JP2005216984A - Photodiode light receiving circuit - Google Patents

Photodiode light receiving circuit Download PDF

Info

Publication number
JP2005216984A
JP2005216984A JP2004019240A JP2004019240A JP2005216984A JP 2005216984 A JP2005216984 A JP 2005216984A JP 2004019240 A JP2004019240 A JP 2004019240A JP 2004019240 A JP2004019240 A JP 2004019240A JP 2005216984 A JP2005216984 A JP 2005216984A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resistor
photodiode
amplifier
inverting input
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004019240A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Iwao Nakanishi
五輪生 中西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yokogawa Electric Corp filed Critical Yokogawa Electric Corp
Priority to JP2004019240A priority Critical patent/JP2005216984A/en
Publication of JP2005216984A publication Critical patent/JP2005216984A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photodiode light receiving circuit which has less number of components and is simple. <P>SOLUTION: The photodiode light receiving circuit generates an output voltage based on a differential between a signal generated at the anode of a photodiode and a signal generated at the cathode of the photodiode. The circuit has a current/voltage conversion amplifier, whose inversion input terminal is connected to the cathode of the photodiode and to one end of a first resistance, noninversion input terminal is connected to the anode of the photodiode, and output terminal is connected to the other end of the first resistance and to an output voltage end. The circuit also includes a second resistance, whose one end is connected to the noninversion terminal of the amplifier and the other end is connected to a common potential point. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、フォトダイオードを使用するフォトダイオード受光回路に関し、特に、光ファイバ検査装置、光測定器、蛍光測定装置等の微弱光の測定が可能なフォトダイオード受光回路に関する。   The present invention relates to a photodiode light receiving circuit using a photodiode, and more particularly to a photodiode light receiving circuit capable of measuring weak light, such as an optical fiber inspection device, a light measuring device, and a fluorescence measuring device.

従来のフォトダイオード受光回路は、フォトダイオードPDのアノードまたはカソードに生ずる信号(電流)に基づく出力電圧Vo’を生成するものもある(例えば、特許文献1参照。)。
このような、従来のフォトダイオード受光回路について図4を用いて説明する。図4は、従来のフォトダイオード受光回路を示す構成図である。
Some conventional photodiode light receiving circuits generate an output voltage Vo ′ based on a signal (current) generated at the anode or cathode of the photodiode PD (see, for example, Patent Document 1).
Such a conventional photodiode light receiving circuit will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a block diagram showing a conventional photodiode light receiving circuit.

同図において、OPアンプU1の反転入力は、OPアンプU1の出力と出力電圧Vo’とに接続する。また、OPアンプU1の非反転入力は、フォトダイオードPDのアノードに接続する。そして、OPアンプU1は、ボルテージフォロワを形成する。   In the figure, the inverting input of the OP amplifier U1 is connected to the output of the OP amplifier U1 and the output voltage Vo '. The non-inverting input of the OP amplifier U1 is connected to the anode of the photodiode PD. The OP amplifier U1 forms a voltage follower.

また、抵抗R12の一端は、OPアンプU1の非反転入力に接続する。さらに、抵抗R12の他端は、共通電位COMに接続する。   One end of the resistor R12 is connected to the non-inverting input of the OP amplifier U1. Further, the other end of the resistor R12 is connected to the common potential COM.

さらに、フォトダイオードPDのカソードは基準電圧V4に接続する。また、フォトダイオードPDのアノードとOPアンプU1の非反転入力と抵抗R12の一端との接続点の電圧を電圧Vbとする。   Further, the cathode of the photodiode PD is connected to the reference voltage V4. A voltage at a connection point between the anode of the photodiode PD, the non-inverting input of the OP amplifier U1, and one end of the resistor R12 is defined as a voltage Vb.

このような図4の実施例の動作を説明する。
フォトダイオードPDが受光しているとき、フォトダイオードPDの電流Iが生じる。そして、抵抗R12の抵抗値をRとすれば、出力電圧Vo’は、式(1)を満足する。
Vo’=Vb=I・R (1)
The operation of the embodiment of FIG. 4 will be described.
When the photodiode PD is receiving light, a current I of the photodiode PD is generated. If the resistance value of the resistor R12 is R, the output voltage Vo ′ satisfies the expression (1).
Vo ′ = Vb = IR (1)

このようにして、図4の実施例は、フォトダイオードPDのアノードに生ずる信号に基づく出力電圧Vo’を生成する。   In this manner, the embodiment of FIG. 4 generates an output voltage Vo 'based on a signal generated at the anode of the photodiode PD.

さらに、図4の実施例の信号対ノイズ比(S/N比)S/N’は、ボルツマン定数k、絶対温度T、帯域幅Bとすれば、式(2)を満足する。
S/N’=I/(4・k・T・B/R)1/2 (2)
Furthermore, if the signal-to-noise ratio (S / N ratio) S / N ′ in the embodiment of FIG. 4 is a Boltzmann constant k, an absolute temperature T, and a bandwidth B, Expression (2) is satisfied.
S / N ′ = I / (4 · k · T · B / R) 1/2 (2)

また、従来のフォトダイオード受光回路は、逆バイアスしたフォトダイオードのカソードおよびアノードの両方から互いに極性の異なった信号を得ることを特徴とする差動型のフォトダイオード受光回路のものもある(例えば、特許文献1参照。)。   In addition, a conventional photodiode light receiving circuit includes a differential photodiode light receiving circuit characterized in that signals having different polarities are obtained from both a cathode and an anode of a reverse-biased photodiode (for example, (See Patent Document 1).

このような従来のフォトダイオード受光回路について図5を用いて説明する。図5は、従来の他のフォトダイオード受光回路を示す構成図である。   Such a conventional photodiode light receiving circuit will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a block diagram showing another conventional photodiode light receiving circuit.

同図において、抵抗R32の一端は基準電圧V5に接続し、抵抗R32の他端はフォトダイオードPDのカソードに接続する。また、抵抗R33の一端はフォトダイオードPDのアノードに接続し、抵抗R33の他端は共通電位COMに接続する。   In the figure, one end of the resistor R32 is connected to the reference voltage V5, and the other end of the resistor R32 is connected to the cathode of the photodiode PD. One end of the resistor R33 is connected to the anode of the photodiode PD, and the other end of the resistor R33 is connected to the common potential COM.

さらに、フォトダイオードPDのカソードはOPアンプU21の反転入力に接続し、フォトダイオードPDのアノードはOPアンプU22の反転入力に接続する。   Further, the cathode of the photodiode PD is connected to the inverting input of the OP amplifier U21, and the anode of the photodiode PD is connected to the inverting input of the OP amplifier U22.

また、OPアンプU21の非反転入力は共通電位COMに接続する。さらに、OPアンプU21の反転入力とOPアンプU21の出力及び出力電圧Vo2との間に抵抗R21を接続する。
また、OPアンプU22の非反転入力は共通電位COMに接続する。さらに、OPアンプU22の反転入力とOPアンプU22の出力及び出力電圧Vo3との間に抵抗R22を接続する。
The non-inverting input of the OP amplifier U21 is connected to the common potential COM. Further, a resistor R21 is connected between the inverting input of the OP amplifier U21, the output of the OP amplifier U21, and the output voltage Vo2.
The non-inverting input of the OP amplifier U22 is connected to the common potential COM. Further, a resistor R22 is connected between the inverting input of the OP amplifier U22, the output of the OP amplifier U22, and the output voltage Vo3.

