JP2005216551A - Micro relay - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a durable micro relay without causing concentration of stress even it is made compact and to realize desired contact pressure by improving degree of freedom of designing condition of a pressure spring. <P>SOLUTION: The armature 30 contacts and separates a movable contact to/from a stationary contact 14 by doing seesaw action by magnetic force working between the armature 30 and the electromagnetic device 2. The armature 30 is equipped with a moving board 30a consisting of semiconductor material continuously and integrally formed with a frame 31 which is fixed to a case A and an armature plate 30b, consisting of magnetic material for making magnetic force work in between the electromagnetic device 2 and it. In the moving board 30a, a moving contact table 34 with the movable contact is continuously and integrally connected via a pressure spring 35. In a middle part of the pressure spring 35, a meandering part 35a for extending the pressure spring 35 is formed. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、少なくとも一部の構成要素が半導体微細加工技術を用いて形成されるマイクロリレーに関するものである。   The present invention relates to a microrelay in which at least some components are formed using a semiconductor microfabrication technique.

従来から、小型のリレーとして、構成要素のうちの少なくとも一部を半導体微細加工技術により形成するマイクロリレーが提案されている。マイクロリレーでは、接点装置を開閉させる駆動力に、クーロン力を用いる静電駆動型のもののほか、電磁石装置を備え磁力を用いる電磁駆動型のものが知られている。電磁駆動型のマイクロリレーは、静電駆動型に比較すると同体積で大きな駆動力が得られる特長がある(たとえば、特許文献1参照)。   Conventionally, as a small relay, a micro relay in which at least a part of components is formed by a semiconductor micromachining technique has been proposed. As the micro relay, in addition to an electrostatic driving type using a Coulomb force as a driving force for opening and closing a contact device, an electromagnetic driving type using an electromagnetic device and a magnetic force is known. The electromagnetically driven microrelay has a feature that a large driving force can be obtained with the same volume as compared with the electrostatically driven type (see, for example, Patent Document 1).

上述したように、電磁駆動型のマイクロリレーは、静電駆動型のマイクロリレーに比較すると、同体積で大きな駆動力が得られるものであるから、大きな接点圧を得ることができ耐衝撃性を比較的高くすることができる。また、アマチュアのストロークを大きくとることができるから、接点装置の開極時において可動接点と固定接点との距離を大きくすることができ、開極時における信号漏洩を低減して高周波特性を比較的高くすることができる。   As described above, electromagnetically driven microrelays can provide a large driving force with the same volume compared to electrostatically driven microrelays, so that a large contact pressure can be obtained and impact resistance can be improved. Can be relatively high. In addition, since the armature stroke can be increased, the distance between the movable contact and the stationary contact can be increased when the contact device is opened, and signal leakage during opening is reduced, resulting in relatively high frequency characteristics. Can be high.

しかしながら、上述した特許文献1に記載のマイクロリレーは、電磁石装置との間で磁力を作用させる接極子板と可動接点とをともにアマチュアの可動片に設けているものであるから、可動接点の固定接点に対する接触圧を調節する要素がないという問題を有している。これに対して、本件出願人は、アマチュアに対して接圧ばねを介して可動接点を保持したマイクロリレーを先の出願(特願2003−284187号)において提案した。
特開平5−114347号公報
However, since the microrelay described in Patent Document 1 described above is provided with both the armature plate that causes a magnetic force to act between the electromagnet device and the movable contact on the movable piece of the amateur, the movable contact is fixed. There is a problem that there is no element for adjusting the contact pressure to the contact. On the other hand, the present applicant has proposed a micro relay in which a movable contact is held via a contact pressure spring for an amateur in a previous application (Japanese Patent Application No. 2003-284187).
Japanese Patent Laid-Open No. 5-114347

ところで、上述したマイクロリレーでは、接圧ばねを設けているとはいうものの接圧ばねの形状がJ字状ないしコ字状であって、接圧ばねの設計条件の自由度が少ないものである。また、上述したマイクロリレーでは接圧ばねをシリコン基板のような半導体基板により形成しているから、微細加工が可能であって小型化が可能である反面、小型化すると応力の集中によって破損しやすくなるという問題がある。したがって、小型化しても応力が集中せず耐久性に優れたマイクロリレーが要求されている。   By the way, in the micro relay described above, although the contact pressure spring is provided, the shape of the contact pressure spring is J-shaped or U-shaped, and the degree of freedom in design conditions of the contact pressure spring is small. . In the above-described micro relay, the contact pressure spring is formed of a semiconductor substrate such as a silicon substrate, so that it can be finely processed and can be downsized. There is a problem of becoming. Therefore, there is a demand for a microrelay having excellent durability without stress concentration even if it is downsized.

本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、接圧ばねの設計条件の自由度を高めて所望の接点圧が得られるようにし、しかも小型化しても応力が集中することなく耐久性に優れたマイクロリレーを提供することにある。   The present invention has been made in view of the above reasons, and its purpose is to increase the degree of freedom of the design conditions of the contact pressure spring so that a desired contact pressure can be obtained, and stress is concentrated even if the size is reduced. An object of the present invention is to provide a micro relay having excellent durability.

本発明は、コイルを巻装したヨークを備えケースに収納される電磁石装置と、ケースに固定される枠状のフレームを有するとともにフレームと一体であってフレームの内側に配置され電磁石装置との間に作用する磁力により規定の支点の回りでシーソ動作するアマチュアを有したアマチュアブロックと、ケースの定位置に設けた固定接点とアマチュアの端部の移動により固定接点に離接する可動接点とからなりアマチュアのシーソ動作により開閉する接点装置とを有し、アマチュアは、フレームと連続一体に形成される半導体材料からなる可動基板と、可動基板の厚み方向の少なくとも一面に積層され電磁石装置との間に磁力を作用させる磁性体材料からなる接極子板とを備え、可動接点は接圧ばねを介して可動基板に連続一体に連結された可動接点基台に設けられ、接圧ばねの中間部には接圧ばねを延長する蛇行部が形成されて成ることを特徴とする。   The present invention includes an electromagnet device housed in a case having a yoke around which a coil is wound, and a frame-like frame fixed to the case, and is integrated with the frame and disposed inside the frame. An amateur block that has an armature that seesaws around a specified fulcrum by the magnetic force acting on the arm, a fixed contact that is provided at a fixed position of the case, and a movable contact that is separated from the fixed contact by the movement of the end of the armature The armature has a contact device that opens and closes by a seesaw operation, and the armature has a magnetic force between a movable substrate made of a semiconductor material continuously formed integrally with the frame and an electromagnetic device laminated on at least one surface in the thickness direction of the movable substrate. And a movable contact that is continuously and integrally connected to a movable substrate via a contact pressure spring. It provided dynamic contact base, an intermediate portion of the contact spring, characterized in that formed by forming the meandering section to extend the contact pressure spring.

