JP2005242398A - Simulation method for semiconductor integrated circuit - Google Patents

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JP2005242398A JP2004047134A JP2004047134A JP2005242398A JP 2005242398 A JP2005242398 A JP 2005242398A JP 2004047134 A JP2004047134 A JP 2004047134A JP 2004047134 A JP2004047134 A JP 2004047134A JP 2005242398 A JP2005242398 A JP 2005242398A
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慎一 熊代
Hidetoshi Narahara
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the highly precise simulation method of digital and analog connecting part by mix mode simulation. <P>SOLUTION: The net list of a mixture circuit is read (101), and the library of a logical cell and an analog element is read (102), and a table to define the inclination of waveform corresponding to the input state transition of the logical cell is set at the output terminal of the logical cell of a portion where a signal propagates from a digital circuit to an analog circuit (103), and the parasitic resistance and parasitic capacitance of an input terminal are set (104), and a net list is regenerated (105), and logical simulation/circuit simulation is carried out (106, 107), and the inclination is added to the waveform of the output terminal of the logical cell (108), and the signal is converted into a digital signal according to the voltage of the circuit simulator of the analog circuit part, and mix mode simulation is performed (109). <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、ディジタルアナログ混載回路において実行されるミックスモードシミュレーションの方法に関する発明である。   The present invention relates to a method of mixed mode simulation executed in a digital / analog mixed circuit.

半導体集積回路のシミュレーション方法において、ディジタル回路とアナログ回路の混在した回路のシミュレーションがミックスモードシミュレーションである。一般的にはアナログ回路はSPICEなどを用いた回路シミュレーションで電気的特性を確認し、ディジタル回路は論理シミュレーションを用いてシミュレーション対象となる回路にテストパターンを与えて論理的な動作を検証する。   In a semiconductor integrated circuit simulation method, a mixed mode simulation is a simulation of a circuit in which a digital circuit and an analog circuit are mixed. In general, an analog circuit confirms an electrical characteristic by a circuit simulation using SPICE or the like, and a digital circuit verifies a logical operation by giving a test pattern to a circuit to be simulated using a logic simulation.

ミックスモードシミュレーションはアナログ回路の回路シミュレーションの信号とディジタル回路の論理シミュレーションの信号とで信号のやり取りがあるため2つのシミュレータ間での同期を取る過程が存在する。   In mixed mode simulation, there is a process of synchronizing between two simulators because there is signal exchange between a circuit simulation signal of an analog circuit and a logic simulation signal of a digital circuit.

論理シミュレータでのシミュレーションでは0、1、不定、ハイインピーダンスの状態をとりそれらの状態間の遷移については瞬間的に遷移する。
またアナログ回路における回路シミュレーションで時系列にシミュレーションを行ないその電気的特性をシミュレーションする場合、波形の立上り及び立下りには有る時間を有しており、論理シミュレータのように瞬間的に状態が遷移することはない。また回路シミュレーションでは状態が遷移時間なしで変化することに対応していない。
In the simulation with the logic simulator, 0, 1, indefinite, and high impedance states are taken, and transitions between these states are instantaneously changed.
Also, when simulating in time series in circuit simulation in an analog circuit and simulating its electrical characteristics, the waveform has time to rise and fall, and the state transitions instantaneously like a logic simulator There is nothing. In addition, the circuit simulation does not correspond to the state changing without the transition time.

そのためミックスモードシミュレーションにおいてディジタル回路からアナログ回路への信号の伝播が発生する部分では、論理シミュレータでの瞬時に状態が遷移する信号をそのまま回路シミュレータへ渡すことができない。   Therefore, in a portion where signal propagation from the digital circuit to the analog circuit occurs in the mixed mode simulation, a signal whose state transitions instantaneously in the logic simulator cannot be directly passed to the circuit simulator.

図11は従来のディジタルアナログ混在の半導体集積回路の一例を示す図である。
1101はディジタルアナログ混在の半導体集積回路であり、1102は前記半導体集積回路1101のディジタル回路部であり、1103は前記半導体集積回路1101のアナログ回路部であり、1104及び1105は前記半導体集積回路1101のディジタル回路部1102内の論理セルの一部であり、1106は前記1104の出力端子であり、1107は前記論理セル1105の入力端子であり、1108および1109は前記半導体集積回路1101のアナログ回路部1103内の抵抗素子であり、1110及び1111は前記半導体集積回路1101のアナログ回路部1103内の容量素子である。
FIG. 11 is a diagram showing an example of a conventional digital / analog mixed semiconductor integrated circuit.
Reference numeral 1101 denotes a digital integrated analog semiconductor integrated circuit, 1102 denotes a digital circuit portion of the semiconductor integrated circuit 1101, 1103 denotes an analog circuit portion of the semiconductor integrated circuit 1101, and 1104 and 1105 denote the semiconductor integrated circuit 1101. 1106 is an output terminal of 1104, 1107 is an input terminal of the logic cell 1105, and 1108 and 1109 are analog circuit portions 1103 of the semiconductor integrated circuit 1101. 1110 and 1111 are capacitive elements in the analog circuit portion 1103 of the semiconductor integrated circuit 1101.

ミックスモードシミュレーションは前記半導体集積回路1101のディジタル部1102は論理シミュレーションで、前記半導体集積回路1102のアナログ回路部は回路シミュレーションでそれぞれ独立してシミュレーションを行ない、前記ディジタル回路部1102と前記アナログ回路部1103間で信号を伝播させる相互のシミュレーション結果を時間的の同期を取っている。   In the mixed mode simulation, the digital unit 1102 of the semiconductor integrated circuit 1101 performs logic simulation, and the analog circuit unit of the semiconductor integrated circuit 1102 performs simulation independently of each other by circuit simulation. The digital circuit unit 1102 and the analog circuit unit 1103 The mutual simulation results of signal propagation between them are synchronized in time.

そのためシミュレーション対象となるディジタルアナログ混載半導体集積回路1101においてディジタル回路部1102とアナログ回路部1103とのつなぎの部分でディジタル回路からアナログ回路へ伝播する信号に対して一定の傾きを与えて回路シミュレータ側へ信号を受け渡している。この傾きの値はシミュレーション対応となる回路の全てのディジタル回路からアナログ回路への信号の伝播が発生する部分に対して同じ値を設定するか、それぞれのノードに対して個別の値を人手によって設定する方法がある。実際の例を図12を用いて説明する。図12において、1201はディジタル側からアナログ回路側へ入力される波形、1202はディジタル回路での論理シミュレーションの波形を示した。   Therefore, in the digital / analog mixed semiconductor integrated circuit 1101 to be simulated, a constant slope is given to the signal propagating from the digital circuit to the analog circuit at the connection between the digital circuit unit 1102 and the analog circuit unit 1103, and the circuit simulator side is reached. Passing signals. Set the same value for the part where signal propagation from all digital circuits to the analog circuit occurs in the simulation-compatible circuit, or manually set individual values for each node. There is a way to do it. An actual example will be described with reference to FIG. In FIG. 12, 1201 indicates a waveform input from the digital side to the analog circuit side, and 1202 indicates a waveform of logic simulation in the digital circuit.

