JP2005252128A - Magnetic substance sintered body, manufacturing method thereof, and electronic component - Google Patents

Magnetic substance sintered body, manufacturing method thereof, and electronic component Download PDF

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Hidekazu Maeda
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a magnetic substance sintered body that has a low dielectric constant, suppresses the lowering of relative magnetic permeability, and is suitable for a high frequency band. <P>SOLUTION: An Ni-Zn-Cu ferrite material, Si-B glass (or Si-B-K glass) and Si-Zn-Al-Ba glass are mixed and wet-crushed so that a content of Si-B glass (or Si-B-K glass) becomes 5 to 14 wt.%, a content of Si-Zn-Al-Ba glass becomes 5 to 150 wt.% in a Ni-Cu-Zn ferrite material for 100 wt.%, sintering treatment is then performed after molding, and a magnetic substance sintered body is manufactured. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、高周波帯域での使用に適した磁性体焼結体の製造方法、及びこの製造方法を使用して製造された磁性体焼結体、並びにこの磁性体焼結体を使用した積層インダクタ等の電子部品に関する。   The present invention relates to a method of manufacturing a magnetic sintered body suitable for use in a high frequency band, a magnetic sintered body manufactured using the manufacturing method, and a multilayer inductor using the magnetic sintered body It is related with electronic parts.

従来より、各種磁性体材料は、その優れた磁気特性から各種磁心材料として広く使用されている。   Conventionally, various magnetic materials have been widely used as various magnetic core materials because of their excellent magnetic properties.

そして、この種の磁性体材料として、Ni系フェライト材料にホウケイ酸ガラスを15〜75wt%含有させたフェライト焼結体が提案されている(特許文献1)。   As a magnetic material of this type, a ferrite sintered body in which 15 to 75 wt% of borosilicate glass is contained in a Ni-based ferrite material has been proposed (Patent Document 1).

特許第2691715号明細書Japanese Patent No. 2691715

特許文献1のフェライト焼結体では、上述したようにホウケイ酸ガラスをNi系フェライト材料に含有させており、比誘電率が4〜7の低誘電率のホウケイ酸ガラスを使用した場合は、Ni系フェライト材料の低誘電率化を実現することが可能となり、導体パターン間の浮遊容量を減少させることができるため、高いインピーダンスZを得ることができ、100MHz以上の高周波帯に適した積層インダクタを得ることが可能となる。   In the ferrite sintered body of Patent Document 1, borosilicate glass is contained in a Ni-based ferrite material as described above, and when a low dielectric constant borosilicate glass having a relative dielectric constant of 4 to 7 is used, Ni It is possible to reduce the dielectric constant of the ferrite material, and to reduce the stray capacitance between the conductor patterns, so that a high impedance Z can be obtained, and a multilayer inductor suitable for a high frequency band of 100 MHz or more can be obtained. Can be obtained.

しかしながら、上述したホウケイ酸ガラスは、熱膨張係数が30×10−7/℃であるのに対し、Ni系フェライト材料の熱膨張係数は80〜100×10−7/℃であり、したがってホウケイ酸ガラスの熱膨張係数はNi系フェライトの熱膨張係数に比べて小さく、このため焼成処理時に残留応力が発生し、斯かる残留応力に起因して磁性体材料の比透磁率が低下してしまうという問題点があった。 However, the above-described borosilicate glass has a thermal expansion coefficient of 30 × 10 −7 / ° C., whereas the Ni-based ferrite material has a thermal expansion coefficient of 80 to 100 × 10 −7 / ° C., and thus borosilicate. The thermal expansion coefficient of glass is smaller than the thermal expansion coefficient of Ni-based ferrite, so that residual stress is generated during the firing process, and the relative permeability of the magnetic material is reduced due to such residual stress. There was a problem.

また、積層インダクタ等の積層セラミック電子部品の内部導体としてAgを使用した場合、ホウケイ酸ガラスはAgを拡散し易いことから、特に高温で使用した場合に特性劣化を招き易く、信頼性を損なうおそれがあるという問題点があった。   In addition, when Ag is used as the inner conductor of multilayer ceramic electronic components such as multilayer inductors, borosilicate glass tends to diffuse Ag. Therefore, characteristics are likely to deteriorate particularly when used at high temperatures, and reliability may be impaired. There was a problem that there was.

本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであって、比誘電率が小さく比透磁率の低下を抑制した高周波帯域に適した磁性体焼結体の製造方法、及び磁性体焼結体、並びに内部導体が拡散するのを防止して信頼性の優れた電子部品を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such problems, and a method for manufacturing a magnetic sintered body suitable for a high frequency band having a small relative dielectric constant and suppressing a decrease in relative permeability, and a magnetic body sintered body It is another object of the present invention to provide an electronic component with excellent reliability by preventing the inner conductor from diffusing.

本発明者らは上記目的を達成するために鋭意研究したところ、所定量のホウケイ酸系ガラスに加え、熱膨張係数がフェライト材料の熱膨張係数に近い所定量のSi−Zn−Al−Ba系ガラスをフェライト材料に添加して混合させることにより、比誘電率が小さくしかも比透磁率の低下を抑制することができ、さらに内部導体の拡散を阻止して信頼性の向上を図ることができる積層型の電子部品を得ることができるという知見を得た。   The present inventors have intensively studied to achieve the above object, and in addition to a predetermined amount of borosilicate glass, a predetermined amount of Si—Zn—Al—Ba system whose thermal expansion coefficient is close to the thermal expansion coefficient of the ferrite material. By adding glass to ferrite material and mixing it, it is possible to reduce the relative permittivity and suppress the decrease in relative permeability, and further improve the reliability by preventing the diffusion of the internal conductor Obtained knowledge that mold-type electronic components can be obtained.

本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る磁性体焼結体の製造方法は、フェライト材料とガラス成分とを混合し、その後成形加工を経て焼成処理を行ない、磁性体焼結体を製造する磁性体焼結体の製造方法において、前記ガラス成分は、ホウケイ酸系ガラスと、亜鉛酸化物、アルミニウム酸化物、及びバリウム酸化物を含有したケイ酸系ガラスとを含み、前記フェライト材料95〜86重量%に前記ホウケイ酸系ガラスを5〜14重量%添加すると共に、前記ケイ酸系ガラスを前記フェライト材料100重量部に対し5〜150重量部添加することを特徴としている。   The present invention has been made based on such knowledge, the method for producing a magnetic sintered body according to the present invention is to mix a ferrite material and a glass component, and then perform a firing process through a molding process, In the method for producing a magnetic body sintered body for producing a magnetic body sintered body, the glass component comprises borosilicate glass and silicate glass containing zinc oxide, aluminum oxide, and barium oxide. And 5 to 14% by weight of the borosilicate glass is added to 95 to 86% by weight of the ferrite material, and 5 to 150 parts by weight of the silicate glass is added to 100 parts by weight of the ferrite material. It is said.