このような図5の従来例は、ノイズのレベルを上げることなく、信号レベルを倍増することができる。   The conventional example of FIG. 5 can double the signal level without increasing the noise level.

特開平6−37556号公報JP-A-6-37556

しかしながら、図4の従来例は、基準電圧V4が必要であり、出力電圧Vo’が小さく、信号対ノイズS/N’が小さく、周波数帯域が狭い。したがって、図4の従来例は、微弱光の測定が困難という課題がある。   However, the conventional example of FIG. 4 requires the reference voltage V4, the output voltage Vo 'is small, the signal-to-noise S / N' is small, and the frequency band is narrow. Therefore, the conventional example of FIG. 4 has a problem that measurement of weak light is difficult.

また、従来のフォトダイオード受光回路は、フォトダイオードPDの配線に印加される外来ノイズの影響が大きいという課題がある。   Further, the conventional photodiode light receiving circuit has a problem that the influence of external noise applied to the wiring of the photodiode PD is large.

さらに、図5の従来例は、基準電圧V5、抵抗R32、抵抗R33が必要であり、部品点数が多いという課題がある。   Furthermore, the conventional example of FIG. 5 requires a reference voltage V5, a resistor R32, and a resistor R33, and there is a problem that the number of parts is large.

また、図5の従来例は、フォトダイオードPDに逆バイアスが印加されないため、広帯域の特性が得られないという課題があり、過大入力のときに安定に動作しないという課題がある。   Further, the conventional example of FIG. 5 has a problem that a wide band characteristic cannot be obtained because no reverse bias is applied to the photodiode PD, and there is a problem that it does not operate stably when the input is excessive.

さらに、前述の従来例とは別に、図5の従来例において、フォトダイオードPDのカソードとOPアンプU21の反転入力との間にコンデンサを挿入すると共に、フォトダイオードPDのアノードとOPアンプU22の反転入力との間にコンデンサを挿入する構成(図示せず)では、DC測光ができないという課題がある。   Further, in addition to the conventional example described above, in the conventional example of FIG. 5, a capacitor is inserted between the cathode of the photodiode PD and the inverting input of the OP amplifier U21, and the anode of the photodiode PD and the inverting of the OP amplifier U22. In a configuration (not shown) in which a capacitor is inserted between the input and the input, there is a problem that DC photometry cannot be performed.

本発明の目的は、以上説明した課題を解決するものであり、部品点数が少なく、簡便なフォトダイオード受光回路を提供することにある。
また、本発明の目的は、良好な信号対ノイズ比の特性を有すると共に、外来ノイズの影響を受けにくいフォトダイオード受光回路を提供することにある。
An object of the present invention is to solve the above-described problems, and to provide a simple photodiode light receiving circuit with a small number of parts.
It is another object of the present invention to provide a photodiode light receiving circuit that has a good signal-to-noise ratio characteristic and is less susceptible to external noise.

このような目的を達成する本発明は、次の通りである。
(1)フォトダイオードのアノードに生ずる信号と前記フォトダイオードのカソードに生ずる信号との差に基づく出力電圧を生成するフォトダイオード受光回路において、反転入力に前記カソードと第1抵抗の一端とを接続し、非反転入力に前記アノードを接続し、出力に前記第1抵抗の他端と前記出力電圧とを接続する電流/電圧変換アンプと、一端に前記非反転入力を接続し、他端に共通電位を接続する第2抵抗とを備えることを特徴とするフォトダイオード受光回路。
The present invention which achieves such an object is as follows.
(1) In a photodiode light receiving circuit that generates an output voltage based on a difference between a signal generated at an anode of a photodiode and a signal generated at a cathode of the photodiode, the cathode and one end of a first resistor are connected to an inverting input. A current / voltage conversion amplifier for connecting the anode to a non-inverting input, connecting the other end of the first resistor and the output voltage to an output, connecting the non-inverting input to one end, and a common potential to the other end And a second resistor for connecting the photodiode.

(2)フォトダイオードのアノードに生ずる信号と前記フォトダイオードのカソードに生ずる信号との差に基づく出力電圧を生成するフォトダイオード受光回路において、反転入力に前記カソードと第1抵抗の一端とを接続し、非反転入力に基準電圧を接続し、出力に前記第1抵抗の他端を接続する第1OPアンプと、反転入力に前記アノードと第2抵抗の一端とを接続し、非反転入力に共通電位を接続し、出力に前記第2抵抗の他端を接続する第2OPアンプと、反転入力に抵抗を介して前記第2OPアンプの出力を接続すると共に第3抵抗の一端を接続し、非反転入力に抵抗を介して前記第1OPアンプの出力を接続し、出力に前記第3抵抗の他端と前記出力電圧とを接続する差動アンプとを備えることを特徴とするフォトダイオード受光回路。 (2) In a photodiode light receiving circuit that generates an output voltage based on a difference between a signal generated at the anode of a photodiode and a signal generated at the cathode of the photodiode, the cathode and one end of a first resistor are connected to an inverting input. A first operational amplifier that connects a reference voltage to the non-inverting input, an output that connects the other end of the first resistor, an inverting input that connects the anode and one end of the second resistor, and a non-inverting input that has a common potential. A second OP amplifier that connects the other end of the second resistor to the output, and an output of the second OP amplifier that is connected to the inverting input via a resistor, and one end of the third resistor is connected to the non-inverting input. And a differential amplifier that connects the output of the first OP amplifier via a resistor to the other end of the third resistor and the output voltage. Circuit.

(3)フォトダイオードのアノードに生ずる信号と前記フォトダイオードのカソードに生ずる信号との差に基づく出力電圧を生成するフォトダイオード受光回路において、一端に前記カソードを接続するコンデンサと、反転入力に前記コンデンサの他端と第1抵抗の一端とを接続し、非反転入力に共通電位を接続し、出力に前記第1抵抗の他端を接続する第1OPアンプと、反転入力に前記アノードと第2抵抗の一端とを接続し、非反転入力に共通電位を接続し、出力に前記第2抵抗の他端を接続する第2OPアンプと、反転入力に抵抗を介して前記第2OPアンプの出力を接続すると共に第3抵抗の一端を接続し、非反転入力に抵抗を介して前記第1OPアンプの出力を接続し、出力に前記第3抵抗の他端と前記出力電圧とを接続する差動アンプと、基準電圧から前記カソードと前記コンデンサの一端との接続点への電流を制限する電流制限回路と、前記基準電圧と前記電流制限回路とに直列に接続し、前記コンデンサと前記電流制限回路との時定数よりも長い時間オンするスイッチと、前記スイッチがオフのときに、前記出力電圧を格納する出力電圧格納手段とを備えることを特徴とするフォトダイオード受光回路。 (3) In a photodiode light receiving circuit that generates an output voltage based on a difference between a signal generated at the anode of a photodiode and a signal generated at the cathode of the photodiode, a capacitor that connects the cathode to one end, and the capacitor that is connected to an inverting input The other end of the first resistor is connected to one end of the first resistor, a common potential is connected to the non-inverting input, the other end of the first resistor is connected to the output, and the anode and the second resistor are connected to the inverting input. One end of the second OP amplifier, a common potential connected to the non-inverting input, a second OP amplifier connecting the other end of the second resistor to the output, and an output of the second OP amplifier connected to the inverting input via the resistor. And one end of the third resistor is connected, the output of the first OP amplifier is connected to the non-inverting input via the resistor, and the other end of the third resistor and the output voltage are connected to the output. An amplifier, a current limiting circuit for limiting a current from a reference voltage to a connection point between the cathode and one end of the capacitor, and the reference voltage and the current limiting circuit connected in series, the capacitor and the current limiting circuit A photodiode light receiving circuit comprising: a switch that is turned on for a time longer than a time constant of; and an output voltage storage means that stores the output voltage when the switch is off.

