JP2005234036A - Large-sized substrate, chip-like substrate, electrooptical apparatus using chip-like substrate, and method for manufacturing chip-like substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、大型の透明基板に対して、カバーガラスを分割した状態で配設するようにした大型基板、チップ状基板、チップ状基板を用いた電気光学装置、及びチップ状基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a large substrate, a chip-shaped substrate, an electro-optical device using the chip-shaped substrate, and a method for manufacturing the chip-shaped substrate, which are arranged in a state where a cover glass is divided with respect to a large transparent substrate. .
従来、液晶プロジェクタなどの投射型表示装置は、光源から照射された光をライトバルブとしての電気光学装置で光変調した後、前方へ広大投射するように形成されている。電気光学装置の一例である液晶装置としては、表示品位を高めるためにアクティブマトリクス型の液晶装置が多く用いられている。 2. Description of the Related Art Conventionally, a projection display device such as a liquid crystal projector is formed so that light emitted from a light source is light-modulated by an electro-optical device as a light valve and then projected forward. As a liquid crystal device which is an example of an electro-optical device, an active matrix liquid crystal device is often used to improve display quality.
アクティブマトリクス型の液晶装置では、アクティブマトリクス基板側に、画素電極を備える画素がマトリクス状に形成されているとともに、各画素毎に薄膜トランジスタ(TFT)等のアクティブ素子が形成されている。 In an active matrix liquid crystal device, pixels including pixel electrodes are formed in a matrix on the active matrix substrate side, and an active element such as a thin film transistor (TFT) is formed for each pixel.
このようなアクティブマトリクス型の液晶装置は、高いコントラスト比を容易に得ることができる反面、各画素毎にTFTや容量部などを作り込む必要があるため、十分な開口率を得ることが難しいという問題点がある。又、TFTのチャネル領域やドレイン端に強い光が照射されると、光電流が発生し、TFTの特性が変化する原因となる。 Although such an active matrix liquid crystal device can easily obtain a high contrast ratio, it is difficult to obtain a sufficient aperture ratio because it is necessary to make a TFT, a capacitor portion, etc. for each pixel. There is a problem. Further, when strong light is irradiated to the channel region or drain end of the TFT, a photocurrent is generated, which causes a change in the characteristics of the TFT.
そこで、液晶装置を構成する一対の基板のうち、光入射側に位置する対向基板にブラックマトリクスを形成して、コントラストの向上を図るとともに、TFTに強い光が照射されるのを防止した構成が採用されている。 Therefore, among the pair of substrates constituting the liquid crystal device, a black matrix is formed on the counter substrate located on the light incident side to improve the contrast and prevent the TFT from being irradiated with strong light. It has been adopted.
又、対向基板に多数の微少なマイクロレンズを有する層(マイクロレンズ層)を形成し、各マイクロレンズを用いて、ブラックマトリックスにより反射、遮光されて損失する入射光を各画素の開口部分に集光させることで、透過光量を増大させる技術が採用されている。 In addition, a layer (microlens layer) having a large number of minute microlenses is formed on the counter substrate, and incident light that is reflected and shielded by the black matrix and lost by using each microlens is collected at the opening of each pixel. A technique for increasing the amount of transmitted light by causing light to be emitted is employed.
このようなマイクロレンズ付き対向基板の製造方法は、例えば特開2003−14907号公報に開示されている。 A manufacturing method of such a counter substrate with microlenses is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-14907.
同公報に開示されている技術では、先ず、ベースとなる大型のガラス基板上にマスキング材を形成し、このマスキング材上にレジストパターンを形成する。次いで、レジストパターンをマスクにしたエッチングによって、マスキング材に、複数のマイクロレンズに対応する開口を形成する。そして、所定に開口を形成した後、レジストパターンを除去する。 In the technique disclosed in the publication, first, a masking material is formed on a large glass substrate serving as a base, and a resist pattern is formed on the masking material. Next, openings corresponding to the plurality of microlenses are formed in the masking material by etching using the resist pattern as a mask. Then, after a predetermined opening is formed, the resist pattern is removed.
次いで、マスキング材上から大型のガラス基板をウェットエッチング、又は等方的にドライエッチングを施して、ガラス基板の表面に複数のマイクロレンズ用凹部を形成する。そして、ガラス基板にマイクロレンズ用凹部を所定に形成した後、マスキング材を除去する。 Next, a large glass substrate is wet-etched or isotropically dry-etched from above the masking material to form a plurality of microlens recesses on the surface of the glass substrate. And after forming the concave part for microlenses on a glass substrate predetermined, a masking material is removed.
その後、マイクロレンズ用凹部が形成されている面に、高い屈折率を有する透明樹脂から成る接着剤を塗布する。そして、この接着剤上にカバーガラスを貼り合わせて一体化する。 Thereafter, an adhesive made of a transparent resin having a high refractive index is applied to the surface on which the microlens recess is formed. And a cover glass is bonded together on this adhesive agent and integrated.
