JP2005206826A - Method for producing polymer compound - Google Patents

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JP2005206826A JP2004373146A JP2004373146A JP2005206826A JP 2005206826 A JP2005206826 A JP 2005206826A JP 2004373146 A JP2004373146 A JP 2004373146A JP 2004373146 A JP2004373146 A JP 2004373146A JP 2005206826 A JP2005206826 A JP 2005206826A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a high-molecular-weight polymer compound by the condensation polymerization of at least one kind of monomer having two eliminable groups in the presence of a metal condensation agent. <P>SOLUTION: In producing a polymer compound having at least one kind of repeating units represented by formula (6): -Z<SB>1</SB>-A-Z<SB>2</SB>- by the condensation polymerization of at least one kind of monomer represented by formula (1): Y<SB>1</SB>-Z<SB>1</SB>-A-Z<SB>2</SB>-Y<SB>2</SB>in the presence of a metallic condensation agent selected from metals and metal compounds, the temperature in causing the metallic condensation agent to act on the monomer is 45°C or higher. In formula (1), Y<SB>1</SB>and Y<SB>2</SB>are each an atom or an atomic group eliminable by the action of the condensation agent; -A- is an arylene group, a divalent heterocyclic group, or the like; and -Z<SB>1</SB>- and -Z<SB>2</SB>- are each a direct bond, -C≡C-, or the like. In formula (6), -A-, -Z<SB>1</SB>-, and -Z<SB>2</SB>- are each the same as above-described. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、高分子化合物の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a polymer compound.

高分子化合物、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、ポリチオフェン等の共役系の高分子化合物の製造方法として、脱離基としてのハロゲン原子を2個有する単量体に金属縮合剤としてのゼロ価のニッケル錯体を、25℃程度の室温で作用させ、次いで反応温度まで昇温し縮合重合する方法が知られている(非特許文献1、特許文献1、特許文献2)。
Macromolecules 1992,25,1214−1223 特開平7−247344 特開2002−284862
As a method for producing a polymer compound, for example, a conjugated polymer compound such as polyphenylene, polyfluorene, and polythiophene, a zero-valent nickel complex as a metal condensing agent in a monomer having two halogen atoms as a leaving group Is known to be allowed to act at room temperature of about 25 ° C., then heated to the reaction temperature and subjected to condensation polymerization (Non-patent Document 1, Patent Document 1, Patent Document 2).
Macromolecules 1992, 25, 1214-1223. JP-A-7-247344 JP 2002-284862 A

しかしながら、上記方法においては、得られる高分子化合物の分子量が必ずしも満足できる水準まで増大しないという問題があった。   However, the above method has a problem that the molecular weight of the obtained polymer compound does not always increase to a satisfactory level.

本発明の目的は、脱離基を2個有する単量体1種類以上を金属縮合剤の存在下縮合重合させて高分子量の高分子化合物を製造する方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a method for producing a high molecular weight polymer compound by subjecting one or more monomers having two leaving groups to condensation polymerization in the presence of a metal condensing agent.

本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、金属縮合剤を、単量体と作用させる際の温度を、45℃以上とすることにより、得られる高分子化合物の分子量が高くなることを見出し、本発明を完成させるに至った。   As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have made the molecular weight of the resulting polymer compound high by setting the temperature at which the metal condensing agent is allowed to act on the monomer to 45 ° C. or higher. As a result, the present invention has been completed.

すなわち本発明は、
下記式(1)から選ばれる1種類以上の単量体を金属および金属化合物から選ばれる金属縮合剤の存在下縮合重合させて、下記式(6)で示される繰り返し単位を1種類以上有する高分子化合物を製造するに際し、
前記金属縮合剤を、単量体に作用させる際の温度が、45℃以上であることを特徴とする高分子化合物の製造方法を提供するものである。

1−Z1−A−Z2−Y2 (1)
〔式中、Y1およびY2はそれぞれ独立に、上記縮合剤の作用により脱離可能な原子または原子団を表し、
−A−は、
−Ar1− (2)、
―Ar2−X1―(Ar3−X2w―Ar4− (3)、
−Ar5−X3− (4)
または
−X4− (5)
(式中、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、およびAr5はそれぞれ独立にアリーレン基、2価の複素環基または金属錯体構造を有する2価の基を表し、X1は、−C≡C−、−N(R1)−、または−(SiR23y−を表し、X2、およびX3は、−CR4=CR5−、−C≡C−、−N(R1)−、または−(SiR23y−を表し、X4は、−CR4=CR5−、−C≡C−、または−(SiR23y−を表し、R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基またはアリールアルキル基を表し、R4およびR5は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表し、wは0〜1の整数を表し、yは1〜12の整数を表す。R2、およびR3がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。)を表し、
−Z1−および−Z2−はそれぞれ独立に、直接結合、−C≡C−、または−CR6=CR7−を表し、R6およびR7はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す〕

−Z1−A−Z2− (6)
〔式中、−A−、−Z1−および−Z2−は前記と同じ意味を表す。〕
That is, the present invention
One or more monomers selected from the following formula (1) are subjected to condensation polymerization in the presence of a metal condensing agent selected from a metal and a metal compound, and the polymer has one or more repeating units represented by the following formula (6). In producing molecular compounds,
A temperature at which the metal condensing agent is allowed to act on the monomer is 45 ° C. or higher, and a method for producing a polymer compound is provided.

Y 1 -Z 1 -AZ 2 -Y 2 (1)
[Wherein, Y 1 and Y 2 each independently represent an atom or an atomic group that can be removed by the action of the condensing agent,
-A- is
-Ar 1- (2),
—Ar 2 —X 1 — (Ar 3 —X 2 ) w —Ar 4 — (3),
—Ar 5 —X 3 — (4)
Or -X 4 - (5)
(Wherein, Ar 1, Ar 2, Ar 3, Ar 4, and Ar 5 represent each independently an arylene group, a divalent group having a divalent heterocyclic group or a metal complex structure, X 1 is - C≡C—, —N (R 1 ) —, or — (SiR 2 R 3 ) y —, wherein X 2 and X 3 are —CR 4 ═CR 5 —, —C≡C—, —N (R 1 ) — or — (SiR 2 R 3 ) y —, and X 4 represents —CR 4 ═CR 5 —, —C≡C—, or — (SiR 2 R 3 ) y —, R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group or an arylalkyl group, and R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group , An aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group, w represents an integer of 0 to 1, y Represents an integer of 1 to 12. When a plurality of R 2 s and R 3 s are present, they may be the same or different.
—Z 1 — and —Z 2 — each independently represents a direct bond, —C≡C—, or —CR 6 ═CR 7 —, and R 6 and R 7 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, or aryl. Represents a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group]

-Z 1 -AZ 2- (6)
[Wherein, -A-, -Z 1-, and -Z 2- represent the same meaning as described above. ]

本発明によれば、脱離基を2個有する単量体1種類以上を金属縮合剤を用いて縮合重合させることにより、高分子量の高分子化合物を製造することができる。   According to the present invention, a high molecular weight polymer compound can be produced by subjecting one or more monomers having two leaving groups to condensation polymerization using a metal condensing agent.

本発明に用いる式(1)で示される単量体において、Y1およびY2はそれぞれ独立に、脱離基を表す。
脱離基としては、水素原子、ハロゲン原子、−OSO28、−B(OR92 、−Sn(R103、−MgX等が挙げられる。
(式中R8はアルキル基、アリール基またはアリールアルキル基を表す。R9は水素原子、アルキル基、またはアリール基を表し、2つのR9は同一でも異なっていてもよく、一緒になって、環を形成していてもよい。
10はアルキル基またはアリール基を表し、Xはハロゲン原子を表す)。
In the monomer represented by the formula (1) used in the present invention, Y 1 and Y 2 each independently represent a leaving group.
As the leaving group, a hydrogen atom, a halogen atom, -OSO 2 R 8, -B ( OR 9) 2, -Sn (R 10) 3, -MgX , and the like.
(Wherein R 8 represents an alkyl group, an aryl group, or an arylalkyl group. R 9 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group, and two R 9 s may be the same or different, and together, , May form a ring.
R 10 represents an alkyl group or an aryl group, and X represents a halogen atom).

ここでハロゲン原子としては臭素原子、塩素原子、ヨウ素原子が挙げられる。   Here, examples of the halogen atom include a bromine atom, a chlorine atom, and an iodine atom.

−OSO28としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基、ベンゼンスルホネート基、p−トルエンスルホネート基、p−ニトロベンゼンスルホネート基、ベンジルスルホネート基などが例示される。 Examples of —OSO 2 R 8 include a methanesulfonate group, an ethanesulfonate group, a trifluoromethanesulfonate group, a benzenesulfonate group, a p-toluenesulfonate group, a p-nitrobenzenesulfonate group, and a benzylsulfonate group.

−B(OR92 としては、下記式で示される基などが例示される。

Figure 2005206826
式中、Meはメチル基を、Etはエチル基を示す。 Examples of —B (OR 9 ) 2 include groups represented by the following formulae.
Figure 2005206826
In the formula, Me represents a methyl group, and Et represents an ethyl group.

−Sn(R103としては、−Sn(n−Bu)3、−Sn(Me)3、−Sn(Ph)3などが例示される。式中、n−Buはノルマルブチル基を、Meはメチル基を、Phはフェニル基を示す。 Examples of —Sn (R 10 ) 3 include —Sn (n—Bu) 3 , —Sn (Me) 3 , and —Sn (Ph) 3 . In the formula, n-Bu represents a normal butyl group, Me represents a methyl group, and Ph represents a phenyl group.

−MgXとしては、−MgCl、−MgBr、−MgIが例示される。 -MgX is exemplified by -MgCl, -MgBr, and -MgI.

本発明に用いる式(1)で示される単量体において、
−A−は、
−Ar1− (2)、
―Ar2−X1―(Ar3−X2w―Ar4− (3)、
−Ar5−X3− (4)
または
−X4− (5)
(式中、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、およびAr5はそれぞれ独立にアリーレン基、2価の複素環基または金属錯体構造を有する2価の基を表し、X1は、−C≡C−、−N(R1)−、または−(SiR23y−を表し、X2、およびX3は、−CR4=CR5−、−C≡C−、−N(R1)−、または−(SiR23y−を表し、X4は、−CR4=CR5−、−C≡C−、または−(SiR23y−を表し、R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基またはアリールアルキル基を表し、R4およびR5は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表し、wは0〜1の整数を表し、yは1〜12の整数を表す。R2、およびR3がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。)を表す。
In the monomer represented by the formula (1) used in the present invention,
-A- is
-Ar 1- (2),
—Ar 2 —X 1 — (Ar 3 —X 2 ) w —Ar 4 — (3),
—Ar 5 —X 3 — (4)
Or -X 4 - (5)
(Wherein, Ar 1, Ar 2, Ar 3, Ar 4, and Ar 5 represent each independently an arylene group, a divalent group having a divalent heterocyclic group or a metal complex structure, X 1 is - C≡C—, —N (R 1 ) —, or — (SiR 2 R 3 ) y —, wherein X 2 and X 3 are —CR 4 ═CR 5 —, —C≡C—, —N (R 1 ) — or — (SiR 2 R 3 ) y —, and X 4 represents —CR 4 ═CR 5 —, —C≡C—, or — (SiR 2 R 3 ) y —, R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group or an arylalkyl group, and R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group , An aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group, w represents an integer of 0 to 1, y Represents an integer of 1 to 12. When a plurality of R 2 and R 3 are present, they may be the same or different.

Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、およびAr5で示されるアリーレン基、2価の複素環基または金属錯体構造を有する2価の基の中では、アリーレン基、2価の複素環基が好ましい。
ここにアリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子2個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環2個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリーレン基は置換基を有していてもよい。置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基等が挙げられ、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、1価の複素環基が好ましい。

アリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は通常6〜60程度であり、好ましくは6〜20である。また、アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常6〜100程度である。
Among the arylene groups represented by Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , Ar 4 and Ar 5 , a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure, an arylene group or a divalent heterocyclic group Is preferred.
Here, the arylene group is an atomic group obtained by removing two hydrogen atoms from an aromatic hydrocarbon, and those having a condensed ring, two or more independent benzene rings or condensed rings are directly or via a group such as vinylene. Are also included. The arylene group may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, an amino group, and a substituted amino group. , Silyl group, substituted silyl group, silyloxy group, substituted silyloxy group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group, cyano And an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, a substituted amino group, a substituted silyl group, a substituted silyloxy group, and a monovalent heterocyclic group are preferable.

Carbon number of the part except the substituent in an arylene group is about 6-60 normally, Preferably it is 6-20. Moreover, the total carbon number including the substituent of an arylene group is about 6-100 normally.

アリーレン基としては、フェニレン基(例えば、下図の式1〜3)、ナフタレン−ジイル基(下図の式4〜13)、アントラセン−ジイル基(下図の式14〜19)、ビフェニル−ジイル基(下図の式20〜25)、 ターフェニル−ジイル基(下図の式26〜28)、 縮合環化合物基(下図の式29〜35)、フルオレン−ジイル基(下図の式36〜38)、インデノフルオレン−ジイル(下図38A〜38B)、スチルベン−ジイル(下図の式A〜D), ジスチルベン−ジイル (下図の式E,F)などが例示される。中でもフェニレン基、ビフェニル−ジイル基、フルオレンージイル基、スチルベンージイル基が好ましい。   Examples of the arylene group include a phenylene group (for example, formulas 1 to 3 in the following figure), a naphthalene-diyl group (formulas 4 to 13 in the following figure), an anthracene-diyl group (formulas 14 to 19 in the following figure), Formulas 20-25), terphenyl-diyl groups (formulas 26-28 in the figure below), condensed ring compound groups (formulas 29-35 in the figure below), fluorene-diyl groups (formulas 36-38 in the figure below), indenofluorene -Diyl (lower figures 38A-38B), stilbene-diyl (formulas A-D in the lower figure), distilbene-diyl (formulas E, F in the lower figure) and the like. Of these, a phenylene group, a biphenyl-diyl group, a fluorene-diyl group, and a stilbene-diyl group are preferable.


Figure 2005206826

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上記式(2)〜(5)において、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、およびAr5で示される2価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子2個を除いた残りの原子団をいい、該基は置換基を有していてもよい。
ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。
2価の複素環基の中では、芳香族複素環基が好ましい。
置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基等が挙げられ、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、1価の複素環基が好ましい。
2価の複素環基における置換基を除いた部分の炭素数は通常3〜60程度である。また、2価の複素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常3〜100程度である。
In the above formulas (2) to (5), the divalent heterocyclic group represented by Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , Ar 4 , and Ar 5 is the remainder obtained by removing two hydrogen atoms from the heterocyclic compound. The group may have a substituent.
Here, the heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure, and the elements constituting the ring include not only carbon atoms but also hetero atoms such as oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, boron, and arsenic in the ring. Say things.
Of the divalent heterocyclic groups, an aromatic heterocyclic group is preferable.
Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, an amino group, and a substituted amino group. , Silyl group, substituted silyl group, silyloxy group, substituted silyloxy group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group, cyano And an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, a substituted amino group, a substituted silyl group, a substituted silyloxy group, and a monovalent heterocyclic group are preferable.
Carbon number of the part except the substituent in a bivalent heterocyclic group is about 3-60 normally. Moreover, the total carbon number including the substituent of a bivalent heterocyclic group is about 3-100 normally.

2価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として、窒素を含む2価の複素環基;ピリジンージイル基(下図の式39〜44)、ジアザフェニレン基(下図の式45〜48)、キノリンジイル基(下図の式49〜63)、キノキサリンジイル基(下図の式64〜68)、アクリジンジイル基(下図の式69〜72)、ビピリジルジイル基(下図の式73〜75)、フェナントロリンジイル基(下図の式76〜78)、など。
ヘテロ原子としてケイ素、窒素、ホウ素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基(下図の式79〜93)。
ヘテロ原子としてケイ素、窒素、ホウ素、硫黄、セレンなどを含みインデノフルオレン構造を有する基(下図の式J〜O)。
ヘテロ原子としてケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む5員環複素環基:(下図の式94〜98)。
ヘテロ原子としてケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む5員環縮合複素基:(下図の式99〜110)。
ヘテロ原子としてケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む5員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し2量体やオリゴマーになっている基:(下図の式111〜112)。
ヘテロ原子としてケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む5員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基:(下図の式113〜119)。
ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄、などを含む5員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基:(下図の式120〜125)。
Examples of the divalent heterocyclic group include the following.
Divalent heterocyclic group containing nitrogen as a hetero atom; pyridine-diyl group (formula 39 to 44 in the following figure), diazaphenylene group (formula 45 to 48 in the figure below), quinoline diyl group (formula 49 to 63 in the figure below), quinoxaline Diyl groups (formulas 64 to 68 in the lower figure), acridine diyl groups (formulas 69 to 72 in the lower figure), bipyridyldiyl groups (formulas 73 to 75 in the lower figure), phenanthroline diyl groups (formulas 76 to 78 in the lower figure), and the like.
Groups having a fluorene structure containing silicon, nitrogen, boron, sulfur, selenium and the like as a hetero atom (formulas 79 to 93 in the following figure).
A group containing silicon, nitrogen, boron, sulfur, selenium and the like as a hetero atom and having an indenofluorene structure (formulas J to O in the following figure).
5-membered ring heterocyclic group containing silicon, nitrogen, sulfur, selenium and the like as a hetero atom: (Formulas 94 to 98 in the following figure).
5-membered ring condensed heterocyclic groups containing silicon, nitrogen, sulfur, selenium and the like as a hetero atom: (Formulas 99 to 110 in the following figure).
A 5-membered heterocyclic group containing silicon, nitrogen, sulfur, selenium, etc. as a heteroatom, and bonded to the α-position of the heteroatom to form a dimer or oligomer: (Formulas 111 to 112 in the following figure).
A 5-membered ring heterocyclic group containing silicon, nitrogen, sulfur, selenium, etc. as a hetero atom, and bonded to the phenyl group at the α-position of the hetero atom: (Formulas 113 to 119 in the following figure).
A group obtained by substituting a phenyl group, a furyl group, or a thienyl group with a 5-membered condensed heterocyclic group containing oxygen, nitrogen, sulfur, or the like as a hetero atom (formulas 120 to 125 in the following figure).


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Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、およびAr5で示される金属錯体構造を有する2価の基とは、有機配位子を有する金属錯体の有機配位子から水素原子を2個除いた残りの2価の基をいう。
有機配位子を有する金属錯体の有機配位子の炭素数は、通常4〜60程度である。有機配位子としては、例えば、8−キノリノールおよびその誘導体、ベンゾキノリノールおよびその誘導体、2−フェニル−ピリジンおよびその誘導体、2−フェニル−ベンゾチアゾールおよびその誘導体、2−フェニル−ベンゾキサゾールおよびその誘導体、ポルフィリンおよびその誘導体などが挙げられる。
有機配位子を有する金属錯体の中心金属としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、ベリリウム、イリジウム、白金、金、ユーロピウム、テルビウムなどが挙げられる。
有機配位子を有する金属錯体としては、低分子の蛍光材料、燐光材料として公知のもの、いわゆる三重項発光錯体などが挙げられる。
The divalent group having a metal complex structure represented by Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , Ar 4 , and Ar 5 is a group obtained by removing two hydrogen atoms from an organic ligand of a metal complex having an organic ligand. The remaining divalent group.
Carbon number of the organic ligand of the metal complex having an organic ligand is usually about 4 to 60. Examples of organic ligands include 8-quinolinol and derivatives thereof, benzoquinolinol and derivatives thereof, 2-phenyl-pyridine and derivatives thereof, 2-phenyl-benzothiazole and derivatives thereof, 2-phenyl-benzoxazole and derivatives thereof. Derivatives, porphyrins and derivatives thereof.
Examples of the central metal of the metal complex having an organic ligand include aluminum, zinc, beryllium, iridium, platinum, gold, europium, and terbium.
Examples of the metal complex having an organic ligand include low-molecular fluorescent materials and phosphorescent materials known as so-called triplet light-emitting complexes.

金属錯体構造を有する2価の基としては、例えば、以下の(126〜132)が例示される。   Examples of the divalent group having a metal complex structure include the following (126 to 132).

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上記の式1〜132、J〜Oにおいて、Rはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、またはシアノ基を示す。   In the above formulas 1-132 and J-O, each R is independently a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group. , Arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, silyloxy group, substituted silyloxy group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, A monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group, or a cyano group is shown.

上記置換基の例において、1つの構造式中に複数のRを有しているが、これらのRの内の複数のRが連結または縮合して、環を形成していてもよい。また、Rがアルキルを含む場合には、アルキルの一部のメチル基やメチレン基がヘテロ原子を含む基や一つ以上のフッ素で置換されたメチル基やメチレン基で置き換えられていてもよく、それらのヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。
さらに、Rがアリール基や複素環基をその一部に含む場合は、それらがさらに1つ以上の置換基を有していてもよい。
また、溶媒への溶解性を高めるためには、1つの構造式中の複数のRのうち少なくとも一つが水素原子以外であることが好ましく、また置換基を含めた繰り返し単位の形状の対称性が少ないことが好ましい。また、1つの構造式中のRの1つ以上が炭素数3以上の直鎖状、または環状もしくは分岐のあるアルキル基を含む基であることが好ましい。
In the example of the substituent, a plurality of Rs are contained in one structural formula, but a plurality of Rs out of these Rs may be linked or condensed to form a ring. Further, when R contains alkyl, a part of the methyl group or methylene group of alkyl may be replaced with a group containing a hetero atom or a methyl group or methylene group substituted with one or more fluorine atoms. Examples of these heteroatoms include oxygen atoms, sulfur atoms, nitrogen atoms and the like.
Furthermore, when R contains an aryl group or a heterocyclic group as a part thereof, they may further have one or more substituents.
In order to increase the solubility in a solvent, it is preferable that at least one of a plurality of Rs in one structural formula is other than a hydrogen atom, and the symmetry of the shape of the repeating unit including a substituent is Less is preferred. Moreover, it is preferable that one or more of R in one structural formula is a group containing a linear or cyclic or branched alkyl group having 3 or more carbon atoms.

Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、およびAr5が有していてもよい置換基の中で、アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもく、炭素数が通常1〜20程度、好ましくは3〜20であり、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、i−プロピル基、ブチル基、 i−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、4−C1〜C12アルキルシクロヘキシル基(C1〜C12は、炭素数1〜12であることを示す。以下も同様である。)、ヘプチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、3,7−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられ、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、デシル基、3,7−ジメチルオクチル基が好ましい。 Among the substituents that Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , Ar 4 , and Ar 5 may have, the alkyl group may be linear, branched, or cyclic, and usually has 1 to 20 carbon atoms. The degree is preferably 3 to 20, and specific examples thereof include methyl group, ethyl group, propyl group, i-propyl group, butyl group, i-butyl group, t-butyl group, pentyl group, isoamyl group, hexyl. Group, a cyclohexyl group, a 4-C 1 -C 12 alkylcyclohexyl group (C 1 -C 12 indicate that it has 1 to 12 carbon atoms, the same applies hereinafter), a heptyl group, an octyl group, 2- Ethylhexyl group, nonyl group, decyl group, 3,7-dimethyloctyl group, lauryl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluorobutyl group, perfluorohexyl group, perfluorooctyl And the like, a pentyl group, a hexyl group, an octyl group, a 2-ethylhexyl group, decyl group, 3,7-dimethyl octyl group are preferable.

アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常1〜20程度、好ましくは3〜20であり、その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、i−プロピルオキシ基、ブトキシ基、 i−ブトキシ基、t−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、2−メトキシエチルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。   The alkoxy group may be linear, branched or cyclic, and usually has about 1 to 20 carbon atoms, preferably 3 to 20, and specific examples thereof include methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, i- Propyloxy group, butoxy group, i-butoxy group, t-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, cyclohexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, nonyloxy group, decyloxy group, 3 , 7-dimethyloctyloxy group, lauryloxy group, trifluoromethoxy group, pentafluoroethoxy group, perfluorobutoxy group, perfluorohexyl group, perfluorooctyl group, methoxymethyloxy group, 2-methoxyethyloxy group, etc. Pentyloxy group, hexyloxy group Octyloxy group, a 2-ethylhexyl group, decyloxy group, 3,7-dimethyl octyloxy group are preferable.

アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常1〜20程度、好ましくは3〜20であり、その具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、 i−プロピルチオ基、ブチルチオ基、 i−ブチルチオ基、t−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。   The alkylthio group may be linear, branched or cyclic, and usually has about 1 to 20 carbon atoms, preferably 3 to 20, and specific examples thereof include methylthio group, ethylthio group, propylthio group, i-propylthio group. Group, butylthio group, i-butylthio group, t-butylthio group, pentylthio group, hexylthio group, cyclohexylthio group, heptylthio group, octylthio group, 2-ethylhexylthio group, nonylthio group, decylthio group, 3,7-dimethyloctylthio Group, laurylthio group, trifluoromethylthio group and the like, and pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, 2-ethylhexylthio group, decylthio group, and 3,7-dimethyloctylthio group are preferable.

