JP2005250216A - Original plate for negative planographic printing plate and method of manufacturing planographic printing plate - Google Patents

Original plate for negative planographic printing plate and method of manufacturing planographic printing plate Download PDF

Info

Publication number
JP2005250216A
JP2005250216A JP2004061913A JP2004061913A JP2005250216A JP 2005250216 A JP2005250216 A JP 2005250216A JP 2004061913 A JP2004061913 A JP 2004061913A JP 2004061913 A JP2004061913 A JP 2004061913A JP 2005250216 A JP2005250216 A JP 2005250216A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
acid
printing plate
alkyl
lithographic printing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004061913A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4351933B2 (en
Inventor
Itaru Sakata
格 坂田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP2004061913A priority Critical patent/JP4351933B2/en
Publication of JP2005250216A publication Critical patent/JP2005250216A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4351933B2 publication Critical patent/JP4351933B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an original plate of a negative planographic printing plate excellent in processing, printing durability, especially suitable for laser beam lithography and for high resolution AM or FM screen printing requiring 200 or more screen lines, and also to provide a method of manufacturing a planographic printing plate, using the original plate. <P>SOLUTION: This original plate of a negative planographic printing plate has a polymerized layer and a protective layer, both formed in this order on a support base, and the protective layer contains polyvinyl alcohol having acid residue or salt of acid residue in the molecules. The method of manufacturing the planographic printing plate from the original plate, first exposes the original plate by scanning a laser beam emitting wavelengths from 300 to 1100 nm, then heats to 100°C or higher, rinses off the protective layer, and applies development. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明はネガ型平版印刷版原版およびこれを用いた平版印刷版の製版方法に関し、処理性、耐刷性等に優れ、特にレーザ光による描画に適し、スクリーン線数200線以上の高精細AMスクリーン印刷やFMスクリーン印刷に適したネガ型平版印刷版原版およびこれを用いた平版印刷版の製版方法に関する。   The present invention relates to a negative lithographic printing plate precursor and a lithographic printing plate making method using the same, and is excellent in processability, printing durability, etc., particularly suitable for drawing with laser light, and high-definition AM having a screen line number of 200 lines or more. The present invention relates to a negative lithographic printing plate precursor suitable for screen printing and FM screen printing, and a plate making method of a lithographic printing plate using the same.

従来、平版印刷版としては、親水性表面を有する支持体上に感光性樹脂層を設けた構成を有し、その製版方法として、通常は、リスフィルムを介して面露光(マスク露光)した後、非画像部を現像液により除去することにより所望の印刷版を得ていた。しかし近年のデジタル化技術により、レーザ光のような指向性の高い光をデジタル化された画像情報にしたがって版面に走査することで、リスフィルムを介することなく直接版面に露光処理を行うコンピュータートゥプレート(CTP)技術が開発され、またこれに適応した感光性平版印刷版が開発されている。
このようなレーザ光による露光に適した感光性平版印刷版として、重合性感光層を用いた感光性平版印刷版を挙げることができる。重合性感光層は光重合開始剤または重合開始系(以下、単に開始剤または開始系ともいう)を選択することで、他の従来の感光層に比べ高感度化が容易であるためである。
Conventionally, a lithographic printing plate has a structure in which a photosensitive resin layer is provided on a support having a hydrophilic surface. As a plate-making method, usually, surface exposure (mask exposure) is performed through a lithographic film. The desired printing plate was obtained by removing the non-image area with a developer. However, with recent digitization technology, computer-to-plate that directly exposes the plate without using a lith film by scanning the plate with highly directional light such as laser light according to the digitized image information. (CTP) technology has been developed and photosensitive lithographic printing plates adapted to this have been developed.
Examples of the photosensitive lithographic printing plate suitable for exposure with such laser light include a photosensitive lithographic printing plate using a polymerizable photosensitive layer. This is because the polymerizable photosensitive layer can be easily increased in sensitivity as compared with other conventional photosensitive layers by selecting a photopolymerization initiator or a polymerization initiator system (hereinafter also simply referred to as an initiator or an initiator system).

これら、感光性平版印刷版は多くの場合、光化学反応などによるラジカル発生により感光層中に含まれる重合性のモノマーがラジカル重合し、画像を形成するが、レーザ光だけでは印刷に耐えうる十分な強度の皮膜形成が難しく、レーザ光による描画の後、さらに100℃以上に加熱をする必要があった。   In these photosensitive lithographic printing plates, the polymerizable monomer contained in the photosensitive layer is radically polymerized by radical generation due to photochemical reaction or the like, and forms an image. However, the laser beam alone is sufficient to withstand printing. It was difficult to form a strong film, and it was necessary to further heat to 100 ° C. or higher after drawing with a laser beam.

また、これら重合性感光層は大気中の酸素の影響で、ラジカル反応が停止されることが確認されており、このような感光性層を有する平版印刷版は大気中の酸素を遮断する目的で、酸素透過性が極めて低い保護層を感光性層表面上に塗設する必要があった   In addition, it has been confirmed that the radical reaction of these polymerizable photosensitive layers is stopped by the influence of oxygen in the atmosphere, and the planographic printing plate having such a photosensitive layer is used for the purpose of blocking oxygen in the atmosphere. It was necessary to coat a protective layer with extremely low oxygen permeability on the surface of the photosensitive layer

特許文献1(特開2003−98674号公報)には、支持体上に、光重合開始剤、エチレン性不飽和二重結合を有する化合物、および高分子バインダーを含有する感光層、および酸素透過率が1×10-15[cm3(STP)・cm/cm2・sec・cmHg]以上の保護層を順次有する光重合性平版印刷版が開示されているが、ここでは、保護層としてケン化度が極めて高いポリビニルアルコールを主体とした保護層を使用していた。 Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-98674) discloses a photosensitive layer containing a photopolymerization initiator, a compound having an ethylenically unsaturated double bond, and a polymer binder on a support, and oxygen permeability. Has disclosed a photopolymerizable lithographic printing plate having a protective layer of 1 × 10 −15 [cm 3 (STP) · cm / cm 2 · sec · cmHg] or more in succession. A protective layer mainly composed of polyvinyl alcohol having a very high degree was used.

このような、ケン化度が高いポリビニルアルコールは、酸素遮断能力は優れているものの、加熱により、皮膜中のポリビニルアルコールが結晶化を起こし、水に対する溶解性が極度に低下することが確認されている。そのため、このような感光性平版印刷版は、ラジカル重合による十分な皮膜強度形成のために必要な100℃以上の加熱をすると、保護層が現像処理時に不溶化し、保護層の溶出を行う現像機の溶出不良・汚染や、現像不良を起こすという弊害があり、高強度な画像形成と、処理安定性の両立が難しかった。   Polyvinyl alcohol having a high degree of saponification has excellent oxygen blocking ability, but it has been confirmed that the polyvinyl alcohol in the film is crystallized by heating and the solubility in water is extremely reduced. Yes. Therefore, such a photosensitive lithographic printing plate is a developing machine in which, when heated at 100 ° C. or higher necessary for forming a sufficient film strength by radical polymerization, the protective layer is insolubilized during the development process and the protective layer is eluted. There are problems such as poor elution / contamination and development failure, and it has been difficult to achieve both high-strength image formation and processing stability.

特開2003−98674号公報JP 2003-98674 A

本発明の目的は、処理性、耐刷性等に優れ、特にレーザ光による描画に適し、スクリーン線数200線以上の高精細AMスクリーン印刷やFMスクリーン印刷に適したネガ型平
版印刷版原版およびこれを用いた平版印刷版の製版方法の提供にある。
An object of the present invention is a negative lithographic printing plate precursor excellent in processability, printing durability, etc., particularly suitable for drawing by laser light, and suitable for high-definition AM screen printing and FM screen printing having a screen line number of 200 lines or more, and It is in the provision of the plate-making method of the lithographic printing plate using this.

本発明者らは、鋭意検討した結果、下記構成により前記目的を達成することに成功した。
即ち、本発明は以下の通りである。
(1) 支持体上に、重合性を有する層、さらに保護層をこの順に設けたネガ型平版印刷版原版において、該保護層が、分子内に酸残基または酸残基の塩を有するポリビニルアルコールを含むことを特徴とするネガ型平版印刷版原版。
As a result of intensive studies, the present inventors have succeeded in achieving the object with the following configuration.
That is, the present invention is as follows.
(1) In a negative lithographic printing plate precursor in which a polymerizable layer and a protective layer are provided in this order on a support, the protective layer has an acid residue or a salt of an acid residue in the molecule. A negative lithographic printing plate precursor comprising alcohol.

(2) 該酸残基または酸残基の塩を構成する酸基がカルボン酸またはスルホン酸であることを特徴とする前記(1)記載のネガ型平版印刷版原版。
(3) 前記(1)または(2)記載のネガ型平版印刷版原版を300nmから1100nmの範囲に発光波長を有するレーザで走査露光した後、100℃以上の温度で加熱し、保護層を水洗除去し、さらに現像処理を行うことを特徴とする平版印刷版の製版方法。
(2) The negative lithographic printing plate precursor as described in (1) above, wherein the acid group constituting the acid residue or acid residue salt is a carboxylic acid or a sulfonic acid.
(3) The negative lithographic printing plate precursor described in (1) or (2) above is subjected to scanning exposure with a laser having an emission wavelength in the range of 300 nm to 1100 nm, and then heated at a temperature of 100 ° C. or more, and the protective layer is washed with water. A plate-making method of a lithographic printing plate, which is removed and further developed.

本発明によれば、平版印刷版原版を100℃以上に加熱しても、保護層の結晶化・不溶化が抑制され、高強度なレリーフ像の形成と現像処理の安定性の両立が達成される。したがって本発明によれば、処理性、耐刷性等に優れ、特にレーザ光による描画に適し、スクリーン線数200線以上の高精細AMスクリーン印刷やFMスクリーン印刷に適したネガ型平版印刷版原版およびこれを用いた平版印刷版の製版方法が提供される。   According to the present invention, even if the lithographic printing plate precursor is heated to 100 ° C. or higher, crystallization / insolubilization of the protective layer is suppressed, and both the formation of a high-strength relief image and the stability of development processing are achieved. . Therefore, according to the present invention, a negative lithographic printing plate precursor excellent in processability, printing durability, etc., particularly suitable for drawing with laser light, and suitable for high-definition AM screen printing and FM screen printing having a screen line number of 200 lines or more. And a method for making a lithographic printing plate using the same.

(保護層)
本発明において、酸素の重合禁止作用を防止するために酸素遮断性の保護層(オーバーコート層)が設けられる。
また、本発明においてこの保護層の塗布質量は0.7〜3.0g/m2の範囲が好ましい。塗布質量を0.7g/m2以上にすることによって、感度をさらに向上させることができ、3.0g/m2以下にすることによって、処理プロセスの負担を軽減することができる。
(Protective layer)
In the present invention, an oxygen-blocking protective layer (overcoat layer) is provided to prevent the action of inhibiting the polymerization of oxygen.
The coating weight of the protective layer in the present invention is preferably in the range of 0.7~3.0g / m 2. By setting the coating mass to 0.7 g / m 2 or more, the sensitivity can be further improved, and by setting it to 3.0 g / m 2 or less, the burden on the processing process can be reduced.

本発明においては酸素遮断性の保護層に含まれる水溶性ビニル重合体として、分子内に酸残基または酸残基の塩を有するポリビニルアルコールを使用する。
上記酸残基とは、プロトンを放出できるアニオン性の基を意味する。酸残基を構成する酸の例としては、カルボン酸、スルホン酸およびリン酸等を挙げることができる。中でもカルボン酸またはスルホン酸残基が好ましい。酸残基は、カチオンと共に塩を構成していてもよい。カチオンとしては、金属イオンが好ましく、ナトリウムイオンのようなアルカリ金属イオンが特に好ましい。なお、変性ポリビニルアルコールは、酸残基が遊離の状態よりも塩の状態である方が、分子の構造として安定である。本発明に用いるポリビニルアルコールの製造では、以上のような酸残基または酸残基の塩をポリビニルアルコールの分子内に導入する。従って、このポリビニルアルコールは、変性ポリビニルアルコール(変性ポバール)の一種である。変性ポバールについては、「ポバール(改訂版)」(高分子刊行会)280〜285頁に記載がある。通常のポリビニルアルコールは、一般にポリ酢酸ビニルをケン化することにより製造する。酸残基の導入は、(1)ポリ酢酸ビニルの製造における共重合変性および(2)通常のポリビニルアルコールの製造後における後変性の二通りの方法が可能である。
In the present invention, polyvinyl alcohol having an acid residue or a salt of an acid residue in the molecule is used as the water-soluble vinyl polymer contained in the oxygen-blocking protective layer.
The acid residue means an anionic group capable of releasing a proton. Examples of the acid constituting the acid residue include carboxylic acid, sulfonic acid and phosphoric acid. Of these, carboxylic acid or sulfonic acid residues are preferred. The acid residue may constitute a salt together with a cation. As the cation, a metal ion is preferable, and an alkali metal ion such as sodium ion is particularly preferable. The modified polyvinyl alcohol is more stable in molecular structure when the acid residue is in a salt state than in a free state. In the production of polyvinyl alcohol used in the present invention, an acid residue or a salt of an acid residue as described above is introduced into the polyvinyl alcohol molecule. Therefore, this polyvinyl alcohol is a kind of modified polyvinyl alcohol (modified poval). The modified poval is described in “Poval (revised version)” (Polymer Publishing Association), pages 280-285. Ordinary polyvinyl alcohol is generally produced by saponifying polyvinyl acetate. The introduction of acid residues can be carried out in two ways: (1) copolymerization modification in the production of polyvinyl acetate and (2) post-modification after production of ordinary polyvinyl alcohol.

(1)の共重合変性では、酢酸ビニルとエチレン性不飽和基を有する有機酸(またはその誘導体)とを共重合する。エチレン性不飽和有機酸の例としては、アクリル酸、メタク
リル酸およびスチレンスルホン酸を挙げることができる。有機酸の誘導体とは、塩、エステル、アミドあるいは酸無水物のいずれかの状態を意味する。例えば、アクリルアミド、メタクリルアミドやN,N−ジメチルアクリルアミドのような、エチレン性不飽和有機酸アミドも利用できる。酢酸ビニルとエチレン性不飽和有機酸とのコポリマーを、通常のポリビニルアルコールと同様にケン化することにより、酸残基を有するポリビニルアルコールが製造される。なお、有機酸が、エステル、アミドあるいは酸無水物の状態である場合は、このケン化の処理において加水分解が起こり、酸残基がエステル、アミドあるいは酸無水物の結合から生成する。
In the copolymerization modification (1), vinyl acetate and an organic acid (or a derivative thereof) having an ethylenically unsaturated group are copolymerized. Examples of ethylenically unsaturated organic acids include acrylic acid, methacrylic acid and styrene sulfonic acid. An organic acid derivative means any state of a salt, an ester, an amide, or an acid anhydride. For example, ethylenically unsaturated organic acid amides such as acrylamide, methacrylamide and N, N-dimethylacrylamide can also be used. Polyvinyl alcohol having an acid residue is produced by saponifying a copolymer of vinyl acetate and an ethylenically unsaturated organic acid in the same manner as ordinary polyvinyl alcohol. When the organic acid is in an ester, amide, or acid anhydride state, hydrolysis occurs in this saponification treatment, and an acid residue is generated from the bond of the ester, amide, or acid anhydride.

(2)の後変性では、二官能以上の酸(二塩基酸、三塩基酸、四塩基酸)をポリビニルアルコールの水酸基と反応させる。これにより、酸の複数の官能基の一つを水酸基とエステル結合させ、残りの酸官能基を遊離した状態にする。酸としては、二官能以上のカルボン酸(ジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸)が好ましい。二官能以上のカルボン酸は、無水物の状態で使用することができる。例えば、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水コハク酸、無水アジピン酸および無水イタコン酸が利用できる。   (2) In post-modification, a bifunctional or higher acid (dibasic acid, tribasic acid, tetrabasic acid) is reacted with a hydroxyl group of polyvinyl alcohol. Thereby, one of a plurality of functional groups of the acid is ester-bonded with the hydroxyl group, and the remaining acid functional groups are released. The acid is preferably a bifunctional or higher carboxylic acid (dicarboxylic acid, tricarboxylic acid, tetracarboxylic acid). Bi- or higher functional carboxylic acids can be used in the anhydride state. For example, maleic anhydride, phthalic anhydride, trimellitic anhydride, succinic anhydride, adipic anhydride and itaconic anhydride can be used.

変性ポリビニルアルコールは、(1)と(2)のどちらの方法で製造しても、本発明において有効である。ただし、(2)の後変性の方が、製造または市販品の入手が容易である。
変性ポリビニルアルコールの分子量は、3000〜50万の範囲であることが好ましい。変性ポリビニルアルコールには、酢酸ビニルのユニットが残存していてもよい。すなわち、ケン化度は100%である必要はない。また、ケン化度が100%のポリビニルアルコールの製造は困難である。ただし、ケン化度は70%以上であることが好ましく、90%以上であることがさらに好ましい。以上のように、本発明で用いる変性ポリビニルアルコールは、一般に、(A)酢酸ビニルのユニット、(B)ビニルアルコールのユニットおよび(C)酸残基のユニットの三種類のユニットからなるコポリマーである。コポリマー中の各ユニットの配置は、グラフトでもよいが、ランダムである方が好ましい。各ユニットの好ましい例を以下の式で表す。
The modified polyvinyl alcohol is effective in the present invention regardless of whether it is produced by either method (1) or (2). However, the post-modification of (2) is easier to produce or obtain a commercial product.
The molecular weight of the modified polyvinyl alcohol is preferably in the range of 3000 to 500,000. Vinyl acetate units may remain in the modified polyvinyl alcohol. That is, the saponification degree does not need to be 100%. Moreover, it is difficult to produce polyvinyl alcohol having a saponification degree of 100%. However, the saponification degree is preferably 70% or more, and more preferably 90% or more. As described above, the modified polyvinyl alcohol used in the present invention is generally a copolymer comprising three types of units: (A) vinyl acetate unit, (B) vinyl alcohol unit, and (C) acid residue unit. . The arrangement of each unit in the copolymer may be a graft, but is preferably random. A preferable example of each unit is represented by the following formula.

Figure 2005250216
Figure 2005250216

上記式(A)は酢酸ビニルのユニットを意味する。lは、l+m+n1(またはn2)の総和(重合度)の30%以下であることが好ましく、10%以下であることがさらに好ましい。(A)の酢酸ビニルのユニットは、存在していなくとも(lが0であっても)、本発明の効果は得られる。式(B)はビニルアルコールのユニットを意味する。式(C1)は、前記(1)の共重合変性によって導入した酸残基のユニットである。式(C1)において、Rは水素原子、アルキル基またはカルボン酸基もしくはその塩である。R'は水素原子またはカルボン酸基もしくはその塩である。アルキル基は炭素原子数6以下の低級アルキル基であることが好ましく、メチルであることが特に好ましい。Link1 はq+1価の連結基である。連結基は、炭化水素残基であることが好ましい。pは0または1である。p=0、すなわち連結基はなくてもよい。qは自然数であり、一般に1または2である。Acid1 は酸残基(例、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基)である。M1 は、カチオンである。カチオンは、プロトンまたはアルカリ金属イオンであることが好ましい。n1は、l+m+n1の総和(重合度)に対して、0.1乃至20%の範囲であることが好ましく、0.5乃至10%の範囲であることがさらに好ましい。(1)の共重合変性により製造した変性ポリビニルアルコールの具体例を、上記式(A)、(B)および(C1)の規定を引用して以下に挙げる。 The above formula (A) means a unit of vinyl acetate. l is preferably 30% or less, more preferably 10% or less, of the total (degree of polymerization) of l + m + n1 (or n2). The effect of the present invention can be obtained even if the vinyl acetate unit (A) is not present (even if l is 0). Formula (B) means a unit of vinyl alcohol. Formula (C1) is a unit of an acid residue introduced by copolymerization modification of (1). In the formula (C1), R is a hydrogen atom, an alkyl group, a carboxylic acid group or a salt thereof. R ′ is a hydrogen atom, a carboxylic acid group or a salt thereof. The alkyl group is preferably a lower alkyl group having 6 or less carbon atoms, and particularly preferably methyl. Link 1 is a q + 1 valent linking group. The linking group is preferably a hydrocarbon residue. p is 0 or 1; p = 0, that is, there may be no linking group. q is a natural number and is generally 1 or 2. Acid 1 is an acid residue (eg, carboxylic acid group, sulfonic acid group, phosphoric acid group). M 1 is a cation. The cation is preferably a proton or an alkali metal ion. n1 is preferably in the range of 0.1 to 20%, more preferably in the range of 0.5 to 10%, with respect to the sum (polymerization degree) of l + m + n1. Specific examples of the modified polyvinyl alcohol produced by copolymerization modification in (1) are listed below with reference to the above formulas (A), (B) and (C1).

Figure 2005250216
Figure 2005250216

式(C2)は、前記(2)の後変性によって導入した酸残基のユニットである。式(C2)において、Link2 はs+1価の連結基である。連結基は、炭化水素残基であることが好ましい。rは0または1である。r=0、すなわち連結基はなくてもよい。sは自然数であり、一般に1または2である。Acid2 は酸残基(例、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基)である。M2 は、カチオンである。カチオンは、プロトンまたはアルカリ金属イオンであることが好ましい。n2は、l+m+n2の総和(重合度)に対して、0.1乃至20%の範囲であることが好ましく、0.5乃至10%の範囲であることがさらに好ましい。(2)の後変性により製造した変性ポリビニルアルコールの具体例を、上記式(A)、(B)および(C2)の規定を引用して以下に挙げる。 Formula (C2) is a unit of an acid residue introduced by post-modification of (2). In Formula (C2), Link 2 is an s + 1 valent linking group. The linking group is preferably a hydrocarbon residue. r is 0 or 1; r = 0, that is, there may be no linking group. s is a natural number and is generally 1 or 2. Acid 2 is an acid residue (eg, carboxylic acid group, sulfonic acid group, phosphoric acid group). M 2 is a cation. The cation is preferably a proton or an alkali metal ion. n2 is preferably in the range of 0.1 to 20%, more preferably in the range of 0.5 to 10%, with respect to the sum (polymerization degree) of l + m + n2. Specific examples of the modified polyvinyl alcohol produced by (2) post-modification are listed below with reference to the above formulas (A), (B) and (C2).

Figure 2005250216
Figure 2005250216

本発明の変性ポリビニルアルコールとして、市販品を用いてもよい。市販品の例としては、クラレポバールKM−118、KL−118、KL−318、KL−506、KM−618(クラレ(株)製)、ゴーセナールT、ゴーセランL−3266(日本合成化学工業(株)製)を挙げることができる。二種類以上の変性ポリビニルアルコールを併用してもよい。保護層中の変性ポリビニルアルコールの使用量は、0.5g/m2から3.0g/m2 の範囲であることが好ましく、より好ましくは0.7g/m2から2.9g/m2 の範囲、さらに好ましくは1.0g/m2から2.5g/m2 の範囲である。 A commercially available product may be used as the modified polyvinyl alcohol of the present invention. Examples of commercially available products include Kuraray Poval KM-118, KL-118, KL-318, KL-506, KM-618 (manufactured by Kuraray Co., Ltd.), Gohsenal T, Gohselan L-3266 (Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.) ) Made). Two or more kinds of modified polyvinyl alcohol may be used in combination. The amount of the modified polyvinyl alcohol used in the protective layer is preferably in the range of 0.5 g / m 2 to 3.0 g / m 2 , more preferably 0.7 g / m 2 to 2.9 g / m 2 . The range is more preferably 1.0 g / m 2 to 2.5 g / m 2 .

本発明の分子内に酸残基または酸残基の塩を有するポリビニルアルコール(以下、酸変性ポリビニルアルコールともいう)は、他の種類のポリビニルアルコールと併用してもよい。ポリビニルアルコールの使用(酸変性ポリビニルアルコールの単独使用と、他のポリビニルアルコールとの併用の双方を含む)においては、保護層または重合性を有する層(以下、重合性層ともいう)に含まれる酢酸ナトリウムの含有量を1%未満となるように調整することが好ましい。   Polyvinyl alcohol having an acid residue or acid residue salt in the molecule of the present invention (hereinafter also referred to as acid-modified polyvinyl alcohol) may be used in combination with other types of polyvinyl alcohol. In the use of polyvinyl alcohol (including both use of acid-modified polyvinyl alcohol alone and combination with other polyvinyl alcohol), acetic acid contained in a protective layer or polymerizable layer (hereinafter also referred to as polymerizable layer). It is preferable to adjust the sodium content to be less than 1%.

本発明者の研究によれば、保護層または重合性層に酢酸ナトリウムが1%以上存在すると、ハロゲン化銀の現像が抑制され、銀像濃度が低下する。これに伴い、重合性層の硬化が抑制され、重合膜の硬化度も低下する。このため、解像度の低下や耐刷性の悪化が引き起こされる。酢酸ナトリウムは保護層や重合性層に用いられるポリビニルアルコール中に不純物として存在している。酢酸ナトリウムは、主にこのポリビニルアルコールに伴って、感光材料中に混入してくると考えられる。ポリビニルアルコールはポリ酢酸ビニルをケン化反応することにより合成されるが、このケン化反応は、通常水酸化ナトリウムを含むメタノール溶液中で加熱することにより行なわれる。これによりポリ酢酸ビニルの酢酸エステル部が加水分解され、ポリニビルアルコールが生成するのと同時に酢酸が副生成物として生じる。水酸化ナトリウムの塩基性下では、これは酢酸ナトリウムとなる。こうして生成した酢酸ナトリウムがポリビニルアルコール中に不純物として残存する。ポリビニルアルコール合成のケン化反応の条件や生成の条件により残存する酢酸ナトリウムの量が変化し、最終的に感光材料中に含まれる酢酸ナトリウム量が変化する。   According to the study of the present inventor, when 1% or more of sodium acetate is present in the protective layer or the polymerizable layer, development of silver halide is suppressed and the silver image density is lowered. In connection with this, hardening of a polymeric layer is suppressed and the hardening degree of a polymeric film also falls. For this reason, the resolution is lowered and the printing durability is deteriorated. Sodium acetate is present as an impurity in polyvinyl alcohol used for the protective layer and the polymerizable layer. Sodium acetate is considered to be mixed into the photosensitive material mainly with the polyvinyl alcohol. Polyvinyl alcohol is synthesized by saponifying polyvinyl acetate. This saponification reaction is usually performed by heating in a methanol solution containing sodium hydroxide. As a result, the acetate portion of the polyvinyl acetate is hydrolyzed to produce polynibial alcohol, and at the same time, acetic acid is produced as a byproduct. Under the basicity of sodium hydroxide, this becomes sodium acetate. The sodium acetate thus produced remains as an impurity in the polyvinyl alcohol. The amount of sodium acetate remaining varies depending on the conditions for the saponification reaction and the production conditions in the synthesis of polyvinyl alcohol, and finally the amount of sodium acetate contained in the photosensitive material varies.

