JP2005217447A - Treatment method of semiconductor - Google Patents

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Junichi Tanaka
潤一 田中
Toshio Masuda
俊夫 増田
Akira Kagoshima
昭 鹿子嶋
Shiyouji Ikuhara
祥二 幾原
Hideyuki Yamamoto
秀之 山本
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Hitachi High Tech Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a treatment easy-to-use method of a semiconductor by reducing a waiting time required for treatment. <P>SOLUTION: The treatment method of the semiconductor comprises steps for performing treatment successively to a plurality of wafers which are objects of treatment in a treatment chamber, and adjusting the treatment in the treatment chamber based on the result of detecting a state in the treatment chamber in each treatment. The method comprises a step of collecting the information of the treatment generated by the treatment, including outputs from the sensors 13, 14, to a data collection unit 2 with a storage device, a step of extracting the information of the treatment collected in the data collection unit according to a given extracting condition, a step of creating a copy of the extracted information in the other storage device 4a, and a step of analyzing the copy data created by the data copy unit and determining the state of the treatment, while the data analysis means 3 performs the treatment to the wafer in the treatment chamber. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は半導体処理処理方法に係り、特に微細加工を施す半導体処理装置に好適な半導体処理方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor processing method, and more particularly to a semiconductor processing method suitable for a semiconductor processing apparatus that performs microfabrication.

図12は、従来の半導体処理装置用データ処理装置の構成を示す図である。図において、1は半導体処理装置を構成するエッチング装置、11,12はそれぞれエッチング装置1内の処理室を構成するエッチングチャンバ、13,14は各エッチングチャンバに備えたセンサであり、エッチングチャンバ内あるいはエッチングチャンバ外から各種の物理量、例えば真空処理室の真空度、プラズマ密度、プラズマ発光分光器出力等を測定してセンサデータとして取得する。15はエッチング装置1の制御装置である。なお、制御装置15からは処理中のウエハの種類、処理中のウエハに対する処理条件等のウエハ加工処理情報を取得することができる。2はデータ収集装置である。21はデータ収集装置のデータ処理部であり、前記センサデータ及び前記ウエハの加工処理情報を収集してデータベース22に格納する。3はデータ解析装置であり、前記データ処理部21を介してデータベース22にアクセスして所要のデータを取得し、取得したデータを解析する。前記半導体処理装置の操作者は前記解析結果をもと前記半導体処理装置を操作することができる。   FIG. 12 is a diagram showing a configuration of a conventional data processing apparatus for a semiconductor processing apparatus. In the figure, 1 is an etching apparatus constituting a semiconductor processing apparatus, 11 and 12 are etching chambers constituting a processing chamber in the etching apparatus 1, and 13 and 14 are sensors provided in the respective etching chambers. Various physical quantities such as the degree of vacuum in the vacuum processing chamber, plasma density, plasma emission spectrometer output, and the like are measured from outside the etching chamber and acquired as sensor data. Reference numeral 15 denotes a control device of the etching apparatus 1. Note that wafer control processing information such as the type of wafer being processed and processing conditions for the wafer being processed can be acquired from the control device 15. Reference numeral 2 denotes a data collection device. A data processing unit 21 of the data collection apparatus collects the sensor data and the wafer processing information and stores them in the database 22. Reference numeral 3 denotes a data analysis device that accesses the database 22 via the data processing unit 21 to acquire required data and analyzes the acquired data. An operator of the semiconductor processing apparatus can operate the semiconductor processing apparatus based on the analysis result.

図13は、データ処理部の処理を説明する図である。図に示すように、エッチング処理室1が複数のエッチングチャンバ11,12を備える場合、データ処理部21は各チャンバに備えたセンサ13、14のセンサデータを例えば交互に取得処理してデータベース22に格納する。   FIG. 13 is a diagram for explaining the processing of the data processing unit. As shown in the figure, when the etching chamber 1 includes a plurality of etching chambers 11 and 12, the data processing unit 21 alternately obtains sensor data of the sensors 13 and 14 provided in each chamber, for example, and stores them in the database 22. Store.

