JP2005258428A - 液晶表示素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、第1基板と、上記第1基板上に形成された電極層と、上記電極層上に形成された第1配向膜と、上記第1配向膜上に形成され、反応性液晶を固定化してなる反応性液晶層とを有する反応性液晶側基板、および、第2基板と、上記第2基板上に形成された電極層と、上記電極層上に形成された第2配向膜とを有する対向基板を、上記反応性液晶側基板の反応性液晶層と上記対向基板の第2配向膜とが向かい合うように配置し、上記反応性液晶側基板および上記対向基板間に強誘電性液晶を挟持してなることを特徴とする液晶表示素子を提供することにより、上記目的を達成するものである。
【選択図】 図1
Description
本発明の液晶表示素子は、第1基板と、上記第1基板上に形成された電極層と、上記電極層上に形成された第1配向膜と、上記第1配向膜上に形成され、反応性液晶を固定化してなる反応性液晶層とを有する反応性液晶側基板、および、第2基板と、上記第2基板上に形成された電極層と、上記電極層上に形成された第2配向膜とを有する対向基板を、上記反応性液晶側基板の反応性液晶層と上記対向基板の第2配向膜とが向かい合うように配置し、上記反応性液晶側基板および上記対向基板間に強誘電性液晶を挟持してなることを特徴とするものである。
このような本発明の液晶表示素子の各構成部材について以下に詳細に説明する。
(1)反応性液晶側基板
まず、反応性液晶側基板について説明する。本発明における反応性液晶側基板は、第1基板と、この第1基板上に形成された電極層と、この電極層上に形成された第1配向膜と、この第1配向膜上に形成された反応性液晶層とを有するものである。以下、このような反応性液晶側基板の各構成について説明する。
本発明に用いられる反応性液晶層は、第1配向膜上に形成され、反応性液晶を固定化してなるものである。反応性液晶は、第1配向膜により配向しており、例えば紫外線を照射して反応性液晶を重合させ、その配向状態を固定化することにより反応性液晶層が形成される。このように本発明において、反応性液晶層は反応性液晶の配向状態を固定化してなるものであるので、強誘電性液晶を配向させるための配向膜として機能することができる。また、反応性液晶は固定化されているため、温度等の影響を受けないという利点を有する。さらに、反応性液晶は、強誘電性液晶と構造が比較的類似しており、強誘電性液晶との相互作用が強くなるため、配向膜のみを用いた場合よりも効果的に強誘電性液晶の配向を制御することができる。
次に、本発明に用いられる第1配向膜について説明する。本発明に用いられる第1配向膜としては、上記反応性液晶を配向させることができ、さらに上記反応性液晶の配向状態を固定化する際に悪影響を及ぼさないものであれば特に限定はされない。例えばラビング処理、光配向処理等を施したものを用いることができるが、本発明においては光配向処理を施した光配向膜を用いることが好ましい。光配向処理は非接触配向処理であることから静電気や塵の発生がなく、定量的な配向処理の制御ができる点で有用であるからである。
次に、本発明に用いられる第1基板について説明する。本発明に用いる第1基板は、一般に液晶表示素子の基板として用いられるものであれば特に限定されるものではなく、例えばガラス板、プラスチック板などが好ましく挙げられる。上記第1基板の表面粗さ(RSM値)は、10nm以下であることが好ましく、より好ましくは3nm以下、さらに好ましくは1nm以下の範囲内である。なお、本発明において上記表面粗さは、原子間力顕微鏡(AFM:ATOMIC FORCE MICROSCOPE)により測定することができる。
次に、本発明に用いられる電極層について説明する。本発明に用いる電極層は、一般に液晶表示素子の電極として用いられているものであれば特に限定されるものではないが、反応性液晶側基板および対向基板の電極層のうち少なくとも一方が透明導電体で形成されることが好ましい。透明導電体材料としては、酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウム錫(ITO)等が好ましく挙げられる。本発明の液晶表示素子を、TFTを用いたアクティブマトリックス方式の液晶表示素子とする場合には、反応性液晶側基板および対向基板の電極層のうち、一方を上記透明導電体で形成される全面共通電極とし、他方にはx電極とy電極をマトリックス状に配列し、x電極とy電極で囲まれた部分にTFT素子および画素電極を配置する。この場合に、画素電極、TFT素子、x電極およびy電極により形成される電極層の凹凸部の差は、0.2μm以下であることが好ましい。電極層の凹凸部の差が0.2μmを超えると、配向乱れを生じやすいからである。
