JP2005195815A - 液晶表示装置の欠点表示画素修正方法及びその装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】飛散物が欠点表示画素の隣接画素へ飛び散るのを防止することができ、かつ、欠点表示画素をレーザリペアすることができる液晶表示装置の欠点表示画素修正方法を提供する。
【解決手段】透過型の液晶表示装置10の欠点表示画素140にCWレーザ光を照射し、配向膜を加工して欠点表示画素140を修正するものであって、欠点表示画素140の中央部におけるレーザ光の照射密度を、端部近傍の照射密度より低くし、気泡の拡がりを隣接する正常な画素まで至らないようにする。
【選択図】 図3
【解決手段】透過型の液晶表示装置10の欠点表示画素140にCWレーザ光を照射し、配向膜を加工して欠点表示画素140を修正するものであって、欠点表示画素140の中央部におけるレーザ光の照射密度を、端部近傍の照射密度より低くし、気泡の拡がりを隣接する正常な画素まで至らないようにする。
【選択図】 図3
Description
本発明は、液晶表示装置の欠点表示画素修正方法に関し、特に、製造工程の中のセル工程及びモジュール工程で行われる配向見出しレーザリペアに関するものである。
アクティブマトリックス型液晶表示装置においては、製造工程において不良が発生する場合がある。そして、薄膜トランジスタが動作不良を起こす場合や、画素電極又は配向膜が正常に形成されていない場合等には、電圧制御によって透過光量をコントロールすることが出来なくなり、例えばその部分が輝点欠点となって表れる。この様な輝点欠点は液晶表示装置の品質を低下させる。
従って、従来より輝点欠点を修正する方法としてレーザ光を欠点表示画素に照射し配向膜を加工して、液晶の配向性を乱し透過光量を減少させる、即ち滅点化するレーザリペア法が提案されている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。
特開2003−149619公報
特開平9−90304号公報
上記のようなレーザ光を用いて欠点表示画素をレーザリペアする場合には、図9に示すように、欠点表示画素に対してレーザ光をラスタースキャンさせ、配向見出しを行っている。
ところがこのようなレーザリペア法を用いると、配向膜や、画素電極を構成するITOが隣接画素へ飛び散り、正常な画素の一部も減点化するという問題点がある。
特に、透過型の液晶表示装置では、この飛散物の周辺画素への飛び散りが多いという問題点がある。図9においては、その飛散物の飛散範囲を斜線で示している。
そのため、レーザ光のパワーを弱めることも考えられるが、この場合には飛散物の飛び散りが減少するが、その一方欠点表示画素のレーザリペアが完全に行えないという問題点がある。
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、飛散物が欠点表示画素の隣接画素へ飛び散るのを防止することができ、かつ、欠点表示画素をレーザリペアすることができる液晶表示装置の欠点表示画素修正方法及びその装置を提供する。
請求項1に係る発明は、液晶表示装置の欠点表示画素にレーザ光を照射し、このレーザ光によって配向膜を加工して欠点表示画素を修正する液晶表示装置の欠点表示画素修正方法において、前記レーザ光によって前記欠点表示画素から発生する気泡を隣接する画素まで拡がらないように前記レーザ光の照射密度を変化させることを特徴とする液晶表示装置の欠点表示画素修正方法である。
請求項2に係る発明は、前記欠点表示画素の中央部における前記レーザ光の照射密度を、前記欠点表示画素の端部近傍の照射密度より低くすることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法である。
請求項3に係る発明は、前記欠点表示画素に対して前記レーザ光を欠点表示画素の辺に平行にラスタースキャンし、前記欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くすることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法である。
請求項4に係る発明は、前記欠点表示画素に対して前記レーザ光を欠点表示画素の辺に斜めにラスタースキャンし、前記欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くすることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法である。
請求項5に係る発明は、前記レーザ光が、連続発振レーザ光であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法である。