前記センサデータには、例えば前述したようなプラズマ発光分光器の発光スペクトル(毎秒数千データ)の時間変化の情報などが含まれているため、処理すべき情報量は大きい。このため、データ解析装置3は分析のためデータ収集装置2からセンサデータ取り出す場合に長時間を要すると共にデータ収集装置2に負荷をかけることになり、データ収集装置2のデータ収集作業が阻害されることになる。特に図に示すように複数のエッチングチャンバを有するエッチング装置の場合には、図13に示すようにデータ収集装置はセンサから送られてくるデータに交互に重複して対処しなければならないことになる。このためデータ解析装置3のデータ抽出要求等のデータ処理に割り当てるべき空き時間を確保することが困難になる。すなわち、従来のデータ処理装置では、解析等の処理を行うに要する待ち時間を確定することが困難であり、処理装置としての使い勝手が悪くなる。   Since the sensor data includes, for example, information on temporal changes in the emission spectrum (thousands of data per second) of the plasma emission spectrometer as described above, the amount of information to be processed is large. For this reason, the data analysis device 3 takes a long time to take out sensor data from the data collection device 2 for analysis and places a load on the data collection device 2, thereby obstructing the data collection operation of the data collection device 2. It will be. In particular, in the case of an etching apparatus having a plurality of etching chambers as shown in the figure, as shown in FIG. 13, the data collection apparatus must deal with the data sent from the sensor alternately and overlappingly. . For this reason, it becomes difficult to secure a free time to be allocated to data processing such as a data extraction request of the data analysis device 3. That is, in the conventional data processing apparatus, it is difficult to determine the waiting time required for performing processing such as analysis, and the usability as a processing apparatus is deteriorated.

本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたもので、処理に要する待ち時間を少なくして使い勝手のよい半導体処理方法を提供する。   The present invention has been made in view of these problems, and provides an easy-to-use semiconductor processing method with reduced waiting time for processing.

本発明は、上記の課題を解決するために次のような手段を採用した。   The present invention employs the following means in order to solve the above problems.

処理室内で処理の対象であるウエハ複数に順次加工処理を行いつつそれぞれの処理の際に前記処理室内の状態を検出した結果に基づいて前記処理室の前記加工処理を調節する半導体処理方法であって、前記センサからの出力を含み前記加工処理に伴い生成される前記加工処理の情報を記憶するための記憶装置を備えたデータ収集装置に収集するステップと、このデータ収集装置に収集された前記加工処理の情報を与えられた抽出条件に従って抽出してするステップと、前記抽出された情報の複製を別の記憶装置に作成するステップと、前記データ解析手段が前記処理室内で前記ウエハの加工処理が行われる間に、このデータ複製装置が作成した複製データを解析して前記加工処理の状態を判断するステップとを備えた。   A semiconductor processing method in which a plurality of wafers to be processed are sequentially processed in a processing chamber, and the processing in the processing chamber is adjusted based on a result of detecting a state in the processing chamber during each processing. Collecting the processing information including the output from the sensor and storing the processing information generated along with the processing, and the data collected by the data collecting device. Extracting processing information according to a given extraction condition; creating a copy of the extracted information in another storage device; and processing the wafer in the processing chamber by the data analysis means And a step of analyzing the replicated data created by the data replication device and determining the state of the processing process.

本発明は、以上の構成を備えるため、処理に要する待ち時間を少なくして使い勝手のよい半導体処理方法を提供することができる。   Since the present invention has the above-described configuration, it is possible to provide an easy-to-use semiconductor processing method with reduced waiting time required for processing.

以下、本発明の実施形態を添付図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施形態にかかる半導体処理装置用データ処理装置を説明する図である。図1において、4aはデータ複製装置、41はデータベース複製部、42はデータベース22を複製した複製データベースである。なお、図において図12に示される部分と同一部分については同一符号を付してその説明を省略する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram for explaining a data processing apparatus for a semiconductor processing apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 4a is a data replication device, 41 is a database replication unit, and 42 is a replication database in which the database 22 is replicated. In the figure, the same parts as those shown in FIG.

前述のようにデータ収集装置2のデータ処理部21は、センサ13及びセンサ14のセンサデータを収集し、また、前記前記制御装置15からウエハの加工処理情報をウエハ毎に収集してそれぞれをデータベース22に格納する。このとき得られる各ウエハ毎のセンサデータはセンサデータファイルとしてデータベース22に格納する。また、前記ウエハ毎のセンサデータは前記ウエハ毎の前記加工処理情報と対照表等により関連づけて格納しておくとよい。   As described above, the data processing unit 21 of the data collection device 2 collects sensor data of the sensor 13 and the sensor 14, and also collects wafer processing information for each wafer from the control device 15 and stores them in the database. 22. The sensor data for each wafer obtained at this time is stored in the database 22 as a sensor data file. The sensor data for each wafer may be stored in association with the processing information for each wafer by a comparison table or the like.