アリール基は、炭素数が通常6〜60程度、好ましくは7〜48であり、その具体例としては、フェニル基、C1〜C12アルコキシフェニル基、C1〜C12アルキルフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントラセニル基、2−アントラセニル基、9−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示され、C1〜C12アルコキシフェニル基、C1〜C12アルキルフェニル基が好ましい。ここに、アリール基とは、芳香族炭化水素から、水素原子1個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環2個以上が直接またはビニレンなどの基を介して結合したものも含まれる。
1〜C12アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、i−プロピルオキシ、ブトキシ、i−ブトキシ、t−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、2−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、3,7−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
1〜C12アルキルとして具体的には、メチル、エチル、プロピル、i−プロピル、ブチル、i−ブチル、t−ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチル、2−エチルヘキシル、ノニル、デシル、3,7−ジメチルオクチル、ラウリルなどが例示される。
The aryl group usually has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48, and specific examples thereof include a phenyl group, a C 1 to C 12 alkoxyphenyl group, a C 1 to C 12 alkylphenyl group, 1- Examples include a naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 1-anthracenyl group, a 2-anthracenyl group, a 9-anthracenyl group, and a pentafluorophenyl group, and a C 1 to C 12 alkoxyphenyl group and a C 1 to C 12 alkylphenyl group preferable. Here, the aryl group is an atomic group obtained by removing one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon, and those having a condensed ring, two or more independent benzene rings or condensed rings are directly or a group such as vinylene. The thing couple | bonded through is also included.
Specific examples of C 1 -C 12 alkoxy include methoxy, ethoxy, propyloxy, i-propyloxy, butoxy, i-butoxy, t-butoxy, pentyloxy, hexyloxy, cyclohexyloxy, heptyloxy, octyloxy, 2 -Ethylhexyloxy, nonyloxy, decyloxy, 3,7-dimethyloctyloxy, lauryloxy and the like are exemplified.
Specific examples of C 1 -C 12 alkyl include methyl, ethyl, propyl, i-propyl, butyl, i-butyl, t-butyl, pentyl, hexyl, cyclohexyl, heptyl, octyl, 2-ethylhexyl, nonyl, decyl, Examples include 3,7-dimethyloctyl and lauryl.

アリールオキシ基は、炭素数が通常6〜60程度、好ましくは7〜48であり、その具体例としては、フェノキシ基、C1〜C12アルコキシフェノキシ基、C1〜C12アルキルフェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基などが例示され、C1〜C12アルコキシフェノキシ基、C1〜C12アルキルフェノキシ基が好ましい。 The aryloxy group usually has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48, and specific examples thereof include phenoxy group, C 1 to C 12 alkoxyphenoxy group, C 1 to C 12 alkylphenoxy group, 1 - naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, pentafluorophenyloxy group are exemplified, C 1 -C 12 alkoxy phenoxy group, a C 1 -C 12 alkylphenoxy group are preferable.

アリールチオ基は、炭素数が通常6〜60程度、好ましくは7〜48であり、その具体例としては、フェニルチオ基、C1〜C12アルコキシフェニルチオ基、C1〜C12アルキルフェニルチオ基、1−ナフチルチオ基、2−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基などが例示され、C1〜C12アルコキシフェニルチオ基、C1〜C12アルキルフェニルチオ基が好ましい。 Arylthio group, usually about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48, and specific examples thereof include a phenylthio group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl-thio group, C 1 -C 12 alkyl phenylthio group, 1-naphthylthio group, 2-naphthylthio group, pentafluorophenylthio group and the like, C 1 -C 12 alkoxyphenyl-thio group, a C 1 -C 12 alkyl phenylthio group are preferable.

アリールアルキル基は、炭素数が通常7〜60程度、好ましくは7〜48であり、その具体例としては、フェニルメチル基、フェニルエチル基、フェニルブチル基、フェニルペンチル基、フェニルヘキシル基、フェニルヘプチチル基、フェニルオクチル基などのフェニル−C1〜C12アルキル基、フェニル−C1〜C12アルキル基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキル基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキル基、1−ナフチル−C1〜C12アルキル基、2−ナフチル−C1〜C12アルキル基などが例示され、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキル基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキル基が好ましい。 The arylalkyl group usually has about 7 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48, and specific examples thereof include phenylmethyl group, phenylethyl group, phenylbutyl group, phenylpentyl group, phenylhexyl group, phenylhexyl group. Puchichiru group, a phenyl -C 1 -C 12 alkyl group such as a phenyl octyl group, a phenyl -C 1 -C 12 alkyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkyl group, C 1 -C 12 Examples include alkylphenyl-C 1 -C 12 alkyl group, 1-naphthyl-C 1 -C 12 alkyl group, 2-naphthyl-C 1 -C 12 alkyl group, etc., and C 1 -C 12 alkoxyphenyl-C 1- C 12 alkyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkyl group are preferable.

アリールアルコキシ基は、炭素数が通常7〜60程度、好ましくは7〜48であり、その具体例としては、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基などのフェニル−C1〜C12アルコキシ基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルコキシ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルコキシ基、1−ナフチル−C1〜C12アルコキシ基、2−ナフチル−C1〜C12アルコキシ基などが例示され、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルコキシ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルコキシ基が好ましい。 The arylalkoxy group usually has about 7 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48. Specific examples thereof include phenylmethoxy group, phenylethoxy group, phenylbutoxy group, phenylpentyloxy group, phenylhexyloxy group, phenyl heptene Ciro alkoxy group, a phenyl -C 1 -C 12 alkoxy groups such as phenyl Ok Ciro alkoxy group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkoxy group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C Examples include 12 alkoxy groups, 1-naphthyl-C 1 -C 12 alkoxy groups, 2-naphthyl-C 1 -C 12 alkoxy groups, etc., C 1 -C 12 alkoxyphenyl-C 1 -C 12 alkoxy groups, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkoxy group are preferable.

アリールアルキルチオ基は、炭素数が通常7〜60程度、好ましくは7〜48であり、その具体例としては、フェニル−C1〜C12アルキルチオ基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキルチオ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルチオ基、1−ナフチル−C1〜C12アルキルチオ基、2−ナフチル−C1〜C12アルキルチオ基などが例示され、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキルチオ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルチオ基が好ましい。 Arylalkylthio group has usually about 7 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48, and examples thereof include phenyl -C 1 -C 12 alkylthio group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkylthio group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkylthio group, 1-naphthyl -C 1 -C 12 alkylthio group, 2-naphthyl -C 1 -C 12 alkylthio groups and the like, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkylthio group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkylthio group are preferable.

アリールアルケニル基は、炭素数が通常8〜60程度、好ましくは8〜48であり、その具体例としては、フェニル−C2〜C12アルケニル基、C1〜C12アルコキシフェニル−C2〜C12アルケニル基、C1〜C12アルキルフェニル−C2〜C12アルケニル基、1−ナフチル−C2〜C12アルケニル基、2−ナフチル−C2〜C12アルケニル基などが例示され、C1〜C12アルコキシフェニル−C2〜C12アルケニル基、C1〜C12アルキルフェニル−C2〜C12アルケニル基が好ましい。 Arylalkenyl group has usually about 8 to 60 carbon atoms, preferably 8 to 48, and examples thereof include phenyl -C 2 -C 12 alkenyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 2 -C 12 alkenyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 2 -C 12 alkenyl group, 1-naphthyl -C 2 -C 12 alkenyl group, 2-naphthyl -C 2 -C 12 alkenyl groups and the like, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 2 -C 12 alkenyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 2 -C 12 alkenyl groups are preferred.

アリールアルキニル基は、炭素数が通常8〜60程度、好ましくは8〜48であり、その具体例としては、フェニル−C2〜C12アルキニル基、C1〜C12アルコキシフェニル−C2〜C12アルキニル基、C1〜C12アルキルフェニル−C2〜C12アルキニル基、1−ナフチル−C2〜C12アルキニル基、2−ナフチル−C2〜C12アルキニル基などが例示され、C1〜C12アルコキシフェニル−C2〜C12アルキニル基、C1〜C12アルキルフェニル−C2〜C12アルキニル基が好ましい。 The arylalkynyl group has usually about 8 to 60 carbon atoms, preferably 8 to 48, and examples thereof include phenyl -C 2 -C 12 alkynyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 2 -C 12 alkynyl, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 2 -C 12 alkynyl group, 1-naphthyl -C 2 -C 12 alkynyl group, 2-naphthyl -C 2 -C 12 alkynyl groups and the like, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 2 -C 12 alkynyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 2 -C 12 alkynyl group are preferable.

置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および1価の複素環基から選ばれる1または2個の基で置換されたアミノ基があげられる。
置換アミノ基は、炭素数が通常1〜60程度、好ましくは2〜48であり、その具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、i−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、i−ブチルアミノ基、t−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、3,7−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、C1〜C12アルコキシフェニルアミノ基、ジ(C1〜C12アルコキシフェニル)アミノ基、ジ(C1〜C12アルキルフェニル)アミノ基、1−ナフチルアミノ基、2−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−C1〜C12アルキルアミノ基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキルアミノ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルアミノ基、ジ(C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキル)アミノ基、ジ(C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキル)アミノ基、1−ナフチル−C1〜C12アルキルアミノ基、2−ナフチル−C1〜C12アルキルアミノ基、カルバゾイル基などが例示される。
Examples of the substituted amino group include an amino group substituted with one or two groups selected from an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, and a monovalent heterocyclic group.
The substituted amino group usually has about 1 to 60 carbon atoms, preferably 2 to 48, and specific examples thereof include methylamino group, dimethylamino group, ethylamino group, diethylamino group, propylamino group, dipropylamino group. Group, i-propylamino group, diisopropylamino group, butylamino group, i-butylamino group, t-butylamino group, pentylamino group, hexylamino group, cyclohexylamino group, heptylamino group, octylamino group, 2- Ethylhexylamino group, nonylamino group, decylamino group, 3,7-dimethyloctylamino group, laurylamino group, cyclopentylamino group, dicyclopentylamino group, cyclohexylamino group, dicyclohexylamino group, pyrrolidyl group, piperidyl group, ditrifluoromethylamino Basic Feni Amino group, diphenylamino group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl amino group, di (C 1 -C 12 alkoxyphenyl) amino group, di (C 1 -C 12 alkylphenyl) amino groups, 1-naphthylamino group, 2 - naphthylamino group, pentafluorophenylamino group, pyridylamino group, pyridazinylamino group, pyrimidylamino group, Pirajiruamino group, triazyl amino group phenyl -C 1 -C 12 alkylamino group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl - C 1 -C 12 alkylamino group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkylamino group, di (C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkyl) amino group, di (C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkyl) amino groups, 1-naphthyl -C 1 -C 12 alkylamino group, 2-naphthyl -C 1 C 12 alkylamino groups, such as carbazolyl groups.

置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および1価の複素環基から選ばれる1、2または3個の基で置換されたシリル基があげられる。
置換シリル基は、炭素数が通常1〜60程度、好ましくは3〜48であり、その具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−i−プロピルシリル基、ジメチル−i−プロピリシリル基、ジエチル−i−プロピルシリル基、t−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、2−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、3,7−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−C1〜C12アルキルシリル基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキルシリル基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルシリル基、1−ナフチル−C1〜C12アルキルシリル基、2−ナフチル−C1〜C12アルキルシリル基、フェニル−C1〜C12アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−p−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、t−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、トリプロピルオキシシリル基、トリ−i−プロピルシリル基、ジメチル−i−プロピリシリル基、メチルジメトキシシリル基、エチルジメトキシシリル基、などが例示される。
Examples of the substituted silyl group include a silyl group substituted with 1, 2 or 3 groups selected from an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group and a monovalent heterocyclic group.
The substituted silyl group usually has about 1 to 60 carbon atoms, preferably 3 to 48, and specific examples thereof include trimethylsilyl group, triethylsilyl group, tripropylsilyl group, tri-i-propylsilyl group, dimethyl- i-propylsilyl group, diethyl-i-propylsilyl group, t-butylsilyldimethylsilyl group, pentyldimethylsilyl group, hexyldimethylsilyl group, heptyldimethylsilyl group, octyldimethylsilyl group, 2-ethylhexyl-dimethylsilyl group, nonyl dimethylsilyl group, decyldimethylsilyl group, a 3,7-- dimethylsilyl group, lauryldimethylsilyl group, a phenyl -C 1 -C 12 alkylsilyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkyl silyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 ~ 12 alkylsilyl group, 1-naphthyl -C 1 -C 12 alkylsilyl group, 2-naphthyl -C 1 -C 12 alkylsilyl group, a phenyl -C 1 -C 12 alkyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, tri - p-xylylsilyl group, tribenzylsilyl group, diphenylmethylsilyl group, t-butyldiphenylsilyl group, dimethylphenylsilyl group, trimethoxysilyl group, triethoxysilyl group, tripropyloxysilyl group, tri-i-propylsilyl group Dimethyl-i-propylsilyl group, methyldimethoxysilyl group, ethyldimethoxysilyl group, and the like.

置換シリルオキシ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および1価の複素環基から選ばれる1、2または3個の基で置換されたシリルオキシ基があげられる。置換シリルオキシ基は、炭素数が通常1〜60程度、好ましくは3〜48であり、その具体例としては、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリプロピルシリルオキシ基、トリ−i−プロピルシリルオキシ基、ジメチル−i−プロピリシリルオキシ基、ジエチル−i−プロピルシリルオキシ基、t−ブチルシリルジメチルシリルオキシ基、ペンチルジメチルシリルオキシ基、ヘキシルジメチルシリルオキシ基、ヘプチルジメチルシリルオキシ基、オクチルジメチルシリルオキシ基、2−エチルヘキシル−ジメチルシリルオキシ基、ノニルジメチルシリルオキシ基、デシルジメチルシリルオキシ基、3,7−ジメチルオクチル−ジメチルシリルオキシ基、ラウリルジメチルシリルオキシ基、フェニル−C1〜C12アルキルシリルオキシ基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキルシリルオキシ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルシリルオキシ基、1−ナフチル−C1〜C12アルキルシリルオキシ基、2−ナフチル−C1〜C12アルキルシリルオキシ基、フェニル−C1〜C12アルキルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリ−p−キシリルシリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、ジフェニルメチルシリルオキシ基、t−ブチルジフェニルシリルオキシ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基、トリメトキシシリルオキシ基、トリエトキシシリルオキシ基、トリプロピルオキシシリルオキシ基、トリ−i−プロピルシリルオキシ基、ジメチル−i−プロピリシリルオキシ基、メチルジメトキシシリルオキシ基、エチルジメトキシシリルオキシ基、などが例示される。 Examples of the substituted silyloxy group include a silyloxy group substituted with 1, 2 or 3 groups selected from an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group and a monovalent heterocyclic group. The substituted silyloxy group usually has about 1 to 60 carbon atoms, preferably 3 to 48. Specific examples thereof include trimethylsilyloxy group, triethylsilyloxy group, tripropylsilyloxy group, tri-i-propylsilyloxy group. Group, dimethyl-i-propylsilyloxy group, diethyl-i-propylsilyloxy group, t-butylsilyldimethylsilyloxy group, pentyldimethylsilyloxy group, hexyldimethylsilyloxy group, heptyldimethylsilyloxy group, octyldimethyl silyloxy group, 2-ethylhexyl - butyldimethylsilyloxy group, nonyldimethylsilyl group, decyldimethylsilyl group, a 3,7-- butyldimethylsilyloxy group, lauryl dimethyl silyloxy group, a phenyl -C 1 -C 12 Alkyl Riruokishi group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkyl silyloxy group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkyl silyl group, 1-naphthyl -C 1 -C 12 alkylsilyl oxy group, 2-naphthyl -C 1 -C 12 alkyl silyloxy group, phenyl -C 1 -C 12 alkyl dimethyl silyloxy group, triphenyl silyloxy group, tri -p- xylyl silyloxy group, tribenzylsilyloxy Group, diphenylmethylsilyloxy group, t-butyldiphenylsilyloxy group, dimethylphenylsilyloxy group, trimethoxysilyloxy group, triethoxysilyloxy group, tripropyloxysilyloxy group, tri-i-propylsilyloxy group, Dimethyl-i-propylsilyloxy group, methyldimethoxysilylo Shi, ethyl dimethoxy silyl group, and the like are exemplified.

ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が例示される。   Examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine and iodine.

アシル基は、炭素数が通常2〜20程度、好ましくは2〜18であり、その具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。   The acyl group usually has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms, and specific examples thereof include acetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, pivaloyl group, benzoyl group, trifluoroacetyl group, Examples thereof include a pentafluorobenzoyl group.

アシルオキシ基は、炭素数が通常2〜20程度、好ましくは2〜18であり、その具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。   The acyloxy group usually has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples thereof include an acetoxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, an isobutyryloxy group, a pivaloyloxy group, a benzoyloxy group, Examples thereof include a trifluoroacetyloxy group and a pentafluorobenzoyloxy group.

イミン残基とは、イミン化合物(分子内に、−N=C-を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのN上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物があげられる)から水素原子1個を除いた残基をいい、通常炭素数が2〜60程度、好ましくは炭素数2〜20であり、その具体例としては、以下の構造式で示される基などが例示される。


Figure 2005206826
The imine residue refers to an imine compound (an organic compound having —N═C— in the molecule. For example, aldimine, ketimine, and hydrogen atoms on these N are substituted with alkyl groups or the like. And a residue obtained by removing one hydrogen atom from the compound, usually having about 2 to 60 carbon atoms, preferably 2 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof are shown by the following structural formulas: And the like are exemplified.


Figure 2005206826

アミド基は、炭素数が通常1〜20程度、好ましくは2〜18であり、その具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基などが例示される。   The amide group usually has about 1 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples thereof include formamide group, acetamide group, propioamide group, butyroamide group, benzamide group, trifluoroacetamide group, pentafluorobenzamide. Group, diformamide group, diacetamide group, dipropioamide group, dibutyroamide group, dibenzamide group, ditrifluoroacetamide group, dipentafluorobenzamide group and the like.

酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基があげられ、通常炭素数2〜60程度であり、好ましくは炭素数2〜20である。具体的には以下に示す基が例示される。

Figure 2005206826
上記例示において、Meはメチル基を示す。 The acid imide group includes a residue obtained by removing a hydrogen atom bonded to the nitrogen atom from an acid imide, and usually has about 2 to 60 carbon atoms, preferably 2 to 20 carbon atoms. Specific examples include the following groups.

Figure 2005206826
In the above examples, Me represents a methyl group.

1価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子1個を除いた残りの原子団をいい、炭素数が通常3〜60程度、好ましくは4〜20である。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。
1価の複素環基の具体例としては、チエニル基、C1〜C12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、C1〜C12アルキルピリジル基などが例示され、チエニル基、C1〜C12アルキルチエニル基、ピリジル基、C1〜C12アルキルピリジル基が好ましい。
The monovalent heterocyclic group refers to the remaining atomic group obtained by removing one hydrogen atom from a heterocyclic compound, and usually has about 3 to 60 carbon atoms, preferably 4 to 20 carbon atoms. The carbon number of the heterocyclic group does not include the carbon number of the substituent. Here, the heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure in which the elements constituting the ring include not only carbon atoms but also hetero atoms such as oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, boron, etc. in the ring. Say.
Monovalent Specific examples of the heterocyclic group are thienyl groups, C 1 -C 12 alkyl thienyl group, a pyrrolyl group, a furyl group, a pyridyl group, a C 1 -C 12 alkyl pyridyl group are thienyl groups, C A 1 to C 12 alkyl thienyl group, a pyridyl group, and a C 1 to C 12 alkyl pyridyl group are preferred.

置換カルボキシル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または1価の複素環基で置換されたカルボキシル基をがあげられる。
置換カルボキシル基は、通常炭素数が2〜60程度、好ましくは2〜48であり、その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、i−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、2−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、3,7−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、などが挙げられる。
Examples of the substituted carboxyl group include an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, or a carboxyl group substituted with a monovalent heterocyclic group.
The substituted carboxyl group usually has about 2 to 60 carbon atoms, preferably 2 to 48, and specific examples thereof include methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group, i-propoxycarbonyl group, butoxycarbonyl group, i-butoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, pentyloxycarbonyl group, hexyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group, heptyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, 2-ethylhexyloxycarbonyl group, nonyloxycarbonyl group, Decyloxycarbonyl group, 3,7-dimethyloctyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, trifluoromethoxycarbonyl group, pentafluoroethoxycarbonyl group, perfluorobutoxycarbonyl group Perfluorobutoxycarbonyl group, perfluorooctyl group, phenoxycarbonyl group, naphthoxycarbonyl group, pyridyloxycarbonyl group, and the like.

上記式(2)〜(5)の中では、上記式(2)、式(3)がより好ましい。 Among the above formulas (2) to (5), the above formulas (2) and (3) are more preferable.

上記式(2)の中では、下記式(8)、(9)、(10)、(11)、(12)、(13)が好ましい。   Among the above formulas (2), the following formulas (8), (9), (10), (11), (12), and (13) are preferable.


Figure 2005206826
式中、R25は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。zは0〜4の整数を示す。R25が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
(8)の具体例としては、
Figure 2005206826
があげられる。

Figure 2005206826
In the formula, R 25 is an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted Amino group, silyl group, substituted silyl group, silyloxy group, substituted silyloxy group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group Or a cyano group is shown. z shows the integer of 0-4. When a plurality of R 25 are present, they may be the same or different.
As a specific example of (8),
Figure 2005206826
Is given.


Figure 2005206826
〔式中、R26およびR27は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。aaおよびbbはそれぞれ独立に0〜3の整数を示す。R26およびR27がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
(9)の具体例としては
Figure 2005206826
があげられる。

Figure 2005206826
[Wherein R 26 and R 27 are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, aryl Alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, silyloxy group, substituted silyloxy group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group Represents a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group. aa and bb each independently represent an integer of 0 to 3. When a plurality of R 26 and R 27 are present, they may be the same or different.
As a specific example of (9)
Figure 2005206826
Is given.


Figure 2005206826
〔式中、R28およびR31は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。R29およびR30は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ccおよびddはそれぞれ独立に0〜4の整数を示す。R28およびR31がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕


(10)の具体例としては
Figure 2005206826
があげられる。

Figure 2005206826
Wherein R 28 and R 31 are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, aryl Alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, silyloxy group, substituted silyloxy group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group Represents a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group. R 29 and R 30 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group. cc and dd each independently represents an integer of 0 to 4. When a plurality of R 28 and R 31 are present, they may be the same or different. ]


As a specific example of (10)
Figure 2005206826
Is given.


Figure 2005206826
式中、R32は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。eeは0〜2の整数を示す。Ar6 およびAr7はそれぞれ独立にアリーレン基、2価の複素環基または金属錯体構造を有する2価の基を示す。saおよびsbはそれぞれ独立に0または1を示す。X8は、O、S、SO、SO2、Se,またはTeを示す。R32が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
(11)の具体例としては

Figure 2005206826
があげられる。

Figure 2005206826
In the formula, R 32 is an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted Amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group or cyano group are shown. ee represents an integer of 0-2. Ar 6 and Ar 7 each independently represent an arylene group, a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure. sa and sb each independently represent 0 or 1; X 8 represents O, S, SO, SO 2 , Se, or Te. When a plurality of R 32 are present, they may be the same or different.
As a concrete example of (11)

Figure 2005206826
Is given.


Figure 2005206826
式中、R33およびR34は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ffおよびggはそれぞれ独立に0〜4の整数を示す。X5は、O、S、SO、SO2、Se,Te、N−R35、またはSiR3637を示す。X6およびX7は、それぞれ独立に、NまたはC−R38を示す。R35、R36、R37およびR38はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または1価の複素環基を示す。R33、R34、R36およびR37がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

式(12)の中央の5員環の例としては、チアジアゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、チオフェン、フラン、シロールなどがあげられる。
(12)の具体例としては
Figure 2005206826
があげられる。

Figure 2005206826
In the formula, each of R 33 and R 34 independently represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl. Group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, silyloxy group, substituted silyloxy group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, A carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group is shown. ff and gg each independently represent an integer of 0 to 4. X 5 represents O, S, SO, SO 2 , Se, Te, N—R 35 , or SiR 36 R 37 . X 6 and X 7 each independently represent N or C—R 38 . R 35 , R 36 , R 37 and R 38 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group or a monovalent heterocyclic group. When a plurality of R 33 , R 34 , R 36 and R 37 are present, they may be the same or different. ]

Examples of the central 5-membered ring in the formula (12) include thiadiazole, oxadiazole, triazole, thiophene, furan, silole and the like.
As a specific example of (12)
Figure 2005206826
Is given.


Figure 2005206826

式中、R39およびR44は、それぞれ独立に式(8)のR25と同じ基を示す。hhおよびjjはそれぞれ独立に0〜4の整数を示す。R40、R41、R42およびR43は、それぞれ独立に式(10)のR29と同じ基を示す。Ar5はアリーレン基、2価の複素環基または金属錯体構造を有する2価の基を示す。R39およびR44が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
(12)の具体例としては
Figure 2005206826
があげられる。

Figure 2005206826

In the formula, R 39 and R 44 each independently represent the same group as R 25 in the formula (8). hh and jj each independently represents an integer of 0 to 4. R 40 , R 41 , R 42 and R 43 each independently represent the same group as R 29 in formula (10). Ar 5 represents an arylene group, a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure. When a plurality of R 39 and R 44 are present, they may be the same or different.
As a specific example of (12)
Figure 2005206826
Is given.