次いで、カバーガラスの表面に、カラーフィルタを形成すると共に、各画素間にブラックマトリックスを形成する。その後、ITO(Indium Tin Oxide)のような透明導電性材料からなる共通電極を形成し、この共通電極上に配向膜を形成することで、大型の対向基板100を形成する(図10参照)。 Next, a color filter is formed on the surface of the cover glass, and a black matrix is formed between the pixels. Thereafter, a common electrode made of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) is formed, and an alignment film is formed on the common electrode, thereby forming a large counter substrate 100 (see FIG. 10).
続いて、図10に示すように、大型の対向基板100に形成されている、チップ状の各対向基板110を区分するスクライブラインLに沿ってダイシングブレード130を押し付けながら移動させて、大型の対向基板100から、複数枚のチップ状の対向基板110を切り出す。
ところで、ダイシングブレード130には、図11に示すように、大型の対向基板100に形成した、チップ状の各対向基板110を区分するスクライブラインL(図10参照)に沿って矩形溝100aを段階的に深く切削することで切り出すフルカット用ダイシングブレード140や、図12に示すように、対向基板110を切り出す前にスクライブラインL(図10参照)に沿ってVノッチ100bを切削するVカット用ダイシングブレード150等がある。
Incidentally, as shown in FIG. 11, the
フルカット用ダイシングブレード140を用いて、カバーガラス120を切削する過程を分析すると、図11(a)に示すように、先ず、フルカット用ダイシングブレード140の刃先がカバーガラス120の表面に押し当てられ、次いで、カバーガラス120を押し下げる方向へ切り裂いて切り込みが入れられる。
When the process of cutting the
フルカット用ダイシングブレード140にてカバーガラス120が押し下げられると、カバーガラス120と、ガラス、石英などの透明基板160との間に介装されている高屈折率のマイクロレンズ層170が押圧されて弾性変形する。カバーガラス120の膜厚は数十〜数百ミクロン程度であるため、マイクロレンズ層170が弾性変形すると、それに倣って屈曲しようとする。
When the
しかし、カバーガラス120は硬質脆性材であるため、マイクロレンズ層170の変形が大きくなると、その変形に耐えられずに、図11(b)に示すように、端縁に、小さな割れや欠け等のチッピング120aが発生する。カバーガラス120の端縁にチッピング120aが発生しても、直ちに製品不良となるものではないが、チッピング120a、及びチッピング120aに起因して発生するクラックが、有効画素領域まで及んだ場合は製品不良となる。
However, since the
一方、図12(a)に示すように、Vカット用ダイシングブレード150を用いて、大型の対向基板100にVノッチ100bを形成する場合、その押し付け力はフルカット用ダイシングブレード140よりも小さく、従って、カバーガラス120を無理に変形させることは少ないが、カバーガラス120の端縁は鋭角に形成されるため、その先端部120bは極めて薄くなり、その結果、その先端部120bは僅かな接触でも簡単に欠けてしまう等、チッピング120aが発生し易い状態にある。
On the other hand, when the V-notch 100b is formed on the
又、カバーガラス120にチッピング120aが発生すると、その欠片が工程内において製品に付着する等の悪影響を及ぼし易くなり、不良率を高めてしまう問題がある。
Further, when the chipping 120a is generated on the
更に、スクライブラインLをダイヤモンドカッタ等を用いて罫描く際にもカバーガラス120にチッピングが発生する。このチッピングは、ダイシングブレード130によって発生するチッピング120a程大きくはないが、チッピングにより欠片が発生するため、この欠片が工程内の製品に付着しての製品不良を起因する等の悪影響を及ぼし易くなる。
Further, chipping occurs in the
本発明は、上記事情に鑑み、スクライブやダイシングブレードを行う際に、マイクロレンズ層が弾性変形してもカバーガラスが撓むことなく、従ってカバーガラスにチッピングが発生することも無く、その結果、チッピングによって発生する欠片も無く、工程内において欠片に起因する製品不良が無くなり、製品の歩留まりを大幅に向上させることのできる大型基板、チップ状基板、チップ状基板を用いた電気光学装置、及びチップ状基板の製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above circumstances, the present invention does not cause the cover glass to bend even if the microlens layer is elastically deformed when scribing or dicing blades, and thus the chipping does not occur in the cover glass. There is no piece generated by chipping, and there is no product defect caused by the piece in the process, so that the yield of the product can be greatly improved, a large substrate, a chip substrate, an electro-optical device using the chip substrate, and a chip An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a substrate.
上記目的を達成するため本発明による第1の大型基板は、複数枚のチップ状基板が切り出される大型の透明基板上にマイクロレンズ層が設けられ、上記マイクロレンズ層上の、上記各チップ状基板が切り出される領域毎にカバーガラスが配設されていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a first large substrate according to the present invention is provided with a microlens layer on a large transparent substrate from which a plurality of chip substrates are cut, and each chip substrate on the microlens layer. A cover glass is provided for each region where the cut is cut out.