データベース複製部41は、前記ウエハ毎のセンサデータ、ウエハ毎の加工処理情報及びこれら関連を示す対照表を取得して、複製データベース42に格納する。なお、データベース複製部41はデータ収集装置2の処理の空き時間を利用してデータベースの複製を行う。なお、前記空き時間が充分にとれない場合、データ処理部21はデータベース22を作成すると同時に作成したデータを複製装置4aに転送するとよい。このようにすると、一旦データベース22に格納したデータを再度呼び出して複製装置4aに転送する場合に比して短時間に転送することができる。また、各センサデータ間の出力データ量にばらつきがある場合(例えば一部のエッチングチャンバのみが動作している場合)等においては、データ収集装置に掛かる負荷が軽い間に、複製装置にデータを転送することができる。   The database replication unit 41 acquires sensor data for each wafer, processing information for each wafer, and a comparison table indicating these relationships, and stores them in the replication database 42. The database duplicating unit 41 duplicates the database using the idle time of processing of the data collection device 2. If the free time is not sufficient, the data processing unit 21 may transfer the created data to the replication device 4a at the same time as creating the database 22. In this way, data stored once in the database 22 can be transferred in a shorter time than when the data is recalled and transferred to the copying apparatus 4a. Also, when there is a variation in the amount of output data between sensor data (for example, when only some etching chambers are operating), the data is transferred to the replication device while the load on the data collection device is light. Can be transferred.

このようにして、前記ウエハ処理データ(ウエハ毎のセンサデータ、ウエハ毎の加工処理情報及びこれらの対照表)を複製データベース42に複製して格納することにより、データ収集装置2に負荷をかけることなくデータ解析を行うことできる。すなわち、データ解析手段3はデータ収集装置2にかける負荷を考慮することなく複製データベースにアクセスすることができる。   In this way, the wafer processing data (sensor data for each wafer, processing information for each wafer, and their comparison table) are duplicated and stored in the duplicate database 42, thereby placing a load on the data collection device 2. Data analysis. That is, the data analysis means 3 can access the duplicate database without considering the load applied to the data collection device 2.

図2はデータベースに蓄積するデータの構造を説明する図である。図に示すようにデータベース22は前記センサデータをウエハ毎にファイル化したセンサデータファイル221、並びに前記ウエハ加工処理情報及び該加工処理情報と前記センサデータファイルの対応表を格納したウエハ管理テーブル222からなる。   FIG. 2 is a diagram for explaining the structure of data stored in the database. As shown in the figure, the database 22 includes a sensor data file 221 in which the sensor data is filed for each wafer, a wafer management table 222 that stores the wafer processing information, and a correspondence table between the processing information and the sensor data file. Become.

複製サーバ4aの複製データベース42は前記センサデータファイル221及びウエハ管理テーブル222の一部あるいは全部を複製した複製センサデータファイル及び複製ウエハ管理テーブル422を備える。前述のようにセンサデータはデータ量が多いので、データ収集装置2の処理の空き時間、あるいはセンサからデータを取得する毎に複製サーバに転送するのがよい。また、ウエハ管理テーブルに記録するデータ量は少ないので、ウエハ処理終了時あるいはロット処理終了時に纏めて転送するのがよい。 The duplicate database 42 of the duplicate server 4 a includes a duplicate sensor data file and a duplicate wafer management table 422 obtained by duplicating part or all of the sensor data file 221 and the wafer management table 222. As described above, since the sensor data has a large amount of data, it is preferable to transfer the data to the duplication server every time data is acquired from the sensor or the idle time of processing of the data collection device 2. Further, since the amount of data recorded in the wafer management table is small, it is preferable to transfer the data collectively at the end of wafer processing or at the end of lot processing.

図3は、本実施形態に係る半導体処理装置用データ処理装置の処理を説明するフローチャートであり、(a)はエッチング装置1の処理を示すフローチャート、(b)はデータ収集装置2の処理を示すフローチャート、(c)はデータ複製装置4aの処理を示すフローチャートである。   FIG. 3 is a flowchart for explaining the processing of the data processing apparatus for a semiconductor processing apparatus according to this embodiment. (A) is a flowchart showing the processing of the etching apparatus 1, and (b) shows the processing of the data collection apparatus 2. A flow chart and (c) are flow charts showing processing of data replication device 4a.

まず、エッチング装置の処理を示すフローチャート(a)において、ステップ11においてウエハ処理を開始する。ステップ12において、制御装置はウエハ加工処理情報(ウエハの処理条件、ウエハの番号、処理ロットの名称等)をデータ収集装置に向けて出力する。ステップ13において、ウエハ処理中のセンサデータを所定時間毎にデータ収集装置は取得することができる。ステップ14において、ウエハの処理が終了したか否かを判断し、処理が終了した場合はステップ15に進み、次のウエハの処理開始を待つ。   First, in the flowchart (a) showing the processing of the etching apparatus, wafer processing is started in step 11. In step 12, the control device outputs wafer processing information (wafer processing conditions, wafer number, processing lot name, etc.) to the data collection device. In step 13, the data collection device can acquire sensor data during wafer processing at predetermined time intervals. In step 14, it is determined whether or not the processing of the wafer is completed. If the processing is completed, the process proceeds to step 15 to wait for the start of processing of the next wafer.