また上記式(3)の中では、下記式(14)が好ましい。

Figure 2005206826

式中、Ar11、Ar12、Ar13およびAr14は、それぞれ独立にアリーレン基または2価の複素環基を表す。Ar15、Ar16およびAr17は、それぞれ独立にアリール基または1価の複素環基を表す。qqおよびrrはそれぞれ独立に0または1を表し、0≦qq+rr≦1である。
In the above formula (3), the following formula (14) is preferable.
Figure 2005206826

In the formula, Ar 11 , Ar 12 , Ar 13 and Ar 14 each independently represent an arylene group or a divalent heterocyclic group. Ar 15 , Ar 16 and Ar 17 each independently represents an aryl group or a monovalent heterocyclic group. qq and rr each independently represent 0 or 1, and 0 ≦ qq + rr ≦ 1.

上記(14)の具体例としては、下図(式133〜140)が挙げられる。 Specific examples of the above (14) include the following diagrams (Formulas 133 to 140).


Figure 2005206826

Figure 2005206826


Figure 2005206826


Figure 2005206826


Figure 2005206826

上記式においてRは、前記式1〜132、J〜Oのそれと同じ意味を表す。
Figure 2005206826

In the above formula, R represents the same meaning as in formulas 1-132 and J-O.

式(14)の中では、下記式(14-2)が好ましい。

Figure 2005206826
式中、R45、R46およびR47は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。kkおよびmmはそれぞれ独立に0〜4の整数を示す。ppは1〜2の整数を示す。nnは0〜5の整数を示す。R45、R46およびR47が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。 Of the formula (14), the following formula (14-2) is preferable.

Figure 2005206826
In the formula, R 45 , R 46 and R 47 are each independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group , Arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, silyloxy group, substituted silyloxy group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent complex A cyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group is shown. kk and mm each independently represent an integer of 0 to 4. pp represents an integer of 1 to 2. nn represents an integer of 0 to 5. When a plurality of R 45 , R 46 and R 47 are present, they may be the same or different.

本発明に用いる式(1)で示される単量体において、−Z1−および−Z2−はそれぞれ独立に、直接結合、−C≡C−、または−CR6=CR7−を表す。R6およびR7はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。 In the monomer represented by the formula (1) used in the present invention, —Z 1 — and —Z 2 — each independently represents a direct bond, —C≡C—, or —CR 6 ═CR 7 —. R 6 and R 7 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group.

ここに、R6およびR7で示されるアルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもく、炭素数が通常1〜20程度、好ましくは3〜20であり、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、i−プロピル基、ブチル基、 i−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、4−C1〜C12アルキルシクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、3,7−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられ、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、デシル基、3,7−ジメチルオクチル基が好ましい。 Here, the alkyl group represented by R 6 and R 7 may be linear, branched or cyclic, and usually has about 1 to 20 carbon atoms, preferably 3 to 20 carbon atoms. group, an ethyl group, a propyl group, i- propyl group, butyl group, i- butyl, t- butyl group, a pentyl group, an isoamyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, 4-C 1 ~C 12 alkyl cyclohexyl group, heptyl Group, octyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group, decyl group, 3,7-dimethyloctyl group, lauryl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluorobutyl group, perfluorohexyl group, perfluorooctyl Groups such as pentyl, hexyl, octyl, 2-ethylhexyl, decyl, and 3,7-dimethyloctyl. Preferred.

アリール基は、炭素数が通常6〜60程度、好ましくは7〜48であり、その具体例としては、フェニル基、C1〜C12アルコキシフェニル基(C1〜C12は、炭素数1〜12であることを示す。以下も同様である。)、C1〜C12アルキルフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントラセニル基、2−アントラセニル基、9−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示され、C1〜C12アルコキシフェニル基、C1〜C12アルキルフェニル基が好ましい。ここに、アリール基とは、芳香族炭化水素から、水素原子1個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環2個以上が直接またはビニレンなどの基を介して結合したものも含まれる。
1〜C12アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、i−プロピルオキシ、ブトキシ、i−ブトキシ、t−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、2−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、3,7−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
1〜C12アルキルとして具体的には、メチル、エチル、プロピル、i−プロピル、ブチル、i−ブチル、t−ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチル、2−エチルヘキシル、ノニル、デシル、3,7−ジメチルオクチル、ラウリルなどが例示される。
The aryl group usually has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specific examples thereof include a phenyl group and a C 1 to C 12 alkoxyphenyl group (C 1 to C 12 have 1 to indicates a 12. the same applies is less.), C 1 -C 12 alkylphenyl group, 1-naphthyl, 2-naphthyl, 1-anthracenyl group, 9-anthracenyl group, penta such as fluorophenyl group and the like, C 1 -C 12 alkoxyphenyl group, is C 1 -C 12 alkylphenyl group are preferable. Here, the aryl group is an atomic group obtained by removing one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon, and those having a condensed ring, two or more independent benzene rings or condensed rings are directly or a group such as vinylene. The thing couple | bonded through is also included.
Specific examples of C 1 -C 12 alkoxy include methoxy, ethoxy, propyloxy, i-propyloxy, butoxy, i-butoxy, t-butoxy, pentyloxy, hexyloxy, cyclohexyloxy, heptyloxy, octyloxy, 2 -Ethylhexyloxy, nonyloxy, decyloxy, 3,7-dimethyloctyloxy, lauryloxy and the like are exemplified.
Specific examples of C 1 -C 12 alkyl include methyl, ethyl, propyl, i-propyl, butyl, i-butyl, t-butyl, pentyl, hexyl, cyclohexyl, heptyl, octyl, 2-ethylhexyl, nonyl, decyl, Examples include 3,7-dimethyloctyl and lauryl.

1価の複素環基は、複素環化合物から水素原子1個を除いた残りの原子団をいい、炭素数が通常3〜60程度、好ましくは4〜20である。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。
1価の複素環基の具体例としては、チエニル基、C1〜C12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、C1〜C12アルキルピリジル基などが例示され、チエニル基、C1〜C12アルキルチエニル基、ピリジル基、C1〜C12アルキルピリジル基が好ましい。
The monovalent heterocyclic group refers to the remaining atomic group obtained by removing one hydrogen atom from a heterocyclic compound, and usually has about 3 to 60 carbon atoms, preferably 4 to 20 carbon atoms. The carbon number of the heterocyclic group does not include the carbon number of the substituent. Here, the heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure in which the elements constituting the ring include not only carbon atoms but also hetero atoms such as oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, boron, etc. in the ring. Say.
Monovalent Specific examples of the heterocyclic group are thienyl groups, C 1 -C 12 alkyl thienyl group, a pyrrolyl group, a furyl group, a pyridyl group, a C 1 -C 12 alkyl pyridyl group are thienyl groups, C A 1 to C 12 alkyl thienyl group, a pyridyl group, and a C 1 to C 12 alkyl pyridyl group are preferred.

置換カルボキシル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または1価の複素環基で置換されたカルボキシル基をがあげられる。
置換カルボキシル基は、通常炭素数が2〜60程度、好ましくは2〜48であり、その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、i−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、2−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、3,7−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、などが挙げられる。
Examples of the substituted carboxyl group include an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, or a carboxyl group substituted with a monovalent heterocyclic group.
The substituted carboxyl group usually has about 2 to 60 carbon atoms, preferably 2 to 48, and specific examples thereof include methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group, i-propoxycarbonyl group, butoxycarbonyl group, i-butoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, pentyloxycarbonyl group, hexyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group, heptyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, 2-ethylhexyloxycarbonyl group, nonyloxycarbonyl group, Decyloxycarbonyl group, 3,7-dimethyloctyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, trifluoromethoxycarbonyl group, pentafluoroethoxycarbonyl group, perfluorobutoxycarbonyl group Perfluorobutoxycarbonyl group, perfluorooctyl group, phenoxycarbonyl group, naphthoxycarbonyl group, pyridyloxycarbonyl group, and the like.

次に上記式(1)で示される単量体の製造方法について説明する。
上記式(1)で示される単量体の製造方法は、Y1、Y2で示される脱離基の種類によって異なるが、例えば第一の製造方法としては、下記式(1’)で示される化合物のWを、Y1、Y2に置換する方法があげられる。
Next, a method for producing the monomer represented by the above formula (1) will be described.
The method for producing the monomer represented by the above formula (1) varies depending on the type of leaving group represented by Y 1 and Y 2. For example, the first production method is represented by the following formula (1 ′). And a method of substituting W in the compound with Y 1 and Y 2 .

W−Z1−A−Z2−W (1’)
ここで、−Z1−、−Z2−およびAは前記と同じ意味を表し、Wは水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、トリアルキルシリル基、トリフルオロメタンスルホニル基、ホルミル基などを表す。
WZ 1 -AZ 2 -W (1 ′)
Here, -Z 1- , -Z 2 -and A represent the same meaning as described above, and W represents a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, an amino group, a trialkylsilyl group, a trifluoromethanesulfonyl group, a formyl group, or the like. Represent.

第一の製法につき具体的に説明する。
式(1)で示される化合物(−Z1−、−Z2−が直接結合、Y1およびY2がハロゲン原子)は、式(1’)で示される化合物(−Z1−、−Z2−が直接結合、Wが水素原子)と、塩素、臭素、N−ブロモスクシンイミド、ヨウ素−トリフルオロ酢酸銀等のハロゲン化試剤とを反応させることにより製造することができる。この場合必要に応じ、式(1’)で示される化合物を塩基を反応させた後にハロゲン化試剤と反応させてもよい
The first production method will be specifically described.
The compound represented by the formula (1) (—Z 1 —, —Z 2 — is a direct bond, and Y 1 and Y 2 are halogen atoms) is the compound represented by the formula (1 ′) (—Z 1 —, —Z 2- is a direct bond and W is a hydrogen atom) and a halogenating agent such as chlorine, bromine, N-bromosuccinimide, iodine-silver trifluoroacetate and the like. In this case, if necessary, the compound represented by the formula (1 ′) may be reacted with a halogenated reagent after reacting with a base.

また、式(1)で示される化合物(Y1およびY2がハロゲン原子)は、式(1’)で示される化合物(Wがニトロ基)を例えば、Ru/C等の触媒により還元してアミノ体とし、該アミノ体を、亜硝酸等によりジアゾ化してジアゾ体とし、これを塩化水素、臭化水素、塩化ナトリウム、臭化ナトリウム、ヨウ素、ヨウ化カリウム等のハロゲン化剤で処理することにより製造することができる。 The compound represented by formula (1) (Y 1 and Y 2 are halogen atoms) is obtained by reducing the compound represented by formula (1 ′) (W is a nitro group) with a catalyst such as Ru / C. Amino form, and the amino form is diazotized with nitrous acid or the like to form a diazo form, which is treated with a halogenating agent such as hydrogen chloride, hydrogen bromide, sodium chloride, sodium bromide, iodine or potassium iodide. Can be manufactured.

また、式(1)で示される化合物(Y1およびY2がハロゲン原子)は、式(1’)で示される化合物(Wがトリアルキルシリル基)と、ヨウ化ナトリウム−N−クロロスクシンイミド、一塩化ヨウ素等のハロゲン化試剤とを反応させることにより製造できる。 Further, the compound represented by the formula (1) (Y 1 and Y 2 are halogen atoms) includes a compound represented by the formula (1 ′) (W is a trialkylsilyl group), sodium iodide-N-chlorosuccinimide, It can be produced by reacting with a halogenated reagent such as iodine monochloride.

式(1)で示される化合物、(Y1、Y2が−B(OR92)は、(1’)で示される化合物(Wが水素原子)を、例えば、塩基と反応させた後に、トリメトキシボラン、トリエトキシボラン等のホウ酸化合物と反応させることにより製造することができる(式中R9は前記と同じ意味を表す)。 The compound represented by the formula (1) (Y 1 , Y 2 is —B (OR 9 ) 2 ) is obtained by reacting the compound represented by (1 ′) (W is a hydrogen atom) with, for example, a base. , Trimethoxyborane, triethoxyborane, and other boric acid compounds can be used for the reaction (wherein R 9 represents the same meaning as described above).

式(1)で示される化合物(Y1、Y2が−B(OR92)は、(1)で示される化合物(Wがハロゲン原子、トリフルオロメタンスルホニル基等)
と例えば、ビスピナコラートジボラン等のホウ酸化合物と反応させることにより製造することができる(式中R9は前記と同じ意味を表す)。
The compound represented by the formula (1) (Y 1 and Y 2 are —B (OR 9 ) 2 ) is the same as the compound represented by (1) (W is a halogen atom, a trifluoromethanesulfonyl group, etc.)
For example, it can be produced by reacting with a boric acid compound such as bispinacolatodiborane (wherein R 9 represents the same meaning as described above).

また、式(1)で示される化合物(Y1、Y2が−OSO28)は、式(1)で示される化合物(Y1、Y2が−B(OR92)を過酸化水素等と反応させた後、スルホニルハライド等のスルホネート化試剤によりスルホネート化することにより製造することができる(式中R8は前記と同じ意味を表す)。 Further, the compound (Y 1 , Y 2 is —OSO 2 R 8 ) represented by the formula (1) exceeds the compound (Y 1 , Y 2 is —B (OR 9 ) 2 ) represented by the formula (1). It can be produced by reacting with hydrogen oxide or the like and then sulfonated with a sulfonated reagent such as sulfonyl halide (wherein R 8 represents the same meaning as described above).

また、式(1)で示される化合物(−Z1−、−Z2−が−CR6=CR7−、または−C≡C−、Y1、Y2が水素原子)は、式(1’)で示される化合物(−Z1−、−Z2−が直接結合、W1、W2が水素原子)をVilsmeier反応等に供することにより、式(1’)で示される化合物(W1、W2がホルミル基)を合成し、さらにこのホルミル体をWittig反応、Corey−Fuchsアセチレン合成反応等に供することにより、製造することができる。(式中R6、R7は前記と同じ意味を表す)。 In addition, the compound represented by the formula (1) (—Z 1 —, —Z 2 — is —CR 6 ═CR 7 —, or —C≡C—, Y 1 , Y 2 is a hydrogen atom) is represented by the formula (1 The compound represented by the formula (1 ′) (W 1 ) is subjected to a Vilsmeier reaction and the like (—Z 1 —, —Z 2 — are a direct bond, W 1 , W 2 are hydrogen atoms). , W 2 is formyl group), and this formyl form is subjected to Wittig reaction, Corey-Fuchs acetylene synthesis reaction, and the like. (Wherein R 6 and R 7 represent the same meaning as described above).

式(1)で示される単量体の第二の製造方法としては、下記式(1”)で示されるY1、Y2で示される脱離基を有する中間体を合成した後に、Dを各種閉環反応、官能基変換反応、置換反応、脱離反応等によりAに変換する製法が例示される。
1−Z1−D−Z2−Y2 (1”)
As a second method for producing the monomer represented by the formula (1), an intermediate having a leaving group represented by Y 1 or Y 2 represented by the following formula (1 ″) is synthesized, and then D is prepared. Examples of the production method include conversion to A by various ring closure reactions, functional group conversion reactions, substitution reactions, elimination reactions and the like.
Y 1 −Z 1 −DZ 2 −Y 2 (1 ″)

本発明の高分子化合物の製造方法は、金属および金属化合物から選ばれる金属縮合剤を用いて上記式(1)から選ばれる単量体を縮合重合するに際し、前記金属縮合剤を、単量体と作用させる際の温度が、45℃以上であることを特徴とする。この温度は実質的に45℃以上であればよい。
単量体に作用させる際の温度としては、50℃以上が好ましく、60℃以上がより好ましい。
In the method for producing a polymer compound of the present invention, when a monomer selected from the above formula (1) is subjected to condensation polymerization using a metal condensing agent selected from metals and metal compounds, the metal condensing agent is used as a monomer. The temperature at the time of making it act is 45 degreeC or more, It is characterized by the above-mentioned. This temperature should just be substantially 45 degreeC or more.
As temperature at the time of making it act on a monomer, 50 degreeC or more is preferable and 60 degreeC or more is more preferable.

縮合重合に用いる金属縮合剤の全量に対して、半量以上、好ましくは、60重量%以上、より好ましくは、90重量%以上、特に好ましくは全量を単量体に作用させる際の温度が実質的に45℃以上であることが好ましい。
縮合重合が当量反応である場合には、通常は、縮合重合に用いる金属縮合剤の全量は、
単量体に対して1〜5当量程度であり、縮合重合が触媒反応である場合には、通常は、縮合重合に用いる金属縮合剤の全量は、通常、その反応を触媒するのに持いられている量、例えば、単量体に対して0.001〜1当量程度である。
More than half amount, preferably 60% by weight or more, more preferably 90% by weight or more, and particularly preferably the temperature at which the whole amount is allowed to act on the monomer with respect to the total amount of the metal condensing agent used in the condensation polymerization. It is preferable that it is 45 degreeC or more.
When the condensation polymerization is an equivalent reaction, usually, the total amount of the metal condensing agent used in the condensation polymerization is
When the condensation polymerization is a catalytic reaction, the total amount of the metal condensing agent used for the condensation polymerization is usually sufficient to catalyze the reaction. The amount is, for example, about 0.001 to 1 equivalent with respect to the monomer.

『金属縮合剤を、単量体に作用させる際の温度が実質的に45℃以上である』とは、作用させる場所の近傍における実質的な温度が45℃以上であることを意味するが、例えば、溶媒中で、金属縮合剤を、単量体に、攪拌下混合することにより作用させる場合には、『実質的な温度』は反応液温としてよい。 “The temperature when the metal condensing agent is allowed to act on the monomer is substantially 45 ° C. or higher” means that the substantial temperature in the vicinity of the place where the metal condensing agent is allowed to act is 45 ° C. or higher. For example, when the metal condensing agent is allowed to act on the monomer by mixing with stirring in a solvent, the “substantial temperature” may be the reaction solution temperature.

『金属縮合剤を、単量体に作用させる際の温度』の上限は用いる単量体や縮合重合に用いる縮合反応、溶媒によっても異なるが250℃以下であることが好ましい。
本発明の高分子化合物の製造方法において、金属縮合剤を、45℃以上で単量体と作用させる方法としては、溶媒を使用する場合につき例示すれば
(a)単量体および溶媒を含む混合液の温度を45℃以上に保ちながら、該混合液に、金属縮合剤を固体で、または溶媒との混合液として混合する方法、
(b)金属縮合剤および溶媒を含む混合液を45℃以上に保ちながら、該混合液に単量体を固体で、または溶媒との混合液として混合する方法、
(c)単量体の一部および溶媒を含む混合液の温度を45℃以上に保ちながら、該混合液に、金属縮合剤(固体で、または有機溶媒との混合液として)と、残りの単量体(固体で、または溶媒との混合液として)とを、別々に、混合する方法。
(d)溶媒の温度を45℃以上に保ちながら、金属縮合剤(固体で、または有機溶媒との混合液として)、および単量体(固体で、または溶媒との混合液として)を、それぞれ別々に固体、または有機溶媒との混合液で仕込む方法
などがあげられるが、高分子量化の観点から、単量体と溶媒とを含む混合液の温度を45℃以上に保ちながら、該混合液に、金属縮合剤(好ましくはゼロ価ニッケル錯体)を仕込む方法((a)または(c))が好ましく、操作性の面から(a)の方法(金属縮合剤として好ましくはゼロ価ニッケル錯体)がより好ましい。
また、金属縮合剤を複数回にわけて単量体に作用させてもよい。
反応方法としては、回分式、半回分式、連続式のいずれも採用可能であるが、
回分式が好ましい。
The upper limit of the “temperature at which the metal condensing agent is allowed to act on the monomer” varies depending on the monomer used, the condensation reaction used in the condensation polymerization, and the solvent, but is preferably 250 ° C. or lower.
In the method for producing a polymer compound of the present invention, as a method for allowing a metal condensing agent to act on a monomer at 45 ° C. or higher, for example, when a solvent is used, (a) a mixture containing a monomer and a solvent A method in which the metal condensing agent is mixed with the liquid mixture as a solid or as a liquid mixture with a solvent while maintaining the temperature of the liquid at 45 ° C. or higher,
(B) A method of mixing a monomer in the mixed solution as a solid or as a mixed solution with a solvent while keeping the mixed solution containing the metal condensing agent and the solvent at 45 ° C. or higher,
(C) While maintaining the temperature of the mixed liquid containing a part of the monomer and the solvent at 45 ° C. or higher, the mixed liquid is mixed with a metal condensing agent (in a solid or as a mixed liquid with an organic solvent) and the remaining A method of separately mixing monomers (in a solid or as a mixed solution with a solvent).
(D) While maintaining the temperature of the solvent at 45 ° C. or higher, the metal condensing agent (in solid or as a mixed solution with an organic solvent) and the monomer (in solid or as a mixed solution with a solvent), A method of charging separately with a solid or a mixed solution with an organic solvent can be mentioned. From the viewpoint of increasing the molecular weight, while maintaining the temperature of the mixed solution containing the monomer and the solvent at 45 ° C. or higher, the mixed solution The method ((a) or (c)) in which a metal condensing agent (preferably a zero-valent nickel complex) is charged is preferable. Is more preferable.
Further, the metal condensing agent may be allowed to act on the monomer a plurality of times.
As the reaction method, any of batch, semi-batch and continuous methods can be adopted.
A batch system is preferred.

本発明の高分子化合物の製造方法は金属および金属化合物から選ばれる金属縮合剤の存在下、前記式(1)から選ばれる1種以上の単量体を縮合重合するに際し、金属縮合剤を、単量体に作用させる際の温度が、実質的に45℃以上であることを特徴とするが、その縮合重合に用いる縮合反応としては、特に限定されないが、例えば、
Yamamotoカップリング反応、Suzukiカップリング反応、トランスメタル化反応、Heck反応、Sonogashira反応、Stille反応、Ullmann反応などの金属縮合剤を用いる縮合反応が例示され、Yamamotoカップリング反応が好ましい。
In the method for producing a polymer compound of the present invention, in the presence of a metal condensing agent selected from metals and metal compounds, when one or more monomers selected from the formula (1) are subjected to condensation polymerization, a metal condensing agent is used. The temperature at which the monomer is allowed to act on is substantially 45 ° C. or higher, and the condensation reaction used for the condensation polymerization is not particularly limited.
A Yamamoto coupling reaction, a Suzuki coupling reaction, a transmetallation reaction, a Heck reaction, a Sonogashira reaction, a Stille reaction, a condensation reaction using a metal condensing agent such as a Ullmann reaction are exemplified, and the Yamamoto coupling reaction is preferable.

本発明の製造方法に用いる金属および金属化合物から選ばれる金属縮合剤は、縮合重合に用いる縮合反応の種類に応じて選ばれる。   The metal condensing agent selected from the metals and metal compounds used in the production method of the present invention is selected according to the type of condensation reaction used in the condensation polymerization.

金属縮合剤としては、例えば縮合反応としてYamamotoカップリング反応を用いる場合にはゼロ価ニッケル錯体が挙げられ、
縮合反応としてSuzukiカップリング反応、トランスメタル化反応、Stille反応、Heck反応、Sonogashira反応などを用いる場合はニッケル触媒またはパラジウム触媒等の遷移金属化合物、および必要に応じて各反応における助触媒や塩基などが挙げられ
縮合反応としてUllmann反応を用いる場合は銅、ニッケルなどの金属が挙げられる。
As the metal condensing agent, for example, in the case of using a Yamamoto coupling reaction as a condensation reaction, a zerovalent nickel complex may be mentioned,
When using a Suzuki coupling reaction, a transmetalation reaction, a Stille reaction, a Heck reaction, a Sonogashira reaction, etc. as a condensation reaction, a transition metal compound such as a nickel catalyst or a palladium catalyst, and a co-catalyst or base in each reaction as necessary. In the case of using the Ullmann reaction as the condensation reaction, metals such as copper and nickel are exemplified.

金属縮合剤は、単独で、またはそれを含有する混合液、混合物でも用いることができる。また、系内において金属縮合剤を発生することができる前駆体の状態でも用いることができる。   The metal condensing agent can be used alone or in a mixed solution or mixture containing the metal condensing agent. It can also be used in the state of a precursor capable of generating a metal condensing agent in the system.

以下、代表的な縮合重合に関して説明する。   Hereinafter, typical condensation polymerization will be described.

縮合重合に用いる縮合反応が、Yamamotoカップリング反応である場合、
式(1)で示される単量体としてはY1およびY2がそれぞれ独立にハロゲン原子、または−OSO28であることが好ましく、ハロゲン原子がより好ましい。(式中R8は前記と同じ意味を表す)。ハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられるが、高反応性なので、塩素原子、臭素原子が好ましく、臭素原子が特に好ましい。
この場合、式(1)で示される単量体としては、例えば、以下の式で示される化合物が挙げられる。

Figure 2005206826
(式中、Xはそれぞれ独立にハロゲン原子を表し、A、R8はそれぞれ独立に前記と同じ意味を表す。) When the condensation reaction used for the condensation polymerization is a Yamamoto coupling reaction,
In the monomer represented by the formula (1), Y 1 and Y 2 are preferably each independently a halogen atom or —OSO 2 R 8 , and more preferably a halogen atom. (Wherein R 8 represents the same meaning as described above). Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. However, because of high reactivity, a chlorine atom and a bromine atom are preferable, and a bromine atom is particularly preferable.
In this case, examples of the monomer represented by the formula (1) include compounds represented by the following formulas.
Figure 2005206826
(In the formula, each X independently represents a halogen atom, and A and R 8 each independently represent the same meaning as described above.)

