造を示す部分断面図である。同図に示すように、本実施形態の高調波引き込み現象防止装置２０は、プラスチック製の紡錘型の容器５０内に、抵抗素子６０と、バリスタ素子７０と、ギャップ素子８０とを収納し、両端の端子５５，５６からそれぞれリード線に相当する高圧配線９１，９２を導出して構成されている。容器５０内において、接続金具５１と端子５５との間はリード線５２によって電気的に接続されているとともに、接続金具５１と端子５５との間に介在する圧縮コイルバネ５３によって各パーツ間の強固な接続が確保されている。また、高圧配線９１，９２と容器５０とは防水用のゴム製キャップ９３，９４により、互いに固定されている。さらに、容器５０の大部分を覆うとともに、キャップ９３，９４の容器５０側の端部を覆う圧縮性チューブ９６が設けられている。バリスタ素子７０には、たとえばＺｎＯを主成分とし、それ自体が非直線抵抗特性を有するセラミック体に電極を付設したＺｎＯバリスタ素子を用いることが好ましい。

このような構造により、製造コストが安価で、コンパクトな高調波引き込み現象防止装置２０が得られる。

図４は、本実施形態に係る高調波引き込み現象防止装置の進相コンデンサ装置への取り付け状態を示す斜視図である。同図に示すように、本実施形態の高調波引き込み現象防止装置２０は、各相ごとに一つのユニットに一体化されており、既存の進相コンデンサ装置に取り付け可能に構成されている。ここにいう既存の進相コンデンサ装置は、主要部材として、３相分のヒューズ付きスイッチ１３と、３相分の進相コンデンサ１１を収納している進相コンデンサユニット１１Ａと、３相分の直列リアクトル１２を収納している直列リアクトルユニット１２Ａとを備え、各直列リアクトル１２と各ヒューズ付きスイッチ１３とは対応するもの同士がそれぞれ配線１４により接続され、また、各進相コンデンサ１１と各直列リアクトル１２とは配線l５により同様に接続されている。

そして、本実施形態の進相コンデンサ装置１０は、既存の進相コンデンサ装置に、３相分の高調波引き込み現象防止装置２０を取り付けたものである。すなわち、各高調波引き込み現象防止装置２０の一つの端子から延びる配線１８は、各直列リアクトル１２の一つの端子から延びる配線１４および各ヒューズ付きスイッチ１３に接続点Ｐにおいて接続されており、各高調波引き込み現象防止装置２０の他の端子から延びる配線１９は、各直列リアクトル１２の他の端子から延びる配線１５および各進相コンデンサ１１の端子に接続点Ｑにおいて接続されている。

このような高調波引き込み現象防止装置２０の構造により、後述するように、高調波引き込み現象を確実に防止することができるとともに、電源系統への投入時の突入電流を効果的に抑制でき、電源系統の電圧動揺を低減することが可能であり、また装置全体の小型化が可能であり、かつ製造コストも安価であり、しかも、進相コンデンサ装置への取り付けも容易である。

図５は、本実施形態の高調波引き込み現象防止装置２０中に配置されているギャップ素子８０の構造を示す断面図である。ギャップ素子８０は、セラミック製の筒状体８１の両端に金属製の電極８３，８４を取り付け、内部に不活性ガス８２を封入して構成されている。このギャップ素子８０の両端の電極８３，８４間に、放電開始電圧を超える電圧が印加されると、不活性ガス８２が絶縁破壊して放電が生じ、電極８３，８４間に電流が流れる。

図６は、本実施形態の高調波引き込み現象防止装置２０中に配置されているバリスタ素子７０の構造を示す断面図である。同図に示すように、バリスタ素子７０は、電圧非直線性抵抗特性を発現させる成分，たとえばＢｉ，Ｃｏ，ＭｎおよびＳｂなど、もしくはＰrなどを含有する円柱状のＺｎＯセラミック体７５と、アルミニウム溶射などによってＺｎＯセラミック体７５の両端に設けられた円板状の電極７１，７２と、ＺｎＯセラミック体７５，各電極７１，７２および端子電極７３，７４からなる円柱体の側面を被覆するシリコーン樹脂などの絶縁被覆体７７とを備えている。電極７１，７２は、ＺｎＯセラミック体７５を挟んで相対向しており、端子電極７３，７４間にしきい値電圧を超える電圧が印加されると、電極７１，７２間を埋めるＺｎＯセラミック体７５が導通状態となり、電極７１，７２間に電流が流れる。