前記論理セル1104の出力端子1106から出力され、前記アナログ回路部へ伝播する波形は1202であるが、そのままの波形では状態の遷移が瞬間的に発生しているため回路シミュレータでは取り扱うことができない。そのため波形1201のように論理シミュレーションの結果が“H”レベルから“L”レベルへ状態遷移する場合に傾きを与えている。また論理シミュレーションの状態遷移が“H”レベルから“L”レベルに遷移する場合も同様にアナログ回路へ伝播する波形には傾きを与えている。   The waveform that is output from the output terminal 1106 of the logic cell 1104 and propagates to the analog circuit portion is 1202. However, since the state transition occurs instantaneously in the waveform as it is, it cannot be handled by the circuit simulator. Therefore, a slope is given when the result of the logic simulation changes state from the “H” level to the “L” level as in the waveform 1201. Similarly, when the state transition of the logic simulation changes from the “H” level to the “L” level, the waveform propagating to the analog circuit is similarly given a slope.

この例に示したようにアナログ回路部1103に入力する信号の変化、つまり回路シミュレータで扱う電圧の変化はある傾きを持って与えなければならない。
またアナログ回路1103からディジタル回路1102へ信号が伝播する場合について図13を参照しながら説明する。図13において1301は回路シミュレータの波形、1302はディジタル回路部側へ入力される波形である。
As shown in this example, a change in the signal input to the analog circuit unit 1103, that is, a change in voltage handled by the circuit simulator must be given with a certain slope.
A case where a signal propagates from the analog circuit 1103 to the digital circuit 1102 will be described with reference to FIG. In FIG. 13, 1301 is a waveform of the circuit simulator, and 1302 is a waveform inputted to the digital circuit unit side.

アナログ回路側の電圧レベルに対してディジタル回路側での“H”レベルの電圧及び“L”レベルの電圧を定義し、アナログ回路側での電圧を考慮してディジタル回路側への信号を受け渡している。例えば論理セル1105の入力端子1107に接続しているアナログ回路のシミュレーション波形1301の場合、ある電圧Vtをディジタルの“H”レベルまたは“L”レベルの切り換りの電圧に定義し、Vtよりも高い電圧はディジタル回路での“H”レベルおよび前記電圧Vtよりも低い電圧はディジタル回路での“L”レベルとして扱っている。つまりアナログ回路側の信号1301において時刻tの時に電圧Vtとなった。つまり前記論理セル1107に入力されるディジタル信号としての波形は、時刻tよりも以前はディジタル回路側へ入力される値は“L”レベルであり、時刻t以降はディジタル回路側へ入力される値は“H”レベルとなる。   Define the “H” level voltage and “L” level voltage on the digital circuit side with respect to the voltage level on the analog circuit side, and transfer the signal to the digital circuit side in consideration of the voltage on the analog circuit side Yes. For example, in the case of a simulation waveform 1301 of an analog circuit connected to the input terminal 1107 of the logic cell 1105, a certain voltage Vt is defined as a digital “H” level or “L” level switching voltage, and more than Vt A high voltage is treated as “H” level in the digital circuit, and a voltage lower than the voltage Vt is treated as “L” level in the digital circuit. That is, the voltage Vt at the time t in the signal 1301 on the analog circuit side. That is, in the waveform as a digital signal input to the logic cell 1107, the value input to the digital circuit side is “L” level before time t, and the value input to the digital circuit side after time t. Becomes “H” level.

このような先行技術としては、(特許文献1)(特許文献2)を挙げることができる。
特開2000−357183 特開2001−147948
As such a prior art, (patent document 1) (patent document 2) can be mentioned.
JP 2000-357183 A JP 2001-147948 A

ディジタル回路とアナログ回路混在の半導体集積回路のミックスモードシミュレーションにおいて、ディジタル回路からアナログ回路への接続部分でアナログ回路へ受け渡す信号において“H”レベルから“L”レベル、または“L”レベルから“H”レベルへ状態遷移する場合の立上りまたは立下り時間が0の信号がアナログ回路へ入力されても回路シミュレータではシミュレーションすることが不可能である。   In a mixed mode simulation of a semiconductor integrated circuit in which a digital circuit and an analog circuit are mixed, a signal transferred from the “H” level to the “L” level or from the “L” level to “ Even if a signal having a rise or fall time of 0 in the state transition to the H ″ level is input to the analog circuit, it cannot be simulated by the circuit simulator.

そのためミックスモードシミュレーションの実行前にディジタル回路からアナログ回路へ信号が伝播する場合に波形の立上り及び立下り時間を人手によって指定しなければならないが、半導体集積回路内の全てのディジタル回路からアナログ回路へ信号が伝播する部分に同一の値を設定しても、実際の半導体集積回路では全てのディジタル回路からアナログ回路へ信号が伝播する部分の信号の状態遷移において立上り及び立下り時間が同一とは考えられない。またディジタル回路からアナログ回路へ信号が伝播する部分について個別に立上り及び立下り時間を指定することも可能であるが、半導体集積回路全体でミックスモードシミュレーションを実行する前に、それぞれのディジタル回路からアナログ回路へ信号が伝播する部分の信号の状態遷移において立上り及び立下り時間を求めるシミュレーションを実行しなければならない。   For this reason, when a signal propagates from a digital circuit to an analog circuit before execution of the mixed mode simulation, the rise and fall times of the waveform must be manually specified, but from all the digital circuits in the semiconductor integrated circuit to the analog circuit. Even if the same value is set in the part where the signal propagates, in an actual semiconductor integrated circuit, the rise and fall times are considered to be the same in the state transition of the signal where the signal propagates from all the digital circuits to the analog circuit. I can't. It is also possible to individually specify the rise and fall times for the part where the signal propagates from the digital circuit to the analog circuit. However, before executing the mixed mode simulation on the entire semiconductor integrated circuit, the analog circuit from each digital circuit A simulation must be performed to determine the rise and fall times in the state transition of the signal where the signal propagates to the circuit.

またディジタル回路側の論理セルもMOSトランジスタを用いて設計された回路であり、論理シミュレータでシミュレーションするために実際の動作をモデル化しているので、多入力の論理セルにおいてはそれぞれの入力の状態遷移によっては出力波形の立上り及び立下り時間が異なるため、実際の半導体集積回路の動作をシミュレーションする場合にはディジタル回路側の最終の駆動セルの入力の状態遷移に応じて出力波形の立上り時間および立下り時間を変更する必要がある。またアナログ回路側からディジタル回路側へ信号を伝播させる場合、アナログ回路の回路シミュレータの結果を電圧に応じてディジタル信号に変更される。従来のディジタルアナログ混在回路のミックスモードシミュレーションにおけるアナログ回路部の回路シミュレーションは回路内のアナログ素子で構成されている部分のシミュレーションを行う。しかし論理セルの実際の半導体集積回路においては一般的にMOSトランジスタを用いて構成され、論理セルの入力側にはゲートの配線抵抗及びゲートの寄生容量が存在する。しかしながら現在のミックスモードシミュレーションでは前記ゲートの配線抵抗及び前記ゲートの寄生容量を考慮してミックスモードシミュレーションは実行されていない場合がほとんどである。   Also, the logic cell on the digital circuit side is a circuit designed using MOS transistors, and the actual operation is modeled for simulation with a logic simulator, so in a multi-input logic cell, the state transition of each input Depending on the state of the output waveform, the rise and fall times of the output waveform may differ, so when simulating the operation of an actual semiconductor integrated circuit, the rise time and rise time of the output waveform are dependent on the state transition of the final drive cell input on the digital circuit side. It is necessary to change the downtime. When a signal is propagated from the analog circuit side to the digital circuit side, the result of the circuit simulator of the analog circuit is changed to a digital signal according to the voltage. The circuit simulation of the analog circuit portion in the conventional mixed mode simulation of the digital / analog mixed circuit performs a simulation of a portion composed of analog elements in the circuit. However, an actual semiconductor integrated circuit of a logic cell is generally configured using MOS transistors, and a gate wiring resistance and a gate parasitic capacitance exist on the input side of the logic cell. However, in most current mixed mode simulations, the mixed mode simulation is not executed in consideration of the wiring resistance of the gate and the parasitic capacitance of the gate.