(4)前記フォトダイオードは、アバランシェフォトダイオードで形成することを特徴とする(2)または(3)の何れかに記載のフォトダイオード受光回路。 (4) The photodiode light receiving circuit according to (2) or (3), wherein the photodiode is formed of an avalanche photodiode.

(5)前記差動アンプの非反転入力に前記基準電圧を補償する電圧を印加することを特徴とする(2)記載のフォトダイオード受光回路。 (5) The photodiode light receiving circuit according to (2), wherein a voltage for compensating the reference voltage is applied to a non-inverting input of the differential amplifier.

本発明によれば、部品点数が少なく、簡便なフォトダイオード受光回路を提供できる。   According to the present invention, a simple photodiode light receiving circuit with a small number of parts can be provided.

また、本発明によれば、良好な信号対ノイズ比の特性を有するフォトダイオード受光回路を提供できる。   In addition, according to the present invention, it is possible to provide a photodiode light receiving circuit having a good signal-to-noise ratio characteristic.

さらに、本発明によれば、外来ノイズの影響を受けにくいフォトダイオード受光回路を提供できる。特に、本発明によれば、コモンモードノイズの影響をキャンセルするフォトダイオード受光回路を提供できる。   Furthermore, according to the present invention, it is possible to provide a photodiode light receiving circuit that is not easily affected by external noise. In particular, according to the present invention, a photodiode light receiving circuit that cancels the influence of common mode noise can be provided.

また、本発明によれば、光ファイバ検査装置、光測定器、蛍光測定装置等の微弱光の測定に好適なフォトダイオード受光回路を提供できる。   Furthermore, according to the present invention, it is possible to provide a photodiode light receiving circuit suitable for measuring weak light, such as an optical fiber inspection device, a light measuring device, and a fluorescence measuring device.

以下に、図1を用いて本発明を詳細に説明する。図1は、本発明の一実施例を示す構成図である。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to FIG. FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.

図1の実施例の特徴は、第1抵抗である抵抗R11と、電流/電圧変換アンプ(トランスインピーダンスアンプ)U10と、第2抵抗である抵抗R12との構成にある。   The feature of the embodiment of FIG. 1 is the configuration of a resistor R11 that is a first resistor, a current / voltage conversion amplifier (transimpedance amplifier) U10, and a resistor R12 that is a second resistor.

同図において、電流/電圧変換アンプU10の反転入力は、フォトダイオードPDのカソードと抵抗R11の一端とに接続する。また、電流/電圧変換アンプU10の非反転入力は、フォトダイオードPDのアノードに接続する。さらに、電流/電圧変換アンプU10の出力は、抵抗R11の他端と出力電圧Voとに接続する。   In the figure, the inverting input of the current / voltage conversion amplifier U10 is connected to the cathode of the photodiode PD and one end of the resistor R11. The non-inverting input of the current / voltage conversion amplifier U10 is connected to the anode of the photodiode PD. Further, the output of the current / voltage conversion amplifier U10 is connected to the other end of the resistor R11 and the output voltage Vo.

また、抵抗R12の一端は、電流/電圧変換アンプU10の非反転入力に接続する。さらに、抵抗R12の他端は、共通電位COMに接続する。   One end of the resistor R12 is connected to the non-inverting input of the current / voltage conversion amplifier U10. Further, the other end of the resistor R12 is connected to the common potential COM.

さらに、フォトダイオードPDのカソードと電流/電圧変換アンプU10の反転入力と抵抗R11の一端との接続点の電圧を電圧Vaとする。また、フォトダイオードPDのアノードと電流/電圧変換アンプU10の非反転入力と抵抗R12の一端との接続点の電圧を電圧Vbとする。   Furthermore, a voltage at a connection point between the cathode of the photodiode PD, the inverting input of the current / voltage conversion amplifier U10, and one end of the resistor R11 is defined as a voltage Va. A voltage at a connection point between the anode of the photodiode PD, the non-inverting input of the current / voltage conversion amplifier U10, and one end of the resistor R12 is defined as a voltage Vb.

このような図1の実施例の動作を説明する。
フォトダイオードPDが受光していないとき、フォトダイオードPDの電流Iはゼロとなり、電圧Vaと電圧Vbとはそれぞれゼロとなる。さらにまた、出力電圧Voもゼロとなる。
The operation of the embodiment of FIG. 1 will be described.
When the photodiode PD is not receiving light, the current I of the photodiode PD is zero, and the voltage Va and the voltage Vb are each zero. Furthermore, the output voltage Vo is also zero.

また、フォトダイオードPDが受光しているとき、フォトダイオードPDの電流Iが生じる。そして、抵抗R12の抵抗値をR12とすれば、電圧Vaと電圧Vbとはそれぞれ式(3)を満足する。
Va=Vb=I・R12 (3)
Further, when the photodiode PD is receiving light, a current I of the photodiode PD is generated. When the resistance value of the resistor R12 is R12, the voltage Va and the voltage Vb each satisfy the expression (3).
Va = Vb = I · R12 (3)

そして、出力電圧Voは、抵抗R11の抵抗値をR11とすれば、式(4)を満足する。
Vo=Va+I・R11=I・(R11+R12) (4)
The output voltage Vo satisfies Expression (4) if the resistance value of the resistor R11 is R11.
Vo = Va + I.R11 = I. (R11 + R12) (4)

また、抵抗R11の抵抗値R11と抵抗R12の抵抗値R12とが共に抵抗値Rで同じであれば、式(5)を満足する。そして、図1の実施例の出力電圧Voは、図4の従来例における出力電圧Vo’の2倍に相当する値となる。
Vo=2・I・R=2・Vo’ (5)
Further, if both the resistance value R11 of the resistor R11 and the resistance value R12 of the resistor R12 are the same as the resistance value R, Expression (5) is satisfied. The output voltage Vo in the embodiment of FIG. 1 has a value corresponding to twice the output voltage Vo ′ in the conventional example of FIG.
Vo = 2 · I · R = 2 · Vo '(5)

このようにして、図1の実施例は、フォトダイオードPDのアノードに生ずる信号とフォトダイオードPDのカソードに生ずる信号との差に基づく出力電圧Voを生成する。   Thus, the embodiment of FIG. 1 generates an output voltage Vo based on the difference between the signal generated at the anode of the photodiode PD and the signal generated at the cathode of the photodiode PD.