また式(1)で示される単量体の中では、−Z1−および−Z2−が直接結合であるものが好ましい。 Among the monomers represented by the formula (1), those in which -Z 1 -and -Z 2 -are direct bonds are preferable.

また、縮合重合に用いる縮合反応が、Yamamotoカップリング反応である場合、 金属縮合剤としては、通常はゼロ価ニッケル錯体が用いられる。
ゼロ価ニッケル錯体としては、ゼロ価ニッケル錯体を使う方法と、2価のニッケル化合物を亜鉛やヒドラジン等の還元剤の存在下で反応させ、系内でゼロ価ニッケル化合物を生成させ、反応させる方法があるが、還元剤を使わずゼロ価ニッケル錯体をそのまま使う方法が好ましい。
When the condensation reaction used for the condensation polymerization is a Yamamoto coupling reaction, a zero-valent nickel complex is usually used as the metal condensing agent.
As the zero-valent nickel complex, a method using a zero-valent nickel complex and a method in which a divalent nickel compound is reacted in the presence of a reducing agent such as zinc or hydrazine to generate a zero-valent nickel compound in the system and reacting the same. However, it is preferable to use a zero-valent nickel complex as it is without using a reducing agent.

ゼロ価ニッケル錯体の使用量としては、通常は式(1)で示される単量体1モルに対して0.01モル以上である。亜鉛やヒドラジン等の還元剤を用いない場合は、使用量が過少であると分子量が小さい傾向にあるので、好ましくは1.5モル以上、より好ましくは1.8モル以上、更により好ましくは2.1モル以上である。使用量の上限は限定的ではないが、使用量が多すぎると後処理が困難になる傾向があるために、5.0モル以下であることが望ましい。亜鉛、ヒドラジン等の還元剤の存在下で実施する場合は、ゼロ価ニッケル錯体は、触媒的に働くために0.01〜1モル程度が好ましく、0.01〜0.5モル程度がより好ましい。 The amount of the zero-valent nickel complex is usually 0.01 mol or more with respect to 1 mol of the monomer represented by the formula (1). When a reducing agent such as zinc or hydrazine is not used, the molecular weight tends to be small if the amount used is too small. Therefore, it is preferably 1.5 mol or more, more preferably 1.8 mol or more, and even more preferably 2 .1 mole or more. The upper limit of the amount used is not limited, but if the amount used is too large, post-treatment tends to be difficult, and therefore it is preferably 5.0 mol or less. When carried out in the presence of a reducing agent such as zinc or hydrazine, the zero-valent nickel complex is preferably about 0.01 to 1 mol, more preferably about 0.01 to 0.5 mol in order to act catalytically. .

ゼロ価ニッケル錯体としては、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)、(エチレン)ビス(トリフェニルホスフィン)ニッケル(0)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)ニッケルなどが例示され、中でも、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)が、汎用性で安価という観点で好ましい。   Examples of the zero-valent nickel complex include bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0), (ethylene) bis (triphenylphosphine) nickel (0), tetrakis (triphenylphosphine) nickel, Bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) is preferred from the viewpoint of versatility and low cost.

また、中性配位子を添加することが、収率向上の観点から好ましい。
ここに、中性配位子とは、アニオンやカチオンを有していない配位子であり、2,2’−ビピリジル、1,10−フェナントロリン、メチレンビスオキサゾリン、N,N‘−テトラメチルエチレンジアミン等の含窒素配位子;トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェノキシホスフィン、1,2−ビスジフェニルホスフィノエタン、1,3−ビスジフェニルホスフィノプロパン等の第三級ホスフィン配位子、などが例示され、汎用性、安価の点で含窒素配位子が好ましく、2,2’−ビピリジルが高反応性、高収率の点で特に好ましい。特に、重合体の収率向上の点から、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)を含む系に中性配位子として2,2’−ビピリジルを加えた系が好ましい。系内でゼロ価ニッケルを生成させ、反応させる方法においては、2価のニッケル化合物として塩化ニッケル、酢酸ニッケル等が挙げられる。還元剤としては、亜鉛,水素化ナトリウム,ヒドラジンおよびその誘導体、リチウムアルミニウムヒドリドなどが挙げられ、必要に応じて添加物として、よう化アンモニウム、よう化リチウム、よう化カリウム等が用いられる。
Moreover, it is preferable from a viewpoint of a yield improvement to add a neutral ligand.
Here, the neutral ligand is a ligand having no anion or cation, and 2,2′-bipyridyl, 1,10-phenanthroline, methylenebisoxazoline, N, N′-tetramethylethylenediamine. Nitrogen-containing ligands such as triphenylphosphine, tolylphosphine, tributylphosphine, triphenoxyphosphine, 1,2-bisdiphenylphosphinoethane, 1,3-bisdiphenylphosphinopropane and other tertiary phosphine coordination A nitrogen-containing ligand is preferable in terms of versatility and low cost, and 2,2′-bipyridyl is particularly preferable in terms of high reactivity and high yield. In particular, from the viewpoint of improving the yield of the polymer, a system in which 2,2′-bipyridyl is added as a neutral ligand to a system containing bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) is preferable. In the method in which zero-valent nickel is produced and reacted in the system, examples of the divalent nickel compound include nickel chloride and nickel acetate. Examples of the reducing agent include zinc, sodium hydride, hydrazine and derivatives thereof, lithium aluminum hydride, and the like, and ammonium iodide, lithium iodide, potassium iodide and the like are used as additives as necessary.

反応は、通常は、溶媒中で行うが、溶媒としては、N、N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン、ベンゼン、n−ブチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、テトラリン、デカリン等の脂肪族炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジブチルエーテル、tert−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸メチルなどのエステル系溶媒、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化アルキル系溶媒などが例示される。
中でも、高分子量化の観点からエーテル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒が好ましい。また、ろ過による生成物の取り出しにおける容易性の面からテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン等のエーテル系溶媒がより好ましい。

また、これらの溶媒は単独で、若しくは2種類以上の溶媒を任意の比率で混合することにより混合溶媒として用いることができる。溶媒量は、特に限定されないが、あまりにも低濃度では、生成した高分子化合物を回収することが困難になることがあり、また、あまりにも高濃度では、攪拌が困難になることがあることから、溶媒、式(1)で示される単量体、金属縮合剤の合計を100重量%としたとき、好ましくは0.05〜40重量%、より好ましくは0.1〜25重量%となるような溶媒量が望ましい。
The reaction is usually carried out in a solvent. Examples of the solvent include aprotic polarities such as N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, hexamethylphosphoric triamide, and dimethyl sulfoxide. Solvent, aromatic hydrocarbon solvent such as toluene, xylene, mesitylene, benzene, n-butylbenzene, aliphatic hydrocarbon solvent such as tetralin, decalin, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, dibutyl ether, tert-butylmethyl Examples include ether solvents such as ether and dimethoxyethane, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and methyl benzoate, and alkyl halide solvents such as chloroform and dichloroethane.
Among these, ether solvents and aromatic hydrocarbon solvents are preferable from the viewpoint of increasing the molecular weight. Moreover, ether solvents, such as tetrahydrofuran and 1, 4- dioxane, are more preferable from the surface of the ease in taking out the product by filtration.

These solvents can be used alone or as a mixed solvent by mixing two or more kinds of solvents at an arbitrary ratio. The amount of the solvent is not particularly limited, but if the concentration is too low, it may be difficult to recover the produced polymer compound, and if the concentration is too high, stirring may be difficult. , Solvent, monomer represented by formula (1), and metal condensing agent are 100% by weight, preferably 0.05 to 40% by weight, more preferably 0.1 to 25% by weight. A large amount of solvent is desirable.

反応温度としては、特に限定されず、溶媒を用いる場合には、用いる溶媒にもよるが、通常45〜200℃程度であり、低加熱費の観点から45〜160℃程度が好ましく、50〜100℃程度がより好ましい。また、溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。 The reaction temperature is not particularly limited. When a solvent is used, although it depends on the solvent to be used, it is usually about 45 to 200 ° C, preferably about 45 to 160 ° C from the viewpoint of low heating cost, and 50 to 100 A temperature of about ° C is more preferable. Alternatively, the temperature may be raised to near the boiling point of the solvent and refluxed.

反応時間は通常0.25〜200時間程度であり、生産性等の観点から、0.25〜50時間程度が好ましい。 The reaction time is usually about 0.25 to 200 hours, and preferably about 0.25 to 50 hours from the viewpoint of productivity and the like.

Yamamotoカップリング反応については、例えば、Macromolecules 1992,25,1214-1223に記載されている。 The Yamamoto coupling reaction is described in, for example, Macromolecules 1992, 25, 1214-1223.

縮合重合に用いる縮合反応が、が、Suzukiカップリング反応である場合は、式(1)で示される単量体としてはY1およびY2がそれぞれ独立にハロゲン原子、−OSO28、または−B(OR92である単量体を用いるが、通常は単量体全量の、ハロゲン原子および−OSO28のモル数の合計(J)と、−B(OR92 のモル数の合計(K)の比が実質的に1(通常K/Jは0.7から1.2の範囲)である。(式中、R8およびR9はそれぞれ独立に前記と同じ意味を表す) When the condensation reaction used in the condensation polymerization is a Suzuki coupling reaction, Y 1 and Y 2 are each independently a halogen atom, —OSO 2 R 8 , or a monomer represented by the formula (1) A monomer that is -B (OR 9 ) 2 is used. Usually, the total amount (J) of the total number of moles of halogen atoms and -OSO 2 R 8 of the monomer, and -B (OR 9 ) 2 The ratio of the total number of moles (K) is substantially 1 (usually K / J is in the range of 0.7 to 1.2). (Wherein R 8 and R 9 each independently represent the same meaning as described above)

この場合、式(1)で示される単量体としては、例えば、
X-A-X、R82SO−A−OSO28およびX−A−OSO28から選ばれる1種以上と(R9O)2B−A−B(OR92から選ばれる1種以上との組みあわせ;
X-A-B(OR92およびR82SO−A−B(OR92から選ばれる1種以上などが挙げられる。
また式(1)で示される単量体の中では、−Z1−および−Z2−が直接結合であるものが好ましい。
In this case, as the monomer represented by the formula (1), for example,
One or more selected from X-A-X, R 8 O 2 SO-A-OSO 2 R 8 and XA-OSO 2 R 8, and (R 9 O) 2 BAB (OR 9 ) 2 A combination with one or more selected from:
X-A-B, etc. (OR 9) 2 and R 8 O 2 SO-A- B (OR 9) 2 from one or more selected thereof.
Among the monomers represented by the formula (1), those in which -Z 1 -and -Z 2 -are direct bonds are preferable.

また、縮合重合が、Suzukiカップリング反応である場合、金属縮合剤としてはニッケル触媒、パラジウム触媒等が好ましい。 When the condensation polymerization is a Suzuki coupling reaction, the metal condensing agent is preferably a nickel catalyst or a palladium catalyst.

ニッケル触媒としては、例えば、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)、ニッケル(II)ジクロライド等が挙げられ、パラジウム触媒としては、例えばパラジウム[テトラキス(トリフェニルホスフィン)]、パラジウムアセテート類などが挙げられる。
金属縮合剤の使用量としては、通常は式(1)で示される単量体1モルに対して、0.001モル以上である。上限は限定的ではないが、原料費の観点から、0.1モル以下である事が望ましい。
Examples of the nickel catalyst include bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) and nickel (II) dichloride. Examples of the palladium catalyst include palladium [tetrakis (triphenylphosphine)], palladium acetate. And the like.
The amount of the metal condensing agent used is usually 0.001 mol or more per 1 mol of the monomer represented by the formula (1). The upper limit is not limited, but is preferably 0.1 mol or less from the viewpoint of raw material costs.

また、金属縮合剤として、例えば、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)、ニッケル(II)ジクロライド等を用いる場合は必要に応じて中性配位子を添加する事が望ましく、中性配位子をあらかじめ配位させた、金属縮合剤を用いてもよい。
ここに、中性配位子とは、アニオンやカチオンを有していない配位子であり、2,2’−ビピリジル、1,10−フェナントロリン、メチレンビスオキサゾリン、N,N‘−テトラメチルエチレンジアミン、トリエチルアミン等の含窒素配位子;トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェノキシホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、1,2−ビスジフェニルホスフィノエタン、1,3−ビスジフェニルホスフィノプロパン等の第三級ホスフィン配位子、などが例示される。
通常は、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化バリウム等の無機塩基、トリエチルアミン等の有機塩基、フッ化セシウムなどの無機塩をモノマーに対して当量以上、好ましくは1〜10当量加えて反応させる。無機塩を水溶液として、2相系で反応させてもよい。 溶媒としては、 N、N−ジメチルホルムアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフランなどが例示される。反応温度としては、溶媒を用いる場合には、溶媒にもよるが45〜160℃程度の温度が好適に用いられる。溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。反応時間は1時間から200時間程度である。
Suzukiカップリング反応については、例えば、ケミカル レビュー(Chem.Rev.),第95巻,2457頁(1995年)に記載されている。
Moreover, as a metal condensing agent, for example, when using bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0), nickel (II) dichloride or the like, it is desirable to add a neutral ligand as necessary. You may use the metal condensing agent which coordinated the neutral ligand previously.
Here, the neutral ligand is a ligand having no anion or cation, and 2,2′-bipyridyl, 1,10-phenanthroline, methylenebisoxazoline, N, N′-tetramethylethylenediamine. Nitrogen-containing ligands such as triethylamine; triphenylphosphine, tolylphosphine, tributylphosphine, triphenoxyphosphine, tricyclohexylphosphine, 1,2-bisdiphenylphosphinoethane, 1,3-bisdiphenylphosphinopropane, etc. Examples include tertiary phosphine ligands.
Usually, an inorganic base such as potassium carbonate, sodium carbonate, and barium hydroxide, an organic base such as triethylamine, and an inorganic salt such as cesium fluoride are added in an amount equal to or more, preferably 1 to 10 equivalents, relative to the monomer. An inorganic salt may be used as an aqueous solution and reacted in a two-phase system. Examples of the solvent include N, N-dimethylformamide, toluene, dimethoxyethane, tetrahydrofuran and the like. As the reaction temperature, when a solvent is used, a temperature of about 45 to 160 ° C. is preferably used although it depends on the solvent. The temperature may be raised to near the boiling point of the solvent and refluxed. The reaction time is about 1 hour to 200 hours.
The Suzuki coupling reaction is described, for example, in Chemical Review (Chem. Rev.), Vol. 95, p. 2457 (1995).

縮合重合に用いる縮合反応が、トランスメタル化反応である場合は、式(1)で示される単量体としては通常は、Y1およびY2がそれぞれ独立にハロゲン原子、−MgXである単量体を用いるが、通常は単量体全量中の、ハロゲン原子のモル数の合計(J)と、−MgXのモル数の合計(K)の比が実質的に1(通常K/Jは0.7から1.2の範囲)である。(式中、Xはそれぞれ独立に前記と同じ意味を表す。)。 When the condensation reaction used for the condensation polymerization is a transmetalation reaction, the monomer represented by the formula (1) is usually a monomer having Y 1 and Y 2 independently of each other a halogen atom and —MgX. The ratio of the total number of moles of halogen atoms (J) to the total number of moles of -MgX (K) in the total amount of monomers is usually substantially 1 (usually K / J is 0). In the range of 7 to 1.2). (In the formula, each X independently represents the same meaning as described above.)

この場合、式(1)で示される単量体としては、例えば、
X−A−Xから選ばれる1種以上と、
XMg−A−MgXから選ばれる1種以上の組み合わせ;
X-A-MgXから選ばれる1種以上;
が挙げられる。
(式中、A、Xはそれぞれ独立に前記と同じ意味を表す。)
また−Z1−、−Z2−は直接結合であることが好ましい。
In this case, as the monomer represented by the formula (1), for example,
One or more selected from X-A-X,
One or more combinations selected from XMg-A-MgX;
One or more selected from X-A-MgX;
Is mentioned.
(In the formula, A and X each independently represent the same meaning as described above.)
The -Z 1 -, - Z 2 - is preferably is a direct bond.

縮合重合に用いる縮合反応が、トランスメタル化反応である場合に用いる、金属縮合剤としては、ニッケル触媒等の遷移金属化合物が挙げられる、
ニッケル触媒としては、例えば、塩化ニッケル、臭化ニッケル、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)等の遷移金属化合物があげられる。
溶媒としては、テトラヒドロフラン、トルエン、N,N−ジメチルホルムアミドなどの溶媒中、反応時間は1時間から200時間程度であり、反応は45〜160℃程度の温度で行われる。
反応系には、反応を促進させるために、必要に応じて、ヨウ素、テトラエチルアンモニウムヨウ化物、ヨウ化カリウム、ヨウ化ナトリウム等のヨウ化物等を共存させてもよい。また、必要に応じて2,2’−ビピリジル等の中性配位子を添加してもよい。
トランスメタル化反応については、例えば、高分子、第46巻、68頁(1997年)に記載されている。
Examples of the metal condensing agent used when the condensation reaction used in the condensation polymerization is a transmetalation reaction include transition metal compounds such as nickel catalysts.
Examples of the nickel catalyst include transition metal compounds such as nickel chloride, nickel bromide, and bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0).
As a solvent, in a solvent such as tetrahydrofuran, toluene, N, N-dimethylformamide, the reaction time is about 1 hour to 200 hours, and the reaction is performed at a temperature of about 45 to 160 ° C.
In order to promote the reaction, iodide such as iodine, tetraethylammonium iodide, potassium iodide, sodium iodide or the like may coexist in the reaction system. Moreover, you may add neutral ligands, such as 2,2'- bipyridyl, as needed.
The transmetalation reaction is described, for example, in Polymer, 46, 68 (1997).

縮合重合に用いる縮合反応が、Stille反応である場合、通常は、式(1)で示される単量体としてはY1およびY2がそれぞれ独立にハロゲン原子、−OSO28、または−Sn(R103であるものを用いるが、通常は、単量体全量中の、ハロゲン原子および−OSO28のモル数の合計(J)と、−Sn(R103のモル数の合計(K)の比が実質的に1(通常K/Jは0.7から1.2の範囲)である。金属縮合剤としてはパラジウム触媒等の遷移金属化合物が挙げられる(式中R8、R10はそれぞれ独立に前記と同じ意味を表す。)。また−Z1−、−Z2−は直接結合であることが好ましい。 When the condensation reaction used in the condensation polymerization is a Stille reaction, usually, Y 1 and Y 2 are each independently a halogen atom, —OSO 2 R 8 , or —Sn as the monomer represented by the formula (1). (R 10 ) 3 is used, but usually the total number of moles of halogen atoms and —OSO 2 R 8 in the total amount of monomers (J) and the number of moles of —Sn (R 10 ) 3 The total (K) ratio is substantially 1 (usually K / J is in the range of 0.7 to 1.2). Examples of the metal condensing agent include transition metal compounds such as a palladium catalyst (wherein R 8 and R 10 independently represent the same meaning as described above). The -Z 1 -, - Z 2 - is preferably is a direct bond.

この場合、式(1)で示される単量体としては、例えば、
X-A-X、R82SO−A−OSO28から選ばれる1種以上と
(R103Sn−A−Sn(R103から選ばれる1種以上との組みあわせ;

X-A-Sn(R103およびR82SO−A-Sn(R103から選ばれる1種以上;
(式中、A、X、R8、R10はそれぞれ独立に前記と同じ意味を表す。)

が挙げられる。
In this case, as the monomer represented by the formula (1), for example,
X-A-X, combinations of the R 8 O 2 SO-A- OSO 2 R 8 from at least one member selected (R 10) 3 Sn-A -Sn (R 10) 3 of one or more selected ;

One or more selected from X-A-Sn (R 10 ) 3 and R 8 O 2 SO-A-Sn (R 10 ) 3 ;
(In the formula, A, X, R 8 and R 10 each independently represent the same meaning as described above.)

Is mentioned.

縮合重合に用いる縮合反応が、Stille反応である場合、金属縮合剤として、パラジウム触媒等の遷移金属化合物が使用される。
金属縮合剤として、例えば、パラジウム[テトラキス(トリフェニルホスフィン)]等の遷移金属化合物を用い、テトラヒドロフラン、トルエン、N,N−ジメチルホルムアミドなどの溶媒中、45〜200℃程度の温度で行われる。反応系には、反応を促進させるために、必要に応じて、リチウムクロリド等の無機塩を共存させてもよい。反応時間は1時間から200時間程度である。
Stille反応については、例えば、高分子、第46巻、68頁(1997年)に記載されている。
When the condensation reaction used for the condensation polymerization is a Stille reaction, a transition metal compound such as a palladium catalyst is used as the metal condensing agent.
As the metal condensing agent, for example, a transition metal compound such as palladium [tetrakis (triphenylphosphine)] is used, and the reaction is performed in a solvent such as tetrahydrofuran, toluene, N, N-dimethylformamide at a temperature of about 45 to 200 ° C. In the reaction system, an inorganic salt such as lithium chloride may coexist if necessary in order to promote the reaction. The reaction time is about 1 hour to 200 hours.
The Stille reaction is described, for example, in Polymers, Vol. 46, p. 68 (1997).

縮合重合に用いる縮合反応が、Ullmann反応である場合は、式(1)で示される単量体としては、Y1およびY2がそれぞれ独立にハロゲン原子であるものが好ましい。
また−Z1−、−Z2−は直接結合であることが好ましい。
金属縮合剤としては銅などの金属が挙げられる。金属縮合剤の使用量としては、式(1)で示される単量体1モルに対して0.8〜10モル程度であり、テトラヒドロフラン、トルエン、クロロベンゼン、N,N−ジメチルホルムアミドなどの溶媒中、80〜200℃程度の温度で行われる。反応時間は1時間から200時間程度である。
Ullmann反応については、例えば、Chemical Reviews,2002,102(5),1359-1469に記載されている。
When the condensation reaction used in the condensation polymerization is an Ullmann reaction, the monomer represented by the formula (1) is preferably one in which Y 1 and Y 2 are each independently a halogen atom.
The -Z 1 -, - Z 2 - is preferably is a direct bond.
Examples of the metal condensing agent include metals such as copper. The amount of the metal condensing agent used is about 0.8 to 10 mol with respect to 1 mol of the monomer represented by the formula (1), and in a solvent such as tetrahydrofuran, toluene, chlorobenzene, N, N-dimethylformamide. , At a temperature of about 80 to 200 ° C. The reaction time is about 1 hour to 200 hours.
The Ullmann reaction is described, for example, in Chemical Reviews, 2002, 102 (5), 1359-1469.

縮合重合に用いる縮合反応が、Heck反応の場合は式(1)で示される単量体としては、−Z1−および−Z2−がそれぞれ独立に直接結合、または−CR6=CR7−であるものが好ましく、単量体の少なくとも1種として、−Z1−および−Z2−の少なくともいずれか一方が−CR6=CR7−であるものを用いる。
−Z1−、−Z2−が直接結合である場合、Y1およびY2がそれぞれ独立にハロゲン原子であることが好ましく、−Z1−、−Z2−が−CR6=CR7−である場合、Y1およびY2がそれぞれ水素原子であることが好ましい。(式中、R6、およびR7
前記と同じ意味を表す。)
When the condensation reaction used in the condensation polymerization is a Heck reaction, as the monomer represented by the formula (1), —Z 1 — and —Z 2 — are each independently directly bonded, or —CR 6 ═CR 7 — And at least one of —Z 1 — and —Z 2 — is used as —CR 6 ═CR 7 —.
-Z 1 -, - when it is a direct bond, preferably Y 1 and Y 2 are each independently a halogen atom, -Z 1 - - Z 2, - Z 2 - is -CR 6 = CR 7 - In this case, Y 1 and Y 2 are each preferably a hydrogen atom. (Wherein R 6 and R 7 have the same meaning as described above.)

この場合、式(1)で示される単量体としては、例えば、
X−A−X から選ばれる1種以上と
H−R7C=CR6−A−CR6=CR7−Hから選ばれる1種以上との組みあわせ;
X−A−CR6=CR7−Hから選ばれる1種以上;
が挙げられる。
(式中、A、X、R6、R7はそれぞれ独立に前記と同じ意味を表す。)
In this case, as the monomer represented by the formula (1), for example,
X-A-X of one or more selected the H-R 7 C = CR 6 -A-CR 6 = combination of at least one member selected from CR 7 -H;
X-A-CR 6 = CR 7 1 or more selected from -H;
Is mentioned.
(In the formula, A, X, R 6 and R 7 each independently represent the same meaning as described above.)

金属縮合剤としては、パラジウム触媒などがあげられる。例えば、酢酸パラジウム(II)触媒を用い、トリエチルアミンなどの塩基の存在下で、モノマーを反応させる。N、N−ジメチルホルムアミドやN−メチルピロリドンなどの比較的沸点の高い溶媒を用い、反応温度は、80〜160℃程度、反応時間は、1時間から100時間程度である。Heck反応については、例えば、ポリマー(Polymer),第39巻,5241−5244頁(1998年)に記載されている。   An example of the metal condensing agent is a palladium catalyst. For example, using a palladium (II) acetate catalyst, the monomer is reacted in the presence of a base such as triethylamine. A relatively high boiling point solvent such as N, N-dimethylformamide or N-methylpyrrolidone is used, the reaction temperature is about 80 to 160 ° C., and the reaction time is about 1 to 100 hours. The Heck reaction is described in, for example, Polymer, Vol. 39, pages 5241-5244 (1998).

