JP2005250062A - Liquid crystal display device - Google Patents

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Hideyuki Takahashi
英幸 高橋
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Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device wherein a resistance value of an inclined wiring part is easily optimized. <P>SOLUTION: An inclined angle of a first inclined wiring part 51 is adjusted so that the resistance value of the inclined wiring part 41 positioned in the outermost side of inclined wiring parts 41 connected to an OLB (Outer Lead Bonding) pad 43 is minimized. The resistance value of the inclined wiring part 41 positioned in the outermost side is lessened to the minimum to be optimized while the distance of a first inclined wiring part 51 from the OLB pad 43 is kept constant and the resistance values of the inclined wiring parts 41 can be easily optimized. The inclined angles of the inclined wiring parts 41 are easily optimized about the inclined angles corresponding to the sheet resistance values of the inclined wiring parts 41. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、アレイ基板と対向基板との間に液晶が介挿された液晶表示装置に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device in which liquid crystal is interposed between an array substrate and a counter substrate.

従来、この種の液晶表示装置としては、アレイ基板と対向基板との間に液晶が介挿されている。そして、このアレイ基板のガラス基板上には、複数の走査線および信号線が互いに絶縁されて交差して配設されている。これら複数の走査線および信号線それぞれの端部には、第1の電極パターンあるいは第2の電極パターンが電気的に接続されている。これら第1の電極パターンおよび第2の電極パターンのそれぞれは、複数の走査線および信号線のいずれかに対して傾斜して配設された複数の斜め配線電極部を備えている。これら斜め配線電極部それぞれの一端部は、複数の走査線および信号線のいずれかの端部に電気的に接続されている。   Conventionally, in this type of liquid crystal display device, liquid crystal is interposed between an array substrate and a counter substrate. On the glass substrate of the array substrate, a plurality of scanning lines and signal lines are arranged so as to intersect with each other. The first electrode pattern or the second electrode pattern is electrically connected to the end portions of the plurality of scanning lines and signal lines. Each of the first electrode pattern and the second electrode pattern includes a plurality of oblique wiring electrode portions disposed to be inclined with respect to any of the plurality of scanning lines and signal lines. One end of each of the oblique wiring electrode portions is electrically connected to one end of a plurality of scanning lines and signal lines.

また、これら斜め配線電極部それぞれの他端部には、複数の走査線および信号線のいずれかに対して平行に配設された直線配線電極部の一端部がそれぞれ電気的に接続されている。そして、これら直線配線電極部それぞれは、対向基板よりも外側に配設されている。すなわち、これら直線配線電極のそれぞれは、大気に曝された状態でアレイ基板上に配設されている。さらに、これら直線配線電極部は、各斜め配線電極部よりも線幅が大きく形成されている。したがって、これら直線配線電極部のそれぞれは、単位長さ当りの抵抗値が斜め配線電極部よりも小さく構成されている。   In addition, one end of each of the linear wiring electrode portions arranged in parallel to any of the plurality of scanning lines and signal lines is electrically connected to the other end of each of the oblique wiring electrode portions. . Each of these linear wiring electrode portions is disposed outside the counter substrate. That is, each of these linear wiring electrodes is disposed on the array substrate in a state exposed to the atmosphere. Further, these linear wiring electrode portions are formed to have a larger line width than the respective oblique wiring electrode portions. Therefore, each of these linear wiring electrode portions is configured such that the resistance value per unit length is smaller than that of the oblique wiring electrode portion.

そして、第1の電極パターンおよび第2の電極パターンのそれぞれは、複数の走査線および信号線のそれぞれに電気的に接続された斜め配線電極部と直線配線電極部との合成抵抗が等しくなるように、これら斜め配線電極部および直線配線電極部それぞれの長さが調整されている構成が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
特開平6−67191号公報(第2−4頁、図1)
In each of the first electrode pattern and the second electrode pattern, the combined resistance of the oblique wiring electrode portion and the straight wiring electrode portion electrically connected to each of the plurality of scanning lines and signal lines is equal. In addition, a configuration is known in which the lengths of the diagonal wiring electrode portions and the straight wiring electrode portions are adjusted (see, for example, Patent Document 1).
JP-A-6-67191 (page 2-4, FIG. 1)

しかしながら、上述した液晶表示装置では、第1の電極パターンおよび第2の電極パターンそれぞれの斜め配線電極部が複数の走査線および信号線のいずれかに対して傾斜して配設されており、これら第1の電極パターンおよび第2の電極パターンそれぞれの直線配線電極部が、複数の走査線および信号線のいずれかに対して平行に配設されている。   However, in the above-described liquid crystal display device, the oblique wiring electrode portions of the first electrode pattern and the second electrode pattern are arranged to be inclined with respect to any of the plurality of scanning lines and signal lines. The linear wiring electrode portions of each of the first electrode pattern and the second electrode pattern are arranged in parallel to any of the plurality of scanning lines and signal lines.

したがって、これら直線配線電極部および斜め配線電極部の合成抵抗をそれぞれ等しくするために、これら直線配線電極部および斜め電極配線部それぞれの長さを調整した場合には、これら斜め電極配線部それぞれにおける複数の走査線および信号線の端部からの距離が不揃いとなってしまうから、これら直線配線電極部および斜め電極配線部の合成抵抗の最適化が容易ではないという問題を有している。   Therefore, in order to make the combined resistances of the straight wiring electrode part and the diagonal wiring electrode part equal, when the lengths of the linear wiring electrode part and the diagonal electrode wiring part are adjusted, Since the distances from the ends of the plurality of scanning lines and signal lines are not uniform, there is a problem that it is not easy to optimize the combined resistance of the straight wiring electrode part and the oblique electrode wiring part.

本発明は、このような点に鑑みなされたもので、配線部の抵抗値を容易に最適化できる液晶表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such a point, and an object thereof is to provide a liquid crystal display device capable of easily optimizing the resistance value of the wiring portion.

本発明は、スイッチング素子を備えたアレイ基板と、このアレイ基板に対向して配設された対向基板と、この対向基板および前記アレイ基板の間に介挿された液晶と、前記アレイ基板の一側部に沿って配設され、前記スイッチング素子を駆動させる駆動回路と、この駆動回路に電気的に接続された複数の配線部とを具備し、これら複数の配線部は、前記アレイ基板の一側部に沿って配設されたパッド部と、このパッド部から所定の間隙を介した位置まで配設された第1の配線部と、この第1の配線部および前記駆動回路を電気的に接続させ前記第1の配線部とは抵抗が異なる第2の配線部とを有し、これら複数の配線部のうち最も外側に位置する前記配線部の抵抗値が最も小さくなるように前記パッド部に対する前記第1の配線部の傾斜角度がそれぞれ調整されて配設されているものである。   The present invention provides an array substrate provided with a switching element, a counter substrate disposed to face the array substrate, a liquid crystal interposed between the counter substrate and the array substrate, and one of the array substrates. A drive circuit that is disposed along the side and drives the switching element; and a plurality of wiring portions that are electrically connected to the drive circuit. A pad portion disposed along the side portion, a first wiring portion disposed from the pad portion to a position through a predetermined gap, and the first wiring portion and the drive circuit are electrically connected. A second wiring portion having a resistance different from that of the first wiring portion, and the pad portion so that a resistance value of the wiring portion located on the outermost side among the plurality of wiring portions is minimized. The inclination angle of the first wiring part with respect to Are those adjusted respectively disposed.