ポリビニルアルコール中に存在する酢酸ナトリウムを除去するためには、例えば、以下に述べる方法により精製することができる。まず、ポリビニルアルコールを含水率1〜2%のメタノール(ポリビニルアルコールの約2倍量)にかき混ぜながら投入し、40乃至50℃にて1〜2時間攪拌し、ポリビニルアルコールを濾別する。この操作を数回繰り返すことにより酢酸ナトリウム量を低減することができる。酢酸ナトリウムがどのような作用をして銀現像性や硬化性を悪化させるかは明確ではないが、現像中のハロゲン化銀の存在する重合性層のpH上昇を阻害しているため、銀現像を抑制していることによるのではないかと推定される。なお、感光材料の保護層や重合性層中に酢酸ナトリウムを別途1%以上添加しても、銀現像性と硬化性が悪化する現象が認められた。また、保護層を有する感光材料の場合には、保護層と重合性層の総質量に対して、この二層中の全酢酸ナトリウムの含有量を1%未満にすることが好ましい。より好ましくは0.7%以下、さらに好ましくは0.5%以下である。次に、ポリビニルアルコールの合成例と精製例を示す。本発明に用いる酸変性ポリビニルアルコールについても、同様の精製処理を実施することができる。   In order to remove sodium acetate present in polyvinyl alcohol, for example, it can be purified by the method described below. First, polyvinyl alcohol is added to methanol having a water content of 1 to 2% (about twice the amount of polyvinyl alcohol) while stirring, and stirred at 40 to 50 ° C. for 1 to 2 hours to separate the polyvinyl alcohol by filtration. By repeating this operation several times, the amount of sodium acetate can be reduced. It is not clear how sodium acetate acts to deteriorate silver developability and curability, but silver development is inhibited because it inhibits the pH increase of the polymerizable layer where silver halide is present during development. It is presumed that this is due to the suppression. Even when 1% or more of sodium acetate was separately added to the protective layer or polymerizable layer of the photosensitive material, a phenomenon that silver developability and curability deteriorated was observed. In the case of a light-sensitive material having a protective layer, the total sodium acetate content in the two layers is preferably less than 1% with respect to the total mass of the protective layer and the polymerizable layer. More preferably, it is 0.7% or less, More preferably, it is 0.5% or less. Next, synthesis examples and purification examples of polyvinyl alcohol are shown. The same purification treatment can be performed on the acid-modified polyvinyl alcohol used in the present invention.

[合成例1]
以下のようにしてポリ酢酸ビニル樹脂をケン化し、ケン化度98%のポリビニルアルコールを得た。ポリ酢酸ビニル(重合度:700)200gをメタノール500gに溶解し、攪拌しながら35℃に加熱した。水酸化ナトリウム30gを溶解したメタノール300gをこれに加えた。液温度が7℃上昇し数分で沈澱が析出した。得られた沈澱を濾別し、得られた沈澱を粉砕機にかけて粉砕した。これをメタノール5リットルで洗浄し、90℃にて4時間乾燥し、ポリビニルアルコールを得た。得られたポリニビルアルコールのケン化度は98%、酢酸ナトリウムの含有量は5質量%であった。
[Synthesis Example 1]
The polyvinyl acetate resin was saponified as follows to obtain polyvinyl alcohol having a saponification degree of 98%. 200 g of polyvinyl acetate (degree of polymerization: 700) was dissolved in 500 g of methanol and heated to 35 ° C. with stirring. 300 g of methanol in which 30 g of sodium hydroxide was dissolved was added thereto. The liquid temperature rose by 7 ° C. and a precipitate was deposited in a few minutes. The obtained precipitate was separated by filtration, and the obtained precipitate was pulverized by a pulverizer. This was washed with 5 liters of methanol and dried at 90 ° C. for 4 hours to obtain polyvinyl alcohol. The obtained polynivir alcohol had a saponification degree of 98% and a sodium acetate content of 5% by mass.

[精製例1]
合成例1で得られたポリビニルアルコールを以下のようにして精製した。1%の含水メタノール200gに合成例1で得られたポリビニルアルコール100gを加え攪拌しながら50℃にて2時間加熱した。その後、濾過を行ない、ポリビニルアルコールを分取した。この操作を7回繰り返すことにより、酢酸ナトリウム含有量が0.3%のポリビニルアルコール(ケン化度:98%)を得た。
[Purification Example 1]
The polyvinyl alcohol obtained in Synthesis Example 1 was purified as follows. 100 g of polyvinyl alcohol obtained in Synthesis Example 1 was added to 200 g of 1% water-containing methanol, and the mixture was heated at 50 ° C. for 2 hours with stirring. Thereafter, filtration was performed to separate polyvinyl alcohol. By repeating this operation seven times, polyvinyl alcohol having a sodium acetate content of 0.3% (degree of saponification: 98%) was obtained.

[合成例2]
合成例1において水酸化ナトリウムを20g用いる以外は合成例1と同様にして、ケン化度85%の部分ケン化ポリビニルアルコールを得た。得られた部分ケン化ポリビニルアルコールの酢酸ナトリウム含有量は7%であった。
[Synthesis Example 2]
A partially saponified polyvinyl alcohol having a saponification degree of 85% was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 20 g of sodium hydroxide was used in Synthesis Example 1. The sodium acetate content of the obtained partially saponified polyvinyl alcohol was 7%.

[精製例2]
合成例2で得られた部分ケン化ポリビニルアルコールを精製例1と同様に精製を行ない、酢酸ナトリウム含有量が0.35%の部分ケン化ポリビニルアルコールを得た。
以上のような酢酸含有量が少ないポリビニルアルコールを用いて、感光材料の保護層および/または重合性層中の酢酸ナトリウムの量を1%未満に調整すると、ハロゲン化銀の現像が良好に進行し、銀画像濃度が増大する。また、これに伴って重合性層の硬化が向上し重合膜の硬化度が改良される。このため、解像度の改良、微小点(ハイライト)部の再現性および耐刷性が向上する。
[Purification Example 2]
The partially saponified polyvinyl alcohol obtained in Synthesis Example 2 was purified in the same manner as in Purification Example 1 to obtain partially saponified polyvinyl alcohol having a sodium acetate content of 0.35%.
When the amount of sodium acetate in the protective layer and / or polymerizable layer of the light-sensitive material is adjusted to less than 1% using polyvinyl alcohol having a low acetic acid content as described above, the development of silver halide proceeds well. The silver image density increases. Further, along with this, the curing of the polymerizable layer is improved and the curing degree of the polymer film is improved. For this reason, the improvement of the resolution, the reproducibility of the minute point (highlight) portion and the printing durability are improved.

本発明におけるネガ型平版印刷版原版において酸素遮断性の保護層を塗布する際に用いる溶媒としては、純水が好ましいが、メタノール、エタノールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類を純水と混合してもよい。そして塗布溶液中の固形分の濃度は1〜20質量%が好適である。本発明における上記酸素遮断性の保護層には、さらに塗布性を向上させるための界面活性剤、皮膜の物性を改良するための水溶性の可塑剤等の公知の添加剤を加えてもよい。水溶性の可塑剤としては、たとえばプロピオンアミド、シクロヘキサンジオール、グリセリン、ソルビトール等がある。また、水溶性の(メタ)アクリル系ポリマーなどを添加してもよい。その被覆量は乾燥後の質量で約0.1g/m2〜約15g/m2の範囲が好適である。より好ましくは1.0g/m2〜約5.0g/m2である As the solvent used when applying the oxygen-blocking protective layer in the negative planographic printing plate precursor in the present invention, pure water is preferable, but alcohols such as methanol and ethanol, and ketones such as acetone and methyl ethyl ketone are purified water. May be mixed with. The concentration of the solid content in the coating solution is preferably 1 to 20% by mass. In the oxygen-blocking protective layer of the present invention, known additives such as a surfactant for improving the coating property and a water-soluble plasticizer for improving the physical properties of the film may be added. Examples of the water-soluble plasticizer include propionamide, cyclohexanediol, glycerin, sorbitol and the like. Further, a water-soluble (meth) acrylic polymer or the like may be added. The coating amount is preferably in the range of about 0.1 g / m 2 to about 15 g / m 2 in terms of mass after drying. More preferably, it is 1.0 g / m 2 to about 5.0 g / m 2 .

[ネガ型平版印刷版原版]
本発明で使用する、300nmから1100nmの波長域に分光感度を有するネガ型平版印刷版原版について、その構成を順次説明する。
[Negative lithographic printing plate precursor]
The structure of the negative planographic printing plate precursor having spectral sensitivity in the wavelength range of 300 nm to 1100 nm used in the present invention will be described in order.

〔支持体〕
最初に、本発明で使用するネガ型平版印刷版原版の支持体について説明する。
本発明で使用され得る支持体は、表面が親水性であれば如何なるものでも使用され得るが、寸度的に安定な板状物が好ましく、例えば、紙、プラスチック(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン等)がラミネートされた紙、また、例えばアルミニウム(アルミニウム合金も含む。)、亜鉛、銅等のような金属またはその合金(例えばケイ素、銅、マンガン、マグネシウム、クロム、亜鉛、鉛、ビスマス、ニッケルとの合金)の板、更に、例えば二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、酪酸酢酸セルロース、硝酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール等のようなプラスチックのフィルム、上記の如き金属または合金がラミネートもしくは蒸着された紙もしくはプラスチックフィルム等が挙げられる。これらの支持体のうち、アルミニウム板は寸度的に著しく安定であり、しかも安価であるので特に好ましい。更に、特公昭48−18327号公報に記載されているようなポリエチレンテレフタレートフィルム上にアルミニウムシートが結合された複合体シートも好ましい。通常その厚さは0.05mm〜1mm程度である。
[Support]
First, the support for the negative lithographic printing plate precursor used in the present invention will be described.
As the support that can be used in the present invention, any material can be used as long as the surface is hydrophilic, but a dimensionally stable plate-like material is preferable, for example, paper, plastic (for example, polyethylene, polypropylene, polystyrene, etc. ) And laminated metal, and also metals such as aluminum (including aluminum alloys), zinc, copper etc. or alloys thereof (eg silicon, copper, manganese, magnesium, chromium, zinc, lead, bismuth, nickel and Alloy) plates, and plastics such as cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose propionate, cellulose butyrate, cellulose butyrate acetate, cellulose nitrate, polyethylene terephthalate, polyethylene, polystyrene, polypropylene, polycarbonate, polyvinyl acetal, etc. the film The above-described metal or alloys having laminated or vapor-deposited paper or plastic films. Of these supports, the aluminum plate is particularly preferred because it is dimensionally remarkably stable and inexpensive. Further, a composite sheet in which an aluminum sheet is bonded on a polyethylene terephthalate film as described in Japanese Patent Publication No. 48-18327 is also preferable. Usually, the thickness is about 0.05 mm to 1 mm.

また金属、特にアルミニウムの表面を有する支持体の場合には、後述する砂目立て処理、珪酸ソーダ、弗化ジルコニウム酸カリウム、燐酸塩等の水溶液への浸漬処理、あるいは隔極酸化処理等の表面処理がなされていることが好ましい。
[砂目立て処理]
砂目立て処理方法は、特開昭56−28893号公報に開示されているような機械的砂目立て、化学的エッチング、電解グレイン等がある。更に塩酸または硝酸電解液中で電気化学的に砂目立てする電気化学的砂目立て方法、およびアルミニウム表面を金属ワイヤーでひっかくワイヤーブラシグレイン法、研磨球と研磨剤でアルミニウム表面を砂目立てするボールグレイン法、ナイロンブラシと研磨剤で表面を砂目立てするブラシグレイン法の
ような機械的砂目立て法を用いることができ、上記砂目立て方法を単独あるいは組み合わせて用いることもできる。
その中でも本発明において有用に使用される表面粗さを作る方法は、塩酸または硝酸電解液中で化学的に砂目たてする電気化学的方法であり、適する電流密度は100C/dm2〜400C/dm2の範囲である。さらに具体的には、0.1〜50%の塩酸または硝酸を含む電解液中、温度20〜100℃、時間1秒〜30分、電流密度100C/dm2〜400C/dm2の条件で電解を行うことが好ましい。
Further, in the case of a support having a surface of metal, particularly aluminum, surface treatment such as graining treatment described later, immersion treatment in an aqueous solution of sodium silicate, potassium fluoride zirconate, phosphate or the like, or bipolar oxidation treatment, etc. It is preferable that
[Graining process]
Examples of the graining method include mechanical graining, chemical etching, and electrolytic grain as disclosed in JP-A-56-28893. Furthermore, electrochemical graining method that electrochemically grains in hydrochloric acid or nitric acid electrolyte solution, and wire brush grain method that scratches aluminum surface with metal wire, and ball grain method that graines aluminum surface with polishing ball and abrasive. Further, a mechanical graining method such as a brush grain method in which the surface is grained with a nylon brush and an abrasive can be used, and the above graining methods can be used alone or in combination.
Among them, the method of making the surface roughness usefully used in the present invention is an electrochemical method in which the surface roughness is chemically ground in hydrochloric acid or nitric acid electrolyte, and a suitable current density is 100 C / dm 2 to 400 C. / Dm 2 range. More specifically, in the electrolytic solution containing from 0.1 to 50% hydrochloric acid or nitric acid, the temperature 20 to 100 ° C., for 1 second to 30 minutes, electrolysis at a current density of 100C / dm 2 ~400C / dm 2 It is preferable to carry out.

このように砂目立て処理されたアルミニウム支持体は、酸またはアルカリにより化学的にエッチングされる。酸をエッチング剤として用いる場合は、微細構造を破壊するのに時間がかかり、工業的に本発明を適用するに際しては不利であるが、アルカリをエッチング剤として用いることにより改善できる。
本発明において好適に用いられるアルカリ剤は、苛性ソーダ、炭酸ソーダ、アルミン酸ソーダ、メタケイ酸ソーダ、リン酸ソーダ、水酸化カリウム、水酸化リチウム等が挙げられ、濃度と温度の好ましい範囲はそれぞれ1〜50%、20〜100℃であり、アルミニウムの溶解量が5〜20g/m3となるような条件が好ましい。
エッチングの後、表面に残留する汚れ(スマット)を除去するために酸洗いが行われる。用いられる酸としては、硝酸、硫酸、リン酸、クロム酸、フッ酸、ホウフッ化水素酸等が挙げられる。特に電気化学的粗面化処理後のスマット除去処理方法としては、好ましくは特開昭53−12739号公報に記載されているような50〜90℃の温度の15〜65質量%の硫酸と接触させる方法、および、特公昭48−28123号公報に記載されているアルカリエッチングする方法が挙げられる。
尚、本発明において好ましいアルミニウム支持体の表面粗さ(Ra)は、0.3〜0.7μmである。
The grained aluminum support is chemically etched with acid or alkali. When an acid is used as an etching agent, it takes time to destroy the fine structure, which is disadvantageous when the present invention is applied industrially, but it can be improved by using an alkali as the etching agent.
Examples of the alkali agent suitably used in the present invention include caustic soda, sodium carbonate, sodium aluminate, sodium metasilicate, sodium phosphate, potassium hydroxide, lithium hydroxide and the like. The conditions are 50%, 20 to 100 ° C., and the amount of aluminum dissolved is 5 to 20 g / m 3 .
After etching, pickling is performed to remove dirt (smut) remaining on the surface. Examples of the acid used include nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, chromic acid, hydrofluoric acid, and borohydrofluoric acid. In particular, as a method for removing smut after the electrochemical surface roughening treatment, contact with 15 to 65 mass% sulfuric acid at a temperature of 50 to 90 ° C. as described in JP-A-53-12739 is preferable. And an alkali etching method described in Japanese Patent Publication No. 48-28123.
In addition, the surface roughness (Ra) of the aluminum support preferable in the present invention is 0.3 to 0.7 μm.

[陽極酸化処理]
以上のようにして処理されたアルミニウム支持体は、さらに陽極酸化処理が施される。
陽極酸化処理は、当該技術分野において従来より行われている方法で行うことができる。
具体的には、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルフォン酸等あるいはこれらの二種以上を組み合わせて、水溶液または非水溶液中でアルミニウムに直流または交流を流すと、アルミニウム支持体表面に陽極酸化皮膜を形成することができる。
[Anodic oxidation treatment]
The aluminum support treated as described above is further anodized.
The anodizing treatment can be performed by a method conventionally performed in this technical field.
Specifically, sulfuric acid, phosphoric acid, chromic acid, oxalic acid, sulfamic acid, benzene sulfonic acid, etc., or a combination of two or more of these, and when direct current or alternating current is applied to aluminum in an aqueous solution or non-aqueous solution, aluminum is supported. An anodized film can be formed on the body surface.

陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液の濃度が1〜80%、液温5〜70℃、電流密度0.5〜60アンペア/dm2、電圧1〜100V、電解時間10〜100秒の範囲が適当である。
これらの陽極酸化処理のうちでも特に英国特許第1,412,768号明細書に記載されている、硫酸中で高電流密度で陽極酸化する方法、および、米国特許第3,511,661号明細書に記載されているリン酸を電解浴として陽極酸化する方法が好ましい。
本発明においては、陽極酸化皮膜は1〜10g/m2であることが好ましい。より好ましくは、1.5〜7g/m2であり、更に好ましくは、2〜5g/m2である。
The conditions of the anodizing treatment cannot be determined unconditionally because they vary depending on the electrolytic solution used. In general, the concentration of the electrolytic solution is 1 to 80%, the liquid temperature is 5 to 70 ° C., the current density is 0.00. A range of 5 to 60 amperes / dm 2 , a voltage of 1 to 100 V, and an electrolysis time of 10 to 100 seconds is appropriate.
Among these anodizing treatments, in particular, the method of anodizing at high current density in sulfuric acid described in British Patent 1,412,768, and US Pat. No. 3,511,661. A method of anodizing phosphoric acid described in the book as an electrolytic bath is preferred.
In the present invention, the anodized film is preferably 1 to 10 g / m 2 . More preferably, it is 1.5-7 g / m < 2 >, More preferably, it is 2-5 g / m < 2 >.

更に、本発明においては、支持体は、砂目立て処理および陽極酸化後に、封孔処理を施されてもよい。かかる封孔処理は、熱水および無機塩または有機塩を含む熱水溶液への基板の浸漬並びに水蒸気浴などによって行われる。また本発明で使用される支持体には、アルカリ金属珪酸塩によるシリケート処理以外の処理、たとえば弗化ジルコニウム酸カリウム、燐酸塩等の水溶液への浸漬処理などの表面処理が施されてもよい。   Furthermore, in the present invention, the support may be subjected to a sealing treatment after graining treatment and anodizing. Such sealing treatment is performed by immersing the substrate in a hot aqueous solution containing hot water and an inorganic salt or an organic salt, a steam bath, or the like. The support used in the present invention may be subjected to a surface treatment such as a treatment other than a silicate treatment with an alkali metal silicate, for example, an immersion treatment in an aqueous solution of potassium fluorinated zirconate or phosphate.

本発明においては、支持体(アルミニウムの場合には、上記の如く適宜表面処理を施さ
れたアルミニウムが好ましい)上に、例えば光重合性感光性組成物からなる光重合性感光層を塗工し、次いで保護層を塗工することで、ネガ型平版印刷版原版が形成されるが、重合性層を塗工する前に必要に応じて有機または無機の下塗り層を設けてもよいし、特開平7−159983号公報に開示されているようなラジカルによって付加反応を起こし得る官能基を共有結合させたゾル−ゲル処理を施してもよい。
In the present invention, a photopolymerizable photosensitive layer made of, for example, a photopolymerizable photosensitive composition is coated on a support (in the case of aluminum, aluminum that has been appropriately surface-treated as described above is preferable). Then, a negative lithographic printing plate precursor is formed by applying a protective layer. However, an organic or inorganic subbing layer may be provided as necessary before applying the polymerizable layer. A sol-gel treatment in which a functional group capable of causing an addition reaction by a radical as disclosed in Kaihei 7-159983 is covalently bonded may be applied.

有機下塗層を形成する物質としては、水溶性の樹脂、例えばポリビニルホスホン酸、スルホン酸基を側鎖に有する重合体および共重合体、ポリアクリル酸、水溶性金属塩(例えば硼酸亜鉛)もしくは、黄色染料、アミン塩等が挙げられる。
更に具体的には、有機下塗層に用いられる有機化合物としては例えば、カルボキシメチルセルロース、デキストリン、アラビアガム、2−アミノエチルホスホン酸等のアミノ基を有するホスホン酸類、置換基を有してもよいフェニルホスホン酸、ナフチルホスホン酸、アルキルホスホン酸、グリセロホスホン酸、メチレンジホスホン酸およびエチレンジホスホン酸等の有機ホスホン酸、置換基を有してもよいフェニルリン酸、ナフチルリン酸、アルキルリン酸およびグリセロリン酸等の有機リン酸、置換基を有してもよいフェニルホスフィン酸、ナフチルホスフィン酸、アルキルホスフィン酸およびグリセロホスフィン酸等の有機ホスフィン酸、グリシンやβ−アラニン等のアミノ酸類、およびトリエタノールアミンの塩酸塩等のヒドロキシル基を有するアミンの塩酸塩等から選ばれるが、二種以上混合して用いてもよい。
Substances forming the organic undercoat layer include water-soluble resins such as polyvinylphosphonic acid, polymers and copolymers having sulfonic acid groups in the side chain, polyacrylic acid, water-soluble metal salts (for example, zinc borate) or , Yellow dyes, amine salts and the like.
More specifically, examples of the organic compound used in the organic undercoat layer may include phosphonic acids having an amino group such as carboxymethylcellulose, dextrin, gum arabic, and 2-aminoethylphosphonic acid, and a substituent. Organic phosphonic acids such as phenylphosphonic acid, naphthylphosphonic acid, alkylphosphonic acid, glycerophosphonic acid, methylenediphosphonic acid and ethylenediphosphonic acid, optionally substituted phenylphosphonic acid, naphthylphosphonic acid, alkylphosphoric acid and Organic phosphoric acids such as glycerophosphoric acid, optionally substituted phenylphosphinic acid, naphthylphosphinic acid, organic phosphinic acids such as alkylphosphinic acid and glycerophosphinic acid, amino acids such as glycine and β-alanine, and triethanol Hydroxy such as amine hydrochloride -Alanine, and hydrochlorides of amines having a group may be used as a mixture of two or more.

この有機下塗層は次のような方法で設けることが出来る。即ち、水またはメタノール、エタノール、メチルエチルケトン等の有機溶剤もしくはそれらの混合溶剤に上記の有機化合物を溶解させた溶液を支持体上に塗布、乾燥して設ける方法と、水またはメタノール、エタノール、メチルエチルケトン等の有機溶剤もしくはそれらの混合溶剤に上記の有機化合物を溶解させた溶液に、支持体を浸漬して上記有機化合物を吸着させ、しかる後、水等によって洗浄、乾燥して有機下塗層を設ける方法である。前者の方法では、上記の有機化合物の0.005〜10質量%の濃度の溶液を種々の方法で塗布できる。例えば、バーコーター塗布、回転塗布、スプレー塗布、カーテン塗布等いずれの方法を用いてもよい。また、後者の方法では、溶液の濃度は0.01〜20質量%、好ましくは0.05〜5質量%であり、浸漬温度は20〜90℃、好ましくは25〜50℃であり、浸漬時間は0.1秒〜20分、好ましくは2秒〜1分である。   This organic undercoat layer can be provided by the following method. That is, a method in which water or an organic solvent such as methanol, ethanol, methyl ethyl ketone or the like, or a mixed solvent thereof is dissolved on the support, and a method of providing the substrate by drying, water, methanol, ethanol, methyl ethyl ketone, etc. The organic compound is dissolved in a solution of the above organic compound or a mixed solvent thereof to immerse the support so that the organic compound is adsorbed, and then washed with water and dried to provide an organic undercoat layer. Is the method. In the former method, a solution having a concentration of 0.005 to 10% by mass of the organic compound can be applied by various methods. For example, any method such as bar coater coating, spin coating, spray coating, or curtain coating may be used. In the latter method, the concentration of the solution is 0.01 to 20% by mass, preferably 0.05 to 5% by mass, the immersion temperature is 20 to 90 ° C., preferably 25 to 50 ° C., and the immersion time. Is 0.1 second to 20 minutes, preferably 2 seconds to 1 minute.

これに用いる溶液は、アンモニア、トリエチルアミン、水酸化カリウム等の塩基性物質や、塩酸、リン酸等の酸性物質によりpHを調節し、pH1〜12の範囲で使用することもできる。また、ネガ型平版印刷版原版の調子再現性改良のために、黄色染料を添加することもできる。
有機下塗層の乾燥後の被覆量は、2〜200mg/m2が好適であり、より好ましくは5〜100mg/m 2である。上記範囲内において十分な耐刷性が得られる。
The solution used for this can be used in a pH range of 1 to 12 by adjusting the pH with a basic substance such as ammonia, triethylamine or potassium hydroxide, or an acidic substance such as hydrochloric acid or phosphoric acid. In addition, a yellow dye can be added to improve tone reproducibility of the negative lithographic printing plate precursor.
The coating amount after drying of the organic undercoat layer is preferably 2 to 200 mg / m 2 , more preferably 5 to 100 mg / m 2 . Sufficient printing durability can be obtained within the above range.

また、無機下塗り層に用いられる物質としては、酢酸コバルト、酢酸ニッケル、フッ化チタン酸カリウム等の無機塩等が挙げられ、この無機下塗り層の設け方は、上記した有機下塗層と同様である。   In addition, examples of the material used for the inorganic undercoat layer include inorganic salts such as cobalt acetate, nickel acetate, and potassium fluorotitanate. The method of providing this inorganic undercoat layer is the same as the organic undercoat layer described above. is there.