この構成によれば、フレームと可動基板と接圧ばねと可動接点基台とを半導体基板により形成することができるから、アマチュアブロックを半導体微細加工技術により精度よく作製することができ、また、接圧ばねを設けているから、可動接点と固定接点との接触圧を確保することができる。さらに、接圧ばねの中間部に接圧ばねを延長する蛇行部を設けているから、可動接点と固定接点との接触圧を蛇行部を設けない場合と同じなるように設計した場合に、接圧ばねの各部位の変形量を小さくすることができるから、接圧ばねの延長方向の各部位に作用する応力が軽減される。言い換えると、接圧ばねの延長方向に直交する断面積を大きくすることが可能であって、接圧ばねが破損しにくくなり耐久性が向上する。また、蛇行部を設けていない場合と接圧ばねの延長方向に直交する断面積を同じにする場合には、接圧ばねのばね定数を小さくすることができる。   According to this configuration, since the frame, the movable substrate, the contact pressure spring, and the movable contact base can be formed from the semiconductor substrate, the amateur block can be accurately manufactured by the semiconductor microfabrication technology, and the contact can be made. Since the pressure spring is provided, the contact pressure between the movable contact and the fixed contact can be ensured. Furthermore, since the meandering part that extends the contact pressure spring is provided in the middle part of the contact pressure spring, the contact pressure between the movable contact and the fixed contact is designed to be the same as when no meandering part is provided. Since the deformation amount of each part of the pressure spring can be reduced, the stress acting on each part in the extending direction of the contact pressure spring is reduced. In other words, the cross-sectional area perpendicular to the extending direction of the contact pressure spring can be increased, and the contact pressure spring is less likely to be damaged and durability is improved. Further, when the meandering portion is not provided and when the cross-sectional area orthogonal to the extending direction of the contact pressure spring is the same, the spring constant of the contact pressure spring can be reduced.

本発明の構成によれば、接圧ばねの中間部に接圧ばねを延長する蛇行部を設けているから、可動接点と固定接点との接触圧を蛇行部を設けない場合と同じなるように設計した場合に、接圧ばねの各部位の変形量を小さくすることができるから、接圧ばねの延長方向の各部位に作用する応力が軽減される。すなわち、接圧ばねの延長方向に直交する断面積を大きくすることが可能であって、接圧ばねが破損しにくくなり耐久性が向上するという利点がある。一方、蛇行部を設けていない場合と接圧ばねの延長方向に直交する断面積を同じにする場合には、接圧ばねのばね定数を小さくすることができるという利点がある。このように、接圧ばねに蛇行部を設けたことにより、接圧ばねのばね定数と強度との設計条件の自由度が高くなり、所望の接点圧を確保し、かつ耐久性に優れたマイクロリレーを提供することが可能になる。   According to the configuration of the present invention, since the meandering portion that extends the contact pressure spring is provided in the middle portion of the contact pressure spring, the contact pressure between the movable contact and the fixed contact is the same as when no meandering portion is provided. In the case of designing, since the deformation amount of each part of the contact pressure spring can be reduced, the stress acting on each part in the extending direction of the contact pressure spring is reduced. That is, it is possible to increase the cross-sectional area perpendicular to the extending direction of the contact pressure spring, and there is an advantage that the contact pressure spring is less likely to be damaged and durability is improved. On the other hand, when the meandering portion is not provided and when the cross-sectional area perpendicular to the extending direction of the contact pressure spring is the same, there is an advantage that the spring constant of the contact pressure spring can be reduced. Thus, by providing the meandering portion in the contact pressure spring, the degree of freedom in design conditions of the spring constant and strength of the contact pressure spring is increased, the desired contact pressure is ensured, and the durability is excellent. It becomes possible to provide a relay.

本実施形態のマイクロリレーは、図1に示すように、直方体状のケースAを有し、上方に開放されたコ字状のヨーク20に2個のコイル22を巻装した電磁石装置2と、電磁石装置2との間で作用する磁力によりシーソ動作する矩形板状のアマチュア30を備えたアマチュアブロック3と、ケースAの定位置に設けた固定接点14とアマチュア30の端部に設けた可動接点39とからなりアマチュアのシーソ動作により開閉する接点装置とを備える。   As shown in FIG. 1, the microrelay of the present embodiment has a rectangular parallelepiped case A, and an electromagnet device 2 in which two coils 22 are wound around a U-shaped yoke 20 opened upward; An armature block 3 having a rectangular plate-like armature 30 that performs a seesaw operation by a magnetic force acting with the electromagnet device 2, a fixed contact 14 provided at a fixed position of the case A, and a movable contact provided at an end of the armature 30 And a contact device that opens and closes by an amateur seesaw operation.

ケースAは、矩形板状のベース基板1と、アマチュアブロック3の一部であってアマチュア30の全周を囲む矩形枠状のフレーム31と、フレーム31を介してベース基板1に積層されベース基板1との間にアマチュア30がシーソ動作する空間を形成するカバー4とにより形成される。すなわち、フレーム31はケースAに固定される。また、カバー4はアマチュア30がシーソ動作する空間を確保するために、ベース基板1との対向面の略全面に、図7のような動作用凹所4aを形成してある。ベース基板1およびカバー4はパイレックス(登録商標)のような耐熱ガラスを用いて形成され、アマチュアブロック3は単結晶シリコンからなる半導体基板を用いて形成される。したがって、ベース基板1とフレーム31とカバー4とは互いの対向面にそれぞれ接合用金属薄膜15,38a,38b,42(図1、図5、図7参照)が形成され、接合用金属薄膜15,38a,38b,42を接合させることによって互いに固着される。接合用金属薄膜15,38a,38b,42については後述する。ベース基板1とフレーム31とカバー4とは外周形状が略同寸法の矩形状に形成されており、互いに接合することによって直方体状になる。   The case A includes a rectangular base plate 1, a rectangular frame 31 that is a part of the armature block 3 and surrounds the entire circumference of the amateur 30, and the base substrate 1 stacked on the base substrate 1 via the frame 31. 1 and the cover 4 that forms a space in which the amateur 30 performs a seesaw operation. That is, the frame 31 is fixed to the case A. Further, in order to secure a space for the amateur 30 to perform a seesaw operation, the cover 4 has an operation recess 4a as shown in FIG. The base substrate 1 and the cover 4 are formed using heat-resistant glass such as Pyrex (registered trademark), and the amateur block 3 is formed using a semiconductor substrate made of single crystal silicon. Accordingly, the bonding metal thin films 15, 38a, 38b, and 42 (see FIGS. 1, 5, and 7) are formed on the opposing surfaces of the base substrate 1, the frame 31, and the cover 4, respectively. , 38a, 38b, 42 are bonded together. The bonding metal thin films 15, 38a, 38b, and 42 will be described later. The base substrate 1, the frame 31, and the cover 4 are formed in a rectangular shape having substantially the same outer peripheral shape, and are formed in a rectangular parallelepiped shape by being joined to each other.