データ収集装置2の処理を示すフローチャート(b)において、ステップ21において、エッチング装置から前記ウエハ処理情報を受信したか否かを判定し、受信した場合はステップ22に進み、そうでない場合はステップ27に進む。ステップ22において前記センサデータを受信し、ステップ23において受信したデータをデータベース22センサデータファイル221に格納する。ステップ24において全てのウエハの処理を終了したか否かを判定し、終了した場合はステップ25において、データベースのウエハ管理テーブル222を更新し、ステップ26において、ウエハ管理テーブル222の更新情報をデータ複製装置に送信する。ステップ27において、未複製のセンサデータがあるか否かを判定し、未複製のセンサデータがある場合は該データを複製サーバに送信する。   In the flowchart (b) showing the processing of the data collection device 2, in step 21, it is determined whether or not the wafer processing information has been received from the etching device. If received, the process proceeds to step 22, and if not, step 27 is performed. Proceed to In step 22, the sensor data is received, and the data received in step 23 is stored in the database 22 sensor data file 221. In step 24, it is determined whether or not all the wafers have been processed. In step 25, the wafer management table 222 in the database is updated. In step 26, the updated information in the wafer management table 222 is copied. Send to device. In step 27, it is determined whether or not there is unreplicated sensor data. If there is unreplicated sensor data, the data is transmitted to the replication server.

データ複製装置4aの処理を示すフローチャート(c)において、ステップ31において、データの受信を待ち、ウエハ管理テーブルのデータを受信した場合はステップ32に進み、ステップ33において複製ウエハ管理テーブル422を更新する。前記ステップ31において、センサデータを受信した場合はステップ34に進み、ステップ35において複製センサデータファイルを作成して保存する。   In the flowchart (c) showing the processing of the data duplicating apparatus 4a, in step 31, the reception of data is waited. When data in the wafer management table is received, the process proceeds to step 32, and in step 33, the duplicate wafer management table 422 is updated. . If sensor data is received in step 31, the process proceeds to step 34, and a duplicate sensor data file is created and stored in step 35.

図4は、半導体処理装置用データ処理装置の他の処理(データ処理部21によりデータベース22を作成すると同時に作成したデータを複製装置4aに転送する場合の処理)を説明するフローチャートであり、(a)はエッチング装置1の処理を示すフローチャート、(b)はデータ収集装置2の処理を示すフローチャート、(c)はデータ複製装置4aの処理を示すフローチャートである。なお、図において図3に示される部分と同一部分については同一符号を付してその説明
を省略する。
FIG. 4 is a flowchart for explaining another process of the data processing apparatus for a semiconductor processing apparatus (a process when the data processing unit 21 creates the database 22 and transfers the created data to the replication apparatus 4a). ) Is a flowchart showing the process of the etching apparatus 1, (b) is a flowchart showing the process of the data collecting apparatus 2, and (c) is a flowchart showing the process of the data duplicating apparatus 4a. In the figure, the same parts as those shown in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

この図の場合は、ステップ23において、前述のように受信したセンサデータをデータベース22のセンサデータファイル221に格納した後、ステップ23aにおいて、センサデータを複製サーバに転送する。このようにすることにより、前述のように一旦データベース22に格納したデータを再度呼び出して複製装置4aに転送する場合に比して短時間に転送することができる。   In this case, after the sensor data received as described above is stored in the sensor data file 221 of the database 22 in step 23, the sensor data is transferred to the replication server in step 23a. By doing so, it is possible to transfer the data once stored in the database 22 as described above in a shorter time than when the data is recalled and transferred to the copying apparatus 4a.

図5は、データ複製装置4aに備えた表示部に表示する操作表示画面の例を示す図である。実際の装置では、データ解析手段3は全てのデータを解析するわけではない。例えば、非常に微細な構造のデバイスのみを解析の対象とする場合がある。このような場合には解析対象となるウエハのデータのみを例えばデバイスの種類、あるいはレシピの種類等を複製条件として指定して複製装置4aの複製データベース42に複製するように指示することができる。   FIG. 5 is a diagram illustrating an example of an operation display screen displayed on the display unit provided in the data replication device 4a. In an actual apparatus, the data analysis means 3 does not analyze all data. For example, only a device with a very fine structure may be the target of analysis. In such a case, it is possible to instruct to copy only the data of the wafer to be analyzed to the replication database 42 of the replication apparatus 4a by specifying, for example, the device type or the recipe type as a replication condition.