〔重合性層〕
本発明で使用されるネガ型平版印刷版原版の重合性層は、少なくとも300nmから1100nmの波長域に分光感度を有する。現在汎用として用いられるレーザ光源を考慮した場合、より好ましい分光感度領域は、300nmから500nmの波長範囲と、760nmから1100nmの波長範囲のいずれかである。さらに好ましくは下記(i)〜(iii)を含有して構成されるネガ型平版印刷版原版である。
(i)300nmから500nmの波長域または760nmから1100nmの波長
域に吸収極大を持つ増感色素、
(ii)光重合開始剤、好ましくはチタノセン化合物、および
(iii)エチレン性不飽和二重結合を有する付加重合性化合物
これらにつき、順次説明する。
(Polymerizable layer)
The polymerizable layer of the negative lithographic printing plate precursor used in the present invention has spectral sensitivity in a wavelength range of at least 300 nm to 1100 nm. In consideration of a laser light source currently used as a general purpose, a more preferable spectral sensitivity region is either a wavelength range of 300 nm to 500 nm or a wavelength range of 760 nm to 1100 nm. More preferably, it is a negative lithographic printing plate precursor comprising the following (i) to (iii).
(I) a sensitizing dye having an absorption maximum in a wavelength range of 300 nm to 500 nm or a wavelength range of 760 nm to 1100 nm,
(Ii) A photopolymerization initiator, preferably a titanocene compound, and (iii) an addition polymerizable compound having an ethylenically unsaturated double bond.

〔増感色素〕
まず、本発明で使用されるネガ型平版印刷版原版に用いられる300nmから500nmの波長域に吸収極大を持つ増感色素について説明する。この様な増感色素としては、例えば、下記一般式(2)に示されるメロシアニン色素類、下記一般式(3)で示されるベンゾピラン類、クマリン類、下記一般式(4)で表される芳香族ケトン類、下記一般式(5)で表されるアントラセン類、等を挙げることができる。
[Sensitizing dye]
First, the sensitizing dye having an absorption maximum in the wavelength region of 300 nm to 500 nm used in the negative lithographic printing plate precursor used in the present invention will be described. Examples of such a sensitizing dye include merocyanine dyes represented by the following general formula (2), benzopyrans and coumarins represented by the following general formula (3), and fragrances represented by the following general formula (4). Group ketones, anthracenes represented by the following general formula (5), and the like.

Figure 2005250216
Figure 2005250216

(式中、AはS原子もしくは、NR6を表し、R6は一価の非金属原子団を表し、Yは隣接するAおよび、隣接炭素原子と共同して色素の塩基性核を形成する非金属原子団を表し、X1、X2はそれぞれ独立に、一価の非金属原子団を表し、X1、X2は互いに結合して色素の酸性核を形成してもよい。) (In the formula, A represents an S atom or NR 6 , R 6 represents a monovalent non-metallic atomic group, Y represents a basic nucleus of the dye in cooperation with the adjacent A and the adjacent carbon atom. A non-metallic atomic group, X 1 and X 2 each independently represent a monovalent non-metallic atomic group, and X 1 and X 2 may combine with each other to form an acidic nucleus of the dye.)

Figure 2005250216
Figure 2005250216

(式中、=Zは、カルボニル基、チオカルボニル基、イミノ基または上記部分構造式(1')で表されるアルキリデン基を表し、X1、X2は一般式(2)と同義であり、R7〜R12はそれぞれ独立に一価の非金属原子団を表す。) (In the formula, = Z represents a carbonyl group, a thiocarbonyl group, an imino group or an alkylidene group represented by the partial structural formula (1 ′), and X 1 and X 2 have the same meanings as in the general formula (2). R 7 to R 12 each independently represents a monovalent nonmetallic atomic group.)

Figure 2005250216
Figure 2005250216

(式中Ar3は、置換基を有していてもよい芳香族基またはヘテロ芳香族基を表し、R13は一価の非金属原子団を表す。より好ましいR13は、芳香族基またはヘテロ芳香族基であって、Ar3とR13が互いに結合して環を形成してもよい。) (In the formula, Ar 3 represents an aromatic group or a heteroaromatic group which may have a substituent, and R 13 represents a monovalent nonmetallic atomic group. More preferred R 13 represents an aromatic group or It is a heteroaromatic group, and Ar 3 and R 13 may be bonded to each other to form a ring.)

Figure 2005250216
Figure 2005250216

(式中、X3、X4、R14〜R21はそれぞれ独立に、1価の非金属原子団を表し、より好ましいX3、X4はハメットの置換基定数が負の電子供与性基である。) (In the formula, X 3 , X 4 and R 14 to R 21 each independently represent a monovalent non-metallic atomic group, and more preferable X 3 and X 4 are electron donating groups having a negative Hammett's substituent constant. .)

一般式(2)から(5)における、X1からX4、R6からR21で表される一価の非金属原子団の好ましい例としては、水素原子、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、エイコシル基、イソプロピル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、1−メチルブチル基、イソヘキシル基、2−エチルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、2−ノルボルニル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、2−クロロエチル基、トリフルオロメチル基、メトキシメチル基、メトキシエトキシエチル基、アリルオキシメチル基、フェノキシメチル基、メチルチオメチル基、トリルチオメチル基、エチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基、モルホリノプロピル基、アセチルオキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、N−シクロヘキシルカルバモイルオキシエチル基、N−フェニルカルバモイルオキシエチル基、アセチルアミノエチル基、N−メチルベンゾイルアミノプロピル基、2−オキソエチル基、2−オキソプロピル基、カルボキシプロピル基、メトキシカルボニルエチル基、
アリルオキシカルボニルブチル基、クロロフェノキシカルボニルメチル基、カルバモイルメチル基、N−メチルカルバモイルエチル基、N,N−ジプロピルカルバモイルメチル基、N−(メトキシフェニル)カルバモイルエチル基、N−メチル−N−(スルホフェニル)カルバモイルメチル基、スルホブチル基、スルホナトブチル基、スルファモイルブチル基、N−エチルスルファモイルメチル基、N,N−ジプロピルスルファモイルプロピル基、N−トリルスルファモイルプロピル基、N−メチル−N−(ホスフォノフェニル)スルファモイルオクチル基、ホスフォノブチル基、ホスフォナトヘキシル基、ジエチルホスフォノブチル基、ジフェニルホスフォノプロピル基、メチルホスフォノブチル基、メチルホスフォナトブチル基、トリルホスフォノヘキシル基、トリルホスフォナトヘキシル基、ホスフォノオキシプロピル基、ホスフォナトオキシブチル基、ベンジル基、フェネチル基、α−メチルベンジル基、1−メチル−1−フェニルエチル基、p−メチルベンジル基、シンナミル基、アリル基、1−プロペニルメチル基、2−ブテニル基、2−メチルアリル基、2−メチルプロペニルメチル基、2−プロピニル基、2−ブチニル基、3−ブチニル基等)、アリール基(例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、クロロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、アセトキシフェニル基、ベンゾイロキシフェニル基、メチルチオフェニル基、フェニルチオフェニル基、メチルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、アセチルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、エトキシフェニルカルボニル基、フェノキシカルボニルフェニル基、N−フェニルカルバモイルフェニル基、フェニル基、シアノフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、ホスフォノフェニル基、ホスフォナトフェニル基等)、ヘテロアリール基(例えば、チオフェン、チアスレン、フラン、ピラン、イソベンゾフラン、クロメン、キサンテン、フェノキサジン、ピロール、ピラゾール、イソチアゾール、イソオキサゾール、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、インドリジン、イソインドリジン、インドイール、インダゾール、プリン、キノリジン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キナゾリン、シノリン、プテリジン、カルバゾール、カルボリン、フェナンスリン、アクリジン、ペリミジン、フェナンスロリン、フタラジン、フェナルザジン、フェノキサジン、フラザン、フェノキサジン等)、アルケニル基(例えばビニル基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、シンナミル基、2−クロロ−1−エテニル基、等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、トリメチルシリルエチニル基等)、ハロゲン原子(−F、−Br、−Cl、−I)、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルジチオ基、アリールジチオ基、アミノ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、N,N−ジアリールアミノ基、N−アルキル−N−アリールアミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、N,N−ジアルキルカルバモイルオキシ基、N,N−ジアリールカルバモイルオキシ基、N−アルキル−N−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、N′−アルキルウレイド基、N′,N′−ジアルキルウレイド基、N′−アリールウレイド基、N′,N′−ジアリールウレイド基、N′−アルキル−N′−アリールウレイド基、N−アルキルウレイド基、N−アリールウレイド基、N′−アルキル−N−アルキルウレイド基、N′−アルキル−N−アリールウレイド基、N′,N′−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N′,N′−ジアルキル−N−アリールウレイド基、N′−アリール−N−アルキルウレイド基、N′−アリール−N−アリールウレイド基、N′,N′−ジアリール−N−アルキルウレイド基、N′,N′−ジアリール−N−アリールウレイド基、N′−アルキル−N′−アリール−N−アルキルウレイド基、N′−アルキル−N′−アリール−N−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、N
−アリール−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N,N−ジアリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基(−SO3H)およびその共役塩基基(以下、スルホナト基と称す)、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、N−アルキルスルフィナモイル基、N,N−ジアルキルスルフィナモイル基、N−アリールスルフィナモイル基、N,N−ジアリールスルフィナモイル基、N−アルキル−N−アリールスルフィナモイル基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N,N−ジアリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、ホスフォノ基(−PO32)およびその共役塩基基(以下、ホスフォナト基と称す)、ジアルキルホスフォノ基(−PO3(alkyl)2)、ジアリールホスフォノ基(−PO3(aryl)2)、アルキルアリールホスフォノ基(−PO3(alkyl)(aryl))、モノアルキルホスフォノ基(−PO3H(alkyl))およびその共役塩基基(以後、アルキルホスフォナト基と称す)、モノアリールホスフォノ基(−PO3H(aryl))およびその共役塩基基(以後、アリールホスフォナト基と称す)、ホスフォノオキシ基(−OPO32)およびその共役塩基基(以後、ホスフォナトオキシ基と称す)、ジアルキルホスフォノオキシ基(−OPO3(alkyl)2)、ジアリールホスフォノオキシ基(−OPO3(aryl)2)、アルキルアリールホスフォノオキシ基(−OPO3(alkyl)(aryl))、モノアルキルホスフォノオキシ基(−OPO3H(alkyl))およびその共役塩基基(以後、アルキルホスフォナトオキシ基と称す)、モノアリールホスフォノオキシ基(−OPO3H(aryl))およびその共役塩基基(以後、アリールフォスホナトオキシ基と称す)、シアノ基、ニトロ基、等が挙げられ、以上の置換基のうち、水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基が特に好ましい。
In the general formulas (2) to (5), preferred examples of the monovalent nonmetallic atomic group represented by X 1 to X 4 and R 6 to R 21 include a hydrogen atom, an alkyl group (for example, a methyl group, Ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, hexadecyl group, octadecyl group, eicosyl group, isopropyl group, isobutyl group , S-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1-methylbutyl group, isohexyl group, 2-ethylhexyl group, 2-methylhexyl group, cyclohexyl group, cyclopentyl group, 2-norbornyl group, chloromethyl group , Bromomethyl group, 2-chloroethyl group, trifluoromethyl group, methoxymethyl group, methoxyethoxy Ethyl group, allyloxymethyl group, phenoxymethyl group, methylthiomethyl group, tolylthiomethyl group, ethylaminoethyl group, diethylaminopropyl group, morpholinopropyl group, acetyloxymethyl group, benzoyloxymethyl group, N-cyclohexylcarbamoyloxyethyl Group, N-phenylcarbamoyloxyethyl group, acetylaminoethyl group, N-methylbenzoylaminopropyl group, 2-oxoethyl group, 2-oxopropyl group, carboxypropyl group, methoxycarbonylethyl group,
Allyloxycarbonylbutyl group, chlorophenoxycarbonylmethyl group, carbamoylmethyl group, N-methylcarbamoylethyl group, N, N-dipropylcarbamoylmethyl group, N- (methoxyphenyl) carbamoylethyl group, N-methyl-N- ( Sulfophenyl) carbamoylmethyl group, sulfobutyl group, sulfonatobutyl group, sulfamoylbutyl group, N-ethylsulfamoylmethyl group, N, N-dipropylsulfamoylpropyl group, N-tolylsulfamoylpropyl group, N- Methyl-N- (phosphonophenyl) sulfamoyloctyl group, phosphonobutyl group, phosphonatohexyl group, diethylphosphonobutyl group, diphenylphosphonopropyl group, methylphosphonobutyl group, methylphosphonatobutyl group, tolyl Suphonohexyl group, tolylphosphonatohexyl group, phosphonooxypropyl group, phosphonatooxybutyl group, benzyl group, phenethyl group, α-methylbenzyl group, 1-methyl-1-phenylethyl group, p-methylbenzyl group , Cinnamyl group, allyl group, 1-propenylmethyl group, 2-butenyl group, 2-methylallyl group, 2-methylpropenylmethyl group, 2-propynyl group, 2-butynyl group, 3-butynyl group, etc.), aryl group ( For example, phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, tolyl group, xylyl group, mesityl group, cumenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, chloromethylphenyl group, hydroxyphenyl group, methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, phenoxyphenyl group , Acetoxyphenyl group, benzoyloxiphe Nyl group, methylthiophenyl group, phenylthiophenyl group, methylaminophenyl group, dimethylaminophenyl group, acetylaminophenyl group, carboxyphenyl group, methoxycarbonylphenyl group, ethoxyphenylcarbonyl group, phenoxycarbonylphenyl group, N-phenylcarbamoyl Phenyl group, phenyl group, cyanophenyl group, sulfophenyl group, sulfonatophenyl group, phosphonophenyl group, phosphonatophenyl group, etc.), heteroaryl group (for example, thiophene, thiathrene, furan, pyran, isobenzofuran, chromene, Xanthene, phenoxazine, pyrrole, pyrazole, isothiazole, isoxazole, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, indolizine, isoindolizine, indoir, indazo , Purine, quinolidine, isoquinoline, phthalazine, naphthyridine, quinazoline, cinolin, pteridine, carbazole, carboline, phenanthrine, acridine, perimidine, phenanthrolin, phthalazine, phenazine, phenoxazine, furazane, phenoxazine, etc. Vinyl group, 1-propenyl group, 1-butenyl group, cinnamyl group, 2-chloro-1-ethenyl group, etc.), alkynyl group (for example, ethynyl group, 1-propynyl group, 1-butynyl group, trimethylsilylethynyl group, etc.) ), Halogen atom (—F, —Br, —Cl, —I), hydroxyl group, alkoxy group, aryloxy group, mercapto group, alkylthio group, arylthio group, alkyldithio group, aryldithio group, amino group, N-alkyla Group, N, N-dialkylamino group, N-arylamino group, N, N-diarylamino group, N-alkyl-N-arylamino group, acyloxy group, carbamoyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N -Arylcarbamoyloxy group, N, N-dialkylcarbamoyloxy group, N, N-diarylcarbamoyloxy group, N-alkyl-N-arylcarbamoyloxy group, alkylsulfoxy group, arylsulfoxy group, acylthio group, acylamino group N-alkylacylamino group, N-arylacylamino group, ureido group, N′-alkylureido group, N ′, N′-dialkylureido group, N′-arylureido group, N ′, N′-diarylureido Group, N′-alkyl-N′-arylureido group, N-al Killureido group, N-arylureido group, N'-alkyl-N-alkylureido group, N'-alkyl-N-arylureido group, N ', N'-dialkyl-N-alkylureido group, N', N ' -Dialkyl-N-arylureido group, N'-aryl-N-alkylureido group, N'-aryl-N-arylureido group, N ', N'-diaryl-N-alkylureido group, N', N ' -Diaryl-N-arylureido group, N'-alkyl-N'-aryl-N-alkylureido group, N'-alkyl-N'-aryl-N-arylureido group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino Group, N-alkyl-N-alkoxycarbonylamino group, N-alkyl-N-aryloxycarbonylamino group, N
-Aryl-N-alkoxycarbonylamino group, N-aryl-N-aryloxycarbonylamino group, formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N , N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N, N-diarylcarbamoyl group, N-alkyl-N-arylcarbamoyl group, alkylsulfinyl group, arylsulfinyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group, sulfo group ( -SO 3 H) and its conjugated base group (hereinafter referred to as sulfonato group), alkoxy sulfonyl group, aryloxy sulfonyl group, sulfinamoyl group, N- alkylsulfinamoyl group, N, N- dialkyl sulfinamoyl N-arylsulfinamoyl group, N, N-diarylsulfinamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfinamoyl group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfamoyl group group, N- aryl sulfamoyl group, N, N- diaryl sulfamoyl group, N- alkyl -N- arylsulfamoyl group, a phosphono group (-PO 3 H 2) and its conjugated base group (hereinafter, phosphonato Group), a dialkyl phosphono group (—PO 3 (alkyl) 2 ), a diaryl phosphono group (—PO 3 (aryl) 2 ), an alkylaryl phosphono group (—PO 3 (alkyl) (aryl)), monoalkyl phosphono group (-PO 3 H (alkyl)) and its conjugated base group (hereinafter referred to as alkyl phosphonophenyl group), monoaryl phosphono group (-PO 3 (aryl)) and its conjugated base group (hereinafter referred to as aryl phosphonophenyl group), phosphonooxy group (-OPO 3 H 2) and its conjugated base group (hereinafter referred to as phosphonophenyl group), dialkyl phosphono Oxy group (—OPO 3 (alkyl) 2 ), diarylphosphonooxy group (—OPO 3 (aryl) 2 ), alkylaryl phosphonooxy group (—OPO 3 (alkyl) (aryl)), monoalkylphosphonooxy Group (—OPO 3 H (alkyl)) and its conjugate base group (hereinafter referred to as alkylphosphonatooxy group), monoarylphosphonooxy group (—OPO 3 H (aryl)) and its conjugate base group (hereinafter, (Referred to as arylphosphonatooxy group), cyano group, nitro group, etc. Among the above substituents, hydrogen atom, alkyl group, aryl group, halogen atom, alkoxy group An acyl group is particularly preferred.

一般式(2)に於けるYが隣接するAおよび、隣接炭素原子と共同して形成する色素の塩基性核としては、5、6、7員の含窒素、あるいは含硫黄複素環が挙げられ、好ましくは5、6員の複素環がよい。   In the general formula (2), the basic nucleus of the dye formed together with A adjacent to Y and the adjacent carbon atom includes a 5, 6 or 7-membered nitrogen-containing or sulfur-containing heterocyclic ring. A 5- or 6-membered heterocyclic ring is preferable.

含窒素複素環の例としては例えば、L.G.Brooker et al., J. Am. Chem. Soc., 73, 5326-5358(1951).および参考文献に記載されるメロシアニン色素類における塩基性核を構成するものとして知られるものをいずれも好適に用いることができる。具体例としては、チアゾール類(例えば、チアゾール、4−メチルチアゾール、4ーフェニルチアゾール、5−メチルチアゾール、5−フェニルチアゾール、4,5−ジメチルチアゾール、4,5−ジフェニルチアゾール、4,5−ジ(p−メトキシフェニルチアゾール)、4−(2−チエニル)チアゾール、等)、ベンゾチアゾール類(例えば、ベンゾチアゾール、4−クロロベンゾチアゾール、5−クロロベンゾチアゾール、6−クロロベンゾチアゾール、7−クロロベンゾチアゾール、4−メチルベンゾチアゾール、5−メチルベンゾチアゾール、6−メチルベンゾチアゾール、5−ブロモベンゾチアゾール、4−フェニルベンゾチアゾール、5−フェニルベンゾチアゾール、4−メトキシベンゾチアゾール、5−メトキシベンゾチアゾール、6−メトキシベンゾチアゾール、5−ヨードベンゾチアゾール、6−ヨードベンゾチアゾール、4−エトキシベンゾチアゾール、5−エトキシベンゾチアゾール、テトラヒドロベンゾチアゾール、5,6−ジメトキシベンゾチアゾール、5,6−ジオキシメチレンベンゾチアゾール、5−ヒドロキシベンゾチアゾール、6−ヒドロキシベンゾチアゾール、6ージメチルアミノベンゾチアゾール、5−エトキシカルボニルベンゾチアゾール等)、ナフトチアゾール類(例えば、ナフト[1,2]チアゾール、ナフト[2,1]チアゾール、5−メトキシナフト[2,1]チアゾール、5−エトキシナフト[2,1]チアゾール、8−メトキシナフト[1,2]チアゾール、7−メトキシナフト[1
,2]チアゾール等)、チアナフテノ−7’,6’,4,5−チアゾール類(例えば、4’−メトキシチアナフテノ−7’,6’,4,5−チアゾール等)、オキサゾール類(例えば、4−メチルオキサゾール、5−メチルオキサゾール、4−フェニルオキサゾール、4,5−ジフェニルオキサゾール、4−エチルオキサゾール、4,5−ジメチルオキサゾール、5−フェニルオキサゾール等)、ベンゾオキサゾール類(ベンゾオキサゾール、5−クロロベンゾオキサゾール、5−メチルベンゾオキサゾール、5−フェニルベンゾオキサゾール、6−メチルベンゾオキサゾール、5,6−ジメチルベンゾオキサゾール、4,6−ジメチルベンゾオキサゾール、6−メトキシベンゾオキサゾール、5−メトキシベンゾオキサゾール、4−エトキシベンゾオキサゾール、5−クロロベンゾオキサゾール、6−メトキシベンゾオキサゾール、5−ヒドロキシベンゾオキサゾール、6−ヒドロキシベンゾオキサゾール等)、ナフトオキサゾール類(例えば、ナフト[1,2]オキサゾール、ナフト[2,1]オキサゾール等)、セレナゾール類(例えば、4−メチルセレナゾール、4−フェニルセレナゾール等)、ベンゾセレナゾール類(例えば、ベンゾセレナゾール、5−クロロベンゾセレナゾール、5−メトキシベンゾセレナゾール、5−ヒドロキシベンゾセレナゾール、テトラヒドロベンゾセレナゾール等)、ナフトセレナゾール類(例えば、ナフト[1,2]セレナゾール、ナフト[2,1]セレナゾール等)、チアゾリン類(例えば、チアゾリン、4−メチルチアゾリン等)、2−キノリン類(例えば、キノリン、3−メチルキノリン、5−メチルキノリン、7−メチルキノリン、8−メチルキノリン、6−クロロキノリン、8−クロロキノリン、6−メトキシキノリン、6−エトキシキノリン、6−ヒドロキシキノリン、8−ヒドロキシキノリン等)、4−キノリン類(例えば、キノリン、6−メトキシキノリン、7−メチルキノリン、8−メチルキノリン等)、1−イソキノリン類(例えば、イソキノリン、3,4−ジヒドロイソキノリン、等)、3−イソキノリン類(例えば、イソキノリン等)、ベンズイミダゾール類(例えば、1,3−ジエチルベンズイミダゾール、1−エチル−3−フェニルベンズイミダゾール等)、3,3−ジアルキルインドレニン類(例えば、3,3−ジメチルインドレニン、3,3,5,−トリメチルインドレニン、3,3,7,−トリメチルインドレニン等)、2−ピリジン類(例えば、ピリジン、5−メチルピリジン等)、4−ピリジン(例えば、ピリジン等)等を挙げることができる。
Examples of nitrogen-containing heterocycles constitute the basic nucleus in merocyanine dyes described in, for example, LGBrooker et al., J. Am. Chem. Soc., 73, 5326-5358 (1951). Any known material can be suitably used. Specific examples include thiazoles (for example, thiazole, 4-methylthiazole, 4-phenylthiazole, 5-methylthiazole, 5-phenylthiazole, 4,5-dimethylthiazole, 4,5-diphenylthiazole, 4,5- Di (p-methoxyphenylthiazole), 4- (2-thienyl) thiazole, etc.), benzothiazoles (for example, benzothiazole, 4-chlorobenzothiazole, 5-chlorobenzothiazole, 6-chlorobenzothiazole, 7- Chlorobenzothiazole, 4-methylbenzothiazole, 5-methylbenzothiazole, 6-methylbenzothiazole, 5-bromobenzothiazole, 4-phenylbenzothiazole, 5-phenylbenzothiazole, 4-methoxybenzothiazole, 5-methoxybenzo Cheer , 6-methoxybenzothiazole, 5-iodobenzothiazole, 6-iodobenzothiazole, 4-ethoxybenzothiazole, 5-ethoxybenzothiazole, tetrahydrobenzothiazole, 5,6-dimethoxybenzothiazole, 5,6-di Oxymethylenebenzothiazole, 5-hydroxybenzothiazole, 6-hydroxybenzothiazole, 6-dimethylaminobenzothiazole, 5-ethoxycarbonylbenzothiazole, etc.), naphthothiazoles (for example, naphtho [1,2] thiazole, naphtho [2 , 1] thiazole, 5-methoxynaphtho [2,1] thiazole, 5-ethoxynaphtho [2,1] thiazole, 8-methoxynaphtho [1,2] thiazole, 7-methoxynaphtho [1
, 2] thiazole etc.), thianaphtheno-7 ′, 6 ′, 4,5-thiazoles (eg 4′-methoxythianaphtheno-7 ′, 6 ′, 4,5-thiazole etc.), oxazoles (eg 4-methyloxazole, 5-methyloxazole, 4-phenyloxazole, 4,5-diphenyloxazole, 4-ethyloxazole, 4,5-dimethyloxazole, 5-phenyloxazole, etc.), benzoxazoles (benzoxazole, 5- Chlorobenzoxazole, 5-methylbenzoxazole, 5-phenylbenzoxazole, 6-methylbenzoxazole, 5,6-dimethylbenzoxazole, 4,6-dimethylbenzoxazole, 6-methoxybenzoxazole, 5-methoxybenzoxazole, 4-Ethoxyben Oxazole, 5-chlorobenzoxazole, 6-methoxybenzoxazole, 5-hydroxybenzoxazole, 6-hydroxybenzoxazole, etc.), naphthoxazoles (for example, naphtho [1,2] oxazole, naphtho [2,1] oxazole, etc. ), Selenazoles (eg 4-methylselenazole, 4-phenylselenazole etc.), benzoselenazoles (eg benzoselenazole, 5-chlorobenzoselenazole, 5-methoxybenzoselenazole, 5-hydroxybenzo Selenazole, tetrahydrobenzoselenazole etc.), naphthoselenazoles (eg naphtho [1,2] selenazole, naphtho [2,1] selenazole etc.), thiazolines (eg thiazoline, 4-methylthiazoline etc.), 2 -Kinori (For example, quinoline, 3-methylquinoline, 5-methylquinoline, 7-methylquinoline, 8-methylquinoline, 6-chloroquinoline, 8-chloroquinoline, 6-methoxyquinoline, 6-ethoxyquinoline, 6-hydroxy Quinoline, 8-hydroxyquinoline, etc.), 4-quinolines (eg, quinoline, 6-methoxyquinoline, 7-methylquinoline, 8-methylquinoline, etc.), 1-isoquinolines (eg, isoquinoline, 3,4-dihydroisoquinoline) ), 3-isoquinolines (for example, isoquinoline, etc.), benzimidazoles (for example, 1,3-diethylbenzimidazole, 1-ethyl-3-phenylbenzimidazole, etc.), 3,3-dialkylindolenins ( For example, 3,3-dimethylindolenine, 3,3,5, -to Methyl indolenine, 3,3,7, - trimethyl indolenine, etc.), 2-pyridines (e.g., pyridine, 5-methyl-pyridine, etc.), 4-pyridine (for example, a pyridine, etc.) or the like.

