JP2005286294A - Method of manufacturing circuit board - Google Patents

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宗利 入沢
Wakana Aizawa
和佳奈 相澤
Toyoichi Komuro
豊一 小室
Katsuya Fukase
克哉 深瀬
Toyoaki Sakai
豊明 酒井
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method by which a high reliability circuit board that solves problems, such as positional deviation of holes in lands, caused by the positional deviation in an exposing step or the defective conduction of conductive layers in the holes can be manufactured. <P>SOLUTION: The method of manufacturing the circuit board is composed of a step of forming a photoconductive layer 15 on the surface of an insulating substrate 1, having the conductive layer 13 on its surface and on the internal walls of a through hole or/and a non-through hole, a step of forming a second resin layer on the photoconductive layer 15 except the holes, and a step of removing the photoconductive layer 15 formed on the holes. The method also comprises a step of removing the second resin layer, a step of forming an electrostatic latent image on the photoconductive layer, and a step of forming a third resin layer 8 on the photoconductive layer 15 in the portion, corresponding to a circuit section and on the conductive layer 13 formed in the holes. In addition, the method is also composed of a step of removing the photoconductive layer 15 corresponding to a non-circuit section, a step of etching the exposed conductive layer 13, and a step of removing the third resin layer 8 and photoconductive layer 15. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、貫通孔および/または非貫通孔を有する回路基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a circuit board having a through hole and / or a non-through hole.

近年の電子機器の小型、多機能化に伴い、回路基板も高密度化や配線パターンの微細化が進められており、そのような条件を達成する手段としては、回路基板の多層化が挙げられる。図49で示したように、複数の配線層を積層して形成した回路基板は、一般にスルーホール31、バイアホール32、インタースティシャルバイアホール33と呼ばれる、内壁を導電層で被覆したあるいは充填した貫通孔、非貫通孔(以下、孔)といった細孔を通じて各層間の導通が行われている。   As electronic devices have become smaller and more multifunctional in recent years, circuit boards have also been increased in density and wiring patterns, and means for achieving such conditions include multilayer circuit boards. . As shown in FIG. 49, a circuit board formed by laminating a plurality of wiring layers is generally referred to as a through hole 31, a via hole 32, or an interstitial via hole 33. The inner wall is covered or filled with a conductive layer. Conduction between layers is performed through pores such as through holes and non-through holes (hereinafter referred to as holes).

図50は、孔を上部から見た概略図である。孔17の周囲にランド18と呼ばれる導電層が形成されている。ランドは角形、円形、楕円形、異形等、種々の種類があるが、占有面積あるいは設計面の使いやすさから、円形を用いることが多い。高密度化に対応するためには、ランドレスもしくは狭小ランド幅の孔が必要とされている。   FIG. 50 is a schematic view of the hole as viewed from above. A conductive layer called a land 18 is formed around the hole 17. There are various types of lands, such as a square, a circle, an ellipse, and an irregular shape. A circle is often used because of the occupied area or the ease of use of the design surface. In order to cope with higher density, a landless or narrow land width hole is required.

回路基板を製造する方法は、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法等がある。最も一般的な方法はサブトラクティブ法である。サブトラクティブ法では、表面および貫通孔または/非貫通孔の内壁に導電層を有する絶縁性基板(図51)の回路部に相当する部分にエッチングレジスト層を設け(図52)、露出している非回路部の導電層をエッチング除去し(図53)、不要なエッチングレジスト層を除去して回路を形成する(図54)。   As a method for manufacturing a circuit board, there are a subtractive method, an additive method, a semi-additive method, and the like. The most common method is the subtractive method. In the subtractive method, an etching resist layer is provided on a portion corresponding to a circuit portion of an insulating substrate (FIG. 51) having a conductive layer on the surface and the inner wall of the through hole or non-through hole (FIG. 52) and exposed. The conductive layer in the non-circuit portion is removed by etching (FIG. 53), and an unnecessary etching resist layer is removed to form a circuit (FIG. 54).

サブトラクティブ法により回路基板を製造する場合、予め孔内壁に設けた導電層をエッチングレジスト層で保護し、エッチング工程において、孔内壁の導電層が除去されないようにする必要がある。ネガ型(光架橋型)ドライフィルムフォトレジストを用いてエッチングレジスト層を形成する場合には、孔およびランド部を露光して架橋したドライフィルムフォトレジストで孔に蓋をするテンティング方法で、孔内部にエッチング液が入らないようにして、孔内壁の導電層を保護する。   When a circuit board is manufactured by a subtractive method, it is necessary to protect a conductive layer previously provided on the inner wall of the hole with an etching resist layer so that the conductive layer on the inner wall of the hole is not removed in the etching process. When forming an etching resist layer using a negative (photo-crosslinking type) dry film photoresist, the hole and land portions are exposed and crosslinked with a dry film photoresist that has been cross-linked to form a hole. The conductive layer on the inner wall of the hole is protected by preventing the etchant from entering the inside.

テンティング方法で孔を保護する場合、孔の穴開け加工や露光工程の位置合わせが重要であり、特に、高密度回路基板で要求されるランドレスおよび狭小ランド幅の孔では、非常に高い位置合わせ精度が必要となる。つまり、図55(b)に示したように、広大ランド幅の場合に、Xの距離だけ位置ずれが発生したとしても、孔上に完全にレジストの蓋を形成できるが、図55(a)に示したように、狭小ランド幅の場合には、孔とランドが同距離Xだけずれると、ランドが孔部分から切れ、エッチング液が孔内に浸入してしまい、導通不良となる問題が発生する。しかし、穴開け加工の精度、基板の伸縮、露光用フォトマスクの寸法変化等が原因となって、位置合わせ精度には限界があるのが実情である。また、高密度回路基板上に形成される孔の径は多種類で、孔数も極めて多いため、全ての孔に対して精確に位置合わせを行うことは非常に困難である。したがって、高密度回路基板ではランドレスや狭小ランド幅の孔が求められているにもかかわらず、テンティングが確実に行われるためには、ランド幅を大きく設計しなくてはならないという問題が発生している(例えば、特許文献1、2参照)。   When protecting holes with the tenting method, it is important to align the hole drilling and exposure process, especially in the case of landless and narrow land width holes required for high-density circuit boards. Alignment accuracy is required. That is, as shown in FIG. 55 (b), in the case of a large land width, a resist lid can be completely formed on the hole even if a positional deviation occurs by a distance of X, but FIG. As shown in Fig. 2, in the case of a narrow land width, if the hole and the land are shifted by the same distance X, the land is cut off from the hole portion, and the etching solution enters the hole, resulting in a problem of poor conduction. To do. However, due to the accuracy of drilling, expansion / contraction of the substrate, dimensional change of the photomask for exposure, etc., the actual situation is that the alignment accuracy is limited. In addition, since there are many types of holes formed on the high-density circuit board and the number of holes is extremely large, it is very difficult to accurately align all the holes. Therefore, even though landless and narrow land width holes are required in high-density circuit boards, there is a problem that the land width must be designed to be large in order to ensure tenting. (For example, refer to Patent Documents 1 and 2).

エッチングレジスト層を形成する方法として、電着フォトレジストが知られている。これは、図56に示したように電着塗装法によって孔内壁を含む導電層上に一様に電着フォトレジスト層を設け、次に、フォトマスクを介して露光し、現像することで、エッチングレジスト層を設ける方法である。   An electrodeposition photoresist is known as a method for forming an etching resist layer. As shown in FIG. 56, the electrodeposition photoresist layer is uniformly provided on the conductive layer including the hole inner wall by the electrodeposition coating method, and then exposed through a photomask and developed. This is a method of providing an etching resist layer.

電着フォトレジストでは、ネガ型(光架橋型)とポジ型(光分解型)がある。ネガ型(光架橋型)の場合は、露光してフォトレジストを架橋させる必要があるが、スルーホール31の孔内を露光できず、孔内部の電着フォトレジストを完全に架橋することができないため、エッチングレジスト層として使用することができない。   Electrodeposited photoresists include negative types (photocrosslinking types) and positive types (photolytic types). In the case of the negative type (photocrosslinking type), it is necessary to expose and crosslink the photoresist, but the inside of the through hole 31 cannot be exposed and the electrodeposited photoresist inside the hole cannot be completely crosslinked. Therefore, it cannot be used as an etching resist layer.

バイアホール32ではランドの無いパターンのみのフォトマスクを用いて、ランドレスの孔を形成することができるが、孔内部の導電層を完全に保護できないという問題がある。また、狭小ランド幅の孔を製造する場合、ランド部を露光するように設計されたフォトマスクを使用するが、上述のネガ型(光架橋型)ドライフィルムフォトレジストで説明したのと同様に、位置合わせ精度の問題があるため、ランドの位置が図55(a)に示したようにずれてしまうという問題があり、全ての外周に渡って狭小ランドが存在する孔を形成することはできず、孔内部の導電層を完全に保護できないという問題もある。したがって、ランド幅を大きくしなければならず、ランドの狭小化に対応できないという問題がある。   In the via hole 32, a landless hole can be formed using a photomask having only a pattern having no land, but there is a problem that the conductive layer inside the hole cannot be completely protected. In addition, when manufacturing a hole with a narrow land width, a photomask designed to expose the land portion is used, but as described in the above-mentioned negative (photocrosslinking type) dry film photoresist, Since there is a problem of alignment accuracy, there is a problem that the position of the land is shifted as shown in FIG. 55 (a), and it is impossible to form a hole in which a narrow land exists over the entire outer periphery. There is also a problem that the conductive layer inside the hole cannot be completely protected. Therefore, the land width must be increased, and there is a problem that the land cannot be narrowed.

一方、ポジ型(光分解型)電着フォトレジストの場合は、孔内部は露光する必要が無いので、ランドの無いパターンのみのフォトマスクを用いて、ランドレスの孔を形成する手段として有効であると言われている。円柱形状のスルーホール31では光が侵入しないために、孔内壁のポジ型(光分解型)フォトレジスト層を保護することは可能である。しかし、テーパー形状のバイアホール32では、部分的に光が侵入するため、孔の内壁および底面全てのエッチングレジスト層を残存させることができないという問題があった。したがって、スルーホールとバイアホールが共存している回路基板の場合、回路基板に存在する全ての孔における内部導電層を保護することは不可能であった。   On the other hand, in the case of a positive type (photodecomposition type) electrodeposition photoresist, there is no need to expose the inside of the hole, so it is effective as a means for forming a landless hole using a photomask having only a pattern without a land. It is said that there is. Since light does not enter through the cylindrical through hole 31, it is possible to protect the positive (photolytic) photoresist layer on the inner wall of the hole. However, the tapered via hole 32 has a problem that the etching resist layer cannot remain on the inner wall and the bottom surface of the hole because light partially penetrates. Therefore, in the case of a circuit board in which through holes and via holes coexist, it is impossible to protect the internal conductive layers in all the holes existing in the circuit board.

また、ポジ型(光分解型)電着フォトレジストを用いて狭小ランド幅の孔を製造する場合、ランド部を遮光するように設計されたフォトマスクを使用するが、上述のネガ型(光架橋型)ドライフィルムフォトレジストで説明したのと同様に、位置合わせ精度の問題があるため、ランドの位置が図55(a)に示したようにずれてしまうという問題がある。スルーホール31では孔内に光が入らないため、位置ずれがあっても孔内部の導電層を保護することができるが、全ての外周に渡って狭小ランドが存在する孔を形成することができず、バイアホール32では、孔内が露光されてしまうため、孔内部の導電層を完全に保護できないという問題もある。したがって、ランド幅を大きくしなければならず、ランドの狭小化に対応できないという問題がある。   In addition, when manufacturing a hole with a narrow land width using a positive type (photodecomposition type) electrodeposition photoresist, a photomask designed to shield the land portion is used. In the same manner as described in the type) dry film photoresist, there is a problem of alignment accuracy, and therefore there is a problem that the position of the land is shifted as shown in FIG. Since light does not enter the hole in the through hole 31, the conductive layer inside the hole can be protected even if there is a positional shift, but a hole with a narrow land can be formed over the entire outer periphery. In addition, the via hole 32 exposes the inside of the hole, so that there is a problem that the conductive layer inside the hole cannot be completely protected. Therefore, the land width must be increased, and there is a problem that the land cannot be narrowed.

エッチングレジスト層形成方法として、電子写真法を利用した場合、孔内部の導電層の保護は可能であるが、ランドは露光工程によって形成されるため、フォトレジストと同様に、図55(a)に示したような位置ずれが発生するという問題があった(例えば、特許文献3〜4)。
特開平3−236956号公報 特開平7−7265号公報 特許3281476号公報 特許3281486号公報
When the electrophotographic method is used as the etching resist layer forming method, the conductive layer inside the hole can be protected. However, since the land is formed by the exposure process, as in the case of the photoresist, FIG. There has been a problem that the positional deviation as shown occurs (for example, Patent Documents 3 to 4).
Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-236955 Japanese Patent Laid-Open No. 7-7265 Japanese Patent No. 3281476 Japanese Patent No. 3281486

本発明の課題は、露光工程の位置ずれが原因となり発生していた孔のランドにおける位置のずれ、孔内の導電層の導通不良といった問題を解決した信頼性の高い回路基板の製造方法を提供することである。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a highly reliable circuit board manufacturing method that solves problems such as a positional deviation in a land of a hole and a conduction failure of a conductive layer in a hole, which have occurred due to a positional deviation in an exposure process. It is to be.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、
(1)表面および貫通孔または/および非貫通孔の内壁に導電層を有する絶縁性基板の表面に光導電層を形成する工程、孔上以外の光導電層上に第二樹脂層を形成する工程、孔上の光導電層を除去する工程、第二樹脂層を除去する工程、光導電層上に静電潜像を形成する工程、回路部に相当する部分の光導電層上および孔内の導電層上に第三樹脂層を形成する工程、非回路部に相当する光導電層を除去する工程、露出した導電層をエッチングする工程、第三樹脂層および光導電層を除去する工程からなる回路基板の製造方法、
(2)表面および貫通孔または/および非貫通孔の内壁に導電層を有する絶縁性基板の表面に光導電層を形成する工程、孔上以外の光導電層上に第二樹脂層を形成する工程、孔上の光導電層を除去する工程、孔内の導電層上に第四樹脂層を形成する工程、第二樹脂層を除去する工程、光導電層上に静電潜像を形成する工程、回路部に相当する部分の光導電層上に第三樹脂層を形成する工程、非回路部に相当する光導電層を除去する工程、露出した導電層をエッチングする工程、第三樹脂層、光導電層および第四樹脂層を除去する工程からなる回路基板の製造方法、
(3)孔上以外の光導電層上に第二樹脂層を形成する工程が、光導電層表面を一様に帯電させて、孔上の光導電層と表面導電層上の光導電層とに電位差を誘起させる工程、該電位差を利用して孔上以外の光導電層上に第二樹脂層を形成する工程からなることを特徴とする上記(1)または(2)記載の回路基板の製造方法、
(4)孔上の光導電層を除去した後、孔内の導電層上にめっき導電層を設ける工程を有する上記(1)〜(3)のいずれか記載の回路基板の製造方法
を見出すに至った。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have
(1) A step of forming a photoconductive layer on the surface and the surface of the insulating substrate having a conductive layer on the inner wall of the through hole and / or non-through hole, and forming a second resin layer on the photoconductive layer other than the hole. A step, a step of removing the photoconductive layer on the hole, a step of removing the second resin layer, a step of forming an electrostatic latent image on the photoconductive layer, a portion on the photoconductive layer corresponding to the circuit portion and in the hole From the step of forming the third resin layer on the conductive layer, the step of removing the photoconductive layer corresponding to the non-circuit portion, the step of etching the exposed conductive layer, the step of removing the third resin layer and the photoconductive layer A method of manufacturing a circuit board,
(2) A step of forming a photoconductive layer on the surface and the surface of the insulating substrate having a conductive layer on the inner wall of the through hole and / or non-through hole, and forming a second resin layer on the photoconductive layer other than the hole. A step, a step of removing the photoconductive layer above the hole, a step of forming a fourth resin layer on the conductive layer in the hole, a step of removing the second resin layer, and forming an electrostatic latent image on the photoconductive layer A step, a step of forming a third resin layer on the photoconductive layer corresponding to the circuit portion, a step of removing the photoconductive layer corresponding to the non-circuit portion, a step of etching the exposed conductive layer, a third resin layer , A method of manufacturing a circuit board comprising a step of removing the photoconductive layer and the fourth resin layer,
(3) The step of forming the second resin layer on the photoconductive layer other than on the hole uniformly charges the surface of the photoconductive layer, and the photoconductive layer on the hole and the photoconductive layer on the surface conductive layer And a step of forming a second resin layer on the photoconductive layer other than on the hole using the potential difference. The circuit board according to (1) or (2), Production method,
(4) To find a method for manufacturing a circuit board according to any one of the above (1) to (3), which includes a step of providing a plated conductive layer on a conductive layer in a hole after removing the photoconductive layer in the hole. It came.

本発明の回路基板の製造方法においては、まず、表面および貫通孔または/および非貫通孔の内壁に導電層を有する絶縁性基板の表面に、孔を塞ぐように光導電層を設ける。次に、光導電層上に第二樹脂層を電着法等の手段によって形成する。   In the method for producing a circuit board of the present invention, first, a photoconductive layer is provided on the surface and the surface of an insulating substrate having a conductive layer on the inner wall of the through hole and / or non-through hole so as to close the hole. Next, a second resin layer is formed on the photoconductive layer by means such as electrodeposition.

本発明の回路基板の製造方法(1)において、第二樹脂層を形成するには、第二樹脂層に用いられる樹脂を粒子状態で、液体に分散させた液を使用する。樹脂粒子は、正または負に帯電している。図57に示したように、表面および孔3の内壁に導電層2を有し、光導電層15を貼り付けた回路形成用基板4に対向するように現像電極19を設置し、回路形成用基板4の導電層2を接地して、適正なバイアス電圧を印加すると、電界Eに従って、帯電した樹脂粒子20は回路形成用基板4方向に電気泳動する。図57では、樹脂粒子20が正に帯電し、かつ正のバイアス電圧をかけた場合を示しているが、樹脂粒子を負に帯電させ、かつ負のバイアス電圧をかけた場合でも、同様に樹脂粒子20は回路形成用基板4方向に電気泳動する。   In the method (1) for producing a circuit board of the present invention, in order to form the second resin layer, a liquid in which a resin used for the second resin layer is dispersed in a liquid is used. The resin particles are positively or negatively charged. As shown in FIG. 57, the developing electrode 19 is provided so as to face the circuit forming substrate 4 having the conductive layer 2 on the surface and the inner wall of the hole 3 and having the photoconductive layer 15 attached thereto. When the conductive layer 2 of the substrate 4 is grounded and an appropriate bias voltage is applied, the charged resin particles 20 are electrophoresed in the direction of the circuit forming substrate 4 according to the electric field E. FIG. 57 shows a case where the resin particles 20 are positively charged and a positive bias voltage is applied, but the resin particles are similarly charged even when the resin particles are negatively charged and a negative bias voltage is applied. The particles 20 are electrophoresed in the direction of the circuit forming substrate 4.

電気泳動によって回路形成用基板方向に近づいてきた樹脂粒子の光導電層への付着量は、光導電層の静電容量によって決まる。図58のように、表面およびスルーホール(貫通孔)31または/およびバイアホール(非貫通孔)32の内壁に導電層2を有し、光導電層15を貼り付けた絶縁性基板1において、光導電層15の静電容量は、その下の形状に影響を受ける。すなわち、導電層2上の光導電層15と、スルーホール(貫通孔)31または/およびバイアホール(非貫通孔)32上の光導電層15とでは、静電容量に差が生じる。   The amount of resin particles adhering to the photoconductive layer approaching the circuit forming substrate by electrophoresis is determined by the capacitance of the photoconductive layer. As shown in FIG. 58, in the insulating substrate 1 having the conductive layer 2 on the surface and the inner wall of the through hole (through hole) 31 and / or the via hole (non-through hole) 32 and the photoconductive layer 15 attached thereto, The capacitance of the photoconductive layer 15 is affected by the shape below it. That is, there is a difference in capacitance between the photoconductive layer 15 on the conductive layer 2 and the photoconductive layer 15 on the through hole (through hole) 31 and / or the via hole (non-through hole) 32.

以下、光導電層の静電容量の差と、それに基づく第二樹脂層付着量の差について説明する。導電層表面と光導電層表面を電極としたコンデンサーと見立てた場合、次式(1)が成立する。
Q=CV (1)
[但し、Q;光導電層上の電荷、C;静電容量、V;導電層表面を基準とした光導電層表面の電位]
静電容量Cは、次式(2)で表される。
C=εS/d (2)
[但し、ε;誘電率、d;光導電層表面と導電層表面との距離、S;面積]
Hereinafter, the difference in the capacitance of the photoconductive layer and the difference in the second resin layer adhesion amount based on the difference will be described. When the capacitor is regarded as a capacitor having the conductive layer surface and the photoconductive layer surface as an electrode, the following equation (1) is established.
Q = CV (1)
[Where Q: charge on the photoconductive layer, C: electrostatic capacity, V: potential on the surface of the photoconductive layer with respect to the surface of the conductive layer]
The capacitance C is expressed by the following formula (2).
C = εS / d (2)
[Where ε: dielectric constant, d: distance between photoconductive layer surface and conductive layer surface, S: area]

ここで、孔上の光導電層の静電容量をC、表面導電層上の光導電層の静電容量をC、孔上の光導電層上の電荷をQ、表面導電層上の光導電層上の電荷をQ、孔上の光導電層表面の電位をV,表面導電層上の光導電層上の電位をVS、孔上の光導電層上に付着した第二樹脂層を形成する樹脂粒子数をN、表面導電層上の光導電層上に付着した第二樹脂層を形成する樹脂粒子数をN、孔上の光導電層表面と導電層表面との距離d、表面導電層上の光導電層表面と導電層表面との距離dとする。 Here, the capacitance of the photoconductive layer on the hole is C H , the capacitance of the photoconductive layer on the surface conductive layer is C S , the charge on the photoconductive layer on the hole is Q H , on the surface conductive layer The charge on the photoconductive layer is Q S , the photoconductive layer surface potential on the hole is V H , the photoconductive layer potential on the surface conductive layer is V S, and the photoconductive layer on the photoconductive layer is deposited on the photoconductive layer on the hole. The number of resin particles forming the two resin layers is N H , the number of resin particles forming the second resin layer adhered on the photoconductive layer on the surface conductive layer is N S , and the surface of the photoconductive layer and the conductive layer surface on the hole a distance d S of the distance d H, the photoconductive layer surface on the surface conductive layer and the conductive layer surface of the.