また、本発明の磁性体焼結体の製造方法は、前記ホウケイ酸系ガラスが、ケイ素酸化物とホウ素酸化物とカリウム酸化物とを主成分とすることを特徴としている。   The method for producing a magnetic sintered body of the present invention is characterized in that the borosilicate glass contains silicon oxide, boron oxide, and potassium oxide as main components.

また、本発明の磁性体焼結体の製造方法は、前記フェライト材料が、ニッケル成分と亜鉛成分と銅成分とを含有していることを特徴としている。   The method for producing a magnetic sintered body according to the present invention is characterized in that the ferrite material contains a nickel component, a zinc component, and a copper component.

また、本発明に係る電子部品は、上記製造方法を使用して製造された磁性体焼結体からなるセラミック素体を具備していることを特徴としている。   In addition, an electronic component according to the present invention is characterized by including a ceramic body made of a magnetic sintered body manufactured using the above manufacturing method.

上記磁性体焼結体の製造方法、及び磁性体焼結体によれば、ホウケイ酸系ガラスを5〜14重量%と、亜鉛酸化物とアルミニウム酸化物とバリウム酸化物とを含有した熱膨張係数がフェライト材料に近いケイ酸系ガラスをフェライト材料100重量部に対し5〜150重量部添加しているので、焼成工程で残留応力が発生するのを極力回避することができ、比透磁率が低下するのを抑制することができるので、比誘電率が小さくしかも比透磁率の低下を抑制することができる磁性体焼結体を低温焼成して製造することができる。   According to the method for producing a magnetic sintered body and the magnetic body sintered body, a thermal expansion coefficient containing 5 to 14% by weight of borosilicate glass, zinc oxide, aluminum oxide, and barium oxide. Is added 5 to 150 parts by weight of silicate glass close to ferrite material with respect to 100 parts by weight of ferrite material, it is possible to avoid the generation of residual stress in the firing process as much as possible, and the relative permeability is reduced. Therefore, it is possible to manufacture a magnetic sintered body having a small relative dielectric constant and capable of suppressing a decrease in relative permeability by low-temperature firing.

また、本発明の電子部品は、上記製造方法を使用して製造されているので、当該電子部品はホウ素成分を含有していないケイ酸系ガラスの作用により、内部導体の導電成分にAgを使用した場合であってもAgの拡散を抑制することができ、信頼性の優れた電子部品を得ることができる。   In addition, since the electronic component of the present invention is manufactured using the above manufacturing method, the electronic component uses Ag as the conductive component of the inner conductor due to the action of the silicate glass not containing the boron component. Even in this case, the diffusion of Ag can be suppressed, and an electronic component with excellent reliability can be obtained.

次に、本発明の実施の形態を詳説する。   Next, an embodiment of the present invention will be described in detail.

本発明の一実施の形態としての磁性体焼結体は、Ni−Zn−Cu系フェライト材料と、SiO、ZnO、Al、及びBaOを含有したSi−Zn−Al−Ba系ガラスと、SiO及びBを含有したSi−B系ガラス(ホウケイ酸ガラス)とを含有している。 A magnetic body sintered body according to an embodiment of the present invention includes a Ni—Zn—Cu based ferrite material, and a Si—Zn—Al—Ba based glass containing SiO 2 , ZnO, Al 2 O 3 , and BaO. And Si—B-based glass (borosilicate glass) containing SiO 2 and B 2 O 3 .

そして、上記磁性体焼結体は、前記Si−B系ガラスの含有量が5〜14重量%、前記Si−Zn−Al−Ba系ガラスの含有量が前記Ni−Zn−Cu系フェライト100重量部に対し5〜150重量部となるようにそれぞれ調製されている。   In the magnetic sintered body, the content of the Si—B glass is 5 to 14% by weight, and the content of the Si—Zn—Al—Ba glass is 100% by weight of the Ni—Zn—Cu ferrite. It is prepared so that it may become 5-150 weight part with respect to a part.

Si−B系ガラス、及びSi−Zn−Al−Ba系ガラスを上述のように限定したのは以下の理由による。   The reason why the Si—B glass and the Si—Zn—Al—Ba glass are limited as described above is as follows.

(1)Si−B系ガラス
Si−B系ガラスをNi−Zn−Cu系フェライト材料に添加することにより、低温で焼成処理で磁性体焼結体を製造することが可能となる。
(1) Si-B-based glass By adding Si-B-based glass to a Ni-Zn-Cu-based ferrite material, it is possible to produce a magnetic sintered body by a firing process at a low temperature.

しかしながら、磁性体焼結体中におけるSi−B系ガラスの含有量が14重量%を超えると、Si−B系ガラスの含有量が多くなりすぎ、このため積層セラミック電子部品の内部導体にAgを使用した場合、Agの拡散が顕著になり、特に高温時、通電前後における直流抵抗Rdcの変化率が大きくなって信頼性の低下を招く。   However, if the content of Si-B glass in the sintered magnetic body exceeds 14% by weight, the content of Si-B glass increases too much, and therefore Ag is added to the inner conductor of the multilayer ceramic electronic component. When used, the diffusion of Ag becomes prominent, and particularly at high temperatures, the rate of change of the DC resistance Rdc before and after energization increases, leading to a decrease in reliability.

一方、Si−B系ガラスの含有量が5重量%未満になるとSi−B系ガラスの含有量が少ないため、比誘電率εが大きくなり、また低温焼結効果を発揮することができなくなる。   On the other hand, when the content of the Si-B glass is less than 5% by weight, the content of the Si-B glass is small, so that the relative dielectric constant ε increases and the low-temperature sintering effect cannot be exhibited.

そこで、本実施の形態では、Si−B系ガラスの含有量を5〜14重量%としている。   Therefore, in the present embodiment, the content of Si-B glass is set to 5 to 14% by weight.

(2)Si−Zn−Al−Ba系ガラス
Si−B系ガラスは低温焼結性には寄与するが、Si−B系ガラスとNi−Zn−Cu系フェライトの熱膨張係数の差異に起因した残留応力が原因で比透磁率μが低下し、インピーダンスZの低下を招く。
(2) Si-Zn-Al-Ba-based glass Si-B-based glass contributes to low-temperature sinterability, but is caused by the difference in thermal expansion coefficient between Si-B-based glass and Ni-Zn-Cu-based ferrite. Due to the residual stress, the relative magnetic permeability μ is lowered and the impedance Z is lowered.