縮合重合に用いる縮合反応が、Sonogashira反応の場合、は式(1)で示される単量体としては、−Z1−、−Z2−は直接結合、または−C≡C−であることが好ましく、単量体の少なくとも1種として、−Z1−および−Z2−の少なくともいずれか一方が−C≡C−であるものを用いる。
−Z1−、−Z2−が直接結合である場合は、Y1およびY2がそれぞれ独立にハロゲン原子であり、また−Z1−、−Z2−が、−C≡C−である場合は、Y1およびY2がそれぞれ独立に水素原子であることが好ましい。
When the condensation reaction used in the condensation polymerization is a Sonogashira reaction, as the monomer represented by the formula (1), -Z 1- , -Z 2 -may be a direct bond, or -C≡C-. Preferably, at least one of -Z 1 -and -Z 2- is used as at least one monomer.
When -Z 1 -and -Z 2 -are direct bonds, Y 1 and Y 2 are each independently a halogen atom, and -Z 1 -and -Z 2 -are -C≡C-. In this case, it is preferable that Y 1 and Y 2 are each independently a hydrogen atom.

この場合、式(1)で示される単量体としては、例えば、
X−A−X から選ばれる1種以上と
H−C≡C−A−C≡C−Hから選ばれる1種以上との組みあわせ;
X−A−C≡C−Hから選ばれる1種以上;
が挙げられる。(式中、A、Xはそれぞれ独立に前記と同じ意味を表す。)
In this case, as the monomer represented by the formula (1), for example,
A combination of one or more selected from X-A-X and one or more selected from HC≡C—A—C≡C—H;
One or more selected from X-A-C≡C—H;
Is mentioned. (In the formula, A and X each independently represent the same meaning as described above.)

金属縮合剤としては、一般的には、パラジウム触媒およびヨウ化第一銅を用い、トリエチルアミンなどの塩基の存在下で、N、N−ジメチルホルムアミド、アミン系溶媒またはエーテル系溶媒などを用いて、モノマーを反応させる。反応条件やモノマーの重合可能な置換基の反応性によるが、通常反応温度は45〜120℃程度、反応時間は1時間から100時間程度である。Sonogashira反応については、例えば、Tetrahedron Letters,第40巻,3347−3350頁(1999年)、Tetrahedron Letters,第16巻,4467−4470頁(1975年)に記載されている。   As the metal condensing agent, generally, a palladium catalyst and cuprous iodide are used, and in the presence of a base such as triethylamine, N, N-dimethylformamide, an amine solvent or an ether solvent is used, The monomer is reacted. Depending on the reaction conditions and the reactivity of the polymerizable substituent of the monomer, the reaction temperature is usually about 45 to 120 ° C., and the reaction time is about 1 to 100 hours. The Sonogashira reaction is described, for example, in Tetrahedron Letters, 40, 3347-3350 (1999), Tetrahedron Letters, 16, 4467-4470 (1975).

本発明の縮合重合は、通常は、溶媒中でおこなう。
用いる溶媒は、用いる縮合重合に用いる縮合反応の種類や単量体の種類によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気下で反応を進行させることが望ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、Suzukiカップリング反応において水との2相系での反応を行う場合のように、水分を系内にあらかじめ存在させるような場合にはその限りではない。
The condensation polymerization of the present invention is usually performed in a solvent.
The solvent to be used varies depending on the type of condensation reaction and the type of monomer used in the condensation polymerization to be used. In general, in order to suppress side reactions, sufficient deoxygenation treatment is performed and the reaction proceeds in an inert atmosphere. It is desirable. Similarly, it is preferable to perform a dehydration treatment. However, this is not the case when water is present in the system in advance, as in the case of performing a two-phase reaction with water in the Suzuki coupling reaction.

本発明の方法で製造した高分子化合物を高分子LEDに用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等、カラムクロマトグラフィーの方法で精製したのちに重合することが好ましい。
本発明の高分子化合物は、重合後、例えば反応マスを大過剰のメタノール、水、アンモニア水の混合溶液に注加することにより粗ポリマーを析出させ、ろ取、乾燥した後に、有機溶媒に溶解し、不溶の金属分等をろ別し、必要に応じて酸洗浄、アルカリ洗浄等を実施した後に、大過剰のメタノール中に注加し、ポリマーを析出させろ取するといった操作により、得ることができる。また重合後、酸洗浄、アルカリ洗浄、中和、水洗浄、有機溶媒洗浄、再沈殿、遠心分離、抽出、カラムクロマトグラフィー、透析などの慣用の分離操作、精製操作、乾燥その他の操作による純化処理をすることが好ましい。
When the polymer compound produced by the method of the present invention is used in a polymer LED, the purity of the polymer compound affects the performance of the device such as light emission characteristics. Therefore, the monomer before polymerization is distilled, sublimated, purified, recrystallized, etc. Polymerization after purification by a graphic method is preferred.
The polymer compound of the present invention is polymerized, for example, a reaction mass is poured into a mixed solution of a large excess of methanol, water, and ammonia water to precipitate a crude polymer, which is collected by filtration, dried, and then dissolved in an organic solvent. It is possible to obtain by an operation of filtering insoluble metal, etc., performing acid washing, alkali washing, etc., if necessary, and then pouring it in a large excess of methanol to precipitate the polymer and filter it. it can. In addition, after the polymerization, purification is performed by conventional separation operations such as acid washing, alkali washing, neutralization, water washing, organic solvent washing, reprecipitation, centrifugation, extraction, column chromatography, and dialysis, purification operation, drying and other operations. It is preferable to

本発明の高分子化合物は、上述の本発明の製造方法で得られる高分子化合物であり、原料の単量体に由来する、下式(6)で示される繰り返し単位を1種類以上含む。
−Z1−A−Z2− (6)
〔式中、−A−、−Z1−および−Z2−は前記と同じ意味を表す。〕
The polymer compound of the present invention is a polymer compound obtained by the above-described production method of the present invention, and contains one or more types of repeating units represented by the following formula (6) derived from the raw material monomer.
-Z 1 -AZ 2- (6)
[Wherein, -A-, -Z 1-, and -Z 2- represent the same meaning as described above. ]

一般式(1)で示される単量体を1種類使用した場合には、単独重合体が形成される。
また、単量体としてAが互いに異なる2種類以上を使用した場合は、共重合体が形成される。
例えば、上記式(1)で示される互いに異なる2種類の単量体を、
1−Z1−A1−Z2−Y2
1−Z1−A2−Z2−Y2
で表した場合、繰り返し単位として、−Z1−A1−Z2−および−Z1−A2−Z2−を有する共重合体が得られる。
When one kind of the monomer represented by the general formula (1) is used, a homopolymer is formed.
In addition, when two or more types having different A as monomers are used, a copolymer is formed.
For example, two different monomers represented by the above formula (1) are
Y 1 -Z 1 -A 1 -Z 2 -Y 2
Y 1 -Z 1 -A 2 -Z 2 -Y 2
In this case, a copolymer having —Z 1 —A 1 —Z 2 — and —Z 1 —A 2 —Z 2 — as repeating units is obtained.

本発明の製造方法で得られる高分子化合物は、通常(6)で示される繰り返し単位の合計が全繰り返し単位の10モル%以上100モル%以下であり、30モル%以上100モル%以下であることがより好ましく、50モル%以上100モル%以下であることがさらに好ましい。   In the polymer compound obtained by the production method of the present invention, the total number of repeating units represented by (6) is usually 10 mol% or more and 100 mol% or less, and 30 mol% or more and 100 mol% or less of all repeating units. It is more preferable that it is 50 mol% or more and 100 mol% or less.

なお、該高分子化合物は、蛍光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で、(6)で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。また、繰り返し単位が、非共役の単位で連結されていてもよいし、繰り返し単位にそれらの非共役部分が含まれていてもよい。結合構造としては、以下に示すもの、および以下に示すもののうち2つ以上を組み合わせたものなどが例示される。ここで、Rは前記のものと同じ置換基から選ばれる基であり、Arは炭素数6〜60個の炭化水素基を示す。

Figure 2005206826
The polymer compound may contain a repeating unit other than the repeating unit represented by (6) as long as the fluorescence property and the charge transport property are not impaired. Moreover, the repeating unit may be connected by a non-conjugated unit, or the non-conjugated part may be contained in the repeating unit. Examples of the binding structure include those shown below and combinations of two or more of the following. Here, R is a group selected from the same substituents as described above, and Ar represents a hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms.

Figure 2005206826

また、該高分子化合物は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光またはりん光の量子収率の高い高分子発光体(高分子量の発光材料)を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が3つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。 The polymer compound may be a random, block or graft copolymer, or may be a polymer having an intermediate structure thereof, for example, a random copolymer having a block property. From the viewpoint of obtaining polymer light emitters (high-molecular-weight light-emitting materials) with high quantum yield of fluorescence or phosphorescence, random copolymers with block properties and block or graft copolymers are more suitable than completely random copolymers. preferable. A case in which the main chain is branched and there are three or more terminal portions and dendrimers are also included.

また、本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてよい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基または複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平9−45478号公報の化10に記載の置換基等が例示される。   In addition, the terminal group of the polymer compound of the present invention may be protected with a stable group, because if the polymerization active group remains as it is, there is a possibility that the light emission characteristics and lifetime when the device is made will be reduced. . Those having a conjugated bond continuous with the conjugated structure of the main chain are preferable, and examples thereof include a structure in which an aryl group or a heterocyclic group is bonded via a carbon-carbon bond. Specific examples include substituents described in Chemical formula 10 of JP-A-9-45478.

本発明の製造方法で得られる高分子化合物は、通常、固体状態で蛍光および/または燐光を発し、ポリスチレン換算の重量平均分子量は、通常103〜108であり、104〜107であることが好ましく、6x104〜107であることがさらに好ましい。
また、ポリスチレン換算の数平均分子量は通常102〜107であり、103〜106であることが好ましく、6x103〜106であることがさらに好ましい。
The polymer compound obtained by the production method of the present invention usually emits fluorescence and / or phosphorescence in the solid state, and the weight average molecular weight in terms of polystyrene is usually from 10 3 to 10 8 and from 10 4 to 10 7 . It is preferably 6 × 10 4 to 10 7 .
The number average molecular weight in terms of polystyrene is usually 10 2 to 10 7, preferably 10 3 to 10 6, more preferably from 6x10 3 to 10 6.

次に本発明の高分子化合物の用途について説明する。
本発明の製造方法により得られる高分子化合物は、通常、固体状態で蛍光または燐光を発し、高分子発光体(高分子量の発光材料)として用いることができる。該高分子発光体を用いた高分子LEDは低電圧、高効率で駆動できる高性能の高分子LEDである。従って、該高分子LEDは液晶ディスプレイのバックライト、または照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ等の装置に好ましく使用できる。
また、本発明の高分子化合物はレーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜などの伝導性薄膜用材料としても用いることができる。
さらに、蛍光や燐光を発する発光性薄膜材料としても用いることができる。
Next, the use of the polymer compound of the present invention will be described.
The polymer compound obtained by the production method of the present invention usually emits fluorescence or phosphorescence in a solid state and can be used as a polymer light emitter (high molecular weight light emitting material). The polymer LED using the polymer light emitter is a high-performance polymer LED that can be driven with low voltage and high efficiency. Therefore, the polymer LED can be preferably used for a backlight of a liquid crystal display, or a device such as a curved or flat light source for illumination, a segment type display element, a dot matrix flat panel display.
The polymer compound of the present invention can also be used as a material for conductive thin films such as laser dyes, organic solar cell materials, organic semiconductors for organic transistors, conductive thin films, and organic semiconductor thin films.
Furthermore, it can also be used as a light-emitting thin film material that emits fluorescence or phosphorescence.

次に、本発明の高分子LEDについて説明する。
本発明の高分子LEDは、陽極および陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が本発明の高分子化合物を含むことを特徴とする。
有機層は、発光層、正孔輸送層、電子輸送層等のいずれであってもよいが、有機層が発光層であることが好ましい。
Next, the polymer LED of the present invention will be described.
The polymer LED of the present invention has an organic layer between electrodes composed of an anode and a cathode, and the organic layer contains the polymer compound of the present invention.
The organic layer may be any of a light emitting layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and the like, but the organic layer is preferably a light emitting layer.

ここに、発光層とは、発光する機能を有する層をいい、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいい、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に2層以上用いてもよい。 Here, the light emitting layer refers to a layer having a function of emitting light, the hole transporting layer refers to a layer having a function of transporting holes, and the electron transporting layer is a layer having a function of transporting electrons. Say. The electron transport layer and the hole transport layer are collectively referred to as a charge transport layer. Two or more light emitting layers, hole transport layers, and electron transport layers may be used independently.

有機層が発光層である場合、有機層である発光層がさらに正孔輸送性材料、電子輸送性材料または発光材料を含んでいてもよい。ここで、発光材料とは、蛍光および/または燐光を示す材料のことをさす。   When the organic layer is a light emitting layer, the light emitting layer that is an organic layer may further contain a hole transporting material, an electron transporting material, or a light emitting material. Here, the light emitting material refers to a material exhibiting fluorescence and / or phosphorescence.

本発明の高分子化合物と正孔輸送性材料と混合する場合には、その混合物全体に対して、正孔輸送性材料の混合割合は1wt%〜80wt%であり、好ましくは5wt%〜60wt%である。本発明の高分子材料と電子輸送性材料を混合する場合には、その混合物全体に対して電子輸送性材料の混合割合は1wt%〜80wt%であり、好ましくは5wt%〜60wt%である。さらに、本発明の高分子化合物と発光材料を混合する場合にはその混合物全体に対して発光材料の混合割合は1wt%〜80wt%であり、好ましくは5wt%〜60wt%である。本発明の高分子化合物と発光材料、正孔輸送性材料および/または電子輸送性材料を混合する場合にはその混合物全体に対して蛍光性材料の混合割合は1wt%〜50wt%であり、好ましくは5wt%〜40wt%であり、正孔輸送性材料と電子輸送性材料はそれらの合計で1wt%〜50wt%であり、好ましくは5wt%〜40wt%であり、本発明の高分子化合物の含有量は99wt%〜20wt%である。   When the polymer compound of the present invention and the hole transporting material are mixed, the mixing ratio of the hole transporting material is 1 wt% to 80 wt%, preferably 5 wt% to 60 wt% with respect to the entire mixture. It is. When the polymer material of the present invention and the electron transporting material are mixed, the mixing ratio of the electron transporting material is 1 wt% to 80 wt%, preferably 5 wt% to 60 wt% with respect to the entire mixture. Further, when the polymer compound of the present invention and the light emitting material are mixed, the mixing ratio of the light emitting material is 1 wt% to 80 wt%, preferably 5 wt% to 60 wt% with respect to the entire mixture. When the polymer compound of the present invention is mixed with a light emitting material, a hole transporting material and / or an electron transporting material, the mixing ratio of the fluorescent material is 1 wt% to 50 wt% with respect to the entire mixture, preferably Is 5 wt% to 40 wt%, and the total of the hole transporting material and the electron transporting material is 1 wt% to 50 wt%, preferably 5 wt% to 40 wt%, and contains the polymer compound of the present invention. The amount is 99 wt% to 20 wt%.

混合する正孔輸送性材料、電子輸送性材料、発光材料は公知の低分子化合物や高分子化合物が使用できるが、高分子化合物を用いることが好ましい。 高分子化合物の正孔輸送性材料、電子輸送性材料および発光材料としては、WO99/13692、WO99/48160、GB2340304A、WO00/53656、WO01/19834、WO00/55927、GB2348316、WO00/46321、WO00/06665、WO99/54943、WO99/54385、US5777070、WO98/06773、WO97/05184、WO00/35987、WO00/53655、WO01/34722、WO99/24526、WO00/22027、WO00/22026、WO98/27136、US573636、WO98/21262、US5741921、WO97/09394、WO96/29356、WO96/10617、EP0707020、WO95/07955、特開平2001−181618、特開平2001−123156、特開平2001−3045、特開平2000−351967、特開平2000−303066、特開平2000−299189、特開平2000−252065、特開平2000−136379、特開平2000−104057、特開平2000−80167、特開平10−324870、特開平10−114891、特開平9−111233、特開平9−45478等に開示されているポリフルオレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体および共重合体、芳香族アミンおよびその誘導体の(共)重合体が例示される。
低分子化合物の蛍光性材料としでは、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などを用いることができる。
具体的には、例えば特開昭57−51781号、同59−194393号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。
As the hole-transporting material, electron-transporting material, and light-emitting material to be mixed, known low-molecular compounds and high-molecular compounds can be used, but it is preferable to use high-molecular compounds. As the hole transporting material, electron transporting material and light emitting material of the polymer compound, WO99 / 13692, WO99 / 48160, GB2340304A, WO00 / 53656, WO01 / 19834, WO00 / 55927, GB23448316, WO00 / 46321, WO00 / 06665, WO99 / 54943, WO99 / 54385, US5777070, WO98 / 06773, WO97 / 05184, WO00 / 35987, WO00 / 53655, WO01 / 34722, WO99 / 24526, WO00 / 22027, WO00 / 22026, WO98 / 27136, US573636, WO98 / 21262, US5741921, WO97 / 09394, WO96 / 29356, WO96 / 10617, EP07070 0, WO95 / 07955, JP 2001-181618, JP 2001-123156, JP 2001-3045, JP 2000-351967, JP 2000-303066, JP 2000-299189, JP 2000-252065, JP 2000-252065, JP 2000-136379, JP 2000-104057, JP 2000-80167, JP 10-324870, JP 10-114891, JP 9-111233, JP 9-45478, and the like, and derivatives thereof And copolymers, polyarylenes, derivatives and copolymers thereof, polyarylene vinylenes, derivatives and copolymers thereof, (co) polymers of aromatic amines and derivatives thereof.
Examples of low molecular weight fluorescent materials include naphthalene derivatives, anthracene or derivatives thereof, perylene or derivatives thereof, polymethine-based, xanthene-based, coumarin-based, cyanine-based pigments, 8-hydroxyquinoline or its derivatives of metals. A complex, an aromatic amine, tetraphenylcyclopentadiene or a derivative thereof, or tetraphenylbutadiene or a derivative thereof can be used.
Specifically, for example, known ones such as those described in JP-A-57-51781 and 59-194393 can be used.

三重項発光錯体としては、例えば、イリジウムを中心金属とするIr(ppy)3、Btp2Ir(acac)、白金を中心金属とするPtOEP、ユーロピウムを中心金属とするEu(TTA)3phen等が挙げられる。 Examples of triplet light-emitting complexes include Ir (ppy) 3, Btp 2 Ir (acac) with iridium as the central metal, PtOEP with platinum as the central metal, and Eu (TTA) 3phen with europium as the central metal. It is done.

Figure 2005206826

Figure 2005206826

Figure 2005206826
Figure 2005206826

Figure 2005206826
Figure 2005206826

Figure 2005206826

三重項発光錯体として具体的には、例えばNature, (1998), 395, 151、Appl. Phys. Lett. (1999), 75(1), 4、Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (2001), 4105(Organic Light-Emitting Materials and DevicesIV), 119、J. Am. Chem. Soc., (2001), 123, 4304、Appl. Phys. Lett., (1997), 71(18), 2596、Syn. Met., (1998), 94(1), 103、Syn. Met., (1999), 99(2), 1361、Adv. Mater., (1999), 11(10), 852 、Jpn.J.Appl.Phys.,34, 1883 (1995)などに記載されている。
本発明の組成物は、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料から選ばれる少なくとも1種類の材料と本発明の高分子化合物の少なくとも1種類を含有するものであり、発光材料や電荷輸送材料として用いることができる。
正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料から選ばれる少なくとも1種類の材料と本発明の高分子化合物の含有比率は、用途に応じて決めればよいが、発光材料の用途の場合は、上記の発光層におけると同じ含有比率が好ましい。
Figure 2005206826

Specific examples of triplet light emitting complexes include Nature, (1998), 395, 151, Appl. Phys. Lett. (1999), 75 (1), 4, Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (2001), 4105 (Organic Light-Emitting Materials and Devices IV), 119, J. Am. Chem. Soc., (2001), 123, 4304, Appl. Phys. Lett., (1997), 71 (18), 2596, Syn. Met., (1998), 94 (1), 103, Syn. Met., (1999), 99 (2), 1361, Adv. Mater., (1999), 11 (10), 852, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 1883 (1995).
The composition of the present invention contains at least one material selected from a hole transport material, an electron transport material and a light emitting material and at least one polymer compound of the present invention. Can be used as
The content ratio of at least one material selected from a hole transport material, an electron transport material, and a light emitting material and the polymer compound of the present invention may be determined according to the use. The same content ratio as in the light emitting layer is preferable.

本発明の高分子LEDにおける発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば1nmから1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The film thickness of the light emitting layer in the polymer LED of the present invention varies depending on the material used, and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate values. For example, the film thickness is preferably 1 nm to 1 μm, preferably Is 2 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm.

発光層の形成方法としては、例えば、溶液からの成膜による方法が例示される。
溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。
Examples of the method for forming the light emitting layer include a method by film formation from a solution.
As a film forming method from a solution, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, a spray coating method, a screen printing method, Application methods such as a flexographic printing method, an offset printing method, and an ink jet printing method can be used. Printing methods such as a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and an ink jet printing method are preferable in that pattern formation and multicolor coating are easy.

印刷法等で用いるインク組成物としては、少なくとも1種類の本発明の高分子化合物が含有されていればよく、また本発明の高分子化合物以外に正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、溶媒、安定剤などの添加剤を含んでいてもよい。
該インク組成物中における本発明の高分子化合物の割合は、溶媒を除いた組成物の全重量に対して20wt%〜100wt%であり、好ましくは40wt%〜100wt%である。
The ink composition used in the printing method or the like only needs to contain at least one polymer compound of the present invention. Besides the polymer compound of the present invention, a hole transport material, an electron transport material, a light emitting material, Additives such as solvents and stabilizers may be included.
The ratio of the polymer compound of the present invention in the ink composition is 20 wt% to 100 wt%, preferably 40 wt% to 100 wt%, based on the total weight of the composition excluding the solvent.

またインク組成物中に溶媒が含まれる場合の溶媒の割合は、組成物の全重量に対して1wt%〜99.9wt%であり、好ましくは60wt%〜99.5wt%であり、さらに好ましく80wt%〜99.0wt%である。
インク組成物の粘度は印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法などインク組成物中が吐出装置を経由するもの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が25℃において1〜20mPa・sの範囲であることが好ましい。
Further, when the solvent is contained in the ink composition, the ratio of the solvent is 1 wt% to 99.9 wt%, preferably 60 wt% to 99.5 wt%, and more preferably 80 wt% with respect to the total weight of the composition. % To 99.0 wt%.
The viscosity of the ink composition varies depending on the printing method. However, when the ink composition passes through a discharge device such as an ink jet printing method, the viscosity is 1 at 25 ° C. to prevent clogging during flight and flight bending. It is preferably in the range of ˜20 mPa · s.

インク組成物として用いる溶媒としては特に制限はないが、該インク組成物を構成する溶媒以外の材料を溶解または均一に分散できるものが好ましい。該インク組成物を構成する材料が非極性溶媒に可溶なものである場合に、該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。   Although there is no restriction | limiting in particular as a solvent used as an ink composition, The thing which can melt | dissolve or disperse | distribute materials other than the solvent which comprises this ink composition is preferable. When the material constituting the ink composition is soluble in a nonpolar solvent, the solvent is a chlorinated solvent such as chloroform, methylene chloride or dichloroethane, an ether solvent such as tetrahydrofuran, or an aromatic such as toluene or xylene. Examples include aromatic hydrocarbon solvents, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, and ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve acetate.

また、本発明の高分子LEDとしては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子LED、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子LED、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子LED等が挙げられる。   In addition, as the polymer LED of the present invention, a polymer LED having an electron transport layer provided between the cathode and the light emitting layer, a polymer LED having a hole transport layer provided between the anode and the light emitting layer, Examples include a polymer LED in which an electron transport layer is provided between the cathode and the light emitting layer, and a hole transport layer is provided between the anode and the light emitting layer.

例えば、具体的には、以下のa)〜d)の構造が例示される。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
c)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
d)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(ここで、/は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
For example, the following structures a) to d) are specifically exemplified.
a) Anode / light emitting layer / cathode b) Anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode c) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode d) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (Here, / indicates that each layer is laminated adjacently. The same shall apply hereinafter.)

本発明の高分子LEDが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送性材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体などが例示される。   When the polymer LED of the present invention has a hole transport layer, the hole transport material used is polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, polysiloxane having an aromatic amine in a side chain or a main chain. Derivatives, pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, triphenyldiamine derivatives, polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, polypyrrole or derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivatives thereof, or poly (2,5- Thienylene vinylene) or a derivative thereof.