すなわち、図59に示したように、孔上と表面導電層上において、一定面積(Sが一定)における静電容量Cを比較した場合、孔上の光導電層表面と導電層表面との距離d21が、表面導電層上の光導電層表面と導電層表面との距離d22より大きいので、孔上の静電容量Cが表面導電層上の静電容量Cよりも小さくなる。樹脂粒子は、光導電層全面が等電位(つまり、V=V)となるように、光導電層上に付着する。したがって、孔上の電荷Qは表面導電層上の電荷Qに比べて小さくなる。次式(3)のように、電荷Qの大きさは、第二樹脂層を形成する樹脂粒子数Nに比例する。
Q=Nq (3)
[但し、N;第二樹脂層を形成する樹脂粒子数、q;第二樹脂層を形成する粒子1個の電荷]
That is, as shown in FIG. 59, when comparing the capacitance C in a constant area (S is constant) on the hole and the surface conductive layer, the distance between the surface of the photoconductive layer and the surface of the conductive layer on the hole. Since d H 21 is larger than the distance d S 22 between the surface of the photoconductive layer on the surface conductive layer and the surface of the conductive layer, the capacitance C H on the hole is smaller than the capacitance C S on the surface conductive layer. Become. The resin particles adhere to the photoconductive layer so that the entire surface of the photoconductive layer is equipotential (that is, V H = V S ). Therefore, the charge Q H on the hole is smaller than the charge Q S on the surface conductive layer. As in the following formula (3), the magnitude of the charge Q is proportional to the number N of resin particles forming the second resin layer.
Q = Nq (3)
[Where N: number of resin particles forming the second resin layer, q: charge of one particle forming the second resin layer]

したがって、孔上の光導電層上に付着した第二樹脂層を形成する樹脂粒子数Nは、非常に少なくなり、表面導電層上の光導電層上に付着した第二樹脂層を形成する樹脂粒子数Nよりも小さくなる。 Therefore, the number of resin particles NH forming the second resin layer attached on the photoconductive layer on the hole is very small, and the second resin layer attached on the photoconductive layer on the surface conductive layer is formed. It is smaller than the resin particle number N S.

以上のように、静電容量Cの違いにより、孔上の光導電層上への第二樹脂層の付着量と、表面導電層上の光導電層上への第二樹脂の付着量とに違いが生じる。表面導電層上の光導電層上には光導電層用現像液に対するレジスト性が生ずる厚みまで第二樹脂層を設け、孔上の光導電層上には光導電層用現像液に浸食される量の第二樹脂層を設ける。第二樹脂層をレジストとして孔上の光導電層を除去することで、精確かつ選択的に孔内壁および孔周囲の導電層を露出させることができる。   As described above, due to the difference in capacitance C, the adhesion amount of the second resin layer on the photoconductive layer on the hole and the adhesion amount of the second resin on the photoconductive layer on the surface conductive layer A difference is made. A second resin layer is provided on the photoconductive layer on the surface conductive layer to a thickness that allows resist to the photoconductive layer developer, and the photoconductive layer on the hole is eroded by the photoconductive layer developer. An amount of the second resin layer is provided. By removing the photoconductive layer on the hole using the second resin layer as a resist, the inner wall of the hole and the conductive layer around the hole can be exposed accurately and selectively.

本発明の回路基板の製造方法(3)では、第二樹脂層を形成するには、まず、光導電層表面を帯電させる。表面導電層上に設けられた光導電層と、空気や絶縁性基板等の絶縁層上に設けられた光導電層とに対し、同一条件の下で帯電処理を施した場合、絶縁層上に設けられた光導電層における帯電位の絶対値が、表面導電層上に設けられた光導電層上の値よりも大きくなる。この帯電位差を静電潜像と見なし、電着法等の手段で光導電層上に第二樹脂層を形成すると、孔上の光導電層上への第二樹脂層の付着量と、表面導電層上の光導電層上への第二樹脂の付着量とに違いが生じる。表面導電層上の光導電層上には光導電層用現像液に対するレジスト性が生ずる厚みまで第二樹脂層を設け、孔上の光導電層上には光導電層用現像液に浸食される量の第二樹脂層を設ける。第二樹脂層をレジストとして孔上の光導電層を除去することで、精確かつ選択的に孔内壁および孔周囲の導電層を露出させることができる。   In the circuit board manufacturing method (3) of the present invention, in order to form the second resin layer, first, the surface of the photoconductive layer is charged. If the photoconductive layer provided on the surface conductive layer and the photoconductive layer provided on the insulating layer such as air or an insulating substrate are charged under the same conditions, The absolute value of the charged potential in the provided photoconductive layer is larger than the value on the photoconductive layer provided on the surface conductive layer. When this charge potential difference is regarded as an electrostatic latent image and the second resin layer is formed on the photoconductive layer by means such as electrodeposition, the amount of adhesion of the second resin layer on the photoconductive layer above the hole, and the surface There is a difference in the amount of the second resin deposited on the photoconductive layer on the conductive layer. A second resin layer is provided on the photoconductive layer on the surface conductive layer to a thickness that allows resist to the photoconductive layer developer, and the photoconductive layer on the hole is eroded by the photoconductive layer developer. An amount of the second resin layer is provided. By removing the photoconductive layer on the hole using the second resin layer as a resist, the inner wall of the hole and the conductive layer around the hole can be exposed accurately and selectively.

本発明の回路基板の製造方法(1)では、孔内壁および孔周囲の導電層を露出させた後、第二樹脂層を除去し、次いで帯電工程、露光工程を含む電子写真法によって、光導電層上に静電潜像を形成する。このとき、導電層は帯電工程、露光工程の影響を受けず、帯電位がゼロの状態となるので、電着法等の手段で第三樹脂層を形成すると、回路部に相当する光導電層上と導電層上に第三樹脂層が形成される。このように、導電層が帯電しないことを利用して、確実に孔内壁および孔周囲の導電層をエッチングレジスト層となる第三樹脂層で保護することができる。   In the method (1) for producing a circuit board of the present invention, after exposing the inner wall of the hole and the conductive layer around the hole, the second resin layer is removed, and then photoconductive by electrophotography including a charging step and an exposure step. An electrostatic latent image is formed on the layer. At this time, the conductive layer is not affected by the charging step and the exposure step, and the charged position is zero. Therefore, when the third resin layer is formed by means such as an electrodeposition method, the photoconductive layer corresponding to the circuit portion is formed. A third resin layer is formed on the top and the conductive layer. Thus, utilizing the fact that the conductive layer is not charged, the inner wall of the hole and the conductive layer around the hole can be reliably protected with the third resin layer serving as the etching resist layer.

本発明の回路基板の製造方法(2)では、孔内壁および孔周囲の導電層を露出させた後、電着法等の手段でこの露出した導電層上に第四樹脂層を設ける。次に、第二樹脂層を除去し、次いで帯電工程、露光工程を含む電子写真法によって、光導電層上に静電潜像を形成し、回路部に相当する光導電層上に第三樹脂層を形成する。第四樹脂層を設けるには、例えば水系電着法で導電層上に選択的に第四樹脂層を設ける方法を用いることができる。また、第二樹脂層をコロナ帯電等の手段で帯電させ、帯電位ゼロの導電層上に、電着法等の手段で選択的に第四樹脂層を設ける方法を用いることができる。   In the method (2) for producing a circuit board of the present invention, after exposing the inner wall of the hole and the conductive layer around the hole, a fourth resin layer is provided on the exposed conductive layer by means such as electrodeposition. Next, the second resin layer is removed, and then an electrostatic latent image is formed on the photoconductive layer by electrophotography including a charging step and an exposure step, and a third resin is formed on the photoconductive layer corresponding to the circuit portion. Form a layer. In order to provide the fourth resin layer, for example, a method of selectively providing the fourth resin layer on the conductive layer by an aqueous electrodeposition method can be used. Alternatively, a method can be used in which the second resin layer is charged by means such as corona charging, and the fourth resin layer is selectively provided on the conductive layer having no charged potential by means such as electrodeposition.

本発明の回路基板の製造方法では、第三樹脂層もしくは第四樹脂層で被覆された孔周囲の導電層部がランドとなる。上述の第二樹脂層をレジストとした孔部の光導電層の除去工程で、光導電層除去量を制御することで、図12〜14に示したように、任意にランド幅を調整することができる。また、この方法によると、孔のランドは図50のように、均一な幅を有するものとなる。   In the circuit board manufacturing method of the present invention, the conductive layer portion around the hole covered with the third resin layer or the fourth resin layer becomes the land. As shown in FIGS. 12 to 14, the land width can be arbitrarily adjusted by controlling the photoconductive layer removal amount in the hole photoconductive layer removal step using the second resin layer as a resist. Can do. Further, according to this method, the land of the hole has a uniform width as shown in FIG.

このように、本発明の回路基板の製造方法では、帯電工程、電着法、光導電層除去工程といった位置合わせを必要としない工程のみで、孔およびランド部にエッチングレジスト層を形成することができ、かつランド幅も任意に制御できるという秀逸な効果をもたらす。   As described above, in the circuit board manufacturing method of the present invention, the etching resist layer can be formed in the hole and the land only by the steps that do not require alignment such as the charging step, the electrodeposition method, and the photoconductive layer removing step. It has the excellent effect of being able to control the land width arbitrarily.

以下、本発明の回路基板の製造方法について詳細に説明する。貫通孔を例にとって説明するが、非貫通孔でも以下に説明するのと同様の方法で、回路基板を製造することができる。また、スルーホールとバイアホールが共存しているようなビルドアップ基板であっても同様な方法で製造することができる。   Hereinafter, the circuit board manufacturing method of the present invention will be described in detail. Although a description will be given by taking the through hole as an example, a circuit board can be manufactured even in a non-through hole by the same method as described below. Further, even a build-up substrate in which through holes and via holes coexist can be manufactured by the same method.

本発明の回路基板の製造方法(1)では、まず、表面および貫通孔または/および非貫通孔の内壁に導電層を有する絶縁性基板である回路形成用基板4(図1)の表面に光導電層15を設ける(図2)。表面および貫通孔または/非貫通孔の内壁に導電層を有する絶縁性基板としては、例えば、両面に導電層12を張り合わせた絶縁性基板1に孔を開け、次いで無電解めっき処理および電解めっき処理等の手段により、孔3内および表面上に導電層13を設けたものを使用することができる。   In the circuit board manufacturing method (1) of the present invention, first, light is applied to the surface of the circuit forming substrate 4 (FIG. 1), which is an insulating substrate having a conductive layer on the surface and inner walls of the through holes and / or non-through holes. A conductive layer 15 is provided (FIG. 2). As the insulating substrate having the conductive layer on the surface and the inner wall of the through-hole or non-through-hole, for example, a hole is formed in the insulating substrate 1 having the conductive layer 12 bonded on both sides, and then electroless plating treatment and electrolytic plating treatment For example, the conductive layer 13 provided in the hole 3 and on the surface can be used.

次に、電着等の手段によって、導電層3上の光導電層15上に、第二樹脂層6を形成する(図4)。次に、第二樹脂層6で被覆されていない孔3上の光導電層15を光導電層用現像液で取り除く(図5)。図12〜図14に示したように、光導電層の除去量で孔のランド幅を調整することができる。   Next, the second resin layer 6 is formed on the photoconductive layer 15 on the conductive layer 3 by means such as electrodeposition (FIG. 4). Next, the photoconductive layer 15 on the hole 3 not covered with the second resin layer 6 is removed with a photoconductive layer developer (FIG. 5). As shown in FIGS. 12 to 14, the land width of the hole can be adjusted by the removal amount of the photoconductive layer.

次に、第二樹脂層除去液で残存する第二樹脂層6を取り除く(図6)。露出した光導電層15に正または負の静電潜像を形成し(図7)、該静電潜像を利用して、回路部および孔内の導電層上に、電着法等の手段によって第三樹脂層8を形成する(図8)。第三樹脂層8で被覆されていない光導電層15を光導電層用現像液で取り除いた後(図9)、露出した非回路部に相当する導電層13と12をエッチング除去し(図10)、残存する第三樹脂層8および光導電層15を剥離除去して、回路基板が製造される(図11)。   Next, the remaining second resin layer 6 is removed with the second resin layer removing liquid (FIG. 6). A positive or negative electrostatic latent image is formed on the exposed photoconductive layer 15 (FIG. 7), and means such as an electrodeposition method is used on the conductive layer in the circuit portion and the hole by using the electrostatic latent image. Thus, the third resin layer 8 is formed (FIG. 8). After the photoconductive layer 15 not covered with the third resin layer 8 is removed with the photoconductive layer developer (FIG. 9), the conductive layers 13 and 12 corresponding to the exposed non-circuit parts are removed by etching (FIG. 10). ), The remaining third resin layer 8 and photoconductive layer 15 are peeled and removed to produce a circuit board (FIG. 11).

本発明の回路基板の製造方法(2)では、本発明の回路基板の製造方法(1)と同様に、表面および貫通孔または/および非貫通孔の内壁に導電層を有する絶縁性基板である回路形成用基板4(図1)の表面に光導電層15を設け(図2)次いで、電着等の手段によって、導電層3上の光導電層15上に、第二樹脂層6を形成する(図4)。次いで、第二樹脂層6で被覆されていない孔3上の光導電層15を光導電層用現像液で取り除く(図5)。図12〜図14に示したように、光導電層の除去量で孔のランド幅を調整することができる。   The circuit board manufacturing method (2) of the present invention is an insulating substrate having a conductive layer on the surface and inner walls of through holes and / or non-through holes, as in the circuit board manufacturing method (1) of the present invention. A photoconductive layer 15 is provided on the surface of the circuit forming substrate 4 (FIG. 1) (FIG. 2). Next, the second resin layer 6 is formed on the photoconductive layer 15 on the conductive layer 3 by means of electrodeposition or the like. (FIG. 4). Next, the photoconductive layer 15 on the holes 3 not covered with the second resin layer 6 is removed with a photoconductive layer developer (FIG. 5). As shown in FIGS. 12 to 14, the land width of the hole can be adjusted by the removal amount of the photoconductive layer.

続いて、露出した孔内の導電層上に電着法等の手段によって第四樹脂層10を形成する(図16)。次に、第二樹脂層除去液で残存する第二樹脂層6を取り除く(図17)。もしくは、第二樹脂層除去液で第二樹脂層6を取り除いた後(図6)、露出した孔内の導電層上に電着法等の手段によって第四樹脂層10を形成する(図17)。露出した光導電層15に正または負の静電潜像を形成し(図18)、該静電潜像を利用して、回路部に、電着法等の手段によってさらに第三樹脂層8を形成する(図19)。第三樹脂層8で被覆されていない光導電層15を光導電層用現像液で取り除いた後(図20)、露出した非回路部に相当する導電層13と12をエッチング除去し(図21)、残存する第三樹脂層8および光導電層15および第四樹脂層10を剥離除去して、回路基板が製造される(図11)。   Subsequently, the fourth resin layer 10 is formed on the exposed conductive layer in the hole by means such as electrodeposition (FIG. 16). Next, the remaining second resin layer 6 is removed with the second resin layer removing liquid (FIG. 17). Alternatively, after removing the second resin layer 6 with the second resin layer removing liquid (FIG. 6), the fourth resin layer 10 is formed on the exposed conductive layer in the hole by means such as electrodeposition (FIG. 17). ). A positive or negative electrostatic latent image is formed on the exposed photoconductive layer 15 (FIG. 18), and the third resin layer 8 is further formed on the circuit portion by means such as electrodeposition using the electrostatic latent image. (FIG. 19). After removing the photoconductive layer 15 not covered with the third resin layer 8 with the developer for the photoconductive layer (FIG. 20), the conductive layers 13 and 12 corresponding to the exposed non-circuit parts are removed by etching (FIG. 21). ), The remaining third resin layer 8, photoconductive layer 15 and fourth resin layer 10 are peeled and removed to produce a circuit board (FIG. 11).

本発明の回路基板の製造方法(3)では、本発明の回路基板の製造方法(1)または(2)における孔上以外の光導電層上に第二樹脂層を形成する工程において、帯電工程を利用する。表面および貫通孔または/および非貫通孔の内壁に導電層を有する絶縁性基板(図1)の表面に光導電層15を設ける(図2)。次いで、コロナ帯電等の手段により、光導電層15表面に略一様に帯電処理を行い、正または負に帯電させ、孔3上の光導電層15と導電層13上の光導電層15での電位差を誘起させる(図3)。図3では、プラスに帯電した場合を表し、電位の値の大小を文字の大きさで表した。つまり、同一の帯電条件によっては、空気に接している孔3上の光導電層15は、導電層13上の光導電層15よりも、帯電電位が大きくなる。次に、その電位差を利用して、電着等の手段によって、導電層13上の光導電層15上に、第二樹脂層6を形成する(図4)。   In the method (3) for producing a circuit board according to the present invention, in the step of forming the second resin layer on the photoconductive layer other than the hole in the method (1) or (2) for producing the circuit board according to the present invention, a charging step Is used. The photoconductive layer 15 is provided on the surface and the surface of the insulating substrate (FIG. 1) having a conductive layer on the inner surface of the through hole and / or non-through hole (FIG. 2). Next, the surface of the photoconductive layer 15 is substantially uniformly charged by means such as corona charging to be positively or negatively charged, and the photoconductive layer 15 on the hole 3 and the photoconductive layer 15 on the conductive layer 13 are charged. Is induced (FIG. 3). In FIG. 3, the case of positive charging is shown, and the magnitude of the potential value is represented by the size of the character. That is, depending on the same charging conditions, the photoconductive layer 15 on the hole 3 in contact with air has a higher charging potential than the photoconductive layer 15 on the conductive layer 13. Next, using the potential difference, the second resin layer 6 is formed on the photoconductive layer 15 on the conductive layer 13 by means such as electrodeposition (FIG. 4).

次に、本発明の回路基板の製造方法(1)に本発明の回路基板の製造方法(4)を適応した場合について、表面および貫通孔または/非貫通孔の内壁に導電層を有する絶縁性基板として、両面に導電層12を張り合わせた絶縁性基板1に孔を開け、次いで無電解めっき処理により、孔3内および表面上に導電層13を設けたもの(図22)を使用した例を示す。この基板の表面に光導電層15を設け(図23)、次いで、電着法等の手段によって、導電層13上の光導電層15上に、第二樹脂層6を形成する(図25)。本発明の回路基板の製造方法(3)を併用した場合、光導電層15表面を略一様に帯電処理を行い、正または負の電荷に帯電させ、孔3上の光導電層15と導電層13上の光導電層15での電位差を誘起させる(図24)。この電位差を利用して、電着法等の手段によって、導電層13上の光導電層15上に、第二樹脂層6を形成する(図25)。   Next, in the case where the circuit board manufacturing method (4) of the present invention is applied to the circuit board manufacturing method (1) of the present invention, the insulating property having a conductive layer on the surface and the inner wall of the through hole or non-through hole An example of using a substrate in which a hole is formed in an insulating substrate 1 having conductive layers 12 bonded on both sides and a conductive layer 13 is provided in the hole 3 and on the surface by electroless plating (FIG. 22). Show. A photoconductive layer 15 is provided on the surface of the substrate (FIG. 23), and then the second resin layer 6 is formed on the photoconductive layer 15 on the conductive layer 13 by means such as electrodeposition (FIG. 25). . When the method (3) for producing a circuit board of the present invention is used in combination, the surface of the photoconductive layer 15 is substantially uniformly charged to be charged to a positive or negative charge, and the photoconductive layer 15 on the hole 3 is electrically conductive. A potential difference is induced in the photoconductive layer 15 on the layer 13 (FIG. 24). Using this potential difference, the second resin layer 6 is formed on the photoconductive layer 15 on the conductive layer 13 by means such as electrodeposition (FIG. 25).

続いて、第二樹脂層6で被覆されていない孔3上の光導電層15を光導電層用現像液で取り除き(図26)、露出した孔内の導電層13上に、電解めっき等の手段によって、めっき導電層7を設ける(図27)。本発明の回路基板の製造方法(4)では、孔内の導電層の厚みを確保しつつ、本発明の回路基板の製造方法(1)のように表面全体に厚い導電層が設けられている場合より、表面の導電層の厚みが薄く均一となるという利点がある。   Subsequently, the photoconductive layer 15 on the hole 3 not covered with the second resin layer 6 is removed with a photoconductive layer developer (FIG. 26), and electrolytic plating or the like is applied on the exposed conductive layer 13 in the hole. The plating conductive layer 7 is provided by means (FIG. 27). In the circuit board manufacturing method (4) of the present invention, a thick conductive layer is provided on the entire surface as in the circuit board manufacturing method (1) of the present invention while ensuring the thickness of the conductive layer in the hole. In some cases, there is an advantage that the thickness of the conductive layer on the surface is thin and uniform.

めっき導電層7を設けた後、場合によって、再度光導電層15を光導電層用現像液で取り除くことができる。光導電層除去量を調整することで、図34〜35に示したように、所望のランド幅を有する回路基板の製造が可能となる。   After the plating conductive layer 7 is provided, the photoconductive layer 15 can be removed again with a photoconductive layer developer, as the case may be. By adjusting the removal amount of the photoconductive layer, it is possible to manufacture a circuit board having a desired land width as shown in FIGS.

次に、第二樹脂層除去液で残存する第二樹脂層を取り除く(図28)。露出した光導電層15に正または負の静電潜像を形成し(図29)、該静電潜像を利用して、回路部および孔内の導電層上に、電着法等の手段によって第三樹脂層8を形成する(図30)。第三樹脂層8で被覆されていない光導電層15を光導電層用現像液で取り除いた後(図31)、露出した非回路部に相当する導電層13と12をエッチング除去し(図32)、残存する第三樹脂層8および光導電層15を剥離除去して、回路基板が製造される(図33)。   Next, the remaining second resin layer is removed with the second resin layer removing liquid (FIG. 28). A positive or negative electrostatic latent image is formed on the exposed photoconductive layer 15 (FIG. 29), and the electrostatic latent image is used to apply means such as an electrodeposition method on the circuit layer and the conductive layer in the hole. Thus, the third resin layer 8 is formed (FIG. 30). After the photoconductive layer 15 not covered with the third resin layer 8 is removed with the photoconductive layer developer (FIG. 31), the conductive layers 13 and 12 corresponding to the exposed non-circuit parts are removed by etching (FIG. 32). ), The remaining third resin layer 8 and photoconductive layer 15 are peeled and removed to manufacture a circuit board (FIG. 33).