請求項6に係る発明は、前記レーザ光が、パルスレーザ光であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法である。
請求項7に係る発明は、第1回目のレーザ光を前記欠点表示画素の中央部に照射して前記気泡を発生させ、第2回目のレーザ光の照射密度を前記欠点表示画素の端部近傍より中央部ほど低くすることを特徴とする請求項5記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法である。
請求項8に係る発明は、液晶表示装置の欠点表示画素にレーザ発振器によってレーザ光を照射し、このレーザ光によって配向膜を加工して欠点表示画素を修正する液晶表示装置の欠点表示画素修正装置において、前記レーザ光によって前記欠点表示画素から発生する気泡が隣接する画素まで拡がらないように前記レーザ光の照射密度を変化させる制御手段を有することを特徴とする液晶表示装置の欠点表示画素修正装置である。
請求項9に係る発明は、前記制御手段は、前記欠点表示画素の中央部における前記レーザ光の照射密度を、前記欠点表示画素の端部近傍の照射密度より低くすることを特徴とする請求項8記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置である。
請求項10に係る発明は、前記制御手段は、前記欠点表示画素に対して前記レーザ光を欠点表示画素の辺に平行にラスタースキャンし、前記欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くすることを特徴とする請求項8記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置である。
請求項11に係る発明は、前記制御手段は、前記欠点表示画素に対して前記レーザ光を欠点表示画素の辺に斜めにラスタースキャンし、前記欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くすることを特徴とする請求項8記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置である。
請求項12に係る発明は、前記レーザ発振器が発振するレーザ光が、連続発振レーザ光であることを特徴とする請求項8記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置である。
請求項13に係る発明は、前記レーザ発振器が発振するレーザ光が、パルスレーザ光であることを特徴とする請求項8記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置である。
請求項14に係る発明は、前記制御手段は、第1回目のレーザ光を前記欠点表示画素の中央部に照射して前記気泡を発生させ、第2回目のレーザ光の照射密度を前記欠点表示画素の端部近傍より中央部ほど低くすることを特徴とする請求項13記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置である。
請求項1及び8に係る発明について説明する。
本発明者は、欠点表示画素からの飛散物が何故発生するかを実験によって検証した結果、次のことが明らかになった。まず、レーザ光で配向膜を加工するときに気泡が発生するが、この気泡内でレーザ照射に伴う飛散物が欠点表示画素表面に堆積することで配向膜の液晶分子に対する配向性が低下する。そのため、レーザ光で加工するときには気泡が存在する必要がある。ところが、この気泡が拡がり過ぎ、隣の正常な画素まで至ると、図9に示すように正常な隣の画素に飛散物が堆積し正常な画素まで減点化することが明らかになった。
そこで、請求項1及び8に係る発明においては、レーザ光によって欠点表示画素から発生する気泡の拡がりを欠点表示画素内にのみ制御するようにレーザ光の照射密度を変化させるものである。これによって、隣接する正常な画素まで飛散物が飛び散ることがなく、欠点表示画素のみレーザリペアすることができる。
請求項2及び請求項9に係る発明について説明する。
本発明者は、更に、この気泡の拡がりを欠点表示画素内に収めるためには、実験によって欠点表示画素の中央部における照射密度を、欠点表示画素の端部近傍の照射密度より低くすることによって実現することができることを明らかにした。このため、欠点表示画素の中央部におけるレーザ光の照射密度を端部近傍の照射密度より低くすることにより、欠点表示画素のみレーザリペアすることができる。
請求項3及び請求項10に係る発明について説明する。