本発明は、ミックスモードシミュレーションでディジタルとアナログの接続部分の精度の高いシミュレーション方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a highly accurate simulation method for digital and analog connection portions in mixed mode simulation.

上記課題に鑑みて、本発明の半導体集積回路のシミュレーション方法は、ディジタル回路のアナログ回路混在のミックスモードシミュレーションの方法であって、ネットリストシミュレータに読み込む過程と、ディジタル回路からアナログ回路へ信号が伝播する部分の論理セルの出力端子にディジタル回路からアナログ回路へ伝播する信号の傾きを前記論理セルの入力の状態遷移に対応した波形の立上り立下りの傾きを定義するテーブル設定するテーブル設定過程とアナログ回路からディジタル回路へ信号が伝播する部分の論理セルの入力端子に論理セルの入力端子の寄生の抵抗及び寄生の容量を設定する抵抗容量設定過程と前記アナログ回路からディジタル回路へ信号が伝播する部分の論理セルの入力端子に論理セルの入力端子の寄生の抵抗及び寄生の容量を設定する抵抗容量設定過程で設定された寄生の抵抗及び寄生の容量を含めてネットリストを再生成する過程と論理シミュレーションを実行する過程と回路シミュレーションを実行する過程と前記2つの論理シミュレーションの結果及び回路シミュレーションの結果に基づいて前記テーブル設定過程で設定されたディタル回路からアナログ回路へ伝播する波形の傾きを前記テーブル設定過程で出力端子にテーブルを設定された論理セルの入力の状態遷移を検出して、アナログ回路へ伝播する信号の傾きを決定するディジタルアナログデータ同期過程と、またアナログ回路からディジタル回路へ信号が伝播する際に入力端子にアナログディジタルインターフェース設定過程で設定された入力端子の寄生の抵抗及び寄生の容量で構成される回路を付加しアナログシミュレーションの結果に反映させるアナログディジタルデータ同期過程とを有することを特徴とする。   In view of the above problems, the semiconductor integrated circuit simulation method of the present invention is a mixed-mode simulation method in which analog circuits of a digital circuit are mixed, and the process of reading into a netlist simulator and the propagation of signals from the digital circuit to the analog circuit Table setting process for setting the slope of the signal propagating from the digital circuit to the analog circuit at the output terminal of the logic cell to define the slope of the rise and fall of the waveform corresponding to the state transition of the input of the logic cell and the analog A resistance-capacitance setting process for setting the parasitic resistance and parasitic capacitance of the input terminal of the logic cell to the input terminal of the logic cell of the part where the signal propagates from the circuit to the digital circuit, and the part where the signal propagates from the analog circuit to the digital circuit The parasitic resistance of the input terminal of the logic cell is connected to the input terminal of the logic cell. The process of regenerating the netlist including the parasitic resistance and parasitic capacitance set in the capacitance setting process, the process of executing the logic simulation, the process of executing the circuit simulation, and the two processes Based on the result of logic simulation and the result of circuit simulation, the slope of the waveform propagating from the digital circuit set in the table setting process to the analog circuit is input to the logic cell set in the output terminal in the table setting process. The digital analog data synchronization process that detects the state transition and determines the slope of the signal that propagates to the analog circuit, and the analog digital interface setting process at the input terminal when the signal propagates from the analog circuit to the digital circuit The parasitic resistance and parasitic capacitance of the input terminal And having an analog-to-digital data synchronization process of reflecting adding circuit to the result of the analog simulation made.

この構成によると、論理シミュレーション過程と回路シミュレーション過程とディジタルアナログデータ同期過程とアナログディジタルデータ同期過程を繰り返し実行することによりディジタルアナログ混在回路のシミュレーションを実現可能にすることによりディジタルとアナログの接続部分の精度の高いシミュレーションを実現できる。   According to this configuration, by repeating the logic simulation process, the circuit simulation process, the digital analog data synchronization process, and the analog digital data synchronization process, it is possible to realize a simulation of a digital / analog mixed circuit, thereby A highly accurate simulation can be realized.

以下に、この発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。尚本実施の形態は請求項3について合わせて説明する。
図1は本発明の半導体集積回路のシミュレーション方法の処理フロー図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. This embodiment will be described together with claim 3.
FIG. 1 is a process flow diagram of a semiconductor integrated circuit simulation method of the present invention.

101はディジタルアナログ混在回路から作成された回路からネットリストを読み込む過程、102は論理セル及びアナログ素子のライブラリを読み込む過程、103はディジタル回路からアナログ回路へ信号が伝播する部分の論理セルの出力端子にディジタル回路からアナログ回路へ伝播する信号の傾きを前記論理セルの入力の状態遷移に対応した波形の立上り立下りの傾きを定義するテーブル設定するテーブル設定過程、104はアナログ回路からディジタル回路へ信号が伝播する部分の論理セルの入力端子に論理セルの入力端子の寄生の抵抗及び寄生の容量を設定する抵抗容量設定過程、105は過程104で設定された論理セルの入力端子の寄生抵抗及び寄生容量の値を含めてシミュレーションに用いるネットリストを再生成する過程、106はディジタル回路部の論理シミュレーションを実行する過程、107はアナログ回路部を回路シミュレーションする過程、108は過程106と107でそれぞれシミュレーションされた結果を元にディジタル回路部からアナログ回路部へ信号が伝播する部分において過程103で設定されたテーブルと論理セルの出力端子がアナログ素子と接続している論理セルの入力端子の状態遷移に対応したテーブルの傾きを選択して前記論理セルの出力端子の波形に前記テーブルで選択された傾きを付加するディジタルアナログ同期過程、109はアナログ回路からディジタル回路へ信号が伝播する際に論理セルの入力端子にアナログ素子が接続されている論理セルの入力端子に入力されるアナログ回路部の回路シミュレータの電圧に応じてディジタル信号に変更するアナログディジタルデータ同期過程であり、過程106、過程107、過程108、過程109を繰り返し実行することによりディジタルとアナログの接続部分の精度の高いシミュレーションを行うことが可能となる。   101 is a process of reading a netlist from a circuit created from a digital / analog mixed circuit, 102 is a process of reading a library of logic cells and analog elements, and 103 is an output terminal of a logic cell in a portion where signals are propagated from the digital circuit to the analog circuit Table setting process for setting the slope of the signal propagating from the digital circuit to the analog circuit to define the rising and falling slope of the waveform corresponding to the state transition of the input of the logic cell, 104 is a signal from the analog circuit to the digital circuit A resistance-capacitance setting process for setting the parasitic resistance and parasitic capacitance of the input terminal of the logic cell to the input terminal of the logic cell in the part where the signal propagates, 105 is the parasitic resistance and parasitic of the input terminal of the logic cell set in the process 104 The process of regenerating the netlist used in the simulation including the capacity value 106 is a process of executing a logic simulation of the digital circuit unit, 107 is a process of circuit simulation of the analog circuit unit, 108 is a signal from the digital circuit unit to the analog circuit unit based on the simulation results in steps 106 and 107, respectively. In the propagation part, the table set in step 103 and the output terminal of the logic cell are selected to select the slope of the table corresponding to the state transition of the input terminal of the logic cell connected to the analog element. A digital analog synchronization process for adding a slope selected in the table to the waveform, 109 is applied to the input terminal of the logic cell to which the analog element is connected to the input terminal of the logic cell when the signal propagates from the analog circuit to the digital circuit. Depending on the input analog circuit circuit simulator voltage An analog-to-digital data synchronization process of changing into a digital signal, the process 106, process 107, process 108, it is possible to perform highly accurate simulation of digital and connection portions of the analog by repeatedly executing the process 109.