そして、アレイ基板の一側部に沿って配設されたパッド部から所定の間隙を介した位置まで配設された第1の配線部と、この第1の配線部および駆動回路を電気的に接続させ第1の配線部とは抵抗が異なる第2の配線部とを有する複数の配線部のうち、最も外側に位置する配線部の抵抗値が最も小さくなるようにパッド部に対する第1の配線部の傾斜角度を調整して配設する。この結果、これら各第1の配線部それぞれにおけるアレイ基板の一側部からの距離を一定に保ちつつ、最も外側に位置する配線部の抵抗値を最も小さくできるので、これら配線部の抵抗値を容易に最適化できる。   Then, the first wiring portion disposed from the pad portion disposed along one side portion of the array substrate to a position through a predetermined gap, and the first wiring portion and the drive circuit are electrically connected. Of the plurality of wiring parts having a second wiring part having a resistance different from that of the first wiring part, the first wiring with respect to the pad part so that the resistance value of the outermost wiring part is minimized. The inclination angle of the part is adjusted and arranged. As a result, the resistance value of the wiring part located on the outermost side can be minimized while keeping the distance from one side of the array substrate in each of the first wiring parts constant. Easy to optimize.

本発明によれば、複数の配線部のうち最も外側に位置する配線部の抵抗値が最も小さくなるようにパッド部に対する第1の配線部の傾斜角度を調整して配設することにより、これら各第1の配線部それぞれにおけるアレイ基板の一側部からの距離を一定に保ちつつ、最も外側に位置する配線部の抵抗値を最も小さくできるので、これら配線部の抵抗値を容易に最適化できる。   According to the present invention, by arranging and arranging the inclination angle of the first wiring portion with respect to the pad portion so that the resistance value of the outermost wiring portion among the plurality of wiring portions is minimized. Since the resistance value of the wiring part located on the outermost side can be minimized while keeping the distance from one side of the array substrate in each first wiring part constant, the resistance value of these wiring parts can be easily optimized. it can.

以下、本発明の液晶表示装置の第1の実施の形態の構成を図1ないし図6を参照して説明する。   The configuration of the first embodiment of the liquid crystal display device of the present invention will be described below with reference to FIGS.

図1ないし図4において、1は平面表示装置としての液晶表示装置1で、この液晶表示装置1は、回路基板としての略矩形平板状のアクティブマトリクス型の液晶表示パネルである。そして、この液晶表示装置1は、矩形平板状のアレイ基板2を備えている。このアレイ基板2の中央部には、画像表示領域としての矩形状の画素エリア3が設けられている。この画素エリア3は、アレイ基板2の幅方向における中央部であるとともに、このアレイ基板2の長手方向における中央部に設けられている。   1 to 4, reference numeral 1 denotes a liquid crystal display device 1 as a flat display device. The liquid crystal display device 1 is an active matrix type liquid crystal display panel having a substantially rectangular flat plate shape as a circuit board. The liquid crystal display device 1 includes a rectangular plate array substrate 2. A rectangular pixel area 3 as an image display area is provided at the center of the array substrate 2. The pixel area 3 is a central portion in the width direction of the array substrate 2 and is provided in the central portion in the longitudinal direction of the array substrate 2.

そして、このアレイ基板2には、このアレイ基板2に対向して対向基板4が配設されている。この対向基板4は、アレイ基板2に略等しい矩形平板状に形成されている。また、この対向基板4とアレイ基板2との間には、図3に示すように、このアレイ基板2および対向基板4それぞれの周縁に沿って、これらアレイ基板2と対向基板4との間を密閉させて液密に接続させるシール材5が取り付けられている。そして、このシール材5にて封止されたアレイ基板2の画素エリア3と対向基板4との間には、液晶6が介挿されて封止されて配設されている。   The array substrate 2 is provided with a counter substrate 4 facing the array substrate 2. The counter substrate 4 is formed in a rectangular flat plate shape substantially equal to the array substrate 2. Further, between the counter substrate 4 and the array substrate 2, between the array substrate 2 and the counter substrate 4, along the peripheral edges of the array substrate 2 and the counter substrate 4, as shown in FIG. A sealing material 5 is attached for sealing and liquid-tight connection. A liquid crystal 6 is interposed between the pixel area 3 and the counter substrate 4 of the array substrate 2 sealed with the sealing material 5 so as to be sealed.

また、図4に示すように、アレイ基板2の画素エリア3の長手方向における両端縁には、駆動回路としての細長矩形状のYドライバ回路7,8がそれぞれ取り付けられている。これらYドライバ回路7,8のそれぞれは、画素エリア3の幅寸法より若干長い長さ寸法を有しており、これらYドライバ回路7,8の長手方向を画素エリア3の幅方向に沿わせた状態、すなわち画素エリア3の一側部に対して平行に配設されて取り付けられている。そして、これらYドライバ回路7,8は、シール材5よりも内側のアレイ基板2と対向基板4との間に設けられている。   Also, as shown in FIG. 4, elongated rectangular Y driver circuits 7 and 8 as drive circuits are attached to both edges in the longitudinal direction of the pixel area 3 of the array substrate 2, respectively. Each of these Y driver circuits 7 and 8 has a length dimension slightly longer than the width dimension of the pixel area 3, and the longitudinal direction of these Y driver circuits 7 and 8 is aligned with the width direction of the pixel area 3. In a state, that is, attached in parallel to one side of the pixel area 3. These Y driver circuits 7 and 8 are provided between the array substrate 2 and the counter substrate 4 inside the sealing material 5.

さらに、アレイ基板2の画素エリア3の幅方向における一側縁には、駆動回路としての細長矩形状のXドライバ回路9が取り付けられている。このXドライバ回路9は、画素エリア3の長手寸法に等しい長手寸法を有している。さらに、このXドライバ回路9は、このXドライバ回路9の長手方向を画素エリア3の長手方向に沿わせた状態、すなわち画素エリア3の一側部に対して平行に配設されて取り付けられている。そして、このXドライバ回路9は、シール材5よりも内側のアレイ基板2と対向基板4との間に設けられている。ここで、Xドライバ回路9は、後述するOLBパッド43を介して外部から入力される画像信号であるビデオ信号を画素エリア3内の信号線へと供給させる。   Further, an elongated rectangular X driver circuit 9 as a drive circuit is attached to one side edge in the width direction of the pixel area 3 of the array substrate 2. The X driver circuit 9 has a longitudinal dimension equal to the longitudinal dimension of the pixel area 3. Further, the X driver circuit 9 is mounted in a state in which the longitudinal direction of the X driver circuit 9 is aligned with the longitudinal direction of the pixel area 3, that is, parallel to one side of the pixel area 3. Yes. The X driver circuit 9 is provided between the array substrate 2 and the counter substrate 4 inside the sealing material 5. Here, the X driver circuit 9 supplies a video signal, which is an image signal input from the outside via an OLB pad 43 described later, to a signal line in the pixel area 3.

