JP2005274604A

JP2005274604A - Method for manufacturing electrode substrate and method for manufacturing liquid crystal display device

Info

Publication number: JP2005274604A
Application number: JP2004083437A
Authority: JP
Inventors: Takashi Fujikawa; 隆藤川; Kazuhiro Ishizuka; 一洋石塚; Masafumi Ogura; 雅史小倉
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2004-03-22
Filing date: 2004-03-22
Publication date: 2005-10-06

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photorework process with which a decrease in manufacturing yield due to film peeling can be suppressed when a transparent electrode and a reflection electrode are formed on an organic insulating film. <P>SOLUTION: A method for manufacturing a liquid crystal display device 50 having an active matrix substrate 20 includes a step of etching a molybdenum film 7a exposed in a resist pattern 15' whose position is defective, a step of peeling the resist pattern 15' whose position is defective, and a step of etching reflective conductive films (7a' and 7b', and 7a'' and 7b'') covered with the resist pattern 15' whose position is defective and removing them from the transparent electrode 6a when the position of a resist pattern 15 is defective, and a photorework step of re-forming a resist pattern 15 on reflective conductive films is carried out. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、電極基板の製造方法に関するものであり、特に、基板上に設けられた有機絶縁膜に電極を形成する方法に係るものである。さらに、具体的には、液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板上の有機絶縁膜に透明電極及び反射電極を形成する方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing an electrode substrate, and more particularly to a method for forming an electrode on an organic insulating film provided on the substrate. More specifically, the present invention relates to a method for forming a transparent electrode and a reflective electrode on an organic insulating film on an active matrix substrate constituting a liquid crystal display device.

液晶表示装置の１つである半透過型の液晶表示装置は、透過型と反射型との両方のモードで表示する機能をもったものであり、バックライトを有するために暗い場所でも視認性の高いという透過型の液晶表示装置の特徴と、周囲光を利用するために低消費電力であるという反射型の液晶表示装置の特徴と、を合わせもったものである。 A transflective liquid crystal display device, which is one of liquid crystal display devices, has a function of displaying in both transmissive and reflective modes, and has a backlight so that it can be viewed even in a dark place. It combines the characteristics of a transmissive liquid crystal display device, which is high, and the characteristics of a reflective liquid crystal display device, which consumes less power in order to use ambient light.

一般的な液晶表示装置は、複数の画素電極がマトリクス状に配設されたアクティブマトリクス基板と、共通電極を有する対向基板と、それら両基板間に挟持されるように設けられた液晶層と、を備えており、各画素電極に所定の電荷を書き込むことにより、各画素電極と共通電極との間の液晶層からなる液晶容量に所定の電圧を印加し、その印加電圧に応じて液晶層の液晶分子の配向状態が変わることを利用して、画像表示を行うものである。 A general liquid crystal display device has an active matrix substrate in which a plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix, a counter substrate having a common electrode, a liquid crystal layer provided so as to be sandwiched between the two substrates, By applying a predetermined charge to each pixel electrode, a predetermined voltage is applied to the liquid crystal capacitor composed of the liquid crystal layer between each pixel electrode and the common electrode, and the liquid crystal layer is changed according to the applied voltage. Image display is performed by utilizing the change in the alignment state of liquid crystal molecules.

半透過の液晶表示装置は、画像の最小単位である画素を構成する上記各画素電極が、透明電極と反射電極とで構成され、透明電極によってバックライトからの光を透過して透過モードの表示を行い、反射電極によって周囲光を反射して反射モードの表示を行っている。 In the transflective liquid crystal display device, each pixel electrode constituting the pixel which is the minimum unit of an image is composed of a transparent electrode and a reflective electrode, and the light from the backlight is transmitted through the transparent electrode to display in a transmissive mode. The reflection mode is displayed by reflecting ambient light by the reflective electrode.

透明電極としては、可視光に対する透明性に優れ、また、良好な導電性を有するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電膜がよく用いられている。 As the transparent electrode, a transparent conductive film such as an ITO (Indium Tin Oxide) film that is excellent in transparency to visible light and has good conductivity is often used.

一方、反射電極としては、反射率が高く、且つ電気抵抗の低いアルミニウム膜等の金属からなる反射導電膜がよく用いられている。 On the other hand, a reflective conductive film made of a metal such as an aluminum film having a high reflectance and a low electric resistance is often used as the reflective electrode.

特許文献１では、画素の開口率を高めるため、上記透明電極及び反射電極が、層間絶縁膜上に設けられた半透過型液晶表示装置が開示されている。ここで、層間絶縁膜は、反射電極の表面を凹凸形状にするために、パターン形成が容易な感光性アクリル樹脂で形成されている。 Patent Document 1 discloses a transflective liquid crystal display device in which the transparent electrode and the reflective electrode are provided on an interlayer insulating film in order to increase the aperture ratio of a pixel. Here, the interlayer insulating film is formed of a photosensitive acrylic resin that is easy to form a pattern in order to make the surface of the reflective electrode uneven.

また、特許文献２では、感光性アクリル樹脂で形成された有機絶縁膜上に反射電極を形成する方法が開示されている。この方法では、反射電極をアルミニウム層とモリブデン層との２層構造とすることにより、アミン系剥離液による感光性アクリル樹脂の膨潤を防止している。これにより、感光性アクリル樹脂の膨潤に起因する膜剥がれの発生を抑止することができると記載されている。
特開平１１−１０１９９２号公報特開２０００−１４７５３４号公報 Patent Document 2 discloses a method of forming a reflective electrode on an organic insulating film formed of a photosensitive acrylic resin. In this method, the reflective electrode has a two-layer structure of an aluminum layer and a molybdenum layer, thereby preventing the photosensitive acrylic resin from swelling due to the amine-based stripping solution. Thereby, it is described that the film peeling due to the swelling of the photosensitive acrylic resin can be suppressed.
Japanese Patent Laid-Open No. 11-101992 JP 2000-147534 A

ところで、上記透明電極及び反射電極を形成する工程、その中でも反射電極を形成する工程は、半透過型の液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の製造において、最終工程にあたるので、反射導電膜をエッチングしてパターン形成する前に、フォトレジストが所定通りパターン形成されているか検査することは、製造歩留まりを向上させる上で有効な手段となっている。 By the way, the process of forming the transparent electrode and the reflective electrode, particularly the process of forming the reflective electrode is the final step in the production of the active matrix substrate constituting the transflective liquid crystal display device. Inspecting whether the photoresist is patterned as prescribed before pattern formation is an effective means for improving the production yield.

具体的には、まず、基板に設けられた感光性アクリル樹脂上に、ＩＴＯ膜からなる透明導電膜をパターン形成して透明電極を形成する。次いで、モリブデン膜及びアルミニウム膜を順に積層して反射導電膜を成膜して、その上にフォトレジストを塗布する。次いで、所定のパターン形状の反射電極が形成されるように構成されたフォトマスクを介してフォトレジストを露光及び現像することにより所定のレジストパターンを形成する。次いで、このフォトレジストのレジストパターンが所定通りに形成されているかどうかを検査する。 Specifically, first, a transparent electrode is formed by patterning a transparent conductive film made of an ITO film on a photosensitive acrylic resin provided on a substrate. Next, a molybdenum film and an aluminum film are sequentially laminated to form a reflective conductive film, and a photoresist is applied thereon. Next, a predetermined resist pattern is formed by exposing and developing the photoresist through a photomask configured to form a reflective electrode having a predetermined pattern shape. Next, it is inspected whether or not the resist pattern of the photoresist is formed as prescribed.

そして、レジストパターンが所定通りに正常に形成されている場合には、そのまま、その正常なレジストパターンを介して反射導電膜をエッチングすることにより、パターン形成して反射電極を形成する。 When the resist pattern is normally formed as prescribed, the reflective conductive film is etched as it is through the normal resist pattern, thereby forming a pattern and forming a reflective electrode.

一方、レジストパターンが所定通りに形成されていない場合には、その不良なレジストパターンを一度剥離除去して、再度フォトレジストを塗布した後にパターン形成してリワーク（以下「フォトリワーク」と称する）を行う。これにより、不良なレジストパターンのままエッチングを行って、不良品を作製することを未然に防ぐことができる。 On the other hand, when the resist pattern is not formed as prescribed, the defective resist pattern is peeled and removed once, and after applying the photoresist again, the pattern is formed and reworked (hereinafter referred to as “photorework”). Do. Accordingly, it is possible to prevent a defective product from being etched by etching with a defective resist pattern.

このフォトリワークは、通常、不良なレジストパターンをアミン系の剥離液で溶解除去して、フォトレジストを、再度、塗布、露光及び現像することにより行われる。 This photorework is usually performed by dissolving and removing a defective resist pattern with an amine-based stripping solution, and coating, exposing, and developing the photoresist again.

ここで、感光性アクリル樹脂に対する反射導電膜の密着性は、フォトレジストの１回目のパターン形成の際の現像によって低下している。その理由は、感光性アクリル樹脂上の透明電極の周端が順テーパではなく、垂直あるいは逆テーパに形成される、つまり、透明電極の周端がその上側から下側に向けて垂直あるいはその内側に傾斜した形状であることが多く、その垂直あるいは逆テーパの部分を薄肉の反射導電膜で十分に覆うことができないため、その感光性アクリル樹脂と反射導電膜との界面に現像液が浸透して、感光性アクリル樹脂が膨潤するためと考えられている。 Here, the adhesiveness of the reflective conductive film with respect to the photosensitive acrylic resin is lowered by the development during the first pattern formation of the photoresist. The reason is that the peripheral edge of the transparent electrode on the photosensitive acrylic resin is not forward-tapered but vertical or reverse-tapered, that is, the peripheral edge of the transparent electrode is vertical or inward from the upper side to the lower side. In many cases, the vertical or reverse tapered portion cannot be sufficiently covered with a thin reflective conductive film, so that the developer penetrates the interface between the photosensitive acrylic resin and the reflective conductive film. It is considered that the photosensitive acrylic resin swells.

そして、フォトリワークのために、その処理基板をアミン系の剥離液に浸すと、反射導電膜の密着性が一層低下し、剥離液中で反射導電膜が剥がれる恐れがある。こうなると、剥離液中に反射導電膜の剥がれ片が浮遊することになり、それ以降に剥離液槽に搬送されて、剥離液内に浸され処理される基板に、浮遊している反射導電膜の剥がれ片が再付着する可能性がある。これによって、処理基板上に設けられた電極では短絡等の不良が発生して、アクティブマトリクス基板の製造歩留まりを低下させてしまう恐れがある。一般に、剥離液は、レジストパターンのような特定の有機膜を剥離（溶解）させるものであり、反射導電膜のような導電性の薄膜が液中に存在すると上記のような短絡を引き起こす可能性がある。また、汚染した剥離液槽での処理を中断して、剥離液を交換する等の剥離液槽内のクリーニングを行うと、生産能力を低下させる恐れがある。 When the treated substrate is dipped in an amine-based stripping solution for photorework, the adhesion of the reflective conductive film is further reduced, and the reflective conductive film may be peeled off in the stripping solution. When this happens, the peeled piece of the reflective conductive film floats in the stripping solution, and is then transferred to the stripping solution tank and immersed in the stripping solution and processed on the substrate to be processed. There is a possibility that the peeling piece of the material will reattach. As a result, a defect such as a short circuit may occur in the electrodes provided on the processing substrate, which may reduce the manufacturing yield of the active matrix substrate. In general, the stripping solution strips (dissolves) a specific organic film such as a resist pattern, and if a conductive thin film such as a reflective conductive film is present in the solution, it may cause a short circuit as described above. There is. Further, if the processing in the stripping solution tank is interrupted and the inside of the stripping solution tank is cleaned, such as replacing the stripping solution, the production capacity may be reduced.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、電極基板の製造において、有機絶縁膜上に透明電極及び反射電極を形成する際に、膜剥がれによる製造歩留まりの低下を抑止することができるフォトリワークのプロセスを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above points, and the object of the present invention is to produce a transparent substrate and a reflective electrode on an organic insulating film in the production of an electrode substrate, and to improve the production yield due to film peeling. The object is to provide a photo rework process capable of suppressing the decrease.