ベース基板1は、図3に示すように、平面視が十字状でありベース基板1の厚み方向に貫通する収納孔16を中央部に有し、円形に開口しベース基板1の厚み方向に貫通するスルーホール10を四隅にそれぞれ有している。また、ベース基板1の厚み方向の両面においてスルーホール10の開口周部にはそれぞれ円形のランド12(図2、図3参照)が形成される。1個のスルーホール10についてベース基板1の厚み方向の両面に形成される2個のランド12は、スルーホール10の内周面に被着した導電層を介して電気的に接続される。ベース基板1の厚み方向においてカバー4に対向しない面では、各ランド12にそれぞれバンプ13が固着され、スルーホール10の開口面がバンプ13により閉塞される。ベース基板1の厚み方向においてカバー4に対向する一面の長手方向の両端部では、ベース基板1の幅方向に並ぶ各一対のスルーホール10の間の部位に、ベース基板1の長手方向に延長された各一対の固定接点14が形成される。各ランド12は各固定接点14の長手方向の一端部と導電パターン18を介して接続され、各バンプ13が各固定接点14にそれぞれ一対一に接続される。また、ベース基板1のこの一面ではスルーホール10の開口面がそれぞれランド12を覆うシリコン薄板の蓋板19により閉塞される。つまり、スルーホール10の各開口面は、バンプ13と蓋板19とにより閉塞される。ここに、スルーホール10の内周面に被着した導電層と、ランド12、固定接点14、導電パターン18とを形成する導電性材料は、たとえば、Cu、Cr、Ti、Pt、Co、Ni、Au、もしくはこれらの合金から選択される。バンプ13を形成する導電性材料は、たとえば、Au、Ag、Cu、半田から選択される。   As shown in FIG. 3, the base substrate 1 has a cross shape in plan view, and has a storage hole 16 that penetrates in the thickness direction of the base substrate 1 in the center, opens in a circle, and penetrates in the thickness direction of the base substrate 1. Through holes 10 are provided at the four corners. In addition, circular lands 12 (see FIG. 2 and FIG. 3) are formed on the opening peripheral portions of the through holes 10 on both surfaces in the thickness direction of the base substrate 1. Two lands 12 formed on both surfaces of the base substrate 1 in the thickness direction of one through hole 10 are electrically connected through a conductive layer deposited on the inner peripheral surface of the through hole 10. On the surface that does not face the cover 4 in the thickness direction of the base substrate 1, the bump 13 is fixed to each land 12, and the opening surface of the through hole 10 is blocked by the bump 13. At both ends in the longitudinal direction of one surface facing the cover 4 in the thickness direction of the base substrate 1, it is extended in the longitudinal direction of the base substrate 1 to a portion between each pair of through holes 10 aligned in the width direction of the base substrate 1. Each pair of fixed contacts 14 is formed. Each land 12 is connected to one end in the longitudinal direction of each fixed contact 14 via a conductive pattern 18, and each bump 13 is connected to each fixed contact 14 on a one-to-one basis. Further, on this one surface of the base substrate 1, the opening surface of the through hole 10 is closed by a silicon thin plate cover plate 19 covering the land 12. That is, each opening surface of the through hole 10 is closed by the bump 13 and the cover plate 19. Here, the conductive material forming the conductive layer deposited on the inner peripheral surface of the through hole 10 and the land 12, the fixed contact 14, and the conductive pattern 18 are, for example, Cu, Cr, Ti, Pt, Co, Ni , Au, or an alloy thereof. The conductive material forming the bumps 13 is selected from, for example, Au, Ag, Cu, and solder.

なお、スルーホール10と収納孔16とは、たとえば、サンドブラスト法、エッチング法から選択した方法により形成し、上述の導電層は、たとえば、めっき法、蒸着法、スパッタ法から選択した方法により形成する。   The through hole 10 and the storage hole 16 are formed by a method selected from, for example, a sand blasting method and an etching method, and the conductive layer is formed by a method selected from, for example, a plating method, a vapor deposition method, and a sputtering method. .

ところで、ベース基板1の厚み方向においてカバー4に対向する一面にはシリコン薄板からなり収納孔16を閉塞する蓋板17が固着されている。収納孔16の内周面と蓋板17とにより囲まれる空間は電磁石装置2を収納する収納室になり、収納室に電磁石装置2を収納した後に収納室にポッティングなどによって樹脂を充填することにより、電磁石装置2の保護と固定とがなされる。収納孔16に充填する樹脂には、硬化後にも弾性を持つシリコン樹脂などを用いるのが望ましい。収納孔16の内周面は、蓋板17により閉塞される一方の開口面から他方の開口面に向かって開口面積を拡げるテーパ状に形成されており、蓋板17で閉塞される一方の開口面の開口面積を比較的小さくしながらも、他方の開口面からの電磁石装置2の挿入作業が容易になるようにしてある。つまり、前記一方の開口面において収納孔16の周囲にはランド12のほか固定接点14や導電パターン18を形成する必要があるから、収納孔16の開口面積が小さいほうが固定接点14や導電パターン18の配置に余裕ができ、結果的に小型化につながる。   Incidentally, a cover plate 17 made of a thin silicon plate and closing the accommodation hole 16 is fixed to one surface facing the cover 4 in the thickness direction of the base substrate 1. A space surrounded by the inner peripheral surface of the storage hole 16 and the cover plate 17 is a storage chamber for storing the electromagnet device 2. After the electromagnet device 2 is stored in the storage chamber, the storage chamber is filled with resin by potting or the like. The electromagnet device 2 is protected and fixed. As the resin filled in the storage hole 16, it is desirable to use a silicon resin that has elasticity even after curing. The inner peripheral surface of the storage hole 16 is formed in a tapered shape that increases the opening area from one opening surface closed by the cover plate 17 toward the other opening surface, and one opening closed by the cover plate 17. Although the opening area of the surface is relatively small, the insertion operation of the electromagnet device 2 from the other opening surface is facilitated. That is, since it is necessary to form the fixed contact 14 and the conductive pattern 18 in addition to the land 12 on the one opening surface around the storage hole 16, the smaller the opening area of the storage hole 16, the fixed contact 14 and the conductive pattern 18. Can be afforded, resulting in miniaturization.

なお、蓋板17,19には、シリコン基板をエッチングまたは研磨により薄厚化することにより形成したシリコン薄板を用い、厚み寸法はたとえば20μmに設定される。なお、蓋板17の厚み寸法は20μmに限らず、5μm〜50μm程度の範囲内で適宜に設定される。また、蓋板17,19として、シリコン薄板に代えてガラス基板をエッチングや研磨などで薄厚化することにより形成したガラス薄板を用いてもよい。   As the cover plates 17 and 19, a silicon thin plate formed by thinning a silicon substrate by etching or polishing is used, and the thickness dimension is set to 20 μm, for example. Note that the thickness dimension of the lid plate 17 is not limited to 20 μm, and is appropriately set within a range of about 5 μm to 50 μm. Further, as the cover plates 17 and 19, a glass thin plate formed by thinning a glass substrate by etching or polishing instead of the silicon thin plate may be used.