なお、本実施形態で用いられる抵抗素子６０としては、抵抗値が５０Ω〜２ｋΩの範囲内にある一般的な抵抗素子を用いることができる。

次に、発明者が行なった高調波引き込み現象防止装置２０の構造と作用，効果の関係に関する試験結果について説明する。

ここで、鉄共振が発生するためには、進相コンデンサに直列に接続された直列リアクトルが磁気飽和を起こすことが条件となる。一般に、リアクトルの電流は、Ｖ・ｄｔに応じて増大するので、周波数の高い(つまりｄｔが小さい)高調波によって磁気飽和を生じるには、リアクトル両端に比較的高い電圧が印加される必要がある。そこで、発明者が行なった試験においては、リアクトルの両端に高電圧が印加されたときに、リアクトルや進相コンデンサに大電流が流れない回路構成について検討した。

図７は、比較例としての、高調波引き込み現象防止装置を有していない進相コンデンサ装置を、電力系統に接続した後の電圧と電流のシミュレーション波形を示す図である。図７において、Ｖｄは３８００Ｖの電源電圧、Ｉｃはコンデンサ電流を示している。この進相コンデンサの定格電流が４.３７Ａであるのに対して、時間が経過してもコンデンサ電流Ｉｃの電流実効値が１８Ａを越え、これから、鉄共振状態が持続して高調波引き込み現象が生じていることがわかる。そして、このような大電流が直列リアクトルを流れることにより、それがいちじるしく発熱して加熱状態となり、焼損のる。これによって進相コンデンサ装置に設けてある保護装置が動作して、あるいは保護装置を設けていない場合には直列リアクトルが焼損に至る可能性がある。

図８は、本実施形態の高調波引き込み現象防止装置を取り付けた場合の進相コンデンサ装置の相電流波形および防止装置に加わる電流波形のシミュレーション結果を示す図である。図８において、Ｖｄは電源電圧、Ｉｃはコンデンサ電流、Ｉｚは高調波引き込み現象防止装置に流れる防止装置電流を示している。

図８に示すように、本実施形態によれば、進相コンデンサ装置の電力系統接続時に生じる電流の突入現象は直列リアクトルによって効果的に抑制され、コンデンサ電流Ｉｃが大幅に低減されることがわかる。そして、この電流で鉄共振が発生するものの、高調波引き込み現象防止装置に防止装置電流Ｉｚが流れることで、コンデンサ電流Ｉｃの過渡振動が１〜２周期前後のきわめて短期間に収まってその電流実効値が４.８Ａまで減少しており、高調波引き込み現象が非常に短い期間で終息している。そして、高調波引き込み現象防止装置に流れる防止装置電流Ｉｚも、進相コンデンサ装置を系統に接続した直後に波高値で４.９Ａ流れるが、すみやかにほぼ０にまで減衰している。

すなわち、図７，図８の結果を比較することにより、上述のような本発明の効果が検証されたことになる。また、発明者による実験によると、以下のことが確認されている。

リアクトルが磁気飽和して鉄共振に至るような電圧(接続される系統電圧の１／３から１／８)が直列リアクトルに加わったとき、定電圧スイッチング部(本実施形態ではバリスタ素子)が導通し、進相コンデンサから直列リアクトルに流れる電流の一部分が抵抗部(本実施形態では抵抗素子)にバイパスされて、電源系統に過電流が徐々に放出されるので、鉄共振をきわめて短期間に消息させることができる。