また、含硫黄複素環の例としては、例えば、特開平3−296759号公報記載の色素類におけるジチオール部分構造をあげることができる。
具体例としては、ベンゾジチオール類(例えば、ベンゾジチオール、5−t−ブチルベンゾジチオール、5−メチルベンゾジチオール等)、ナフトジチオール類(例えば、ナフト[1,2]ジチオール、ナフト[2,1]ジチオール等)、ジチオール類(例えば、4,5−ジメチルジチオール類、4−フェニルジチオール類、4−メトキシカルボニルジチオール類、4,5−ジメトキシカルボニルベンゾジチオール類、4,5−ジトリフルオロメチルジチオール、4,5−ジシアノジチオール、4−メトキシカルボニルメチルジチオール、4−カルボキシメチルジチオール等を挙げることができる。
Examples of the sulfur-containing heterocycle include a dithiol partial structure in dyes described in JP-A-3-296759.
Specific examples include benzodithiols (for example, benzodithiol, 5-t-butylbenzodithiol, 5-methylbenzodithiol, etc.), naphthodithiols (for example, naphtho [1,2] dithiol, naphtho [2,1] Dithiols, etc.), dithiols (for example, 4,5-dimethyldithiols, 4-phenyldithiols, 4-methoxycarbonyldithiols, 4,5-dimethoxycarbonylbenzodithiols, 4,5-ditrifluoromethyldithiols, 4 , 5-dicyanodithiol, 4-methoxycarbonylmethyldithiol, 4-carboxymethyldithiol and the like.

以上、述べた複素環に関する説明に用いた記述は、便宜上、慣例上、複素環母骨格の名称を用いたが、増感色素の塩基性骨格部分構造をなす場合は例えばベンゾチアゾール骨格の場合は3-置換-2(3H)-benzothiazolylidene基のように、不飽和度を一つ下げたアルキリデン型の置換基形で導入される。   As mentioned above, for the sake of convenience, the description used in the description of the heterocyclic ring has conventionally used the name of the heterocyclic mother skeleton, but when forming the basic skeleton partial structure of the sensitizing dye, for example, in the case of the benzothiazole skeleton It is introduced as an alkylidene-type substituent with one degree of unsaturation, such as a 3-substituted-2 (3H) -benzothiazolylidene group.

360nmから450nmの波長域に吸収極大を持つ増感色素のうち、高感度の観点からより好ましい色素は下記一般式(1)で表される色素である。   Of the sensitizing dyes having an absorption maximum in the wavelength range of 360 nm to 450 nm, a dye more preferable from the viewpoint of high sensitivity is a dye represented by the following general formula (1).

Figure 2005250216
Figure 2005250216

(一般式(1)中、Aは置換基を有してもよい芳香族環またはヘテロ環を表し、Xは酸素原子、硫黄原子またはN−(R3)をあらわす。R1、R2およびR3は、それぞれ独立に、水素原子または一価の非金属原子団を表し、AとR1およびR2とR3はそれぞれ互いに、脂肪族性または芳香族性の環を形成するため結合してもよい。) (In the general formula (1), A represents an aromatic ring or a hetero ring which may have a substituent, and X represents an oxygen atom, a sulfur atom or N- (R 3 ). R 1 , R 2 and R 3 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent nonmetallic atomic group, and A and R 1 and R 2 and R 3 are bonded to each other to form an aliphatic or aromatic ring. May be.)

一般式(1)について更に詳しく説明する。R1、R2およびR3は、それぞれ独立に、水素原子または、一価の非金属原子団であり、好ましくは、置換もしくは非置換のアルキル基、置換もしくは非置換のアルケニル基、置換もしくは非置換のアリール基、置換もしくは非置換の芳香族複素環残基、置換もしくは非置換のアルコキシ基、置換もしくは非置換のアルキルチオ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子を表す。 The general formula (1) will be described in more detail. R 1 , R 2 and R 3 are each independently a hydrogen atom or a monovalent nonmetallic atomic group, preferably a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, substituted or non-substituted It represents a substituted aryl group, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic residue, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted alkylthio group, a hydroxyl group, and a halogen atom.

1、R2およびR3の好ましい例について具体的に述べる。好ましいアルキル基の例としては、炭素原子数が1から20までの直鎖状、分岐状、および環状のアルキル基を挙げることができ、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、エイコシル基、イソプロピル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、1−メチルブチル基、イソヘキシル基、2−エチルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、2−ノルボルニル基を挙げることができる。これらの中では、炭素原子数1から12までの直鎖状、炭素原子数3から12までの分岐状、ならびに炭素原子数5から10までの環状のアルキル基がより好ましい。 Preferable examples of R 1 , R 2 and R 3 will be specifically described. Examples of preferable alkyl groups include linear, branched, and cyclic alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, Butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, undecyl, dodecyl, tridecyl, hexadecyl, octadecyl, eicosyl, isopropyl, isobutyl, s-butyl, Examples thereof include t-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1-methylbutyl group, isohexyl group, 2-ethylhexyl group, 2-methylhexyl group, cyclohexyl group, cyclopentyl group and 2-norbornyl group. Of these, linear alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, branched alkyl groups having 3 to 12 carbon atoms, and cyclic alkyl groups having 5 to 10 carbon atoms are more preferable.

置換アルキル基の置換基としては、水素を除く一価の非金属原子団が用いられ、好ましい例としては、ハロゲン原子(−F、−Br、−Cl、−I)、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルジチオ基、アリールジチオ基、アミノ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、N,N−ジアリールアミノ基、N−アルキル−N−アリールアミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、N,N−ジアルキルカルバモイルオキシ基、N,N−ジアリールカルバモイルオキシ基、N−アルキル−N−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、N′−アルキルウレイド基、N′,N′−ジアルキルウレイド基、N′−アリールウレイド基、N′,N′−ジアリールウレイド基、N′−アルキル−N′−アリールウレイド基、N−アルキ
ルウレイド基、N−アリールウレイド基、N′−アルキル−N−アルキルウレイド基、N′−アルキル−N−アリールウレイド基、N′,N′−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N′,N′−ジアルキル−N−アリールウレイド基、N′−アリール−N−アルキルウレイド基、N′−アリール−N−アリールウレイド基、N′,N′−ジアリール−N−アルキルウレイド基、N′,N′−ジアリール−N−アリールウレイド基、N′−アルキル−N′−アリール−N−アルキルウレイド基、N′−アルキル−N′−アリール−N−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N,N−ジアリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基(−SO3H)およびその共役塩基基(以下、スルホナト基と称す)、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、N−アルキルスルフィナモイル基、N,N−ジアルキルスルフィナモイル基、N−アリールスルフィナモイル基、N,N−ジアリールスルフィナモイル基、N−アルキル−N−アリールスルフィナモイル基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N,N−ジアリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、ホスフォノ基(−PO32)およびその共役塩基基(以下、ホスフォナト基と称す)、ジアルキルホスフォノ基(−PO3(alkyl)2)、ジアリールホスフォノ基(−PO3(aryl)2)、アルキルアリールホスフォノ基(−PO3(alkyl)(aryl))、モノアルキルホスフォノ基(−PO3H(alkyl))およびその共役塩基基(以後、アルキルホスフォナト基と称す)、モノアリールホスフォノ基(−PO3H(aryl))およびその共役塩基基(以後、アリールホスフォナト基と称す)、ホスフォノオキシ基(−OPO32)およびその共役塩基基(以後、ホスフォナトオキシ基と称す)、ジアルキルホスフォノオキシ基(−OPO3(alkyl)2)、ジアリールホスフォノオキシ基(−OPO3(aryl)2)、アルキルアリールホスフォノオキシ基(−OPO3(alkyl)(aryl))、モノアルキルホスフォノオキシ基(−OPO3H(alkyl))およびその共役塩基基(以後、アルキルホスフォナトオキシ基と称す)、モノアリールホスフォノオキシ基(−OPO3H(aryl))およびその共役塩基基(以後、アリールフォスホナトオキシ基と称す)、シアノ基、ニトロ基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基が挙げられる。
As the substituent of the substituted alkyl group, a monovalent nonmetallic atomic group excluding hydrogen is used, and preferred examples include a halogen atom (—F, —Br, —Cl, —I), a hydroxyl group, an alkoxy group, Aryloxy group, mercapto group, alkylthio group, arylthio group, alkyldithio group, aryldithio group, amino group, N-alkylamino group, N, N-dialkylamino group, N-arylamino group, N, N-diarylamino group N-alkyl-N-arylamino group, acyloxy group, carbamoyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, N, N-dialkylcarbamoyloxy group, N, N-diarylcarbamoyloxy group, N-alkyl-N-arylcarbamoyloxy group, alkylsulfoxy group, Reelsulfoxy group, acylthio group, acylamino group, N-alkylacylamino group, N-arylacylamino group, ureido group, N'-alkylureido group, N ', N'-dialkylureido group, N'-arylureido Group, N ′, N′-diarylureido group, N′-alkyl-N′-arylureido group, N-alkylureido group, N-arylureido group, N′-alkyl-N-alkylureido group, N′- Alkyl-N-arylureido group, N ', N'-dialkyl-N-alkylureido group, N', N'-dialkyl-N-arylureido group, N'-aryl-N-alkylureido group, N'- Aryl-N-arylureido group, N ′, N′-diaryl-N-alkylureido group, N ′, N′-diaryl-N-ary Luureido group, N′-alkyl-N′-aryl-N-alkylureido group, N′-alkyl-N′-aryl-N-arylureido group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, N-alkyl- N-alkoxycarbonylamino group, N-alkyl-N-aryloxycarbonylamino group, N-aryl-N-alkoxycarbonylamino group, N-aryl-N-aryloxycarbonylamino group, formyl group, acyl group, carboxyl group , Alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N, N-diarylcarbamoyl group, N-alkyl-N-arylcarbamoyl group , Alkylsul Finyl group, arylsulfinyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group, sulfo group (—SO 3 H) and its conjugate base group (hereinafter referred to as sulfonate group), alkoxysulfonyl group, aryloxysulfonyl group, sulfinamoyl group, N -Alkylsulfinamoyl group, N, N-dialkylsulfinamoyl group, N-arylsulfinamoyl group, N, N-diarylsulfinamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfinamoyl group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfamoyl group, N-arylsulfamoyl group, N, N-diarylsulfamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfamoyl group, phosphono group (-PO 3 H 2) and its conjugated base group (hereinafter, phospho Referred to as bets group), dialkyl phosphono group (-PO 3 (alkyl) 2) , diaryl phosphono group (-PO 3 (aryl) 2) , alkyl aryl phosphono group (-PO 3 (alkyl) (aryl )) , Monoalkyl phosphono group (—PO 3 H (alkyl)) and its conjugate base group (hereinafter referred to as alkyl phosphonate group), monoaryl phosphono group (—PO 3 H (aryl)) and its conjugate base group (Hereinafter referred to as aryl phosphonate group), phosphonooxy group (—OPO 3 H 2 ) and its conjugate base group (hereinafter referred to as phosphonateoxy group), dialkyl phosphonooxy group (—OPO 3 (alkyl)) 2 ), a diarylphosphonooxy group (—OPO 3 (aryl) 2 ), an alkylarylphosphonooxy group (—OPO 3 (alkyl) (aryl)), a monoalkylphosphonooxy group (—OPO 3 H (alkyl)) )and The conjugated base group (hereinafter referred to as alkyl phosphonophenyl group), monoaryl phosphonooxy group (-OPO 3 H (aryl)) and its conjugated base group (hereinafter referred to as aryl phosphite Hona preparative group), a cyano group , A nitro group, an aryl group, a heteroaryl group, an alkenyl group, and an alkynyl group.

これらの置換基における、アルキル基の具体例としては、前述のアルキル基が挙げられ、アリール基の具体例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、クロロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、アセトキシフェニル基、ベンゾイロキシフェニル基、メチルチオフェニル基、フェニルチオフェニル基、メチルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、アセチルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、エトキシフェニルカルボニル基、フェノキシカルボニルフェニル基、N−フェニルカルバモイルフェニル基、フェニル基、シアノフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、ホスフォノフェニル基、ホスフォナトフェニル基等を挙げることができる。   Specific examples of the alkyl group in these substituents include the above-described alkyl groups, and specific examples of the aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a tolyl group, a xylyl group, a mesityl group, and a cumenyl group. , Chlorophenyl group, bromophenyl group, chloromethylphenyl group, hydroxyphenyl group, methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, phenoxyphenyl group, acetoxyphenyl group, benzoyloxyphenyl group, methylthiophenyl group, phenylthiophenyl group, methylamino Phenyl group, dimethylaminophenyl group, acetylaminophenyl group, carboxyphenyl group, methoxycarbonylphenyl group, ethoxyphenylcarbonyl group, phenoxycarbonylphenyl group, N-phenylcarbamoylphenyl group, phenyl group Cyanophenyl group, sulfophenyl group, sulfonatophenyl group, phosphonophenyl phenyl group, phosphonophenyl phenyl group and the like.

1、R2およびR3として好ましいヘテロアリール基としては、窒素、酸素、硫黄原子の少なくとも一つを含有する単環、もしくは多環芳香族環が用いられ、特に好ましいヘテロアリール基の例としては、例えば、チオフェン、チアスレン、フラン、ピラン、イソベンゾフラン、クロメン、キサンテン、フェノキサジン、ピロール、ピラゾール、イソチア
ゾール、イソオキサゾール、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、インドリジン、イソインドリジン、インドイール、インダゾール、プリン、キノリジン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キナゾリン、シノリン、プテリジン、カルバゾール、カルボリン、フェナンスリン、アクリジン、ペリミジン、フェナンスロリン、フタラジン、フェナルザジン、フェノキサジン、フラザン、フェノキサジンや等があげられ、これらは、さらにベンゾ縮環してもよく、また置換基を有していてもよい。
As the preferred heteroaryl group as R 1 , R 2 and R 3 , a monocyclic or polycyclic aromatic ring containing at least one of nitrogen, oxygen and sulfur atoms is used. Examples of particularly preferred heteroaryl groups Is, for example, thiophene, thiathrene, furan, pyran, isobenzofuran, chromene, xanthene, phenoxazine, pyrrole, pyrazole, isothiazole, isoxazole, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, indolizine, isoindolizine, indolizine, indazole, indazole, Purine, quinolidine, isoquinoline, phthalazine, naphthyridine, quinazoline, sinoline, pteridine, carbazole, carboline, phenanthrine, acridine, perimidine, phenanthrolin, phthalazine, phenalazine, phenoxazine, flaza And phenoxazine and the like. These may be further benzo-fused and may have a substituent.

また、R1、R2およびR3として好ましいアルケニル基の例としては、ビニル基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、シンナミル基、2−クロロ−1−エテニル基、等が挙げられ、アルキニル基の例としては、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、トリメチルシリルエチニル基等が挙げられる。アシル基(G1CO−)におけるG1としては、水素、ならびに上記のアルキル基、アリール基を挙げることができる。これら置換基の内、更により好ましいものとしてはハロゲン原子(−F、−Br、−Cl、−I)、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、スルホ基、スルホナト基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、ホスフォノ基、ホスフォナト基、ジアルキルホスフォノ基、ジアリールホスフォノ基、モノアルキルホスフォノ基、アルキルホスフォナト基、モノアリールホスフォノ基、アリールホスフォナト基、ホスフォノオキシ基、ホスフォナトオキシ基、アリール基、アルケニル基が挙げられる。 Examples of preferable alkenyl groups as R 1 , R 2 and R 3 include vinyl group, 1-propenyl group, 1-butenyl group, cinnamyl group, 2-chloro-1-ethenyl group and the like, and alkynyl Examples of the group include ethynyl group, 1-propynyl group, 1-butynyl group, trimethylsilylethynyl group and the like. Examples of G 1 in the acyl group (G 1 CO—) include hydrogen and the above alkyl groups and aryl groups. Among these substituents, even more preferred are halogen atoms (—F, —Br, —Cl, —I), alkoxy groups, aryloxy groups, alkylthio groups, arylthio groups, N-alkylamino groups, N, N— Dialkylamino group, acyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, acylamino group, formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N-alkyl-N-arylcarbamoyl group, sulfo group, sulfonate group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfamoyl group Group, N-arylsulfa Yl group, N-alkyl-N-arylsulfamoyl group, phosphono group, phosphonate group, dialkyl phosphono group, diaryl phosphono group, monoalkyl phosphono group, alkyl phosphonate group, monoaryl phosphono group, aryl phosphine group Examples include an onato group, a phosphonooxy group, a phosphonateoxy group, an aryl group, and an alkenyl group.

一方、置換アルキル基におけるアルキレン基としては前述の炭素数1から20までのアルキル基上の水素原子のいずれか1つを除し、2価の有機残基としたものを挙げることができ、好ましくは炭素原子数1から12までの直鎖状、炭素原子数3から12までの分岐状ならびに炭素原子数5から10までの環状のアルキレン基を挙げることができる。   On the other hand, examples of the alkylene group in the substituted alkyl group include divalent organic residues obtained by removing any one of the hydrogen atoms on the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Can include linear alkylene groups having 1 to 12 carbon atoms, branched chains having 3 to 12 carbon atoms, and cyclic alkylene groups having 5 to 10 carbon atoms.

該置換基とアルキレン基を組み合わせることにより得られるR1、R2およびR3として好ましい置換アルキル基の、具体例としては、クロロメチル基、ブロモメチル基、2−クロロエチル基、トリフルオロメチル基、メトキシメチル基、メトキシエトキシエチル基、アリルオキシメチル基、フェノキシメチル基、メチルチオメチル基、トリルチオメチル基、エチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基、モルホリノプロピル基、アセチルオキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、N−シクロヘキシルカルバモイルオキシエチル基、N−フェニルカルバモイルオキシエチル基、アセチルアミノエチル基、N−メチルベンゾイルアミノプロピル基、2−オキソエチル基、2−オキソプロピル基、カルボキシプロピル基、メトキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルブチル基、クロロフェノキシカルボニルメチル基、カルバモイルメチル基、N−メチルカルバモイルエチル基、N,N−ジプロピルカルバモイルメチル基、N−(メトキシフェニル)カルバモイルエチル基、N−メチル−N−(スルホフェニル)カルバモイルメチル基、スルホブチル基、スルホナトブチル基、スルファモイルブチル基、N−エチルスルファモイルメチル基、N,N−ジプロピルスルファモイルプロピル基、N−トリルスルファモイルプロピル基、N−メチル−N−(ホスフォノフェニル)スルファモイルオクチル基、ホスフォノブチル基、ホスフォナトヘキシル基、ジエチルホスフォノブチル基、ジフェニルホスフォノプロピル基、メチルホスフォノブチル基、メチルホスフォナトブチル基、トリルホスフォノヘキシル基、トリルホスフォナトヘキシル基、ホスフォノオキシプロピル基、ホスフォナトオキシブチル基、ベンジル基、フェネチル基、α−メチルベンジル基、1−メチル−1−
フェニルエチル基、p−メチルベンジル基、シンナミル基、アリル基、1−プロペニルメチル基、2−ブテニル基、2−メチルアリル基、2−メチルプロペニルメチル基、2−プロピニル基、2−ブチニル基、3−ブチニル基、等を挙げることができる。
Specific examples of preferable substituted alkyl groups as R 1 , R 2 and R 3 obtained by combining the substituent and the alkylene group include chloromethyl group, bromomethyl group, 2-chloroethyl group, trifluoromethyl group, methoxy Methyl group, methoxyethoxyethyl group, allyloxymethyl group, phenoxymethyl group, methylthiomethyl group, tolylthiomethyl group, ethylaminoethyl group, diethylaminopropyl group, morpholinopropyl group, acetyloxymethyl group, benzoyloxymethyl group, N -Cyclohexylcarbamoyloxyethyl group, N-phenylcarbamoyloxyethyl group, acetylaminoethyl group, N-methylbenzoylaminopropyl group, 2-oxoethyl group, 2-oxopropyl group, carboxypropyl group, methoxycarbo Nylethyl group, allyloxycarbonylbutyl group, chlorophenoxycarbonylmethyl group, carbamoylmethyl group, N-methylcarbamoylethyl group, N, N-dipropylcarbamoylmethyl group, N- (methoxyphenyl) carbamoylethyl group, N-methyl- N- (sulfophenyl) carbamoylmethyl group, sulfobutyl group, sulfonatobutyl group, sulfamoylbutyl group, N-ethylsulfamoylmethyl group, N, N-dipropylsulfamoylpropyl group, N-tolylsulfamoylpropyl group N-methyl-N- (phosphonophenyl) sulfamoyloctyl group, phosphonobutyl group, phosphonatohexyl group, diethylphosphonobutyl group, diphenylphosphonopropyl group, methylphosphonobutyl group, methylphosphonatobu Group, tolyl phosphono hexyl group, tolyl phosphonophenyl hexyl, phosphonooxy propyl group, phosphonophenyl oxy butyl group, benzyl group, phenethyl group, alpha-methylbenzyl group, 1-methyl-1-
Phenylethyl group, p-methylbenzyl group, cinnamyl group, allyl group, 1-propenylmethyl group, 2-butenyl group, 2-methylallyl group, 2-methylpropenylmethyl group, 2-propynyl group, 2-butynyl group, 3 -Butynyl group, etc. can be mentioned.

1、R2およびR3として好ましいアリール基の具体例としては、1個から3個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と5員不飽和環が縮合環を形成したものを挙げることができ、具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、を挙げることができ、これらのなかでは、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。 Specific examples of preferred aryl groups as R 1 , R 2 and R 3 include those in which 1 to 3 benzene rings form a condensed ring, and those in which a benzene ring and a 5-membered unsaturated ring form a condensed ring. Specific examples include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, an indenyl group, an acenaphthenyl group, and a fluorenyl group. Among these, a phenyl group and a naphthyl group are more preferable. .

1、R2およびR3として好ましい置換アリール基の具体例としては、前述のアリール基の環形成炭素原子上に置換基として、水素を除く一価の非金属原子団を有するものが用いられる。好ましい置換基の例としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびに、先に置換アルキル基における置換基として示したものを挙げることができる。この様な、置換アリール基の好ましい具体例としては、ビフェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基、クロロメチルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、メトキシエトキシフェニル基、アリルオキシフェニル基、フェノキシフェニル基、メチルチオフェニル基、トリルチオフェニル基、エチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、モルホリノフェニル基、アセチルオキシフェニル基、ベンゾイルオキシフェニル基、N−シクロヘキシルカルバモイルオキシフェニル基、N−フェニルカルバモイルオキシフェニル基、アセチルアミノフェニル基、N−メチルベンゾイルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、アリルオキシカルボニルフェニル基、クロロフェノキシカルボニルフェニル基、カルバモイルフェニル基、N−メチルカルバモイルフェニル基、N,N−ジプロピルカルバモイルフェニル基、N−(メトキシフェニル)カルバモイルフェニル基、N−メチル−N−(スルホフェニル)カルバモイルフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、スルファモイルフェニル基、N−エチルスルファモイルフェニル基、N,N−ジプロピルスルファモイルフェニル基、N−トリルスルファモイルフェニル基、N−メチル−N−(ホスフォノフェニル)スルファモイルフェニル基、ホスフォノフェニル基、ホスフォナトフェニル基、ジエチルホスフォノフェニル基、ジフェニルホスフォノフェニル基、メチルホスフォノフェニル基、メチルホスフォナトフェニル基、トリルホスフォノフェニル基、トリルホスフォナトフェニル基、アリル基、1−プロペニルメチル基、2−ブテニル基、2−メチルアリルフェニル基、2−メチルプロペニルフェニル基、2−プロピニルフェニル基、2−ブチニルフェニル基、3−ブチニルフェニル基、等を挙げることができる。 Specific examples of preferred substituted aryl groups as R 1 , R 2 and R 3 include those having a monovalent non-metallic atomic group excluding hydrogen as a substituent on the ring-forming carbon atom of the aryl group described above. . Examples of preferred substituents include the aforementioned alkyl groups, substituted alkyl groups, and those previously shown as substituents in the substituted alkyl group. Preferred examples of such a substituted aryl group include biphenyl group, tolyl group, xylyl group, mesityl group, cumenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, fluorophenyl group, chloromethylphenyl group, trifluoromethylphenyl group. Hydroxyphenyl group, methoxyphenyl group, methoxyethoxyphenyl group, allyloxyphenyl group, phenoxyphenyl group, methylthiophenyl group, tolylthiophenyl group, ethylaminophenyl group, diethylaminophenyl group, morpholinophenyl group, acetyloxyphenyl group, Benzoyloxyphenyl group, N-cyclohexylcarbamoyloxyphenyl group, N-phenylcarbamoyloxyphenyl group, acetylaminophenyl group, N-methylbenzoylaminophenyl group, carbo Cyphenyl group, methoxycarbonylphenyl group, allyloxycarbonylphenyl group, chlorophenoxycarbonylphenyl group, carbamoylphenyl group, N-methylcarbamoylphenyl group, N, N-dipropylcarbamoylphenyl group, N- (methoxyphenyl) carbamoylphenyl group N-methyl-N- (sulfophenyl) carbamoylphenyl group, sulfophenyl group, sulfonatophenyl group, sulfamoylphenyl group, N-ethylsulfamoylphenyl group, N, N-dipropylsulfamoylphenyl group, N-tolylsulfamoylphenyl group, N-methyl-N- (phosphonophenyl) sulfamoylphenyl group, phosphonophenyl group, phosphonatophenyl group, diethylphosphonophenyl group, diphenylphosphono Enyl group, methylphosphonophenyl group, methylphosphonatophenyl group, tolylphosphonophenyl group, tolylphosphonatophenyl group, allyl group, 1-propenylmethyl group, 2-butenyl group, 2-methylallylphenyl group, 2- Examples thereof include a methylpropenylphenyl group, a 2-propynylphenyl group, a 2-butynylphenyl group, and a 3-butynylphenyl group.