電磁石装置2は、図4に示すように、2個のコイル22(図1参照)が巻装される矩形板状のコイル巻片20aの長手方向の両端部にそれぞれ脚片20bを延設したコ字状のヨーク20を備える。コイル巻片20aおよび脚片20bは断面矩形状に形成される。各コイル22は、コイル巻片20aの長手方向の各端部にコイルボビンを用いずに直に巻装される。また、コイル巻片20aの長手方向の中央部であって両コイル22の間には直方体状の永久磁石21が配置される。各コイル22はそれぞれ、永久磁石21とヨーク20の脚片20bとによってコイル巻片20aの長手方向への移動が規制される。   As shown in FIG. 4, the electromagnet device 2 has leg pieces 20 b extending at both ends in the longitudinal direction of a rectangular plate-shaped coil winding piece 20 a around which two coils 22 (see FIG. 1) are wound. A U-shaped yoke 20 is provided. The coil winding piece 20a and the leg piece 20b are formed in a rectangular cross section. Each coil 22 is wound directly on each end in the longitudinal direction of the coil winding piece 20a without using a coil bobbin. Further, a rectangular parallelepiped permanent magnet 21 is disposed between the coils 22 in the central portion of the coil winding piece 20a in the longitudinal direction. Each coil 22 is restricted from moving in the longitudinal direction of the coil winding piece 20 a by the permanent magnet 21 and the leg piece 20 b of the yoke 20.

永久磁石21は図4の上下方向に着磁されており、永久磁石21の下側の磁極はコイル巻片20aに磁気結合される。永久磁石21の上端面は脚片20bの上端面と高さ位置が等しく、蓋板17に脚片20bの先端面(図4の上端面)を当接させるように電磁石装置2を収納室(収納孔16)に収納すると、永久磁石21の一端面(図4の上端面)も蓋板17に当接する。   The permanent magnet 21 is magnetized in the vertical direction in FIG. 4, and the lower magnetic pole of the permanent magnet 21 is magnetically coupled to the coil winding piece 20a. The upper end surface of the permanent magnet 21 is equal in height to the upper end surface of the leg piece 20b, and the electromagnet device 2 is accommodated in the storage chamber (the upper chamber of the leg piece 20b in contact with the lid plate 17). When stored in the storage hole 16), one end surface (the upper end surface in FIG. 4) of the permanent magnet 21 also comes into contact with the lid plate 17.

コイル巻片20aを介して永久磁石21の反対側にはプリント基板からなる接続基板23が配置され、接続基板23はコイル巻片20aに固着される。接続基板23は矩形板状であり、接続基板23の長手方向はコイル巻片20aの長手方向に直交する。接続基板23は、図2に示すように、絶縁基板23aの一面における長手方向の両端部にそれぞれ独立した導体パターン23bが形成されたものであり、各導体パターン23bのうちの円形部分に外部回路が接続され、矩形部分にコイル22の末端が接続される。外部回路を接続する部位には、Au、Ag、Cu、半田から選択した材料からなるバンプ24が固着される。   A connection board 23 made of a printed circuit board is disposed on the opposite side of the permanent magnet 21 via the coil winding piece 20a, and the connection board 23 is fixed to the coil winding piece 20a. The connection substrate 23 has a rectangular plate shape, and the longitudinal direction of the connection substrate 23 is orthogonal to the longitudinal direction of the coil winding piece 20a. As shown in FIG. 2, the connection substrate 23 is formed by forming independent conductor patterns 23b at both ends in the longitudinal direction on one surface of the insulating substrate 23a. An external circuit is formed in a circular portion of each conductor pattern 23b. And the end of the coil 22 is connected to the rectangular portion. A bump 24 made of a material selected from Au, Ag, Cu, and solder is fixed to a portion to which an external circuit is connected.

上述した2個のコイル22は接続基板23に設けた導体パターン23bのうちの矩形部分に接続され直列または並列に接続される。言い換えると、両コイル22の一方に通電すれば他方にも通電されるのであって、両コイル22はヨーク20の両脚片20bの先端面が互いに異極に励磁されるように接続されている。したがって、永久磁石21で生じている磁束に対して、一方のコイル22で生じる磁束は同向きになり、他方のコイル22で生じる磁束は逆向きになるから、一方の脚片20bの先端面の周囲では磁束密度が大きくなり、他方の脚片20bの先端面の周囲では磁束密度が小さくなる。どちらの脚片20bにおいて磁束密度を大きくするかは、コイル22に流す電流の向きにより選択される。   The two coils 22 described above are connected to a rectangular portion of the conductor pattern 23b provided on the connection substrate 23 and connected in series or in parallel. In other words, if one of the two coils 22 is energized, the other is also energized, and the two coils 22 are connected so that the tip surfaces of both leg pieces 20b of the yoke 20 are excited to have different polarities. Therefore, the magnetic flux generated in one coil 22 is the same as the magnetic flux generated in the permanent magnet 21, and the magnetic flux generated in the other coil 22 is reversed. The magnetic flux density increases around, and the magnetic flux density decreases around the tip surface of the other leg piece 20b. In which leg piece 20b the magnetic flux density is increased is selected according to the direction of the current flowing through the coil 22.

上述の例では接続基板23の導体パターン23bにバンプ24を固着しているが、バンプ24に代えてボンディングワイヤを接続するための電極パッドを設けてもよい。なお、ヨーク20は、電磁軟鉄のような軟磁性材料の板材を曲げ加工するか、軟磁性材料を鋳造加工するか、プレス加工することにより形成される。   In the above example, the bumps 24 are fixed to the conductor pattern 23b of the connection substrate 23. However, electrode pads for connecting bonding wires may be provided in place of the bumps 24. The yoke 20 is formed by bending a soft magnetic material plate such as electromagnetic soft iron, casting a soft magnetic material, or pressing.

アマチュアブロック3は、単結晶シリコンのシリコン基板からなる半導体基板を半導体微細加工技術で加工することによって形成されるものであり、図5および図6に示すように、矩形枠状のフレーム31の内側に矩形板状のアマチュア30を配置してある。アマチュア30は、図5、図6、図8に示すように、半導体基板から形成された可動基板30aと、可動基板30aの厚み方向のうちベース基板1に設けた蓋板17と対向する一面に積層され電磁石装置2との間で磁力が生じる磁性体材料からなる接極子板30bとで形成される。接極子板30bの材料は、Fe、Co、Ni、その合金、または、これらの材料に微量のSi、Mo、Vなどを添加した材料であって、たとえば軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイ、42アロイ、パーメンジュールなどから選択される。また、接極子板30bは機械加工のほか、エッチング加工やメッキにより形成することができる。フレーム31と可動基板30aとは4本の支持ばね32により一体に連結される。支持ばね32については後述する。   The amateur block 3 is formed by processing a semiconductor substrate made of a silicon substrate of single crystal silicon by a semiconductor microfabrication technique. As shown in FIGS. 5 and 6, the inside of the frame 31 having a rectangular frame shape is formed. A rectangular plate-shaped amateur 30 is arranged on the top. As shown in FIGS. 5, 6, and 8, the amateur 30 has a movable substrate 30 a formed from a semiconductor substrate and a surface facing the cover plate 17 provided on the base substrate 1 in the thickness direction of the movable substrate 30 a. The armature plate 30b is made of a magnetic material that is laminated and generates a magnetic force with the electromagnet device 2. The material of the armature plate 30b is Fe, Co, Ni, an alloy thereof, or a material obtained by adding a small amount of Si, Mo, V, or the like to these materials, for example, soft iron, electromagnetic stainless steel, permalloy, 42 alloy, It is selected from permendur. The armature plate 30b can be formed by etching or plating in addition to machining. The frame 31 and the movable substrate 30a are integrally connected by four support springs 32. The support spring 32 will be described later.