このような構成では、大型の透明基板に対し、カバーガラスを各チップ状基板が切り出される領域毎に配設することで、大型基板からチップ状基板を切り出す際にカバーガラスを切削する必要がなくなり、カバーガラスの端縁を割れや欠け等によるチッピング発生から有効に保護することができる。 In such a configuration, it is not necessary to cut the cover glass when cutting out the chip-shaped substrate from the large substrate by arranging the cover glass for each region where each chip-shaped substrate is cut out with respect to the large transparent substrate. In addition, the edge of the cover glass can be effectively protected from chipping caused by cracking or chipping.
第2の大型基板は、複数枚のチップ状基板が切り出される大型の透明基板上にマイクロレンズ層が設けられ、上記マイクロレンズ層上の、上記チップ状基板が切り出される領域の1列毎にカバーガラスが配設されていることを特徴とする。 The second large substrate is provided with a microlens layer on a large transparent substrate from which a plurality of chip-shaped substrates are cut out, and covers each row of regions on the microlens layer from which the chip-shaped substrates are cut out. Glass is disposed.
このような構成では、大型の透明基板に対し、カバーガラスをチップ状基板が切り出される領域の一列毎に配設することで、大型基板からチップ状基板を切り出す際に、カバーガラスを切削する領域が少なくなり、カバーガラスの端縁をチッピング発生から保護することができると共に、カバーガラスの枚数が少なくなり、作業時間の短縮化を実現できる。 In such a configuration, the cover glass is disposed for each row in which the chip-shaped substrate is cut out with respect to the large transparent substrate, so that the cover glass is cut when the chip-shaped substrate is cut out from the large substrate. As a result, the edge of the cover glass can be protected from chipping, and the number of cover glasses is reduced, so that the working time can be shortened.
第3の大型基板は、第1或いは第2の大型基板において、互いに隣接する上記カバーガラスの端縁同士の間隔は、少なくとも上記各チップ状基板を切り出す際に使用するダイシングブレードの刃幅よりも広いことを特徴とする。 The third large substrate is the first or second large substrate, and the interval between the edges of the cover glass adjacent to each other is at least larger than the blade width of the dicing blade used when cutting each of the chip-shaped substrates. It is wide.
このような構成では、互いに隣接するカバーガラスの端縁同士の間隔を、少なくともダイシングブレードの刃幅よりも広くしたので、ダイシングブレードにより大型基板を切削するに際し、カバーガラスとダイシングブレードとの干渉を回避することができ、カバーガラスの端縁をチッピング発生から確実に保護することができる。 In such a configuration, since the distance between the edges of the cover glass adjacent to each other is wider than at least the blade width of the dicing blade, interference between the cover glass and the dicing blade occurs when cutting a large substrate with the dicing blade. The edge of the cover glass can be reliably protected from chipping.
第4の大型基板は、第1〜第3の大型基板において、上記マイクロレンズ層が上記カバーガラスと略同一の形状を有して、該カバーガラスと略同一の位置に設けられていることを特徴とする。 The fourth large substrate is that in the first to third large substrates, the microlens layer has substantially the same shape as the cover glass, and is provided at approximately the same position as the cover glass. Features.
このような構成では、マイクロレンズ層をカバーガラスと略同一の形状とすると共に、カバーガラスと略同一の位置に設けたので、大型基板からチップ状基板を切り出す際にマイクロレンズ層が切削されることが無く、従って、切削の際にマイクロレンズ層から粉塵が発生せず、粉塵処理を簡素化することができる。 In such a configuration, since the microlens layer has substantially the same shape as the cover glass and is provided at substantially the same position as the cover glass, the microlens layer is cut when the chip substrate is cut out from the large substrate. Therefore, dust is not generated from the microlens layer during cutting, and dust processing can be simplified.
又、本発明による第1のチップ状基板は、透明基板と、上記透明基板上に設けたマイクロレンズ層と、上記マイクロレンズ層上に設けたカバーガラスとを備え、上記透明基板の周縁に対して上記カバーガラスの周縁が内方に位置していることを特徴とする。 The first chip-shaped substrate according to the present invention includes a transparent substrate, a microlens layer provided on the transparent substrate, and a cover glass provided on the microlens layer, and the peripheral edge of the transparent substrate. The cover glass has a peripheral edge located inward.
このような構成では、カバーガラスが透明基板の端縁よりも内方に位置しているので、工程内を移動する際に、カバーガラスの端部が他の部材に対して干渉し難くなり、移送中におけるチッピングの発生を低減することができる。 In such a configuration, since the cover glass is located inward of the edge of the transparent substrate, when moving in the process, the end of the cover glass is less likely to interfere with other members, The occurrence of chipping during transfer can be reduced.
第2のチップ状基板は、第1のチップ状基板において、上記透明基板の周縁に面取り部が形成されていることを特徴とする。 The second chip-shaped substrate is characterized in that a chamfered portion is formed on the periphery of the transparent substrate in the first chip-shaped substrate.