本発明の回路基板の製造方法(2)においても、本発明の回路基板の製造方法(4)を適応することができる。表面および貫通孔または/非貫通孔の内壁に導電層を有する絶縁性基板として、両面に導電層12を張り合わせた絶縁性基板1に孔を開け、次いで無電解めっき処理により、孔3内および表面上に導電層13を設けたもの(図22)を使用し、この基板の表面に光導電層15を設け(図23)、次いで、電着等の手段によって、導電層3上の光導電層15上に、第二樹脂層6を形成する(図25)。本発明の回路基板の製造方法(3)を併用した場合、光導電層15表面に略一様に帯電処理を行い、正または負の電荷に帯電させ、孔3上の光導電層15と導電層13上の光導電層15での電位差を誘起させる(図24)。この電位差を利用して、電着法等の手段によって、導電層13上の光導電層15上に、第二樹脂層6を形成する(図25)。   The circuit board manufacturing method (4) of the present invention can also be applied to the circuit board manufacturing method (2) of the present invention. As an insulating substrate having a conductive layer on the surface and the inner wall of the through hole or non-through hole, a hole is formed in the insulating substrate 1 having the conductive layer 12 bonded on both sides, and then the inside of the hole 3 and the surface by electroless plating treatment. A substrate provided with a conductive layer 13 (FIG. 22) is used, a photoconductive layer 15 is provided on the surface of the substrate (FIG. 23), and then the photoconductive layer on the conductive layer 3 is formed by means such as electrodeposition. A second resin layer 6 is formed on 15 (FIG. 25). When the method (3) for producing a circuit board according to the present invention is used in combination, the surface of the photoconductive layer 15 is substantially uniformly charged, charged to a positive or negative charge, and electrically conductive with the photoconductive layer 15 on the hole 3. A potential difference is induced in the photoconductive layer 15 on the layer 13 (FIG. 24). Using this potential difference, the second resin layer 6 is formed on the photoconductive layer 15 on the conductive layer 13 by means such as electrodeposition (FIG. 25).

続いて、第二樹脂層6で被覆されていない孔3上の光導電層15を光導電層用現像液で取り除き(図26)、露出した孔内の導電層3上に、電解めっき等の手段によって、めっき導電層7を設ける(図27)。めっき導電層7を設けた後、場合によって、再度光導電層15を光導電層用現像液で取り除くことができる。光導電層除去量を調整することで、図34〜35に示したように、所望のランド幅を有する回路基板の製造が可能となる。   Subsequently, the photoconductive layer 15 on the hole 3 not covered with the second resin layer 6 is removed with a photoconductive layer developer (FIG. 26), and electrolytic plating or the like is applied on the exposed conductive layer 3 in the hole. The plating conductive layer 7 is provided by means (FIG. 27). After the plating conductive layer 7 is provided, the photoconductive layer 15 can be removed again with a photoconductive layer developer, as the case may be. By adjusting the removal amount of the photoconductive layer, it is possible to manufacture a circuit board having a desired land width as shown in FIGS.

続いて、露出した孔内の導電層上に電着法等の手段によって第四樹脂層10を形成する(図36)。次に、第二樹脂層除去液で残存する第二樹脂層6を取り除く(図37)。もしくは、第二樹脂層除去液で第二樹脂層6を取り除いた後(図28)、露出した孔内の導電層上に電着法等の手段によって第四樹脂層10を形成する(図37)。露出した光導電層15に正または負の静電潜像を形成し(図38)、該静電潜像を利用して、回路部に、電着法等の手段によってさらに第三樹脂層8を形成する(図39)。第三樹脂層8で被覆されていない光導電層15を光導電層用現像液で取り除いた後(図40)、露出した非回路部に相当する導電層13と12をエッチング除去し(図41)、残存する第三樹脂層8および光導電層15および第四樹脂層10を剥離除去して、回路基板が製造される(図33)。   Subsequently, the fourth resin layer 10 is formed on the exposed conductive layer in the hole by means such as electrodeposition (FIG. 36). Next, the remaining second resin layer 6 is removed with the second resin layer removing liquid (FIG. 37). Alternatively, after removing the second resin layer 6 with the second resin layer removing liquid (FIG. 28), the fourth resin layer 10 is formed on the exposed conductive layer in the hole by means such as electrodeposition (FIG. 37). ). A positive or negative electrostatic latent image is formed on the exposed photoconductive layer 15 (FIG. 38), and the third resin layer 8 is further formed on the circuit portion by means such as electrodeposition using the electrostatic latent image. (FIG. 39). After removing the photoconductive layer 15 not covered with the third resin layer 8 with the developer for the photoconductive layer (FIG. 40), the conductive layers 13 and 12 corresponding to the exposed non-circuit parts are removed by etching (FIG. 41). ), The remaining third resin layer 8, photoconductive layer 15 and fourth resin layer 10 are peeled and removed to manufacture a circuit board (FIG. 33).

本発明の回路基板製造方法に係わる表面および貫通孔または/および非貫通孔の内壁に導電層を有する絶縁性基板、つまり回路形成用基板としては、絶縁性基板に導電層を張り合わせた積層板に孔を設けた後、めっき処理により孔内壁および表面に導電層を設けた形態、絶縁性基板に孔を設けた後、めっき処理により孔内壁および表面に導電層を設けた形態、絶縁性基板に孔を設けた後、種々のコーティング手段によって孔内壁および表面に導電層を設けた形態等を使用することができる。絶縁性基板としては、紙基材フェノール樹脂やガラス基材エポキシ樹脂の基板、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、液晶高分子フィルム等を使用することができる。導電層としては、銅、銀、金、アルミニウム、ステンレス、42アロイ、ニクロム、タングステン、ITO、導電性高分子、各種金属錯体等を使用することができる。これらの例は「プリント回路技術便覧」(社団法人日本プリント回路工業会編、1987刊行、日刊工業新聞社刊)に記載されている。   The insulating substrate having a conductive layer on the surface and the inner wall of the through hole or / and the non-through hole according to the circuit board manufacturing method of the present invention, that is, as a circuit forming substrate, is a laminated plate in which a conductive layer is bonded to an insulating substrate. After providing a hole, a form in which a conductive layer is provided on the inner wall and surface of the hole by plating treatment, after forming a hole in the insulating substrate, and a form in which a conductive layer is provided on the inner wall and surface of the hole by plating treatment, After providing a hole, the form etc. which provided the conductive layer in the hole inner wall and surface by various coating means can be used. As the insulating substrate, a paper base phenolic resin or glass base epoxy resin substrate, a polyester film, a polyimide film, a liquid crystal polymer film, or the like can be used. As the conductive layer, copper, silver, gold, aluminum, stainless steel, 42 alloy, nichrome, tungsten, ITO, conductive polymer, various metal complexes, and the like can be used. Examples of these are described in “Handbook of Printed Circuit Technology” (edited by Japan Printed Circuit Industry Association, published in 1987, published by Nikkan Kogyo Shimbun).

本発明に係わる光導電層としては、静電潜像を形成する方法によって、従来型とメモリー型に大別される。従来型は、まず、暗中もしくはセーフライト中で、光導電層表面を略均一に正または負に帯電した後、露光により、光導電層の導電能を発現させて、露光部の帯電量を減少させることで、回路パターンに対応する静電潜像を形成させる。次いで、第三樹脂層を形成する帯電した樹脂粒子を静電潜像に沿って、電着・定着させて、回路部に第三樹脂層を形成する。従来型において、光導電層としては、例えば、西独特許第一117391号公報、同第二526720号公報、同第3210577号公報、特開昭52−2437号公報、同57−48736号公報、同59−168462号公報、特開昭63−129689号公報、特開2001−352148号公報等に記載されているものを使用することができる。   The photoconductive layer according to the present invention is roughly classified into a conventional type and a memory type according to a method of forming an electrostatic latent image. In the conventional type, first, the surface of the photoconductive layer is charged almost uniformly positively or negatively in the dark or in a safe light, and then the photoconductive layer is exposed to light by exposure to reduce the amount of charge in the exposed area. By doing so, an electrostatic latent image corresponding to the circuit pattern is formed. Next, the charged resin particles forming the third resin layer are electrodeposited and fixed along the electrostatic latent image to form the third resin layer in the circuit portion. In the conventional type, as the photoconductive layer, for example, West German Patent No. 1171731, No. 526720, No. 3210577, JP-A-52-2437, 57-48736, Those described in JP-A-59-168462, JP-A-63-129689, JP-A-2001-352148, and the like can be used.

メモリー型は、暗中もしくはセーフライト中で、回路パターンに対応した露光処理を行って、露光部に導電能を発現させた後、光導電層表面に対して、正または負の帯電処理を行って、露光部以外の光導電層表面を帯電させて、回路パターンに対応する静電潜像を形成させる。次いで、第三樹脂層を形成する帯電した樹脂粒子を静電潜像に沿って、電着・定着させて、回路部に第三樹脂層を形成する。メモリー型では、特開2002−158422号公報、特開2002−23470号公報等記載の光導電層を使用することができる。本発明に係わる光導電層は、キャリアーフィルム(ポリエチレンテレフタレート等)と保護フィルム(ポリエチレン等)の間にはさまれている3層の構成であれば、保存や貼り付けの際に好適である。ブロッキングが問題にならなければ保護フィルムを使用しない2層構造のものでもよい。   The memory type performs exposure processing corresponding to the circuit pattern in the dark or in the safe light, and develops the conductivity in the exposed area, and then performs positive or negative charging on the surface of the photoconductive layer. Then, the surface of the photoconductive layer other than the exposed portion is charged to form an electrostatic latent image corresponding to the circuit pattern. Next, the charged resin particles forming the third resin layer are electrodeposited and fixed along the electrostatic latent image to form the third resin layer in the circuit portion. In the memory type, a photoconductive layer described in JP 2002-158422 A, JP 2002-23470 A, or the like can be used. The photoconductive layer according to the present invention has a three-layer structure sandwiched between a carrier film (polyethylene terephthalate, etc.) and a protective film (polyethylene, etc.), and is suitable for storage and pasting. If blocking does not become a problem, a two-layer structure not using a protective film may be used.

光導電層を表面導電層に貼り付ける方法は、光導電層にむらや波打ちを生じさせることなく、貼り付け面に空気やゴミを混入することなく、光導電層を設けることができれば、何れの方法であっても良い。例えば、プリント基板用の熱ゴムロールを圧力で押し当てて熱圧着する装置を用いる。   The method of attaching the photoconductive layer to the surface conductive layer is any method as long as the photoconductive layer can be provided without causing unevenness or undulation in the photoconductive layer and without mixing air or dust on the attachment surface. It may be a method. For example, an apparatus is used in which a hot rubber roll for a printed circuit board is pressed with pressure to perform thermocompression bonding.

光導電層を貼り付けた後、キャリアーフィルムを剥離する。この際、剥離帯電が生じ、光導電層表面が不均一に帯電する。この帯電むらが発生すると、第二樹脂が帯電むらに沿って電着塗布されるため、帯電の除去もしくは均一にする必要がある。例えば、イオンブロアーを吹き付ける方法、50℃以上で加熱処理(アニーリング)する方法、水蒸気または水を拭きつける方法等が挙げられる。   After pasting the photoconductive layer, the carrier film is peeled off. At this time, peeling electrification occurs, and the surface of the photoconductive layer is charged unevenly. When this charging unevenness occurs, the second resin is electrodeposited along the charging unevenness, so it is necessary to remove or make the charge uniform. For example, a method of spraying an ion blower, a method of heat treatment (annealing) at 50 ° C. or higher, a method of wiping water vapor or water, and the like can be mentioned.

本発明の光導電層は、表面および貫通孔または/および非貫通孔の内壁に導電層を有する絶縁性基板に熱圧着し、孔部に蓋(テンティング)をするようにして形成される。また、光導電層用現像液に対して溶解性を有し、本発明の回路基板の製造方法(4)においては、めっき液に対する耐性を有していることが必要である。   The photoconductive layer of the present invention is formed by thermocompression bonding to an insulating substrate having a conductive layer on the surface and inner walls of through holes and / or non-through holes, and covering the holes with a tenting. Moreover, it has a solubility with respect to the developing solution for photoconductive layers, and in the manufacturing method (4) of the circuit board of this invention, it is required to have tolerance with respect to a plating solution.

本発明において、光導電層や第二樹脂層表面を帯電させる方法および静電潜像を形成する際の帯電処理としては、従来からコロトロン方式及びスコロトロン方式等の非接触帯電方法、また導電ロール帯電等の接触帯電方法が知られており何れの方式を採用しても良い。   In the present invention, as a method for charging the surface of the photoconductive layer or the second resin layer and a charging process for forming an electrostatic latent image, a non-contact charging method such as a corotron method or a scorotron method, or a conductive roll charging method has been conventionally used. The contact charging method is known, and any method may be adopted.

露光方法は、レーザー直接描画、フォトマスクを介した露光処理、投影露光によって行われる。超高圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ等を用いることができる。   The exposure method is performed by laser direct drawing, exposure processing through a photomask, or projection exposure. An ultra-high pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, or the like can be used.

第二樹脂層は、光導電層用現像液に不溶性または難溶性であり、電着法に使用可能な樹脂であればいずれであってもよい。第二樹脂層形成は、第二樹脂層に用いられる樹脂を粒子状態で、液体に分散させた液を使用する。樹脂粒子は、正または負に帯電している。液体としては、水や電気絶縁性液体を使用することができる。水を使用した場合、第二樹脂層は、適当な酸価を有する高分子を主成分とし、有機アミン等で中和されて、水中において帯電したコロイド粒子を形成する。電気絶縁性液体を使用した場合、アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルブチラールの様なビニルアセタール樹脂、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびその塩化物、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンイソフタレート等のポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル変性アルキッド樹脂、ゼラチン、カルボキシメチルセルロース等のセルロースエステル誘導体等の樹脂が粒子状態で、電気絶縁性液体中に分散されている。樹脂粒子には電荷制御剤を含有させることができ、その荷電は、第二樹脂層形成時のバイアス電圧の正負に応じて正、負を使い分ける必要がある。このような電気絶縁性液体中に第二樹脂層形成用樹脂を分散させた液としては、電子写真用湿式トナーを好適に用いることができる。   The second resin layer may be any resin as long as it is insoluble or hardly soluble in the photoconductive layer developer and can be used in the electrodeposition method. The second resin layer formation uses a liquid in which the resin used for the second resin layer is dispersed in a liquid in a particle state. The resin particles are positively or negatively charged. As the liquid, water or an electrically insulating liquid can be used. When water is used, the second resin layer is mainly composed of a polymer having an appropriate acid value and is neutralized with an organic amine or the like to form colloidal particles charged in water. When electrical insulating liquid is used, acrylic resin, vinyl acetate resin, vinyl chloride resin, vinylidene chloride resin, vinyl acetal resin such as polyvinyl butyral, polystyrene, polyethylene, polypropylene and its chloride, polyethylene terephthalate, polyethylene isophthalate, etc. Polyester resins, polyamide resins, vinyl-modified alkyd resins, resins such as cellulose ester derivatives such as gelatin and carboxymethylcellulose are dispersed in an electrically insulating liquid in the form of particles. The resin particles can contain a charge control agent, and it is necessary to use positive or negative charge depending on the positive / negative of the bias voltage when forming the second resin layer. As the liquid in which the resin for forming the second resin layer is dispersed in such an electrically insulating liquid, an electrophotographic wet toner can be preferably used.

第二樹脂層は、光導電層を貼り付けた回路形成用基板に対向するように現像電極を設置し、該回路形成用基板と現像電極との間に、液体中に帯電した樹脂粒子を分散させた液を充填し、回路形成用基板の導電層を接地して、適正なバイアス電圧を印加することで形成することができる。例えば、特開2004−163605号公報、特開2002−132049号公報等に記載の現像装置を用いることができる。第二樹脂層の膜厚は、樹脂粒子の電荷および印加電圧、搬送速度、樹脂粒子含有分散液供給量を制御することで決定することができる。電着法によって付着した樹脂粒子は、加熱、圧力、光、溶剤等によって、光導電層上に定着されて、第二樹脂層となる。この第二樹脂層をレジスト層として、光導電層用現像液で孔上の光導電層を除去する。   In the second resin layer, a developing electrode is placed so as to face the circuit forming substrate on which the photoconductive layer is bonded, and charged resin particles are dispersed in the liquid between the circuit forming substrate and the developing electrode. It can be formed by filling the liquid thus prepared, grounding the conductive layer of the circuit forming substrate, and applying an appropriate bias voltage. For example, a developing device described in JP-A No. 2004-163605, JP-A No. 2002-132049, or the like can be used. The film thickness of the second resin layer can be determined by controlling the charge and applied voltage of the resin particles, the conveyance speed, and the supply amount of the resin particle-containing dispersion. The resin particles adhered by the electrodeposition method are fixed on the photoconductive layer by heating, pressure, light, solvent, etc., and become the second resin layer. Using the second resin layer as a resist layer, the photoconductive layer on the hole is removed with a developer for photoconductive layer.

第二樹脂層の除去方法は、光架橋性樹脂層上から速やかに除去できれば、どのような方法であっても良いが、例えば、有機溶剤、アルカリ水溶液、酸性水溶液、水溶液等を使用して溶解もしくは分解除去する方法がある。酸性水溶液としては、例えば、硫酸、酢酸、塩酸、塩化アンモニウム水、過酸化水素水および銅イオン含有液、銅イオン含有液、鉄イオン含有液、等が挙げられる。また、テープ剥離法や研磨法等を用いることができる。   The removal method of the second resin layer may be any method as long as it can be quickly removed from the photocrosslinkable resin layer. For example, it is dissolved using an organic solvent, an alkaline aqueous solution, an acidic aqueous solution, an aqueous solution, or the like. Or there is a method of decomposing and removing. Examples of the acidic aqueous solution include sulfuric acid, acetic acid, hydrochloric acid, ammonium chloride water, hydrogen peroxide water, a copper ion-containing liquid, a copper ion-containing liquid, and an iron ion-containing liquid. Further, a tape peeling method, a polishing method, or the like can be used.

本発明において、光導電層用現像液としては、光導電層を溶解もしくは分散可能な液であり、使用する光導電層の組成に見合った現像液を用いる。現像液によって、孔上の光導電層を除去し、孔上のみを開口する。また、回路部に第三樹脂層を設けた後、非回路部の光導電層を除去する。光導電層除去液は、第二樹脂層、第三樹脂層および第四樹脂層は溶解しないか、または、第二樹脂層、第三樹脂層および第四樹脂層を溶解する液であっても、光導電層を膜厚分だけ溶解する条件において、第二樹脂層、第三樹脂層および第四樹脂層が膨潤したり、形状が変化したりすることがない液であれば、いずれであってもよい。光導電層にアルカリ水溶性の樹脂を用いた場合には、アルカリ水溶液が有用に使用され、例えばケイ酸アルカリ金属塩、アルカリ金属水酸化物、リン酸および炭酸アルカリ金属塩、リン酸および炭酸アンモニウム塩等の無機塩基性化合物の水溶液、エタノールアミン類、エチレンジアミン、プロパンジアミン類、トリエチレンテトラミン、モルホリン等の有機塩基性化合物等を用いることができる。これら水溶液は、第二樹脂層、第三樹脂層および第四樹脂層に対する溶解性を制御するため、濃度、温度、スプレー圧等を調整する必要がある。光導電層の除去は、光導電層用現像液による処理に続いて、水洗や酸処理を行うことによって、速やかに停止させることができる。   In the present invention, the developer for the photoconductive layer is a solution that can dissolve or disperse the photoconductive layer, and a developer that matches the composition of the photoconductive layer to be used is used. The photoconductive layer on the hole is removed with a developer, and only the hole is opened. Further, after the third resin layer is provided in the circuit portion, the photoconductive layer in the non-circuit portion is removed. The photoconductive layer removing liquid may not dissolve the second resin layer, the third resin layer, and the fourth resin layer, or may dissolve the second resin layer, the third resin layer, and the fourth resin layer. Any liquid can be used as long as the second resin layer, the third resin layer, and the fourth resin layer do not swell or change in shape under the condition of dissolving the photoconductive layer by the thickness. May be. When an alkali water-soluble resin is used for the photoconductive layer, an alkaline aqueous solution is usefully used. For example, alkali metal silicate, alkali metal hydroxide, phosphoric acid and alkali metal carbonate, phosphoric acid and ammonium carbonate An aqueous solution of an inorganic basic compound such as a salt, an organic basic compound such as ethanolamines, ethylenediamine, propanediamine, triethylenetetramine, and morpholine can be used. In order to control the solubility with respect to the 2nd resin layer, the 3rd resin layer, and the 4th resin layer, these aqueous solutions need to adjust a density | concentration, temperature, a spray pressure, etc. The removal of the photoconductive layer can be quickly stopped by washing with water or acid treatment following the treatment with the developer for photoconductive layer.

本発明において、第三樹脂層は、光導電層用現像液および導電層エッチング液に不溶性または難溶性の樹脂を含有する。第三樹脂層も、電着法によって形成することが好ましい。電着方法としては、静電潜像と逆極性の荷電を有する樹脂粒子を用いて、非露光部つまり帯電している光導電層上に第三樹脂層を設ける正現像法と、静電潜像と同極性の荷電を有する樹脂粒子を用いて、適当なバイアス電圧印加の下で、露光部つまり非帯電部の光導電層上に第三樹脂層を設ける反転現像法がある。本発明においては、帯電していない孔内および/または孔周囲の導電層上に第三樹脂層を設ける必要があるため、反転現像法を用いることが好ましい。   In the present invention, the third resin layer contains a resin that is insoluble or hardly soluble in the photoconductive layer developer and the conductive layer etchant. The third resin layer is also preferably formed by electrodeposition. Electrodeposition methods include a positive development method in which a third resin layer is formed on a non-exposed portion, that is, a charged photoconductive layer, using resin particles having a charge opposite to that of the electrostatic latent image, and electrostatic latent image. There is a reversal development method in which a third resin layer is provided on a photoconductive layer of an exposed portion, that is, an uncharged portion under application of an appropriate bias voltage using resin particles having the same polarity as the image. In the present invention, since it is necessary to provide the third resin layer on the conductive layer around and / or around the holes that are not charged, it is preferable to use the reverse development method.