可動基板30aの長手方向に沿った各側縁の両端部および各側縁の中央部には、それぞれ突片33,36が突設される。各突片33において蓋板17との対向面には先細りになった四角錐台状のストッパ突起33aが突設され、各突片36において蓋板17との対向面には先細りになった四角錐台状の支点突起36bが突設される。支点突起36bの先端はつねに蓋板17に当接し、アマチュア30がシーソ動作する際の支点を規定する機能を有する。また、ストッパ突起33aの先端はアマチュア30がシーソ動作したときにベース基板1またはベース基板1に固着した部材に先端が当接することによってアマチュア30の移動範囲を規制する機能を有する。なお、ストッパ突起33aおよび支点突起36bは四角錐台状にかぎらず四角柱状でもよい。   Protruding pieces 33 and 36 are projected from both ends of each side edge and the center of each side edge along the longitudinal direction of the movable substrate 30a. Each protruding piece 33 is provided with a tapered truncated pyramid-shaped stopper protrusion 33a on the surface facing the cover plate 17, and each protruding piece 36 is tapered on the surface facing the cover plate 17. A truncated pyramid-shaped fulcrum projection 36b is provided. The tip of the fulcrum protrusion 36b always abuts against the lid plate 17 and has a function of defining a fulcrum when the armature 30 performs a seesaw operation. Further, the tip of the stopper projection 33a has a function of regulating the movement range of the armature 30 when the tip abuts against the base substrate 1 or a member fixed to the base substrate 1 when the armature 30 performs a seesaw operation. The stopper projection 33a and the fulcrum projection 36b are not limited to a quadrangular frustum shape, but may be a quadrangular prism shape.

各支持ばね32は可動基板30aと略同面内で可動基板30aの幅方向に往復する蛇行状に形成してあり、一端部が可動基板30aに連続し他端部がフレーム31に連続する。すなわち、可動基板30aの長手方向に沿った各側縁において突片36の両側にそれぞれ支持ばね32の一端が連続し、支持ばね32の前記一端に対して可動基板30aの幅方向に離間した部位でフレーム31に支持ばね32の他端が連続する。支持ばね32は、アマチュア30が上述した支点の回りでシーソ動作すると復帰力を生じさせる。また、復帰ばね32を蛇行状に形成することにより長さ寸法を確保しているから、アマチュア30がシーソ動作する際に支持ばね32に生じる応力を分散させることができ、支持ばね32の破損を防止することができる。   Each support spring 32 is formed in a meandering shape that reciprocates in the width direction of the movable substrate 30 a in the same plane as the movable substrate 30 a, and one end portion is continuous with the movable substrate 30 a and the other end portion is continuous with the frame 31. That is, at each side edge along the longitudinal direction of the movable substrate 30a, one end of the support spring 32 is continuous on both sides of the projecting piece 36, and is spaced apart from the one end of the support spring 32 in the width direction of the movable substrate 30a Thus, the other end of the support spring 32 continues to the frame 31. The support spring 32 generates a restoring force when the amateur 30 performs a seesaw operation around the fulcrum described above. Moreover, since the length dimension is ensured by forming the return spring 32 in a meandering shape, the stress generated in the support spring 32 when the armature 30 performs a seesaw operation can be dispersed, and the support spring 32 can be damaged. Can be prevented.

上述したように、ベース基板1にフレーム31が接合され、かつ支点突起36bの先端が蓋板17に当接した状態でアマチュア30がシーソ動作するのであるから、当然ながら可動基板30aはフレーム31よりも薄肉であり、アマチュア30の厚み寸法は、アマチュアブロック3とベース基板1とを固着した状態において、アマチュア30に設けた接極子板30bと蓋板17との間にアマチュア30のシーソ動作が可能となる程度のギャップが形成されるように設定されている。   As described above, since the armature 30 performs a seesaw operation in a state where the frame 31 is joined to the base substrate 1 and the tip of the fulcrum protrusion 36b is in contact with the lid plate 17, naturally the movable substrate 30a is more than the frame 31. The thickness of the armature 30 is such that the armature 30 can be operated between the armature plate 30b provided on the armature 30 and the lid plate 17 in a state where the armature block 3 and the base substrate 1 are fixed. It is set so that a gap of such a degree is formed.

ところで、フレーム31の内周面であって可動基板30aの各側縁に突設された突片36の先端縁に対向する部位には、フレーム31から連続一体に突片37が突設されている。すなわち、可動基板30aに突設した突片36とフレーム31に突設した突片37とは互いの先端面同士が対向する。可動基板30a側の各突片36の先端縁には平面視で先端縁から凹没する移動規制突部36aが形成され、フレーム31側の各突片37の先端縁には平面視で先端縁から凹没して移動規制突部36aが入る移動規制凹部37aが形成される。したがって、移動規制突部36aが移動規制凹部37aにより位置規制され、フレーム31の厚み方向に直交する面内におけるアマチュア30の移動が規制される。なお、移動規制凹部37aと移動規制突部36aとの間にはあそびがあり、アマチュア30のシーソ動作が移動規制突部36aおよび移動規制凹部37aによって妨げられることはない。   By the way, a projecting piece 37 is projected from the frame 31 in a continuous and integrated manner at a part of the inner peripheral surface of the frame 31 facing the tip edge of the projecting piece 36 projecting from each side edge of the movable substrate 30a. Yes. In other words, the projecting piece 36 projecting from the movable substrate 30a and the projecting piece 37 projecting from the frame 31 are opposed to each other at their tip surfaces. A movement restricting projection 36a that is recessed from the leading edge in plan view is formed on the leading edge of each protruding piece 36 on the movable substrate 30a side, and the leading edge of each protruding piece 37 on the frame 31 side is seen in plan view. A movement restricting recess 37a into which the movement restricting protrusion 36a enters is formed. Therefore, the position of the movement restricting protrusion 36a is restricted by the movement restricting recess 37a, and the movement of the amateur 30 in the plane orthogonal to the thickness direction of the frame 31 is restricted. Note that there is play between the movement restriction recess 37a and the movement restriction protrusion 36a, and the seesaw operation of the amateur 30 is not hindered by the movement restriction protrusion 36a and the movement restriction recess 37a.

