JP2005200463A - 粘着フィルムおよびそれを用いた半導体ウエハの保護方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ウエハ表面に対する優れた密着性と不要時の易剥離性を有する半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを提供する。
【解決手段】基材フィルムの少なくとも片表面に、粘着剤層が形成され、前記粘着剤層が、一分子中に熱解離によりイソシアネート基が再生可能な、少なくとも２個のブロック化イソシアネート基を有するブロック化ポリイソシアネートおよびイソシアネート基と反応可能な基を有するポリマーを含有することを特徴とする粘着フィルム。

Description

本発明は、粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハの裏面研削方法に関する。詳しくは、シリコンウエハ等の半導体ウエハの集積回路が組み込まれた側の面（以下、ウエハ表面）に前記粘着フィルムを貼着して、該ウエハの他の面（以下、ウエハ裏面）を研削するに際し、半導体ウエハの破損防止等に有用な半導体ウエハ裏面研削方法、及び該方法に用いる粘着フィルムに関する。

通常、半導体集積回路は高純度シリコン単結晶等をスライスしてウエハとした後、イオン注入、エッチング等により集積回路を組み込み、さらにウエハの裏面をグラインディング、ポリッシング、ラッピング等により研削し、ウエハの厚さを１００〜６００μｍ程度まで薄くしてから、ダイシングしてチップ化する方法で製造されている。これらの工程の中で、ウエハ裏面を研削加工する際に半導体ウエハの破損を防止するために粘着フィルムが用いられている。

具体的には、ウエハ表面に粘着フィルムをその粘着剤層を介して直接貼着してウエハ表面を保護した後、該ウエハの他の面（以下、ウエハ裏面という）を研削する。研削が完了した後、該粘着フィルムはウエハ表面より剥離される。

従来の粘着フィルムを、ウエハの周辺部まで集積回路が組み込まれている、すなわち、ウエハの最外周までスクライブラインが達しているような半導体ウエハの裏面を研削する際に用いた場合には、スクライブラインに起因する凹部を通してウエハ表面と粘着剤層との間に水が浸入し、それに起因してウエハが破損したり、水と共に研削屑が浸入してウエハ表面を汚染することがあった。この問題を防止するために、粘着フィルムの粘着剤層の厚みを厚くし、ウエハ表面の凹部と粘着剤層の密着性を向上させる手段がとられている。しかしながら、この手段を用いた場合には、研削終了後に次の工程へと進むため、この粘着フィルムを剥離する際、強固に接着した粘着フィルムを剥離するのは困難であった。このように、ウエハ裏面研削用粘着フィルムには、高密着と易剥離という矛盾する条件を満たすことが求められていた。

このような問題を解決する手段として、例えば特開昭６０−１８９９３８号公報には、半導体ウエハの裏面を研磨するにあたり、このウエハの表面に感圧性接着フィルムを貼り付け、上記の研磨後この接着フィルムを剥離する半導体ウエハの保護方法において、上記の感圧性接着フィルムが光透過性の支持体とこの支持体上に設けられた光照射により硬化し三次元網状化する性質を有する感圧性接着剤層とからなり、研磨後この接着フィルムを剥離する前にこの接着フィルムに光照射することを特徴とする半導体ウエハの保護方法が開示されている。

上記の発明に開示されている半導体ウエハの保護方法は、剥離前に光照射することによって粘着フィルムのウエハ表面に対する粘着力を低下させることができるため、剥離時の作業性・ウエハ破損の問題を考慮せずに裏面研削時のウエハ表面に対する密着性を十分に大きくすることができ、前述のウエハ表面と粘着剤層との間への水及び研削屑の浸入の問題は解決される。

しかしながら、この粘着フィルムを用いた場合には、裏面研削後にウエハ表面から粘着フィルムを剥離するまでの間に光照射することを必要とするため、光照射設備を工程中に導入する必要があり、装置が大型化・複雑化したり、工程が複雑化して作業性が低下したりする問題があった。また、光照射により発生するオゾンによって作業環境が悪化するという問題もあった。さらに、ウエハの表面形状や光照射強度・時間等の諸条件によっては、粘着剤層の硬化不良により剥離後のウエハ表面に糊残りの問題が発生することがあった。その問題を防止するためには光照射装置内を窒素等の不活性ガスで充填する必要があるため、製造コストが上昇すると共に、工程のさらなる大型化・複雑化を招くという問題があった。