本発明に係わる第三樹脂層を形成するには、第三樹脂層に用いられる樹脂を粒子状態で、液体に分散させた液を使用する。樹脂粒子は、正または負に帯電している。液体としては、水や電気絶縁性液体を使用することができる。水を使用した場合、第三樹脂層は、適当な酸価を有する高分子を主成分とし、有機アミン等で中和されて、水中において帯電したコロイド粒子を形成する。電気絶縁性液体を使用した場合、アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルブチラールの様なビニルアセタール樹脂、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびその塩化物、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンイソフタレート等のポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル変性アルキッド樹脂、ゼラチン、カルボキシメチルセルロース等のセルロースエステル誘導体等の樹脂が粒子状態で、電気絶縁性液体中に分散されている。樹脂粒子には電荷制御剤を含有させることができ、その荷電は、第三樹脂層形成時のバイアス電圧の正負に応じて正、負を使い分ける必要がある。このような電気絶縁性液体中に第三樹脂層形成用樹脂を分散させた液としては、電子写真用湿式トナーを好適に用いることができる。第三樹脂層の膜厚は、樹脂粒子の電荷および印加電圧、搬送速度、樹脂粒子分散液供給量を制御することで決定することができる。電着法によって付着した帯電した樹脂粒子は、加熱、圧力、光、溶剤等によって定着されて、第三樹脂層となる。   In order to form the third resin layer according to the present invention, a liquid in which the resin used in the third resin layer is dispersed in a liquid state is used. The resin particles are positively or negatively charged. As the liquid, water or an electrically insulating liquid can be used. When water is used, the third resin layer is mainly composed of a polymer having an appropriate acid value and is neutralized with an organic amine or the like to form colloidal particles charged in water. When electrical insulating liquid is used, acrylic resin, vinyl acetate resin, vinyl chloride resin, vinylidene chloride resin, vinyl acetal resin such as polyvinyl butyral, polystyrene, polyethylene, polypropylene and its chloride, polyethylene terephthalate, polyethylene isophthalate, etc. Polyester resins, polyamide resins, vinyl-modified alkyd resins, resins such as cellulose ester derivatives such as gelatin and carboxymethylcellulose are dispersed in an electrically insulating liquid in the form of particles. The resin particles can contain a charge control agent, and it is necessary to use positive or negative charge depending on the positive or negative of the bias voltage when forming the third resin layer. As the liquid in which the resin for forming the third resin layer is dispersed in such an electrically insulating liquid, a wet toner for electrophotography can be suitably used. The film thickness of the third resin layer can be determined by controlling the charge and applied voltage of the resin particles, the transport speed, and the resin particle dispersion supply amount. The charged resin particles attached by the electrodeposition method are fixed by heating, pressure, light, a solvent, or the like to form a third resin layer.

本発明に係わる第四樹脂層は、光導電層用現像液、第二樹脂層除去液および導電層エッチング液に不溶性もしくは難溶性の樹脂を含有する。第四樹脂層も、電着法によって形成することが好ましい。電着方法としては、導電層上に選択的に付着させることが可能な水系電着法を用いることができる。もしくは、図15のように、表面の第二樹脂層を帯電させておいて、帯電していない孔内および/または孔周囲の導電層上に第四樹脂層を設けることができる反転現像法を用いることが好ましい。第四樹脂層を設ける前に、第二樹脂層を除去した場合、表面の光導電層を帯電させておいて、反転現像法により、帯電していない孔内および/または孔周囲の導電層上に第四樹脂層を設けることができる。現像装置としては、例えば、特開2004−163605号公報、特開2002−132049号公報等に記載の現像装置を用いることができる。   The fourth resin layer according to the present invention contains a resin that is insoluble or hardly soluble in the photoconductive layer developer, the second resin layer removing solution, and the conductive layer etching solution. The fourth resin layer is also preferably formed by an electrodeposition method. As the electrodeposition method, an aqueous electrodeposition method that can be selectively deposited on the conductive layer can be used. Alternatively, as shown in FIG. 15, a reversal development method in which the second resin layer on the surface is charged and a fourth resin layer can be provided on the conductive layer around the hole and / or around the hole that is not charged. It is preferable to use it. If the second resin layer is removed before the fourth resin layer is provided, the photoconductive layer on the surface is charged, and the conductive layer around and / or around the hole is not charged by reversal development. A fourth resin layer can be provided. As the developing device, for example, a developing device described in JP-A No. 2004-163605, JP-A No. 2002-132509, or the like can be used.

本発明に係わる第四樹脂層形成には、第四樹脂層に用いられる樹脂を粒子状態で、液体に分散させた液を使用する。樹脂粒子は、正または負に帯電している。液体としては、水や電気絶縁性液体を使用することができる。水を使用した場合、第四樹脂層は、適当な酸価を有する高分子を主成分とし、有機アミン等で中和されて、水中において帯電したコロイド粒子を形成する。電気絶縁性液体を使用した場合、アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルブチラールの様なビニルアセタール樹脂、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびその塩化物、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンイソフタレート等のポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル変性アルキッド樹脂、ゼラチン、カルボキシメチルセルロース等のセルロースエステル誘導体等の樹脂が粒子状態で、電気絶縁性液体中に分散されている。樹脂粒子には電荷制御剤を含有させることができ、その荷電は、第四樹脂層形成時のバイアス電圧の正負に応じて正、負を使い分ける必要がある。このような電気絶縁性液体中に第四樹脂層形成用樹脂を分散させた液としては、電子写真用湿式トナーを好適に用いることができる。   For the formation of the fourth resin layer according to the present invention, a liquid in which the resin used for the fourth resin layer is dispersed in a liquid state is used. The resin particles are positively or negatively charged. As the liquid, water or an electrically insulating liquid can be used. When water is used, the fourth resin layer is mainly composed of a polymer having an appropriate acid value and is neutralized with an organic amine or the like to form colloidal particles charged in water. When electrical insulating liquid is used, acrylic resin, vinyl acetate resin, vinyl chloride resin, vinylidene chloride resin, vinyl acetal resin such as polyvinyl butyral, polystyrene, polyethylene, polypropylene and its chloride, polyethylene terephthalate, polyethylene isophthalate, etc. Polyester resins, polyamide resins, vinyl-modified alkyd resins, resins such as cellulose ester derivatives such as gelatin and carboxymethylcellulose are dispersed in an electrically insulating liquid in the form of particles. The resin particles can contain a charge control agent, and the charge needs to be positive or negative depending on whether the bias voltage at the time of forming the fourth resin layer is positive or negative. As the liquid in which the resin for forming the fourth resin layer is dispersed in such an electrically insulating liquid, an electrophotographic wet toner can be preferably used.

第四樹脂層の膜厚は、樹脂粒子の電荷および印加電圧、搬送速度、樹脂粒子分散液供給量を制御することで決定することができる。電着法によって付着した樹脂粒子は、加熱、圧力、光、溶剤等によって、光導電層上に定着されて、第四樹脂層となる。   The film thickness of the fourth resin layer can be determined by controlling the charge and applied voltage of the resin particles, the transport speed, and the resin particle dispersion supply amount. The resin particles adhered by the electrodeposition method are fixed on the photoconductive layer by heating, pressure, light, solvent, or the like to form a fourth resin layer.

第三樹脂層、第四樹脂層の除去方法はどのような方法であっても良いが、例えば、有機溶剤、アルカリ水溶液、酸性水溶液、水溶液等を使用して溶解もしくは分解除去する方法がある。酸性水溶液としては、例えば、硫酸、酢酸、塩酸、塩化アンモニウム水、過酸化水素水および銅イオン含有液、銅イオン含有液、鉄イオン含有液等が挙げられる。また、テープ剥離法や研磨法等を用いることができる。   Any method may be used for removing the third resin layer and the fourth resin layer. For example, there is a method of dissolving or decomposing using an organic solvent, an alkaline aqueous solution, an acidic aqueous solution, an aqueous solution, or the like. Examples of the acidic aqueous solution include sulfuric acid, acetic acid, hydrochloric acid, ammonium chloride water, hydrogen peroxide water, a copper ion-containing liquid, a copper ion-containing liquid, and an iron ion-containing liquid. Further, a tape peeling method, a polishing method, or the like can be used.

本発明に係わる導電層のエッチングに使用されるエッチング液は、導電層を溶解除去できるものであれば良い。例えば、アルカリ性アンモニア、硫酸−過酸化水素、塩化第二銅、過硫酸塩、塩化第二鉄、等の一般的なエッチング液を使用できる。また、装置や方法としては、例えば、水平スプレーエッチング、浸漬エッチング、等の装置や方法を使用できる。これらの詳細は、「プリント回路技術便覧」(社団法人日本プリント回路工業会編、1987年刊行、日刊工業新聞社発行)に記載されている。また、本発明に用いることができるめっき処理方法も、例えば、同書に記載されている。   The etching solution used for etching the conductive layer according to the present invention may be any solution that can dissolve and remove the conductive layer. For example, common etching solutions such as alkaline ammonia, sulfuric acid-hydrogen peroxide, cupric chloride, persulfate, ferric chloride, and the like can be used. Moreover, as an apparatus and a method, apparatuses and methods, such as horizontal spray etching and immersion etching, can be used, for example. These details are described in “Printed Circuit Technology Handbook” (edited by Japan Printed Circuit Industry Association, published in 1987, published by Nikkan Kogyo Shimbun). Moreover, the plating method which can be used for this invention is described in the same book, for example.

以下実施例によって本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。なお実施例は、イエローセーフライト下で行った。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. However, the present invention is not limited to these examples. In addition, the Example was performed under yellow safe light.

表1の組成からなる塗布液を用い、厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム製)上に、カーテンコート法を用いて、光導電層からなるフィルム(乾燥後のフィルム厚さ 20μm)を製造した。   Using a coating solution having the composition shown in Table 1, a film comprising a photoconductive layer on a polyethylene terephthalate film (Mitsubishi Chemical Polyester Film) having a thickness of 25 μm using a curtain coating method (film thickness after drying 20 μm) Manufactured.

銅張ガラス基材エポキシ樹脂基板(面積340mm×510mm、基材厚み0.1mm、銅層厚み12μm)に、0.15mmφのスルーホールを開けた後、無電解銅めっき処理および電解銅めっき処理を行って、スルーホール内壁および表面に厚さ約0.5μmの無電解銅めっき層および約12μmの電解銅めっき層を設けた。ドライフィルムフォトレジスト用ラミネーターを用いて、上記光導電層フィルムを基板両面に熱圧着し、導電層上に光導電層を設けた。その後、常温下でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、80℃1分間加熱し、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離することで発生した光導電層上の剥離帯電のむらを消失させた。   After opening a through hole of 0.15 mmφ in a copper-clad glass substrate epoxy resin substrate (area 340 mm × 510 mm, substrate thickness 0.1 mm, copper layer thickness 12 μm), electroless copper plating treatment and electrolytic copper plating treatment The electroless copper plating layer having a thickness of about 0.5 μm and the electrolytic copper plating layer having a thickness of about 12 μm were provided on the inner wall and the surface of the through hole. Using a laminator for dry film photoresist, the photoconductive layer film was thermocompression bonded to both surfaces of the substrate to provide a photoconductive layer on the conductive layer. Thereafter, the polyethylene terephthalate film was peeled off at room temperature, heated at 80 ° C. for 1 minute, and the unevenness of peeling charge on the photoconductive layer generated by peeling the polyethylene terephthalate film was eliminated.

Figure 2005286294
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Figure 2005286294
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次いで、三菱OPCプリンティングシステム用正電荷トナー(三菱製紙(株)製、「ODP−TW」)を用いて、バイアス電圧+200Vを印加して電着塗布を行い、該トナーを孔部以外全面に電着させた。続いて70℃で2分間加熱してトナーを定着させ、良好な第二樹脂層を得た。   Next, using a positively charged toner for Mitsubishi OPC printing system (“ODP-TW” manufactured by Mitsubishi Paper Industries Co., Ltd.), a bias voltage of +200 V is applied to perform electrodeposition coating. I wore it. Subsequently, the toner was fixed by heating at 70 ° C. for 2 minutes to obtain a good second resin layer.

次に、孔上の光導電層のみを1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶解除去した。スルーホール部を顕微鏡で観察したところ、図42で示した穴開け加工時のスルーホール径L1=150μm、銅めっき時のスルーホール径L2=125μm、光導電層除去部の径L3=158μmであった。次に、第二樹脂層は溶解するが、光導電層は溶解しない溶剤としてプロピレンカーボネートを用い、表面から第二樹脂層のみを溶解除去し、水洗後90℃で20分間乾燥をした。   Next, only the photoconductive layer on the hole was dissolved and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.). When the through-hole portion was observed with a microscope, the through-hole diameter L1 at the time of drilling shown in FIG. 42 was 150 μm, the through-hole diameter at the time of copper plating was L2 = 125 μm, and the photoconductive layer removal portion diameter L3 was 158 μm. It was. Next, propylene carbonate was used as a solvent in which the second resin layer was dissolved but the photoconductive layer was not dissolved. Only the second resin layer was dissolved and removed from the surface, washed with water, and dried at 90 ° C. for 20 minutes.

続いて、回路パターンを描画したフォトマスク(導体幅および間隙:50μm)を載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置(ユニレックURM300、ウシオ電機製)を用い、30秒間紫外線露光を行った。さらに、基板を反転して、逆面の光導電層に対しても同様に露光を行い、光導電層上の露光部に導電性を誘起させた。   Subsequently, a photomask (conductor width and gap: 50 μm) on which a circuit pattern was drawn was placed, and UV exposure was performed for 30 seconds using a high pressure mercury lamp light source device for printing (Unirec URM300, manufactured by Ushio Electric) having a suction adhesion mechanism. . Further, the substrate was inverted, and the photoconductive layer on the opposite side was exposed in the same manner to induce conductivity in the exposed portion on the photoconductive layer.

該露光処理が終了した基板に対し、コロナ帯電装置(帯電トランス出力+5.0V)を用いて、両面を帯電させ、静電潜像を形成した。帯電処理1分後の未露光部の表面電位は330V、露光部の表面電位は100Vであった。続いて、三菱OPCプリンティングシステム正電荷トナー(ODP−TW、三菱製紙(株)製)を用いて、バイアス電圧220Vを印加して、反転現像を行い、露出している導電層上および光導電層上の回路部にトナー画像を得た。90℃で2分間、トナーを熱定着し、第三樹脂層を得た。   The substrate after the exposure processing was charged using a corona charging device (charging transformer output +5.0 V) to form an electrostatic latent image. The surface potential of the unexposed part after 1 minute of the charging treatment was 330 V, and the surface potential of the exposed part was 100 V. Subsequently, using a Mitsubishi OPC printing system positively charged toner (ODP-TW, manufactured by Mitsubishi Paper Co., Ltd.), a bias voltage of 220 V is applied to perform reverse development, and the exposed conductive layer and the photoconductive layer A toner image was obtained in the upper circuit section. The toner was thermally fixed at 90 ° C. for 2 minutes to obtain a third resin layer.

第三樹脂層で被覆されていない光導電層を、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶出除去し、非回路部に相当する電解銅めっき層を露出させた。次いで、塩化第二鉄系のエッチング液(40℃、スプレー圧 3.0kg/cm)で処理し、露出している電解銅めっき層とその下の無電解銅めっき層および銅張積層板の銅層を除去した。エッチングレジストとして使用した光導電層および第三樹脂層を3質量%水酸化ナトリウム水溶液(40℃)で除去し、回路基板を得た。得られた回路基板を顕微鏡観察したところ、図43で示した穴開け加工時のスルーホール径L16=150μm、銅めっき時のスルーホール径L17=125μ、スルーホールランド径L18=150μmであった。また、回路部およびスルーホール部に断線は確認されなかった。 The photoconductive layer not covered with the third resin layer was eluted and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.) to expose the electrolytic copper plating layer corresponding to the non-circuit portion. Next, it is treated with a ferric chloride-based etching solution (40 ° C., spray pressure 3.0 kg / cm 2 ), and the exposed electrolytic copper plating layer, the underlying electroless copper plating layer, and the copper-clad laminate The copper layer was removed. The photoconductive layer and the third resin layer used as the etching resist were removed with a 3% by mass aqueous sodium hydroxide solution (40 ° C.) to obtain a circuit board. When the obtained circuit board was observed with a microscope, the through hole diameter L16 at the time of drilling shown in FIG. 43 was 150 μm, the through hole diameter at the time of copper plating was L17 = 125 μm, and the through hole land diameter L18 was 150 μm. Moreover, no disconnection was confirmed in the circuit portion and the through hole portion.

表1の組成からなる塗布液を用い、厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム製)上に、カーテンコート法を用いて、光導電層からなるフィルム(乾燥後のフィルム厚さ 20μm)を製造した。   Using a coating solution having the composition shown in Table 1, a film comprising a photoconductive layer on a polyethylene terephthalate film (Mitsubishi Chemical Polyester Film) having a thickness of 25 μm using a curtain coating method (film thickness after drying 20 μm) Manufactured.

銅張ガラス基材エポキシ樹脂基板(面積340mm×510mm、基材厚み0.1mm、銅層厚み12μm)に、0.15mmφのスルーホールを開けた後、無電解銅めっき処理および電解銅めっき処理を行って、スルーホール内壁および表面に厚さ約0.5μmの無電解銅めっき層および約12μmの電解銅めっき層を設けた。ドライフィルムフォトレジスト用ラミネーターを用いて、上記光導電層フィルムを基板両面に熱圧着し、導電層上に光導電層を設けた。その後、常温下でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、80℃1分間加熱し、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離することで発生した光導電層上の剥離帯電のむらを消失させた。   After opening a through hole of 0.15 mmφ in a copper-clad glass substrate epoxy resin substrate (area 340 mm × 510 mm, substrate thickness 0.1 mm, copper layer thickness 12 μm), electroless copper plating treatment and electrolytic copper plating treatment The electroless copper plating layer having a thickness of about 0.5 μm and the electrolytic copper plating layer having a thickness of about 12 μm were provided on the inner wall and the surface of the through hole. Using a laminator for dry film photoresist, the photoconductive layer film was thermocompression bonded to both surfaces of the substrate to provide a photoconductive layer on the conductive layer. Thereafter, the polyethylene terephthalate film was peeled off at room temperature, heated at 80 ° C. for 1 minute, and the unevenness of peeling charge on the photoconductive layer generated by peeling the polyethylene terephthalate film was eliminated.

次いで、三菱OPCプリンティングシステム用正電荷トナー(三菱製紙(株)製、「ODP−TW」)を用いて、バイアス電圧+200Vを印加して電着塗布を行い、該トナーを孔部以外全面に電着させた。続いて70℃で2分間加熱してトナーを定着させ、良好な第二樹脂層を得た。   Next, using a positively charged toner for Mitsubishi OPC printing system (“ODP-TW” manufactured by Mitsubishi Paper Industries Co., Ltd.), a bias voltage of +200 V is applied to perform electrodeposition coating. I wore it. Subsequently, the toner was fixed by heating at 70 ° C. for 2 minutes to obtain a good second resin layer.

次に、孔上の光導電層のみを1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶解除去した。スルーホール部を顕微鏡で観察したところ、スルーホール周囲部の光導電層は、スルーホールと同心円状に除去されていた。図42で示した穴開け加工時のスルーホール径L1=150μm、銅めっき時のスルーホール径L2=125μm、光導電層除去部の径L3=188μmであった。次に、第二樹脂層は溶解するが、光導電層は溶解しない溶剤としてプロピレンカーボネートを用い、表面から第二樹脂層のみを溶解除去し、水洗後90℃で20分間乾燥をした。   Next, only the photoconductive layer on the hole was dissolved and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.). When the through hole portion was observed with a microscope, the photoconductive layer around the through hole was removed concentrically with the through hole. The through-hole diameter L1 at the time of drilling shown in FIG. 42 was 150 μm, the through-hole diameter at the time of copper plating was L2 = 125 μm, and the diameter L3 of the photoconductive layer removal portion was 188 μm. Next, propylene carbonate was used as a solvent in which the second resin layer was dissolved but the photoconductive layer was not dissolved. Only the second resin layer was dissolved and removed from the surface, washed with water, and dried at 90 ° C. for 20 minutes.

続いて、回路パターンを描画したフォトマスク(導体幅および間隙:50μm)を載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置(ユニレックURM300、ウシオ電機製)を用い、30秒間紫外線露光を行った。さらに、基板を反転して、逆面の光導電層に対しても同様に露光を行い、光導電層上の露光部に導電性を誘起させた。   Subsequently, a photomask (conductor width and gap: 50 μm) on which a circuit pattern was drawn was placed, and UV exposure was performed for 30 seconds using a high pressure mercury lamp light source device for printing (Unirec URM300, manufactured by Ushio Electric) having a suction adhesion mechanism. . Further, the substrate was inverted, and the photoconductive layer on the opposite side was exposed in the same manner to induce conductivity in the exposed portion on the photoconductive layer.

該露光処理が終了した基板に対し、コロナ帯電装置(帯電トランス出力+5.0V)を用いて、両面を帯電させ、静電潜像を形成した。帯電処理1分後の未露光部の表面電位は330V、露光部の表面電位は100Vであった。続いて、三菱OPCプリンティングシステム正電荷トナー(ODP−TW、三菱製紙(株)製)を用いて、バイアス電圧220Vを印加して、反転現像を行い、露出している導電層上および光導電層上の回路部にトナー画像を得た。90℃で2分間、トナーを熱定着し、第三樹脂層を得た。   The substrate after the exposure processing was charged using a corona charging device (charging transformer output +5.0 V) to form an electrostatic latent image. The surface potential of the unexposed part after 1 minute of the charging treatment was 330 V, and the surface potential of the exposed part was 100 V. Subsequently, using a Mitsubishi OPC printing system positively charged toner (ODP-TW, manufactured by Mitsubishi Paper Co., Ltd.), a bias voltage of 220 V is applied to perform reverse development, and the exposed conductive layer and the photoconductive layer A toner image was obtained in the upper circuit section. The toner was thermally fixed at 90 ° C. for 2 minutes to obtain a third resin layer.