このような構成では、透明基板の周縁に面取り部を形成することで、透明基板の周縁が他の部材に干渉した場合であっても、チッピングが発生し難くなり、取扱性が向上する。 In such a configuration, by forming the chamfered portion on the peripheral edge of the transparent substrate, even when the peripheral edge of the transparent substrate interferes with other members, chipping hardly occurs, and handling properties are improved.
又、本発明による電気光学装置は、第1或いは第2のチップ状基板を用いた電気光学装置であって、上記チップ状基板と該チップ状基板に対設する他のチップ状基板との間に電気光学物質が保持されていることを特徴とする。 The electro-optical device according to the present invention is an electro-optical device using the first or second chip-shaped substrate between the chip-shaped substrate and another chip-shaped substrate provided on the chip-shaped substrate. An electro-optical material is held in the substrate.
このような構成では、電気光学装置に第1或いは第2のチップ状基板を用いたことで、電気光学装置を製造する過程において、チップ状基板にチッピンクが発生し難くなり、製品不良率を低減することができると共に、取扱性が良くなる。 In such a configuration, the use of the first or second chip-shaped substrate for the electro-optical device makes it difficult for chipping to occur on the chip-shaped substrate in the process of manufacturing the electro-optical device, thereby reducing the product defect rate. Can be handled, and handling is improved.
又、本発明による、第1のチップ状基板の製造方法は、複数枚のチップ状基板が切り出される大型の透明基板上にエッチングによりマイクロレンズ用凹湾曲部を多数形成する凹湾曲部形成工程と、上記凹湾曲部が形成されている側の上記透明基板上にマイクロレンズ層となる接着剤を配設すると共に該接着剤を上記凹湾曲部に充填するマイクロレンズ形成工程と、上記接着剤上の上記チップ状基板が切り出される領域と該チップ状基板が切り出される1列の領域との何れか一方の領域毎にカバーガラスを接合すると共に、互いに隣接する該カバーガラスの端縁間を少なくとも上記各チップ状基板を切り出す際に使用するダイシングブレードの刃幅よりも広く設定するカバーガラス接合工程と、上記接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、上記カバーガラス上に薄膜層を形成する薄膜層形成工程と、上記透明基板を上記チップ状基板となる領域毎に切り出すダイシング工程とを備えることを特徴とする。 The first chip-shaped substrate manufacturing method according to the present invention includes a concave curved portion forming step of forming a large number of concave concave portions for microlenses by etching on a large transparent substrate from which a plurality of chip-shaped substrates are cut out. A microlens forming step of disposing an adhesive serving as a microlens layer on the transparent substrate on the side where the concave curved portion is formed, and filling the concave curved portion with the adhesive; and on the adhesive A cover glass is bonded to each one of the region from which the chip-shaped substrate is cut out and the one row region from which the chip-shaped substrate is cut, and at least the edge between the adjacent cover glasses is at least the above-mentioned Cover glass joining step that is set wider than the blade width of the dicing blade used when cutting each chip-shaped substrate, an adhesive curing step for curing the adhesive, and the above And the thin film layer forming step of forming a thin layer on a bar glass, the transparent substrate characterized by comprising a dicing step of cutting for each region to be the chip-like substrate.
このような構成では、先ず、複数枚のチップ状基板が切り出される大型の透明基板上にエッチングによりマイクロレンズ用凹湾曲部を多数形成した後、凹湾曲部が形成されている側の透明基板上にマイクロレンズ層となる接着剤を配設し、更に、この接着剤を凹湾曲部に充填する。次いで、接着剤上のチップ状基板が切り出される領域と、チップ状基板が切り出される1列の領域との何れか一方の領域毎にカバーガラスを接合する。このとき、互いに隣接するカバーガラス同士の端縁間を少なくとも、各チップ状基板を切り出す際に使用するダイシングブレードの刃幅よりも広く設定する。その後、接着剤を硬化させ、この接着剤を介して透明基板とカバーガラスとを接合すると共に、凹湾曲部に充填されている接着剤をマイクロレンズとして機能させる。次いで、カバーガラス上に薄膜層を形成して大型基板を完成させる。その後、完成された大型基板をチップ状基板となる領域毎にダイシングブレードを用いて切り出し、複数枚のチップ状基板を形成する。その際、互いに隣接するカバーガラス同士の端縁が、少なくともダイシングブレードの刃幅よりも広く設定されているので、カバーガラスの端縁がダイシングブレードに干渉せず、カバーガラスをチッピング発生から有効に保護することができる。 In such a configuration, first, a large number of concave curved portions for microlenses are formed by etching on a large transparent substrate from which a plurality of chip-shaped substrates are cut, and then the transparent substrate on the side where the concave curved portions are formed. An adhesive to be a microlens layer is disposed on the concave curved portion. Next, the cover glass is bonded to each one of the region where the chip-like substrate on the adhesive is cut out and the one row region where the chip-like substrate is cut out. At this time, at least the edge width between the cover glasses adjacent to each other is set wider than the blade width of the dicing blade used when cutting each chip-shaped substrate. Thereafter, the adhesive is cured, the transparent substrate and the cover glass are bonded via the adhesive, and the adhesive filled in the concave curved portion is caused to function as a microlens. Next, a thin film layer is formed on the cover glass to complete a large substrate. Thereafter, the completed large-sized substrate is cut out using a dicing blade for each region to be a chip-shaped substrate to form a plurality of chip-shaped substrates. At that time, since the edges of the cover glasses adjacent to each other are set wider than at least the blade width of the dicing blade, the edge of the cover glass does not interfere with the dicing blade, and the cover glass is effectively prevented from chipping. Can be protected.