鉄共振が収まった状態においては、直列リアクトルの両端に加わる電圧が所定の値まで低下するため、定電圧スイッチング部は自動的に開放状態になる。

また、高調波引き込み現象防止装置において、抵抗部の抵抗が低くすぎると、抵抗部および定電圧スイッチング部に分流する突入電流の比率が大きくなり、直列リアクトルの突入電流抑制作用による効果がいちじるしく減殺される。これにより、進相コンデンサ投入時に電源系統に大きな電圧動揺を生じさせる。抵抗部の抵抗が高すぎると、直列リアクトルの電流抑制作用が得られるものの、電源系統への投入で発生した進相コンデンサ・直列リアクトル間の鉄共振時の過電流を電源側へ放出するのに要する期間が長くなり、鉄共振を早期に終息させることが困難となる。実験によれば、６.６ｋＶコンデンサ用の６％リアクトルで、抵抗部の抵抗値が５０Ω以上で、２ｋΩの範囲内にあるときに、高調波引き込み現象防止装置が直列リアクトルの突入電流抑制作用に実使用に支障を生じるような影響を与えることがなく、なおかつ鉄共振現象がきわめて短期間に終息することが確認された。さらには、抵抗部を３００Ω〜２ｋΩの高抵抗とすることによって、より望ましい効果が得られることが検証された。

また、バリスタ素子に印加される電圧を検証した結果、電圧歪が上昇した場合の常時印加電圧がバリスタ素子の放電開始電圧に近い場合には、漏れ電流による熱暴走のおそれがある。それに対して、ギャップ素子をバリスタ素子に直列に接続することにより、この現象を抑制しうることがわかった。大型のバリスタ素子を用いると、ギャップ素子を別途設けなくても漏れ電流は抑制することが可能であるが、高調波引き込み現象防止装置全体をコンパクトにするためには、ギャップ素子を設けた構造が好ましい。

なお、前記実施形態においては、バリスタ素子７０，抵抗素子６０およびギャップ素子８０を一つの容器５０内に収納して高調波引き込み現象防止装置２０を一体化しているが、各部材を必ずしも共通の容器に収納する必要はない。進相コンデンサ装置１０において、たとえばバリスタ素子およびギャップ素子とを一つの容器に収納し、抵抗部としての抵抗素子を外付けしたり、各部材を個別に配置し接続したりすることにより、高調波引き込み現象防止装置２０を構成しても、直列リアクトルのもつ突入電流抑制作用を損なうことなく、高調波引き込み現象をきわめて短期間に終息させるという基本的な効果を発揮させることができる。なお、図３に示す構造において、高調波引き込み現象防止装置２０の両端から高圧配線９１，９２を引き出しておく必要もなく、高周波引き込み現象防止装置２０の両端からなんらかの電気的接続用の導体部材が露出していれば、図４に示すような構成を容易に実現することができる。

また、図４に示す３本の高周波引き込み現象防止装置２０を共通の保持部材によって一つのユニットにすることも可能である。その場合、図４に示す３個の高周波引き込み現象防止装置２０と、直列リアクトルユニット１２Ａとを共通の保持部材によって一つのユニットに一体化することも可能である。さらに、図４に示す１個の高周波引き込み現象防止装置２０と１個の直列リアクトル１２とを、共通の保持部材によって一つのユニットに一体化することも可能である。

本発明の進相コンデンサ装置および高調波引き込み現象防止装置は、電力系統から負荷系統に電力を供給するシステムに利用することができる。

本発明の実施形態に係る各相ごとの進相コンデンサ装置の構成を示す電気回路図である。 本発明の実施形態に係る電力系統に対する進相コンデンサ装置の配置関係を示す電気回路図である。 本発明の実施形態に係る高調波引き込み現象防止装置の組立状態の構造を示す部分断面図である。 本発明の実施形態に係る高調波引き込み現象防止装置の進相コンデンサ装置への取り付け状態を示す斜視図である。 本発明の実施形態の高調波引き込み現象防止装置中に配置されているギャップ素子の構造を示す断面図である。 本発明の実施形態の高調波引き込み現象防止装置中に配置されているバリスタ素子の断面図である。 高調波引き込み現象防止装置を有していない進相コンデンサ装置の電流波形の測定結果を示す図である。 本発明の実施形態の高調波引き込み現象防止装置を取り付けた進相コンデンサ装置の電流波形の測定結果を示す図である。