アマチュアブロック3には、アマチュア30の長手方向における各端縁とフレーム31との間にそれぞれ可動接点基台34が設けられる。各可動接点基台34におけるベース基板1との対向面(図1における下面)はアマチュア30の下面よりも下方に突出し、各可動接点基台34の下面には、それぞれ導電性材料からなる可動接点39が固着される。可動接点基台34の厚み寸法(上下寸法)と可動接点39の厚み寸法との合計寸法は、接点装置の開極時に可動接点39と固定接点14との間の距離が所望の絶縁距離を保つように設定される。   The amateur block 3 is provided with a movable contact base 34 between each edge in the longitudinal direction of the amateur 30 and the frame 31. The surface of each movable contact base 34 facing the base substrate 1 (the lower surface in FIG. 1) protrudes below the lower surface of the armature 30, and the lower surface of each movable contact base 34 has a movable contact made of a conductive material. 39 is fixed. The total dimension of the thickness dimension (vertical dimension) of the movable contact base 34 and the thickness dimension of the movable contact 39 is such that the distance between the movable contact 39 and the fixed contact 14 maintains a desired insulation distance when the contact device is opened. Is set as follows.

各可動接点基台34はそれぞれ2本の接圧ばね35を介して可動基板30aに連結されている。すなわち、1つの可動接点基台34の各側縁にそれぞれ接圧ばね35の一端部が一体に連続し、1つの可動接点基台34に連続する各接圧ばね35の他端部は可動基板30aの長手方向の端部における各側縁にそれぞれ一体に連続する。上述したように、可動基板30aの四隅には突片33が突設されているから、接圧ばね35は突片33を迂回する形状に形成される。接圧ばね35の中間部には接圧ばね35を延長する蛇行部35aが形成されている。図示例では、蛇行部35aはアマチュア30の幅方向において各可動基台34の両側に位置しており、アマチュア30の長手方向に往復する形状に形成されている。すなわち、アマチュア30の長手方向において、突片33とフレーム31との間に形成される隙間内に蛇行部35aが位置している。接圧ばね35を延長する蛇行部35aを設けているから、アマチュア30に対する可動接点基板34の変位量が蛇行部35aを設けない場合と等しいとすれば、接圧ばね35の各部位において生じる応力が軽減される(接圧ばね35の各部位での変形量が小さくなる)。言い換えると、接圧ばね35の延長方向に直交する断面積が等しいとすれば、蛇行部35aを設けない場合よりも接圧ばね35のばね定数を小さくすることができ、ばね定数が等しいとすれば、蛇行部35aを設けない場合よりも接圧ばね35の延長方向に直交する断面積を大きくして接圧ばね35の強度を高めることができる。   Each movable contact base 34 is connected to the movable substrate 30 a via two contact pressure springs 35. That is, one end of the contact pressure spring 35 is integrally connected to each side edge of one movable contact base 34, and the other end of each contact pressure spring 35 continuing to one movable contact base 34 is a movable substrate. Each of the side edges at the end in the longitudinal direction of 30a is integrally continuous. As described above, since the protrusions 33 protrude from the four corners of the movable substrate 30a, the contact pressure spring 35 is formed in a shape that bypasses the protrusion 33. A meandering portion 35 a extending the contact pressure spring 35 is formed at an intermediate portion of the contact pressure spring 35. In the illustrated example, the meandering portion 35 a is located on both sides of each movable base 34 in the width direction of the amateur 30 and is formed in a shape reciprocating in the longitudinal direction of the amateur 30. That is, the meandering portion 35 a is located in the gap formed between the projecting piece 33 and the frame 31 in the longitudinal direction of the amateur 30. Since the meandering portion 35a extending the contact pressure spring 35 is provided, if the amount of displacement of the movable contact substrate 34 relative to the armature 30 is equal to the case where the meandering portion 35a is not provided, the stress generated at each part of the contact pressure spring 35 Is reduced (the amount of deformation at each portion of the contact pressure spring 35 is reduced). In other words, if the cross-sectional areas perpendicular to the extending direction of the contact pressure spring 35 are equal, the spring constant of the contact pressure spring 35 can be made smaller than when the meandering portion 35a is not provided, and the spring constant is equal. For example, it is possible to increase the strength of the contact pressure spring 35 by increasing the cross-sectional area perpendicular to the extending direction of the contact pressure spring 35 than when the meandering portion 35a is not provided.

上述の説明から明らかなように、アマチュアブロック3を構成する要素のうち、フレーム31、可動基板30a、支持ばね32、可動接点基台34、接圧ばね部35は、半導体基板から半導体微細加工技術によって形成される。半導体基板としては、厚み寸法が50μm〜300μm程度の厚み寸法、望ましくは200μm程度の厚み寸法のシリコン基板を用いる。   As is apparent from the above description, among the elements constituting the amateur block 3, the frame 31, the movable substrate 30a, the support spring 32, the movable contact base 34, and the contact pressure spring portion 35 are formed from a semiconductor substrate to a semiconductor microfabrication technology. Formed by. As the semiconductor substrate, a silicon substrate having a thickness dimension of about 50 μm to 300 μm, preferably about 200 μm is used.

アマチュアブロック3のフレーム31は、ベース基板1およびカバー4と接続する必要があるから、アマチュアブロック3のフレーム31において、ベース基板1との対向面の周部には全周に亘って接合用金属薄膜38bが形成され、カバー4との対向面の周部には全周に亘って接合用金属薄膜38aが形成される。また、ベース基板1におけるアマチュアブロック3との対向面の周部には接合用金属薄膜38bに接合される接合用金属薄膜15が全周に亘って形成され、カバー4におけるアマチュアブロック3との対向面の周部には接合用金属薄膜38aに接合される接合用金属薄膜42が全周に亘って形成される。したがって、接合用金属薄膜38bと接合用金属薄膜15とを接合するとともに、接合用金属薄膜38aと接合用金属薄膜42とを接合することによって、ベース基板1とアマチュアブロック3とカバー4とを圧接または陽極接合により気密的に接合することができ、しかも収納孔16およびスルーホール10を蓋板17,19で閉塞しているから、ベース基板1とカバー4とフレーム31とにより囲まれアマチュア30および接点装置(固定接点14と可動接点39)が収納される空間を気密的に封止することができる。なお、接合用金属薄膜15,38a,38b,42の材料は、Au、Al−Si、Al−Cuから選択される。   Since the frame 31 of the amateur block 3 needs to be connected to the base substrate 1 and the cover 4, the metal 31 for joining over the entire circumference of the peripheral portion of the frame 31 of the amateur block 3 facing the base substrate 1. A thin film 38 b is formed, and a bonding metal thin film 38 a is formed over the entire periphery of the surface facing the cover 4. Further, a bonding metal thin film 15 to be bonded to the bonding metal thin film 38b is formed over the entire periphery of the surface of the base substrate 1 facing the armature block 3, and the cover 4 is opposed to the armature block 3. A bonding metal thin film 42 to be bonded to the bonding metal thin film 38a is formed on the entire periphery of the surface. Therefore, the bonding metal thin film 38b and the bonding metal thin film 15 are bonded together, and the bonding metal thin film 38a and the bonding metal thin film 42 are bonded, so that the base substrate 1, the armature block 3, and the cover 4 are pressed. Alternatively, since the housing hole 16 and the through hole 10 are closed by the cover plates 17 and 19, the armature 30 and the armature 30 are surrounded by the base substrate 1, the cover 4, and the frame 31. The space in which the contact device (the fixed contact 14 and the movable contact 39) is accommodated can be hermetically sealed. Note that the material of the bonding metal thin films 15, 38a, 38b, and 42 is selected from Au, Al—Si, and Al—Cu.