第2のチップ状基板の製造方法は、第1のチップ状基板の製造方法において、上記マイクロレンズ形成工程では上記マイクロレンズ層となる接着剤を上記チップ状基板が切り出される領域毎に配設することを特徴とする。 The second chip-shaped substrate manufacturing method is the first chip-shaped substrate manufacturing method, wherein in the microlens formation step, an adhesive to be the microlens layer is provided for each region where the chip-shaped substrate is cut out. It is characterized by that.
このような構成では、マイクロレンズ層となる接着剤を上記チップ状基板が切り出される領域毎に配設するようにしたので、ダイシングブレード等を用いてチップ状基板を切り出す際に、接着剤が切削されず、切削により発生する粉塵処理を簡素化することができる。 In such a configuration, since the adhesive serving as the microlens layer is disposed in each region where the chip-shaped substrate is cut out, the adhesive is cut when the chip-shaped substrate is cut using a dicing blade or the like. The dust processing generated by cutting can be simplified.
第3のチップ状基板の製造方法は、第2のチップ状基板の製造方法において、上記マイクロレンズ層は印刷或いはエッチングにより上記チップ状基板が切り出される領域毎に形成されることを特徴とする。 A third chip-shaped substrate manufacturing method is characterized in that, in the second chip-shaped substrate manufacturing method, the microlens layer is formed in each region where the chip-shaped substrate is cut out by printing or etching.
このような構成では、マクロレンズ層を印刷或いはエッチングによりチップ状基板が切り出される領域毎に形成するようにしたので、製造が容易となる。 In such a configuration, since the macro lens layer is formed for each region where the chip-shaped substrate is cut out by printing or etching, the manufacturing becomes easy.
第4のチップ状基板の製造方法は、第1〜第3のチップ状基板の製造方法において、上記ダイシング工程では、先ずVカット用ダイシングブレードを用いて上記透明基板上の上記チップ状基板が切り出される領域の境界にVノッチを形成し、次いでフルカット用ダイシングブレードを用いて上記各チップ状基板毎に切り出すことを特徴とする。 The fourth chip-shaped substrate manufacturing method is the first to third chip-shaped substrate manufacturing methods. In the dicing step, first, the chip-shaped substrate on the transparent substrate is cut out using a V-cut dicing blade. A V-notch is formed at the boundary of the region to be cut, and then cut out for each of the chip-like substrates using a full-cut dicing blade.
このような構成では、大型基板からチップ状基板を切り出すに際し、互いに隣接するカバーガラス同士の端縁が、少なくともダイシングブレードの刃幅よりも広く設定されているので、Vカット用ダイシングブレードを用いて透明基板にVノッチを形成する場合、及びフルカット用ダイシングブレードを用いて切り出す際に、カバーガラスの端縁がダイシングブレードに干渉せず、カバーガラスをチッピングの発生から有効に保護することができる。 In such a configuration, when the chip-shaped substrate is cut out from the large substrate, the edges of the cover glasses adjacent to each other are set to be wider than at least the blade width of the dicing blade. When forming a V-notch on a transparent substrate and cutting with a full-cut dicing blade, the edge of the cover glass does not interfere with the dicing blade, and the cover glass can be effectively protected from chipping. .
以下、図面に基づいて本発明の一形態を説明する。図1〜図7に本発明の第1形態を示す。図1は液晶装置の要部を示す部分拡大断面図である。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 to 7 show a first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a partial enlarged cross-sectional view showing a main part of the liquid crystal device.