次に、本発明に用いられる対向基板について説明する。本発明における対向基板は、第2基板と、この第2基板上に形成された電極層と、この電極層上に形成された第2配向膜とを有するものである。以下、このような対向基板の各構成について説明する。なお、第2基板に関しては上記反応性液晶側基板の第1基板の欄に記載したものと同様であり、電極層に関しては上記反応性液晶側基板の電極層の欄に記載したものと同様であるため、ここでの説明は省略する。
本発明に用いられる第2配向膜としては、強誘電性液晶を配向させることができるものであれば特に限定はされなく、例えばラビング処理、光配向処理等を施したものを用いることができるが、本発明においては光配向処理を施した光配向膜を用いることが好ましい。光配向処理は非接触配向処理であることから静電気や塵の発生がなく、定量的な配向処理の制御ができる点で有用であるからである。以下、このような光配向膜について説明する。
光配向膜は、後述する光配向膜の構成材料を塗布した基板に偏光を制御した光を照射し、光励起反応(分解、異性化、二量化)を生じさせて得られた膜に異方性を付与することによりその膜上の液晶分子を配向させるものである。
本発明においては、上記第2配向膜上に、反応性液晶を固定化してなる第2反応性液晶層が形成されていてもよい。この場合、上記反応性液晶側基板の反応性液晶層を構成する反応性液晶と、対向基板の第2反応性液晶層を構成する反応性液晶とは、異なる組成であることが好ましい。反応性液晶は、上述したように、配向膜のみを用いた場合よりも効果的に強誘電性液晶の配向を制御することができるからである。また、上記反応性液晶層を構成する反応性液晶および上記第2反応性液晶層を構成する反応性液晶が異なる組成であることにより、ダブルドメイン等の配向欠陥の発生を抑制し、強誘電性液晶のモノドメイン配向を得ることができるからである。
次に、本発明に用いられる液晶層について説明する。本発明における液晶層は、強誘電性液晶を上記反応性液晶層および上記第2配向膜により挟持させることにより構成されている。上記液晶層に用いる強誘電性液晶は、カイラルスメクチックC相(SmC*)を発現するものであれば特に限定されるものではないが、強誘電性液晶の相系列が、ネマチック相(N)−コレステリック相(Ch)−カイラルスメクチックC相(SmC*)、またはネマチック相(N)−カイラルスメクチックC相(SmC*)と相変化し、スメクチックA相(SmA)を経由しない材料であることが好ましい。
次に、本発明に用いられる偏光板について説明する。本発明における偏光板は、光の波動のうち特定方向のみを透過させるものであれば特に限定されるものではなく、一般に液晶表示素子の偏光板として用いられているものを使用することができる。
次に、本発明の液晶表示素子の製造方法について説明する。本発明の液晶表示素子は、液晶表示素子の製造方法として一般に用いられる方法により製造することができる。以下、本発明の液晶表示素子の製造方法の一例として、TFT素子を用いたアクティブマトリックス方式の液晶表示素子の製造方法について説明する。
次に、本発明の液晶表示素子の用途について説明する。本発明の液晶表示素子は、薄膜トランジスタ(TFT)を用いたアクティブマトリックス方式により駆動させることが好ましく、さらにカラーフィルタ方式またはフィールドシーケンシャルカラー方式を採用することによりカラーの液晶表示素子とすることができる。本発明においては、TFT基板側または共通電極基板側にマイクロカラーフィルタを配置することにより、カラー表示が可能であるが、強誘電性液晶の高速応答性を利用することにより、マイクロカラーフィルタを用いることなく、LED光源と組み合わせてフィールドシーケンシャルカラー方式によるカラー表示が可能になる。また、本発明の液晶表示素子を用いたカラーの液晶表示素子は、配向欠陥を生じることなく強誘電性液晶を配向させることができるので、視野角が広く、高速応答性を有し、高精細なカラー表示を実現することができる。
配向膜の材料としては、下記式Iで表される化合物Aを用い、反応性液晶層の液晶材料としては、下記式IIで表される化合物Bを用いた。
反応性液晶層の液晶材料としては、上記式IIで表される化合物Bを用いた。
配向膜の材料としては、上記式Iで表される化合物Aを用い、反応性液晶層の液晶材料としては、下記式IIIで表される化合物Cを用いた。
反応性液晶層の液晶材料としては、上記式IIIで表される化合物Cを用いた。