本発明は、レジストパターンの位置が不良である場合に、従来のように、レジストパターンのみをそのまま剥離して再度レジストパターンを形成するのではなく、レジストパターン及びその下層の第２導電膜（反射導電膜）をそれぞれ適宜除去した後、第２導電膜（反射導電膜）を成膜してから、再度レジストパターンを形成するようにしたものである。 In the present invention, when the position of the resist pattern is defective, the resist pattern and the second conductive film (reflective layer) underneath the resist pattern are not formed instead of peeling the resist pattern as it is and forming the resist pattern again. After removing each of the conductive films as appropriate, a second conductive film (reflection conductive film) is formed, and then a resist pattern is formed again.

具体的に、本発明の電極基板の製造方法は、基板上に有機絶縁膜を成膜する工程と、上記有機絶縁膜上に第１導電膜により構成された第１電極を形成する工程と、上記第１電極を覆うように第２導電膜を成膜する工程と、上記第２導電膜上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、上記レジストパターンから露出している上記第２導電膜をエッチングして、第２電極を形成する工程と、上記レジストパターンを剥離する工程とを備える電極基板の製造方法であって、上記レジストパターン形成工程で形成されたレジストパターンの位置を検査する検査工程と、上記検査工程で検査された上記レジストパターンの位置が不良であるときに行われ、再び上記第２導電膜上にレジストパターンを形成し直すフォトリワーク工程とを備え、上記フォトリワーク工程は、上記位置不良のレジストパターンから露出している上記第２導電膜をエッチングする工程と、上記位置不良のレジストパターンを剥離する工程と、上記位置不良のレジストパターンにより覆われていた第２導電膜をエッチングして上記第１電極から除去する工程とを備えていることを特徴とする。 Specifically, the electrode substrate manufacturing method of the present invention includes a step of forming an organic insulating film on the substrate, a step of forming a first electrode composed of a first conductive film on the organic insulating film, Forming a second conductive film to cover the first electrode; forming a resist pattern on the second conductive film; and exposing the second conductive film from the resist pattern. Is a method of manufacturing an electrode substrate comprising a step of forming a second electrode by etching and a step of peeling off the resist pattern, wherein the inspection is performed to inspect the position of the resist pattern formed in the resist pattern forming step And a photo reworking step that is performed when the position of the resist pattern inspected in the inspection step is defective and re-forms the resist pattern on the second conductive film. And the photo reworking step includes: a step of etching the second conductive film exposed from the poorly-positioned resist pattern; a step of peeling off the poorly-positioned resist pattern; and a step of covering with the poorly-positioned resist pattern. Etching the second conductive film and removing it from the first electrode.

上記の製造方法によれば、検査工程でレジストパターンの位置が不良であるときには、フォトリワーク工程を行う。このフォトリワーク工程では、まず、位置不良のレジストパターンから露出している第２導電膜をエッチングして除去する。次いで、使用した位置不良のレジストパターンを剥離し、次いで、位置不良のレジストパターンにより覆われていた第２導電膜をエッチングすることにより、第２導電膜を第１電極から完全に除去して、基板を有機絶縁膜上に第１電極が形成された状態に戻す。その後、第１電極を覆うように第２導電膜を成膜し、次いで、第２導電膜上にレジストパターンを形成する。その結果、所望の位置にレジストパターンの形成（フォトリワーク）が行われる。 According to the above manufacturing method, when the position of the resist pattern is defective in the inspection process, the photo rework process is performed. In this photorework process, first, the second conductive film exposed from the poorly positioned resist pattern is removed by etching. Next, the used misaligned resist pattern is peeled off, and then the second conductive film is completely removed from the first electrode by etching the second conductive film covered with the misaligned resist pattern, The substrate is returned to the state where the first electrode is formed on the organic insulating film. Thereafter, a second conductive film is formed so as to cover the first electrode, and then a resist pattern is formed on the second conductive film. As a result, a resist pattern is formed (photo rework) at a desired position.

この場合、位置不良のレジストパターンから露出して剥がれる恐れのある第２導電膜は既にエッチングされているので、位置不良のレジストパターンの剥離の際に、第２導電膜が剥がれ、剥離液中に第２導電膜の剥がれ片が浮遊する可能性が低くなる。 In this case, since the second conductive film that may be exposed and peeled off from the misaligned resist pattern has already been etched, the second conductive film is peeled off when the misaligned resist pattern is peeled off, and the second conductive film is in the stripping solution. The possibility that the peeled piece of the second conductive film floats is reduced.

そのため、レジストパターンの剥離に使用する剥離液は、第２導電膜の剥がれ片で汚染されにくくなり、第２導電膜の剥がれ片の基板上の電極への付着が抑制される。このことにより、第２導電膜の膜剥がれによる製造歩留まりの低下を抑止することができる。 Therefore, the stripping solution used for stripping the resist pattern is less likely to be contaminated by the stripped piece of the second conductive film, and the adhesion of the stripped piece of the second conductive film to the electrode on the substrate is suppressed. Thereby, it is possible to suppress a decrease in manufacturing yield due to peeling of the second conductive film.

本発明の電極基板の製造方法は、上記レジストパターンが、フォトレジストを露光及び現像することにより形成され、上記第２導電膜が、複数層により構成され、その最上層が、上記フォトレジストの現像によって、除去されない導電膜で構成されていてもよい。 In the electrode substrate manufacturing method of the present invention, the resist pattern is formed by exposing and developing a photoresist, the second conductive film is composed of a plurality of layers, and the uppermost layer is the developing of the photoresist. The conductive film may not be removed.

上記の製造方法によれば、第２導電膜の最上層が、フォトレジストの現像によって、除去されない導電膜であるので、フォトレジストの現像の際に、現像液が、有機絶縁膜に浸透することを防ぐことができる。そのため、第２導電膜と有機絶縁膜との密着性の低下が抑止される。 According to the above manufacturing method, since the uppermost layer of the second conductive film is a conductive film that is not removed by developing the photoresist, the developer penetrates into the organic insulating film during the development of the photoresist. Can be prevented. Therefore, a decrease in adhesion between the second conductive film and the organic insulating film is suppressed.

本発明の電極基板の製造方法は、上記第２導電膜の最上層が、該第２導電膜を構成する該最上層以外の層と同時にエッチングされてもよい。 In the electrode substrate manufacturing method of the present invention, the uppermost layer of the second conductive film may be etched simultaneously with the layers other than the uppermost layer constituting the second conductive film.

上記の製造方法によれば、第２導電膜の最上層が、第２導電膜を構成するその他の層と同時にエッチングされるので、フォトリソグラフィーの回数を増やすことなく、第２導電膜と有機絶縁膜との密着性の低下を抑止することができる。 According to the above manufacturing method, since the uppermost layer of the second conductive film is etched simultaneously with the other layers constituting the second conductive film, the second conductive film and the organic insulating film are not increased without increasing the number of times of photolithography. A decrease in adhesion to the film can be suppressed.

本発明の電極基板の製造方法は、上記第１導電膜が、酸化インジウムと酸化スズとの化合物により形成され、上記第２導電膜が、下層のモリブデン膜と上層のアルミニウム膜との２層積層膜により形成されていてもよい。 In the electrode substrate manufacturing method of the present invention, the first conductive film is formed of a compound of indium oxide and tin oxide, and the second conductive film is a two-layer laminate of a lower molybdenum film and an upper aluminum film. It may be formed of a film.

上記の製造方法によれば、本発明の作用効果が具体的に営まれることとなる。つまり、フォトレジストの露光し、現像を、例えばアルカリ水溶液で行うことにより、レジストパターンが形成されると共に、それに対応するアルミニウム膜がエッチングされる。 According to said manufacturing method, the effect of this invention will be managed concretely. That is, the photoresist is exposed and developed, for example, with an alkaline aqueous solution, whereby a resist pattern is formed and the corresponding aluminum film is etched.

そして、レジストパターンの位置が不良であるときには、まず、位置不良のレジストパターンから露出しているモリブデン膜をエッチングして除去する。次いで、使用した位置不良のレジストパターンを剥離し、次いで、位置不良のレジストパターンにより覆われていた第２導電膜（モリブデン膜とアルミニウム膜との積層膜）をエッチングすることにより、第２導電膜を第１電極から完全に除去して、基板を有機絶縁膜上に第１電極が形成された状態に戻す。その後、第１電極を覆うようにモリブデン膜及びアルミニウム膜を順に成膜し、次いで、モリブデン膜及びアルミニウム膜からなる第２導電膜上にレジストパターンを形成する。その結果、所望の位置にレジストパターンの形成（フォトリワーク）が行われる。 When the position of the resist pattern is defective, first, the molybdenum film exposed from the defective resist pattern is removed by etching. Next, the used misaligned resist pattern is peeled off, and then the second conductive film (laminated film of the molybdenum film and the aluminum film) covered with the misaligned resist pattern is etched. Is completely removed from the first electrode, and the substrate is returned to the state where the first electrode is formed on the organic insulating film. Thereafter, a molybdenum film and an aluminum film are sequentially formed so as to cover the first electrode, and then a resist pattern is formed on the second conductive film made of the molybdenum film and the aluminum film. As a result, a resist pattern is formed (photo rework) at a desired position.

本発明の電極基板の製造方法は、上記モリブデン膜が、モリブデン合金膜であってもよい。 In the electrode substrate manufacturing method of the present invention, the molybdenum film may be a molybdenum alloy film.

上記の製造方法によれば、例えば、窒化モリブデン膜のようなモリブデン合金膜は、モリブデン膜よりも有機絶縁膜に対する密着性が優れているので、第２導電膜が剥離液中で剥がれることをより一層防ぐことができる。 According to the above manufacturing method, for example, a molybdenum alloy film such as a molybdenum nitride film has better adhesion to an organic insulating film than a molybdenum film. This can be further prevented.

本発明の電極基板の製造方法は、上記第２導電膜が、上記アルミニウム膜の上層に、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物により形成された透明導電膜を有してもよい。 In the electrode substrate manufacturing method of the present invention, the second conductive film may have a transparent conductive film formed of a compound of indium oxide and zinc oxide on the aluminum film.