すなわち、Ni−Zn−Cu系フェライト材料は、熱膨張係数が80〜100×10−7/℃であるのに対し、Si−B系ガラスの熱膨張係数が約30×10−7/℃であり、したがってSi−B系ガラスの熱膨張係数はNi−Zn−Cu系フェライト材料の熱膨張係数に比べて小さい。このため焼成時の残留応力に起因して磁性体焼結体の比透磁率μが低下し、インピーダンスZの低下を招く。 That is, the Ni—Zn—Cu ferrite material has a thermal expansion coefficient of 80 to 100 × 10 −7 / ° C., whereas the Si—B glass has a thermal expansion coefficient of about 30 × 10 −7 / ° C. Therefore, the thermal expansion coefficient of Si-B glass is smaller than that of Ni-Zn-Cu ferrite material. For this reason, the relative magnetic permeability μ of the magnetic sintered body is lowered due to the residual stress during firing, and the impedance Z is lowered.

したがって、残留応力の発生を極力防止するためには熱膨張係数が近いフェライトの熱膨張係数に近いガラス成分を混入させるのが望ましいと考えられる。   Therefore, in order to prevent the occurrence of residual stress as much as possible, it is desirable to mix a glass component close to the thermal expansion coefficient of ferrite having a similar thermal expansion coefficient.

そこで、本実施の形態では、熱膨張係数がフェライトの熱膨張係数(80〜100×10−7/℃)に近いSi−Zn−Al−Ba系ガラス(熱膨張係数:70〜80×10−7/℃)を磁性体焼結体中に含有させ、これにより焼成時の残留応力を小さくし、比透磁率μが低下するのを抑制している。 Therefore, in this embodiment, the thermal expansion coefficient of the thermal expansion coefficient of the ferrite (80~100 × 10 -7 / ℃) near Si-Zn-Al-Ba-based glass (thermal expansion coefficient: 70 to 80 × 10 - 7 / ° C.) is contained in the magnetic sintered body, thereby reducing the residual stress during firing and suppressing the relative permeability μ from being lowered.

しかしながら、Si−Zn−Al−Ba系ガラスが、Ni−Zn−Cu系フェライト材料100重量部に対し150重量部を超えてしまうと、Ni−Zn−Cu系フェライト材料に対するSi−Zn−Al−Ba系ガラスの含有量が過剰となり、却って比透磁率μが低下してしまい、インピーダンスZの低下を招く。   However, if the Si-Zn-Al-Ba-based glass exceeds 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the Ni-Zn-Cu-based ferrite material, the Si-Zn-Al- with respect to the Ni-Zn-Cu-based ferrite material. The content of the Ba glass becomes excessive, and the relative magnetic permeability μ is decreased, and the impedance Z is decreased.

一方、Si−Zn−Al−Ba系ガラスが、Ni−Zn−Cu系フェライト材料100重量部に対し5重量部未満になると、Ni−Zn−Cu系フェライト材料に対するガラス成分量が過少となり、内部導体の導電成分としてAgを使用して積層インダクタ等の積層セラミック電子部品を製造する場合、Agが拡散し易くなって通電前後における直流抵抗Rdcの変化率が大きくなり、電子部品の信頼性低下を招く。   On the other hand, when the Si—Zn—Al—Ba-based glass is less than 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the Ni—Zn—Cu-based ferrite material, the amount of the glass component relative to the Ni—Zn—Cu-based ferrite material becomes too small. When a multilayer ceramic electronic component such as a multilayer inductor is manufactured using Ag as a conductive component of a conductor, Ag easily diffuses, and the rate of change of the DC resistance Rdc before and after energization increases, reducing the reliability of the electronic component. Invite.

そこで、本実施の形態では、Si−Zn−Al−Ba系ガラスの含有量を、Ni−Zn−Cu系フェライト材料100重量部に対し5〜150重量部となるようにしている。   Therefore, in this embodiment, the content of the Si—Zn—Al—Ba-based glass is set to 5 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the Ni—Zn—Cu-based ferrite material.

このようにSi−B系ガラスの含有量を5〜14重量%、Si−Zn−Al−Ba系ガラスの含有量をNi−Zn−Cu系フェライト材料100重量部に対し5〜150重量部とすることにより、比誘電率εが高くなるのを回避しつつ比透磁率μの低下を抑制することができる。   Thus, the content of Si-B glass is 5 to 14% by weight, and the content of Si-Zn-Al-Ba glass is 5 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of Ni-Zn-Cu ferrite material. By doing so, it is possible to suppress a decrease in the relative permeability μ while avoiding an increase in the relative dielectric constant ε.

具体的には、比誘電率εが9以下であって比透磁率μが2以上の磁性体焼結体を得ることができ、これにより高周波帯域での使用に好適な積層インダクタ等の電子部品を得ることができる。   Specifically, a magnetic body sintered body having a relative permittivity ε of 9 or less and a relative permeability μ of 2 or more can be obtained, and thus an electronic component such as a multilayer inductor suitable for use in a high frequency band. Can be obtained.

尚、比誘電率εが9以下であって比透磁率μが2以上の磁性体焼結体が高周波帯域での使用に適しているのは以下の理由による。   A magnetic sintered body having a relative permittivity ε of 9 or less and a relative permeability μ of 2 or more is suitable for use in a high frequency band for the following reason.

一般に、浮遊容量Cによって生じるインピーダンスZは、数式(1)で表される。   In general, the impedance Z generated by the stray capacitance C is expressed by Equation (1).

Z=1/2πfC…(1)
ここで、fは周波数である。したがって、周波数fが高くなると浮遊容量Cを小さくしなければ高いインピーダンスZを得ることができず、例えば、4GHzの高周波帯域で高いインピーダンスZを得るためには、比誘電率μは9以下とする必要があり、特に8以下が望ましい。
Z = 1 / 2πfC (1)
Here, f is a frequency. Therefore, when the frequency f increases, a high impedance Z cannot be obtained unless the stray capacitance C is reduced. For example, in order to obtain a high impedance Z in a high frequency band of 4 GHz, the relative dielectric constant μ is set to 9 or less. In particular, 8 or less is desirable.

一方、共振点よりも低い周波数、例えば1GHzでは、比透磁率μが2以上を有さないと高いインピーダンスZを得ることができない。   On the other hand, at a frequency lower than the resonance point, for example, 1 GHz, a high impedance Z cannot be obtained unless the relative permeability μ is 2 or more.

しかるに、本実施の形態では、Si−B系ガラスの含有量を5〜14重量%、Si−Zn−Al−Ba系ガラスの含有量をNi−Zn−Cu系フェライト材料100重量部に対し5〜150重量部となるように調製しているので、比誘電率εが9以下、比透磁率μが2以上の高周波数帯域で使用可能な高インピーダンスの磁性体焼結体を得ることができる。   However, in this embodiment, the content of the Si—B glass is 5 to 14% by weight, and the content of the Si—Zn—Al—Ba glass is 5 to 100 parts by weight of the Ni—Zn—Cu ferrite material. Since it is prepared to be 150 parts by weight, a high-impedance magnetic sintered body that can be used in a high frequency band having a relative dielectric constant ε of 9 or less and a relative permeability μ of 2 or more can be obtained. .