日産化学工業(株)製のポリイミド「RN1199」をITOでコーティングされた2枚のガラス基板に回転数4000rpmで30秒スピンコーティングした。オーブンで180℃、10分間乾燥させた後、偏光紫外線を25℃で100J/cm2露光した。さらに、片方の基板にシクロペンタノンに溶解した2重量%の化合物Cの溶液を回転数4000rpmで30秒スピンコーティングして積層し、55℃で3分間乾燥させた後、無偏光紫外線を55℃で1000mJ/cm2露光した。その後、上記に示した方法でセルを組み、液晶を注入したところ、配向欠陥のないモノドメイン配向が得られた。
配向膜の材料としては、上記式Iで表される化合物Aを用い、反応性液晶層の液晶材料としては、上記式IIで表される化合物B、および上記式IIIで表される化合物Cを用いた。
シクロペンタノンに溶解した2重量%の化合物Aの溶液をITOでコーティングされた2枚のガラス基板に回転数4000rpmで30秒スピンコーティングした。オーブンで180℃、10分間乾燥させた後、偏光紫外線を25℃で基板面に対して30°の角度より100mJ/cm2露光した。さらに、片方の基板にシクロペンタノンに溶解した2重量%の化合物Bの溶液を、もう片方の基板にはシクロペンタノンに溶解した2重量%の化合物Cの溶液を回転数4000rpmで30秒スピンコーティングして積層し、55℃で3分間乾燥させた後、無偏光紫外線を55℃で1000mJ/cm2露光した。その後、上記に示した方法でセルを組み、液晶を注入したところ、配向欠陥のないモノドメイン配向が得られた。
配向膜の材料としては、上記式Iで表される化合物Aを用いた。
配向膜の材料としては、日産化学工業(株)製のポリイミド「RN1199」を用い、ITOでコーティングされた2枚のガラス基板に回転数4000rpmで30秒スピンコーティングした。オーブンで180℃、10分間乾燥させた後、偏光紫外線を25℃で100J/cm2露光した。その後、上記に示した方法でセルを組み、液晶を注入したところ、モノドメイン配向は得られず、ダブルドメインやジグザグ欠陥、ヘアピン欠陥などの配向欠陥が発生した。
1b … 第2基板
2a、2b … 電極層
3a … 第1配向膜
3b … 第2配向膜
4 … 反応性液晶層
5 … 液晶層
6a、6b … 偏光板
11 … 反応性液晶側基板
12 … 対向基板
Claims (13)
- 第1基板と、前記第1基板上に形成された電極層と、前記電極層上に形成された第1配向膜と、前記第1配向膜上に形成され、反応性液晶を固定化してなる反応性液晶層とを有する反応性液晶側基板、および、第2基板と、前記第2基板上に形成された電極層と、前記電極層上に形成された第2配向膜とを有する対向基板を、前記反応性液晶側基板の反応性液晶層と前記対向基板の第2配向膜とが向かい合うように配置し、前記反応性液晶側基板および前記対向基板間に強誘電性液晶を挟持してなることを特徴とする液晶表示素子。
- 前記第2配向膜上に、反応性液晶を固定化してなる第2反応性液晶層が形成されており、前記反応性液晶層を構成する反応性液晶および前記第2反応性液晶層を構成する反応性液晶は、異なる組成であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。
- 前記反応性液晶は、ネマチック相を発現するものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の液晶表示素子。
- 前記反応性液晶は、重合性液晶モノマーを有することを特徴とする請求項3に記載の液晶表示素子。
- 前記重合性液晶モノマーは、モノアクリレートモノマーまたはジアクリレートモノマーであることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示素子。
- 前記第1配向膜および前記第2配向膜が、光配向膜であることを特徴とする請求項1から請求項7までのいずれかの請求項に記載の液晶表示素子。
- 前記強誘電性液晶は、単安定性を示すものであることを特徴とする請求項1から請求項8までのいずれかの請求項に記載の液晶表示素子。
- 前記強誘電性液晶は、相系列にスメクチックA相を持たないものであることを特徴とする請求項1から請求項9までのいずれかの請求項に記載の液晶表示素子。
- 前記強誘電性液晶は、単一相を構成するものであることを特徴とする請求項1から請求項10までのいずれかの請求項に記載の液晶表示素子。
- 薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリックス方式により駆動させることを特徴とする請求項1から請求項11までのいずれかの請求項に記載の液晶表示素子。
- フィールドシーケンシャルカラー方式により駆動させることを特徴とする請求項1から請求項12までのいずれかの請求項に記載の液晶表示素子。
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