具体的には、該正孔輸送性材料として、特開昭63−70257号公報、同63−175860号公報、特開平2−135359号公報、同2−135361号公報、同2−209988号公報、同3−37992号公報、同3−152184号公報に記載されているもの等が例示される。   Specifically, as the hole transporting material, JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, and JP-A-2-209988 are disclosed. Examples described in JP-A-3-37992 and JP-A-3-152184 are exemplified.

これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送性材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送性材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。   Among these, as a hole transporting material used for the hole transport layer, polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine compound group in a side chain or a main chain, a polyaniline or a derivative thereof , Polythiophene or a derivative thereof, poly (p-phenylene vinylene) or a derivative thereof, or a polymer hole transporting material such as poly (2,5-thienylene vinylene) or a derivative thereof is preferable, and polyvinyl carbazole or a derivative thereof is more preferable Derivatives, polysilanes or derivatives thereof, and polysiloxane derivatives having an aromatic amine in the side chain or main chain.

また、低分子化合物の正孔輸送性材料としてはピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。低分子の正孔輸送性材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。 Examples of the hole transport material of the low molecular weight compound include pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, and triphenyldiamine derivatives. In the case of a low molecular weight hole transporting material, it is preferably used by being dispersed in a polymer binder.

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。   As the polymer binder to be mixed, those not extremely disturbing charge transport are preferable, and those showing no strong absorption against visible light are suitably used. As the polymer binder, poly (N-vinylcarbazole), polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof, poly (p-phenylenevinylene) or a derivative thereof, poly (2,5-thienylenevinylene) or a derivative thereof, polycarbonate , Polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, polysiloxane and the like.

ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。   Polyvinylcarbazole or a derivative thereof is obtained, for example, from a vinyl monomer by cation polymerization or radical polymerization.

ポリシランもしくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー(Chem.Rev.)第89巻、1359頁(1989年)、英国特許GB2300196号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。   Examples of polysilane or derivatives thereof include compounds described in Chem. Rev. 89, 1359 (1989) and GB 2300196 published specification. As the synthesis method, the methods described in these can be used, but the Kipping method is particularly preferably used.

ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送性材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。   Since polysiloxane or a derivative thereof has almost no hole transporting property in the siloxane skeleton structure, those having the structure of the low molecular hole transporting material in the side chain or main chain are preferably used. Particularly, those having a hole transporting aromatic amine in the side chain or main chain are exemplified.

正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送性材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送性材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。   Although there is no restriction | limiting in the film-forming method of a positive hole transport layer, The method by the film-forming from a mixed solution with a polymer binder is illustrated with a low molecular hole transport material. In the case of a polymer hole transporting material, a method by film formation from a solution is exemplified.

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送性材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。   The solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it can dissolve a hole transporting material. Examples of the solvent include chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, and dichloroethane; ether solvents such as tetrahydrofuran; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone; ethyl acetate, butyl acetate, An ester solvent such as ethyl cellosolve acetate is exemplified.

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。   Examples of film formation methods from solution include spin coating from solution, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, spray coating method, screen Coating methods such as a printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and an inkjet printing method can be used.

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば1nmから1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The film thickness of the hole transport layer differs depending on the material used, and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. However, at least a thickness that does not cause pinholes is required. If it is too thick, the driving voltage of the element becomes high, which is not preferable. Therefore, the film thickness of the hole transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

本発明の高分子LEDが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送性材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。   When the polymer LED of the present invention has an electron transport layer, known materials can be used as the electron transport material used, such as oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane or derivatives thereof, benzoquinone or derivatives thereof, naphthoquinone or Derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, tetracyanoanthraquinodimethane or derivatives thereof, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene or derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline Alternatively, derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof, and the like are exemplified.

具体的には、特開昭63−70257号公報、同63−175860号公報、特開平2−135359号公報、同2−135361号公報、同2−209988号公報、同3−37992号公報、同3−152184号公報に記載されているもの等が例示される。   Specifically, JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, JP-A-2-20988, JP-A-3-37992, The thing etc. which are described in the same 3-152184 gazette are illustrated.

これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。   Of these, oxadiazole derivatives, benzoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof are preferred, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, and polyquinoline are more preferable.

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送性材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、上記の高分子バインダーを併用してもよい。   There are no particular restrictions on the method of forming the electron transport layer, but for low molecular weight electron transport materials, vacuum deposition from powder, or by film formation from a solution or molten state, solution for polymer electron transport materials is possible. Or the method by the film-forming from a molten state is illustrated, respectively. When forming a film from a solution or a molten state, the above polymer binder may be used in combination.

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および/または高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。   The solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it can dissolve an electron transport material and / or a polymer binder. Examples of the solvent include chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, and dichloroethane; ether solvents such as tetrahydrofuran; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone; ethyl acetate, butyl acetate, An ester solvent such as ethyl cellosolve acetate is exemplified.

溶液または溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。   Examples of film formation methods from a solution or a molten state include spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, spray coating, and screen. Coating methods such as a printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and an inkjet printing method can be used.

電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば1nmから1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The film thickness of the electron transport layer differs depending on the material used, and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. However, at least a thickness that does not cause pinholes is required. If the thickness is too thick, the driving voltage of the element increases, which is not preferable. Therefore, the thickness of the electron transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層(正孔注入層、電子注入層)と一般に呼ばれることがある。   Further, among the charge transport layers provided adjacent to the electrodes, those having a function of improving the charge injection efficiency from the electrodes and having the effect of lowering the driving voltage of the element are particularly charge injection layers (hole injection layers). , An electron injection layer).

さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚2nm以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。
Further, in order to improve adhesion with the electrode and charge injection from the electrode, the charge injection layer or an insulating layer having a thickness of 2 nm or less may be provided adjacent to the electrode, and the adhesion at the interface may be improved. In order to prevent mixing, a thin buffer layer may be inserted at the interface between the charge transport layer and the light emitting layer.
The order and number of layers to be laminated, and the thickness of each layer can be appropriately used in consideration of light emission efficiency and element lifetime.

本発明において、電荷注入層(電子注入層、正孔注入層)を設けた高分子LEDとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子LED、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子LEDが挙げられる。
例えば、具体的には、以下のe)〜p)の構造が挙げられる。
e)陽極/電荷注入層/発光層/陰極
f)陽極/発光層/電荷注入層/陰極
g)陽極/電荷注入層/発光層/電荷注入層/陰極
h)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
i)陽極/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
j)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
k)陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/陰極
l)陽極/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
m)陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
n)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
o)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
p)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
In the present invention, a polymer LED provided with a charge injection layer (electron injection layer, hole injection layer) includes a polymer LED provided with a charge injection layer adjacent to the cathode, and a charge injection layer adjacent to the anode. The provided polymer LED is mentioned.
For example, the following structures e) to p) are specifically mentioned.
e) Anode / charge injection layer / light emitting layer / cathode f) Anode / light emitting layer / charge injection layer / cathode g) Anode / charge injection layer / light emitting layer / charge injection layer / cathode h) Anode / charge injection layer / hole Transport layer / light emitting layer / cathode i) anode / hole transport layer / light emitting layer / charge injection layer / cathode j) anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / charge injection layer / cathode k) anode / charge Injection layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode l) anode / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode m) anode / charge injection layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode n) anode / Charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode o) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode p) anode / charge injection layer / hole transport Layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode

電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送性材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送性材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。   Specific examples of the charge injection layer include a layer containing a conductive polymer, an intermediate between the anode material and the hole transporting material included in the hole transporting layer, provided between the anode and the hole transporting layer. A layer containing a material having an ionization potential of the value, a material provided between the cathode and the electron transport layer, and a material having an electron affinity of an intermediate value between the cathode material and the electron transport material contained in the electron transport layer Examples include layers.

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、10-5S/cm以上103S/cm以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、10-5S/cm以上102S/cm以下がより好ましく、10-5S/cm以上101S/cm以下がさらに好ましい。
通常は該導電性高分子の電気伝導度を10-5S/cm以上103以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
When the charge injection layer is a layer containing a conductive polymer, the electrical conductivity of the conductive polymer is preferably 10 −5 S / cm or more and 10 3 S / cm or less. in order to reduce the current, more preferably less 10 -5 S / cm or more and 10 2 S / cm, more preferably less 10 -5 S / cm or more and 10 1 S / cm.
Usually, in order to make the electric conductivity of the conductive polymer 10 −5 S / cm or more and 10 3 or less, the conductive polymer is doped with an appropriate amount of ions.

ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
電荷注入層の膜厚としては、例えば1nm〜100nmであり、2nm〜50nmが好ましい。
The type of ions to be doped is an anion for the hole injection layer and a cation for the electron injection layer. Examples of anions include polystyrene sulfonate ions, alkylbenzene sulfonate ions, camphor sulfonate ions, and examples of cations include lithium ions, sodium ions, potassium ions, tetrabutylammonium ions, and the like.
The thickness of the charge injection layer is, for example, 1 nm to 100 nm, and preferably 2 nm to 50 nm.

電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン(銅フタロシアニンなど)、カーボンなどが例示される。   The material used for the charge injection layer may be appropriately selected in relation to the material of the electrode and the adjacent layer. Polyaniline and its derivatives, polythiophene and its derivatives, polypyrrole and its derivatives, polyphenylene vinylene and its derivatives, polythienylene vinylene And derivatives thereof, polyquinoline and derivatives thereof, polyquinoxaline and derivatives thereof, conductive polymers such as polymers containing an aromatic amine structure in the main chain or side chain, metal phthalocyanines (such as copper phthalocyanine), and carbon .

膜厚2nm以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚2nm以下の絶縁層を設けた高分子LEDとしては、陰極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けた高分子LED、陽極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けた高分子LEDが挙げられる。   An insulating layer having a thickness of 2 nm or less has a function of facilitating charge injection. Examples of the material for the insulating layer include metal fluorides, metal oxides, and organic insulating materials. As the polymer LED provided with the insulating layer having a thickness of 2 nm or less, the polymer LED provided with the insulating layer having a thickness of 2 nm or less adjacent to the cathode, or the insulating layer having a thickness of 2 nm or less provided adjacent to the anode. Polymer LED is mentioned.

具体的には、例えば、以下のq)〜ab)の構造が挙げられる。
q)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/発光層/陰極
r)陽極/発光層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
s)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/発光層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
t)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/正孔輸送層/発光層/陰極
u)陽極/正孔輸送層/発光層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
v)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/正孔輸送層/発光層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
w)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/発光層/電子輸送層/陰極
x)陽極/発光層/電子輸送層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
y)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/発光層/電子輸送層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
z)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
aa)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
ab)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
Specific examples include the following structures q) to ab).
q) Anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / light emitting layer / cathode r) Anode / light emitting layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode s) Anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / light emitting layer / film thickness 2 nm Insulating layer / cathode t) Anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / hole transport layer / light emitting layer / cathode u) Anode / hole transporting layer / light emitting layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode v) Anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / hole transport layer / light emitting layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode w) anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / light emitting layer / electron transport layer / cathode x) anode / Light emitting layer / electron transport layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode y) anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / light emitting layer / electron transport layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode z) anode / film Insulating layer with a thickness of 2 nm or less / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode aa) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport Layer / thickness 2nm or less of the insulating layer / cathode ab) anode / thickness 2nm or less of the insulating layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transporting layer / thickness 2nm or less of the insulating layer / cathode

本発明の高分子LEDを形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。   The substrate on which the polymer LED of the present invention is formed may be any substrate that does not change when the electrode is formed and the organic layer is formed, and examples thereof include glass, plastic, polymer film, and silicon substrate. In the case of an opaque substrate, the opposite electrode is preferably transparent or translucent.

通常本発明の高分子LEDが有する陽極および陰極の少なくとも一方が透明または半透明である。陽極側が透明または半透明であることが好ましい。
該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜(NESAなど)や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば10nmから10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚2nm以下の層を設けてもよい。
Usually, at least one of the anode and the cathode of the polymer LED of the present invention is transparent or translucent. The anode side is preferably transparent or translucent.
As the material of the anode, a conductive metal oxide film, a translucent metal thin film, or the like is used. Specifically, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, and a composite film made of conductive glass made of indium / tin / oxide (ITO), indium / zinc / oxide, etc. (NESA) Etc.), gold, platinum, silver, copper and the like are used, and ITO, indium / zinc / oxide, and tin oxide are preferable. Examples of the production method include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a plating method, and the like. Further, an organic transparent conductive film such as polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof may be used as the anode.
The film thickness of the anode can be appropriately selected in consideration of light transmittance and electric conductivity, and is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, more preferably 50 nm to 500 nm. is there.
Further, in order to facilitate charge injection on the anode, a layer made of a phthalocyanine derivative, a conductive polymer, carbon or the like, or an average film thickness of 2 nm or less made of a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material, or the like. A layer may be provided.

本発明の高分子LEDで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち2つ以上の合金、あるいはそれらのうち1つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち1つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を2層以上の積層構造としてもよい。
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば10nmから10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。
As a material of the cathode used in the polymer LED of the present invention, a material having a small work function is preferable. For example, metals such as lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, and their Two or more of these alloys, or an alloy of one or more of them and one or more of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin, graphite or graphite intercalation compound, etc. Is used. Examples of the alloy include magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminum alloy, lithium-magnesium alloy, lithium-indium alloy, calcium-aluminum alloy, and the like. The cathode may have a laminated structure of two or more layers.
The thickness of the cathode can be appropriately selected in consideration of electric conductivity and durability, but is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm.

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚2nm以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子LEDを保護する保護層を装着していてもよい。該高分子LEDを長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および/または保護カバーを装着することが好ましい。   As a method for producing the cathode, a vacuum deposition method, a sputtering method, a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded, or the like is used. Further, a layer made of a conductive polymer or a layer made of a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material or the like having an average film thickness of 2 nm or less may be provided between the cathode and the organic material layer. A protective layer for protecting the polymer LED may be attached. In order to use the polymer LED stably for a long period of time, it is preferable to attach a protective layer and / or protective cover in order to protect the element from the outside.

該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか1つ以上の方策をとることが好ましい。   As the protective layer, a polymer compound, metal oxide, metal fluoride, metal boride and the like can be used. Further, as the protective cover, a glass plate, a plastic plate having a low water permeability treatment on the surface, or the like can be used, and a method of sealing the cover by bonding it to the element substrate with a heat effect resin or a photo-curing resin is preferable. Used for. If a space is maintained using a spacer, it is easy to prevent the element from being damaged. If an inert gas such as nitrogen or argon is sealed in the space, the cathode can be prevented from being oxidized, and moisture adsorbed in the manufacturing process by installing a desiccant such as barium oxide in the space. It becomes easy to suppress giving an image to an element. Among these, it is preferable to take any one or more measures.

本発明の高分子LEDは面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。
本発明の高分子LEDを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にOn/OFFできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子発光体を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、TFTなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
The polymer LED of the present invention can be used as a backlight for a planar light source, a segment display device, a dot matrix display device, and a liquid crystal display device.
In order to obtain planar light emission using the polymer LED of the present invention, the planar anode and cathode may be arranged so as to overlap each other. In addition, in order to obtain pattern-like light emission, a method of installing a mask provided with a pattern-like window on the surface of the planar light-emitting element, an organic material layer of a non-light-emitting portion is formed extremely thick and substantially non- There are a method of emitting light and a method of forming either one of the anode or the cathode or both electrodes in a pattern. By forming a pattern by any of these methods and arranging some electrodes so that they can be turned on / off independently, a segment type display element capable of displaying numbers, letters, simple symbols, and the like can be obtained. Further, in order to obtain a dot matrix element, both the anode and the cathode may be formed in a stripe shape and arranged so as to be orthogonal to each other. Partial color display and multicolor display are possible by a method of separately coating a plurality of types of polymer light emitters having different emission colors or a method using a color filter or a fluorescence conversion filter. The dot matrix element can be driven passively or may be driven actively in combination with TFTs. These display elements can be used as display devices for computers, televisions, mobile terminals, mobile phones, car navigation systems, video camera viewfinders, and the like.

さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。   Furthermore, the planar light-emitting element is a self-luminous thin type, and can be suitably used as a planar light source for a backlight of a liquid crystal display device or a planar illumination light source. If a flexible substrate is used, it can be used as a curved light source or display device.

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。ここで、数平均分子量および重量平均分子量については、GPC(島津製作所製:LC−10Avp)によりポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量を求めた。測定する重合体は、約0.5wt%の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、GPCに50μL注入した。GPCの移動相はテトラヒドロフランを用い、0.6mL/minの流速で流した。カラムは、TSKgel SuperHM−H(東ソー製)2本とTSKgel SuperH2000(東ソー製)1本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器(島津製作所製:RID−10A)を用いた。数平均分子量、重量平均分子量については、テトラヒドロフランを溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によりポリスチレン換算数平均分子量(以後Mnと記載する)および、ポリスチレン換算重量平均分子量(以後Mwと記載する)を求めた。     Examples will be shown below for illustrating the present invention in more detail, but the present invention is not limited to these examples. Here, regarding the number average molecular weight and the weight average molecular weight, the polystyrene-equivalent number average molecular weight and weight average molecular weight were determined by GPC (manufactured by Shimadzu Corporation: LC-10Avp). The polymer to be measured was dissolved in tetrahydrofuran to a concentration of about 0.5 wt%, and 50 μL was injected into GPC. Tetrahydrofuran was used as the mobile phase of GPC, and flowed at a flow rate of 0.6 mL / min. As for the column, two TSKgel SuperHM-H (manufactured by Tosoh) and one TSKgel SuperH2000 (manufactured by Tosoh) were connected in series. A differential refractive index detector (manufactured by Shimadzu Corporation: RID-10A) was used as the detector. Regarding the number average molecular weight and the weight average molecular weight, the number average molecular weight in terms of polystyrene (hereinafter referred to as Mn) and the weight average molecular weight in terms of polystyrene (hereinafter referred to as Mw) by gel permeation chromatography (GPC) using tetrahydrofuran as a solvent. Asked.

実施例1
2,7−ジブロモ−9,9−ジ−n−オクチルフルオレンと2,7−ジブロモ−9,9−ビス(3−メチルブチル)フルオレンの縮合重合(60℃)
2,7−ジブロモ−9,9−ジ−n−オクチルフルオレン4.00g(7.3mmol)と2,7−ジブロモ−9,9−ビス(3−メチルブチル)フルオレン0.85g(1.8mmol)と2,2’−ビピリジル3.42g(21.9mmol)とを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これにテトラヒドロフラン(脱水溶媒)240gを加え、攪拌溶解した。この混合溶液をアルゴンガスによりバブリングして脱気した後に、混合溶液を60℃まで昇温した。次にこの混合溶液に、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)を6.02g(21.9mmol)加え、同温度で5時間反応させた。なお、反応は窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を冷却した後、メタノール79g/イオン交換水100g/25%アンモニア水18.2g混合溶液中へそそぎ込み、約1時間攪拌した。次に析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、クルードポリマー5.3gを得た。クルードポリマーにおいて、9,9−ジ−n−オクチルフルオレンと9,9−ビス(3−メチルブチル)フルオレンの繰り返し単位の比は80:20である。このクルードポリマーのポリスチレン換算数平均分子量(以後Mnと記載する)は、3.3×105であり、ポリスチレン換算重量平均分子量(以後Mwと記載する)は、1.2×106であった。
上記クルードポリマー0.57gをトルエン160gに溶解させた後、ろ紙にて不溶分をろ別した。ろ液をアルミナカラムに通して精製を行い、回収したトルエン溶液に6%塩酸79gを加えて30分間攪拌し、水層を除去して有機層に 3%アンモニア水76gを加え、30分間攪拌した後に水層を除去して有機層にイオン交換水67gを加え、30分間攪拌した後に水層を除去した。得られたトルエン溶液にメタノール320gをそそぎ込み1時間攪拌し、析出した沈殿を濾過して2時間減圧乾燥させた。得られた共重合体の収量は0.24gであった。共重合体において、9,9−ジ−n−オクチルフルオレンと9,9−ビス(3−メチルブチル)フルオレンの繰り返し単位の比は80:20である。この共重合体のMnは、3.7×105であり、Mwは、1.2×106であった。
Example 1
Condensation polymerization of 2,7-dibromo-9,9-di-n-octylfluorene and 2,7-dibromo-9,9-bis (3-methylbutyl) fluorene (60 ° C.)
2,7-dibromo-9,9-di-n-octylfluorene 4.00 g (7.3 mmol) and 2,7-dibromo-9,9-bis (3-methylbutyl) fluorene 0.85 g (1.8 mmol) And 2,2′-bipyridyl (3.42 g, 21.9 mmol) were charged into a reaction vessel, and the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this, 240 g of tetrahydrofuran (dehydrated solvent) was added and dissolved by stirring. This mixed solution was deaerated by bubbling with argon gas, and then the mixed solution was heated to 60 ° C. Next, 6.02 g (21.9 mmol) of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to the mixed solution and reacted at the same temperature for 5 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.
After the reaction, this solution was cooled, then poured into a mixed solution of 79 g of methanol / 100 g of ion-exchanged water / 18.2 g of 25% aqueous ammonia, and stirred for about 1 hour. Next, the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure for 2 hours to obtain 5.3 g of a crude polymer. In the crude polymer, the ratio of the repeating units of 9,9-di-n-octylfluorene and 9,9-bis (3-methylbutyl) fluorene is 80:20. This crude polymer had a polystyrene-equivalent number average molecular weight (hereinafter referred to as Mn) of 3.3 × 10 5 and a polystyrene-equivalent weight average molecular weight (hereinafter referred to as Mw) of 1.2 × 10 6 . .
After 0.57 g of the crude polymer was dissolved in 160 g of toluene, the insoluble matter was filtered off with a filter paper. The filtrate was purified by passing through an alumina column. 79% of 6% hydrochloric acid was added to the recovered toluene solution and stirred for 30 minutes. The aqueous layer was removed, and 76 g of 3% aqueous ammonia was added to the organic layer, followed by stirring for 30 minutes. Thereafter, the aqueous layer was removed, and 67 g of ion-exchanged water was added to the organic layer. After stirring for 30 minutes, the aqueous layer was removed. 320 g of methanol was poured into the obtained toluene solution and stirred for 1 hour, and the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure for 2 hours. The yield of the obtained copolymer was 0.24 g. In the copolymer, the ratio of the repeating units of 9,9-di-n-octylfluorene and 9,9-bis (3-methylbutyl) fluorene is 80:20. Mn of this copolymer was 3.7 × 10 5 and Mw was 1.2 × 10 6 .

実施例2
2,7−ジブロモ−9,9−ジ−n−オクチルフルオレンと2,7−ジブロモ−9,9−ビス(3−メチルブチル)フルオレンの縮合重合(50℃)
2,7−ジブロモ−9,9−ジ−n−オクチルフルオレン4.00g(7.3mmol)と2,7−ジブロモ−9,9−ビス(3−メチルブチル)フルオレン0.85g(1.8mmol)と2,2’−ビピリジル3.42g(21.9mmol)とを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これにテトラヒドロフラン(脱水溶媒)240gを加え、攪拌溶解した。この混合溶液をアルゴンガスによりバブリングして脱気した後に、混合溶液を50℃まで昇温した。次にこの混合溶液に、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)を6.02g(21.9mmol)加え、同温度で5時間反応した。なお、反応は窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を冷却した後、メタノール79g/イオン交換水100g/25%アンモニア水18.2g混合溶液中へそそぎ込み、約1時間攪拌した。次に析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、クルードポリマー3.8gを得た。クルードポリマーにおいて、9,9−ジ−n−オクチルフルオレンと9,9−ビス(3−メチルブチル)フルオレンの繰り返し単位の比は80:20である。このクルードポリマーのMnは、3.9×105であり、Mwは、1.2×106であった。
Example 2
Condensation polymerization of 2,7-dibromo-9,9-di-n-octylfluorene and 2,7-dibromo-9,9-bis (3-methylbutyl) fluorene (50 ° C.)
2,7-dibromo-9,9-di-n-octylfluorene 4.00 g (7.3 mmol) and 2,7-dibromo-9,9-bis (3-methylbutyl) fluorene 0.85 g (1.8 mmol) And 2,2′-bipyridyl (3.42 g, 21.9 mmol) were charged into a reaction vessel, and the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this, 240 g of tetrahydrofuran (dehydrated solvent) was added and dissolved by stirring. The mixed solution was degassed by bubbling with argon gas, and then the mixed solution was heated to 50 ° C. Next, 6.02 g (21.9 mmol) of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to this mixed solution, and reacted at the same temperature for 5 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.
After the reaction, this solution was cooled, then poured into a mixed solution of 79 g of methanol / 100 g of ion-exchanged water / 18.2 g of 25% aqueous ammonia, and stirred for about 1 hour. Next, the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure for 2 hours to obtain 3.8 g of a crude polymer. In the crude polymer, the ratio of the repeating units of 9,9-di-n-octylfluorene and 9,9-bis (3-methylbutyl) fluorene is 80:20. Mn of this crude polymer was 3.9 × 10 5 and Mw was 1.2 × 10 6 .