上記の製造方法によれば、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物（ＩＺＯ）の膜は、例えば、フォトレジストを現像するアルカリ水溶液によって、エッチングされることがないので、フォトレジストの現像の際に、現像液（アルカリ水溶液）が、有機絶縁膜に浸透することを防ぐことができる。そのため、反射導電膜と有機絶縁膜との密着性の低下が抑止される。 According to the above manufacturing method, since the film of the compound of indium oxide and zinc oxide (IZO) is not etched by, for example, an alkaline aqueous solution for developing the photoresist, when developing the photoresist, It is possible to prevent the developer (alkaline aqueous solution) from penetrating the organic insulating film. Therefore, a decrease in adhesion between the reflective conductive film and the organic insulating film is suppressed.

また、ＩＺＯ膜は、例えば、弱酸によりモリブデン膜及びアルミニウム膜と同時にエッチングすることができるので、フォトリソグラフィーの回数を増やすことなく、上記密着性の低下を抑止することができる。 In addition, since the IZO film can be etched simultaneously with a molybdenum film and an aluminum film with a weak acid, for example, the above-described decrease in adhesion can be suppressed without increasing the number of times of photolithography.

本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板に複数の画素がマトリクス状に設けられ、該各画素には透明電極及び反射電極が配設されたアクティブマトリクス基板を有し、上記基板上に有機絶縁膜を成膜する工程と、上記有機絶縁膜上に透明導電膜により構成された透明電極を形成する工程と、上記透明電極を覆うように反射導電膜を成膜する工程と、上記反射導電膜上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、上記レジストパターンから露出している上記反射導電膜をエッチングして、反射電極を形成する工程と、上記レジストパターンを剥離する工程とを備える液晶表示装置の製造方法であって、上記レジストパターン形成工程で形成されたレジストパターンの位置を検査する検査工程と、上記検査工程で検査された上記レジストパターンの位置が不良であるときに行われ、再び上記反射導電膜上にレジストパターンを形成し直すフォトリワーク工程とを備え、上記フォトリワーク工程は、上記位置不良のレジストパターンから露出している上記反射導電膜をエッチングする工程と、上記位置不良のレジストパターンを剥離する工程と、上記位置不良のレジストパターンにより覆われていた反射導電膜をエッチングして上記透明電極から除去する工程とを備えていることを特徴とする。 The method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention includes an active matrix substrate in which a plurality of pixels are provided in a matrix on each substrate, and each of the pixels is provided with a transparent electrode and a reflective electrode. Forming an insulating film; forming a transparent electrode made of a transparent conductive film on the organic insulating film; forming a reflective conductive film so as to cover the transparent electrode; A liquid crystal comprising: a resist pattern forming step of forming a resist pattern on the film; a step of etching the reflective conductive film exposed from the resist pattern to form a reflective electrode; and a step of peeling the resist pattern A method for manufacturing a display device, comprising: an inspection process for inspecting a position of a resist pattern formed in the resist pattern formation process; and an inspection performed in the inspection process. A photo rework process that is performed when the position of the resist pattern is defective and re-forms the resist pattern on the reflective conductive film, and the photo rework process is exposed from the resist pattern of the position defect Etching the reflective conductive film; removing the poorly located resist pattern; and etching the reflective conductive film covered with the poorly located resist pattern to remove from the transparent electrode. It is characterized by.

上記の製造方法によれば、検査工程でレジストパターンの位置が不良であるときには、フォトリワーク工程を行う。このフォトリワーク工程では、まず、位置不良のレジストパターンから露出している反射導電膜をエッチングして除去する。次いで、使用した位置不良のレジストパターンを剥離し、次いで、位置不良のレジストパターンにより覆われていた反射導電膜をエッチングすることにより、反射導電膜を透明電極から完全に除去して、基板を有機絶縁膜上に透明電極が形成された状態に戻す。その後、透明電極を覆うように反射導電膜を成膜し、次いで、反射導電膜上にレジストパターンを形成する。その結果、所望の位置にレジストパターンの形成（フォトリワーク）が行われる。 According to the above manufacturing method, when the position of the resist pattern is defective in the inspection process, the photo rework process is performed. In this photo rework process, first, the reflective conductive film exposed from the poorly positioned resist pattern is removed by etching. Next, the used misaligned resist pattern is peeled off, and then the reflective conductive film covered with the misaligned resist pattern is etched to completely remove the reflective conductive film from the transparent electrode. The state is returned to the state where the transparent electrode is formed on the insulating film. Thereafter, a reflective conductive film is formed so as to cover the transparent electrode, and then a resist pattern is formed on the reflective conductive film. As a result, a resist pattern is formed (photo rework) at a desired position.

この場合、位置不良のレジストパターンから露出して剥がれる恐れのある反射導電膜は既にエッチングされているので、位置不良のレジストパターンの剥離の際に、反射導電膜が剥がれ、剥離液中に反射導電膜の剥がれ片が浮遊する可能性が低くなる。 In this case, the reflective conductive film that may be exposed and peeled off from the misaligned resist pattern has already been etched. Therefore, when the misaligned resist pattern is removed, the reflective conductive film is peeled off, and the reflective conductive film is removed in the stripper. The possibility that the peeling piece of the film floats is reduced.

そのため、レジストパターンの剥離に使用する剥離液は、反射導電膜の剥がれ片で汚染されにくくなり、反射導電膜の剥がれ片の基板上の電極への付着が抑制される。このことにより、反射導電膜の膜剥がれによる製造歩留まりの低下を抑止することができる。 Therefore, the stripping solution used for stripping the resist pattern is less likely to be contaminated by the stripped piece of the reflective conductive film, and the adhesion of the stripped piece of the reflective conductive film to the electrode on the substrate is suppressed. Thereby, it is possible to suppress a decrease in manufacturing yield due to peeling of the reflective conductive film.

本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記レジストパターンが、フォトレジストを露光及び現像することにより形成され、上記反射導電膜が、複数層により構成され、その最上層が、上記フォトレジストの現像によって、除去されない導電膜で構成されていてもよい。 In the method for producing a liquid crystal display device of the present invention, the resist pattern is formed by exposing and developing a photoresist, the reflective conductive film is composed of a plurality of layers, and the uppermost layer is the developing of the photoresist. The conductive film may not be removed.

上記の製造方法によれば、反射導電膜の最上層が、フォトレジストの現像によって、エッチングされない導電膜であるので、フォトレジストの現像の際に、現像液が、有機絶縁膜に浸透することを防ぐことができる。そのため、反射導電膜と有機絶縁膜との密着性の低下が抑止される。 According to the above manufacturing method, since the uppermost layer of the reflective conductive film is a conductive film that is not etched by the development of the photoresist, the developer penetrates the organic insulating film during the development of the photoresist. Can be prevented. Therefore, a decrease in adhesion between the reflective conductive film and the organic insulating film is suppressed.

本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記反射導電膜の最上層が、該反射導電膜を構成する該最上層以外の層と同時にエッチングされてもよい。 In the method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, the uppermost layer of the reflective conductive film may be etched simultaneously with the layers other than the uppermost layer constituting the reflective conductive film.

上記の製造方法によれば、反射導電膜の最上層が、反射導電膜を構成するその他の層と同時にエッチングされるので、フォトリソグラフィーの回数を増やすことなく、反射導電膜と有機絶縁膜との密着性の低下を抑止することができる。 According to the above manufacturing method, since the uppermost layer of the reflective conductive film is etched simultaneously with the other layers constituting the reflective conductive film, the reflective conductive film and the organic insulating film can be formed without increasing the number of times of photolithography. A decrease in adhesion can be suppressed.

本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記透明導電膜が、酸化インジウムと酸化スズとの化合物により形成され、上記反射導電膜が、下層のモリブデン膜と上層のアルミニウム膜との２層積層膜により形成されていてもよい。 In the method for producing a liquid crystal display device of the present invention, the transparent conductive film is formed of a compound of indium oxide and tin oxide, and the reflective conductive film is a two-layer laminated film of a lower molybdenum film and an upper aluminum film May be formed.

そして、レジストパターンの位置が不良であるときには、まず、位置不良のレジストパターンから露出しているモリブデン膜をエッチングして除去する。次いで、使用した位置不良のレジストパターンを剥離し、次いで、位置不良のレジストパターンにより覆われていた反射導電膜（モリブデン膜とアルミニウム膜との積層膜）をエッチングすることにより、反射導電膜を透明電極から完全に除去して、基板を有機絶縁膜上に透明電極が形成された状態に戻す。その後、透明電極を覆うようにモリブデン膜及びアルミニウム膜を順に成膜し、次いで、モリブデン膜及びアルミニウム膜からなる反射導電膜上にレジストパターンを形成する。その結果、所望の位置にレジストパターンの形成（フォトリワーク）が行われる。 When the position of the resist pattern is defective, first, the molybdenum film exposed from the defective resist pattern is removed by etching. Next, the used misaligned resist pattern is removed, and then the reflective conductive film (laminated film of molybdenum film and aluminum film) covered with the misaligned resist pattern is etched to make the reflective conductive film transparent. The substrate is completely removed from the electrode, and the substrate is returned to the state where the transparent electrode is formed on the organic insulating film. Thereafter, a molybdenum film and an aluminum film are sequentially formed so as to cover the transparent electrode, and then a resist pattern is formed on the reflective conductive film made of the molybdenum film and the aluminum film. As a result, a resist pattern is formed (photo rework) at a desired position.

本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記モリブデン膜が、モリブデン合金膜であってもよい。 In the method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, the molybdenum film may be a molybdenum alloy film.

上記の製造方法によれば、例えば、窒化モリブデン膜のようなモリブデン合金膜は、モリブデン膜よりも有機絶縁膜に対する密着性が優れているので、反射導電膜が剥離液中で剥がれることをより一層防ぐことができる。 According to the above manufacturing method, for example, a molybdenum alloy film such as a molybdenum nitride film has better adhesion to an organic insulating film than a molybdenum film, so that the reflective conductive film is further peeled off in the stripping solution. Can be prevented.

本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記反射導電膜が、上記アルミニウム膜の上層に、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物により形成された透明導電膜を有してもよい。 In the method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, the reflective conductive film may have a transparent conductive film formed of a compound of indium oxide and zinc oxide on the aluminum film.

本発明の電極基板の製造方法は、検査工程でレジストパターンの位置が不良であるときには、レジストパターン及びその下層の第２導電膜をそれぞれ適宜剥離及び除去した後、第２導電膜を成膜し、再度レジストパターンを形成することによりフォトリワークが行われるので、レジストパターンの剥離の際に、第２導電膜が剥がれて剥離液中に第２導電膜の剥がれ片が浮遊する可能性が低くなる。そのため、剥離液は、第２導電膜の剥がれ片で汚染されにくくなり、第２導電膜の剥がれ片の基板上の電極への付着が抑制される。これにより、第２導電膜の膜剥がれによる製造歩留まりの低下を抑止することができる。 In the electrode substrate manufacturing method of the present invention, when the position of the resist pattern is defective in the inspection step, the resist pattern and the second conductive film underneath are appropriately removed and removed, and then the second conductive film is formed. Since the photo-rework is performed by forming the resist pattern again, it is less likely that the second conductive film is peeled off and the peeled piece of the second conductive film floats in the stripping solution when the resist pattern is peeled off. . Therefore, the stripping solution is not easily contaminated by the peeled piece of the second conductive film, and adhesion of the peeled piece of the second conductive film to the electrode on the substrate is suppressed. Thereby, the fall of the manufacturing yield by film | membrane peeling of a 2nd electrically conductive film can be suppressed.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の実施形態では、電極基板として、液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板を例に説明する。なお、実施形態に記載の透明電極が電極基板の第１電極に、同じく反射電極が電極基板の第２電極にそれぞれ対応する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following embodiments, an active matrix substrate constituting a liquid crystal display device will be described as an example of an electrode substrate. The transparent electrode described in the embodiment corresponds to the first electrode of the electrode substrate, and the reflective electrode corresponds to the second electrode of the electrode substrate.