さらに、図1の実施例の信号対ノイズ比(S/N比)S/Nは、ボルツマン定数k、絶対温度T、帯域幅Bとすれば、式(6)を満足する。そして、図1の実施例の信号対ノイズ比S/Nは、図4の従来例の信号対ノイズ比S/N’の21/2(約1.41)倍に相当する値となる。
S/N=21/2・I/(4・k・T・B/R)1/2=21/2・S/N’ (6)
Further, if the signal-to-noise ratio (S / N ratio) S / N of the embodiment of FIG. 1 is Boltzmann constant k, absolute temperature T, and bandwidth B, Expression (6) is satisfied. The signal-to-noise ratio S / N of the embodiment of FIG. 1 is a value corresponding to 2 1/2 (about 1.41) times the signal-to-noise ratio S / N ′ of the conventional example of FIG.
S / N = 2 1/2 · I / (4 · k · T · B / R) 1/2 = 2 1/2 · S / N ′ (6)

したがって、図1の実施例の信号対ノイズ比S/Nは、図4の従来例の信号対ノイズ比S/N’と比較して、約3dB改善する。   Therefore, the signal-to-noise ratio S / N of the embodiment of FIG. 1 is improved by about 3 dB compared to the signal-to-noise ratio S / N ′ of the conventional example of FIG.

また、図1の実施例は、フォトダイオードPDのアノードとフォトダイオードPDのカソードとに対して同位相で印加されるコモンモードノイズの影響をキャンセルし、安定な出力電圧Voを提供する。   In addition, the embodiment of FIG. 1 cancels the influence of common mode noise applied in the same phase to the anode of the photodiode PD and the cathode of the photodiode PD, and provides a stable output voltage Vo.

さらに、図1の実施例は、図4の従来例の基準電圧V4が不要であると共に、配線が簡便となる。   Further, the embodiment of FIG. 1 does not require the reference voltage V4 of the conventional example of FIG. 4, and the wiring becomes simple.

図2は、本発明の他の実施例を示す構成図である。
図2の実施例の特徴は、第1抵抗である抵抗R21と、基準電圧V1と、第1OPアンプであるOPアンプU21と、第2抵抗である抵抗R22と、第2OPアンプであるOPアンプU22と、第3抵抗である抵抗R4と、差動アンプU23との構成にある。
FIG. 2 is a block diagram showing another embodiment of the present invention.
2 is characterized by a resistor R21 as a first resistor, a reference voltage V1, an OP amplifier U21 as a first OP amplifier, a resistor R22 as a second resistor, and an OP amplifier U22 as a second OP amplifier. And a resistor R4, which is a third resistor, and a differential amplifier U23.

同図において、OPアンプU21の反転入力は、フォトダイオードPDのカソードと抵抗R21の一端とに接続する。また、OPアンプU21の非反転入力は、基準電圧V1に接続する。さらに、OPアンプU21の出力は抵抗R21の他端に接続する。   In the figure, the inverting input of the OP amplifier U21 is connected to the cathode of the photodiode PD and one end of the resistor R21. The non-inverting input of the OP amplifier U21 is connected to the reference voltage V1. Further, the output of the OP amplifier U21 is connected to the other end of the resistor R21.

また、OPアンプU22の反転入力は、フォトダイオードPDのアノードと抵抗R22の一端とに接続する。さらに、OPアンプU22の非反転入力は、共通電位COMに接続する。また、OPアンプU22の出力は抵抗R22の他端に接続する。   The inverting input of the OP amplifier U22 is connected to the anode of the photodiode PD and one end of the resistor R22. Further, the non-inverting input of the OP amplifier U22 is connected to the common potential COM. The output of the OP amplifier U22 is connected to the other end of the resistor R22.

さらに、差動アンプU23の反転入力は、抵抗R3を介して、OPアンプU22の出力に接続する。また、差動アンプU23の反転入力は、抵抗R4の一端に接続する。さらに、差動アンプU23の非反転入力は、抵抗R1を介して、OPアンプU21の出力に接続する。さらにまた、差動アンプU23の出力は、抵抗R4の他端と出力電圧Voとに接続する。   Further, the inverting input of the differential amplifier U23 is connected to the output of the OP amplifier U22 via the resistor R3. The inverting input of the differential amplifier U23 is connected to one end of the resistor R4. Further, the non-inverting input of the differential amplifier U23 is connected to the output of the OP amplifier U21 via the resistor R1. Furthermore, the output of the differential amplifier U23 is connected to the other end of the resistor R4 and the output voltage Vo.

このような差動アンプU23、抵抗R1、抵抗R2、抵抗R3、抵抗R4は差動増幅器を形成する。   Such differential amplifier U23, resistor R1, resistor R2, resistor R3, and resistor R4 form a differential amplifier.

また、基準電圧V2と差動アンプU23の非反転入力との間に抵抗R2を接続する。   A resistor R2 is connected between the reference voltage V2 and the non-inverting input of the differential amplifier U23.

さらに、基準電圧V2は、特に、抵抗R1の抵抗値をR1、抵抗R2の抵抗値をR2として、以下の式(7)を満足するように形成する。このような場合、基準電圧V1の変動と基準電圧V2の変動とは追従する。
V2=V1・R2/R1 (7)
Further, the reference voltage V2 is formed so as to satisfy the following expression (7), particularly assuming that the resistance value of the resistor R1 is R1 and the resistance value of the resistor R2 is R2. In such a case, the fluctuation of the reference voltage V1 and the fluctuation of the reference voltage V2 follow.
V2 = V1 / R2 / R1 (7)

さらに、特に、抵抗R3の抵抗値をR3、抵抗R4の抵抗値をR4とし、以下の式(8)を満足するように図2の実施例を形成する。
R2/R1=R4/R3 (8)
Furthermore, in particular, the embodiment of FIG. 2 is formed so that the resistance value of the resistor R3 is R3 and the resistance value of the resistor R4 is R4, and the following equation (8) is satisfied.
R2 / R1 = R4 / R3 (8)

また、フォトダイオードPDのカソードとOPアンプU21の反転入力と抵抗R21の一端との接続点の電圧を電圧Vcとし、OPアンプU21の出力と抵抗21の他端と抵抗R1との接続点の電圧を電圧Vdとする。なお、OPアンプU21の作用により、電圧Vcは基準電圧V1となる。   The voltage at the connection point between the cathode of the photodiode PD, the inverting input of the OP amplifier U21, and one end of the resistor R21 is a voltage Vc, and the voltage at the connection point between the output of the OP amplifier U21, the other end of the resistor 21 and the resistor R1. Is a voltage Vd. The voltage Vc becomes the reference voltage V1 due to the operation of the OP amplifier U21.

さらに、フォトダイオードPDのアノードとOPアンプU22の反転入力と抵抗R22の一端との接続点の電圧を電圧Veとし、OPアンプU22の出力と抵抗R22の他端と抵抗R3との接続点の電圧を電圧Vfとする。なお、OPアンプU22の作用により、電圧Veは共通電位COMとなる。   Further, the voltage at the connection point between the anode of the photodiode PD, the inverting input of the OP amplifier U22, and one end of the resistor R22 is defined as the voltage Ve, and the voltage at the connection point between the output of the OP amplifier U22, the other end of the resistor R22, and the resistor R3. Is a voltage Vf. Note that the voltage Ve becomes the common potential COM by the operation of the OP amplifier U22.