次に、上記磁性体焼結体の製造方法を説明する。   Next, the manufacturing method of the said magnetic body sintered compact is demonstrated.

まず、フェライト素原料としてのNiO、ZnO、CuO、Feを所定量秤量した後、これら秤量物を粉砕媒体(例えば、部分安定化ジルコニア(PSZ))を内有したボールミルに投入して湿式で混合粉砕し、次いで乾燥・仮焼を行い、さらにこの仮焼物を再度ボールミルで十分に湿式粉砕し、乾燥し、これによりNi−Zn−Cu系フェライト材料(仮焼粉末)を作製する。 First, NiO, ZnO, CuO, and Fe 2 O 3 as ferrite raw materials are weighed in predetermined amounts, and then these weighed materials are put into a ball mill having a grinding medium (for example, partially stabilized zirconia (PSZ)). The mixture is pulverized wet, dried and calcined, and the calcined product is sufficiently wet pulverized again with a ball mill and dried to produce a Ni—Zn—Cu ferrite material (calcined powder).

また、HBO及びSiOを所定量秤量し、これら秤量物を1000〜1400℃で溶融させた後、急冷してガラス化させ、これを粗粉砕した後、微粉砕し、Si−B系ガラス(ガラスフリット)を作製する。 Further, H 3 BO 3 and SiO 2 are weighed in predetermined amounts, and these weighed products are melted at 1000 to 1400 ° C. and then rapidly cooled to vitrify. After coarsely pulverizing this, finely pulverizing, Si—B A system glass (glass frit) is produced.

さらに、SiO、ZnO、Al(OH)、及びBaCOを所定量秤量し、これら秤量物を1000〜1400℃で溶融させた後、急冷してガラス化させ、これを粗粉砕した後、微粉砕し、Si−Zn−Al−Ba系ガラス(ガラスフリット)を作製する。 Further, a predetermined amount of SiO 2 , ZnO, Al (OH) 3 , and BaCO 3 was weighed, and these weighed materials were melted at 1000 to 1400 ° C., and then rapidly cooled to vitrify. Finely pulverize to produce Si—Zn—Al—Ba-based glass (glass frit).

次に、Si−B系ガラスの含有量が5〜14重量%、Si−Zn−Al−Ba系ガラスの含有量がNi−Zn−Cu系フェライト材料100重量部に対し5〜150重量部となるように、Ni−Zn−Cu系フェライト材料、Si−B系ガラス、及びSi−Zn−Al−Ba系ガラスをそれぞれ秤量し、次いで、これら秤量物に所定量の分散剤を混ぜた純水を加え、ボールミルを使用して所定時間湿式で混合粉砕し、さらにバインダ樹脂や湿潤剤、可塑剤、消泡剤等を添加して所定時間湿式粉砕し、フェライトスラリーを作製する。   Next, the content of Si-B glass is 5 to 14% by weight, and the content of Si-Zn-Al-Ba glass is 5 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of Ni-Zn-Cu ferrite material. Thus, Ni—Zn—Cu based ferrite material, Si—B based glass, and Si—Zn—Al—Ba based glass were weighed, respectively, and then pure water in which a predetermined amount of dispersant was mixed with these weighed products. The mixture is pulverized by wet mixing for a predetermined time using a ball mill, and further added with a binder resin, a wetting agent, a plasticizer, an antifoaming agent, etc. and wet pulverized for a predetermined time to prepare a ferrite slurry.

次に、このフェライトスラリーに真空脱泡処理を施した後、ドクターブレード法等の成形加工法を使用して所定厚みの磁性体シートを作製する。   Next, the ferrite slurry is subjected to vacuum defoaming treatment, and then a magnetic sheet having a predetermined thickness is produced using a molding method such as a doctor blade method.

次いで、磁性体シートを所定寸法に切断した後、所定枚数積層して圧着し、積層体とし、該積層体に脱バインダ処理を施した後、温度860〜940℃で焼成処理を施し、これにより磁性体焼結体が製造される。   Next, after cutting the magnetic material sheet to a predetermined size, a predetermined number of layers are laminated and pressure-bonded to obtain a laminated body, and after the binder is removed from the laminated body, a baking treatment is performed at a temperature of 860 to 940 ° C. A magnetic sintered body is produced.

次に、上記磁性体焼結体を使用した電子部品としての積層インダクタについて詳述する。   Next, a multilayer inductor as an electronic component using the magnetic sintered body will be described in detail.

図1は積層インダクタの一実施の形態を示す斜視図であって、該積層インダクタは、フェライト素体1にコイル状の内部導体2が埋設され、かつフェライト素体1の両端部には外部導体3a、3bが形成されている。そして、内部導体2の一方の引出電極2aは外部導体3aに電気的に接続され、内部導体2の一方の引出電極2bは外部導体3bに電気的に接続されている。   FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a multilayer inductor. In the multilayer inductor, a coil-shaped inner conductor 2 is embedded in a ferrite element body 1 and outer conductors are provided at both ends of the ferrite element body 1. 3a and 3b are formed. One lead electrode 2a of the inner conductor 2 is electrically connected to the outer conductor 3a, and one lead electrode 2b of the inner conductor 2 is electrically connected to the outer conductor 3b.

上記積層インダクタは、以下のようにして製造される。   The multilayer inductor is manufactured as follows.

まず、上述した磁性体シート、及びAgを導電成分とした内部導体用導電性ペーストを用意する。   First, the above-described magnetic sheet and a conductive paste for an internal conductor using Ag as a conductive component are prepared.

次に、レーザ加工機を使用して磁性体シートの所定位置にビアホールを形成し、次いで前記導電ペーストを使用して磁性体シートにスクリーン印刷を施し、コ字状の導電パターンを磁性体シートの表面に形成する。次に、コイル状の内部導体2が形成されるように、導電パターンの形成された複数枚の磁性体シートを適宜積層し、その後導電パターンの形成されていない磁性体シートを積層し、圧着して積層体を作製する。次いで、この磁性体シートを所定寸法に切断した後、温度約500℃で熱処理を施して脱バインダ処理を行ない、次いで、大気中温度860〜940℃で焼成処理を施し、これによりフェライト素体1が製造される。   Next, a via hole is formed at a predetermined position of the magnetic sheet using a laser processing machine, and then screen printing is performed on the magnetic sheet using the conductive paste, so that the U-shaped conductive pattern is formed on the magnetic sheet. Form on the surface. Next, a plurality of magnetic sheets on which conductive patterns are formed are appropriately laminated so that the coiled inner conductor 2 is formed, and then a magnetic sheet on which no conductive patterns are formed is laminated and crimped. To produce a laminate. Next, the magnetic material sheet is cut to a predetermined size, and then heat treated at a temperature of about 500 ° C. to remove the binder, followed by a firing treatment at an atmospheric temperature of 860 to 940 ° C. Is manufactured.