さらにそれぞれの過程について詳細に説明する。
以下、図2を用いて過程103の具体的な動作過程を説明する。
図2はディジタル回路からアナログ回路へ信号が伝播する部分の論理セルの出力端子にディジタル回路からアナログ回路へ伝播する信号の傾きを前記論理セルの入力の状態遷移に対応した波形の立上り立下りの傾きを定義するテーブル設定するテーブル設定過程の処理フロー図である。
Furthermore, each process is demonstrated in detail.
Hereinafter, a specific operation process of the process 103 will be described with reference to FIG.
FIG. 2 shows the slope of the signal propagated from the digital circuit to the analog circuit at the output terminal of the logic cell where the signal propagates from the digital circuit to the analog circuit. It is a process flow figure of the table setting process which sets the table which defines inclination.

201はディジタルアナログ混在回路内で論理セルの出力端子がアナログ素子に接続している論理セルの全ての出力端子にテーブル設定過程での処理がなされていないセルか存在するかどうかを判定する過程、202は過程201で出力端子にテーブル設定過程での処理がなされていないセルの全ての出力端子にテーブル設定過程の処理がなされているかどうかを判定する過程、203は過程202で該当するセルのセル名と前記セルの出力端子に応じて予め準備されているテーブルを取得する過程、204は過程203で取得されたテーブルを前記論理セルの出力端子に設定する過程を繰り返すことで実現可能である。   201 is a process of determining whether or not there is a cell that has not been processed in the table setting process in all the output terminals of the logic cell in which the output terminal of the logic cell is connected to the analog element in the digital / analog mixed circuit; 202 is a step of determining whether or not a table setting process has been performed on all output terminals of cells that have not been processed in the table setting process at the output terminal in step 201, and 203 is a cell of the corresponding cell in step 202. The process of acquiring a table prepared in advance according to the name and the output terminal of the cell, 204 can be realized by repeating the process of setting the table acquired in process 203 as the output terminal of the logic cell.

さらに、図3を用いて過程104の具体的な動作過程を説明する。
図3はアナログ回路からディジタル回路へ信号が伝播する部分の論理セルの入力端子に論理セルの入力端子の寄生の抵抗及び寄生の容量を設定しアナログ回路からディジタル回路へ伝播する信号に前記寄生の抵抗及び寄生の抵抗の値を考慮して波形を変更するための抵抗容量設定過程の処理フロー図である。
Further, a specific operation process of the process 104 will be described with reference to FIG.
FIG. 3 shows that the parasitic resistance and parasitic capacitance of the input terminal of the logic cell are set at the input terminal of the logic cell where the signal propagates from the analog circuit to the digital circuit, and the parasitic signal is transmitted to the signal propagated from the analog circuit to the digital circuit. It is a process flow figure of the resistance capacity setting process for changing a waveform in consideration of the value of resistance and parasitic resistance.

301はディジタルアナログ混在回路内で論理セルの入力端子がアナログ素子に接続している論理セルの全ての入力端子に抵抗容量設定過程での処理がなされていないセルか存在するかどうかを判定する過程、302は過程301で入力端子に抵抗容量設定過程での処理がなされていないセルの全ての入力端子に抵抗容量設定過程の処理がなされているかどうかを判定する過程、303は過程302で該当するセルのセル名と前記セルの入力端子に応じて予め準備されている寄生抵抗及び寄生容量を取得する過程、304は過程303で取得された寄生抵抗及び寄生容量を前記論理セルの入力端子に設定する過程を繰り返すことで実現可能である。   301 is a process of determining whether or not there is a cell that has not been processed in the resistance-capacitance setting process in all the input terminals of the logic cell in which the input terminal of the logic cell is connected to the analog element in the digital / analog mixed circuit. , 302 is a process of determining whether or not a resistance capacitance setting process has been performed on all input terminals of a cell that has not been processed in the resistance capacitance setting process in step 301, and 303 corresponds to step 302. A process of acquiring a parasitic resistance and a parasitic capacitance prepared in advance according to the cell name of the cell and the input terminal of the cell. 304 sets the parasitic resistance and the parasitic capacitance acquired in process 303 as the input terminal of the logic cell. This is possible by repeating the process.

過程105について図4、図5、図6を用いて詳細に説明する。
図4において401はディジタルアナログ混在の半導体集積回路の一部であり、402は前記半導体集積回路401のディジタル回路部の一部であり、403は前記半導体集積回路401のアナログ回路部の一部であり、404はインバータ論理の機能を有する前記ディジタル回路部402内のセルシンボルであり、405は前記インバータ論理の機能を有するセル404の入力端子INであり、406は前記セル404の出力端子であり、407は前記アナログ回路部403内の抵抗素子シンボルであり、408は前記アナログ回路部403内の容量シンボルである。
The process 105 will be described in detail with reference to FIGS. 4, 5, and 6.
In FIG. 4, 401 is a part of a digital / analog mixed semiconductor integrated circuit, 402 is a part of a digital circuit part of the semiconductor integrated circuit 401, and 403 is a part of an analog circuit part of the semiconductor integrated circuit 401. , 404 is a cell symbol in the digital circuit unit 402 having an inverter logic function, 405 is an input terminal IN of the cell 404 having an inverter logic function, and 406 is an output terminal of the cell 404. , 407 are resistance element symbols in the analog circuit unit 403, and 408 is a capacitance symbol in the analog circuit unit 403.

図5において501は前記論理セル404の入力端子405の寄生抵抗、502は前記論理セル404の入力端子405の寄生容量である。
図6において601は前記セル404の入力端子405の寄生抵抗値と寄生容量値のデータである。
In FIG. 5, 501 is a parasitic resistance of the input terminal 405 of the logic cell 404, and 502 is a parasitic capacitance of the input terminal 405 of the logic cell 404.
In FIG. 6, reference numeral 601 denotes data on the parasitic resistance value and the parasitic capacitance value of the input terminal 405 of the cell 404.

ディジタル回路部へ信号が伝播する場合に、通常回路シミュレーションでは抵抗素子407を通った信号にさらに過程104で設定された前記論理セル404の入力の寄生抵抗及び寄生容量を回路シミュレータで素子として扱う。図5では503で示したような回路構成で追加し、ネットリストを再生成する過程105でネットリストを再度生成する。この図5で示した例は一例であり、実際の抵抗、容量などの回路素子で実現する以外に追加する構成はアナログ機能記述を用いても同一の機能を実現することは可能である。   When a signal propagates to the digital circuit unit, in the normal circuit simulation, the parasitic resistance and parasitic capacitance of the input of the logic cell 404 set in the step 104 are further treated as elements in the circuit simulator. In FIG. 5, the net list is regenerated in the process 105 of re-generating the net list by adding a circuit configuration as indicated by reference numeral 503. The example shown in FIG. 5 is merely an example, and the same function can be realized even if an analog function description is used for an additional configuration other than that realized by circuit elements such as actual resistors and capacitors.