一方、このアレイ基板2は、図2に示すように、略透明な矩形平板状の絶縁基板である透光性基板としてのガラス基板11を有している。このガラス基板11の一主面である表面上の全面には、アンダーコート層12が積層されて成膜されている。このアンダーコート層12上には、画素回路用のスイッチング素子である画素トランジスタとしての薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:TFT)13がマトリクス状に積層されて形成されている。これら薄膜トランジスタ13のそれぞれは、アレイ基板2のガラス基板11上に作り込まれた回路の一部を構成する。また、これら薄膜トランジスタ13は、アンダーコート層12上に形成された半導体層としての細長略矩形状の活性層14を有している。この活性層14は、多結晶半導体薄膜としてのポリシリコン薄膜にて構成されている。   On the other hand, the array substrate 2 has a glass substrate 11 as a translucent substrate, which is a substantially transparent rectangular flat plate-like insulating substrate, as shown in FIG. An undercoat layer 12 is laminated on the entire surface of the glass substrate 11 as a main surface. On the undercoat layer 12, thin film transistors (TFTs) 13 as pixel transistors, which are switching elements for pixel circuits, are laminated in a matrix. Each of these thin film transistors 13 constitutes a part of a circuit built on the glass substrate 11 of the array substrate 2. Further, these thin film transistors 13 have an elongated substantially rectangular active layer 14 as a semiconductor layer formed on the undercoat layer 12. The active layer 14 is composed of a polysilicon thin film as a polycrystalline semiconductor thin film.

さらに、この活性層14は、この活性層14の中央部に設けられたチャネル領域15を有している。このチャネル領域15の両側には、n領域である電極部としてのソース領域16およびドレイン領域17のそれぞれが設けられている。また、これらソース領域16およびドレイン領域17とチャネル領域15との間には、低不純物濃度領域としてのn領域であるLDD(Lightly Doped Drain)領域18,19が形成されている。これらLDD領域18,19は各薄膜トランジスタ13のチャネル領域15の両側に設けられており、これらLDD領域18,19の両側にソース領域16およびドレイン領域17が設けられている。 Further, the active layer 14 has a channel region 15 provided in the central portion of the active layer 14. On both sides of the channel region 15, a source region 16 and a drain region 17 are provided as electrode portions that are n + regions. Further, between these source region 16 and drain region 17 and the channel region 15, LDD (Lightly Doped Drain) regions 18 and 19 which are n regions as low impurity concentration regions are formed. These LDD regions 18 and 19 are provided on both sides of the channel region 15 of each thin film transistor 13, and a source region 16 and a drain region 17 are provided on both sides of the LDD regions 18 and 19.

一方、各活性層14のチャネル領域15、ソース領域16、ドレイン領域17およびLDD領域18,19のそれぞれを含むアンダーコート層12上の全面には、膜厚100nm程度のゲート絶縁膜21が積層されて成膜されている。このゲート絶縁膜21は、酸化シリコン膜(SiO)にて形成されており、絶縁性を有するシリコン酸化膜である第1の絶縁膜としてのゲート絶縁層である。 On the other hand, a gate insulating film 21 having a thickness of about 100 nm is laminated on the entire surface of the undercoat layer 12 including the channel region 15, the source region 16, the drain region 17, and the LDD regions 18 and 19 of each active layer 14. The film is formed. The gate insulating film 21 is formed of a silicon oxide film (SiO x ), and is a gate insulating layer as a first insulating film that is a silicon oxide film having an insulating property.

そして、各チャネル領域15に対向したゲート絶縁膜21上には、ゲート配線材料のエッチングにて形成されたゲート電極22が積層されて成膜されている。このゲート電極22は、モリブデン(Mo)やタングステン(W)、アルミニウム(Al)など、あるいはこれらの合金などが用いられる。そして、これらゲート電極22は、ゲート絶縁膜21を介して各薄膜トランジスタ13のチャネル領域15に対向しており、このチャネル領域15の幅寸法に略等しい幅寸法を有している。さらに、これらゲート電極22は、細長矩形状である細長帯状に形成されており、活性層14の長手方向に直交する長手方向を有している。   On the gate insulating film 21 facing each channel region 15, a gate electrode 22 formed by etching the gate wiring material is laminated and formed. The gate electrode 22 is made of molybdenum (Mo), tungsten (W), aluminum (Al), or an alloy thereof. The gate electrodes 22 face the channel regions 15 of the thin film transistors 13 through the gate insulating film 21 and have a width dimension substantially equal to the width dimension of the channel regions 15. Further, these gate electrodes 22 are formed in an elongated strip shape that is an elongated rectangular shape, and have a longitudinal direction orthogonal to the longitudinal direction of the active layer 14.

ここで、これらゲート電極22のそれぞれは、図示しない走査線に電気的に接続されている。これら走査線は、ゲート絶縁膜21上に積層されて成膜されており、アレイ基板2の長手方向に沿って、このアレイ基板2の幅方向に向けて等間隔に平行に離間されて配設されている。さらに、これら走査線は、各Yドライバ回路7,8から供給される走査信号を、ゲート電極22を介して各薄膜トランジスタ13へと供給させて、これら各薄膜トランジスタ13を駆動させる。また、これら走査線の間には、図示しない補助容量配線が配線されて設けられている。これら補助容量配線は、これら補助容量配線のそれぞれが隣り合う各走査線に対して平行に配線されている。   Here, each of these gate electrodes 22 is electrically connected to a scanning line (not shown). These scanning lines are stacked on the gate insulating film 21, and are arranged along the longitudinal direction of the array substrate 2 at a regular interval in the width direction of the array substrate 2. Has been. Further, these scanning lines drive the thin film transistors 13 by supplying the scanning signals supplied from the Y driver circuits 7 and 8 to the thin film transistors 13 through the gate electrodes 22. Further, an auxiliary capacitance wiring (not shown) is provided between these scanning lines. These auxiliary capacitance lines are wired in parallel to the scanning lines adjacent to each other.

さらに、各薄膜トランジスタ13のゲート電極22それぞれを含むゲート絶縁膜21上には、絶縁性を有する酸化シリコン膜である第2絶縁層としての層間絶縁膜23が積層されて成膜されている。そして、これら層間絶縁膜23およびゲート絶縁膜21には、これら層間絶縁膜23およびゲート絶縁膜21のそれぞれを貫通した導通部としてのコンタクト部である複数のコンタクトホール24,25が開口されて設けられている。   Further, on the gate insulating film 21 including the gate electrode 22 of each thin film transistor 13, an interlayer insulating film 23 as a second insulating layer which is a silicon oxide film having an insulating property is laminated and formed. The interlayer insulating film 23 and the gate insulating film 21 are provided with a plurality of contact holes 24 and 25 which are contact portions as conductive portions penetrating through the interlayer insulating film 23 and the gate insulating film 21, respectively. It has been.

ここで、これらコンタクトホール24,25それぞれは、各薄膜トランジスタ13のゲート電極22の両側である、これら薄膜トランジスタ13のソース領域16およびドレイン領域17上に設けられている。そして、コンタクトホール24は、薄膜トランジスタ13のソース領域16に連通して開口している。また、コンタクトホール25は、薄膜トランジスタ13のドレイン領域17に連通して開口している。   Here, each of the contact holes 24 and 25 is provided on the source region 16 and the drain region 17 of the thin film transistor 13 on both sides of the gate electrode 22 of the thin film transistor 13. The contact hole 24 is opened to communicate with the source region 16 of the thin film transistor 13. The contact hole 25 communicates with the drain region 17 of the thin film transistor 13 and opens.