欠点表示画素に対してレーザ光を欠点表示画素の辺に平行にラスタースキャンする場合に、欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くする。即ち、欠点表示画素の一辺から他辺に向かうスキャン距離を中央部ほど短くすることにより、欠点表示画素の中央部の照射密度を端部近傍よりも低くすることができ、その気泡の拡がりを抑え、欠点表示画素をレーザリペアすることができる。
請求項4及び請求項11に係る発明について説明する。
欠点表示画素に対してレーザ光を欠点表示画素の辺に斜めにラスタースキャンする場合に、欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くする。即ち、欠点表示画素の一辺から他辺に向かうスキャン距離を中央部ほど短くすることにより、欠点表示画素の中央部の照射密度を端部近傍よりも低くすることができ、その気泡の拡がりを抑え、欠点表示画素をレーザリペアすることができる。
請求項5及び請求項12に係る発明においては、レーザ光が連続発振レーザ光であっても、上記で説明したレーザリペアを実現することができる。
請求項6及び請求項13に係る発明においては、レーザ光がパルスレーザ光であっても、上記で説明したレーザリペアを実現することができる。
請求項7に係る発明について説明する。
パルスレーザ光でレーザリペアを行う場合には、第1回目のレーザ光を欠点表示画素の中央部に照射して気泡を発生させ、第2回目のレーザ光の照射密度を欠点表示画素の端部近傍より中央部ほど低くすることにより、発生した気泡の拡がりを抑え、欠点表示画素のみレーザリペアすることができる。
本発明の実施形態では、透過型の液晶表示装置10の欠点表示画素を欠点表示画素修正装置1によってレーザリペアする方法を図面に基づいて説明する。
(1)透過型の液晶表示装置10の構成
まず、透過型のアクティブマトリックス型液晶表示装置10の構成について説明する。
まず、透過型のアクティブマトリックス型液晶表示装置10の構成について説明する。
透過型の液晶表示装置10は、図2に示すように、アレイ基板103と、対向基板104と、これら基板103、104間に配向膜142、143を介して挟持されるツイステッド・ネマチック液晶から成る液晶層105と、基板間距離を一定の例えば5.2μmに保持するアレイ基板103上に一体的に形成されたスペーサ101、141とを備えて構成されている。
2枚の基板103,104は表示領域を囲む矩形枠状に配置されたシール材部102により封着されている。
アレイ基板103は、透明基板131上にほぼ平行に等間隔に配置された信号線137と、それに層間絶縁層134を介してほぼ直交して配置された走査線(図示せず)と、それらの交点毎に配置された薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)及びこれに接続する画素電極140から構成されている。
以下に詳細な構造を図2を用いて詳細に説明する。
ガラスから成る透明基板131上に下地層132を介して配置されたチャネル領域111、ソース及びドレイン領域114、112を含むポリシリコン(p-Si)層と、これらを覆うように形成されたゲート絶縁膜133と、このゲート絶縁膜133上に配置されたゲート電極113とから、コプラナ型ポリシリコンTFTが構成されている。
ゲート絶縁膜133及び層間絶縁膜134に形成されたコンタクトホールを介してソース及びドレイン領域114,112に電気的に接続されるソース電極137及び信号線138が配置されている。また、この上には、絶縁層139を介して、R,G,Bの着色層115が形成され、この着色層115上にはITO(Indium Tin Oxide)からなる画素電極140が配置され、この画素電極140は絶縁層139及び着色層115に形成されたコンタクトホールを介してソース電極137と電気的に接続されている。
着色層115上の画素電極140間の領域には柱状スペーサ141が、シール材部付近Bには柱状スペーサ101が形成され、柱状スペーサ141、101、画素電極140、着色層115を覆うように基板全面に配向膜142が設けられている。
アレイ基板103に対向配置される対向基板104は、対向電極144と、配向膜143とが透明基板145上に配置されて構成される。
(2)欠点表示画素修正装置1の構成
次に、欠点表示画素修正装置1の構成について説明する。
次に、欠点表示画素修正装置1の構成について説明する。
図1は、欠点表示画素修正装置1の構成図である。
XYテーブル2上には、上記で説明した液晶表示装置10が載置されている。このXYテーブル2には、開口部2aが形成され、この開口部2aの下方にバックライト用の透過照明器具3が配置されている。