次に、上述したマイクロリレーの動作を説明する。本実施形態のマイクロリレーは、2個のコイル22を備えているが、両コイル22は直列または並列に接続されているから1個のコイルを設けている場合と等価である。図8に示すように、アマチュア30に設けた接極子板30bは、長手方向の中央部において永久磁石21の一方の磁極に蓋板17を介して対向し、長手方向の両端部においてヨーク20の各脚片20bの先端面に蓋板17を介して対向している。コイル22に通電すると、コイル22により生じた磁束は、ヨーク20の一方の脚片20bでは永久磁石21により生じている磁束と同じ向きになり、他方の脚片20bでは永久磁石21により生じている磁束と逆向きになるから、前記一方の脚片20bの先端面と接極子板30bとの間に吸引力が作用し、接極子板30bの長手方向の端部が前記一方の脚片20bの先端面に吸引される。つまり、両支点突起36bの先端間を結ぶ直線付近を支点としてアマチュア30が傾く。このとき、アマチュア30の長手方向の各端部に対応する部位に設けた可動接点基台34のうちヨーク20の脚片20bからの吸引力を受けた一端部側の可動接点基台34がベース基板1に近付くから、この可動接点基台34に設けた可動接点39が対向する一対の固定接点14に接触し、両固定接点14間を可動接点39で短絡する。   Next, the operation of the above-described micro relay will be described. Although the micro relay of this embodiment is provided with the two coils 22, since both the coils 22 are connected in series or in parallel, it is equivalent to the case where one coil is provided. As shown in FIG. 8, the armature plate 30 b provided on the armature 30 is opposed to one magnetic pole of the permanent magnet 21 through the cover plate 17 in the central portion in the longitudinal direction, and the yoke 20 at both end portions in the longitudinal direction. It faces the front end surface of each leg piece 20b through the cover plate 17. When the coil 22 is energized, the magnetic flux generated by the coil 22 is in the same direction as the magnetic flux generated by the permanent magnet 21 in one leg piece 20b of the yoke 20, and is generated by the permanent magnet 21 in the other leg piece 20b. Since the direction is opposite to the magnetic flux, an attractive force acts between the front end surface of the one leg piece 20b and the armature plate 30b, and the end portion of the armature plate 30b in the longitudinal direction of the one leg piece 20b. Suctioned to the tip surface. That is, the armature 30 is inclined with the vicinity of a straight line connecting the tips of both fulcrum protrusions 36b as a fulcrum. At this time, the movable contact base 34 on one end side that receives the suction force from the leg piece 20b of the yoke 20 among the movable contact bases 34 provided at the portions corresponding to the respective ends in the longitudinal direction of the armature 30 is the base. Since it approaches the substrate 1, the movable contact 39 provided on the movable contact base 34 comes into contact with the pair of fixed contacts 14 facing each other, and the fixed contacts 14 are short-circuited between the movable contacts 39.

可動接点39が固定接点14に接触した時点ではストッパ突起33aの先端はベース基板1(またはベース基板1に固着した蓋板19)には当接せず、アマチュア30がさらに傾くことによって接圧ばね35が撓み、可動接点39と固定接点14との間にオーバトラベル量(可動接点39が固定接点14に接触した後のアマチュア30の移動量)に応じた接点圧が生じる。その後、ストッパ突起33aの先端がベース基板1または蓋板19に当接してアマチュア30の移動が規制される。この状態でコイル22への通電を停止しても、永久磁石21によって接極子板30bは脚片20bに吸引された状態に保たれ、可動接点39が固定接点14に接触した状態が維持される。   When the movable contact 39 comes into contact with the fixed contact 14, the tip of the stopper projection 33a does not come into contact with the base substrate 1 (or the cover plate 19 fixed to the base substrate 1), and the armature 30 is further tilted to contact the pressure spring. 35 bends, and a contact pressure corresponding to an overtravel amount (amount of movement of the armature 30 after the movable contact 39 contacts the fixed contact 14) is generated between the movable contact 39 and the fixed contact 14. Thereafter, the tip of the stopper projection 33a abuts against the base substrate 1 or the lid plate 19 to restrict the movement of the armature 30. Even if energization of the coil 22 is stopped in this state, the armature plate 30b is kept attracted to the leg piece 20b by the permanent magnet 21, and the state where the movable contact 39 is in contact with the fixed contact 14 is maintained. .

アマチュア30の長手方向の一方の可動接点39を対応する固定接点14から開極させるには、コイル22に対して上述した向きとは逆向きの電流を通電する。コイル22に通電する電流の向きが逆になれば、コイル22により生じた磁束は、ヨーク20の他方の脚片20bで永久磁石21により生じている磁束を同じ向きになるから、他方の脚片20bに接極子板30bが吸引され、アマチュア30の長手方向の他端部に対応する可動接点基台34に設けた可動接点39が対向する一対の固定接点14に接触する。この場合も、接圧ばね35により接点圧が生じ、ストッパ突起33aによりアマチュア30の移動が規制される。また、本実施形態は双安定に動作するものであって、この位置でも永久磁石21の磁力により接極子板30bが他方の脚片20bに吸引された状態に保たれ、可動接点39が固定接点14に接触した状態が維持される。   In order to open one movable contact 39 in the longitudinal direction of the amateur 30 from the corresponding fixed contact 14, a current in a direction opposite to the above-described direction is applied to the coil 22. If the direction of the current applied to the coil 22 is reversed, the magnetic flux generated by the coil 22 has the same direction as the magnetic flux generated by the permanent magnet 21 in the other leg piece 20b of the yoke 20. The armature plate 30b is attracted to 20b, and the movable contact 39 provided on the movable contact base 34 corresponding to the other end of the armature 30 in the longitudinal direction comes into contact with the pair of fixed contacts 14 facing each other. Also in this case, contact pressure is generated by the contact pressure spring 35, and the movement of the armature 30 is restricted by the stopper projection 33a. Also, the present embodiment operates bistable, and even at this position, the armature plate 30b is kept attracted to the other leg piece 20b by the magnetic force of the permanent magnet 21, and the movable contact 39 is a fixed contact. 14 is maintained.

上述したマイクロリレーをプリント基板のような実装基板に実装する際には、ケースA(ベース基板1)の外側面に露出している四隅の4個のバンプ13と中央部の2個のバンプ24とをそれぞれ実装基板に形成した導体パターンに接続すればよい。あるいはまた、実装基板にカバー4の先端面を当接させた形でケースAを実装基板に固定し、ケースAから露出しているバンプ13,24を実装基板に対してワイヤボンディングにより接続することも可能である。   When the micro relay described above is mounted on a mounting board such as a printed board, four bumps 13 at the four corners and two bumps 24 at the center exposed on the outer surface of the case A (base substrate 1). May be connected to a conductor pattern formed on the mounting substrate. Alternatively, the case A is fixed to the mounting board with the front end surface of the cover 4 in contact with the mounting board, and the bumps 13 and 24 exposed from the case A are connected to the mounting board by wire bonding. Is also possible.