《発明の実施形態１》
以下に、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置について説明する。 Embodiment 1 of the Invention
The liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention will be described below.

図１は、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板２０の平面模式図であり、図２は、図１中のＡ−Ａ’断面における液晶表示装置５０の断面模式図である。 FIG. 1 is a schematic plan view of an active matrix substrate 20 constituting the liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device 50 taken along the line AA ′ in FIG. FIG.

液晶表示装置５０は、アクティブマトリクス基板２０と、それに対向するように設けられた対向基板３０と、両基板２０及び３０との間に挟持されるように設けられた液晶層４０とを備えている。 The liquid crystal display device 50 includes an active matrix substrate 20, a counter substrate 30 provided so as to face the active matrix substrate 20, and a liquid crystal layer 40 provided so as to be sandwiched between both the substrates 20 and 30. .

アクティブマトリクス基板２０では、透明絶縁性基板１０上に複数のゲート線２と複数のソース線３とが互いに直交するように配設され、そして、そのゲート線２とソース線３との各交差部にはＴＦＴ１が、各ゲート線２の間にはゲート線２と並行に容量線４が、それぞれ設けられている。また、画素電極６が各ＴＦＴ１に対応して一対のゲート線２及びソース線３で囲われる表示領域に設けられている。そして、画素電極６は、各表示領域の全域にわたって設けられた透明電極６ａと、容量線４と重なるように設けられた反射電極７とにより構成されている。 In the active matrix substrate 20, a plurality of gate lines 2 and a plurality of source lines 3 are arranged on the transparent insulating substrate 10 so as to be orthogonal to each other, and each intersection of the gate lines 2 and the source lines 3 is arranged. The TFT 1 is provided between the gate lines 2 and the capacitor lines 4 are provided in parallel with the gate lines 2. A pixel electrode 6 is provided in a display area surrounded by a pair of gate lines 2 and source lines 3 corresponding to each TFT 1. The pixel electrode 6 includes a transparent electrode 6 a provided over the entire display area and a reflective electrode 7 provided so as to overlap the capacitor line 4.

また、アクティブマトリクス基板２０は、透明絶縁性基板１０上に、ゲート絶縁膜１３及び有機絶縁膜１４が順に積層された多層積層構造となっている。 The active matrix substrate 20 has a multilayer laminated structure in which a gate insulating film 13 and an organic insulating film 14 are sequentially laminated on the transparent insulating substrate 10.

透明絶縁性基板１０とゲート絶縁膜１３との層間には、ゲート線２、ゲート線２からソース線３の延びる方向に突出したゲート電極２ａ、及び容量線４が設けられている。 Between the transparent insulating substrate 10 and the gate insulating film 13, the gate line 2, the gate electrode 2 a protruding in the direction in which the source line 3 extends from the gate line 2, and the capacitor line 4 are provided.

ゲート絶縁膜１３と有機絶縁膜１４との層間には、ＴＦＴ１を構成する半導体層８、ソース線３及びドレイン接続電極５が設けられている。 Between the gate insulating film 13 and the organic insulating film 14, a semiconductor layer 8, a source line 3, and a drain connection electrode 5 constituting the TFT 1 are provided.

そして、半導体層８の上層には、チャネル保護層９が設けられ、チャネル保護層９の上層には、ソース線３に接続されたソース電極１１、及びソース電極１１と対峙してドレイン接続電極５に接続されたドレイン電極１２が設けられている。 A channel protective layer 9 is provided on the upper layer of the semiconductor layer 8. A source electrode 11 connected to the source line 3 and a drain connection electrode 5 facing the source electrode 11 are formed on the upper layer of the channel protective layer 9. A drain electrode 12 connected to is provided.

有機絶縁膜１４上には、ドレイン接続電極５にコンタクトホール６ｃを介して接続された画素電極６が設けられている。 On the organic insulating film 14, the pixel electrode 6 connected to the drain connection electrode 5 through the contact hole 6c is provided.

ドレイン接続電極５は、容量線４の配設している領域まで延設され、容量線４と対向する部分が補助容量電極となっている。そして、その補助容量電極は、ゲート絶縁膜１３
を介して容量線４と共に補助容量を構成している。 The drain connection electrode 5 extends to a region where the capacitor line 4 is disposed, and a portion facing the capacitor line 4 serves as an auxiliary capacitor electrode. The auxiliary capacitance electrode is a gate insulating film 13.
An auxiliary capacitor is configured together with the capacitor line 4 via the.

対向基板３０は、透明絶縁性基板１０’上に、カラーフィルタ層（不図示）、オーバコート層（不図示）及び共通電極１７が順に積層された多層積層構造になっている。 The counter substrate 30 has a multilayer stacked structure in which a color filter layer (not shown), an overcoat layer (not shown), and a common electrode 17 are sequentially stacked on a transparent insulating substrate 10 ′.

カラーフィルタ層には、各画素に対応して赤、緑及び青のうちの１色の着色層が設けられ、各着色層の間には遮光膜としてブラックマトリクスが設けられている。 The color filter layer is provided with a colored layer of one of red, green, and blue corresponding to each pixel, and a black matrix is provided as a light shielding film between the colored layers.

液晶層４０は、電気光学特性を有する液晶分子１８からなるネマチック液晶材料により構成されている。 The liquid crystal layer 40 is made of a nematic liquid crystal material composed of liquid crystal molecules 18 having electro-optical characteristics.

この液晶表示装置５０は、各画素電極６ごとに１つの画素が構成されており、各画素において、ゲート線２からゲート信号が送られてＴＦＴ１をオン状態としたときに、ソース線３からソース信号が送られてソース電極１１及びドレイン電極１２を介して、画素電極６に所定の電荷を書き込まれ、画素電極６と共通電極１７との間で電位差が生じることになり、液晶層４０からなる液晶容量、及び補助容量に所定の電圧が印加されるように構成されている。そして、液晶表示装置５０では、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子１８の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。 In the liquid crystal display device 50, one pixel is formed for each pixel electrode 6. When a gate signal is sent from the gate line 2 to turn on the TFT 1 in each pixel, the source line 3 supplies the source. A signal is sent and a predetermined charge is written into the pixel electrode 6 via the source electrode 11 and the drain electrode 12, and a potential difference is generated between the pixel electrode 6 and the common electrode 17, and the liquid crystal layer 40 is formed. A predetermined voltage is applied to the liquid crystal capacitor and the auxiliary capacitor. In the liquid crystal display device 50, an image is displayed by adjusting the transmittance of light incident from the outside by utilizing the change in the alignment state of the liquid crystal molecules 18 according to the magnitude of the applied voltage. .

次に、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置５０の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the liquid crystal display device 50 according to Embodiment 1 of the present invention will be described.

＜＜アクティブマトリクス基板作製工程＞＞
図３は、アクティブマトリクス基板２０の作製工程における反射電極７の形成工程を示す断面模式図であり、図１中のＢ−Ｂ’断面に対応し、隣接する２つの画素間の断面を示している。 << Active matrix substrate manufacturing process >>
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a process of forming the reflective electrode 7 in the manufacturing process of the active matrix substrate 20, corresponding to the BB ′ cross section in FIG. 1 and showing a cross section between two adjacent pixels. Yes.

＜積層膜形成工程（有機絶縁膜の形成まで）＞
まず、ガラス基板等の透明絶縁性基板１０上の基板全体に、アルミニウム等からなる金属膜（厚さ２００ｎｍ程度）をＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜し、その後、フォトリソグラフィー技術（Photo Engraving Process、以下、「ＰＥＰ技術」と称する）によりパターン形成して、ゲート線２、ゲート電極２ａ及び容量線４を形成する。 <Laminated film formation process (until formation of organic insulating film)>
First, a metal film (thickness of about 200 nm) made of aluminum or the like is formed on the entire substrate on the transparent insulating substrate 10 such as a glass substrate by a DC magnetron sputtering method, and then a photolithography technique (Photo Engraving Process, hereinafter). The gate line 2, the gate electrode 2a, and the capacitor line 4 are formed.

次いで、ゲート線２、ゲート電極２ａ及び容量線４上の基板全体に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により窒化シリコン膜（厚さ４００ｎｍ程度）等を成膜し、ゲート絶縁膜１３を形成する。 Next, a silicon nitride film (having a thickness of about 400 nm) or the like is formed on the entire substrate on the gate line 2, the gate electrode 2a, and the capacitor line 4 by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, thereby forming the gate insulating film 13.

次いで、ゲート絶縁膜１３上の基板全体に、ＣＶＤ法により真性アモルファスシリコン膜（厚さ１５０ｎｍ程度）を成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりゲート電極２ａ上に島状にパターン形成して、半導体層８を形成する。 Next, an intrinsic amorphous silicon film (thickness of about 150 nm) is formed on the entire substrate on the gate insulating film 13 by the CVD method, and then patterned into an island shape on the gate electrode 2a by the PEP technique. 8 is formed.

次いで、半導体層８上の基板全体に、ＣＶＤ法により窒化シリコン膜（厚さ４００ｎｍ程度）等を成膜し、その後、ＰＥＰ技術により半導体層８上に島状にパターン形成して、チャネル保護層１４を形成する。 Next, a silicon nitride film (thickness of about 400 nm) or the like is formed on the entire substrate on the semiconductor layer 8 by the CVD method, and then patterned into an island shape on the semiconductor layer 8 by the PEP technique to form a channel protective layer. 14 is formed.

次いで、チャネル保護層１４上の基板全体に、ＣＶＤ法によりリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜（厚さ５０ｎｍ程度）を成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりソース電極１１及びドレイン電極１２を形成する。 Next, an n + amorphous silicon film (thickness of about 50 nm) doped with phosphorus is formed on the entire substrate on the channel protective layer 14 by the CVD method, and then the source electrode 11 and the drain electrode 12 are formed by the PEP technique. .

次いで、ソース電極１１及びドレイン電極１２が形成されたゲート絶縁膜１３上の基板全体に、ＩＴＯ膜からなる透明導電膜（厚さ２００ｎｍ程度）及びチタン等からなる金属膜（厚さ２００ｎｍ程度）を順にＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、ＩＴＯ層３ａ及びチタン層３ｂからなるソース線３、並びにＩＴＯ層５ａ及びチタン層５ｂからなるドレイン接続電極５を形成する。 Next, a transparent conductive film (thickness of about 200 nm) made of an ITO film and a metal film (thickness of about 200 nm) made of titanium or the like are formed on the entire substrate on the gate insulating film 13 on which the source electrode 11 and the drain electrode 12 are formed. A film is formed by DC magnetron sputtering in order, and then patterned by PEP technology to form source line 3 made of ITO layer 3a and titanium layer 3b, and drain connection electrode 5 made of ITO layer 5a and titanium layer 5b. .