同図の符号1は電気光学装置の一例としての液晶装置であり、図においては一方の端部のみが示されているが、他方の端部も同様な構成を有している。液晶装置1は、TFT基板2と、これに対向配設するマイクロレンズ付き対向基板(以下、単に「対向基板」と称する)3とを備えていると共に、この両基板2,3がシール材4を介して所定空隙を開けて貼り合わされており、この空隙部に電気光学物質の一例である液晶5が封入されている。尚、両基板2,3はガラス、石英等の透明材料で形成されている。
TFT基板2上には、図示しないTFTと、これに接続される画素電極6aとが画素毎に設けられていると共に、遮光層6bが設けられている。画素電極6aは、例えばITOのような透明導電性材料によって構成されている。更に、画素電極6a上にラビング処理が施された配向膜7が設けられている。
On the
一方、チップ状基板としての対向基板3は、基材となる透明基板8と、この透明基板8上に設けたマイクロレンズ層9と、その上に配設されたカバーガラス10とを有し、カバーガラス10の全面に、薄膜層としての対向電極11(図3参照)が設けられ、更に、対向電極11上にラビング処理が施された配向膜14が配設されている。尚、透明基板8とカバーガラス10とは同一の材質で形成されている。又、対向電極11は、例えばITOのような透明導電性材料によって構成されている。更に、配向膜7,14は、例えばポリイミド膜等の透明な有機膜で構成されている。
On the other hand, the
透明基板8及びマイクロレンズ層9の四辺は、後述するVカット用ダイシングブレード150によって面取り部12が形成されている。透明基板8及びマイクロレンズ層9の四辺に面取り部12を形成することで、工程内の移送中に、透明基板8及びマイクロレンズ層9の四辺が他の部材と干渉した場合でも、チッピングが発生し難く、取扱性が良くなる。
On the four sides of the
又、カバーガラス10の四辺は、透明基板8及びマイクロレンズ層9の各四辺よりも内方へ入り込んでおり、カバーガラス10とマイクロレンズ層9との間に段部13が形成されている。
Further, the four sides of the
ところで、液晶装置1が反射型である場合、TFT基板2は透明材料である必要はなく、シリコン基板等を用いても良く、この場合、画素電極6aは、光反射性を有する導電性材料を用いて形成する。
By the way, when the
又、透明基板8の上面の、上記TFT基板2に設けた画素電極6aと対向する各領域の各々に、凹湾曲部8aが形成されており、この各凹湾曲部8aに、マイクロレンズ層9のマイクロレンズ部9aが形成されている。マイクロレンズ層9は、高屈折率の透明樹脂を材料とする接着剤によって形成されており、凹湾曲部8aに接着剤を充填することで、各凹湾曲部8aに、湾曲凸状のマイクロレンズ部9aが形成される。尚、接着剤の材料となる透明樹脂としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリルエポキシ系樹脂、ビニル系樹脂、チオウレタン系樹脂等があり、更に、紫外線硬化型樹脂を用いれば製造が容易となる。
In addition, a concave curved portion 8a is formed in each of the regions facing the pixel electrode 6a provided on the
対向基板3は、大型の基板から切り出して形成されたものであり、以下においては、チップ状の対向基板3をチップ状対向基板3、大型の基板を大型基板21として区別し、更に、大型基板21上の、チップ状対向基板3が切り出される領域(以下「チップ基板領域」と称する)にはチップ状対向基板3と同一の符号(3)を付して説明を簡略化する。
The
次に、このような構成による大型基板21の製造方法について、図4の工程図を参照しながら説明する。
Next, a method for manufacturing the
(a):予め洗浄されている大型の透明基板80上に、この透明基板80をエッチングする際のマスクとなるマスキング層31をスパッタ法、CDV法などにより成膜する。
(A): A masking
(b):マスキング層31にレジスト32を塗布し、リソグラフィ法等によって、このレジスト32にレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、後工程において透明基板80に凹湾曲部8aを形成するためのものであるので、その開口32aはマイクロレンズ形成用の凹湾曲部8aに対応する位置に配設されている。尚、凹湾曲部8aは各チップ基板領域3において、TFT基板2に設けた画素電極6aと対向する各領域の各々に形成される。
(B): A resist 32 is applied to the
そして、レジスト32をマスクとしたエッチングにより、マスキング層31をパターンニングし、マスキング層31に複数の開口31aを形成する。
Then, the
(c):所定に開口31aを形成した後、レジスト32を除去し、その後、透明基板80に対してウェットエッチング、或いは等方的にドライエッチングを行い、透明基板80の表面のレジスト32にて区画された領域に凹湾曲部8aを各々形成する。
(C): After the predetermined opening 31a is formed, the resist 32 is removed, and then the
(d):マスキング層31を除去すると、透明基板80の各チップ基板領域3毎に、所定配列の凹湾曲部8aが各々形成される。
(D): When the
(e):透明基板80上に、マイクロレンズ層9を形成するために、未硬化の接着剤(9)を塗布する。この接着剤(9)は高屈折率の透明樹脂を材料としており、本形態では紫外線硬化型接着剤を採用している。
(E): An uncured adhesive (9) is applied on the
(f):接着剤(9)上にカバーガラス10を装着する。図2に示すように、カバーガラス10は、予め、チップ基板領域3毎の大きさに形成されており、各チップ基板領域3に対して所定にアライメントを行いながらカバーガラス10を接合し、押圧・密着させる。この場合、カバーガラス10は、その上面に対向電極11を形成することができ、しかも、液晶装置1の有効画素領域をカバーできればよいので、高精度にアライメントを行う必要はない。
(F): The
次いで、接着剤に紫外線を照射して硬化させる。すると、透明基板80とカバーガラス10とが接着剤を介して接合されると共に、この接着剤によりマイクロレンズ層9が形成され、凹湾曲部8a内に充填された接着剤がマイクロレンズ部9aとなる。
Next, the adhesive is cured by irradiating with ultraviolet rays. Then, the
尚、接着剤の硬化方法は、紫外線硬化に限らず、接着剤の種類や機能等によって適宜選択することができる。例えば接着剤として熱硬化型接着剤を採用した場合は、加熱照射により硬化させることができる。 The method for curing the adhesive is not limited to ultraviolet curing, and can be appropriately selected depending on the type and function of the adhesive. For example, when a thermosetting adhesive is employed as the adhesive, it can be cured by heating irradiation.