次に、一般式(1)におけるAについて説明する。Aは置換基を有してもよい芳香族環またはヘテロ環を表し、置換基を有してもよい芳香族環またはヘテロ環の具体例としては、一般式(1)中のR1、R2およびR3で記載したものと同様のものが挙げられる。 Next, A in the general formula (1) will be described. A represents an aromatic ring or a hetero ring which may have a substituent. Specific examples of the aromatic ring or hetero ring which may have a substituent include R 1 and R in the general formula (1). similar to those described in 2 and R 3 can be exemplified.

本発明の一般式(1)で表される増感色素は、上に示したような酸性核や、活性メチレン基を有する酸性核と、置換、もしくは非置換の、芳香族環またはヘテロ環との縮合反応によって得られるが、これらは特公昭59−28329号公報を参照して合成することができる。   The sensitizing dye represented by the general formula (1) of the present invention includes an acidic nucleus as shown above, an acidic nucleus having an active methylene group, a substituted or unsubstituted aromatic ring or heterocyclic ring. These can be synthesized by referring to Japanese Patent Publication No. 59-28329.

以下に一般式(1)で表される化合物の好ましい具体例(D1)から(D38)を示す。また、酸性核と塩基性核を結ぶ2重結合による異性体については、どちらかの異性体に限定されるものではない。   Preferred specific examples (D1) to (D38) of the compound represented by the general formula (1) are shown below. In addition, an isomer with a double bond connecting an acidic nucleus and a basic nucleus is not limited to either isomer.

Figure 2005250216
Figure 2005250216


Figure 2005250216
Figure 2005250216


Figure 2005250216
Figure 2005250216


Figure 2005250216
Figure 2005250216


Figure 2005250216
Figure 2005250216

引き続き、760nmから1100nmの波長域に分光感度を有する、増感色素について説明する。
本発明の重合性層を赤外線を発するレーザで記録する場合には、赤外線露光により熱を発生する化合物(以下、適宜、赤外線吸収剤と称する)を添加することが好ましい。赤外線吸収剤は、吸収した赤外線を熱に変換する機能を有しており、この際発生した熱により、ラジカル発生剤が分解し、ラジカルを発生する。本発明において使用される赤外線吸収剤は、波長760nmから1100nmに吸収極大を有する染料又は顔料である。
Next, a sensitizing dye having spectral sensitivity in the wavelength range from 760 nm to 1100 nm will be described.
When recording the polymerizable layer of the present invention with a laser emitting infrared rays, it is preferable to add a compound that generates heat by infrared exposure (hereinafter referred to as an infrared absorber as appropriate). The infrared absorbing agent has a function of converting absorbed infrared rays into heat, and the radical generator is decomposed by the heat generated at this time to generate radicals. The infrared absorber used in the present invention is a dye or pigment having an absorption maximum at a wavelength of 760 nm to 1100 nm.

染料としては、市販の染料及び例えば「染料便覧」(有機合成化学協会編集、昭和45年刊)等の文献に記載されている公知のものが利用できる。具体的には、アゾ染料、金属錯塩アゾ染料、ピラゾロンアゾ染料、アントラキノン染料、フタロシアニン染料、カルボニウム染料、キノンイミン染料、メチン染料、シアニン染料、金属チオレート錯体などの染料が挙げられる。好ましい染料としては例えば特開昭58−125246号、特開昭59−84356号、特開昭59−202829号、特開昭60−78787号の各公報等に記載されているシアニン染料、特開昭58−173696号、特開昭58−181690号、特開昭58−194595号の各公報等に記載されているメチン染料、特開昭58−112793号、特開昭58−224793号、特開昭59−48187号、特開昭59−73996号、特開昭60−52940号、特開昭60−63744号の各公報等に記載されているナフトキノン染料、 特開昭58−112792号公報等に記載されているスクワリリウム色素、英国特許434,875号明細書に記載のシアニン染料等を挙げることができる。   As the dye, commercially available dyes and known dyes described in documents such as “Dye Handbook” (edited by the Society for Synthetic Organic Chemistry, published in 1970) can be used. Specific examples include azo dyes, metal complex salt azo dyes, pyrazolone azo dyes, anthraquinone dyes, phthalocyanine dyes, carbonium dyes, quinoneimine dyes, methine dyes, cyanine dyes, and metal thiolate complexes. Examples of preferable dyes include cyanine dyes described in JP-A Nos. 58-125246, 59-84356, 59-5929, 60-78787, and the like. Methine dyes described in JP-A-58-173696, JP-A-58-181690, JP-A-58-194595, etc., JP-A-58-112793, JP-A-58-224793, Naphthoquinone dyes described in JP-A-59-48187, JP-A-59-73996, JP-A-60-52940, JP-A-60-63744, etc., JP-A-58-112792 And the cyanine dyes described in British Patent 434,875.

また、米国特許第5,156,938号明細書に記載の近赤外吸収増感剤も好適に用いられ、また、米国特許第3,881,924号明細書に記載の置換されたアリールベンゾ(チオ)ピリリウム塩、特開昭57−142645号(米国特許第4,327,169号)公報記載のトリメチンチアピリリウム塩、特開昭58−181051号、同58−220143号、同59−41363号、同59−84248号、同59−84249号、同59−146063号、同59−146061号の各公報に記載されているピリリウム系化合物、特開昭59−216146号公報記載のシアニン色素、米国特許第4,283,475号明細書に記載のペンタメチンチオピリリウム塩等や特公平5−13514号公報、同5−19702号公報に開示されているピリリウム化合物も好ましく用いられる。また、染料として好ましい別の例として米国特許第4,756,993号明細書中に式(I)、(II)として記載されている近赤外吸収染料を挙げることができる。これらの染料のうち特に好ましいものとしては、シアニン色素、スクワリリウム色素、ピリリウム塩、ニッケルチオレート錯体が挙げられる。さらに、シアニン色素が好ましく、特に下記一般式(I)で示されるシアニン色素が最も好ましい。   Further, near infrared absorption sensitizers described in US Pat. No. 5,156,938 are also preferably used, and substituted aryl benzoates described in US Pat. No. 3,881,924 are also preferably used. (Thio) pyrylium salt, trimethine thiapyrylium salt described in JP-A-57-142645 (US Pat. No. 4,327,169), JP-A-58-181051, 58-220143, 59- No. 41363, No. 59-84248, No. 59-84249, No. 59-146063, No. 59-146061, and Pyrlium compounds described in JP-A-59-216146. In US Pat. No. 4,283,475, the pentamethine thiopyrylium salt, etc., and Japanese Patent Publication Nos. 5-13514 and 5-19702 are disclosed. Pyrylium compounds are also preferably used. Another example of a preferable dye is a near-infrared absorbing dye described in US Pat. No. 4,756,993 as formulas (I) and (II). Among these dyes, particularly preferred are cyanine dyes, squarylium dyes, pyrylium salts, and nickel thiolate complexes. Further, a cyanine dye is preferable, and a cyanine dye represented by the following general formula (I) is most preferable.

Figure 2005250216
Figure 2005250216

一般式(I)中、X1は、ハロゲン原子、X2−L1またはNL23を示す。ここで、X2は酸素原子または、硫黄原子を示し、L1は、炭素原子数1〜12の炭化水素基を示し、L2及びL3はそれぞれ独立に炭素原子数1〜12の炭化水素基を示す。R1およびR2は、それぞれ独立に、炭素原子数1〜12の炭化水素基を示す。感光層塗布液の保存安定性から、R1およびR2は、炭素原子数2個以上の炭化水素基であることが好ましく、さらに、R1とR2とは互いに結合し、5員環または6員環を形成していることが特に好ましい。
Ar1、Ar2は、それぞれ同じでも異なっていても良く、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基を示す。Y1、Y2は、それぞれ同じでも異なっていても良く、硫黄原子または炭素原子数12個以下のジアルキルメチレン基を示す。R3、R4は、それぞれ同じで
も異なっていても良く、置換基を有していても良い炭素原子数20個以下の炭化水素基を示す。好ましい置換基としては、炭素原子数12個以下のアルコキシ基、カルボキシル基、スルホ基が挙げられる。R5、R6、R7およびR8は、それぞれ同じでも異なっていても良く、水素原子または炭素原子数12個以下の炭化水素基を示す。原料の入手性から、好ましくは水素原子である。また、Z1-は、対アニオンを示す。ただし、R1〜R8のいずれかにスルホ基が置換されている場合は、Z1-は必要ない。好ましいZ1-は、感光層塗布液の保存安定性から、ハロゲンイオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、およびスルホン酸イオンであり、特に好ましくは、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、およびアリールスルホン酸イオンである。
In the general formula (I), X 1 represents a halogen atom, X 2 -L 1 or NL 2 L 3 . Here, X 2 represents an oxygen atom or a sulfur atom, L 1 represents a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and L 2 and L 3 are each independently a hydrocarbon having 1 to 12 carbon atoms. Indicates a group. R 1 and R 2 each independently represents a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms. From the storage stability of the photosensitive layer coating solution, R 1 and R 2 are preferably hydrocarbon groups having 2 or more carbon atoms, and R 1 and R 2 are bonded to each other to form a 5-membered ring or It is particularly preferable that a 6-membered ring is formed.
Ar 1 and Ar 2 may be the same or different and each represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. Y 1 and Y 2 may be the same or different and each represents a sulfur atom or a dialkylmethylene group having 12 or less carbon atoms. R 3 and R 4 may be the same or different and each represents a hydrocarbon group having 20 or less carbon atoms which may have a substituent. Preferred substituents include alkoxy groups having 12 or less carbon atoms, carboxyl groups, and sulfo groups. R 5 , R 6 , R 7 and R 8 may be the same or different and each represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 12 or less carbon atoms. From the availability of raw materials, a hydrogen atom is preferred. Z 1− represents a counter anion. However, Z 1- is not necessary when any of R 1 to R 8 is substituted with a sulfo group. Preferred Z 1− is a halogen ion, a perchlorate ion, a tetrafluoroborate ion, a hexafluorophosphate ion, and a sulfonate ion, particularly preferably a perchlorate ion, in view of storage stability of the photosensitive layer coating solution. Hexafluorophosphate ion and aryl sulfonate ion.

本発明において、好適に用いることのできる一般式(I)で示されるシアニン色素の具体例として、下記の[IR−1]〜[IR−12]を挙げることができるが、本発明はこれらに制限されるものではない。   In the present invention, specific examples of the cyanine dye represented by formula (I) that can be suitably used include the following [IR-1] to [IR-12]. It is not limited.

Figure 2005250216
Figure 2005250216

Figure 2005250216
Figure 2005250216

Figure 2005250216
Figure 2005250216

本発明において使用される顔料としては、市販の顔料及びカラーインデックス(C.I.)便覧、「最新顔料便覧」(日本顔料技術協会編、1977年刊)、「最新顔料応用技術」(CMC出版、1986年刊)、「印刷インキ技術」CMC出版、1984年刊)に記載されている顔料が利用できる。   Examples of the pigment used in the present invention include commercially available pigments and color index (CI) manual, “Latest Pigment Handbook” (edited by Japan Pigment Technology Association, published in 1977), “Latest Pigment Application Technology” (CMC Publishing, 1986), “Printing Ink Technology”, CMC Publishing, 1984) can be used.

顔料の種類としては、黒色顔料、黄色顔料、オレンジ色顔料、褐色顔料、赤色顔料、紫色顔料、青色顔料、緑色顔料、蛍光顔料、金属粉顔料、その他、ポリマー結合色素が挙げられる。これらの顔料の詳細は、特開平10−39509号公報の段落番号[0052]〜[0054]に詳細に記載されており、これらを本発明にも適用することができる。これらの顔料のうち好ましいものはカーボンブラックである。   Examples of the pigment include black pigments, yellow pigments, orange pigments, brown pigments, red pigments, purple pigments, blue pigments, green pigments, fluorescent pigments, metal powder pigments, and other polymer-bonded dyes. Details of these pigments are described in detail in paragraphs [0052] to [0054] of JP-A-10-39509, and these can also be applied to the present invention. Among these pigments, carbon black is preferable.

なお、これら増感色素は、重合性層の全成分の1.0〜10.0質量%の範囲で使用されるのが好ましい。   In addition, it is preferable that these sensitizing dyes are used in the range of 1.0 to 10.0% by mass of all components of the polymerizable layer.

〔光重合開始剤〕
次いで、本発明で使用する重合性層に含有される光重合開始剤について説明する。本発明で使用する重合性層中に含有される光重合開始剤としては、特許、文献等で公知である種々の光重合開始剤、あるいは2種以上の光重合開始剤の併用系(光重合開始系)を適宜選択して使用することができる。なお、本発明においては単独で用いる光重合開始剤、2種以上の光重合開始剤を併用した系を総括して単に光重合開始剤という。
例えば400nm付近の光を光源として用いる場合、ベンジル、ベンゾイルエーテル、ミヒラーズケトン、アントラキノン、チオキサントン、アクリジン、フェナジン、ベンゾフェノン等が広く使用されている。
(Photopolymerization initiator)
Next, the photopolymerization initiator contained in the polymerizable layer used in the present invention will be described. Examples of the photopolymerization initiator contained in the polymerizable layer used in the present invention include various photopolymerization initiators known in patents, literatures, etc., or a combination system of two or more photopolymerization initiators (photopolymerization). The starting system) can be appropriately selected and used. In the present invention, a photopolymerization initiator used alone and a system in which two or more photopolymerization initiators are used in combination are collectively referred to as a photopolymerization initiator.
For example, when light near 400 nm is used as a light source, benzyl, benzoyl ether, Michler's ketone, anthraquinone, thioxanthone, acridine, phenazine, benzophenone, and the like are widely used.

また、400nm以上の可視光線を光源とする場合にも、種々の光重合開始剤が提案されており、例えば、米国特許第2,850,445号明細書に記載の、ある種の光還元性染料、例えばローズベンガル、エオシン、エリスロシン等、あるいは、染料と光重合開始剤との組み合わせによる系、例えば、染料とアミンの複合開始系(特公昭44−20189号公報)、ヘキサアリールビイミダゾールとラジカル発生剤と染料との併用系(特公昭45−37377号公報)、ヘキサアリールビイミダゾールとp−ジアルキルアミノベンジリデンケトンの系(特公昭47−2528号、特開昭54−155292号各公報)、環状シス−α−ジカルボニル化合物と染料の系(特開昭48−84183号公報)、環状トリアジンとメロシアニン色素の系(特開昭54−151024号公報)、3−ケトクマリンと活性剤の系(特開昭52−112681号、特開昭58−15503号各公報)、ビイミダゾール、スチレン誘導体、チオールの系(特開昭59−140203号公報)、有機過酸化物と色素の系(特開昭59−1504号、特開昭59−140203号、特開昭59−189340号、特開昭62−174203号、特公昭62−1641号各公報、米国特許第4,766,055号明細書)、染料と活性ハロゲン化合物の系(特開昭63−178105号、特開昭63−258903号、特開平2−63054号等各公報)、染料とボレート化合物の系(特開昭62−143044号、特開昭62−150242号、特開昭64−13140号、特開昭64−13141号、特開昭64−13142号、特開昭64−13143号、特開昭64−13144号、特開昭64−17048号、特開平1−229003号、特開平1−298348号、特開平1−138204号等各公報)、ローダニン環を有する色素とラジカル発生剤の系(特開平2−179643号、特開平2−244050号各公報)等を挙げることができる。
更に、好ましい光重合開始剤としては、チタノセン化合物が挙げられる。チタノセン化合物としては、例えば、特開昭59−152396号、特開昭61−151197号各公報に記載されている公知の化合物を適宜に選択して用いることができる。
Also, various photopolymerization initiators have been proposed when using visible light of 400 nm or more as a light source. For example, some photoreductive properties described in US Pat. No. 2,850,445 are described. Dyes, such as rose bengal, eosin, erythrosine, etc., or a combination of a dye and a photopolymerization initiator, such as a complex initiation system of a dye and an amine (Japanese Patent Publication No. 44-20189), hexaarylbiimidazole and a radical A combination system of a generator and a dye (Japanese Patent Publication No. 45-37377), a system of hexaarylbiimidazole and p-dialkylaminobenzylidene ketone (Japanese Patent Publication Nos. 47-2528 and 54-155292), Cyclic cis-α-dicarbonyl compound and dye system (Japanese Patent Laid-Open No. 48-84183), cyclic triazine and merocyanine dye System (Japanese Patent Laid-Open No. 54-151024), a system of 3-ketocoumarin and an activator (Japanese Patent Laid-Open Nos. 52-112681, 58-15503), a system of biimidazole, styrene derivative, thiol ( JP-A-59-140203), organic peroxide and dye system (JP-A-59-1504, JP-A-59-140203, JP-A-59-189340, JP-A-62-174203) JP-B-62-1641, U.S. Pat. No. 4,766,055), dyes and active halogen compounds (JP-A 63-178105, JP-A 63-258903, JP-A 2 -63054, etc.), dye and borate compound systems (JP-A-62-143044, JP-A-62-1050242, JP-A-64-13140, JP-A-64-13141, JP-A-64-13142, JP-A-64-13143, JP-A-64-13144, JP-A-64-17048, JP-A-1-229003, JP-A-1-298348, JP-A-1- No. 138204, etc.), a dye having a rhodanine ring and a radical generator (JP-A-2-17943, JP-A-2-244050).
Furthermore, a titanocene compound is mentioned as a preferable photoinitiator. As the titanocene compound, for example, known compounds described in JP-A Nos. 59-152396 and 61-151197 can be appropriately selected and used.

具体的には、ジ−シクロペンタジエニル−Ti−ジ−クロライド、ジ−シクロペンタジエニル−Ti−ビス−フェニル、ジ−シクロペンタジエニル−Ti−ビス−2,3,4,5,6−ペンタフルオロフェニ−1−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ti−ビス−2,3,5,6−テトラフルオロフェニ−1−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ti−ビス−2,4,6−トリフルオロフェニ−1−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ti−ビス−2,6−ジフルオロフェニ−1−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ti−ビス−2,4−ジフルオロフェニ−1−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ti−ビス−2,3,4,5,6−ペンタフルオロフェニ−1−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ti−ビス−2,3,5,6−テトラフルオロフェニ−1−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ti−ビス−2,4−ジフルオロフェニ−1−イル、ビス(シクロペンタジエニル)−ビス(2,6−ジフルオロ−3−(ピリ−1−イル)フェニル)チタニウム等を挙げることができる。   Specifically, di-cyclopentadienyl-Ti-di-chloride, di-cyclopentadienyl-Ti-bis-phenyl, di-cyclopentadienyl-Ti-bis-2,3,4,5, 6-pentafluorophen-1-yl, di-cyclopentadienyl-Ti-bis-2,3,5,6-tetrafluorophen-1-yl, di-cyclopentadienyl-Ti-bis-2, 4,6-trifluorophen-1-yl, di-cyclopentadienyl-Ti-bis-2,6-difluorophen-1-yl, di-cyclopentadienyl-Ti-bis-2,4-difluoro Phen-1-yl, di-methylcyclopentadienyl-Ti-bis-2,3,4,5,6-pentafluorophen-1-yl, di-methylcyclopentadienyl-Ti-bis-2, 3, 5, 6 Tetrafluorophen-1-yl, di-methylcyclopentadienyl-Ti-bis-2,4-difluorophen-1-yl, bis (cyclopentadienyl) -bis (2,6-difluoro-3- ( Pyrid-1-yl) phenyl) titanium and the like.

なお、これら光重合開始剤は、重合性層の全成分の0.5〜10.0質量%の範囲で使
用されるのが好ましい。
In addition, it is preferable that these photoinitiators are used in 0.5-10.0 mass% of the total component of a polymeric layer.

〔エチレン性不飽和二重結合を有する付加重合性化合物〕
本発明に使用される重合性層に含有されるエチレン性不飽和二重結合を有する付加重合性化合物は、エチレン性不飽和二重結合基を少なくとも1個、好ましくは2個以上有する化合物の中から任意に選択することができる。
例えばモノマー、プレポリマー、すなわち2量体、3量体およびオリゴマー、またはこれらの混合物ならびにこれらの共重合体等の化学的形態をもつものである。
モノマーおよびその共重合体の例としては、不飽和カルボン酸(例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸等)と脂肪族多価アルコール化合物とのエステル、不飽和カルボン酸と脂肪族多価アミン化合物とのアミド等が挙げられる。
[Addition polymerizable compound having an ethylenically unsaturated double bond]
The addition polymerizable compound having an ethylenically unsaturated double bond contained in the polymerizable layer used in the present invention is a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond group, preferably two or more. Can be selected arbitrarily.
For example, it has a chemical form such as a monomer, a prepolymer, that is, a dimer, a trimer and an oligomer, or a mixture thereof and a copolymer thereof.
Examples of monomers and copolymers thereof include esters of unsaturated carboxylic acids (eg, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, maleic acid, etc.) with aliphatic polyhydric alcohol compounds, unsaturated Examples include amides of carboxylic acids and aliphatic polyvalent amine compounds.

脂肪族多価アルコール化合物と不飽和カルボン酸とのエステルのモノマーの具体例としては、アクリル酸エステルとして、エチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、1,3−ブタンジオールジアクリレート、テトラメチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリ(アクリロイルオキシプロピル)エーテル、トリメチロールエタントリアクリレート、ヘキサンジオールジアクリレート、1,4−シクロヘキサンジオールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールジアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ソルビトールトリアクリレート、ソルビトールテトラアクリレート、ソルビトールペンタアクリレート、ソルビトールヘキサアクリレート、トリ(アクロイルオキシエチル)イソシアヌレート、ポリエステルアクリレートオリゴマー等がある。   Specific examples of the monomer of an ester of an aliphatic polyhydric alcohol compound and an unsaturated carboxylic acid include acrylic acid esters such as ethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, 1,3-butanediol diacrylate, and tetramethylene glycol. Diacrylate, propylene glycol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane tri (acryloyloxypropyl) ether, trimethylolethane triacrylate, hexanediol diacrylate, 1,4-cyclohexanediol diacrylate , Tetraethylene glycol diacrylate, pentaerythritol diacrylate, pentaerythritol triacrylate , Pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol diacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, sorbitol triacrylate, sorbitol tetraacrylate, sorbitol pentaacrylate, sorbitol hexaacrylate, tri (acryloyloxyethyl) isocyanurate, Examples include polyester acrylate oligomers.

メタクリル酸エステルとしては、テトラメチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールエタントリメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、1,3−ブタンジオールジメタクリレート、ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールジメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート、ソルビトールトリメタクリレート、ソルビトールテトラメタクリレート、ビス〔p−(3−メタクリルオキシ−2−ヒドロキシプロポキシ)フェニル〕ジメチルメタン、ビス−〔p−(メタクリルオキシエトキシ)フェニル〕ジメチルメタン等がある。   Methacrylic acid esters include tetramethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, neopentyl glycol dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, trimethylolethane trimethacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, 1,3-butanediol dimethacrylate, Hexanediol dimethacrylate, pentaerythritol dimethacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol dimethacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, dipentaerythritol pentamethacrylate, sorbitol trimethacrylate, sorbitol tetramethacrylate, bis [p (3-methacryloxy-2-hydroxypropoxy) phenyl] dimethyl methane, bis - [p- (methacryloxyethoxy) phenyl] dimethyl methane.

イタコン酸エステルとしては、エチレングリコールジイタコネート、プロピレングリコールジイタコネート、1,3−ブタンジオールジイタコネート、1,4−ブタンジオールジイタコネート、テトラメチレングリコールジイタコネート、ペンタエリスリトールジイタコネート、ソルビトールテトライタコネート等がある。   Itaconic acid esters include ethylene glycol diitaconate, propylene glycol diitaconate, 1,3-butanediol diitaconate, 1,4-butanediol diitaconate, tetramethylene glycol diitaconate, pentaerythritol diitaconate And sorbitol tetritaconate.

クロトン酸エステルとしては、エチレングリコールジクロトネート、テトラメチレングリコールジクロトネート、ペンタエリスリトールジクロトネート、ソルビトールテトラジクロトネート等がある。
イソクロトン酸エステルとしては、エチレングリコールジイソクロトネート、ペンタエリスリトールジイソクロトネート、ソルビトールテトライソクロトネート等がある。
Examples of crotonic acid esters include ethylene glycol dicrotonate, tetramethylene glycol dicrotonate, pentaerythritol dicrotonate, and sorbitol tetradicrotonate.
Examples of isocrotonic acid esters include ethylene glycol diisocrotonate, pentaerythritol diisocrotonate, and sorbitol tetraisocrotonate.

マレイン酸エステルとしては、エチレングリコールジマレート、トリエチレングリコールジマレート、ペンタエリスリトールジマレート、ソルビトールテトラマレート等がある。
更に、前述のエステルモノマーの混合物もあげることができる。
Examples of maleic acid esters include ethylene glycol dimaleate, triethylene glycol dimaleate, pentaerythritol dimaleate, and sorbitol tetramaleate.
Furthermore, the mixture of the above-mentioned ester monomer can be mention | raise | lifted.

また、脂肪族多価アミン化合物と不飽和カルボン酸とのアミドのモノマーの具体例としては、メチレンビス−アクリルアミド、メチレンビス−メタクリルアミド、1,6−ヘキサメチレンビス−アクリルアミド、1,6−ヘキサメチレンビス−メタクリルアミド、ジエチレントリアミントリスアクリルアミド、キシリレンビスアクリルアミド、キシリレンビスメタクリルアミド等が挙げられる。   Specific examples of amide monomers of aliphatic polyvalent amine compounds and unsaturated carboxylic acids include methylene bis-acrylamide, methylene bis-methacrylamide, 1,6-hexamethylene bis-acrylamide, 1,6-hexamethylene bis. -Methacrylamide, diethylenetriamine trisacrylamide, xylylene bisacrylamide, xylylene bismethacrylamide and the like.