このような図2の実施例の動作を説明する。
フォトダイオードPDには、電圧Vc及び電圧Veにより、逆方向の電圧が印加される。
The operation of the embodiment of FIG. 2 will be described.
A reverse voltage is applied to the photodiode PD by the voltage Vc and the voltage Ve.

また、フォトダイオードPDの受光に基づき、フォトダイオードPDの電流Iが生じる。そして、特に、抵抗R21の抵抗値をRとし、抵抗R22の抵抗値をRとすれば、電圧Vdと電圧Vfとはそれぞれ式(9)及び式(10)を満足する。
Ve=V1+I・R (9)
Vf=−I・R (10)
Further, a current I of the photodiode PD is generated based on light reception by the photodiode PD. In particular, when the resistance value of the resistor R21 is R and the resistance value of the resistor R22 is R, the voltage Vd and the voltage Vf satisfy Expressions (9) and (10), respectively.
Ve = V1 + IR (9)
Vf = −I · R (10)

そして、式(7)及び式(8)を満足するとき、出力電圧Voは、式(9)及び式(10)の関係より、以下の式(11)を満足する。
Vo=2・I・R・R2/R1 (11)
When the expressions (7) and (8) are satisfied, the output voltage Vo satisfies the following expression (11) from the relationship between the expressions (9) and (10).
Vo = 2 · I · R · R2 / R1 (11)

即ち、図2の実施例の出力電圧Voは、図1の実施例の出力電圧Voと同様に、図4の従来例における出力電圧Vo’の2倍に相当する値となる。   That is, the output voltage Vo in the embodiment of FIG. 2 is a value corresponding to twice the output voltage Vo ′ in the conventional example of FIG. 4, similarly to the output voltage Vo of the embodiment of FIG. 1.

さらに、基準電圧V1と基準電圧V2とは補償し合う関係となり、出力電圧Voは、フォトダイオードPDの電流Iに比例する。即ち、基準電圧V2は、抵抗R2を介して、基準電圧V1を補償する電圧を差動アンプU23の非反転入力に印加する。   Further, the reference voltage V1 and the reference voltage V2 have a compensating relationship, and the output voltage Vo is proportional to the current I of the photodiode PD. That is, the reference voltage V2 applies a voltage for compensating the reference voltage V1 to the non-inverting input of the differential amplifier U23 via the resistor R2.

また、特に、フォトダイオードPDが受光していないとき、フォトダイオードPDの電流Iはゼロとなり、電圧Vdは基準電圧V1となり、電圧Vfは共通電位COMとなり、出力電圧Voはゼロとなる。   In particular, when the photodiode PD is not receiving light, the current I of the photodiode PD becomes zero, the voltage Vd becomes the reference voltage V1, the voltage Vf becomes the common potential COM, and the output voltage Vo becomes zero.

このようにして、図2の実施例は、図1の実施例と同様に、フォトダイオードPDのアノードに生ずる信号とフォトダイオードPDのカソードに生ずる信号との差に基づく出力電圧Voを生成する。   In this manner, the embodiment of FIG. 2 generates the output voltage Vo based on the difference between the signal generated at the anode of the photodiode PD and the signal generated at the cathode of the photodiode PD, as in the embodiment of FIG.

さらに、図2の実施例の信号対ノイズ比S/Nは、図1の実施例の信号対ノイズ比S/Nと同様に、図4の従来例の信号対ノイズ比S/N’と比較して、約3dB改善する。   Further, the signal-to-noise ratio S / N of the embodiment of FIG. 2 is compared with the signal-to-noise ratio S / N ′ of the conventional example of FIG. 4 in the same manner as the signal-to-noise ratio S / N of the embodiment of FIG. About 3 dB.

また、図2の実施例は、図1の実施例と同様に、フォトダイオードPDのアノードとフォトダイオードPDのカソードとに対して同位相で印加されるコモンモードノイズの影響をキャンセルし、安定な出力電圧Voを提供する。   Further, like the embodiment of FIG. 1, the embodiment of FIG. 2 cancels the influence of common mode noise applied in the same phase to the anode of the photodiode PD and the cathode of the photodiode PD, and is stable. An output voltage Vo is provided.

そして、フォトダイオードPDのアノードの配線とフォトダイオードPDのカソードの配線とをノイズ(装置)に対して対称に形成すると、配線が長い場合または配線に静電シールドが施されていない場合であっても、図2の実施例の出力電圧Voは安定となる。
また、静電シールドを有しない図2の実施例は、低コストとなり、良好な広帯域の特性が得られる。
If the anode wiring of the photodiode PD and the cathode wiring of the photodiode PD are formed symmetrically with respect to noise (device), the wiring is long or the wiring is not electrostatically shielded. However, the output voltage Vo in the embodiment of FIG. 2 is stable.
In addition, the embodiment of FIG. 2 that does not have an electrostatic shield is low in cost and can provide good broadband characteristics.

さらに、図2の実施例は、図5の従来例の基準電圧V5、抵抗R32、抵抗R33が不要でとなると共に、配線が簡便となる。   Further, the embodiment of FIG. 2 does not require the reference voltage V5, the resistor R32, and the resistor R33 of the conventional example of FIG. 5, and the wiring becomes simple.

また、図2の実施例は、フォトダイオードPDに逆方向の電圧が印加されるため、フォトダイオードPDの端子間のインピーダンスが低減し、広帯域の特性となる。   In the embodiment of FIG. 2, since a reverse voltage is applied to the photodiode PD, the impedance between the terminals of the photodiode PD is reduced, and the characteristics of the wide band are obtained.

図3は、本発明の他の実施例を示す構成図である。なお、図2の実施例と同一の要素には同一符号を付し、説明を省略する。   FIG. 3 is a block diagram showing another embodiment of the present invention. The same elements as those in the embodiment of FIG.

図3の実施例の特徴は、コンデンサCと、基準電圧V3と、電流制限回路11と、スイッチSWと、第1OPアンプであるOPアンプU21と、差動アンプU23と、出力電圧格納手段12との構成にある。   3 is characterized by a capacitor C, a reference voltage V3, a current limiting circuit 11, a switch SW, an OP amplifier U21 which is a first OP amplifier, a differential amplifier U23, and an output voltage storage means 12. It is in the configuration.

同図において、コンデンサCの一端は、フォトダイオードPDのカソードに接続する。さらに、OPアンプU21の反転入力は、コンデンサCの他端と抵抗21の一端とに接続する。   In the figure, one end of a capacitor C is connected to the cathode of a photodiode PD. Further, the inverting input of the OP amplifier U21 is connected to the other end of the capacitor C and one end of the resistor 21.

また、電流制限回路11の一端は、スイッチSWを介して、基準電圧V3に接続し、電流制限回路11の他端は、フォトダイオードPDのカソードとコンデンサCの一端との接続点に接続する。   One end of the current limiting circuit 11 is connected to the reference voltage V3 via the switch SW, and the other end of the current limiting circuit 11 is connected to a connection point between the cathode of the photodiode PD and one end of the capacitor C.

さらに、スイッチSWの一端は基準電圧V3に接続し、スイッチSWの他端は、電流制限回路11を介して、フォトダイオードPDのカソードとコンデンサCの一端との接続点に接続する。即ち、スイッチSWは、基準電圧V3と電流制限回路11とに直列に接続する。また、スイッチSWは、タイミング制御信号Vtに基づきオンオフを繰り返す。   Further, one end of the switch SW is connected to the reference voltage V3, and the other end of the switch SW is connected to a connection point between the cathode of the photodiode PD and one end of the capacitor C through the current limiting circuit 11. That is, the switch SW is connected in series with the reference voltage V3 and the current limiting circuit 11. The switch SW is repeatedly turned on and off based on the timing control signal Vt.