そしてこの後、導電成分としてAgを含有した外部導体用導電性ペーストをし、該外部電極用導電性ペーストを前記フェライト素体1の両端部に塗布した後、焼付け処理を行なって外部導体3a、3bを形成し、これにより積層インダクタが製造される。   After that, a conductive paste for outer conductor containing Ag as a conductive component is applied, and the conductive paste for external electrode is applied to both end portions of the ferrite element body 1 and then subjected to a baking treatment to perform outer conductor 3a, 3b is formed, whereby a multilayer inductor is manufactured.

このようにして製造された積層インダクタは、Si−B系ガラスの含有量が5〜14重量%、Si−Zn−Al−Ba系ガラスの含有量がNi−Zn−Cu系フェライト材料100重量部に対し5〜150重量部の磁性体焼結体からなるフェライト素体1を具備しているので、比誘電率εが9以下であって比透磁率μが2以上の高インピーダンスを有する積層インダクタを得ることができる。また、このようにSi−B系ガラス、及びSi−Zn−Al−Ba系ガラスを配合することにより、Agの拡散が抑制され、通電前後の直流抵抗Rdcの変化率も抑制することができ、信頼性の優れた積層インダクタを得ることができる。   In the multilayer inductor thus manufactured, the content of the Si—B glass is 5 to 14% by weight, and the content of the Si—Zn—Al—Ba glass is 100 parts by weight of the Ni—Zn—Cu ferrite material. 5 to 150 parts by weight of the ferrite element body 1 made of a sintered magnetic body, the multilayer inductor has a high impedance with a relative dielectric constant ε of 9 or less and a relative permeability μ of 2 or more. Can be obtained. Moreover, by blending Si-B glass and Si-Zn-Al-Ba glass in this way, Ag diffusion is suppressed, and the rate of change in DC resistance Rdc before and after energization can also be suppressed. A highly reliable multilayer inductor can be obtained.

また、本実施の形態によれば、上述したように比透磁率μを2以上に大きくすることができるため、インダクタンスLを高くすることができる。   Further, according to the present embodiment, as described above, the relative permeability μ can be increased to 2 or more, so that the inductance L can be increased.

すなわち、インダクタンスLは、数式(2)で表される。   That is, the inductance L is expressed by the formula (2).

L=(A/1)×μ×N×K…(2)
ここで、Aはコイル断面積、lはコイル長、Nはコイルのターン数、Kは定数である。
L = (A / 1) × μ × N 2 × K (2)
Here, A is the coil cross-sectional area, l is the coil length, N is the number of turns of the coil, and K is a constant.

このようにインダクタンスLは比透磁率μに比例することから、比透磁率μが大きくなるとインダクタンスLを高くすることができ、したがって、積層インダクタの小型化を図ることが可能となる。   Since the inductance L is proportional to the relative permeability μ as described above, the inductance L can be increased when the relative permeability μ is increased. Therefore, the multilayer inductor can be reduced in size.

尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。   The present invention is not limited to the above embodiment.

また、上記実施の形態ではホウケイ酸系ガラスとしてSiOとBとを含有したSi−B系ガラスを使用したが、これらにKO等のアルカリ金属酸化物を添加したホウケイ酸ガラスを使用しても同様の作用効果を奏することができる。 In the above embodiment using Si-B-based glass containing an SiO 2 and B 2 O 3 as a borosilicate glass, but borosilicate glass These added alkali metal oxide of K 2 O, etc. The same effect can be obtained even if is used.

次に、本発明の実施例を具体的に説明する。   Next, examples of the present invention will be specifically described.

まず、フェライト素原料として、NiO、ZnO、CuO、FeをNiO:26重量%、ZnO:4重量%、CuO:7重量%、Fe:63重量%となるように秤量し、これら秤量物をPSZが内有されたボールミルに投入し 湿式で混合粉砕し、次いで乾燥・仮焼を行い、さらにこの仮焼物を再度ボールミルで十分に湿式粉砕し、乾燥し、これにより平均粒径が0.5μmのNi−Zn−Cu系フェライト材料を作製した。 First, NiO, ZnO, CuO, and Fe 2 O 3 were weighed as NiO: 26 wt%, ZnO: 4 wt%, CuO: 7 wt%, and Fe 2 O 3 : 63 wt% as ferrite raw materials. Then, these weighed materials are put into a ball mill containing PSZ, mixed and pulverized by wet, then dried and calcined, and this calcined material is sufficiently wet pulverized again by a ball mill and dried, whereby the average particle size is reduced. A Ni—Zn—Cu ferrite material having a diameter of 0.5 μm was produced.

また、HBO及びSiOをHBO:20重量%、SiO:80重量%となるように秤量し、これら秤量物を1000℃で溶融させた後、急冷してガラス化させ、これを粗粉砕した後、微粉砕し、平均粒径が3μmのSi−B系ガラスを作製した。 Further, H 3 BO 3 and SiO 2 were weighed so that H 3 BO 3 : 20 wt% and SiO 2 : 80 wt% were melted at 1000 ° C., and then rapidly cooled to vitrify. This was coarsely pulverized and then finely pulverized to produce Si-B glass having an average particle size of 3 μm.

さらに、SiO、ZnO、Al(OH)、及びBaCOをSiO:40重量%、ZnO:16重量%、Al(OH):4重量%、BaCO:40重量%となるように秤量し、これら秤量物を1000℃で溶融させた後、急冷してガラス化させ、これを粗粉砕した後、微粉砕し、平均粒径が1.5μmのSi−Zn−Al−Ba系ガラスを作製した。 Further, SiO 2 , ZnO, Al (OH) 3 , and BaCO 3 should be SiO 2 : 40 wt%, ZnO: 16 wt%, Al (OH) 3 : 4 wt%, BaCO 3 : 40 wt%. These weighed materials were melted at 1000 ° C., then rapidly cooled to vitrify them, coarsely pulverized, then finely pulverized, and Si—Zn—Al—Ba-based glass having an average particle diameter of 1.5 μm. Was made.

次に、これらNi−Zn−Cu系フェライト材料、Si−B系ガラス、及びSi−Zn−Al−Ba系ガラスを表1のような配合比率となるように秤量した。すなわち、Si−B系ガラス:1〜50重量%、Si−Zn−Al−Ba系ガラス:フェライト100重量部に対し1〜200重量部、Ni−Zn−Cu系フェライト材料:残部となるようにNi−Zn−Cu系フェライト材料、Si−B系ガラス、及びSi−Zn−Al−Ba系ガラスを秤量した。   Next, these Ni—Zn—Cu based ferrite materials, Si—B based glass, and Si—Zn—Al—Ba based glass were weighed so as to have a blending ratio as shown in Table 1. That is, Si—B glass: 1 to 50% by weight, Si—Zn—Al—Ba glass: 1 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of ferrite, and Ni—Zn—Cu ferrite material: remainder. Ni-Zn-Cu ferrite material, Si-B glass, and Si-Zn-Al-Ba glass were weighed.