また、特開昭51−37193号公報に記載されているようなウレタンアクリレート類、特開昭48−64183号、特公昭49−43191号、特公昭52−30490号の各公報に記載されているようなポリエステルアクリレート類、エポキシ樹脂と(メタ)アクリル酸を反応させたエポキシアクリレート類等の多官能のアクリレートやメタクリレートを挙げることができる。更に日本接着協会誌Vol.20、No.7、300〜308頁(1984年)に光硬化性モノマーおよびオリゴマーとして紹介されているものも、使用することができる。   Further, urethane acrylates such as those described in JP-A-51-37193, JP-A-48-64183, JP-B-49-43191, JP-B-52-30490 are described. Polyfunctional acrylates and methacrylates such as polyester acrylates and epoxy acrylates obtained by reacting an epoxy resin with (meth) acrylic acid can be used. Furthermore, Journal of Japan Adhesion Association Vol. 20, no. 7, pages 300 to 308 (1984), those introduced as photocurable monomers and oligomers can also be used.

具体的には、NKオリゴ U−4HA、U−4H、U−6HA、U−108A、U−1084A、U−200AX、U−122A、U−340A、U−324A、UA−100(以上、新中村化学工業製)、UA−306H、AI−600、UA−101T、UA−101I、UA−306T、UA−306I(以上、共栄社油脂製)、アートレジン UN−9200A、UN−3320HA、UN−3320HB、UN−3320HC、SH−380G、SH−500、SH−9832(以上、根上工業製)等を挙げることができる。   Specifically, NK oligo U-4HA, U-4H, U-6HA, U-108A, U-1084A, U-200AX, U-122A, U-340A, U-324A, UA-100 (above, new Nakamura Chemical Co., Ltd.), UA-306H, AI-600, UA-101T, UA-101I, UA-306T, UA-306I (above, manufactured by Kyoeisha Yushi), Art Resin UN-9200A, UN-3320HA, UN-3320HB , UN-3320HC, SH-380G, SH-500, SH-9832 (manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.) and the like.

なお、これらエチレン性不飽和二重結合を有する付加重合性化合物の使用量は、重合性層の全成分の5〜90質量%の範囲が好ましく、より好ましくは10〜80質量%の範囲である。   In addition, the usage-amount of the addition polymerizable compound which has these ethylenically unsaturated double bonds has the preferable range of 5-90 mass% of all the components of a polymeric layer, More preferably, it is the range of 10-80 mass%. .

〔高分子バインダー〕
本発明では、重合性層中に高分子バインダー(バインダーポリマー)を含有させることができる。
高分子バインダーとしては、重合性層の皮膜形成剤としてだけでなく、アルカリ現像液に溶解する必要があるため、アルカリ水に可溶性または膨潤性である有機高分子重合体が使用される。
有機高分子重合体としては、種々のものが挙げられるが、水現像を望む場合には、例えば水可溶性有機高分子重合体を用いる。この様な有機高分子重合体としては、側鎖にカルボン酸基を有する付加重合体、例えば特開昭59−44615号、特公昭54−34327号、特公昭58−12577号、特公昭54−25957号、特開昭54−92723号、特開昭59−53836号、特開昭59−71048号の各公報に記載されているもの、即ちメタクリル酸共重合体、アクリル酸共重合体、イタコン酸共重合体、クロトン酸共重合体、マレイン酸共重合体、部分エステル化マレイン酸共重合体等や、側鎖にカルボン酸基を有する酸性セルロース誘導体、水酸基を有する付加重合体に環状酸無水物を付加させたもの、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキサイド、並びに、硬化皮膜の強度を上げ得るアルコール可溶性ポリアミドや2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−プロパンとエピクロロヒドリンのポリエーテル等が挙げられる。
[Polymer binder]
In the present invention, a polymer binder (binder polymer) can be contained in the polymerizable layer.
As the polymer binder, an organic polymer that is soluble or swellable in alkaline water is used because it needs to be dissolved in an alkali developer as well as a film-forming agent for the polymerizable layer.
Examples of the organic polymer include various polymers. When water development is desired, for example, a water-soluble organic polymer is used. Examples of such an organic polymer include addition polymers having a carboxylic acid group in the side chain, such as JP 59-44615, JP-B 54-34327, JP-B 58-12577, JP-B 54-. No. 25957, JP 54-92723, JP 59-53836, JP 59-71048, ie, methacrylic acid copolymer, acrylic acid copolymer, itacon Cyclic acid anhydrides for acid copolymers, crotonic acid copolymers, maleic acid copolymers, partially esterified maleic acid copolymers, acidic cellulose derivatives having a carboxylic acid group in the side chain, and addition polymers having a hydroxyl group Products, polyvinyl pyrrolidone, polyethylene oxide, and alcohol-soluble polyamide or 2,2-bis- (4-hydride) that can increase the strength of the cured film Kishifeniru) - and a polyether of propane and epichlorohydrin.

これらの中で、〔ベンジル(メタ)アクリレート/(メタ)アクリル酸/必要に応じてその他の付加重合性ビニルモノマー〕共重合体および〔アリル(メタ)アクリレート/(メタ)アクリル酸/必要に応じてその他の付加重合性ビニルモノマー〕共重合体が、特に好ましい。
更には、特公平7−120040号、特公平7−120041号、特公平7−120042号、特公平8−12424号、特開昭63−287944号、特開昭63−287947号、特開平1−271741号、特開平11−352691号の各公報に記載のポリウレタン樹脂も本発明の用途に使用できる。
Among these, [benzyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid / other addition-polymerizable vinyl monomers as required] copolymer and [allyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid / as required Other addition polymerizable vinyl monomers] copolymers are particularly preferred.
Furthermore, JP-B-7-120040, JP-B-7-120041, JP-B-7-120042, JP-B-8-12424, JP-A-63-287944, JP-A-63-287947, JP-A-1 Polyurethane resins described in JP-A Nos. -271741 and JP-A No. 11-352691 can also be used in the application of the present invention.

これら高分子重合体は、側鎖にラジカル反応性基を導入することにより硬化皮膜の強度を向上させることができる。付加重合反応し得る官能基としては、エチレン性不飽和結合基、アミノ基、エポキシ基等が挙げられ、また光照射によりラジカルになり得る官能基としては、メルカプト基、チオール基、ハロゲン原子、トリアジン構造、オニウム塩構造等が、また極性基としてカルボキシル基、イミド基等が挙げられる。上記付加重合友応し得る官能基としては、アクリル基、メタクリル基、アリル基、スチリル基等のエチレン性不飽和結合基が特に好ましいが、アミノ基、ヒドロキシ基、ホスホン酸基、燐酸基、カルバモイル基、イソシアネート基、ウレイド基、ウレイレン基、スルフォン酸基、アンモニオ基から選ばれる官能基も使用し得る。   These polymer polymers can improve the strength of the cured film by introducing a radical reactive group into the side chain. Examples of functional groups capable of undergoing addition polymerization include ethylenically unsaturated bond groups, amino groups, and epoxy groups, and examples of functional groups that can become radicals upon irradiation with light include mercapto groups, thiol groups, halogen atoms, and triazines. Structure, onium salt structure and the like, and polar groups include a carboxyl group and an imide group. The functional group capable of addition polymerization is particularly preferably an ethylenically unsaturated bond group such as an acryl group, a methacryl group, an allyl group, or a styryl group, but an amino group, a hydroxy group, a phosphonic acid group, a phosphoric acid group, or a carbamoyl group. A functional group selected from a group, an isocyanate group, a ureido group, a ureylene group, a sulfonic acid group, and an ammonio group can also be used.

重合性層の現像性を維持するためには、使用される高分子バインダーは適当な分子量、酸価を有することが好ましく、重量平均分子量で5000〜30万、酸価20〜200の高分子重合体が特に好ましい。
これらの高分子バインダーは、感光層中に任意な量で含有させることができるが、90質量%を超える場合には形成される画像強度等の点で好ましい結果を与えない場合があるので、好ましくは10〜90質量%、より好ましくは30〜80質量%である。
また前記したエチレン性不飽和二重結合を有する付加重合性化合物と高分子バインダーの使用割合は、質量比で0.1〜1.5の範囲とするのが好ましく、より好ましくは0.1〜1.0であり、最も好ましくは0.1〜0.8である。
In order to maintain the developability of the polymerizable layer, the polymer binder used preferably has an appropriate molecular weight and acid value, and has a weight average molecular weight of 5000 to 300,000 and an acid value of 20 to 200. Coalescence is particularly preferred.
These polymer binders can be contained in an arbitrary amount in the photosensitive layer. However, if it exceeds 90% by mass, it may not give favorable results in terms of formed image strength, etc. Is 10 to 90% by mass, more preferably 30 to 80% by mass.
Further, the ratio of the addition polymerizable compound having the ethylenically unsaturated double bond and the polymer binder is preferably 0.1 to 1.5 in terms of mass ratio, more preferably 0.1 to 1.5. 1.0, most preferably 0.1 to 0.8.

また、本発明で使用される重合性層においては、以上の基本成分の他に、重合性層を形成するための組成物の製造中あるいは保存中においてエチレン性不飽和二重結合を有する付加重合性化合物の不要な熱重合を阻止するために、少量の熱重合禁止剤を添加することが望ましい。適当な熱重合禁止剤としては、ハイドロキノン、p−メトキシフェノール、ジ−t−ブチル−p−クレゾール、ピロガロール、t−ブチルカテコール、ベンゾキノン、4,4′−チオビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2′−メチレンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、N−ニトロソフェニルヒドロキシルアミン第一セリウム塩、N−ニトロソフェニルヒドロキシルアミンアルミニウム塩等が挙げられる。熱重合禁止剤の添加量は、前記組成物の全成分の約0.01質量%〜約5質量%が好ましい。また必要に応じて、酸素による重合阻害を防止するために、ベヘン酸やベヘン酸アミドのような高級脂肪酸誘導体等を添加して、塗布後の乾燥の過程で重合性層の表面に偏在させてもよい。高級脂肪酸誘導体の添加量は、組成物の全成分の約0.5質量%〜約10質量%が好ましい。   Further, in the polymerizable layer used in the present invention, in addition to the above basic components, addition polymerization having an ethylenically unsaturated double bond during the production or storage of the composition for forming the polymerizable layer. In order to prevent unnecessary thermal polymerization of the functional compound, it is desirable to add a small amount of a thermal polymerization inhibitor. Suitable thermal polymerization inhibitors include hydroquinone, p-methoxyphenol, di-t-butyl-p-cresol, pyrogallol, t-butylcatechol, benzoquinone, 4,4'-thiobis (3-methyl-6-t- Butylphenol), 2,2'-methylenebis (4-methyl-6-t-butylphenol), N-nitrosophenylhydroxylamine cerium salt, N-nitrosophenylhydroxylamine aluminum salt and the like. The addition amount of the thermal polymerization inhibitor is preferably about 0.01% by mass to about 5% by mass of the total components of the composition. If necessary, in order to prevent polymerization inhibition by oxygen, higher fatty acid derivatives such as behenic acid and behenic acid amide are added and unevenly distributed on the surface of the polymerizable layer in the drying process after coating. Also good. The amount of the higher fatty acid derivative added is preferably about 0.5% by mass to about 10% by mass of the total components of the composition.

更に重合性層の着色を目的として、着色剤を添加してもよい。着色剤としては、例えば、フタロシアニン系顔料(C.I.Pigment Blue 15:3、15:4、15:6等)、アゾ系顔料、カーボンブラック、酸化チタン等の顔料、エチルバイオレット、クリスタルバイオレット、アゾ染料、アントラキノン系染料、シアニン系染料がある。染料および顔料の添加量は、組成物の全成分の約0.5質量%〜約5質量%が好ましい。
加えて、硬化皮膜の物性を改良するために、無機充填剤やジオクチルフタレート、ジメチルフタレート、トリクレジルホスフェート等の可塑剤等の添加剤を加えてもよい。これ
らの添加剤は、組成物の全成分の10質量%以下が好ましい。
また、重合性層を形成するための組成物には、塗布面質を向上するために界面活性剤を添加することができる。好適な界面活性剤としては、たとえばフッ素系ノニオン界面活性剤を挙げることができる。
Further, a coloring agent may be added for the purpose of coloring the polymerizable layer. Examples of the colorant include phthalocyanine pigments (CI Pigment Blue 15: 3, 15: 4, 15: 6, etc.), azo pigments, pigments such as carbon black and titanium oxide, ethyl violet, crystal violet, There are azo dyes, anthraquinone dyes, and cyanine dyes. The addition amount of the dye and the pigment is preferably about 0.5% by mass to about 5% by mass of the total components of the composition.
In addition, in order to improve the physical properties of the cured film, an additive such as an inorganic filler or a plasticizer such as dioctyl phthalate, dimethyl phthalate, or tricresyl phosphate may be added. These additives are preferably 10% by mass or less of the total components of the composition.
Further, a surfactant can be added to the composition for forming the polymerizable layer in order to improve the coating surface quality. Suitable surfactants include, for example, fluorine-based nonionic surfactants.

本発明において、重合性層を形成するための組成物は、後に詳述する所望により各種表面処理を施された支持体上に、塗工されることになるが、組成物を支持体上に塗工する際には種々の有機溶剤に溶かして使用に供される。ここで使用し得る溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、酢酸エチル、エチレンジクロライド、テトラヒドロフラン、トルエン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、アセチルアセトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール、エチレングリコールモノメーチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、3−メトキシプロパノール、メトキシメトキシエタノール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、3−メトキシプロピルアセテート、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、乳酸メチル、乳酸エチル等がある。これらの溶媒は、単独あるいは混合して使用することができる。尚、塗布溶液中の固形分濃度は、1〜50質量%が好適である。
本発明で使用されるネガ型平版印刷版原版において重合性層の被覆量は、塗布乾燥後の質量で約0.1g/m2〜約10g/m2の範囲が好ましく、より好ましくは0.3〜5g/m2であり、更に好ましくは0.5〜3g/m2である。
In the present invention, the composition for forming the polymerizable layer is coated on a support subjected to various surface treatments as desired, which will be described in detail later. When coating, it is dissolved in various organic solvents and used. Solvents that can be used here include acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexane, ethyl acetate, ethylene dichloride, tetrahydrofuran, toluene, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether. , Acetylacetone, cyclohexanone, diacetone alcohol, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol ethyl ether acetate, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether acetate, 3-methoxypropanol, methoxymethoxyethanol, diethylene glycol monomethyl ether , Diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, 3-methoxypropyl acetate, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, γ-butyrolactone, methyl lactate, lactic acid There are ethyl and the like. These solvents can be used alone or in combination. In addition, 1-50 mass% is suitable for solid content concentration in a coating solution.
In the negative lithographic printing plate precursor used in the present invention, the coating amount of the polymerizable layer is preferably in the range of about 0.1 g / m 2 to about 10 g / m 2 in terms of the mass after coating and drying, and more preferably 0. a 3 to 5 g / m 2, more preferably from 0.5 to 3 g / m 2.

[製版プロセス]
次に本発明の平版印刷版の製版方法について詳細に説明する。上述したネガ型平版印刷版原版の露光方法は、光源としてAlGaInN半導体レーザー(市販InGaN系半導体レーザー5〜30mW)が波長特性、コストの面で好適である。
[Plate making process]
Next, the plate making method of the planographic printing plate of the present invention will be described in detail. In the exposure method of the negative lithographic printing plate precursor described above, an AlGaInN semiconductor laser (commercially available InGaN-based semiconductor laser 5 to 30 mW) is suitable as a light source in terms of wavelength characteristics and cost.

また、露光機構は内面ドラム方式、外面ドラム方式、フラットベッド方式等のいずれでもよい。また本発明のネガ型平版印刷版原版の重合性層成分は高い水溶性のものを使用することで、中性の水や弱アルカリ水に可溶とすることもできるが、このような構成のネガ型平版印刷版原版は印刷機上に装填後、機上で露光−現像といった方式を行うこともできる。画像露光した後、必要に応じ、露光から現像までの間に、全面を加熱してもよい。このような加熱により、重合性層中の画像形成反応が促進され、感度や耐刷性の向上や、感度の安定化といった利点が生じ得る。さらに、画像強度・耐刷性の向上を目的として、現像後の画像に対し、全面後加熱もしくは、全面露光を行うことも有効である。通常現像前の加熱は150℃以下の穏和な条件で行うことが好ましい。現像後の加熱には非常に強い条件を利用する。通常は200〜500℃の範囲である。   The exposure mechanism may be any of an internal drum system, an external drum system, a flat bed system, and the like. Further, the polymerizable layer component of the negative lithographic printing plate precursor according to the present invention can be made soluble in neutral water or weak alkaline water by using a highly water-soluble component. The negative lithographic printing plate precursor can be loaded on a printing press and then subjected to a method such as exposure-development on the press. After the image exposure, the entire surface may be heated between exposure and development as necessary. By such heating, the image forming reaction in the polymerizable layer is promoted, and advantages such as improvement in sensitivity and printing durability and stabilization of sensitivity may occur. Further, for the purpose of improving the image strength and printing durability, it is also effective to carry out whole surface post-heating or whole surface exposure on the developed image. Usually, heating before development is preferably performed under mild conditions of 150 ° C. or less. Very strong conditions are used for heating after development. Usually, it is the range of 200-500 degreeC.

(現像液)
上記の平版印刷版の製版方法に使用される現像液は、特に限定されないが、例えば、無機アルカリ塩とノニオン系界面活性剤とを含有し、pHが11.0〜12.5であるものが好適に使用される。
無機アルカリ塩としては適宜使用可能であるが、例えば、水酸化ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、同リチウム、珪酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、同リチウム、第3リン酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、炭酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、硼酸ナトリ
ウム、同カリウム、および同アンモニウム等の無機アルカリ剤が挙げられる。これらは単独でも、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
(Developer)
The developer used in the plate making method of the lithographic printing plate is not particularly limited. For example, a developer containing an inorganic alkali salt and a nonionic surfactant and having a pH of 11.0 to 12.5. Preferably used.
The inorganic alkali salt can be used as appropriate. For example, sodium hydroxide, potassium, ammonium, lithium, sodium silicate, potassium, ammonium, lithium, tribasic sodium phosphate, potassium, ammonium Inorganic alkaline agents such as sodium carbonate, potassium, ammonium, sodium hydrogen carbonate, potassium, ammonium, sodium borate, potassium, and ammonium. These may be used alone or in combination of two or more.

珪酸塩を使用する場合には、珪酸塩の成分である酸化珪素SiO2とアルカリ酸化物M2O(Mはアルカリ金属またはアンモニウム基を表す。)との混合比率および濃度の調製により、現像性を容易に調節することが出来る。前記アルカリ水溶液の中でも前記酸化珪素SiO2とアルカリ酸化物M2Oとの混合比率(SiO2/M2O:モル比)が0.5〜3.0のものが好ましく、1.0〜2.0のものが好ましい。前記SiO2とM2Oとの混合物添加量は、アルカリ水溶液の質量に対して1〜10質量%が好ましく、3〜8質量%がより好ましく、4〜7質量%が最も好ましい。この濃度が1質量%以上であると現像性、処理能力が低下せず、10質量%以下であると沈殿や結晶を生成し難くなり、さらに廃液時の中和の際にゲル化し難くなり、廃液処理に支障をきたさない。 In the case of using silicate, developability can be achieved by adjusting the mixing ratio and concentration of silicon oxide SiO 2 which is a component of silicate and alkali oxide M 2 O (M represents an alkali metal or ammonium group). Can be easily adjusted. Among the alkali aqueous solutions, those having a mixing ratio (SiO 2 / M 2 O: molar ratio) of silicon oxide SiO 2 and alkali oxide M 2 O of 0.5 to 3.0 are preferable, and 1.0 to 2 0.0 is preferred. The amount of the mixture of SiO 2 and M 2 O added is preferably 1 to 10% by mass, more preferably 3 to 8% by mass, and most preferably 4 to 7% by mass with respect to the mass of the alkaline aqueous solution. When this concentration is 1% by mass or more, developability and processing capacity are not lowered, and when it is 10% by mass or less, it is difficult to form precipitates and crystals, and further, it is difficult to gel during neutralization in the waste liquid. Does not interfere with waste liquid treatment.

また、アルカリ濃度の微少な調整、重合性層の溶解性の補助の目的で、補足的に有機アルカリ剤を併用してもよい。有機アルカリ剤としては、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、n−ブチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、エチレンイミン、エチレンジアミン、ピリジン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等を挙げることができる。これらのアルカリ剤は、単独もしくは2種以上を組み合わせて用いられる。   Further, an organic alkali agent may be supplementarily used for the purpose of finely adjusting the alkali concentration and assisting the solubility of the polymerizable layer. Examples of the organic alkali agent include monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, monoisopropylamine, diisopropylamine, triisopropylamine, n-butylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, monoisopropanolamine, Examples thereof include diisopropanolamine, ethyleneimine, ethylenediamine, pyridine, tetramethylammonium hydroxide and the like. These alkali agents are used alone or in combination of two or more.

界面活性剤としては適宜使用可能であるが、例えば、ポリオキシアルキレンエーテル基を有するノニオン界面活性剤、ポリオキシエチレンステアレート等のポリオキシエチレンアルキルエステル類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンジステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタンセスキオレエート、ソルビタントリオレエート等のソルビタンアルキルエステル類、グリセロールモノステアレート、グリセロールモノオレート等のモノグリセリドアルキルエステル類等のノニオン界面活性剤;ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム等のアルキルベンゼンスルホン酸塩類、ブチルナフタレンスルホン酸ナトリウム、ペンチルナフタレンスルホン酸ナトリウム、ヘキシルナフタレンスルホン酸ナトリウム、オクチルナフタレンスルホン酸ナトリウム等のアルキルナフタレンスルホン酸塩類、ラウリル硫酸ナトリウム等のアルキル硫酸塩類、ドデシルスルホン酸ソーダ等のアルキルスルホン酸塩類、ジラウリルスルホコハク酸ナトリウム等のスルホコハク酸エステル塩類等のアニオン界面活性剤;ラウリルベタイン、ステアリルベタイン等のアルキルベタイン類、アミノ酸類等の両性界面活性剤等を挙げることができるが、特に好ましいのはポリオキシアルキレンエーテル基を有するノニオン界面活性剤である。   The surfactant can be used as appropriate, for example, nonionic surfactants having a polyoxyalkylene ether group, polyoxyethylene alkyl esters such as polyoxyethylene stearate, sorbitan monolaurate, sorbitan monostearate, Nonionic surfactants such as sorbitan alkyl esters such as sorbitan distearate, sorbitan monooleate, sorbitan sesquioleate and sorbitan trioleate, monoglyceride alkyl esters such as glycerol monostearate and glycerol monooleate; dodecylbenzenesulfonic acid Alkylbenzene sulfonates such as sodium, sodium butyl naphthalene sulfonate, sodium pentyl naphthalene sulfonate, sodium hexyl naphthalene sulfonate Anion interfaces such as alkyl naphthalene sulfonates such as sodium and sodium octyl naphthalene sulfonate, alkyl sulfates such as sodium lauryl sulfate, alkyl sulfonates such as sodium dodecyl sulfonate, and sulfosuccinate esters such as sodium dilauryl sulfosuccinate Activators: Alkyl betaines such as lauryl betaine and stearyl betaine, amphoteric surfactants such as amino acids, and the like can be mentioned. Particularly preferred are nonionic surfactants having a polyoxyalkylene ether group.

ポリオキシアルキレンエーテル基を含有する界面活性剤としては、下記一般式(II)の構造を有するものが好適に使用される。
40−O−(R41−O)pH (II)
As the surfactant containing a polyoxyalkylene ether group, those having the structure of the following general formula (II) are preferably used.
R 40 —O— (R 41 —O) pH (II)

式中、R40は、置換基を有してもよい炭素数3〜15のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜15の芳香族炭化水素基、または置換基を有してもよい炭素数4〜15の複素芳香族環基(尚、置換基としては炭素数1〜20のアルキル基、Br、Cl、I等のハロゲン原子、炭素数6〜15の芳香族炭化水素基、炭素数7〜17のアラルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数2〜20のアルコキシカルボニル基、炭素数2〜15のアシル基が挙げられる。)を示し、R41は、置換基を有してもよい炭素数1〜100のアルキレン基(尚、置換基としては、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜15の芳香族炭化水素基が挙げられる。)を示し、pは1〜100の整数を表す。 In the formula, R 40 has an optionally substituted alkyl group having 3 to 15 carbon atoms, an optionally substituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 15 carbon atoms, or a substituent. An optionally substituted heteroaromatic cyclic group having 4 to 15 carbon atoms (in addition, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogen atom such as Br, Cl, or I, an aromatic hydrocarbon having 6 to 15 carbon atoms) Group, an aralkyl group having 7 to 17 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms, and an acyl group having 2 to 15 carbon atoms), and R 41 is C1-C100 alkylene group which may have a substituent (In addition, as a substituent, a C1-C20 alkyl group and a C6-C15 aromatic hydrocarbon group are mentioned.). P represents an integer of 1 to 100.

上記式(II)の定義において、「芳香族炭化水素基」の具体例としては、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アンスリル基、ビフェニル基、フェナンスリル基等が挙げられ、また「複素芳香族環基」の具体例としては、フリル基、チオニル基、オキサゾリル基、イミダゾリル基、ピラニル基、ピリジニル基、アクリジニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオニル基、ベンゾピラニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイミダゾリル基等が挙げられる。   In the definition of the above formula (II), specific examples of the “aromatic hydrocarbon group” include phenyl group, tolyl group, naphthyl group, anthryl group, biphenyl group, phenanthryl group and the like, and “heteroaromatic ring” Specific examples of the “group” include furyl group, thionyl group, oxazolyl group, imidazolyl group, pyranyl group, pyridinyl group, acridinyl group, benzofuranyl group, benzothionyl group, benzopyranyl group, benzooxazolyl group, benzoimidazolyl group, and the like. It is done.

また式(II)の(R41−O)pの部分は、上記範囲であれば、2種または3種の基であってもよい。具体的にはエチレンオキシ基とプロピレンオキシ基、エチレンオキシ基とイソプロピルオキシ基、エチレンオキシ基とブチレンオキシ基、エチレンオキシ基とイソブチレン基等の組み合わせのランダムまたはブロック状に連なったもの等が挙げられる。本発明において、ポリオキシアルキレンエーテル基を有する界面活性剤は単独または複合系で使用され、現像液中好ましくは1〜30質量%、より好ましくは2〜20質量%添加することが効果的である。 Further, the part of (R 41 —O) p in the formula (II) may be 2 or 3 groups as long as it is in the above range. Specific examples include random or block combinations of ethyleneoxy and propyleneoxy groups, ethyleneoxy and isopropyloxy groups, ethyleneoxy and butyleneoxy groups, ethyleneoxy groups and isobutylene groups, and the like. . In the present invention, the surfactant having a polyoxyalkylene ether group is used alone or in a complex system, and it is effective to add 1 to 30% by mass, more preferably 2 to 20% by mass in the developer. .