また、OPアンプU21の非反転入力は、共通電位COMに接続する。
さらに、共通電位COMと、差動アンプU23の非反転入力と抵抗R1との接続点との間に抵抗R2を接続する。
The non-inverting input of the OP amplifier U21 is connected to the common potential COM.
Further, the resistor R2 is connected between the common potential COM and the connection point between the non-inverting input of the differential amplifier U23 and the resistor R1.

よって、図3の実施例における抵抗R21と、OPアンプU21と、抵抗R22と、OPアンプU22と、抵抗R4と、差動アンプU23との構成は、図2の実施例における抵抗R21と、OPアンプU21と、抵抗R22と、OPアンプU22と、抵抗R4と、差動アンプU23との構成と実質的に等価となる。   Therefore, the configuration of the resistor R21, the OP amplifier U21, the resistor R22, the OP amplifier U22, the resistor R4, and the differential amplifier U23 in the embodiment of FIG. The configuration is substantially equivalent to the configuration of the amplifier U21, the resistor R22, the OP amplifier U22, the resistor R4, and the differential amplifier U23.

また、出力電圧格納手段12は、出力電圧Voに接続する。さらにまた、出力電圧格納手段12はタイミング制御信号Vtに基づき出力電圧Voを格納する。   The output voltage storage means 12 is connected to the output voltage Vo. Furthermore, the output voltage storage means 12 stores the output voltage Vo based on the timing control signal Vt.

さらに、フォトダイオードPDは、アバランシェフォトダイオードで形成する。
また、コンデンサCの容量は、フォトダイオードPDに印加される電圧(Vg−Vj)の変化が無視できる大きさにする。
Further, the photodiode PD is formed of an avalanche photodiode.
Further, the capacitance of the capacitor C is set such that the change of the voltage (Vg−Vj) applied to the photodiode PD can be ignored.

また、フォトダイオードPDのカソードとコンデンサCの一端と電流制限回路11との接続点の電圧を電圧Vgとし、OPアンプU21の反転出力とコンデンサCの他端と抵抗R21との接続点の電圧を電圧Vhとし、OPアンプU21の出力と抵抗R21の他端と抵抗R1との接続点の電圧を電圧Viとする。なお、OPアンプU21の作用により、電圧Vhは共通電位COMとなる。   Further, the voltage at the connection point between the cathode of the photodiode PD, one end of the capacitor C, and the current limiting circuit 11 is defined as a voltage Vg, and the voltage at the connection point between the inverted output of the OP amplifier U21, the other end of the capacitor C, and the resistor R21. Let the voltage Vh be the voltage at the connection point between the output of the OP amplifier U21, the other end of the resistor R21, and the resistor R1. Note that the voltage Vh becomes the common potential COM by the operation of the OP amplifier U21.

さらに、フォトダイオードPDのアノードとOPアンプU22の反転入力と抵抗R22の一端との接続点の電圧を電圧Vjとし、OPアンプU22の出力と抵抗R22の他端と抵抗R3との接続点の電圧を電圧Vkとする。なお、OPアンプU22の作用により、電圧Vjは共通電位COMとなる。   Further, the voltage at the connection point between the anode of the photodiode PD, the inverting input of the OP amplifier U22, and one end of the resistor R22 is defined as the voltage Vj, and the voltage at the connection point between the output of the OP amplifier U22, the other end of the resistor R22, and the resistor R3. Is a voltage Vk. Note that the voltage Vj becomes the common potential COM by the operation of the OP amplifier U22.

このような図3の実施例の動作を説明する。
まず、コンデンサCと電流制限回路11とに基づく時定数よりも長い時間、スイッチがオンするステップを実行する。
The operation of the embodiment of FIG. 3 will be described.
First, the switch is turned on for a time longer than the time constant based on the capacitor C and the current limiting circuit 11.

このとき、基準電圧V3からコンデンサCへ電流が流れ、コンデンサCは充電される。電流制限回路11は、基準電圧V3からコンデンサCへ電流を制限し、各素子を保護する。   At this time, a current flows from the reference voltage V3 to the capacitor C, and the capacitor C is charged. The current limiting circuit 11 limits the current from the reference voltage V3 to the capacitor C and protects each element.

そして、電圧Vgは上昇し、電圧Vgと基準電圧V3とはほぼ等しくなる。   Then, the voltage Vg rises, and the voltage Vg and the reference voltage V3 are almost equal.

次に、スイッチをオフとし、出力電圧格納手段12が出力電圧Voを格納するステップを実行する。   Next, the switch is turned off, and the step of storing the output voltage Vo by the output voltage storage means 12 is executed.

このとき、図3の実施例は、図2の実施例と同様に、フォトダイオードPDのアノードに生ずる信号とフォトダイオードPDのカソードに生ずる信号との差に基づく出力電圧Voを生ずる。   At this time, like the embodiment of FIG. 2, the embodiment of FIG. 3 generates an output voltage Vo based on the difference between the signal generated at the anode of the photodiode PD and the signal generated at the cathode of the photodiode PD.

以上のステップを繰り返す。そして、コンデンサCは電圧(Vg−Vj)を保持し、出力電圧格納手段12は出力電圧Voを保持する。また、フォトダイオードPDには、逆方向の安定した電圧が印加される。   Repeat the above steps. The capacitor C holds the voltage (Vg−Vj), and the output voltage storage means 12 holds the output voltage Vo. A stable voltage in the reverse direction is applied to the photodiode PD.

したがって、図3の実施例は、フォトダイオードPDに逆方向の電圧を印加すると共に、フォトダイオードPDのアノードに生ずる信号とフォトダイオードPDのカソードに生ずる信号との差に基づく出力電圧Voを生成する。   3 applies a reverse voltage to the photodiode PD and generates an output voltage Vo based on the difference between the signal generated at the anode of the photodiode PD and the signal generated at the cathode of the photodiode PD. .

さらに、図3の実施例の信号対ノイズ比S/Nは、図2の実施例の信号対ノイズ比S/Nと同様に、図4の従来例の信号対ノイズ比S/N’と比較して、約3dB改善する。   Further, the signal-to-noise ratio S / N of the embodiment of FIG. 3 is compared with the signal-to-noise ratio S / N ′ of the conventional example of FIG. 4 in the same manner as the signal-to-noise ratio S / N of the embodiment of FIG. About 3 dB.

また、図3の実施例は、図2の実施例と同様に、フォトダイオードPDのアノードとフォトダイオードPDのカソードとに対して同位相で印加されるコモンモードノイズの影響をキャンセルし、安定な出力電圧Voを提供する。   Further, like the embodiment of FIG. 2, the embodiment of FIG. 3 cancels the influence of the common mode noise applied in the same phase to the anode of the photodiode PD and the cathode of the photodiode PD, and is stable. An output voltage Vo is provided.