近年、半導体業界の技術革新、低コスト化への要求に伴い、半導体ウエハは年々大口径化・薄層化する傾向にある。特に、パッケージングの薄層化や、スマートカード用途の様に薄肉であることが求められる半導体チップの需要が増加していることに伴い、裏面研削後の半導体ウエハの厚みはますます薄くなりつつある。裏面の研削に要する時間はウエハの面積と共に増大するため、前述した研削中の水及び研削屑の浸入によるウエハの破損・汚染の問題はウエハが大口径化するほど発生しやすいと考えられる。さらに、ウエハの厚みが薄くなるにつれてウエハ自体の強度が低下することを考慮すれば、前述した剥離時にウエハが破損する問題も、ウエハの薄層化に伴ってますます深刻化していくものと予想される。

加えて、近年の半導体ウエハ裏面研削工程の多様化により、粘着剤の一部が残りやすい表面形状を有するウエハが多くなってきている。例えば、上記スマートカード用途に適したチップを有するウエハとして、高さ５〜１００μｍの突起状のハイバンプ電極を有するウエハが生産されるようになってきている。上記のような突起状のハイバンプ電極を表面に有する半導体ウエハの裏面を研削する場合には、研削後のウエハから粘着フィルムを剥離する際に、ウエハの表面に粘着剤の一部が残り（以下、糊残りと称する）ウエハ表面を汚染することがあった。この汚染はハイバンプ電極の周辺に生じることが多く、その場合には粘着フィルムを該ウエハから剥離した後に洗浄等の後処理を行っても汚染を除去することが困難であり、特に大きな問題となることがあった。

このような状況の中で、裏面研削時にはウエハ表面の凹部に良好に密着して水及び研削屑の浸入によるウエハの破損及びウエハ表面の汚染を起こすことがなく、それでいて剥離時には適正な粘着力で剥離できるためにウエハの破損も発生せず、且つ、新たな設備投資をすることなく従来の工程のままで使用することが可能な半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムが求められている。
特開昭60‐189938号公報

本発明の目的は、上記問題に鑑み、半導体ウエハの裏面を研削する際に、ウエハ表面と粘着剤層との間への水及び研削屑の浸入によるウエハの破損・汚染防止を図ることができ、且つ、研削終了後には容易に剥離することできる粘着フィルム、及びそれを用いた半導体ウエハの裏面研削方法を提供することにある。

本発明者らは、鋭意検討の結果、粘着剤層に、加熱によりイソシアネート基が再生可能な、少なくとも２個のブロック化イソシアネート基を有するブロック化ポリイソシアネートおよびイソシアネート基と反応可能な基を有するポリマーを含有することにより、加熱により粘着力を制御することが可能な粘着フィルムが得られることを見出し本発明を完成した。

半導体ウエハの裏面を研削するに際し、本発明の粘着フィルムを使用すれば、裏面の研削応力に起因する研削中のウエハ破損が起こらないばかりでなく、ウエハ表面と粘着剤層との間に水及び研削屑が浸入することに起因するウエハの破損及びウエハ表面の汚染も起こらない。また、加熱処理により、粘着力の制御が可能であるため、粘着フィルムをウエハから剥離する際のウエハの破損を防ぐことが可能となる。

以下、本発明について詳細に説明する。本発明は、基材フィルムの片表面に特定の組成の粘着剤からなる粘着剤層が形成された粘着フィルム、及び該粘着フィルムを使用する半導体ウエハ裏面研削方法である。

本発明の粘着フィルムは、例えば、基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面に、イソシアネート基と反応可能な基を有するポリマー（以下粘着剤ポリマーともいう）、ブロック化ポリイソシアネート、その他必要に応じて架橋剤や他の添加剤を含む溶液またはエマルション液（以下、これらを総称して粘着剤塗布液という）を塗布、乾燥して粘着剤層を形成することにより製造することができる。

粘着剤塗布液を基材フィルムの片表面に塗布して粘着剤層を形成する場合は、環境に起因する汚染等から保護するために、塗布した粘着剤層の表面に剥離フィルムを貼着することが好ましい。他方、剥離フィルムの片表面に粘着剤塗布液を塗布して粘着剤層を形成する場合は、該粘着剤層を基材フィルムへ転写する方法が採られる。基材フィルム及び剥離フィルムのいずれの片表面に粘着剤塗布液を塗布するかは、基材フィルム及び剥離フィルムの耐熱性、半導体ウエハ表面の汚染性を考慮して決める。例えば、剥離フィルムの耐熱性が基材フィルムのそれより優れている場合は、剥離フィルムの表面に粘着剤層を設けた後、基材フィルムへ転写することが好ましい。耐熱性が同等または基材フィルムが優れている場合は、基材フィルムの表面に粘着剤層を設け、その表面に剥離フィルムを貼着することが好ましい。