なお、本実施形態では、ベース基板1およびカバー4をそれぞれガラス基板の加工により形成しているが、ベース基板1とカバー4との一方あるいは両方をシリコン基板の加工により形成してもよい。ただし、ベース基板1およびカバー4をそれぞれガラス基板で形成し、アマチュアブロック3に用いる半導体基板をシリコン基板とする場合には、アマチュアブロック3とベース基板1およびカバー4とを陽極接合によって気密的に接合することが可能であるから、接合用金属薄膜15,38a,38b,42を省略することが可能である。上述したマイクロリレーは、アマチュアブロック3を多数形成したウェハと、ベース基板1を多数形成したウェハと、カバー4を多数形成したウェハとの接合後に、ダイシング工程などによって個々のマイクロリレーに分割して製造することが可能である。   In this embodiment, the base substrate 1 and the cover 4 are each formed by processing a glass substrate, but one or both of the base substrate 1 and the cover 4 may be formed by processing a silicon substrate. However, when the base substrate 1 and the cover 4 are each formed of a glass substrate and the semiconductor substrate used for the amateur block 3 is a silicon substrate, the amateur block 3 and the base substrate 1 and the cover 4 are hermetically sealed by anodic bonding. Since bonding is possible, the bonding metal thin films 15, 38a, 38b, and 42 can be omitted. The microrelay described above is divided into individual microrelays by a dicing process or the like after joining a wafer formed with a large number of amateur blocks 3, a wafer formed with a large number of base substrates 1, and a wafer formed with a large number of covers 4. It is possible to manufacture.

上述した構成例では、可動接点基板34の両側方においてアマチュア30の長手方向に往復する形状の蛇行部35aを設けているが、図9(a)のように、可動接点基板34の側方だけではなくアマチュア30の側方において突片33,36の間の部位にも蛇行部35bを付加することが可能である。また、可動接点基板34の側方に蛇行部35aを設けずにアマチュア30の側方にのみ蛇行部35bを設けるようにしてもよい。さらにまた、上述した例では、接圧ばね35の一端部をアマチュア30の側縁に連続させているが、図9(b)のように、アマチュア30の長手方向における突片33の先端縁に接圧ばね35aの一端を連続させてもよい。この構成を採用すると、フレーム31と両突片33,36とに囲まれる空間の全体を支持ばね32の配置に利用することができるから、支持ばね32を延長することが可能になる。蛇行部35a,35bには、上述した形状のほか、図10に示すような各種形状を採用することができる。上述のように、蛇行部35a,35bの配置や形状を適宜に選択することができるから、所望の接点圧を設定することが可能になる。   In the configuration example described above, the meandering portion 35a having a shape reciprocating in the longitudinal direction of the armature 30 is provided on both sides of the movable contact substrate 34. However, as shown in FIG. 9A, only the side of the movable contact substrate 34 is provided. Instead, it is possible to add the meandering portion 35b also to the portion between the projecting pieces 33, 36 on the side of the amateur 30. Further, the meandering portion 35b may be provided only on the side of the armature 30 without providing the meandering portion 35a on the side of the movable contact substrate 34. Furthermore, in the above-described example, one end of the contact pressure spring 35 is connected to the side edge of the armature 30, but as shown in FIG. 9B, the tip end edge of the projecting piece 33 in the longitudinal direction of the armature 30 is used. One end of the contact pressure spring 35a may be continuous. If this configuration is adopted, the entire space surrounded by the frame 31 and the projecting pieces 33 and 36 can be used for the arrangement of the support springs 32, so that the support springs 32 can be extended. In addition to the shape described above, various shapes as shown in FIG. 10 can be adopted for the meandering portions 35a and 35b. As described above, since the arrangement and shape of the meandering portions 35a and 35b can be selected as appropriate, a desired contact pressure can be set.

本発明の実施形態を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows embodiment of this invention. 同上の斜視図である。It is a perspective view same as the above. 同上に用いるベース基板および蓋板を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the base substrate and lid plate which are used for the same as the above. 同上に用いるヨークと永久磁石と蓋板との関係を示す側面図である。It is a side view which shows the relationship between the yoke used for the same as the above, a permanent magnet, and a cover plate. 同上に用いるアマチュアブロックを示し、(a)は平面図、(b)は下面図である。The amateur block used for the above is shown, (a) is a plan view and (b) is a bottom view. 同上に用いるアマチュアブロックを示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the amateur block used for the same as the above. 同上に用いるカバーを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the cover used for the same as the above. 同上の断面図である。It is sectional drawing same as the above. 同上に用いる蛇行部の配置例を示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows the example of arrangement | positioning of the meander part used for the same as the above. 同上に用いる蛇行部の各種形状を示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows the various shapes of the meander part used for the same as the above.

符号の説明Explanation of symbols

2 電磁石装置
3 アマチュアブロック
14 固定接点
20 ヨーク
22 コイル
30 アマチュア
30a 可動基板
30b 接極子板
31 フレーム
34 可動接点基台
35 接圧ばね
35a,35b 蛇行部
36b 支点突起
39 可動接点
A ケース
2 Electromagnet Device 3 Amateur Block 14 Fixed Contact 20 Yoke 22 Coil 30 Amateur 30a Movable Substrate 30b Armature Plate 31 Frame 34 Movable Contact Base 35 Contacting Pressure Spring 35a, 35b Meandering Section 36b Supporting Projection 39 Movable Contact A Case

Claims (1)

コイルを巻装したヨークを備えケースに収納される電磁石装置と、ケースに固定される枠状のフレームを有するとともにフレームと一体であってフレームの内側に配置され電磁石装置との間に作用する磁力により規定の支点の回りでシーソ動作するアマチュアを有したアマチュアブロックと、ケースの定位置に設けた固定接点とアマチュアの端部の移動により固定接点に離接する可動接点とからなりアマチュアのシーソ動作により開閉する接点装置とを有し、アマチュアは、フレームと連続一体に形成される半導体材料からなる可動基板と、可動基板の厚み方向の少なくとも一面に積層され電磁石装置との間に磁力を作用させる磁性体材料からなる接極子板とを備え、可動接点は接圧ばねを介して可動基板に連続一体に連結された可動接点基台に設けられ、接圧ばねの中間部には接圧ばねを延長する蛇行部が形成されて成ることを特徴とするマイクロリレー。   Magnetic force acting between an electromagnet device having a yoke with a coil wound therein and housed in a case, and a frame-like frame fixed to the case, and being integrated with the frame and disposed inside the frame The armature block that has an armature that moves around the specified fulcrum, the fixed contact provided at a fixed position of the case, and the movable contact that moves away from the fixed contact by the movement of the end of the armature. The armature has a contact device that opens and closes, and the armature has a magnetic force that acts between a movable substrate made of a semiconductor material formed integrally with the frame and an electromagnet device stacked on at least one surface in the thickness direction of the movable substrate. A movable contact base that is continuously and integrally connected to a movable substrate via a contact pressure spring. Provided, microrelay in the middle portion of the contact pressure spring, characterized in that formed by forming the meandering section to extend the contact pressure spring.
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