このように、ソース線３を、ＩＴＯ層３ａ及びチタン層３ｂとの２層構造とすることにより、一方の層に断線等が発生しても他方の層により電気的接続が保持されるので、ソース線３の断線を少なくすることができる。 Thus, since the source line 3 has a two-layer structure of the ITO layer 3a and the titanium layer 3b, even if disconnection or the like occurs in one layer, electrical connection is maintained by the other layer. The disconnection of the source line 3 can be reduced.

次いで、ソース線３及びドレイン接続電極５上の基板全体に、スピン塗布法を用いて感光性アクリル樹脂膜（厚さ３０００ｎｍ程度）等を成膜し、有機絶縁膜１４を形成する。 Next, a photosensitive acrylic resin film (thickness of about 3000 nm) or the like is formed on the entire substrate on the source line 3 and the drain connection electrode 5 by using a spin coating method, and the organic insulating film 14 is formed.

ここで、有機絶縁膜１４は、着色した感光性アクリル樹脂材料であって、露光処理を行うことにより、透明化する材料である。 Here, the organic insulating film 14 is a colored photosensitive acrylic resin material that is transparentized by performing an exposure process.

次いで、有機絶縁膜１４のドレイン接続電極５に対応する部分をエッチング除去して、コンタクトホール６ｃを形成する。 Next, a portion of the organic insulating film 14 corresponding to the drain connection electrode 5 is removed by etching to form a contact hole 6c.

＜透明電極形成工程＞
図３（ａ）に示すように、有機絶縁膜１４上の基板全体に、ＩＴＯ膜からなる透明導電膜（厚さ１００ｎｍ程度）をＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、透明電極６ａを形成する。これにより、基板２１ａが得られる。 <Transparent electrode formation process>
As shown in FIG. 3A, a transparent conductive film (thickness of about 100 nm) made of an ITO film is formed on the entire substrate on the organic insulating film 14 by a DC magnetron sputtering method, and then a pattern is formed by the PEP technique. Thus, the transparent electrode 6a is formed. Thereby, the substrate 21a is obtained.

＜反射導電膜成膜工程＞
図３（ｂ）に示すように、透明電極６ａ上の基板全体に、モリブデン膜（厚さ７５ｎｍ程度）７ａ及びアルミニウム膜（厚さ１００ｎｍ程度）７ｂを順にＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜する。これにより、基板２１ｂが得られる。 <Reflective conductive film deposition process>
As shown in FIG. 3B, a molybdenum film (thickness of about 75 nm) 7a and an aluminum film (thickness of about 100 nm) 7b are sequentially formed on the entire substrate on the transparent electrode 6a by a DC magnetron sputtering method. Thereby, the substrate 21b is obtained.

＜レジストパターン形成工程＞
まず、アルミニウム膜７ｂ上の基板全体に、感光性樹脂からなるフォトレジストを厚さ１０００ｎｍ程度で塗布する。 <Resist pattern formation process>
First, a photoresist made of a photosensitive resin is applied to the entire substrate on the aluminum film 7b with a thickness of about 1000 nm.

次いで、基板全体に塗布されたフォトレジストに、所定形状のフォトマスクを介して露光を行った後、現像液を用いて現像して、図３（ｃ）に示すように、レジストパターン１５及びアルミニウム層７ｂ’を形成する。このとき、現像液として、例えば、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）が２．３８重量％含有されたアルカリ水溶液を用いることにより、レジストパターン１５の形成と共に、レジストパターン１５に覆われていないアルミニウム膜７ｂが除去される。これにより、基板２１ｃが得られる。 Next, the photoresist applied to the entire substrate is exposed through a photomask having a predetermined shape, and then developed using a developer. As shown in FIG. 3C, the resist pattern 15 and aluminum are exposed. Layer 7b 'is formed. At this time, by using, for example, an alkaline aqueous solution containing 2.38% by weight of TMAH (tetramethylammonium hydroxide) as a developer, an aluminum film not covered with the resist pattern 15 is formed along with the formation of the resist pattern 15 7b is removed. Thereby, the substrate 21c is obtained.

＜検査工程＞
モリブデン膜７ａ及びアルミニウム層７ｂ’上のレジストパターン１５が所定の位置に形成されているかどうか検査する。レジストパターン１５の位置が不良である場合には、後述するフォトリワーク工程が行われ、レジストパターン１５の位置に問題がない場合には、そのまま、反射電極形成工程が行われる。 <Inspection process>
It is inspected whether the resist pattern 15 on the molybdenum film 7a and the aluminum layer 7b ′ is formed at a predetermined position. When the position of the resist pattern 15 is defective, a photo rework process described later is performed, and when there is no problem in the position of the resist pattern 15, the reflective electrode forming process is performed as it is.

＜反射電極形成工程＞
図３（ｄ）に示すように、所定の位置に形成されたレジストパターン１５をマスクとして、硝酸、酢酸及びリン酸が含有された水溶液（弱酸性エッチング液）を用いて、モリブデン膜７ａをエッチングして、モリブデン層７ａ’を形成する。これにより、モリブデン層７ａ’及びアルミニウム層７ｂ’からなる反射電極７が形成された基板２１ｄが得られる。 <Reflective electrode formation process>
As shown in FIG. 3D, the molybdenum film 7a is etched using an aqueous solution (weakly acidic etching solution) containing nitric acid, acetic acid and phosphoric acid using the resist pattern 15 formed at a predetermined position as a mask. Thus, the molybdenum layer 7a ′ is formed. Thereby, the substrate 21d on which the reflective electrode 7 composed of the molybdenum layer 7a ′ and the aluminum layer 7b ′ is formed is obtained.

＜剥離工程＞
図３（ｅ）に示すように、モリブデン膜７ａのエッチングに用いたレジストパターン１５を、アミン系の剥離液を用いて剥離する。これにより、基板２１ｅが得られる。 <Peeling process>
As shown in FIG. 3E, the resist pattern 15 used for etching the molybdenum film 7a is stripped using an amine stripping solution. Thereby, the substrate 21e is obtained.

以上のようにして、アクティブマトリクス基板２０（基板２１ｅ）を作製することができる。 As described above, the active matrix substrate 20 (substrate 21e) can be manufactured.

次に、フォトリワーク工程について図４及び図５を用いて説明する。 Next, the photo rework process will be described with reference to FIGS.

図４（ａ）は、モリブデン膜７ａとアルミニウム層７ｂ’’との間に異物が挟まり込み、それに伴ってレジストパターン１５’の周端の一方が、透明電極６ａ間に位置している基板２２ａを示した断面模式図であり、図４（ｂ）〜図４（ｆ）は、フォトリワーク工程の各工程を示す断面模式図である。 FIG. 4A shows a substrate 22a in which a foreign substance is sandwiched between the molybdenum film 7a and the aluminum layer 7b '', and one of the peripheral ends of the resist pattern 15 'is accordingly located between the transparent electrodes 6a. FIG. 4B to FIG. 4F are schematic cross-sectional views showing each step of the photo rework process.

図５（ａ）は、レジストパターン１５’’の図中右側の部分が小さく形成されている基板２３ａを示した断面模式図であり、図５（ｂ）〜図５（ｆ）は、フォトリワーク工程の各工程を示す断面模式図である。 FIG. 5A is a schematic cross-sectional view showing a substrate 23a in which the right side portion of the resist pattern 15 ″ in the drawing is small, and FIGS. 5B to 5F are photoreworks. It is a cross-sectional schematic diagram which shows each process of a process.

まず、図４に示すフォトリワーク工程について説明する。 First, the photo rework process shown in FIG. 4 will be described.

＜反射導電膜エッチング第１工程＞
図４（ｂ）に示すように、位置不良のレジストパターン１５’をマスクとして、上記弱酸性エッチング液を用いて、モリブデン膜７ａをエッチングして、モリブデン層７ａ’’を形成する。これにより、基板２２ｂが得られる。 <Reflective conductive film etching first step>
As shown in FIG. 4B, the molybdenum film 7a is etched using the weakly acidic etchant using the poorly positioned resist pattern 15 ′ as a mask to form a molybdenum layer 7a ″. Thereby, the substrate 22b is obtained.

＜レジストパターン剥離工程＞
図４（ｃ）に示すように、位置不良のレジストパターン１５’を、アミン系の剥離液を用いて剥離する。これにより、基板２２ｃが得られる。 <Resist pattern peeling process>
As shown in FIG. 4C, the misaligned resist pattern 15 'is stripped using an amine stripping solution. Thereby, the substrate 22c is obtained.

＜反射導電膜エッチング第２工程＞
図４（ｄ）に示すように、位置不良のレジストパターン１５’に覆われていたアルミニウム層７ｂ’’及びモリブデン層７ａ’’を、上記弱酸性エッチング液を用いて、エッチングする。これにより、基板２２ｄが得られ、図３（ａ）に示した基板２１ａの状態に戻ることになる。 <Reflecting conductive film etching second step>
As shown in FIG. 4D, the aluminum layer 7b ″ and the molybdenum layer 7a ″ covered with the misaligned resist pattern 15 ′ are etched using the weak acid etchant. Thereby, the substrate 22d is obtained, and the state of the substrate 21a shown in FIG.

＜反射導電膜成膜工程（フォトリワーク工程）＞
図４（ｅ）に示すように、透明電極６ａ上の基板全体に、モリブデン膜（厚さ７５ｎｍ程度）７ａ及びアルミニウム膜（厚さ１００ｎｍ程度）７ｂを順にＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜する。これにより、基板２２ｅが得られる。 <Reflective conductive film deposition process (photo rework process)>
As shown in FIG. 4E, a molybdenum film (about 75 nm thick) 7a and an aluminum film (about 100 nm thick) 7b are sequentially formed on the entire substrate on the transparent electrode 6a by DC magnetron sputtering. Thereby, the substrate 22e is obtained.

＜レジストパターン形成工程（フォトリワーク工程）＞
まず、アルミニウム膜７ｂ上の基板全体に、感光性樹脂からなるフォトレジストを厚さ１０００ｎｍ程度で塗布する。 <Resist pattern formation process (photo rework process)>
First, a photoresist made of a photosensitive resin is applied to the entire substrate on the aluminum film 7b with a thickness of about 1000 nm.

次いで、基板全体に塗布されたフォトレジストに、所定形状のフォトマスクを介して露光を行った後、現像液を用いて現像して、図４（ｆ）に示すように、レジストパターン１５及びアルミニウム層７ｂ’を形成する。これにより、基板２２ｆが得られる。 Next, the photoresist applied to the entire substrate is exposed through a photomask having a predetermined shape, and then developed using a developing solution. As shown in FIG. Layer 7b 'is formed. Thereby, the substrate 22f is obtained.

以上のようにして、所望の位置にレジストパターンの形成（フォトリワーク）が行われる。 As described above, a resist pattern is formed (photo rework) at a desired position.

次に、図５に示すフォトリワーク工程について説明する。 Next, the photo rework process shown in FIG. 5 will be described.

＜反射導電膜エッチング第１工程＞
図５（ｂ）に示すように、位置不良のレジストパターン１５’’をマスクとして、上記弱酸性エッチング液を用いて、モリブデン膜７ａをエッチングして、モリブデン層７ａ’’を形成する。これにより、基板２３ｂが得られる。 <Reflective conductive film etching first step>
As shown in FIG. 5B, the molybdenum film 7a is etched using the weakly acidic etchant using the poorly positioned resist pattern 15 '' as a mask to form a molybdenum layer 7a ''. Thereby, the substrate 23b is obtained.