前記指定に際しては、図に示す複製デバイスのリスト表示部31に複製するデバイスのリストを入力し、あるいは複製除外デバイスリスト表示部32に複製を除外するデバイスのリスト入力して指定する。また、前記データ収集装置2の複製を作成する期間を指定し、あるいは予約できるようにしてもよい。これは複製サーバの複製データベース42として大容量の記録装置を用意できない場合、あるいは長期間亘るデータを取得してデータ解析する場合等に有効である。   In the specification, a list of devices to be copied is input to the list display unit 31 of the replication device shown in the figure, or a list of devices to be excluded from the replication exclusion device list display unit 32 is specified. Further, a period for creating a copy of the data collection device 2 may be designated or reserved. This is effective when a large-capacity recording device cannot be prepared as the replication database 42 of the replication server, or when long-term data is acquired and analyzed.

なお、複製条件の入力に際してパスワード入力等の認証手段により複製を保護することができる。これにより保護された任意の情報のみを複製データベースに格納し情報の漏洩を防止することができる。この機能によりデバイスメーカは装置メーカに見せるデータを制限することができる。また逆に装置メーカはデバイスメーカが利用できるデータを制限することができる。   Note that the copy can be protected by an authentication means such as a password when inputting the copy condition. As a result, only protected arbitrary information can be stored in the duplicate database to prevent information leakage. With this function, the device manufacturer can limit the data shown to the device manufacturer. Conversely, the device manufacturer can limit the data that can be used by the device manufacturer.

図6は、本発明の他の実施形態を説明する図である。図において、3はデータ解析手段であり、該解析手段は3は複製装置4bに格納する。複製装置4bはデータ解析手段を備えることによりデータ解析サーバとして機能する。なお、この複製装置(データ解析サーバ)をWebアプリケーションサーバとして構成すると、該サーバと接続する外部の入出力装置51、52を汎用のWebブラウザを用いて簡易に構成することができる。   FIG. 6 is a diagram for explaining another embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 3 denotes data analysis means, and the analysis means 3 stores in the duplicating apparatus 4b. The replication device 4b functions as a data analysis server by including data analysis means. If this replication device (data analysis server) is configured as a Web application server, external input / output devices 51 and 52 connected to the server can be easily configured using a general-purpose Web browser.

図7は、本発明の更に他の実施形態を説明する図である。図において、3はデータ解析手段、5は入出力手段であり、これらは複製装置4c内に格納する。また、複製装置4cはデータ収集装置2に対して取り外し可能に、且つ独立して搬送可能に取り付ける。   FIG. 7 is a diagram illustrating still another embodiment of the present invention. In the figure, 3 is data analysis means, and 5 is input / output means, which are stored in the duplicating apparatus 4c. In addition, the duplicating device 4c is attached to the data collecting device 2 so as to be removable and independently transportable.

このように前記複製装置4cを可搬型サーバ(可搬型解析サーバ)として構成することにより、必要なときのみにデータ収集装置に取り付けて解析を実行することができる。すなわち、複製装置4cをデータ収集装置に接続したときに自身の持つ複製データベース42をアップデートして解析を実行することができる。   As described above, by configuring the duplicating apparatus 4c as a portable server (portable analysis server), it is possible to perform analysis by attaching it to the data collecting apparatus only when necessary. That is, when the replication device 4c is connected to the data collection device, the replication database 42 owned by itself can be updated and the analysis can be executed.

このため、顧客が常時稼働するデータ解析手段を設置することを望まない場合においても、例えば半導体処理装置メーカーの作業員が前記複製装置4cをデータ収集装置2の近傍まで持ち込むことにより、該データ収集装置からデータを取り出して解析することができる。 For this reason, even when a customer does not want to install a data analysis means that is always in operation, for example, an operator of a semiconductor processing equipment manufacturer brings the replication apparatus 4c to the vicinity of the data collection apparatus 2 to collect the data. Data can be extracted from the device and analyzed.

図8は、前記複製装置4cに備えた表示部の操作表示画面の例を示す図である。   FIG. 8 is a diagram showing an example of an operation display screen of the display unit provided in the duplication device 4c.

上述のように、複製装置4cを可搬型サーバ(可搬型解析サーバ)として構成し、複製装置4cをデータ収集装置2に連続して接続しない場合、データ収集装置2に複製装置4cに未だ複製されていないデータが大量に残存する場合が生じる。このときデータ収集装置4cに複製装置4cを接続してデータの複製を開始すると、複製に時間がかかって解析作業が開始できなくなる。しかしながら、複製の開始に先立って、データ収集装置からデータ複製装置に複製すべきデータの条件を指定することにより、解析に必要なデータのみを複製することができる。   As described above, when the replication device 4c is configured as a portable server (portable analysis server) and the replication device 4c is not continuously connected to the data collection device 2, the replication device 4c is not yet replicated to the replication device 4c. A large amount of data may remain. At this time, if the duplication device 4c is connected to the data collection device 4c and data duplication is started, duplication takes time and analysis work cannot be started. However, prior to the start of replication, only data necessary for analysis can be replicated by designating data conditions to be replicated from the data collection device to the data replication device.