しかし、半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルムは、剥離フィルムを剥離した時に露出する粘着剤層の表面を介して半導体ウエハ表面に貼着されることを考慮し、粘着剤層による半導体ウエハ表面の汚染防止を図るためには、耐熱性の良好な剥離フィルムを使用し、その表面に粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形成し、これを基材フィルムへ転写する方法の方が好ましい。本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムは、通常、粘着剤層の表面に剥離フィルムを貼着した状態で保存され、使用の際にそれを剥離する。

本発明に用いる基材フィルムとしては、合成樹脂をフィルム状に成型加工したフィルムを用いる。基材フィルムは単層体であっても、また、積層体であってもよい。基材フィルムの厚みは１０〜５００μｍが好ましい。より好ましくは７０〜５００μｍである。原料樹脂としては、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂が挙げられ、上記基材フィルムの少なくとも一層の融点が２００℃以上である場合は、加熱による樹脂の融解が生ぜず、半導体ウエハと基材とを円滑に剥離することができるので好ましい。
本発明に使用する剥離フィルムとしては、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムが挙げられる。必要に応じてその表面にシリコーン処理等が施されたものが好ましい。剥離フィルムの厚みは、通常１０〜２００μｍである。好ましくは３０〜１００μｍである。

本発明に用いるイソシアネート基と反応可能な基を有するポリマーは、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アミド基等のイソシアネート基と反応可能な基を有するポリマーであれば、特に限定されないが、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー単位（Ａ）、イソシアネート基と反応し得る官能基を有するモノマー単位（Ｂ）を乳化重合して得られる共重合体のアクリル系粘着剤ポリマーが好ましい。モノマー単位（B）の有する官能基が、架橋剤と反応し得ることが更に好ましい。溶液で使用する場合は、乳化重合で得られたエマルション液からアクリル系粘着剤ポリマーを塩析等で分離してから溶剤等で再溶解して使用するが、アクリル系粘着剤ポリマーは分子量が充分に大きく、溶剤への溶解性が低く、若しくは溶解しない場合には、コスト的な観点から鑑みても、エマルション液のまま使用することが好ましい。
以下、イソシアネート基と反応可能な基を有するポリマーについて、アクリル系粘着ポリマーを例に挙げて詳述する。

アクリル系粘着剤ポリマーは、アクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキルエステル、又はこれらの混合物を主モノマー〔以下、モノマー（Ａ）〕と官能基を有するモノマー（Ｂ）を含有するモノマー組成物を共重合して得られる。
モノマー（Ａ）としては、炭素数１〜１８程度のアルキル基を有するアクリル酸アルキルエステル又はメタアクリル酸アルキルエステル〔以下、これらの総称して（メタ）アクリル酸アルキルエステルという〕が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルである。具体的には、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシルが挙げられる。これらは単独で使用しても、また、２種以上を混合して使用してもよい。モノマー（Ａ）の使用量は粘着剤ポリマーの原料である重合性モノマーの総量中、通常、１０〜９８重量％の範囲で含ませることが好ましい。更に好ましくは７０〜９５重量％である。モノマー（Ａ）の使用量をかかる範囲とすることにより、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー単位（Ａ）を１０〜９８重量％、好ましくは７０〜９５重量％含むポリマーが得られる。

イソシアネート基と反応し得る官能基を有するモノマー単位（Ｂ）としては、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマー；アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー、アクリルアミド、メタクリルアミド等のアミド基含有モノマー；ターシャル−ブチルアミノエチルアクリレート、ターシャル−ブチルアミノエチルメタクリレート等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド等であり、ヒドロキシ基を有するモノマーが特に好ましい。これらの一種を上記主モノマー（Ａ）と共重合させてもよいし、また２種以上を共重合させてもよい。イソシアネート基と反応し得る官能基を有するモノマー（Ｂ）の使用量は、粘着剤ポリマーの原料である重合性モノマー総量中に、通常、１〜４０重量％の範囲で含まれていることが好ましい。更に好ましくは１〜３０重量％である。而して、モノマー組成とほぼ等しい組成の構成単位（Ｂ）を有するポリマーが得られる。