また過程108について図7、図8及び図9を用いて詳細に説明する。
図7において701はディジタルアナログ混在の半導体集積回路の一部であり、702は前記半導体集積回路701のディジタル回路部の一部であり、703は前記半導体集積回路701のアナログ回路部の一部であり、704はAND論理の機能を有する前記ディジタル回路部702内のセルシンボルであり、705、706は前記AND論理の機能を有するセル704の入力端子IN1、IN2であり、707は前記セル704の出力端子であり、708は前記アナログ回路部703内の抵抗素子シンボルであり、709は前記アナログ回路部703内の容量シンボルである。
The process 108 will be described in detail with reference to FIGS.
In FIG. 7, reference numeral 701 denotes a part of the digital integrated analog semiconductor integrated circuit, reference numeral 702 denotes a part of the digital circuit part of the semiconductor integrated circuit 701, and reference numeral 703 denotes a part of the analog circuit part of the semiconductor integrated circuit 701. 704 is a cell symbol in the digital circuit portion 702 having an AND logic function, 705 and 706 are input terminals IN1 and IN2 of the cell 704 having an AND logic function, and 707 is the cell 704 Reference numeral 708 denotes a resistance element symbol in the analog circuit portion 703, and reference numeral 709 denotes a capacitance symbol in the analog circuit portion 703.

また図8において801は前記AND論理の機能を有するセル704の出力端子707からの出力波形に対して傾きを設定するテーブルの一例である。
また図9は前記半導体集積回路701のシミュレーション波形の一部であり、前記セル704の入力端子705、706の状態遷移に応じて出力端子707からの波形に前記801のテーブルに基づいて立上り、立下りの信号の部分に傾きを与えた場合の信号の一例を示したものである。
In FIG. 8, reference numeral 801 denotes an example of a table for setting a slope with respect to the output waveform from the output terminal 707 of the cell 704 having the AND logic function.
FIG. 9 shows a part of the simulation waveform of the semiconductor integrated circuit 701. The waveform from the output terminal 707 rises and rises based on the table 801 in accordance with the state transition of the input terminals 705 and 706 of the cell 704. An example of a signal when an inclination is given to the downstream signal portion is shown.

図9での901のシミュレーション波形の一例のように半導体集積回路701内のセル704の入力端子705のIN1が“H”レベルで706のIN2の信号が時刻t1で“L”レベルから“H”レベルに立ち上がった場合、論理シミュレーションの結果、前記セル704の出力端子707の波形は904のように信号立上り立下りには傾きはない信号となる。この場合テーブル801に記載されている入力信号の変化がおこっている、この例では入力端子705のIN1が“H”レベル固定で入力端子706のIN2が“L”レベルから“H”レベルに立ち上がっている。この場合は出力端子707の論理シミュレーションの結果にテーブル801の傾きを加えた波形905がアナログ回路へ伝播する波形となる。また時刻t2で入力端子706のIN2の端子の入力が“H”レベルから“L”レベルに立ち下がった場合も同様である。   As in the example of the simulation waveform 901 in FIG. 9, the IN1 signal of the input terminal 705 of the cell 704 in the semiconductor integrated circuit 701 is “H” level and the IN2 signal of 706 is “L” level to “H” at time t1. When the signal rises to the level, as a result of the logic simulation, the waveform of the output terminal 707 of the cell 704 becomes a signal with no slope at the signal rise / fall, as indicated by 904. In this case, the input signal described in the table 801 is changed. In this example, IN1 of the input terminal 705 is fixed at “H” level, and IN2 of the input terminal 706 rises from “L” level to “H” level. ing. In this case, a waveform 905 obtained by adding the slope of the table 801 to the logic simulation result of the output terminal 707 is a waveform that propagates to the analog circuit. The same applies when the input of the IN2 terminal of the input terminal 706 falls from the “H” level to the “L” level at time t2.

本発明のさらにディジタルアナログ混在シミュレーション方法では、過程103において前記論理セルの入力の状態遷移に対応した波形の立上り立下りの傾きを定義するテーブルの傾きの値が前記論理セルの出力端子に接続する容量素子及び抵抗素子の値によって変化する関数になっている場合には、図2を用いて説明したフローに前記論理セルの出力端子に接続する容量素子及び抵抗素子を検索する過程と傾きを計算する過程を追加することにより実現可能となる。その処理フローを図10に示す。   In the digital-analog mixed simulation method of the present invention, the slope value of the table that defines the rising and falling slope of the waveform corresponding to the state transition of the input of the logic cell is connected to the output terminal of the logic cell in step 103. If the function varies depending on the values of the capacitance element and the resistance element, the process and inclination of searching for the capacitance element and the resistance element connected to the output terminal of the logic cell are calculated in the flow described with reference to FIG. It can be realized by adding a process to do. The processing flow is shown in FIG.

図10はディジタル回路からアナログ回路へ信号が伝播する部分の論理セルの出力端子に、ディジタル回路からアナログ回路へ伝播する信号の傾きを前記論理セルの入力の状態遷移に対応した波形の立上り立下りの傾きを定義するテーブルにおいて、傾きの値が前記論理セルの出力端子に接続する抵抗素子及び容量素子の値に応じて変化する関数になっている場合のテーブル設定過程の処理フロー図である。   FIG. 10 shows the rise and fall of the waveform corresponding to the state transition of the input of the logic cell at the output terminal of the logic cell where the signal propagates from the digital circuit to the analog circuit. FIG. 5 is a process flow diagram of a table setting process when a slope value is a function that changes according to the values of a resistance element and a capacitance element connected to the output terminal of the logic cell in a table that defines the slope.

1001はディジタルアナログ混在回路内で論理セルの出力端子がアナログ素子に接続している論理セルの全ての出力端子にテーブル設定過程での処理がなされていないセルか存在するかどうかを判定する過程、1002は過程1001で出力端子にテーブル設定過程での処理がなされていないセルの全ての出力端子にテーブル設定過程の処理がなされているかどうかを判定する過程、1003は前記論理セルの出力端子に接続している抵抗素子及び容量素子を検索する過程、1004は前記論理セルの出力端子に接続している抵抗素子及び容量素子で未検索の素子がないかどうかを判定する過程、1005は過程1002で該当するセルのセル名と前記セルの出力端子に応じて予め準備されているテーブルを取得する過程、1006は過程1003と過程1004で検索した抵抗素子及び容量素子の値と過程1005で取得したテーブルから前記論理セルの出力波形の傾きを計算する過程、1007は前記論理セルの出力端子に過程1006で計算した傾きのテーブルを設定する過程、これらの過程を繰り返すことで実現可能である。   1001 is a process of determining whether all the output terminals of the logic cells whose logic cell output terminals are connected to the analog elements in the digital / analog mixed circuit are cells that have not been processed in the table setting process; 1002 is a step of determining whether or not a table setting process has been performed on all the output terminals of cells that have not been processed in the table setting process at the output terminal in step 1001, and 1003 is connected to the output terminal of the logic cell. 1004 is a process of searching for a resistive element and a capacitive element, and 1004 is a process of determining whether there is an unsearched element among the resistive element and the capacitive element connected to the output terminal of the logic cell. A process of acquiring a table prepared in advance according to the cell name of the corresponding cell and the output terminal of the cell; 003 and the step of calculating the slope of the output waveform of the logic cell from the values of the resistance element and the capacitive element searched in step 1004 and the table acquired in step 1005, and 1007 the slope calculated in step 1006 at the output terminal of the logic cell. This process can be realized by repeating these processes.