前記複製すべきデータの条件としては、図に示すように、ウエハに形成されたデバイス名、ウエハ処理に適用したレシピ名あるいは処理を行った日時等で指定することができる。 As shown in the figure, the data condition to be duplicated can be specified by the name of a device formed on a wafer, the name of a recipe applied to wafer processing, or the date and time of processing.

図9は、本発明の更に他の実施形態を説明する図である。図において、23はエッチング装置1の例えば処理の終点等をリアルタイムで診断するリアルタイム診断部であり、該リアルタイム診断部23はデータ収集装置2に格納する。3はデータ複製装置(解析サーバ)に設けたデータ解析手段であり、該解析手段3は、前記リアルタイム診断部23の診断に必要な情報、例えば終点判断の判定基準、あるいは診断のモデル式を生成して、前記リアルタイム診断部23に供給する。   FIG. 9 is a diagram illustrating still another embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 23 denotes a real-time diagnostic unit that diagnoses, for example, an end point of processing of the etching apparatus 1 in real time, and the real-time diagnostic unit 23 stores the data in the data collection device 2. Reference numeral 3 denotes data analysis means provided in the data replication device (analysis server). The analysis means 3 generates information necessary for diagnosis by the real-time diagnosis unit 23, for example, determination criteria for end point determination, or model model for diagnosis. Then, the data is supplied to the real-time diagnosis unit 23.

データ複製装置4d内のデータ解析手段3を用いた診断では、その診断開始までに時間を要しリアルタイム診断には適合しない場合がある。しかしながら、リアルタイム診断部23をデータ収集部に配置することにより、即時性を要する診断を速やかに実行することができる。   In the diagnosis using the data analysis means 3 in the data replication device 4d, it takes time to start the diagnosis and may not be suitable for real-time diagnosis. However, by disposing the real-time diagnosis unit 23 in the data collection unit, it is possible to quickly execute a diagnosis that requires immediacy.

図10は、本発明の更に他の実施形態を説明する図である。図において、2a,2bはそれぞれデータ収集装置、3a,3bはそれぞれデータ解析手段である。図に示すように、複数のエッチングチャンバ11,12を備えたエッチング装置1において、各エッチングチャンバ11,12毎にデータ収集装置2a、2B、及びデータ解析手段を備える。   FIG. 10 is a diagram illustrating still another embodiment of the present invention. In the figure, 2a and 2b are data collection devices, and 3a and 3b are data analysis means. As shown in the figure, an etching apparatus 1 having a plurality of etching chambers 11 and 12 includes data collection devices 2a and 2B and data analysis means for each etching chamber 11 and 12, respectively.

このようにエッチングチャンバ毎にデータ収集装置及びデータ解析手段を備えることにより、データ解析手段はエッチングチャンバの連続するウエハ処理の間に生じる処理の空き時間を利用して、データをデータ収集装置からデータ解析装置に転送することができる。   By providing the data collection device and the data analysis means for each etching chamber in this way, the data analysis means uses the processing idle time generated during successive wafer processing in the etching chamber to transfer data from the data collection device. It can be transferred to the analysis device.

図11は、本発明の更に他の実施形態を説明する図である。図において、22a、22bはそれぞれデータ収集装置2の外部に設置した外部データベースである。データ収集装置2は、収集したデータ保存場所切り替え条件設定部が設定した切り替え条件に従って切り替えて前記外部記憶装置22a,22bの何れかに格納する。23は前記データ保存場所切り替え条件設定部であり、切り替え条件は外部から設定可能である。24は表示部であり、前記保存場所の全てあるいは現在保存中の保存場所等を表示することができる。   FIG. 11 is a diagram illustrating still another embodiment of the present invention. In the figure, 22a and 22b are external databases installed outside the data collection device 2, respectively. The data collection device 2 switches according to the switching condition set by the collected data storage location switching condition setting unit and stores it in one of the external storage devices 22a and 22b. Reference numeral 23 denotes a data storage location switching condition setting unit, which can be set from the outside. Reference numeral 24 denotes a display unit which can display all of the storage locations or storage locations currently being stored.

前記外部記憶装置としてはハードディスクあるいは半導体メモリを用いることができる。またこれらのメモリと前記データ解析装置をLAN等を介して接続しておくことにより、データ収集装置2と接続されていない状態にある外部記憶装置から、データ収集装置にかかる負荷を考慮することなくデータを抽出してデータ解析を実行することができる。   As the external storage device, a hard disk or a semiconductor memory can be used. Further, by connecting these memories and the data analysis device via a LAN or the like, it is possible to consider the load on the data collection device from the external storage device that is not connected to the data collection device 2. Data analysis can be performed by extracting data.