比較例1
2,7−ジブロモ−9,9−ジ−n−オクチルフルオレンと2,7−ジブロモ−9,9−ビス(3−メチルブチル)フルオレンの縮合重合(室温〜60℃まで昇温)
2,7−ジブロモ−9,9−ジ−n−オクチルフルオレン4.00g(7.3mmol)と2,7−ジブロモ−9,9−ビス(3−メチルブチル)フルオレン0.85g(1.8mmol)と2,2’−ビピリジル3.42g(21.9mmol)とを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これにテトラヒドロフラン(脱水溶媒)240gを加え、攪拌溶解した。この混合溶液をアルゴンガスによりバブリングして脱気した。ついでこの混合溶液に、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)を6.02g(21.9mmol)加え、室温で10分間攪拌した後、45分間かけて60℃まで昇温し、同温度で3時間反応した。なお、反応は窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を冷却した後、メタノール79g/イオン交換水100g/25%アンモニア水18.2g混合溶液中へそそぎ込み、約2時間攪拌した。次に析出した沈殿をろ過して8時間減圧乾燥し、クルードポリマー5.2gを得た。クルードポリマーにおいて、9,9−ジ−n−オクチルフルオレンと9,9−ビス(3−メチルブチル)フルオレンの繰り返し単位の比は80:20である。このクルードポリマーのMnは、1.1×105であり、Mwは、3.1×105であった。
上記クルードポリマー1.74gをトルエン80gに溶解させた後、ろ紙にて不溶分をろ別した。ろ液をアルミナカラムに通して精製を行い、回収したトルエン溶液に6%塩酸79gを加えて30分間攪拌し、水層を除去して有機層に 3%アンモニア水76gを加え、30分間攪拌した後に水層を除去して有機層にイオン交換水67gを加え、30分間攪拌した後に水層を除去した。得られたトルエン溶液にメタノール158gをそそぎ込み1時間攪拌し、析出した沈殿を濾過して2時間減圧乾燥させた。得られた共重合体の収量は0.30gであった。共重合体において、9,9−ジ−n−オクチルフルオレンと9,9−ビス(3−メチルブチル)フルオレンの繰り返し単位の比は80:20である。この共重合体のMnは、1.1×105であり、Mwは、2.9×105であった。
Comparative Example 1
Condensation polymerization of 2,7-dibromo-9,9-di-n-octylfluorene and 2,7-dibromo-9,9-bis (3-methylbutyl) fluorene (temperature rising from room temperature to 60 ° C.)
2,7-dibromo-9,9-di-n-octylfluorene 4.00 g (7.3 mmol) and 2,7-dibromo-9,9-bis (3-methylbutyl) fluorene 0.85 g (1.8 mmol) And 2,2′-bipyridyl (3.42 g, 21.9 mmol) were charged into a reaction vessel, and the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this, 240 g of tetrahydrofuran (dehydrated solvent) was added and dissolved by stirring. This mixed solution was deaerated by bubbling with argon gas. Next, 6.02 g (21.9 mmol) of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to this mixed solution, stirred for 10 minutes at room temperature, then heated to 60 ° C. over 45 minutes, The reaction was carried out at the same temperature for 3 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.
After the reaction, this solution was cooled and then poured into a mixed solution of 79 g of methanol / 100 g of ion-exchanged water / 18.2 g of 25% aqueous ammonia and stirred for about 2 hours. Next, the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure for 8 hours to obtain 5.2 g of a crude polymer. In the crude polymer, the ratio of the repeating units of 9,9-di-n-octylfluorene and 9,9-bis (3-methylbutyl) fluorene is 80:20. The crude polymer had an Mn of 1.1 × 10 5 and an Mw of 3.1 × 10 5 .
After dissolving 1.74 g of the crude polymer in 80 g of toluene, the insoluble matter was filtered off with a filter paper. The filtrate was purified by passing through an alumina column. 79% of 6% hydrochloric acid was added to the recovered toluene solution and stirred for 30 minutes. The aqueous layer was removed, and 76 g of 3% aqueous ammonia was added to the organic layer, followed by stirring for 30 minutes. Thereafter, the aqueous layer was removed, and 67 g of ion-exchanged water was added to the organic layer. After stirring for 30 minutes, the aqueous layer was removed. 158 g of methanol was poured into the obtained toluene solution and stirred for 1 hour, and the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure for 2 hours. The yield of the obtained copolymer was 0.30 g. In the copolymer, the ratio of the repeating units of 9,9-di-n-octylfluorene and 9,9-bis (3-methylbutyl) fluorene is 80:20. Mn of this copolymer was 1.1 × 10 5 and Mw was 2.9 × 10 5 .

比較例2
2,7−ジブロモ−9,9−ジ−n−オクチルフルオレンと2,7−ジブロモ−9,9−ビス(3−メチルブチル)フルオレンの縮合重合(28℃)
2,7−ジブロモ−9,9−ジ−n−オクチルフルオレン4.00g(7.3mmol)と2,7−ジブロモ−9,9−ビス(3−メチルブチル)フルオレン0.85g(1.8mmol)と2,2’−ビピリジル3.42g(21.9mmol)とを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これにテトラヒドロフラン(脱水溶媒)240gを加え、攪拌溶解した。この混合溶液をアルゴンガスによりバブリングして脱気した。次にこの混合溶液に、室温(28℃)にてビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)を6.02g(21.9mmol)加え、室温(28℃)で5時間反応した。なお、反応は窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を冷却した後、メタノール79g/イオン交換水100g/25%アンモニア水18.2g混合溶液中へそそぎ込み、約1時間攪拌した。次に析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、クルードポリマー3.2gを得た。クルードポリマーにおいて、9,9−ジ−n−オクチルフルオレンと9,9−ビス(3−メチルブチル)フルオレンの繰り返し単位の比は80:20である。このクルードポリマーのMnは、5.5×103であり、Mwは、1.4×104であった。
Comparative Example 2
Condensation polymerization of 2,7-dibromo-9,9-di-n-octylfluorene and 2,7-dibromo-9,9-bis (3-methylbutyl) fluorene (28 ° C.)
2,7-dibromo-9,9-di-n-octylfluorene 4.00 g (7.3 mmol) and 2,7-dibromo-9,9-bis (3-methylbutyl) fluorene 0.85 g (1.8 mmol) And 2,2′-bipyridyl (3.42 g, 21.9 mmol) were charged into a reaction vessel, and the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this, 240 g of tetrahydrofuran (dehydrated solvent) was added and dissolved by stirring. This mixed solution was deaerated by bubbling with argon gas. Next, 6.02 g (21.9 mmol) of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to this mixed solution at room temperature (28 ° C.), and reacted at room temperature (28 ° C.) for 5 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.
After the reaction, this solution was cooled, then poured into a mixed solution of 79 g of methanol / 100 g of ion-exchanged water / 18.2 g of 25% aqueous ammonia, and stirred for about 1 hour. Next, the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure for 2 hours to obtain 3.2 g of a crude polymer. In the crude polymer, the ratio of the repeating units of 9,9-di-n-octylfluorene and 9,9-bis (3-methylbutyl) fluorene is 80:20. The crude polymer had an Mn of 5.5 × 10 3 and an Mw of 1.4 × 10 4 .

比較例3
2,7−ジブロモ−9,9−ジ−n−オクチルフルオレンと2,7−ジブロモ−9,9−ビス(3−メチルブチル)フルオレンの縮合重合(40℃)
2,7−ジブロモ−9,9−ジ−n−オクチルフルオレン4.00g(7.3mmol)と2,7−ジブロモ−9,9−ビス(3−メチルブチル)フルオレン0.85g(1.8mmol)と2,2’−ビピリジル3.42g(21.9mmol)とを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これにテトラヒドロフラン(脱水溶媒)240gを加え、攪拌溶解した。この混合溶液をアルゴンガスによりバブリングして脱気した。次にこの混合溶液に、40℃にてビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)を6.02g(21.9mmol)加え、同温度で5時間反応した。なお、反応は窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を冷却した後、メタノール79g/イオン交換水100g/25%アンモニア水18.2g混合溶液中へそそぎ込み、約1時間攪拌した。次に析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥し、クルードポリマー4.9gを得た。クルードポリマーにおいて、9,9−ジ−n−オクチルフルオレンと9,9−ビス(3−メチルブチル)フルオレンの繰り返し単位の比は80:20である。このクルードポリマーのMnは、1.2×104であり、Mwは、2.4×104であった。
Comparative Example 3
Condensation polymerization of 2,7-dibromo-9,9-di-n-octylfluorene and 2,7-dibromo-9,9-bis (3-methylbutyl) fluorene (40 ° C.)
2,7-dibromo-9,9-di-n-octylfluorene 4.00 g (7.3 mmol) and 2,7-dibromo-9,9-bis (3-methylbutyl) fluorene 0.85 g (1.8 mmol) And 2,2′-bipyridyl (3.42 g, 21.9 mmol) were charged into a reaction vessel, and the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this, 240 g of tetrahydrofuran (dehydrated solvent) was added and dissolved by stirring. This mixed solution was deaerated by bubbling with argon gas. Next, 6.02 g (21.9 mmol) of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to this mixed solution at 40 ° C., and reacted at the same temperature for 5 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.
After the reaction, this solution was cooled, then poured into a mixed solution of 79 g of methanol / 100 g of ion-exchanged water / 18.2 g of 25% aqueous ammonia, and stirred for about 1 hour. Next, the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure for 2 hours to obtain 4.9 g of a crude polymer. In the crude polymer, the ratio of the repeating units of 9,9-di-n-octylfluorene and 9,9-bis (3-methylbutyl) fluorene is 80:20. The crude polymer had an Mn of 1.2 × 10 4 and an Mw of 2.4 × 10 4 .

参考例3
化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)の合成
Reference example 3
Synthesis of Compound C (Dibenzothiophene Derivative)

参考例3−1 (化合物C−1の合成)

Figure 2005206826
(化合物C−1)
不活性雰囲気下1lの四つ口フラスコに2,8−ジブロモジベンゾチオフェン 7gとTHF 280mlを入れ、室温で撹拌、溶かした後、−78℃まで冷却した。n−ブチルリチウム 29ml(1.6モルヘキサン溶液)を滴下した。滴下終了後、温度を保持したまま2時間撹拌し、トリメトキシボロン酸 13gを滴下した。滴下終了後、ゆっくり室温まで戻した。3時間室温で撹拌後、TLCで原料の消失を確認した。5%硫酸 100mlを加えて反応を終了させ、室温で12時間撹拌した。水を加えて洗浄し、有機層を分液した。溶媒を酢酸エチルに置換した後、30%過酸化水素水 5mlを加え、40℃で5時間撹拌した。その後有機層を分液し、10%硫酸アンモニウム鉄(II)水溶液で洗浄後乾燥、溶媒を留去することにより、茶色の固体 4.43gを得た。LC−MS測定からは二量体などの副生成物も生成しており、化合物C−1の純度は77%であった(LC面百)。
MS(APCI(−)):(M−H)- 215 Reference Example 3-1 (Synthesis of Compound C-1)
Figure 2005206826
(Compound C-1)
Under an inert atmosphere, 7 g of 2,8-dibromodibenzothiophene and 280 ml of THF were placed in a 1 l four-necked flask, stirred and dissolved at room temperature, and then cooled to -78 ° C. 29 ml of n-butyllithium (1.6 molar hexane solution) was added dropwise. After completion of dropping, the mixture was stirred for 2 hours while maintaining the temperature, and 13 g of trimethoxyboronic acid was added dropwise. After completion of dropping, the temperature was slowly returned to room temperature. After stirring at room temperature for 3 hours, disappearance of the raw material was confirmed by TLC. The reaction was terminated by adding 100 ml of 5% sulfuric acid and stirred at room temperature for 12 hours. Water was added for washing, and the organic layer was separated. After replacing the solvent with ethyl acetate, 5 ml of 30% aqueous hydrogen peroxide was added and stirred at 40 ° C. for 5 hours. Thereafter, the organic layer was separated, washed with a 10% aqueous ammonium iron (II) sulfate solution, dried, and the solvent was distilled off to obtain 4.43 g of a brown solid. By-products such as dimers were also produced from LC-MS measurement, and the purity of compound C-1 was 77% (LC area percentage).
MS (APCI (-)) :( M-H) - 215

参考例3−2 (化合物C−2の合成)

Figure 2005206826

(化合物C−2)
不活性雰囲気下で200mlの三つ口フラスコに上記化合物C−1 4.43gと臭化n−オクチル 25.1g、および炭酸カリウム 12.5g(23.5mmol)を入れ、溶媒としてメチルイソブチルケトン 50mlを加えて125℃で6時間加熱還流した。反応終了後、溶媒を留去、クロロホルムと水を加えて、有機層を分液し、さらに水で2回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラム(展開溶媒:トルエン/シクロヘキサン=1/10)で精製することにより、8.49g(LC面百97%、収率94%)の化合物C−2を得た。
1H−NMR(300MHz/CDCl3):
δ0.91(t、6H)、1.31〜1.90(m、24H)、4.08(t、4H)、7.07(dd、2H)、7.55(d、2H)、7.68(d、2H) Reference Example 3-2 (Synthesis of Compound C-2)
Figure 2005206826

(Compound C-2)
Under an inert atmosphere, 4.43 g of the above compound C-1, 25.1 g of n-octyl bromide, and 12.5 g (23.5 mmol) of potassium carbonate were placed in a 200 ml three-necked flask, and methyl isobutyl ketone 50 ml as a solvent. And heated to reflux at 125 ° C. for 6 hours. After completion of the reaction, the solvent was distilled off, chloroform and water were added, the organic layer was separated, and further washed twice with water. After drying over anhydrous sodium sulfate, purification was performed with a silica gel column (developing solvent: toluene / cyclohexane = 1/10) to obtain 8.49 g (LC area percentage 97%, yield 94%) of compound C-2. .
1 H-NMR (300 MHz / CDCl 3 ):
δ 0.91 (t, 6H), 1.31-1.90 (m, 24H), 4.08 (t, 4H), 7.07 (dd, 2H), 7.55 (d, 2H), 7 .68 (d, 2H)

参考例3−3 (化合物C−3の合成)

Figure 2005206826
(化合物C−3) Reference Example 3-3 (Synthesis of Compound C-3)
Figure 2005206826
(Compound C-3)

100ml三つ口フラスコに化合物C−2 6.67gと酢酸 40mlを入れ、オイルバスでバス温度140℃まで昇温した。続いて、30%過酸化水素水 13mlを冷却管から加え、1時間強く撹拌した後、冷水180mlに注いで反応を終了させた。クロロホルムで抽出、乾燥後溶媒を留去することによって、6.96g(LC面百90%、収率97%)の化合物C−3を得た。
1H−NMR(300MHz/CDCl3):
δ0.90(t、6H)、1.26〜1.87(m、24H)、4.06(t、4H)、7.19(dd、2H)、7.69(d、2H)、7.84(d、2H)
MS(APCI(+)):(M+H)+ 473
In a 100 ml three-necked flask, 6.67 g of compound C-2 and 40 ml of acetic acid were placed, and the temperature was raised to 140 ° C. in an oil bath. Subsequently, 13 ml of 30% aqueous hydrogen peroxide was added from the condenser, and after vigorously stirring for 1 hour, the reaction was terminated by pouring into 180 ml of cold water. After extraction with chloroform and drying, the solvent was distilled off to obtain 6.96 g (LC area percentage 90%, yield 97%) of compound C-3.
1 H-NMR (300 MHz / CDCl 3 ):
δ 0.90 (t, 6H), 1.26 to 1.87 (m, 24H), 4.06 (t, 4H), 7.19 (dd, 2H), 7.69 (d, 2H), 7 .84 (d, 2H)
MS (APCI (+)): (M + H) <+> 473

参考例3−4 (化合物C−4の合成)

Figure 2005206826

(化合物C−4)
不活性雰囲気下200ml四つ口フラスコに化合物C−3 3.96gと酢酸/クロロホルム=1:1混合液 15mlを加え、70℃で撹拌し、溶解させた。続いて、臭素 6.02gを上記の溶媒 3mlに溶かして加え、3時間撹拌した。チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えて未反応の臭素を除き、クロロホルムと水を加えて、有機層を分液し乾燥した。溶媒を留去し、シリカゲルカラム(展開溶媒:クロロホルム/ヘキサン=1/4)で精製することにより、4.46g(LC面百98%、収率84%)の化合物C−4を得た。
1H−NMR(300MHz/CDCl3):
δ0.95(t、6H)、1.30〜1.99(m、24H)、4.19(t、4H)、7.04(s、2H)、7.89(s、2H)
MS(FD+)M+ 630

参考例3−5<化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)の合成>

Figure 2005206826

<化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)>
不活性雰囲気下200ml三つ口フラスコに化合物C−4 3.9gとジエチルエーテル 50mlを入れ、40℃まで昇温、撹拌した。水素化アルミニウムリチウム 1.17gを少量ずつ加え、5時間反応させた。水を少量ずつ加えることによって過剰な水素化アルミニウムリチウムを分解し、36%塩酸 5.7mlで洗浄した。クロロホルム、水を加えて、有機層を分液し乾燥した。シリカゲルカラム(展開溶媒:クロロホルム/ヘキサン=1/5)で精製することにより、1.8g(LC面百99%、収率49%)の化合物Cを得た。
1H−NMR(300MHz/CDCl3):
δ0.90(t、6H)、1.26〜1.97(m、24H)、4.15(t、4H)、7.45(s、2H)、7.94(s、2H)
MS(FD+)M+ 598 Reference Example 3-4 (Synthesis of Compound C-4)

Figure 2005206826

(Compound C-4)
Under an inert atmosphere, 3.96 g of Compound C-3 and 15 ml of a mixed solution of acetic acid / chloroform = 1: 1 were added to a 200 ml four-necked flask and stirred at 70 ° C. to dissolve. Subsequently, 6.02 g of bromine was dissolved in 3 ml of the above solvent, and the mixture was stirred for 3 hours. A sodium thiosulfate aqueous solution was added to remove unreacted bromine, chloroform and water were added, and the organic layer was separated and dried. The solvent was distilled off and purified by a silica gel column (developing solvent: chloroform / hexane = 1/4) to obtain 4.46 g (LC area percentage 98%, yield 84%) of compound C-4.
1 H-NMR (300 MHz / CDCl 3 ):
δ 0.95 (t, 6H), 1.30 to 1.99 (m, 24H), 4.19 (t, 4H), 7.04 (s, 2H), 7.89 (s, 2H)
MS (FD +) M + 630

Reference Example 3-5 <Synthesis of Compound C (Dibenzothiophene Derivative)>

Figure 2005206826

<Compound C (dibenzothiophene derivative)>
Under an inert atmosphere, 3.9 g of Compound C-4 and 50 ml of diethyl ether were placed in a 200 ml three-necked flask, heated to 40 ° C. and stirred. Lithium aluminum hydride 1.17 g was added little by little and allowed to react for 5 hours. Excess lithium aluminum hydride was decomposed by adding water little by little and washed with 5.7 ml of 36% hydrochloric acid. Chloroform and water were added, and the organic layer was separated and dried. By purification with a silica gel column (developing solvent: chloroform / hexane = 1/5), 1.8 g (LC area percentage 99%, yield 49%) of compound C was obtained.
1 H-NMR (300 MHz / CDCl 3 ):
δ 0.90 (t, 6H), 1.26 to 1.97 (m, 24H), 4.15 (t, 4H), 7.45 (s, 2H), 7.94 (s, 2H)
MS (FD + ) M + 598

参考例4
化合物D(フェニレンジアミン誘導体)の合成
参考例4−1
<化合物D−1の合成>

Figure 2005206826

(化合物D−1)
不活性雰囲気下で、500mlの3つ口フラスコに酢酸225gを入れ、5−t−ブチル−m−キシレン24.3gを加えた。続いて臭素31.2gを加えた後、15〜20℃で3時間反応させた。
反応液を水500mlに加え析出した沈殿をろ過した。水250mlで2回洗浄し、白色の固体34.2gを得た。
1H−NMR(300MHz/CDCl3):
δ(ppm) = 1.3〔s,9H〕、2.4〔s,6H〕、7.1〔s,2H〕
MS(FD+)M+ 241 Reference example 4
Synthesis Reference Example 4-1 of Compound D (Phenylenediamine Derivative)
<Synthesis of Compound D-1>

Figure 2005206826

(Compound D-1)
Under an inert atmosphere, 225 g of acetic acid was placed in a 500 ml three-necked flask, and 24.3 g of 5-t-butyl-m-xylene was added. Then, after adding 31.2 g of bromine, it was made to react at 15-20 degreeC for 3 hours.
The reaction solution was added to 500 ml of water, and the deposited precipitate was filtered. This was washed twice with 250 ml of water to obtain 34.2 g of a white solid.
1 H-NMR (300 MHz / CDCl 3 ):
δ (ppm) = 1.3 [s, 9H], 2.4 [s, 6H], 7.1 [s, 2H]
MS (FD + ) M + 241

参考例4−2
<化合物D−2の合成>

Figure 2005206826
(化合物D−2)
不活性雰囲気下で、100mlの3つ口フラスコに脱気した脱水トルエン36mlを入れ、トリ(t−ブチル)ホスフィン0.63gを加えた。続いてトリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム0.41g、上記の化合物D−1 9.6g、t−ブトキシナトリウム5.2g、N,N’−ジフェニル−1,4−フェニレンジアミン4.7gを加えた後、100℃で3時間反応させた。
反応液を飽和食塩水300mlに加え、約50℃に温めたクロロホルム300mlで抽出した。溶媒を留去した後、トルエン100mlを加えて、固体が溶解するまで加熱、放冷した後、沈殿をろ過し、白色の固体9.9gを得た。 Reference Example 4-2
<Synthesis of Compound D-2>

Figure 2005206826
(Compound D-2)
Under an inert atmosphere, 36 ml of degassed dehydrated toluene was placed in a 100 ml three-necked flask, and 0.63 g of tri (t-butyl) phosphine was added. Subsequently, 0.41 g of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium, 9.6 g of the above compound D-1, 5.2 g of sodium t-butoxy, and 4.7 g of N, N′-diphenyl-1,4-phenylenediamine were added. And then reacted at 100 ° C. for 3 hours.
The reaction solution was added to 300 ml of saturated brine and extracted with 300 ml of chloroform warmed to about 50 ° C. After the solvent was distilled off, 100 ml of toluene was added, and the mixture was heated and allowed to cool until the solid was dissolved, and then the precipitate was filtered to obtain 9.9 g of a white solid.

参考例4−3
<化合物D(フェニレンジアミン誘導体)の合成>

Figure 2005206826
(化合物D:フェニレンジアミン誘導体)
不活性雰囲気下で、1000mlの3つ口フラスコに脱水N,N−ジメチルホルムアミド350mlを入れ、上記のN,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−t−ブチル−2,6−ジメチルフェニル)−1,4−フェニレンジアミン5.2gを溶解した後、氷浴下でN−ブロモスクシンイミド3.5g/N,N−ジメチルホルムアミド溶液を滴下し、一昼夜反応させた。
反応液に水150mlを加え、析出した沈殿をろ過し、メタノール50mlで2回洗浄し化合物Dの白色の固体4.4gを得た。
1H−NMR(300MHz/THF−d8):
δ(ppm) = 1.3〔s,18H〕、2.0〔s,12H〕、6.6〜6.7〔d,4H〕、6.8〜6.9〔br,4H〕、7.1〔s,4H〕、7.2〜7.3〔d,4H〕
MS(FD+)M+ 738 Reference Example 4-3
<Synthesis of Compound D (Phenylenediamine Derivative)>

Figure 2005206826
(Compound D: phenylenediamine derivative)
Under an inert atmosphere, 350 ml of dehydrated N, N-dimethylformamide was placed in a 1000 ml three-necked flask and the above N, N′-diphenyl-N, N′-bis (4-t-butyl-2,6- After dissolving 5.2 g of (dimethylphenyl) -1,4-phenylenediamine, a 3.5 g / N, N-dimethylformamide solution of N-bromosuccinimide was added dropwise in an ice bath and allowed to react overnight.
150 ml of water was added to the reaction solution, and the deposited precipitate was filtered and washed twice with 50 ml of methanol to obtain 4.4 g of Compound D white solid.
1 H-NMR (300 MHz / THF-d8):
δ (ppm) = 1.3 [s, 18H], 2.0 [s, 12H], 6.6 to 6.7 [d, 4H], 6.8 to 6.9 [br, 4H], 7 .1 [s, 4H], 7.2 to 7.3 [d, 4H]
MS (FD + ) M + 738

実施例3
化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)の縮合重合(60℃)
化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)2.73g(4.6mmol)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)3.37g(4.6mmol)と2,2’−ビピリジル3.42g(21.9mmol)とを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これにテトラヒドロフラン(脱水溶媒)214gを加え、攪拌溶解した。この混合溶液をアルゴンガスによりバブリングして脱気した後に、混合溶液を60℃まで昇温した。次にこの混合溶液に、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)を6.02g(21.9mmol)加え、同温度で5時間反応させた。なお、反応は窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を冷却した後、メタノール79g/イオン交換水100g/25%アンモニア水18.2g混合溶液中へそそぎ込み、約1時間攪拌した。次に析出した沈殿をろ過して5時間減圧乾燥し、クルードポリマー5.6gを得た。クルードポリマーにおいて、化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)の繰り返し単位の比は50:50である。このクルードポリマーのMnは、2.7×104であり、Mwは、2.4×105であった。
Example 3
Condensation polymerization of compound C (dibenzothiophene derivative) and compound D (phenylenediamine derivative) (60 ° C.)
2.73 g (4.6 mmol) of compound C (dibenzothiophene derivative), 3.37 g (4.6 mmol) of compound D (phenylenediamine derivative) and 3.42 g (21.9 mmol) of 2,2′-bipyridyl Then, the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this, 214 g of tetrahydrofuran (dehydrated solvent) was added and dissolved by stirring. This mixed solution was deaerated by bubbling with argon gas, and then the mixed solution was heated to 60 ° C. Next, 6.02 g (21.9 mmol) of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to the mixed solution and reacted at the same temperature for 5 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.
After the reaction, this solution was cooled, then poured into a mixed solution of 79 g of methanol / 100 g of ion-exchanged water / 18.2 g of 25% aqueous ammonia, and stirred for about 1 hour. Next, the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure for 5 hours to obtain 5.6 g of a crude polymer. In the crude polymer, the ratio of the repeating units of compound C (dibenzothiophene derivative) and compound D (phenylenediamine derivative) is 50:50. The crude polymer had an Mn of 2.7 × 10 4 and an Mw of 2.4 × 10 5 .