さらに、各薄膜トランジスタ13のソース領域16に連通したコンタクトホール24には、信号線であるソース電極26がそれぞれ積層されて設けられている。これらソース電極26は、コンタクトホール24を介して薄膜トランジスタ13のソース領域16に電気的に接続されて導通されている。また、各薄膜トランジスタ13のドレイン領域17に連通したコンタクトホール25には、信号線であるドレイン電極27がそれぞれ積層されて設けられている。これらドレイン電極27は、コンタクトホール25を介して薄膜トランジスタ13のドレイン領域17に電気的に接続されて導通されている。なお、これらソース電極26およびドレイン電極27それぞれは、信号線材料のパターニングにて形成されている。   Further, a source electrode 26 that is a signal line is laminated and provided in the contact hole 24 that communicates with the source region 16 of each thin film transistor 13. These source electrodes 26 are electrically connected to the source region 16 of the thin film transistor 13 through the contact hole 24 to be conductive. In addition, a drain electrode 27 that is a signal line is provided in a stacked manner in the contact hole 25 that communicates with the drain region 17 of each thin film transistor 13. These drain electrodes 27 are electrically connected to the drain region 17 of the thin film transistor 13 through the contact hole 25 to be conductive. Each of the source electrode 26 and the drain electrode 27 is formed by patterning a signal line material.

ここで、各ドレイン電極27には、図示しない信号線が一体的に形成されて電気的に接続されている。これら各信号線は、層間絶縁膜23上に積層されて成膜されており、アレイ基板2の幅方向に沿って、このアレイ基板2の長手方向に向けて等間隔に平行に離間されて配設されている。この結果、これら各信号線は、各走査線に対して互いに絶縁されて交差、すなわち直交して配設されている。よって、各薄膜トランジスタ13は、各信号線および走査線の交差部である交点に対応して配設されている。   Here, a signal line (not shown) is integrally formed and electrically connected to each drain electrode 27. These signal lines are laminated on the interlayer insulating film 23, and are arranged in parallel along the width direction of the array substrate 2 at equal intervals in the longitudinal direction of the array substrate 2. It is installed. As a result, these signal lines are arranged so as to be insulated from each other and crossed, that is, orthogonal to each scanning line. Therefore, each thin film transistor 13 is arranged corresponding to an intersection that is an intersection of each signal line and scanning line.

そして、これら各薄膜トランジスタ13のソース電極26およびドレイン電極27のそれぞれを含む層間絶縁膜23上には、これら薄膜トランジスタ13を覆うように窒化シリコン(SiN)膜にて構成された保護膜としてのパッシベーション膜28が積層されて成膜されている。このパッシベーション膜28には、このパッシベーション膜28を貫通した導通部としてのコンタクトホール29が開口されて設けられている。このコンタクトホール29は、薄膜トランジスタ13のドレイン電極25に連通して開口している。   Then, on the interlayer insulating film 23 including each of the source electrode 26 and the drain electrode 27 of each thin film transistor 13, a passivation film as a protective film configured by a silicon nitride (SiN) film so as to cover the thin film transistor 13. 28 are laminated to form a film. The passivation film 28 is provided with a contact hole 29 serving as a conduction portion that penetrates the passivation film 28. The contact hole 29 is opened to communicate with the drain electrode 25 of the thin film transistor 13.

さらに、このコンタクトホール29を含むパッシベーション膜28上には、薄膜トランジスタ13にて制御される画素電極31が積層されて成膜されている。この画素電極31は、コンタクトホール29を介して薄膜トランジスタ13のドレイン電極27に電気的に接続されて導通している。また、この画素電極31は、各薄膜トランジスタ13に対応し信号線と重畳されて配設されている。さらに、この画素電極31を含んだパッシベーション膜28上には、配向膜32が積層されて成膜されている。   Further, a pixel electrode 31 controlled by the thin film transistor 13 is laminated and formed on the passivation film 28 including the contact hole 29. The pixel electrode 31 is electrically connected to the drain electrode 27 of the thin film transistor 13 through the contact hole 29 to be conductive. The pixel electrode 31 is disposed corresponding to each thin film transistor 13 so as to overlap with the signal line. Further, an alignment film 32 is laminated and formed on the passivation film 28 including the pixel electrode 31.

一方、対向基板4は、略透明な矩形平板状の絶縁性基板であるガラス基板35を備えている。このガラス基板35のアレイ基板2に対向した側の一主面には、コモン電極としての対向電極36が積層されて成膜されて設けられている。また、この対向電極36上には、配向膜37が積層されて成膜されている。そして、この配向膜37とアレイ基板2の配向膜32との間に液晶6が介挿されている。   On the other hand, the counter substrate 4 includes a glass substrate 35 which is a substantially transparent rectangular flat plate-like insulating substrate. On one main surface of the glass substrate 35 on the side facing the array substrate 2, a counter electrode 36 as a common electrode is laminated and formed. On the counter electrode 36, an alignment film 37 is laminated and formed. A liquid crystal 6 is interposed between the alignment film 37 and the alignment film 32 of the array substrate 2.

さらに、このアレイ基板2のXドライバ回路9の幅方向における一側縁には、複数の斜め配線部41それぞれの一端部が電気的に接続されている。これら斜め配線部41のそれぞれは、隣同士の斜め配線部41が一定の間隙を介して、すなわち一定の距離を保って配設されている。さらに、これら斜め配線部41は、これら斜め配線部41のそれぞれが一定の線幅を保って配線されて接続されている。また、これら斜め配線部41は、アレイ基板2と対向基板4との間に設けられており、このアレイ基板2の画素エリア3の反対側に位置するXドライバ回路9の一側縁に一端部が電気的に接続されている。すなわち、これら斜め配線部41は、Xドライバ回路9を複数の走査線に電気的に接続させている。ここで、これら斜め配線部41は、アレイ基板2のゲート絶縁膜21上に積層されて成膜された第1の配線部としての第1の配線層42が積層されて成膜されている。この第1の配線層42は、アレイ基板2上のシール材5の内縁からこのアレイ基板2の幅方向における一端縁までに亘って配線されている。   Furthermore, one end of each of the plurality of diagonal wiring portions 41 is electrically connected to one side edge of the array substrate 2 in the width direction of the X driver circuit 9. In each of the oblique wiring portions 41, the adjacent oblique wiring portions 41 are arranged with a certain gap, that is, with a certain distance. Furthermore, these diagonal wiring portions 41 are connected by being wired while maintaining a certain line width. The diagonal wiring portions 41 are provided between the array substrate 2 and the counter substrate 4, and one end portion is provided at one side edge of the X driver circuit 9 located on the opposite side of the pixel area 3 of the array substrate 2. Are electrically connected. That is, these diagonal wiring portions 41 electrically connect the X driver circuit 9 to a plurality of scanning lines. Here, these oblique wiring portions 41 are formed by laminating a first wiring layer 42 as a first wiring portion that is laminated and formed on the gate insulating film 21 of the array substrate 2. The first wiring layer 42 is wired from the inner edge of the sealing material 5 on the array substrate 2 to one end edge in the width direction of the array substrate 2.