又、図2、図3に示すように、各チップ基板領域3にカバーガラス10が接合された状態では、互いに隣接するカバーガラス10の端縁間に、スクライブラインLを略中心として所定間隔Sが形成される。この間隔Sは、ダイシングブレード130との干渉を回避すべく、少なくともダイシングブレード130の刃幅よりも広い幅を有している。
As shown in FIGS. 2 and 3, when the
(g):各カバーガラス10上に対向電極11を各々形成する。尚、その後、マイクロレンズ層9上に、各チップ基板領域3を区画するスクライブラインL(図2参照)を形成し、大型基板21を完成する。
(G): The
次に、図5に示す工程図を参照しながら、大型基板21から複数枚のチップ状対向基板3を切り出す手順について説明する。
Next, a procedure for cutting out a plurality of chip-
(a):先ず、図6(a)に示すようなVカット用ダイシングブレード150を用い、スクライブラインLに沿ってVノッチ21aを切削する。
(A): First, the V-notch 21a is cut along the scribe line L using a V-
このとき、互いに隣接するカバーガラス10,10の間隔Sが、少なくともVカット用ダイシングブレード150との干渉を回避する幅に形成されているため、カバーガラス10の端縁が、Vカット用ダイシングブレード150と干渉することが無い。従って、カバーガラス10の端縁にチッピングが発生することは無い。
At this time, since the interval S between the
(b):次いで、図6(b)に示すようなフルカット用ダイシングブレード140を用い、Vノッチ21aに沿って段階的に深く切削して、大型基板21からチップ状対向基板3を切り出す。
(B): Next, using a full-
このときも、互いに隣接するカバーガラス10の端縁が、フルカット用ダイシングブレード140と干渉することが無いので、カバーガラス10の端縁にチッピングが発生することが無い。その結果、カバーガラス10にダイシングによるチッピングが発生せず、製品歩留まりを大幅に向上させることができる。尚、切り出された各チップ状対向基板3は、カバーガラス10の外形が透明基板8の外形よりも小さく形成されているため、カバーガラス10の周縁と透明基板8の周縁との間に段部13が形成される。
Also at this time, since the edges of the
カバーガラス10の端縁を透明基板8及びマイクロレンズ層9の端縁よりも内方へ入り込ませて段部13を形成したことで、例えば対向基板3を工程内で移送するに際し、カバーガラス10の縁部が他の部材と干渉し難くなり、移送中における割れ、欠け等のチッピングの発生を減少させることができる。
By forming the
又、ダイシングの際にチッピングが発生しないので、チッピングに起因する欠片が発生せず、工程内における欠片に起因する製品不良も無くなり、製品不良率を大幅に低減することができ、その分、品質の高い製品を得ることができる。 In addition, since chipping does not occur during dicing, there is no chipping caused by chipping, and there is no product defect due to chipping in the process, so that the product defect rate can be greatly reduced. High product can be obtained.