＜レジストパターン剥離工程＞
図５（ｃ）に示すように、位置不良のレジストパターン１５’’を、アミン系の剥離液を用いて剥離する。これにより、基板２３ｃが得られる。 <Resist pattern peeling process>
As shown in FIG. 5C, the misaligned resist pattern 15 ″ is stripped using an amine stripping solution. Thereby, the substrate 23c is obtained.

＜反射導電膜エッチング第２工程＞
図５（ｄ）に示すように、位置不良のレジストパターン１５’’に覆われていたアルミニウム層７ｂ’’及びモリブデン層７ａ’’を、上記弱酸性エッチング液を用いて、エッチングする。これにより、基板２３ｄが得られ、図３（ａ）に示した基板２１ａの状態に戻ることになる。 <Reflecting conductive film etching second step>
As shown in FIG. 5 (d), the aluminum layer 7b '' and the molybdenum layer 7a '' covered with the poorly-positioned resist pattern 15 '' are etched using the weak acid etchant. Thereby, the substrate 23d is obtained, and the state returns to the state of the substrate 21a shown in FIG.

＜反射導電膜成膜工程（フォトリワーク工程）＞
図５（ｅ）に示すように、透明電極６ａ上の基板全体に、モリブデン膜（厚さ７５ｎｍ程度）７ａ及びアルミニウム膜（厚さ１００ｎｍ程度）７ｂを順にＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜する。これにより、基板２３ｅが得られる。 <Reflective conductive film deposition process (photo rework process)>
As shown in FIG. 5E, a molybdenum film (thickness: about 75 nm) 7a and an aluminum film (thickness: about 100 nm) 7b are sequentially formed on the entire substrate on the transparent electrode 6a by DC magnetron sputtering. Thereby, the substrate 23e is obtained.

次いで、基板全体に塗布されたフォトレジストに、所定形状のフォトマスクを介して露光を行った後、現像液を用いて現像して、図５（ｆ）に示すように、レジストパターン１５及びアルミニウム層７ｂ’を形成する。これにより、基板２３ｆが得られる。 Next, the photoresist applied to the entire substrate is exposed through a photomask having a predetermined shape, and then developed using a developing solution. As shown in FIG. Layer 7b 'is formed. Thereby, the substrate 23f is obtained.

このように、位置不良のレジストパターンから露出して剥がれる恐れのあるモリブデン膜が、図４（ｂ）及び図５（ｂ）に示す工程でエッチングされているので、位置不良のレジストパターンの剥離の際に、モリブデン膜が剥がれて剥離液中にモリブデン膜の剥がれ片が浮遊する可能性は低くなる。 As described above, since the molybdenum film that may be exposed and peeled off from the misaligned resist pattern is etched in the steps shown in FIGS. 4B and 5B, the misaligned resist pattern is peeled off. At this time, the possibility that the molybdenum film peels off and the peeled piece of the molybdenum film floats in the stripping solution is reduced.

そのため、レジストパターンの剥離に使用する剥離液は、モリブデン膜の剥がれ片で汚染されにくくなり、モリブデン膜の剥がれ片の基板上の電極への付着が抑制される。このことにより、モリブデン膜の膜剥がれによる製造歩留まりの低下を抑止することができる。 Therefore, the stripping solution used for stripping the resist pattern is not easily contaminated with the stripped piece of the molybdenum film, and the adhesion of the stripped piece of the molybdenum film to the electrode on the substrate is suppressed. Thereby, it is possible to suppress a decrease in manufacturing yield due to peeling of the molybdenum film.

＜＜対向基板作製工程＞＞
まず、ガラス基板等の透明絶縁性基板１０’上に、クロム薄膜を成膜した後、ＰＥＰ技術によりパターン形成してブラックマトリクスを形成する。 << Opposite substrate manufacturing process >>
First, after forming a chromium thin film on a transparent insulating substrate 10 ′ such as a glass substrate, a black matrix is formed by patterning using a PEP technique.

次いで、ブラックマトリクス間のそれぞれに、赤、緑及び青の何れかの着色層をパターン形成してカラーフィルタ層を形成する。 Next, a color filter layer is formed by patterning any colored layer of red, green, and blue between the black matrices.

次いで、カラーフィルタ層上の基板全体に、アクリル樹脂を塗布してオーバコート層を形成する。 Next, an acrylic resin is applied to the entire substrate on the color filter layer to form an overcoat layer.

次いで、オーバコート層上の基板全体に、ＩＴＯ膜を成膜して共通電極１７を形成する。 Next, an ITO film is formed on the entire substrate on the overcoat layer to form the common electrode 17.

上記のようにして、対向基板３０を作製することができる。 As described above, the counter substrate 30 can be manufactured.

＜＜液晶表示装置作製工程＞＞
まず、アクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０の表面に、ポリイミド樹脂を厚さ１００ｎｍ程度で塗布して、ラビング法により、その表面に配向処理を施して配向膜を形成する。 << Liquid Crystal Display Manufacturing Process >>
First, a polyimide resin is applied to the surfaces of the active matrix substrate 20 and the counter substrate 30 with a thickness of about 100 nm, and an alignment process is performed on the surfaces by rubbing to form an alignment film.

次いで、アクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０うちの一方にスクリーン印刷により、熱硬化性エポキシ樹脂等からなるシール材料を液晶注入口の部分を欠いた枠状パターンに塗布して、他方の基板に液晶層の厚さに相当する直径を持ち、樹脂又はシリカからなる球状のスペーサーを散布する。 Next, a seal material made of a thermosetting epoxy resin or the like is applied to one of the active matrix substrate 20 and the counter substrate 30 by a screen printing in a frame-like pattern lacking the liquid crystal injection port, and the liquid crystal is applied to the other substrate. A spherical spacer having a diameter corresponding to the thickness of the layer and made of resin or silica is dispersed.

次いで、アクティブマトリクス基板２０と対向基板３０とを貼り合わせ、シール材料を硬化させ、空セルを形成する。 Next, the active matrix substrate 20 and the counter substrate 30 are bonded together, the sealing material is cured, and empty cells are formed.

次いで、空セルのアクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０の両基板間に、減圧法により液晶材料を注入し液晶層４０を形成する。その後、液晶注入口にＵＶ硬化樹脂を塗布して、ＵＶ照射によりＵＶ硬化樹脂を硬化して、注入口を封止する。 Next, a liquid crystal material is injected between the active matrix substrate 20 and the counter substrate 30 of the empty cell by a decompression method to form a liquid crystal layer 40. Thereafter, a UV curable resin is applied to the liquid crystal injection port, the UV curable resin is cured by UV irradiation, and the injection port is sealed.

以上のようにして、本発明の液晶表示装置５０を製造することができる。 As described above, the liquid crystal display device 50 of the present invention can be manufactured.

以上説明したように、本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、検査工程でレジストパターン１５の位置が不良であるときには、位置不良のレジストパターン１５’（１５’’）及びその下層の反射導電膜をそれぞれ適宜除去した後、反射導電膜を成膜してから、再度レジストパターン１５を形成するようにフォトリワーク工程を行う。 As described above, according to the method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, when the position of the resist pattern 15 is defective in the inspection process, the position of the resist pattern 15 ′ (15 ″) that is poorly positioned and the reflection of the lower layer thereof. After removing the conductive films as appropriate, a reflective conductive film is formed, and then a photo rework process is performed so as to form the resist pattern 15 again.

そのため、位置不良のレジストパターン１５’（１５’’）から露出して剥がれる恐れのある反射導電膜（モリブデン膜７ａ）は、既にエッチングされているので、位置不良のレジストパターン１５’（１５’’）の剥離の際に、モリブデン膜７ａが剥がれ、剥離液中にモリブデン膜７ａの剥がれ片が浮遊する可能性が低くなる。 Therefore, the reflective conductive film (molybdenum film 7a) that may be exposed and peeled off from the misaligned resist pattern 15 ′ (15 ″) has already been etched, so that the misaligned resist pattern 15 ′ (15 ″). ), The molybdenum film 7a is peeled off, and the possibility that the peeled piece of the molybdenum film 7a floats in the peeling solution is reduced.

これにより、レジストパターン１５の剥離に使用する剥離液は、モリブデン膜７ａの剥がれ片で汚染されにくくなり、モリブデン膜７ａの剥がれ片の基板上の電極への付着が抑制される。従って、モリブデン膜７ａの膜剥がれによる製造歩留まりの低下を抑止することができる。 As a result, the stripping solution used for stripping the resist pattern 15 is not easily contaminated by the stripped piece of the molybdenum film 7a, and the adhesion of the stripped piece of the molybdenum film 7a to the electrode on the substrate is suppressed. Accordingly, it is possible to suppress a decrease in manufacturing yield due to peeling of the molybdenum film 7a.

《発明の実施形態２》
以下に、本発明の実施形態２に係る液晶表示装置について説明する。 << Embodiment 2 of the Invention >>
The liquid crystal display device according to Embodiment 2 of the present invention will be described below.

本発明の実施形態２に係る液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の平面構造及び断面構造は、実施形態１に記載のものと実質的に同じであり、以下の実施形態では、実施形態１との相違点を中心に説明する。 The planar structure and the cross-sectional structure of the active matrix substrate constituting the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention are substantially the same as those described in the first embodiment, and the following embodiments are the same as the first embodiment. The difference will be mainly described.

このアクティブマトリクス基板を構成する反射電極７は、モリブデン膜７ａ、アルミニウム膜７ｂ及びＩＺＯ膜７ｃからなる反射導電膜により構成されている。 The reflective electrode 7 constituting the active matrix substrate is formed of a reflective conductive film composed of a molybdenum film 7a, an aluminum film 7b, and an IZO film 7c.

その他の構成については、実施形態１と実質的に同じであり、その説明は省略する。 About another structure, it is substantially the same as Embodiment 1, The description is abbreviate | omitted.

次に、このアクティブマトリクス基板の作製方法について図６を用いて説明する。 Next, a method for manufacturing this active matrix substrate will be described with reference to FIGS.

ここで、透明絶縁性基板１０上に有機絶縁膜１４を形成して、その上に透明電極６ａを形成するまでは、実施形態１と実質的に同じであるので、それまでの工程の説明は省略する。 Here, since the organic insulating film 14 is formed on the transparent insulating substrate 10 and the transparent electrode 6a is formed thereon, the process is substantially the same as that of the first embodiment. Omitted.

＜透明電極形成工程＞
実施形態１と同様に、有機絶縁膜１４上の基板全体に、ＩＴＯ膜からなる透明導電膜（厚さ１００ｎｍ程度）をＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、図６（ａ）に示すように透明電極６ａを形成する。これにより、基板２４ａが得られる。なお、基板２４ａは実施形態１に記載された基板２１ａと同じである。 <Transparent electrode formation process>
As in the first embodiment, a transparent conductive film (thickness of about 100 nm) made of an ITO film is formed on the entire substrate on the organic insulating film 14 by the DC magnetron sputtering method, and then patterned by the PEP technique. As shown in FIG. 6A, the transparent electrode 6a is formed. Thereby, the substrate 24a is obtained. The substrate 24a is the same as the substrate 21a described in the first embodiment.