欠点表示画素のリペア用として連続発振レーザ発振器(以下、CWレーザ発振器という)4が設けられている。
このCWレーザ発振器4のレーザ光路上には、ハーフミラー5が配置され、このハーフミラー5によってCWレーザ発振器4から出力されたレーザが液晶表示装置10に向かって反射される。
また、ハーフミラー5の反射光路上には、照射光学系としての集光レンズ6が配置されている。この集光レンズ6は、レーザ光のレーザスポット径を、画素電極面積に対して十分に小さい、例えば1〜3μmの比較的小さいレーザスポット径に集光して、液晶表示装置10の画素上に照射する機能を有している。
コントローラ7は、XYテーブル2をXY方向に移動制御して、図3に示すように、欠点表示画素をレーザ光で、加工開始点Cから加工終了点Dまで、順次、並行に且つレーザスポット径の一部を重複させつつスキャンすることにより、気泡を発生させつつ飛散物を旨く堆積させる事によりレーザリペアを行える。
液晶表示装置10からハーフミラー5を通る光路上には、リレーレンズ8を介してCCDカメラ9が配置されている。このCCDカメラ9は、液晶表示装置10を撮像してその画像信号をモニタテレビジョン等に送り、欠点表示画素等を検索しやすいものとしている。
CCDカメラ9により液晶表示装置10上の欠点表示画素が検索されると、この欠点表示画素に対するレーザリペアが行われる。
コントローラ7は、XYテーブル2をXY方向に移動制御して、図3に示すように、欠点表示画素をレーザ光で、加工開始点Cから加工終了点Dまで400μm/sでラスタースキャンを一回すると気泡を発生させながらレーザリペアを行える。この方法については、下記で詳しく説明する。
(3)欠点表示画素修正方法
上記構成の欠点表示画素修正装置1を用いて、透過型の液晶表示装置10の欠点表示画素140をレーザ光で修正する方法について図3に基づいて説明する。
上記構成の欠点表示画素修正装置1を用いて、透過型の液晶表示装置10の欠点表示画素140をレーザ光で修正する方法について図3に基づいて説明する。
コントローラ7は、レーザ光を、図3において例えばアレイ基板の裏面側から欠点表示画素140の上辺及び下辺に対して平行に一筆書きのようにスキャンする。この場合に加工開始点Cから加工終了点Dまでは、欠点表示画素50の上辺及び下辺と平行に所定の間隔、例えばスポット径の中心間隔を0.5μmの間隔としてスキャンしていく。また、この際に効率的に気泡を発生させるため、スポット径を互いにオーバーラップさせて走査する。このスキャンする場合に、加工開始点Cから加工終了点Dまで行うが、端部近傍、即ち、下辺近傍においてスキャンする場合には、図3における欠点表示画素の左辺から右辺まで略全ての距離Lをスキャンする。即ち、このスキャン距離L1は、欠点表示画素140の左辺から右辺までの距離と略等しくなる。そして、欠点表示画素140の中央部にいくほどこのスキャン距離を順番に短くし、中央部のスキャン距離L2は、L1より短くする。そして、中央部を過ぎて上辺に近づくほど逆にスキャン距離を長くし、上辺に近いスキャン距離L3は、中央部におけるスキャン距離L2より長くする。このラスタースキャンの全体形状が、略つつみ型となる。
このように、中央部ほどスキャン距離を短くすると、配向膜や画素電極から発生した飛散物は、隣接する正常な画素まで飛散せず、欠点表示画素140のみ覆う状態となり、液晶材料は垂直配向或いはランダム配向のドメインを形成し、これにより輝点欠点を滅点化し修正することができる。これによって配向見出しが実現され、輝点画素をレーザリペアすることができる。
このように、中央部ほどスキャン距離を短くして輝点画素のみをレーザリペアできる理由は、レーザ光によって発生する気泡の拡がりが、隣接する正常な画素まで拡がらず、欠点表示画素140のみ気泡が旨く制御されて覆う状態となるからである。なお、中央部のスキャン距離を端部よりも長くした場合には、その気泡の拡がりが大きくなり隣接する正常な画素まで拡がり、従来技術と同様の問題点が発生する。
(4)変更例
(4−1)変更例1
欠点表示画素修正方法の変更例としては、図4に示すように、レーザ光のラスタースキャンする方法を、上記の実施形態のように欠点表示画素140の上辺及び下辺と平行に行うのではなく、やや傾斜させてラスタースキャンする。
(4−1)変更例1
欠点表示画素修正方法の変更例としては、図4に示すように、レーザ光のラスタースキャンする方法を、上記の実施形態のように欠点表示画素140の上辺及び下辺と平行に行うのではなく、やや傾斜させてラスタースキャンする。
この場合も同様に、中央部ほどスキャン距離を端部より短くすることによって、気泡の拡がりを抑え、欠点表示画素140のみレーザリペアを行うことができる。
(4−2)変更例2