そして、これら第1の配線層42上それぞれにおけるシール材5よりも外側には、例えば4個のパッド部としてのOLB(Outer Lead Bonding:アウタリードボンディング)パッド43が積層されて設けられている。これらOLBパッド43は、液晶表示装置1を図示しない信号源に電気的に接続させる。そして、これらOLBパッド43は、アレイ基板2のガラス基板11の幅方向における一側縁に取り付けられている。また、これらOLBパッド43は、Xドライバ回路9の長手方向に沿って等間隔にそれぞれがピッチである距離Pほど離間された状態で取り付けられている。また、これらOLBパッド43には、これらOLBパッド43のうち最も近接した位置に配設されたOLBパッド43にのみ各斜め配線部41それぞれの第1の配線層42の他端部が電気的に接続されている。   On the outer side of the seal material 5 on each of the first wiring layers 42, for example, four OLB (Outer Lead Bonding) pads 43 are stacked and provided as pad portions. These OLB pads 43 electrically connect the liquid crystal display device 1 to a signal source (not shown). These OLB pads 43 are attached to one side edge in the width direction of the glass substrate 11 of the array substrate 2. Further, these OLB pads 43 are attached in a state of being separated by a distance P that is a pitch at equal intervals along the longitudinal direction of the X driver circuit 9. In addition, the OLB pads 43 are electrically connected to the other end portions of the first wiring layers 42 of the respective diagonal wiring portions 41 only in the OLB pads 43 arranged at the closest positions of the OLB pads 43. It is connected.

ここで、これらOLBパッド43のそれぞれは、第1の配線層42上に積層されて成膜された第2の配線膜である第2の配線層44を備えている。この第2の配線層44は、シール材5よりも外側の第1の配線層42上に積層されている。そして、この第2の配線層44は、第1の配線層42のシート抵抗σとは異なるシート抵抗σを有している。具体的に、この第2の配線層44は、第1の配線層42のシート抵抗よりもシート抵抗が大きく(σ>σ)設定されて構成されている。言い換えると、この第2の配線層44は、第1の配線層42の単位長さ当たりの抵抗値、すなわち抵抗率よりも大きな抵抗率を有するように設定されている。また、この第2の配線層44上には、画素電極層45が積層されて成膜されている。この画素電極層45は、各画素電極層45と同一の材料で同一工程にて形成されている。さらに、この画素電極層45上には、可撓性を有するフレキシブル基板46が積層されて圧着されて設けられている。 Here, each of these OLB pads 43 includes a second wiring layer 44 which is a second wiring film formed by being laminated on the first wiring layer 42. The second wiring layer 44 is laminated on the first wiring layer 42 outside the sealing material 5. Then, the second wiring layer 44 has a different sheet resistance sigma 2 is the sheet resistance sigma 1 of the first wiring layer 42. Specifically, the second wiring layer 44 is configured such that the sheet resistance is set larger than the sheet resistance of the first wiring layer 42 (σ 2 > σ 1 ). In other words, the second wiring layer 44 is set to have a resistance value per unit length of the first wiring layer 42, that is, a resistivity larger than the resistivity. Further, a pixel electrode layer 45 is laminated on the second wiring layer 44 and formed. The pixel electrode layer 45 is formed of the same material as each pixel electrode layer 45 in the same process. Further, on the pixel electrode layer 45, a flexible substrate 46 having flexibility is laminated and pressure-bonded.

さらに、各OLBパッド43よりも内側の第1の配線層42を含むゲート絶縁膜21上には、層間絶縁膜23が積層されて成膜されている。そして、この層間絶縁膜23には、第1の配線層42の長手方向における一端部に連通したコンタクトホール47が設けられている。このコンタクトホール47は、シール材5と第1の配線層42との間に設けられている。そして、このコンタクトホール47を含む層間絶縁膜23上には、第2の配線部としての第2の配線層48が積層されて成膜されている。この第2の配線層48は、第1の配線層42とによって斜め配線部41を構成し、各OLBパッド43それぞれの第2の配線層44と同一材料および同一工程にて形成されている。   Further, an interlayer insulating film 23 is laminated and formed on the gate insulating film 21 including the first wiring layer 42 inside each OLB pad 43. The interlayer insulating film 23 is provided with a contact hole 47 communicating with one end in the longitudinal direction of the first wiring layer 42. The contact hole 47 is provided between the sealing material 5 and the first wiring layer 42. On the interlayer insulating film 23 including the contact hole 47, a second wiring layer 48 as a second wiring portion is laminated and formed. The second wiring layer 48 forms an oblique wiring portion 41 with the first wiring layer 42 and is formed in the same material and in the same process as the second wiring layer 44 of each OLB pad 43.

また、この第2の配線層48は、シール材5の幅方向における中央部からXドライバ回路9まで配線されている。すなわち、この第2の配線層48の一端部は、シール材5と層間絶縁膜23との間に位置しており、コンタクトホール47を介して第1の配線層42の一端部に電気的に接続されている。さらに、この第2の配線層48の長手方向における他端部は、層間絶縁膜23と液晶6との間に位置してXドライバ回路9に電気的に接続されている。   The second wiring layer 48 is wired from the central portion in the width direction of the sealing material 5 to the X driver circuit 9. That is, one end portion of the second wiring layer 48 is located between the sealing material 5 and the interlayer insulating film 23, and is electrically connected to one end portion of the first wiring layer 42 through the contact hole 47. It is connected. Further, the other end portion of the second wiring layer 48 in the longitudinal direction is located between the interlayer insulating film 23 and the liquid crystal 6 and is electrically connected to the X driver circuit 9.

ここで、図1に示すように、各第1の配線層42におけるOLBパッド43とコンタクトホール47との間の部分のそれぞれが、第1の配線部としての第1の傾斜配線部51とされている。これら第1の傾斜配線部51は、各OLBパッド43から所定の距離lを介した位置である分割位置50まで配設されて設けられている。ここで、この分割位置50は、各OLBパッド43それぞれの一側部に対して所定の距離lを介して平行に設けられているとともに、Xドライバ回路9の幅方向における一側部に対して所定の間隙lを介して平行に設けられている。 Here, as shown in FIG. 1, each portion of the first wiring layer 42 between the OLB pad 43 and the contact hole 47 is a first inclined wiring portion 51 as a first wiring portion. ing. These first inclined wire portion 51 is provided to be disposed from each OLB pads 43 to the dividing position 50 is a position through a predetermined distance l 1. Here, the division position 50 is provided in parallel to one side of each OLB pad 43 via a predetermined distance l 1 and to one side of the X driver circuit 9 in the width direction. It is provided in parallel with a predetermined gap l 2 Te.