第三樹脂層で被覆されていない光導電層を、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶出除去し、非回路部に相当する電解銅めっき層を露出させた。次いで、塩化第二鉄系のエッチング液(40℃、スプレー圧 3.0kg/cm)で処理し、露出している電解銅めっき層とその下の無電解銅めっき層および銅張積層板の銅層を除去した。エッチングレジストとして使用した光導電層および第三樹脂層を3質量%水酸化ナトリウム水溶液(40℃)で除去し、回路基板を得た。得られた回路基板を顕微鏡観察したところ、スルーホール周囲部の導電層であるランドは、スルーホールと同心円状に形成されていた。図44で示した穴開け加工時のスルーホール径L4=150μm、銅めっき時のスルーホール径L5=125μm、ランド径L6=178μmであり、狭小ランド幅のスルーホールが形成されていることを確認した。また、回路部およびスルーホール部に断線は確認されなかった。 The photoconductive layer not covered with the third resin layer was eluted and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.) to expose the electrolytic copper plating layer corresponding to the non-circuit portion. Next, it is treated with a ferric chloride-based etching solution (40 ° C., spray pressure 3.0 kg / cm 2 ), and the exposed electrolytic copper plating layer, the underlying electroless copper plating layer, and the copper-clad laminate The copper layer was removed. The photoconductive layer and the third resin layer used as the etching resist were removed with a 3% by mass aqueous sodium hydroxide solution (40 ° C.) to obtain a circuit board. When the obtained circuit board was observed with a microscope, the land as the conductive layer around the through hole was concentrically formed with the through hole. The through hole diameter L4 at the time of drilling shown in FIG. 44 = 150 μm, the through hole diameter at the time of copper plating L5 = 125 μm, and the land diameter L6 = 178 μm, and it is confirmed that a through hole having a narrow land width is formed. did. Moreover, no disconnection was confirmed in the circuit portion and the through hole portion.

表1の組成からなる塗布液を用い、厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム製)上に、カーテンコート法を用いて、光導電層からなるフィルム(乾燥後のフィルム厚さ 20μm)を製造した。   Using a coating solution having the composition shown in Table 1, a film comprising a photoconductive layer on a polyethylene terephthalate film (Mitsubishi Chemical Polyester Film) having a thickness of 25 μm using a curtain coating method (film thickness after drying 20 μm) Manufactured.

銅張ガラス基材エポキシ樹脂基板(面積340mm×510mm、基材厚み0.1mm、銅層厚み12μm)に、0.15mmφのスルーホールを開けた後、無電解銅めっき処理を行って、スルーホール内壁および表面に厚さ約0.5μmの無電解銅めっき層を設けた。ドライフィルムフォトレジスト用ラミネーターを用いて、上記光導電層フィルムを基板両面に熱圧着し、導電層上に光導電層を設けた。その後、常温下でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、80℃1分間加熱し、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離することで発生した光導電層上の剥離帯電のむらを消失させた。   A through-hole of 0.15 mmφ was opened in a copper-clad glass-based epoxy resin substrate (area 340 mm × 510 mm, base material thickness 0.1 mm, copper layer thickness 12 μm), and then electroless copper plating treatment was performed. An electroless copper plating layer having a thickness of about 0.5 μm was provided on the inner wall and the surface. Using a laminator for dry film photoresist, the photoconductive layer film was thermocompression bonded to both surfaces of the substrate to provide a photoconductive layer on the conductive layer. Thereafter, the polyethylene terephthalate film was peeled off at room temperature, heated at 80 ° C. for 1 minute, and the unevenness of peeling charge on the photoconductive layer generated by peeling the polyethylene terephthalate film was eliminated.

次いで、三菱OPCプリンティングシステム用正電荷トナー(三菱製紙(株)製、「ODP−TW」)を用いて、バイアス電圧+200Vを印加して電着塗布を行い、該トナーを孔部以外全面に電着させた。続いて70℃で2分間加熱してトナーを定着させ、良好な第二樹脂層を得た。   Next, using a positively charged toner for Mitsubishi OPC printing system (“ODP-TW” manufactured by Mitsubishi Paper Industries Co., Ltd.), a bias voltage of +200 V is applied to perform electrodeposition coating. I wore it. Subsequently, the toner was fixed by heating at 70 ° C. for 2 minutes to obtain a good second resin layer.

次に、孔上の光導電層のみを1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶解除去した。スルーホール部を顕微鏡で観察したところ、図45で示した穴開け加工時のスルーホール径L7=150μm、銅めっき時のスルーホール径L8=149μm、光導電層除去部の径L9=110μmであった。続いて、電解銅めっき処理を行って、スルーホール内の無電解銅めっき層上に、厚み約12μmの電解銅めっき層を形成した。次に、第二樹脂層は溶解するが、光導電層は溶解しない溶剤としてプロピレンカーボネートを用い、表面から第二樹脂層のみを溶解除去し、水洗後90℃で20分間乾燥をした。   Next, only the photoconductive layer on the hole was dissolved and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.). When the through hole portion was observed with a microscope, the through hole diameter L7 at the time of drilling shown in FIG. 45 was 150 μm, the through hole diameter at the time of copper plating was L8 = 149 μm, and the diameter L9 of the photoconductive layer removal portion was 110 μm. It was. Subsequently, an electrolytic copper plating treatment was performed to form an electrolytic copper plating layer having a thickness of about 12 μm on the electroless copper plating layer in the through hole. Next, propylene carbonate was used as a solvent in which the second resin layer was dissolved but the photoconductive layer was not dissolved. Only the second resin layer was dissolved and removed from the surface, washed with water, and dried at 90 ° C. for 20 minutes.

続いて、回路パターンを描画したフォトマスク(導体幅および間隙:50μm)を載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置(ユニレックURM300、ウシオ電機製)を用い、30秒間紫外線露光を行った。さらに、基板を反転して、逆面の光導電層に対しても同様に露光を行い、光導電層上の露光部に導電性を誘起させた。   Subsequently, a photomask (conductor width and gap: 50 μm) on which a circuit pattern was drawn was placed, and UV exposure was performed for 30 seconds using a high pressure mercury lamp light source device for printing (Unirec URM300, manufactured by Ushio Electric) having a suction adhesion mechanism. . Further, the substrate was inverted, and the photoconductive layer on the opposite side was exposed in the same manner to induce conductivity in the exposed portion on the photoconductive layer.

該露光処理が終了した基板に対し、コロナ帯電装置(帯電トランス出力+5.0V)を用いて、両面を帯電させ、静電潜像を形成した。帯電処理1分後の未露光部の表面電位は330V、露光部の表面電位は100Vであった。続いて、三菱OPCプリンティングシステム正電荷トナー(ODP−TW、三菱製紙(株)製)を用いて、バイアス電圧220Vを印加して、反転現像を行い、露出している導電層上および光導電層上の回路部にトナー画像を得た。90℃で2分間、トナーを熱定着し、第三樹脂層を得た。   The substrate after the exposure processing was charged using a corona charging device (charging transformer output +5.0 V) to form an electrostatic latent image. The surface potential of the unexposed part after 1 minute of the charging treatment was 330 V, and the surface potential of the exposed part was 100 V. Subsequently, using a Mitsubishi OPC printing system positively charged toner (ODP-TW, manufactured by Mitsubishi Paper Co., Ltd.), a bias voltage of 220 V is applied to perform reverse development, and the exposed conductive layer and the photoconductive layer A toner image was obtained in the upper circuit section. The toner was thermally fixed at 90 ° C. for 2 minutes to obtain a third resin layer.

第三樹脂層で被覆されていない光導電層を、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶出除去し、非回路部に相当する無電解銅めっき層を露出させた。次いで、塩化第二鉄系のエッチング液(40℃、スプレー圧 3.0kg/cm)で処理し、露出している無電解銅めっき層およびその下の銅張積層板の銅層を除去した。エッチングレジストとして使用した光導電層および第三樹脂層を3質量%水酸化ナトリウム水溶液(40℃)で除去し、回路基板を得た。得られた回路基板を顕微鏡観察したところ、得られた回路基板を顕微鏡観察したところ、図46で示した穴開け加工時のスルーホール径L19=150μm、銅めっき時のスルーホール径L20=125μm、スルーホールランド径L21=150μmであり、ランドレススルーホールが形成されていることを確認した。また、回路部およびスルーホール部に断線は確認されなかった。 The photoconductive layer not covered with the third resin layer was eluted and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.) to expose the electroless copper plating layer corresponding to the non-circuit portion. Then, it was treated with a ferric chloride-based etching solution (40 ° C., spray pressure 3.0 kg / cm 2 ) to remove the exposed electroless copper plating layer and the copper layer of the copper-clad laminate below it. . The photoconductive layer and the third resin layer used as the etching resist were removed with a 3% by mass aqueous sodium hydroxide solution (40 ° C.) to obtain a circuit board. When the obtained circuit board was observed with a microscope, the obtained circuit board was observed with a microscope. Through hole diameter L19 = 150 μm at the time of drilling shown in FIG. 46, through hole diameter L20 = 125 μm at the time of copper plating, The through-hole land diameter L21 = 150 μm, and it was confirmed that a landless through-hole was formed. Moreover, no disconnection was confirmed in the circuit portion and the through hole portion.

表1の組成からなる塗布液を用い、厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム製)上に、カーテンコート法を用いて、光導電層からなるフィルム(乾燥後のフィルム厚さ 20μm)を製造した。   Using a coating solution having the composition shown in Table 1, a film comprising a photoconductive layer on a polyethylene terephthalate film (Mitsubishi Chemical Polyester Film) having a thickness of 25 μm using a curtain coating method (film thickness after drying 20 μm) Manufactured.

銅張ガラス基材エポキシ樹脂基板(面積340mm×510mm、基材厚み0.1mm、銅層厚み12μm)に、0.15mmφのスルーホールを開けた後、無電解めっき処理を行って、スルーホール内壁および表面に厚さ約0.5μmの無電解銅めっき層を設けた。ドライフィルムフォトレジスト用ラミネーターを用いて、上記光導電層フィルムを基板両面に熱圧着し、導電層上に光導電層を設けた。その後、常温下でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、80℃1分間加熱し、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離することで発生した光導電層上の剥離帯電のむらを消失させた。   A through-hole of 0.15 mmφ was opened in a copper-clad glass-based epoxy resin substrate (area 340 mm × 510 mm, base material thickness 0.1 mm, copper layer thickness 12 μm), and then electroless plating treatment was performed to form an inner wall of the through hole An electroless copper plating layer having a thickness of about 0.5 μm was provided on the surface. Using a laminator for dry film photoresist, the photoconductive layer film was thermocompression bonded to both surfaces of the substrate to provide a photoconductive layer on the conductive layer. Thereafter, the polyethylene terephthalate film was peeled off at room temperature, heated at 80 ° C. for 1 minute, and the unevenness of peeling charge on the photoconductive layer generated by peeling the polyethylene terephthalate film was eliminated.

次いで、三菱OPCプリンティングシステム用正電荷トナー(三菱製紙(株)製、「ODP−TW」)を用いて、バイアス電圧+200Vを印加して電着塗布を行い、該トナーを孔部以外全面に電着させた。続いて70℃で2分間加熱してトナーを定着させ、良好な第二樹脂層を得た。   Next, using a positively charged toner for Mitsubishi OPC printing system (“ODP-TW” manufactured by Mitsubishi Paper Industries Co., Ltd.), a bias voltage of +200 V is applied to perform electrodeposition coating. I wore it. Subsequently, the toner was fixed by heating at 70 ° C. for 2 minutes to obtain a good second resin layer.

次に、孔上の光導電層のみを1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶解除去した。スルーホール部を顕微鏡で観察したところ、図45で示した穴開け加工時のスルーホール径L7=150μm、銅めっき時のスルーホール径L8=149μm、光導電層除去部の径L9=110μmであった。続いて、電解銅めっき処理を行って、スルーホール内の無電解銅めっき層上に、厚み約12μmの電解銅めっき層を形成した。さらに、再度1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて、スルーホール部の光導電層を溶解除去した。スルーホール周囲部の光導電層は、スルーホールと同心円状に除去されていた。図47で示した穴開け加工時のスルーホール径L10=150μm、銅めっき時のスルーホール径L11=125μm、光架橋性樹脂層除去部の径L12=188μmであった。次に、第二樹脂層は溶解するが、光導電層は溶解しない溶剤としてプロピレンカーボネートを用い、表面から第二樹脂層のみを溶解除去し、水洗後90℃で20分間乾燥をした。   Next, only the photoconductive layer on the hole was dissolved and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.). When the through hole portion was observed with a microscope, the through hole diameter L7 at the time of drilling shown in FIG. 45 was 150 μm, the through hole diameter at the time of copper plating was L8 = 149 μm, and the diameter L9 of the photoconductive layer removal portion was 110 μm. It was. Subsequently, an electrolytic copper plating treatment was performed to form an electrolytic copper plating layer having a thickness of about 12 μm on the electroless copper plating layer in the through hole. Further, the photoconductive layer in the through-hole portion was dissolved and removed again using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.). The photoconductive layer around the through hole was removed concentrically with the through hole. The through hole diameter L10 at the time of drilling shown in FIG. 47 was 150 μm, the through hole diameter at the time of copper plating was L11 = 125 μm, and the diameter L12 of the photocrosslinkable resin layer removal portion was 188 μm. Next, propylene carbonate was used as a solvent in which the second resin layer was dissolved but the photoconductive layer was not dissolved. Only the second resin layer was dissolved and removed from the surface, washed with water, and dried at 90 ° C. for 20 minutes.

続いて、回路パターンを描画したフォトマスク(導体幅および間隙:50μm)を載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置(ユニレックURM300、ウシオ電機製)を用い、30秒間紫外線露光を行った。さらに、基板を反転して、逆面の光導電層に対しても同様に露光を行い、光導電層上の露光部に導電性を誘起させた。   Subsequently, a photomask (conductor width and gap: 50 μm) on which a circuit pattern was drawn was placed, and UV exposure was performed for 30 seconds using a high pressure mercury lamp light source device for printing (Unirec URM300, manufactured by Ushio Electric) having a suction adhesion mechanism. . Further, the substrate was inverted, and the photoconductive layer on the opposite side was exposed in the same manner to induce conductivity in the exposed portion on the photoconductive layer.

該露光処理が終了した基板に対し、コロナ帯電装置(帯電トランス出力+5.0V)を用いて、両面を帯電させ、静電潜像を形成した。帯電処理1分後の未露光部の表面電位は330V、露光部の表面電位は100Vであった。続いて、三菱OPCプリンティングシステム正電荷トナー(ODP−TW、三菱製紙(株)製)を用いて、バイアス電圧220Vを印加して、反転現像を行い、露出している導電層上および光導電層上の回路部にトナー画像を得た。90℃で2分間、トナーを熱定着し、第三樹脂層を得た。   The substrate after the exposure processing was charged using a corona charging device (charging transformer output +5.0 V) to form an electrostatic latent image. The surface potential of the unexposed part after 1 minute of the charging treatment was 330 V, and the surface potential of the exposed part was 100 V. Subsequently, using a Mitsubishi OPC printing system positively charged toner (ODP-TW, manufactured by Mitsubishi Paper Co., Ltd.), a bias voltage of 220 V is applied to perform reverse development, and the exposed conductive layer and the photoconductive layer A toner image was obtained in the upper circuit section. The toner was thermally fixed at 90 ° C. for 2 minutes to obtain a third resin layer.

第三樹脂層で被覆されていない光導電層を、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶出除去し、非回路部に相当する無電解銅めっき層を露出させた。次いで、塩化第二鉄系のエッチング液(40℃、スプレー圧 3.0kg/cm)で処理し、露出している無電解銅めっき層およびその下の銅張積層板の銅層を除去した。エッチングレジストとして使用した光導電層および第三樹脂層を3質量%水酸化ナトリウム水溶液(40℃)で除去し、回路基板を得た。得られた回路基板を顕微鏡観察したところ、得られた回路基板を顕微鏡観察したところ、図48で示した穴開け加工時のスルーホール径L13=150μm、銅めっき時のスルーホール径L14=125μm、スルーホールランド径L15=178μmであり、狭小ランド幅のスルーホールが形成されていることを確認した。また、回路部およびスルーホール部に断線は確認されなかった。 The photoconductive layer not covered with the third resin layer was eluted and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.) to expose the electroless copper plating layer corresponding to the non-circuit portion. Then, it was treated with a ferric chloride-based etching solution (40 ° C., spray pressure 3.0 kg / cm 2 ) to remove the exposed electroless copper plating layer and the copper layer of the copper-clad laminate below it. . The photoconductive layer and the third resin layer used as the etching resist were removed with a 3% by mass aqueous sodium hydroxide solution (40 ° C.) to obtain a circuit board. When the obtained circuit board was observed with a microscope, the obtained circuit board was observed with a microscope. Through hole diameter L13 = 150 μm at the time of drilling shown in FIG. 48, through hole diameter L14 = 125 μm at the time of copper plating, The through-hole land diameter L15 = 178 μm, and it was confirmed that a through-hole having a narrow land width was formed. Moreover, no disconnection was confirmed in the circuit portion and the through hole portion.

表1の組成からなる塗布液を用い、厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム製)上に、カーテンコート法を用いて、光導電層からなるフィルム(乾燥後のフィルム厚さ 20μm)を製造した。   Using a coating solution having the composition shown in Table 1, a film comprising a photoconductive layer on a polyethylene terephthalate film (Mitsubishi Chemical Polyester Film) having a thickness of 25 μm using a curtain coating method (film thickness after drying 20 μm) Manufactured.

銅張ガラス基材エポキシ樹脂基板(面積340mm×510mm、基材厚み0.1mm、銅層厚み12μm)に、0.15mmφのスルーホールを開けた後、無電解銅めっき処理および電解銅めっき処理を行って、スルーホール内壁および表面に厚さ約0.5μmの無電解銅めっき層および約12μmの電解銅めっき層を設けた。ドライフィルムフォトレジスト用ラミネーターを用いて、上記光導電層フィルムを基板両面に熱圧着し、導電層上に光導電層を設けた。その後、常温下でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、80℃1分間加熱し、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離することで発生した光導電層上の剥離帯電のむらを消失させた。   After opening a through hole of 0.15 mmφ in a copper-clad glass substrate epoxy resin substrate (area 340 mm × 510 mm, substrate thickness 0.1 mm, copper layer thickness 12 μm), electroless copper plating treatment and electrolytic copper plating treatment The electroless copper plating layer having a thickness of about 0.5 μm and the electrolytic copper plating layer having a thickness of about 12 μm were provided on the inner wall and the surface of the through hole. Using a laminator for dry film photoresist, the photoconductive layer film was thermocompression bonded to both surfaces of the substrate to provide a photoconductive layer on the conductive layer. Thereafter, the polyethylene terephthalate film was peeled off at room temperature, heated at 80 ° C. for 1 minute, and the unevenness of peeling charge on the photoconductive layer generated by peeling the polyethylene terephthalate film was eliminated.

次いで、三菱OPCプリンティングシステム用正電荷トナー(三菱製紙(株)製、「ODP−TW」)を用いて、バイアス電圧+200Vを印加して電着塗布を行い、該トナーを孔部以外全面に電着させた。続いて70℃で2分間加熱してトナーを定着させ、良好な第二樹脂層を得た。   Next, using a positively charged toner for Mitsubishi OPC printing system (“ODP-TW” manufactured by Mitsubishi Paper Industries Co., Ltd.), a bias voltage of +200 V is applied to perform electrodeposition coating. I wore it. Subsequently, the toner was fixed by heating at 70 ° C. for 2 minutes to obtain a good second resin layer.

次に、孔上の光導電層のみを1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶解除去した。スルーホール部を顕微鏡で観察したところ、図42で示した穴開け加工時のスルーホール径L1=150μm、銅めっき時のスルーホール径L2=125μm、光導電層除去部の径L3=158μmであった。次に、コロナ帯電装置(帯電トランス出力+5.0V)を用いて、両面を帯電させた。表面電位を測定したところ、+380Vであった。続いて、アクリル樹脂性エマルジョン(特開2002−296847号公報の実施例1記載のトナー)を用いて、バイアス電圧+300Vを印加して反転現像を行い、孔内壁の導電層上にトナーを付着させた。90℃で2分間、トナーを熱定着し、第四樹脂層を得た。   Next, only the photoconductive layer on the hole was dissolved and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.). When the through-hole portion was observed with a microscope, the through-hole diameter L1 at the time of drilling shown in FIG. 42 was 150 μm, the through-hole diameter at the time of copper plating was L2 = 125 μm, and the photoconductive layer removal portion diameter L3 was 158 μm. It was. Next, both surfaces were charged using a corona charging device (charging transformer output +5.0 V). The surface potential was measured and found to be + 380V. Subsequently, using an acrylic resin emulsion (the toner described in Example 1 of JP-A-2002-296847), reversal development is performed by applying a bias voltage of +300 V so that the toner adheres to the conductive layer on the inner wall of the hole. It was. The toner was heat-fixed at 90 ° C. for 2 minutes to obtain a fourth resin layer.

次に、第二樹脂層は溶解するが、第四樹脂層および光導電層は溶解しない溶剤としてプロピレンカーボネートを用い、表面から第二樹脂層のみを溶解除去し、水洗後90℃で20分間乾燥をした。   Next, propylene carbonate is used as a solvent in which the second resin layer is dissolved but the fourth resin layer and the photoconductive layer are not dissolved. Only the second resin layer is dissolved and removed from the surface, washed with water and dried at 90 ° C. for 20 minutes. Did.

続いて、回路パターンを描画したフォトマスク(導体幅および間隙:50μm)を載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置(ユニレックURM300、ウシオ電機製)を用い、30秒間紫外線露光を行った。さらに、基板を反転して、逆面の光導電層に対しても同様に露光を行い、光導電層上の露光部に導電性を誘起させた。   Subsequently, a photomask (conductor width and gap: 50 μm) on which a circuit pattern was drawn was placed, and UV exposure was performed for 30 seconds using a high pressure mercury lamp light source device for printing (Unirec URM300, manufactured by Ushio Electric) having a suction adhesion mechanism. . Further, the substrate was inverted, and the photoconductive layer on the opposite side was exposed in the same manner to induce conductivity in the exposed portion on the photoconductive layer.

該露光処理が終了した基板に対し、コロナ帯電装置(帯電トランス出力+5.0V)を用いて、両面を帯電させ、静電潜像を形成した。帯電処理1分後の未露光部の表面電位は330V、露光部の表面電位は100Vであった。続いて、三菱OPCプリンティングシステム正電荷トナー(ODP−TW、三菱製紙(株)製)を用いて、バイアス電圧220Vを印加して、反転現像を行い、光導電層上の回路部にトナー画像を得た。トナー画像を得た。90℃で2分間、トナーを熱定着し、第三樹脂層を得た。   The substrate after the exposure processing was charged using a corona charging device (charging transformer output +5.0 V) to form an electrostatic latent image. The surface potential of the unexposed part after 1 minute of the charging treatment was 330 V, and the surface potential of the exposed part was 100 V. Subsequently, using a Mitsubishi OPC printing system positively charged toner (ODP-TW, manufactured by Mitsubishi Paper Co., Ltd.), a bias voltage of 220 V is applied to perform reverse development, and a toner image is formed on the circuit portion on the photoconductive layer. Obtained. A toner image was obtained. The toner was thermally fixed at 90 ° C. for 2 minutes to obtain a third resin layer.