上記スキャンは、一筆書きのようにスキャンしたが、これに代えて平行に順番に同じ方向にスキャンしてもよい。
上記スキャンは、一筆書きのようにスキャンしたが、これに代えて平行に順番に同じ方向にスキャンしてもよい。
(4−3)変更例3
上記実施形態では、ポリシリコンTFTで説明したが、変更例としてアモルファスシリコンTFTでも同様に適用できる。
上記実施形態では、ポリシリコンTFTで説明したが、変更例としてアモルファスシリコンTFTでも同様に適用できる。
(5)パルスレーザ発振器の場合
欠点表示画素140のレーザリペア用としてQスイッチNd:YAGレーザ発振器、いわゆるパルスレーザ発振器を用いてもよい。また、パルスレーザ光では、連続発振レーザ光のように集光光学計を用いるのではなく、結像光学計を用いて照射する。
欠点表示画素140のレーザリペア用としてQスイッチNd:YAGレーザ発振器、いわゆるパルスレーザ発振器を用いてもよい。また、パルスレーザ光では、連続発振レーザ光のように集光光学計を用いるのではなく、結像光学計を用いて照射する。
レーザ光の波長は、可視又は近赤外領域のものであって400nm〜1500nmが使用されるが、800〜900nm以上であって、800から1500nm程度であることが好ましい。
このパルスレーザ発振器を用いた場合、CWレーザに比してパルス間隔が長くスキャンと同時に画素全体に旨く気泡を生起させることができないため、スキャンに先立ち1回目のレーザ光を照射して気泡を発生させ、その後にレーザ光を例えば長尺に絞り所定の間隔を隔てて順次スキャンすることによりその飛散物が気泡に制御されて広がり、配向乱しを実現することができる。
その方法について図5に基づいて説明する。
図5に示すように、欠点表示画素140の略中央に第1回目のパルスレーザ光を所定のスポットに絞込み気泡を発生させるに十分なパワーで照射する。これによって、気泡が発生する。
その後、図5に示すように、2回目のパルスレーザ光を照射し、この場合に中央部ほど端部より照射密度を低くするように略矩形状の結像が行われるように照射する。
上記のように2回目のパルスレーザ光を照射すると気泡の拡がりを抑えることができ、欠点表示画素140のみをレーザリペアすることができる。
(6)パルスレーザ発振器の場合の変更例
図6は、パルスレーザ光でレーザリペアする場合の変更例であって、結像の状態を上記のような矩形ではなく長方形にし、上辺及び各辺に対して略平行に照射する。
図6は、パルスレーザ光でレーザリペアする場合の変更例であって、結像の状態を上記のような矩形ではなく長方形にし、上辺及び各辺に対して略平行に照射する。
この場合であっても中央部の照射範囲を端部よりも小さくすることにより、照射密度を低く抑え、気泡の拡がりを防止することができる。
(7)半透過型の液晶表示装置10の欠点表示画素修正方法
上記実施形態では、透過型の液晶表示装置10における欠点表示画素修正方法について説明したが、この方法は透過型のみならず半透過型の液晶表示装置10においても使用することができる。
上記実施形態では、透過型の液晶表示装置10における欠点表示画素修正方法について説明したが、この方法は透過型のみならず半透過型の液晶表示装置10においても使用することができる。
(7−1)半透過型の液晶表示装置10の構成
図7は、半透過型のアクティブマトリックス型液晶表示装置10のアレイ基板202を示す要部平面図、図8は図7のII−IIに沿う断面図である。
図7は、半透過型のアクティブマトリックス型液晶表示装置10のアレイ基板202を示す要部平面図、図8は図7のII−IIに沿う断面図である。
ガラス基板201には、保持容量Csを構成する一方の多結晶シリコン電極202が形成されている。薄膜トランジスタを構成する多結晶シリコンからなる半導体層203は、前記ガラス基板201上に形成され、そのドレイン領域231はガラス基板201上に形成した多結晶シリコン配線204により前記多結晶シリコン電極202と一体的に接続されている。なお、この多結晶シリコン配線204は、後述するAlからなる画素電極と略等しい電位を持つ。
ゲート絶縁膜を兼ねる絶縁薄膜205は、前記多結晶シリコン電極202、半導体層203及び多結晶シリコン配線204を含む前記ガラス基板201上に形成されている。金属からなるCs線206は、前記絶縁薄膜205上にその一部が前記多結晶シリコン電極202と重なるように設けられている。このような多結晶シリコン電極202、絶縁薄膜205及びCs線206により保持容量Csを構成している。走査線である金属からなるゲート線7は、前記Cs線206と同じ層前記絶縁薄膜205上にその一部が前記活性層203を横切るように形成されている。このゲート線207は、前記Cs線206と同じ層上に位置する。