さらに、第1の傾斜配線部51は、OLBパッド43の長手方向に対して角度θ程度長手方向が傾斜した状態で配線されている。また、これら第1の傾斜配線部51は、一定の線幅である幅寸法WL1を有しており、この幅寸法を保って配設されている。さらに、これら第1の傾斜配線部51は、各OLBパッド43の長手方向に沿って、これらOLBパッド43の一端部から距離lの位置である分割位置50まで配線されている。言い換えると、これら第1の傾斜配線部51は、一定の間隙である距離lを介して配設されている。さらに、これら第1の傾斜配線部51のそれぞれは、間隙WS1を介して等間隔に離間されて配線されている。 Further, the first inclined wiring portion 51 is wired in a state where the longitudinal direction is inclined by an angle θ 1 with respect to the longitudinal direction of the OLB pad 43. These first inclined wiring portions 51 have a width dimension WL1 that is a constant line width, and are arranged while maintaining this width dimension. Further, these first inclined wiring portions 51 are wired from one end portion of these OLB pads 43 to a divided position 50 that is a position of a distance l 1 along the longitudinal direction of each OLB pad 43. In other words, these first inclined wiring portions 51 are arranged via a distance 11 that is a constant gap. Furthermore, each of the first inclined wire portion 51 is wired are equally spaced with a gap W S1.

そして、これら第1の傾斜配線部51は、任意のOLBパッド43に接続された斜め配線部41のうち、最も外側に位置する斜め配線部41のシート抵抗値が最も小さくなるように、このOLBパッド43に対する傾斜角度θがそれぞれ調整されて配設されている。言い換えると、これら第1の傾斜配線部51は、任意のOLBパッド43の端部からXドライバ回路9の端部までを接続する1本の斜め配線部41のうち、最も傾斜角度が大きくなる配線において抵抗値が最小となるように設定されている。すなわち、これら第1の傾斜配線部51のうち、各OLBパッド43の一番外側に位置する第1の傾斜配線部51が最も大きい角度の斜め配線となる。そして、この最も外側に位置する第1の傾斜配線部51よりも内側に位置する角度の小さいそれぞれの第1の傾斜配線部51は、内側に向かうに連れて徐々に角度が緩められて小さくされて段階的に配線されている。 And these 1st inclination wiring parts 51 are this OLB so that the sheet resistance value of the diagonal wiring part 41 located in the outermost side among the diagonal wiring parts 41 connected to arbitrary OLB pads 43 may become the smallest. the inclination angle theta 1 is arranged are adjusted respectively with the pads 43. In other words, these first inclined wiring portions 51 are wirings having the largest inclination angle among one oblique wiring portion 41 connecting from the end of an arbitrary OLB pad 43 to the end of the X driver circuit 9. The resistance value is set to be minimum. That is, among these first inclined wiring portions 51, the first inclined wiring portion 51 located on the outermost side of each OLB pad 43 is an oblique wiring having the largest angle. Each of the first inclined wiring portions 51 having a small angle located inside the first inclined wiring portion 51 located on the outermost side is gradually loosened and made smaller toward the inside. Are wired in stages.

また、各第2の配線層48におけるコンタクトホール47とXドライバ回路9との間の部分のそれぞれが、第2の配線部としての第2の傾斜配線部52とされている。これら第2の傾斜配線部52は、第1の傾斜配線部51とXドライバ回路9とを電気的に接続させる。そして、これら第2の傾斜配線部52は、OLBパッド43の長手方向に対して角度θ程度長手方向を傾斜させた状態で配線されている。また、これら第2の傾斜配線部52は、線幅である幅寸法WL2を有しているとともに、各OLBパッド43の長手方向に沿って第1の傾斜配線部51の他端からXドライバ回路9までの間である距離lの間に配線されている。すなわち、これら第2の傾斜配線部52は、Xドライバ回路9の幅方向における一側縁から距離lの位置である分割位置50まで配線されている。さらに、これら第2の傾斜配線部52のそれぞれは、間隙WS2を介して等間隔に離間されて配線されている。 Further, each portion of the second wiring layer 48 between the contact hole 47 and the X driver circuit 9 serves as a second inclined wiring portion 52 as a second wiring portion. These second inclined wiring portions 52 electrically connect the first inclined wiring portion 51 and the X driver circuit 9. These second inclined wiring portions 52 are wired in a state where the longitudinal direction is inclined by an angle θ 2 with respect to the longitudinal direction of the OLB pad 43. The second inclined wiring portions 52 have a width dimension WL2 which is a line width, and an X driver is connected from the other end of the first inclined wiring portion 51 along the longitudinal direction of each OLB pad 43. Wired for a distance l 2 between the circuit 9. That is, these second inclined wiring portions 52 are wired from the one side edge in the width direction of the X driver circuit 9 to the division position 50 which is a position of the distance l 2 . Further, each of the second inclined wiring portions 52 is wired with being spaced at equal intervals through the gap WS2 .

そして、これら第2の傾斜配線部52の他端部は、Xドライバ回路9に電気的に接続された複数の端子部53のいずれかに電気的に接続されている。これら端子部53は、Xドライバ回路9の長手方向に沿って等間隔にそれぞれが配線ピッチである距離Pほど離間された状態で取り付けられている。さらに、これら端子部53は、これら端子部53に第2の傾斜配線部52および第1の傾斜配線部51を介して接続されたOLBパッド43の他端から距離Lほど離間された位置に設けられている。また、これら端子部53は、これら端子部53に接続されたOLBパッド43の長手方向に対して距離Lほど水平に離間された位置に設けられている。 The other end portion of the second inclined wiring portion 52 is electrically connected to one of a plurality of terminal portions 53 electrically connected to the X driver circuit 9. These terminal portions 53 are attached in a state of being spaced apart by a distance P that is a wiring pitch at equal intervals along the longitudinal direction of the X driver circuit 9. Furthermore, these terminal portions 53 are located at a distance La from the other end of the OLB pad 43 connected to these terminal portions 53 via the second inclined wiring portion 52 and the first inclined wiring portion 51. Is provided. These terminal portions 53 are provided at a distance L b as horizontally spaced position relative to the longitudinal direction of the OLB pads 43 connected to the terminals 53.

次に、上記第1の実施の形態の液晶表示装置の斜め配線部の設計方法を説明する。   Next, a method for designing the oblique wiring portion of the liquid crystal display device according to the first embodiment will be described.

まず、各OLBパッド43に接続された斜め配線部41のうち、最も外側に位置する斜め配線部41が最もきつい角度の斜め配線となる。   First, among the diagonal wiring portions 41 connected to each OLB pad 43, the diagonal wiring portion 41 located on the outermost side is the diagonal wiring with the tightest angle.

そして、この斜め配線部41におけるOLBパッド41とXドライバ回路9との間の最も傾斜角度が大きくなる斜め配線の抵抗を計算する。   Then, the resistance of the oblique wiring that makes the largest inclination angle between the OLB pad 41 and the X driver circuit 9 in the oblique wiring portion 41 is calculated.

このとき、1本分の斜め配線部41の抵抗を考えるので、図1に示すように、OLBパッド43の距離PとXドライバ回路9のピッチPを便宜上同じとした。また、各斜め配線部41の第1の傾斜配線部51および第2の傾斜配線部52それぞれの間隙WS1,WS2は、これら第1の傾斜配線部51および第2の傾斜配線部52の配線角度θが変化しても一定である。 At this time, since the resistance of one diagonal wiring portion 41 is considered, the distance P of the OLB pad 43 and the pitch P of the X driver circuit 9 are set to be the same for convenience as shown in FIG. In addition, the gaps W S1 and W S2 of the first inclined wiring portion 51 and the second inclined wiring portion 52 of each diagonal wiring portion 41 are different from those of the first inclined wiring portion 51 and the second inclined wiring portion 52, respectively. Even if the wiring angles θ 1 and θ 2 change, it is constant.