＜反射導電膜成膜工程＞
図６（ｂ）に示すように、透明電極６ａ上の基板全体に、モリブデン膜（厚さ７５ｎｍ程度）７ａ、アルミニウム膜（厚さ１００ｎｍ程度）７ｂ及びＩＺＯ膜（厚さ１０ｎｍ程度）７ｃを順にＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜する。これにより、基板２４ｂが得られる。 <Reflective conductive film deposition process>
As shown in FIG. 6B, a molybdenum film (about 75 nm thick) 7a, an aluminum film (about 100 nm thick) 7b, and an IZO film (about 10 nm thick) 7c are sequentially formed on the entire substrate on the transparent electrode 6a. The film is formed by DC magnetron sputtering. Thereby, the substrate 24b is obtained.

＜レジストパターン形成工程＞
まず、ＩＺＯ膜７ｃ上の基板全体に、感光性樹脂からなるフォトレジストを厚さ１０００ｎｍ程度で塗布する。 <Resist pattern formation process>
First, a photoresist made of a photosensitive resin is applied to the entire substrate on the IZO film 7c with a thickness of about 1000 nm.

次いで、基板全体に塗布されたフォトレジストに、所定形状のフォトマスクを介して露光を行った後、現像液を用いて現像して、図６（ｃ）に示すように、レジストパターン１５を形成する。これにより、基板２４ｃが得られる。このとき、ＩＺＯ膜７ｃは、フォトレジストを現像するアルカリ水溶液によって、エッチングされることがないので、フォトレジストの現像の際に、現像液（アルカリ水溶液）が、有機絶縁膜に浸透することを防ぐことができる。そのため、反射導電膜と有機絶縁膜との密着性の低下が抑止され、後述するフォトリワーク工程においてより一層、反射導電膜の膜剥がれによる製造歩留まりの低下を抑止することができる。 Next, the photoresist applied to the entire substrate is exposed through a photomask having a predetermined shape, and then developed using a developer to form a resist pattern 15 as shown in FIG. 6C. To do. Thereby, the substrate 24c is obtained. At this time, since the IZO film 7c is not etched by the alkaline aqueous solution for developing the photoresist, the developer (alkaline aqueous solution) is prevented from penetrating the organic insulating film during the development of the photoresist. be able to. Therefore, a decrease in adhesion between the reflective conductive film and the organic insulating film is suppressed, and a decrease in manufacturing yield due to peeling of the reflective conductive film due to film peeling can be further suppressed in a photo rework process described later.

＜検査工程＞
ＩＺＯ膜７ｃ上のレジストパターン１５が所定の位置に形成されているかどうか検査する。レジストパターン１５の位置が不良である場合には、後述するフォトリワーク工程が行われ、レジストパターン１５の位置に問題がない場合には、そのまま、反射電極形成工程が行われる。 <Inspection process>
It is inspected whether the resist pattern 15 on the IZO film 7c is formed at a predetermined position. When the position of the resist pattern 15 is defective, a photo rework process described later is performed, and when there is no problem in the position of the resist pattern 15, the reflective electrode forming process is performed as it is.

＜反射電極形成工程＞
図６（ｄ）に示すように、所定の位置に形成されたレジストパターン１５をマスクとして、硝酸、酢酸及びリン酸が含有された水溶液（弱酸性エッチング液）を用いて、モリブデン膜７ａ、アルミニウム膜７ｂ及びＩＺＯ膜７ｃからなる反射導電膜をエッチングして、モリブデン層７ａ’、アルミニウム層７ｂ’及びＩＺＯ層７ｃ’を形成する。これにより、モリブデン層７ａ’、アルミニウム層７ｂ’及びＩＺＯ層７ｃ’からなる反射電極７が形成された基板２４ｄが得られる。 <Reflective electrode formation process>
As shown in FIG. 6D, using the resist pattern 15 formed at a predetermined position as a mask, an aqueous solution (weakly acidic etching solution) containing nitric acid, acetic acid and phosphoric acid is used to form a molybdenum film 7a and aluminum. The reflective conductive film including the film 7b and the IZO film 7c is etched to form a molybdenum layer 7a ′, an aluminum layer 7b ′, and an IZO layer 7c ′. Thereby, the substrate 24d on which the reflective electrode 7 composed of the molybdenum layer 7a ′, the aluminum layer 7b ′, and the IZO layer 7c ′ is formed is obtained.

＜剥離工程＞
図６（ｅ）に示すように、反射導電膜のエッチングに用いたレジストパターン１５をアミン系の剥離液を用いて、剥離する。これにより、基板２４ｅが得られる。 <Peeling process>
As shown in FIG. 6E, the resist pattern 15 used for etching the reflective conductive film is stripped using an amine stripping solution. Thereby, the substrate 24e is obtained.

以上のようにして、アクティブマトリクス基板（基板２４ｅ）を作製することができる。 As described above, an active matrix substrate (substrate 24e) can be manufactured.

次に、フォトリワーク工程について図７を用いて説明する。 Next, the photo rework process will be described with reference to FIG.

図７は、図４に対応するものであり、フォトリワーク工程の各工程を示す断面模式図である。 FIG. 7 corresponds to FIG. 4 and is a schematic cross-sectional view showing each process of the photo rework process.

図７（ａ）は、モリブデン膜７ａとアルミニウム膜７ｂとの間に異物が挟まり込み、それに伴ってレジストパターン１５’の周端の一方が、透明電極６ａ間に位置している基板２５ａを示した断面模式図である。 FIG. 7A shows a substrate 25a in which a foreign object is sandwiched between the molybdenum film 7a and the aluminum film 7b, and one of the peripheral ends of the resist pattern 15 ′ is accordingly located between the transparent electrodes 6a. FIG.

＜反射導電膜エッチング第１工程＞
図７（ｂ）に示すように、位置不良のレジストパターン１５’をマスクとして、上記弱酸性エッチング液を用いて、反射導電膜（モリブデン膜７ａ、アルミニウム膜７ｂ及びＩＺＯ膜７ｃ）をエッチングして、モリブデン層７ａ’’、アルミニウム層７ｂ’’及びＩＺＯ層７ｃ’’を形成する。これにより、基板２５ｂが得られる。 <Reflective conductive film etching first step>
As shown in FIG. 7B, the reflective conductive film (molybdenum film 7a, aluminum film 7b, and IZO film 7c) is etched using the weakly acidic etchant with the misaligned resist pattern 15 'as a mask. Then, a molybdenum layer 7a ″, an aluminum layer 7b ″, and an IZO layer 7c ″ are formed. Thereby, the substrate 25b is obtained.

＜レジストパターン剥離工程＞
図７（ｃ）に示すように、位置不良のレジストパターン１５’を、アミン系の剥離液を用いて剥離する。これにより、基板２５ｃが得られる。 <Resist pattern peeling process>
As shown in FIG. 7C, the poorly positioned resist pattern 15 'is stripped using an amine stripping solution. Thereby, the substrate 25c is obtained.

＜反射導電膜エッチング第２工程＞
図７（ｄ）に示すように、位置不良のレジストパターン１５’に覆われていたモリブデン層７ａ’’、アルミニウム層７ｂ’’及びＩＺＯ層７ｃ’’からなる反射導電層を、上記弱酸性エッチング液を用いて、エッチングする。これにより、基板２５ｄが得られ、有機絶縁膜１４上に透明電極６ａが形成された状態に戻ることになる。 <Reflecting conductive film etching second step>
As shown in FIG. 7 (d), the weakly acidic etching is performed on the reflective conductive layer composed of the molybdenum layer 7a '', the aluminum layer 7b '', and the IZO layer 7c '', which has been covered with the misaligned resist pattern 15 '. Etching is performed using the liquid. Thereby, the substrate 25d is obtained, and the state returns to the state where the transparent electrode 6a is formed on the organic insulating film.

＜反射導電膜成膜工程（フォトリワーク工程）＞
図７（ｅ）に示すように、透明電極６ａ上の基板全体に、モリブデン膜（厚さ７５ｎｍ程度）７ａ、アルミニウム膜（厚さ１００ｎｍ程度）７ｂ及びＩＺＯ膜（厚さ１０ｎｍ程度）７ｃを順にＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜する。これにより、基板２５ｅが得られる。 <Reflective conductive film deposition process (photo rework process)>
As shown in FIG. 7E, a molybdenum film (thickness of about 75 nm) 7a, an aluminum film (thickness of about 100 nm) 7b, and an IZO film (thickness of about 10 nm) 7c are sequentially formed on the entire substrate on the transparent electrode 6a. The film is formed by DC magnetron sputtering. Thereby, the substrate 25e is obtained.

＜レジストパターン形成工程（フォトリワーク工程）＞
まず、ＩＺＯ膜７ｃ上の基板全体に、感光性樹脂からなるフォトレジストを厚さ１０００ｎｍ程度で塗布する。 <Resist pattern formation process (photo rework process)>
First, a photoresist made of a photosensitive resin is applied to the entire substrate on the IZO film 7c with a thickness of about 1000 nm.

次いで、基板全体に塗布されたフォトレジストに、所定形状のフォトマスクを介して露光を行った後、現像液を用いて現像して、図７（ｆ）に示すように、レジストパターン１５を形成する。これにより、基板２５ｆが得られる。 Next, the photoresist applied to the entire substrate is exposed through a photomask having a predetermined shape, and then developed using a developer to form a resist pattern 15 as shown in FIG. To do. Thereby, the substrate 25f is obtained.

そして、位置不良のレジストパターン１５’から露出して剥がれる恐れのある反射導電膜（モリブデン膜７ａ、アルミニウム膜７ｂ及びＩＺＯ膜７ｃ）は、図７（ｂ）の工程でエッチングされているので、位置不良のレジストパターン１５’の剥離の際に、反射導電膜が剥がれて剥離液中に反射導電膜の剥がれ片が浮遊する可能性は低くなる。 Then, the reflective conductive film (the molybdenum film 7a, the aluminum film 7b, and the IZO film 7c) that may be exposed and peeled off from the misaligned resist pattern 15 ′ is etched in the process of FIG. When the defective resist pattern 15 ′ is peeled off, the possibility that the reflective conductive film peels off and the peeled piece of the reflective conductive film floats in the stripping solution is reduced.

また、ＩＺＯ膜は、フォトレジストを現像するアルカリ水溶液によって、エッチングされることがないので、フォトレジストの現像の際に、現像液であるアルカリ水溶液が、有機絶縁膜１４に浸透することを防ぐことができる。そのため、反射導電膜と有機絶縁膜１４との密着性の低下が抑止される。 Further, since the IZO film is not etched by the alkaline aqueous solution for developing the photoresist, the alkaline aqueous solution as the developer is prevented from penetrating into the organic insulating film 14 during the development of the photoresist. Can do. Therefore, a decrease in adhesion between the reflective conductive film and the organic insulating film 14 is suppressed.

さらに、ＩＺＯ膜７ｃは、弱酸性のエッチング液により、モリブデン膜７ａ及びアルミニウム膜７ｂと同時にエッチングすることができるので、フォトリソグラフィーの回数を増やすことなく、上記密着性の低下を抑止することができる。 Furthermore, since the IZO film 7c can be etched simultaneously with the molybdenum film 7a and the aluminum film 7b with a weakly acidic etchant, the above-described decrease in adhesion can be suppressed without increasing the number of times of photolithography. .