また上記式(II)で表されるポリオキシアルキレンエーテル基を有するノニオン界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンフェニルエーテル、ポリオキシエチレンナフチルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル類、ポリオキシエチレンメチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類が挙げられる。
これら界面活性剤は単独、もしくは組み合わせて使用することができる。また、これら界面活性剤の現像液中における含有量は有効成分換算で0.1〜20質量%の範囲が好適に使用される。
Examples of the nonionic surfactant having a polyoxyalkylene ether group represented by the above formula (II) include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene cetyl ether and polyoxyethylene stearyl ether. Polyoxyethylene aryl ethers such as polyoxyethylene phenyl ether and polyoxyethylene naphthyl ether, polyoxyethylene alkyl aryl ethers such as polyoxyethylene methyl phenyl ether, polyoxyethylene octyl phenyl ether and polyoxyethylene nonyl phenyl ether Kind.
These surfactants can be used alone or in combination. Further, the content of these surfactants in the developer is preferably in the range of 0.1 to 20% by mass in terms of active ingredients.

本発明の平版印刷版の製版に使用される現像液のpHは、特に限定されないが、好ましくは11.0〜12.7、更に好ましくは11.5〜12.5である。11.0以上であると画像形成が確実にでき、12.7以下であると過現像にならず、露光部の現像でのダメージを受けない。
また、該現像液の導電率は、3〜30 mS/cmである事が好ましい。3mS/cm以上であると、アルミニウム支持体表面の光重合性感光層の溶出が確実に可能となり、印刷で汚れがなく、30mS/cm以下であると、塩濃度が高くなり過ぎないため、光重合性感光層の溶出速度が極端に遅くなることがなく、未露光部に残膜も生じない。特に好ましい導電率は、5〜20mS/cmの範囲である。
The pH of the developer used for the plate making of the lithographic printing plate of the present invention is not particularly limited, but is preferably 11.0 to 12.7, more preferably 11.5 to 12.5. When it is 11.0 or more, image formation can be ensured, and when it is 12.7 or less, over-development is not caused, and damage caused by development in the exposed portion is not caused.
The conductivity of the developer is preferably 3 to 30 mS / cm. When it is 3 mS / cm or more, the photopolymerizable photosensitive layer on the surface of the aluminum support can be surely eluted, and there is no stain in printing, and when it is 30 mS / cm or less, the salt concentration does not become too high. The elution rate of the polymerizable photosensitive layer does not become extremely slow, and no residual film is formed in the unexposed area. Particularly preferred conductivity is in the range of 5-20 mS / cm.

本発明における平版印刷版の現像は、常法に従って、0〜60℃、好ましくは15〜40℃程度の温度で、例えば、露光処理した平版印刷版を現像液に浸漬してブラシで擦る等により行う。
さらに自動現像機を用いて現像処理を行う場合、処理量に応じて現像液が疲労してくるので、補充液または新鮮な現像液を用いて処理能力を回復させてもよい。
このようにして現像処理された感光性平版印刷版は特開昭54-8002号、同55-115045号、同59-58431号等の各公報に記載されているように、水洗水、界面活性剤等を含有するリンス液、アラビアガムやデンプン誘導体等を含む不感脂化液で後処理される。本発明において感光性平版印刷版の後処理にはこれらの処理を種々組み合わせて用いることができる。
上記のような処理により得られた印刷版は特開2000-89478号公報に記載の方法による後露光処理やバーニングなどの加熱処理により、耐刷性を向上させることができる。
このような処理によって得られた平版印刷版はオフセット印刷機に掛けられ、多数枚の印刷に用いられる。
The development of the lithographic printing plate in the present invention is carried out at a temperature of about 0 to 60 ° C., preferably about 15 to 40 ° C., for example, by immersing the exposed lithographic printing plate in a developer and rubbing with a brush according to a conventional method. Do.
Further, when developing using an automatic developing machine, the developing solution becomes fatigued according to the amount of processing, so that the processing capability may be restored by using a replenishing solution or a fresh developing solution.
The photosensitive lithographic printing plate thus developed is washed with water and surface active as described in JP-A-54-8002, JP-A-55-115045, JP-A-59-58431, etc. It is post-treated with a rinsing solution containing an agent and the like, a desensitizing solution containing gum arabic, starch derivatives and the like. In the present invention, these treatments can be used in various combinations for the post-treatment of the photosensitive lithographic printing plate.
The printing plate obtained by the above treatment can be improved in printing durability by post-exposure treatment or heating treatment such as burning according to the method described in JP-A-2000-89478.
The planographic printing plate obtained by such processing is loaded on an offset printing machine and used for printing a large number of sheets.

以下、実施例により、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
〔実施例1〕
[支持体例 1]
(支持体1:陽極酸化アルミニウム支持体)
厚さ0.30mmの材質1Sのアルミニウム板を8号ナイロンブラシと800メッシュのパミストンの水懸濁液を用い、その表面を砂目立てした後、よく水で洗浄した。10%水酸化ナトリウムに70℃で60秒間浸漬してエッチングした後、流水で、水洗後、20%HNO3で中和洗浄、水洗した。これをVA=12.7Vの条件下で正弦波の交番波形電流を用いて1%硝酸水溶液中で300クーロン/dm2の陽極時電気量で電解粗面化処理を行った。その表面粗さを測定したところ0.45μm(Ra表示)であった。ひきつづいて30%のH2SO4水溶液中に浸漬し、55℃で2分間デスマットした後、33℃、20%H2SO4水溶液中で、砂目立てした面に陰極を配置して、電流密度5A/dm2において50秒間陽極酸化したところ、厚さが2.6g/m2であった。これを支持体1とした。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not limited to these.
[Example 1]
[Support Example 1]
(Support 1: Anodized aluminum support)
An aluminum plate made of material 1S having a thickness of 0.30 mm was used with a No. 8 nylon brush and an aqueous suspension of 800 mesh Pamiston, and its surface was grained and washed thoroughly with water. After etching by immersing in 10% sodium hydroxide at 70 ° C. for 60 seconds, washed with running water, neutralized with 20% HNO 3 and washed with water. This was subjected to an electrolytic surface roughening treatment in a 1% nitric acid aqueous solution with a anodic electricity amount of 300 coulomb / dm 2 using a sinusoidal alternating current under the condition of VA = 12.7V. When the surface roughness was measured, it was 0.45 μm (Ra indication). Next, after dipping in a 30% H 2 SO 4 aqueous solution and desmutting at 55 ° C. for 2 minutes, a cathode was placed on the grained surface in 33 ° C., 20% H 2 SO 4 aqueous solution to obtain a current density. When anodized at 5 A / dm 2 for 50 seconds, the thickness was 2.6 g / m 2 . This was designated as Support 1.

(支持体2)
上記支持体(1)に下記のポリマー(P1)の溶液を、バーコーターを用いて乾燥塗布量2mg/m2となるよう、塗布し、80℃で20秒間乾燥した。
(Support 2)
A solution of the following polymer (P1) was applied to the support (1) using a bar coater so that the dry coating amount was 2 mg / m 2, and dried at 80 ° C. for 20 seconds.

〔下塗り液〕
ポリマー(P1) 0.3g
純水 60.0g
メタノール 939.7g
[Undercoat liquid]
Polymer (P1) 0.3g
60.0g of pure water
Methanol 939.7g

ポリマー(P1)の構造式     Structural formula of polymer (P1)

Figure 2005250216
Figure 2005250216

〔光重合性感光性組成物P−1〕
この支持体(2)の上にバーコーターを用いて下記組成の感光性組成物(1)を塗布した後、100℃で1分間乾燥した。乾燥後の感光性組成物の質量は1.1g/m2であった。
[Photopolymerizable photosensitive composition P-1]
A photosensitive composition (1) having the following composition was coated on the support (2) using a bar coater and then dried at 100 ° C. for 1 minute. The mass of the photosensitive composition after drying was 1.1 g / m 2 .

エチレン性不飽和結合含有化合物(A1) 1.0 質量部
高分子バインダー(B1) 2.0 質量部
増感色素(D29) 0.15質量部
光重合開始剤(C1) 0.12質量部
ε−フタロシアニン(F1)分散物 0.02質量部
増感助剤(G1) 0.5 質量部
フッ素系ノニオン界面活性剤メガファックF−780F
(大日本インキ化学工業(株)製) 0.02質量部
メチルエチルケトン 26.0 質量部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 26.3 質量部
Ethylenically unsaturated bond-containing compound (A1) 1.0 part by weight Polymer binder (B1) 2.0 part by weight Sensitizing dye (D29) 0.15 part by weight Photopolymerization initiator (C1) 0.12 part by weight ε -Phthalocyanine (F1) dispersion 0.02 parts by mass Sensitization aid (G1) 0.5 parts by mass Fluorine nonionic surfactant Megafac F-780F
(Dai Nippon Ink Chemical Co., Ltd.) 0.02 parts by mass Methyl ethyl ketone 26.0 parts by mass Propylene glycol monomethyl ether 26.3 parts by mass

なお、この光重合性感光性組成物P−1で使用した、エチレン性不飽和結合含有化合物(A1)、高分子バインダー(B1)、光重合開始剤(C1)、および、ε−フタロシアニン(F1)、増感助剤(G1)は、下記化学式の化合物であった。増感色素は具体例に示した(D29)を用いた。   The ethylenically unsaturated bond-containing compound (A1), polymer binder (B1), photopolymerization initiator (C1), and ε-phthalocyanine (F1) used in the photopolymerizable photosensitive composition P-1 ), The sensitization aid (G1) was a compound of the following chemical formula. As the sensitizing dye, (D29) shown in the specific example was used.

Figure 2005250216
Figure 2005250216

この感光層上に、
クラレ製KM118 5.0質量部
EMALEX710(日本乳化剤(株)製ノニオン界面活性剤) 0.09質量部
純 水 94.91質量部
からなる保護層用水溶液を乾燥塗布質量が2.5g/m2となるようにバーコーターで塗布し、120℃で1分間乾燥させ、感光性平版印刷版原版を得た。
On this photosensitive layer,
Kuraray KM118 5.0 parts by mass
EMALEX 710 (Nonionic surfactant manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.) 0.09 parts by mass Pure water 94.91 parts by mass A protective layer aqueous solution was applied with a bar coater so that the dry coating mass was 2.5 g / m 2. And dried at 120 ° C. for 1 minute to obtain a photosensitive lithographic printing plate precursor.

(露光、製版)
上述の感光性平版印刷版原版をFUJIFILM Electronic Imaging Ltd 製Violet半導体レーザセッターVx9600(InGaN系半導体レーザ405nm±10nm発光/出力30mW)に装填し、90μJ/cm2の露光量で、解像度2438dpiで、2ピクセル線を描画した。露光後の版は自動的に、接続されている自動現像機LP1250PLXに送られ、150℃−10秒間加
熱後、PVA保護層を水洗除去し、引き続いて28℃−20秒間、現像処理される。現像液は富士写真フィルム(株)製現像液DV−2を水で5倍に希釈したものを仕込んだ。現像後の版はリンス浴で水洗後、ガム引き浴へ送られ、富士写真フィルム(株)製ガム液FP−2Wを水で2倍に希釈したものを用いた。ガム引き後の版は、熱風乾燥後排出され、平版印刷版P−1を得た。
(Exposure, plate making)
Was loaded on the above photosensitive lithographic printing plate precursor FUJIFILM Electronic Imaging Ltd made Violet semiconductor laser setter Vx9600 (InGaN-based semiconductor laser 405 nm ± 10 nm emission / output 30 mW), an exposure amount of 90μJ / cm 2, at a resolution 2,438 dpi, 2 Draw a pixel line. The plate after exposure is automatically sent to the connected automatic processor LP1250PLX, heated at 150 ° C. for 10 seconds, washed with water to remove the PVA protective layer, and subsequently developed at 28 ° C. for 20 seconds. The developer was prepared by diluting a developer DV-2 manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd. five times with water. The developed plate was rinsed in a rinse bath, sent to a gumming bath, and a solution obtained by diluting a gum solution FP-2W manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd. with water twice. The plate after gumming was discharged after drying with hot air to obtain a planographic printing plate P-1.

(耐刷性評価)
上記製版で得られた、P−1を、小森コーポレーション社製のリスロン印刷機で、大日本インキ化学工業社製のDIC−GEOS(N)墨のインキを用いて印刷し、ベタ画像の濃度が薄くなり始めたと目視で認められた時点の印刷枚数により、耐刷性を評価した。
結果を表3に示す。
(Evaluation of printing durability)
P-1 obtained by the above plate making was printed with DIC-GEOS (N) black ink manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc. using a Lithrone printer manufactured by Komori Corporation, and the solid image density was Printing durability was evaluated based on the number of printed sheets when it was visually recognized that the film started to become thinner.
The results are shown in Table 3.

(処理性評価)
感光性平版印刷版を150℃、30秒間、ホットプレートにて加熱を行い、その後、純水に加熱したプレートを浸漬し、保護層の溶解状態を目視で観察し、保護層が溶解せず、皮膜状のまま剥離するものを×、溶解したものを○と評価した。
(Processability evaluation)
The photosensitive lithographic printing plate is heated on a hot plate at 150 ° C. for 30 seconds, and then the heated plate is immersed in pure water, the dissolved state of the protective layer is visually observed, and the protective layer does not dissolve, What peeled with a film form was evaluated as x, and what melt | dissolved was evaluated as (circle).

〔実施例2〜3〕
実施例1の保護層に使用したKM118のかわりに、クラレ(株)社製KL506、KM618を使用した以外は実施例1と同様にし、平版印刷版P−2〜3を得た。
[Examples 2-3]
Lithographic printing plates P-2 to P-3 were obtained in the same manner as in Example 1 except that KL506 and KM618 manufactured by Kuraray Co., Ltd. were used instead of KM118 used in the protective layer of Example 1.

〔比較例1〕
実施例1の保護層に使用したKM118のかわりに、クラレ(株)社製高ケン化ポリビニルアルコールPVA105を使用した以外は実施例1と同様に、P−4を得た。
[Comparative Example 1]
P-4 was obtained in the same manner as in Example 1 except that saponified polyvinyl alcohol PVA105 manufactured by Kuraray Co., Ltd. was used instead of KM118 used in the protective layer of Example 1.

〔比較例2〕
前記比較例1の露光後の加熱温度を90℃にした以外は比較例1と同様にP−5を得た。
[Comparative Example 2]
P-5 was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that the heating temperature after exposure in Comparative Example 1 was 90 ° C.

以上得られた、P−2からP−5を実施例1同様に耐刷性評価を行った結果を表3に示す。   Table 3 shows the results of evaluating printing durability of P-2 to P-5 obtained in the same manner as in Example 1.

Figure 2005250216
Figure 2005250216

表3の結果から、本発明における保護層を設けた実施例1〜3の平版印刷版は、処理性および耐刷性に優れているが、分子内に酸残基または酸残基の塩を有さないポリビニルアルコールを用いた比較例1〜2の平版印刷版は、いずれかの性質に劣っていることが分かる。   From the results of Table 3, the lithographic printing plates of Examples 1 to 3 provided with the protective layer in the present invention are excellent in processability and printing durability, but have an acid residue or acid residue salt in the molecule. It can be seen that the lithographic printing plates of Comparative Examples 1 and 2 using polyvinyl alcohol which does not have are inferior to any of the properties.

Claims (3)

支持体上に、重合性を有する層、さらに保護層をこの順に設けたネガ型平版印刷版原版において、該保護層が、分子内に酸残基または酸残基の塩を有するポリビニルアルコールを含むことを特徴とするネガ型平版印刷版原版。   In a negative lithographic printing plate precursor in which a polymerizable layer and a protective layer are provided in this order on a support, the protective layer contains polyvinyl alcohol having an acid residue or a salt of an acid residue in the molecule. A negative lithographic printing plate precursor characterized by that. 該酸残基または酸残基の塩を構成する酸基がカルボン酸またはスルホン酸であることを特徴とする請求項1記載のネガ型平版印刷版原版。   2. The negative lithographic printing plate precursor according to claim 1, wherein the acid group constituting the acid residue or the salt of the acid residue is a carboxylic acid or a sulfonic acid. 請求項1または2記載のネガ型平版印刷版原版を300nmから1100nmの範囲に発光波長を有するレーザで走査露光した後、100℃以上の温度で加熱し、保護層を水洗除去し、さらに現像処理を行うことを特徴とする平版印刷版の製版方法。   3. The negative lithographic printing plate precursor according to claim 1 or 2 is subjected to scanning exposure with a laser having an emission wavelength in the range of 300 nm to 1100 nm, then heated at a temperature of 100 ° C. or more, the protective layer is washed away with water, and further developed. A method for making a lithographic printing plate, comprising:
JP2004061913A 2004-03-05 2004-03-05 Negative type lithographic printing plate precursor and lithographic printing plate making method using the same Expired - Lifetime JP4351933B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004061913A JP4351933B2 (en) 2004-03-05 2004-03-05 Negative type lithographic printing plate precursor and lithographic printing plate making method using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004061913A JP4351933B2 (en) 2004-03-05 2004-03-05 Negative type lithographic printing plate precursor and lithographic printing plate making method using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005250216A true JP2005250216A (en) 2005-09-15
JP4351933B2 JP4351933B2 (en) 2009-10-28

Family

ID=35030736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004061913A Expired - Lifetime JP4351933B2 (en) 2004-03-05 2004-03-05 Negative type lithographic printing plate precursor and lithographic printing plate making method using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4351933B2 (en)

Cited By (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008083383A (en) * 2006-09-27 2008-04-10 Fujifilm Corp Photopolymerization type photosensitive lithographic printing plate precursor
WO2009004948A1 (en) * 2007-07-04 2009-01-08 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Photosensitive lithographic printing plate material
WO2009119610A1 (en) * 2008-03-25 2009-10-01 富士フイルム株式会社 Process for producing lithographic printing plate
JP2010156945A (en) * 2008-08-22 2010-07-15 Fujifilm Corp Method for producing lithographic printing plate
CN101981507A (en) * 2008-03-25 2011-02-23 富士胶片株式会社 Process for producing lithographic printing plate
EP2339402A1 (en) 2009-12-28 2011-06-29 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and method of preparing lithographic printing plate
EP2339405A1 (en) 2009-12-25 2011-06-29 Fujifilm Corporation Method of preparing lithographic printing plate
EP2339400A2 (en) 2009-12-25 2011-06-29 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and plate making method thereof
EP2339401A1 (en) 2009-12-28 2011-06-29 Fujifilm Corporation Method of preparing lithographic printing plate
EP2354851A2 (en) 2010-01-29 2011-08-10 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and method of preparing lithographic printing plate
WO2011105384A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 富士フイルム株式会社 Method for preparing a planographic printing plate and developer solution for master planographic printing plate
EP2363748A1 (en) 2010-02-12 2011-09-07 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and plate making method thereof
EP2367056A2 (en) 2010-03-15 2011-09-21 Fujifilm Corporation Method of preparing lithographic printing plate
WO2011115125A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 富士フイルム株式会社 Color developing photosensitive composition, lithographic printing original plate, and method for producing same
WO2011125913A1 (en) 2010-03-31 2011-10-13 富士フイルム株式会社 Developer for processing planographic printing plate precursor, method for preparing planographic printing plate using the developer, and method for printing
EP2383612A1 (en) 2010-04-30 2011-11-02 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and plate making method thereof
EP2383118A2 (en) 2010-04-30 2011-11-02 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor, plate making method thereof and polyvalent isocyanate compound
WO2012029583A1 (en) 2010-08-31 2012-03-08 富士フイルム株式会社 Method for producing lithographic printing plate
EP2441783A1 (en) 2010-09-24 2012-04-18 FUJIFILM Corporation Polymerizable composition and lithographic printing plate precursor including the same, and lithographic printing method
EP2471655A2 (en) 2010-12-28 2012-07-04 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and lithographic printing method
EP2471654A2 (en) 2010-12-28 2012-07-04 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor, plate making method thereof and lithographic printing method thereof
EP2484522A2 (en) 2011-02-04 2012-08-08 FUJIFILM Corporation Lithographic printing plate precursor and plate making method thereof
EP2492748A1 (en) 2011-02-28 2012-08-29 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and plate making method thereof
WO2012117882A1 (en) 2011-02-28 2012-09-07 富士フイルム株式会社 Lithographic printing master plate and method for manufacturing lithographic printing plate
WO2012133382A1 (en) 2011-03-28 2012-10-04 富士フイルム株式会社 Method for producing lithographic printing plate
WO2012165060A1 (en) 2011-05-31 2012-12-06 富士フイルム株式会社 Presensitized plate for lithographic printing and method for processing same
WO2013015121A1 (en) 2011-07-27 2013-01-31 富士フイルム株式会社 Photosensitive composition, master plate for planographic printing plate, polyurethane, and method for producing polyurethane
WO2013027590A1 (en) 2011-08-22 2013-02-28 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate precursor and process for producing lithographic printing plate
EP2568339A2 (en) 2011-08-24 2013-03-13 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and method of manufacturing lithographic printing plate
EP2574460A2 (en) 2011-09-27 2013-04-03 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and method of manufacturing lithographic printing plate
WO2013046877A1 (en) 2011-09-30 2013-04-04 富士フイルム株式会社 Printing method using on press development lithograph printing plate precursor
WO2013046856A1 (en) 2011-09-28 2013-04-04 富士フイルム株式会社 Method for producing lithographic printing plate
WO2013047229A1 (en) 2011-09-26 2013-04-04 富士フイルム株式会社 Method for producing lithographic printing plate
WO2013047228A1 (en) 2011-09-26 2013-04-04 富士フイルム株式会社 Method for producing lithographic printing plate
WO2013125323A1 (en) 2012-02-23 2013-08-29 富士フイルム株式会社 Chromogenic composition, chromogenic curable composition, lithographic printing plate precursor, platemaking method, and chromogenic compound
WO2013125315A1 (en) 2012-02-20 2013-08-29 富士フイルム株式会社 Method for concentrating plate-making process effluent, and method for recycling plate-making process effluent
EP2644380A2 (en) 2012-03-27 2013-10-02 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor
WO2013145949A1 (en) 2012-03-29 2013-10-03 富士フイルム株式会社 Original plate for lithographic printing plate, and method for printing same
WO2014002835A1 (en) 2012-06-29 2014-01-03 富士フイルム株式会社 Method for concentrating processing waste liquid and method for recycling processing waste liquid
EP2690495A1 (en) 2012-07-27 2014-01-29 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and plate making method thereof
WO2014045783A1 (en) 2012-09-20 2014-03-27 富士フイルム株式会社 Original planographic printing plate, and plate making method
WO2014050359A1 (en) 2012-09-26 2014-04-03 富士フイルム株式会社 Lithographic presensitized plate and method for making lithographic printing plate
WO2014050435A1 (en) 2012-09-26 2014-04-03 富士フイルム株式会社 Lithographic printing original plate and plate making method
WO2014132721A1 (en) 2013-02-27 2014-09-04 富士フイルム株式会社 Infrared-sensitive chromogenic composition, infrared-curable chromogenic composition, lithographic printing plate precursor, and plate formation method
WO2015115598A1 (en) 2014-01-31 2015-08-06 富士フイルム株式会社 Infrared-sensitive color developing composition, lithographic printing original plate, plate making method for lithographic printing plate, and infrared-sensitive color developer
WO2015119089A1 (en) 2014-02-04 2015-08-13 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate precursor, manufacturing method therefor, plate manufacturing method for lithographic printing plate, and printing method
WO2018092661A1 (en) 2016-11-16 2018-05-24 富士フイルム株式会社 Radiation sensitive composition, original plate for lithographic printing plate, and method of manufacturing lithographic printing plate
WO2018159626A1 (en) 2017-02-28 2018-09-07 富士フイルム株式会社 Curable composition, lithographic printing plate precursor, and method for preparing lithographic printing plate
WO2018159640A1 (en) 2017-02-28 2018-09-07 富士フイルム株式会社 Curable composition, lithographic printing plate precursor, method for preparing lithographic printing plate, and compound
WO2018221133A1 (en) 2017-05-31 2018-12-06 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate precursor, production method for lithographic printing plate, polymer particles, and composition
WO2018221618A1 (en) 2017-05-31 2018-12-06 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate original plate, and method for producing lithographic printing plate
WO2018221134A1 (en) 2017-05-31 2018-12-06 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate precursor, resin composition for producing lithographic printing plate precursor, and production method for lithographic printing plate
WO2018230412A1 (en) 2017-06-12 2018-12-20 富士フイルム株式会社 Lithography original plate, platemaking method for lithography plate, organic polymer particles, and photosensitive resin composition
WO2019004471A1 (en) 2017-06-30 2019-01-03 富士フイルム株式会社 Lithographic printing original plate and method for producing lithographic printing plate
WO2019013268A1 (en) 2017-07-13 2019-01-17 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate original plate, and method for producing lithographic printing plate
WO2019021828A1 (en) 2017-07-25 2019-01-31 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate original plate, method for producing lithographic printing plate, and chromogenic composition
WO2019151163A1 (en) 2018-01-31 2019-08-08 富士フイルム株式会社 Lithographic plate original plate, and method for producing lithographic plate
WO2019151361A1 (en) 2018-01-31 2019-08-08 富士フイルム株式会社 Planographic printing plate precursor, and production method for planographic printing plate
WO2019150788A1 (en) 2018-01-31 2019-08-08 富士フイルム株式会社 Lithographic plate original plate, and method for producing lithographic plate
WO2019188910A1 (en) 2018-03-28 2019-10-03 富士フイルム株式会社 Planographic printing original plate, and method for manufacturing planographic printing original plate
WO2020026956A1 (en) 2018-07-31 2020-02-06 富士フイルム株式会社 Original plate for planographic printing plate, laminate of original plate for planographic printing plate, method for platemaking planographic printing plate, and planographic printing method
WO2020026810A1 (en) * 2018-07-30 2020-02-06 富士フイルム株式会社 On-press development type lithographic printing plate precursor, method of producing lithographic printing plate, and lithographic printing method
WO2020026957A1 (en) 2018-07-31 2020-02-06 富士フイルム株式会社 Planographic printing plate original plate, planographic printing plate original plate laminate body, platemaking method for planographic printing plate, and planographic printing method
WO2020045586A1 (en) 2018-08-31 2020-03-05 富士フイルム株式会社 Planographic printing original plate, method for producing planographic printing plate, planographic printing method and curable composition
WO2020067373A1 (en) 2018-09-28 2020-04-02 富士フイルム株式会社 Original plate for printing, laminate of original plate for printing, method for platemaking printing plate, and printing method
WO2020067374A1 (en) 2018-09-28 2020-04-02 富士フイルム株式会社 Original plate for printing, laminate of original plate for printing, method for manufacturing printing plate, and printing method
WO2020090995A1 (en) 2018-10-31 2020-05-07 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate original plate, method for producing lithographic printing plate and lithographic printing method
WO2020090996A1 (en) 2018-10-31 2020-05-07 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate original plate, method for producing lithographic printing plate and lithographic printing method
WO2020158288A1 (en) 2019-01-31 2020-08-06 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate precursor, method for manufacturing lithographic printing plate, and lithographic printing method
WO2020158287A1 (en) 2019-01-31 2020-08-06 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate original plate, method for fabricating lithographic printing plate, and lithographic printing method
WO2020158139A1 (en) 2019-01-31 2020-08-06 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate precursor, method for manufacturing lithographic printing plate, and lithographic printing method
WO2020158138A1 (en) 2019-01-31 2020-08-06 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate precursor, lithographic printing plate fabrication method, and lithographic printing method
WO2020262696A1 (en) 2019-06-28 2020-12-30 富士フイルム株式会社 Original plate for on-press development type lithographic printing plate, method for fabricating lithographic printing plate, and lithographic printing method
WO2020262693A1 (en) 2019-06-28 2020-12-30 富士フイルム株式会社 Original plate for lithographic printing plate, lithographic printing plate manufacturing method, and lithographic printing method
WO2020262692A1 (en) 2019-06-28 2020-12-30 富士フイルム株式会社 Original plate for on-press development type lithographic printing plate, method for fabricating lithographic printing plate, and lithographic printing method
WO2020262691A1 (en) 2019-06-28 2020-12-30 富士フイルム株式会社 On-press development type lithographic printing original plate, method for producing lithographic printing plate, and lithographic printing method
WO2020262689A1 (en) 2019-06-28 2020-12-30 富士フイルム株式会社 On-press-development-type lithographic printing plate precursor, lithographic printing plate production method, and lithographic printing method
WO2020262686A1 (en) 2019-06-28 2020-12-30 富士フイルム株式会社 Original plate for on-press development type lithographic printing plate, method for fabricating lithographic printing plate, and lithographic printing method
WO2020262685A1 (en) 2019-06-28 2020-12-30 富士フイルム株式会社 Planographic printing original plate, method for producing planographic printing plate, and planographic printing method
WO2021065278A1 (en) 2019-09-30 2021-04-08 富士フイルム株式会社 Planographic printing plate original plate, method for manufacturing planographic printing plate, and planographic printing method
WO2021065152A1 (en) 2019-09-30 2021-04-08 富士フイルム株式会社 Planographic printing original plate, method for manufacturing planographic printing plate, and planographic printing method
WO2021065279A1 (en) 2019-09-30 2021-04-08 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate original plate, method for fabricating lithographic printing plate, and lithographic printing method
EP3838594A1 (en) 2017-03-31 2021-06-23 FUJIFILM Corporation Lithographic printing plate precursor, method of producing same, lithographic printing plate precursor laminate, and lithographic printing method
WO2021132665A1 (en) 2019-12-27 2021-07-01 富士フイルム株式会社 Planographic printing method
EP3854591A1 (en) 2017-03-31 2021-07-28 FUJIFILM Corporation Lithographic printing plate precursor and lithographic printing method
WO2021172453A1 (en) 2020-02-28 2021-09-02 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate original plate, lithographic printing plate manufacturing method, and lithographic printing method
WO2021241688A1 (en) 2020-05-29 2021-12-02 富士フイルム株式会社 Original plate for on-machine development type lithographic printing plate, lithographic printing plate manufacturing method, and lithographic printing method
WO2021241638A1 (en) 2020-05-29 2021-12-02 富士フイルム株式会社 On-press-development-type lithographic printing plate precursor, lithographic printing plate production method, and lithographic printing method
WO2021241519A1 (en) 2020-05-29 2021-12-02 富士フイルム株式会社 On-press-development-type lithographic printing plate precursor, lithographic printing plate production method, and lithographic printing method
WO2021241518A1 (en) 2020-05-29 2021-12-02 富士フイルム株式会社 On-press-developing-type lithographic printing plate original plate, lithographic printing plate fabrication method, and lithographic printing method
WO2021241457A1 (en) 2020-05-29 2021-12-02 富士フイルム株式会社 On-press-development-type lithographic printing plate precursor, lithographic printing plate production method, and lithographic printing method
WO2021241458A1 (en) 2020-05-29 2021-12-02 富士フイルム株式会社 On-press-development-type lithographic printing plate precursor, lithographic printing plate production method, and lithographic printing method
WO2021241693A1 (en) 2020-05-29 2021-12-02 富士フイルム株式会社 Layered body
WO2021256341A1 (en) 2020-06-17 2021-12-23 富士フイルム株式会社 On-machine-developing-type planographic printing plate original plate, method for manufacturing planographic printing plate, and planographic printing method
WO2022019217A1 (en) 2020-07-21 2022-01-27 富士フイルム株式会社 On-machine-developing-type planographic printing plate original plate, method for manufacturing planographic printing plate, and planographic printing method
WO2022025068A1 (en) 2020-07-31 2022-02-03 富士フイルム株式会社 On-press-development-type planographic printing original plate, method for producing planographic printing plate, and planographic printing method
WO2022138880A1 (en) 2020-12-25 2022-06-30 富士フイルム株式会社 Laminate of negative lithographic printing plate original plate and method for manufacturing negative lithographic printing plate
WO2022163777A1 (en) 2021-01-28 2022-08-04 富士フイルム株式会社 On-press-development-type planographic printing original plate, method for producing planographic printing plate, and planographic printing method
WO2022181724A1 (en) 2021-02-26 2022-09-01 富士フイルム株式会社 On-press-development-type planographic printing plate precursor, method for fabricating planographic printing plate, planographic printing method, and coloring agent
WO2023032868A1 (en) 2021-08-31 2023-03-09 富士フイルム株式会社 On-machine development-type lithographic printing plate precursor and method for manufacturing printing plate
WO2023032681A1 (en) 2021-08-31 2023-03-09 富士フイルム株式会社 Multilayer body
WO2023032682A1 (en) 2021-08-31 2023-03-09 富士フイルム株式会社 On-press-developing lithographic printing original plate, method for producing lithographic printing plate, and lithographic printing method
EP4245542A1 (en) 2022-03-18 2023-09-20 FUJIFILM Corporation Lithographic printing plate precursor, method of preparing lithographic printing plate, and lithographic printing method