また、外部記憶装置にリムーバブルメディアを用いるとよい。リムーバブルメディアは取り外し可能なハードディスク、DVDRAM、MOのようなものであるとよい。データ収集が終了した時点でメディア本体をイジェクトするような機構にしておくと、データを回収する作業員にわかりやすくて更によい。なお、外部記憶装置としてリムーバブルメディアを用いる場合には、該リムーバブメディ
アはデータ収集装置に組み込むことができる。
In addition, a removable medium may be used for the external storage device. The removable medium may be a removable hard disk, DVDRAM, or MO. If the mechanism is such that the media body is ejected when the data collection is completed, it will be easier for the operator who collects the data to understand. When a removable medium is used as the external storage device, the removable medium can be incorporated into the data collection device.

前記保存場所の切り替え条件の設定は、外部記憶装置の容量から自動的に判定してもよいが、ユーザが設定できるようになっていると便利である。保存場所の切り替え条件は、日時を指定する指定でもよいし、毎週月曜日といった定期的な指定でもよい。また、何ロット分の試料の処理を終了したら切り替えるといった条件でもよい。作業者は自由に保存場所の切り替え条件を指定し、保存場所が切り替わったら保存の終了した外部記憶装置からデータを取り出してバックアップを取ったり、リムーバブルメディアの場合は新しいメディアと交換したりすることが可能である。また、保存場所が切り替わったときに、保存場所表示部に表示してもよいし、電子メールあるいは警報音等により作業者に知らせる機構を設けてもよい。   The setting of the storage location switching condition may be automatically determined from the capacity of the external storage device, but it is convenient if the user can set it. The storage location switching condition may be a designation specifying a date and time, or a regular designation such as every Monday. Further, it may be a condition that the processing is switched when the processing of the sample for how many lots is completed. The operator can freely specify the storage location switching conditions, and when the storage location is switched, the data can be taken out from the external storage device that has been saved and backed up, or in the case of removable media, it can be replaced with new media. Is possible. Further, when the storage location is switched, it may be displayed on the storage location display section, or a mechanism for notifying the operator by e-mail or alarm sound may be provided.

以上説明したように本発明の各実施形態によれば、処理に要する待ち時間を少なくして使い勝手のよい半導体処理方法を提供することができる。また、半導体処理装置の処理室を構成するエッチングチャンバ毎にデータ収集装置及びデータ解析装置を備えるので、データ解析装置のデータ抽出要求等の
データ処理に割り当てるべき空き時間を充分に確保することができデータ収集装置にかかる負荷を低減することができる。また、データ収集装置に複数の外部記憶装置を接続し、これらを切り替えて使用するので、データ解析装置のデータ抽出要求等に対してデータ収集装置にかかる負荷を低減することができ、また、収集したデータの管理も容易行うことができる。
As described above, according to each embodiment of the present invention, it is possible to provide an easy-to-use semiconductor processing method by reducing the waiting time required for processing. In addition, since each etching chamber constituting the processing chamber of the semiconductor processing apparatus is provided with a data collection device and a data analysis device, it is possible to secure a sufficient free time to be allocated to data processing such as a data extraction request of the data analysis device. The load on the data collection device can be reduced. In addition, since a plurality of external storage devices are connected to the data collection device, and these are switched and used, the load on the data collection device in response to a data extraction request of the data analysis device can be reduced. It is possible to easily manage the data.

本発明の実施形態にかかる半導体処理装置用データ処理装置を示す図である。1 is a diagram showing a data processing apparatus for a semiconductor processing apparatus according to an embodiment of the present invention. データベースに蓄積するデータの構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of the data accumulate | stored in a database. 半導体処理装置用データ処理装置の処理を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the process of the data processor for semiconductor processors. 半導体処理装置用データ処理装置他の処理を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the other processes of the data processor for semiconductor processing apparatuses. データ複製装置に備えた表示部に表示する操作表示画面の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the operation display screen displayed on the display part with which the data replication apparatus was equipped. 本発明の他の実施形態を示す図である。It is a figure which shows other embodiment of this invention. 本発明の更に他の実施形態を示す図である。It is a figure which shows other embodiment of this invention. データ複製装置に備えた表示部に表示する操作表示画面の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the operation display screen displayed on the display part with which the data replication apparatus was equipped. 本発明の更に他の実施形態を示す図である。It is a figure which shows other embodiment of this invention. 本発明の更に他の実施形態を示す図である。It is a figure which shows other embodiment of this invention. 本発明の更に他の実施形態を示す図である。It is a figure which shows other embodiment of this invention. 従来の半導体処理装置用データ処理装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the conventional data processing apparatus for semiconductor processing apparatuses. データ処理分処理を説明する図である。It is a figure explaining a data processing part process.