次に、この秤量物に、分散剤のとしてのポリカルボン酸系アンモニウム塩、及び純水を加え、PSZが内有されたボールミルに投入し、6〜12時間湿式粉砕した。そしてさらに、バインダ樹脂としてのアクリル樹脂、湿潤剤、可塑剤、消泡剤を添加して0.5〜1時間湿式粉砕し、フェライトスラリーを作製した。次いで、このフェライトスラリーを400メッシュの網目を通過させて真空脱泡を行い、その後ドクターブレード法を使用して成形加工を施し、膜厚30〜60μmの磁性体シートを作製した。   Next, a polycarboxylic acid-based ammonium salt as a dispersant and pure water were added to this weighed product, put into a ball mill containing PSZ, and wet pulverized for 6 to 12 hours. Further, an acrylic resin as a binder resin, a wetting agent, a plasticizer, and an antifoaming agent were added and wet pulverized for 0.5 to 1 hour to prepare a ferrite slurry. Next, the ferrite slurry was passed through a 400-mesh mesh for vacuum defoaming and then subjected to molding using a doctor blade method to produce a magnetic sheet with a film thickness of 30 to 60 μm.

次に、この磁性体シートを短冊状に切断した後、レーザ加工機を使用して磁性体シートの所定位置にビアホールを穿設し、次いで、Agを主成分とする内部導体用導電性ペーストを磁性体シートにスクリーン印刷してコ字状の導体パターンを形成した。そしてこの後、導体パターンの形成された磁性体シートを所定枚数積層し、導体パターンの形成されていない磁性体シートで挟持・圧着し、所定寸法に切断し、フェライト積層体を得た。そしてこのフェライト積層体を大気中、温度500℃に加熱して脱バインダ処理を行ない、さらに大気中、温度860〜940℃で焼成処理を行なってフェライト素体を作製し、その後Agを主成分とする外部電極ペーストを塗布し、ベルト炉で温度850〜900℃で焼付け処理を行ない、縦1.0mm、横0.5mm、厚み0.5mmからなる試料番号1〜36の積層インダクタを作製した。   Next, after cutting the magnetic sheet into strips, a via hole is drilled at a predetermined position of the magnetic sheet using a laser processing machine, and then the conductive paste for the inner conductor mainly composed of Ag is formed. A U-shaped conductor pattern was formed by screen printing on a magnetic sheet. After that, a predetermined number of magnetic sheets on which conductor patterns were formed were laminated, sandwiched and pressed with a magnetic sheet on which no conductor patterns were formed, and cut into predetermined dimensions to obtain a ferrite laminate. And this ferrite laminated body is heated to a temperature of 500 ° C. in the atmosphere to perform a binder removal treatment, and further subjected to a firing treatment in the atmosphere at a temperature of 860 to 940 ° C. to produce a ferrite body, and then Ag is a main component. The external electrode paste was applied and baked at a temperature of 850 to 900 ° C. in a belt furnace to produce a multilayer inductor having sample numbers 1 to 36 having a length of 1.0 mm, a width of 0.5 mm, and a thickness of 0.5 mm.

次に、各試料1〜36の比誘電率及び比透磁率をインピーダンスアナライザーで測定した。   Next, the relative dielectric constant and relative magnetic permeability of each sample 1 to 36 were measured with an impedance analyzer.

また、各試料1〜36について、WDX(波長分散型X線分析法)を用いたマッピング分析で内部導体(Ag)の拡散の有無を観察した。   Moreover, about each sample 1-36, the presence or absence of the spreading | diffusion of an internal conductor (Ag) was observed by the mapping analysis using WDX (wavelength dispersion type X-ray analysis method).

さらに、各試料1〜36を温度125℃の高温槽に浸漬し、150mAの電流を1000時間通電し、通電前後の直流抵抗Rdcを計測し、その変化率から信頼性を評価した。   Furthermore, each sample 1-36 was immersed in a high-temperature bath at a temperature of 125 ° C., a current of 150 mA was passed for 1000 hours, a DC resistance Rdc before and after the current flow was measured, and reliability was evaluated from the rate of change.

表1は各試料1〜36のガラス含有量と、測定結果(比誘電率μ、比透磁率ε、内部導体の拡散有無、信頼性評価)を示している。

Figure 2005252128
尚、信頼性評価は、直流抵抗Rdcの変化率が±10%未満を「○(良)」、±10%以上を「×(不良)」と評価した。 Table 1 shows the glass content of each sample 1 to 36 and the measurement results (relative permittivity μ, relative permeability ε, presence / absence of diffusion of internal conductor, reliability evaluation).
Figure 2005252128
In the reliability evaluation, a change rate of the DC resistance Rdc of less than ± 10% was evaluated as “◯ (good)”, and ± 10% or more was evaluated as “x (defective)”.

この表1から明らかなように、試料番号1〜6は、Si−Zn−Al−Ba系ガラスの含有量が、Ni−Zn−Cu系フェライト材料100重量部に対し1重量部と少ないため、Si−B系ガラスの影響を受けて内部導体の拡散が認められ、通電前後の直流抵抗Rdcの変化率も大きく信頼性評価も不良であった。しかも、試料番号1は、Si−B系ガラスの含有量も1重量%と少ないため比誘電率εは10を超えた。   As apparent from Table 1, the sample numbers 1 to 6 have a Si-Zn-Al-Ba-based glass content of 1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the Ni-Zn-Cu-based ferrite material. Under the influence of the Si-B glass, diffusion of the inner conductor was recognized, the rate of change of the DC resistance Rdc before and after energization was large, and the reliability evaluation was poor. Moreover, since Sample No. 1 has a low Si-B glass content of 1% by weight, the relative dielectric constant ε exceeded 10.

試料番号11、12、17、18、23、及び24は、Si−Zn−Al−Ba系ガラスについては、Ni−Zn−Cu系フェライト材料100重量部に対し5〜150重量部であり本発明範囲内であるが、Si−B系ガラスの含有量が20重量%又は50重量%と多いため、内部導体の拡散が認められ、通電前後の直流抵抗Rdcの変化率も大きく信頼性評価も不良であった。   Sample numbers 11, 12, 17, 18, 23, and 24 are 5 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the Ni—Zn—Cu based ferrite material for Si—Zn—Al—Ba based glass. Although it is within the range, the content of Si-B glass is as high as 20% by weight or 50% by weight, so diffusion of the internal conductor is recognized, the rate of change of DC resistance Rdc before and after energization is large, and the reliability evaluation is also poor. Met.