これにより同一種別の論理セルであっても、その出力端子に接続されている素子によって出力波形の傾きが異なることで詳細な値をセルそれぞれに設定することが可能となる。さらに過程1003で検索する抵抗素子及び容量素子について、配線の抵抗及び配線の寄生抵抗、さらにトランジスタの端子の寄生抵抗、寄生容量成分を含めて検索しても本フローで実現は可能である。   As a result, even in the same type of logic cell, it is possible to set a detailed value for each cell because the slope of the output waveform differs depending on the element connected to the output terminal. Further, the resistance element and the capacitor element searched in the process 1003 can be realized by this flow even by searching including the resistance of the wiring and the parasitic resistance of the wiring, the parasitic resistance of the terminal of the transistor, and the parasitic capacitance component.

アナログ回路部のネットリストをアナログ回路部のレイウアトセルから抽出された寄生抵抗及び寄生容量を含んだネットリストを用いることにより簡単に実現することが可能である。   The net list of the analog circuit section can be easily realized by using the net list including the parasitic resistance and the parasitic capacitance extracted from the layout cell of the analog circuit section.

以上のように本実施の形態によれば、ディジタルアナログ混在半導体集積回路のシミュレーション方法は、まずディジタルアナログ混在回路から作成された回路からネットリストを読み込み、次に論理セル及びアナログ素子のライブラリを読み込み、さらにディジタル回路からアナログ回路へ信号が伝播する部分の論理セルの出力端子にディジタル回路からアナログ回路へ伝播する信号の傾きを前記論理セルの入力の状態遷移に対応した波形の立上り立下りの傾きを定義するテーブル設定し、次にアナログ回路からディジタル回路へ信号が伝播する部分の論理セルの入力端子に論理セルの入力端子の寄生の抵抗及び寄生の容量を設定し、論理セルの入力端子の寄生抵抗及び寄生容量の値を含めてシミュレーションに用いるネットリストを再生成後に、以下ディジタル回路部を論理シミュレーションを実行するしアナログ回路部を回路シミュレーションし、それぞれシミュレーションされた結果を元にディジタル回路部からアナログ回路部へ信号が伝播する部分において、論理セルの出力端子がアナログ素子と接続している論理セルの入力端子の状態遷移に対応したテーブルの傾きを選択して前記論理セルの出力端子の波形にテーブルで選択された傾きを付加するディジタルアナログ同期を行ない、アナログ回路からディジタル回路へ信号が伝播する際に論理セルの入力端子にアナログ素子が接続されている論理セルの入力端子に入力されるアナログシミュレーションの電圧の値をディジタル信号に変更する、アナログディジタル同期を繰り返し実行することによりディジタルとアナログの接続部分の精度の高いシミュレーションを行うことが可能となる。   As described above, according to the present embodiment, the digital analog mixed semiconductor integrated circuit simulation method first reads a netlist from a circuit created from a digital analog mixed circuit, and then reads a library of logic cells and analog elements. Further, the slope of the signal rising from the digital circuit to the analog circuit at the output terminal of the logic cell where the signal propagates from the digital circuit to the analog circuit is the slope of the rising or falling edge of the waveform corresponding to the state transition of the input of the logic cell. Next, set the parasitic resistance and parasitic capacitance of the input terminal of the logic cell to the input terminal of the logic cell where the signal propagates from the analog circuit to the digital circuit. Replay netlist for simulation including parasitic resistance and capacitance values Later, a logic simulation is performed on the digital circuit unit and an analog circuit unit is simulated, and the output terminal of the logic cell is set in the part where the signal propagates from the digital circuit unit to the analog circuit unit based on the simulation result. Select the slope of the table corresponding to the state transition of the input terminal of the logic cell connected to the analog element, and add the slope selected in the table to the waveform of the output terminal of the logic cell, and perform analog / digital synchronization When analog signals are propagated from the circuit to the digital circuit, the analog simulation voltage input to the logic cell input terminal connected to the logic cell input terminal is changed to a digital signal. Repeatedly executes digital and analog It is possible to perform highly accurate simulation of the connection portion of the grayed.

尚、半導体集積回路のネットリスト作成方法、論理シミュレーション、回路シミュレーション及び回路シミュレーションの結果を電圧に応じてディジタル信号に変更する方法は従来の技術にものを使用して、本発明を実現可能である。   It should be noted that the present invention can be realized by using a conventional method for a netlist creation method of a semiconductor integrated circuit, a logic simulation, a circuit simulation, and a method of changing a circuit simulation result to a digital signal according to a voltage. .

このように本発明の半導体集積回路のシミュレーション方法は、ディジタルアナログ混在回路から作成された回路からネットリストを読み込む過程と、論理セル及びアナログ素子のライブラリを読み込む過程と、ディジタル回路からアナログ回路へ信号が伝播する部分の論理セルの出力端子にディジタル回路からアナログ回路へ伝播する信号の傾きを前記論理セルの入力の状態遷移に対応した波形の立上り立下りの傾きを定義するテーブル設定するテーブル設定過程と、アナログ回路からディジタル回路へ信号が伝播する部分の論理セルの入力端子に論理セルの入力端子の寄生の抵抗及び寄生の容量を設定する抵抗容量設定過程と、抵抗容量設定過程設定された論理セルの入力端子の寄生抵抗及び寄生容量の値を含めてシミュレーションに用いるネットリストを再生成する過程と、ディジタル回路部を論理シミュレーションを実行する過程とアナログ回路部を回路シミュレーションする過程と、論理シミュレーションと回路シミュレーションでそれぞれシミュレーションされた結果を元にディジタル回路部からアナログ回路部へ信号が伝播する部分においてテーブル設定過程で設定されたテーブルと論理セルの出力端子がアナログ素子と接続している論理セルの入力端子の状態遷移に対応したテーブルの傾きを選択して前記論理セルの出力端子の波形に前記テーブルで選択された傾きを付加するディジタルアナログ同期過程と、アナログ回路からディジタル回路へ信号が伝播する際に論理セルの入力端子にアナログ素子が接続されている論理セルの入力端子に入力されるアナログ回路部の回路シミュレータの電圧に応じてディジタル信号に過程で設定された入力端子の寄生の抵抗及び寄生の容量で構成される回路のシミュレーション結果を元にアナログシミュレーションの結果の電圧に応じてディジタル信号に変更するアナログディジタルデータ同期過程とを有し、論理シミュレーション過程と回路シミュレーション過程とディジタルアナログ同期過程とアナログディジタル同期過程を繰り返し実行する。   As described above, the semiconductor integrated circuit simulation method of the present invention includes a process of reading a netlist from a circuit created from a digital / analog mixed circuit, a process of reading a library of logic cells and analog elements, and a signal from the digital circuit to the analog circuit. Table setting process for setting the slope of the signal propagating from the digital circuit to the analog circuit at the output terminal of the logic cell where the signal propagates defines the slope of the rising and falling edges of the waveform corresponding to the state transition of the input of the logic cell A resistance-capacitance setting process for setting the parasitic resistance and parasitic capacitance of the input terminal of the logic cell to the input terminal of the logic cell where the signal propagates from the analog circuit to the digital circuit; Used for simulation including parasitic resistance and parasitic capacitance values of cell input terminals The process of regenerating the netlist, the process of executing the logic simulation of the digital circuit part, the process of performing the circuit simulation of the analog circuit part, and the analog from the digital circuit part based on the simulation results of the logic simulation and the circuit simulation, respectively. In the portion where the signal propagates to the circuit unit, the table set in the table setting process and the inclination of the table corresponding to the state transition of the input terminal of the logic cell where the output terminal of the logic cell is connected to the analog element are selected. A digital analog synchronization process for adding the slope selected in the table to the waveform of the output terminal of the logic cell, and a logic in which an analog element is connected to the input terminal of the logic cell when a signal propagates from the analog circuit to the digital circuit. Analog input to the cell input terminal Based on the simulation result of the circuit composed of the parasitic resistance and parasitic capacitance of the input terminal set in the process according to the voltage of the circuit simulator in the part, it is converted into the digital signal according to the voltage of the analog simulation result The analog / digital data synchronization process is changed, and the logic simulation process, circuit simulation process, digital / analog synchronization process, and analog / digital synchronization process are repeatedly executed.