本発明においては、その他に界面活性剤としての性質を有する特定のコモノマー（以下、重合性界面活性剤と称する）を共重合してもよい。重合性界面活性剤は、主モノマー及びコモノマーと共重合する性質を有すると共に、乳化重合する場合には乳化剤としての作用を有する。重合性界面活性剤を用いて乳化重合したアクリル系粘着剤ポリマーを用いた場合には、通常界面活性剤によるウエハ表面に対する汚染が生じない。また、粘着剤層に起因する僅かな汚染が生じた場合においても、ウエハ表面を水洗することにより容易に除去することが可能となる。

このような重合性界面活性剤の例としては、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルのベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＲＮ−１０、同ＲＮ−２０、同ＲＮ−３０、同ＲＮ−５０等〕、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルの硫酸エステルアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＨＳ−１０、同ＨＳ−２０等〕、及び分子内に重合性二重結合を持つ、スルホコハク酸ジエステル系〔花王（株）製；商品名：ラテムルＳ−１２０Ａ、同Ｓ−１８０Ａ等〕等が挙げられる。

更に必要に応じて、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の重合性２重結合を有するモノマーを共重合してもよい。界面活性剤の使用量は、モノマー原料１００重量部に対し、０.１重量％以上５重量％以下、好ましくは０.２重量％以上２重量％以下である。

アクリル系粘着剤ポリマーの重合反応機構としては、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げられる。粘着剤の製造コスト、モノマーの官能基の影響及び半導体ウエハ表面へのイオンの影響等を等慮すればラジカル重合によって重合することが好ましい。ラジカル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始剤として、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ジ−ターシャル−ブチルパーオキサイド、ジ−ターシャル−アミルパーオキサイド等の有機過酸化物、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、２，２'−アゾビスイソブチロニトリル、２，２'−アゾビス−２−メチルブチロニトリル、４，４'−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等のアゾ化合物が挙げられる。

乳化重合法により重合する場合には、これらのラジカル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、同じく水溶性の４，４'−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物が好ましい。半導体ウエハ表面へのイオンの影響を考慮すれば、過硫酸アンモニウム、４，４'−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を有するアゾ化合物が更に好ましい。４，４'−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を有するアゾ化合物が特に好ましい。

架橋性の官能基を１分子中に２個以上有する架橋剤は、アクリル系粘着剤ポリマーの官能基と反応させることにより、粘着力及び凝集力を調整できるので使用することが好ましい。架橋剤としては、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、レソルシンジグリシジルエーテル等のエポキシ系化合物、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロパンのトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ'−ジフェニルメタン−４，４'−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ'−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート等のアジリジン系化合物、及びヘキサメトキシメチロールメラミン等のメラミン系化合物が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上に対して併用してもよい。

架橋剤の含有量は、通常架橋剤中の官能基数およびブロック化イソシアネート中の官能基数の合計がアクリル系粘着剤ポリマー中の官能基数よりも多くならない程度の範囲で含有するのが好ましい。しかし、架橋反応で新たに官能基が生じる場合や、架橋反応が遅い場合等、必要に応じて過剰に含有してもよい。好ましい含有量は、アクリル系粘着剤ポリマー１００重量部に対し、架橋剤０.１〜２０重量部、更に好ましくは０．１〜１０重量部である。含有量が少ない場合、粘着剤層の凝集力が不十分となり、ウエハ表面（特にハイバンプ電極を有するウエハの場合には、該ハイバンプ電極の周辺）に粘着剤層に起因する糊残りを生じ易くなったり、粘着力が高くなり、粘着フィルムをウエハ表面から剥離する際に自動剥がし機で剥離トラブルが発生したり、ウエハを完全に破損したりする場合がある。含有量が多い場合、粘着剤層とウエハ表面との密着力が弱くなり、研削中に水や研削屑が浸入してウエハを破損したり、研削屑によるウエハ表面の汚染が生じたりすることがある。

上記粘着剤塗布液は、一分子中に熱解離によりイソシアネート基が再生可能な、少なくとも２個のブロック化ポリイソシアネートを含有する。１００℃以上２５０℃未満、より好ましくは１１０℃以上２００℃未満で熱解離するブロック化ポリイソシアネートは好ましい。ブロック化ポリイソシアネートは、公知のブロック化ポリイソシアネートを使用することができる。例えば、二官能イソシアネート化合物のイソシアネート基を活性水素を有する化合物でブロックしたもの、あるいはトリメチロールプロパンなどの３価アルコールにポリイソシアネート化合物を反応させ、得られた生成化合物の残存イソシアネート基を活性水素を有する化合物などでブロックしたものなどが挙げられる。
ブロック化ポリイソシアネートの含有量は、通常ブロック化ポリイソシアネート中の官能基数および架橋剤中の官能基数の合計がアクリル系粘着剤ポリマー中の官能基数よりも多くならない程度の範囲で含有するのが好ましい。しかし、架橋反応で新たに官能基が生じる場合や、架橋反応が遅い場合等、必要に応じて過剰に含有してもよい。好ましい含有量は、アクリル系粘着剤ポリマー１００重量部に対し、ブロック化ポリイソシアネート０.１〜５０重量部、より好ましくは１〜３０重量部である。