また、例えば、基準電圧V3を100Vとすれば、フォトダイオードPDには100Vの電圧が印加される。なお、OPアンプU21及びOPアンプU22には、このような過大な電圧は発生しない。   For example, if the reference voltage V3 is 100V, a voltage of 100V is applied to the photodiode PD. Note that such an excessive voltage is not generated in the OP amplifier U21 and the OP amplifier U22.

このようなことから、図3の実施例は、簡便にフォトダイオードPDに高い逆方向の電圧を印加することができる。したがって、図3の実施例は、フォトダイオードPDをアバランシェフォトダイオードで形成する回路に好適である。   For this reason, the embodiment shown in FIG. 3 can easily apply a high reverse voltage to the photodiode PD. Therefore, the embodiment of FIG. 3 is suitable for a circuit in which the photodiode PD is formed of an avalanche photodiode.

さらに、前述の例は、差動アンプU23を有する差動増幅器をアナログ回路で形成したが、これとは別に、差動増幅器をデジタル回路で形成し、演算をデジタルで実行するように形成しても、同様の作用及び効果を得ることができる。   Further, in the above-described example, the differential amplifier having the differential amplifier U23 is formed by an analog circuit. However, separately from this, the differential amplifier is formed by a digital circuit and the operation is performed digitally. Also, similar actions and effects can be obtained.

以上のように、本発明は、前述の例に限定されることなく、その本質を逸脱しない範囲で更に多くの変更及び変形を含むものである。   As described above, the present invention is not limited to the above-described examples, and includes many changes and modifications without departing from the essence thereof.

本発明の一実施例を示す構成図である。It is a block diagram which shows one Example of this invention. 本発明の他の実施例を示す構成図である。It is a block diagram which shows the other Example of this invention. 本発明の他の実施例を示す構成図である。It is a block diagram which shows the other Example of this invention. 従来のフォトダイオード受光回路を示す構成図である。It is a block diagram which shows the conventional photodiode light-receiving circuit. 従来の他のフォトダイオード受光回路を示す構成図である。It is a block diagram which shows the other conventional photodiode light-receiving circuit.

符号の説明Explanation of symbols

PD フォトダイオード
R11,R12,R21,R22,R1,R2,R3,R4 抵抗
U10 電流/電圧変換アンプ
U23 差動アンプ
U21,U22 OPアンプ
C コンデンサ
SW スイッチ
11 電流制限回路
12 出力電圧格納手段
Vo 出力電圧
V1,V2,V3,V4 基準電圧
Vt タイミング制御信号
I フォトダイオードPDの電流
COM 共通電位
PD photodiode R11, R12, R21, R22, R1, R2, R3, R4 Resistor U10 Current / voltage conversion amplifier U23 Differential amplifier U21, U22 OP amplifier C Capacitor SW switch 11 Current limiting circuit 12 Output voltage storage means Vo Output voltage V1, V2, V3, V4 Reference voltage Vt Timing control signal I Current of photodiode PD COM Common potential

Claims (5)

フォトダイオードのアノードに生ずる信号と前記フォトダイオードのカソードに生ずる信号との差に基づく出力電圧を生成するフォトダイオード受光回路において、
反転入力に前記カソードと第1抵抗の一端とを接続し、非反転入力に前記アノードを接続し、出力に前記第1抵抗の他端と前記出力電圧とを接続する電流/電圧変換アンプと、
一端に前記非反転入力を接続し、他端に共通電位を接続する第2抵抗と
を備えることを特徴とするフォトダイオード受光回路。
In a photodiode light receiving circuit that generates an output voltage based on a difference between a signal generated at an anode of a photodiode and a signal generated at a cathode of the photodiode,
A current / voltage conversion amplifier that connects the cathode and one end of a first resistor to an inverting input, connects the anode to a non-inverting input, and connects the other end of the first resistor and the output voltage to an output;
A photodiode light receiving circuit comprising: a second resistor connected to the non-inverting input at one end and a common potential connected to the other end.
フォトダイオードのアノードに生ずる信号と前記フォトダイオードのカソードに生ずる信号との差に基づく出力電圧を生成するフォトダイオード受光回路において、
反転入力に前記カソードと第1抵抗の一端とを接続し、非反転入力に基準電圧を接続し、出力に前記第1抵抗の他端を接続する第1OPアンプと、
反転入力に前記アノードと第2抵抗の一端とを接続し、非反転入力に共通電位を接続し、出力に前記第2抵抗の他端を接続する第2OPアンプと、
反転入力に抵抗を介して前記第2OPアンプの出力を接続すると共に第3抵抗の一端を接続し、非反転入力に抵抗を介して前記第1OPアンプの出力を接続し、出力に前記第3抵抗の他端と前記出力電圧とを接続する差動アンプと
を備えることを特徴とするフォトダイオード受光回路。
In a photodiode light receiving circuit that generates an output voltage based on a difference between a signal generated at an anode of a photodiode and a signal generated at a cathode of the photodiode,
A first OP amplifier that connects the cathode and one end of a first resistor to an inverting input, connects a reference voltage to a non-inverting input, and connects the other end of the first resistor to an output;
A second OP amplifier that connects the anode and one end of a second resistor to an inverting input, connects a common potential to a non-inverting input, and connects the other end of the second resistor to an output;
The output of the second OP amplifier is connected to the inverting input via a resistor and one end of a third resistor is connected to the non-inverting input, the output of the first OP amplifier is connected to the non-inverting input via a resistor, and the third resistor is connected to the output. And a differential amplifier for connecting the other end of the output voltage to the output voltage.
フォトダイオードのアノードに生ずる信号と前記フォトダイオードのカソードに生ずる信号との差に基づく出力電圧を生成するフォトダイオード受光回路において、
一端に前記カソードを接続するコンデンサと、
反転入力に前記コンデンサの他端と第1抵抗の一端とを接続し、非反転入力に共通電位を接続し、出力に前記第1抵抗の他端を接続する第1OPアンプと、
反転入力に前記アノードと第2抵抗の一端とを接続し、非反転入力に共通電位を接続し、出力に前記第2抵抗の他端を接続する第2OPアンプと、
反転入力に抵抗を介して前記第2OPアンプの出力を接続すると共に第3抵抗の一端を接続し、非反転入力に抵抗を介して前記第1OPアンプの出力を接続し、出力に前記第3抵抗の他端と前記出力電圧とを接続する差動アンプと、
基準電圧から前記カソードと前記コンデンサの一端との接続点への電流を制限する電流制限回路と、
前記基準電圧と前記電流制限回路とに直列に接続し、前記コンデンサと前記電流制限回路との時定数よりも長い時間オンするスイッチと、
前記スイッチがオフのときに、前記出力電圧を格納する出力電圧格納手段と
を備えることを特徴とするフォトダイオード受光回路。
In a photodiode light receiving circuit that generates an output voltage based on a difference between a signal generated at an anode of a photodiode and a signal generated at a cathode of the photodiode,
A capacitor connecting the cathode to one end;
A first OP amplifier connecting the other end of the capacitor and one end of the first resistor to the inverting input, connecting a common potential to the non-inverting input, and connecting the other end of the first resistor to the output;
A second OP amplifier that connects the anode and one end of a second resistor to an inverting input, connects a common potential to a non-inverting input, and connects the other end of the second resistor to an output;
The output of the second OP amplifier is connected to the inverting input via a resistor and one end of a third resistor is connected to the non-inverting input, the output of the first OP amplifier is connected to the non-inverting input via a resistor, and the third resistor is connected to the output. A differential amplifier for connecting the other end of the output voltage and the output voltage;
A current limiting circuit for limiting a current from a reference voltage to a connection point between the cathode and one end of the capacitor;
A switch that is connected in series to the reference voltage and the current limiting circuit, and is turned on for a time longer than the time constant of the capacitor and the current limiting circuit;
A photodiode light receiving circuit comprising: output voltage storing means for storing the output voltage when the switch is off.
前記フォトダイオードは、アバランシェフォトダイオードで形成することを特徴とする請求項2または請求項3の何れかに記載のフォトダイオード受光回路。   4. The photodiode light receiving circuit according to claim 2, wherein the photodiode is formed of an avalanche photodiode. 前記差動アンプの非反転入力に前記基準電圧を補償する電圧を印加することを特徴とする請求項2記載のフォトダイオード受光回路。
3. The photodiode light receiving circuit according to claim 2, wherein a voltage for compensating the reference voltage is applied to a non-inverting input of the differential amplifier.
JP2004019240A 2004-01-28 2004-01-28 Photodiode light receiving circuit Pending JP2005216984A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004019240A JP2005216984A (en) 2004-01-28 2004-01-28 Photodiode light receiving circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004019240A JP2005216984A (en) 2004-01-28 2004-01-28 Photodiode light receiving circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005216984A true JP2005216984A (en) 2005-08-11