第三樹脂層で被覆されていない光導電層を、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶出除去し、非回路部に相当する電解銅めっき層を露出させた。次いで、塩化第二鉄系のエッチング液(40℃、スプレー圧 3.0kg/cm)で処理し、露出している電解銅めっき層とその下の無電解銅めっき層および銅張積層板の銅層を除去した。エッチングレジストとして使用した光導電層および第三樹脂層を3質量%水酸化ナトリウム水溶液(40℃)およびイソプロピルアルコールで除去し、回路基板を得た。得られた回路基板を顕微鏡観察したところ、図43で示した穴開け加工時のスルーホール径L16=150μm、銅めっき時のスルーホール径L17=125μm、スルーホールランド径L18=150μmであった。また、回路部およびスルーホール部に断線は確認されなかった。 The photoconductive layer not covered with the third resin layer was eluted and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.) to expose the electrolytic copper plating layer corresponding to the non-circuit portion. Next, it is treated with a ferric chloride-based etching solution (40 ° C., spray pressure 3.0 kg / cm 2 ), and the exposed electrolytic copper plating layer, the underlying electroless copper plating layer, and the copper-clad laminate The copper layer was removed. The photoconductive layer and the third resin layer used as the etching resist were removed with a 3% by mass aqueous sodium hydroxide solution (40 ° C.) and isopropyl alcohol to obtain a circuit board. When the obtained circuit board was observed with a microscope, the through-hole diameter L16 at the time of drilling shown in FIG. 43 was 150 μm, the through-hole diameter at the time of copper plating was L17 = 125 μm, and the through-hole land diameter L18 was 150 μm. Moreover, no disconnection was confirmed in the circuit portion and the through hole portion.

表1の組成からなる塗布液を用い、厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム製)上に、カーテンコート法を用いて、光導電層からなるフィルム(乾燥後のフィルム厚さ 20μm)を製造した。   Using a coating solution having the composition shown in Table 1, a film comprising a photoconductive layer on a polyethylene terephthalate film (Mitsubishi Chemical Polyester Film) having a thickness of 25 μm using a curtain coating method (film thickness after drying 20 μm) Manufactured.

銅張ガラス基材エポキシ樹脂基板(面積340mm×510mm、基材厚み0.1mm、銅層厚み12μm)に、0.15mmφのスルーホールを開けた後、無電解めっき処理を行って、スルーホール内壁および表面に厚さ約0.5μmの無電解銅めっき層を設けた。ドライフィルムフォトレジスト用ラミネーターを用いて、上記光導電層フィルムを基板両面に熱圧着し、導電層上に光導電層を設けた。その後、常温下でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、80℃1分間加熱し、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離することで発生した光導電層上の剥離帯電のむらを消失させた。   A through-hole of 0.15 mmφ was opened in a copper-clad glass-based epoxy resin substrate (area 340 mm × 510 mm, base material thickness 0.1 mm, copper layer thickness 12 μm), and then electroless plating treatment was performed to form an inner wall of the through hole An electroless copper plating layer having a thickness of about 0.5 μm was provided on the surface. Using a laminator for dry film photoresist, the photoconductive layer film was thermocompression bonded to both surfaces of the substrate to provide a photoconductive layer on the conductive layer. Thereafter, the polyethylene terephthalate film was peeled off at room temperature, heated at 80 ° C. for 1 minute, and the unevenness of peeling charge on the photoconductive layer generated by peeling the polyethylene terephthalate film was eliminated.

次いで、三菱OPCプリンティングシステム用正電荷トナー(三菱製紙(株)製、「ODP−TW」)を用いて、バイアス電圧+200Vを印加して電着塗布を行い、該トナーを孔部以外全面に電着させた。続いて70℃で2分間加熱してトナーを定着させ、良好な第二樹脂層を得た。   Next, using a positively charged toner for Mitsubishi OPC printing system (“ODP-TW” manufactured by Mitsubishi Paper Industries Co., Ltd.), a bias voltage of +200 V is applied to perform electrodeposition coating. I wore it. Subsequently, the toner was fixed by heating at 70 ° C. for 2 minutes to obtain a good second resin layer.

次に、孔上の光導電層のみを1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶解除去した。スルーホール部を顕微鏡で観察したところ、図45で示した穴開け加工時のスルーホール径L7=150μm、銅めっき時のスルーホール径L8=149μm、光導電層除去部の径L9=110μmであった。続いて、電解銅めっき処理を行って、スルーホール内の無電解銅めっき層上に、厚み約12μmの電解銅めっき層を形成した。さらに、再度1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて、スルーホール部の光導電層を溶解除去した。スルーホール周囲部の光導電層は、スルーホールと同心円状に除去されていた。図47で示した穴開け加工時のスルーホール径L10=150μm、銅めっき時のスルーホール径L11=125μm、光架橋性樹脂層除去部の径L12=188μmであった。   Next, only the photoconductive layer on the hole was dissolved and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.). When the through hole portion was observed with a microscope, the through hole diameter L7 at the time of drilling shown in FIG. 45 was 150 μm, the through hole diameter at the time of copper plating was L8 = 149 μm, and the diameter L9 of the photoconductive layer removal portion was 110 μm. It was. Subsequently, an electrolytic copper plating treatment was performed to form an electrolytic copper plating layer having a thickness of about 12 μm on the electroless copper plating layer in the through hole. Further, the photoconductive layer in the through-hole portion was dissolved and removed again using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.). The photoconductive layer around the through hole was removed concentrically with the through hole. The through hole diameter L10 at the time of drilling shown in FIG. 47 was 150 μm, the through hole diameter at the time of copper plating was L11 = 125 μm, and the diameter L12 of the photocrosslinkable resin layer removal portion was 188 μm.

次に、コロナ帯電装置(帯電トランス出力+5.0V)を用いて、両面を帯電させた。表面電位を測定したところ、+380Vであった。続いて、アクリル樹脂性エマルジョン(特開2002−296847号公報の実施例1記載のトナー)を用いて、バイアス電圧+300Vを印加して反転現像を行い、孔内壁の導電層上にトナーを付着させた。90℃で2分間、トナーを熱定着し、第四樹脂層を得た。次に、第二樹脂層は溶解するが、第四樹脂層および光導電層は溶解しない溶剤としてプロピレンカーボネートを用い、表面から第二樹脂層のみを溶解除去し、水洗後90℃で20分間乾燥をした。   Next, both surfaces were charged using a corona charging device (charging transformer output +5.0 V). The surface potential was measured and found to be + 380V. Subsequently, using an acrylic resin emulsion (the toner described in Example 1 of JP-A-2002-296847), reversal development is performed by applying a bias voltage of +300 V so that the toner adheres to the conductive layer on the inner wall of the hole. It was. The toner was heat-fixed at 90 ° C. for 2 minutes to obtain a fourth resin layer. Next, propylene carbonate is used as a solvent in which the second resin layer is dissolved but the fourth resin layer and the photoconductive layer are not dissolved. Only the second resin layer is dissolved and removed from the surface, washed with water and dried at 90 ° C. for 20 minutes. Did.

続いて、回路パターンを描画したフォトマスク(導体幅および間隙:50μm)を載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置(ユニレックURM300、ウシオ電機製)を用い、30秒間紫外線露光を行った。さらに、基板を反転して、逆面の光導電層に対しても同様に露光を行い、光導電層上の露光部に導電性を誘起させた。   Subsequently, a photomask (conductor width and gap: 50 μm) on which a circuit pattern was drawn was placed, and UV exposure was performed for 30 seconds using a high pressure mercury lamp light source device for printing (Unirec URM300, manufactured by Ushio Electric) having a suction adhesion mechanism. . Further, the substrate was inverted, and the photoconductive layer on the opposite side was exposed in the same manner to induce conductivity in the exposed portion on the photoconductive layer.

該露光処理が終了した基板に対し、コロナ帯電装置(帯電トランス出力+5.0V)を用いて、両面を帯電させ、静電潜像を形成した。帯電処理1分後の未露光部の表面電位は330V、露光部の表面電位は100Vであった。続いて、アクリル樹脂性エマルジョン(特開2002−296847号公報の実施例1記載のトナー)を用いて、バイアス電圧220Vを印加して、反転現像を行い、光導電層上の回路部にトナー画像を得た。90℃で2分間、トナーを熱定着し、第三樹脂層を得た。   The substrate after the exposure processing was charged using a corona charging device (charging transformer output +5.0 V) to form an electrostatic latent image. The surface potential of the unexposed part after 1 minute of the charging treatment was 330 V, and the surface potential of the exposed part was 100 V. Subsequently, using an acrylic resin emulsion (toner described in Example 1 of JP-A-2002-296847), a bias voltage of 220 V is applied to perform reverse development, and a toner image is formed on a circuit portion on the photoconductive layer. Got. The toner was thermally fixed at 90 ° C. for 2 minutes to obtain a third resin layer.

第三樹脂層で被覆されていない光導電層を、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶出除去し、非回路部に相当する無電解銅めっき層を露出させた。次いで、塩化第二鉄系のエッチング液(40℃、スプレー圧 3.0kg/cm)で処理し、露出している無電解銅めっき層およびその下の銅張積層板の銅層を除去した。エッチングレジストとして使用した光導電層および第三樹脂層、第四樹脂層を3質量%水酸化ナトリウム水溶液(40℃)およびイソプロピルアルコールで除去し、回路基板を得た。得られた回路基板を顕微鏡観察したところ、得られた回路基板を顕微鏡観察したところ、図48で示した穴開け加工時のスルーホール径L13=150μm、銅めっき時のスルーホール径L14=125μm、スルーホールランド径L15=178μmであり、狭小ランド幅のスルーホールが形成されていることを確認した。また、回路部およびスルーホール部に断線は確認されなかった。 The photoconductive layer not covered with the third resin layer was eluted and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.) to expose the electroless copper plating layer corresponding to the non-circuit portion. Then, it was treated with a ferric chloride-based etching solution (40 ° C., spray pressure 3.0 kg / cm 2 ) to remove the exposed electroless copper plating layer and the copper layer of the copper-clad laminate below it. . The photoconductive layer, the third resin layer, and the fourth resin layer used as an etching resist were removed with a 3% by mass aqueous sodium hydroxide solution (40 ° C.) and isopropyl alcohol to obtain a circuit board. When the obtained circuit board was observed with a microscope, when the obtained circuit board was observed with a microscope, the through hole diameter L13 = 150 μm at the time of drilling shown in FIG. 48, the through hole diameter L14 = 125 μm at the time of copper plating, The through-hole land diameter L15 = 178 μm, and it was confirmed that a through-hole having a narrow land width was formed. Moreover, no disconnection was confirmed in the circuit portion and the through hole portion.

表1の組成からなる塗布液を用い、厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム製)上に、カーテンコート法を用いて、光導電層からなるフィルム(乾燥後のフィルム厚さ 20μm)を製造した。   Using a coating solution having the composition shown in Table 1, a film comprising a photoconductive layer on a polyethylene terephthalate film (Mitsubishi Chemical Polyester Film) having a thickness of 25 μm using a curtain coating method (film thickness after drying 20 μm) Manufactured.

銅張ガラス基材エポキシ樹脂基板(面積340mm×510mm、基材厚み0.1mm、銅層厚み12μm)に、0.15mmφのスルーホールを開けた後、無電解銅めっき処理および電解銅めっき処理を行って、スルーホール内壁および表面に厚さ約0.5μmの無電解銅めっき層および約12μmの電解銅めっき層を設けた。ドライフィルムフォトレジスト用ラミネーターを用いて、上記光導電層フィルムを基板両面に熱圧着し、導電層上に光導電層を設けた。   After opening a through hole of 0.15 mmφ in a copper-clad glass substrate epoxy resin substrate (area 340 mm × 510 mm, substrate thickness 0.1 mm, copper layer thickness 12 μm), electroless copper plating treatment and electrolytic copper plating treatment The electroless copper plating layer having a thickness of about 0.5 μm and the electrolytic copper plating layer having a thickness of about 12 μm were provided on the inner wall and the surface of the through hole. Using a laminator for dry film photoresist, the photoconductive layer film was thermocompression bonded to both surfaces of the substrate to provide a photoconductive layer on the conductive layer.

次いで、常温下でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、光導電層表面にコロナ帯電装置(帯電トランス出力;+5.0kV)を用いて両面に電荷を与えた。表面電位を測定したところ、表面導電層上の光導電層は+100V、孔上の光導電層は+300Vであり、表面導電層上と孔上で電荷のコントラストが形成できている事が確認された。続いて、三菱OPCプリンティングシステム用正電荷トナー(三菱製紙(株)製、「ODP−TW」)を用いて、バイアス電圧+200Vを印加して反転現像を行い、該トナーを孔部以外全面に電着させた。続いて70℃で2分間加熱してトナーを定着させ、良好な第一樹脂層を得た。   Next, after the polyethylene terephthalate film was peeled off at room temperature, a charge was applied to both surfaces using a corona charging device (charging transformer output; +5.0 kV) on the surface of the photoconductive layer. When the surface potential was measured, the photoconductive layer on the surface conductive layer was +100 V, the photoconductive layer on the hole was +300 V, and it was confirmed that charge contrast was formed on the surface conductive layer and the hole. . Subsequently, using a positively charged toner for Mitsubishi OPC printing system (“ODP-TW” manufactured by Mitsubishi Paper Industries Co., Ltd.), reversal development is performed by applying a bias voltage of +200 V, and the toner is charged on the entire surface except for the hole. I wore it. Subsequently, the toner was fixed by heating at 70 ° C. for 2 minutes to obtain a good first resin layer.

次に、孔上の光導電層のみを1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶解除去した。スルーホール部を顕微鏡で観察したところ、図42で示した穴開け加工時のスルーホール径L1=150μm、銅めっき時のスルーホール径L2=125μm、光導電層除去部の径L3=160μmであった。次に、第一樹脂層は溶解するが、光導電層は溶解しない溶剤としてプロピレンカーボネートを用い、表面から第一樹脂層のみを溶解除去し、水洗後90℃で20分間乾燥をした。   Next, only the photoconductive layer on the hole was dissolved and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.). When the through-hole portion was observed with a microscope, the through-hole diameter L1 at the time of drilling shown in FIG. 42 was 150 μm, the through-hole diameter at the time of copper plating was L2 = 125 μm, and the photoconductive layer removal portion diameter L3 was 160 μm. It was. Next, propylene carbonate was used as a solvent in which the first resin layer was dissolved but the photoconductive layer was not dissolved. Only the first resin layer was dissolved and removed from the surface, washed with water, and dried at 90 ° C. for 20 minutes.

続いて、回路パターンを描画したフォトマスク(導体幅および間隙:50μm)を載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置(ユニレックURM300、ウシオ電機製)を用い、30秒間紫外線露光を行った。さらに、基板を反転して、逆面の光導電層に対しても同様に露光を行い、光導電層上の露光部に導電性を誘起させた。   Subsequently, a photomask (conductor width and gap: 50 μm) on which a circuit pattern was drawn was placed, and UV exposure was performed for 30 seconds using a high pressure mercury lamp light source device for printing (Unirec URM300, manufactured by Ushio Electric) having a suction adhesion mechanism. . Further, the substrate was inverted, and the photoconductive layer on the opposite side was exposed in the same manner to induce conductivity in the exposed portion on the photoconductive layer.

該露光処理が終了した基板に対し、コロナ帯電装置(帯電トランス出力+5.0V)を用いて、両面を帯電させ、静電潜像を形成した。帯電処理1分後の未露光部の表面電位は330V、露光部の表面電位は100Vであった。続いて、三菱OPCプリンティングシステム正電荷トナー(ODP−TW、三菱製紙(株)製)を用いて、バイアス電圧220Vを印加して、反転現像を行い、露出している導電層上および光導電層上の回路部にトナー画像を得た。90℃で2分間、トナーを熱定着し、第二樹脂層を得た。   The substrate after the exposure processing was charged using a corona charging device (charging transformer output +5.0 V) to form an electrostatic latent image. The surface potential of the unexposed part after 1 minute of the charging treatment was 330 V, and the surface potential of the exposed part was 100 V. Subsequently, using a Mitsubishi OPC printing system positively charged toner (ODP-TW, manufactured by Mitsubishi Paper Co., Ltd.), a bias voltage of 220 V is applied to perform reverse development, and the exposed conductive layer and the photoconductive layer A toner image was obtained in the upper circuit section. The toner was thermally fixed at 90 ° C. for 2 minutes to obtain a second resin layer.

第二樹脂層で被覆されていない光導電層を、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶出除去し、非回路部に相当する電解銅めっき層を露出させた。次いで、塩化第二鉄系のエッチング液(40℃、スプレー圧 3.0kg/cm)で処理し、露出している電解銅めっき層とその下の無電解銅めっき層および銅張積層板の銅層を除去した。エッチングレジストとして使用した光導電層および第二樹脂層を3質量%水酸化ナトリウム水溶液(40℃)で除去し、回路基板を得た。得られた回路基板を顕微鏡観察したところ、図43で示した穴開け加工時のスルーホール径L16=150μm、銅めっき時のスルーホール径L17=125μm、スルーホールランド径L18=150μmであった。また、回路部およびスルーホール部に断線は確認されなかった。 The photoconductive layer not covered with the second resin layer was eluted and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.) to expose the electrolytic copper plating layer corresponding to the non-circuit portion. Next, it is treated with a ferric chloride-based etching solution (40 ° C., spray pressure 3.0 kg / cm 2 ), and the exposed electrolytic copper plating layer, the underlying electroless copper plating layer, and the copper-clad laminate The copper layer was removed. The photoconductive layer and the second resin layer used as the etching resist were removed with a 3% by mass aqueous sodium hydroxide solution (40 ° C.) to obtain a circuit board. When the obtained circuit board was observed with a microscope, the through-hole diameter L16 at the time of drilling shown in FIG. 43 was 150 μm, the through-hole diameter at the time of copper plating was L17 = 125 μm, and the through-hole land diameter L18 was 150 μm. Moreover, no disconnection was confirmed in the circuit portion and the through hole portion.

表1の組成からなる塗布液を用い、厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム製)上に、カーテンコート法を用いて、光導電層からなるフィルム(乾燥後のフィルム厚さ 20μm)を製造した。   Using a coating solution having the composition shown in Table 1, a film comprising a photoconductive layer on a polyethylene terephthalate film (Mitsubishi Chemical Polyester Film) having a thickness of 25 μm using a curtain coating method (film thickness after drying 20 μm) Manufactured.

銅張ガラス基材エポキシ樹脂基板(面積340mm×510mm、基材厚み0.1mm、銅層厚み12μm)に、0.15mmφのスルーホールを開けた後、無電解銅めっき処理および電解銅めっき処理を行って、スルーホール内壁および表面に厚さ約0.5μmの無電解銅めっき層および約12μmの電解銅めっき層を設けた。ドライフィルムフォトレジスト用ラミネーターを用いて、上記光導電層フィルムを基板両面に熱圧着し、導電層上に光導電層を設けた。   After opening a through hole of 0.15 mmφ in a copper-clad glass substrate epoxy resin substrate (area 340 mm × 510 mm, substrate thickness 0.1 mm, copper layer thickness 12 μm), electroless copper plating treatment and electrolytic copper plating treatment The electroless copper plating layer having a thickness of about 0.5 μm and the electrolytic copper plating layer having a thickness of about 12 μm were provided on the inner wall and the surface of the through hole. Using a laminator for dry film photoresist, the photoconductive layer film was thermocompression bonded to both surfaces of the substrate to provide a photoconductive layer on the conductive layer.

次いで、常温下でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、光導電層表面にコロナ帯電装置(帯電トランス出力;+5.0kV)を用いて両面に電荷を与えた。表面電位を測定したところ、表面導電層上の光導電層は+100V、孔上の光導電層は+300Vであり、表面導電層上と孔上で電荷のコントラストが形成できている事が確認された。続いて、三菱OPCプリンティングシステム用正電荷トナー(三菱製紙(株)製、「ODP−TW」)を用いて、バイアス電圧+200Vを印加して反転現像を行い、該トナーを孔部以外全面に電着させた。続いて70℃で2分間加熱してトナーを定着させ、良好な第一樹脂層を得た。   Next, after the polyethylene terephthalate film was peeled off at room temperature, a charge was applied to both surfaces using a corona charging device (charging transformer output; +5.0 kV) on the surface of the photoconductive layer. When the surface potential was measured, the photoconductive layer on the surface conductive layer was +100 V, the photoconductive layer on the hole was +300 V, and it was confirmed that charge contrast was formed on the surface conductive layer and the hole. . Subsequently, using a positively charged toner for Mitsubishi OPC printing system (“ODP-TW” manufactured by Mitsubishi Paper Industries Co., Ltd.), reversal development is performed by applying a bias voltage of +200 V, and the toner is charged on the entire surface except for the hole. I wore it. Subsequently, the toner was fixed by heating at 70 ° C. for 2 minutes to obtain a good first resin layer.

次に、孔上の光導電層のみを1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶解除去した。スルーホール部を顕微鏡で観察したところ、スルーホール周囲部の光導電層は、スルーホールと同心円状に除去されていた。図42で示した穴開け加工時のスルーホール径L1、銅めっき時のスルーホール径L2、光導電層除去部の径L3は、L1=150μm、L2=125μm、L3=190μmであった。次に、第一樹脂層は溶解するが、光導電層は溶解しない溶剤としてプロピレンカーボネートを用い、表面から第一樹脂層のみを溶解除去し、水洗後90℃で20分間乾燥をした。   Next, only the photoconductive layer on the hole was dissolved and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.). When the through hole portion was observed with a microscope, the photoconductive layer around the through hole was removed concentrically with the through hole. The through-hole diameter L1 at the time of drilling shown in FIG. 42, the through-hole diameter L2 at the time of copper plating, and the diameter L3 of the photoconductive layer removal portion were L1 = 150 μm, L2 = 125 μm, and L3 = 190 μm. Next, propylene carbonate was used as a solvent in which the first resin layer was dissolved but the photoconductive layer was not dissolved. Only the first resin layer was dissolved and removed from the surface, washed with water, and dried at 90 ° C. for 20 minutes.