上記ブロック化ポリイソシアネート含有粘着剤は、加熱によりイソシアネート基が再生し、アクリル系粘着剤ポリマーが有する官能基と反応するため、弾性率の増加が著しくなり、粘着力が大きく低下する。
本発明に用いる粘着剤塗布液には、他に粘着特性を調整するためにロジン系、テルペン樹脂系等のタッキファイヤー、各種界面活性剤等を、本発明の目的に影響しない程度に適宜含有してもよい。また、塗布液がエマルション液である場合は、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル等の造膜助剤を本発明の目的に影響しない程度に適宜添加してよい。造膜助剤として使用されるジエチレングリコールモノアルキルエーテル及びその誘導体は、粘着剤層中に多量に含有した場合、洗浄が不可能となる程度のウエハ表面の汚染を招くことがあることを考慮すれば、粘着剤塗工後の乾燥時の温度で揮発するものを使用し、粘着剤層中への残存量を低くすることが好ましい。

粘着剤層の厚みは３〜１００μｍが好ましい。より好ましい厚みは５〜８０μｍである。粘着剤層の厚みが薄くなると、耐水性が劣り、裏面研削中にウエハ表面と粘着剤層との間に水が浸入して、ウエハを破損したり、ウエハ表面に研削屑による汚染が生じたりする傾向にある。粘着剤層の厚みが厚くなると、粘着フィルムの作成が困難となったり、生産性に影響を与え、製造コストの増加につながることがある。

本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着テープを用いて、半導体ウエハを研削する方法としては、例えば、以下の工程による。先ず、粘着フィルムの粘着剤層から剥離フィルムを剥離し、粘着剤層表面を露出させ、その粘着剤層を介して、半導体ウエハの集積回路が組み込まれた側の面（表面）に貼着する。次いで、研削機のチャックテーブル等に粘着フィルムの基材フィルム層を介して半導体ウエハを固定し、半導体ウエハの裏面（集積回路非形成面）を研削する。

研削が終了した後、粘着テープを加熱し、粘着力を低下させる。加熱の温度は、ブロック化ポリイソシアネート化合物の熱解離温度以上であり、解離温度の１０℃以上が好ましい。加熱時間は、２分〜６０分が好ましい。加熱することにより、ブロック化ポリイソシアネートが解離してイソシアネート基が再生し、架橋反応が進行し、粘着力が低下する。
最後に、半導体ウエハから粘着フィルムを剥離する。上記加熱操作により、粘着剤層の粘着力が低下しているため、剥離時にウエハを破損することなく、容易に半導体ウエハから粘着フィルムを剥離することができる。

以下、実施例を示して本発明についてさらに詳細に説明する。以下に示す全ての実施例及び比較例において、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に維持された環境において粘着剤塗布液の調製及び塗布、並びに半導体シリコンウエハの裏面研削等を実施した。本発明はこれら実施例に限定されるものではない。尚、実施例に示した各種特性値は下記の方法で測定した。

（１）加熱前粘着力（ｇ／２５ｍｍ）
下記に規定した条件以外は、全てＪＩＳ Ｚ−０２３７−１９９１に準じて測定する。２３℃の雰囲気下において、実施例または比較例で得られた粘着フィルムをその粘着剤層を介して、５ｃｍ×２０ｃｍのＳＵＳ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳ Ｇ−４３０５−１９９１規定）の表面に貼着し、６０分放置する。試料の一端を挟持し、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ．でＳＵＳ３０４−ＢＡ板の表面から試料を剥離する際の応力を測定し、ｇ／２５ｍｍの粘着力に換算する。

（２）加熱後粘着力（ｇ／２５ｍｍ）
下記に規定した条件以外は、全てＪＩＳ Ｚ−０２３７−１９９１に準じて測定する。２３℃の雰囲気下において、実施例または比較例で得られた粘着フィルムをその粘着剤層を介して、５ｃｍ×２０ｃｍのＳＵＳ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳ Ｇ−４３０５−１９９１規定）の表面に貼着し、６０分放置する。その後、２００℃に加熱したプレート上に２分間放置し、室温まで冷却する。試料の一端を挟持し、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ．でＳＵＳ３０４−ＢＡ板の表面から試料を剥離する際の応力を測定し、ｇ／２５ｍｍの粘着力に換算する。