Family

ID=34903511

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004019240A Pending JP2005216984A (en) 2004-01-28 2004-01-28 Photodiode light receiving circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005216984A (en)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010025557A (en) * 2008-07-15 2010-02-04 Hioki Ee Corp Resistance measuring device
JP2010096652A (en) * 2008-10-17 2010-04-30 Hioki Ee Corp Resistance measuring device
JP2010107264A (en) * 2008-10-29 2010-05-13 Hioki Ee Corp Resistance measuring apparatus
US7807956B2 (en) 2007-10-18 2010-10-05 Rohm Co., Ltd. Current detection circuit
US7880126B2 (en) 2005-10-11 2011-02-01 Rohm Co., Ltd. Current detection circuit, light receiving device using the same, and electronic device
JP2012049955A (en) * 2010-08-30 2012-03-08 Hioki Ee Corp Current/voltage conversion circuit and current detector
US8134106B2 (en) 2005-10-11 2012-03-13 Rohm Co., Ltd. Current detection circuit
JP2013051714A (en) * 2012-10-19 2013-03-14 Omron Corp Photoelectric sensor, light reception unit for photoelectric sensor, and light projection unit for photoelectric sensor
JP2014078794A (en) * 2012-10-09 2014-05-01 Fujitsu Ltd Optical receiving circuit and optical receiving device
US8914249B2 (en) 2008-06-30 2014-12-16 Hioki Denki Kabushiki Kaisha Resistance measuring apparatus
JP2018503815A (en) * 2014-12-23 2018-02-08 アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッドAdvanced Energy Industries, Inc. Fully differential amplification for high temperature measurements
WO2019102684A1 (en) 2017-11-24 2019-05-31 浜松ホトニクス株式会社 Optical detection circuit
KR20210157719A (en) * 2020-06-22 2021-12-29 한국원자력연구원 Apparatus and method for laser energy measurement in laser amplifier system of high energy

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7880126B2 (en) 2005-10-11 2011-02-01 Rohm Co., Ltd. Current detection circuit, light receiving device using the same, and electronic device
US8134106B2 (en) 2005-10-11 2012-03-13 Rohm Co., Ltd. Current detection circuit
US7807956B2 (en) 2007-10-18 2010-10-05 Rohm Co., Ltd. Current detection circuit
US8914249B2 (en) 2008-06-30 2014-12-16 Hioki Denki Kabushiki Kaisha Resistance measuring apparatus
JP2010025557A (en) * 2008-07-15 2010-02-04 Hioki Ee Corp Resistance measuring device
JP2010096652A (en) * 2008-10-17 2010-04-30 Hioki Ee Corp Resistance measuring device
JP2010107264A (en) * 2008-10-29 2010-05-13 Hioki Ee Corp Resistance measuring apparatus
JP2012049955A (en) * 2010-08-30 2012-03-08 Hioki Ee Corp Current/voltage conversion circuit and current detector
JP2014078794A (en) * 2012-10-09 2014-05-01 Fujitsu Ltd Optical receiving circuit and optical receiving device
JP2013051714A (en) * 2012-10-19 2013-03-14 Omron Corp Photoelectric sensor, light reception unit for photoelectric sensor, and light projection unit for photoelectric sensor
JP2018503815A (en) * 2014-12-23 2018-02-08 アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッドAdvanced Energy Industries, Inc. Fully differential amplification for high temperature measurements
US10139285B2 (en) 2014-12-23 2018-11-27 Advanced Energy Industries, Inc. Fully-differential amplification for pyrometry
WO2019102684A1 (en) 2017-11-24 2019-05-31 浜松ホトニクス株式会社 Optical detection circuit
KR20200087175A (en) 2017-11-24 2020-07-20 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 Light detection circuit
US11118970B2 (en) 2017-11-24 2021-09-14 Hamamatsu Photonics K.K. Optical detection circuit comprising an optical detector to generate voltage between an anode and a cathode due to photoelectromotive force generated in accordance with incident light quantity
KR20210157719A (en) * 2020-06-22 2021-12-29 한국원자력연구원 Apparatus and method for laser energy measurement in laser amplifier system of high energy
KR102376455B1 (en) * 2020-06-22 2022-03-18 한국원자력연구원 Apparatus and method for laser energy measurement in laser amplifier system of high energy

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005216984A (en) Photodiode light receiving circuit
US9267818B2 (en) Magnetic sensor device
JP2017076942A (en) Chopper stabilization amplifier
JP2006174122A (en) Output amplifier circuit, and sensor device using the same
TW201814323A (en) Proximity sensor
WO2010131640A1 (en) Electrostatic capacitance detection circuit
US7488927B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
JP2012105197A (en) Photoelectric conversion circuit
CN105937916B (en) Comparison circuit and sensor device
US20180331667A1 (en) Switched capacitor amplifier circuit, voltage amplification method, and infrared sensor device
US9806703B2 (en) Single-ended to differential conversion circuit and signal processing module
US7288754B2 (en) Optical receiver
JPH08327677A (en) Detection circuit and detection method for capacitive sensor
US7795958B2 (en) Minimizing changes in common mode voltage at inputs of an operational amplifier used in a switched capacitor differential amplifier
JP2008249351A (en) Temperature measuring circuit
JP3673705B2 (en) Current-voltage converter and printer using the same
JP2006319427A (en) Optical receiver
JP4286101B2 (en) Offset suppression circuit for photodetector
JP2009213007A (en) Optional waveform generating apparatus
KR101660403B1 (en) Correlation double sampling circuit
JP5538465B2 (en) Sample and hold circuit
CN110987197B (en) Signal processing device and method
US20240097632A1 (en) Integrated circuit and semiconductor device
US20240019301A1 (en) Optical sensing arrangement, ambient light sensor and method for providing an output count
JP2006304249A (en) Optical receiver and measuring method of incident light signal strength