符号の説明Explanation of symbols

1 エッチング装置
2,2a,2b データ収集装置
3 データ解析手段
4a、4b、4c、4d データ複製装置
5、51,52 入出力装置
11,12 エッチングチャンバ
15 制御装置
21 データ処理部
22 データベース
23 リアルタイム診断部
41 データベース複製部
42 複製データベース



DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Etching device 2, 2a, 2b Data collection device 3 Data analysis means 4a, 4b, 4c, 4d Data replication device 5, 51, 52 Input / output device 11, 12 Etching chamber 15 Control device 21 Data processing part 22 Database 23 Real-time diagnosis Part 41 Database replication part 42 Replication database



Claims (5)

処理室内で処理の対象であるウエハ複数に順次加工処理を行いつつそれぞれの処理の際に前記処理室内の状態を検出した結果に基
づいて前記処理室の前記加工処理を調節する半導体処理方法であって、
前記センサからの出力を含み前記加工処理に伴い生成される前記加工処理の情報を記憶するための記憶装置を備えたデータ収集装置に収集するス
テップと、
このデータ収集装置に収集された前記加工処理の情報を与えられた抽出条件に従って抽出してするステップと、
前記抽出された情報の複製を別の記憶装置に作成するステップと、
前記データ解析手段が前記処理室内で前記ウエハの加工処理が行われる
間に、このデータ複製装置が作成した複製データを解析して前記加工処理の状態を判断するステップとを備えた半導体処理方法。
A semiconductor processing method in which a plurality of wafers to be processed are sequentially processed in a processing chamber, and the processing in the processing chamber is adjusted based on a result of detecting a state in the processing chamber during each processing. And
Collecting in a data collection device comprising a storage device for storing information of the machining process including an output from the sensor and generated along with the machining process;
Extracting the processing information collected in the data collection device according to a given extraction condition;
Creating a copy of the extracted information in another storage device;
A semiconductor processing method comprising: a step of analyzing the replicated data created by the data replication device and determining the state of the processing while the data analysis means is processing the wafer in the processing chamber.
処理室内で処理の対象であるウエハ複数について順次加工処理を行いつつそれぞれの処理の際に得られる前記処理室内の形成され
る発光を検出した結果に基づいて前記処理室の前記加工処理を調節する半導体処理方法であって、
前記センサからの出力を含み前記加工処理に伴い生成される前記加工処理の情報を記憶するための記憶装置を備えたデータ収集装置に収集するス
テップと、
このデータ収集装置に収集された前記加工処理の情報を与えられた抽出条件に従って抽出してするステップと、
前記抽出された情報の複製を別の記憶装置に作成するステップと、
このデータ記憶装置に記憶された情報を解析して前記加工処理の状態を判断するデータ解析手段とを備えて
前記データ解析手段が前記処理室内で前記ウエハの加工処理が行われる
間に、このデータ複製装置が作成した複製データを解析して前記加工処理の状態を判断するステップとを備えた半導体処理方法。
The processing in the processing chamber is adjusted based on the result of detecting the light emission formed in the processing chamber obtained during each processing while sequentially processing a plurality of wafers to be processed in the processing chamber. A semiconductor processing method comprising:
Collecting in a data collection device comprising a storage device for storing information of the machining process including an output from the sensor and generated along with the machining process;
Extracting the processing information collected in the data collection device according to a given extraction condition;
Creating a copy of the extracted information in another storage device;
Data analysis means for analyzing the information stored in the data storage device to determine the state of the processing, and the data analysis means while the wafer is being processed in the processing chamber. Analyzing the replication data created by the replication device and determining the state of the processing.
請求項1に記載の半導体処理方法であって、前記データ収集装置の処理の空き時間を利用して前記複製の作成を行う半導体処理方法。 The semiconductor processing method according to claim 1, wherein the replica is created by using an idle time of processing of the data collection device. 請求項2に記載の半導体処理方法であって、前記データ収集装置の処理の空き時間を利用して前記抽出された情報を記憶する半導
体処理方法。
The semiconductor processing method according to claim 2, wherein the extracted information is stored by using a free time of processing of the data collection device.
請求項3または4に記載の半導体処理方法であって、前記データ収集装置が前記半導体処理装置の動作を診断する診断部を備え、
前記データ解析手段は前記診断部野診断基準または診断のモデル式を生成し、生成した診断基準または診断のモデル式を前記診断部に提供するプラ
ズマ処理方法。
5. The semiconductor processing method according to claim 3, wherein the data collection device includes a diagnosis unit that diagnoses an operation of the semiconductor processing device,
The plasma analysis method, wherein the data analysis unit generates a diagnostic standard or diagnostic model expression, and provides the generated diagnostic standard or diagnostic model expression to the diagnostic unit.
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