試料番号7、13、19、及び25は、Si−Zn−Al−Ba系ガラスについては、Ni−Zn−Cu系フェライト材料100重量部に対し5〜150重量部であり本発明範囲内であるが、Si−B系ガラスの含有量が1重量%と少ないため、比誘電率εが9〜10と大きくなった。   Sample Nos. 7, 13, 19, and 25 are 5 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the Ni—Zn—Cu ferrite material for Si—Zn—Al—Ba glass, and are within the scope of the present invention. However, since the content of Si-B glass was as low as 1% by weight, the relative dielectric constant ε was increased to 9-10.

試料番号29、30は、Si−Zn−Al−Ba系ガラスについては、Ni−Zn−Cu系フェライト材料100重量部に対し150重量部であり本発明範囲内であるが、Si−B系ガラスの含有量が20重量%、又は50重量%と多いため、比透磁率μが2以下となり、しかも内部導体の拡散が認められ、通電前後の直流抵抗Rdcの変化率も大きく信頼性評価も不良であった。   Sample numbers 29 and 30 are about 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the Ni-Zn-Cu ferrite material for the Si-Zn-Al-Ba-based glass, and are within the scope of the present invention. Content is as high as 20% by weight or 50% by weight, the relative permeability μ is 2 or less, diffusion of the internal conductor is recognized, the rate of change of the DC resistance Rdc before and after energization is large, and the reliability evaluation is poor. Met.

試料番号31〜36は、Si−Zn−Al−Ba系ガラスの含有量が、Ni−Zn−Cu系フェライト材料100重量部に対し200重量部と多いため、比透磁率μが2未満に低下した。特に、試料番号35、36はSi−B系ガラスの含有量が20重量%、又は50重量%と多いため、内部導体の拡散も認められ、通電前後の直流抵抗Rdcの変化率も大きく信頼性評価も不良であった。   In Sample Nos. 31 to 36, since the content of the Si—Zn—Al—Ba-based glass is as large as 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the Ni—Zn—Cu-based ferrite material, the relative permeability μ decreases to less than 2. did. In particular, Sample Nos. 35 and 36 have a Si-B glass content as high as 20% by weight or 50% by weight, so that diffusion of the internal conductor is also observed, and the rate of change of the DC resistance Rdc before and after energization is also large and reliable. Evaluation was also poor.

これに対し試料番号8〜10、14〜16、20〜22、26〜28は、Si−B系ガラスの含有量が5〜14重量%、Si−Zn−Al−Ba系ガラスの含有量が、Ni−Zn−Cu系フェライト材料100重量部に対し5〜150重量部であり、いずれも本発明範囲内であるので、比誘電率εは9以下、比透磁率μは2以上であり、また内部導体の拡散も認められず、通電前後の直流抵抗Rdcの変化率も±10%以内となって小さく、信頼性評価も良好であった。   On the other hand, sample numbers 8 to 10, 14 to 16, 20 to 22, and 26 to 28 have a Si-B glass content of 5 to 14% by weight and a Si-Zn-Al-Ba glass content. , 5 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the Ni—Zn—Cu based ferrite material, both of which are within the scope of the present invention, the relative permittivity ε is 9 or less, the relative permeability μ is 2 or more, In addition, no diffusion of the inner conductor was observed, the rate of change of the DC resistance Rdc before and after energization was as small as ± 10%, and the reliability evaluation was good.

ホウケイ酸ガラスとしてSi−B−K系ガラスを使用し、上述と同様にして積層インダクタを作製し、特性を評価した。   Using a Si—B—K glass as the borosilicate glass, a multilayer inductor was produced in the same manner as described above, and the characteristics were evaluated.

すなわち、SiO、HBO、KCOをSiO:82重量%、HBO:14重量%、KCO:4重量%となるように秤量し、これら秤量物を1000℃で溶融させた後、急冷してガラス化させ、これを粗粉砕した後、微粉砕し、平均粒径が3μmのSi−B−K系ガラスを作製した。 That is, SiO 2 , H 3 BO 3 , and K 2 CO 3 were weighed so that SiO 2 : 82 wt%, H 3 BO 3 : 14 wt%, and K 2 CO 3 : 4 wt%. After melting at 1000 ° C., it was rapidly cooled to vitrify, coarsely pulverized, and then finely pulverized to produce Si—B—K glass having an average particle diameter of 3 μm.

次いで、〔実施例1〕で作製されたNi−Zn−Cu系フェライト材料、Si−Zn−Al−Ba系ガラス、及び上記Si−B−K系ガラスを表2のような配合比率となるように秤量し、以下、〔実施例1〕と同様の方法・手順で試料番号51〜86の積層インダクタを作製した。   Next, the Ni—Zn—Cu based ferrite material, Si—Zn—Al—Ba based glass, and the Si—B—K based glass produced in [Example 1] have the blending ratios shown in Table 2. Thereafter, multilayer inductors having sample numbers 51 to 86 were produced by the same method and procedure as in [Example 1].

次に、〔実施例1〕と同様の方法で、各試料51〜86の比誘電率ε、比透磁率μを測定し、さらに内部導体(Ag)の拡散の有無、及び信頼性を評価した。   Next, the relative permittivity ε and relative permeability μ of each of the samples 51 to 86 were measured by the same method as in [Example 1], and the presence / absence of diffusion of the internal conductor (Ag) and the reliability were evaluated. .

表2は各試料51〜86のガラス含有量と、測定結果(比誘電率μ、比透磁率ε、内部導体の拡散有無、信頼性評価)を示している。

Figure 2005252128
尚、信頼性評価は、〔実施例1〕と同様、直流抵抗Rdcの変化率が±10%未満を「○(良)」、±10%以上を「×(不良)」と評価した。 Table 2 shows the glass content and measurement results (relative permittivity μ, relative permeability ε, diffusion of internal conductor, reliability evaluation) of each sample 51 to 86.
Figure 2005252128
As in the case of [Example 1], the evaluation of reliability was evaluated as “◯ (good)” when the rate of change of the DC resistance Rdc was less than ± 10% and “× (defect)” when ± 10% or more.

この表2から明らかなように〔実施例1〕と同様の特性結果を得た。   As is apparent from Table 2, the same characteristic results as in [Example 1] were obtained.

すなわち、試料番号51〜56は、Si−Zn−Al−Ba系ガラスの含有量が、Ni−Zn−Cu系フェライト材料100重量部に対し1重量部と少ないため、内部導体の拡散が認められ、通電前後の直流抵抗Rdcの変化率も大きく信頼性評価も不良であった。しかも、試料番号51は、Si−B系ガラスの含有量も1重量%と少ないため比誘電率εは10を超えた。   That is, in the sample numbers 51 to 56, the content of the Si—Zn—Al—Ba-based glass is as small as 1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the Ni—Zn—Cu-based ferrite material. The rate of change in DC resistance Rdc before and after energization was large and the reliability evaluation was poor. In addition, since the sample No. 51 has a low Si-B glass content of 1% by weight, the relative dielectric constant ε exceeded 10.