比較例4
化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)の縮合重合(室温〜60℃まで昇温)
化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)1.8g(3.0mmol)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)2.2g(3.0mmol)と2,2’−ビピリジル1.84g(11.8mmol)とを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これにテトラヒドロフラン(脱水溶媒)160mlを加え、攪拌溶解した。この混合溶液をアルゴンガスによりバブリングして脱気した後に、混合溶液を60℃まで昇温した。次にこの混合溶液に、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)を3.4g(11.8mmol)加え、同温度で3時間反応させた。なお、反応は窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を冷却した後、メタノール100ml/イオン交換水200ml/25%アンモニア水30ml混合溶液中へそそぎ込み、約2時間攪拌した。次に析出した沈殿をろ過した後、メタノールにて洗浄してから、5時間減圧乾燥し、クルードポリマー2.7gを得た。
上記クルードポリマー全量をトルエン150gに溶解させた後、ろ紙にて不溶分をろ別した。ろ液をアルミナカラムに通して精製を行い、回収したトルエン溶液に25%アンモニア水45mlとイオン交換水200mlとを加え、2時間攪拌した後に水層を除去して有機層にイオン交換水200mlを加え、30分間攪拌した後に水層を除去した。得られたトルエン溶液をメタノール450mlにそそぎ込み1時間攪拌し、析出した沈殿を濾過して5時間減圧乾燥させた。得られた共重合体の収量は1.20gであった。共重合体において、化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)の繰り返し単位の比は50:50である。この重合体のMnは、1.8×104であり、Mwは、4.9×104であった。
Comparative Example 4
Condensation polymerization of compound C (dibenzothiophene derivative) and compound D (phenylenediamine derivative) (temperature rising from room temperature to 60 ° C.)
A reaction vessel containing 1.8 g (3.0 mmol) of compound C (dibenzothiophene derivative), 2.2 g (3.0 mmol) of compound D (phenylenediamine derivative) and 1.84 g (11.8 mmol) of 2,2′-bipyridyl Then, the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this, 160 ml of tetrahydrofuran (dehydrated solvent) was added and dissolved by stirring. This mixed solution was deaerated by bubbling with argon gas, and then the mixed solution was heated to 60 ° C. Next, 3.4 g (11.8 mmol) of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to this mixed solution and reacted at the same temperature for 3 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.
After the reaction, this solution was cooled and then poured into a mixed solution of methanol 100 ml / ion-exchanged water 200 ml / 25% aqueous ammonia 30 ml and stirred for about 2 hours. Next, the deposited precipitate was filtered, washed with methanol, and then dried under reduced pressure for 5 hours to obtain 2.7 g of a crude polymer.
The whole amount of the crude polymer was dissolved in 150 g of toluene, and the insoluble matter was filtered off with a filter paper. The filtrate was purified by passing through an alumina column, 45 ml of 25% aqueous ammonia and 200 ml of ion exchange water were added to the recovered toluene solution, stirred for 2 hours, the aqueous layer was removed, and 200 ml of ion exchange water was added to the organic layer. In addition, the aqueous layer was removed after stirring for 30 minutes. The obtained toluene solution was poured into 450 ml of methanol and stirred for 1 hour, and the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure for 5 hours. The yield of the obtained copolymer was 1.20 g. In the copolymer, the ratio of the repeating units of compound C (dibenzothiophene derivative) and compound D (phenylenediamine derivative) is 50:50. Mn of this polymer was 1.8 × 10 4 , and Mw was 4.9 × 10 4 .

実施例4
化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)の縮合重合(60℃金属縮合材仕込み)
化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)1.616g(2.7mmol)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)1.330g(1.8mmol)と2,2’−ビピリジル1.688g(10.8mmol)とを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これにテトラヒドロフラン(脱水溶媒)115gを加え、攪拌溶解した。この混合溶液をアルゴンガスによりバブリングして脱気した後に、混合溶液を60℃まで昇温した。次にこの混合溶液に、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)を2.971g(10.8mmol)加え、同温度で3時間反応させた。なお、反応は窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を冷却した後、メタノール102g/イオン交換水130g/25%アンモニア水8.9g混合溶液中へそそぎ込み、約1時間攪拌した。次に析出した沈殿をろ過して減圧乾燥し、クルードポリマー2.76gを得た。クルードポリマーにおいて、化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)の繰り返し単位の比は60:40である。このクルードポリマーのMnは、2.8×104であり、Mwは、2.3×105であった。
Example 4
Condensation polymerization of compound C (dibenzothiophene derivative) and compound D (phenylenediamine derivative) (60 ° C metal condensing material preparation)
Compound C (dibenzothiophene derivative) 1.616 g (2.7 mmol), compound D (phenylenediamine derivative) 1.330 g (1.8 mmol) and 2,2′-bipyridyl 1.688 g (10.8 mmol) Then, the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this, 115 g of tetrahydrofuran (dehydrated solvent) was added and dissolved by stirring. This mixed solution was deaerated by bubbling with argon gas, and then the mixed solution was heated to 60 ° C. Next, 2.971 g (10.8 mmol) of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to this mixed solution and reacted at the same temperature for 3 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.
After the reaction, this solution was cooled and then poured into a mixed solution of methanol 102 g / ion exchanged water 130 g / 25% ammonia water 8.9 g and stirred for about 1 hour. Next, the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure to obtain 2.76 g of a crude polymer. In the crude polymer, the ratio of the repeating units of compound C (dibenzothiophene derivative) and compound D (phenylenediamine derivative) is 60:40. The crude polymer had Mn of 2.8 × 10 4 and Mw of 2.3 × 10 5 .

実施例5
化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)の縮合重合
2,2’−ビピリジル1.688g(10.8mmol)を反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これにテトラヒドロフラン(脱水溶媒)115gを加え、攪拌溶解した。この混合溶液をアルゴンガスによりバブリングして脱気した後に、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)を2.971g(10.8mmol)加え、60℃まで昇温した。昇温後、化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)1.616g(2.7mmol)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)1.330g(1.8mmol)を加え、同温度で3時間反応させた。なお、反応は窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を冷却した後、メタノール102g/イオン交換水130g/25%アンモニア水8.9g混合溶液中へそそぎ込み、約1時間攪拌した。次に析出した沈殿をろ過して減圧乾燥し、クルードポリマー1.80gを得た。クルードポリマーにおいて、化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)の繰り返し単位の比は60:40である。このクルードポリマーのMnは、1.1×104であり、Mwは、1.3×105であった。
Example 5
The reaction vessel was charged with 1.688 g (10.8 mmol) of 2,2′-bipyridyl condensation polymerization of compound C (dibenzothiophene derivative) and compound D (phenylenediamine derivative), and the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this, 115 g of tetrahydrofuran (dehydrated solvent) was added and dissolved by stirring. This mixed solution was degassed by bubbling with argon gas, and then 2.971 g (10.8 mmol) of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added, and the temperature was raised to 60 ° C. After the temperature increase, 1.616 g (2.7 mmol) of compound C (dibenzothiophene derivative) and 1.330 g (1.8 mmol) of compound D (phenylenediamine derivative) were added and reacted at the same temperature for 3 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.
After the reaction, this solution was cooled and then poured into a mixed solution of methanol 102 g / ion exchanged water 130 g / 25% ammonia water 8.9 g and stirred for about 1 hour. Next, the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure to obtain 1.80 g of a crude polymer. In the crude polymer, the ratio of the repeating units of compound C (dibenzothiophene derivative) and compound D (phenylenediamine derivative) is 60:40. Mn of this crude polymer was 1.1 × 10 4 and Mw was 1.3 × 10 5 .

実施例6
化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)の縮合重合
化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)0.592g(0.99mmol)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)0.598g(8.1mmol)と2,2’−ビピリジル0.675g(4.32mmol)とを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これにテトラヒドロフラン(脱水溶媒)52mlを加え、攪拌溶解した後に、混合溶液を60℃まで昇温した。次にこの混合溶液に、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)を1.188g(4.32mmol)加え、同温度で3時間反応させた。なお、反応は窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を冷却した後、メタノール41g/イオン交換水52g/25%アンモニア水3.6g混合溶液中へそそぎ込み、約1時間攪拌した。次に析出した沈殿をろ過して減圧乾燥し、クルードポリマー1.11gを得た。クルードポリマーにおいて、化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)の繰り返し単位の比は55:45である。このクルードポリマーのMnは、2.3×104であり、Mwは、2.0×105であった。
Example 6
Condensation polymerization of compound C (dibenzothiophene derivative) and compound D (phenylenediamine derivative) 0.592 g (0.99 mmol) of compound C (dibenzothiophene derivative) and 0.598 g (8.1 mmol) of compound D (phenylenediamine derivative) After charging 0.675 g (4.32 mmol) of 2,2′-bipyridyl into the reaction vessel, the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this, 52 ml of tetrahydrofuran (dehydrated solvent) was added and dissolved by stirring, and then the mixed solution was heated to 60 ° C. Next, 1.188 g (4.32 mmol) of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to this mixed solution and reacted at the same temperature for 3 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.
After the reaction, this solution was cooled and then poured into a mixed solution of methanol 41 g / ion-exchanged water 52 g / 25% ammonia water 3.6 g and stirred for about 1 hour. Next, the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure to obtain 1.11 g of a crude polymer. In the crude polymer, the ratio of the repeating units of compound C (dibenzothiophene derivative) and compound D (phenylenediamine derivative) is 55:45. The crude polymer had an Mn of 2.3 × 10 4 and an Mw of 2.0 × 10 5 .

実施例7
化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)の縮合重合
化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)0.592g(0.99mmol)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)0.598g(8.1mmol)と2,2’−ビピリジル0.675g(4.32mmol)とを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これにトルエン(脱水溶媒)52mlを加え、攪拌溶解した後に、混合溶液を60℃まで昇温した。次にこの混合溶液に、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)を1.188g(4.32mmol)加え、同温度で3時間反応させた。なお、反応は窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を冷却した後、メタノール41g/イオン交換水52g/25%アンモニア水3.6g混合溶液中へそそぎ込み、約1時間攪拌した。本反応では、析出する沈殿が微細で、実施例6のようなろ過取り出しが困難だったため、静置後、水層を分液し、得られた有機層を減圧乾燥してクルードポリマー1.57gを得た。クルードポリマーにおいて、化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)の繰り返し単位の比は55:45である。このクルードポリマーのMnは、2.5×104であり、Mwは、3.2×105であった。
Example 7
Condensation polymerization of compound C (dibenzothiophene derivative) and compound D (phenylenediamine derivative) 0.592 g (0.99 mmol) of compound C (dibenzothiophene derivative) and 0.598 g (8.1 mmol) of compound D (phenylenediamine derivative) After charging 0.675 g (4.32 mmol) of 2,2′-bipyridyl into the reaction vessel, the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this, 52 ml of toluene (dehydrated solvent) was added and dissolved by stirring, and then the mixed solution was heated to 60 ° C. Next, 1.188 g (4.32 mmol) of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to this mixed solution and reacted at the same temperature for 3 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.
After the reaction, this solution was cooled and then poured into a mixed solution of methanol 41 g / ion-exchanged water 52 g / 25% ammonia water 3.6 g and stirred for about 1 hour. In this reaction, the deposited precipitate was fine and it was difficult to filter out as in Example 6. Therefore, after standing, the aqueous layer was separated, and the obtained organic layer was dried under reduced pressure to obtain 1.57 g of crude polymer. Got. In the crude polymer, the ratio of the repeating units of compound C (dibenzothiophene derivative) and compound D (phenylenediamine derivative) is 55:45. The crude polymer had an Mn of 2.5 × 10 4 and an Mw of 3.2 × 10 5 .

実施例8
化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)の縮合重合
化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)0.592g(0.99mmol)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)0.598g(8.1mmol)と2,2’−ビピリジル0.675g(4.32mmol)とを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これにN、N−ジメチルホルムアミド(脱水溶媒)52mlを加え、攪拌溶解した後に、混合溶液を60℃まで昇温した。次にこの混合溶液に、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)を1.188g(4.32mmol)加え、同温度で3時間反応させた。なお、反応は窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を冷却した後、メタノール41g/イオン交換水52g/25%アンモニア水3.6g混合溶液中へそそぎ込み、約1時間攪拌した。次に析出した沈殿をろ過して減圧乾燥し、クルードポリマー1.08gを得た。クルードポリマーにおいて、化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)の繰り返し単位の比は55:45である。このクルードポリマーのMnは、7.9×103であり、Mwは、2.0×104であった。
Example 8
Condensation polymerization of compound C (dibenzothiophene derivative) and compound D (phenylenediamine derivative) 0.592 g (0.99 mmol) of compound C (dibenzothiophene derivative) and 0.598 g (8.1 mmol) of compound D (phenylenediamine derivative) After charging 0.675 g (4.32 mmol) of 2,2′-bipyridyl into the reaction vessel, the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this, 52 ml of N, N-dimethylformamide (dehydrated solvent) was added and dissolved by stirring, and then the temperature of the mixed solution was raised to 60 ° C. Next, 1.188 g (4.32 mmol) of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to this mixed solution and reacted at the same temperature for 3 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.
After the reaction, this solution was cooled and then poured into a mixed solution of methanol 41 g / ion-exchanged water 52 g / 25% ammonia water 3.6 g and stirred for about 1 hour. Next, the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure to obtain 1.08 g of a crude polymer. In the crude polymer, the ratio of the repeating units of compound C (dibenzothiophene derivative) and compound D (phenylenediamine derivative) is 55:45. The crude polymer had an Mn of 7.9 × 10 3 and an Mw of 2.0 × 10 4 .

実施例9
化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)の縮合重合
化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)0.592g(0.99mmol)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)0.598g(8.1mmol)と2,2’−ビピリジル0.675g(4.32mmol)とを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに1,4−ジオキサン(脱水溶媒)52mlを加え、攪拌溶解した後に、混合溶液を60℃まで昇温した。次にこの混合溶液に、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)を1.188g(4.32mmol)加え、同温度で3時間反応させた。なお、反応は窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を冷却した後、メタノール41g/イオン交換水52g/25%アンモニア水3.6g混合溶液中へそそぎ込み、約1時間攪拌した。次に析出した沈殿をろ過して減圧乾燥し、クルードポリマー1.05gを得た。クルードポリマーにおいて、化合物C(ジベンゾチオフェン誘導体)と化合物D(フェニレンジアミン誘導体)の繰り返し単位の比は55:45である。このクルードポリマーのMnは、2.8×104であり、Mwは、2.5×105であった。
Example 9
Condensation polymerization of compound C (dibenzothiophene derivative) and compound D (phenylenediamine derivative) 0.592 g (0.99 mmol) of compound C (dibenzothiophene derivative) and 0.598 g (8.1 mmol) of compound D (phenylenediamine derivative) After charging 0.675 g (4.32 mmol) of 2,2′-bipyridyl into the reaction vessel, the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this, 52 ml of 1,4-dioxane (dehydrated solvent) was added and dissolved by stirring, and then the mixed solution was heated to 60 ° C. Next, 1.188 g (4.32 mmol) of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to this mixed solution and reacted at the same temperature for 3 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.
After the reaction, this solution was cooled and then poured into a mixed solution of methanol 41 g / ion-exchanged water 52 g / 25% ammonia water 3.6 g and stirred for about 1 hour. Next, the deposited precipitate was filtered and dried under reduced pressure to obtain 1.05 g of a crude polymer. In the crude polymer, the ratio of the repeating units of compound C (dibenzothiophene derivative) and compound D (phenylenediamine derivative) is 55:45. The crude polymer had Mn of 2.8 × 10 4 and Mw of 2.5 × 10 5 .

Claims (21)

下記式(1)から選ばれる1種類以上の単量体を金属および金属化合物から選ばれる金属縮合剤の存在下縮合重合させて、下記式(6)で示される繰り返し単位を1種類以上有する高分子化合物を製造するに際し、
前記金属縮合剤を、単量体に作用させる際の温度が、45℃以上であることを特徴とする高分子化合物の製造方法。

1−Z1−A−Z2−Y2 (1)
〔式中、Y1およびY2はそれぞれ独立に、上記縮合剤の作用により脱離可能な原子または原子団を表し、
−A−は、
−Ar1− (2)、
―Ar2−X1―(Ar3−X2w―Ar4− (3)、
−Ar5−X3− (4)
または
−X4− (5)
(式中、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、およびAr5はそれぞれ独立にアリーレン基、2価の複素環基または金属錯体構造を有する2価の基を表し、X1は、−C≡C−、−N(R1)−、または−(SiR23y−を表し、X2、およびX3は、−CR4=CR5−、−C≡C−、−N(R1)−、または−(SiR23y−を表し、X4は、−CR4=CR5−、−C≡C−、または−(SiR23y−を表し、R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基またはアリールアルキル基を表し、R4およびR5は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表し、wは0〜1の整数を表し、yは1〜12の整数を表す。R2、およびR3がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。)を表し、
−Z1−および−Z2−はそれぞれ独立に、直接結合、−C≡C−、または−CR6=CR7−を表し、R6およびR7はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す〕

−Z1−A−Z2− (6)
〔式中、−A−、−Z1−および−Z2−は前記と同じ意味を表す。〕
One or more monomers selected from the following formula (1) are subjected to condensation polymerization in the presence of a metal condensing agent selected from a metal and a metal compound, and the polymer has one or more repeating units represented by the following formula (6). In producing molecular compounds,
A method for producing a polymer compound, wherein a temperature at which the metal condensing agent is allowed to act on a monomer is 45 ° C or higher.

Y 1 -Z 1 -AZ 2 -Y 2 (1)
[Wherein, Y 1 and Y 2 each independently represent an atom or an atomic group that can be removed by the action of the condensing agent,
-A- is
-Ar 1- (2),
—Ar 2 —X 1 — (Ar 3 —X 2 ) w —Ar 4 — (3),
—Ar 5 —X 3 — (4)
Or -X 4 - (5)
(Wherein, Ar 1, Ar 2, Ar 3, Ar 4, and Ar 5 represent each independently an arylene group, a divalent group having a divalent heterocyclic group or a metal complex structure, X 1 is - C≡C—, —N (R 1 ) —, or — (SiR 2 R 3 ) y —, wherein X 2 and X 3 are —CR 4 ═CR 5 —, —C≡C—, —N (R 1 ) — or — (SiR 2 R 3 ) y —, and X 4 represents —CR 4 ═CR 5 —, —C≡C—, or — (SiR 2 R 3 ) y —, R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group or an arylalkyl group, and R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group , An aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group, w represents an integer of 0 to 1, y Represents an integer of 1 to 12. When a plurality of R 2 s and R 3 s are present, they may be the same or different.
—Z 1 — and —Z 2 — each independently represents a direct bond, —C≡C—, or —CR 6 ═CR 7 —, and R 6 and R 7 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, or aryl. Represents a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group]

-Z 1 -AZ 2- (6)
[Wherein, -A-, -Z 1-, and -Z 2- represent the same meaning as described above. ]
金属縮合剤がゼロ価ニッケル錯体で、Y1およびY2がそれぞれ独立にハロゲン原子または−OSO28であることを特徴とする請求項1記載の製造方法〔式中、R8はアルキル基、アリール基またはアリールアルキル基を表す〕。 2. The process according to claim 1, wherein the metal condensing agent is a zero-valent nickel complex, and Y 1 and Y 2 are each independently a halogen atom or —OSO 2 R 8 , wherein R 8 is an alkyl group Represents an aryl group or an arylalkyl group. ゼロ価ニッケル錯体の量が、式(1)の単量体1モルに対して、0.01〜5モルの範囲であることを特徴とする請求項2記載の製造方法。   The production method according to claim 2, wherein the amount of the zerovalent nickel complex is in the range of 0.01 to 5 mol with respect to 1 mol of the monomer of the formula (1). エーテル系溶媒または芳香族炭化水素系溶媒の存在下縮合重合させることを特徴とする請求項2または3記載の製造方法。   4. The production method according to claim 2, wherein the condensation polymerization is carried out in the presence of an ether solvent or an aromatic hydrocarbon solvent. 単量体と溶媒とを含む混合液の温度を45℃以上に保ちながら、該混合液に、ゼロ価ニッケル錯体を固体で、または溶媒との混合液として混合することを特徴とする請求項2〜4記載の製造方法。   3. A zero-valent nickel complex is mixed with the liquid mixture as a solid or as a liquid mixture with a solvent while maintaining the temperature of the liquid mixture containing the monomer and the solvent at 45 ° C. or higher. The manufacturing method of -4. 金属縮合剤がニッケル触媒またはパラジウム触媒であり、Y1およびY2が、それぞれ独立にハロゲン原子、−OSO28または−B(OR92であり、ハロゲン原子、−OSO28のモル数の合計と、−B(OR92のモル数の合計の比が実質的に1であることを特徴とする請求項1記載の製造方法〔式中、R8はアルキル基、アリール基またはアリールアルキル基を表し、R9は水素原子、アルキル基、またはアリール基を表し、2つのR9は同一でも異なっていてもよく、一緒になって環を形成していてもよい。〕。 The metal condensing agent is a nickel catalyst or a palladium catalyst, Y 1 and Y 2 are each independently a halogen atom, —OSO 2 R 8 or —B (OR 9 ) 2 , and a halogen atom, —OSO 2 R 8 The production method according to claim 1, wherein the ratio of the total number of moles to the total number of moles of -B (OR 9 ) 2 is 1, wherein R 8 is an alkyl group, aryl Represents a group or an arylalkyl group, R 9 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group, and two R 9 s may be the same or different and may together form a ring. ]. ニッケル触媒またはパラジウム触媒の量が、式(1)の単量体1モルに対して、0.001〜0.1モルの範囲であることを特徴とする請求項6記載の製造方法。   The production method according to claim 6, wherein the amount of the nickel catalyst or the palladium catalyst is in the range of 0.001 to 0.1 mol with respect to 1 mol of the monomer of the formula (1). 請求項1〜7のいずれかに記載の製造方法で製造された高分子化合物。   A polymer compound produced by the production method according to claim 1. 正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料から選ばれる少なくとも1種類の材料と請求項8記載の高分子化合物の少なくとも1種類とを含有することを特徴とする組成物   A composition comprising at least one material selected from a hole transport material, an electron transport material, and a light-emitting material and at least one polymer compound according to claim 8. 請求項8記載の高分子化合物を含有することを特徴とするインク組成物。   An ink composition comprising the polymer compound according to claim 8. 粘度が25℃において1〜20mPa・sであることを特徴とする請求項10記載のインク組成物。   The ink composition according to claim 10, wherein the viscosity is 1 to 20 mPa · s at 25 ° C. 請求項8に記載の高分子化合物を含有する発光性薄膜。   A luminescent thin film containing the polymer compound according to claim 8. 請求項8に記載の高分子化合物を含有する導電性薄膜。   A conductive thin film containing the polymer compound according to claim 8. 請求項8に記載の高分子化合物を含有する有機半導体薄膜。   An organic semiconductor thin film containing the polymer compound according to claim 8. 陽極および陰極からなる電極間に、請求項8記載の高分子化合物を含む層を有することを特徴とする高分子発光素子。   A polymer light emitting device comprising a layer containing the polymer compound according to claim 8 between electrodes composed of an anode and a cathode. 請求項8記載の高分子化合物を含む層が発光層であることを特徴とする請求項15記載の高分子発光素子。   The polymer light-emitting device according to claim 15, wherein the layer containing the polymer compound according to claim 8 is a light-emitting layer. 発光層がさらに正孔輸送性材料、電子輸送性材料または発光材料を含むことを特徴とする請求項15記載の高分子発光素子。   16. The polymer light emitting device according to claim 15, wherein the light emitting layer further contains a hole transporting material, an electron transporting material or a light emitting material. 請求項15〜17のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とする面状光源。   A planar light source comprising the polymer light-emitting device according to claim 15. 請求項15〜17のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置。   A segment display device comprising the polymer light-emitting device according to claim 15. 請求項15〜17のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置。   A dot matrix display device comprising the polymer light emitting device according to claim 15. 請求項15〜17のいずれかに記載の高分子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。


A liquid crystal display device comprising the polymer light emitting device according to claim 15 as a backlight.


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