さらに、第1の傾斜配線部51のOLBパッド43からの距離l、第1の傾斜配線部51の他端からXドライバ回路9までの距離l、OLBパッド43からXドライバ回路9までの、このXドライバ回路の幅方向に沿った距離である直線距離L、OLBパッド43からXドライバ回路9の端子部53までの、このXドライバ回路9の長手方向に沿った距離である水平距離Lのそれぞれも一定である。 Further, the distance l 1 from the OLB pad 43 of the first inclined wiring portion 51, the distance l 2 from the other end of the first inclined wiring portion 51 to the X driver circuit 9, and the distance from the OLB pad 43 to the X driver circuit 9. , A linear distance L a that is a distance along the width direction of the X driver circuit, and a horizontal distance that is a distance along the longitudinal direction of the X driver circuit 9 from the OLB pad 43 to the terminal portion 53 of the X driver circuit 9 Each of L b is also constant.

この状態で、第1の配線層42および第2の配線層48それぞれのシート抵抗をσおよびσとすると、第1の傾斜配線部51の抵抗値(R)は、R=WL1×l/cos(θ)=(P×cos(θ)−WS1)×l/cos(θ)となる。このとき、第2の傾斜配線部52の抵抗値(R)は、R=WL2×l/cos(θ)=[P×l/√{(L−l×tan(θ))+l }−WS2]×√{(L−l×tan(θ)+l となる。 In this state, assuming that the sheet resistances of the first wiring layer 42 and the second wiring layer 48 are σ 1 and σ 2 , the resistance value (R 1 ) of the first inclined wiring portion 51 is R 1 = W L1 × l 1 / cos (θ 1 ) = (P × cos (θ 1 ) −W S1 ) × l 1 / cos (θ 1 ). At this time, the resistance value (R 2 ) of the second inclined wiring portion 52 is R 2 = W L2 × l 2 / cos (θ 2 ) = [P × l 2 / √ {(L b −l 1 × tan (θ 1 )) 2 + l 2 2 } −W S2 ] × √ {(L b −l 1 × tan (θ 1 ) 2 + l 2 2

したがって、最も外側に位置する斜め配線部41一本分の抵抗値(R)は、R[θ]=R]+R]となる。 Accordingly, the resistance value (R) of one diagonal wiring portion 41 located on the outermost side is R [θ 1 ] = R 11 ] + R 21 ].

そこで、例えば配線ピッチP=30μmとし、L=100μmとし、L=500μmとし、l=200μmとし、l=300μmとし、第1の配線層42のシート抵抗σ=1.0Ω/μmとし、第2の配線層48のシート抵抗σ=0.1Ω/μmとし、第1の傾斜配線部51の配線間隔WS1=10.0μmとし、第2の傾斜配線部52の配線間隔WS2を10.0μmとして計算する。 Therefore, for example, the wiring pitch P = 30 μm, L a = 100 μm, L b = 500 μm, l 1 = 200 μm, l 2 = 300 μm, and the sheet resistance σ 1 of the first wiring layer 42 = 1.0Ω / μm 2 , the sheet resistance σ 2 of the second wiring layer 48 = 0.1Ω / μm 2 , the wiring interval W S1 of the first inclined wiring part 51 = 10.0 μm, and the second inclined wiring part 52 calculating the wiring interval W S2 as 10.0 [mu] m.

この結果、図5および図6に示すように、最も外側に位置する第1の傾斜配線部51の傾斜角度θ=18゜のときに最適配線角度であることがわかる。 As a result, as shown in FIGS. 5 and 6, it is found that the optimum wiring angle is obtained when the inclination angle θ 1 = 18 ° of the first inclined wiring portion 51 located on the outermost side.

上述したように、上記第1の実施の形態によれば、各斜め配線部41の第2の配線層48が第1の配線層42よりもシート抵抗が小さいため、OLBパッド43からXドライバ回路9までを第2の配線層48で配線することも考えられるが、この第2の配線層48はシール材5よりも外側に配設されて大気にさらされ腐食してしまうおそれがあるから、このシール材5よりも外側ではコンタクトホール47を介して第1の配線層42に接続させている。   As described above, according to the first embodiment, since the second wiring layer 48 of each oblique wiring portion 41 has a sheet resistance smaller than that of the first wiring layer 42, the OL driver pad 43 can be used as an X driver circuit. Although it is conceivable to wire up to 9 with the second wiring layer 48, the second wiring layer 48 is disposed outside the sealing material 5 and may be exposed to the atmosphere and corroded. Outside the sealing material 5, it is connected to the first wiring layer 42 through a contact hole 47.

また、このシール材5の位置をより外側に移動させて、第1の傾斜配線部51の直線距離lを短くし、第2の傾斜配線部52の直線距離lを長くすることも考えられるが、これら第1の傾斜配線部51および第2の傾斜配線部52がOLBパッド43と干渉してしまうおそれがある。したがって、これら第1の傾斜配線部51および第2の傾斜配線部52それぞれの直線距離l,lを変化させたり、シール材5の位置を移動させたりできない。 It is also conceivable to move the position of the sealing material 5 further outward to shorten the linear distance l 1 of the first inclined wiring part 51 and increase the linear distance l 2 of the second inclined wiring part 52. However, the first inclined wiring portion 51 and the second inclined wiring portion 52 may interfere with the OLB pad 43. Therefore, the linear distances l 1 and l 2 of the first inclined wiring part 51 and the second inclined wiring part 52 cannot be changed, and the position of the sealing material 5 cannot be moved.

そこで、従来の液晶表示装置では、OLBパッドおよびXドライバ回路間を斜め配線部にて直線状に接続させていた。しかしながら、この斜め配線部41の第1の傾斜配線部51および第2の傾斜配線部52によるシート抵抗の異なる2種の配線層による接続では、OLBパッド43からXドライバ回路9までの配線抵抗に関して最適な方法ではない。   Therefore, in the conventional liquid crystal display device, the OLB pad and the X driver circuit are connected in a straight line at an oblique wiring portion. However, in connection with two kinds of wiring layers having different sheet resistances by the first inclined wiring part 51 and the second inclined wiring part 52 of the oblique wiring part 41, the wiring resistance from the OLB pad 43 to the X driver circuit 9 is related. It's not the best way.

したがって、各OLBパッド43のそれぞれに接続された斜め配線部41のうち、最も外側に位置する斜め配線部41の抵抗値が最も小さくなるように、第1の傾斜配線部51の傾斜角度を調整する。   Therefore, the inclination angle of the first inclined wiring part 51 is adjusted so that the resistance value of the oblique wiring part 41 located on the outermost side among the oblique wiring parts 41 connected to each OLB pad 43 is minimized. To do.