続いて、回路パターンを描画したフォトマスク(導体幅および間隙:50μm)を載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置(ユニレックURM300、ウシオ電機製)を用い、30秒間紫外線露光を行った。さらに、基板を反転して、逆面の光導電層に対しても同様に露光を行い、光導電層上の露光部に導電性を誘起させた。   Subsequently, a photomask (conductor width and gap: 50 μm) on which a circuit pattern was drawn was placed, and UV exposure was performed for 30 seconds using a high pressure mercury lamp light source device for printing (Unirec URM300, manufactured by Ushio Electric) having a suction adhesion mechanism. . Further, the substrate was inverted, and the photoconductive layer on the opposite side was exposed in the same manner to induce conductivity in the exposed portion on the photoconductive layer.

該露光処理が終了した基板に対し、コロナ帯電装置(帯電トランス出力+5.0V)を用いて、両面を帯電させ、静電潜像を形成した。帯電処理1分後の未露光部の表面電位は330V、露光部の表面電位は100Vであった。続いて、三菱OPCプリンティングシステム正電荷トナー(ODP−TW、三菱製紙(株)製)を用いて、バイアス電圧220Vを印加して、反転現像を行い、露出している導電層上および光導電層上の回路部にトナー画像を得た。90℃で2分間、トナーを熱定着し、第二樹脂層を得た。   The substrate after the exposure processing was charged using a corona charging device (charging transformer output +5.0 V) to form an electrostatic latent image. The surface potential of the unexposed part after 1 minute of the charging treatment was 330 V, and the surface potential of the exposed part was 100 V. Subsequently, using a Mitsubishi OPC printing system positively charged toner (ODP-TW, manufactured by Mitsubishi Paper Co., Ltd.), a bias voltage of 220 V is applied to perform reverse development, and the exposed conductive layer and the photoconductive layer A toner image was obtained in the upper circuit section. The toner was thermally fixed at 90 ° C. for 2 minutes to obtain a second resin layer.

第二樹脂層で被覆されていない光導電層を、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶出除去し、非回路部に相当する電解銅めっき層を露出させた。次いで、塩化第二鉄系のエッチング液(40℃、スプレー圧 3.0kg/cm)で処理し、露出している電解銅めっき層とその下の無電解銅めっき層および銅張積層板の銅層を除去した。エッチングレジストとして使用した光導電層および第二樹脂層を3質量%水酸化ナトリウム水溶液(40℃)で除去し、回路基板を得た。得られた回路基板を顕微鏡観察したところ、スルーホール周囲部の導電層であるランドは、スルーホールと同心円状に形成されていた。図44で示した穴開け加工時のスルーホール径L4=150μm、銅めっき時のスルーホール径L5=125μm、ランド径L6=180μmであり、狭小ランド幅のスルーホールが形成されていることを確認した。また、回路部およびスルーホール部に断線は確認されなかった。 The photoconductive layer not covered with the second resin layer was eluted and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.) to expose the electrolytic copper plating layer corresponding to the non-circuit portion. Next, it is treated with a ferric chloride-based etching solution (40 ° C., spray pressure 3.0 kg / cm 2 ), and the exposed electrolytic copper plating layer, the underlying electroless copper plating layer, and the copper-clad laminate The copper layer was removed. The photoconductive layer and the second resin layer used as the etching resist were removed with a 3% by mass aqueous sodium hydroxide solution (40 ° C.) to obtain a circuit board. When the obtained circuit board was observed with a microscope, the land as the conductive layer around the through hole was concentrically formed with the through hole. The through hole diameter L4 at the time of drilling shown in FIG. 44 = 150 μm, the through hole diameter at the time of copper plating L5 = 125 μm, and the land diameter L6 = 180 μm, confirming that a through hole having a narrow land width is formed. did. Moreover, no disconnection was confirmed in the circuit portion and the through hole portion.

表1の組成からなる塗布液を用い、厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム製)上に、カーテンコート法を用いて、光導電層からなるフィルム(乾燥後のフィルム厚さ 20μm)を製造した。   Using a coating solution having the composition shown in Table 1, a film comprising a photoconductive layer on a polyethylene terephthalate film (Mitsubishi Chemical Polyester Film) having a thickness of 25 μm using a curtain coating method (film thickness after drying 20 μm) Manufactured.

銅張ガラス基材エポキシ樹脂基板(面積340mm×510mm、基材厚み0.1mm、銅層厚み12μm)に、0.15mmφのスルーホールを開けた後、無電解銅めっき処理を行って、スルーホール内壁および表面に厚さ約0.5μmの無電解銅めっき層を設けた。ドライフィルムフォトレジスト用ラミネーターを用いて、上記光導電層フィルムを基板両面に熱圧着し、導電層上に光導電層を設けた。   A through-hole of 0.15 mmφ was opened in a copper-clad glass-based epoxy resin substrate (area 340 mm × 510 mm, base material thickness 0.1 mm, copper layer thickness 12 μm), and then electroless copper plating treatment was performed. An electroless copper plating layer having a thickness of about 0.5 μm was provided on the inner wall and the surface. Using a laminator for dry film photoresist, the photoconductive layer film was thermocompression bonded to both surfaces of the substrate to provide a photoconductive layer on the conductive layer.

次いで、常温下でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、光導電層表面にコロナ帯電装置(帯電トランス出力;+5.0kV)を用いて両面に電荷を与えた。表面電位を測定したところ、表面導電層上の光導電層は+100V、孔上の光導電層は+300Vであり、表面導電層上と孔上で電荷のコントラストが形成できている事が確認された。続いて、三菱OPCプリンティングシステム用正電荷トナー(三菱製紙(株)製、「ODP−TW」)を用いて、バイアス電圧+200Vを印加して反転現像を行い、該トナーを孔部以外全面に電着させた。続いて70℃で2分間加熱してトナーを定着させ、良好な第一樹脂層を得た。   Next, after the polyethylene terephthalate film was peeled off at room temperature, a charge was applied to both surfaces using a corona charging device (charging transformer output; +5.0 kV) on the surface of the photoconductive layer. When the surface potential was measured, the photoconductive layer on the surface conductive layer was +100 V, the photoconductive layer on the hole was +300 V, and it was confirmed that charge contrast was formed on the surface conductive layer and the hole. . Subsequently, using a positively charged toner for Mitsubishi OPC printing system (“ODP-TW” manufactured by Mitsubishi Paper Industries Co., Ltd.), reversal development is performed by applying a bias voltage of +200 V, and the toner is charged on the entire surface except for the hole. I wore it. Subsequently, the toner was fixed by heating at 70 ° C. for 2 minutes to obtain a good first resin layer.

次に、孔上の光導電層のみを1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶解除去した。スルーホール部を顕微鏡で観察したところ、図45で示した穴開け加工時のスルーホール径L7=150μm、銅めっき時のスルーホール径L8=149μm、光導電層除去部の径L9=110μmであった。続いて、電解銅めっき処理を行って、スルーホール内の無電解銅めっき層上に、厚み約12μmの電解銅めっき層を形成した。次に、第一樹脂層は溶解するが、光導電層は溶解しない溶剤としてプロピレンカーボネートを用い、表面から第一樹脂層のみを溶解除去し、水洗後90℃で20分間乾燥をした。   Next, only the photoconductive layer on the hole was dissolved and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.). When the through hole portion was observed with a microscope, the through hole diameter L7 at the time of drilling shown in FIG. 45 was 150 μm, the through hole diameter at the time of copper plating was L8 = 149 μm, and the diameter L9 of the photoconductive layer removal portion was 110 μm. It was. Subsequently, an electrolytic copper plating treatment was performed to form an electrolytic copper plating layer having a thickness of about 12 μm on the electroless copper plating layer in the through hole. Next, propylene carbonate was used as a solvent in which the first resin layer was dissolved but the photoconductive layer was not dissolved. Only the first resin layer was dissolved and removed from the surface, washed with water, and dried at 90 ° C. for 20 minutes.

続いて、回路パターンを描画したフォトマスク(導体幅および間隙:50μm)を載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置(ユニレックURM300、ウシオ電機製)を用い、30秒間紫外線露光を行った。さらに、基板を反転して、逆面の光導電層に対しても同様に露光を行い、光導電層上の露光部に導電性を誘起させた。   Subsequently, a photomask (conductor width and gap: 50 μm) on which a circuit pattern was drawn was placed, and UV exposure was performed for 30 seconds using a high pressure mercury lamp light source device for printing (Unirec URM300, manufactured by Ushio Electric) having a suction adhesion mechanism. . Further, the substrate was inverted, and the photoconductive layer on the opposite side was exposed in the same manner to induce conductivity in the exposed portion on the photoconductive layer.

該露光処理が終了した基板に対し、コロナ帯電装置(帯電トランス出力+5.0V)を用いて、両面を帯電させ、静電潜像を形成した。帯電処理1分後の未露光部の表面電位は330V、露光部の表面電位は100Vであった。続いて、三菱OPCプリンティングシステム正電荷トナー(ODP−TW、三菱製紙(株)製)を用いて、バイアス電圧220Vを印加して、反転現像を行い、露出している導電層上および光導電層上の回路部にトナー画像を得た。90℃で2分間、トナーを熱定着し、第二樹脂層を得た。   The substrate after the exposure processing was charged using a corona charging device (charging transformer output +5.0 V) to form an electrostatic latent image. The surface potential of the unexposed part after 1 minute of the charging treatment was 330 V, and the surface potential of the exposed part was 100 V. Subsequently, using a Mitsubishi OPC printing system positively charged toner (ODP-TW, manufactured by Mitsubishi Paper Co., Ltd.), a bias voltage of 220 V is applied to perform reverse development, and the exposed conductive layer and the photoconductive layer A toner image was obtained in the upper circuit section. The toner was thermally fixed at 90 ° C. for 2 minutes to obtain a second resin layer.

第二樹脂層で被覆されていない光導電層を、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶出除去し、非回路部に相当する無電解銅めっき層を露出させた。次いで、塩化第二鉄系のエッチング液(40℃、スプレー圧 3.0kg/cm)で処理し、露出している無電解銅めっき層およびその下の銅張積層板の銅層を除去した。エッチングレジストとして使用した光導電層および第二樹脂層を3質量%水酸化ナトリウム水溶液(40℃)で除去し、回路基板を得た。得られた回路基板を顕微鏡観察したところ、得られた回路基板を顕微鏡観察したところ、図46で示した穴開け加工時のスルーホール径L19=150μm、銅めっき時のスルーホール径L20=125μm、スルーホールランド径L21=150μmであり、ランドレススルーホールが形成されていることを確認した。また、回路部およびスルーホール部に断線は確認されなかった。 The photoconductive layer not covered with the second resin layer was eluted and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.) to expose the electroless copper plating layer corresponding to the non-circuit portion. Then, it was treated with a ferric chloride-based etching solution (40 ° C., spray pressure 3.0 kg / cm 2 ) to remove the exposed electroless copper plating layer and the copper layer of the copper-clad laminate below it. . The photoconductive layer and the second resin layer used as the etching resist were removed with a 3% by mass aqueous sodium hydroxide solution (40 ° C.) to obtain a circuit board. When the obtained circuit board was observed with a microscope, the obtained circuit board was observed with a microscope. Through hole diameter L19 = 150 μm at the time of drilling shown in FIG. 46, through hole diameter L20 = 125 μm at the time of copper plating, The through-hole land diameter L21 = 150 μm, and it was confirmed that a landless through-hole was formed. Moreover, no disconnection was confirmed in the circuit portion and the through hole portion.

表1の組成からなる塗布液を用い、厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム製)上に、カーテンコート法を用いて、光導電層からなるフィルム(乾燥後のフィルム厚さ 20μm)を製造した。   Using a coating solution having the composition shown in Table 1, a film comprising a photoconductive layer on a polyethylene terephthalate film (Mitsubishi Chemical Polyester Film) having a thickness of 25 μm using a curtain coating method (film thickness after drying 20 μm) Manufactured.

銅張ガラス基材エポキシ樹脂基板(面積340mm×510mm、基材厚み0.1mm、銅層厚み12μm)に、0.15mmφのスルーホールを開けた後、無電解めっき処理を行って、スルーホール内壁および表面に厚さ約0.5μmの無電解銅めっき層を設けた。ドライフィルムフォトレジスト用ラミネーターを用いて、上記光導電層フィルムを基板両面に熱圧着し、導電層上に光導電層を設けた。   A through-hole of 0.15 mmφ was opened in a copper-clad glass-based epoxy resin substrate (area 340 mm × 510 mm, base material thickness 0.1 mm, copper layer thickness 12 μm), and then electroless plating treatment was performed to form an inner wall of the through hole An electroless copper plating layer having a thickness of about 0.5 μm was provided on the surface. Using a laminator for dry film photoresist, the photoconductive layer film was thermocompression bonded to both surfaces of the substrate to provide a photoconductive layer on the conductive layer.

次いで、常温下でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、光導電層表面にコロナ帯電装置(帯電トランス出力;+5.0kV)を用いて両面に電荷を与えた。表面電位を測定したところ、表面導電層上の光導電層は+100V、孔上の光導電層は+300Vであり、表面導電層上と孔上で電荷のコントラストが形成できている事が確認された。続いて、三菱OPCプリンティングシステム用正電荷トナー(三菱製紙(株)製、「ODP−TW」)を用いて、バイアス電圧+200Vを印加して反転現像を行い、該トナーを孔部以外全面に電着させた。続いて70℃で2分間加熱してトナーを定着させ、良好な第一樹脂層を得た。   Next, after the polyethylene terephthalate film was peeled off at room temperature, a charge was applied to both surfaces using a corona charging device (charging transformer output; +5.0 kV) on the surface of the photoconductive layer. When the surface potential was measured, the photoconductive layer on the surface conductive layer was +100 V, the photoconductive layer on the hole was +300 V, and it was confirmed that charge contrast was formed on the surface conductive layer and the hole. . Subsequently, using a positively charged toner for Mitsubishi OPC printing system (“ODP-TW” manufactured by Mitsubishi Paper Industries Co., Ltd.), reversal development is performed by applying a bias voltage of +200 V, and the toner is charged on the entire surface except for the hole. I wore it. Subsequently, the toner was fixed by heating at 70 ° C. for 2 minutes to obtain a good first resin layer.

次に、孔上の光導電層のみを1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶解除去した。スルーホール部を顕微鏡で観察したところ、図45で示した穴開け加工時のスルーホール径L7=150μm、銅めっき時のスルーホール径L8=149μm、光導電層除去部の径L9=110μmであった。続いて、電解銅めっき処理を行って、スルーホール内の無電解銅めっき層上に、厚み約12μmの電解銅めっき層を形成した。さらに、再度1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて、スルーホール部の光導電層を溶解除去した。スルーホール周囲部の光導電層は、スルーホールと同心円状に除去されていた。図47で示した穴開け加工時のスルーホール径L10=150μm、銅めっき時のスルーホール径L11=125μm、光架橋性樹脂層除去部の径L12=190μmであった。次に、第一樹脂層は溶解するが、光導電層は溶解しない溶剤としてプロピレンカーボネートを用い、表面から第一樹脂層のみを溶解除去し、水洗後90℃で20分間乾燥をした。   Next, only the photoconductive layer on the hole was dissolved and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.). When the through hole portion was observed with a microscope, the through hole diameter L7 at the time of drilling shown in FIG. 45 was 150 μm, the through hole diameter at the time of copper plating was L8 = 149 μm, and the diameter L9 of the photoconductive layer removal portion was 110 μm. It was. Subsequently, an electrolytic copper plating treatment was performed to form an electrolytic copper plating layer having a thickness of about 12 μm on the electroless copper plating layer in the through hole. Further, the photoconductive layer in the through-hole portion was dissolved and removed again using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.). The photoconductive layer around the through hole was removed concentrically with the through hole. The through hole diameter L10 at the time of drilling shown in FIG. 47 was 150 μm, the through hole diameter at the time of copper plating was L11 = 125 μm, and the diameter L12 of the photocrosslinkable resin layer removal portion was 190 μm. Next, propylene carbonate was used as a solvent in which the first resin layer was dissolved but the photoconductive layer was not dissolved. Only the first resin layer was dissolved and removed from the surface, washed with water, and dried at 90 ° C. for 20 minutes.

続いて、回路パターンを描画したフォトマスク(導体幅および間隙:50μm)を載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置(ユニレックURM300、ウシオ電機製)を用い、30秒間紫外線露光を行った。さらに、基板を反転して、逆面の光導電層に対しても同様に露光を行い、光導電層上の露光部に導電性を誘起させた。   Subsequently, a photomask (conductor width and gap: 50 μm) on which a circuit pattern was drawn was placed, and UV exposure was performed for 30 seconds using a high pressure mercury lamp light source device for printing (Unirec URM300, manufactured by Ushio Electric) having a suction adhesion mechanism. . Further, the substrate was inverted, and the photoconductive layer on the opposite side was exposed in the same manner to induce conductivity in the exposed portion on the photoconductive layer.

該露光処理が終了した基板に対し、コロナ帯電装置(帯電トランス出力+5.0V)を用いて、両面を帯電させ、静電潜像を形成した。帯電処理1分後の未露光部の表面電位は330V、露光部の表面電位は100Vであった。続いて、三菱OPCプリンティングシステム正電荷トナー(ODP−TW、三菱製紙(株)製)を用いて、バイアス電圧220Vを印加して、反転現像を行い、露出している導電層上および光導電層上の回路部にトナー画像を得た。90℃で2分間、トナーを熱定着し、第二樹脂層を得た。   The substrate after the exposure processing was charged using a corona charging device (charging transformer output +5.0 V) to form an electrostatic latent image. The surface potential of the unexposed part after 1 minute of the charging treatment was 330 V, and the surface potential of the exposed part was 100 V. Subsequently, using a Mitsubishi OPC printing system positively charged toner (ODP-TW, manufactured by Mitsubishi Paper Co., Ltd.), a bias voltage of 220 V is applied to perform reverse development, and the exposed conductive layer and the photoconductive layer A toner image was obtained in the upper circuit section. The toner was thermally fixed at 90 ° C. for 2 minutes to obtain a second resin layer.

第二樹脂層で被覆されていない光導電層を、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶出除去し、非回路部に相当する無電解銅めっき層を露出させた。次いで、塩化第二鉄系のエッチング液(40℃、スプレー圧 3.0kg/cm)で処理し、露出している無電解銅めっき層およびその下の銅張積層板の銅層を除去した。エッチングレジストとして使用した光導電層および第二樹脂層を3質量%水酸化ナトリウム水溶液(40℃)で除去し、回路基板を得た。得られた回路基板を顕微鏡観察したところ、図48で示した穴開け加工時のスルーホール径L13=150μm、銅めっき時のスルーホール径L14=125μm、スルーホールランド径L15=180μmであり、狭小ランド幅のスルーホールが形成されていることを確認した。また、回路部およびスルーホール部に断線は確認されなかった。 The photoconductive layer not covered with the second resin layer was eluted and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.) to expose the electroless copper plating layer corresponding to the non-circuit portion. Then, it was treated with a ferric chloride-based etching solution (40 ° C., spray pressure 3.0 kg / cm 2 ) to remove the exposed electroless copper plating layer and the copper layer of the copper-clad laminate below it. . The photoconductive layer and the second resin layer used as the etching resist were removed with a 3% by mass aqueous sodium hydroxide solution (40 ° C.) to obtain a circuit board. When the obtained circuit board was observed with a microscope, the through hole diameter L13 = 150 μm at the time of drilling shown in FIG. 48, the through hole diameter L14 = 125 μm at the time of copper plating, and the through hole land diameter L15 = 180 μm were narrow. It was confirmed that a through hole having a land width was formed. Moreover, no disconnection was confirmed in the circuit portion and the through hole portion.

表1の組成からなる塗布液を用い、厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム製)上に、カーテンコート法を用いて、光導電層からなるフィルム(乾燥後のフィルム厚さ 20μm)を製造した。   Using a coating solution having the composition shown in Table 1, a film comprising a photoconductive layer on a polyethylene terephthalate film (Mitsubishi Chemical Polyester Film) having a thickness of 25 μm using a curtain coating method (film thickness after drying 20 μm) Manufactured.

銅張ガラス基材エポキシ樹脂基板(面積340mm×510mm、基材厚み0.1mm、銅層厚み12μm)に、0.15mmφのスルーホールを開けた後、無電解銅めっき処理および電解銅めっき処理を行って、スルーホール内壁および表面に厚さ約0.5μmの無電解銅めっき層および約12μmの電解銅めっき層を設けた。ドライフィルムフォトレジスト用ラミネーターを用いて、上記光導電層フィルムを基板両面に熱圧着し、導電層上に光導電層を設けた。   After opening a through hole of 0.15 mmφ in a copper-clad glass substrate epoxy resin substrate (area 340 mm × 510 mm, substrate thickness 0.1 mm, copper layer thickness 12 μm), electroless copper plating treatment and electrolytic copper plating treatment The electroless copper plating layer having a thickness of about 0.5 μm and the electrolytic copper plating layer having a thickness of about 12 μm were provided on the inner wall and the surface of the through hole. Using a laminator for dry film photoresist, the photoconductive layer film was thermocompression bonded to both surfaces of the substrate to provide a photoconductive layer on the conductive layer.

次いで、常温下でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、光導電層表面にコロナ帯電装置(帯電トランス出力;+5.0kV)を用いて両面に電荷を与えた。表面電位を測定したところ、表面導電層上の光導電層は+100V、孔上の光導電層は+300Vであり、表面導電層上と孔上で電荷のコントラストが形成できている事が確認された。続いて、三菱OPCプリンティングシステム用正電荷トナー(三菱製紙(株)製、「ODP−TW」)を用いて、バイアス電圧+200Vを印加して反転現像を行い、該トナーを孔部以外全面に電着させた。続いて70℃で2分間加熱してトナーを定着させ、良好な第一樹脂層を得た。   Next, after the polyethylene terephthalate film was peeled off at room temperature, a charge was applied to both surfaces using a corona charging device (charging transformer output; +5.0 kV) on the surface of the photoconductive layer. When the surface potential was measured, the photoconductive layer on the surface conductive layer was +100 V, the photoconductive layer on the hole was +300 V, and it was confirmed that charge contrast was formed on the surface conductive layer and the hole. . Subsequently, using a positively charged toner for Mitsubishi OPC printing system (“ODP-TW” manufactured by Mitsubishi Paper Industries Co., Ltd.), reversal development is performed by applying a bias voltage of +200 V, and the toner is charged on the entire surface except for the hole. I wore it. Subsequently, the toner was fixed by heating at 70 ° C. for 2 minutes to obtain a good first resin layer.