従って、本発明の半導体集積回路のシミュレーション方法によれば、ディジタル回路部からアナログ回路部へ信号が伝播する部分に出力端子にアナログ回路が接続している論理セルの入力の状態遷移に応じて出力波形の傾きの値を変更することと、アナログ回路からディジタル回路へ信号が伝播する部分でアナログの信号が入力する論理セルの入力端子の実際の回路における寄生の抵抗、寄生の容量を含めてネットリストで回路シミュレーションを行うことにより、ディジタル回路部とアナログ回路部の接続部分の精度の高いシミュレーションを行うことができるという効果を奏する。   Therefore, according to the semiconductor integrated circuit simulation method of the present invention, output is performed in accordance with the state transition of the input of the logic cell in which the analog circuit is connected to the output terminal at the portion where the signal propagates from the digital circuit portion to the analog circuit portion. Change the slope value of the waveform and include the parasitic resistance and parasitic capacitance in the actual circuit at the input terminal of the logic cell where the analog signal is input in the part where the signal propagates from the analog circuit to the digital circuit. By performing the circuit simulation with the list, it is possible to perform a simulation with high accuracy of the connection portion between the digital circuit portion and the analog circuit portion.

本発明の他の半導体集積回路のシミュレーション方法では、論理セルの入力の状態遷移に対応した波形の立上り立下りの傾きを定義するテーブルの傾きの値が前記論理セルの出力端子に接続する容量素子及び抵抗素子の値によって変化する関数になっている場合には、前記論理セルの出力端子に接続する容量素子及び抵抗素子を検索する過程と傾きを計算する過程を行う。   According to another semiconductor integrated circuit simulation method of the present invention, a capacitor element in which a slope value of a table defining a rising / falling slope of a waveform corresponding to a state transition of an input of a logic cell is connected to an output terminal of the logic cell. If the function varies depending on the value of the resistor element, a process of searching for a capacitor element and a resistor element connected to the output terminal of the logic cell and a process of calculating a slope are performed.

従って本発明の半導体集積回路のシミュレーション方法では、同一の論理セルの場合でも出力端子に接続しているアナログ素子の構成が異なる場合に前記論理セルの出力端子からアナログ回路へ伝播する信号に異なる傾きの値を設定することにより、ディジタル回路部とアナログ回路部の接続部分のより精度の高いシミュレーションを行うことができるという効果を奏する。   Therefore, according to the semiconductor integrated circuit simulation method of the present invention, even in the case of the same logic cell, when the configuration of the analog element connected to the output terminal is different, the signal propagated from the output terminal of the logic cell to the analog circuit has a different slope. By setting this value, it is possible to perform a more accurate simulation of the connection portion between the digital circuit portion and the analog circuit portion.

本発明は、ディジタルとアナログの接続部分を有する半導体集積回路の設計工程に使用できる。   The present invention can be used in the design process of a semiconductor integrated circuit having a digital-analog connection portion.

本発明の一実施の形態である半導体集積回路のシミュレーション方法の手順を示すフローチャートThe flowchart which shows the procedure of the simulation method of the semiconductor integrated circuit which is one embodiment of this invention 本発明の一実施の形態である半導体集積回路のシミュレーション方法の過程103の手順を示す処理フローProcessing flow showing procedure of step 103 of semiconductor integrated circuit simulation method according to one embodiment of the present invention 本発明の一実施の形態である半導体集積回路のシミュレーション方法の過程104の手順を示す処理フローProcessing flow showing procedure of step 104 of semiconductor integrated circuit simulation method according to one embodiment of the present invention 本発明の一実施の形態である半導体集積回路のシミュレーション方法を実現しようとする回路の一例を示した図The figure which showed an example of the circuit which is going to implement | achieve the simulation method of the semiconductor integrated circuit which is one embodiment of this invention 本発明の一実施の形態である半導体集積回路のシミュレーション方法で過程104の処理を施した回路の一例を示した図The figure which showed an example of the circuit which performed the process of the process 104 with the simulation method of the semiconductor integrated circuit which is one embodiment of this invention 本発明の一実施の形態である半導体集積回路のシミュレーション方法の過程104で用いられる論理セルの入力端子の寄生抵抗の値と寄生容量の値の一例を示した図The figure which showed an example of the value of the parasitic resistance of the input terminal of a logic cell used in the process 104 of the simulation method of the semiconductor integrated circuit which is one embodiment of this invention, and the value of a parasitic capacitance 本発明の一実施の形態である半導体集積回路のシミュレーション方法で過程103の処理を実現しようとする回路の一例を示した図The figure which showed an example of the circuit which is going to implement | achieve the process of the process 103 with the simulation method of the semiconductor integrated circuit which is one embodiment of this invention 本発明の一実施の形態である半導体集積回路のシミュレーション方法の過程103で用いられる論理セルの出力端子に設定する波形の傾きを定義したテーブルの一例を示した図The figure which showed an example of the table which defined the inclination of the waveform set to the output terminal of the logic cell used in the process 103 of the simulation method of the semiconductor integrated circuit which is one embodiment of this invention 本発明の一実施の形態である半導体集積回路のシミュレーション方法の過程108の処理を施した場合のシミュレーション波形の一例を示した図The figure which showed an example of the simulation waveform at the time of performing the process of the process 108 of the simulation method of the semiconductor integrated circuit which is one embodiment of this invention 本発明の一実施の形態である半導体集積回路のシミュレーション方法の過程108で波形の傾きテーブルが抵抗値と容量値の関数になっている場合の処理フロー図Processing flow chart in the case where the waveform inclination table is a function of the resistance value and the capacitance value in the process 108 of the semiconductor integrated circuit simulation method according to the embodiment of the present invention. ディジタルアナログ混在の半導体集積回路の一例を示す図Diagram showing an example of a digital-analog mixed semiconductor integrated circuit ミックスモードシミュレーションでディジタル回路部からアナログ回路部で伝播する信号の従来例を示す図The figure which shows the conventional example of the signal which propagates from the digital circuit section to the analog circuit section in the mixed mode simulation ミックスモードシミュレーションでアナログ回路からディジタル回路へ伝播する信号の従来例を示す図The figure which shows the conventional example of the signal which propagates from the analog circuit to the digital circuit in the mixed mode simulation