この結果、OLBパッド43からの第1の傾斜配線部51の距離を一定に保ちつつ、最も外側に位置し最も抵抗値が大きくなる斜め配線部41の抵抗値を最も小さくでき最適化できるので、これら斜め配線部41の抵抗値を容易に最適化できる。よって、これら各斜め配線部41のシート抵抗値に応じて、OLBパッド43とXドライバ回路9と間を電気的に接続させる斜め配線部41の傾斜角度を抵抗に関して容易に最適化できる。   As a result, while keeping the distance of the first inclined wiring part 51 from the OLB pad 43 constant, the resistance value of the oblique wiring part 41 located on the outermost side and having the largest resistance value can be minimized and optimized. The resistance value of these diagonal wiring portions 41 can be easily optimized. Therefore, according to the sheet resistance value of each of the oblique wiring portions 41, the inclination angle of the oblique wiring portion 41 that electrically connects the OLB pad 43 and the X driver circuit 9 can be easily optimized with respect to the resistance.

なお、上記第1の実施の形態では、各斜め配線部41の第1の傾斜配線部51の線幅WL1および第2の傾斜配線部52の線幅WL2のそれぞれを固定させない場合について説明したが、図7および図8に示す第2の実施のように、これら第1の傾斜配線部51の線幅WL1および第2の傾斜配線部52の線幅WL2のそれぞれを固定させた場合には、最も外側に位置する斜め配線部41一本分の抵抗R[θ]=R]+R]の最適配線角度を計算すると、R]=WL1×l/cos(θ)となり、R]=WL2×√{(L−l×tan(θ))+l }となる。 In the above-described first embodiment, the case of not fixing the respective line width W L2 of the line width W L1 and the second inclined wire portion 52 of the first inclined wire portion 51 of the oblique line portion 41 described but was, as in the second embodiment shown in FIGS. 7 and 8 were fixed to each of the line width W L2 of the first line width W L1 and the second inclined wire portion 52 of the inclined wire portion 51 In this case, when the optimum wiring angle of the resistance R [θ 1 ] = R 11 ] + R 21 ] for one diagonal wiring portion 41 located on the outermost side is calculated, R 11 ] = W L1 × l 1 / cos (θ 1 ), and R 22 ] = W L2 × √ {(L b −l 1 × tan (θ 1 )) 2 + l 2 2 }.

したがって、第1の傾斜配線部51の線幅WL1および第2の傾斜配線部52の線幅WL2のそれぞれを15.0μmとし、その他の条件を上記第1の実施の形態と同様にした場合には、図7および図8に示すように、最も外側に位置する第1の傾斜配線部51の傾斜角度θ=5゜のときに配線抵抗が最小になるから、この角度が最適配線角度となる。 Thus, each of the line width W L2 of the first line width W L1 and the second inclined wire portion 52 of the inclined wire portion 51 and 15.0 .mu.m, the other conditions were the same as the first embodiment In this case, as shown in FIGS. 7 and 8, since the wiring resistance is minimized when the inclination angle θ 1 = 5 ° of the first inclined wiring portion 51 located on the outermost side, this angle is the optimum wiring. It becomes an angle.

本発明の第1の実施の形態の液晶表示装置の一部を示す説明平面図である。FIG. 2 is an explanatory plan view showing a part of the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention. 同上液晶表示装置を示す説明断面図である。It is explanatory sectional drawing which shows a liquid crystal display device same as the above. 同上液晶表示装置の説明分解斜視図である。It is a description exploded perspective view of a liquid crystal display device same as the above. 同上液晶表示装置の説明平面図である。It is a description top view of a liquid crystal display device same as the above. 同上液晶表示装置の第1の配線層の傾斜角度を変化させた際のデータである。This is data when the inclination angle of the first wiring layer of the liquid crystal display device is changed. 同上液晶表示装置の第1の配線層の傾斜角度を変化させた際のグラフである。It is a graph at the time of changing the inclination-angle of the 1st wiring layer of a liquid crystal display device same as the above. 本発明の液晶表示装置の第2の実施の形態の第1の配線層の傾斜角度を変化させた際のデータである。This is data when the inclination angle of the first wiring layer in the second embodiment of the liquid crystal display device of the present invention is changed. 同上液晶表示装置の第1の配線層の傾斜角度を変化させた際のグラフである。It is a graph at the time of changing the inclination-angle of the 1st wiring layer of a liquid crystal display device same as the above.

符号の説明Explanation of symbols

1 液晶表示装置
2 アレイ基板
4 対向基板
6 液晶
9 駆動回路としてのXドライバ回路
13 スイッチング素子としての薄膜トランジスタ
41 配線部としての斜め配線部
43 パッド部としてのOLBパッド
51 第1の配線部としての第1の傾斜配線部
52 第2の配線部としての第2の傾斜配線部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Liquid crystal display device 2 Array substrate 4 Opposite substrate 6 Liquid crystal 9 X driver circuit as a drive circuit
13 Thin-film transistors as switching elements
41 Diagonal wiring section as wiring section
43 OLB pad as pad
51 First inclined wiring section as a first wiring section
52 Second inclined wiring section as second wiring section

Claims (4)

スイッチング素子を備えたアレイ基板と、
このアレイ基板に対向して配設された対向基板と、
この対向基板および前記アレイ基板の間に介挿された液晶と、
前記アレイ基板の一側部に沿って配設され、前記スイッチング素子を駆動させる駆動回路と、
この駆動回路に電気的に接続された複数の配線部とを具備し、
これら複数の配線部は、前記アレイ基板の一側部に沿って配設されたパッド部と、このパッド部から所定の間隙を介した位置まで配設された第1の配線部と、この第1の配線部および前記駆動回路を電気的に接続させ前記第1の配線部とは抵抗が異なる第2の配線部とを有し、これら複数の配線部のうち最も外側に位置する前記配線部の抵抗値が最も小さくなるように前記パッド部に対する前記第1の配線部の傾斜角度がそれぞれ調整されて配設されている
ことを特徴とした液晶表示装置。
An array substrate with switching elements;
A counter substrate disposed to face the array substrate;
A liquid crystal interposed between the counter substrate and the array substrate;
A drive circuit disposed along one side of the array substrate and driving the switching element;
A plurality of wiring portions electrically connected to the drive circuit;
The plurality of wiring portions include a pad portion disposed along one side portion of the array substrate, a first wiring portion disposed from the pad portion to a position through a predetermined gap, and the first wiring portion. A wiring portion electrically connected to the driving circuit and having a second wiring portion having a resistance different from that of the first wiring portion, and the wiring portion located on the outermost side among the plurality of wiring portions The liquid crystal display device is characterized in that the inclination angle of the first wiring part with respect to the pad part is respectively adjusted so as to minimize the resistance value of the liquid crystal display device.
第2の配線部は、第1の配線部より抵抗が大きい
ことを特徴とした請求項1記載の液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the second wiring portion has a larger resistance than the first wiring portion.
複数の配線部それぞれは、一定の間隔を介して配設されている
ことを特徴とした請求項1または2記載の液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein each of the plurality of wiring portions is disposed at a constant interval.
複数の配線部それぞれは、一定の線幅を保って配設されている
ことを特徴とした請求項1ないし3いずれか記載の液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 3, wherein each of the plurality of wiring portions is arranged with a constant line width.
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