Cited By (115)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008083383A (en) * 2006-09-27 2008-04-10 Fujifilm Corp Photopolymerization type photosensitive lithographic printing plate precursor
WO2009004948A1 (en) * 2007-07-04 2009-01-08 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Photosensitive lithographic printing plate material
CN101981506A (en) * 2008-03-25 2011-02-23 富士胶片株式会社 Process for producing lithographic printing plate
JP2009258624A (en) * 2008-03-25 2009-11-05 Fujifilm Corp Method for manufacturing lithographic printing plate
CN101981507A (en) * 2008-03-25 2011-02-23 富士胶片株式会社 Process for producing lithographic printing plate
WO2009119610A1 (en) * 2008-03-25 2009-10-01 富士フイルム株式会社 Process for producing lithographic printing plate
JP2010156945A (en) * 2008-08-22 2010-07-15 Fujifilm Corp Method for producing lithographic printing plate
EP2339405A1 (en) 2009-12-25 2011-06-29 Fujifilm Corporation Method of preparing lithographic printing plate
EP2339400A2 (en) 2009-12-25 2011-06-29 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and plate making method thereof
EP2339402A1 (en) 2009-12-28 2011-06-29 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and method of preparing lithographic printing plate
EP2339401A1 (en) 2009-12-28 2011-06-29 Fujifilm Corporation Method of preparing lithographic printing plate
EP2354851A2 (en) 2010-01-29 2011-08-10 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and method of preparing lithographic printing plate
EP2363748A1 (en) 2010-02-12 2011-09-07 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and plate making method thereof
WO2011105384A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 富士フイルム株式会社 Method for preparing a planographic printing plate and developer solution for master planographic printing plate
EP2367056A2 (en) 2010-03-15 2011-09-21 Fujifilm Corporation Method of preparing lithographic printing plate
WO2011115125A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 富士フイルム株式会社 Color developing photosensitive composition, lithographic printing original plate, and method for producing same
WO2011125913A1 (en) 2010-03-31 2011-10-13 富士フイルム株式会社 Developer for processing planographic printing plate precursor, method for preparing planographic printing plate using the developer, and method for printing
EP2383612A1 (en) 2010-04-30 2011-11-02 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and plate making method thereof
EP2383118A2 (en) 2010-04-30 2011-11-02 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor, plate making method thereof and polyvalent isocyanate compound
WO2012029583A1 (en) 2010-08-31 2012-03-08 富士フイルム株式会社 Method for producing lithographic printing plate
EP2441783A1 (en) 2010-09-24 2012-04-18 FUJIFILM Corporation Polymerizable composition and lithographic printing plate precursor including the same, and lithographic printing method
EP2471655A2 (en) 2010-12-28 2012-07-04 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and lithographic printing method
EP2471654A2 (en) 2010-12-28 2012-07-04 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor, plate making method thereof and lithographic printing method thereof
EP2484522A2 (en) 2011-02-04 2012-08-08 FUJIFILM Corporation Lithographic printing plate precursor and plate making method thereof
EP2492748A1 (en) 2011-02-28 2012-08-29 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and plate making method thereof
WO2012117882A1 (en) 2011-02-28 2012-09-07 富士フイルム株式会社 Lithographic printing master plate and method for manufacturing lithographic printing plate
EP3001249A2 (en) 2011-02-28 2016-03-30 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursors and processes for preparing lithographic printing plates
WO2012133382A1 (en) 2011-03-28 2012-10-04 富士フイルム株式会社 Method for producing lithographic printing plate
WO2012165060A1 (en) 2011-05-31 2012-12-06 富士フイルム株式会社 Presensitized plate for lithographic printing and method for processing same
WO2013015121A1 (en) 2011-07-27 2013-01-31 富士フイルム株式会社 Photosensitive composition, master plate for planographic printing plate, polyurethane, and method for producing polyurethane
WO2013027590A1 (en) 2011-08-22 2013-02-28 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate precursor and process for producing lithographic printing plate
EP2568339A2 (en) 2011-08-24 2013-03-13 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and method of manufacturing lithographic printing plate
WO2013047229A1 (en) 2011-09-26 2013-04-04 富士フイルム株式会社 Method for producing lithographic printing plate
WO2013047228A1 (en) 2011-09-26 2013-04-04 富士フイルム株式会社 Method for producing lithographic printing plate
EP2574460A2 (en) 2011-09-27 2013-04-03 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and method of manufacturing lithographic printing plate
WO2013046856A1 (en) 2011-09-28 2013-04-04 富士フイルム株式会社 Method for producing lithographic printing plate
WO2013046877A1 (en) 2011-09-30 2013-04-04 富士フイルム株式会社 Printing method using on press development lithograph printing plate precursor
WO2013125315A1 (en) 2012-02-20 2013-08-29 富士フイルム株式会社 Method for concentrating plate-making process effluent, and method for recycling plate-making process effluent
WO2013125323A1 (en) 2012-02-23 2013-08-29 富士フイルム株式会社 Chromogenic composition, chromogenic curable composition, lithographic printing plate precursor, platemaking method, and chromogenic compound
EP2818522A4 (en) * 2012-02-23 2016-01-20 Fujifilm Corp Chromogenic composition, chromogenic curable composition, lithographic printing plate precursor, platemaking method, and chromogenic compound
EP2644380A2 (en) 2012-03-27 2013-10-02 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor
WO2013145949A1 (en) 2012-03-29 2013-10-03 富士フイルム株式会社 Original plate for lithographic printing plate, and method for printing same
WO2014002835A1 (en) 2012-06-29 2014-01-03 富士フイルム株式会社 Method for concentrating processing waste liquid and method for recycling processing waste liquid
EP2690495A1 (en) 2012-07-27 2014-01-29 Fujifilm Corporation Lithographic printing plate precursor and plate making method thereof
WO2014045783A1 (en) 2012-09-20 2014-03-27 富士フイルム株式会社 Original planographic printing plate, and plate making method
WO2014050359A1 (en) 2012-09-26 2014-04-03 富士フイルム株式会社 Lithographic presensitized plate and method for making lithographic printing plate
WO2014050435A1 (en) 2012-09-26 2014-04-03 富士フイルム株式会社 Lithographic printing original plate and plate making method
WO2014132721A1 (en) 2013-02-27 2014-09-04 富士フイルム株式会社 Infrared-sensitive chromogenic composition, infrared-curable chromogenic composition, lithographic printing plate precursor, and plate formation method
WO2015115598A1 (en) 2014-01-31 2015-08-06 富士フイルム株式会社 Infrared-sensitive color developing composition, lithographic printing original plate, plate making method for lithographic printing plate, and infrared-sensitive color developer
WO2015119089A1 (en) 2014-02-04 2015-08-13 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate precursor, manufacturing method therefor, plate manufacturing method for lithographic printing plate, and printing method
EP3489026A1 (en) 2014-02-04 2019-05-29 FUJIFILM Corporation Lithographic printing plate precursor
WO2018092661A1 (en) 2016-11-16 2018-05-24 富士フイルム株式会社 Radiation sensitive composition, original plate for lithographic printing plate, and method of manufacturing lithographic printing plate
WO2018159626A1 (en) 2017-02-28 2018-09-07 富士フイルム株式会社 Curable composition, lithographic printing plate precursor, and method for preparing lithographic printing plate
WO2018159640A1 (en) 2017-02-28 2018-09-07 富士フイルム株式会社 Curable composition, lithographic printing plate precursor, method for preparing lithographic printing plate, and compound
EP4275910A2 (en) 2017-03-31 2023-11-15 FUJIFILM Corporation Lithographic printing plate precursor, method of producing same, lithographic printing plate precursor laminate, and lithographic printing method
EP3854591A1 (en) 2017-03-31 2021-07-28 FUJIFILM Corporation Lithographic printing plate precursor and lithographic printing method
EP3838594A1 (en) 2017-03-31 2021-06-23 FUJIFILM Corporation Lithographic printing plate precursor, method of producing same, lithographic printing plate precursor laminate, and lithographic printing method
WO2018221133A1 (en) 2017-05-31 2018-12-06 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate precursor, production method for lithographic printing plate, polymer particles, and composition
WO2018221618A1 (en) 2017-05-31 2018-12-06 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate original plate, and method for producing lithographic printing plate
WO2018221134A1 (en) 2017-05-31 2018-12-06 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate precursor, resin composition for producing lithographic printing plate precursor, and production method for lithographic printing plate
WO2018230412A1 (en) 2017-06-12 2018-12-20 富士フイルム株式会社 Lithography original plate, platemaking method for lithography plate, organic polymer particles, and photosensitive resin composition
WO2019004471A1 (en) 2017-06-30 2019-01-03 富士フイルム株式会社 Lithographic printing original plate and method for producing lithographic printing plate
WO2019013268A1 (en) 2017-07-13 2019-01-17 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate original plate, and method for producing lithographic printing plate
WO2019021828A1 (en) 2017-07-25 2019-01-31 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate original plate, method for producing lithographic printing plate, and chromogenic composition
WO2019151163A1 (en) 2018-01-31 2019-08-08 富士フイルム株式会社 Lithographic plate original plate, and method for producing lithographic plate
EP3960456A1 (en) 2018-01-31 2022-03-02 FUJIFILM Corporation Lithographic printing plate precursor and method of producing lithographic printing plate
WO2019150788A1 (en) 2018-01-31 2019-08-08 富士フイルム株式会社 Lithographic plate original plate, and method for producing lithographic plate
WO2019151361A1 (en) 2018-01-31 2019-08-08 富士フイルム株式会社 Planographic printing plate precursor, and production method for planographic printing plate
WO2019188910A1 (en) 2018-03-28 2019-10-03 富士フイルム株式会社 Planographic printing original plate, and method for manufacturing planographic printing original plate
CN112512824A (en) * 2018-07-30 2021-03-16 富士胶片株式会社 On-press developable lithographic printing plate precursor, method for producing lithographic printing plate, and lithographic printing method
WO2020026810A1 (en) * 2018-07-30 2020-02-06 富士フイルム株式会社 On-press development type lithographic printing plate precursor, method of producing lithographic printing plate, and lithographic printing method
JPWO2020026810A1 (en) * 2018-07-30 2021-05-13 富士フイルム株式会社 On-machine development type lithographic printing plate Original plate, lithographic printing plate manufacturing method, and lithographic printing method
JP7378566B2 (en) 2018-07-30 2023-11-13 富士フイルム株式会社 On-press development type lithographic printing plate precursor, method for producing a lithographic printing plate, and lithographic printing method
CN112512824B (en) * 2018-07-30 2022-10-25 富士胶片株式会社 On-press developable lithographic printing plate precursor, method for producing lithographic printing plate, and lithographic printing method
WO2020026957A1 (en) 2018-07-31 2020-02-06 富士フイルム株式会社 Planographic printing plate original plate, planographic printing plate original plate laminate body, platemaking method for planographic printing plate, and planographic printing method
WO2020026956A1 (en) 2018-07-31 2020-02-06 富士フイルム株式会社 Original plate for planographic printing plate, laminate of original plate for planographic printing plate, method for platemaking planographic printing plate, and planographic printing method
WO2020045586A1 (en) 2018-08-31 2020-03-05 富士フイルム株式会社 Planographic printing original plate, method for producing planographic printing plate, planographic printing method and curable composition
WO2020067374A1 (en) 2018-09-28 2020-04-02 富士フイルム株式会社 Original plate for printing, laminate of original plate for printing, method for manufacturing printing plate, and printing method
WO2020067373A1 (en) 2018-09-28 2020-04-02 富士フイルム株式会社 Original plate for printing, laminate of original plate for printing, method for platemaking printing plate, and printing method
WO2020090996A1 (en) 2018-10-31 2020-05-07 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate original plate, method for producing lithographic printing plate and lithographic printing method
WO2020090995A1 (en) 2018-10-31 2020-05-07 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate original plate, method for producing lithographic printing plate and lithographic printing method
WO2020158139A1 (en) 2019-01-31 2020-08-06 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate precursor, method for manufacturing lithographic printing plate, and lithographic printing method
WO2020158138A1 (en) 2019-01-31 2020-08-06 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate precursor, lithographic printing plate fabrication method, and lithographic printing method
WO2020158287A1 (en) 2019-01-31 2020-08-06 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate original plate, method for fabricating lithographic printing plate, and lithographic printing method
WO2020158288A1 (en) 2019-01-31 2020-08-06 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate precursor, method for manufacturing lithographic printing plate, and lithographic printing method
WO2020262696A1 (en) 2019-06-28 2020-12-30 富士フイルム株式会社 Original plate for on-press development type lithographic printing plate, method for fabricating lithographic printing plate, and lithographic printing method
EP4349602A2 (en) 2019-06-28 2024-04-10 FUJIFILM Corporation Original plate for on-press development type lithographic printing plate, method for fabricating lithographic printing plate, and lithographic printing method
WO2020262685A1 (en) 2019-06-28 2020-12-30 富士フイルム株式会社 Planographic printing original plate, method for producing planographic printing plate, and planographic printing method
WO2020262686A1 (en) 2019-06-28 2020-12-30 富士フイルム株式会社 Original plate for on-press development type lithographic printing plate, method for fabricating lithographic printing plate, and lithographic printing method
WO2020262689A1 (en) 2019-06-28 2020-12-30 富士フイルム株式会社 On-press-development-type lithographic printing plate precursor, lithographic printing plate production method, and lithographic printing method
WO2020262691A1 (en) 2019-06-28 2020-12-30 富士フイルム株式会社 On-press development type lithographic printing original plate, method for producing lithographic printing plate, and lithographic printing method
WO2020262692A1 (en) 2019-06-28 2020-12-30 富士フイルム株式会社 Original plate for on-press development type lithographic printing plate, method for fabricating lithographic printing plate, and lithographic printing method
WO2020262693A1 (en) 2019-06-28 2020-12-30 富士フイルム株式会社 Original plate for lithographic printing plate, lithographic printing plate manufacturing method, and lithographic printing method
WO2021065152A1 (en) 2019-09-30 2021-04-08 富士フイルム株式会社 Planographic printing original plate, method for manufacturing planographic printing plate, and planographic printing method
WO2021065279A1 (en) 2019-09-30 2021-04-08 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate original plate, method for fabricating lithographic printing plate, and lithographic printing method
WO2021065278A1 (en) 2019-09-30 2021-04-08 富士フイルム株式会社 Planographic printing plate original plate, method for manufacturing planographic printing plate, and planographic printing method
WO2021132665A1 (en) 2019-12-27 2021-07-01 富士フイルム株式会社 Planographic printing method
WO2021172453A1 (en) 2020-02-28 2021-09-02 富士フイルム株式会社 Lithographic printing plate original plate, lithographic printing plate manufacturing method, and lithographic printing method
WO2021241688A1 (en) 2020-05-29 2021-12-02 富士フイルム株式会社 Original plate for on-machine development type lithographic printing plate, lithographic printing plate manufacturing method, and lithographic printing method
WO2021241693A1 (en) 2020-05-29 2021-12-02 富士フイルム株式会社 Layered body
WO2021241458A1 (en) 2020-05-29 2021-12-02 富士フイルム株式会社 On-press-development-type lithographic printing plate precursor, lithographic printing plate production method, and lithographic printing method
WO2021241638A1 (en) 2020-05-29 2021-12-02 富士フイルム株式会社 On-press-development-type lithographic printing plate precursor, lithographic printing plate production method, and lithographic printing method
WO2021241457A1 (en) 2020-05-29 2021-12-02 富士フイルム株式会社 On-press-development-type lithographic printing plate precursor, lithographic printing plate production method, and lithographic printing method
WO2021241518A1 (en) 2020-05-29 2021-12-02 富士フイルム株式会社 On-press-developing-type lithographic printing plate original plate, lithographic printing plate fabrication method, and lithographic printing method
WO2021241519A1 (en) 2020-05-29 2021-12-02 富士フイルム株式会社 On-press-development-type lithographic printing plate precursor, lithographic printing plate production method, and lithographic printing method
WO2021256341A1 (en) 2020-06-17 2021-12-23 富士フイルム株式会社 On-machine-developing-type planographic printing plate original plate, method for manufacturing planographic printing plate, and planographic printing method
WO2022019217A1 (en) 2020-07-21 2022-01-27 富士フイルム株式会社 On-machine-developing-type planographic printing plate original plate, method for manufacturing planographic printing plate, and planographic printing method
WO2022025068A1 (en) 2020-07-31 2022-02-03 富士フイルム株式会社 On-press-development-type planographic printing original plate, method for producing planographic printing plate, and planographic printing method
WO2022138880A1 (en) 2020-12-25 2022-06-30 富士フイルム株式会社 Laminate of negative lithographic printing plate original plate and method for manufacturing negative lithographic printing plate
WO2022163777A1 (en) 2021-01-28 2022-08-04 富士フイルム株式会社 On-press-development-type planographic printing original plate, method for producing planographic printing plate, and planographic printing method
WO2022181724A1 (en) 2021-02-26 2022-09-01 富士フイルム株式会社 On-press-development-type planographic printing plate precursor, method for fabricating planographic printing plate, planographic printing method, and coloring agent
WO2023032681A1 (en) 2021-08-31 2023-03-09 富士フイルム株式会社 Multilayer body
WO2023032682A1 (en) 2021-08-31 2023-03-09 富士フイルム株式会社 On-press-developing lithographic printing original plate, method for producing lithographic printing plate, and lithographic printing method
WO2023032868A1 (en) 2021-08-31 2023-03-09 富士フイルム株式会社 On-machine development-type lithographic printing plate precursor and method for manufacturing printing plate
EP4245542A1 (en) 2022-03-18 2023-09-20 FUJIFILM Corporation Lithographic printing plate precursor, method of preparing lithographic printing plate, and lithographic printing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP4351933B2 (en) 2009-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4351933B2 (en) Negative type lithographic printing plate precursor and lithographic printing plate making method using the same
JP4411226B2 (en) Photosensitive planographic printing plate
JP2007248863A (en) Negative lithographic printing original plate
JP2007086165A (en) Photosensitive composition, lithographic printing plate precursor and image-recording method using the same
JP4570857B2 (en) Photosensitive composition and planographic printing plate precursor
JP4860525B2 (en) Curable composition and planographic printing plate precursor
JP4905770B2 (en) Lithographic printing plate precursor and method for producing a lithographic printing plate using the original plate
EP1630604A2 (en) Photosensitive lithographic printing plate
JP4911455B2 (en) Photopolymerization type photosensitive lithographic printing plate precursor
JP4414920B2 (en) Planographic printing plate precursor
JP4613115B2 (en) Photopolymerization type photosensitive lithographic printing plate
JP4934386B2 (en) Photopolymerization type photosensitive lithographic printing plate precursor
JP5283467B2 (en) Negative photosensitive material and negative lithographic printing plate precursor
JP2006276238A (en) Photopolymerizable composition and lithographic printing original plate
JP2006259112A (en) Photosensitive composition, and photosensitive lithographic printing plate and image recording method using the same
JP4383376B2 (en) Photosensitive composition, image recording method using the same, and photosensitive lithographic printing plate
JP2002268239A (en) Method for making printing plate
JP2008058406A (en) Image recording material
JP2007072308A (en) Lithographic printing original plate
JP2006053316A (en) Platemaking method of planographic printing plate
JP4369812B2 (en) Planographic printing plate making method
JP2008089788A (en) Photopolymerization type photosensitive lithographic printing plate precursor
JP2005227554A (en) Photosensitive planographic printing plate
JP4677301B2 (en) Photosensitive composition and image recording method using the same
JP2007272079A (en) Lithographic printing original plate

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060327

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060418

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20061124

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071108

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071115

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071122

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090123

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090401

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090525

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090708

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090727

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4351933

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130731

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250