このように、ＩＺＯ膜７ｃの存在によって、レジストパターン１５の剥離に使用する剥離液は、反射導電膜の剥がれ片で一層汚染されにくくなり、反射導電膜の剥がれ片の基板上の電極への付着が抑制される。このことにより、反射導電膜の膜剥がれによる製造歩留まりの低下を一層抑止することができる。 Thus, the presence of the IZO film 7c makes the stripping solution used for stripping the resist pattern 15 less likely to be contaminated by the stripped pieces of the reflective conductive film, and the stripped pieces of the reflective conductive film adhere to the electrodes on the substrate. Is suppressed. Thereby, it is possible to further suppress a decrease in manufacturing yield due to peeling of the reflective conductive film.

また、本実施形態２では、実施形態１と同様に、図５（ａ）に対応したレジストパターンが小さく形成された場合にも、適応することができる。 Further, the second embodiment can be applied to the case where the resist pattern corresponding to FIG. 5A is formed to be small as in the first embodiment.

さらに、本実施形態１及び２では、反射導電膜の最下層として、モリブデン膜を用いたが、窒化モリブデン膜のようなモリブデン合金膜とすることも有効である。これにより、反射導電膜と有機絶縁膜との密着性の低下を一層抑止することができ、反射導電膜の膜剥がれによる製造歩留まりの低下をより一層抑止することができる。 Furthermore, in the first and second embodiments, the molybdenum film is used as the lowermost layer of the reflective conductive film, but it is also effective to use a molybdenum alloy film such as a molybdenum nitride film. Thereby, the fall of the adhesiveness of a reflective electrically conductive film and an organic insulating film can be suppressed further, and the fall of the manufacturing yield by the film peeling of a reflective electrically conductive film can be suppressed further.

また、上記実施形態では、ＴＦＴをスイッチング素子として用いたアクティブ駆動型の液晶表示装置を例に説明したが、ＴＦＴ以外の３端子素子、及びＭＩＭ（Metal Insulator Metal）等の２端子素子のアクティブ駆動型の液晶表示装置にも適用でき、さらに、アクティブ駆動型の液晶表示装置だけでなく、パッシブ（マルチプレックス）駆動型の液晶表示装置にも適用できる。 In the above embodiment, an active drive type liquid crystal display device using TFT as a switching element has been described as an example. However, active drive of a three-terminal element other than a TFT and a two-terminal element such as MIM (Metal Insulator Metal). The present invention can also be applied to a liquid crystal display device of a type, and can also be applied to a liquid crystal display device of a passive (multiplex) drive type as well as an active drive type liquid crystal display device.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、他の構成であってもよい。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, Another structure may be sufficient.

以上説明したように、本発明は、フォトリワーク工程において剥離液による膜剥がれが抑止されるので、有機絶縁膜上に透明電極及び反射電極を形成する際に有機絶縁膜を膨潤させてしまう可能性がある半透過型の液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の作製において有用である。 As described above, the present invention suppresses film peeling by the stripping solution in the photo rework process, and thus the organic insulating film may swell when forming the transparent electrode and the reflective electrode on the organic insulating film. This is useful in manufacturing an active matrix substrate constituting a transflective liquid crystal display device.

本発明の実施形態に係る液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板２０の平面模式図である。1 is a schematic plan view of an active matrix substrate 20 constituting a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 図１中の断面Ａ−Ａ’における液晶表示装置５０の断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of the liquid crystal display device 50 in the cross section A-A 'in FIG. 本発明の実施形態１に係るアクティブマトリクス基板を作製する際の各工程を示す断面模式図であり、図１中の断面Ｂ−Ｂ’に対応するものである。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing each process when manufacturing an active matrix substrate according to Embodiment 1 of the present invention, and corresponds to a cross-section B-B ′ in FIG. 1. 本発明の実施形態１に係るフォトリワーク工程の各工程を示す断面模式図であり、図１中の断面Ｂ−Ｂ’に対応するものである。It is a cross-sectional schematic diagram which shows each process of the photo rework process which concerns on Embodiment 1 of this invention, and respond | corresponds to the cross section B-B 'in FIG. 本発明の実施形態１に係る他のフォトリワーク工程の各工程を示す断面模式図であり、図１中の断面Ｂ−Ｂ’に対応するものである。It is a cross-sectional schematic diagram which shows each process of the other photo rework process which concerns on Embodiment 1 of this invention, and respond | corresponds to the cross section B-B 'in FIG. 本発明の実施形態２に係るアクティブマトリクス基板を作製する際の各工程を示す断面模式図であり、図１中の断面Ｂ−Ｂ’に対応するものである。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing each step in manufacturing an active matrix substrate according to Embodiment 2 of the present invention, and corresponds to a cross-section B-B ′ in FIG. 1. 本発明の実施形態２に係るフォトリワーク工程の各工程を示す断面模式図であり、図１中の断面Ｂ−Ｂ’に対応するものである。It is a cross-sectional schematic diagram which shows each process of the photo rework process which concerns on Embodiment 2 of this invention, and respond | corresponds to the cross section B-B 'in FIG.

Explanation of symbols

１ＴＦＴ
２ゲート線
２ａゲート電極
３ソース線
３ａ，５ａＩＴＯ層
３ｂ，５ｂチタン層
４容量線
５ドレイン接続電極
５ａドレイン接続電極下層
５ｂドレイン接続電極上層
６画素電極
６ａ透明電極
６ｃコンタクトホール
７反射電極
７ａモリブデン膜
７ａ’，７ａ’’ モリブデン層
７ｂアルミニウム膜
７ｂ’，７ｂ’’ アルミニウム層
７ｃＩＺＯ膜
７ｃ’，７ｃ’’ ＩＺＯ層
８半導体層
９チャネル保護層
１０，１０’ 透明絶縁性基板
１１ソース電極
１２ドレイン電極
１３ゲート絶縁膜
１４有機絶縁膜
１５，１５’，１５’’ レジストパターン
１６異物
１７共通電極
１８液晶分子
２０アクティブマトリクス基板
３０対向基板
４０液晶層
５０液晶表示装置 1 TFT
2 Gate line 2a Gate electrode 3 Source line 3a, 5a ITO layer 3b, 5b Titanium layer 4 Capacitance line 5 Drain connection electrode 5a Drain connection electrode lower layer 5b Drain connection electrode upper layer 6 Pixel electrode 6a Transparent electrode 6c Contact hole 7 Reflective electrode 7a Molybdenum Film 7a ′, 7a ″ Molybdenum layer 7b Aluminum film 7b ′, 7b ″ Aluminum layer 7c IZO film 7c ′, 7c ″ IZO layer 8 Semiconductor layer 9 Channel protective layer 10, 10 ′ Transparent insulating substrate 11 Source electrode 12 Drain electrode 13 Gate insulating film 14 Organic insulating films 15, 15 ′, 15 ″ Resist pattern 16 Foreign material 17 Common electrode 18 Liquid crystal molecule 20 Active matrix substrate 30 Counter substrate 40 Liquid crystal layer 50 Liquid crystal display device

Claims

Forming an organic insulating film on the substrate;
Forming a first electrode composed of a first conductive film on the organic insulating film;
Forming a second conductive film so as to cover the first electrode;
A resist pattern forming step of forming a resist pattern on the second conductive film;
Etching the second conductive film exposed from the resist pattern to form a second electrode;
A method of manufacturing an electrode substrate comprising a step of peeling the resist pattern,
An inspection process for inspecting the position of the resist pattern formed in the resist pattern formation process;
A photo rework step that is performed when the position of the resist pattern inspected in the inspection step is defective, and again forms a resist pattern on the second conductive film,
The photorework step is covered with the step of etching the second conductive film exposed from the poorly-positioned resist pattern, the step of peeling off the poorly-positioned resist pattern, and the poorly-positioned resist pattern. And a step of etching and removing the second conductive film from the first electrode.

In the manufacturing method of the electrode substrate according to claim 1,
The resist pattern is formed by exposing and developing a photoresist,
The method of manufacturing an electrode substrate, wherein the second conductive film is composed of a plurality of layers, and the uppermost layer is composed of a conductive film that is not removed by developing the photoresist.

In the manufacturing method of the electrode substrate according to claim 2,
The uppermost layer of the second conductive film is etched simultaneously with a layer other than the uppermost layer constituting the second conductive film.

In the manufacturing method of the electrode substrate according to claim 1,
The first conductive film is formed of a compound of indium oxide and tin oxide, and the second conductive film is formed of a two-layer laminated film of a lower molybdenum film and an upper aluminum film. A method for manufacturing an electrode substrate.

In the manufacturing method of the electrode substrate according to claim 4,
The method for manufacturing an electrode substrate, wherein the molybdenum film is a molybdenum alloy film.

In the manufacturing method of the electrode substrate according to claim 4 or 5,
The method for producing an electrode substrate, wherein the second conductive film has a transparent conductive film formed of a compound of indium oxide and zinc oxide on the aluminum film.

A plurality of pixels are provided in a matrix on the substrate, and each pixel has an active matrix substrate on which a transparent electrode and a reflective electrode are disposed,
Forming an organic insulating film on the substrate;
Forming a transparent electrode composed of a transparent conductive film on the organic insulating film;
Forming a reflective conductive film so as to cover the transparent electrode;
A resist pattern forming step of forming a resist pattern on the reflective conductive film;
Etching the reflective conductive film exposed from the resist pattern to form a reflective electrode;
A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a step of peeling the resist pattern,
An inspection process for inspecting the position of the resist pattern formed in the resist pattern formation process;
A photo-rework step which is performed when the position of the resist pattern inspected in the inspection step is defective, and again forms a resist pattern on the reflective conductive film,
The photo rework process was covered with the step of etching the reflective conductive film exposed from the poorly-positioned resist pattern, the step of peeling off the poorly-positioned resist pattern, and the poorly-positioned resist pattern. And a step of etching the reflective conductive film to remove it from the transparent electrode.

In the manufacturing method of the liquid crystal display device described in Claim 7,
The resist pattern is formed by exposing and developing a photoresist,
The method for manufacturing a liquid crystal display device, wherein the reflective conductive film is composed of a plurality of layers, and the uppermost layer is composed of a conductive film that is not removed by developing the photoresist.

In the manufacturing method of the liquid crystal display device described in Claim 8,
A method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein the uppermost layer of the reflective conductive film is etched simultaneously with a layer other than the uppermost layer constituting the reflective conductive film.

In the manufacturing method of the liquid crystal display device described in Claim 7,
The transparent conductive film is formed of a compound of indium oxide and tin oxide, and the reflective conductive film is formed of a two-layer laminated film of a lower molybdenum film and an upper aluminum film. Manufacturing method of display device.

In the manufacturing method of the liquid crystal display device described in Claim 10,
The method for manufacturing a liquid crystal display device, wherein the molybdenum film is a molybdenum alloy film.

In the manufacturing method of the liquid crystal display device described in Claim 11 or 12,
The method for manufacturing a liquid crystal display device, wherein the reflective conductive film has a transparent conductive film formed of a compound of indium oxide and zinc oxide on an upper layer of the aluminum film.