例えばSiO2からなる第1層間絶縁膜208は、前記Cs線206及びゲート線207等を被覆する絶縁薄膜205上に形成されている。Alからなる接続配線209は、前記第1層間絶縁膜208上に形成され、かつ前記第1層間絶縁膜208及び絶縁薄膜205を貫通したコンタクトホール210を通して前記半導体層203のドレイン領域231に接続されている。Alからなる信号線211は、前記第1層間絶縁膜208上に形成され、かつ前記第1層間絶縁膜208及び絶縁薄膜205を貫通したコンタクトホール212を通して前記半導体層203のソース領域203−2に接続されている。信号線211は、前記接続配線209と同じ層上に位置する。なお、前記接続配線209は画素電極と略等しい電位を持つ。
例えば有機樹脂からなる第2層間絶縁膜213は、前記接続配線209及び信号線211を含む前記第1層間絶縁膜208上に形成されている。反射金属、例えばAlからなる画素電極214は、前記第2層間絶縁膜213上に形成されて、かつこの第2層間絶縁膜213を貫通するコンタクトホール215を通して前記接続配線209に接続されている。複数、例えば3つの矩形穴(透過部)216−1〜216−3は、1つの前記画素電極214に開口されている。これら矩形穴216−1〜216−3のうちの例えば1つの矩形穴216−1は、前記画素電極214から前記ガラス基板201に向けて透視した時に前記薄膜トランジスタから前記画素電極214に接続される接続配線209及び前記薄膜トランジスタから前記保持容量Csに接続される多結晶シリコン配線204の一部に重なるように位置する。
以上、画素電極214は複数、例えば3つの矩形穴(透過部)216−1〜216−3が開口されているため、反射金属であるAlからなる画素電極214は反射板として作用し、前記矩形穴(透過部)216−1〜216−3は前記ガラス基板201の裏面画に配置されたバックライトを透過する窓として作用する。その結果、暗い環境下では透過型、明るい環境下では反射型の特徴を引き出すことが可能な優れた視認性を示す低消費電力の半透過型の液晶表示装置10を実現できる。
(7−2)半透過型の液晶表示装置10の欠点表示画素修正方法
上記のような半透過型の液晶表示装置10において欠点表示画素が発見された場合には、欠点表示画素修正装置1を用いて、アレイ基板の上方から欠点表示画素214にレーザ光を照射し、この場合に透過型の液晶表示装置10と同様に中央部ほど照射密度を低くし、気泡の拡がりを抑えることによって、欠点表示画素214のみがレーザリペアすることができる。
上記のような半透過型の液晶表示装置10において欠点表示画素が発見された場合には、欠点表示画素修正装置1を用いて、アレイ基板の上方から欠点表示画素214にレーザ光を照射し、この場合に透過型の液晶表示装置10と同様に中央部ほど照射密度を低くし、気泡の拡がりを抑えることによって、欠点表示画素214のみがレーザリペアすることができる。
本発明であると、気泡の拡がりを旨く制御することにより欠点表示画素のみレーザリペアすることができ、正常な画素の減点化を防止することができるので、透過型のアクティブマトリックス型液晶表示装置及び半透過型のアクティブマトリックス型液晶表示装置の欠点表示画素修正に用いるのが好適である。
1 欠点表示画素修正装置
2 XYテーブル
3 透過照明器具
4 CWレーザ発振器
5 ハーフミラー
6 集光レンズ
7 コントローラ
8 リレーレンズ
9 CCDカメラ
10 液晶表示装置
140 画素電極
2 XYテーブル
3 透過照明器具
4 CWレーザ発振器
5 ハーフミラー
6 集光レンズ
7 コントローラ
8 リレーレンズ
9 CCDカメラ
10 液晶表示装置
140 画素電極
Claims (14)
- 液晶表示装置の欠点表示画素にレーザ光を照射し、このレーザ光によって配向膜を加工して欠点表示画素を修正する液晶表示装置の欠点表示画素修正方法において、
前記レーザ光によって前記欠点表示画素から発生する気泡を隣接する画素まで拡がらないように前記レーザ光の照射密度を変化させる
ことを特徴とする液晶表示装置の欠点表示画素修正方法。 - 前記欠点表示画素の中央部における前記レーザ光の照射密度を、前記欠点表示画素の端部近傍の照射密度より低くする
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法。 - 前記欠点表示画素に対して前記レーザ光を欠点表示画素の辺に平行にラスタースキャンし、前記欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くする