（３）半導体ウエハの破損（枚数）
半導体ウエハ裏面研削工程後、粘着フィルムを貼り付けた状態で、半導体ウエハを１８０℃、２分加熱し、表面保護用粘着フィルム剥離工程における半導体ウエハの破損枚数を示す。

（４） 密着性（％）
集積回路が組み込まれた半導体シリコンウエハ（直径：６インチ、厚み：６００μｍ、スクライブラインの深さ：８μｍ、スクライブラインの幅：１００μｍ）の表面に試料用の粘着フィルムをその粘着剤層を介して、半導体シリコンウエハの全表面に貼着した状態で、レーザーフォーカス顕微鏡（ＫＥＹＥＮＣＥ製、形式：ＶＦ−７５１０、ＶＦ−７５００、ＶＰ−ＥＤ１００）を用いて２５０倍率で観察し、写真撮影する。密着性評価として、粘着剤のスクライブラインへの貼着面積とスクライブラインの全面積との比率をもって密着性の指標とし、粘着剤のスクライブラインへの貼着割合が７０％以上を高密着性とする。
実施例１
＜粘着剤主剤の重合＞
重合反応機に脱イオン水１５０重量％、重合開始剤として４，４'−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド〔大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ〕を０．６２５重量部、モノマー（Ａ）としてアクリル酸−２−エチルヘキシル７４.３重量部、メタクリル酸メチル１３.７重量部、モノマー（B）として、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル９重量部、メタクリル酸２重量部及びアクリルアミド１重量部、水溶性コモノマーとしてポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（エチレンオキサイドの付加モル数の平均値：約２０）の硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製、商品名：アクアロンＨＳ−１０〕０．７５重量部を装入し、攪拌下で７０〜７２℃において８時間乳化重合を実施し、アクリル系樹脂エマルションを得た。これを９重量％アンモニア水で中和（ｐＨ＝７．０）し、固形分４２．５重量％のアクリル系粘着剤ポリマー（粘着剤主剤）とした。

＜粘着剤塗布液の調製＞
得られた粘着剤主剤１００重量部を採取し、エポキシ系架橋剤〔ナガセ化成工業（株）製、商品名：デナコールＥｘ−６１４〕５．０重量部及びブロック化ポリイソシアネート〔三井武田ポリケミカル製、商品名：タケネートＷＢ−９２０〕を１０重量部添加して粘着剤塗布液を得た。

＜粘着フィルムの作製＞
ロールコーターを用いて、上記粘着剤塗布液をポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して厚み２０μｍの粘着剤層を設けた。これに片面にコロナ処理を施したＰＥＴフィルムにコロナ処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却することにより半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。測定結果を〔表１〕に示す。
比較例１
実施例１と同一の粘着剤主剤に対して、ブロック化ポリイソシアネートを使用しなかった以外は、実施例１と同一の方法にて粘着剤層の膜厚２０μｍの半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを作製した。得られた粘着フィルムの粘着特性を実施例と同様の手法を用いて評価した。測定および評価結果を〔表１〕に示す。

Claims (4)

1. 基材フィルムの少なくとも片表面に、粘着剤層が形成され、前記粘着剤層が、一分子中に熱解離によりイソシアネート基が再生可能な、少なくとも２個のブロック化イソシアネート基を有するブロック化ポリイソシアネートおよびイソシアネート基と反応可能な基を有するポリマーを含有することを特徴とする粘着フィルム。
2. イソシアネート基と反応可能な基を有するポリマーが一分子中に少なくとも1個のヒドロキシル基を有するビニルポリマーであることを特徴とする請求項１に記載の粘着フィルム。
3. 前記基材フィルムの少なくとも一層が融点２００℃以上の樹脂から形成されていることを特徴とする請求項1または２に記載の粘着フィルム。
4. 半導体ウエハの回路形成面に請求項１〜３いずれかに記載の粘着フィルムを貼着する第一工程、半導体ウエハの回路非形成面を加工する第二工程を順次実施し、次いで、ブロック化イソシアネートの熱解離温度以上に加熱した後、該粘着フィルムを剥離する第三工程を実施することを特徴とする半導体ウエハの製造工程における半導体ウエハ保護方法。