尚、図7に示すように、大型基板21からチップ状対向基板3を切り出す際に、Vカット用ダイシングブレード150を用いず、フルカット用ダイシングブレード140を使用した場合も、同様に、フルカット用ダイシングブレード140がカバーガラス10の端縁に干渉しないため、カバーガラス10にチッピングが発生することはない。
As shown in FIG. 7, when the chip-shaped
又、図8に本発明の第2形態による図3相当の拡大断面図を示す。上述した第1形態では、透明基板80の表面全体にマイクロレンズ層9を形成したが、本形態では、各チップ基板領域3にのみマイクロレンズ層9’を形成したものである。
FIG. 8 is an enlarged sectional view corresponding to FIG. 3 according to the second embodiment of the present invention. In the first embodiment described above, the
この場合、マイクロレンズ層9’はフレキソ印刷で、間隔Sを回避する形状に形成するか、或いは第1形態と同様に透明基板80の表面全体にマイクロレンズ層9を一端形成した後、エッチングにより間隔Sのマイクロレンズ層を除去することで形成する。
In this case, the
このような形態によれば、ダイシングの際にマイクロレンズ層9’が切削されないので、マイクロレンズ層を切削することにより発生する粉塵が無くなり、粉塵処理を簡素化することができる。
According to such a configuration, since the
又、図9に本発明の第3形態による図2相当の斜視図を示す。第1形態では、カバーガラス10をチップ基板領域3毎の大きさに形成して接合したが、本形態によるカバーガラス10’は長尺状に形成し、1列に配列されている各チップ基板領域3に対し、1枚のカバーガラス10’を接合するようにしたものである。
FIG. 9 is a perspective view corresponding to FIG. 2 according to the third embodiment of the present invention. In the first embodiment, the
本形態によれば、カバーガラス10’を一列ずつ接合させればよいので、第1形態に比しカバーガラス10’の枚数が少なくなり、その分、作業時間の短縮化が実現できる。
According to the present embodiment, since the
この場合、同図(b)に示すように、ダイシングブレード130をカバーガラス10の短辺方向(長辺に直交する方向)へ移動させるときは、カバーガラス10’を切削することになるが、その切削距離は短いためカバーガラス10が大きく撓まされることはなく、チッピングの発生を最小限とすることができる。
In this case, as shown in FIG. 4B, when the
尚、電気光学装置は、TFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置1以外に、パッシブマトリックス型の液晶装置、TFD(薄型ダイオード)をスイッチング素子として備えた液晶装置であっても良く、更に、液晶装置に限らず、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置(Field Emission Display、及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display)等の各種の電気光学装置であっても良い。
The electro-optical device may be a liquid crystal device including a passive matrix type liquid crystal device or a TFD (thin diode) as a switching element, in addition to the TFT active matrix driving type
1…液晶装置、2…TFT基板、3…チップ状対向基板(チップ基板領域)、8…透明基板、8a…凹湾曲部、9…マイクロレンズ層、9a…マイクロレンズ部、10…カバーガラス、12…面取り部、13…段部、21…大型基板、21a…Vノッチ、80…透明基板、L…スクライブライン、S…間隔
DESCRIPTION OF
Claims (11)
上記マイクロレンズ層上の、上記各チップ状基板が切り出される領域毎にカバーガラスが配設されていることを特徴とする大型基板。 A microlens layer is provided on a large transparent substrate from which a plurality of chip-shaped substrates are cut out,
A large-sized substrate, wherein a cover glass is provided for each region on the microlens layer where each of the chip-shaped substrates is cut out.
上記マイクロレンズ層上の、上記チップ状基板が切り出される領域の1列毎にカバーガラスが配設されていることを特徴とする大型基板。 A microlens layer is provided on a large transparent substrate from which a plurality of chip-shaped substrates are cut out,
A large-sized substrate, wherein a cover glass is provided for each row of the region where the chip-shaped substrate is cut out on the microlens layer.
上記透明基板上に設けたマイクロレンズ層と、
上記マイクロレンズ層上に設けたカバーガラスと
を備え、
上記透明基板の周縁に対して上記カバーガラスの周縁が内方に位置していることを特徴とするチップ状基板。 A transparent substrate;
A microlens layer provided on the transparent substrate;
A cover glass provided on the microlens layer,
A chip-like substrate, wherein a peripheral edge of the cover glass is positioned inward with respect to a peripheral edge of the transparent substrate.
上記チップ状基板と該チップ状基板に対設する他のチップ状基板との間に電気光学物質が保持されていることを特徴とするチップ状基板を用いた電気光学装置。 An electro-optical device using the chip-shaped substrate according to claim 5 or 6,
An electro-optical device using a chip-shaped substrate, wherein an electro-optic material is held between the chip-shaped substrate and another chip-shaped substrate provided opposite to the chip-shaped substrate.
上記凹湾曲部が形成されている側の上記透明基板上にマイクロレンズ層となる接着剤を配設すると共に該接着剤を上記凹湾曲部に充填するマイクロレンズ形成工程と、
上記接着剤上の上記チップ状基板が切り出される領域と該チップ状基板が切り出される1列の領域との何れか一方の領域毎にカバーガラスを接合すると共に、互いに隣接する該カバーガラスの端縁間を少なくとも上記各チップ状基板を切り出す際に使用するダイシングブレードの刃幅よりも広く設定するカバーガラス接合工程と、
上記接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、
上記カバーガラス上に薄膜層を形成する薄膜層形成工程と、
上記透明基板を上記チップ状基板となる領域毎に切り出すダイシング工程と
を備えることを特徴とするチップ状基板の製造方法。 A concave curved portion forming step of forming a large number of concave concave portions for microlens by etching on a large transparent substrate from which a plurality of chip-shaped substrates are cut out,
A microlens forming step of disposing an adhesive serving as a microlens layer on the transparent substrate on the side where the concave curved portion is formed, and filling the concave curved portion with the adhesive;
A cover glass is bonded to any one of a region where the chip-shaped substrate is cut out on the adhesive and a row of regions where the chip-shaped substrate is cut, and edges of the cover glass adjacent to each other A cover glass joining step for setting a width wider than at least the blade width of the dicing blade used when cutting each chip-shaped substrate between,
An adhesive curing step for curing the adhesive;
A thin film layer forming step of forming a thin film layer on the cover glass;
And a dicing step of cutting out the transparent substrate for each region to be the chip-shaped substrate.
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