試料番号61、62、67、68、73、及び74は、Si−Zn−Al−Ba系ガラスについては、Ni−Zn−Cu系フェライト材料100重量部に対し5〜150重量部であり本発明範囲内であるが、Si−B系ガラスの含有量が20重量%又は50重量%と多いため、内部導体の拡散が認められ、通電前後の直流抵抗Rdcの変化率も大きく信頼性評価も不良であった。   Sample numbers 61, 62, 67, 68, 73, and 74 are 5 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the Ni—Zn—Cu ferrite material for Si—Zn—Al—Ba glass, and the present invention. Although it is within the range, the content of Si-B glass is as high as 20% by weight or 50% by weight, so diffusion of the internal conductor is recognized, the rate of change of DC resistance Rdc before and after energization is large, and the reliability evaluation is also poor. Met.

試料番号57、63、69、及び75は、Si−Zn−Al−Ba系ガラスについては、Ni−Zn−Cu系フェライト材料100重量部に対し5〜150重量部であり本発明範囲内であるが、Si−B系ガラスの含有量が1重量%と少ないため、比誘電率εが9〜10と大きくなった。   Sample numbers 57, 63, 69, and 75 are 5 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of Ni—Zn—Cu ferrite material for Si—Zn—Al—Ba glass, and are within the scope of the present invention. However, since the content of Si-B glass was as low as 1% by weight, the relative dielectric constant ε was increased to 9-10.

試料番号79、80は、Si−Zn−Al−Ba系ガラスについては、Ni−Zn−Cu系フェライト材料100重量部に対し150重量部であり本発明範囲内であるが、Si−B系ガラスの含有量が20重量%、又は50重量%と多いため、比透磁率μが2以下となり、しかも内部導体の拡散が認められ、通電前後の直流抵抗Rdcの変化率も大きく信頼性評価も不良であった。   Sample Nos. 79 and 80 are 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the Ni—Zn—Cu based ferrite material for the Si—Zn—Al—Ba based glass, and are within the scope of the present invention. Content is as high as 20% by weight or 50% by weight, the relative permeability μ is 2 or less, diffusion of the internal conductor is recognized, the rate of change of the DC resistance Rdc before and after energization is large, and the reliability evaluation is poor. Met.

試料番号81〜86は、Si−Zn−Al−Ba系ガラスの含有量が、Ni−Zn−Cu系フェライト材料100重量部に対し200重量部と多いため、比透磁率μが2未満に低下した。特に、試料番号85、86はSi−B系ガラスの含有量が20重量%、又は50重量%と多いため、内部導体の拡散も認められ、通電前後の直流抵抗Rdcの変化率も大きく信頼性評価も不良であった。   Sample Nos. 81 to 86 have a Si-Zn-Al-Ba glass content of 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the Ni-Zn-Cu ferrite material. did. In particular, Sample Nos. 85 and 86 have a high Si-B glass content of 20% by weight or 50% by weight, so that diffusion of the internal conductor is also observed, and the rate of change in DC resistance Rdc before and after energization is large and reliable. Evaluation was also poor.

これに対し試料番号58〜60、64〜66、70〜72、76〜78は、Si−B系ガラスの含有量が5〜14重量%、Si−Zn−Al−Ba系ガラスの含有量が、Ni−Zn−Cu系フェライト材料100重量部に対し5〜150重量部であり、いずれも本発明範囲内であるので、比誘電率εは9以下、比透磁率μは2以上であり、また内部導体の拡散も認められず、通電前後の直流抵抗Rdcの変化率も±10%以内と小さく信頼性評価も良好であった。   On the other hand, sample numbers 58 to 60, 64 to 66, 70 to 72, and 76 to 78 have a Si-B glass content of 5 to 14% by weight and a Si-Zn-Al-Ba glass content. , 5 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the Ni—Zn—Cu based ferrite material, both of which are within the scope of the present invention, the relative permittivity ε is 9 or less, the relative permeability μ is 2 or more, Further, no diffusion of the inner conductor was observed, and the rate of change of the DC resistance Rdc before and after energization was as small as ± 10%, and the reliability evaluation was good.

本発明に係る磁性体焼結体を使用して製造された電子部品としての積層インダクタの一実施の形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows one Embodiment of the multilayer inductor as an electronic component manufactured using the magnetic body sintered compact concerning this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 フェライト素体(磁性体焼結体) 1 Ferrite body (magnetic sintered body)

Claims (4)

フェライト材料とガラス成分とを混合し、その後成形加工を経て焼成処理を行ない、磁性体焼結体を製造する磁性体焼結体の製造方法において、
前記ガラス成分は、ホウケイ酸系ガラスと、亜鉛酸化物、アルミニウム酸化物、及びバリウム酸化物を含有したケイ酸系ガラスとを含み、
前記フェライト材料95〜86重量%に前記ホウケイ酸系ガラスを5〜14重量%添加すると共に、前記ケイ酸系ガラスを前記フェライト材料100重量部に対し5〜150重量部添加することを特徴とする磁性体焼結体の製造方法。
In the method of manufacturing a magnetic body sintered body, a ferrite material and a glass component are mixed, and then subjected to a firing process through a molding process to manufacture a magnetic body sintered body.
The glass component includes borosilicate glass and silicate glass containing zinc oxide, aluminum oxide, and barium oxide,
5 to 14% by weight of the borosilicate glass is added to 95 to 86% by weight of the ferrite material, and 5 to 150 parts by weight of the silicate glass is added to 100 parts by weight of the ferrite material. Manufacturing method of magnetic body sintered body.
前記ホウケイ酸系ガラスは、ケイ素酸化物とホウ素酸化物とカリウム酸化物とを主成分とすることを特徴とする請求項1記載の磁性体焼結体の製造方法。   The method for producing a sintered body of magnetic material according to claim 1, wherein the borosilicate glass contains silicon oxide, boron oxide, and potassium oxide as main components. 前記フェライト材料は、ニッケル成分と亜鉛成分と銅成分とを含有していることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の磁性体焼結体の製造方法。   The method for producing a magnetic sintered body according to claim 1 or 2, wherein the ferrite material contains a nickel component, a zinc component, and a copper component. 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の製造方法を使用して製造された磁性体焼結体からなるセラミック素体を具備していることを特徴とする電子部品。   An electronic component comprising a ceramic body made of a magnetic sintered body manufactured by using the manufacturing method according to any one of claims 1 to 3.
JP2004063508A 2004-03-08 2004-03-08 Magnetic substance sintered body, manufacturing method thereof, and electronic component Pending JP2005252128A (en)

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