符号の説明

５ 遮断器
６ 負荷
１０ 進相コンデンサ装置
１１ 進相コンデンサ
１２ 直列リアクトル
１３ ヒューズ付きスイッチ
１４，１５ 配線
１８，１９ リード線
２０ 高調波引き込み現象防止装置
２１ ギャップ素子
２２ バリスタ素子
２３ 抵抗素子
５０ 容器
５１ 接続金具
５２ リード線
５３ 圧縮コイルバネ
５５，５６ 端子
６０ 抵抗素子
７０ バリスタ素子
７１，７２ 電極
７３，７４ 端子電極
７５ ＺｎＯセラミック体
７７ 被覆絶縁層
８０ ギャップ素子
８１ 筒状体
８２ 不活性ガス
８３，８４ 電極
９１，９２ 高圧配線
９３，９４ 防水用のキャップ
９６ 圧縮性チューブ

Claims (12)

1. 進相コンデンサと前記進相コンデンサに直列に接続されたリアクトルとを有する進相コンデンサ装置に、前記進相コンデンサとは直列に、かつ、前記リアクトルとは並列に接続される高調波引き込み現象防止装置であって、
   定電圧スイッチング部と、前記定電圧スイッチング部に直列に接続された抵抗部とを有し、
   前記定電圧スイッチング部の導通開始電圧が、前記リアクトルに正常時に印加される電圧より高く、
   前記抵抗部の抵抗値が５０Ω〜２ｋΩの範囲内であることを特徴とする高調波引き込み現象防止装置。
2. 請求項１記載の高調波引き込み現象防止装置において、
   前記定電圧スイッチング部は、バリスタ素子、ギャップ素子、双方向性サイリスタ素子およびこれらの組み合わせのうちのいずれかによって構成されている高調波引き込み現象防止装置。
3. 請求項１記載の高調波引き込み現象防止装置において、
   前記定電圧スイッチング部がＺｎＯバリスタ素子である高調波引き込み現象防止装置。
4. 請求項１記載の高調波引き込み現象防止装置において、
   少なくとも前記定電圧スイッチング部および前記抵抗部に電気的に接続された外部接続用の1対の端子と、
   少なくとも前記定電圧スイッチング部、前記抵抗部および前記端子を一体的に収納した容器とをさらに備えて設けられている高調波引き込み現象防止装置。
5. 請求項４記載の高調波引き込み現象防止装置において、
   前記1対の端子にそれぞれ電気的に接続された1対の導電部材をさらに備えている高調波引き込み現象防止装置。
6. 請求項５記載の高調波引き込み現象防止装置において、
   前記1対の導電部材は、既存の進相コンデンサおよびリアクトルに取り付け可能である高調波引き込み現象防止装置。
7. 電力系統の進相コンデンサ装置において進相コンデンサに直列に接続されるリアクトル装置であって、
   前記進相コンデンサに直列に接続されるリアクトルと、
   前記進相コンデンサに対して、前記リアクトルとは並列に、かつ互いに直列に接続された定電圧スイッチング部と抵抗部とを備え、
   前記定電圧スイッチング部の導通開始電圧が、前記リアクトルに正常時に印加される電圧より高く、
   前記抵抗部の抵抗値が５０Ω〜２ｋΩの範囲内であることを特徴とするリアクトル装置。
8. 請求項７記載のリアクトル装置において、
   前記定電圧スイッチング部が、バリスタ素子、ギャップ素子、双方向性サイリスタ素子およびこれらの組み合わせのうちのいずれかによって構成されているリアクトル装置。
9. 請求項７記載のリアクトル装置において、
   前記定電圧スイッチング部がＺｎＯバリスタ素子であるリアクトル装置。
10. 電力系統に挿入された進相コンデンサと、
    前記進相コンデンサに直列に接続されるリアクトルと、
    前記進相コンデンサに対して、前記リアクトルと並列に、かつ互いに直列に接続された定電圧スイッチング部と抵抗部とを備え、
    前記定電圧スイッチング部の導通開始電圧が、前記リアクトルに正常時に印加される電圧より高く、
    前記抵抗部の抵抗値が５０Ω〜２ｋΩの範囲内であることを特徴とする進相コンデンサ装置。
11. 請求項１０記載の進相コンデンサ装置において、
    前記定電圧スイッチング部が、バリスタ素子、ギャップ素子、双方向性サイリスタ素子およびこれらの組み合わせのうちのいずれかによって構成されている進相コンデンサ装置。
12. 請求項１０記載の進相コンデンサ装置において、
    前記定電圧スイッチング部がＺｎＯバリスタ素子である進相コンデンサ装置。

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