次に、孔上の光導電層のみを1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶解除去した。スルーホール部を顕微鏡で観察したところ、図42で示した穴開け加工時のスルーホール径L1=150μm、銅めっき時のスルーホール径L2=125μm、光導電層除去部の径L3=160μmであった。次に、コロナ帯電装置(帯電トランス出力+5.0V)を用いて、両面を帯電させた。表面電位を測定したところ、+380Vであった。続いて、アクリル樹脂性エマルジョン(特開2002−296847公報の実施例1記載のトナー)を用いて、バイアス電圧+300Vを印加して反転現像を行い、孔内壁の導電層上にトナーを付着させた。90℃で2分間、トナーを熱定着し、第三樹脂層を得た。   Next, only the photoconductive layer on the hole was dissolved and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.). When the through-hole portion was observed with a microscope, the through-hole diameter L1 at the time of drilling shown in FIG. 42 was 150 μm, the through-hole diameter at the time of copper plating was L2 = 125 μm, and the photoconductive layer removal portion diameter L3 was 160 μm. It was. Next, both surfaces were charged using a corona charging device (charging transformer output +5.0 V). The surface potential was measured and found to be + 380V. Subsequently, reversal development was performed by applying a bias voltage of +300 V using an acrylic resin emulsion (the toner described in Example 1 of JP-A No. 2002-296847), and the toner was deposited on the conductive layer on the inner wall of the hole. . The toner was thermally fixed at 90 ° C. for 2 minutes to obtain a third resin layer.

次に、第一樹脂層は溶解するが、第三樹脂層および光導電層は溶解しない溶剤としてプロピレンカーボネートを用い、表面から第一樹脂層のみを溶解除去し、水洗後90℃で20分間乾燥をした。   Next, propylene carbonate is used as a solvent that dissolves the first resin layer but does not dissolve the third resin layer and the photoconductive layer, and only the first resin layer is dissolved and removed from the surface, washed with water, and dried at 90 ° C. for 20 minutes. Did.

続いて、回路パターンを描画したフォトマスク(導体幅および間隙:50μm)を載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置(ユニレックURM300、ウシオ電機製)を用い、30秒間紫外線露光を行った。さらに、基板を反転して、逆面の光導電層に対しても同様に露光を行い、光導電層上の露光部に導電性を誘起させた。   Subsequently, a photomask (conductor width and gap: 50 μm) on which a circuit pattern was drawn was placed, and UV exposure was performed for 30 seconds using a high pressure mercury lamp light source device for printing (Unirec URM300, manufactured by Ushio Electric) having a suction adhesion mechanism. . Further, the substrate was inverted, and the photoconductive layer on the opposite side was exposed in the same manner to induce conductivity in the exposed portion on the photoconductive layer.

該露光処理が終了した基板に対し、コロナ帯電装置(帯電トランス出力+5.0V)を用いて、両面を帯電させ、静電潜像を形成した。帯電処理1分後の未露光部の表面電位は330V、露光部の表面電位は100Vであった。続いて、三菱OPCプリンティングシステム正電荷トナー(ODP−TW、三菱製紙(株)製)を用いて、バイアス電圧220Vを印加して、反転現像を行い、光導電層上の回路部にトナー画像を得た。トナー画像を得た。90℃で2分間、トナーを熱定着し、第二樹脂層を得た。   The substrate after the exposure processing was charged using a corona charging device (charging transformer output +5.0 V) to form an electrostatic latent image. The surface potential of the unexposed part after 1 minute of the charging treatment was 330 V, and the surface potential of the exposed part was 100 V. Subsequently, using a Mitsubishi OPC printing system positively charged toner (ODP-TW, manufactured by Mitsubishi Paper Co., Ltd.), a bias voltage of 220 V is applied to perform reverse development, and a toner image is formed on the circuit portion on the photoconductive layer. Obtained. A toner image was obtained. The toner was thermally fixed at 90 ° C. for 2 minutes to obtain a second resin layer.

第二樹脂層で被覆されていない光導電層を、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶出除去し、非回路部に相当する電解銅めっき層を露出させた。次いで、塩化第二鉄系のエッチング液(40℃、スプレー圧 3.0kg/cm)で処理し、露出している電解銅めっき層とその下の無電解銅めっき層および銅張積層板の銅層を除去した。エッチングレジストとして使用した光導電層および第二樹脂層を3質量%水酸化ナトリウム水溶液(40℃)およびイソプロピルアルコールで除去し、回路基板を得た。得られた回路基板を顕微鏡観察したところ、図43で示した穴開け加工時のスルーホール径L16=150μm、銅めっき時のスルーホール径L17=125μm、スルーホールランド径L18=150μmであった。また、回路部およびスルーホール部に断線は確認されなかった。 The photoconductive layer not covered with the second resin layer was eluted and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.) to expose the electrolytic copper plating layer corresponding to the non-circuit portion. Next, it is treated with a ferric chloride-based etching solution (40 ° C., spray pressure 3.0 kg / cm 2 ), and the exposed electrolytic copper plating layer, the underlying electroless copper plating layer, and the copper-clad laminate The copper layer was removed. The photoconductive layer and the second resin layer used as the etching resist were removed with a 3% by mass aqueous sodium hydroxide solution (40 ° C.) and isopropyl alcohol to obtain a circuit board. When the obtained circuit board was observed with a microscope, the through-hole diameter L16 at the time of drilling shown in FIG. 43 was 150 μm, the through-hole diameter at the time of copper plating was L17 = 125 μm, and the through-hole land diameter L18 was 150 μm. Moreover, no disconnection was confirmed in the circuit portion and the through hole portion.

表1の組成からなる塗布液を用い、厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム製)上に、カーテンコート法を用いて、光導電層からなるフィルム(乾燥後のフィルム厚さ 20μm)を製造した。   Using a coating solution having the composition shown in Table 1, a film comprising a photoconductive layer on a polyethylene terephthalate film (Mitsubishi Chemical Polyester Film) having a thickness of 25 μm using a curtain coating method (film thickness after drying 20 μm) Manufactured.

銅張ガラス基材エポキシ樹脂基板(面積340mm×510mm、基材厚み0.1mm、銅層厚み12μm)に、0.15mmφのスルーホールを開けた後、無電解めっき処理を行って、スルーホール内壁および表面に厚さ約0.5μmの無電解銅めっき層を設けた。ドライフィルムフォトレジスト用ラミネーターを用いて、上記光導電層フィルムを基板両面に熱圧着し、導電層上に光導電層を設けた。   A through-hole of 0.15 mmφ was opened in a copper-clad glass-based epoxy resin substrate (area 340 mm × 510 mm, base material thickness 0.1 mm, copper layer thickness 12 μm), and then electroless plating treatment was performed to form an inner wall of the through hole An electroless copper plating layer having a thickness of about 0.5 μm was provided on the surface. Using a laminator for dry film photoresist, the photoconductive layer film was thermocompression bonded to both surfaces of the substrate to provide a photoconductive layer on the conductive layer.

次いで、常温下でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、光導電層表面にコロナ帯電装置(帯電トランス出力;+5.0kV)を用いて両面に電荷を与えた。表面電位を測定したところ、表面導電層上の光導電層は+100V、孔上の光導電層は+300Vであり、表面導電層上と孔上で電荷のコントラストが形成できている事が確認された。続いて、三菱OPCプリンティングシステム用正電荷トナー(三菱製紙(株)製、「ODP−TW」)を用いて、バイアス電圧+200Vを印加して反転現像を行い、該トナーを孔部以外全面に電着させた。続いて70℃で2分間加熱してトナーを定着させ、良好な第一樹脂層を得た。   Next, after the polyethylene terephthalate film was peeled off at room temperature, a charge was applied to both surfaces using a corona charging device (charging transformer output; +5.0 kV) on the surface of the photoconductive layer. When the surface potential was measured, the photoconductive layer on the surface conductive layer was +100 V, the photoconductive layer on the hole was +300 V, and it was confirmed that charge contrast was formed on the surface conductive layer and the hole. . Subsequently, using a positively charged toner for Mitsubishi OPC printing system (“ODP-TW” manufactured by Mitsubishi Paper Industries Co., Ltd.), reversal development is performed by applying a bias voltage of +200 V, and the toner is charged on the entire surface except for the hole. I wore it. Subsequently, the toner was fixed by heating at 70 ° C. for 2 minutes to obtain a good first resin layer.

次に、孔上の光導電層のみを1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶解除去した。スルーホール部を顕微鏡で観察したところ、図45で示した穴開け加工時のスルーホール径L7=150μm、銅めっき時のスルーホール径L8=149μm、光導電層除去部の径L9=110μmであった。続いて、電解銅めっき処理を行って、スルーホール内の無電解銅めっき層上に、厚み約12μmの電解銅めっき層を形成した。さらに、再度1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて、スルーホール部の光導電層を溶解除去した。スルーホール周囲部の光導電層は、スルーホールと同心円状に除去されていた。図47で示した穴開け加工時のスルーホール径L10=150μm、銅めっき時のスルーホール径L11=125μm、光架橋性樹脂層除去部の径L12=190μmであった。   Next, only the photoconductive layer on the hole was dissolved and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.). When the through hole portion was observed with a microscope, the through hole diameter L7 at the time of drilling shown in FIG. 45 was 150 μm, the through hole diameter at the time of copper plating was L8 = 149 μm, and the diameter L9 of the photoconductive layer removal portion was 110 μm. It was. Subsequently, an electrolytic copper plating treatment was performed to form an electrolytic copper plating layer having a thickness of about 12 μm on the electroless copper plating layer in the through hole. Further, the photoconductive layer in the through-hole portion was dissolved and removed again using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.). The photoconductive layer around the through hole was removed concentrically with the through hole. The through hole diameter L10 at the time of drilling shown in FIG. 47 was 150 μm, the through hole diameter at the time of copper plating was L11 = 125 μm, and the diameter L12 of the photocrosslinkable resin layer removal portion was 190 μm.

次に、コロナ帯電装置(帯電トランス出力+5.0V)を用いて、両面を帯電させた。表面電位を測定したところ、+380Vであった。続いて、アクリル樹脂性エマルジョン(特開2002−296847号公報の実施例1記載のトナー)を用いて、バイアス電圧+300Vを印加して反転現像を行い、孔内壁の導電層上にトナーを付着させた。90℃で2分間、トナーを熱定着し、第三樹脂層を得た。次に、第一樹脂層は溶解するが、第三樹脂層および光導電層は溶解しない溶剤としてプロピレンカーボネートを用い、表面から第一樹脂層のみを溶解除去し、水洗後90℃で20分間乾燥をした。   Next, both surfaces were charged using a corona charging device (charging transformer output +5.0 V). The surface potential was measured and found to be + 380V. Subsequently, using an acrylic resin emulsion (the toner described in Example 1 of JP-A-2002-296847), reversal development is performed by applying a bias voltage of +300 V so that the toner adheres to the conductive layer on the inner wall of the hole. It was. The toner was thermally fixed at 90 ° C. for 2 minutes to obtain a third resin layer. Next, propylene carbonate is used as a solvent that dissolves the first resin layer but does not dissolve the third resin layer and the photoconductive layer, and only the first resin layer is dissolved and removed from the surface, washed with water, and dried at 90 ° C. for 20 minutes. Did.

続いて、回路パターンを描画したフォトマスク(導体幅および間隙:50μm)を載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置(ユニレックURM300、ウシオ電機製)を用い、30秒間紫外線露光を行った。さらに、基板を反転して、逆面の光導電層に対しても同様に露光を行い、光導電層上の露光部に導電性を誘起させた。   Subsequently, a photomask (conductor width and gap: 50 μm) on which a circuit pattern was drawn was placed, and UV exposure was performed for 30 seconds using a high pressure mercury lamp light source device for printing (Unirec URM300, manufactured by Ushio Electric) having a suction adhesion mechanism. . Further, the substrate was inverted, and the photoconductive layer on the opposite side was exposed in the same manner to induce conductivity in the exposed portion on the photoconductive layer.

該露光処理が終了した基板に対し、コロナ帯電装置(帯電トランス出力+5.0V)を用いて、両面を帯電させ、静電潜像を形成した。帯電処理1分後の未露光部の表面電位は330V、露光部の表面電位は100Vであった。続いて、アクリル樹脂性エマルジョン(特開2002−296847号公報の実施例1記載のトナー)を用いて、バイアス電圧220Vを印加して、反転現像を行い、光導電層上の回路部にトナー画像を得た。90℃で2分間、トナーを熱定着し、第二樹脂層を得た。   The substrate after the exposure processing was charged using a corona charging device (charging transformer output +5.0 V) to form an electrostatic latent image. The surface potential of the unexposed part after 1 minute of the charging treatment was 330 V, and the surface potential of the exposed part was 100 V. Subsequently, using an acrylic resin emulsion (toner described in Example 1 of JP-A-2002-296847), a bias voltage of 220 V is applied to perform reverse development, and a toner image is formed on a circuit portion on the photoconductive layer. Got. The toner was thermally fixed at 90 ° C. for 2 minutes to obtain a second resin layer.

第二樹脂層で被覆されていない光導電層を、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて溶出除去し、非回路部に相当する無電解銅めっき層を露出させた。次いで、塩化第二鉄系のエッチング液(40℃、スプレー圧 3.0kg/cm)で処理し、露出している無電解銅めっき層およびその下の銅張積層板の銅層を除去した。エッチングレジストとして使用した光導電層および第二樹脂層、第三樹脂層を3質量%水酸化ナトリウム水溶液(40℃)およびイソプロピルアルコールで除去し、回路基板を得た。得られた回路基板を顕微鏡観察したところ、得られた回路基板を顕微鏡観察したところ、図48で示した穴開け加工時のスルーホール径L13=150μm、銅めっき時のスルーホール径L14=125μm、スルーホールランド径L15=180μmであり、狭小ランド幅のスルーホールが形成されていることを確認した。また、回路部およびスルーホール部に断線は確認されなかった。 The photoconductive layer not covered with the second resin layer was eluted and removed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.) to expose the electroless copper plating layer corresponding to the non-circuit portion. Then, it was treated with a ferric chloride-based etching solution (40 ° C., spray pressure 3.0 kg / cm 2 ) to remove the exposed electroless copper plating layer and the copper layer of the copper-clad laminate below it. . The photoconductive layer, the second resin layer, and the third resin layer used as an etching resist were removed with a 3% by mass aqueous sodium hydroxide solution (40 ° C.) and isopropyl alcohol to obtain a circuit board. When the obtained circuit board was observed with a microscope, when the obtained circuit board was observed with a microscope, the through hole diameter L13 = 150 μm at the time of drilling shown in FIG. 48, the through hole diameter L14 = 125 μm at the time of copper plating, The through-hole land diameter L15 = 180 μm, and it was confirmed that a through-hole having a narrow land width was formed. Moreover, no disconnection was confirmed in the circuit portion and the through hole portion.

本発明は、プリント配線板、半導体装置等の回路基板の製造に利用することができる。   The present invention can be used for manufacturing circuit boards such as printed wiring boards and semiconductor devices.

本発明の回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。Sectional drawing which shows 1 process in the manufacturing method of the circuit board of this invention. 本発明の回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。Sectional drawing which shows 1 process in the manufacturing method of the circuit board of this invention. 本発明の回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。Sectional drawing which shows 1 process in the manufacturing method of the circuit board of this invention. 本発明の回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。Sectional drawing which shows 1 process in the manufacturing method of the circuit board of this invention. 本発明の回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。Sectional drawing which shows 1 process in the manufacturing method of the circuit board of this invention. 本発明の回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。Sectional drawing which shows 1 process in the manufacturing method of the circuit board of this invention. 本発明の回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。Sectional drawing which shows 1 process in the manufacturing method of the circuit board of this invention. 本発明の回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。Sectional drawing which 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本発明の回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。Sectional drawing which shows 1 process in the manufacturing method of the circuit board of this invention. 本発明の回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。Sectional drawing which shows 1 process in the manufacturing method of the circuit board of this invention. 本発明の回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。Sectional drawing which shows 1 process in the manufacturing method of the circuit board of this invention. 本発明の回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。Sectional drawing which shows 1 process in the manufacturing method of the circuit board of this invention. 多層回路基板の一例を示す概略断面図。1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a multilayer circuit board. 孔とランドを表した概略図。Schematic showing holes and lands. サブトラクティブ法による回路基板の製造工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing process of the circuit board by a subtractive method. サブトラクティブ法による回路基板の製造工程において、図51に続く工程を示す断面図。FIG. 52 is a cross-sectional view showing a step following the step in FIG. 51 in the circuit substrate manufacturing process by the subtractive method. サブトラクティブ法による回路基板の製造工程において、図52に続く工程を示す断面図。FIG. 53 is a cross-sectional view showing a step following the step in FIG. 52 in the circuit substrate manufacturing process by the subtractive method. サブトラクティブ法による回路基板の製造工程において、図53に続く工程を示す断面図。FIG. 54 is a cross-sectional view showing a step following the step in FIG. 53 in the circuit substrate manufacturing process by the subtractive method. 孔とランドの位置ずれを表した概略図。The schematic diagram showing the position gap of a hole and a land. サブトラクティブ法による回路基板の製造工程において、電着フォトレジストを設けた例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example which provided the electrodeposition photoresist in the manufacturing process of the circuit board by a subtractive method. 本発明の回路基板の製造方法において、第二樹脂層形成工程を表す断面図。Sectional drawing showing the 2nd resin layer formation process in the manufacturing method of the circuit board of this invention. 本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the manufacturing method of the circuit board of this invention. 本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。Sectional drawing showing 1 process of the manufacturing method of the circuit board of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 絶縁性基板
2 導電層
3 孔
4 回路形成用基板
6 第二樹脂層
7 孔内めっき層
8 第三樹脂層
10 第四樹脂層
12 導電層
13 導電層
15 光導電層
17 孔
18 ランド
19 現像電極
20 樹脂粒子
21 表面導電層上の光導電層表面と導電層表面との距離
22 孔上の光導電層表面と導電層表面との距離
31 スルーホール(貫通孔)
32 バイアホール(非貫通孔)
33 インタースティシャルバイアホール
34 電着フォトレジスト
35 エッチングレジスト
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating board | substrate 2 Conductive layer 3 Hole 4 Circuit formation board | substrate 6 2nd resin layer 7 In-hole plating layer 8 3rd resin layer 10 4th resin layer 12 Conductive layer 13 Conductive layer 15 Photoconductive layer 17 Hole 18 Land 19 Development Electrode 20 Resin particle 21 Distance between photoconductive layer surface and conductive layer surface on surface conductive layer 22 Distance between photoconductive layer surface and conductive layer surface on hole 31 Through-hole (through hole)
32 Via hole (non-through hole)
33 Interstitial via hole 34 Electrodeposited photoresist 35 Etching resist

Claims (4)

表面および貫通孔または/および非貫通孔の内壁に導電層を有する絶縁性基板の表面に光導電層を形成する工程、孔上以外の光導電層上に第二樹脂層を形成する工程、孔上の光導電層を除去する工程、第二樹脂層を除去する工程、光導電層上に静電潜像を形成する工程、回路部に相当する部分の光導電層上および孔内の導電層上に第三樹脂層を形成する工程、非回路部に相当する光導電層を除去する工程、露出した導電層をエッチングする工程、第三樹脂層および光導電層を除去する工程からなる回路基板の製造方法。   A step of forming a photoconductive layer on the surface of the insulating substrate having a conductive layer on the surface and through holes and / or inner walls of non-through holes, a step of forming a second resin layer on the photoconductive layer other than on the holes, and holes A step of removing the upper photoconductive layer, a step of removing the second resin layer, a step of forming an electrostatic latent image on the photoconductive layer, a portion of the photoconductive layer corresponding to the circuit portion, and a conductive layer in the hole A circuit board comprising a step of forming a third resin layer thereon, a step of removing a photoconductive layer corresponding to a non-circuit portion, a step of etching an exposed conductive layer, and a step of removing the third resin layer and the photoconductive layer Manufacturing method. 表面および貫通孔または/および非貫通孔の内壁に導電層を有する絶縁性基板の表面に光導電層を形成する工程、孔上以外の光導電層上に第二樹脂層を形成する工程、孔上の光導電層を除去する工程、孔内の導電層上に第四樹脂層を形成する工程、第二樹脂層を除去する工程、光導電層上に静電潜像を形成する工程、回路部に相当する部分の光導電層上に第三樹脂層を形成する工程、非回路部に相当する光導電層を除去する工程、露出した導電層をエッチングする工程、第三樹脂層、光導電層および第四樹脂層を除去する工程からなる回路基板の製造方法。   A step of forming a photoconductive layer on the surface of the insulating substrate having a conductive layer on the surface and through holes and / or inner walls of non-through holes, a step of forming a second resin layer on the photoconductive layer other than on the holes, and holes Removing the upper photoconductive layer, forming a fourth resin layer on the conductive layer in the hole, removing the second resin layer, forming an electrostatic latent image on the photoconductive layer, circuit Forming a third resin layer on the photoconductive layer corresponding to the portion, removing the photoconductive layer corresponding to the non-circuit portion, etching the exposed conductive layer, third resin layer, photoconductive The manufacturing method of the circuit board which consists of a process of removing a layer and a 4th resin layer. 孔上以外の光導電層上に第二樹脂層を形成する工程が、光導電層表面を一様に帯電させて、孔上の光導電層と表面導電層上の光導電層とに電位差を誘起させる工程、該電位差を利用して孔上以外の光導電層上に第二樹脂層を形成する工程からなることを特徴とする請求項1または2記載の回路基板の製造方法。   The step of forming the second resin layer on the photoconductive layer other than on the hole uniformly charges the surface of the photoconductive layer, and generates a potential difference between the photoconductive layer on the hole and the photoconductive layer on the surface conductive layer. 3. The method of manufacturing a circuit board according to claim 1, comprising a step of inducing, and a step of forming a second resin layer on the photoconductive layer other than on the hole using the potential difference. 孔上の光導電層を除去した後、孔内の導電層上にめっき導電層を設ける工程を有する請求項1〜3のいずれか記載の回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a circuit board according to claim 1, further comprising a step of providing a plated conductive layer on the conductive layer in the hole after removing the photoconductive layer on the hole.
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