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法。 - 前記欠点表示画素に対して前記レーザ光を欠点表示画素の辺に斜めにラスタースキャンし、前記欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くする
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法。 - 前記レーザ光が、連続発振レーザ光である
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法。 - 前記レーザ光が、パルスレーザ光である
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法。 - 第1回目のレーザ光を前記欠点表示画素の中央部に照射して前記気泡を発生させ、
第2回目のレーザ光の照射密度を前記欠点表示画素の端部近傍より中央部ほど低くする
ことを特徴とする請求項6記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法。 - 液晶表示装置の欠点表示画素にレーザ発振器によってレーザ光を照射し、このレーザ光によって配向膜を加工して欠点表示画素を修正する液晶表示装置の欠点表示画素修正装置において、
前記レーザ光によって前記欠点表示画素から発生する気泡が隣接する画素まで拡がらないように前記レーザ光の照射密度を変化させる制御手段を有する
ことを特徴とする液晶表示装置の欠点表示画素修正装置。 - 前記制御手段は、
前記欠点表示画素の中央部における前記レーザ光の照射密度を、前記欠点表示画素の端部近傍の照射密度より低くする
ことを特徴とする請求項8記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置。 - 前記制御手段は、
前記欠点表示画素に対して前記レーザ光を欠点表示画素の辺に平行にラスタースキャンし、前記欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くする
ことを特徴とする請求項8記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置。 - 前記制御手段は、
前記欠点表示画素に対して前記レーザ光を欠点表示画素の辺に斜めにラスタースキャンし、前記欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くする
ことを特徴とする請求項8記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置。 - 前記レーザ発振器が発振するレーザ光が、連続発振レーザ光である
ことを特徴とする請求項8記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置。 - 前記レーザ発振器が発振するレーザ光が、パルスレーザ光である
ことを特徴とする請求項8記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置。 - 前記制御手段は、
第1回目のレーザ光を前記欠点表示画素の中央部に照射して前記気泡を発生させ、
第2回目のレーザ光の照射密度を前記欠点表示画素の端部近傍より中央部ほど低くする
ことを特徴とする請求項13記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004001469A JP2005195815A (ja) | 2004-01-06 | 2004-01-06 | 液晶表示装置の欠点表示画素修正方法及びその装置 |
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JP2005195815A true JP2005195815A (ja) | 2005-07-21 |
Family
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JP (1) | JP2005195815A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008158305A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置および表示装置の欠陥修復方法 |
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2004
- 2004-01-06 JP JP2004001469A patent/JP2005195815A/ja active Pending
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