符号の説明Explanation of symbols

101 ネットリスト読み込み過程
102 ライブラリ読み込み過程
103 テーブル設定過程
104 抵抗容量設定過程
105 ネットリスト再生成過程
106 論理シミュレーション過程
107 回路シミュレーション過程
108 ディジタルアナログ同期過程
109 アナログディジタル同期過程
101 Netlist reading process 102 Library reading process 103 Table setting process 104 Resistance capacitance setting process 105 Netlist regeneration process 106 Logic simulation process 107 Circuit simulation process 108 Digital analog synchronization process 109 Analog digital synchronization process

Claims (5)

ディジタルアナログ混在回路から作成されたネットリストを読み込む過程と、論理セル及びアナログ素子のライブラリを読み込む過程と、ディジタル回路からアナログ回路へ信号が伝播する部分の論理セルの出力端子に論理セルの入力の状態遷移に対応した出力波形の立上り立下りの傾きを定義するテーブル設定過程と、ディジタル回路部の論理シミュレーションを実行する過程と、アナログ回路部を回路シミュレーションする過程と、前記論理シミュレーション過程と前記回路シミュレーション過程でそれぞれシミュレーションされた結果を元にディジタル回路部からアナログ回路部へ信号が伝播する部分において前記テーブル設定過程で設定されたテーブルと論理セルの出力端子がアナログ素子と接続している論理セルの入力端子の状態遷移に対応したテーブルの傾きを選択して前記論理セルの出力端子の波形に前記テーブルで選択された傾きを付加するディジタルアナログ同期過程を特徴とする半導体集積回路のシミュレーション方法。   The process of reading a netlist created from a digital / analog mixed circuit, the process of reading a library of logic cells and analog elements, and the input of a logic cell to the output terminal of the logic cell where the signal propagates from the digital circuit to the analog circuit. Table setting process for defining rising and falling slopes of output waveform corresponding to state transition, process for executing logic simulation of digital circuit part, process for circuit simulation of analog circuit part, logic simulation process and circuit Logic cell in which the table set in the table setting process and the output terminal of the logic cell are connected to the analog element in the part where the signal propagates from the digital circuit part to the analog circuit part based on the simulation results in the simulation process. Input terminal status Simulation method of a semiconductor integrated circuit, characterized in digital analog synchronization process of adding a tilt said selected table to the waveform of the output terminal of the logic cell by selecting the inclination of the table corresponding to the transfer. ディジタルアナログ混在回路から作成された回路からネットリストを読み込む過程と、論理セル及びアナログ素子のライブラリを読み込む過程と、アナログ回路からディジタル回路へ信号が伝播する部分の論理セルの入力端子に論理セルの入力端子の寄生の抵抗及び寄生の容量を設定する抵抗容量設定過程、前記抵抗容量設定過程で設定された論理セルの入力端子の寄生抵抗及び寄生容量の値を含めてシミュレーションに用いるネットリストを再生成する過程と、アナログ回路からディジタル回路へ信号が伝播する際に前記ネットリストを再生成する過程で生成されたネットリストを用いて回路シミュレーション過程でシミュレーションされた結果の電圧に応じてディジタル信号に変更するアナログディジタルデータ同期過程とを有することを特徴とする半導体集積回路のシミュレーション方法。   The process of reading a netlist from a circuit created from a digital / analog mixed circuit, the process of reading a library of logic cells and analog elements, and the logic cell input terminal of the part where the signal propagates from the analog circuit to the digital circuit. A resistance capacitance setting process for setting the parasitic resistance and parasitic capacitance of the input terminal, and the netlist used for the simulation including the values of the parasitic resistance and parasitic capacitance of the input terminal of the logic cell set in the resistance capacitance setting process are reproduced. A digital signal corresponding to a voltage obtained as a result of a simulation performed in a circuit simulation process using a netlist generated in the process of generating and regenerating the netlist when a signal propagates from an analog circuit to a digital circuit. Having a changing analog-digital data synchronization process Simulation method of a semiconductor integrated circuit according to claim. 前記半導体集積回路のシミュレーション方法において、請求項1記載の半導体集積回路のシミュレーション方法と、請求項2記載の半導体集積回路のシミュレーション方法とを組み合わせて実現する半導体集積回路のシミュレーション方法。   4. The semiconductor integrated circuit simulation method according to claim 1, wherein the semiconductor integrated circuit simulation method according to claim 1 is combined with the semiconductor integrated circuit simulation method according to claim 2. 前記半導体集積回路のシミュレーション方法において、前記ディジタル回路からアナログ回路へ信号が伝播する部分の論理セルの出力端子に論理セルの入力の状態遷移に対応した出力波形の立上り立下りの傾きを定義するテーブルが、前記論理セルの出力端子に接続する抵抗、容量素子に依存するもので、テーブル設定過程の前に前記論理セルの出力端子に接続する抵抗、容量素子を検索する過程と、前記過程で検索された抵抗と容量素子の値を元に波形の傾きの値を計算し、前記論理セルの出力端子にテーブルを設定することを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路のシミュレーション方法。   In the semiconductor integrated circuit simulation method, a table defining a rising / falling slope of an output waveform corresponding to an input state transition of a logic cell at an output terminal of a logic cell in a portion where a signal propagates from the digital circuit to an analog circuit Depends on the resistance and capacitance element connected to the output terminal of the logic cell, and the process of searching for the resistance and capacitance element connected to the output terminal of the logic cell before the table setting process, and the search in the process 2. The method for simulating a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein a value of the slope of the waveform is calculated based on the values of the resistance and the capacitance element, and a table is set at the output terminal of the logic cell. 前記請求項3記載の半導体集積回路のシミュレーション方法と請求項4記載の半導体集積回路のシミュレーション方法を組み合わせて実現する半導体集積回路のシミュレーション方法。   5. A semiconductor integrated circuit simulation method realized by combining the semiconductor integrated circuit simulation method according to claim 3 and the semiconductor integrated circuit simulation method according to claim 4.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007149004A1 (en) * 2006-06-13 2007-12-27 Freescale Semiconductor, Inc. Methods and apparatus for simulating distributed effects
JP2013020614A (en) * 2011-07-01 2013-01-31 Fujitsu Ltd Method of generating analog model for logic cell, product, and computer system
JP2013210769A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 Fujitsu Ltd Circuit model generation method, device and program
CN109684755A (en) * 2018-12-28 2019-04-26 佛山中科芯蔚科技有限公司 A kind of digital-analog mix-mode chip asynchronous circuit full custom method and system

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007149004A1 (en) * 2006-06-13 2007-12-27 Freescale Semiconductor, Inc. Methods and apparatus for simulating distributed effects
US7530039B2 (en) 2006-06-13 2009-05-05 Freescale Semiconductor, Inc. Methods and apparatus for simulating distributed effects
JP2013020614A (en) * 2011-07-01 2013-01-31 Fujitsu Ltd Method of generating analog model for logic cell, product, and computer system
JP2013210769A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 Fujitsu Ltd Circuit model generation method, device and program
CN109684755A (en) * 2018-12-28 2019-04-26 佛山中科芯蔚科技有限公司 A kind of digital-analog mix-mode chip asynchronous circuit full custom method and system

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